Mtodos de produo de

semicondutores
Sumrio da apresentao
Introduo
semicondutor
histria
Mtodos de produo de semicondutores
Obteno da matria-prima
Mono e policristal
Fabricao de Policristal
Fabricao de Monocristal
Fabricao do Wafer
Tratamento do Wafer
Montagem
Concluso
Referncias bibliogrficas
O que um semicondutor?
A conduo ocorre por causa
da presena de eltrons na
banda de conduo.
Materiais semicondutores
apresentam uma quantidade
de eltrons na banda de
conduo, insuficiente para a
conduo.
Materiais semicondutores
apresentam uma baixa ener-
gia de gap (energia necess-ria
para que um eltron migre da
banda de valncia para a de
conduo).
Tipos de semicondutores
Os semicondutores mais utilizados so: Silcio,
Germnio e Arseneto de Glio.
Histria dos semicondutores

1874-Karl Ferdinand Braun descobriu o efeito semicon-

dutor em alguns sulfetos metlicos.

1878-David E. Hughes iniciou

pesquisas com o efeito semicon-
dutor. Descobriu uma maneira
de emitir ondas eletromagnticas
atravs de semicondutores. In-
ventando o detector eletromag-
ntico por efeito semicondutivo,
o diodo.
Estrutura Cristalina
Monocristais: Clula
bsica se estende
at o fim do cristal

Policristais: cristal
formado por vrios
monocristais.
Fabricao do policristal
Slica

Silcio metalrgico
Pureza 99%

O silcio utilizado na
construo de semi-
condutores o ultra-
puro, 99,999%.
Obtido por dois m-
todos: Fsico e Qu-
mico.
Mtodos Fsicos
Baseiam-se na maior solubilidade
das impurezas contidas no silcio
lquido.

Moer o silcio de forma que as impu-

rezas se acumulem na superfcie dos
grnulos.Que dissolvido em cido
Silcio ultra-puro
obtm-se um p mais puro.
Zona de Fuso
Fuso Zonal: fundir a extremidade da Silcio puro 99%
barra e deslocar a fonte de calor lenta-
mente . A zona fundida arrasta as impu-
rezas.
Mtodos Qumicos
Utiliza compostos como:
Triclorosilano
Tetracloreto de silcio
Silano

Mtodo Siemens
Mtodo Dupont
 Mtodo Siemens
Silcio Policristalino

As barras de silcio de
alta pureza so
expostas a 1150 C ao
Triclorosilano. Gs que
se decompe
depositando silcio na
barra

O silcio obtido
possui impurezas
na ordem de 0,001
ppm
 Mtodo Dupont
Reage tetracloreto de silcio a 950C com vapores de zinco muito
puros

Pouco utilizado pois o cloreto de zinco,subproduto da reao, solidifica

e obstrui as linhas de produo
Os Mtodos Siemens e Dupont obtm um material policristalino,
que no adequado para a produo de semicondutores.
Para produzir semicondutores necessrio que o semicondutor
seja monocristalino.
Mtodos de Obteno de
Monocristal

Mtodo de Czochralski (CZ)

Mtodo de Bridgeman

Mtodo de Pfann ou Fuso Zonal (FZ)

Mtodo de Czochralski
Mtodo de Bridgeman
Aquecer o policristal
acima do seu ponto de
derretimento
Esfri-lo lentamente da
extremidade onde se Recipiente

introduz uma semente

O monocristal
formado
Semicondutor Semente
fundido monoc ristalina

progressivamente ao
longo do crescimento do
recipiente
Mtodo de Bridgeman

Indicado para produzir arseneto de glio, onde o

Czochralski de difcil execuo
Embora d bons resultados para crescimento de
haletos alcalinos e metais, no recomendado para o
silcio, pois este se adere s paredes do tubo,
produzindo rachaduras e impedindo a formao dos
monocristais
 Mtodo de Pfann ou Fuso
Zonal
Barra de policristal
Semente de monocristal
Fuso localizada do ma-
terial da semente at o
extremo do lingote
 Indicado para cresci-
mento de cristais de
germnio e arseneto
de glio
Mais apropriado para
a confeco de pla-
cas solares
utilizado na purifi-
cao de semicondu-
tores
Fabricao do Wafer
(Laminao)
Usinagem do Tarugo: eliminao de
imperfeies
Fabricao do Wafer
(Laminao)
Chanfros: mecanismo de identificao
cristalogrfica
Fabricao do Wafer
(Laminao)
Corte das
Lminas
com anel
de diamante.
Tratamento da Wafer
Uso do tarugo a fim de se
obter o Wafer com os
critrios especficos de:
Espessura
Orientao (cristais)
Polimento mecnico,
arredondamento de
bordas, corroso qumicas
e polimentos fsico-
qumicos.
Limpeza para estocagem.
Tratamento do Wafer

Fotolitografia
Dopagem

Tcnicas de Dopagem
Mtodos de Purificao
Montagem
Fotolitografia
Aplicao de SiO2 no Wafer, com gs e calor
Cobertura de substncia foto-sensvel solvel, que
ser exposta a uma luz ultra-violeta
 Retirada da camada foto-sensvel da parte que no foi
atingida pela luz ultra-violeta
Remoo de SiO2 incorreto por etching
Remoo completa da camada foto-sensvel
Segunda camada de SiO2, com camada de polisilcio por
cima.
Repetio do processo sucessivas vezes, at a ltima
camada e mscara.
Camadas de metal fazem conexes entre as camadas
Dopagem
Aps a fabricao da wafer, para a utilizao
do semicondutor na fabricao de
dispositivos, necessrio que ele apresente
uma maior condutividade.
As wafers so bombardeadas com vrios
ons.
De acordo com o tipo de semicondutor (P ou
N), dopa-se com diferentes elementos
Tcnicas de dopagem

Durante o crescimento do cristal:

posicionamento dos tomos ao longo
do processo
Por liga: materiais se agregam
Por implantao inica: mtodo mais
preciso e sofisticado
Por difuso: possvel criar uma zona
tipo P num material tipo N
Concluses
Elucidao sobre os principais mtodos
utilizados, desde a metalurgia at a
estocagem
A preferncia pelo mtodo de Czochralski
na obteno do monocristal
O uso do silcio muito mais freqente,
em relao aos outros semimetais
Referncias bibliogrficas
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