PROCESSOS DE FABRICAÇÃO DE CI

1.1 INTRODUÇÃO

Embora o Germânio e o Arseneto de Gálio sejam também utilizados na fabricação de

dispositivos semicondutores, o Silício é ainda o material mais popular e assim deverá
permanecer por algum tempo. As propriedades físicas do Silício o tornam adequado para a
fabricação de dispositivos ativos com boas características elétricas. Além disto, o Silício pode
ser facilmente oxidado para formar excelentes camadas de isolação (vidro). Este isolante é
usado para fazer capacitores e dispositivos controlados por efeito de campo, podendo também
atuar como máscara contra impurezas que poderiam difundir-se no silício de alta pureza.
Estas características do Silício o tornam adequado a fabricação de Circuitos Integrados, em
que elementos ativos e passivos são construídos juntos e em um mesmo substrato, e ao
mesmo tempo, sendo interconectados para formar o circuito completo [Sedra 91].

1.2 PROCESSAMENTO DO WAFER

A indústria moderna de semicondutores utiliza como matéria prima, em sua maioria, o

"Wafer" ou disco de silício, que varia de 75mm a 150mm de diâmetro e menos de 1mm de
espessura (usualmente 200μm). Os wafers são cortados a partir de tarugos de cristal de silício,
retirados de um cadinho com silício policristalino puro. Este processo, como mostrado na
Figura 1.1, é conhecido como método de "Czochralsky", que é o método mais popular de
produção de cristal de silício. Quantidades controladas de impurezas são adicionadas ao
silício líquido para se obter o cristal com as propriedades elétricas desejadas. A orientação
cristalina é determinada por uma semente de cristal que é mergulhada no silício líquido para
iniciar o crescimento do tarugo. O silício fundido é mantido em um cadinho de quartzo
envolvido por um radiador de grafite. O grafite é aquecido por indução de radiofreqüência, e a
temperatura é mantida em alguns graus acima da temperatura de fusão do silício (≈1425 oC),
tipicamente em uma atmosfera de Hélio ou Argônio.
Após a semente ter sido introduzida no silício líquido, ela é puxada gradualmente no
sentido vertical e ao mesmo tempo em que é rotacionada. O silício policristalino fundido
derrete a ponta da semente e, à medida que a semente é puxada ocorre o resfriamento
(solidificação). Quando o silício líquido, em contato com a semente, esfria, e assume a forma
e a orientação cristalina da semente. O diâmetro do tarugo é determinado pelas taxas de
velocidade de tracionamento e de rotação. A formação do tarugo varia de 30 a 180mm/hora.
O corte em fatias do tarugo é usualmente feito por meio de serras com diamantes nos
dentes girando em alta rotação. Os wafers obtidos têm usualmente entre 0,25mm e 1mm de
espessura, dependendo de seu diâmetro. Finalmente, os discos são polidos em uma de suas
faces até se obter um acabamento espelhado e sem imperfeições [West 88].

Figura 1 - Processo Czochralski de Fabricação de Tarugos de Silício.

1.3 OXIDAÇÃO

A oxidação refere-se ao processo químico no qual o oxigênio reage com o silício para
formar o dióxido de silício (SiO2). Para se alcançar uma camada contínua e de alta qualidade
de SiO2, usa-se a oxidação térmica onde a temperatura do wafer varia de 1000 oC a 1200 oC.
Um filme de SiO2 de baixa qualidade pode ser obtido através de outros processos. A oxidação
é um dos passos mais freqüentes no processo de fabricação do Circuito Integrado e é usada
como:
 1. máscara, durante a difusão do dopante,
2. passivação,
3. óxido isolante e
4. dielétrico de Gate de dispositivos MOS.
A oxidação térmica é obtida expondo-se o silício a uma alta temperatura em um
ambiente contendo oxigênio de alta pureza. A oxidação pode ser seca ("dry oxide") ou
molhada ("wet oxide"), usando-se vapor de água. A oxidação usando vapor de água é mais
rápida, porém a oxidação usando oxigênio conduz a melhores características elétricas.
As reações químicas destes processos são:

Si + O2 → SiO
Si + 2 H 2 O → SiO2 + 2 H 2

A espessura da camada de SiO2 varia de 0,02µm a 2µm, sendo a temperatura do

processo, a concentração de impurezas e o tempo fatores que determinam a espessura real. O
SiO2 tem aproximadamente o dobro do volume do Si e, como o processo de oxidação
consome silício, a camada de SiO2 cresce quase igualmente em ambas as direções verticais
[Sedra 91] [Millman 87] [West 88] [Maly 87].

