2 Revisão : Processos em Microeletrônica (I)

2.1. Microeletrônica : Aspectos Históricos

2.2. Processos de Microeletrônica
  Obtenção do Si : Czochralski
  Crescimento de Filmes
  Spin-Coating
  Oxidação
  CVD e PVD
  Fotolitografia
  Dopagem
  Difusão
  ImplantaÇão Iônica

2.3. Tecnologia MOS

  Resistor
  Capacitor
  Transistor
1
2.1 Microeletrônica

•  A teoria :
O desenvolvimento da “Mecânica Quântica” nas primeira décadas do século XX forneceu as bases
teóricas para o entender o comportamento dos elétrons e átomos no interior dos materiais sólidos. Esta
“Física do Estado Sólido” era baseada na “Teoria de Bandas de Energia” e permitiu entender a interação
da radiação com a matéria e propriedades como a condução térmica e elétrica dos materiais.

•  O material :
A “Teoria de Bandas de Energia” permitiu explicar, entre outras coisas, a existência de metais, isolantes e
também dos chamados materiais semicondutores. Estes materiais apresentam uma condutividade
elétrica intermediaria entre metais e isolantes, que aumenta com a temperatura e, principalmente, podem
ser “dopados”. Do ponto de vista tecnológico, os principais materiais semicondutores da atualidade são o
Ge, o AsGa e principalmente, o Silício, que é base de toda a industria dos Circuitos Integrados.

•  O dispositivo :
Embora os dispositivos microeletrônicos incluam capacitores, diodos, transistores bipolares, etc., os
circuitos microeletrônicos são baseados em um dispositivo em particular : o transistor, que pode
funcionar como um amplificador de sinais ou como uma chave elétrica (nos circuitos digitais).

•  A tecnologia :
Os Circuitos Integrados são fabricados através de diversas técnicas de microfabricação que definem uma
tecnologia em particular : a chamada tecnologia CMOS.

Índice
2
 1.2 Aspectos históricos
A Teoria de Bandas :

3
 1.2 Aspectos históricos
A Teoria de Bandas :

4
 1.2 Aspectos históricos
Materiais semicondutores :

5
 1.2 Aspectos históricos
O Transistor :

6
A tecnologia : Aspectos históricos

•  1900’s : Tubo de Vácuo

*  1904 : 1er diodo, fabricado por John A. Fleming
*  1906 : Válvula triodo, 1er amplificador eletrônico : Lee de Forest Foto

•  1928 : Transistor FET (Julius Edgar Lilienfeld) (US Patent 1900018)

•  1939 - 1941 : Russell Ohl : descobre a junção PN e inventa a Célula Solar

•  1940’s : Invenção do Transistor
*  1947 - 1er Transistor (de ponta) : Bardeen, Brattain, (Bell Lab) Foto
J. Bardeen and W. H. Brattain, "The Transistors, a Semiconductor Triode," Phys. Rev. 74, 230 (1948);
W. Shockley, J. Bardeen, and W. H. Brattain, "Electronic Theory of the Transistor," Science 108, 678 (1948).

*  1948 - 51 Transistor (de junção) : Shockley (Bell Lab) Foto

•  1950’s :
*  1952 : Fabricação dos 1os monocristais de Si
*  1954 : 1er Transistor de Si (de junção) : Texas Instruments
*  1954 - 59 : Transistor (de junção) : Shockley (Bell Lab)
*  1958 : 1er Circuito Integrado (de Ge) : (Jack Kilby, da Texas Instruments) Foto

*  1959 : Desenvolvimento da Tecnologia Planar de Si (Robert Noyce da

Fairchild Semiconductor).

