Eletrônica Analógica 1

Eletrônica
Analógica I
Sagah Educação S.A.
Indaial – 2021
1a Edição
Elaboração:
Sagah Educação S.A.
Copyright © Sagah Educação S.A. 2021
Revisão, Diagramação e Produção:

Equipe Desenvolvimento de Conteúdos EdTech
Centro Universitário Leonardo da Vinci – UNIASSELVI
D152e
Dalvi, Giovanni Gueler
Eletrônica analógica I. / Giovanni Gueler Dalvi. – Indaial:

UNIASSELVI, 2021.
249 p.; il.
ISBN 978-65-5663-526-2
ISBN Digital 978-65-5663-527-9
1. Eletrônica analógica. – Brasil. 2. Circuitos eletrônicos. – Brasil.

II. Centro Universitário Leonardo da Vinci.
CDD 621.38154
Impresso por:
APRESENTAÇÃO
Prezado acadêmico, seja bem-vindo à disciplina de Eletrônica Analógica I, na
qual serão apresentados conceitos, leis e teorias para o auxiliar a identificar, compreender
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com diferentes princípios dos diodos, funcionamento e aplicação de transistores em
diferentes configurações e polarizações, princípios da amplificação de sinal e fontes de
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Apesar deste ser um material destinado à eletrônica, é importante que você tenha
estudado previamente alguma disciplina sobre eletricidade. Se determinado assunto
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Bons estudos!
Prof. Giovanni Gueler Dalvi

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SUMÁRIO
UNIDADE 1 - DIODOS E SEMICONDUTORES.......................................................................... 1
TÓPICO 1 - MATERIAIS SEMICONDUTORES..........................................................................3

1 INTRODUÇÃO........................................................................................................................3
2 DEFINIÇÕES ........................................................................................................................4
2.1 NÍVEIS DE ENERGIA .............................................................................................................................. 6
2.2 DOPAGEM.................................................................................................................................................7
2.3 MATERIAIS DO TIPO N..........................................................................................................................8
2.4 MATERIAIS DO TIPO P...........................................................................................................................8
2.5 PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS........................................................................... 9
RESUMO DO TÓPICO 1.......................................................................................................... 12
AUTOATIVIDADE................................................................................................................... 13
TÓPICO 2 - DIODOS............................................................................................................... 17
1 INTRODUÇÃO...................................................................................................................... 17
2 DIODO SEMICONDUTOR.................................................................................................... 17
2.1 DIODO NÃO POLARIZADO................................................................................................................... 18
2.2 DIODO COM POLARIZAÇÃO REVERSA........................................................................................... 19
2.3 DIODO COM POLARIZAÇÃO DIRETA................................................................................................20
2.4 REGIÃO DE RUPTURA.........................................................................................................................22
2.5 CONSIDERAÇÕES IMPORTANTES....................................................................................................23
2.6 RESISTÊNCIA DO DIODO....................................................................................................................25
2.6.1 Resistência CC ou estática......................................................................................................25
2.6.2 Resistência CA ou dinâmica...................................................................................................25
3 CIRCUITOS EQUIVALENTES DO DIODO............................................................................27
3.1 MODELO LINEAR POR PARTES......................................................................................................... 27
3.2 MODELO SIMPLIFICADO....................................................................................................................28
3.3 MODELO IDEAL....................................................................................................................................29
4 TESTE DO DIODO.............................................................................................................. 29
4.1 TESTE POR MULTÍMETRO DIGITAL ..................................................................................................30
5 FOLHA DE DADOS.............................................................................................................. 31
6 DIODO ZENER.................................................................................................................... 35
7 DIODO EMISSOR DE LUZ................................................................................................... 36
RESUMO DO TÓPICO 2.......................................................................................................... 41
AUTOATIVIDADE.................................................................................................................. 42
TÓPICO 3 - APLICAÇÕES DE DIODOS................................................................................. 45

1 INTRODUÇÃO..................................................................................................................... 45
2 ANÁLISE POR RETA DE CARGA........................................................................................ 45
3 CIRCUITOS COM DIODOS..................................................................................................47
3.1 CONFIGURAÇÕES COM DIODOS EM SÉRIE.................................................................................... 47
3.2 CONFIGURAÇÃO COM O DIODO EM SÉRIE E EM SÉRIE-PARALELO.......................................49
4 APLICAÇÕES PRÁTICAS.................................................................................................. 50
4.1 RETIFICADORES DE MEIA-ONDA.....................................................................................................50
4.2 RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA...............................................................................................52
4.3 CIRCUITOS CEIFADORES...................................................................................................................53
LEITURA COMPLEMENTAR................................................................................................. 60
RESUMO DO TÓPICO 3......................................................................................................... 65
AUTOATIVIDADE.................................................................................................................. 66
REFERÊNCIAS...................................................................................................................... 68
UNIDADE 2 — TRANSISTORES I.......................................................................................... 69
TÓPICO 1 — TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)........................................................71

1 INTRODUÇÃO...................................................................................................................... 71
2 CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR.......................................................................................73
3 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR............................................................................................74
4 CONFIGURAÇÕES DO TRANSISTOR.................................................................................76
4.1 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM....................................................................................................... 76
4.1.1 Alfa (α)............................................................................................................................................78
4.1.2 Polarização................................................................................................................................... 79
4.1.3 Região de ruptura...................................................................................................................... 80
4.2 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM ............................................................................................. 80
4.2.1 Beta (β).........................................................................................................................................82
4.2.2 Polarização ................................................................................................................................ 84
4.2.3 Região de ruptura .....................................................................................................................85
4.3 CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM .............................................................................................86
5 TESTE DO TRANSISTOR................................................................................................... 88
6 FOLHA DE DADOS............................................................................................................. 90
7 CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO......................................................................................... 94
7.1 CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA....................................................................................................95
7.1.1 Polarização direta de junção base-emissor..........................................................................95
7.1.2 Malha coletor-emissor...............................................................................................................96
7.1.3 Saturação do transistor............................................................................................................. 97
7.1.4 Análise por reta de carga..........................................................................................................98
7.2 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO DO EMISSOR.....................................................................100
7.2.1 Malha base-emissor.................................................................................................................100
7.2.2 Malha coletor-emissor.............................................................................................................101
7.2.3 Nível de saturação...................................................................................................................102
7.2.4 Análise por reta de carga.......................................................................................................102
7.3 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO.............................................102
7.3.1 Análise exata..............................................................................................................................103
7.3.2 Análise aproximada.................................................................................................................104
7.3.3 Saturação do transistor..........................................................................................................105
7.4 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE COLETOR............................................................106
7.4.1 Malha base-emissor.................................................................................................................106
7.4.2 Malha coletor-emissor............................................................................................................ 107
7.4.3 Condições de saturação......................................................................................................... 107
7.5 CONFIGURAÇÃO SEGUIDORA DE EMISSOR................................................................................108
7.6 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM ...................................................................................................109
7.7 TABELA RESUMO.................................................................................................................................110
8 CIRCUITOS COM MÚLTIPLOS TBJ...................................................................................111
9 TRANSISTORES PNP....................................................................................................... 112
10 CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO.................................................................................... 112
RESUMO DO TÓPICO 1........................................................................................................ 119
AUTOATIVIDADE.................................................................................................................120
TÓPICO 2 - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO.........................................................125
1 INTRODUÇÃO....................................................................................................................125
2 JFET..................................................................................................................................126
2.1 TENSÃO POSITIVA VDS ....................................................................................................................... 127
2.2 RESISTOR CONTROLADO POR TENSÃO....................................................................................... 129
2.3 DISPOSITIVO DE CANAL P............................................................................................................... 129
2.4 CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA.........................................................................131
2.5 FOLHA DE DADOS (JFETS)............................................................................................................. 132
3 MOSFET............................................................................................................................134
3.1 MOSFET TIPO DEPLEÇÃO.................................................................................................................134
3.2 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO ................................................................................................... 135
4 MESFETS .........................................................................................................................139
5 RESUMO DAS CURVAS E PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS .........................................142
RESUMO DO TÓPICO 2........................................................................................................145
AUTOATIVIDADE.................................................................................................................146
TÓPICO 3 - ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO TRANSISTOR

BIPOLAR DE JUNÇÃO......................................................................................................... 147
1 INTRODUÇÃO.................................................................................................................... 147
2 MODELAGEM DO TBJ...................................................................................................... 147
3 MODELO re DO TRANSISTOR...........................................................................................148
3.1 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM..............................................................................................148
3.1.1 Tensão Early................................................................................................................................ 149
3.2 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM.................................................................................................... 152
3.3 NPN VERSUS PNP............................................................................................................................. 153
4 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM POLARIZAÇÃO FIXA...................................153
5 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO.....................................................................154
6 CONFIGURAÇÃO EC COM POLARIZAÇÃO DO EMISSOR................................................156
6.1 SEM DESVIO......................................................................................................................................... 156
6.2 COM DESVIO....................................................................................................................................... 157
7 CONFIGURAÇÃO DE SEGUIDOR DE EMISSOR................................................................ 157
8 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM.....................................................................................158
9 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR................................................159
10 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO CC DO COLETOR........................................ 161
11 RESUMO..........................................................................................................................162
LEITURA COMPLEMENTAR................................................................................................ 167
RESUMO DO TÓPICO 3........................................................................................................169
AUTOATIVIDADE.................................................................................................................170
REFERÊNCIAS..................................................................................................................... 172
UNIDADE 3 — TRANSISTORES II........................................................................................ 173
TÓPICO 1 — POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)............... 175

1 INTRODUÇÃO.................................................................................................................... 175
2 POLARIZAÇÃO DO FET.................................................................................................... 176
2.1 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA..................................................................................176
2.2 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO................................................................................177
2.3 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO................................................................................... 179
2.4 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM.................................................................................................180
2.5 CASO ESPECIAL VGSQ = 0 V..............................................................................................................182
2.6 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO.............................................................................................................183
2.7 MOSFETS TIPO INTENSIFICAÇÃO..................................................................................................183
2.7.1 Configuração de polarização com realimentação............................................................184
2.7.2 Circuito de polarização por divisor de tensão...................................................................186
2.8 RESUMO............................................................................................................................................... 187
RESUMO DO TÓPICO 1........................................................................................................195
AUTOATIVIDADE.................................................................................................................196
TÓPICO 2 - ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS.................................................. 203

1 INTRODUÇÃO................................................................................................................... 203
2 MODELO JFET PARA PEQUENOS SINAIS ..................................................................... 203
3 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA.................................................................. 207
4 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO................................................................. 209
4.1 Rs COM DESVIO.................................................................................................................................. 209
4.2 Rs SEM DESVIO...................................................................................................................................210
5 CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO.................................................................. 211
6 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM...................................................................................212
7 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO.............................................................................................214
8 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO.....................................................................................214
9 RESUMO............................................................................................................................215
RESUMO DO TÓPICO 2....................................................................................................... 222
AUTOATIVIDADE................................................................................................................ 223
TÓPICO 3 - RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

(TBJ) E JFET...................................................................................................................... 225
1 INTRODUÇÃO................................................................................................................... 225
2 CONSIDERAÇÕES SOBRE FREQUÊNCIA ...................................................................... 225
2.1 FAIXA DE BAIXA FREQUÊNCIA....................................................................................................... 225
2.2 FAIXA DE ALTA FREQUÊNCIA ........................................................................................................ 226
2.3 FAIXA DE MÉDIA FREQUÊNCIA......................................................................................................227
2.4 RESPOSTA EM FREQUÊNCIA TÍPICA.............................................................................................227
3 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR COM TBJ COM RL.................. 229
4 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR COM FET............................... 232
5 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADOR COM TBJ............................. 234
6 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADORES COM FET......................... 236
7 EFEITOS DA FREQUÊNCIA EM CIRCUITOS MULTIESTÁGIOS....................................... 238
LEITURA COMPLEMENTAR................................................................................................241
RESUMO DO TÓPICO 3....................................................................................................... 244
AUTOATIVIDADE................................................................................................................ 245
REFERÊNCIAS.................................................................................................................... 248
UNIDADE 1 -
DIODOS E
SEMICONDUTORES
OBJETIVOS DE APRENDIZAGEM
A partir do estudo desta unidade, você deverá ser capaz de:
• compreender e conhecer algumas aplicações dos materiais semicondutores;
• resolver exercícios envolvendo materiais semicondutores;
• calcular e medir a resistência equivalente usando o teorema da superposição;
• compreender a definição de diodo e seu circuito equivalente;
• reconhecer a notação de diodo e compreender sua folha de dados;
• conhecer tipos especiais de diodos (diodo zener e diodo emissor de luz);
• resolver exercícios envolvendo diodos;
• analisar a reta de carga de um diodo e algumas de suas aplicações em circuitos

eletrônicos;
• conhecer algumas aplicações práticas de diodos.
PLANO DE ESTUDOS
Esta unidade está dividida em três tópicos. No decorrer dela, você encontrará
autoatividades com o objetivo de reforçar o conteúdo apresentado.
TÓPICO 1 – MATERIAIS SEMICONDUTORES

TÓPICO 2 – DIODOS
TÓPICO 3 – APLICAÇÕES DE DIODOS
CHAMADA
Preparado para ampliar seus conhecimentos? Respire e vamos em frente! Procure
um ambiente que facilite a concentração, assim absorverá melhor as informações.
1
CONFIRA
A TRILHA DA
UNIDADE 1!
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2
UNIDADE 1 TÓPICO 1 -
MATERIAIS SEMICONDUTORES
1 INTRODUÇÃO
A eletrônica é uma grande área que abrange sistemas de comunicação, sistemas
analógicos e digitais, instrumentação e controle, cada um com específicas aplicações.
Entretanto, uma parte do que se tem hoje na eletrônica é proveniente da descoberta e
da aplicação dos materiais semicondutores, notando-se a inserção contínua de novos
componentes no mercado visando a facilitar e simplificar o projeto e obtenção de novos
aparelhos (GALDINO, 2012).
Antes de apresentar os materiais semicondutores, relembraremos os materiais

condutores e isolantes:
• Materiais condutores possuem resistividade muito baixa (normalmente μΩ/m),

permitindo que a corrente elétrica o atravesse sem muita dificuldade, em função
de suas propriedades intrínsecas, como disponibilidade de um grande número de
elétrons livres (REIS, 2016).
• Materiais isolantes possuem alta resistividade e, desse modo, uma pequena
quantidade de elétrons livres, sendo necessário aplicar uma grande diferença de
potencial para que possa percorrer corrente elétrica (REIS, 2016).
• Materiais com características intermediárias são chamados de semicondutores; um
exemplo típico é o carbono (C) que, dependendo da forma que se liga, pode se
tornar um material isolante ou condutor. Podemos pensar em dois exemplos bem
conhecidos para o carbono: o diamante e o grafite (Figura 1). Sabemos que o diamante
é formado pelo arranjo de átomos de carbono na forma cristalina, possuindo grande
dureza e sendo um material isolante. Já o grafite, formado pelo arranjo de átomos
de carbono no formato triangular, é um condutor (GALDINO, 2012).
Normalmente, um bom condutor apresenta uma condutividade na ordem de 10-8

Ωm, um bom isolante, na ordem de 1014 Ωm e um semicondutor típico, entre 10-5 Ωm e
103 Ωm, dependendo da temperatura (REIS, 2016).
3
2 DEFINIÇÕES
Sabemos que todos os materiais são constituídos por átomos. A Figura
1 mostra os átomos (de carbono), que são constituídos por um núcleo (formado por
partículas positivas – prótons – e partículas neutras – nêutrons) e partículas negativas,
denominadas elétrons, girando em torno de seu núcleo. Nesse caso, a camada mais
afastada do núcleo do átomo, que é o nosso foco, é denominada camada de valência.
FIGURA 1 – ESTRUTURA DO DIAMANTE (A) E GRAFITE (B)
FONTE: Schuler (2013, p. 26)
FIGURA 2 – MODELO DE BOHR PARA O ÁTOMO DE COBRE
FONTE: <https://www.gratispng.com/png-to1wru/download.html>. Acesso em: 20 jun. 2020.
Por exemplo, em um pequeno pedaço de fio de cobre, existem bilhões de átomos

de cobre e cada um deles possui um elétron de valência (Figura 3), que são fracamente
ligados ao núcleo do átomo e, desse modo, são facilmente movidos quando aplicada
uma diferença de potencial às extremidades do fio. Como existem bilhões de elétrons,
é esperado que muitos se movimentem, fazendo com que o cobre seja um excelente
condutor, de pequena resistência elétrica (SCHULER, 2013).
4
O silício é o material semicondutor mais utilizado na eletrônica, para a
fabricação de diversos componentes como transistores, diodos e circuitos integrados.
Estudaremos um pouco o átomo de silício (Figura 4), que possui quatro elétrons na sua
camada de valência – a orbita mais importante quando se estuda o comportamento
elétrico do material. Uma característica importante é que não são estáveis e tendem
a se combinar quimicamente com outros materiais, de modo a obter oito elétrons na
camada de valência e se tornar estáveis. O silício, assim como o germânio, possui quatro
elétrons na camada de valência e tende a se agrupar, segundo uma função cristalina,
através de uma ligação covalente, em que cada átomo se combina com outros quatro
átomos, fazendo com que cada elétron pertença simultaneamente aos dois átomos
(Figura 5A) (GALDINO, 2012).
FIGURA 3 – ESTRUTURA DO FIO DE COBRE
Um cristal de silício puro (Figura 5B) comporta-se como isolante – mesmo

sendo um material considerado semicondutor, o silício intrínseco possui poucos elétrons
livres para permitir a circulação de corrente, porém pode se tornar semicondutor pelo
aquecimento, devido ao seu coeficiente de temperatura negativo, ou seja, com o
aumento da temperatura, a resistência diminui.
FIGURA 4 – ESTRUTURA ATÔMICA DO ÁTOMO DE SILÍCIO

Órbita de valência
5
FIGURA 5 – ESTRUTURA CRISTALINA DOS ÁTOMOS DE SILÍCIO (A) E CRISTAL DE SILÍCIO NO ESTADO BRUTO (B)
FONTE: <http://www.eletronpi.com.br/ce-024-semicondutor.aspx>. Acesso em: 3 jun. 2020.
2.1 NÍVEIS DE ENERGIA

De modo geral, quanto maior é a distância de um elétron com relação a seu
núcleo, maior será o seu estado de energia (Figura 6); além disso, qualquer elétron que
tenha deixado seu átomo de origem possui um estado de energia mais alto do que
qualquer elétron que continue na estrutura atômica.
FIGURA 6 – NÍVEIS DISCRETOS DE ENERGIA EM ESTRUTURA ATÔMICA ISOLADA
FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 6)
Os elétrons da banda de condução possuem um nível mínimo de energia e, os

elétrons ligados à camada de valência, um nível máximo de energia. Entre ambos, existe
um gap de energia, cujo elétron que se encontra na camada de valência deve superar
para se tornar um portador livre.
É possível classificar os materiais de acordo com o gap de energia necessário

(Figura 7), sendo os elementos com grandes gaps de energia, Eg > 5 eV, isolantes e, sem
o gap, bandas sobrepostas, condutores, e os que se encontram entre os dois citados
serão os semicondutores, como o germânio, Eg = 0,67 eV, o silício, Eg = 1,1 eV, e o arseneto
de gálio, Eg = 1,43 eV (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
6
A unidade de medida utilizada para avaliar o gap de energia é o eV (elétron-Volt),
que representa a energia de um elétron a uma diferença de potencial de 1 V, ou seja,
analisando a Equação 1 (equação da energia, em que W representa a energia e Q, a carga
e V a diferença de potencial), é possível determinar o valor de 1 eV (Equação 2).
(Eq. 1)
No caso em que um elétron é submetido a uma diferença de potencial de 1 V,

segundo a Equação 1:
Esse nível de energia é conhecido como elétron-volt, ou seja:
(Eq. 2)
FIGURA 7 – BANDAS DE CONDUÇÃO E VALÊNCIA DE UM ISOLANTE, UM SEMICONDUTOR E UM CONDUTOR
2.2 DOPAGEM
Entende-se por dopagem o processo em que é adicionado impurezas (átomos
estranhos) na estrutura cristalina do átomo de silício ou germânio, por exemplo. É
realizado em laboratórios e consiste na introdução de uma quantidade controlada
de átomos de uma determinada impureza (tais impurezas, embora adicionadas na
proporção de uma parte em 10 milhões, podem modificar totalmente as características
elétricas do material). A forma com que o cristal conduzirá a corrente elétrica dependerá
do tipo e da quantidade de impureza adicionados, transformando cristal, dando origem
aos materiais denominados do tipo n e do tipo p (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
7
2.3 MATERIAIS DO TIPO N
Os materiais do tipo n são criados com a introdução de elementos de impureza
que possuem cinco elétrons na banda de valência, como o antimônio, arsênio ou fósforo
(coluna V da tabela periódica). As quatro ligações covalentes ainda são realizadas e ainda
existe um elétron adicional do elemento de impureza dissociado de qualquer ligação,
o qual é relativamente livre para se movimentar dentro do material, diminuindo a sua
resistência devido aos elétrons livres produzidos.
Na Figura 8, temos a formação de um cristal do tipo n com a inserção de

átomos de fósforo à estrutura do silício. É importante notar que o material continua
eletricamente neutro, embora o material tenha sido dopado, pois seu número total de
elétrons e prótons é igual.
FIGURA 8 – FORMAÇÃO DO CRISTAL DO TIPO N
FONTE: Galdino (2012, p. 14)
2.4 MATERIAIS DO TIPO P

Os materiais do tipo p serão criados com a introdução de elementos de impureza
que possuem três elétrons na banda de valência, como boro, gálio e índio (coluna III
da tabela periódica). Existe um número insuficiente de elétrons para realizar as quatro
ligações covalentes; o espaço vazio é denominado lacuna, que é vista como uma carga
positiva, pois é capaz de atrair ou ser ocupada por um elétron.
A Figura 9 apresenta a formação de um cristal do tipo n com a inserção de

átomos de boro à estrutura do silício. É importante notar que, assim como o material do
tipo n, o material continua eletricamente neutro, embora tenha sido dopado, pois seu
número total de elétrons e prótons é igual.
8
FIGURA 9 – FORMAÇÃO DO CRISTAL TIPO P
2.5 PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS

Em seu estado intrínseco, o germânio e o silício possuem poucos elétrons livres
em sua banda de valência; de forma equivalente, o número de lacunas provenientes
dos espaços vazios deixados para trás na estrutura de ligação covalente é bem limitado.
Em seu estado extrínseco, ou seja, quando o elemento é dopado, podem ocorrer

dois tipos de semicondutores, cada um com características específicas de portadores
majoritários e minoritários:
• Quando se adicionam elementos de impureza com cinco elétrons na camada

de valência ao silício ou germânio, o material toma características específicas,
tornando-se um material do tipo n (negativo), cujo número de lacunas é excedido
pelo número de elétrons livres. Nesse caso, os elétrons livres são denominados de
portadores majoritários e as lacunas, de portadores minoritários (Figura 10A).
• Por outro lado, adicionam-se elementos de impureza com três elétrons na camada
de valência ao silício, por exemplo, e o material toma características específicas, ou
seja, torna-se um material do tipo p (positivo), no qual o número de elétrons livres
é excedido pelo número de lacunas. Nesse caso, as lacunas são denominadas de
portadores majoritários e os elétrons livres, de portadores minoritários (Figura 10B).
9
FIGURA 10 – MATERIAL DO TIPO N (A) E MATERIAL DO TIPO P (B)
Para um semicondutor extrínseco, apesar da concentração de elétrons livres

não ser igual à concentração de buracos, a relação apresentada na Equação 3 é válida:
(Eq. 3)
Em que n representa a concentração de elétrons livres do material semicondutor

extrínseco; p, o número de buraco do material semicondutor extrínseco; e ni, a
concentração de elétrons livres, sob mesma temperatura, do material intrínseco.
Como foi visto, para um semicondutor dopado (extrínseco), o aumento de

um portador de carga (elétrons livres ou lacunas) leva à redução da concentração do
portador de carga complementar (lacunas ou elétrons livres).
Na prática, tem-se que a concentração de impurezas adicionadas ao

semicondutor é muito maior do que a concentração inerente de portadores. Portanto,
podemos pensar que um semicondutor tipo n, dopado com uma certa concentração
de impurezas do doador (ND), apresentará uma concentração n ≅ ND de elétrons livres.
Logo, a partir da Equação 1, a concentração de lacunas no mesmo semicondutor será
dada por p ≅ ni 2 = ND. Da mesma forma, em um semicondutor do tipo p, dopado com
impurezas aceitadoras com uma concentração de NA, a concentração de lacunas será p
≅ NA, e a concentração de elétrons livres é dada por n ≅ ni 2 = NA.
DICA
Exercícios resolvidos
1 Determine o nível de energia, em Joules e em eV, para mover uma carga de 16 μC

por meio da diferença de potencial de 4 V.
R.: Inicialmente, analisaremos as variáveis envolvidas no problema, sendo que:
10
Q = 16 x 10-6 C e
V=4V
Desejamos determinar W em Joules (J) e em elétrons-volt (eV). Utilizando a Equação 1,

temos que W = QV, portanto:
W = (16 x 10-6 )(4 V)
Logo,
W = 64 x 10-6 J = 64 μJ
Pela Equação 2, temos que 1 eV =1,9 x 10-19 J; desse modo, fazendo uma regra de três simples:
1 eV = 1,9 x 10-19 J
Y eV = 64 x 10-6 J
Y (1,9 x 10-19) = 1 x 64 x 10-6
Logo:
Assim, W = Y = 3,368 x 1014 eV.
2 Considerando que um sólido de silício intrínseco em temperatura ambiente possui

ni = 1015 cm-3, ao adicionar impurezas (dopar) com NA = 1030 cm-3, deve-se determinar
os valores aproximados de lacunas e de elétrons livres no semicondutor resultante.
Ele será do tipo n ou do tipo p? Justifique sua resposta.
R.: Através do enunciado, temos que: ni = 1015 cm-3, o número de elétrons livres no
semicondutor intrínseco em temperatura ambiente; e NA =1020 cm-3, concentração de
impurezas aceitadoras do elemento dopador.
Como serão adicionadas impurezas com número de lacunas, aproximadamente,
igual a p ≅ NA = 1020 cm-3, o silício intrínseco terá como portadores majoritários
lacunas e será um material do tipo p. Portanto, o número de lacunas do
semicondutor é igual a 1020 cm-3.
Através da Equação 3, temos que:
n . p = ni 2
Logo,
Assim, o número de elétrons livres no semicondutor tipo p será de 1010 cm-3.

Através do número de elétrons livres, fica claro que o material é do tipo p e
possui elétrons livres como portadores minoritários.
11
RESUMO DO TÓPICO 1
Neste tópico, você adquiriu certos aprendizados, como:
• A eletrônica é um campo amplo, abrangendo sistemas de comunicação, sistemas

analógicos e digitais, instrumentação e controle, cada um com aplicações
específicas. No entanto, parte do que temos na área de eletrônica hoje vem da
descoberta e aplicação de materiais semicondutores, visto que o mercado está
constantemente inserindo novos componentes para promover e simplificar o
projeto e aquisição de novos dispositivos.
• Todos os materiais são constituídos por átomos, que são constituídos por um núcleo
(formado por partículas positivas – prótons – e partículas neutras – nêutrons) e
partículas negativas, denominadas elétrons, girando em torno de seu núcleo. A
camada mais afastada do núcleo do átomo é denominada camada de valência.
• Qualquer elétron que tenha deixado seu átomo de origem possui um estado de
energia mais alto do que qualquer elétron que continue na estrutura atômica.
12
AUTOATIVIDADE
1 Analise as sentenças e associe os itens, utilizando o código a seguir:
I- Silício.
II- +1.
III- Igual.
IV- 29.
( ) O átomo de cobre possui um núcleo com elétrons.

