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Desenvolvimento de um reator para o crescimento

de filmes diamantferos tubulares.

Hudson Giovani Zanin

Dissertao de Mestrado apresentada Faculdade


de Engenharia Eltrica e de Computao como parte
dos requisitos para obteno do ttulo de Mestre em
Engenharia Eltrica. rea de concentrao:
Eletrnica, Microeletrnica e Optoeletrnica

Orientador: Prof. Dr. Vitor Baranauskas


Co-orientador: Dr. Alfredo Carlos Peterlevitz

Banca Examinadora
Prof. Dr. Vitor Baranauskas (Presidente)
Prof. Dr. Francisco Tadeu Degasperi (Membro Externo)
Prof. Dr. Edson Moschim
Dr. Helder Jos Ceragioli

Departamento de Semicondutores, Instrumentos e Fotnica


Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao
Universidade Estadual de Campinas
2008

1
FICHA CATALOGRFICA ELABORADA PELA
BIBLIOTECA DA REA DE ENGENHARIA E ARQUITETURA - BAE -
UNICAMP

Zanin, Hudson Giovani


Z16d Desenvolvimento de um reator para o crescimento de
filmes diamantferos tubulares. Hudson Giovani Zanin. --
Campinas, SP: [s.n.], 2008.

Orientador: Vitor Baranauskas


Dissertao (Mestrado) - Universidade Estadual de
Campinas, Faculdade de Engenharia Eltrica e de
Computao.

1. . I. Baranauskas, Vitor. II. Universidade Estadual de


Campinas. Faculdade de Engenharia Eltrica e de
Computao. III. Ttulo.

Ttulo em Ingls: Development of a reactor for growth of diamond tubular


films
Palavras-chave em Ingls: Synthetic diamonds tubes, HFCVD reactor, CVD
process
rea de concentrao: Eletrnica, Microeletrnica e Optoeletrnica
Titulao: Mestre em Engenharia Eltrica
Banca examinadora: Francisco Tadeu Degasperi, Helder Jos Ceragioli,
Edson Moschim
Data da defesa: 25/02/2008
Programa de Ps-Graduao: Engenharia Eltrica

2
3
Sumrio

Lista de figuras ..................................................................................................... 5

CAPTULO I: CONTEXTUALIZAO..................................................................... 10

1.1 Prembulo..................................................................................................... 10

1.2 Referncias.................................................................................................... 14

CAPTULO II: DIAMANTES ...................................................................................... 15

2.1 Diamantes minerais....................................................................................... 15

2.2 Diamantes CVD ............................................................................................ 18

2.3 Tcnicas de caracterizao............................................................................ 25

2.4 Aplicaes dos filmes diamantferos .............................................................. 33

2.5 Referncias.................................................................................................... 35

CAPTULO III: REATORES HFCVD ........................................................................ 40

3.1 Reator desenvolvido ...................................................................................... 44

3.2 Referncias.................................................................................................... 54

CAPTULO IV: RESULTADOS EXPERIMENTAIS ................................................. 56

4.1 Crescimentos realizados................................................................................ 56

4.2 Discusso dos resultados............................................................................... 58

4.3 Trabalhos futuros .......................................................................................... 66

4.4 Referncias.................................................................................................... 66

CAPTULO V: CONSIDERAES FINAIS .............................................................. 69

4
Lista de figuras

Figura 1.1: Sistema genrico de deposio qumica para sntese de diamante CVD
Figura 1.2: Representao esquemtica de reatores do tipo de filamento quente com
substratos planos e posicionados na horizontal
Figura 1.3: Representao esquemtica do reator tubular para crescimento de
diamantes sobre substrato cilndrico
Figura 2.1: Clula unitria do diamante composta por rede cbica de faces centradas
e base 2
Figura 2.2: Mecanismo sugerido para o crescimento do diamante a partir do metano
altamente diludo em hidrognio, usando a tcnica CVD
Figura 2.3: Crescimento de diamante em substrato no diamantfero ocorre em
diferentes estgios: (a) nucleao de cada pequeno cristal, (b e c)
expanso dos ncleos e encontro entre ncleos vizinhos, (d)
facetamento e coalescncia e, (e e f) competio no crescimento dos
cristais na formao filme contnuo [2]
Figura 2.4 : Ilustrao dos planos cristalogrficos: a) (100), b) (110) e c) (111)
Figura 2.5: Representao esquemtica da condutividade nos filmes diamantferos
policristalinos. H domnio da condutividade pela estrutura cristalina
do diamante (a) devido s impurezas dentro dos gros, (b) pelos
portadores nas bordas dos gros dependendo do tipo de dopagem [9]
Figura 2.6: Esquema do microscpio eletrnico de varredura
Figura 2.7: Imagem de uma superfcie diamantfera microcristalina obtida atravs
de um microscpio eletrnico de varredura
Figura 2.8: Representao esquemtica da absoro e emisso de energia por
molculas que interagem com uma radiao luminosa [49]
Figura 2.9: Representao esquemtica do mecanismo Raman
Figura 2.10: Comparao dos nveis de energia para o Raman normal e o espectro
ressonante mostrando os trs tipos de espalhamentos Raman: (R)
Rayleigh, (S) Stokes e (A) Anti-Stokes
Figura 2.11: Espectro Raman do CCl4 (linha de excitao 488,8 nm) [49]
Figura 2.12: Representao esquemtica do espectrmetro Raman [54]
Figura 2.13: Os espectros Raman de diferentes estruturas carbnicas decorrentes de

5
hibridizao (a) sp3 e (b) sp2 [54]
Figura 3.1: Grfico que apresenta o nmero de publicaes realizadas com reatores
HFCVD para crescimento de diamante desde os anos 1982 at meados
de 2008
Figura 3.2: Perfil espacial da concentrao de CH3 em reator de filamento quente
observado para duas temperaturas distintas [21]
Figura 3.3: Representao esquemtica do sistema de deposio qumica HFCVD
desenvolvido
Figura 3.4: Foto do reator HFCVD desenvolvido em funcionamento
Figura 3.5: Foto do conjunto operacional do reator mostrando: (1) balo que contem
a soluo ognica, (2) bomba de vcuo, (3) leitora e controladora de
fluxo digital, (4) fonte de tenso estabilizada, (5) vacumetros do tipo
Bourdon, (6) vlvula agulha de alta preciso de fluxo, (7) controlador de
fluxo de massa, (8) leitora de temperatura, (9) leitora de presso Pirani,
(10) fluxmetro e (11) vlvulas tipo agulha
Figura 3.6: Representao esquemtica da cmara do reator: (1a) flanges de
alumnio (1b) lato, (2) tubo de borossilicato, (3) filamentos, (4) vareta
do termopar, (5) haste com conexo para o sensor Pirani, (6) hastes que
sustentam os filamentos, (7) haste central, (8) camisa dos gases e (9)
substrato
Figura 3.7: Representao esquemtica do flange superior do reator com as hastes
montadas: (1) filamentos, (2) vareta do termopar, (3) hastes de
sustentao e alimentao dos filamentos, (4) haste central, (5) haste
com conector para o sensor Pirani e (6) camisa dos gases
Figura 3.8: Foto da regio interna do reator mostrando: (1) eixo central, (2)
substrato, (3) im de neodmio-ferro-boro e (4) um dos quatro braos de
teflon
Figura 3.9: Detalhe do sistema de acoplamento magntico mostrando a regio
externa cmara (parte inferior): (1) im de neodmio-ferro-boro, (2)
um dos quatro braos de teflon, (3) engrenagem, (4) correia, e (5) motor
eltrico
Figura 3.10: Representao esquemtica destacando o substrato e os filamentos
Figura 4.1: Substrato de quartzo (A) limpo e (B) aps ter sido submetido

6
semeadura
Figura 4.2: Foto do reator em operao: em destaque esto apresentados os
parmetros empregados em uma certa experincia
Figura 4.3:
Figura 4.4: Resultados de amostra crescida a 875oC sobre tubo de quartzo: (a)
Espectro Raman; (b) Imagem obtida por microscopia eletrnica de
varredura (Ampliao de 5000x)
Figura 4.5: Resultados de amostra crescida a 850oC sobre tubo de quartzo: (a)
Espectro Raman; (b) Imagem obtida por microscopia eletrnica de
varredura (Ampliao de 5000x)
Figura 4.6: Resultados de amostra crescida a 825oC sobre tubo de quartzo: (a)
Espectro Raman; (b) Imagem obtida por microscopia eletrnica de
varredura (Ampliao de 5000x)
Figura 4.7: Espectro Raman de amostras crescidas a: 825oC (curva A); 850oC
(curva B) e 875oC (curva C)
Figura 4.8: Imagem da superfcie de uma amostra diamantfera com trincas e o
respectivo espectro Raman do filme
Figura 4.9: Imagem da superfcie de uma amostra diamantfera e o respectivo
espectro Raman

7
Agradecimentos:

A todos que colaboraram direta ou indiretamente para a realizao deste trabalho

e em especial:

Ao meu orientador, Prof. Dr. Vitor Baranauskas pelos votos de confiana, apoio

oferecido e devida motivao.

Ao meu co-orientador, Dr. Alfredo Carlos Peterlevitz pelas inmeras e

oportunas discusses, correes e tudo mais.

Ao Dr. Helder Jos Ceragioli pelas sugestes e a ateno dedicada.

Ao Prof Dr. Francisco Tadeu Degasperi e Pedro Miguel Raggio Santos pela

motivao e inmeras idias.

Ao Mrcio Augusto Sampaio Pinto pelas inmeras ajudas e em especial pela

caracterizao das amostras no microscpio eletrnico de varredura.

Aos amigos Ana Caroline Pimenta Grecco, rika Mizutani, Jackson Tsukada,

Jos Ciro Rojas Quispe, Juliana Silva Batista, Kleber Betini Vieira, pela amizade,

companheirismo e inumerveis colaboraes.

Vivian Marina Redi Pontin pelo auxlio na correo ortogrfica do texto.

minha famlia pelos carinhos e incentivos oferecidos.

Ao LNLS pela utilizao do microscpio eletrnico de varredura.

Coordenao de Aperfeioamento de Pessoal de Nvel Superior (Capes) pelo

fomento.

8
Resumo

Foi projetado e construdo um reator para sintetizao de filmes diamantferos tubulares,


por processo de deposio qumica a partir da fase vapor assistido por filamentos
quentes (tambm conhecido como processo HFCVD - Hot Filament assisted Chemical
Vapor Deposition). Obtiveram-se filmes de alta homogeneidade com a manuteno do
substrato em rotao durante o crescimento. O torque para a rotao ocorre por
acoplamento magntico de ms posicionados no suporte do substrato e ms montados
em sistema externo ao reator, mantidos em rotao por um pequeno motor eltrico. Os
materiais usados como substratos podero ter seco de corte transversal circular,
quadrada, triangular ou outra qualquer. No caso dos substratos serem ocos (caso mais
comum) a temperatura medida no interior do substrato durante o crescimento, sendo
til para determinar o tipo de material diamantfero que se pretende sintetizar: diamante,
DLC (Diamond Like Carbon), carbono amorfo, diamante micro e nanocristalino, etc.
So apresentados resultados de crescimento de filmes sobre tubos cilndricos de quartzo
e anlise dos mesmos por microscopia eletrnica de varredura e espectroscopia Raman.

Palavras chaves: Tubos de diamante sintticos, Reator HFCVD, Processo CVD

Abstract

A hot-filament chemical vapor deposition system was designed and built to grow
diamond thin films. This system fed with ethanol highly diluted in hydrogen was
employed to deposited diamond layers onto quartz tubes with diameters of 6 mm and
length of 10 cm. High uniformity microcrystalline diamond films were obtained thanks
the maintenance of the substrate in rotation during growth process. The rotation of the
substrate was carried out by magnetic coupling of magnets positioned into support of
the substrate and magnets mounted in the system held in rotation by a small electric
motor outside of the reactor. The temperature of the substrates was measured inside of
them during the growth process. The control of the temperature is useful to determine
the type of material that is intended to synthesize: micro and nanodiamond, Diamond
Like Carbon (DLC), amorphous carbon and so on. This work presents the results of
these growths and their characterization by scanning electron microscopy and Raman
spectroscopy.
Key words: synthetic diamonds tubes, HFCVD reactor, CVD process.