1.4 FOTOLITOGRAFIA

Fotolitografia é a técnica usada na fabricação de CIs para transferir um padrão

desejado para a superfície do wafer, sendo considerada a etapa fundamental de todo o
processo. Nesta etapa, o wafer é coberto com um filme de um material fotossensível,
conhecido como "photoresist". Uma máscara com áreas claras e opacas, que representam o
padrão a ser transferido para o wafer, é colocada sobre o material fotossensível e, por
exposição à luz ultravioleta, este material será polimerizado nas regiões correspondentes às
áreas claras da máscara. Retira-se a máscara e o wafer é então "revelado" usando-se produtos
químicos (tal como tricloroetileno), os quais dissolvem as áreas não polimerizadas. A
superfície apresentará, então, o padrão desejado. Este procedimento descrito corresponde ao
photoresist negativo, sendo possível também o photoresist positivo onde a área exposta à luz
ultravioleta é removida. A Figura 1.2 ilustra o processo descrito.
 A precisão da transferência da máscara para o wafer determina a resolução do
processo litográfico: quanto maior a resolução do processo litográfico, tanto menores serão as
características geométricas que podem ser transferidas para o wafer. A resolução do processo
pode ser melhorada usando-se, ao invés de luz UV, raios X (X-ray lithography) ou feixe de
elétrons (E-beam lithography). O E-beam é capaz de escrever diretamente no wafer o padrão
desejado, sem o uso de máscaras, obtendo-se altas resoluções [Maly 87] [Millman 87].

Figura 2 - Processo Fotolitográfico típico.

1.5 ETCHING

O processo seguinte a fotolitografia é a remoção seletiva de material das áreas do

wafer desprotegidas pelo photoresist. Um único CI é submetido geralmente a vários etchings
durante a sua fabricação. Além da remoção seletiva, outra característica deste processo é o
seu grau de anisotropia, ou seja, o etching anisotrópico ocorre somente em uma direção,
enquanto que o etching isotrópico ocorre em todas as direções.
Há dois tipos de etching empregados: molhado ("wet") e seco ("dry"). O wet etching,
também chamado de etch químico, usa agentes químicos em fase líquida e caracteriza-se por
apresentar uma remoção altamente seletiva e isotrópica. Com isto, este processo resulta em
remoção lateral indesejada, como indicado na Figura 1.3.b (a Figura 1.3.a ilustra o etching
ideal). O dry etching, também chamado íon etching, é anisotrópico e, portanto, menos
susceptível à remoção lateral indesejável, como ilustrado na Figura 1.3.c, porém não é
seletivo e ocorre a uma taxa mais lenta que o wet etching. O processo ocorre sob a presença
de um gás em baixa pressão, e a remoção do material é feita pelo bombardeamento de íons de
alta energia. Uma vez que reagentes líquidos não são envolvidos, o custo pode ser reduzido.

Figura 3 - Etching. (a) Ideal Etching, (b) Wet Etching, (c) Dry Etching.

Uma combinação de ambos etchings é possível, onde o material é removido por

bombardeamento de íons que também reagem quimicamente. Neste caso obtém-se um
compromisso entre seletividade e anisotropia do material a ser removido [Maly 87] [Geiger
90].

1.6 DEPOSIÇÃO

A deposição de camadas condutoras (metais, silicietos de metais ou silício

policristalino de baixa resistividade) e de camadas isolantes (dióxido de silício ou nitrito de
silício - N3Si2) constitui uma importante parte na fabricação de CIs. Este processo não
consome silício do substrato como no caso da oxidação térmica. Normalmente, a deposição
ocorre na fase de vapor sob baixa pressão ou vácuo.
 A deposição divide-se em dois modos: Deposição Física de Vapor ou Physical Vapor
Deposition (PVD) e Deposição Química de Vapor ou Chemical Vapor Deposition (CVD). No
PVD não ocorre reação química durante o processo de deposição. Um exemplo de PVD é a
deposição de alumínio, no qual o alumínio é vaporizado. Como suas moléculas gasosas se
irradiam em todas as direções, elas cobrem uniformemente a superfície do wafer. Através de
fotolitografia, um padrão com conexões poderia ser estabelecido no wafer. Este processo
recebe o nome de Metalização.
Durante o processo de CVD ocorrem reações químicas com o material a ser
depositado na superfície do wafer. Um exemplo de CVD é o crescimento epitaxial.