•  1961 : 1er Circuito Integrado Comercial (de Si) (Fairchild) Foto

7
 A tecnologia CMOS

Fabricação do
•  Oxidação
Transistor MOS •  Fotolitografia
•  Dopagem
•  Metalização
•  Corrosão

Tecnologia “CMOS”

8
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 2.2 Processos para Microeletrônica

•  Obtenção do Si : Czochralski
•  Crescimento de filmes
  “Spin-Coating”
  Oxidação
  CVD e PVD
Microeletrônica
Tecnologia •  Fotolitografia
dos CI’s •  Dopagem
•  Corrosão Serão vistos mais
adiante, junto com
as técnicas para
•  Soldagem direta de Si (SOI) MEMS

9
Índice
 2.2 Revisão de processos básicos de
Obtenção de Silício Microeletrônica

Forno de arco elétrico

Material Quartzita (areia) + Carbono Sisólido + CO (gás)

Bruto Produz Si policristalino grau metalúrgico

(98% de pureza)

Si (pó) + 3HCl + 300 oC SiHCl3 (gás) + H2 (gás)

A seguir um processo destilação fracionada eleva a
pureza do SiHCl3 (liquido à 25 oC )

SiHCl3 + H2 + 1100 oC Si (Cristal) + 3 HCl

Silício Produz Si policristalino grau eletrônico, com pureza
Policristalino de 1 parte em 106, sobre um bastão de Si aquecido
grau eletrônico eletricamente e que funciona como semente
Pureza : 1 em 106

Monocristal
de Silício
10
 2.2 Revisão de processos básicos de
Obtenção de Silício Microeletrônica

Método Czochralski

Silício grau eletrônico

•  Temperatura : 1400 oC
•  2 a 5 cm/hora
•  precisão na orientação : 0,5 a 1%

O “lingote” de Si um monocristal com

pureza superior a 1 parte por 109
Pureza : 99,9999999 %
11
 2.2 Revisão de processos básicos de
Silício Microeletrônica

Resistência
mecânica !!

•  Corte
•  Polimento
•  Lâminas de até 300 mm

12
 2.2 Revisão de processos básicos de
Silício Microeletrônica

Os chanfros indicam :

•  Tipo de portador
•  Orientação
cristalográfica

(100)

(111)
13
Crescimento de Filmes 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

•  Fotoresiste (Polímeros)
Spin-Coating •  Vidro Boro Silicato
(SiO2 baixa temperatura)

Oxidação térmica do Si SiO2

•  Úmida e seca
•  1000 - 1200 oC

Chemical Vapor Deposition (CVD) •  SiO2

•  Epitaxia (Homo e Hetero) •  Si3N4
•  Atmospheric Pressure CVD (APCVD) •  Si
•  Low Pressure CVD (LPCVD) •  SiOxNy
•  Plasma Enhanced CVD (PECVD) •  SiC

•  Semicondutores
Physical Vapor Deposition (PVD) •  Óxidos metálicos
•  Sputtering •  Metais :
•  Sputtering reativo • Al,
•  Evaporação • Cr,
• Metais refratarios
14
 “Spin - Coating” 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

•  “Spin-Coating” (ou “spin-on”) é uma técnica em

fase liquida utilizada para produzir, à temperatura
ambiente, filmes finos de materiais poliméricos
(especialmente fotoresiste) e películas
dielétricas.
•  Diferentemente da maioria dos outros métodos
para obtenção de películas em microeletronica,
envolve processos e equipamentos relativamente
simples e baratos.
•  Uma amostra de solução liquida do material a
depositar é colocada sobre o substrato que posto
a girar a velocidades entre 500 e 5000 rpm por
tempos da ordem de algumas dezenas de
segundos. Isto espalha a solução e produz um
filme com espessura uniforme sobre todo o
substrato.
•  As variáveis importantes são a viscosidade da
solução e a velocidade e o tempo de rotação

Índice
15
 “Spin - Coating” 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

Dentre os materiais depositados por “Spin - Coating” podemos

destacar :
•  Fotoresiste : com espessuras entre 0,5 um e ~5 um (no LME)
•  Polyimidas : com espessuras entre 0,5 um e ~20 um
•  Epoxi SU-8 : com espessuras que podem exceder 200 um
•  “Spin-on-glass” (SOG) :
  com espessuras de 0,1 a 0,5 um Microeletrônica
  com espessuras de 5 a 100 um MEMS

Índice
16
 “Spin on Glass” (SOG) 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

•  O óxido depositado por “Spin-Coating” ou simplesmente “Spin on

Glass” (SOG) é obtido a partir de uma mistura liquida de siloxanas
( -[R2SiO]n ) e dopantes em suspensão.
•  Devido às suas propriedades isolantes e capacidade de “escorrer”,
ele pode ser utilizado para planarizar a superfície de lâminas nas
quais já foram realizadas várias etapas de metalização.