9
CAPTULO I: Contextualizao
1.1 Prembulo

H vrios milnios as gemas de diamante so conhecidas, apreciadas e


valorizadas pelo brilho e dureza. O preo do quilate do mineral lapidado bastante
elevado, j que ele extremamente raro na natureza e a procura bem maior do que a
oferta no mercado.
H mais de 200 anos conhecido que o diamante formado apenas de carbono
[Tennant 1797]. Muitos esforos foram realizados para sintetizar diamante utilizando
como matria prima outro material constitudo apenas de carbono como, por exemplo, a
grafite. Isso demonstrouse extremamente difcil temperatura e presso ambientes,
ainda que as entalpias do diamante e da grafite difiram-se apenas por 2,9 KJmol-1, existe
uma larga barreira de ativao separando as duas fases carbnicas [1]. Ironicamente, a
grande barreira energtica que faz o diamante ser to raro, tambm responsvel pela
existncia dele. Uma vez formado, o diamante no se converte espontaneamente fase
mais estvel, a graftica, a temperatura e presso ambiente. Por causa disso, o diamante
conhecido como uma fase metaestvel do carbono (cineticamente estvel, porm
termodinamicamente instvel) s condies normais de temperatura e presso [1].
A produo de diamante artificial uma tentativa de suprir a escassez do
material no mercado. Os primeiros relatos sobre diamantes sintetizados datam de
meados do sculo XX [2]. Naquela poca, a tcnica utilizada foi a HPHT (sigla do
ingls: High Pressure High Temperature). Nessa tcnica, a grafite comprimida em
uma prensa hidrulica por 10000 atm e aquecida a mais de 2000 K na presena de um
catalisador metlico adequado. Nesse mtodo se produz diamante na forma de
monocristais que so, geralmente, de baixa pureza e com custo de produo moderado
[1,3].
A partir dos anos 1960 comeou a ficar conhecida a possibilidade de sintetizao
de diamante pelo processo de deposio qumica a partir da fase vapor - CVD (do
ingls: Chemical Vapor Deposition), com a publicao do trabalho de Eversole [4]. A
tcnica CVD fundamenta-se na transformao de molculas gasosas, precursoras, em
materiais slidos em forma de filmes finos sobre substrato. Esses filmes so produzidos
em cmaras de presses subatmosfricas (geralmente na faixa de 10 - 50 Torr) e podem
apresentar tima qualidade e custo de produo moderado [5]. Nos primeiros

10
experimentos realizados, a taxa de crescimento do diamante demonstrou-se muito baixa
e ainda estruturas grafiticas eram co-depositadas. Um grande avano ocorreu quando o
grupo de Angus descobriu que, na presena de hidrognio atmico, o processo de
deposio qumica propiciava maiores taxas de crescimento ao diamante [1,6].
Subseqentemente, trabalhos de grupos russos demonstraram a viabilidade de deposio
de diamante em substrato no diamantferos [7]. Em 1982, grupos japoneses publicaram
trabalhos sobre sistemas de deposio qumica assistido por filamentos quentes HFCVD
(do ingls: Hot-Filament Chemical Vapor Deposition) e posteriormente utilizando
microondas MWCVD (do ingls, microwave-assisted chemical vapor deposition) como
fonte de ativao [5,8].
Enquanto a tcnica HPHT produz cristais diamantferos que podem ser fixados,
por exemplo, em ferramentas abrasivas, a tcnica CVD viabiliza a deposio de filmes
de diamante sobre superfcies de materiais que no tenham ponto de fuso ou
amolecimento a temperatura inferior a, pelo menos, 7000C [1,3,5].
A figura 1.1 apresenta um sistema genrico de deposio para sntese
metaestvel de diamante. H muitos tipos de sistemas de deposio para a produo de
diamante, os quais so capazes de produzir diamante em condies metaestveis. Todos
os sistemas de deposio por CVD partilham, basicamente, do mesmo princpio de
funcionamento. Requerem alimentao por fluxo contnuo de molculas que contenham
carbono em sua estrutura. Estas molculas esto, usualmente, no estado gasoso e fluem,
geralmente, com hidrognio molecular. Uma fonte de ativao energtica utilizada
pelo sistema com dois propsitos: (i) dissociar as molculas precursoras em radicais
para que reajam sobre a superfcie do substrato e (ii) dissociar as molculas de
hidrognio em tomos. Segundo J. Asmussen e D.R. Reinhard [5], so quatro os tipos
de fontes de ativao energticas mais utilizados em reatores CVD: filamentos quentes,
microondas, jato dc em arco e chama de combusto.

Gases de
Energia de alimentao
ativao (por exemplo,
(para dissociao Substrato C2H5OH, H2)
molecular)

Figura 1.1: Sistema genrico de deposio qumica para sntese de diamante CVD.

11
O grupo de pesquisa de Nanoengenharia e Diamante localizado na Faculdade de
Engenharia Eltrica e Computao da Universidade Estadual de Campinas utiliza em
suas experincias filmes diamantferos crescidos em reatores de deposio qumica em
fase de vapor assistido por filamentos quentes. Esses reatores so, relativamente, fceis
de operar e produzem filmes diamantferos de alta qualidade, a taxa de deposio de 1 a
10 mh-1, dependendo das condies de deposio adotadas. Reatores deste tipo so
usados, geralmente, para deposio de filmes sobre substratos planos, como pode ser
observado pela figura 1.2.
A presente pesquisa teve por objetivo contribuir para a maior insero do
diamante sinttico em futuros projetos de aplicaes cientficas e tecnolgicas. Para tal,
este trabalho constituiu-se na construo de um novo reator assistido por filamentos
quentes para deposio de diamante e materiais diamantferos sobre substratos
tubulares, como pode ser observado na representao esquemtica da figura 1.3. Esse
reator possibilita a sintetizao de diamante, com uniformidade da qualidade do filme,
sobre tubos que tenham dimetro da ordem de grandeza de 10-2 m e 10-1 m de
comprimento.
Fonte de
tenso

Fluxo
de H2

Reagentes
Soluo orgnica
Filamento
Diamante
Medidor de Substrato
presso

Sada para
Leitora de
temperatura bomba de vcuo

Figura 1.2: Representao esquemtica de reatores do tipo de filamento quente com substratos planos e
posicionados na horizontal.

12
O crescimento de diamante pela tcnica CVD depende fortemente da
distribuio de temperatura no substrato e da distribuio das espcies radicais presentes
na rea de reao. Em reatores de filamento quente os gradientes trmicos so muito
grandes e isso um fator limitante para a utilizao da tcnica em ambientes industriais
[9]. Nos reatores tais como o apresentado pela figura 1.2, a rea til para a deposio
pequena devido forte dependncia da distncia entre o (s) filamento (s) e cada parte
infinitesimal da superfcie do substrato. No reator desenvolvido (figura 1.3) a rea
passvel ao revestimento com o filme algumas vezes maior do que a mesma nos
reatores com substratos planos. Utilizam-se dois filamentos alimentados por corrente
contnua como fonte de ativao energtica das molculas. O substrato est acoplado
magneticamente a um pequeno motor eltrico que o mantm em rotao.
Sabe-se que a geometria do substrato exerce um grande efeito na taxa de
deposio do filme e diretamente relacionada ao desempenho do reator [10]. Para
verificar o desempenho do novo reator, realizaram-se alguns crescimentos testes e os
filmes produzidos foram caracterizados e comparados com os resultados da literatura.
Fonte de
tenso
Leitora de
temperatura

Fluxo
de H2

Soluo orgnica Reagentes

Filamentos
Diamante
Medidor de Substrato
presso

Sada para
bomba de vcuo

Figura 1.3: Representao esquemtica do reator tubular para crescimento de diamante sobre substrato
cilndrico

13
As caractersticas dos filmes crescidos como a morfologia dos gros, a homogeneidade,
a presena de defeitos e a qualidade cristalogrfica foram avaliadas utilizando-se
imagens obtidas por microscopia eletrnica de varredura e espectros Raman.

1.2 Referncias

[1]P.W.May. Diamond thin films: a 21st-century material, The Royal Society London.
473495, (2000).
[2]T.W. Overton, J.E. Shigley. History of diamond treatments, Gems & gemology. 32-
55, (2008).
[3]R. Sauer. Synthetic diamond - Basic research and applications. Crystal research and
technology. 227-241, (1999).
[4]W.G. Eversole. U.S. 3030187, 3030188
[5]J Asmussen, D.R. Reinhard. Diamond films handbook, Materials science 2002
[6]J.C. Angus, HA Will, WS Stanko. Journal applied of physics. 39-2915, (1968).
[7]B.V. Deryagin, B.V. Spitsyn, L.L. Builov, A.A. Klochkov, A.E. Gorodetskii and .V.
Smol'yaninov. Dokl. Akad. Nauk SSSR 231-333, (1976).
[8]S. Matsumoto, Y. Sato, M. Kamo, N. Setaka. Vapor-deposition of diamond particles
from methane. Japanese journal of applied physics. 183-185, (1982).
[9]P.M.R. Santos. Contribuio ao projeto de construo de um reator para a sntese de
diamante. Dissertao de mestrado. Unicamp. (2003).
[10]Y.A Mankelevich, A.T. Rakhimov, N.V. Suetin. Three-dimensional simulation of a
hfcvd reactor. Diamond and related materials. 1133-1137, (1998).

14
CAPTULO II: Diamantes

2.1 Diamantes minerais

Propriedades gerais
O diamante puro composto apenas do elemento carbono em arranjo tetradrico
promovido por hibridizaes sp3. Os tomos de carbono podem ser arranjados,
convencionalmente, em uma rede cbica de faces centradas com base 2, como
representado na figura 2.1. Os tomos esto posicionados nos pontos da rede e nas
direes da diagonal do cubo, a uma distncia de 1/4 da dimenso dessa diagonal. Alm
dos tomos alocados nos pontos da rede (5 por face), observam-se 4 tomos internos ao
cubo em direes paralelas diagonal [1]. Cada tomo de carbono tem quatro vizinhos
prximos. A distncia do vizinho mais prximo de 1,54 e a dimenso da clula
unitria de 3,567 a 298 K.

Figura 2.1: Clula unitria do diamante composta por rede cbica de faces centradas e base 2 [1]

H oito tomos por clula unitria e 1,77.1023 tomos/cm3, que a mais alta
densidade atmica dos materiais terrestres. A densidade a 298 K 3,515 g/cm3 [2]. O
diamante uma forma alotrpica metaestvel do carbono a temperatura e presso
ambiente enquanto a grafite a fase estvel. O diamante , mesmo assim, extremamente
estvel em condies ambientes. Haja vista que em atmosferas inertes, se ele for
aquecido, o aparecimento de estruturas grafiticas ser detectado somente a 1800 K em
ambiente no oxidante e em presena de agentes oxidantes a partir de 900 K [3].