( ) Ao retirar um elétron de valência de um átomo de cobre, a sua carga líquida passa
a ser de .
( ) O semicondutor mais utilizado é o de .
( ) Em um semicondutor intrínseco o número de lacunas é ao/que o
número de elétrons livres.
Assinale a alternativa que apresenta a sequência CORRETA:

a) ( ) I – II – III – IV.
b) ( ) III – II – I – IV.
c) ( ) IV – I – III – II.
d) ( ) IV – II – I – III.
e) ( ) II – I – III – IV.
2 Com relação às impurezas, assinale a alternativa CORRETA:
a) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem três elétrons
de valência e as impurezas aceitadoras são compostas por elementos que
possuem quatro elementos de valência.
b) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem quatro
elétrons de valência e as impurezas aceitadoras são compostas por elementos
que possuem cinco elementos de valência.
c) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem cinco
elétrons de valência e as impurezas aceitadoras são compostas por elementos
que possuem três elementos de valência.
d) ( ) As impurezas doadoras são compostas por elementos que possuem três elétrons
de valência e as impurezas aceitadoras são compostas por elementos que
possuem cinco elementos de valência.
e) ( ) Nenhuma das alternativas anteriores está correta.
13
3 Analise as afirmativas e classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) O material do tipo p é formado pela dopagem de um cristal puro de silício ou germânio

com átomos de impureza que possuem cinco elétrons na camada de valência.
( ) Em um material do tipo n, as lacunas são chamadas de portadores majoritários e
os elétrons livres são chamados de portadores minoritários.
( ) Um material semicondutor que tenha passado pelo processo de dopagem é chamado
de material intrínseco.
( ) O germânio é o material mais utilizado como matéria-prima base na construção de
dispositivos eletrônicos.

a) ( ) V – V – V – V.
b) ( ) F – F – F – F.
c) ( ) V – V – F – F.
d) ( ) F – V – F – V.
e) ( ) V – F – V – F.
4 Um material necessita de 6 eV de energia para mover uma carga de 10 pC. Determine

a diferença de potencial envolvida.
5 Sabendo-se que são necessários 80 eV de energia para mover uma carga com uma
diferença de potencial de 4 mV, determine o valor da carga.
6 Considerando um sólido de silício puro em temperatura ambiente com ni = 1015 cm-3,

ao executar a dopagem com um material que possui ND = 1025 cm-3 , quais serão
aproximadamente a concentração de elétrons livres e lacunas? O semicondutor será
do tipo n ou do tipo p? Justifique sua resposta.
7 Analise as afirmativas e assinale a alternativa INCORRETA:
a) ( )
O átomo de cobre possui um elétron em sua camada de valência
b) ( )
O átomo de silício possui 14 elétrons em seu núcleo.
c) ( )
O átomo de silício possui quatro elétrons em sua camada de valência.
d) ( )
Se, em um cristal de silício puro existir 1010 elétrons livres, então existirão também
1010 lacunas.
e) ( ) Se o silício for dopado com um elemento pentavalente, ele será chamado de
semicondutor do tipo p.
8 Associe os itens, utilizando o código a seguir:
I- Material do tipo p.
II- Elementos trivalentes.
III- Semicondutor extrínseco.
IV- Material do tipo n.
V- Elementos pentavalentes.
14
( ) O número de lacunas excede o número de elétrons livres.
( ) O número de elétrons livres excede o número de lacunas.
( ) São átomos com cinco elétrons em sua camada de valência.
( ) São átomos com três elétrons em sua camada de valência.
( ) Um semicondutor dopado.

a) ( ) I – II – III – IV – V.
b) ( ) I – V – IV – III – II.
c) ( ) IV – I – V – III – II.
d) ( ) IV – I – V – II – III.
e) ( ) I – IV – V – II – III.
9 Assinale a alternativa CORRETA:
a) ( ) Um semicondutor do tipo n é negativamente carregado.

b) ( ) Um semicondutor do tipo p é positivamente carregado.
c) ( ) Um semicondutor do tipo n é positivamente carregado.
d) ( ) Um semicondutor do tipo p é negativamente carregado.
e) ( ) Um semicondutor do tipo n é neutro.
10 Considerando que as lacunas são portadores minoritários, assinale a alternativa

CORRETA:
a) ( ) Semicondutores do tipo p.
b) ( ) Semicondutores do tipo n.
c) ( ) Semicondutores Intrínsecos.
d) ( ) Semicondutores extrínsecos.
e) ( ) Nenhuma das alternativas anteriores está correta.
15
16
DIODOS
1 INTRODUÇÃO
Um semicondutor do tipo p sozinho, assim como um semicondutor do tipo n,
pode ser utilizado como um resistor de carbono. Entretanto, quando um cristal é dopado,
de modo que contenha as duas características (metade do tipo p e metade do tipo n),
ele toma características específicas e extremamente importantes (MALVINO, 2007).
A região de contato entre as duas características (semicondutor do tipo p e

do tipo n) é chamada de junção pn. A junção pn é a base para uma enorme variedade
de dispositivos, podendo-se citar os diodos, os transistores e os semicondutores.
Desse modo, entendendo a junção pn, compreende-se também o funcionamento dos
dispositivos semicondutores.
2 DIODO SEMICONDUTOR
Ao dopar o material de modo que contenha as duas características (ou seja,
realizar a “união” do material semicondutor do tipo p com o material semicondutor
do tipo n), aparecerá uma região de junção (Figura 11) na borda em que os materiais
semicondutores do tipo p e n se encontram – outro nome dado a junção pn é diodo de
junção, uma vez que diodo é tido como a concentração de dois eletrodos (di = dois).
Ao ocorrer a união dos dois materiais, existe uma combinação entre os elétrons
livres e as lacunas da região de junção, ou seja, alguns elétrons livres, pertencentes
ao semicondutor do tipo n, atravessam a região de junção e preenchem algumas das
lacunas pertencentes ao semicondutor do tipo p. Como resultado dessa transição de
cargas, há o surgimento de uma região chamada de camada de depleção (Figura 11),
onde é possível notar os círculos cinzas que representam as lacunas preenchidas com
os elétrons livres, que deixam de estar disponíveis para serem portadores de corrente.
A região em torno da junção dos materiais n e p (camada de depleção) é escassa de
portadores livres.
17
FIGURA 11 – CAMADA DE DEPLEÇÃO DO DIODO
Se ligarmos terminais às extremidades de cada material, o resultado será um

dispositivo com dois terminais, com três possíveis opções: sem polarização, polarização
direta e polarização reversa. A polarização refere-se à aplicação de uma tensão externa
aos terminais com o objetivo de extrair uma resposta.
2.1 DIODO NÃO POLARIZADO

As situações apresentadas nas Figuras 11 e 12 são de um diodo sem polarização,
ou seja, sem a aplicação de uma tensão entre os terminais (V = 0 V). Em outras palavras,
é simplesmente um diodo sobre uma bancada de laboratório. A ausência de uma tensão
entre os terminais do diodo resulta em ausência de corrente (I = 0 A), semelhante a um
resistor isolado. Algo importante a ser notado é que a polaridade da tensão aplicada
ao diodo (e da corrente) na Figura 12, tida como polaridade definida para o diodo
semicondutor e, sempre que a tensão aplicada for de mesma polaridade, consideraremos
tensão positiva, enquanto, se for o contrário (polaridade oposta ao apresentado na
Figura 12), consideraremos tensão negativa. O mesmo raciocínio pode ser utilizado para
a corrente (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 12 – SÍMBOLO DO DIODO (JUNÇÃO PN SEM POLARIZAÇÃO) COM A POLARIDADE DEFINIDA E O

SENTIDO DA CORRENTE
18
2.2 DIODO COM POLARIZAÇÃO REVERSA
Ao aplicarmos um potencial de V (volts) à junção pn, de modo que o terminal
negativo seja ligado ao material do tipo p e o terminal positivo, ao material do tipo n
(conforme Figura 13B), ocorrerá um aumento na região de depleção, pois o número
de elétrons livres no material tipo n irá aumentar devido à atração pelo polo positivo
conectado ao terminal do material do tipo n (como pode ser notado na Figura 13A);
de maneira análoga, ocorrerá um aumento de lacunas no material do tipo p, devido
à conexão do polo negativo ao terminal do material do tipo p. Em decorrência dessas
condições, a região de depleção irá aumentar, dificultando a movimentação de portadores
majoritários e, dessa forma, reduzindo o fluxo à praticamente zero – portanto, I ≅ 0 A.
FIGURA 13 – JUNÇÃO PN REVERSAMENTE POLARIZADA: DISTRIBUIÇÃO INTERNA DE CARGAS SOB CONDIÇÕES

DE POLARIZAÇÃO REVERSA (A) E POLARIDADE DE POLARIZAÇÃO REVERSA E SENTIDO DA CORRENTE DE
SATURAÇÃO REVERSA (B)
A corrente de saturação reversa é a corrente existente em condição de

polarização reversa, Is – vale a pena observar que o sentido dessa corrente é oposto ao
sentido da corrente convencional do diodo (o que pode ser observado comparando-se
o sentido das correntes das Figuras 12 e 13).
Normalmente, o valor de Is tem alguns microampères (µA), expresso em

nanoampères (nA), tendo como exceção dispositivos de alta potência. Na Figura 14 (VD
< 0 V), é possível perceber que o nível de corrente reversa é rapidamente alcançado e
se mantém praticamente inalterado com a variação da tensão – daí o termo saturação.
Um método alternativo para descobrir se o diodo está em polarização direta ou reversa
é analisar que, em polarização reversa, o terminal positivo está conectado ao material
semicondutor do tipo n e o terminal negativo, ao material semicondutor do tipo p
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) – os destaques mostram que temos letras opostas na
situação de polarização reversa.
19
FIGURA 14 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO SEMICONDUTOR DE SILÍCIO
2.3 DIODO COM POLARIZAÇÃO DIRETA

O diodo “ligado” ou com polarização direta ocorre com a aplicação de uma
diferença de potencial entre os terminais do diodo, de modo que o terminal positivo
esteja conectado ao material semicondutor do tipo p e o terminal negativo, ao material
semicondutor do tipo n.
Analisando a Figura 15A, percebe-se que, aplicando a polarização direta nos

terminais do diodo semicondutor, as lacunas no material semicondutor do tipo p e os
elétrons livres no material semicondutor do tipo n se recombinam com os íons próximos
à fronteira dos dois materiais, diminuindo a região de depleção. A Figura 15B apresenta
a simbologia do diodo com polarização direta e a direção da corrente.
O fluxo dos portadores minoritários resultante (elétrons do material semicondutor

do tipo p para o material semicondutor do tipo n e de lacunas do material semicondutor
do tipo n para o material semicondutor do tipo p) não foi alterado em magnitude, uma
vez que o controle da condução ocorre, principalmente, em função do pequeno número
de impurezas adicionadas ao material. Por outro lado, a redução da região de depleção
20
resulta em um grande fluxo de portadores majoritários através da junção, de modo que
os elétrons do material semicondutor do tipo n recebem uma enorme atração com o
potencial positivo aplicado no material semicondutor do tipo p, cada vez maior à medida
que a camada de depleção diminui com o aumento da diferença de potencial aplicada
aos terminais – fenômeno que visto na Figura 14.
FIGURA 15 – JUNÇÃO PN DIRETAMENTE POLARIZADA: DISTRIBUIÇÃO INTERNA DE CARGAS SOB CONDIÇÃO

DE POLARIZAÇÃO DIRETA (A) E POLARIDADE DE POLARIZAÇÃO DIRETA E SENTIDO DE CORRENTE
RESULTANTE (B)
Analisando a Figura 14, é possível perceber que o diodo de silício real em

polarização direta possui, no máximo, uma queda de tensão de 1 V. Além disso, nota-se
que sua corrente é medida em mA e possui uma subida rápida após o seu “joelho”.
A equação de Shockley (Equação 4) pode ser utilizada para definir as

características do diodo semicondutor nas regiões de polarização reversa e direta:
(Eq. 4)
Em que Is é a corrente de saturação reversa; VD é o valor da polarização direta

aplicada ao diodo; n é um fator de idealidade em função da construção física e condições
de operação e varia de 1 a 2 – neste livro, adotaremos n = 1, salvo casos em que for
especificado outro valor; VT é a tensão térmica (determinada pela Equação 5).
(Eq. 5)
Em que k é a constante de Boltzmann (k = 1,38 x 10-23 J/K); TK é a temperatura

absoluta, em Kelvin (Temperatura (K) = Temperatura (°C) + 273); q é a magnitude da
carga eletrônica (1,6 x 10-19 C).
21
Um ponto importante a ser lembrado é que o valor da corrente de saturação
reversa que aparece na equação de Shockley costuma ser mensuravelmente menor que
o real de um diodo comercial, em virtude de diversos fatores, sendo possível destacar
a corrente de fuga, a geração de portadores na região de depleção, a sensibilidade à
temperatura etc.
2.4 REGIÃO DE RUPTURA

A região de ruptura está relacionada ao valor máximo de tensão que podemos
aplicar quando se está inversamente polarizado, sem que ocorram danos. Para uma
gama grande de diodos, o valor da tensão de ruptura é de 50 V, mas pode ser diferente
e consta no datasheet (folha de dados) (MALVINO, 2007).
Por meio da análise da Figura 16, à medida que aumentamos a tensão de

polarização reversa sobro o diodo, a corrente de polarização reversa se mantém
praticamente constante até atingir a tensão de ruptura (tensão zener), quando ocorre um
efeito avalanche que força os portadores minoritários a se moverem mais rapidamente,
ocasionando a colisão dos portadores minoritários com átomos do cristal e resultando
no aparecimento de elétrons livres através de um processo geométrico (ou seja, um
elétron livre libera um elétron de valência e, posteriormente, os dois elétrons livres
liberam dois elétrons de valência, obtendo-se quatro elétrons livres, os quais liberam
mais quatro elétrons de valência etc.); em outras palavras, um processo de ionização
faz com que os elétrons de valência dos átomos absorvam uma quantidade de energia
suficiente para que deixem o átomo de origem.
FIGURA 16 – CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO COM A REGIÃO DE RUPTURA
22
A região de avalanche, designada como região zener (Figura 16), possui potencial
de ruptura VBV. É possível aproximar a curva apresentada na região zener do eixo vertical
através do aumento da dopagem dos materiais semicondutores do tipo p e do tipo n.
Existe um outro mecanismo chamado de ruptura zener, que ocorre quando o potencial
de ruptura alcança níveis muito baixos e, assim, isso pode perturbar as forças de ligação
no interior do átomo, devido à grade do campo elétrico na região de junção dos materiais
semicondutores do tipo n e do tipo p, “gerando” portadores. Mesmo que o mecanismo de
ruptura zener tenha principal relevância em baixos níveis de VBV, a região com acentuada
mudança para quaisquer valores é conhecida como região zener e os diodos que são
embasados somente nessa região da curva são conhecidos como diodos zener.
É importante lembrar que é possível exceder a tensão de ruptura do diodo

sem que obrigatoriamente o danifique – enquanto o produto da corrente reversa pela
potência reversa não for maior que a faixa de potência do diodo. Já a tensão de pico
inversa (PIV, sigla do inglês Peak Inverse Voltage), ou tensão de pico reversa (PRV, sigla
do inglês Peak Reverse Voltage), refere-se ao potencial máximo de polarização reversa
que pode ser aplicado ao diodo antes de ingressar na região de ruptura.
2.5 CONSIDERAÇÕES IMPORTANTES

Sabemos que a temperatura ambiente e a temperatura de junção do diodo,
quando este está conduzindo (polarizado diretamente) são diferentes, sendo a
temperatura interna superior devido ao calor gerado pela recombinação. Desse modo,
podemos perceber que, à medida que a temperatura aumentar, ocorrerá um aumento
no número de elétrons livres e lacunas nas regiões dopadas, diminuindo a barreira de
potencial na junção. Segundo Malvino (2007), podemos estabelecer uma regra para a
barreira de potencial de um diodo de silício, a qual diminui 2 mV para cada aumento de
1 °C, portanto,
(Eq. 6)
O diodo em polarização reversa apresenta um aumento na barreira potencial

(região de depleção), do ponto de vista de energia, segundo Malvino (2007), quanto
maior a temperatura de junção, maior será a corrente de saturação reversa, sendo uma
aproximação útil “Is dobrar a cada aumento de 10 °C”; se a variação de temperatura for
menor que 10 °C, deve-se considerar a variação da corrente de saturação de 7% para
cada °C de aumento, escrevendo na forma de equação:
Porcentagem de ΔIs = 100% para cada aumento de 10°C (Eq. 7)

Porcentagem de ΔIs = 7% por °C (Eq. 8)
23
Quando o diodo está polarizado reversamente, haverá a corrente de portadores
minoritários, porém existe uma outra pequena corrente que circula pela superfície do
cristal conhecida como corrente de fuga da superfície, proveniente das impurezas da
superfície e das imperfeições na superfície do cristal. A corrente de fuga da superfície
(ISL) é diretamente proporcional à tensão inversa (VR) aplicada ao diodo, de modo que é
possível definir a resistência de fuga (RSL) como:
(Eq. 9)
O silício não é o único material semicondutor de base, tendo grande relevância

também o germânio (Ge) e o arseneto de gálio (GaAs) – a Figura 17 mostra as características
reais de cada diodo (e não obtidas através da Equação 4). As curvas são semelhantes na
forma, mas diferem muito em magnitude, tanto em polarização direta como em polarização
reversa (tanto corrente quanto tensão). Além disso, possui valores bem distintos para o
joelho (VK ,K-Knee, joelho em inglês), sendo de aproximadamente 0,3 V para o germânio,
0,7 V para o silício e 1,2 V para o arseneto de gálio. Um dado importante está relacionado
à velocidade (mobilidade do elétron μn), sendo de 1.500, 3.900 e 8.500 cm2 / V . s para o
silício, germânio e arseneto de gálio, respectivamente. Desse modo, percebe-se que os
diodos de GaAs são mais de cinco vezes mais rápidos que os diodos de Si, sendo mais
utilizados em situações com necessidade de alta velocidade de resposta.
FIGURA 17 – CURVA PARA OS DIODOS COMERCIAIS DE SI, GE E GAAS
24
2.6 RESISTÊNCIA DO DIODO
A seguir, veremos as resistências CC (Corrente Contínua) e CA (Corrente
Alternada) de um diodo ou, em outras palavras, a resistência estática e a resistência
dinâmica do diodo, respectivamente.
2.6.1 Resistência CC ou estática

Trata-se da resistência obtida através de um ponto na curva característica do
diodo quando este pertence a um circuito que recebe uma carga CC (Figura 18). A
resistência CC do diodo, RD, pode ser obtida através da relação da tensão sobre o diodo,
VD, e a corrente sobre o diodo, ID , sendo independente da forma da curva que circunda
o ponto de interesse. Esse ponto pode ser chamado de ponto Q (quiescente –
“estacionário ou invariável”). Matematicamente, a resistência CC pode ser expressa por:
(Eq. 10)
Tipicamente, a resistência estática de um diodo ativo varia entre

aproximadamente 10 e 80 Ω, sendo que os valores da resistência CC serão maiores
abaixo do joelho e na região de polarização reversa.
FIGURA 18 – EXEMPLO DE UM PONTO DE OPERAÇÃO PARA DETERMINAÇÃO DA RESISTÊNCIA CC DE UM DIODO
2.6.2 Resistência CA ou dinâmica

A situação será completamente diferente ao aplicarmos uma entrada senoidal
ao circuito contendo o diodo, alterando constantemente dentro de um intervalo
circundando o ponto de operação (quiescente – Q) (Figura 19).
25
FIGURA 19 – DEFINIÇÃO DA RESISTÊNCIA DINÂMICA OU CA (A) E DETERMINAÇÃO DA RESISTÊNCIA CA EM
UM PONTO Q (B)
Analisando a Figura 19, temos a representação do modo de determinação da

resistência CA graficamente, em que podemos verificar a construção de uma reta
tangente ao ponto Q, que é o ponto central dentro da variação da tensão e da corrente
sobre o diodo, sendo importante manter as distancias ao ponto Q equidistantes e a
menor variação da corrente e tensão que for possível. Na Figura 19B, é apresentada a
determinação da resistência CA, que é dada pela razão da variação da tensão sobre o
diodo pela variação da corrente do diodo, matematicamente:
(Eq. 11)
Entretanto, segundo uma definição básica de cálculo “a derivada de uma função

em um ponto é igual à inclinação da linha tangente traçada neste ponto” (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013, p. 22). Portanto, calculando a derivada da Equação 4 e considerando
ID ≫ IS , obtemos:
Logo, a resistência é:
26
Substituindo n = 1 e VT ≅ 26 mV (exemplo resolvido 1), obteremos:
(Eq. 12)
Portanto, a resistência dinâmica pode ser obtida através da simples substituição

do valor quiescente do diodo na Equação 12.
3 CIRCUITOS EQUIVALENTES DO DIODO

Segundo Boylestad; Nashelsky (2013, p. 24), “um circuito equivalente é uma
combinação de elementos adequadamente escolhidos para melhor representar as
características reais de um dispositivo ou sistema em determinada região de operação”.
Para o diodo, podemos ter três modelos: modelo linear por partes, modelo simplificado
e dispositivo ideal.
3.1 MODELO LINEAR POR PARTES

É obtido aproximando a curva característica do diodo por segmentos de reta.
Conforme mostra a Figura 20A, os segmentos não descrevem exatamente a curva,
principalmente na região do joelho, porém resultam em uma boa aproximação para o
comportamento real do dispositivo.
Analisando a Figura 20B, percebe-se uma resistência que se associa à região

inclinada – trata-se da resistência CA média. O símbolo do diodo ideal vem para
estabelecer o sentido da corrente única quando o dispositivo está ligado, pois, em
condições de polarização reversa, o diodo será considerado circuito aberto. A fonte de
tensão de 0,7 V com direção oposta à polarização direta vem para lembrar que o diodo
semicondutor de silício somente começa a conduzir após atingir uma polarização direta
de 0,7 V – tensão do eixo horizontal que deve ser ultrapassada para que o diodo entre
em condução (Figura 20A).
27
FIGURA 20 – DEFINIÇÃO DO CIRCUITO EQUIVALENTE LINEAR POR PARTES USANDO SEGMENTOS DE RETAS
PARA A APROXIMAÇÃO DA CURVA CARACTERÍSTICA (A) E COMPONENTES DO CIRCUITO EQUIVALENTE
LINEAR POR PARTES (B)
3.2 MODELO SIMPLIFICADO

O valor da resistência rav, na maioria das vezes, é muito inferior aos demais
componentes pertencentes ao circuito e pode ser desprezado. Remover o valor de
rav do circuito equivalente é o mesmo que considerar a curva apresentada na Figura
21A – o modelo mais utilizado em análise de circuitos semicondutores. Na Figura 21B,
apresentam-se os elementos do circuito equivalente reduzido.
28
FIGURA 21 – CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO PARA O DIODO CONDUTOR DE SILÍCIO (A) E
COMPONENTES DO CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO (B)
3.3 MODELO IDEAL

O modelo ideal é uma simplificação do modelo simplificado, considerando o caso
em que é possível desprezar a queda de tensão de 0,7 V do diodo, por ser insignificante
em relação à tensão aplicada. Na Figura 22, são apresentados o circuito equivalente
linear e os componentes do circuito equivalente.
FIGURA 22 – CIRCUITO EQUIVALENTE SIMPLIFICADO PARA O DIODO CONDUTOR DE SILÍCIO (A) E COMPONENTES
DO CIRCUITO EQUIVALENTE IDEAL (B)
4 TESTE DO DIODO
Podemos testar um diodo semicondutor de diversos modos, os mais comuns
são: por meio do uso de um multímetro digital (função testes de diodo ou na função de
ohmímetro) e de um equipamento traçador de curva.
29
4.1 TESTE POR MULTÍMETRO DIGITAL
Ao utilizar um multímetro digital, podemos abordar o teste de dois modos: pela
função teste de diodo e pela leitura de resistência.
Para utilizar a função de teste de diodo do multímetro, é necessário colocar o

botão de seleção no símbolo do diodo (Figura 23A) e posicionar os eletrodos de teste
conforme apresenta Figura 23B, em que irá aparecer uma indicação de tensão de
polarização direta, caso o diodo semicondutor esteja em seu estado “ligado”. Como o
medidor possui uma fonte de corrente constante interna (aproximadamente 2 mA), ele
gerará uma queda de tensão sobre o diodo (Figura 23C). Caso o diodo esteja defeituoso
ou ocorra a inversão da posição dos eletrodos de teste, deverá aparecer uma indicação
OL, devido à equivalência a um circuito aberto.
Anteriormente, verificamos que a resistência do diodo semicondutor em

polarização reversa é muito superior à observada quando em polarização direta; desse
modo, colocando o campo de seleção do multímetro digital da Figura 23A em medição
de resistência (Ω) e realizando a medição da resistência com eletrodos, conforme
Figura 23B (polarização direta), espera-se obter uma resistência baixa, comparando-
se a medição com eletrodos em posição contrária à observada na Figura 23B. Caso as
medições de resistência em polarização direta e polarização reversa, provavelmente o
diodo está defeituoso, comportando-se em ambos os casos como circuito aberto. Por
outro lado, se ambas as medições apresentarem valores baixos, provavelmente o diodo
está em curto-circuito.
FIGURA 23 – MULTÍMETRO DIGITAL (A), POSIÇÃO DOS TERMINAIS DE TESTE (B) E CURVA APROXIMADA
PARA O DIODO DE SILÍCIO (C)
30
5 FOLHA DE DADOS
Para podermos utilizar, de forma correta, os dispositivos semicondutores, é
necessário o conhecimento de algumas características específicas, disponibilizadas
pelo fabricante em um arquivo chamado datasheet ou folha de dados, no qual os dados
podem ser apresentados por uma breve descrição (normalmente, no máximo, uma
página) ou por uma análise completa (apresentando tabelas, gráficos etc.).
Segundo Boylestad; Nashelsky (2013), em ambos os casos, existem alguns

dados que são necessários para uma correta utilização do dispositivo semicondutor.
São eles:
• Tensão direta, VF , em condições específicas de temperatura e corrente.