•  Além disso, películas de óxido dopado SOG pode ser utilizadas como fonte de impurezas em
processos de difusão para introduzir dopanten em Si. Como veremos, esse processo de difusão
é feito em duas etapas :
¤  A primeira etapa é a “pre-deposição” de impurezas, quando estas migram do óxido SOG
para o Si, saturando a sua superfície. O óxido SOG é removido em (HF) logo em seguida.
¤  A segunda etapa é o “drive-in” de impurezas, quando por um processo de difusão em altas
temperaturas, os dopantes penetram dentro da lâmina de Si.
•  Embora suas propriedades dielétricas sejam inferiores às de filmes de SiO2 obtidos por outras
técnicas (como a oxidação térmica), os óxidos SOG são amplamente utilizado devido :
¤  à facilidade de uso e à possibilidade de ser obtido em baixas temperaturas,
¤  a sua baixa constante dieletrica
¤  ao seu baixo stress
¤  à sua excelente aderência ao substrato de Si
•  O óxido SOG é obtido tipicamente, a partir de siloxanas com tamanho de partículas na faixa
entre 35-100 nm.
17
 Oxidação do Si 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

•  A oxidação do Si é uma técnica essencial na fabricação de CI’s porque o óxido de silício (SiO2)
é um material fundamental tanto no funcionamento dos dispositivos semicondutores como nos
processos de fabricação. Embora existam diversos métodos para se obter SiO2 (como a
anodização eletroquímica e a oxidação por plasma) o processo mais importante na tecnologia
dos Circuitos Integrados é a oxidação térmica do Si.
•  A oxidação térmica é feita num Forno de Oxidação em temperaturas entre 900 e 1200 oC. A
atmosfera oxidante é obtida utilizando O2 ou vapor de água, em fluxos das ordem de 1 cm3/s :

ASPECTOS CRÍTICOS :
•  A rampa de
aquecimento, para
atingir suavemente a
temperatura de
oxidação, e de
resfriamento na remoção
das lâminas do forno
•  O perfil de temperatura
ao longo do forno. A
variação desta
temperatura deve ser
menor que ±1 oC.

18
Índice
Óxido de Si 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

IMPORTÂNCIA do SiO2 :

•  Dielétrico de porta em estruturas MOS : Processo RCA remove

•  contaminantes orgânicos (óleos)
Limpeza é de extrema importância •  contaminantes metálicos
antes da oxidação : •  íons alcalinos (sódio)

•  Camada de isolação entre :

•  entre o Si-poli e camadas metálicas
•  camadas metálicas em sistemas de vários níveis metálicos

•  Camada de passivação e proteção

•  Barreira de difusão em processos de dopagem ( difusão e I/I )

•  Mascara em processos de Corrosão

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 Oxidação 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

Oxidação térmica do Si (entre 900 e 1200 oC)

Si(sólido) + O2(gás) SiO2 (oxidação seca)

Si(sólido) + 2 H2O SiO2 + H2 (oxidação úmida)

•  Não são necessárias altas temperaturas para que ocorra a reação de

oxidação, portanto, mesmo à temperatura ambiente existe uma fina
camada de SiO2 com ~25 A de espessura. Este óxido é denominada “óxido
nativo”. À temperatura ambiente porém, a difusão de oxigênio não é
suficiente para manter um processo continuo de oxidação.

•  Isso porque o processo de oxidação é “limitado por difusão” :

para manter o processo de oxidação, os átomos de oxigênio devem
difundir através da camada de oxido já existente, até atingir a
superfície do Si.

O processo de oxidação corre na

interface SiO2/Si
Índice
20
 Oxidação 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

•  Como o processo de oxidação ocorre na interface Si/SiO2, a superfície onde ocorre

a oxidação não vê a atmosfera e, portanto, é praticamente livre de impurezas
contaminantes.

