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2.1.
2.2.
Processos de Microeletrnica
Obteno do Si : Czochralski
Crescimento de Filmes
2.3.
Spin-Coating
Oxidao
CVD e PVD
Fotolitografia
Dopagem
Difuso
Implantao Inica
Prxima aula
Nesta aula
Tecnologia MOS
Resistor
Capacitor
Transistor
2.3
Fotolitografia
A fotolitografa uma tcnica para transferncia de padres geomtricos desde uma mascara
ptica lmina de Si propriamente dita. Os padres na mascara ptica (que deve ser fabricada
previamente) contm a geometria das diversas regies que formam os dispositivos e interconexes
eltricas existentes nos circuitos integrados.
O processo de transferncia envolve o uso de um filme fotossensvel (o fotoresiste), que
depositado sobre a lmina de Si, que exposto luz ultravioleta ( entre 200 a 400 nm) atravs da
mascara ptica. Note que devido mascara ptica, apenas alguma regies do fotorresiste so de
fato expostas radiao UV.
Aps a exposio, o fotorresiste passa por um processo de revelao, que envolve tratamentos
trmicos e corroso para cura e remoo seletiva do fotorresiste foto sensibilizado, expondo
regies da lmina de Si com a mesma geometria existente na mascara ptica.
A mascara ptica pode ser de emulso fotogrfica ou metlica (Cromo)
O Fotorresiste pode ser de tipo Positivo ou Negativo, dependendo de qual ser a regio do
fotoresiste removida durante a revelao:
No fotorresiste positivo, as regies expostas luz se tornam solveis soluo de revelao e
so facilmente removidos por esta. constitudo por um composto fotossensvel, uma resina e um
solvente orgnico.
No fotorresiste negativo, as regies expostas se tornam menos solveis soluo de revelao e
so facilmente removidas por esta. composto de material fotossensvel misturado com um
composto polimrico.
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Mscaras pticas
Fotolitografia
Processo Fotolitogrfico :
1. Limpeza da lmina de Si e aplicao
do promotor de aderncia (HMDS)
2. Deposio do fotoresiste (positivo,
tipo 1518, por Spin coating)
3. Secagem em estufa a 80oC, por 20
minutos
4. Alinhamento da mscara
5. Exposio a luz ultravioleta ()
6. Revelao do fotoresiste (s ) oluo ??,
tempo ??)
7. Cura (endurecimento) do
fotoresiste, em estufa a 100 oC por
30 minutos
Mascar de campo escuro
4
Fotolitografia
Fotolitografia
substrato
revelao do fotorresiste
em ....
metal + fotorresite
exposio
remoo do fotorresiste
em ....
Resoluo de ~1 um
Protege a mscara
Danifica a mscara
CD=(.g)1/2
8
R = k1
NA
PC = k 2
(NA) 2
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2.4
Dopagem Eltrica
Tcnicas de Dopagem
Existem basicamente duas tcnicas para dopar Silcio, sendo que ambas so utilizadas de
forma complementar na fabricao de fabricar dispositivos discretos (resistores, capacitores,
transitores), Circuitos Integrados e MEMS :
Difuso Trmica:
Baseada no movimento expontneo das partculas de regies de alta concentrao para regies de baixa
concentrao. Assim, as impurezas so introduzidas no Si colocando a lamina a ser dopada em contato
com uma fonte rica no elemento dopante. Normalmente a fonte de impurezas um ambiente gasoso,
mas tambm podem ser utilizadas pelculas de xido dopado (SOG) pr-depositadas sobre o lamina de
Si. Em ambos casos, a difuso ocorre em altas temperaturas (entre 800 e 1200 oC). Tipicamente usada
na obteno das junes P-N profundas (em poos N e P de estruturas CMOS por exemplo).
Implantao Ionica :
Nesta tcnica, ons ou molculas ionizadas de elementos dopantes so aceleradas num canho
acelerador e feitos colidir sobre o substrato (alvo) a ser dopado. Os ons no feixe possuem, tipicamente,
energias da ordem de algumas dezenas de keV e ao colidir com o alvo (lmina de Si), penetram no
semicondutor abrindo caminho entre os tomos do material atravs de colises mecnicas sucessivas.
Por esse motivo, o processo de Implantao Inica no requer altas temperaturas, embora processos de
ps-recozimento sejam necessrios para ativar as impurezas e/ou reconstruir a rede cristalina do alvo.
Tipicamente usada na obteno de junes P-N rasas (em regies de Fonte e Dreno em transistores
MOS por exemplo).
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Difuso Trmica
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Difuso Trmica
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Difuso Trmica
Mecanismo de Difuso
A difuso das impurezas atravs do semicondutor hospedeiro pode
ocorrer de forma intersticial, com as impurezas ocupando stios entre os
tomos, ou de forma substitucional, com as impurezas ocupando
posies correspondentes aos prprios tomos da rede do Si. Note que
para esto ocorra devem existir vacncias no material :
Difuso intersticial : Ea ~ 0,5 a 1,5 eV
Difuso substitucional : Ea ~ 3 eV
Fcil de ocorrer
Difcil de ocorrer
1a Lei da Difuso :
1a Lei de Fick :
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Difuso Trmica
Resoluo da Lei de Fick
Para encontrar uma soluo para a equao de Fick necessrio 1 condio inicial (no tempo) e 2 condies
de contorno (no espao). Alm disso, podemos considerar dois casos extremos : Quando a Concentrao
constante na Superfcie e quando a Concentrao total de impurezas Constante
Soluo :
C(,t) = 0
x
C(x,t) = Cserfc
2 Dt
(I)
Funo Erro
Complementar
2
erf (x) =
e u du
0
Note que a partir da curva de C(x,t) podemos obter a Concentrao total de impurezas por unidade de
rea, Q(t), difundidas no interior do Semicondutor :
Q(t) =
C(x,t)dx
o Comprimento de Difuso :
Q(t) =
2
Cs Dt 1.13Cs Dt
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Difuso Trmica
Resoluo da Lei de Fick
Concentrao total de impurezas Constante :
Neste caso consideramos que no existes novas partculas (impurezas) entrando no semicondutor.
Portanto, a concentrao na superfcie varia (por causa da prpria difuso) mas o nmero total de
partculas que pode difundir permanece constate
Condio Inicial : C(x,0) = 0
Condies de contorno : C(,t) = 0
Soluo :
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Difuso Trmica
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Difuso Trmica
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Difuso Trmica
dC
Cs
1019
=
=
= 6.7 10 23 cm 4
6
dx x =0
Dt
8.48 10
Por outro lado, a profundidade xj na qual a concentrao de portadores C=1015 cm-3 ser dada por :
1015
x j = 2 Dt erfc 19 = 2 Dt (2.75) = 4.66 10 5 cm
10
-1
dC
Cs x 2 / 4 Dt
=
e
= 3.5 10 20 cm 4
dx x =0.466 m
Dt
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Difuso Trmica
A soluo desta equao pode ser econtrada pelo ponto de cruzamento das equaes :
t = 1190 s 20 minutes
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Implantao Inica
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Implantao Inica
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Implantao Inica
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Implantao Inica
Trabalho 3
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