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Projeto 4 – Projeto de Dimensionamento de Inversor Trifásico

Autor: Paulo Figueredo de Lima

1. Objetivo

Este projeto tem como objetivo dimensionar um inversor trifásico para acionamento de motor de

indução com a estratégia de modulação SVPWM.

2. Considerações iniciais

O inversor trifásico possui uma tensão de linha nominal de saída de 690 V. Esse inversor supre um

motor de indução trifásico de 500 hp, 690 V. A frequência de chaveamento do inversor é limitada a

5 kHz e a amplitude da fundamental da tensão de saída do inversor no modo “six step” é 1,0 pu. O

motor opera em vazio com fator de potência 0,2 e para uma corrente de carga de 1,2 pu (502 A) o

fator de potência é 0,88. A tensão na carga é de 0,907 pu (625 V).

O inversor foi considerado como sendo composto por seis IGBT’s, cada um com um diodo

antiparalelo, com modulação SVPWM.

Todas essas considerações foram utilizadas para a simulação no Simulink da MathWorks.

3. Resultados da simulação

A figura a seguir apresenta o diagrama básico correspondente à simulação realizada. Na figura a

seguir a tensão no barramento CC é de 887,1 V, a tensão de linha eficaz na carga é de 625,8 V e a

corrente 502 A com fator de potência 0,88. Na modulação SVPWM o valor de m = 1,1547. A

frequência de chaveamento é de 1 kHz.

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C
k

g
D1I1 D3I3 D5I5

m
E

E
a

a
i
+
-
+
v
-

g
-
Vds
+
i
D2I2 D4I4 D6I6
.88 Id

m
-

E
a

a
Tm +
i
A
m
B -
+
i
C

0.8822
atan cos

Atan
1800
1755

<Rotor speed (wm)> Currents SVPWM

+
v
-

V P
<Electromagnetic torque Te (pu)> +
v 4.675e+05
-
I Q

<Stator current is_a (pu)> V P

I Q

468.2 619.2
RMS RMS

Figura 1 – Diagrama básico para a simulação.

Buscou-se adaptar o inversor trifásico para compatibilizá-lo com a utilização de dissipadores de calor

P16/300 equipados com ventiladores SKF 16A-230-11 (produzidos pela Semikron) que fornecem

uma vazão de ar de até 575 m3/h.

A figura a seguir apresenta as correntes no IGBT e no diodo para a condição de carga com 502 A e

fator de potência de deslocamento de 0,88. O valor médio da corrente no IGBT é 185,5 A e o valor

eficaz 331,3 A; no diodo o valor médio é 36,8 A e o valor eficaz 136,2 A.

Figura 2 – Correntes no IGBT e diodo antiparalelo para o fator de potência máximo de 0,88.
 3
Para a condição de fator de potência mínimo a figura a seguir apresenta a corrente no IGBT e no

diodo.

Figura 3 – Correntes no IGBT e diodo antiparalelo para o fator de potência mínimo de 0,2.

Para o inversor em questão, com capacidade para atender um motor de 500 hp em regime contínuo

com um ciclo de sobrecarga transitória de 150% @ 60 s (628 A) a cada 10 min, considerou-se o os

dados das folhas de dados das referências 4), 5) e 6). As figuras a seguir apresentam os dados da

característica IC x VCE do IGBT, a energia no chaveamento do IGBT em função de I C e a característica

IF x VF do diodo antiparalelo. Além disto, considerou-se o valor da energia no desligamento do diodo

de 26,4 mJ, de acordo com a folha de dados.

Figura 4 – Característica IC x VCE do IGBT e energia no chaveamento do IGBT.

 4

Figura 5 – Característica IF x VF do diodo.