15
Propriedades mecnicas
O diamante apresenta o mais alto mdulo de elasticidade (mdulo de Young), a
mais alta velocidade isotrpica do som (18000 m/s) e a maior dureza dentre os materiais
conhecidos [2,4]. Dependendo da orientao cristalogrfica em que a medida realizada
em uma amostra, a dureza do diamante pode variar de 5.700 - 10.400 kg/mm2 (para
comparao, a dureza do ao 400 kg/mm2). Em termos da compressibilidade, o
mdulo de Young 1050 GPa, um valor aproximadamente cinco vezes maior que o do
ao [5]. O coeficiente de atrito do diamante um dos menores que existem e seu valor
varia, geralmente, de 0,05 a 0,15 (menor do que o do Teflon).
Propriedades trmicas
A condutividade trmica do diamante puro superior a de todos os outros
slidos na faixa de temperatura de 90 a 1200 K [2,6]. Em temperatura ambiente, o valor
experimental para a condutividade trmica do diamante natural altamente puro
aproximadamente 20 W/cm.K [7,8], que cinco vezes maior do que a condutividade
trmica do cobre. A condutividade trmica do diamante cresce com a diminuio da
temperatura, alcanando o mximo valor de 42 W/cm.K a 80 K; abaixo dessa
temperatura a condutividade trmica decresce. Impurezas como o nitrognio, podem
alterar a variao da condutividade trmica [2,8].
O diamante apresenta o menor calor especfico dos materiais conhecidos na
faixa de temperatura entre 0 a 800 K. A 300 K igual a 6,195 J/mol.K. O coeficiente de
dilatao trmica tambm est entre os mais baixos. Na faixa de 300 a 1200 K, esse
aumenta de 0,8.10-6 a 4,8.10-6 [8].
Propriedades eletrnicas
A condutividade eltrica do diamante mais sensvel a impurezas do que a sua
condutividade trmica. A banda de energia proibida caracterstica do diamante exibe um
intervalo de energia (gap) com o valor de 5,47 eV a 300 K. Este valor suficientemente
alto, em temperatura ambiente, para inibir a movimentao de eltrons e o tornar um
excelente isolante eltrico (constante dieltrica de aproximadamente 5,7). Na prtica, a
resistividade eltrica do diamante altamente puro est na faixa de 1014-1016 .cm.
possvel, entretanto, realizar dopagem substitucional no diamante com boro [9].
Resistividades prximas de 0,1 .cm j foram obtidas atravs desse processo de
dopagem, tornando-o um semicondutor do tipo p [10].

16
Propriedades pticas
J foi constatado que o diamante puro tem a mais larga faixa de transmisso
ptica dentre todos os materiais. Estende-se desde o ultravioleta (225 nm), atravessando
o infravermelho longnquo e as faixas de microondas. H uma pequena absoro entre
2,5 e 6 m devido excitao de fnons, com o coeficiente de absoro mxima em
torno de 12 cm-1 [11]. Na faixa do visvel o diamante puro totalmente transparente.
Impurezas podem alterar a transmisso ptica e atribuir cores aos diamantes, at
mesmo torn-los opacos. O diamante apresenta alto ndice de refrao para um material
transparente (2,419) [12]; para efeito de comparao, o ndice de refrao da gua pura
, aproximadamente, 1,5. Da lei de Snell-Descartes, que relaciona os ndices e os
ngulos da refrao, pode-se verificar que o ngulo para reflexo total interna no
diamante puro muito pequeno. O diamante apresenta altssima refletividade o que lhe
proporciona brilho exuberante.
Alm de tudo, o diamante fotocondutivo tendo um pico intenso a 225 nm
devido excitao de fnons nas proximidades da banda proibida nos diamantes puros
[11].
Consideraes sobre a cristalinidade
Quando um diamante CVD depositado sobre um substrato no diamantfero, o
resultado um filme policristalino. Enquanto algumas propriedades desses diamantes
CVD policristalinos se assemelham as dos diamantes naturais (monocristais), outras
diferem [2,13]. Dentre as ltimas esto: a resistncia fratura (RF) e a mobilidade de
portadores. Revestimentos feitos por filmes diamantferos CVD apresentam resistncia
tenso mecnica de uma ordem de grandeza menor em relao a monocristal de
diamante de mesma espessura. Os caminhos da fratura em amostras de diamantes CVD
aparentam ser trans e/ou intergranulares sem direo preferencial, o que indica que as
ligaes qumicas entre os gros so relativamente fracas [6,8,12].
O valor da densidade de lacunas em diamantes semicondutores CVD do tipo p ,
aproximadamente, uma ordem de grandeza maior do que a dos monocristais [2,14].
Finalmente, amostras de diamante CVD no apresentam os planos de clivagem bem
definidos como os monocristais, desta forma, no so usualmente utilizados na
confeco de jias.
A maioria das outras propriedades do diamante CVD policristalino pode ser
muito semelhante a do monocristal de diamante natural, desde que se busque obter o
efeito desejado. Raytheon [15] publicou um trabalho em que amostras de diamante

17
CVD policristalino de 350 m de espessura apresentaram transmisso ptica
essencialmente idnticas a do diamante natural (puro). Salvo as absores da banda
proibida a 225 nm e de multifnon no infravermelho, a amostra opticamente
transparente. O mesmo no se pode dizer, no entanto, para a maioria das amostras de
diamante CVD, que muitas vezes mostram notveis absores e espalhamentos pticos,
a ponto de serem cinza a olho nu. A diferena reside nas variveis de deposio como,
por exemplo, a composio qumica das fontes gasosas, a pureza do sistema e tambm,
em casos particulares, no ps-processamento das amostras. A superfcie da amostra no
trabalho de Raytheon foi polida para reduzir a disperso por efeitos pticos. Em termos
de condutividade trmica, o melhor diamante CVD relatado na literatura, at ento,
apresentou-a com valor igual a do monocristal [15]. Se o diamante CVD depositado,
entretanto, com maior nfase na taxa de crescimento do que na qualidade, o que se
espera que esses valores no sejam elevados.
Em termos de propriedades mecnicas, estudos experimentais do mdulo de
elasticidade em diamante policristalinos CVD j demonstraram valores prximos ao do
monocristal de diamante, ou seja, cerca de 1000 GPa [16]. Em suma, a grande maioria
das propriedades fsico-qumicas dos diamantes policristalino CVD so suficientemente
prximas as dos monocristais de diamante. importante ressaltar, no entanto, que nem
todos os diamantes CVD so da mesma qualidade, o que torna necessria a avaliao
individual de cada amostra diamantfera.

2.2 Diamantes CVD

Filmes de diamante podem ser crescidos a partir de uma fonte de carbono na


presena de hidrognio utilizando a tcnica CVD [17]. As fontes de carbono podem ser
gases orgnicos como o metano (CH4), que o mais usado, ou lquidas como o etanol
(C2H5OH) que se utilizou nesse trabalho.
O etanol tem apresentado algumas vantagens sobre o metano como, por
exemplo, na obteno de diamante com menor quantidade de fase graftica sobre a
superfcie, devido presena do grupo OH na molcula do etanol [18-23]. O radical
hidroxila apresenta alto potencial oxidativo, logo, o ataque superficial que promove,
auxilia na remoo da fase graftica (carbono hibridizado sp2). No processo de produo
de diamante CVD as molculas difundem-se dentro de uma cmara mantida a presso
subatmosfrica (geralmente, 0,05 a 0,2 atm). Antes de alcanarem o substrato, essas

18
molculas interagem em uma regio ativa que, em nosso caso, mantida pelo filamento
quente (~24000C). A temperatura elevada propicia a fragmentao dessas molculas em
radicais e tomos que podem incidir sobre a superfcie do substrato. Na superfcie,
mecanismos de adsoro, difuso, recombinaes qumicas e dessoro ocorrem.
Radicais como o metil podem colidir com ncleos diamantferos pr-existentes e reagir
propiciando o crescimento de ncleos diamantferos [24].

Figura 2.2: Mecanismo sugerido para o crescimento do diamante a partir do metano altamente diludo em
hidrognio, usando a tcnica CVD [54].

19
Atualmente, consenso na comunidade cientifica que durante o crescimento, a
superfcie do diamante est quase totalmente saturada com hidrognio. Isso limita a
adsoro de espcies de hidrocarbonetos (provavelmente CH3) e tambm bloqueia
regies de migrao dos hidrocarbonetos absorvidos. A figura 2.2 representa,
esquematicamente, o mecanismo descrito por Butler e Woodin (1993) para o
crescimento do diamante a partir do metano diludo em hidrognio e sobre uma
superfcie que contenha diamante semeado [25]. Segundo esses autores, o hidrognio
atmico reage com o metano e ocorre a produo de CH3, que o precursor primrio de
crescimento. O hidrognio atmico reage com o hidrognio na superfcie do substrato e
formam-se molculas de H2 criando stio ativo (processo de remoo de hidrognio
terminal). O destino mais comum para esse stio reagir com hidrognio atmico que se
encontra na proximidade, assim, retornando situao estvel anterior. No entanto,
ocasionalmente, o radical CH3 pode colidir e reagir com a superfcie, formando uma
rede de carbono (adsoro). Os tomos de hidrognio so removidos dos grupos metila
adsorvidos e formam novos stios ativos viabilizando futuras adsores de precursores
primrios, o que possibilita o contnuo crescimento do filme.
importante salientar que esse esquema descrito acima uma tentativa simplista
de explicar do processo de crescimento de diamante CVD. Segundo Goodwin & Butler
1997, o mecanismo exato dependente da fase gasosa, do reator usado e at mesmo a
natureza da superfcie cristalina do diamante utilizado [26].
Processo de nucleao
Em escala atmica, o processo de nucleao pode seguir os seguintes eventos:
(a) tomos, radicais e molculas colidem com a superfcie do substrato e podem ser
adsorvidos; (b) parte dessas espcies adsorvidas podem ser dessorvidas de volta fase
gasosa ou difundir ao longo do substrato; tomos podem tambm difundir dentro do
substrato; (c) com o tempo a concentrao de espcies adsorvidas aumenta e grupos
(ncleos) comeam a ser formados atravs de ligaes entre tomos; (d) os grupos
aumentam ou diminuem dependendo da estabilidade termoqumica, taxa de agregao
de radicais e da difuso existente na superfcie do substrato; (e) uma vez alcanado um
tamanho crtico, o grupo torna-se termodinamicamente estvel e continua crescendo ao
agregar novos tomos adsorvidos [2,27].
A presena de defeitos e impurezas na superfcie do substrato atua como pontos
de captura de espcies difundentes. Na prtica, quando um pr-tratamento do substrato
realizado, a nucleao est relacionada aos conjuntos de partculas existentes, aos

20
defeitos induzidos no substrato e s camadas de estruturas carbnicas. Acredita-se que,
as etapas mencionadas descrevem adequadamente o princpio de nucleao do diamante
[28,29].
A taxa de crescimento do filme de diamante sobre substratos no diamantferos
lisos e que no recebam tratamento prvio baixa [30]. A utilizao de substratos que
no sejam o prprio diamante, ou de materiais que no tenham afinidade qumica com o
diamante, exige um pr-tratamento. Os mtodos mais comuns para realizar pr-
tratamento sobre a superfcie do substrato so: (i) provocar ranhuras e (ii) semear. As
ranhuras so realizadas, freqentemente, por atrito mecnico entre superfcies, por
exemplo. Esses defeitos facilitam a formao de aglomerados de tomos. As
semeaduras so, geralmente, realizadas via banho ultra-snico do substrato em soluo
voltil com suspenso de diamante em p (gros na ordem de 0,01 a 1m). Quantidades
mnimas de partculas de diamante depositadas sobre o substrato atuam como ncleos
estveis, favorecendo o processo de crescimento pela deposio qumica. Os ncleos
tm um papel muito importante no processo de crescimento de filmes diamantferos,
pois com eles, os radicais que difundem pela superfcie podem reagir [30].
O crescimento de diamante policristalino a partir da fase gasosa pode ser
dividido em cinco estgios: (i) perodo de incubao; (ii) nucleao tridimensional de
cada pequeno cristal na superfcie do substrato; (iii) surgimento e crescimento de novos
ncleos; (iv) processos de coalescncia e facetamento; (v) formao de filme contnuo
[2,27,31]. Antes do processo de nucleao comear, deve ser estabelecida condio
favorvel para o processo de deposio ser realizado com eficincia no reator. Este
estgio denominado perodo de incubao leva de alguns minutos a algumas horas.
Quando todos os parmetros encontrarem-se estveis o reator passa a operar. Pequenos
cristais so formados durante o perodo inicial de nucleao, os quais apresentam,
geralmente, geometria aproximadamente esfrica. A densidade de ncleos cresce com o
decorrer do tempo sendo dependente do material que constitui o substrato e do pr-
tratamento. A densidade de ncleos na superfcie atinge um valor limite e deixa de
aumentar. Cada pequeno cristal cresce e desenvolve facetamento devido alta taxa de
difuso das espcies carbnicas que incidem sobre os ncleos, com os quais reagem e
promovem o crescimento. Os cristais crescem e encontram outros cristais sobre a
superfcie do substrato, at que formem um filme contnuo [2,27,28,31]. Os estgios
descritos se sobrepem, ou seja, acontecem simultaneamente. A figura 2.3 apresenta

21
imagens de microscopia eletrnica de varredura ilustrando os diferentes estgios de
crescimento do filme.
Dentre certas condies de crescimento, o competitivo processo de cristalizao
individual governa o subseqente crescimento do filme contnuo. Nesses casos, os gros
apresentam crescimento mais acentuado na direo perpendicular ao plano do substrato,
encobrindo qualquer outro crescimento vizinho mais lento e forma-se um filme
contnuo com uma coluna estrutural bem distinta. Este tipo de crescimento de filme, em
que os cristais encobrem com sucesso os cristais vizinhos, tem sido observado em
inmeros materiais depositados a partir da fase de vapor e denominada seleo
evolucionria [30].

