UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUBÁ

1. PROCESSOS DE FABRICAÇÃO DE CIs

1.1. INTRODUÇÃO

Embora o Germânio e o Arseneto de Gálio sejam também utilizados na fabricação de

dispositivos semicondutores, o Silício é ainda o material mais popular e assim deverá permanecer
por algum tempo. As propriedades físicas do Silício o tornam adequado para a fabricação de
dispositivos ativos com boas características elétricas. Além disto, o Silício pode ser facilmente
oxidado para formar excelentes camadas de isolação (vidro). Este isolante é usado para fazer
capacitores e dispositivos controlados por efeito de campo, podendo também atuar como máscara
contra impurezas que poderiam difundir-se no silício de alta pureza. Estas características do
Silício o tornam adequado a fabricação de Circuitos Integrados, em que elementos ativos e
passivos são construídos juntos em um mesmo substrato, e ao mesmo tempo, sendo
interconectados para formar o circuito completo.

1.2. PROCESSAMENTO DO WAFER

A moderna indústria de semicondutores utiliza como matéria prima, em sua maioria, o

"Wafer" ou disco de silício, que varia de 75mm a 150mm de diâmetro e menos de 1mm de
espessura (usualmente 200Φm). Os wafers são cortados a partir de tarugos de cristal de silício,
retirados de um cadinho com silício policristalino puro. Este processo, como mostrado na Figura
1.1, é conhecido como método de "Czochralsky", que é o método mais popular de produção de
cristal de silício. Quantidades controladas de impurezas são adicionadas ao silício líquido para se
obter o cristal com as propriedades elétricas desejadas. A orientação cristalina é determinada por
uma semente de cristal que é mergulhada no silício líquido para iniciar o crescimento do tarugo.
O silício fundido é mantido em um cadinho de quartzo envolvido por um radiador de grafite. O
grafite é aquecido por indução de radiofreqüência, e a temperatura é mantida em alguns graus
acima da temperatura de fusão do silício (≈1425οC), tipicamente em uma atmosfera de Hélio ou
Argônio.
Após a semente ter sido introduzida no silício líquido, ela é puxada gradualmente no
sentido vertical e ao mesmo tempo em que é rotacionada. O silício policristalino fundido derrete a
ponta da semente e, à medida que a semente é puxada ocorre o resfriamento (solidificação).
 Sentidos de
Tracao e Rotacao Fixador do Cristal

Semente

Cristal sendo formado

Cadinho de Quartzo
com revestimento Silicio Liquido
de Grafite
Blindagem

Suporte do
Cadinho

Figura 1.1 - Processo Czochralski de fabricação de tarugos de silício.

Quando o silício líquido, em contato com a semente, esfria, e assume a forma e a

orientação cristalina da semente. O diâmetro do tarugo é determinado pelas taxas de velocidade
de tracionamento e de rotação. A formação do tarugo varia de 30 a 180mm/hora.
O corte em fatias do tarugo é usualmente feito por meio de serras com diamantes nos
dentes girando em alta rotação. Os wafers obtidos têm usualmente entre 0.25mm e 1mm de
espessura, dependendo de seu diâmetro. Finalmente, os discos são polidos em uma de suas faces
até se obter um acabamento espelhado e sem imperfeições.

1.3. OXIDAÇÃO

A oxidação refere-se ao processo químico no qual o oxigênio reage com o silício para
formar o dióxido de silício (SiO2). Para se alcançar uma camada contínua e de alta qualidade de
SiO2, usa-se a oxidação térmica onde a temperatura do wafer varia de 1000oC a 1200oC. Um
filme de SiO2 de baixa qualidade pode ser obtido através de outros processos. A oxidação é um
dos passos mais freqüentes no processo de fabricação do Circuito Integrado e é usada como:
1. máscara, durante a difusão do dopante,
2. passivação,
3. óxido isolante e
4. dielétrico de Gate de dispositivos MOS.
 A oxidação térmica é obtida expondo-se o silício a uma alta temperatura em um ambiente
contendo oxigênio de alta pureza. A oxidação pode ser seca ("dry oxide") ou molhada ("wet
oxide"), usando-se vapor de água. A oxidação usando vapor de água é mais rápida, porém a
oxidação usando oxigênio conduz a melhores características elétricas.
As reações químicas destes processos são:

Si + O 2 → SiO 2
(1.1)
Si + 2 H 2 O → SiO 2 + 2 H 2

A espessura da camada de SiO2 varia de 0,02µm a 2µm, sendo a temperatura do processo,

a concentração de impurezas e o tempo fatores que determinam a espessura real.
O SiO2 tem aproximadamente o dobro do volume do Si e, como o processo de oxidação
consome silício, a camada de SiO2 cresce quase igualmente em ambas as direções verticais.

