IE726 – Processos de Filmes Finos

Capítulo 7 – Filmes Finos

Condutores
Prof. Ioshiaki Doi
FEEC-UNICAMP
05/04/2003
 •Metalização

Processos de deposição de
filmes finos de metais sobre a
superfície do wafer.
 •Aplicações

 Interconexão
 Porta e eletrodos
•CMOS – Metalização Padrão

 Interconexão de Alumínio e
plug de tungstênio
•Aplicações – Interconexão 1

 SEM de um circuito mostrando contatos e

interconexões. Hierarquia de interconexões.
•Aplicações – Interconexões
2

SEM de um circuito mostrando contatos e

interconexões.
 •Aplicações – Interconexão 2

 Domina os processos de metalização

 Liga Al-Cu é o mais usado
comumente
 Plug de W (tecnologia de 80 e 90)
 Ti e TiN, camadas de barreira, adesão
e ARC (anti-reflection coating)
 Futuro? .... Cu!
•Metalização de Cobre
 •Aplicações – Porta e
Eletrodos
 Porta de Al e eletrodo
 Silício policristalino substitui Al
como material de porta
 Silicetos:
– WSi2, TiSi2, CoSi2, MoSi2, TaSi2, NiSi, ...
 Pt, Au, ... como eletrodos para
capacitores DRAM.
•Filmes Finos Condutores

 Silício policristalino
 Silicetos
 Al e ligas de Al
 Titânio e Nitreto de Titânio
 Tungstênio
 Cobre
 Tântalo
 •Requisitos para Filmes Metálicos 1
 Baixa resistividade
– é essencial a redução da resistência do metal
para baixo consumo de potência e circuitos
rápidos.
 Baixa resistência de contato
– com redução das dimensões dos CIs, a
resistência de contato torna fração cada vez
maior da resistência total.
 Resistência a eletromigração
– efeitos da migração induzidos pela corrente
piora com o decréscimo das dimensões do
metal, por causa da alta densidade de corrente.
Para obter Chips de alta confiabilidade.
 •Requisitos para Filmes Metálicos
2

 Superfície de baixa rugosidade

– para processo litográfico de alta
resolução
 Baixo estresse
– Para boa adesão com o substrato
 Existência do processo de deposição.
 •Requisitos para Filmes Metálicos
3

 Estabilidade durante todo o processamento:

– Oxidação, sinterização, deposição de filmes
dielétricos subsequentes.
 Boa resistência a corrosão
 Possibilidade de etching
– Formação de compostos voláteis durante a
corrosão sêca
 Boa cobertura de degrau
– Para assegurar contato elétrico apropriado entre
os níveis metálicos.
• Exemplo de cobertura de
degrau: WSi2
Processo A Processo B
 • Requisitos de Filmes Metálicos:
resistividade vs. espessura

 Impurezas e contornos de grãos adicionam contribuições

significativas para o espalhamento de eletrons.
 •Alumínio vs. Cobre
 Cobre
– resistividade mais baixa que o Alumínio.
– Problemas de adesão, difusão e dificuldade
para a corrosão sêca  dificultou a aplicação
do cobre nos CIs por muito tempo.
 Alumínio
– interconexão de Al dominou aplicações de
metalização desde o início da indústria de
semicondutores.
– nos anos 60 e 70, interconexões de Al ou liga
Al-Cu.
 •Alumínio vs. Cobre 2

 Anos 80
– redução das dimensões  uso de multi-
camadas de interconexão.
– c/aumento da densidade de dispositivos,
contatos tipo tap largos tornou-se
indesejável devido deixar a topografia da
superfície bastante áspero.
– dificuldade na litografia e deposição de outra
camada de filme fino.
 •Alumínio vs. Cobre 3

- para aumentar a densidade de empacotamento,

surgiu a necessidade de contatos e vias
verticais. Muito estreito para preenchimento por
liga de Al PVD sem buracos.
- W tem sido usado para preenchimento de vias e
contatos que serve como plug para conexão
entre diferentes camadas de metais. Requer
camada de adesão e barreira (Ti/TiN).
 •Silício Policristalino
 Portas e interconexão local
 Substitui Al desde meio de 70
 Estável a alta temperatura
 Permite S/D auto-alinhado
 Porta de Al não permite formar S/D
auto-alinhado
 Pode ser altamente dopado
 LPCVD
 •S/D Auto-Alinhado
Desalinhamento de Porta

Alinhado Desalinhado
 A porta era superdimensionada para assegurar
cobertura completa da porta sobre as regiões
de fonte e dreno.
 •S/D Auto-Alinhado 2

 S/D auto
alinhado com
porta de si-poli.