Figura 2.3: Crescimento de diamante em substrato no diamantfero ocorre em diferentes estgios: (a)
nucleao de cada pequeno cristal, (b e c) expanso dos ncleos e encontro entre ncleos vizinhos, (d)
facetamento e coalescncia e, (e e f) competio no crescimento dos cristais na formao de filme
contnuo [2].

O processo de nucleao da superfcie do substrato pode ser quantificado com


duas variveis: (i) densidade de ncleos por unidade de rea Nd (cm-2) e (ii) taxa de
nucleao de novos ncleos surgidos por unidade de rea em funo do tempo Nr (cm-2
h-1). A densidade de nucleao um parmetro importante para a determinao da
espessura final do filme, do tamanho mdio dos gros, da homogeneidade, da adeso ao
substrato, da textura e da rugosidade do filme resultante. Quanto maior a densidade de
nucleao, geralmente, tanto mais homognea e lisa ser a superfcie. A taxa de
nucleao est intimamente ligada eficincia do processo de deposio, entretanto,

22
alta taxa de nucleao no representa por si s, necessariamente, um processo eficiente
[32]. Observa-se que as caractersticas de filmes crescidos diferem-se das diamantferas
quando se alteram os parmetros de crescimento no reator com a inteno de aumentar a
taxa de crescimento. Artigos relatam [19,33-37] experincias de crescimento de
diamante por processo CVD sobre substratos no diamantferos como Au, Cu, Si, Mo e
W e apresentam que:
(1) a taxa de nucleao de diamante na superfcie destes substratos varia de 103
at 108 cm-2 h-1,
(2) a nucleao de cristais de diamante observada primeiramente nos defeitos
do substrato (ranhuras, contorno dos gros) indicando que a nucleao do diamante
ocorre via mecanismo heterogneo,
(3) a taxa de nucleao do diamante relativamente baixa sobre substratos
monocristalinos quando comparada a de substratos policristalinos do mesmo material
com pr-tratamento idntico,
(4) a taxa de nucleao diamantfera sobre substratos que tem facilidade para
formar carbetos como Si, Mo e W , geralmente, duas ordens de grandeza maior do que
sobre aqueles que no tem facilidade, como Cu e Au.
5) a taxa de nucleao sobre substratos no diamantferos decai com o
crescimento dos cristais e com a cobertura do substrato.
Algumas propriedades so exigidas de materiais no diamantferos para que eles
sejam bons candidatos a serem utilizados como substrato. Materiais como Si, SiO2 , Mo,
Ta, W, CrxNz, Cu, Au e aos vm sendo utilizados para a deposio de filmes
diamantferos com variado grau de dificuldade. Para um material ser utilizado como
substrato no processo CVD, necessrio que sua temperatura de fuso ou amolecimento
seja superior a 700oC e o coeficiente de expanso trmico seja o mais prximo possvel
do diamantfero, isso para viabilizar boa adeso entre as partes. Essa uma limitao da
tcnica de deposio qumica na fase de vapor, embora, seja possvel crescer diamante a
temperatura menor, porm, com taxa de crescimento menor [38].
Morfologia da superfcie
Ao descrever a rede cristalina, comum se referir s diferentes faces do cristal,
utilizando um sistema de coordenadas x, y, z. Para o diamante, trs so as mais
importantes superfcies de adsoro e de crescimento: a superfcie quadrada (100), a
triangular (111) e as superfcies menos bem definidas (110). A figura 2.4 apresenta tais
superfcies.

23
a) b) c)

Figura 2.4 : Ilustrao dos planos cristalogrficos: a) (110), b) (100) e c) (111) [1]

A medida cintica de crescimento do diamante em cada uma dessas trs superfcies tem
taxas de crescimento que dependem diretamente da temperatura e composio do gs.
Estas caractersticas cinticas podem ser manipuladas para controlar a morfologia
dos cristais que se que obter. Segundo Wild et al 1994, o parmetro denominado ,
muitas vezes, usado para determinar a forma de monocristais [39]. Esse parmetro
dado por:

(2.1)

onde 100 e 111 so as velocidades de crescimento nas direes (100) e (111)


respectivamente. Para diamante monocristalinos, = 1 (cubos), = 3 (octaedros) e 1<
<3 (cubo-octaedro). Para filmes diamantferos policristalinos, o controle do parmetro
pode definir a textura dos filmes e o tipo de superfcie como foi publicado por Wild et al
em 1994 [39].
Dopagem
A concentrao de eltrons intrnsecos na banda de conduo do diamante
muito baixa devido natureza das suas ligaes covalentes; o diamante puro um
semicondutor intrnseco de banda proibida larga e, portanto, um timo isolante eltrico.
Pode-se fabricar, no entanto, dispositivos diamantferos semicondutores atravs de
tcnicas de dopagens via CVD.
O processo de dopagem dos diamantes , basicamente, infiltrar tomos
relativamente pequenos (comparados ao tomo de carbono) que possuam afinidade
eletrnica com o carbono na rede cristalina do diamante. Os tomos mais utilizados em
dopagens CVD so, geralmente, o nitrognio, o flor, o enxofre, o argnio, o hlio, o

24
boro e o fsforo [40]. Os semicondutores dopados com tomos aceitadores e doadores so
chamados semicondutores do tipo-p e tipo-n, respectivamente.
Segundo Sampaio [7] a dopagem no diamante pode ser classificada segundo a
posio do(s) tomo(s) dopante(s) em (i) substitucional, (ii) intersticial, (iii) inter-
granular e (iv) superficial. A dopagem substitucional acontece quando tomos de
impurezas ocupam posies espaciais dos tomos da rede cristalina: aqueles fazem
ligaes incompletas ou no com tomos da rede. A dopagem intersticial acontece
quando os tomos de impurezas ocupam posies diferentes das dos tomos da rede.
Isso pode gerar distores e/ou vacncias na rede. A dopagem intergranular acontece
quando os tomos de impurezas se localizam entre os gros do cristal e pode acarretar
em mudana de fase. A dopagem superficial ocorre quando as impurezas substituem ou se
ligam com os tomos da superfcie do cristal.
A condutividade eltrica em filmes diamantferos policristalinos pode ocorrer de
duas maneiras. Essa pode ser entre ou ao redor dos gros dependendo das impurezas
decorrentes do tipo de dopagem feita. A figura 2.5 representa esquematicamente o caminho
dos eltrons no diamante dopado.

Figura 2.5. Representao esquemtica da condutividade nos filmes diamantferos policristalinos. H


domnio da condutividade pela estrutura cristalina do diamante (a) devido s impurezas dentro dos gros,
(b) pelos portadores nas bordas dos gros dependendo do tipo de dopagem [9].

Existem muitas maneiras de se produzir diamante CVD dopado. Solues


qumicas especficas podem ser misturadas aos gases de alimentao ou atuarem em
ps-tratamento via radiaes eletromagnticas [41]. De maneira geral, a dopagem de
filmes tem a finalidade de mudar algumas propriedades fsico-qumicas deles. Essas
mudanas propiciam novas possibilidades de aplicao do diamante sintetizado atravs
da tecnologia CVD.

2.3 Tcnicas de caracterizao


O desenvolvimento de novos materiais em geral tem exigido informaes
detalhadas da morfologia e composio das amostras. A avaliao dessas caractersticas

25
muito importante, j que ajuda a tecer correlaes entre microestrutura, defeitos e
outras propriedades; assim como predizer as propriedades do material quando essas
correlaes so estabelecidas [42].
Duas so as tcnicas que tm sido, de uma maneira geral, mais utilizadas para a
caracterizao de diamantes CVD: a microscopia eletrnica de varredura para anlise da
morfologia e a espectroscopia de espalhamento Raman para identificar as ligaes
qumicas que constituem o material.

Microscopia eletrnica de varredura (Scanning Electron Microscopy-SEM)


Na microscopia eletrnica de varredura a amostra irradiada por um feixe de
eltrons altamente colimado. Como resultado da interao do feixe de eltrons com a
superfcie, uma srie de radiaes emitida, i.e.: eltrons secundrios, eltrons
retroespalhados, raio-X caracterstico, eltrons Auger, ftons etc [43]. Os sinais de
maior interesse para a tcnica SEM so provenientes dos eltrons secundrios e dos
retroespalhados. Os eltrons secundrios possibilitam a obteno de imagens da
morfologia e topografia da superfcie da amostra em alta resoluo, j os eltrons
retroespalhados so mais indicados para estudos da variao de composio [42-44].

Descrio geral do microscpio


Conforme pode ser visto na figura 2.6, o microscpio eletrnico de varredura
constitudo, basicamente, de: (i) uma coluna ptico-eletrnica; (ii) uma unidade de
varredura; (iii) uma cmara de amostras; (iv) um sistema de deteco; (v) um sistema de
visualizao e armazenamento da imagem [42-45].
Na coluna optoeletrnica localizam-se o canho de eltrons, que gera os eltrons
primrios com energia e em quantidade suficiente para promoverem a excitao da
amostra; as lentes condensadoras, as quais colimam o feixe de eltrons primrios; as
bobinas eletromagnticas, que promovem a deflexo do feixe de eltrons primrios no
sentido horizontal (varredura) e vertical (focalizao) sobre uma dada regio da
amostra; as bobinas eletromagnticas, as quais fazem as correes de astigmatismo [44].
A figura 2.7 apresenta a imagem de uma superfcie diamantfera microcristalina
obtida atravs de um microscpio eletrnico de varredura. A imagem uma pequena
regio da amostra ampliada cinco mil vezes. Observam-se os gros com riqueza de
detalhes.

26
Coluna em alto vcuo
Sistema de
Feixe primrio Colimao

Bobinas de varredura
de amostras

detector
Cmara

Figura 2.6: Esquema do microscpio eletrnico de varredura.

5m

Figura 2.7: Imagem de uma superfcie diamantfera microcristalina obtida atravs de um microscpio
eletrnico de varredura.

27
Espectroscopia de espalhamento Raman
.
Introduo
Em 1928, Chandrasekhra Venkata Raman relatou um efeito que ostenta o seu
nome. O efeito Raman revelou que a incidncia de ftons sobre uma superfcie
provoca, dependendo da freqncia desta radiao e das caractersticas de ressonncia
das molculas do material, a emisso de novos ftons [46]. Raman em seus
experimentos utilizou luz solar como fonte de alimentao, um telescpio como coletor
e os olhos dele como detectores [47]. A instrumentao simples disponvel na poca
tornou extremamente notvel o efeito detectado [48].
Efeito Raman [49]
De acordo com a mecnica quntica, se uma molcula interagir com um campo
eletromagntico, uma transferncia de energia (E) do campo para a molcula pode
ocorrer se as condies de freqncia de Bohr forem satisfeitas. Da equao de Planck
temos [50]:

E = hv = h(c/) = hcv* (2.2)

Nesta equao, E a diferena de energia entre dois estados quantizados, h a


constante de Planck, c a velocidade da luz, o comprimento de onda, v a
freqncia da onda (diretamente proporcional energia de transio) e v* igual a (1/
). Supondo que seja E = E2 E1, onde E2 a energia do estado excitado E1 do estado
inicial das molculas, ento, elas absorvem E quando so excitadas do estado inicial
de energia E1 para E2 e podem emitir essa energia E (vide figura 2.8) de vrias
maneiras, inclusive na forma de ftons, os quais so utilizados na tcnica de
espalhamento Raman.