• Corrente direta máxima, IF , em condição específica de temperatura.
• Corrente de saturação reversa, IR , em condições específicas de temperatura e tensão.
• Tensão reversa nominal, PIV ou PRV ou V(BR), em condição específica de temperatura.
• Dissipação máxima de potência, em condição específica de temperatura.
• Níveis de capacitância.
• Tempo de recuperação reversa, trr.
• Faixa de temperatura de operação.
Caso a potência máxima ou dissipação nominal, PDmáx, for disponibilizada, será

considerada de acordo com a Equação 13, em que VD e ID são a tensão e a corrente,
respectivamente, do diodo em um ponto específico de operação.
(Eq. 13)
Frequentemente, utilizamos o modelo simplificado do diodo semicondutor para

algumas aplicações específicas; logo, é possível substituir o valor de VD da equação 13,
considerando um diodo semicondutor de silício VD = VT = 0,7 V; portanto, a Equação 13 fica:
(Eq. 14)
Nas Figuras 24 e 25, são apresentados os dados referentes a um diodo

semicondutor de baixa fuga e alta tensão. Pode-se notar, na Figura 24, algumas áreas
destacadas e divididas entre as letras de A e H, em que:
• A apresenta a tensão de polarização reversa mínima do diodo e sua corrente de

polarização reversa específica.
• B mostra as características de temperatura do componente (faixa de temperatura
máxima de armazenamento, temperatura máxima de operação das junções e
máxima temperatura dos terminais).
31
• C está relacionado ao valor da máxima dissipação de potência em temperatura
ambiente (25 °C), que também pode ser determinado pela Equação 4, e ao fator
de redução de potência, para temperaturas acima da de referência (temperatura
ambiente ou 25 °C – conforme Figura 25A).
• D refere-se ao valor da corrente direta contínua máxima, IF, sendo que a Figura 25B
apresenta um gráfico com a variação da corrente direta de acordo com a tensão direta,
podendo-se notar um aumento rápido da tensão em pequenos incrementos de tensão.
• E demonstra os valores de tensão direta, VF, em temperatura ambiente (25 °C), em
que, quanto maior é a corrente de polarização direta aplicada, maior será a tensão
de polarização;
• F mostra os valores da corrente de polarização reversa, IR, em que é possível verificar
que a mesma variação de tensão em 25 °C provoca uma menor variação da IR em
125 °C. Nas Figuras 25C e D, é possível notar a variação da tensão reversa em função
da corrente reversa e a variação da corrente reversa em função da temperatura,
respectivamente (é preciso cuidado nas análises do gráfico, devido a estar em escala
logarítmica, pode parecer que a variação é muito menor que a real.
• G apresenta o valor máximo da capacitância em condição específica de teste; o
gráfico da Figura 25 mostra a variação da capacitância em função da variação da
tensão reversa, podendo-se notar uma grande variação à medida que a tensão de
polarização aumenta;
• H corresponde ao tempo máximo de recuperação reversa em condições específicas
de teste, sendo um fator importante a ser analisado que pode comprometer o
desempenho do projeto.
32
FIGURA 24 – CARACTERÍSTICAS ELÉTRICAS DE UM DIODO SEMICONDUTOR DE BAIXA CORRENTE DE FUGA
E ALTA TENSÃO
33
FIGURA 25 – CARACTERÍSTICAS DE UM DIODO DE ALTA TENSÃO
34
6 DIODO ZENER
É um tipo de diodo amplamente utilizado em sistema de regulagem de tensão.
Sua curva característica e símbolo podem ser observados na Figura 26. É importante
salientar a similaridade dos símbolos dos diodos, sendo a única diferença pelo cátodo
ter duas linhas adicionais remetendo ao formato da letra Z. A fabricação dos diodos
zener ocorre de modo que regulem a tensão entre 3,3 a 200 V (um exemplo é o 1N4733,
que é um regulador de tensão de 5,1 V) (SCHULER, 2013).
FIGURA 26 – CURVA CARACTERÍSTICA E SÍMBOLO PARA UM DIODO ZENER
Se o diodo zener estiver sendo utilizado com polarização direta, seu

comportamento será semelhante a um diodo comum, porém, quando estiver operando
em polarização reversa, efetuará a regulação de tensão conforme projetado. Em um
diodo zener, a corrente flui do cátodo para o anodo (oposto ao diodo comum).
A Figura 27 ilustra uma característica importante do diodo zener: uma grande

mudança na corrente sobre o diodo zener irá causar uma pequena mudança na variação
da tensão, tornando a tensão do diodo zener em sua faixa de operação praticamente
estável.
35
FIGURA 27 – AMPLIAÇÃO DA CURVA DE OPERAÇÃO DO DIODO ZENER
7 DIODO EMISSOR DE LUZ

No início do século XX, foi observada, pela primeira vez, a emissão de luz de um
material sólido quando excitado por uma fonte de tensão – fenômeno denominado de
eletroluminescência. É importante observar que a emissão de luz ocorre em temperatura
ambiente, diferentemente da incandescência que ocorre em altas temperaturas
(LORENZ; MARQUES; MONTEIRO, 2016).
Também conhecidos como LED (sigla do inglês Light Emitting Diode), os diodos
emissores de luz emitem luz visível ou invisível (infravermelho) quando energizados e são
compostos por diferentes camadas de semicondutores em estado sólido. Em qualquer
polarização direta de uma junção pn, existe uma recombinação de elétrons e lacunas
próximo à junção e dentro da estrutura, efeito que exige a mudança de estado da energia
do elétron livre não ligado, sendo que, na forma de calor ou fótons (Figura 28), será
dependente da banda de energia entre os materiais semicondutores e o comprimento
de onda da radiação emitida (MARTELETO, 2011). Em diodos de Si e Ge, a maior parte da
energia é convertida em calor, sendo a luz emitida insignificante, porém diodos de GaAs
emitem luz invisível na zona de infravermelho durante esse processo de recombinação.
36
FIGURA 28 – ESQUEMA DE FUNCIONAMENTO DE UM LED
FONTE: Marteleto (2011, p. 51)
Por meio de combinações de elementos (dopagem com gálio, alumínio, arsênio,

zinco, fósforo, índio e nitrogênio), é possível obter o espectro desde o ultravioleta até o
infravermelho. A Tabela 1 apresenta algumas cores de LED, os compostos responsáveis
e a tensão direta que deve ser aplicada a cada um deles.
TABELA 1 – DIODOS EMISSORES DE LUZ
Cor Construção Tensão direta comum (V)
Âmbar AlInGaP 2,1

Azul GaN 5,0
Verde GaP 2,2
Laranja GaAsP 2,0
Vermelho GaAsP 1,8
Branco GaN 4,1
Amarelo AlInGaP 2,1
37
DICA
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) A uma temperatura de 27 °C (temperatura comum

para os componentes em um sistema operacional encapsulado), determine a
tensão térmica (VT).
R.: Por meio do enunciado, a temperatura é de 27 °C, logo, para podermos aplicar a Equação
5, é necessário a transformar em Kelvin:
TK = T°C + 273
TK = 27 + 273 = 300 K
Aplicando a Equação 5:
Portanto, VT ≅ 26 mV.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito apresentado na figura a seguir,

determine o valor da resistência CC e da resistência CA em ID = 2 mA e ID = 25 mA, e
compare os resultados.
FIGURA PARA EXEMPLO 2
38
R.: Inicialmente, determinaremos o valor das resistências CC. Analisando o gráfico, podemos
localizar os dois pontos quiescente, sendo eles:
ID = 2 mA e VD = 0,7 V
Para a resistência CC, aplica-se a Equação 10:
Cálculo da resistência CA – ID = 2 mA
Para determinarmos a resistência CA, é necessário utilizar dois pontos equidistantes do
ponto quiescente que pertencem à reta tangente que passa por Q.
Nesse caso, foi adotada uma amplitude de 2 mA em relação ao ponto Q, sendo possível
encontrar os valores ID1 = 0 mA e VD1 = 0,65 V e ID2 = 4 mA e VD = 0,76 V.
Portanto,
ΔId = ID2 - ID1 = (4 - 0) mA = 4 mA

ΔVd =VD2 - VD1= (0,76 - 0,65) V = 0,11 V
Aplicando-se a Equação 11:
Entretanto, é possível determinar rd pela Equação 12:
Foi multiplicado por dois, devido a estarmos na região do joelho, em que n = 2, e não n = 1
quando determinada a equação.
A diferença entre os valores encontrados pode ser tratada como uma contribuição de rB,
que é a resistência de corpo (resistência do material semicondutor) somada à resistência
de contato (conexão entre o material metálico externo com o material semicondutor).
ID=25 mA
Com raciocínio análogo, adotou-se uma amplitude de 5 mA em relação ao ponto Q, em que

é possível encontrar os valores ID1 = 20 mA e VD1 = 0,78 V e ID2 = 30 mA e VD=0,8 V.
Portanto,
ΔId = ID2 - ID1= (30 - 20) mA = 10 mA
ΔVd = VD2 -VD1 = (0,8 - 0,78) V = 0,02 V
39
Aplicando a Equação 11,
Analisando os valores das resistências encontradas, percebe-se que, em ambos os casos, o

valor da resistência CC é muito maior que o valor da resistência CA.
40
RESUMO DO TÓPICO 2
• Quando o material é dopado de uma forma que contém ambas as características (ou
seja, o material semicondutor tipo p é "combinado" com o material semicondutor tipo
n), a região de junção aparecerá na borda da junção.
• Outro nome para a junção de material-pn, a qual os semicondutores do tipo caneta

se conformam é diodo de junção, porque um diodo é considerado a concentração de
dois eletrodos (di = dois).
• Quando o diodo é ligado (polarização direta), a temperatura ambiente e a temperatura

da junção são diferentes, e a temperatura interna é maior devido ao calor gerado pela
recombinação.
• Portanto, podemos ver que, à medida que a temperatura aumenta, o número de

elétrons livres e lacunas na região dopada aumentam, reduzindo assim a barreira de
potencial na junção.
• O circuito equivalente é apropriadamente selecionado para representar melhor as

características reais do dispositivo ou sistema em uma determinada área de operação.
41
AUTOATIVIDADE
1 Supondo uma barreira de potência de 0,6 V com uma temperatura ambiente de
30 °C, determine o valor da barreira de potencial de um diodo de silício quando a
temperatura de junção for de:
a) 100 °C.
b) 50 °C.
c) 0 °C.
2 Para um diodo de silício, determine a corrente de saturação a 100 °C, quando IS = 12

nA em 32 °C.
3 Considerando um diodo com corrente de fuga da superfície de 3 nA, com polarização

inversa de 30 V. Determine a corrente de fuga na superfície para uma polarização
inversa de 50 V.
4 Sabendo que a corrente do diodo é de 4 mA e n = 1, determine a corrente de saturação

reversa, Is, sabendo que a tensão aplicada é igual a 1 V em temperatura de 27 °C.
5 Sabendo que um diodo possui ID = 9 mA, VT = 26 mV, n = 1 e Is = 7 nA, determine o valor

da tensão aplicada a esse diodo.
6 (SCHULER, 2013) Deseja-se selecionar um resistor limitador de corrente para um

circuito automotivo, o qual é necessário uma circulação de 15 mA pelo diodo e que
utiliza 12 V de alimentação, assumindo que a queda sobre o diodo é de 2 V.
7 (MALVINO, 2007) Observe a tabela, a seguir, apresenta alguns diodos e suas

especificações de pior caso. Determine a resistência CC direta e reversa para cada
um dos diodos.
Diodo IF IR
1N914 10 mA com 1 V 25 nA com 20 V
1N4001 1 A com 1,1 V 10 μA com 50 V
1N1185 10 A com 0,95 V 4,6 mA com 100 V
FONTE: Malvino (2007, p. 117)
42
8 Classifique V para as sentenças verdadeiras e F para as falsas:
( ) Um diodo que está conduzindo está inversamente polarizado.

( ) Um diodo com polarização direta possui uma corrente muito maior que se tivesse
com polarização reversa.
( ) A tensão de joelho de um diodo é aproximadamente igual à barreira de potencial.
( ) O diodo é um dispositivo linear.

a) ( ) F – V – V – F.
b) ( ) V – F – V – F.
c) ( ) F – V – F – V.
d) ( ) V – V – F – F.
e) ( ) F – F – V – V.
9 Assinale a alternativa CORRETA:
a) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente

de fuga da superfície.
b) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente
de fuga da superfície.
c) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores majoritários e na corrente
direta.
d) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente
direta.
e) ( ) A corrente reversa consiste na corrente de portadores minoritários e na corrente
de portadores majoritários.
10 Analise as sentenças a seguir:
I- Um diodo de silício polarizado diretamente quando analisado como um diodo ideal

apresenta uma queda de tensão de 0,7 V.
II- Diodo pode ser definido como um componente de dois terminais que permite que a
corrente circule em um único sentido.
III- A polarização direta do diodo expande a camada de depleção.
IV- Temperaturas elevadas aumentam o número de portadores minoritários e a corrente
de fuga do diodo.
Assinale a alternativa CORRETA:

a) ( ) As afirmativas I, II e IV estão corretas.
b) ( ) As afirmativas I e III estão incorretas.
c) ( ) As afirmativas II, III e IV estão corretas.
d) ( ) As afirmativas II, III e IV estão incorretas.
e) ( ) As afirmativas II e III estão corretas.
43
44
APLICAÇÕES DE DIODOS
1 INTRODUÇÃO
Após analisarmos a construção e funcionamento básico dos diodos, temos as
ferramentas necessárias para podermos expandir os estudos e analisar a sua função e
resposta em uma grande variedade de aplicações.
Quando trabalhamos com componentes eletrônicos, podemos utilizar as

características reais do equipamento ou usar um modelo aproximado do componente
sem prejudicar a análise do circuito.
Neste tópico, inicialmente, abordaremos as características reais do diodo e, em

seguida, será utilizado o modelo simplificado, mostrando que, na maioria das vezes,
pode ser empregado sem perder a generalidade. Entretanto, um ponto que se deve estar
claro é que trabalhamos com valores fechados: o resistor é de 100 Ω e, na realidade,
dentro de um lote, os valores podem variar, assim como a fonte de tensão pode não
ser precisamente o valor de 12 V, mas, sim, de 12,02 V – e essa pequena variação pode
modificar a saída.
2 ANÁLISE POR RETA DE CARGA

Considere o circuito série com diodo da Figura 29 e a curva característica do
diodo. Resolver o circuito é o mesmo que dizer que iremos determinar os valores de
tensão e corrente, que irão satisfazer ao diodo, e os parâmetros do circuito analisado
simultaneamente.
Para determinar a reta de carga, ou seja, a reta determinada pela tensão do

circuito e por sua carga, podemos voltar às definições matemáticas que dizem que, para
traçar uma reta, basta termos dois pontos. Os pontos mais fáceis de se determinar são
as interseções com os eixos coordenados. Para que possamos verificar esses valores, é
necessário ter a equação do circuito da Figura 29A.
Aplicando a lei das malhas de Kirchhoff no sentido anti-horário (sentido

apresentado na Figura 29A), obtemos:
45
Ou:
(Eq. 15)
FIGURA 29 – CONFIGURAÇÃO DO DIODO EM SÉRIE: CIRCUITO (A) E CURVA CARACTERÍSTICA (B)
As duas variáveis presentes na Equação 15 são as mesmas presentes nos eixos

coordenados na Figura 29B, deste modo podemos traçar graficamente a Equação 15
sobre ela. O modo mais fácil de traçarmos a curva de carga é percebendo que sobre o
eixo horizontal (eixo da tensão VD), ID = 0, e no eixo vertical (eixo da corrente ID = 0), VD = 0.
Portanto, substituindo os valores de VD =0 V e ID = 0 A na Equação 16, obtemos:
(Eq. 16)
E:
(Eq. 17)
46
Utilizando os valores das Equações 16 e 17, podemos traçar a curva de carga,
conforme Figura 30. O ponto de interseção entre as duas curvas é chamado de ponto
de operação ou ponto quiescente (Q). Desenhando uma linha horizontal (paralela ao eixo
da tensão VD), passando por Q, é possível determinar o valor de IDQ ), o valor da corrente
de operação do diodo, e traçando uma reta vertical (paralela ao eixo da corrente, ID) e
passando por Q, é possível determinar o valor de VDQ ) ou a tensão do diodo quiescente.
FIGURA 30 – DESENHANDO A CURVA DE CARGA E DETERMINANDO O PONTO DE OPERAÇÃO SOBRE A

CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO
3 CIRCUITOS COM DIODOS
3.1 CONFIGURAÇÕES COM DIODOS EM SÉRIE

Para a resolução de circuitos com diodo, utilizaremos o modelo equivalente
aproximado linear por partes, pois, se levarmos em conta temperatura, tolerância e
outras características importantes, é possível considerar respostas tão precisas quando
usando o modelo real. Para a resolução dos circuitos seguintes, consideraremos que a
resistência direta do diodo é muito pequena em relação a outros elementos do circuito
de modo a poder ser desprezada. Na Figura 31, é apresentado um resumo para as
configurações ideal e aproximada do diodo de silício.
Vale relembrar que a queda de tensão no diodo ligado depende do material

utilizado na fabricação, ou seja 0,7 V para o silício, 0,3 V para o germânio e 1,2 V para o
arseneto de gálio.
47
FIGURA 31 – MODELOS DE DIODO SEMICONDUTOR DE SILÍCIO APROXIMADO E REAL
Para a resolução de um circuito com diodo em série (Figura 32A) inicialmente

precisamos verificar se o diodo está ligado ou desligado, para realizar essa tarefa
devemos imaginar que no lugar do diodo existe uma resistência, e precisamos de uma
queda de tensão de 0,7 V (diodo de silício), como E>0,7 V=VK , podemos concluir que o
diodo está ligado.
FIGURA 32 – CONFIGURAÇÃO COM DIODO EM SÉRIE (A), DETERMINAÇÃO DO ESTADO DO DIODO (B) E
SUBSTITUIÇÃO DO MODELO EQUIVALENTE PARA O DIODO “LIGADO” (C)
FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 54-55)
Portanto, pela análise do circuito da Figura 32C, é possível concluir que:
(Eq. 18)
48
(Eq. 19)
(Eq. 20)
Caso o diodo seja polarizado inversamente (Figura 33A), como discutido no

Tópico 2, funcionará como um circuito aberto (Figura 33B), ou seja, como se o diodo
estivesse “desligado” e, desse modo, podemos verificar pela análise do circuito que IR =
0 A, VR =0 V e VD = E.
FIGURA 33 – DIODO POLARIZADO INVERSAMENTE (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE (B)
FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013)
3.2 CONFIGURAÇÃO COM O DIODO EM SÉRIE E EM SÉRIE-

PARALELO
Para a sua resolução é, basta aplicar as Leis de Kirchhoff ao circuito – mais
adiante, veremos um exemplo resolvido em que será apresentada uma configuração de
circuito série-paralelo e a resolução seguindo as leis de Kirchhoff.
Considerando o circuito apresentado na Figura 34, temos dois diodos em

paralelo com a saída Vo , de modo que é possível concluir que Vo= VD . Considerando E
suficientemente grande para manter o diodo ligado, podemos concluir que a corrente I1
= (E - VD)/ R, ou equivalentemente I1 = VR /R, onde VR = E - VD . Como os diodos são iguais,
podemos concluir que ID1 =ID2 = I1/2.
FIGURA 34 – CIRCUITO COM DIODO EM PARALELO
FONTE: Adaptada de Boylestad; Nashelsky (2013, p. 59)
49
4 APLICAÇÕES PRÁTICAS
4.1 RETIFICADORES DE MEIA-ONDA

Para ampliar um pouco a análise de circuitos eletrônicos, serão introduzidas
corrente e tensão alternadas. Na Figura 35, observamos o circuito de um retificador
de meia-onda, onde iremos inicialmente utilizar o modelo ideal do diodo na análise, de
modo a simplificar a matemática e aumentar a compreensão.
Ao analisarmos a tensão de entrada (Figura 35), percebemos que no período

T, um ciclo completo do sinal, o valor médio é igual a zero. Os diodos utilizados, nesse
modelo de circuitos, são chamados de diodos retificadores e costumam ser muito
superiores aos utilizados em circuitos eletrônicos de baixa potência.
Ao analisarmos a saída do sistema, podemos dividir em duas situações:
• Durante o intervalo de t = 0 até t = , conforme pode ser notado na Figura 36,

estaremos no semiciclo positivo do sinal; desse modo, polarizando diretamente o
diodo, como estamos analisando o circuito com um diodo ideal, não há queda de
tensão e a saída é exatamente igual a entrada, funcionando o diodo, nesse caso,
como um curto-circuito.
• Durante o intervalo de t = T/2 até t = T, conforme mostra a Figura 36, estaremos
no semiciclo negativo do sinal; desse modo, polarizando inversamente o diodo,
resultando em um circuito equivalente aberto.
FIGURA 35 – RETIFICADOR DE MEIA-ONDA
50
FIGURA 36 – ANÁLISE DA SAÍDA DE ACORDO COM A REGIÃO DE CONDUÇÃO
Analisando a circuito, é possível determinar o valor médio da tensão de saída,

como pode demonstrado pela Figura 37, dado por:
(Eq. 21)
Em que Vm é a tensão de pico da entrada.
FIGURA 37 – VALORES MÉDIOS DA TENSÃO DE ENTRADA E DA SAÍDA DE UM RETIFICADOR DE MEIA-ONDA

51
Caso seja utilizado um diodo de silício Vk = 0,7 V, a principal diferença é que,
nesse caso, é necessária uma tensão mínima para o diodo entrar em operação, estando
como circuito aberto em valores inferiores a Vk , quando em condução vo possui uma
diferença fixa em relação à vi igual à Vk , logo vo = vi - Vk , conforme pode ser visto na Figura
38. Em situações em que Vm ≫ Vk , podemos considerar com alto grau de precisão que:
(Eq. 21)
FIGURA 38 – EFEITO DE V NO RETIFICADOR DE MEIA-ONDA
4.2 RETIFICAÇÃO DE ONDA COMPLETA

O circuito mais simples é apresentado na Figura 39, que é considerado o diodo
ideal para facilitar a compreensão – mais adiante, veremos um exercício resolvido com
o diodo de silício.
Ao analisarmos a saída do sistema, podemos dividir em duas situações:
FIGURA 39 – RETIFICADOR DE ONDA COMPLETA EM PONTE

52
FIGURA 40 – CAMINHO SEGUIDO NAS REGIÕES POSITIVA E NEGATIVA DO SINAL DE ENTRADA E SAÍDA
RESULTANTE, CONSIDERANDO DIODO IDEAL
• Durante o intervalo de t = 0 até t = T/2, conforme pode ser notado na Figura 40,
estaremos no semiciclo positivo do sinal, fazendo com que os diodos D2 e D3
estejam diretamente polarizados (ligados) e os diodos D1 e D4 estejam inversamente
polarizados (aberto), como estamos analisando o circuito com um diodo ideal, não
há queda de tensão e a tensão na carga é exatamente igual à entrada (vo = vi ).
• Durante o intervalo de t = T/2 até t = T, conforme pode ser notado na Figura 40,
estaremos no semiciclo negativo do sinal, fazendo com que os diodos D1 e D4
estejam diretamente polarizados (ligados) e os diodos D2 e D3 estejam inversamente
polarizados (aberto), como estamos analisando o circuito com um diodo ideal, não
há queda de tensão e a tensão na carga é exatamente igual à entrada, porém com
polaridade oposta (vo = vi ), gerando um segundo pulso positivo.
Com o dobro de sinal do eixo em relação ao retificador de meia-onda, o valor CC

também será dobrado, logo:
(Eq. 23)
4.3 CIRCUITOS CEIFADORES

Segundo Boylestad (2003, p. 69), “Ceifadores são circuitos que utilizam diodos
para ‘ceifar’ uma porção do sinal de entrada sem distorcer o restante da forma de onda
aplicada”.
53
Existem dois tipos gerais de ceifadores: em série e em paralelo, em que o diodo
se encontra em um ramo em série ou em paralelo, respectivamente, a carga. Na Figura
41, é apresentado um exemplo de circuito ceifador em série com duas formas de onda na
entrada, considerando o diodo do circuito como ideal, podemos perceber que a saída é muito
semelhante a um circuito retificador de meia-onda, que também é um circuito ceifador.
Na Figura 42, observamos a configuração mais simples de um circuito ceifador

em paralelo, a sua análise é semelhante à utilizada para a configuração em série – o que
será mais explorado nos exercícios resolvidos mais adiante.
FIGURA 41 – CIRCUITO CEIFADOR EM SÉRIE
FIGURA 42 – CIRCUITO CEIFADOR EM PARALELO
DICA
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para a configuração em série do diodo apresentada

na figura a seguir, determine os valores de VDQ , IDQ e VR , utilizando:
54
CIRCUITO PARA EXEMPLO 1 (A) E RETA DE CARGA DO DIODO DO EXEMPLO 1 (B)
a) Reta de carga
R.: O circuito é equivalente ao apresentado na Figura 29A, então podemos utilizar as equações
16 e 17 para determinar os pontos de interseção com os eixos coordenados. Logo:
Portanto, marcando esses pontos na figura B apresentada, e traçando a reta de carga,

obtemos a figura a seguir:
CURVA DE CARGA
55
Traçando retas paralelas aos eixos que passam pelo ponto Q (interseção das curvas), podemos
obter o valor da corrente e da tensão no ponto quiescente, ou ponto de trabalho. Logo:
VDQ ≅ 0,78 V
IDQ ≅ 18,5 mA
São valores aproximados devido à resolução do gráfico – quanto menor for a escala, mais
preciso serão os valores.
O valor da tensão no resistor é dado por:
VR = E - VD = 10 V - 0,78 V = 9,22 V
b) Modelo equivalente aproximado.
R.: Se utilizarmos o modelo aproximado, os pontos de interseção com os eixos são os

mesmos calculados anteriormente, porém o ponto quiescente mudará, conforme mostra
a figura seguinte:
RETA DE CARGA PARA MODELO APROXIMADO DO DIODO
Realizando procedimento análogo ao feito anteriormente, temos que:
VDQ = 0,7 V
IDQ ≅ 18,5 mA
Percebemos que a corrente é a mesma e o valor da tensão sobre o diodo difere em

centésimos e, em relação a muitos circuitos, será insignificante.
O valor de VR é dado por:
VR = E - VD = 10 V - 0,7 V = 9,3 V
56
2 Para o circuito apresentado na figura a seguir, determine VD , VR e ID quando:
a) E = 10 V.
R.: Com E = 10 V, percebemos que o circuito é equivalente ao apresentado na Figura 32A,

então, pelas equações 17, 18 e 19, temos:
VD = VK = 0,7 V
VR = E - VK = 10 V - 0,7 V = 9,3 V
CIRCUITO PARA O EXEMPLO 2
b) E = 0,6 V.
R.: Quando E = 0,6 V, a tensão é insuficiente para “ligar” o diodo, mesmo o diodo sendo
polarizado diretamente. Para facilitar o entendimento, o ponto de operação é apresentado
na figura a seguir, em que podemos perceber que o diodo não conduz, então o seu
comportamento será como circuito aberto. Desse modo, aplicando-se as Equações 17, 18
e 19, temos:
VD = E = 0,6 V
VR = E - VD = E - E = 0 V
57
PONTO DE OPERAÇÃO COM E = 0,6 V
FONTE: O Autor
3 Na figura, a seguir, existem dois LEDs que podem ser utilizados como detectores
de polaridades, de modo que a aplicação de uma tensão de polaridade positiva
resulta em luz verde e de polaridade negativa em luz vermelha. Determine o valor
de R, considerando uma corrente de 20 mA quando os diodos estiverem ligados.
Os diodos possuem uma tensão de ruptura reversa de 3 V e uma tensão média de
2 V, quando ligados.
CIRCUITO
R.: Ao aplicarmos uma tensão positiva, temos uma corrente convencional que coincide com
a seta do diodo verde, e como a tensão aplicada é superior à tensão necessária para ligar o
LED, teremos como resultado o apresentado na figura seguinte.
58
CONDIÇÕES OPERACIONAIS DO CIRCUITO
Ao aplicarmos a lei de Ohm ao circuito, obtemos:
Logo,
59
LEITURA
COMPLEMENTAR
DIODO ZENER E SUAS APLICAÇÕES
O diodo zener é uma variação de diodos comuns com junção PN projetado

especificamente para ser inversamente polarizada, funcionando como um dispositivo
de proteção ou um regulador de tensão. O objetivo desse artigo é explicar qual o
funcionamento do diodo zener, quais suas aplicações, o que são suas especificações e
quais os tipos disponíveis no mercado.
O que é o diodo zener?
Um diodo normal, quando é diretamente polarizado, permite a passagem de

corrente com uma pequena queda de tensão. Ao ser polarizado inversamente, o diodo
não permite a passagem de corrente, a menos que o valor de tensão ultrapasse o
valor de ruptura, isto é, o valor máximo de tensão reversa que o componente suporta,
causando a queima do diodo.
SIMBOLOGIA E FOTO DO DIODO ZENER
O diodo zener, é projetado para trabalhar sempre sendo inversamente polarizado,

com um objetivo: a partir do momento que a tensão de ruptura do componente é atingida,
a tensão fica constante, de forma que ele funciona como um regulador de tensão. É claro
que, se a tensão crescer demais, o diodo zener também vai queimar e entrar em curto.
Quando polarizado diretamente, o zener se comporta como um diodo comum.