1.4. FOTOLITOGRAFIA

Fotolitografia é a técnica usada na fabricação de CIs para transferir um padrão desejado

para a superfície do wafer, sendo considerada a etapa fundamental de todo o processo. Nesta
etapa, o wafer é coberto com um filme de um material fotossensível, conhecido como
"photoresist". Uma máscara com áreas claras e opacas, que representam o padrão a ser transferido
para o wafer, é colocada sobre o material fotossensível e, por exposição à luz ultravioleta, este
material será polimerizado nas regiões correspondentes às áreas claras da máscara. Retira-se a
máscara e o wafer é então "revelado" usando-se produtos químicos (tal como tricloroetileno), os
quais dissolvem as áreas não polimerizadas. A superfície apresentará, então, o padrão desejado.
Este procedimento descrito corresponde ao photoresist negativo, sendo possível também o
photoresist positivo onde a área exposta à luz ultravioleta é removida. A Figura 1.2 ilustra o
processo descrito.
A precisão da transferência da máscara para o wafer determina a resolução do processo
litográfico: quanto maior a resolução do processo litográfico, tanto menores serão as
características geométricas que podem ser transferidas para o wafer. A resolução do processo
pode ser melhorada usando-se, ao invés de luz UV, raios X (X-ray lithography) ou feixe de
elétrons (E-beam lithography). O E-beam é capaz de escrever diretamente no wafer o padrão
desejado, sem o uso de máscaras, obtendo-se altas resoluções [Maly 87] [Millman 87].
 Figura 1.2 - Processo fotolitográfico típico.

1.5. REMOÇÃO DE MATERIAL (ETCHING)

O processo seguinte a fotolitografia é a remoção seletiva de material das áreas do wafer

desprotegidas pelo photoresist. Um único CI é submetido geralmente a vários etchings durante a
sua fabricação. Além da remoção seletiva, outra característica deste processo é o seu grau de
anisotropia, ou seja, o etching anisotrópico ocorre somente em uma direção, enquanto que o
etching isotrópico ocorre em todas as direções.
Há dois tipos de etching empregados: molhado ("wet") e seco ("dry"). O etching,
molhado também chamado de etching químico, usa agentes químicos em fase líquida e
caracteriza-se por apresentar uma remoção altamente seletiva e isotrópica. Com isto, este
processo resulta em remoção lateral indesejada, como indicado na Figura 1.3.b, sendo que a
Figura 1.3.a ilustra o etching ideal. O etching, seco também chamado etching iônico, é
anisotrópico e, portanto, menos susceptível à remoção lateral indesejável, como ilustrado na
Figura 1.3.c, porém não é seletivo e ocorre a uma taxa mais lenta que o etching molhado. O
processo ocorre sob a presença de um gás em baixa pressão, e a remoção do material é feita pelo
bombardeamento de íons de alta energia. Uma vez que reagentes líquidos não são envolvidos, o
custo pode ser reduzido.
 Photoresist
(a)
Material que deve
sofrer etching

Photoresist
(b)
Material que deve
sofrer etching

Photoresist
(c)
Material que deve
sofrer etching

Figura 1.3 - Etching. (a) deal, (b) Molhada, (c) Seca.

Uma combinação de ambos etchings é possível, onde o material é removido por

bombardeamento de íons que também reagem quimicamente. Neste caso obtém-se um
compromisso entre seletividade e anisotropia do material a ser removido.

1.6. DEPOSIÇÃO

A deposição de camadas condutoras (metais, silicietos de metais ou silício policristalino