E2 E2

E Absoro E Emisso

E1 E1

Figura 2.8: Representao esquemtica da absoro e emisso de energia por molculas que interagem
com uma radiao luminosa [49].

28
Como h e c so constantes, assim, para v*=1 cm-1 teremos E = 1,24 X 10-4
(eV/molcula). A intensidade de E diretamente dependente da origem da regio de
transio. No espectro Raman esta regio aparece entre 104 - 102 cm-1 devido vibrao
do ncleo constituinte da molcula. Os espectros Raman esto intimamente
relacionados com a transio eletrnica e os estados vibracionais das molculas do
material caracterizado. Isso permite que um mesmo elemento qumico em diferentes
estruturas alotrpicas apresente picos Raman em posies e intensidades distintas.
Nessa tcnica, a amostra irradia por laser monocromtico que pode estar na faixa de
freqncia do ultravioleta, visvel ou infravermelho e a radiao espalhada ,
geralmente, coletada na direo perpendicular incidncia da fonte luminosa.
A radiao espalhada constituda de dois tipos: (i) espalhamento Rayleigh que
bem intenso e tem a mesma freqncia da fonte luminosa incidente (vo) e (ii)
espalhamento Raman que de baixa intensidade (~10-5 da intensidade da fonte) e
apresenta freqncias (vo vm) ,onde vm a freqncia vibracional das molculas. Os
picos em (vo - vm) e (vo + vm) so denominados de espalhamentos Stokes e anti-Stokes,
respectivamente. Na espectroscopia Raman, mede-se a freqncia vibracional (vm)
como um deslocamento em relao freqncia incidente (vo) como esquematizado na
figura 2.9.

Amostra

om
o (Espalhamento
(Espalhamento o Raman)
Rayleigh) (laser)

Figura 2.9: Representao esquemtica do mecanismo Raman

Na figura 2.10 esto apresentadas diversas transies que podem ser observadas
em espectroscopia, incluindo o efeito Raman, em termos de um simples sistema
diatmico de nveis de energia. Em espectroscopia de infravermelho (IR), pode-se
observar a transio v=01 no estado eletrnico inicial em uma amostra. Na

29
espectroscopia Raman, a linha de excitao (vo) escolhida em nvel bem abaixo do
primeiro estado eletrnico excitado. Uma linha de referncia indica um estado virtual
para distingu-lo do estado real excitado. A populao de molculas no estado v=0
muito maior do que em v=1 (segundo a lei de distribuio de Maxwell-Boltzmann).
Com isso, em considerando as condies normais, as linhas Stokes (S) so mais intensas
do que as anti-Stokes (A). Como ambos os espalhamentos fornecem a mesma
informao, normal medir apenas o lado Stokes do espectro. Como exemplo, a figura
2.11 apresenta o espectro Raman do CCI4 (O espectro Raman expresso como um
grfico de intensidade vs. deslocamento Raman). O espectro de ressonncia Raman
(RR) ocorre quando a linha de excitao escolhida intercepta a margem do estado
eletrnico de excitao. Nos lquidos e slidos os nveis vibracionais produzem mais
facilmente o contnuo [49]. No estado gasoso, o contnuo existe acima de uma srie de
nveis discretos. As excitaes de contnuos produzem espectros RR que se mostram
extremamente fortes alcanando a banda Raman originada dessa transio eletrnica em
particular.
A ressonncia de fluorescncia (RF) ocorre quando a molcula excitada para
um nvel discreto de energia do estado excitado. Isso observado para molculas
gasosas como I2, Br2. Finalmente, os espectros de fluorescncia so observados quando
o estado excitado das molculas decai para o mais baixo nvel vibracional devido
baixa transmisso de radiao e assim emitem radiao como mostrado na figura 2.10.
O tempo de vida (t) do estado excitado em RR muito pequeno (~10-14 s) enquanto o (t)
em RF muito maior (~10-8 a 10-5 s).

Figura 2.10: Comparao dos nveis de energia para o Raman normal e o espectro ressonante mostrando
os tres tipos de espalhamentos Raman: (R) Rayleigh, (S) Stokes e (A) Anti-Stokes [49]

30
Intensidade

Deslocamento Raman (cm-1)

Figura 2.11: Espectro Raman do CCl4 (linha de excitao 488,8nm) [49].

Principio de funcionamento do espectrmetro Raman.


Os principais componentes de um espectrmetro de espalhamento Raman podem
ser identificados na figura 2.12. A fonte de excitao laser incide na amostra aps passar
pelo sistema ptico do espectrmetro e pelo microscpio ptico podendo sua
intensidade ser controlada. A luz espalhada coletada por uma lente do microscpio e
dirigida ao monocromador pelo coletor. A radiao Raman separada e enviada para o
sistema de deteco CCD de ftons. A seguir, os dados so enviados para
processamento em um microcomputador e visualizados em tela do monitor [50].

Figura 2.12: Representao esquemtica do espectrmetro Raman [54]

31
Aplicao
Espectroscopia de espalhamento Raman , atualmente, a tcnica mais utilizada
para caracterizar filmes diamantferos preparados por mtodos de deposio de vapor
qumica devido ao que pode ser chamado de assinatura espectroscpica [51-53]. Com
esta tcnica podem-se obter espectros bem definidos para diferentes compostos
carbnicos como o diamante, a grafite, carbono vtreo ou amorfo e DLC. Ela usada,
tambm, para determinar a pureza e perfeio da fase cristalina apresentando as
posies e larguras mximas dos picos.

Figura 2.13: Os espectros Raman de diferentes estruturas carbnicas decorrentes de hibridizao (a) sp3 e
(b) sp2 [54].

32
Os espectros Raman das diferentes ligaes carbnicas, hibridizao sp2 e sp3,
so ilustrados na figura 2.13. Os espectros de diamante microcristalino exibem picos
intensos que esto centrados entre 1331 e 1335 cm-1 (em temperatura ambiente), com
uma largura do pico menor que 7.5 cm-1, enquanto a grafite apresenta uma banda
centrada entre 1565 a 1585 cm-1 [2,51-54].
Pequenas variaes nas posies dos picos podem estar relacionadas ao stress
interno, stress termoelstico, efeitos trmicos em geral e a densidade de defeitos no
cristal, assim como ao tamanho do gro. Para grafite microcristalina um forte pico
caracterstico aparece em 1350 cm-1 e o 1580 cm-1 (bandas D e G, respectivamente). O
pico em 1350 cm-1 tem sido identificado como um modo vibracional que ocorre na
fronteira da zona de Brillouin [2,53,54].
O efeito Raman mais perceptvel s molculas que apresentam ligaes
covalentes do tipo CC, C=C, P=S, SS e CS [54].

2.4 Aplicaes dos filmes diamantferos

As propriedades fsico-qumicas dos diamantes sintticos CVD so muito


similares as dos diamantes naturais salvo algumas excees. Antes da era dos diamantes
CVD, pesquisas utilizando diamantes no pareciam interessantes por dois fatores: (i) o
diamante era encarado como um material extico de acessibilidade baixa e de produo
sinttica difcil por requerer alta temperatura e presso; (ii) o diamante livre de
impurezas um isolante eltrico, assim sendo incapaz de conduzir eletricidade e por
isso inadequado eletrnica em geral [40,55]. A situao mudou, significativamente,
com o aprimoramento da tcnica CVD para produo de filmes finos de diamante
semicondutor [55]. Atuais e potenciais aplicaes dos filmes diamantferos CVD so
apresentadas nesta seco.
Na eletroqumica o diamante foi introduzido h poucas dcadas e o nmero de
publicaes sobre isso vem crescendo muito nos ltimos anos. Em 2007 foram
publicados em torno de 258 trabalhos em revistas respeitadas internacionalmente [56].
Este nmero demonstra que o uso de diamante eletroquimicamente condutor como um
material eletrdico , atualmente, bem estabelecido. Outros materiais carbnicos j
foram empregados (grafite, carbono vtreo, grafite piroltico, fibra de carbono, etc.) em
estudos eletroqumicos, no entanto, sem impactos significativos. [17]. Devido

33
extraordinria estabilidade qumica, o diamante continua sendo um excelente candidato
a ser utilizado como eletrodos com ampla faixa de aplicaes em eletroqumica [57,58].
Segundo Canizares et al [59] a eletrlise utilizando anodos de diamante dopado
com boro uma tcnica eficiente no tratamento de guas contaminadas, uma vez que
possvel decompor, indiretamente, poluentes orgnicos e inorgnicos, ou adsorver os
poluentes na superfcie do eletrodo e devido a isso, oxid-los diretamente. Nessa
tcnica, a energia eltrica , geralmente, utilizada para controlar a reaes qumicas na
superfcie de eletrodos BDD (do ingls: Boron-Doped Diamond) e assim, produzir, em
soluo aquosa, oxidantes extremamente fortes, tais como oxignio, oznio, radical
hidroxila e perxido de hidrognio [17,60].
O desenvolvimento de novos materiais para a produo de implantes ortopdicos
tem sido de busca constante, devido ao aumento de aplicaes clnicas e a necessidade
de se alcanar maior durabilidade, diminuindo assim as cirurgias de reviso. Ensaios in
vitro e in vivo foram realizados avaliando a biocompatibilidade do diamante
microestruturado e nanoestruturados. Nesses estudos foram implantados pequenos tubos
diamantferos em defeitos sseos provocados em ratos da linhagem Wistar e foi
concludo que ambos os tipos de estruturao do diamante mostraram-se
biocompatveis, sendo que o diamante nanoestruturado proporcionou excelente adeso e
recobrimento por tecido neoformado sobre a sua superfcie [61].
O diamante pode ser utilizado para a produo de novos LEDs (LED uma sigla
derivada do ingls, Light Emitting Diode). O LED um diodo semicondutor (juno P-
N) que quando devidamente estimulado emite luz visvel. A base de diamante, esses
componentes emitem luz branca de alta luminosidade, o que possibilitaria a fabricao
de lmpadas para a iluminao de ambientes. As vantagens desse tipo de iluminao
estariam presentes no baixo consumo de 0,3 a 2,5W (30 a 40 vezes menor do que
lmpadas halgenas, dicricas, bipinos, AR70 etc.), na vida til do LED cerca de 50
vezes maior em comparao com lmpadas que desempenham a mesma atividade
atualmente (100.000 horas = 11 anos) e sem emisso de raios na freqncia do
ultravioleta e infravermelho [62].
Os diamantes sintticos vm sendo aplicados na indstria principalmente como
ferramentas de corte, triturao, moagem, perfurao, camada antiatrito para junes em
motores automotivos e aeronuticos, e protetor de superfcies em ambientes agressivos
[63]. Segundo Baranauskas [64] a aplicao dos diamantes sintticos poder se estender

34
confeco de sensores pticos e de temperatura, dissipadores de calor, micro-chips,
dentre outros.
A concepo do computador quntico alvo de estudos por grupos de pesquisa
de ponta objetivando construir um instrumento capaz de efetuar clculos matemticos
que levariam tempos impraticveis para os computadores atuais. A chave para a
fabricao desse revolucionrio computador est na construo do bloco mais bsico da
computao: o bit. No caso da computao quntica, os bits so denominados de qubits.
Os fsicos da Universidade de Harvard, Estados Unidos, descobriram que o qubit ideal
j existiria e poderia ser encontrado no interior do diamante [65].
O custo por quilate (200mg) da produo de diamante CVD tem cado nos
ltimos anos com o desenvolvimento de sistemas de deposio mais eficientes [2]. O
capital associado ao custo de produo de um sistema de deposio , ainda, um srio
limitante. Essa considerao econmica cria barreiras introduo de diamantes CVD
em novos projetos. O aprimoramento dos sistemas de deposio um aspecto vital para
futuras aplicaes de diamante CVD. Uma vez reduzido o custo de produo do
diamante CVD a valores mais atraentes, certamente, esse material ter um futuro ainda
mais brilhante [2,64].