Ao adquirir um diodo zener, é necessário verificar a tensão de regulagem, que vai se
manter constante em seus terminais, após polarizar inversamente, o componente com
uma tensão igual ou maior a tensão de regulagem. Verifique também a corrente mínima
e máxima de operação, para garantir que o componente funcionará adequadamente.
O diodo zener recebe esse nome por causa do cientista físico americano
Clarence Melvin zener (1905-1993), que foi o primeiro que descreveu a propriedade
elétrica que faz esse componente funcionar.
60
Curva característica do diodo zener
A curva da figura é genérica para qualquer diodo, mas, para o zener, vamos focar
na parte à esquerda, em que o componente é inversamente polarizado.
CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO ZENER
Quando a tensão reversa no componente é menor do que a tensão de ruptura do

zener, ele continua funcionando exatamente igual a um diodo comum. Entretanto, quando
o valor da tensão se aproxima da tensão de ruptura, o diodo começa a conduzir e absorver
a corrente. Mesmo tentando aumentar a tensão reversa nos terminais do componente, ela
se manterá constante (a menos que a corrente seja tão alta que extrapole as limitações
do componente, fazendo com que ele entre em curto). Portanto, o diodo zener quando
polarizado inversamente com uma tensão igual ou maior que a tensão de ruptura irá
manter a tensão constante em seus terminais, a chamada tensão zener.
Diferentemente dos diodos normais, a tensão de ruptura no zener é muito

menor, estando na casa de 2.4 V a 100 V, enquanto um diodo comum 1N4007 tem 1.000
V de tensão de ruptura.
Tipos e aplicações
Por conta de sua principal propriedade, isto é, manter a tensão constante após
a tensão em seus terminais atingir e ultrapassar a tensão de ruptura, o diodo zener
é amplamente utilizado como um regulador de tensão em circuitos eletrônicos. Com
ele, é possível garantir que a tensão esteja fixada em um determinado valor, garantindo
segurança ao projeto.
Em circuitos clipadores, o componente também é muito utilizado. Clipadores são

circuitos que permitem a passagem de um sinal de entrada sem nenhuma modificação
até que ele atinge um determinado valor de tensão, em que a saída passa a ser limitada.
61
Para utilizar o componente como um regulador de tensão, conecta-se ele
em paralelo com os terminais de saída da fonte, de forma que ele fique inversamente
polarizado.
O resistor Rs entre o zener e o positivo da fonte serve para limitar a corrente

que passa pelo diodo. Esse resistor deve ser dimensionado de acordo com a potência
máxima do diodo zener e a tensão da fonte. A partir disso, calcula-se a corrente que
pode fluir pelo circuito e, então, utilizando a Lei de Ohm, calcula-se o valor de resistência
necessário para o resistor Rs.
Para o circuito funcionar corretamente, a tensão de entrada Vin deve ser maior
que a tensão zener do diodo. Sem isso, o circuito não vai funcionar corretamente.
As tensões mais comuns para os diodos zener estão na Tabela 1. Os zeners de

até 500 mW, mais comuns em circuitos eletrônicos, seguem a mesma sequência de
valores usada nos resistores E24. Eles estão disponíveis em valores que vão de 2.4 V a
até mais ou menos 100 V.
TABELA 1: TENSÕES MAIS COMUNS PARA O DIODO ZENER
62
Além da tensão, é necessário levar em conta a corrente mínima e máxima de
operação do componente.
Quando a corrente é menor que a corrente mínima, o zener é incapaz de entregar

as suas principais propriedades, fazendo com que ele não funcione corretamente. Se
a corrente ultrapassar a corrente máxima, o componente entra em colapso e queima,
tornando-se inútil.
Quando ligados em série, a tensão zener nos componentes se soma. Nota-se

que, no circuito a seguir, entre os três diodos zener existe um diodo normal, que está
diretamente polarizado.
Quando um diodo normal é diretamente polarizado, existe uma queda de tensão

nele de 0,6 ou 0,7 volts. Por isso que, do ZD2 ao ZD3 a tensão cai de 10.6 V para 10 V.
63
A partir da ligação em série, é possível obter tensões diferentes das que estão
tabeladas, possibilitando a criação de fontes de tensão com saídas estabilizadas em
diversos valores.
FONTE: Adaptado de ATHOS ELECTRONICS. Diodo zener e suas aplicações. Athos Electronics. Disponível em:
https://athoselectronics.com/diodo-zener-e-suas-aplicacoes/. Acesso em: 27 mar. 2021.

64
RESUMO DO TÓPICO 3
• O diodo conduz em apenas uma direção, como se fosse uma rua de corrente
unidirecional. Quando polarizada na direção correta, ou seja, polarização direta, a
corrente flui normalmente, mas a queda de tensão é pequena.
• Analisar o circuito é o mesmo que dizer que é necessário determinar os valores de

tensão e corrente que atendem ao diodo e analisar os parâmetros do circuito ao
mesmo tempo.
• Para determinar a linha de carga, ou seja, a linha determinada pela tensão do circuito
e sua carga, podemos retornar à definição matemática, ou seja, para traçar uma linha,
basta ter dois pontos. O ponto mais fácil de determinar é o ponto de intersecção com
o eixo das coordenadas.
65
AUTOATIVIDADE
1 Determine o valor de Vo e ID para o circuito em série da figura a seguir.
FONTE: Adaptada de Boylestad; Nashelsky (2013)
2 Determine o valor de V0 da figura a seguir.
3 Determine o valor de ID ,VD2 e Vo para o circuito apresentado na figura a seguir.
66
4 Determine a forma de onda da saída para o circuito da figura a seguir.
67
REFERÊNCIAS
ATHOS ELECTRONICS. Diodo zener e suas aplicações. ATHOS ELECTRONICS.
Disponível em: https://athoselectronics.com/diodo-zener-e-suas-aplicacoes/.
Acesso em: 11 jan. 2021.
BOYLESTAD, R. L.; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria dos Circuitos.

11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil; 2013. Disponível em: https://
www.academia.edu/44212475/Dispositivos_ElEtr%C3%B4nicos_E_TEORIA_DE_
CIRCUITOS_11a_Edi%C3%A7%C3%A3o. Acesso em: 27 mar. 2021.
GALDINO, J. C. S. Eletrônica Analógica – Aula 1. Rio Grande do Norte: Instituto

Federal de Educação, Ciência e Tecnologia do Rio Grande do Norte (IFRN),
2012. Disponível em: https://docente.ifrn.edu.br/jeangaldino/disciplinas/2012.2/
eletronica/material-de-apoio/apostila-parte-01. Acesso em: 2 jun. 2020.
LORENZ, K.; MARQUES, J. G.; MONTEIRO, T. Díodos emissores de luz e

iluminação. Gazeta de Física, v. 39, n. 1, p. 50-54, 2016. Disponível em: https://
www.spf.pt/magazines/GFIS/119/article/991/pdf. Acesso em: 22 out. 2020.
MALVINO, A. Eletrônica: Volume 1. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2007.
MARTELETO, D. C. Avaliação do Diodo Emissor de Luz (LED) para Iluminação

de Interiores. 2011. 96f. Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de
Janeiro, 2011. Disponível em: http://monografias.poli.ufrj.br/monografias/
monopoli10003763.pdf. Acesso em: 22 out. 2020.
REIS, F. Curso de Eletrônica – Condutores, Semicondutores e Isolantes. Bóson

Treinamentos em Tecnologia. BOSON Treinamentos em Ciência e Tecnologia.
2016. Disponível em: http://www.bosontreinamentos.com.br/eletronica/curso-
de-eletronica/curso-de-eletronica-condutores-semicondutores-e-isolantes/.
Acesso em: 2 jun. 2020.
SCHULER, C. A. Eletrônica I: Habilidades Básicas em Eletricidade, Eletrônica e

Telecomunicações. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2013.
68
UNIDADE 2 —
TRANSISTORES I
• compreender e conhecer a construção e a operação dos transistores;
• analisar as principais configurações dos transistores;
• analisar uma folha de dados e seus principais pontos;
• verificar os circuitos de polarização do transistor;
• analisar alguns circuitos importantes que possuem transistores;
• resolver exercícios de modo a ampliar seu conhecimento a respeito de transistores;
• conhecer os transistores de efeito de campo (JFET, MOSFET e MESFET);
• compreender seu funcionamento e plotar suas curvas de operação;
• verificar a análise corrente alternada (CA) do transistor bipolar de junção;
• conhecer o modelo re do transistor.
PLANO DE ESTUDOS
TÓPICO 1 – TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)

TÓPICO 2 – TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
TÓPICO 3 – ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
CHAMADA
69
CONFIRA
A TRILHA DA
UNIDADE 2!
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70
UNIDADE 2 TÓPICO 1 —
TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)
1 INTRODUÇÃO
O dispositivo eletrônico mais desenvolvido e de grande interesse, entre 1904 e
1947, foi a válvula (diodo criada por J. A. Fleming, em 1904), cujo impulsionamento por
rádio e televisão teve ampliou a sua produção de aproximadamente 1 milhão de válvulas,
em 1922, para cerca de 10 milhões de válvulas em 1937. Esse setor, ao passar dos anos,
apresentou grandes avanços em diversas áreas, sendo projeto, técnica de fabricação,
miniaturização, além de aplicações em alta potência e alta frequência (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
Em 23 de dezembro de 1947, na Bell Telephone Laboratories, William Schockley,

Walter H. Brattain e John Baedeen (Figura 1) demonstraram a função de amplificação do
primeiro transistor (Figura 2). O primeiro transistor (um dispositivo de estado sólido que
contém três terminais) apresentava diversas vantagens, como não haver necessidade
de aquecimento, ser menor e mais leve, não apresentar perdas por aquecimento, ser
mais eficiente por conta de ter uma menor absorção de potência, estar pronto para uso
imediata e trabalhar com uma tensão menor (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
O surgimento do transistor abriu caminho para diversas outras invenções

importantes, como os circuitos integrados (CIs), que são dispositivos pequenos que
contêm milhares de transistores. Com o advento desse pequeno componente, foi
possível criar computadores e outros milagres eletrônicos de nosso cotidiano atual
(MALVINO, 2007).
71
FIGURA 1 – OS COINVENTORES DO PRIMEIRO TRANSISTOR NA BELL LABORATORIES
FIGURA 2 – O PRIMEIRO TRANSISTOR
72
2 CONSTRUÇÃO DO TRANSISTOR
O transistor é um componente semicondutor composto por três camadas,
podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de material
semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p (sendo
chamado de transistor npn) ou duas camadas de material semicondutor do tipo p e uma
camada de material semicondutor do tipo n (sendo chamado de transistor pnp). A Figura
3 apresenta os dois tipos de transistores contendo a polarização de corrente contínua
(CC) e apropriada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Os transistores bipolares de junção (TBJ – sigla do inglês bipolar junction

transistor) são semelhantes aos diodos de junção, embora contenham uma junção
adicional, o transistor é dito bipolar por conter tanto lacunas (+) quanto elétrons (–)
constituindo o fluxo de corrente através do dispositivo. As regiões do transistor podem
ser notadas na Figura 3, na qual temos o emissor (E), a base (B) e o coletor (C). O emissor
é fortemente dopado, uma vez que deve enviar portadores de corrente para a base e,
posteriormente, ao coletor, enquanto a base e coletor possuem dopagem leve. O coletor
reúne os portadores, o emissor envia os portadores e a base funciona como uma válvula
de controle de portadores do emissor para o coletor (SCHULER, 2013).
FIGURA 3 – TIPOS DE TRANSISTORES: (A) PNP E (B) NPN
A adequada polarização do transistor é extremamente importante e necessária,

de modo que a troca de um transistor npn por um pnp não é possível em circuitos
eletrônicos, pois cada um dos tipos possui uma polarização característica. Para que o
transistor opere corretamente, a junção coletor-base deve ser mantida reversamente
polarizada; desse modo, tem-se que o coletor em um transistor npn deve ser positivo
em relação à base e, em um transistor pnp, o coletor deve ser negativo em relação à
base (SCHULER, 2013).
73
3 OPERAÇÃO DO TRANSISTOR
Para o estudo das operações básicas de um transistor bipolar de junção, será
utilizado um transistor pnp (Figura 3A). Com relação à operação de um transistor npn,
as características são equivalentes, sendo somente necessária a troca das funções das
lacunas e dos elétrons (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013, p. 117).
Para facilitar a compreensão do funcionamento, o transistor foi redesenhado

em dois circuitos, conforme mostra a Figura 4, sendo que, na Figura 4A, o transistor pnp
não possui a polarização base-emissor e, na Figura 4B, o transistor pnp não possui a
polarização base-emissor.
FIGURA 4 – POLARIZAÇÃO DE UM TRANSISTOR: (A) DIRETA E (B) INDIRETA
Por meio da análise da Figura 4, percebemos que a região de depleção é

pequena na Figura 4A, devido à tensão aplicada resultar em um alto fluxo de portadores
majoritários do material do tipo p para o material do tipo n, situação semelhante a um
diodo diretamente polarizado. Já na Figura 4B percebemos uma grande camada de
depleção, sendo possível fazer uma analogia com o diodo reversamente polarizado, pois
o fluxo de portadores prioritários é zero e o fluxo é de portadores minoritários; assim,
conclui-se que “em um transistor, uma das junções é polarizada diretamente enquanto
a outra é polarizada inversamente” (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013, p. 117).
Aplicando os potenciais VEE e VCC ao transistor pnp, obtemos o sistema

apresentado na Figura 5, em que também é possível analisar o fluxo de portadores
majoritários e minoritários entre as junções.
74
FIGURA 5 – FLUXO DE PORTADORES MAJORITÁRIOS E MINORITÁRIOS DE UM TRANSISTOR PNP
Na Figura 5, é possível determinar claramente quais as regiões de polarização (direta

e indireta) pela análise da largura da região de depleção. Além disso, muitos portadores
majoritários atravessam para a região do tipo n (base) através da junção pn (emissor-
base), que está diretamente polarizada. Uma vez que a camada do tipo n é muito fina e
pouco condutiva, poucos portadores contribuíram para a corrente de base, IB, sendo essa
corrente normalmente na ordem de microampères, μA, enquanto a corrente do coletor e
do emissor é na ordem de miliampères, mA. A maioria dos portadores majoritários entrará
através da junção polarizada reversamente no material do tipo p conectado ao terminal do
coletor, conforme Figura 5. De fato, é fácil entender essa situação, visto que, para um diodo
polarizado inversamente, os portadores majoritários serão como os portadores minoritários
em um material do tipo n. Ou seja, houve uma injeção de portadores minoritários no
material do tipo n; além disso, sabemos que todos os portadores minoritários presentes na
região de depleção atravessaram a junção com polarização reversa do diodo, obtendo o
fluxo apresentado na Figura 5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Aplicando a Lei de Kirchhoff das Correntes (LKC) ao transistor da Figura 5, é

possível obter a Equação 1, na qual se observa que a corrente do emissor é igual à soma
da corrente do coletor com a corrente da base:
(Eq. 1)
Entretanto, sabemos que a corrente do coletor é composta por dois

componentes, os portadores minoritários e os portadores majoritários. A corrente
proveniente dos portadores minoritários é chamada de corrente de fuga, ICO , que pode
ser obtida medindo a corrente IC com o terminal do emissor aberto. Portanto, a corrente
do coletor pode ser obtida pela Equação 2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 2)
75
Para TBJ de uso geral, IC é medido em miliampères e ICO , em microampères
ou nanoampères. Em função de melhorias na técnica de construção, é possível obter
valores muito pequenos de ICO , de modo a poder ser ignorado frequentemente. Deve-
se tomar cuidado sempre com as características do transistor quando submetido a
grandes variações de temperatura (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
4 CONFIGURAÇÕES DO TRANSISTOR
A seguir, discutiremos as principais características do transistor nas configurações
base-comum, emissor-comum e coletor-comum.
4.1 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM

A Figura 6 apresenta a notação e o símbolo do TBJ mais utilizados em eletrônica
na configuração base-comum, nome que é proveniente do fato de a base estar conectada
na entrada e na saída (ser comum a ambas); além disso, normalmente possui o menor
potencial, próximo ao terra – quando não está efetivamente conectada ao terra. Por
convenção, o sentido da corrente refere-se ao fluxo convencional (de lacunas), e não
ao fluxo de elétrons. Desse modo, para um TBJ, a seta define a direção da corrente de
emissor (fluxo convencional) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 6 – NOTAÇÃO E SÍMBOLO UTILIZADO PARA A CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM DO TRANSISTOR DO

TIPO PNP (A) E NPN (B)
76
É importante perceber como conectar a polarização do TBJ, de modo a obter a
corrente conforme indicado na Figura 6. Para uma correta descrição do TBJ, dispositivo
com três terminais, é necessário dois conjuntos de curvas características, um que
represente a saída e um que represente a entrada (ou o acionamento) (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
Na Figura 7, temos uma curva característica para a entrada de um TBJ, transistor

amplificador ou somente amplificador, em que se nota a relação entre a corrente de
entrada, IE, com uma tensão de entrada, VBE, para diversos valores de tensão de saída, VCB.
FIGURA 7 – CURVA CARACTERÍSTICA DE ENTRADA, OU DE PONTO DE ACIONAMENTO, PARA UM TRANSISTOR

AMPLIFICADOR DE SILÍCIO NA CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
A Figura 8 apresenta a relação entre a corrente de saída, IC , com a tensão de

saída, VCB, para diversos valores de corrente de entrada, IE. Podemos perceber três
regiões no gráfico: a região ativa, a região de corte e a região de saturação.
Na região ativa (normalmente empregada para amplificadores lineares),

a junção base-emissor está polarizada diretamente e a junção base-coletor está
polarizada inversamente. Pela análise da curva, é possível perceber que, à medida que
a corrente do emissor fica acima de zero, a corrente do coletor aumenta até um valor
essencialmente igual à corrente do emissor (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013), logo,
(Eq. 3)
77
FIGURA 8 – CURVA CARACTERÍSTICA DE SAÍDA, OU DE COLETOR, PARA UM TRANSISTOR AMPLIFICADOR NA
CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
Na região de corte (IC = 0 A), ambas as regiões do transistor, base-coletor e

base-emissor, possuem polarização reversa (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na região de saturação, ambas as junções, base-emissor e base-coletor, estão

polarizadas diretamente (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na análise da Figura 7, podemos fazer uma analogia com o diodo, quando

polarizado diretamente, e, desse modo, sempre que o transistor estiver “ligado”, podemos
considerar a tensão base-emissor como:
(Eq. 4)
4.1.1 Alfa (α)

No modo CC, os valores de IC e IE se relacionam através de uma quantidade
chamada alfa, conforme mostra a Equação 5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 5)
Na qual os valores de IC e IE são correspondentes ao ponto de operação.

Os dispositivos na prática possuem valores de α entre 0,90 e 0,998 (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
78
Como o valor de alfa é definido exclusivamente pelos portadores majoritários, é
possível reescrever a Equação 2 como:
(Eq. 6)
Os valores de ICBO são, geralmente, muito pequenos, sendo quase impossível

detectá-los, normalmente podem ser desconsiderados (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
No modo CA (corrente alternada), o alfa, formalmente chamado de base-

comum, curto-circuito ou fator de amplificação, é definido como:
(Eq. 7)
4.1.2 Polarização
Ao utilizarmos a aproximação apresentada na Equação 3, IC ≅ IE, e inicialmente
presumindo que IB ≅ 0 μA, podemos obter a polarização para um TBJ pnp, conforme a Figura
9. É importante notar que a seta do TBJ apresenta a direção do fluxo convencional, no
caso, IC ≅ IE, e que as fontes são inseridas com polaridade correspondente à manutenção
do sentido da corrente. Para um transistor npn, a discussão será semelhante, mas com
as polaridades invertidas (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). Uma dica para reconhecer o
tipo de transistor é observar a direção da seta, ou seja, em um transistor npn, a seta não
aponta para dentro e, em um transistor pnp, a seta aponta para dentro (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013), conforme pode visto na Figura 6.
FIGURA 9 – ESTABELECIMENTO DA POLARIZAÇÃO ADEQUADA PARA UM TRANSISTOR NPN NA

CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM NA REGIÃO ATIVA
79
4.1.3 Região de ruptura
Analisando a Figura 8, é possível perceber uma região onde a curva assume uma
ascensão drástica: a partir de certo valor VCB, efeito avalanche semelhante ao estudado
para os diodos. Sabemos que a junção base-coletor é polarizada reversamente na
região ativa, mas existe um ponto em que uma tensão demasiada grande de polarização
reversa acarretará um efeito de avalanche, implicando um grande aumento de corrente
com pequenas variações da tensão base-coletor. A tensão máxima admissível para o
ramo base-coletor é VCBO, em que O (maiúsculo) representa o ramo do emissor aberto
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
4.2 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM

É a configuração mais frequentemente utilizada com os transistores,
denominada emissor-comum devido ao emissor estar conectado à entrada e à saída
(emissor comum aos terminais do coletor e da base) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). A
Figura 10 apresenta a notação e o símbolo para os transistores npn e pnp.
FIGURA 10 – NOTAÇÃO E SÍMBOLOS UTILIZADOS PARA TRANSISTORES (A) NPN E (B) PNP NA CONFIGURAÇÃO
EMISSOR-COMUM
Assim como vimos para a configuração base-comum, na configuração

emissor-comum é necessário dois conjuntos de curvas características para descrever
o comportamento do transistor na configuração emissor-comum: um relacionado à
80
entrada (base-emissor), na qual é apresentado o gráfico da relação entre a corrente
de entrada, IB, e a tensão de entrada, VBE, para uma faixa de valores de tensão de saída
(Figura 11B); e outro para a saída (coletor-emissor), em que é apresentado o gráfico da
corrente de saída, IC, em relação à tensão de saída, VCE, para uma faixa de valores de
corrente de entrada, IB, conforme Figura 11A.
Mesmo em configuração distinta, as Equação 3, 4 e 6, apresentadas para a

configuração base-comum, são aplicáveis à configuração emissor-comum. Além disso,
na região ativa de um amplificador na configuração emissor-comum, teremos a junção
base-emissor polarizada diretamente e a junção base-coletor polarizada reversamente
FIGURA 11 – CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UM TRANSISTOR DE SILÍCIO NA CONFIGURAÇÃO EMISSOR-

COMUM: CURVA CARACTERÍSTICA DO COLETOR (A) E CURVA CARACTERÍSTICA DA BASE (B)
Por meio da análise da Figura 11A, é possível notar que a região de corte não é
tão bem definida; com a substituição da Equação 1 na Equação 6, utilizando a propriedade
da Equação 3, obtemos:
(Eq. 8)
Algo importante a ser mencionado é que, caso seja desejável um sinal de saída sem
distorção, a região abaixo de IB = 0 μA deve ser evitada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
81
4.2.1 Beta (β)
A relação entre IC e IB (pontos específicos de operação da curva característica)
para a configuração emissor-comum no modo CC é chamada de beta e pode ser escrita
como (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 9)
O valor de β varia geralmente desde 50 até valores superiores a 400, a maioria

na faixa de 200. β revela uma corrente relativa em relação à outra. Nas folhas de dados,
é apresentado geralmente como hFE.
A análise CA é definida como (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 10)
Em que o βCA representa o fator de amplificação de corrente direta na

configuração emissor-comum.
Para poder exemplificar a obtenção do valor de βCA pela Equação 10, utilizaremos
a Figura 12, na qual podemos traçar uma reta vertical em VCE = 7,5 V, e, dessa maneira,
em qualquer ponto sobre essa curva, o valor de VCE será constante e igual a 7,5 V. Para
determinar a variação da corrente, é necessário a escolha de dois pontos, um superior
e outro inferior ao ponto quiescente, preferencialmente com mesma distância do ponto
Q. Na Figura 12, temos IB1 = 20 μA e IB2 = 30 μA, que atendem às condições para um
ponto de operação de IB = 25 μA, os valores de IC são determinados traçando-se uma
reta horizontal que passa por IB1 e IB2. Vale ressaltar que o melhor beta CC é obtido com
as menores variações de IB.
Logo, utilizando a Equação 10:
Portanto, para uma entrada CA na base, a corrente de saída no coletor é

aproximadamente 100 vezes maior que a corrente de entrada.
Para a determinação do βCC, utilizaremos o ponto quiescente, obtido pela

Equação 9:
82
FIGURA 12 – DETERMINAÇÃO DO βCA E βCC A PARTIR DAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DO COLETOR
É possível notar que os valores de βCC e βCA são muito próximos, o que
normalmente ocorre e permite que possam ser intercambiáveis. Um ponto que sempre
devemos lembrar é que, mesmo em transistores do mesmo lote, o valor do beta pode ser
distinto, devendo sempre ser verificado (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
É possível relacionar os valores de α e β por meio das relações vistas até aqui,
utilizando a Equação 9, β = IC ⁄ IB → IB = IC ⁄ β, e pela Equação 5, α = IC ⁄ IE → IE = IC ⁄ α. Conforme
a Equação 1:
Logo,
Dividindo ambos os lados por IC, temos:
83
Ou:
(Eq. 11)
Além disso,
Utilizando a relação:
(Eq. 12)
Temos:
Como sabemos que β ≫ 1:
(Eq. 13)
É possível perceber a importância do beta, que relaciona diretamente os níveis

de corrente de entrada e de saída do circuito, desse modo,
(Eq. 14)
Além disso, podemos reescrever a Equação 1 como:
(Eq. 15)
4.2.2 Polarização
Podemos determinar a polarização de modo semelhante ao utilizado na
configuração base-comum. Na Figura 13A, temos um transistor do tipo npn, ao qual
iremos aplicar a polarização adequada. Inicialmente, identificamos a corrente do emissor
conforme a indicação da seta (Figura 13B) e direcionamos as outras correntes de acordo
com IE, lembrando da Equação 1, que mostra que a corrente do emissor é igual à soma
das correntes de base com a do coletor (LKC; Figura 13C).
84
FIGURA 13 – DETERMINAÇÃO DA POLARIZAÇÃO APROPRIADA PARA UM TRANSISTOR NPN NA
CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM
4.2.3 Região de ruptura

Analisando a Figura 14, é possível notar uma região conhecida como região de
resistência negativa, que são regiões que, quando possuem altos níveis de corrente de
base, as correntes quase ascendem verticalmente e, em valores baixos, apresenta uma
região que parece apoiar-se sobre si mesma. Os valores máximos recomendados para
que o transistor opere em condições normais é denominado BVCEO, que, na realidade,
possui metade desse valor (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
85
FIGURA 14 – EXAME DA REGIÃO DE RUPTURA DE UM TRANSISTOR NA CONFIGURAÇÃO
EMISSOR-COMUM
4.3 CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM

