EE0141 – ENERGIA RENOVÁVEL

1. UM POUCO DA HISTÓRIA

A palavra “fotovoltaico” vem do grego photos que significa luz, e de Volta, nome dado ao físico Italiano
que, em 1800, descobriu a pilha elétrica.

 1839–1899 Descoberta do efeito fotovoltaico (Descoberta de fenômenos básicos e propriedades de

materiais PV)
 1900–1949 Explicação teórica do efeito fotovoltaico e primeiras células solares
 1904 Explicação teórica do efeito fotovoltaico
 1921 O autor da mais completa obra teórica sobre o efeito phovotaltaic foi Albert Einstein, que
descreve o fenômeno em 1904. Por sua explicação teórica ele foi premiado com o Prêmio Nobel
em 1921. Explicação teórica de Einstein foi praticamente comprovada pela experiência de Robert
Milikan em 1916.
 1918 A primeira célula solar de silício.
 1932 O efeito fotovoltaico em outros materiais
 1955 Os primeiros satélites e carros movidos à energia solar.
 1961 A primeira conferencia fotovoltaica.
Ocorreu a conferência das Nações Unidas sobre a aplicação da energia solar nos países em
desenvolvimento. O Instituto de Estudos de Defesa organizou a primeira conferência fotovoltaica
em Wasington.
 1963 O primeiro módulo solar.
Sharp Corporation desenvolveu o primeiro módulo solar usando células de silício. O maior
sistema fotovoltaico do momento, de 242 W foi desenvolvido no japão.
 1972 Solar Power Corporation foi estabelecida como uma empresa comercial.
 1975 Solec International and Solar Technology International são estabelecidas. O governo
americano incentivou o JPL Laboratories para fazer uma pesquisa de campo dos sistemas
fotovoltaicos para aplicação rural.
 1985 Os primeiros sistemas fotovoltaicos para as áreas rurais do terceiro mundo.
 1980 Grande sistema fotovoltaico autônomo.
ARCO Solar foi o primeiro a produzir módulos fotovoltaicos com potência de pico de mais de 1
MW por ano. A instalação do sistema fotovoltaico foi feito no centro do observatório vulcão no
Havaí. A nova empresa, BP, apareceu no mercado. ARCO Solar construiu um sistema de 105,6
kW em Utah. Os módulos integrados no sistema foram produzidos pela Motorola, ARCO Solar, e
Spectrolab.
 2000 Bolsa de Valores de Fotovoltaicos na Europa.
Principalmente na Alemanha, algumas empresas de recursos de energia fotovoltaica e renovável
tem ações listadas na bolsa de valores. Fusões de capital na Alemanha levou a estabelecimentos de
corporações de fotovoltaicos de grande porte. Durante 2000 e 2001, a produção dos produtores
japoneses aumentou significativamente. A Sharp e a Kyocera, cada uma produziu módulos com
pico de potência equivalente ao consumo anual na Alemanha.
 2002-2010 Várias grandes usinas foram construídas na Alemanha. Em 29 de abril de 2003, na
época a maior usina fotovoltaica do mundo foi conectada à rede pública em Hemau perto de
Regensburg (Baviera), na Alemanha, a potência de pico da usina de "Solarpark Hemau" era de 4
MW. Devido à lei enbergy renovável "EEG" muitos outros sistemas de grande porte de até 5
MWp foram construídos na Alemanha, em 2004.

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 Foram instalados no Brasil vários SFCRs entre os anos de 1995 e 2013. com potência instalada de
cerca de 7.616,55 kWp. A maioria desses sistemas está localizada na região sudeste do Brasil.
 Tabela 1.2 – Usinas de SFCRs operantes no Brasil e registradas na ANEEL.

USINAS do tipo UFV em Operação

Potência Potência Destino
Outorgada Fiscalizada da
USINA Proprietário Município
(kW) (kW) Energia
100% para Fundação
de Amparo à Nova
Pesquisa e Extensão Mamoré –
Araras - RO 20,48 20,48 REG 2 Universitária RO
100% para MPX
Tauá Energia Solar
Tuá 5.000 1.000 REG Tauá - CE
Ltda.
100% para Instituto
IE de Eletrotécnica e São Paulo -
12,26 12,26 REG SP
E Energia
UFV 100% para Instituto
IEE/Estaciona de Eletrotécnica e São Paulo -
3 3 REG SP
m ento Energia
100% para
Embaixad Brasília -
Embaixada Italiana
a 50 50 REG DF
em Brasília
Italiana
PV Beta 100% para DuPont Barueri -
Brasília
Test 1,70 1,70 REG do Brasil S.A SP
Sit 100% para
e Superintendência Salvador -
Pituaçu Solar 404,80 404,80 REG dos Desportos do BA
Estado da Bahia
100% para Empresa
Aeroport Brasileira de Infra-
São Paulo -
o 2,12 2,12 REG Estrutura
SP
Campo de Marte Aeroportuária
100% para SPE
CPFL Solar 1 Campinas -
Tanquinho 1.082 1.082 REG SP
Energia S.A.
100% para João Florianópoli
Silva Neto I 1,70 1,70 REG Bento da Silva Neto s - SC
100% para
Bioenergy - Oliveira dos
Geradora de Brejinhos –
Terra do Sol IX 5.000 5.000 REG
Energia S.A BA
100% para PGM
Suporte em
PM REG- Uberlândia
6,58 6,58 3 Tecnologia Ltda -
G RN482 - MG
EPP
100% para Solaris
Tecnologia
Fotovoltaica
Solaris 1,04 1,04 REG Indústria Comercio e Leme - SP
Serviço Ltda. - EPP
100%
para Companhia Humberto
Energética do de Campos
Ilha Grande 30,87 30,87 REG
Maranhão - MA
Total: 14 Usinas Potência Total: 7.616,55 kW
Fonte: http://www.aneel.gov.br, 2013.