1.6.1 CRESCIMENTO EPITAXIAL

Do ponto de vista da estrutura atômica, os sólidos podem ser cristalinos ou amorfos.

Os cristalinos caracterizam-se por apresentar um arranjo ordenado de átomos, enquanto que
os amorfos não apresentam tal organização. A estrutura cristalina pode apresentar um único
arranjo (monocristal ou "single-cristal"), como é o caso do substrato do wafer, ou pode
apresentar setores com arranjos em orientações aleatórias (policristal ou "polycristal"). No
caso da deposição de uma camada de monocristal sobre o substrato, a camada depositada
assume exatamente a orientação cristalina do substrato. Este tipo de deposição é conhecido
como crescimento epitaxial. A tecnologia atual usa redução de hidrogênio dos gases SiH4 e
SiCl4 como fonte de silício para a deposição. O SiH4 apresenta como vantagem menor
temperatura e uma taxa de crescimento maior que o SiCl4. Visto que se precise produzir
filmes epitaxiais dopados, utiliza-se o gás PH3 para dopagem tipo n e o gás B2H6 para
dopagem tipo p. Geralmente, a espessura da camada epitaxial fica entre 5µm e 25µm
[Millman 87] [Maly 87]. As reações químicas para o SiH4 e o SiCl4 são:

1200 o C
SiCl 4 Si + 4 HCl

Atmosfera de H 2
SiH 4 Si + 2 H 2
1000 o C
1.7 DIFUSÃO

Difusão, na fabricação de CIs, se refere à migração forçada e controlada de impurezas

no substrato. O perfil de impurezas resultante, que tem papel importante no desempenho do
CI, é afetado pela temperatura e pelo tempo de difusão. Novas difusões no wafer geralmente
causam alguma migração de dopantes de difusões prévias. Na verdade, o processo de difusão
continua indefinidamente, mas em temperaturas normais de operação do CI, pode durar
dezenas de anos ou mais para se tornar significativa.
A introdução de concentrações controladas de impurezas é feita em um forno à cerca
de 1000oC por um período de uma a duas horas. O forno de difusão normalmente acomoda
cerca de 20 wafers.
Fontes de impurezas podem ser líquidas, gasosas e sólidas e são colocadas em contato
com o silício do substrato. Impurezas gasosas mais usadas são, B2O3, BCl3 e B2H6 para
dopantes do tipo p, PH3 e AsH3 para dopantes do tipo n.
A difusão ocorre tanto verticalmente quanto lateralmente em distâncias iguais. A
Figura 1.4.b ilustra como ficaria o perfil típico de difusão em um dispositivo integrado e a
Figura 1.4.a ilustra o perfil ideal [Millman 87] [Geiger 90].

1.7.1 IMPLANTAÇÃO IÔNICA

Um segundo método de se introduzir impurezas é a implantação iônica. Em um

ambiente de baixa pressão (idealmente vácuo), íons apropriados (Boro para tipo p e Fósforo
para tipo n) são acelerados de forma a adquirirem uma alta energia cinética em direção ao
wafer. A profundidade de penetração está relacionada com a energia do feixe de íons, a qual
pode ser controlada pela voltagem do campo de aceleração. A quantidade de íons implantada
pode ser controlada pela variação da corrente do feixe (fluxo dos íons). Uma vez que a
voltagem e a corrente podem ser medidas e controladas com precisão, a implantação iônica
resulta em perfis mais precisos e que podem ser reproduzidos mais facilmente. A Figura 1.4.c
mostra um perfil típico de difusão usando implantação iônica. Como outra vantagem, a
implantação iônica é feita a temperatura ambiente. A implantação iônica não apresenta
difusão lateral sendo recomendada para fabricação de CIs de alta densidade [Millman 87]
[Maly 87] [Geiger 90].
Figura 4 - Difusão. (a) Difusão Ideal, (b) Difusão Real, (c) Implantação Iônica.