Normalmente é utilizada para casamento de impedância, por possuir alta
impedância de entrada e baixa impedância de saída – o oposto do observado nas
configurações base-comum e emissor-comum. A Figura 15 apresenta a notação e
símbolo para a configuração coletor-comum. Não são necessárias curvas específicas
para a configuração coletor-comum, sendo possível utilizar as curvas da configuração
emissor-comum, pois, na prática, são idênticas às da configuração coletor-comum,
sendo necessárias pequenas adaptações no eixo da tensão e sutil diferença na escala
vertical de IC já que α ≅ 1.
86
FIGURA 15 – NOTAÇÃO E SÍMBOLO UTILIZADOS PARA A CONFIGURAÇÃO COLETOR-COMUM DE UM
TRANSISTOR DO TIPO PNP (A) E NPN (B)
Por meio da análise da Figura 16, é possível perceber que alguns limites de
operação são autoexplicativos, como a corrente máxima do coletor (corrente do coletor
contínua – folha de dados) e tensão máxima coletor-emissor (BVCEO ou V(BR)CEO). A linha
vertical, definida como VCEsat especifica o mínimo de tensão que pode ser aplicado sem
que caia na região de saturação (não linear) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
É possível determinar o valor de máxima dissipação de potência pela Equação 16:
(Eq. 16)
É importante lembrar que o valor máximo da potência é constante em qualquer

ponto das curvas características, podendo-se obter a curva apresentada na Figura 16
pela substituição dos valores de ICmáx, VCEmáx e ICmáx com o valor de PCmáx específico do
componente. Esses três pontos são suficientes para ter uma aproximação da curva,
mas é necessário ressaltar que, quanto mais pontos, mais precisa será a determinação
da curva (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
87
FIGURA 16 – DEFINIÇÃO DA REGIÃO LINEAR (SEM DISTORÇÃO) DE OPERAÇÃO DO TRANSISTOR
Com o objetivo de manter a menor distorção, é importante manter a região de

corte em IC = ICEO. Contudo, essa informação nem sempre é apresentada nas folhas de
dados, mas, caso não seja, é possível obtê-la utilizando a Equação 13.
Caso não haja as características, é importante manter os valores de IC, VCE e VCE
IC dentro dos seguintes intervalos:
(Eq. 17)
Para a configuração base-comum, a curva de potência máxima é dada por:
(Eq. 18)
5 TESTE DO TRANSISTOR
Uma forma de fazer o teste de modo prático é utilizando um voltímetro, pois
sabemos que um transistor, em bom estado, apresenta duas junções pn, que podemos
verificar como um diodo com o auxílio do ohmímetro (Figura 17).
88
FIGURA 17 – POLARIDADE DAS JUNÇÕES DE UM TRANSISTOR PNP (A) E NPN (B)
Ainda é possível utilizar o ohmímetro para identificar as polaridades (npn e pnp)

e os três terminais de um transistor, sendo conectados dois terminais do transistor;
caso o visor do ohmímetro apresente uma baixa resistência, há duas situações
possíveis: encontrou-se um dos diodos ou o transistor está em curto-circuito – para
saber qual a real situação, basta inverter os terminais e, caso o transistor se encontre
em bom estado, o visor do ohmímetro indicará uma alta resistência (Figura 18), mas,
se for verificada resistência alta em ambas as direções, é possível afirmar que foram
encontrados o coletor e o emissor, pois, em ambos os casos, um dos diodos estará
inversamente polarizado, tendo encontrado o emissor e o coletor, e a base é identificada
por eliminação (SCHULER, 2013).
FIGURA 18 – IDENTIFICAÇÃO DE UMA JUNÇÃO POLARIZADA REVERSAMENTE (A) E DIRETAMENTE (B)
89
Conectando o terminal negativo do ohmímetro à base e encostando uma das
pontas do medidor aos outros dois terminais, se for verificada uma baixa resistência,
o transistor analisado é do tipo pnp. Caso se conecte a base ao terminal positivo e se
verifique uma resistência baixa ao encostar a ponta de prova aos outros terminais, trata-
se de um transistor do tipo npn (SCHULER, 2013).
Segundo Schuler (2013, p. 136), é possível apresentar uma sequência de

procedimentos para a identificação dos transistores:
• Utilize a escala Rx100 de um ohmímetro analógico (ou escala Rx1

para transistores de potência de germânio).
• Encontre os dois terminais que possuem a maior resistência com
ambas as polaridades aplicadas. O terminal restante é a base.
• Com o terminal positivo conectado à base, uma resistência baixa
deve ser encontrada conectando o terminal negativo a qualquer
um dos pinos restantes do transistor caso o dispositivo seja do
tipo npn. Para um transistor pnp, o terminal negativo deve ser
conectado à base para obter uma resistência baixa.
• Com o ohmímetro conectado entre emissor e coletor, conecte um
resistor (100 kΩ ou 1 kΩ) entre o terminal positivo e a base de um
componente npn. Reverta a conexão entre emissor e coletor. A
menor resistência é obtida quando o terminal positivo é conectado
ao coletor.
• Para verificar um transistor pnp, conecta-se o resistor entre
o terminal negativo e a base. A combinação correta (menor
resistência) é obtida quando o terminal negativo é conectado ao
coletor (SCHULER, 2013, p. 136)
A única desvantagem desse processo é que o procedimento não pode ser

realizado com componente em circuitos, somente em um transistor de forma isolada.
6 FOLHA DE DADOS
Na Figura 17, é apresentada uma folha de dados para um transistor da Fairchild
Semiconductor Corporation, o 2N4123, que é um transistor npn de uso geral. Analisando
essa folha de dados, é possível notar algumas linhas em azul que apresentam importantes
características do componente informado.
90
FIGURA 19 – FOLHA DE DADOS DE UM TRANSISTOR
91
92
93
7 CIRCUITOS DE POLARIZAÇÃO
A seguir, veremos os circuitos de polarização fixa, configuração de polarização
do emissor, a configuração de polarização por divisor de tensão, a configuração com
realimentação de coletor, a configuração seguidora de emissor, a configuração base-
comum e configuração de polarizações combinadas.
É importante lembrar que, para a correta polarização na região ativa ou linear

do TBJ, deve ser polarizada diretamente a junção base-emissor (região p mais positiva)
com uma tensão resultante de polarização direta de cerca de 06 a 0,7 V. Entretanto,
deve estar polarizada reversamente a junção base-coletor (região n mais negativa), com
uma tensão reversa de polarização situada dentro dos limites máximos do dispositivo
As operações no corte, na saturação e nas regiões lineares das curvas

características do TBJ são (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
94
• Operação na região linear:
o Junção base-emissor polarizada diretamente.
o Junção base-coletor polarizada reversamente.
• Operação na região de corte:

o Junção base-emissor polarizada reversamente.
o Junção base-coletor polarizada reversamente.
• Operação na região de saturação:

o Junção base-emissor polarizada diretamente.
o Junção base-coletor polarizada diretamente.
7.1 CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA

É a configuração mais simples da polarização CC do transistor, que pode ser
exemplificada por um circuito utilizando um transistor npn (Figura 20), mas as equações
para um transistor pnp são equivalentes, sendo necessária a inversão do sentido das
correntes e sentido das tensões aplicadas. Para avaliação CC, o circuito será isolado dos
valores CA, substituindo os capacitores por curto-circuito (para CC f = 0 Hz, XC = 1⁄2πfC = ∞ Ω).
7.1.1 Polarização direta de junção base-emissor

Aplicando a lei de Kirchhoff das tensões (LKT) no sentido anti-horário da malha
do circuito da Figura 21A, obtemos:
Logo,
(Eq. 19)
O resistor RB ajusta o valor da corrente de base para a operação (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013).
95
FIGURA 20 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO FIXA (A) E EQUIVALENTE CC DO CIRCUITO (B)
7.1.2 Malha coletor-emissor

Sabemos que a corrente do coletor se relaciona com a da base pela Equação 14,
portanto, a corrente IC não é função da resistência RC e sua modificação não afeta IB ou
IC desde que mantido na região ativa (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 21 – (A) MALHA BASE-EMISSOR E (B) MALHA COLETOR-EMISSOR PARA UM TRANSISTOR COM
POLARIZAÇÃO FIXA
Aplicando a LTK no sentido anti-horário à malha da Figura 21B:
Logo,
VCE = VCC - IC RC (Eq. 20)
96
Além disso, sabemos que:
Em que VB é a tensão da base ao terra, VC é a tensão do coletor e VE é a tensão

do coletor ao terra. Como VE = 0 V (Figura 20A):
(Eq. 21)
(Eq. 22)
Na Figura 22, é apresentada a forma de medição da tensão VCE e da tensão VC.
FIGURA 22 – MEDIÇÃO DAS TENSÕES VCE E VC
7.1.3 Saturação do transistor

Quando se fala em saturação, faz-se referência a qualquer sistema que tenha
alcançado seus níveis máximos. Um exemplo clássico é uma esponja que não consegue
mais obter nenhuma gota de líquido. Para um transistor que esteja operando na região
de saturação, para um projeto específico, teremos um valor máximo para a corrente
Para determinar o valor aproximado da corrente do coletor de saturação para

um projeto em particular, basta inserir um curto-circuito equivalente entre o coletor
e o emissor do transistor e determinar a corrente do coletor resultante (Figura 23A)
97
Para a configuração com polarização fixa, o valor da corrente do coletor de
saturação (Figura 23B), é dada por:
(Eq. 23)
Uma vez determinado o valor da corrente máxima de saturação do coletor, é

possível ter uma ideia da corrente máxima do coletor, permanecendo-se abaixo desse
valor se o objetivo for uma amplificação linear.
FIGURA 23 – (A) MÉTODO DE OBTENÇÃO DA ICsat E (B) DETERMINAÇÃO DE ICsat PARA UMA CONFIGURAÇÃO
DE POLARIZAÇÃO FIXA
7.1.4 Análise por reta de carga

Para o circuito com polarização fixa, o resistor de carga, RC, determina a
inclinação da equação do circuito e a interseção entre os dois gráficos. Pela análise da
Figura 24A, e aplicando LKT,
(Eq. 24)
Para que possamos traçar a curva, visto que é uma equação de primeiro grau,
precisamos de dois pontos, os mais fáceis de determinar são as interseções com os
eixos, ou seja,
(Eq. 25)
(Eq. 26)
98
FIGURA 24 – ANÁLISE POR RETA DE CARGA PARA A CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO FIXA: CIRCUITO
(A) E CURVAS CARACTERÍSTICAS DO DISPOSITIVO (B)
Desenhando a reta de carga sob a curva característica do dispositivo (Figura

25), é possível determinar o ponto de operação, ou ponto quiescente.
FIGURA 25 – RETA DE CARGA PARA POLARIZAÇÃO FIXA
99
7.2 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO DO EMISSOR
Na Figura 26, apresenta-se o circuito do TBJ com polarização do emissor e seu
equivalente CC.
7.2.1 Malha base-emissor

Redesenhando a malha base-emissor, conforme Figura 27A, e aplicando LKT no
sentido horário, temos:
Da Equação 15, IE = (β + 1) IB, logo:
Contudo, IB (RB + (β + 1) RE ) = VCC - VBE, daí:
(Eq. 27)
FIGURA 26 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO DO TBJ COM RESISTOR DE EMISSOR (A) E EQUIVALENTE CC (B)
100
FIGURA 27 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO DO TBJ COM RESISTOR DE EMISSOR MALHA BASE-EMISSOR (A)
E MALHA COLETOR-EMISSOR (B)

Aplicando-se a LKT à malha apresentada na Figura 27B, temos:
Pela Equação 3, IE ≅ IC, obtemos:
(Eq. 28)
Além disso, sabemos que a tensão VE representa a tensão do emissor para o

terra e pode ser determinada por:
(Eq. 29)
E ainda por:
(Eq. 30)
Ou:
(Eq. 31)
E:
(Eq. 32)
Ou:
(Eq. 33)
101
A adição do resistor do emissor ao circuito de polarização CC acarreta uma
melhoria na estabilidade, isto é, as tensões e as correntes CC variam pouco em torno dos
valores estabelecidos, decorrente das modificações provenientes de variáveis externas,
como temperatura e valores de beta (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
7.2.3 Nível de saturação

O nível de saturação pode ser obtido utilizando o mesmo método apresentado
para a configuração com polarização fixa, chegando-se ao resultado de:
(Eq. 34)

A análise por reta de carga é praticamente a mesma apresentada para a
polarização fixa, sendo a equação da malha coletor-emissor que define a reta de carga:
(Eq. 35)
A determinação dos pontos de interseção dos eixos segue o mesmo

procedimento da polarização fixa, tendo como resultados:
(Eq. 36)
(Eq. 37)
7.3 CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE

TENSÃO
A configuração por divisor de tensão (Figura 28) é menos sensível à variação do
beta, chegando ao ponto de, se escolhermos adequadamente os parâmetros do circuito, a
corrente do coletor e a tensão coletor-emissor quiescente poderem ser quase totalmente
independentes do beta (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Podemos analisar o circuito por dois métodos: o exato, que pode ser aplicado
a qualquer configuração com divisor de tensão, e o aproximado, que somente pode ser
aplicado mediante condições específicas.
102
7.3.1 Análise exata
Para a análise exata, utilizaremos o circuito presente na Figura 29B, determinando
o circuito equivalente de Thévenin para o circuito à esquerda do terminal da base (Figura
29 A) como:
FIGURA 28 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE CC (B)
Aplicando a regra do divisor de tensão ao circuito da Figura 29B, temos:
(Eq. 38)
Determinando o circuito equivalente (Figura 30) e aplicando a LKT no sentido

horário:
Logo,
(Eq. 39)
Além disso,
(Eq. 40)
Uma vez conhecendo o valor de IB, é possível determinar as outras variáveis.
103
FIGURA 29 – CIRCUITO PARA A DETERMINAÇÃO DO RTh (A) E CIRCUITO PARA A DETERMINAÇÃO DE ETh (B)
FIGURA 30 – INSERÇÃO DO CIRCUITO EQUIVALENTE DE THÉVENIN
7.3.2 Análise aproximada

Para que possamos utilizar a análise aproximada com alto grau de precisão, é
necessário que (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 41)
Além disso, a tensão de base é dada pela Figura 31:
(Eq. 42)
E:
(Eq. 43)
A corrente do emissor é dada por:
104
(Eq. 44)
E:
(Eq. 45)
E a tensão coletor-emissor é dada por:
(Eq. 46)
FIGURA 31 – CIRCUITO PARCIAL DE POLARIZAÇÃO PARA O CÁLCULO DA TENSÃO APROXIMADA DE BASE VB
7.3.3 Saturação do transistor

Possui a mesma aparência da polarização do emissor (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013), sendo dada por:
(Eq. 47)

A semelhança com o circuito de saída da configuração com polarização do
emissor resulta nas mesmas interseções para a reta de carga da configuração com
divisor de tensão (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013); logo,
(Eq. 48)
105
E:
(Eq. 49)
7.4 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE COLETOR

Adicionando uma realimentação do coletor para a base (Figura 32), é possível
melhorar a estabilidade do circuito em comparação às configurações de divisor de
tensão e polarização do emissor.
7.4.1 Malha base-emissor

A Figura 33A apresenta a malga base-emissor do TBJ na configuração de
realimentação de tensão, aplicando-se a LKT no sentido indicado (sentido horário):
Em que: I'C = IC + IB. Os valores de IC e I'C são muito maiores que o valor de IB, logo,
utilizando as aproximações I'C ≅ IC = βIB e IE ≅ IC, a equação anterior fica:
Logo,
(Eq. 50)
FIGURA 32 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO
106
Aplicando a LKT no sentido indicado na Figura 33B,
Sabendo que I'C ≅ IC e IE ≅ IC, a equação pode ser reescrita como:
Logo,
(Eq. 51)
7.4.3 Condições de saturação

Como utilizamos a aproximação I'C = IC, percebe-se que a equação da corrente de
saturação é a mesma que para divisor de tensão (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013), logo:
(Eq. 52)
FIGURA 33 – CIRCUITO DE POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DE TENSÃO MALHA BASE-EMISSOR (A) E

MALHA COLETOR-EMISSOR (B)
107
Como utilizamos a aproximação I'C = IC , tem-se a mesma reta de carga obtida
para a configuração em divisor de tensão e polarização do emissor (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
7.5 CONFIGURAÇÃO SEGUIDORA DE EMISSOR

Anteriormente, trabalhamos com a saída normalmente no terminal do coletor
do TBJ, porém, a partir desse momento, a saída será no terminal do emissor (Figura
34A). Aplicando-se a LKT ao circuito da Figura 34B, temos:
Sabemos que IE = (β + 1) IB, daí:
Logo,
(Eq. 53)
FIGURA 34 – CONFIGURAÇÃO DE COLETOR-COMUM (A) OU SEGUIDOR DE EMISSOR E EQUIVALENTE CC DO

CIRCUITO (B)
No circuito de saída, aplicando-se a LKT:
108
De modo que:
(Eq. 54)

É a configuração em que observamos o sinal de entrada ligado ao emissor, e a
base está conectada ao potencial terra ou pouco acima dele (Figura 35) (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
FIGURA 35 – CIRCUITO COM CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
Na Figura 36A, é apresentado o circuito CC equivalente para a entrada, de modo

que, aplicando-se a LKT:
Logo,
(Eq. 55)
Aplicando-se LKT à malha externa do circuito presente na Figura 36B, temos:
Portanto,
109
Como IE ≅ IC,
(Eq. 56)
FIGURA 36 – EQUIVALENTE CC DA ENTRADA DO CIRCUITO DA FIGURA 35 (A) E CIRCUITO PARA

DETERMINAÇÃO DE VCE E VCB (B)
7.7 TABELA RESUMO

A Tabela 1 apresenta uma revisão das configurações do TBJ mais comuns.
TABELA 1 – CONFIGURAÇÕES DE POLARIZAÇÃO DO TBJ
110
8 CIRCUITOS COM MÚLTIPLOS TBJ

O acoplamento RC, apresentado na Figura 37A, é, provavelmente, um dos mais
comuns. A tensão de saída do coletor de um estágio é alimentada diretamente na base
do estágio seguinte, por meio de um capacitor de acoplamento, CC. O circuito apresenta
dois estágios com divisor de tensão, mas podendo ser usado entre qualquer combinação
de circuito. Para análise do circuito, é possível analisar cada estágio de forma separada,
visto que um estágio não afeta o outro (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
111
FIGURA 37 – AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS COM ACOPLAMENTO RC (A) E EQUIVALENTE CC (B)
9 TRANSISTORES PNP
A análise dos transistores pnp segue o mesmo padrão estabelecido para o
transistor npn. Primeiramente, o valor de IB é determinado, em seguida, aplicamos as
relações apropriadas ao transistor e obtemos os restantes das incógnitas necessárias.
Ao observar as equações resultantes, é possível perceber que a diferença entre a
utilização de um transistor npn por um pnp será o sinal associado a algumas quantidades
específicas.
10 CIRCUITOS DE CHAVEAMENTO
A aplicação de transistores não se limita somente à amplificação de sinais; no
projeto apropriado, podem ser utilizados como chaves de computadores e aplicações
de controle (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Analisando a Figura 38A, é possível perceber que a saída é oposta à aplicada

na entrada. Logo, um circuito inversor, que possui uma fonte CC conectada ao coletor
(ou circuito de saída), e para aplicações em computação, é normalmente igual a 5 V (ou
nível lógico “alto”). O resistor R_B garante o valor da corrente de base para a condição
“ligado” e que a tensão aplicada de 5 V não apareça através da junção base-emissor
Segundo Boylestad e Nashelsky (2013), um projeto, apropriado para o transistor

atuar como um inversor, exige que o ponto de operação alterne do ponto de corte ao
ponto de saturação sobre a mesma reta de carga (Figura 38B). Assumindo que IC = ICEO ≅
0 mA, quando IB = 0 μA e VCE = VCEsat ≅ 0 V, em vez de 0,1 a 0,3, conforme normalmente
adotado.
Para analisar o circuito da Figura 38A, podemos concluir que:
112
O valor da corrente de base, IB, pode ser aproximado por (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013):
Desse modo, para um nível de saturação adequado ao sistema, é necessário que:
(Eq. 57)
Além disso,
(Eq. 58)
FIGURA 38 – TRANSISTOR INVERSOR CIRCUITO (A) E RETA DE CARGA (B)

113
DICA
1 Dado o circuito e sua reta de carga, conforme mostra a figura a seguir, determine
o comportamento da reta de carga quando:
CIRCUITO (A) E RETA DE CARGA (B)
a) Se altera o valor da corrente de base, IB, através da alteração do valor de RB.

R.: Pela análise do circuito, é possível perceber que se trata de um transistor na configuração
de polarização fixa.
Desse modo, por meio das Equações 25 e 26, temos que:
Traçando a reta de carga, obtemos a figura a seguir:
114
RETA DE CARGA
Se diminuir os valores da resistência da base, RB, teremos um aumento nos valores da

corrente de base, IB, e um deslocamento do ponto quiescente, conforme mostra a figura a
seguir:
DESLOCAMENTO DO PONTO QUIESCENTE DE ACORDO COM A VARIAÇÃO DA CORRENTE

DE BASE
b) Manter o valor de VCC fixo e aumentar RC.
115
R.: Se manter o valor de VCC fixo e alterar os valores da resistência do coletor, de modo que
R3 > R2 > R1, teremos um deslocamento do ponto quiescente, conforme a figura a seguir:
EFEITO DO VALOR DO AUMENTO DO VALOR DE RC NO PONTO Q
c) Manter RC fixo e diminuir o valor de VCC.

R.: Mantendo fixo o valor da resistência do coletor e diminuindo o valor da tensão VCC, de
modo que VCC1 > VCC2 > VCC3, teremos o deslocamento do ponto quiescente, conforme a
figura seguinte:
EFEITO DA VARIAÇÃO DOS VALORES DE VCC NA RETA DE CARGA E DESLOCAMENTO DO

PONTO Q
116
2 Determine as tensões VC e VB no circuito da figura a seguir:
CIRCUITO
R.: Analisando o circuito, percebemos uma grande semelhança com a configuração por
divisor de tensão, porém R2 e RE não estão aterrados, e sim possuem uma tensão VEE.
Para resolução do exercício, utilizaremos os procedimentos apresentados para a
configuração de divisor de tensão. Dessa forma, o primeiro passo é a determinação da
resistência de Thévenin da entrada, como mostra a figura seguinte:
CIRCUITO PARA A DETERMINAÇÃO DA RTh (A) E ETh (B)
Logo,
Para determinar a tensão de Thévenin, aplicaremos a LKT à malha da figura B a seguir.
Logo,
117
Substituindo os valores:
Por meio da análise do circuito, o valor da tensão de Thévenin é:
Logo, o circuito de entrada pode ser redesenhado, como mostra a figura seguinte:
Aplicando a LKT no sentido horário à figura:
Entretanto, pela Equação 15, IE = (β + 1) IB:
Isolado IB,
Substituindo os valores:
Utilizando a Equação 14:
Pela análise da figura do enunciado:
Com base na figura anterior:
118
RESUMO DO TÓPICO 1
• O transistor bipolar de junção (TBJ) é um componente semicondutor, composto por

três camadas, podendo ser constituídas de dois modos distintos: duas camadas de
material semicondutor do tipo n e uma camada de material semicondutor do tipo p.
• O surgimento do transistor abriu caminho para diversas outras invenções

importantes, como os circuitos integrados (CIs), que são dispositivos pequenos que
contêm milhares de transistores.
• A polarização de um transistor define seu modo de funcionamento e baseia-se em

diferentes níveis de tensão aplicados em seus terminais.
• Num TBJ, as correntes de coletor e de emissor estão relacionadas pela expressão:

IC = βIB, em que β é o ganho de corrente do transistor.
• As curvas características de um transistor relacionam a corrente de coletor (IC) com

a tensão coletor-emissor (VCE).
• O TBJ pode ser ligado em três configurações distintas: base-comum, coletor-

comum e emissor-comum. Em cada configuração, o transistor apresenta um
comportamento distinto.
119
AUTOATIVIDADE
1 Considerando a corrente de emissor de um TBJ igual a 6 mA e sabendo que a relação
entre IB e IC é de 0,0125, determine os valores de IB e IC.
2 Sabendo que:
a) αCC = 0,996, determine o valor de IC se IE = 2 mA.
b) IE = 1,6 mA e IB = 15 μA, determine o valor de αCC.
c) IB = 15 μA e αCC = 0,97, determine o valor de IE.
3 Considere:
a) αCC = 0,955, determine o valor de βCC.
b) βCC = 110, determine o valor de αCC.
c) αCC = 0,99 e IC = 1,5 mA, determine os valores de IE e IB.
4 Para o circuito apresentado na figura a seguir, determine IBQ e ICQ.
120
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dada a reta de carga apresentada na figura a seguir
e o ponto Q definido, determine os valores de VCC, RC e RB para a configuração de
polarização fixa.
6 Para a configuração de polarização do emissor, como mostra a figura a seguir, determine:
a) IB.
b) IC.
c) VCE.
d) VC.
121
e) VE.
f) VB.
g) VBC.
h) Corrente de saturação.
7 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito e a curva característica da figura a

seguir, determine:
a) Determine a reta de carga e trace a curva sobre a curva de carga da figura.
b) Determine βCC na região central das curvas características, definindo esse ponto
como o ponto Q.
c) Determine o valor de IB, utilizando o valor de βCC.
d) Determine os valores de ICQ e VCEQ.
8 Determine os valores de ICQ e VCEQ para a configuração por divisor de tensão da figura,
a seguir, pelo método exato e aproximado. Comente os resultados encontrados.
122
9 Dada a curva característica e o circuito com polarização fixa da figura, a seguir,

determine VCC, RB e RC.
10 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito amplificador com acoplamento direto

da figura, a seguir, determine os valores CC das correntes e tensões.
123
11 Determine o valor de I no circuito da figura a seguir.
12 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine os valores de IE e VC para o circuito

apresentado na figura a seguir.
124
TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
1 INTRODUÇÃO
Os transistores de efeito de campo (FET – sigla do inglês field-effect transistor)
é um dispositivo semelhante ao TBJ, sendo a principal diferença o TBJ um dispositivo
controlado por corrente, enquanto o JFET é um dispositivo controlado por tensão. Assim
como os TBJs podem ser npn e pnp, os JFETs podem ser de canal n e de canal p,
porém os transistores bipolares de junção, assim como o próprio nome diz, são bipolares
(condução por dois portadores de carga: elétrons ou lacunas) e os transistores de efeito
de campo são dispositivos unipolares (dependem unicamente da condução de elétrons
– canal n – ou de lacunas – canal p) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 39 – AMPLIFICADORES CONTROLADOS POR CORRENTE TBJ (A) E CONTROLADOS POR TENSÃO
JFET (B)
O nome “efeito de campo” é derivado da característica de que, para os dispositivos

FET, se estabelece um campo elétrico pelas cargas presentes que controlaram o caminho
de condução do circuito de saída sem necessidade de contato direto entre as grandezas
controladas e controladoras. Algo importante a ser lembrado é que uma das principais
características do FET é sua alta impedância, os ganhos de tensão CA são geralmente
muito menores que o TBJ e são mais estáveis em termos de temperatura, sendo um dos
125
principais motivos de seu uso em circuitos integrados (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Veremos três tipos de FET: o transistor de efeito de campo de junção (JFET), o transistor
de efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFET) e o transistor de efeito de
campo metal-semicondutor (MESFET).
2 JFET
O JFET é um dispositivo de três terminais, de modo que um deles controla a
corrente entre os outros dois. A Figura 40 apresenta a construção do JFET de canal
n, em que é possível verificar que a maior parte do material constituinte é do tipo n,
que forma o canal entre as camadas imersas de material do tipo p. Na parte superior
do material do tipo n, por meio de um contato ôhmico, temos a conexão do dreno (D,
do inglês drain) e, na parte inferior através de outro contato ôhmico, temos a fonte (S,
do inglês source). Os dois materiais do tipo p estão conectados entre si e também ao
terminal porta (G, do inglês gate) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 40 – TRANSISTOR DE EFEITO DE CAMPO DE JUNÇÃO (JFET)
Um modo de entendermos melhor o funcionamento é por meio de uma analogia

com o fluxo de água (Figura 41).
126
FIGURA 41 – ANALOGIA DO FLUXO DE ÁGUA PARA O MECANISMO DE CONTROLE DO JFET
A fonte de pressão de água pode ser comparada à tensão aplicada do dreno

para a fonte e estabelecer um fluxo de água (elétrons no JFET) a partir da torneira (fonte
no JFET). A “porta”, por meio da aplicação de um sinal (tensão), controla o fluxo de água
(carga) para o dreno (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
2.1 TENSÃO POSITIVA VDS

