Eletrônica de Potência

MOSFET, IGBT
 Programa

• MOSFET
• IGBT
• Exercícios
• Calculo Térmico
• Simulações de Circuitos
Semicondutores de Potência
MOSFET de Potência
MOSFET de Potência
 MOSFET – Principais características

• VGSth - Valor de tensão para criar o

canal entre Dreno e Source
• VDS Valor máximo de tensão entre
Dreno e Source
• VGS para ligar a chave (15V< VGS <20)
• ID corrente de Dreno
• RDSon – Resistência entre dreno e
source em conducao
 MOSFET – Características - IRF740

• VGSth - (2< VGSth <4)

• VDS 400V
• VGS para ligar a chave (15V< VGS <20)
• ID 10A a 25graus
• RDSon – 0,55R
 MOSFET – Características - IRF240

• VGSth - (2< VGSth <4)

• VDS 200V
• VGS para ligar a chave (15V< VGS <20)
• ID 18A a 25graus
• RDSon – 0,18R
 MOSFET – Principais características

• VGSth - Valor de tensão para criar o

canal entre Dreno e Source
• VDS Valor máximo de tensão entre
Dreno e Source
• VGS para ligar a chave (15V< VGS <20)
• ID corrente de Dreno
• RDSon – Resistência entre dreno e
source em conducao
 MOSFET de Potência
Tempos de comutação
 MOSFET – Características - IRF740

•
• Ton = td(on) + tr = 41ns
• Toff = td(off) + tf = 74ns
MOSFET – Exemplo
MOSFET – Exemplo
MOSFET – Exemplo
MOSFET – Perdas de Potencia
 MOSFET – Exercicios

No circuito anterior considere:

• V1 uma onda quadrada com 10Vpico,
F =10kHz e Duty de 50%.
• Vdd = 20V, RD = R2 =5R e IRF740,
Calcule:
• a) IDon
• b) VDSon
• c) Perdas
IGBT - Insulated Gate Bipolar
Transistor
IGBT – Circuito equivalente
IGBT – Driver acionamento
Comparação entre os transistores
Eletrônica de Potência

MOSFET, IGBT