Eletrônica de Potência

Aula 2
Ambiente Blackboard
 Programa
• Revisão da Tarefa
• Transistor Bipolar (TBJ)
• Tarefas
• Transistor MOSFET
• Tarefas
• Transistor IGBT
• Comparação entre os transistores
 Simulação de circuitos
• Exemplos de simulador de circuitos
• Multisim: https://www.ni.com/pt-br/support/downloads/software-
products/download.multisim.html#312060

• Pspice: https://www.pspice.com/academic-user
• Proteus: https://www.labcenter.com/downloads/
• Psim: https://powersimtech.com/academia/for-students/
 Simulação de circuitos
• Tutoriais/Exemplos disponíveis na internet
• Multisim:
https://edisciplinas.usp.br/mod/resource/view.php?id=2732695&forceview=
1

https://www.multisim.com/help/getting-started/
Pspice: https://www.youtube.com/watch?v=6jzcUsurQ-0
Proteus https://www.youtube.com/watch?v=QCLHhV3oBNI

Psim: https://powersimtech.com/resources/tutorials/get-started-with-
psim/
 Tarefas - Simulações
• Simule o circuito retificador e apresente: As formas de onda
da tensão na carga e sobre o diodo, O valor médio (DC) da
tensão na carga, O valor eficaz (rms) da tensão na carga, A
forma de onda da corrente na carga.
Eletrônica de Potência – Chaves Semicondutoras
• Diodo de potência

• Transistor Bipolar de Junção(TBJ)

• Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-

semicondutor (MOSFETs)

• Transistor Bipolar de Porta Isolada(IGBTs)

• Retificador Controlado de Silício(SCR)

• TRIAC
 Transistores de Potência - Tópicos

TRANSISTOR DE POTÊNCIA
3) Transistores: bipolar, bipolar com chave, MOS ,
Curso: ENGENHARIA ELÉTRICA,
Disciplina: Eletrônica,
Código da Unidade: 16905

4) Transistor de Efeito de Campo (FET)

Curso:ENGENHARIA ELÉTRICA,
Disciplina: Eletrônica Industrial,
Código da Unidade: 17722

5) Transistores de Potência (TJB e IGBT)

Curso: ENGENHARIA ELÉTRICA,
Disciplina: Eletrônica de Potência,
Código da Unidade: 16669
Transistores de Potência - Tópicos
 Transistor Bipolar - TBJ
• Forma construtiva e símbolo
 Transistor Bipolar
• Exemplos de transistores
 TBJ – Curva característica

• Regiões de operação: Corte, Saturação e Ativa

.
 TBJ - Princípio de funcionamento

• Equações básicas
IE = IB + IC
IC = β IB

• Por exemplo, para

• Temos:
Folha de dados - TBJ
 CURVA CARACTERÍSTICA - TBJ
Exemplos de Links disponíveis para utilizar um simulador de circuitos e obter a
curva característica do transistor bipolar.

Referências:
https://www.youtube.com/watch?v=_j-x3MeR_fs

http://www.eng.auburn.edu/~niuguof/multisimdev/bjt.html

https://www.multisim.com/content/9ZKxKRiN5fSQzRMo8DLjbh/dc-sweep-
characteristic-i-v-curves-of-bjt/
 Curva Característica - TBJ
Utilize o simulador de circuitos e obtenha a curva característica de diferentes
transistores.
 Curva Característica - TBJ
Utilize o simulador de circuitos e obtenha a curva característica de diferentes
transistores.
 Característica do TBJ
Principais características/parâmetros de um TBJ
 Característica do TBJ
Principais características/parâmetros de um TBJ
 TBJ operando como uma chave

• Equações do circuito:
Vg − VBE
Vg = IB.RB + VBE IB =
RB
IC = β IB
VCC = IC.RC + VCE
VCE = VCC − IC.RC
 TBJ operando como uma chave
Considerando os tempos de comutação
 TBJ operando como uma chave
Considerando os tempos de comutação