Na Figura 42A, foi aplicada uma tensão positiva VDS (VGS = 0 V, VDS positiva)
através do canal e a porta (gate) foi conectada à fonte que está conectada ao terra.
Quando uma tensão VDD = VDS é aplicada, ocorre uma atração dos elétrons pelo dreno,
estabelecendo a corrente convencional ID (direção oposta à direção dos elétrons).
Analisando o caminho do fluxo de cargas, percebe-se claramente a equivalência entre
as correntes do dreno e da fonte (ID = IS). Ainda na Figura 42A, é possível perceber que a
camada de depleção é mais larga na parte superior de ambos os materiais do tipo p, pois,
presumindo uma resistência uniforme ao longo do canal n, a corrente irá estabelecer
níveis de tensão ao longo do canal (Figura 43B), de modo que a parte superior possua
uma tensão superior (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
À medida que a tensão VDS aumenta a corrente revelando relativa linearidade

para pequenos valores de VDS (Figura 43A), conforme ocorre o aumento de VDS,
percebendo-se um aumento da região de depleção até o ponto em que parecem se
tocar (condição de pinch-off) – isso ocorre na tensão de pinch-off, VP (Figura 43B)
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). Uma vez que VDS > VP, tem-se uma característica de
fonte de corrente para os JFET.
IDSS é a corrente máxima de dreno para um JFET e é definida pela condição VGS
= 0 V e VDS > | VP | (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
127
FIGURA 42 – JFET COM VGS = 0 V e VDS > 0 V (A) E VARIAÇÃO DOS POTENCIAIS REVERSOS DE POLARIZAÇÃO (B)
ATRAVÉS DA JUNÇÃO PN DE UM JFET DE CANAL N
FIGURA 43 – CURVA DE ID VERSUS VDS PARA VGS = 0 V (A) E PINCH-OFF (VGS = 0 V, VDS = VP) (B)
128
2.2 RESISTOR CONTROLADO POR TENSÃO
A região à esquerda da linha de pinch-off é chamada de ôhmica (Figura 44), ou
região de resistência controlada por tensão, em que o JFET pode ser empregado como
um resistor variável, sendo uma boa aproximação a Equação 59,
(Eq. 59)
Em que ro é a resistência com VGS = 0 V e rd é a resistência para um valor

específico de VGS.
FIGURA 44 – CARACTERÍSTICAS DO JFET DE CANAL N COM IDSS = 8 mA e VP = -4 V
2.3 DISPOSITIVO DE CANAL P

Os dispositivos de canal p possuem a mesma estrutura que os dispositivo de
canal n, porém são trocadas as posições dos materiais do tipo p e do tipo n (Figura 45A).
O sentido das correntes é invertido, assim como a polaridade das tensões (VGS e VDS). O
canal se contrai para tensões positivas crescentes da porta para a fonte, de modo que a
tensão VDS máxima, na Figura 45B, é negativa, indicando que a diferença de potencial
é aplicada do dreno para a fonte.
129
FIGURA 45 – JFET DE CANAL P (A) E CURVAS CARACTERÍSTICAS DO JFET DE CANAL P (B) COM IDSS = 6 mA
E VP = +6 V
O símbolo para o JFET de canal n e o JFET do canal p são apresentados na

Figura 46.
130
FIGURA 46 – SIMBOLOGIA PARA UM JFET (A) DE CANAL N E (B) DE CANAL P
2.4 CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA

A relação entre ID e VGS é definido pela equação de Shockley (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013):
(Eq. 60)
Em que IDSS e VP são constantes e VGS é a variável de controle.
Existe uma forma mais rápida para se obter a curva, utilizando a curva de
Schockley, com a qual podemos predeterminar quatro valores relacionados entre VGS e ID
(Tabela 2). O número de pontos não necessariamente deve ser quatro; é possível melhorar
a precisão da curva determinando mais pontos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
TABELA 2 – VALORES DE VGS VERSUS ID UTILIZANDO A EQUAÇÃO DE SCHOCKLEY
VGS ID
0 IDSS
0,3 VP IDSS /2
0,5 VP IDSS /4
VP 0 mA
131
2.5 FOLHA DE DADOS (JFETS)
Como qualquer outro componente eletrônico, a folha de dados (Figura
47) de um JFET é de grande importância na hora da escolha e da utilização de um
componente em um projeto. Muitas características como especificações máximas
(normalmente apresentados no início da folha de especificações e, para um bom projeto,
é recomendado não ultrapassar, podendo danificar de forma definitiva o componente),
características térmicas (apresenta variações das características do componente pela
variação da temperatura de uso), características elétricas (características de estado
“ligado”, “desligado” e pequenos sinais) e características usuais (variedade de curvas que
demonstram como parâmetros importantes se comportam, de acordo com a variação
de tensão, corrente, temperatura e frequência).
FIGURA 47 – JFET 2N5457 DE CANAL N
132
133
3 MOSFET
O nome MOSFET significa transistor de efeito de campo metal-óxido-
semicondutor. De modo a facilitar a compreensão, esse tema será dividido em MOSFET
tipo depleção e MOSFET tipo intensificação.
3.1 MOSFET TIPO DEPLEÇÃO

Apresenta características muito parecidas com o JFET. Conforme Figura
48A, é possível notar que sua construção é obtida por uma base de silício (sob a qual
é construído o dispositivo), é adicionada uma camada grossa de material do tipo p
chamada substrato, os terminais da fonte e do dreno são conectados ao material do
tipo n, por meio de contatos metálicos; a porta é isolada do material do tipo n por uma
camada de dielétrico (SiO2), responsável pela alta impedância de entrada do dispositivo.
O nome faz sentido pelo metal se referir às conexões de dreno, fonte e porta, enquanto
o óxido é associado à camada isolante de dióxido de silício e o semicondutor, à estrutura
básica na qual as regiões do tipo p e n são difundidas (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
A aplicação de uma tensão VDD (Figura 48B) é feita nos terminais dreno-fonte,
resultando em uma atração dos elétrons livres do canal n para o potencial positivo do
dreno, estabelecendo uma corrente semelhante a que atravessa o canal do JFET. O
potencial negativo aplicado em VGS tenderá a pressionar os elétrons em direção ao
substrato do tipo p e a atrair lacunas do substrato do tipo p (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013) – a curva de transferência para um MOSFET tipo depleção de canal n será discutida
no primeiro exemplo dos exercícios resolvidos mais adiante.
134
A construção de um MOSFET tipo depleção de canal p é exatamente oposta à
apresentada para a de canal n, ou seja, existe um substrato do tipo n e um canal do tipo p
permanecendo com os mesmos terminais, porém as polaridades e o sentido de tensão e
corrente são invertidos. A curva característica é semelhante, porém refletida em relação
ao eixo ID. A equação de Shockley ainda é aplicável e requer apenas a utilização do sinal
correto de VGS e VP (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na Figura 49, temos os símbolos gráficos de MOSFET dos tipos depleção de canal
n e p, que permitem analisar o símbolo para componentes de três e de quatro terminais.
FIGURA 48 – MOSFET TIPO DEPLEÇÃO DE CANAL N (A) E MOSFET TIPO DEPLEÇÃO DE CANAL N (B) COM
VGS = 0 V E VDD APLICADA
3.2 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO

A Figura 50A apresenta um MOSFET tipo intensificação de canal n, sendo que
o componente é formado por uma grossa camada de material do tipo p (substrato)
sob uma base de silício, assim como no MOSFET depleção, o substrato, às vezes, está
conectado internamente ao terminal da fonte e, em outras, possui o quarto terminal (SS)
disponível para controle do potencial do substrato. Novamente, os terminais do dreno
e da fonte estão conectados por um contato metálico às regiões de tipo n, que agora
não estão conectadas. Ainda existe a camada de SiO2, utilizada para separar a porta da
região entre o dreno e a fonte.
Na Figura 50B, temos as tensões VDS e VGS positivas estabelecendo potencial

positivo no dreno e na porta. O potencial positivo na porta repele as lacunas (cargas
positivas), fazendo com que apareça uma camada de depleção próxima à camada isolante.
Conforme ocorre o aumento de VGS , tem-se um aumento na concentração de elétrons
135
próxima à superfície do dióxido de silício até que ocorra um fluxo mensurável de elétrons
entre o dreno e a fonte. A tensão VGS que produz esse aumento significativo é denominada
de tensão limiar, VT (VGS(Th) nas folhas de dados) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 49 – SÍMBOLO GRÁFICO PARA MOSFETS DO TIPO DEPLEÇÃO DE CANAL N (A) E DE CANAL P (B)
O canal é inexistente para VGS = 0 V e é intensificado através da aplicação de

uma tensão porta-fonte positiva, de onde surgiu o nome MOSFET tipo intensificação. Se
for mantido crescente o valor de VDS com VGS constante, chega-se o momento em que
ocorrerá a saturação do valor da corrente do dreno – essa manutenção constante do
valor de ID ocorre devido ao pinch-off, no sentido de tornar o canal ainda mais próximo
ao dreno (Figura 52A), aplicando LKT,
(Eq. 61)
Além disso,
(Eq. 62)
136
FIGURA 50 – MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N (A) E FORMAÇÃO DO CANAL NO MOSFET TIPO
INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N (B)
137
FIGURA 51 – ALTERAÇÕES NO CANAL E NA REGIÃO DE DEPLEÇÃO COM O AUMENTO DE VDS PARA UM
VALOR FIXO DE VGS (A) E CURVAS CARACTERÍSTICAS DE DRENO DE UM MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
DE CANAL N COM VT = 2 V e k = 0,278 x 10-3 A / V2 (B)
FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 337-338).
138
A Figura 51B apresenta a curva característica de um dreno, que permite perceber
que, para um valor fixo de VT, quanto maior for o valor da tensão VGS, maior será o valor de
saturação para VDS, como mostra o lugar geométrico no gráfico da Figura 51B.
Para valores de VGS > VT,
(Eq. 63)
Em que k é uma constante que é função da estrutura do dispositivo, sendo dada

por:
(Eq. 64)
Em que ID(ligado) e VGS(ligado) são valores para um ponto particular da curva.
Quando se trata do MOSFET tipo intensificação do canal p, teremos a mesma

situação descrita para o MOSFET tipo depleção, quando todos os materiais, tensão e
corrente são invertidos.
Na Figura 52, são apresentados os símbolos utilizados para o MOSFET tipo

intensificação de canal n e de canal p na configuração de três ou quatro terminais.
Percebe-se que existe uma linha tracejada entre o dreno e a fonte, que remete à
inexistência de um canal entre os terminais quando não estão polarizados.
4 MESFETS
A presença de uma junção metal-semicondutor é a razão para o nome de
transistor de efeito de campo metal-semicondutor (MESFETs). Os MESFETs utilizam
uma barreira de Schottky (criada pelo depósito de um metal como tungstênio sobre um
canal do tipo n) na porta, sendo a principal diferença para os MOSFETs tipo n, resultando
em níveis menores de capacitância e sensibilidade reduzida para altas frequências que
suporta, ainda mais a grande mobilidade dos portadores no material de GaAs.
139
FIGURA 52 – SÍMBOLOS PARA O MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N (A) E DE CANAL P (B)
A Figura 53A apresenta a estrutura básica de um MESFET de canal n, em

que podemos notar que o terminal da porta está ligado diretamente a um condutor
metálico em direção oposta ao material do tipo n que liga os terminais da fonte e do
dreno. Ao aplicar uma tensão negativa à porta, ela irá repelir os elétrons do canal para
longe da superfície do metal, ocorrendo, desse modo, uma diminuição do número de
portadores no canal e redução da corrente do dreno. Se aplicada uma tensão positiva,
haverá um aumento de elétrons livres no canal e, consequentemente, um aumento
de ID, conforme mostra a Figura 53B, como as curvas do MESFET tipo depleção e do
MOSFET tipo depleção serem tão semelhantes à técnica de análise. É possível observar
as polaridades, o sentidos reais e o símbolo definidos para o MESFET na Figura 54A
Existe também o MESFET tipo intensificação, com estrutura semelhante à

observada no MESFET tipo depleção, porém sem o canal n, conforme pode ser observado
na Figura 54B; seu símbolo é apresentado na Figura 55C.
140
FIGURA 53 – ESTRUTURA BÁSICA (A) E CARACTERÍSTICAS DE UM MESFET DE CANAL N (B)
FIGURA 54 – SÍMBOLO E ARRANJO BÁSICO DE POLARIZAÇÃO PARA UM MESFET DE CANAL N (A), ESTRUTURA
DE UM MESFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (B) E SÍMBOLO PARA UM MESFET TIPO INTENSIFICAÇÃO (C)
141
É importante citar que os MESFETs tipo intensificação e depleção são

confeccionados com um canal de material do tipo n entre o dreno e a fonte e, por
conseguinte, apenas MESFETs do tipo n estão comercialmente disponíveis (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
5 RESUMO DAS CURVAS E PRINCIPAIS CARACTERÍSTICAS

Na Tabela 3, é apresentado um resumo das principais características dos FET.
TABELA 3 – RESUMO DE TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO
142
DICA
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva de transferência para um MOSFET

tipo depleção de canal n com IDSS = 10 mA e VP = -4 V.
R.: Para a resolução do exercício, utilizaremos as equações apresentadas na Tabela 2, logo,

• Quando VGS = 0 V temos que ID = IDSS, logo, ID = 10 mA;
• Quando ID = 0 mA temos que VGS = VP, logo, VGS= −4 V;
• Quando VGS = VP /2, temos que ID = IDSS /4, portanto, VGS =−4 V/2 = −2 V e ID = 10 mA/4 = 2,5; e
• Quando ID = IDSS / 2, temos que VGS = 0,3 VP, portanto, ID =10 mA / 2 = 5 mA e VGS = 0,3 (−4V)
= −1,2 V.
Traçando a curva, obtemos o gráfico da figura seguinte:
143
CURVA CARACTERÍSTICA
144
RESUMO DO TÓPICO 2
• O transistor de efeito de campo (FET) é semelhante ao TBJ diferindo deste, porém,

por ser polarizado por tensão, e não por corrente.
• O FET pode ser entendido como um componente no qual a corrente entra pela fonte
e sai pelo dreno, sendo o fluxo dessa corrente controlado pela tensão aplicada ao
terminal fonte.
• O MOSFET, que significa transistor de efeito de campo metal-óxido-semicondutor, é

dividido em dois tipos: o tipo depleção e o tipo intensificação.
• Os MESFETs utilizam uma barreira de Schottky na porta, sendo a principal

diferença para os MOSFETs tipo n, resultando em níveis menores de capacitância e
sensibilidade reduzida para altas frequências.
• A curva característica de um FET relaciona sua corrente de dreno (ID) com a tensão
entra a porta e a fonte (VGS).
145
AUTOATIVIDADE
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva de transferência definida por:
a) IDSS = 12 mA e VP = -6 V
b) IDSS = 4 mA e VP = 3 V
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva de transferência e as curvas de

dreno de um MOSFET tipo depleção de canal n com IDSS = 12 mA e VP = -8 V para VGS
= VP até VGS = 1 V.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Esboce a curva característica de transferência de

um MOSFET tipo intensificação de canal p, se VT = -5 V e k = 0,45 x 10-3 A / V2 .
146
ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO
TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO
1 INTRODUÇÃO
Neste tópico, analisaremos a resposta do transistor no domínio da frequência,
CA senoidal. Existem três modelos que são comumente usados para a análise CA para
pequenos sinais: o modelo re, o modelo π híbrido e o modelo híbrido equivalente.
Até aqui, vimos que o TBJ pode ser empregado como um dispositivo amplificador,
uma vez que o sinal senoidal de saída é maior que o sinal senoidal de entrada em
amplitude. Como a amplitude do sinal de saída é maior, podemos dizer também que a
potência de saída é maior que a potência de entrada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
2 MODELAGEM DO TBJ
Segundo Boylestad e Nashelsky (2013, p. 221), “Um modelo é a combinação
de elementos de circuito, apropriadamente selecionados, que se assemelham tanto
quanto possível ao funcionamento real de um dispositivo semicondutor sob condições
específicas de operação”.
O modelo híbrido era o mais utilizado na fase de levantamento de dados, de modo

que a folha de dados incluía os parâmetros em sua lista, porém, por serem definidos
para um conjunto de condições operacionais, pode ocorrer a não correspondência
com as condições necessárias para o circuito em desenvolvimento. Com o passar dos
tempos, o modelo re torna-se a abordagem mais desejável, sendo uma versão reduzida
do modelo π híbrido, utilizado, quase que exclusivamente, para alta frequência, mas
que deixava de incluir um termo de realimentação, que, em alguns casos, pode ser
importante (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Para não haver confusão, serão adotados parâmetros para a análise de qualquer
sistema, conforme mostra a Figura 55. Destaca-se que as correntes Ii, e Io têm o sentido
padrão considerado “entrando” no sistema.
147
FIGURA 55 – DEFINIÇÃO DOS PARÂMETROS IMPORTANTES PARA QUALQUER SISTEMA
Para obter o equivalente CA de um circuito a transistor, deve-se realizar os

seguintes passos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• fixar todas as fontes de tensão CC em zero e substitui-las por um curto-circuito

equivalente;
• substituir todos os capacitores por um curto-circuito equivalente;
• remover todos os componentes em paralelo com os curtos-circuitos;
• redesenhar o circuito para torná-lo mais conveniente e lógico.
3 MODELO re DO TRANSISTOR
Serão analisadas duas configurações para o modelo re : emissor-comum e base-
comum, conforme descrito a seguir.
3.1 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM

A montagem do circuito equivalente é proveniente da curva característica do
componente e uma série de aproximações. Por meio da análise da Figura 56A, podemos
perceber que Vi = Vbe e Ii = Ib. Na Figura 57A, verificamos as curvas características de
entrada e, na Figura 57B, o valor médio das curvas, que é simplesmente a curva de
um diodo polarizado diretamente. Portanto, para a entrada, o circuito equivalente é um
diodo com uma corrente Ie (Figura 57B).
Para o circuito de saída, inicialmente, desenharemos as curvas características

do coletor com β constante (outra aproximação) e todas as características de saída
podem ser substituídas por uma fonte de corrente controlada de magnitude βIb, como
mostra a Figura 58A.
Podemos melhorar o circuito trocando o diodo por sua resistência equivalente,

re (Figura 58B) e determinando sua impedância de entrada:
148
Logo,
(Eq. 65)
Desse modo, é possível redesenhar o circuito equivalente (Figura 58C).
3.1.1 Tensão Early

Existe a necessidade de uma representação adequada para a impedância de saída.
Sabemos que as curvas características não possuem a aparência ideal (Figura 59), mas,
sim, uma inclinação, que define a impedância de saída do dispositivo, de modo que quanto
mais íngreme a curva, menor será a impedância de saída e menos ideal o dispositivo. Se
estendermos a curva até o eixo horizontal (Figura 60), é possível notar que todas se cruzam
em uma mesma tensão, denominada de tensão Early (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 56 – DETERMINAÇÃO DO CIRCUITO (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE PARA O TERMINAL DE ENTRADA

PARA UM TRANSISTOR TBJ (B)
FIGURA 57 – DEFINIÇÃO DA CURVA MÉDIA (B) PARA AS CURVAS CARACTERÍSTICAS (A)

149
FIGURA 58 – CIRCUITO EQUIVALENTE PARA O TBJ (A), DEFINIÇÃO DO NÍVEL Zi (B) E CIRCUITO EQUIVALENTE
MELHORADO PARA O TBJ (C)
FIGURA 59 – CURVAS CARACTERÍSTICAS COM β CONSTANTE
150
Para determinar a impedância de saída, podemos utilizar a Equação 66:
(Eq. 66)
Tipicamente, a tensão de Early é suficientemente grande se comparada à tensão

coletor-emissor, de maneira que podemos utilizar a aproximação:
(Eq. 67)
FIGURA 60 – DEFINIÇÃO DA TENSÃO EARLY E DA IMPEDÂNCIA DE SAÍDA DE UM TRANSISTOR
Quando a tensão de Early não está disponível, podemos determinar a impedância

de saída pela inclinação das curvas, na qual:
Inclinação
Logo,
(Eq. 68)
Desse modo, é possível redesenhar o circuito da Figura 58C incluindo os efeitos

de ro, conforme mostra a Figura 61.
151
Os procedimentos para a determinação são semelhantes aos utilizados no
emissor-comum, sendo que, nesse momento, sabemos que a corrente do coletor está
relacionada com a corrente do emissor por α e a corrente do coletor, assim como a fonte
de corrente, possui direção oposta à corrente de saída definida. O diodo novamente
pode ser substituído por re = 26 mV/IE. O circuito equivalente utilizado para a maioria das
configurações base-comuns é apresentado na Figura 63.
FIGURA 61 – MODELO re PARA A CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM DO TRANSISTOR, INCLUINDO OS

EFEITOS DE ro
FIGURA 62 – TRANSISTOR TBJ BASE-COMUM (A) E CIRCUITO EQUIVALENTE PARA A SUA CONFIGURAÇÃO (B)
(a) (b)
FIGURA 63 – CIRCUITO BASE-COMUM re EQUIVALENTE
152
3.3 NPN VERSUS PNP
De acordo com Boylestad e Nashelsky (2013, p. 228), as análises CC do TBJ nas
configurações npn e pnp são bem diferentes, uma vez que possuem correntes com
sentidos opostos, ocasionando tensões de polaridades opostas. Entretanto, quando se
trata de uma análise CA, na qual o sinal evolui entre valores positivos e negativos, o
circuito CA será o mesmo.
4 CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM POLARIZAÇÃO

FIXA
Na Figura 64A, temos o circuito com a configuração emissor-comum com
polarização fixa; para a análise CA em pequenos sinais, são trocados os capacitores C1 e
C2 por curtos-circuitos equivalentes e removidos os efeitos de VCC (Figura 64B).
Para análise CA o circuito da Figura 64B foi redesenhado e adicionado o modelo

equivalente re conforme pode ser visto na Figura 65A.
Desse modo, temos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• Zi:
(Eq. 69)
o Caso ( ):
(Eq. 70)
FIGURA 64 – CONFIGURAÇÃO EMISSOR-COMUM COM POLARIZAÇÃO FIXA (A) E CIRCUITO APÓS A

REMOÇÃO DOS EFEITOS DE Vcc, C1 e C2 (B)
153
• Zo:
(Eq. 71)
o Se ro ≥ 10 RC:
(Eq. 72)

o Se ro ≥ 10 RC:
(Eq. 73)
Nota-se que existe um sinal negativo na equação de Av, que representa um

deslocamento de fase de 180° entre o sinal de entrada e o de saída, conforme pode ser
observado na Figura 65B.
FIGURA 65 – SUBSTITUIÇÃO DO MODELO re NO CIRCUITO DA FIGURA 65B (A) E DEMONSTRAÇÃO DO

DESLOCAMENTO DE FASE 180° ENTRE AS FORMAS DE ONDA DE ENTRADA E SAÍDA (B)
5 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

Na Figura 66A, podemos observar a configuração por divisor de tensão e, na
Figura 66B, o circuito CA equivalente com substituição do circuito re equivalente.
154
FIGURA 66 – CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E SUBSTITUIÇÃO DO
CIRCUITO re EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
Analisando o circuito da Figura 66B (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 74)
• Zi:
(Eq. 75)
• Zo:
(Eq. 76)
Se ro ≥ 10 RC:
o
(Eq. 77)
• Av:
(Eq. 78)
Se ro ≥ 10 RC:
o
(Eq. 79)
Como é possível notar, Av possui sinal negativo indicando a inversão de fase na

saída, ou seja, a saída possui um deslocamento de fase de 180° em relação à entrada.
155
6 CONFIGURAÇÃO EC COM POLARIZAÇÃO DO EMISSOR
Nesse momento, veremos duas configurações importantes: com e sem desvio
do RE.
6.1 SEM DESVIO

Na Figura 67A, temos o circuito na configuração EC com polarização do emissor
e, na Figura 67B, o equivalente CA com substituição do circuito re equivalente.
Por meio da análise da Figura 67B (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013), temos:
(Eq. 80)
FIGURA 67 – CONFIGURAÇÃO EC COM POLARIZAÇÃO DO EMISSOR (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO re

EQUIVALENTE NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
Sabendo que β, normalmente, é muito maior que 1, de modo que:
(Eq. 81)
Além disso, RE frequentemente é muito maior que re, logo,
(Eq. 82)
• Zi:
(Eq. 83)
• Z o:
(Eq. 84)
156
• Av:
(Eq. 85)
Utilizando a aproximação
(Eq. 86)
6.2 COM DESVIO

A configuração com desvio do RE será discutida no primeiro exemplo dos
exercícios resolvidos adiante.
7 CONFIGURAÇÃO DE SEGUIDOR DE EMISSOR

Na Figura 68A, podemos observar o circuito na configuração seguidor de emissor,
que, normalmente, é utilizado para fins de casamento de impedância. Substituindo do
circuito re equivalente na Figura 68A, temos o que é apresentado na Figura 68B, em que
podemos obter (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
FIGURA 68 – CONFIGURAÇÃO DE SEGUIDOR DE EMISSOR (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO re EQUIVALENTE

NO CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
157
• Zi:
(Eq. 87)
o Em que:
(Eq. 88)
o Como normalmente β ≫ 1:
(Eq. 89)
o Para o caso em que RE ≫ re:
(Eq. 90)
• Zo:
(Eq. 91)
o Como RE costuma ser muito maior que re:
(Eq. 92)
• Av:
(Eq. 93)

o Uma vez que RE é geralmente muito maior que re,
(Eq. 94)

8 CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM
Os circuitos na configuração base-comum são caracterizados pelo ganho de
corrente menor que 1, pela impedância de saída alta e pela impedância de entrada
relativamente baixa (Figura 69A). Por meio da substituição do modelo re equivalente
(Figura 69B), é possível determinar (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
158
FIGURA 69 – CONFIGURAÇÃO BASE-COMUM (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO re EQUIVALENTE NO
CIRCUITO CA EQUIVALENTE (B)
• Zi:
(Eq. 95)
• Z o:
(Eq. 96)
• Av:
(Eq. 97)
• Ai:
(Eq. 98)
9 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR

A Figura 70A apresenta a configuração com realimentação do coletor, que emprega
um caminho de realimentação do coletor para a base com o objetivo de aumentar a
estabilidade do sistema. Na Figura 70B, temos a substituição do circuito re equivalente no
circuito CA equivalente da configuração com realimentação do coletor da Figura 70A. Pela
análise da Figura 70B, é possível determinar (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
159
• Zi:
o Sabendo que RC ≫ re:
(Eq. 99)
• Zo:
(Eq. 100)
FIGURA 70 – CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO DO COLETOR (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO re

• Av:
(Eq. 101)
o Para RF ≫ RC:
(Eq. 102)
160
10 CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO CC DO COLETOR
A Figura 71A mostra a configuração com realimentação CC do coletor, enquanto
a Figura 71B apresenta a substituição do circuito re equivalente no circuito CA equivalente
da Figura 71A, em que podemos obter (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• Zi:
(Eq. 103)
• Zo:
(Eq. 104)
o Para ro ≥ 10RC,
(Eq. 105)
• Av:
(Eq. 106)
o Para ro ≥ 10RC,
(Eq. 107)
FIGURA 71 – CONFIGURAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO CC DO COLETOR (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO re

161
11 RESUMO
A Tabela 4 apresenta um resumo com as equações para os principais circuitos
discutidos ao longo deste tópico.
TABELA 4 – AMPLIFICADORES TRANSISTORIZADOS COM TBJ INCLUINDO O EFEITO DE RS e RL
162
163
DICA
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito da figura a seguir, determine (com

CE conectado e desconectado):
a) re.
R.: Temos que:
Portanto, βRE ≥ 10R2.
Para CE não conectado:
Para CE conectado:
A análise CC é a mesma, logo re = 19,64 Ω
b) Zi.
R.: Para CE não conectado:

Por meio da análise da figura a seguir:
164
CIRCUITO CA EQUIVALENTE
Temos que e , logo,
Para CE conectado:
c) Zo.
Para CE conectado:
d) Av.
Para CE conectado:
Percebe-se que, ao se conectar o capacitor CE, tem-se um aumento significativo no ganho.
165
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito da figura a seguir, determine:
a) re.
R.:
b) Zi.
R.:
c) Zo.
R.:
d) Av.
R.:
166
LEITURA
COMPLEMENTAR
ESPELHO DE CORRENTE ELEMENTAR
P. R. Veronese
Espelhos de corrente são circuitos que refletem uma determinada corrente

de referência (Iref) para um ou mais ramos, criando correntes de espelhamento (Iesp)
com valores iguais ou proporcionais ao da corrente de referência. A Figura 1 mostra um
circuito elementar de espelho de corrente construído com transistores npn, na Figura
1a, e com transistores pnp, na Figura 1b. Em um espelho desse tipo, a relação Iesp =
Iref só acontece se os transistores forem casados (IS1 = IS2 e NF1 = NF2) e se possuírem
ganhos de corrente e tensões Early muito elevados (β1 = β2 → ∞ e VAF1 =VAF2 → ∞). Como
em circuitos práticos discretos dificilmente isso acontece, pode-se considerar que Iesp
≈ Iref só se alguns cuidados de casamento forem adotados. A compliância desse tipo
de espelho é elevada, isto é, Vins(min) = VBE, e o coeficiente térmico de espelhamento é
essencialmente nulo.
FIGURA 1: ESPELHOS DE CORRENTE COM RESISTÊNCIAS DE EMISSOR. A) TBJ NPN. B) TBJ PNP.
A resistência interna, vista no ramo de espelhamento, é relativamente elevada e

vale roe = ro1. No entanto, no ramo de referência, como Q2 está ligado como um diodo, a
resistência interna (rod) é muito baixa e vale:
167
Em que:
Se R1 for muito elevado, então:
FONTE: Adaptado de VERONESE, P. R. Fontes e Espelhos de Corrente Resumo de Aplicações Bipolares.

