EXERCÍCIOS jFET e MOSFET

1) Todos os circuitos abaixo têm Vcc = 12 V, R1 = 100 k e R2 = 1 k. Calcular a tensão de entrada
Vi, em cada circuito, necessária para saturar o transistor (i.e. Vo ≅ 0 V).

Dados dos transistores:

Bipolar (Si,  = 240), jFET (IDSS = 20 mA e Vp = -10 V), MOSFET Depleção (IDSS = 8 mA e
Vp = -5 V) e MOSFET Intensificação (VT = 3 V, ID(on) = 10 mA @ VGS = 7 V).

2) No exercício anterior, calcular a tensão de entrada Vi, em cada circuito, necessária para cortar o
transistor (i.e. Vo = Vcc).

3) No mesmo exercício anterior, calcular a tensão de entrada Vi, em cada circuito, necessária para
colocar o transistor em um ponto da região ativa onde Vo = 6 V.

4) Utilizando as respostas dos exercícios anteriores, montar uma tabela comparativa sobre os
valores Vi necessários para “ligar” e “desligar” a carga R2.

5) Comentar sobre os valores das correntes de entrada (Ii) necessárias para o chaveamento dos
transistores acima.