Para os cálculos do desempenho térmico dos módulos foram consideradas as seguintes resistências

térmicas apresentadas na folha de dados do módulo SEMiX404GB12E4s da Semikron com V CE =

1200 V e IC = 618 A:

• Para o IGBT:

o Rthj-c = 0,072 K/W

o Rthc-s = 0,03 K/W

• Para o diodo:

o Rthj-c = 0,14 K/W

Para o dissipador de calor P16/300 equipado com ventilador SKF 16A-230-11 (Semikron) o valor da

resistência térmica do dissipador para o ambiente em regime permanente é Rths-a = 0,024 K/W; para

um regime transitório de 60 s o valor é R’ths-a = 0,016 K/W. Para que fosse possível a utilização desse

dissipador, trabalhou-se com a frequência de chaveamento de 1 kHz para que as perdas no

chaveamento fossem menores.

Para a condição de operação com a corrente no motor de 1,2 pu, obteve-se as seguintes perdas nos

dispositivos:

• No IGBT:

o Perdas por condução (pctr): 574 W

o Perdas por chaveamento (pchtr): 56 W

o Perdas totais no IGBT (pTtr): 630 W

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• No diodo:

o Perdas por condução (pcd): 89 W

o Perdas por chaveamento (pchd): 16 W

o Perdas totais no diodo (pTd): 105 W

• No módulo:

o Perdas totais (pT): 735 W

Nessa condição, considerando-se dois módulos por dissipador, teríamos a seguinte temperatura na

junção de cada dispositivo, para uma temperatura ambiente de 40 ºC:

• No IGBT:

o Tjtr = 40 + Rthj-c . pTtr + Rthc-s . pT + Rths-a . pT . 2 = 143 ºC

• No diodo:

o Tjd = 40 + Rthj-c . pTd + Rthc-s . pT + Rths-a . pT . 2 = 112 ºC

Como os valores de temperatura obtidos estão abaixo do valor de 175 ºC, essa configuração seria

adequada.

Para a condição de operação com a corrente no motor de 1,5 pu, obteve-se as seguintes perdas nos

dispositivos:

• No IGBT:

o Perdas por condução (pctr): 956 W

o Perdas por chaveamento (pchtr): 74 W

o Perdas totais no IGBT (pTtr): 1030 W

• No diodo:

o Perdas por condução (pcd): 96 W

o Perdas por chaveamento (pchd): 16 W

o Perdas totais no diodo (p Td): 112 W

• No módulo:

o Perdas totais (pT): 1142 W

Nessa condição, considerando-se dois módulos por dissipador, teríamos a seguinte temperatura na

junção no IGBT, para uma temperatura ambiente de 40 ºC:

 6
o Tjtr = 40 + Rthj-c . pTtr . 2 + Rthc-s . pT + R’ths-a . pT . 2 = 185 ºC

Como o valor de temperatura obtido está acima do valor de 175 ºC, essa configuração não é adequada.

Assim, avaliou-se nessa condição operacional o desempenho com apenas um módulo por dissipador;

a temperatura na junção no IGBT, para uma temperatura ambiente de 40 ºC seria, portanto:

o Tjtr = 40 + Rthj-c . pTtr + Rthc-s . pT + R’ths-a . pT = 166 ºC

A temperatura na junção alcançou um valor inferior a 175 C. Como essa condição é transitória na

operação, adotou-se essa configuração.

Com a configuração adotada, tem-se seis dissipadores P16/300, um para cada SEMiX404GB, e seis

ventiladores, um para cada dissipador. Nessa configuração o volume total do conjunto é de 70 dm3;

o peso total é de 30 kg.

A estimativa de preço realizada considerando-se os módulos IGBT, os dissipadores e os ventiladores

alcançou o valor aproximado de R$ 6.000,00.

4. Referências Bibliográficas

1) Mohan, N. et al., John Wiley & Sons, Inc. Power Electronics – Converters, Applications, and

Design, 3rd ed. 2003, USA.

2) Holmes, D.G., T. A. Lipo, Pulse width modulation for power converters – principles and practice,

IEEE Press, 2003.

3) Wintrich, A. et al., Semikron AG. Application Manual – Power Semiconductors. 2015, Germany.

4) SKF16A 230-11 – Radial Fan. Semikron. 2008. Germany.

5) P16. Heatsink. Semikron. 2005. Germany.

6) SEMiX404GB12E4s. Semikron. 2014. Germany.