2.5 Referncias

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39
CAPTULO III: Reatores HFCVD

Os primeiros relatos de diamante CVD crescido atravs de um sistema de


deposio qumica assistida por filamento quente foram publicados por Matsumoto et al
[1,2] no incio dos anos 1980. Na poca, um filamento de tungstnio foi utilizado como
fonte de ativao das molculas e para o aquecimento do substrato sendo auxiliado por
um forno externo. Desde aqueles trabalhos, o nmero de publicaes sobre o tema foi
crescente e alcanou valores notveis, o que demonstra o crescente interesse da
comunidade cientfica sobre o assunto. A figura 3.1 apresenta um levantamento feito
sobre o nmero de publicaes que feitas utilizando reatores HFCVD e termo-assistidos
em cada ano depois dos anos 1982 at os dias atuais (meados de 2008) [3].

250

200
Nmero de publicaes

150

100

50

0
1984 1988 1992 1996 2000 2004 2008

Ano da publicao

Figura 3.1: Grfico que apresenta o nmero de publicaes realizadas com reatores HFCVD para
crescimento de diamante desde os anos 1982 at meados de 2008

40
Descrio geral
H muitos tipos de sistemas de deposio para a produo de diamante, os quais
so capazes de produzir diamante em condies metaestveis. Todos os sistemas de
deposio por CVD partilham, basicamente, do mesmo princpio de funcionamento:
requerem alimentao por fluxo contnuo de molculas que contenham carbono em sua
estrutura. Estas molculas esto, usualmente, no estado gasoso e fluem, geralmente,
com hidrognio molecular.
Fonte de ativao
Uma fonte de ativao energtica utilizada pelo sistema com dois propsitos
principais: (i) dissociar as molculas precursoras em radicais para que reajam sobre a
superfcie do substrato e (ii) dissociar as molculas de hidrognio em tomos. A fonte
de ativao em reatores HFCVD o filamento alimentado por corrente alternada ou
contnua, o qual produz energia trmica [4,5].
Para um material ser um bom candidato utilizao como filamento nesses
sistemas, ele deve ter algumas propriedades importantes como: (1) alta temperatura de
fuso, (2) resistncia ao ataque do hidrognio atmico e (3) estabilidade mecnica na
temperatura necessria para a dissociao das molculas [4-10]. At os dias atuais, os
mais bem sucedidos materiais empregados vm sendo o W [6-9], Re [7] e Ta [8-10].
Filamentos como W e Ta requerem um processo de carbonizao para serem utilizados
efetivamente na deposio de diamante, por que eles so bons formadores de carbetos e
o processo de carbonizao ajuda a estabilizar mecnica e eletricamente o filamento. A
presena de impurezas metlicas provenientes da evaporao dos filamentos em filmes
diamantferos depositados por processo HFCVD, no entanto, tem sido relatada na
literatura [11].
O papel principal do filamento promover a dissociao das molculas de
hidrognio em tomos. Em temperaturas superiores a 1800oC, o hidrognio sofre reao
de dissociao trmica:

H2 H + H 4.5 eV (3.1)

Na equao 3.1 pode-se observar que a reao endotrmica na direo da


dissociao. O hidrognio atmico fundamental para o crescimento de diamante CVD.
O filamento tambm participa da decomposio das espcies de compostos orgnicos,
mas de maneira mais indireta do que na produo de hidrognio atmico [11].

41
O hidrognio atmico (H) pode reagir com os compostos orgnicos gasosos,
freqentemente o metano (CH4), para produzir radicais como o metil (CH3) [12]:

CH4 + H CH3 + H2 (3.2)

O radical metil, provavelmente a espcie mais ativa no crescimento de diamante,


tambm pode ser produzido atravs de reaes do hidrognio atmico com outras
molculas orgnicas como, por exemplo, o acetileno ou etanol. O hidrognio atmico
tem outras duas funes primordiais: (i) favorecer a formao de ligaes sp3 entre
tomos de carbono e, portanto, propiciar a deposio de estruturas diamantferas sobre o
substrato e (ii) evitar o crescimento de estruturas de carbono amrficas ou grafiticas,
atuando na sua continua remoo [12-14].
Os filamentos tm, ainda, um papel secundrio, mas no menos importante, que
o aquecimento do substrato. O controle da temperatura do substrato indispensvel
para crescimento de filme diamantfero de qualidade (deve estar a aproximadamente
900oC). O aquecimento do substrato decorrente da recombinao do hidrognio
atmico em sua superfcie (reao exotrmica) e ainda da radiao emitida pelo
filamento incandescente [10-12].
Anlise In situ
O reator de filamentos quentes tem sido o mais estudado dentre os vrios tipos
de reatores capazes de produzir diamante [11]. Modelos computacionais tm sido
empregados na tentativa de se identificar os mecanismos diretamente responsveis pelo
crescimento do diamante [15-17]. De maneira geral, esses estudos so baseados em
muitas simplificaes, as quais podem afastar os modelos propostos da realidade que se
busca. Por outro lado, medidas experimentais tm sido, tambm, realizadas para
identificao das espcies qumicas presentes na regio prxima ao substrato.
Diagnsticos em reatores de filamentos quentes tm sido realizados sobre trs tpicos
especficos: (i) identificao dos precursores do crescimento do diamante, (ii)
determinao do papel das espcies qumicas presentes no processo de crescimento e
(iii) quantificao do efeito dos parmetros experimentais sobre a composio da fase
gasosa e a distribuio espacial [11]. Uma das primeiras anlises do ambiente gasoso foi
feita por Kawato e Kondo [18] que utilizaram cromatografia em fase gasosa (GC) para
analisar uma amostra de gs residual de um reator. Eles detectaram significativas
quantidades de CH4, C2H4, C2H2, H2 e CO, a partir de uma mistura gasosa de

42
alimentao constituda de CH4, H2, O2 e Ar e constataram que a maior parte do CH4 foi
convertido em C2H2.
Celii et al [19] utilizaram espectroscopia de absoro com laser de diodo no
infravermelho para identificar as espcies gasosas presentes na regio entre os
filamentos e o substrato. Atravs desse instrumento, foram detectados C2H2, CH3, C2H4
e CH4. Em contraste com as medies de Kawato e Kondo, o CH4 apresentou-se como a
espcie predominante (8.1014cm-3), com uma concentrao aproximadamente quatro
vezes maior do que a de C2H2 e uma dezena de vezes mais que CH3. A medida da
concentrao de CH4 correspondeu a mais de 40% do seu valor de entrada o que indicou
que uma parte significativa dos gases de entrada pode ter desviado completamente do
filamento, no sendo submetida dissociao trmica ou heterognea.
Segundo Celii et al [19,20], um possvel precursor do crescimento diamante, o
CH3, teria uma concentrao muito mais dependente da distncia do substrato do que
outros hidrocarbonetos medidos, tais como o CH4, C2H2 ou C2H4 e esse maior gradiente
espacial seria devido alta reatividade do CH3. Conforme esses autores, o radical metil
tem sua concentrao diminuda em trs vezes quando a medida realizada a 7 mm do
substrato passa a ser a 16 mm (experincias feitas entre 20-30 Torr). A figura 3.2
apresenta um grfico da densidade de radicais CH3 em funo da distncia do filamento.
Wahl et al [21] usando espectroscopia (CRDS, Cavity Ring-Down Spectroscopy)
relataram que um pico de concentrao de CH3 foi detectado a alguns milmetros do
filamento, indicando que este radical formado por reaes em fase gasosa, em vez de
reaes heterogneas no filamento (presso de operao por volta de 20 Torr). Tambm,
observou-se o aumento linear da concentrao de CH3 com a temperatura.
Medidas das concentraes CH4 utilizando CARS (Coherent anti-Stokes Raman
scattering) [22] e hidrognio atmico utilizando REMPI (Resonance-Enhanced
Multiphoton Ionization) [23] demonstraram que, nas proximidades do filamento, os
perfis espaciais de aproximao e afastamento so os mesmos, ou seja, os perfis das
concentraes de CH4 e H so independentes de qualquer outro parmetro a no ser da
distncia ao filamento. Dessa forma, os autores concluram que o transporte de massa
em reatores de filamentos quentes totalmente dominado pela difuso e que a
conveco desempenha, no mximo, um possvel papel secundrio. Modelos de
crescimento do diamante em reatores de filamentos quentes confirmaram que a taxa de
crescimento independente da orientao filamento-substrato [24,25].

43
Densidade de CH3 (1013/cm3)

Absorbncia a 213.9nm [L]


Filamento

3
13
Ts = 900oC
--- Modelo para Ts = 900oC
Ts = 500oC

Substrato
Modelo para Ts = 500oC

Posio das medidas em relao ao filamento (mm)

Figura 3.2: Perfil espacial da concentrao de CH3 em reator de filamento quente observado para duas
temperaturas distintas [21].

O fato que a realidade complexa e funo de muitos fatores, sendo que o


resultado final no que se refere taxa de crescimento, uniformidade, morfologia, textura
e propriedades trmicas e mecnicas do filme de diamante dependem criticamente dos
mecanismos qumicos, composio, temperatura e do campo de fluxo. As propriedades
dos gases nas proximidades da superfcie do substrato, em contrapartida, dependem das
condies singulares de cada reator [10-12,15-17].

3.1 Reator desenvolvido

A figura 3.3 representa, esquematicamente, o sistema de deposio qumica


HFCVD desenvolvido para produo de filmes diamantferos tubulares. Nessa figura
podem-se observar alguns detalhes da montagem. O principio bsico de funcionamento
do reator utilizar uma fonte de ativao (dois filamentos posicionados paralelamente
as linhas de fluxo) para dissociar as molculas precursoras para que elas possam reagir
com a superfcie do substrato. Para que isso acontea, o hidrognio, alojado em um
recipiente pressurizado, conduzido ao reator por dois caminhos: (i) parte do
hidrognio molecular (H2) passa pelo controlador de fluxo de massa, o qual possibilita a
regulagem precisa do fluxo de entrada direta ao reator; (ii) outra frao de H2 flui
atravs de uma soluo orgnica (C2H5OH) armazenada em um recipiente vtreo

44
(balo). Esse fluxo controlado por um fluxmetro. As molculas gasosas que passam
pelo lquido orgnico arrastam vapor desse lquido para o interior do reator. O controle
desse fluxo feito utilizando uma vlvula agulha de alta preciso.
J no interior do reator, todos os gases passam pela camisa cilndrica que conduz
regio ativa (vide figura 3.4). O objetivo de se utilizar a camisa dos gases
proporcionar, continuamente, novas molculas regio ativa. Essa ltima, contida entre
os filamentos e o substrato, tem geometria cilndrica de 20 mm de dimetro com 7 mm
de espessura (regio que proporciona o crescimento do filme).
Nos centros dos flanges superior e inferior do reator h passantes de entrada e
sada para os gases. A suco dos fluidos no reator feita por uma bomba de vcuo de
palhetas rotativas de dois estgios e o controle da presso feito com o auxlio de um
vacumetro. A bomba de vcuo funciona enquanto o fluxo controlado e geralmente
estabelecido em 90 sccm
Uma fonte de tenso estabilizada de corrente contnua alimenta os filamentos
que transformam energia eltrica em trmica (calor). O controle da temperatura,
fundamental para o crescimento homogneo do filme, realizado por uma vareta de
termopar inserida no interior do tubo utilizado como substrato. Essa vareta conectada
a uma leitora de sinal capaz de fornecer o valor da temperatura em graus Celsius.
A figura 3.4 mostra uma foto do sistema HFCVD desenvolvido. O conjunto
est distribudo em dois racks com a finalidade de facilitar o procedimento experimental
e possibilitar mobilidade parcial. Em um dos racks encontra-se a cmara do reator e, no
outro, os equipamentos e instrumentos operacionais. Todo o conjunto est descrito a
seguir.
Descrio do conjunto operacional do reator
A figura 3.5 apresenta uma foto do rack que contm o conjunto de equipamentos
e instrumentos operacionais do reator. Nessa foto pode-se observar: (i) o balo que
contm a soluo orgnica; (ii) a bomba de vcuo de palhetas rotativas (modelo R8,
marca Edwards), que realiza o bombeamento da cmara do reator; (iii) a leitora e
controladora de fluxo de massa digital (modelo 1179A, marca MKS); (iv) a fonte de
tenso estabilizada (modelo TCA 40-50BR2A marca Tectrol), a qual alimenta
eletricamente os filamentos com capacidade mxima de 40 Volts em 50 mperes; (v) os
vacumetros do tipo Bourdon, que indicam as presses no balo e na cmara do reator;
(vi) a vlvula agulha de alta preciso de fluxo, que permite a regulagem precisa do fluxo
de alimentao gasosa que transportado para o interior da cmara; (vii) controlador de

45
46

Figura 3.3: Representao esquemtica do sistema de deposio qumica HFCVD desenvolvido.