 Porta de Al não permite S/D auto-alinhado. Não

suporta recozimento pos-ímplantação de 900-
1000 ºC.
 •Silicetos

 Resistividade mais baixo que o Si-

poli
 TiSi2, WSi2 e CoSi2 mais
comumente usado.
 • Salicide
Salicide: self-aligned silicide
 TiSi2 e CoSi2
– Sputtering de Ar remove óxido nativo
– Deposição de Ti ou Co
– Processo de recozimento para formar o
siliceto
– Ti ou Co não reage com SiO2. O siliceto é
formado onde o silício tem contato com
Ti ou Co
– Remoção de Ti ou Co não reagido
– Segundo recozimento opcional para
aumentar a condutividade
 • Formação de Siliceto de
Titânio Auto-Alinhado

Deposição Recozimento Remoção de Ti

para
de Ti
Silicetação
 •Siliceto de Tungstênio

 Processo CVD
– WF6 como precursor de tungstênio
– SiH4 como precursor de silício.
 •Alumínio
 Metal mais comumente usado
 Quarto metal de melhor
condutividade
Prata 1.6 -cm
Cobre 1.7 -cm
Ouro 2.2 -cm
Alumínio 2.7 -cm
 Foi usado como material de porta até
meio de 70.
•Liga Alumínio-Silício (Al-Si)

 Al faz contato direto com Si em

fonte/dreno (S/D)
 Si dissolve no Al e Al difunde no Si.
 •Junction Spike

Spike de Al perfura a junção

dopada
Curto de S/D com o substrato.
 •Solução para Junction Spike

  1% de Si em Al satura o filme
 Recozimento térmico a 400 ºC forma
a liga Si-Al na interface silício-
alumínio.
 Uso de barreira para prevenir que Al
remova Si do siliceto ou do substrato.
 Uma barreira típica é  30 nm.
•Exemplo de Junction
Spike
Interpenetração de Al/Si. Al
deposição por e-beam.
Recozimento em H2 a 450 ºC
por 30 minutos e alumínio
removido. SEM da região
central do contado. (a)
contato típico que foi
recoberta com Al. Observa-se
partículas recristalizadas de
Si dispersas aleatóriamente
sobre o wafer. Em (b) e ©
pequenas estruturas e
precipitados de Si.
 •Eletromigração 1
 Alumínio é um material policristalino
 Muitos grãos mono-cristalinos
 Corrente flui através da linha de Al
 Eletrons bombardeiam
constantemente os grãos
 Grãos menores iniciam a se mover
 O efeito é chamado de
eletromigração.
•Processo de Eletromigração

 Eletromigração pode causar sérios

problemas para linhas de alumínio.
 •Eletromigração 2
 Eletromigração divide a linha de
metal em partes
 A alta densidade de corrente que
permanece na linha:
– Agrava o bombardeamento de eletrons
– Causa migrações adicionais de grãos de
Al
– Por fim pode quebrar a linha metálica.
 Afeta a confiabilidade do chip de CI.
 •Exemplo de Eletromigração

• SEM de falhas de eletromigração nas linhas de

Al. Liga Al-Cu(0.5%) depositado por
magnetron sputering (a) e por evaporação (b).
 •Eletromigração - Prevenção
 Alguns % de Cu no Al, melhora a
resistência a eletromigração do Al
 Cu atua como aderente dos grãos de Al e
previne da migração devida ao
bombardeamento de eletrons
 É usado a liga Al-Si-Cu
 Al-Cu(0.5%) é bastante comum.
 Uso de camadas shunt (Ti, TiN, TiW).
 para prover shunting elétrico e para melhorar a
estrutura de Al.
 • Hillocks e Voids
• Hillocks e buracos (voids) são formados por causa do
estresse e difusão nos filmes de Al.
• Aquecimento é realizado sob Al em compressão 
causa hillocks. O aquecimento gera no Al um
estresse altamente compressivo, devido a tendência
do Al de se expandir mais do que o Si. Para aliviar o
stress, a porção do Al espremido, forma pequenas
colinas (hills) ou hillocks.
• O resfriamento é realizado sob o Al em estado
tensivo  forma buracos. O Al procura encolher-se
mais do que o Si. O hillock formado não é reversível.
Si é mais rígido que o Al. O stress é aliviado pelo
movimento de vacâncias e aglomeração no Al,
formando os buracos.
 Propriedades Mecânicas de Materiais de
Interconexão
Material Thermal Elastic Modulus, Hardness Melting
Expansion Y/(1-) (MPa) (kg-mm-2) Point
Coefficient (C-1 ) (C)
Al (111) 23.1 x 10-6 1.143 x 105 19-22 660
Ti 8.41 x 10-6 1.699 x 105 81-143 1660
TiAl3 12.3 x 10-6 - 660-750 1340
Si (100) 2.6 x 10-6 1.805 x 105 - 1417
Si (111) 2.6 x 10-6 2.290 x 105 - 1417
SiO2 0.55 x 10-6 0.83 x 105 - 1700
 • Formação de hillocks

• A formação de hillocks pode causar:

• Curto entre níveis de interconexão;
• Topografia da superfície rugosa. Dificulta
litografia e etching.
 • Eletromigração vs. Hillocks e Voids

• Adição de alguns at% de Cu estabiliza contornos

de grãos e minimiza a formação de hillocks.
• A eletromigração também pode causar hillocks e
voids na interconexão de alumínio.