de baixa resistividade) e de camadas isolantes (dióxido de silício ou nitrito de silício - N3Si2)
constitui uma importante parte na fabricação de CIs. Este processo não consome silício do
substrato como no caso da oxidação térmica. Normalmente, a deposição ocorre na fase de vapor
sob baixa pressão ou vácuo.
A deposição divide-se em dois modos: Deposição Física de Vapor ou Physical Vapor
Deposition (PVD) e Deposição Química de Vapor ou Chemical Vapor Deposition (CVD). No
PVD não ocorre reação química durante o processo de deposição. Um exemplo de PVD é a
deposição de alumínio, no qual o alumínio é vaporizado. Como suas moléculas gasosas se
irradiam em todas as direções, elas cobrem uniformemente a superfície do wafer. Através de
fotolitografia, um padrão com conexões poderia ser estabelecido no wafer. Este processo recebe
o nome de Metalização.
Durante o processo de CVD ocorrem reações químicas com o material a ser depositado na
superfície do wafer. Um exemplo de CVD é o crescimento epitaxial.
1.6.1. Crescimento Epitaxial
Do ponto de vista da estrutura atômica, os sólidos podem ser cristalinos ou amorfos. Os
cristalinos caracterizam-se por apresentar um arranjo ordenado de átomos, enquanto que os
amorfos não apresentam tal organização. A estrutura cristalina pode apresentar um único arranjo
(monocristal ou "single-cristal"), como é o caso do substrato do wafer, ou pode apresentar setores
com arranjos em orientações aleatórias (policristal ou "polycristal"). No caso da deposição de
uma camada de monocristal sobre o substrato, a camada depositada assume exatamente a
orientação cristalina do substrato. Este tipo de deposição é conhecido como crescimento
epitaxial. A tecnologia atual usa redução de hidrogênio dos gases SiH4 e SiCl4 como fonte de
silício para a deposição. O SiH4 apresenta como vantagem menor temperatura e uma taxa de
crescimento maior que o SiCl4. Visto que se precise produzir filmes epitaxiais dopados, utiliza-se
o gás PH3 para dopagem tipo n e o gás B2H6 para dopagem tipo p. Geralmente, a espessura da
camada epitaxial fica entre 5µm e 25µm. As reações químicas para o SiH4 e o SiCl4 são:

1200°C
SiCl 4 + 2 H 2 Si + 4HC
(1.1)
Atmosfera de H 2
SiH 4 Si + 2 H 2
1000°C

1.7. DIFUSÃO

Difusão, na fabricação de CIs, se refere à migração forçada e controlada de impurezas no

substrato. O perfil de impurezas resultante, que tem papel importante no desempenho do CI, é
afetado pela temperatura e pelo tempo de difusão. Novas difusões no wafer geralmente causam
alguma migração de dopantes de difusões prévias. Na verdade, o processo de difusão continua
indefinidamente, mas em temperaturas normais de operação do CI, pode durar dezenas de anos
ou mais para se tornar significativa.
A introdução de concentrações controladas de impurezas é feita em um forno a cerca de
1000oC por um período de uma a duas horas. O forno de difusão normalmente acomoda cerca de
20 wafers. A difusão ocorre tanto verticalmente quanto lateralmente em distâncias iguais. A
Figura 1.4.b ilustra como ficaria o perfil típico de difusão em um dispositivo integrado e a Figura
1.4.a ilustra o perfil ideal.
Fontes de impurezas podem ser líquidas, gasosas e sólidas e são colocadas em contato
com o silício do substrato. Impurezas gasosas mais usadas são, B2O3, BCl3 e B2H6 para dopantes
do tipo p, PH3 e AsH3 para dopantes do tipo n.
1.7.1. Implantação Iônica
Um segundo método de se introduzir impurezas é a implantação iônica. Em um ambiente
de baixa pressão (idealmente vácuo), íons apropriados (Boro para tipo p e Fósforo para tipo n)
são acelerados de forma a adquirirem uma alta energia cinética em direção ao wafer. A
profundidade de penetração está relacionada com a energia do feixe de íons, a qual pode ser
controlada pela voltagem do campo de aceleração. A quantidade de íons implantada pode ser
controlada pela variação da corrente do feixe (fluxo dos íons). Uma vez que a voltagem e a
corrente podem ser medidas e controladas com precisão, a implantação iônica resulta em perfis
mais precisos e que podem ser reproduzidos mais facilmente. A Figura 1.4.c mostra um perfil
típico de difusão usando implantação iônica. Como outra vantagem, a implantação iônica é feita a
temperatura ambiente.
A implantação iônica não apresenta difusão lateral sendo recomendada para fabricação de
CIs de alta densidade.

Difusao Ideal
Photoresist

(a)
Substrato

Difusao Real

Photoresist
(b)
Substrato

Implantacao Iônica

Photoresist
(c)
Substrato

Figura 1.4 - Difusão. (a) Ideal, (b) Real, (c) Iônica.