Figura 3.4: Foto do reator HFCVD desenvolvido em funcionamento

47
A) (6)

(7)

) (5)
(8)

(9)
)

(10)

(4)

(3)

(11)
(2)

(1)

Figura 3.5: Foto do conjunto operacional do reator mostrando: (1) balo que contem a soluo ognica,
(2) bomba de vcuo, (3) leitora e controladora de fluxo digital, (4) fonte de tenso estabilizada, (5)
vacumetros do tipo Bourdon, (6) vlvula agulha de alta preciso de fluxo, (7) controlador de fluxo de
massa, (8) leitora de temperatura, (9) leitora de presso Pirani, (10) fluxmetro e (11) vlvulas tipo agulha.

48
fluxo de massa; (viii) a leitora de temperatura (modelo T4WM marca Autonics), que
possibilita a visualizao digital da temperatura no interior do substrato tubular; (ix) o
indicador de presso da cabea sensora Pirani; (x) o fluxmetro para o controle do fluxo
de hidrognio molecular que injetado no balo e (xi) as vlvulas agulha.
Corpo do reator
A nova cmara, representada esquematicamente na figura 3.6, constituda de
um tubo cilndrico de borossilicato de 370 mm de comprimento, 100 mm de dimetro e
3 mm de espessura de parede. (4)

(6)
(6)
(7)

(5)

(1)

(8)

(4)

(3)

(9)
(3)

(2)

(1)

Figura 3.6: Representao esquemtica da cmara do reator: (1a) flanges de alumnio (1b) lato, (2) tubo
de borossilicato, (3) filamentos, (4) vareta do termopar, (5) haste com conexo para o sensor Pirani, (6)
hastes que sustentam os filamentos, (7) haste central, (8) camisa dos gases e (9) substrato.

49
A vedao do tubo realizada em cada uma das extremidades por flanges de alumnio e
lato. Anis do tipo O-ring so alojados em canaletas e pressionados pelos flanges para
promoverem a vedao.
Flange superior
A figura 3.7 representa, esquematicamente, o flange superior separado do reator.
Nesse flange foram conectadas quatro hastes de cobre, cada uma apresentando
caractersticas nicas. Duas dessas hastes foram elaboradas para sustentar
mecanicamente e alimentar eletricamente dois filamentos que, em nosso caso so de
tungstnio. Elas so refrigeradas por fluxo de gua em seu interior. A diferena entre os
comprimentos dessas hastes corresponde ao comprimento dos filamentos. No centro do
flange instalou-se uma haste pela qual so inseridas: (i) a fonte de alimentao gasosa e
(ii) a vareta de termopar do tipo K (nquel-cromo / nquel-alumnio). Nessa haste foi
montado um sistema de vedao especfico para a vareta do termopar. No quarto
passante (haste) do flange foi conectado um sensor de presso do tipo Pirani.

(3)

(4)
(3)
(5)

(6)

(2)

(1)

Figura 3.7: Representao esquemtica do flange superior do reator com as hastes montadas: (1)
filamentos, (2) vareta do termopar, (3) hastes de sustentao e alimentao dos filamentos, (4) haste
central, (5) haste com conector para o sensor Pirani e (6) camisa dos gases.

Flange inferior: Acoplamento magntico


No flange inferior foi montado um sistema de transmisso de momento via
acoplamento magntico com a finalidade de rotacionar o substrato. importante ter o
substrato em rotao para garantir homogeneidade da temperatura e incidncia uniforme
de espcies qumicas sobre o mesmo.

50
A figura 3.9 mostra a parte inferior interna do reator e a figura 3.10 a inferior
externa. O sistema de acoplamento magntico constitui-se de um eixo central, um
pequeno motor eltrico, duas engrenagens, uma correia, dois rolamentos rgidos de
esferas (um interno ao reator e outro externo), oito braos de teflon (quatro interna e
outros quatro externamente ao reator) e oito ims de neodmio-ferro-boro (um em cada
brao). O eixo central posicionado na direo normal ao plano do flange e tem a
finalidade de sustentar mecanicamente o substrato. Esse eixo constitui-se de uma barra
de lato com a extremidade superior cuneiforme, possibilitando o encaixe de substratos
cilndricos ocos de dimetro de at 10mm. Na superfcie do cone h ranhuras para
aumentar o atrito entre o substrato e o eixo central. Na outra extremidade do eixo central
foi alojado um rolamento rgido de esferas e fixados quatro braos de teflon.

(2)

(1)

(3)

(4)

Figura 3.9: Foto da regio interna do reator mostrando: (1) eixo central, (2) substrato, (3) im de
neodmio-ferro-boro e (4) um dos quatro braos de teflon

51
(1)
(2)

(3)

(4)

(5)

Figura 3.10: Detalhe do sistema de acoplamento magntico mostrando a regio externa cmara (parte
inferior): (1) im de neodmio-ferro-boro, (2) um dos quatro braos de teflon, (3) engrenagem, (4) correia,
e (5) motor eltrico.

O posicionamento otimizado dos ims garante intensa atrao magntica entre as


partes interna e externa, proporcionando com mxima eficincia a transmisso do torque
do motor ao substrato. Nas experincias realizadas verificou-se rotao constante e
ininterrupta do eixo central que suporta o substrato.
Dilatao termomecnica dos filamentos
A figura 3.11 representa esquematicamente em destaque o substrato e os
filamentos do reator HFCVD desenvolvido. Os filamentos de tungstnio apresentam
110 mm de comprimento. Como o coeficiente de expanso trmica do material igual a
0,45.10-5(1/oC) e, considerando que alimentados pela fonte de tenso eltrica eles
poderiam atingir a temperatura de 2400oC, a dilatao linear de cada filamento
alcanaria, aproximadamente, 1mm. Essa expanso termomecnica envergaria os
filamentos e estaria alterada a distncia entre o filamento e o substrato. A conseqncia
seria a perda do controle do processo. Desenvolveu-se, por isso, um dispositivo
triangular com mola para compensar a dilatao trmica de cada filamento. Cada
filamento preso na pea triangular de maneira a manter a mola, tambm presa na pea

52
triangular, distendida. Essa montagem deve ser realizada na preparao do reator para o
crescimento, dado que aps a selagem do reator, a formao de vcuo e todos os
parmetros estabilizados, o filamento passa a ser aquecido. Imediatamente, a dilatao
trmica acontece e a mola passa a relaxar-se. Este relaxamento garante que o filamento
mantenha-se esticado devido fora elstica contida na mola, ou seja, o relaxamento da
mola compensa a dilatao termomecnica do filamento.

Termopar Dispositivo
(Vareta) triangular

Substrato

Filamento

Filamento

Figura 3.11: Representao esquemtica destacando o substrato e os filamentos.

53
Testes de vcuo
Realizaram-se, inicialmente, testes de vcuo no reator desenvolvido, os quais
mostraram que a montagem foi eficaz no que diz respeito presso necessria para a
deposio qumica de filmes diamantferos. Com a bomba de vcuo em operao e sem
o transporte de molculas para o interior da cmara, pode-se alcanar a presso de 0,6
Torr. Como j mencionado, para o crescimento de diamante CVD necessrio criar um
ambiente em presso subatmosfrica. A diminuio da presso interna do reator tem a
finalidade de aumentar o livre caminho mdio das molculas o que representa
diminuio da densidade de impactos moleculares causando a diminuio da taxa de
crescimento. A taxa de crescimento inversamente proporcional pureza do filme de
diamante a ser obtido. Dessa forma, necessrio encontrar o equilbrio entre a taxa e a
qualidade com que se deseja crescer o filme. A presso, na qual obtiveram-se os
melhores filmes, por exemplo, variou de 20 a 30 Torr.

3.2 Referncias

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55
CAPTULO IV: Resultados experimentais
4.1 Crescimentos realizados

Parmetros experimentais
Os parmetros experimentais de crescimento adotados foram baseados em
experimentos realizados anteriormente utilizando outros reatores HFCVD presentes no
Laboratrio de Nanoengenharia e Diamante da Universidade Estadual de Campinas [1-
6] e concordam com artigos cientficos da literatura [7-22]. Os parmetros
experimentais para o crescimento de filmes diamantferos enquadram-se em uma faixa
estreita de combinao de variveis e so dependentes das caractersticas de cada reator.
Com o objetivo de testar os parmetros experimentais especficos para a deposio das
estruturas diamantferas, alterou-se apenas uma varivel de cada vez nos crescimentos
realizados. Nos primeiros testes atentou-se, principalmente, para a variao de
temperatura no substrato buscando-se definir os melhores parmetros para o
crescimento de cada tipo de filme diamantfero. As amostras crescidas foram analisadas
em microscpios ptico e de varredura e em espectrmetro Raman para relacionar os
parmetros experimentais utilizados com as caractersticas dos filmes crescidos.
Procedimentos experimentais
Utilizou-se como substratos tubos cilndricos de quartzo (SiO2) de 110 mm de
comprimento, 6 mm de dimetro externo e 1 mm de espessura de parede. Eles foram
submetidos a processo de semeadura via banho ultra-snico, misturando-se 1 g de p de
diamante (0,25m de dimetro) em 25 ml de hexano. A figura 4.1 apresenta uma foto
de um substrato limpo e de outro aps ser submetido semeadura.

A) B)
Figura 4.1: Substrato de quartzo (A) limpo e (B) aps ter sido submetido semeadura.

56
de vapor de
0,5%
470 Torr - 25 Torr C2H5OH em H2

400 a 900 W

89sccm

600 T 9500C
20 P 30 Torr

470Torr

Figura 4.2: Foto do reator em operao: em destaque esto apresentados os parmetros empregados nas
experincias.

Uma vez submetido semeadura, posicionou-se o substrato sobre a ponta


cuneiforme do eixo central no interior do reator. Com os filamentos encaixados e
distando 5 mm do substrato, selou-se o reator para obteno de vcuo. Durante o

57
crescimento a presso no reator foi mantida em aproximadamente 25 Torr. O fluxo de
hidrognio transportado direto ao reator foi de 90 centmetros cbicos por minuto em
condies normais de temperatura e presso (90 sccm). Estipulou-se a presso constante
de 470 Torr no recipiente (balo) que contem o etanol. O vapor de etanol transportado
ao interior da cmara foi de, aproximadamente, 0,5% em hidrognio.
Aciona-se o sistema de refrigerao, o motor eltrico (16 rpm) para a rotao do
substrato enquanto os parmetros experimentais vo sendo estabilizados. Uma vez essas
condies estabelecidas, aumenta-se gradualmente a temperatura dos filamentos at que
o substrato atinja o valor desejado. Realizaram-se deposies de filmes por 4h sob
temperatura constante, as quais medidas no interior do substrato variaram entre 600 a
950oC dependendo de cada experimento (vide figura 4.2). Estima-se que a taxa de
crescimento tenha sido de por volta de 2 m.h-1. Os tubos de quartzo aps os processos
de deposio apresentavam aparncia similar ao da figura 4.3.

1 cm

Figura 4.3: Foto de um tubo de quartzo revestido por filme diamantfero seguro pela mo do autor deste
trabalho.