• Pode causar hillocks

e voids e levar a um
curto ou abrir
circuitos.
• Eletromigração vs. Hillocks e Voids 2
• Os eletrons podem transferir quantidade suficiente
de momentum para o Al e causar a sua difusão.
• A difusão é mais rápida nos contornos de grãos,
causando o acúmulo de Al em algumas regiões,
resultando em hillocks, e depleção em outras
regiões, levando a formação de buracos.

Hillock e voids
formados por
eletromigração
.
• Como a maioria dos átomos de Al e vacâncias difunde pelos
contornos de grãos, a eletromigração é fortemente
dependente da estrutura do grão, incluindo o tamanho e a
orientação cristalográfica, além das camadas de cima e de
baixo do Al, e da história de processamento da interconexão.

• Solução :
• Adicionar Cu (0.5-4 wt%) pode inibir a
eletromigração. Acredita-se que o Cu inibe a
difusão pelos contornos de grãos.
• Contudo Cu em excesso pode causar problemas
com etching e corrosão da interconexão. Máximo 4
wt%.
• Razão pela qual o Al é normalmente depositado
com 1-2 wt% de Si e 0.5-4 wt% de Cu.
• A adição desses elementos aumenta a resistividade
de folha da interconexão de aproximadamente 35%.
 •Eletromigração de
Contato
(a) Cobertura de degrau pobre do Al
pode causar alta densidade de
corrente e aquecimento Joule.
(b)contato plug Al/W causa buraco
no canto da interface Al/plug.
(c) vários caminhos de corrente
oferecem diferentes resistências
e a corrente tende a tomar o
caminho menos resistivo, isto é,
canto interno. As corrente
concentram no canto interno do
plug e linha de Al adjacente.
(d) com a camada de TiN, a concentração de corrente no canto
interno pode ser reduzido, devido a alta resistência do TiN auxiliar
na distribuição da corrente para maior área da linha de Al.
 •Deposição da Liga de Al
 PVD
– Sputtering
– Evaporação
• térmico
• e-beam
 CVD
– Hidreto dimetilalumínio [DMAH,
Al(CH3)2H]
– Processo térmico
 •PVD vs. CVD 1
 CVD: reação química sobre a superfície
 PVD: não há reação química sobre a
superfície.

 CVD: melhor cobertura de degrau (50% a

 100%) e capacidade de preenchimento
de gaps e vias
 PVD: cobertura de degrau pobre ( 15%)
e capacidade de preenchimento de gaps e
vias.
 •PVD vs. CVD 2

 PVD: melhor qualidade, filme

depositado mais puro, condutividade
mais alta, fácil para depositar ligas.

 CVD: sempre contém impurezas no

filme, condutividade mais baixa,
difícil para depositar ligas.
 •Titânio
 Aplicações
 Formação de silicetos
 Camadas de adesão, contatos e vias (precisa de
barreira TiN).
 Boa adesão a outros materiais, habilidade para
redução de óxidos nativos e boa propriedade
elétrica de contato.
 Deposição por PVD. Magnetron sputering mais
usual. Ou por sputering colimado ou ionizado
para boa cobertura de contato ou fundos de
vias.
 Nitretação de titânio.
•Aplicações do Titânio
• Aplicações do Nitreto de Titânio
 Camada de barreira
– Previne difusão de tungstênio
 Camada de adesão
– Auxilia na adesão do tungstênio sobre a
superfície do óxido de silício
 Cobertura anti-reflexão (ARC)
– Reduz reflexão e melhora resolução da
fotoligrafia no processo com metais
– Previne hillock e controla eletromigração
 Interconexão local: dimensões curtas.
 Deposição por PVD e CVD.
 •Deposição do TiN