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2. PRINCIPAIS APLICAÇÕES

2. CONVERSÃO FOTOVOLTAICA

A transformação da energia contida na radiação luminosa em energia elétrica é um fenômeno físico

conhecido como efeito fotovoltaico.

O efeito fotovoltaico ocorre em certos materiais semicondutores com capacidade de absorver a energia
contida nos fótons presente na radiação luminosa incidente, transformando-a em eletricidade.

Os semicondutores utilizados para fabricar dispositivos com essa finalidade são escolhidos levando em
conta a equivalência de suas características de absorção do espectro solar, além do custo de fabricação e
os impactos ambientais causados na deposição do material.

 Silício (Si) monocristalino, policristalino e amorfo;

 Arseneto de gálio (GaAs);
 Disseleneto de cobre e índio (CuInSe2);
 Disseleneto de cobre, gálio e índio (CuInGaSe2);
 Telureto de cádmio (CdTe)

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Participação das diferentes tecnologias no mercado mundial de módulos fotovoltaicos

A descrição do fenômeno fotovoltaico só foi possível a partir do desenvolvimento da teoria da mecânica

quântica. Esta afirma que qualquer tipo de radiação eletromagnética possui partículas, denominadas de
fótons, que carregam certa quantidade (“pacotes”) de energia (EF). A energia do fóton é dada pela
equação:

A energia de um fóton depende das características espectrais de sua fonte e varia inversamente com o
comprimento de onda da emissão eletromagnética.

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3. SEMICONDUTOR

Geração de pares elétron-lacunas pela incidência de fótons no material

A energia necessária para fazer os elétrons mudarem de banda é chamada gap (EG), que é usualmente
dada em elétron-volt (eV) e depende do tipo de material utilizado. No caso particular dos dispositivos de
conversão de silício monocristalino (EG = 1,12 eV), apenas os fótons de comprimento de onda inferior a
1,1 𝜇𝑚 contribuem para a conversão solar fotovoltaica.

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Há a necessidade de se fazer uma série de tratamentos físico-químicos no material para que se possa
transformar em dispositivos fotovoltaicos capazes de gerar eletricidade de forma mais eficiente.

Para que as cargas liberadas pela luz possam gerar energia elétrica, é preciso que circulem, de forma que
é necessário extraí-las do material semicondutor, fazendo com que passem por um circuito elétrico
externo.

A extração se consolida de cargas se consolida por meio de uma junção criada voluntariamente no
semicondutor, com o objetivo de gerar um campo elétrico no interior do material. Isso é possível graça ao
processo conhecido como dopagem do semicondutor.

O semicondutor mais usado é o silício. Seus átomos se caracterizam por possuírem quatro elétrons de
ligação que se ligam aos vizinhos, formando uma rede cristalina.

Quartzo Silício

Silício

Processo de dopagem (células de silício)

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Silício puro

Silício dopado com fósforo

Silício dopado com boro

Praticamente todas as células solares disponíveis na atualidade são constituídas por uma junção p-n como
a descrita anteriormente.

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4. PRINCÍPIO DE FUNCIONAMENTO

A célula solar sendo iluminada se produzirá uma diferença de potencial. Se esta célula estiver conectada a
uma carga externa irá circular uma corrente contínua por esta carga. Os fenômenos que acontecem no
interior do dispositivo podem ser descritos da seguinte forma:

 Os fótons que incidem sobre a célula com energia igual ou superior ao valor da banda proibida são
absorvidos no volume do semicondutor e geram pares elétron-lacuna que podem atuar como
portadores de carga.

 O campo elétrico no interior na junção p-n impede que os portadores de carga se recombinem.