Exemplos de tempos de comutação para um TBJ de 250V/15A

td = 0,2us; tr = 0,7us ; Ton = 0,9us
ts = 3,0us, tf = 0,7us; Toff = 3,7us
 TBJ operando como uma chave
Perdas de Condução/Comutação
P = PCond + PComut
Condução
PCond = ( IC.VCEsat + IB.VBEsat )tlig . freq
Onde:
IC: Corrente de coletor
VCEsat: Tensão VCE com o transistor saturado
IB: Corrente de base
VBEsat: Tensão VBE que mantém o transistor saturado
tlig: Tempo que o transistor se mantém ligado(conduzindo
corrente)
freq: freqüência de chaveamento
 TBJ operando como uma chave
Perdas de Condução/Comutação
P = PCond + PComut
Comutação
1
PComut = (tr + t f ).I .E. freq
2
Onde:
tr: tempo de subida
tf: tempo de descida
I: Corrente de coletor ao final da comutação
E: Tensão entre coletor e emissor (VCE) ao final da
comutação
freq: freqüência de chaveamento
 Tarefa - Simulação
• Simule o circuito e apresente as formas de onda da tensão na
entrada (Vi) e na saída (VCE). Repita a simulação para
diferentes frequencias do sinal de entrada (100Hz, 1kHZ,
10kHz, 100kHz). Até que frequencia o TBJ continua
funcionando adequadamente?
 Tarefa - Exercício
• Calcule as perdas de condução e de comutação no
circuito simulado considerando que a freqüência de
chaveamento seja 1kHz e depois 10kHz. Considere os
seguintes parâmetros do TBJ:
• td = 0,5us; tr =4us
• ts = 6us; tf = 3us
• VBEsat =1,5V e VCEsat = 1,1V
 Transistor MOSFET
• Símbolo: Canal N, Canal P
 MOSFET– Curva característica

• Regiões de operação: Corte, Triodo e

Saturação.
 MOSFET- Equações básicas

• Triodo (Chave fechada)

VDS ≤ VGS − Vt

• Corte (Chave aberta)

VGS < Vt
 MOSFET como uma chave
Exemplo de circuito:
 MOSFET como uma chave
Exemplo de circuito:
 MOSFET como uma chave
Formas de onda da tensão e corrente no Gate na comutação
 MOSFET como uma chave
Considerando os tempos de comutação
 MOSFET como uma chave
Considerando os tempos de comutação
 MOSFET como uma chave
Considerando os tempos de comutação

Exemplos de tempos de comutação para um MOSFET de

400V/4A
tdon = 30ns; tr = 50ns ; T_ligar = 80ns
tdoff = 10ns, tf = 50ns; T_desligar = 60ns
 MOSFET como uma chave
Perdas de Condução/Comutação
P = PCond + PComut
Condução
ton
PCond = RDS ( on ) ( IDon ) 2
T
Onde:
• ID(on) – corrente de dreno quando ligado;
• RDS(on) – resistência entre dreno e source quando ligado;
• T – período de chaveamento;
• ton – tempo no qual o transistor permanece ligado.
 MOSFET como uma chave
Perdas de Condução/Comutação
P = PCond + PComut
Comutação
F
PComut = (tr + tf ) IDonVDSoff
2
Onde:
• tr – tempo de subida da corrente de dreno;
• tf – tempo de descida da corrente de dreno;
• ID(on) – corrente de dreno quando ligado;
• VDS(off) – tensão entre dreno e source ao final da
comutação;
• F – frequência de comutação.
 Tarefa - Simulação
• Simule o circuito e apresente as formas de onda da tensão na
entrada (Vi) e na saída (VDS). Repita a simulação para
diferentes frequencias do sinal de entrada (100Hz, 1kHZ,
10kHz, 100kHz). Até que frequencia o MOSFET continua
funcionando adequadamente?
 Tarefa - Exercício
• Calcule as perdas de condução e de comutação no
circuito simulado considerando que a freqüência de
chaveamento seja 10kHz e depois 50kHz. Considere os
seguintes parâmetros do MOSFET:
• td_on = 17ns; tr =10ns
• td_off = 10ns; tf = 10ns
• RDSon =0,55Ω
 Transistor IGBT
• Símbolo:
 Transistor IGBT
• Símbolo:
 IGBT– Curva característica

• Regiões de operação: Corte, linear e

Saturação.
 Comparação entre os transistores

• Comparação entre dispositivos

 Comparação entre os transistores

• Comparação entre os dispositivos

 Tarefa - Simulação
• Simule o circuito e apresente as formas de onda da tensão na
entrada (Vi) e na saída (VCE). Repita a simulação para
diferentes frequencias da entrada (1kHZ, 10kHz, 100kHz). Até
que frequencia o IGBT continua chaveando? No multisim usar
o IRG4PH, VCC = 53V, R = 2R , Rg = 10R e Vg = 20Vpico
Eletrônica de Potência

Aula 2
Ambiente Blackboard