[S.l: s.n.], 2018.
168
RESUMO DO TÓPICO 3
• Um modelo elétrico é a combinação de elementos de circuito, apropriadamente

selecionados, que se assemelham, tanto quanto possível, ao funcionamento real de
um dispositivo semicondutor, sob condições específicas de operação.
• A tensão Early permite determinar a impedância de saída de um TBJ. Sua análise

pode ser feita graficamente ou por equacionamento.
• Um TBJ, na configuração emissor comum, pode ser com desvio e sem desvio.
• O circuito TBJ na configuração seguidor de emissor é, normalmente, utilizado para

fins de casamento de impedância.
• Os circuitos TBJ, na configuração base-comum, são caracterizados pelo ganho de

corrente menor que 1, pela impedância de saída alta e pela impedância de entrada
relativamente baixa.
• A configuração com realimentação do coletor emprega um caminho de realimentação

do coletor para a base, com o objetivo de aumentar a estabilidade do sistema.
169
AUTOATIVIDADE
a) Zi e Zo.
b) Av.
a) O valor de re.
170
b) Zi e Zo.
c) Av.
a) re.
b) Zi e Zo.
c) Av.
171
REFERÊNCIAS
11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil; 2013. Disponível em: https://
MALVINO, A. Eletrônica: Volume 1. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2007.
SCHULER, C. A. Eletrônica I: Habilidades Básicas em Eletricidade, Eletrônica e

Telecomunicações. 7. ed. Porto Alegre: AMGH; 2013.
VERONESE, P. R. Fontes e Espelhos de Corrente Resumo de Aplicações

Bipolares. [S.l: s.n.]; 2018.
172
UNIDADE 3 —
TRANSISTORES II
• compreender o funcionamento das possíveis polarizações do FET;
• resolver exercícios envolvendo polarização do FET;
• ser capaz de analisar o circuito contendo FET para pequenos sinais;
• entender o comportamento das mais diversas configurações do FET quando expostos

a pequenos sinais;
• resolver exercícios envolvendo FET e pequenos sinais;
• ser capaz de analisar o comportamento de TBJ e JFET quando expostos à variação

de frequência;
• calcular as frequências de corte superior e inferior de circuitos com TBJ e FET;
• entender o efeito no ganho e na faixa de operação quando temos circuitos de

multiestágios;
• resolver exercícios envolvendo TBJ e JFET em baixas e altas frequências.
PLANO DE ESTUDOS
TÓPICO 1 – POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)
TÓPICO 2 – ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
TÓPICO 3 – RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ)

E JFET
CHAMADA
173
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UNIDADE 3!
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174
UNIDADE 3 TÓPICO 1 —
POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE
EFEITO DE CAMPO (FET)
1 INTRODUÇÃO
A relação entre os parâmetros de entrada e de saída em um transistor de
efeito de campo não é linear, obedecendo à equação de Shockley, que é uma função
quadrática, resultando em uma curva, em vez de uma reta, conforme foi analisado para
os transistores bipolares de junção. Quando pensamos na análise da corrente contínua
(CC), a não linearidade pode complicar o raciocínio, sendo o método gráfico o mais rápido
para a maioria dos amplificadores transistores de efeito de campo (FETs – sigla do inglês
field-effect transistor), porém pode limitar a precisão de décimos. Vale lembrar que, em
um FET, a variável de controle é uma tensão, enquanto em um transistor bipolar de
junção (TBJ – sigla do inglês bipolar junction transistor) era uma corrente (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013).
Antes de iniciarmos os estudos sobre a polarização do FET, é importante ter em

mente as principais relações dos FETs.
(Eq. 1)
(Eq. 2)
Para os transistores de efeito de campo de junção (JFETs), os transistores de

efeito de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) e os transistores de efeito de
campo metal-semicondutor (MESFETs) tipo depleção, a relação entre a variável de
entrada e de saída é dada pela equação de Shockley:
(Eq. 3)
Para os MOSFETs e MESFETs tipo intensificação, é aplicável a relação presente

na Equação 4:
(Eq. 4)
Em que,
(Eq. 5)
175
2 POLARIZAÇÃO DO FET
Serão discutidos os principais tipos de polarização dos transistores de efeito de
campo.
2.1 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA

É uma das poucas configurações que se pode resolver tanto pelo método
matemático quanto pelo método gráfico. Na Figura 1, é apresentado o circuito com
configuração de polarização fixa.
Através da Análise da Figura 1B, é possível verificar que:
(Eq. 6)
Como podemos perceber, VGG é uma fonte de tensão fixa, daí o nome
“configuração com polarização fixa”. O valor da corrente do dreno é controlado pela
equação de Shockley. Aplicando-se a lei Kirchhoff das tensões (LKT) no ramo dreno-
fonte no sentido anti-horário na Figura 1B:
Logo,
(Eq. 7)
Além disso, ainda através da Figura 1B, é possível concluir que:
(Eq. 8)
(Eq. 9)
A análise gráfica será discutida nos exercícios resolvidos, mais adiante.
176
FIGURA 1 – CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA (A) E CIRCUITO PARA ANÁLISE CC (B)
2.2 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO

A configuração com autopolarização, Figura 2A, elimina a necessidade de duas
fontes de tensão CC. A tensão de controle porta-fonte é determinada através de RS.
Para análise CC, utilizaremos o circuito apresentado na Figura 2B, aplicando a

LKT no sentido indicado:
Logo,
(Eq. 10)
A solução matemática pode ser obtida através da substituição da Equação 10

na equação de Shockley, logo,
Simplificando:
177
FIGURA 2 – CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO (A) E CIRCUITO PARA ANÁLISE CC DO CIRCUITO (B)
Para a utilização do método gráfico, é necessário, inicialmente, o estabelecimento

da curva característica do dispositivo, utilizando os dados da Tabela 1, e, em seguida, a
determinação da reta dada pela Equação 10, conforme mostra a Figura 3.
Aplicando a LKT ao ramo dreno-fonte (Figura 2B), no sentido horário:
Como ,
(Eq. 11)
Além disso,
(Eq. 12)
(Eq. 13)
(Eq. 14)
178
FIGURA 3 – DEFINIÇÃO DE UM PONTO NA CURVA DE AUTOPOLARIZAÇÃO (A) E ESBOÇO DA RETA DE
AUTOPOLARIZAÇÃO (B)
2.3 POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO

Na Figura 4, é apresentado o circuito com polarização por divisor de tensão. Uma
vez que, na Figura 4C, temos que IR1 = IR2, aplicando-se o divisor de tensão na Figura 4B:
(Eq. 15)
Além disso, aplicando a LKT no sentido horário na Figura 4B, conforme indicado:
Como ,
(Eq. 16)
179
FIGURA 4 – CONFIGURAÇÃO DA POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E CIRCUITO PARA ANÁLISE CC (B-C)
A Equação 16 é uma equação de reta que pode ser traçada com a determinação
de dois pontos sobre o gráfico da equação de Shockley, sendo eles,
(Eq. 17)
(Eq. 18)
É importante ressaltar que valores crescentes de RS resultam em valores

quiescentes menores de ID e valores de VGS mais negativos (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013).
Após a determinação dos valores de operação (valores quiescentes), o restante

da análise pode ser realizada de maneira usual, ou seja,
(Eq. 19)
(Eq. 20)
(Eq. 21)
(Eq. 22)
2.4 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM

Na Figura 5, temos duas versões de circuito para a configuração porta-comum.
180
FIGURA 5 – DUAS VERSÕES PARA A CONFIGURAÇÃO DE PORTA-COMUM
Para determinar a equação do circuito, utilizaremos o circuito apresentado na

Figura 6A, aplicando a LKT a esse circuito:
Como IS = ID,
(Eq. 23)
Para determinação da reta,
(Eq. 24)
(Eq. 25)
A reta de carga é apresentada na Figura 6B, sendo que a interseção define o

ponto de operação (IDQ e VGSQ).
181
FIGURA 6 – CIRCUITO PARA DETERMINAÇÃO DA EQUAÇÃO (A) E DETERMINAÇÃO DO PONTO Q PARA A
CONFIGURAÇÃO APRESENTADA NA FIGURA ANTERIOR (B)
Aplicando a LKT à malha que contém as duas fontes de tensão na Figura 5, no

sentido horário,
Como ID = IS,
(Eq. 26)
Além disso,
(Eq. 27)
(Eq. 28)
2.5 CASO ESPECIAL VGSQ = 0 V

Por meio da análise do circuito da Figura 7A, sabemos que a porta e a fonte
estão conectadas ao terra, de modo que VGS = 0 V, resultando em uma reta de carga
vertical em que VGSQ = 0 V (Figura 7B), na qual se pode notar que:
(Eq. 29)
Aplicando-se a LKT à malha dreno-fonte (Figura 7A), no sentido horário,
(Eq. 30)
182
Além disso,
(Eq. 31)
(Eq. 32)
FIGURA 7 – CONFIGURAÇÃO DO CASO ESPECIAL VGSQ = 0 V (A) E DETERMINAÇÃO DO PONTO Q PARA O

CIRCUITO (B)
2.6 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO

Sua análise é semelhante às apresentadas para os JFETs; a principal diferença
é que os MOSFETs tipo depleção têm ponto de operação com valores positivos de VGS e
valores de ID maiores que IDSS.
Para um melhor entendimento, mais adiante, será apresentado um exemplo nos

exercícios resolvidos.
2.7 MOSFETS TIPO INTENSIFICAÇÃO

São curvas bem diferentes das observadas até o momento, sendo importante
lembrar que:
(Eq. 33)
Em que:
(Eq. 34)
183
Para traçar a curva, normalmente um ponto entre VGS(Th) e VGS(ligado) e outro um
pouco maior que VGS(ligado) são suficientes.
2.7.1 Configuração de polarização com realimentação

A configuração de polarização para MOSFETs tipo intensificação (Figura 8) é
bastante utilizada e o resistor R_G oferece um valor apropriadamente alto de tensão à
porta do MOSFET para “ligá-lo” (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013). Por meio do circuito
apresentado na Figura 8B, é possível verificar uma ligação direta entre a porta e o dreno,
de modo que:
(Eq. 35)
Uma vez que a fonte está conectada ao terra.
Para o circuito de saída, analisando no sentido horário,
Portanto,
Aplicando à Equação 35:
(Eq. 36)
Portanto, obtemos uma equação de primeiro grau e, para traçarmos essa reta,
os dois pontos mais fáceis são:
(Eq. 37)
(Eq. 38)
A curva para a determinação do ponto de operação é apresentada na Figura 10.
184
FIGURA 8 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO COM REALIMENTAÇÃO (A) E EQUIVALENTE CC (B)
FIGURA 9 – CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA DE UM MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO DE CANAL N
FIGURA 10 – DETERMINAÇÃO DO PONTO Q DO CIRCUITO DA FIGURA 8
185
2.7.2 Circuito de polarização por divisor de tensão
A Figura 11 demonstra a configuração de polarização por divisor de tensão de
um MOSFET de intensificação de canal n. Como IG = o mA, a tensão da porta é dada por:
(Eq. 39)
Aplicando a LKT à malha indicada na Figura 11, temos:
Sabemos que VG = VR2 e; I = IS, logo:
(Eq. 40)
FIGURA 11 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO POR DIVISOR DE TENSÃO PARA UM MOSFET INTENSIFICAÇÃO

DE CANAL N
Analisando a malha dreno-fonte, no sentido horário,
Portanto,
(Eq. 41)
A determinação das curvas segue os mesmos procedimentos anteriores, visto

que a Equação 41 é de primeiro grau; ao traçar as curvas, é possível determinar o ponto
de operação (IDQ e VGSQ )- interseção das duas curvas) e, por meio dele, determinar os
demais parâmetros como VDS, VD e VS.
186
2.8 RESUMO
A Tabela 1 apresenta, de forma resumida, as equações pertinentes e a solução
gráfica para cada tipo de configuração de polarização de FET estudada.
TABELA 1 – CONFIGURAÇÃO DE POLARIZAÇÃO PARA FET

187
DICA
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o MOSFET tipo depleção de canal n da figura

a seguir, determine:
CIRCUITO
a) IDQ e VGSQ.
R.: Para a resolução do exercício, inicialmente, precisamos determinar a curva de
transferência por meio dos métodos apresentados ao longo deste tópico.
• quando VGS = 0 V, temos que ID = IDSS, logo, ID = 6 mA;

• quando ID = 0 mA, temos que VGS = VP, logo, VGS = -3 V;
• quando VGS = VP ⁄ 2, temos que ID = IDSS ⁄ 4, portanto, VGS = -3 V ⁄ 2 = -1,5 V e ID = (6 mA) ⁄4 =
1,5 mA; e
• quando ID = IDSS ⁄ 2, temos que VGS = 0,3 VP, portanto, ID = 6 mA ⁄ 2 = 3 mA e VGS = 0,3(-3 V)=
-0,9 V.
Além disso, é necessária a adição de, pelo menos, mais um ponto, sendo este um valor
positivo de VGS. Portanto, para VGS = 1 V,
A curva de transferência resultante é apresentada na figura a seguir.
Para determinar a curva da carga, utilizaremos as mesmas equações aplicadas para os

JFETs; logo, para determinar o valor da tensão da porta, ou gate, utilizando a Equação 15,
188
Determinando a equação de entrada, malha porta-fonte (gate-source), Equação 16,
Para traçar a reta de polarização são necessários dois pontos, logo, utilizando as equações
7.17 e 7.18,
A reta de polarização é apresentada na figura a seguir:
DETERMINAÇÃO DO PONTO Q
Ao traçar a curva de transferência e a reta de polarização, obteremos o ponto de operação,

ou ponto quiescente, conforme mostra a figura, que é dado por:
b) VDS.
R.: Por meio da Equação 19, temos que:
189
c) Repita os itens (a) e (b) alterando do valor de RS para 150 Ω.
R.: A curva de transferência não será alterada, pois é a relação entre IDSS e VP.
A reta de polarização irá mudar, pois a resistência da fonte é uma das variáveis envolvida;
desse modo, considerando a Equação 16,
A tensão da porta continuará sendo VG = 1,5 V, pois somente foi alterada a resistência da
fonte, logo,
Por meio das equações 17 e 18,
A curva de transferência, a reta de polarização e o ponto quiescente são apresentados na

figura a seguir:
DETERMINAÇÃO DO PONTO Q
Nesse caso, o ponto quiescente produz uma corrente de dreno superior a IDSS e um valor
positivo de VGS, resultando no ponto de operação:
E pela Equação 19,
190
determine, com base no método matemático e no método gráfico:
CIRCUITO
a) VGSQ.
R.: Método matemático: aplicando-se a LKT à malha porta-fonte, sentido horário, sabendo
que IG = o mA,
Logo,
Método gráfico: inicialmente deve-se determinar a curva pela equação de Shockley e os

pontos da Tabela 1, conforme realizado no exemplo neste tópico.
Para o circuito do exemplo, a equação da carga é dada por VGS = -2 V, logo uma reta vertical,
conforme pode ser observado na figura a seguir. A determinação do ponto quiescente é
difícil ter uma grande precisão sem aumento significativo da figura, mas o valor IDQ = 5,6 mA
é um valor aceitável.
SOLUÇÃO GRÁFICA
191
É possível perceber que ambos os métodos chegaram a resultados parecidos.
b) IDQ.
R.: Aplicando a equação de Shockley:
Método gráfico: com o mesmo raciocínio utilizado no método matemático para a

determinação das equações, temos:
c) VDS.
R.: Aplicando a LKT à malha dreno-fonte do circuito deste exercício, no sentido horário:
Portanto,

d) VD.
R.: Sabemos que:
Como VS = 0 V, pois a fonte está conectada ao terra, logo,
Sabemos que:
Como VS = 0 V, pois a fonte está conectada ao terra:
192
e) VG.
R.: Sabemos que:
Como VS = 0 V, pois a fonte está conectada ao terra:

f) VS.
R.: Como citado anteriormente, a fonte está conectada ao terra, de modo que:

3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Conforme o circuito apresentado na figura a

seguir, com configuração por divisor de tensão, determine o valor de RS sabendo
que VD = 12 V e VGSQ = -2 V.
CIRCUITO
193
R.: Sabemos que IG = 0 mA, desse modo, aplicando o divisor de tensão no circuito de entrada:
A corrente do dreno é dada por:
Aplicando LKT na malha porta-fonte no sentido horário podemos determinar a equação

para VGS, logo,
Entretanto, ID = IS,
Desse modo, o valor da resistência da fonte é dada por:
O valor comercial mais próximo para o projeto é de 3,3 kΩ.
194
RESUMO DO TÓPICO 1
• Duas relações de corrente importantes para os FETs são: IG ≅ 0 A e ID = IS.
• Para os transistores de efeito de campo de junção (JFETs), os transistores de efeito

de campo metal-óxido-semicondutor (MOSFETs) e os transistores de efeito de
campo metal-semicondutor (MESFETs) tipo depleção, a relação entre a variável de
entrada e de saída é dada pela equação de Shockley:
• O FET pode ser polarizado nas seguintes configurações: polarização fixa,

autopolarização e polarização por divisor de tensão.
• Os MOSFETs tipo depleção têm ponto de operação com valores positivos de VGS e
valores de ID maiores que IDSS.
• Para o FET polarizado na configuração fixa, valem as seguintes equações: VD = VDS

e VG = VGS.
• No FET configurado em autopolarização, são válidas as três seguintes expressões:
• O funcionamento do FET polarizado por divisor de tensão é regido pela equação:
195
AUTOATIVIDADE
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Considerando o circuito da figura a seguir, determine:
a) IDQ e VGSQ.
b) VDS e VD.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Projete um circuito com autopolarização utilizando

um transistor JFET com IDSS = 8 mA e VP =-6 V para conseguir um ponto Q em IDQ = 4
mA usando uma fonte de 14 V. Considere que RD = 3 RS e use valores comerciais de
resistência.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Projete um circuito de polarização por divisor de

tensão utilizando um MOSFET tipo depleção com IDSS = 10 mA e VP = -4 V, de modo
que o ponto Q se situe em IDQ = 2,5 mA usando uma fonte de 24 V. Estabeleça VG = 4
V e use RD = 2,5 RS com R1 = 22 MΩ. Utilize valores comerciais de resistência.
4 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para a configuração com polarização fixa da circuito

da figura a seguir, determine:
196
a) IDQ e VGSQ utilizando uma análise puramente matemática.
b) Repita o item (a) utilizando uma análise gráfica e compare os resultados.
c) Determine VDS, VD, VG e VS utilizando os resultados do item (a).
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dada a leitura VS = 1,7 V para o circuito da figura a

seguir, determine:
a) IDQ.
b) VGSQ.
197
c) IDSS.
d) VD.
e) VDS.
6 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito da figura a seguir, sabendo que VD =

12 V, determine:
a) ID.
b) VS e VDS.
c) VG e VGS.
d) VP.
7 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dado VDS = 4 V para o circuito da figura a seguir,

determine:
198
a) ID.
b) VD e VS.
c) VGS.
8 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine VD e VGS para o circuito da figura a seguir,

usando as informações fornecidas.
199
a) IDQ.
b) VGSQ e VDSQ.
c) VD e VS.
d) VDS.
10 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito combinado da figura a seguir,

determine:
200
a) VB e VG.
b) VE.
c) IE, IC e ID.
d) IB.
e) VC, VS e VD.
f) VCE.
g) VDS.
201
202
ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS
1 INTRODUÇÃO
Segundo Boylestd e Nashelsky (2013), os amplificadores que utilizam transistores
de efeito de campo proporcionam um excelente ganho em tensão, além da alta impedância
de entrada que fornecem. São também dispositivos muito pequenos e leves que possuem
baixo consumo de potência, aplicáveis a uma extensa gama de frequências.
O FET possui uma ampla possibilidade de uso, desde amplificadores lineares até
como dispositivo digital em circuito analógico (sendo muito comum o uso do MOSFET tipo
intensificação).
Entre as principais características a serem discutidas neste tópico, estão o ganho

de tensão, a impedância de entrada e a impedância de saída. Um ponto importante a
ser lembrado é que, devido à impedância de entrada ser muito elevada, consideramos a
corrente de entrada igual a 0 μA e o ganho de corrente é muito grande (infinito).
2 MODELO JFET PARA PEQUENOS SINAIS

Inicialmente, devemos ter em mente que a tensão de entrada (porta-fonte)
controla a corrente do canal de saída (dreno-fonte) de um JFET. No tópico anterior,
vimos que, para a análise CC, a tensão porta-fonte controla a corrente do dreno segundo
a equação de Shockley.
Para a análise CA, utilizaremos a transcondutância. Ao analisar o gráfico

apresentado na Figura 12, é possível perceber que a transcondutância é igual à inclinação
da curva no ponto quiescente, ou seja,
(Eq. 42)
Ao analisar a curva, é possível perceber que, à medida que a curva se aproxima

de VGS = 0 V, o valor de gm aumenta e, quando se aproxima de VGS = VP, o valor de gm
diminui.
203
FIGURA 12 – DEFINIÇÃO DE gm A PARTIR DA CURVA CARACTERÍSTICA DE TRANSFERÊNCIA
Contudo, o método gráfico pode ser muito limitante, de modo que podemos
determinar uma formulação matemática para tal. Inicialmente, sabendo que a derivada
de uma função em um ponto é igual à inclinação da reta tangente nesse ponto, portanto,
para calcular a derivada de ID em relação a VGS, temos:
Logo,
(Eq. 43)
É utilizado o valor absoluto de VP, de modo a garantir um valor positivo para gm.
Como vimos anteriormente, o valor máximo da inclinação da curva de

transferência ocorre em VGS = 0 V; logo, o valor máximo de gm ocorre em
(Eq. 44)
Podemos reescrever a Equação 43, em termos da Equação 44, de modo que:
(Eq. 45)
Nas folhas de dados, o valor de g_m é frequentemente informado como gfs ou yfs.
204
É possível determinar o gráfico de gm versus VGS utilizando a Equação 45, e,
com os pontos VGS = VP e VGS = 0 V, chegamos à curva de primeiro grau apresentada na
Figura 13, na qual é possível notar que o valor máximo de gm ocorre em VGS = 0 V e o valor
mínimo, em VGS = VP. Outro ponto a ser realçado é que, quando a tensão porta-fonte é a
metade da tensão de pinch-off, o valor de gm é metade de seu valor máximo.
FIGURA 13 – GRÁFICO gm VERSUS VGS
Na polarização CC, vimos que , de modo que podemos reescrever

a Equação 45 como:
(Eq. 46)
Por meio da Equação 46, podemos determinar alguns pontos para facilitar a
determinação da curva de ID versus gm (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• Se ID = IDSS, temos .
• Se ID = IDSS ⁄ 2, temos .
• Se ID = IDSS ⁄ 4, temos .
A impedância de entrada dos JFETs disponíveis é suficientemente alta, podendo

assumir que os terminais de entrada se aproximam de um circuito aberto (BOYLESTAD;
NASHELSKY, 2013), logo,
(Eq. 47)
205
A impedância de saída (gos ou yos nas folhas de dados) possui unidade μS. Na
forma de equação (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 48)
A impedância de saída é definida nas curvas características como a inclinação

da curva característica no ponto de operação (Figura 14) e pode ser escrita como
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013)
(Eq. 49)
Com base em tudo que foi discutido até aqui, é possível determinar o circuito
equivalente CA para o JFET (Figura 15).
FIGURA 14 – DEFINIÇÃO DE rd A PARTIR DAS CURVAS CARACTERÍSTICAS DE DRENO DO JFET
FIGURA 15 – CIRCUITO EQUIVALENTE CA DO JFET
206
3 CONFIGURAÇÃO COM POLARIZAÇÃO FIXA
Tendo determinado o circuito equivalente do JFET, é possível investigar
várias configurações fundamentais de pequenos sinais. Sendo uma análise similar a
desenvolvida ao TBJ, com a determinação de Zi, Zo e Av.
A configuração com polarização fixa (Figura 16A) inclui capacitores de

acoplamento, C1 e C2, que servem para isolar o circuito de polarização do sinal aplicado
e da carga, atuando como curtos-circuitos na análise CA.
Uma vez determinados os valores de gm e rd, é possível substituir, entre os

terminais apropriados, o modelo CA equivalente (Figura 16B).
FIGURA 16 – CONFIGURAÇÃO JFET COM POLARIZAÇÃO FIXA (A) E SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO EQUIVALENTE
CA DO JFET (B)
É possível redesenhar o circuito apresentado na Figura 16B, observando a

polaridade definida para Vgs, que define o sentido de gm Vgs (Figura 17). Caso Vgs < 0, o
sentido da fonte de corrente deve ser invertido (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
207
FIGURA 17 – CIRCUITO REDESENHADO
Determinando as variáveis através da análise da Figura 17, temos (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
• Zi:
(Eq. 50)
• Zo: com a tensão de entrada igual a zero, teremos a fonte de corrente também igual
a zero, de modo que:
(Eq. 51)
o Caso a resistência rd seja suficientemente alta em relação a RD (pelo menos 10

vezes o valor de RD), a impedância de saída é dada por:
(Eq. 52)
• Av: calculando o valor de Vo na Figura 17:
o Entretanto, Vgs - Vi, de modo que:
o Portanto,
(Eq. 53)
208
4 CONFIGURAÇÃO COM AUTOPOLARIZAÇÃO
4.1 Rs COM DESVIO