•  É importante notar que a oxidação consome Si do substrato. Em particular, se a

espessura final do SiO2 térmico é "Tox", então ~44 % de Tox cresce para dentro
do Si. Por exemplo, se crescermos 1 um de SiO2 térmico, ~0,44 um do susbtrato
serão consumidos nesse processo. Ou seja, a espessura inicial do substrato
aumenta apenas ~0,56 um.

21
Oxidação : Cinética da reação 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

•  Modelo de Deal - Grove (tox > 300 A)

1a Lei de Fick (Difusão)

•  No início (t pequeno), a oxidação é controlado pela taxa de oxidação na

interface SiO2/Si : tox ~ t

•  Para tempos maiores, a oxidação é controlado pela difusão do oxigênio

através da camada de SiO2 : tox ~ (t)1/2 22
 Oxidação 2.2 Revisão de processos básicos de
Microeletrônica

Oxidação Seca
Oxidação Úmida

Índice
23
 2.1 Aspectos históricos
Trabalho 2

•  A leitura das seguintes referencias da uma boa visão dos aspectos históricos
relacionados ao desenvolvimento das microeletrônica :
¤  “Crystal Fire - The invention of the transistor and the birth of the information era”,
M. Riordan and L. Hoddeson, Ed. W.W. Norton & Company Ltda., 1997.

¤  "The Transistors, a Semiconductor Triode" J. Bardeen and W. H. Brattain,

Phys. Rev. 74, 230 (1948).

¤  "Electronic Theory of the Transistor”, W. Shockley, J. Bardeen, and W. H.

Brattain, Science 108, 678 (1948).
¤  http://www.computerhistory.org/semiconductor
Ler
¤  http://www.pbs.org/transistor/

Ler “The Silicon Dioxide Solution”, de Michael Riordan, pubicação online da IEEE,
link : http://www.spectrum.ieee.org/dec07/5729
Descrever a sequência de etapas no processo planar, destacando o papel
da óxido e da fotolitografia

As leituras são obrigatórias : O conteúdo deste e outros textos indicados no

futuro, será cobrado em exercícios e provas.

24
--

25
 1.2 Aspectos históricos
Primeiro Amplificador Eletrônico : 1906

Lee de Forest, 1er amplificador eletrônico

voltar 26
 2.1 Aspectos históricos
Primeiro Transistor : 1947

J. Bardeen e W. Brattain, do Bell Lab

•  J. Bardeen and W. H. Brattain, "The Transistors, a Semiconductor Triode," Phys. Rev. 74, 230 (1948);
•  W. Shockley, J. Bardeen, and W. H. Brattain, "Electronic Theory of the Transistor," Science 108, 678 (1948).

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 2.1 Aspectos históricos
Transistor de ponta

voltar 28
 2.1 Aspectos históricos
Primeiro Transistor de Junção : 1948-51

William Shockley, do Bell Lab

1er Transistor de Junção (Ge)

Processo LIGA

1er Transistor comercial

(de ponta - 1949)

voltar 29
 2.1 Aspectos históricos
Primeiro IC : 1958

Jack Kilby, da Texas Instruments, utilizando Ge

voltar 30
 2.1 Aspectos históricos
Tecnologia planar : 1959

Difusão através de
Oxidação do Si + Fotolitografia +
aberturas no SIO2

Para entender a real importância do processo planar é necessário lembrar

que final da década dos 50’s os Transistores eram de ponta ou de junção
(por processo “Liga” ou “MESA”)

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 2.1 Aspectos históricos
Tecnologia planar : 1959

voltar 32
 2.1 Aspectos históricos
Primeiro CI (eletrodos integrados) : 1959

•  Oxidação da superfície do Si

•  Fotogravação e corrosão seletiva do

SiO2 para abertura das regiões de
difusão

•  Difusão de impurezas

Note que o SiO2 é mantido,

isolando e protegendo as
junções

voltar 33
 1.2 Aspectos históricos
1er Circuito Integrado comercial : 1961

1er CI comercial (Flip-Flop) 1961

Fairchild Semiconductors
Fairchild

Shockley “Os oito da

Semiconductor
voltar Fairchild”
Laboratory 34