Princípio de funcionamento

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Célula fotovoltaica de silício

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4. CIRCUITO ELÉTRICO EQUIVALENTE IDEAL

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Princípio da superposição para célula solar

5. CIRCUITO ELÉTRICO EQUIVALENTE REAL

A representação usual de uma célula fotovoltaica pode ser vista no circuito da figura abaixo, chamado de
modelo de um diodo. Como mostrado, o dispositivo fotovoltaico pode ser modelado como uma fonte de
corrente em antiparalelo com um diodo. A corrente fotogerada varia linearmente com a radiação solar
incidente no plano do gerador. A modelagem ainda inclui os efeitos da corrente de saturação reversa
(dependente do coeficiente de difusão de elétrons e lacunas) e das resistências série e paralelo.

Essa modelagem permite calcular a potência que o gerador FV pode desenvolver em dada condição
climática. Mais ainda, é possível estimar o comportamento I x V (corrente versus tensão) do gerador FV.

A partir da 1ª lei de Kirchoff, pode-se concluir que:

𝐼 = 𝐼𝐿 − 𝐼𝐷 − 𝐼𝑝

Onde I é a corrente gerada pela célula FV para o circuito exterior, IL é a corrente fotogerada que é
linearmente dependente da irradiância incidente no plano gerador, ID é a corrente de polarização da
junção p-n e ISh é a corrente que flui pela resistência shunt.
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Expandindo a equação da corrente de polarização (ID) e da corrente que flui através da resistência em
paralelo (Ip), tem-se a equação abaixo. Como resultado tem-se uma equação transcendental a qual requer
uma solução numérica a partir de métodos iterativos.

(𝑉 + 𝐼 ∙ 𝑅𝑆 ) (𝑉 + 𝐼 ∙ 𝑅𝑆 )
𝐼 = 𝐼𝐿 − 𝐼0 ∙ [𝑒𝑥𝑝 ( ) − 1] −
𝑉𝑡 𝑅𝑝

𝐼0 = corrente de recombinação

𝑉𝑡 é dado por 𝑚𝑘𝑇/𝑒, é denominado de potencial térmico.

 𝑚 = representa o fator de idealidade do diodo

 𝑘 = é a constante de Boltzmann
 𝑇 = é a temperatura de operação da célula fotovoltaica
 𝑒 = é o valor da carga do elétron

Simplificação

𝑅𝑝 → ∞,

𝐼𝐿 = 𝐼𝑠𝑐

(𝑉 + 𝐼 ∙ 𝑅𝑆 )
𝑒𝑥𝑝 ( )≫1
𝑉𝑡

𝑉+𝐼∙𝑅𝑆
𝐼 = 𝐼𝑠𝑐 − 𝐼0 ∙ 𝑒𝑥𝑝 ( ) (para fins prático)
𝑉𝑡

𝑉−𝑉𝑜𝑐 +𝐼∙𝑅𝑆
𝐼 = 𝐼𝑠𝑐 ∙ [1 − 𝑒𝑥𝑝 ( )] (precisão da ordem de 1 a 2%)
𝑉𝑡

Qual o paradoxo da equação?

Na prática para as células solares que oferecem utilidade prática se tem 𝑉𝑜𝑐 > 𝐼 ∙ 𝑅𝑆 , logo 𝐼(𝑉 = 0) ≅ 𝐼𝑠𝑐

Para regiões de tensão próximas ao ponto de máximo, onde as células apresentam maior interesse prático,
se obtém satisfatória solução transformando 𝐼 = 𝐼𝑠𝑐 , no segundo termo.

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Ilustração do efeito das resistências série e paralelo cobre as características de

iluminação de uma célula fotovoltaica

Fator de forma (FF): também conhecido como fator de preenchimento, é uma parâmetro que juntamente
com 𝑉𝑜𝑐 𝑒 𝐼𝑠𝑐 , determinam a máxima potência da célula fotovoltaica.

6. CÉLULA DE SILÍCIO MONOCRISTALINO

100mm x 100mm

Tensão:
 Circuito aberto = 0,6 V
 Ponto de máxima potência = 0,45 V

Corente de máxima potência = 3 A

Potência máxima = 1,35 W

Condições padrão (para aplicações terrestres)

 G = 1000 W/m²
 Tc = 25ºC
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 AM = 1,5

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LISTA DE EXERCÍCIO

1) Qual a máxima eficiência de conversão possível de uma célula de 100 cm² de superfície que iluminada
com uma potência igual a 1000 W/m² e temperatura de 25ºC, exibe as seguintes características:
Rs = 40 mΩ Isc = 3 A e Voc = 600 mV

2) Para a célula do exemplo anterior, repetir o exercício supondo que a temperatura da célula sobe a 70ºC
e que a tensão de circuito aberto diminui até 510 mV, mantendo constante as demais condições.

3) Calcular o ponto de trabalho (V,I) no qual uma célula solar a 27ºC entrega sua potência máxima,
sabendo que : Voc = 0,57 V, Isc = 2,1 A e Rs = 40 mΩ.

4) Para a célula do exemplo anterior, calcular a corrente que entrega quando se polariza a 0,4 V.

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