 Deposição sobre Ti que possui melhor

propriedade de contato e de adesão.
 Deposição por PVD sputtering usando
gás reativo (N2).
 • Nitreto de Titânio PVD
 Camada de barreira, adesão e ARC
 Sputtering reativo de alvo de Ti com
Ar e N2
– Moléculas de N2 dissocia no plasma
– Radicais livres de nitrogênio (N)
– N reage com Ti e forma camada de TiN
sobre a superfície de Ti
– Ions de Ar sputter TiN e deposita sobre a
superfície do wafer.
 •Nitreto de Titânio CVD
 Camada de barreira e adesão
 Melhor cobertura de degrau do que
PVD
 Processo organo-metálico (MOCVD)
–  350 ºC
– Tetrakis-dimethyamino Titanium
(TDMAT), Ti[N(CH3)2]4
– Tetrakis-diethyamino Titanium (TDEAT).
– Aplicação em vias.
 •Nitretação de Titânio
 Titânio PVD
 Nitretação da superfície de titânio com
Nitrogênio ou Amônia
 Processo térmico rápido (RTP) a T > 600
ºC.
 Frequentemente feito juntamente com a
formação de siliceto.
 Forma TiSi2 na camada mais inferior, Ti
na camada do meio e o TiN no topo de
Ti.
 •Nitretação de Titânio 2
NH3 + Ti  TiN + 3/2 H2
 •Ligas de Ti-W
 Material de barreira para contatos e
camadas ARC em interconexões.
 TiN é mais usado atualmente. Melhor
qualidade do filme e propriedades de
barreira.
 Deposição por PVD, magnetron sputtering
a partir de alvo 10% wt Ti – 90% wt W em
ambiente de Ar/N2.
 Resistividade, estresse, composição e
propriedades de barreira dependem das
condições de deposição (pressão,
temperatura e taxa Ar/N2).
 •Tungstênio
 Plug de metal em contato e vias
 Aberturas para contato tornam menores e
estreitos
 Liga de Al PVD: cobertura de degrau pobre
e com buracos
 W CVD: excelente cobertura de degrau e
prenchimento de vias
 Resistividade alta: 8.0 a 12 -cm
comparada a liga de Al PVD (2.9 a 3.3 -
cm)
 Usado somente para plugs e interconexão
local.
 • Evolução dos Processos de
Contatos

Abertura de contato Abertura de Abertura de

largo em tap, contato estreito, contato estreito,
preenchimento buraco com W CVD para plug
metal PVD. preenchimento de tungstênio.
metal PVD.
 •Tungstênio CVD

 WF6 como precursor de tungstênio

 Reage com SiH4 para formar camada
de nucleação
 Reage com H2 para deposição bulk de
tungstênio
 Precisa de camada de TiN para
adesão sobre óxido de silício.
• Plug de W e Camada de
Barreira /Adesão de TiN/Ti
 •Cobre
 Baixa resistividade (1.7 -cm)
– baixo consumo de potência e velocidade mais
alta do CI
 Alta resistência a eletromigração
– melhor confiabilidade
 Aderência pobre com óxido de silício
 Alta difusão  contaminação de metal
pesado
 Corrosão a sêco bastante difícil
– Cobre-halogênio apresenta baixa volatilidade.
 •Deposição de Cobre

 Camada semente (seed layer) de PVD

 Camada bulk, ECP (electrochemical
plating) ou CVD
 Recozimento térmico após deposição
bulk de cobre:
– aumenta o tamanho de grãos
– melhora a condutividade.
 •Tântalo

 Camada de barreira
 Prevenir difusão de cobre
 Deposição por sputtering.
 •Cobalto

 Usado principalmente para

siliceto de cobalto (CoSi2)
 Normalmente depositado por
sputtering.
 •Siliceto de Cobalto
 Tamanho de grãos do siliceto de
titânio (TiSi2):  0.2 m
 Não pode ser usado para porta de
0.18m
 CoSi2 substitui o TiSi2 em tecnologias
futuras
 Resistividade: 13 -cm
 Processo salicide.
 •Siliceto de Cobalto -
Processo
 Limpeza pré-deposição por
sputtering de Ar
 Deposição de Co por sputtering
 Primeira etapa de recozimento por
RTP a 600 ºC
– Co + Si  CoSi
 Remoção do Co não reagido
 Segunda etapa de RTP a 700 ºC
– Co + Si  CoSi2
 •Resumo
 Aplicação principal: interconexão
 CVD (W, Ti e TiN) e PVD (Al-Cu, Ti, TiN)
 Liga Al-Cu é ainda dominante
 Precisa UHV para PVD de Al-Cu
 W usado como plug
 TiN: camada de barreira, adesão e ARC
 Futuro: Cu e Ta/TaN.
 Referências :
1. S. Wolf and R. N. Tauber; Silicon Processing for the
VLSI Era, Vol.1 – Process Technology, Lattice
Press, 1986.
2. J. D. Plummer, M. D. Deal and P. B. Griffin; Silicon
VLSI Technology – Fundamentals, Practice and
Modeling, Prentice Hall, 2000.
3. S. A. Campbell; The Science and Engineering of
Microelectronic Fabrication, Oxford University
Press, 1996.
4. S. M. Sze; VLSI Technology, McGraw-Hill, 1988.