4.2 Discusso dos resultados

Os revestimentos diamantferos sobre tubos de quartzo crescidos pelo novo


reator foram caracterizados por microscopia ptica, microscopia eletrnica de varredura
e espectroscopia Raman. A microscopia eletrnica de varredura revelou a morfologia
das superfcies dos filmes com riqueza de detalhes (tamanho e forma dos gros). O
microscpio eletrnico de varredura utilizado foi o modelo JSM-5900 LV da marca
JEOL localizado no Laboratrio Nacional de Luz Sncrotron (LNLS). Os sinais dos
eltrons secundrios, oriundos da amostra devido incidncia do feixe primrio

58
acelerado por diferena de potencial de 5 kV, viabilizaram a captao de imagens de
alta resoluo dos filmes. Pela espectroscopia Raman, foram identificados o(s) tipo(s)
de ligaes carbnicas que constituem os filmes. O espectrmetro Raman utilizado foi o
Renishaw modelo InVia Raman equipado com um laser de Ar+ de comprimento de onda
igual a 514,5 nm e potncia de sada de 5 mW, localizado na Faculdade de Engenharia
Eltrica da Universidade Estadual de Campinas. Todas as amostras foram analisadas na
temperatura ambiente em geometria de retroespalhamento. As imagens e os espectros
obtidos possibilitaram a comparao entre as amostras crescidas sob diferentes
parmetros experimentais. So apresentados resultados de crescimentos em realizados
em trs temperaturas distintas.

Amostra 1
A figura 4.4 apresenta o espectro Raman e a micrografia de uma amostra de diamante
crescida a 875oC. O espectro Raman apresenta um pico estreito e intenso em 1332 cm-1
que corresponde s ligaes sp3 dos tomos de carbono no filme [1-6,23-25]. Uma
banda, centrada por volta de 1580 cm-1, apresentada correspondendo s ligaes sp2
(estruturas grafticas) [1-6,23-25]. A diferena de intensidade entre o pico e a banda
revela que o filme de diamante apresenta pureza relativamente elevada. A seco de
choque para emisso de ftons da banda G (deslocamento por volta de 1580 cm-1)
aproximadamente 50 vezes maior do que para a linha do diamante que ocorre em 1332
cm-1 quando excitada pelo laser de Ar+ [26]. Por essa razo, muito mais fcil detectar
estruturas grafticas do que as diamantferas, o que faz da espectroscopia Raman uma
fantstica tcnica para identificao de impurezas dessa natureza em diamantes.
A analise da superfcie da amostra revelou que o filme encontrava-se coalescido.
O filme policristalino apresenta, majoritariamente, gros em formas piramidais com
face triangular (111) [26] aproximadamente de alguns micra de tamanho. A morfologia
da superfcie desse filme demonstra que o facetamento e a cristalinidade esto bem
definidos, assim como revela bom grau de homogeneidade. Pode-se afirmar, dessa
forma, que esse filme apresenta algumas propriedades similares aos diamantes naturais.

Amostra 2
A figura 4.5 apresenta, respectivamente, o espectro Raman e a micrografia de
uma amostra crescida a 850oC. O espectro Raman dessa amostra tambm apresenta pico
intenso e estreito em 1332 cm-1 e uma banda larga centrada em torno de 1580 cm-1.

59
Nesse espectro tambm possvel notar diferena entre as intensidades do pico de
diamante e da banda G, o que deixa claro que a composio do filme ,
majoritariamente, diamantfera. A microscopia eletrnica de varredura realizada sobre a
superfcie da amostra revela que o filme encontrava-se totalmente coalescido.
A morfologia da superfcie demonstra perda do facetamento e da cristalinidade
do filme em relao ao filme anterior. possvel observamos, ainda, maior discrepncia
entre o tamanho dos gros, o que nos leva a concluir que este filme deve ter maior
quantidade de defeitos na rede cristalina do que o da amostra 1.

Amostra 3
Na figura 4.6 so apresentados, respectivamente, o espectro Raman e a
micrografia de uma amostra crescida a 825oC. O espectro Raman demonstra que o filme
uma estrutura constituda de tomos carbono, que em sua maioria esto ligados atravs
de hibridizao sp3, o que aproxima as caractersticas desse filme as dos diamantes. A
intensidade do pico diamantfero diminuiu ainda um pouco mais do que na amostra 2,
porm continuando a apresentar caractersticas diamantferas bem definidas. A
morfologia dessa superfcie apresenta perdas significativas no facetamento e na
cristalinidade do filme, o que os leva a relatar que essa amostra contm maior
concentrao de defeitos na rede cristalina do que as demais apresentadas.
Embora a diferena de temperatura durante o crescimento das trs amostras
tenha sido de apenas 25oC entre a amostras 1 e 2 e 25 oC entre as amostras 2 e 3,
constatou-se a temperatura ter sido o parmetro responsvel para causar o crescimento
dos filmes com caractersticas distintas.
Na figura 4.7 os espectros Raman das amostras 1, 2 e 3 esto plotadas sobre os
mesmos eixos, sendo que a curva A representa o filme crescido a 825oC, a curva B o
filme crescido a 850oC e a curva C o filme crescido a 875oC.
Na regio compreendida entre 1700 a 2000cm-1 do deslocamento Raman pode
ser observada a borda da banda de luminescncia no mostrada nos espectros [26].
Quanto mais inclinada a curva nessa regio maior a luminescncia do filme. O exame
do espectro leva a concluir que a propriedade fsica da luminescncia est intimamente
relacionada com a temperatura em que o filme foi crescido, o que deve ser mais
investigado em outros estudos. Observamos que a diminuio da luminescncia ocorreu
com o aumento da temperatura, entre a faixa de 800 a 900oC.

60
100000
1332
a)

80000
Intensidade

60000

40000

20000

800 1200 1600 2000


-1
Deslocamento Raman (cm )

b)

5m

Figura 4.4: Resultados de amostra crescida a 875oC sobre tubo de quartzo: (a) Espectro Raman; (b)
Imagem obtida por microscopia eletrnica de varredura (Ampliao de 5000x)

61
25000
a) 1332

20000

1554
Intensidade

15000

10000

5000

800 1000 1200 1400 1600 1800 2000


-1
Deslocamento Raman (cm )

b)

5m

Figura 4.5: Resultados de amostra crescida a 850oC sobre tubo de quartzo: (a) Espectro Raman; (b)
Imagem obtida por microscopia eletrnica de varredura (Ampliao de 5000x)

62
a)
75000
1332

60000
Intensidade

45000

30000

15000

800 1200 1600 2000


-1
Deslocamento Raman (cm )

b)

5m

Figura 4.6: Resultados de amostra crescida a 825oC sobre tubo de quartzo: (a) Espectro Raman; (b)
Imagem obtida por microscopia eletrnica de varredura (Ampliao de 5000x)

63
200000 1332
A

160000

B
Intensidade

120000

80000

40000

800 1200 1600 2000


-1
Deslocamento Raman (cm )

Figura 4.7: Espectro Raman de amostras crescidas a: 825oC (curva A); 850oC (curva B) e 875oC (curva C).

Revestimento diamantfero
As ligaes entre os tomos de oxignio e de silcio nos vidros silcicos so
parcialmente inicas e covalentes. Segundo Pauling as propores dessas ligaes, no
caso silcio-oxignio, so iguais. Esse tipo de enlace faz com que o material seja forte,
duro e com temperatura de fuso elevada, medida que as orientaes das ligaes
caracterizam uma densidade relativa baixa em certas direes do cristal e tem um baixo
coeficiente de expanso trmica [28].
Quando o reator desligado, aps o processo de deposio concretizado, a
mudana de temperatura que ocorre proporciona retrao do tubo e de seu revestimento.
Os coeficientes de expanso trmica do tubo de quartzo (~5,5 10-7K) e do revestimento
diamantfero (~1,0 10-6 K) so diferentes, a temperatura ambiente, o que provoca
dilataes mecnicas distintas [27,28]. A tenso superficial no tubo superior fora de
ligao entre os tomos de uma dada regio do filme fino proporcionando trincas.
Na figura 4.8 apresenta uma imagem obtida por microscopia eletrnica de
varredura com ampliao de duas mil vezes e o respectivo espectro Raman de uma
amostra. Na imagem retratado o que foi observado ao longo de toda a constituio do

64
tubo: fissuras, descascamento e baixa aderncia do filme ao substrato. Observa-se boa
qualidade diamantfera do filme atravs do espectro Raman.
A imagem de outra superfcie diamantfera obtida por microscopia eletrnica de
varredura est apresentada na figura 4.9 junto ao respectivo espectro Raman. Na figura,
no notamos a presena de fissuras, assim como ao longo de todo o filme. No espectro
Raman, pode-se observar que o filme trata-se de uma estrutura diamantfera.
Observa-se, de maneira geral, que os filmes que apresentam maior concentrao
de ligaes sp3 demonstram-se, tambm, mais fissurados. Os casos dos tubos
apresentados nas imagens das figuras 4.8 e 4.9 so exemplos. O revestimento do tubo de
quartzo melhor sucedido no mbito do no descascamento e boa aderncia foi o filme
diamantfero com maior concentrao de hibridizaes sp2.

100000
1333

80000
Intensidade

60000

1544
40000

20000

800 1200 1600 2000


10m Deslocamento Raman (cm )
-1

Figura 4.8: Imagem da superfcie de uma amostra diamantfera com trincas e o respectivo espectro
Raman do filme.

75000
1332

60000

45000

30000

15000

10m
800 1200 1600 2000
-1
Deslocamento Raman (cm )

Figura 4.9: Imagem da superfcie de uma amostra diamantfera e o respectivo espectro Raman.

65
O revestimento de tubos de quartzo por filmes diamantferos de boa qualidade,
sem trincas, precisa, muito provavelmente, de camadas intermedirias (iniciais) de
filmes como o DLC. possvel alterar os parmetros experimentais de um crescimento
especfico durante o processo de deposio com a finalidade de alterar a morfologia da
superfcie do filme.

4.3 Trabalhos futuros

Uma vez projetado, construdo o reator HFCVD e comprovada sua


funcionalidade, existem inmeras possibilidades de crescimentos de filmes
diamantferos que podem ser realizados. necessrio variar os parmetros
experimentais de crescimento sistematicamente e correlacionar esses com o filme
depositado. Dentre as prioridades esto:
(i) definir os parmetros necessrios para deposio de filmes altamente aderentes ao
tubo;
(ii) instalar novas linhas de gases que viabilizem deposies dopadas e/ou co-dopadas
com boro, nitrognio, argnio, enxofre e outros;
(iii) realizar o crescimento de filmes diamantferos nanoestruturados;
(iv) montar eletrodos de diamante dopados com boro para uso eletroqumico;

4.4 Referncias

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CAPTULO V: Consideraes finais

As propriedades nicas dos diamantes tais como, extrema dureza, inrcia qumica,
emisso de campo, larga banda proibida, biocompatibilidade, comportamento eltrico
de isolante a metal, entre outras, atraem a ateno de pesquisadores de diversas reas do
conhecimento cientfico. A possibilidade de sintetizar estruturas diamantferas de
excelente qualidade sobre substratos tubulares em dimenses tais como deste trabalho
amplia as fronteiras de aplicao de diamantes sintticos em novos projetos de pesquisa.
Diferentes estruturas diamantferas podem ser produzidas dependendo da finalidade que
se deseja aplic-las.
As experincias iniciais realizadas neste trabalho propiciaram motivao para novas
investigaes cientificas. As sintetizaes de micro e nanoestruturas de carbono com
diferentes tipos de dopagens sobre diversos tipos de substratos, por exemplo, devero
ser mais bem investigadas.
Os resultados das amostras policristalinas, obtidos via microscpio eletrnico de
varredura e espectrmetro Raman, mostraram-se plenamente satisfatrios, tendo em
vista que microestruturas diamantferas bem homogneas foram produzidas. Os
resultados apresentados neste trabalho foram alcanados devido:
Ao sistema de substrato rotativo (acoplamento de um pequeno motor eltrico
externo ao substrato por atrao magntica) que possibilitou o crescimento de filmes
uniformes e com gros homogneos sobre tubos, utilizando-se apenas de dois
filamentos.
Aos sistemas triangulares com molas, montados para manterem os filamentos
sempre esticados, que demonstraram boa eficincia durante os processos de
crescimento.
medida da temperatura no interior dos substratos tubulares, essencial para o
controle do processo de deposio.

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