O capacitor CS em paralelo com a resistência da fonte, Figura 18A, representa
um circuito aberto para a operação CC, permitindo que RS defina o ponto de operação.
Porém em condições CA, o capacitor assume o estado de curto-circuito.
Através da análise do circuito presente na Figura 18B, temos que a impedância

de entrada é dada por
(Eq. 54)
A impedância de saída é
(Eq. 55)

Se rd ≥ 10 RD,
(Eq. 56)
O ganho é dado por

(Eq. 57)
Se rd ≥ 10 RD,
(Eq. 58)
É importante notar que o ganho apresenta um sinal negativo, indicando que a

saída possui um deslocamento de fase de 180° em relação ao sinal de entrada.
FIGURA 18 – CONFIGURAÇÃO DO JFET COM AUTOPOLARIZAÇÃO (A) E APÓS A SUBSTITUIÇÃO DO CIRCUITO

EQUIVALENTE CA DO JFET (B)
209
4.2 Rs SEM DESVIO
Caso seja removido o capacitor Cs na Figura 18A, a resistor RS fará parte do
circuito equivalente CA, conforme Figura 19A.
Tanto para o circuito da Figura 19A quanto para o circuito da Figura 19B a
impedância de entrada é dada por:
(Eq. 59)
A seguir, será realizada a análise para o circuito da Figura 19B e, em seguida, as

devidas considerações para o circuito da Figura 19A.
A impedância de saída é dada por:
Aplicando-se a LKC ao nó azul na Figura 19B:
Além disso, Vrd = V0 + Vgs, portanto, substituindo e fazendo as devidas simplificações,

temos que a impedância de entrada pode ser determinada por (BOYLESTAD; NASHELSKY,
2013):
(Eq. 60)
Para rd ≥ RD, ou rd = ∞ Ω,
(Eq. 61)
O ganho é dado por (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 62)
Para rd ≥ (RD + RS), ou rd = ∞ Ω,
(Eq. 63)
210
Novamente, o ganho apresenta um sinal negativo, indicando que a saída possui
um deslocamento de fase de 180° em relação ao sinal de entrada.
FIGURA 19 – CONFIGURAÇÃO DO JFET COM AUTOPOLARIZAÇÃO INCLUINDO O EFEITO DE RS CONSIDERANDO

rd = ∞ Ω (A) E rd (B)
5 CONFIGURAÇÃO COM DIVISOR DE TENSÃO

A Figura 20A apresenta uma configuração por divisor de tensão para o JFET,
enquanto a Figura 20B mostra a substituição do JFET por seu equivalente CA e o
aterramento das fontes CC, de modo que, se analisarmos o circuito, verificaremos que,
após o aterramento, R1 || R2 e RD || rd.
Por meio da análise da Figura 20B, é possível verificar que (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
• A impedância de entrada é dada por:
(Eq. 64)
211
• A impedância de saída é dada por:
(Eq. 65)
o Para rd ≥ 10 RD:
(Eq. 66)
• O ganho é dado por:
(Eq. 67)
o Para rd ≥ 10 RD:
(Eq. 68)
FIGURA 20 – CONFIGURAÇÃO JFET POR DIVISOR DE TENSÃO (A) E CIRCUITO PARA ANÁLISE CA (B)
6 CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM
A Figura 21A apresenta a configuração porta-comum para o JFET e o seu
circuito equivalente para análise CA é apresentado na Figura 21B.
Pela análise da Figura 21B, podemos concluir que (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
• Impedância de entrada: para a sua obtenção, é importante perceber que a resistor

RS está em paralelo com os terminais de entrada, porém é necessário determinar a
impedância Zi', que também está em paralelo com RS.
212
o Resolvendo o circuito, encontramos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 69)
o Desse modo,
(Eq. 70)
o Se rd ≥ 10RD:
(Eq. 71)
• Impedância de saída: substituindo-se o valor Vi = 0 V,
(Eq. 72)
o Se rd ≥ 10RD:
(Eq. 73)
o Ganho:
(Eq. 74)
o Se rd ≥ 10RD
(Eq. 75)
FIGURA 21 – CONFIGURAÇÃO PORTA-COMUM DO JFET (A) E CIRCUITO APÓS INTRODUÇÃO DO CIRCUITO

EQUIVALENTE CA DO JFET (B)
213
A configuração seguidor de fonte (dreno-comum) segue o mesmo raciocínio

apresentado até aqui e as fórmulas referentes serão apresentadas no resumo mais
adiante.
7 MOSFETS TIPO DEPLEÇÃO

A equação de Shockley também é aplicável aos MOSFETs tipo depleção
(D-MOSFETs), portanto, a equação de gm é a mesma e tem como única diferença o fato
de os valores para VGSQ poderem ser positivos em dispositivos de canal n e negativos em
dispositivos de canal p e, consequentemente, a possibilidade de gm ser maior que gmo
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) – mais adiante, nos exercícios resolvidos, veremos um
exemplo de um circuito para auxiliar no entendimento.
8 MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO

Podem ser de canal n (nMOS) ou de canal p (pMOS), conforme demonstrado na
Figura 22. Para os E-MOSFETs, a dedução do gm é obtida pela equação:
Sabemos que:
Portanto,
Logo,
(Eq. 76)
214
FIGURA 22 – MODELO CA DE PEQUENOS SINAIS PARA O MOSFET TIPO INTENSIFICAÇÃO
Os estudos para as configurações de realimentação do dreno e para divisor

de tensão são semelhantes e serão apresentados somente no resumo das fórmulas,
conforme descrito a seguir.
9 RESUMO
A Tabela 2 apresenta uma lista com algumas equações desejadas de Zi,Zo e Av
para várias configurações com FET.
TABELA 2 – Zi,Zo e Av PARA VÁRIAS CONFIGURAÇÕES COM FET
215
216
DICA
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dado o circuito da figura a seguir e sabendo que

VGSQ = 0,35 V e IDQ = 7,6 mA, determine:
a) gm e compare com gmo.

R.: Pela Equação 44:
Pela Equação 45:
É possível perceber que o valor de gm é maior que gmo.
b) rd.
c) O esboço do circuito equivalente CA.

R.: Trocando o MOSFET pelo seu equivalente CA e reorganizando o
circuito, obtemos a figura a seguir:
217
Para os próximos itens, podemos perceber uma grande similaridade com o circuito JFET
divisor de tensão.
d) Zi.
e) Zo.
Podemos perceber que Zo ≅ RD, o que está de acordo com a Equação 66, visto que 10RD =
10(1,8 kΩ) = 18 kΩ<100 kΩ = rd.
f) Av
R.: Conforme verificado na resposta da alternativa e, rd ≥10RD, logo pela Equação 68,
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Escolha valores de RD e RS de modo que o circuito

apresentado na figura a seguir produza um ganho igual a 8, utilizando um valor de
gm relativamente alto para esse dispositivo, definido em .
218
R.: O ponto de operação é dado por:
E por:
Pela Equação 45:
O valor absoluto do ganho em tensão CA, pela Equação 57, é:
Logo,
O valor de rd é dado por:
Portanto,
Que é um valor comercial.

Para a determinação do valor de RS, utilizaremos as condições CC de operação, de modo
que:
O valor comercial mais próximo é Ω.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Calcule a polarização CC, o ganho de tensão, a

impedância de entrada, a impedância de saída e a tensão de saída resultante para
o amplificador em cascata apresentado na figura a seguir. Calcule a tensão da
carga de 10 kΩ conectada à saída.
219
Utilizando as técnicas de polarização CC, temos que:
Por meio da Equação 44:
No ponto de polarização CC, utilizando a Equação 45:
Como não há uma carga no segundo estágio (Equação 68), pois:
Para o primeiro estágio, temos que 2,4 kΩ||3,3 MΩ ≅ 2,4 kΩ, de modo que teremos o
mesmo ganho do segundo estágio (Av1= Av2= -6,24).
O ganho total (ganho em cascata) é dado pelo produto dos ganhos:
É importante notar que temos dois estágios de ganho negativo, o que significa que a saída
está em fase com a entrada, ou seja, possui ganho positivo. Portanto,
220
A impedância de entrada do amplificador em cascata é igual à impedância do primeiro
estágio:
A impedância de saída do amplificador em cascata é igual à impedância do segundo estágio:
A tensão de saída, após a conexão da carga de 10 kΩ, é dada por:
221
RESUMO DO TÓPICO 2
• Os amplificadores que utilizam transistores de efeito de campo proporcionam um

excelente ganho em tensão, além da alta impedância de entrada, características
desejáveis para equipamentos de alta fidelidade e baixa distorção.
• O circuito equivalente CA para os FETs, mostrado na figura a seguir, permite analisar

o comportamento do JFET na presença de pequenos sinais.
• A configuração do FET com polarização fixa inclui capacitores de acoplamento que

servem para isolar o circuito de polarização do sinal aplicado e da carga, atuando
como curtos-circuitos na análise CA.
• O ganho de tensão Av do FET nas configurações de autopolarização e divisor de tensão

é negativo, ou seja, a tensão de saída está defasada em 180° da tensão de entrada.
• A transcondutância do Mosfet tipo intensificação pode ser calculada pela seguinte

expressão:
222
AUTOATIVIDADE
determine:
a) Zi, Zo e Av.
b) Repita o item a) considerando rd = 60 kΩ.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine o valor de VGS(Th) = 3 V se estiver polarizado

em VGSQ = 8 V. Suponha que k = 0,3 x 10-3.
a) Zi, Zo e Av se k = 0,3 x 10-3.
b) Repita o item a) considerando k = 0,2 x 10-3.
223
4 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Determine a tensão de saída para o circuito da
figura a seguir, considerando Vi = 0,8 mV e rd=40 kΩ.
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Projete um circuito com autopolarização de acordo

com a figura a seguir, de modo que obtenha um ganho igual a 10. O dispositivo deve
ser polarizado em VGSQ = (1 / 3)VP.
224
RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR
BIPOLAR DE JUNÇÃO (TBJ) E JFET
1 INTRODUÇÃO
Todas as análises feitas anteriormente foram realizadas utilizando uma
frequência específica, nas quais os amplificadores permitiam ignorar os efeitos dos
elementos capacitivos, de modo geral, sendo análises limitadas aos elementos resistivos
e fontes (controladas ou independentes).
Neste tópico, analisaremos os efeitos que os capacitores maiores introduzem

quando os circuitos são expostos à baixa frequência e o efeito dos elementos capacitivos
menores em condição de alta frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Veremos gráficos com a escala em decibéis, portanto, é fortemente

recomendado que, antes do início do estudo deste tópico, seja realizada uma revisão
sobre logaritmos (logaritmo comum e natural, suas principais relações e operações);
além disso, é importante rever as escalas monolog e como utilizá-la, decibéis (fórmulas,
especificações de componentes, ganho em dB e as relações de ganho em dB e ganho
em tensão).
2 CONSIDERAÇÕES SOBRE FREQUÊNCIA

A frequência aplicada em um circuito é extremamente importante na análise
de um circuito, tendo sido estudada nos tópicos anteriores com base em um aspecto
de frequência média, de modo que, em baixas frequências, não é possível substituir os
capacitores por curto-circuito e, em alta frequência, poderemos ter capacitâncias parasitas
relacionadas aos elementos do circuito ou externos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
2.1 FAIXA DE BAIXA FREQUÊNCIA

Inicialmente, analisaremos a reatância, que é definida por:
(Eq. 77)
225
A Tabela 3 apresenta os valores de reatância de 10 Hz a 100 MHz para um capacitor
de 1 μF. Analisando os resultados, podemos notar que, na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a reatância
é grande o suficiente para ter impacto sobre a resposta do sistema. Para frequências
mais elevadas, as reatâncias são mais baixas e podem ser consideradas curtos-circuitos.
Desse modo, podemos concluir que capacitores maiores de um sistema exercerão um
impacto importante sobre a resposta de um sistema na faixa de baixa frequência e podem
ser ignorados para a região de alta frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
TABELA 3 – VALORES DE REATÂNCIA PARA UM CAPACITOR DE 1 μF
2.2 FAIXA DE ALTA FREQUÊNCIA

A Tabela 4 mostra os valores de reatância de 10 Hz a 100 MHz para um capacitor
de 5 pF. Analisando os resultados, podemos notar que, na faixa de 10 Hz a 10 kHz, a
reatância é alta o suficiente para ser considerada curto-circuito. Para frequências mais
elevadas, as reatâncias podem afetar gravemente a resposta do circuito. Desse modo,
os capacitores menores do sistema exercerão um impacto importante sobre a resposta
de um sistema na faixa de alta frequência e podem ser ignorados para a região de baixa
frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
TABELA 4 – VALORES DE REATÂNCIA PARA UM CAPACITOR DE 5 pF
226
2.3 FAIXA DE MÉDIA FREQUÊNCIA
Na faixa de média frequência, o efeito dos elementos capacitivos é amplamente
ignorado, de modo que o amplificador é considerado ideal e composto simplesmente
de elementos resistivos e fontes controladas, tornando possível obter parâmetros
importantes como impedância e ganho (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
2.4 RESPOSTA EM FREQUÊNCIA TÍPICA

Na Figura 23, é possível observar as curvas de ganho de um amplificador com
acoplamento RC, acoplamento direto e acoplamento por transformador, podendo-se
notar que a escala horizontal é logarítmica, de modo a facilitar a plotagem em um espectro
grande de frequências, que também definem as regiões de baixa, média e alta frequência,
com explicações dos principais motivos para a redução do ganho.
Para o amplificador com acoplamento RC, conforme pode ser observado na

Figura 23A, a queda em baixas frequências se dá devido ao aumento das reatâncias CC,
CS e CE, enquanto, no limite superior de frequências, é decorrente tanto dos elementos
capacitivos parasitas quanto pelo ganho dependente da frequência do dispositivo ativo
FIGURA 23 – GANHO VERSUS FREQUÊNCIA PARA AMPLIFICADORES COM ACOPLAMENTO RC

(A); AMPLIFICADORES COM ACOPLAMENTO POR TRANSFORMADOR (B); AMPLIFICADORES COM
ACOPLAMENTO DIRETO (C)
227
Antes de comentar sobre a queda do ganho do transformador, é importante
relembrarmos da reatância indutiva, que é dada por:
(Eq. 78)
Podemos dizer que, em baixas frequências, temos um “efeito de curto” entre os

terminais de entrada do transformador, devendo haver ganho igual a zero em f = 0, de
modo que, nesse ponto, não há fluxo variável através do núcleo, o qual induz a tensão
no enrolamento secundário. Para altas frequências, o controle será feito principalmente
pelas capacitâncias parasitas entre as espiras dos enrolamentos primário e secundário
(Figura 23B) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Para os sistemas de acoplamento direto, como não existem capacitores de

acoplamento ou de desvio, não haverá queda no ganho em baixas frequências, logo,
haverá o mesmo ganho até a frequência de corte superior. Esta frequência de corte
superior será determinada pelas capacitâncias parasitas e pela dependência do ganho
com frequências do dispositivo ativo (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Ainda na Figura 23, é possível perceber as frequências f1 e f2, que, normalmente,

são chamadas de frequência de canto, corte, banda, quebra ou meia potência, e
determinadas como 0,707Avmédio, valor escolhido em razão de a potência de saída ser
igual à metade do valor da potência de saída no meio da faixa (frequência média)
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
Nas potências de média frequência (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 79)
A largura de banda, ou a banda passante, é dada por (BOYLESTAD; NASHELSKY,

2013):
(Eq. 80)
Em que fH é a frequência superior e fL é a frequência inferior (Figura 23).
É importante lembrarmos que as folhas de dados dos amplificadores trazem,

normalmente, o gráfico do ganho em dB versus a frequência, em vez de apenas ganho
versus frequência. Outro detalhe importante é que a curva é normalizada, ou seja, é
dividido o valor vertical por um valor ou variável sensível a uma combinação ou variáveis
do sistema (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
228
Uma equação importante que devemos lembrar é:
(Eq. 81)
Para as frequências em meio de faixa, teremos 20 log101 = 0, e, para a frequência

de corte, 20 log101 / √2 = -3 dB (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
DICA
Caro acadêmico, recomendamos que você realize uma revisão do
diagrama de Bode (estudado na disciplina de Circuitos Elétricos), pois
ele será utilizado no restante do tópico.
Para refrescar sua memória, assista a uma aula sobre esse assunto,
acessando: https://youtu.be/OIydX3TnBHg.
3 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR

COM TBJ COM RL
Inicialmente, avaliaremos as capacitâncias que determinam a resposta em baixa
frequência. Para isso, utilizaremos um sistema na configuração por divisor de tensão
com carga RL (Figura 24A):
• CS: a forma geral da configuração RC é apresentada na Figura 24B, de modo que,

aplicando-se divisor de tensão, obtemos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 82)
o Portanto,
o Entretanto, , sendo .
o Temos que:
(Eq. 83)
229
o Na frequência fLs, a tensão Vb será 70,7% do valor de meio de faixa, supondo-
se que Cs seja o único elemento capacitivo que controla a resposta em baixas
frequências (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 24 – AMPLIFICADOR COM TBJ COM CARGA E CAPACITORES QUE AFETAM A RESPOSTA EM BAIXAS
FREQUÊNCIAS (A) E DETERMINAÇÃO DO EFEITO DE Cs NA RESPOSTA EM BAIXAS FREQUÊNCIAS (B)
o Cc: a Figura 25A apresenta a configuração RC para a determinação da frequência

de corte inferior devido a Cc. É possível notar que o capacitor de acoplamento
normalmente está conectado entre a saída do dispositivo e a carga aplicada. A
resistência total em série é igual a Ro + RL, e a frequência de corte devido Cc é
de (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 84)
o Por meio da Figura 25B, vemos que:
(Eq. 85)
230
FIGURA 25 – CIRCUITO PARA A DETERMINAÇÃO DO EFEITO CC NA RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA (A)
E CIRCUITO EQUIVALENTE CA ENCONTRADO PARA CC COM Vi = 0 V (B)
o CE : para que seja possível determinar o circuito “visto” por CE e o valor de fLE ,
utilizaremos o circuito apresentado na Figura 26A. Portanto, uma vez tendo o
valor de Re (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 86)
o Por meio do circuito da Figura 26B, o valor de Re é dado por (BOYLESTAD;

NASHELSKY, 2013):
(Eq. 87)
o O efeito de CE no ganho é mais bem descrito de maneira quantitativa. Para a

configuração apresentada na Figura 26C, temos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
o Portanto, o ganho máximo ocorrerá quando Re for igual a zero.
FIGURA 26 –DETERMINAÇÃO DO EFEITO DE C_E NA RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA (A), EQUIVALENTE

CA ENCONTRADO PARA CE (B) E CIRCUITO EMPREGADO PARA DESCREVER O EFEITO DE CE SOBRE O
GANHO DO AMPLIFICADOR (C)
231
Caso seja adicionado um resistor RS, resistência da fonte, podemos resolver, de

modo análogo, os passos anteriores para obtermos equações idênticas de CC e CE e uma
única mudança na análise CS; assim, teremos:
(Eq. 88)
4 RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA – AMPLIFICADOR

COM FET
A Figura 27 apresenta um circuito com JFET com os elementos capacitivos que
afetam a resposta em baixa frequência. Nesse caso, também existem três capacitores
que são muito importantes para o circuito: CG, CC e CS.
o CG: o circuito equivalente CA é apresentado na Figura 28A, a frequência de corte

por CG é dada por (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 89)
232
FIGURA 27 – ELEMENTOS CAPACITIVOS QUE AFETAM A RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA DE UM
AMPLIFICADOR COM JFET
o Para o circuito da Figura 27 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 90)
• CC: para o capacitor de acoplamento entre o dispositivo ativo e a carga (Figura 28B),
que corresponde exatamente a Figura 26A, a frequência de corte resultante é dada
por (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 91)
o Para o circuito da Figura 27 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 92)
o CS: para o capacitor de fonte CS, o circuito para análise de seu efeito em baixa
frequência é apresentado na Figura 28C, sua frequência de corte é dada por
(BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 93)
o No caso da Figura 27 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 94)
233
o Para rd ≅ ∞ Ω (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 95)
FIGURA 28 – DETERMINAÇÃO DO EFEITO DE CG (A), CC (B) E CS (C) NA RESPOSTA EM BAIXA FREQUÊNCIA
5 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADOR

COM TBJ
Existem dois fatores que definem o ponto de corte de -3 dB no lado das altas
frequências: a dependência do hfe (β), em função da frequência, e as capacitâncias do
circuito (introduzidas ou parasitas) (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
É possível notar, na Figura 29A, a inclusão de capacitâncias parasitas (Cbe, Cbc,

Cce) e de fiação (Cwi, Cwo) e o respectivo modelo CA (Figura 29B). Ainda na Figura 29A,
podemos observar a ausência dos capacitores Cs, CC e CE, que são considerados curtos-
circuitos nessa faixa de frequência.
Na Figura 29B, percebemos que a capacitância Ci é composta pela soma

da capacitância da fiação da entrada (Cwi ), da capacitância de transição (Cbe) e da
capacitância Miller (CMi ). Já a capacitância Co é composta pela soma da capacitância da
fiação na saída (Cwo ), da capacitância parasita Cce e da capacitância Miller na saída (CMo).
De modo geral, o valor da capacitância Cbe é o maior e de Cce, o menor (muitas vezes,
nem aparece nas folhas de dados, sendo informado somente em situações específicas)
234
FIGURA 29 –AMPLIFICADOR COM TBJ COM CARGA E CAPACITORES QUE AFETAM A RESPOSTA EM ALTA
FREQUÊNCIA (A) E MODELO CA EQUIVALENTE DO CIRCUITO (B)
Determinando o circuito equivalente de Thévenin para os circuitos de entrada e

de saída da Figura 29B, temos (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013):
(Eq. 96)
Com:
(Eq. 97)
(Eq. 98)
Para o circuito de saída (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 99)
Com:
(Eq. 100)
235
Para valores de ganho altos (1 ≫ 1 / Av),
(Eq. 101)
Na Figura 30, é apresentado o circuito de Thévenin equivalente.
FIGURA 30 – CIRCUITOS DE THÉVENIN PARA AS MALHAS DE ENTRADA (A) E SAÍDA (B) DO CIRCUITO DA
FIGURA 29B
6 RESPOSTA EM ALTAS FREQUÊNCIAS – AMPLIFICADORES

COM FET
Realizada de maneira semelhante ao TBJ. Analisando a Figura 31A, é possível
verificar a existência de capacitâncias intereletrodos e de fiação. As frequências de corte
podem ser obtidas determinando-se o circuito equivalente de Thévenin (Figura 32) da
entrada e da saída do circuito da Figura 31B (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
FIGURA 31 – AMPLIFICADOR COM JFET COM CARGA E CAPACITORES QUE AFETAM A RESPOSTA EM ALTA
FREQUÊNCIA (A) E MODELO CA EQUIVALENTE DO CIRCUITO (B)
236
Para o circuito de entrada (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 102)
(Eq. 103)
(Eq. 104)
Em que:
(Eq. 105)
Para o circuito de saída (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013),
(Eq. 106)
(Eq. 107)
(Eq. 108)
Em que:
(Eq. 109)
237
FIGURA 32 – CIRCUITOS DE THÉVENIN PARA AS MALHAS DE ENTRADA (A) E SAÍDA (B) DO CIRCUITO DA
FIGURA 31B
Boylestad; Nashelsky (2013, p. 485)
7 EFEITOS DA FREQUÊNCIA EM CIRCUITOS MULTIESTÁGIOS

Caso ocorra um segundo estágio com transistor que seja conectado diretamente
à saída do primeiro estágio, a resposta completa do circuito sofrerá uma alteração
significativa, de modo que, na região de alta frequência, a capacitância de saída Co
deve incluir a capacitância de fiação (Cwi), a capacitância parasita Cbe e a capacitância
Miller (CMi) do estágio seguinte. Além disso, terá valores menores da frequência de corte,
decorrentes do segundo estágio, reduzindo ainda mais o ganho total do sistema nessa
região. Desse modo, a frequência de corte inferior será determinada pelo estágio que
possuir a maior frequência de corte (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013).
Na Figura 33 mostra o resultado, caso seja aumentado o número de estágios

idênticos de um sistema, sendo possível perceber que, com um estágio, temos uma
inclinação de –20 dB/década, com dois estágios, –40 dB/década e, com três estágios,
–60 dB/década. Desse modo, é possível determinar a frequência de corte de acordo
com o número de estágios, sendo
(Eq. 110)
E:
(Eq. 111)
238
FIGURA 33 – EFEITO DE UM NÚMERO CRESCENTE DE ESTÁGIOS SOBRE AS FREQUÊNCIAS DE CORTE E A
LARGURA DE BANDA
DICA
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Dada a resposta em frequência da figura a seguir:
a) Determine as frequências de corte fL e fH usando as medições fornecidas.

R.: Frequência de corte inferior:
Portanto, .
Frequência de corte superior:
239
Portanto,
b) Determine a largura de banda da resposta.

R.: A largura de banda pode ser determinada pela Equação 80, logo,
c) Esboce a resposta normalizada.

R.: Para determinação da resposta normalizada, dividiremos todos os valores pelo valor de
banda média (valor máximo) de 128, conforme Figura 25, tendo como valor máximo 1 e o
valor da banda de corte em 0,707.
240
LEITURA
COMPLEMENTAR
EFEITO MILLER
Albert Malvino
David Bates
Um amplificador inversor com um ganho de tensão de Av produz uma tensão de

saída que está 180° fora da fase em relação à tensão de entrada (Figura 1).
FIGURA 1: (A) AMPLIFICADOR INVERSOR; (B) O EFEITO MILLER PRODUZ UM CAPACITOR DE ENTRADA MAIOR
Capacitor de realimentação
Na Figura 1A, o capacitor entre os terminais de entrada e saída é denominado

capacitor de realimentação (feedback), porque o sinal de saída do amplificador é
realimentado na entrada. Um circuito como esse é difícil de analisar, pois o capacitor de
realimentação afeta os circuitos de entrada e saída simultaneamente.
Conversão do capacitor de realimentação
Felizmente, existe um artifício denominado teorema de Miller, que converte

o capacitor em dois capacitores separados, como mostra a Figura 1B. Esse circuito
equivalente é mais fácil porque o capacitor de realimentação se apresenta dividido em
duas novas capacitâncias, Cin(M) e Cout(M). Com o uso de álgebra complexa, é possível
deduzir as seguintes equações:
241
O teorema de Miller converte o capacitor de realimentação em dois capacitores
equivalentes, um na entrada e outro na saída. Isso cria dois problemas simples, em
vez de um grande problema. As equações 1 e 2 são válidas para qualquer amplificador
inversor, como um amplificador emissor comum, um amplificador emissor comum com
realimentação parcial ou um amplificador operacional inversor. Nessas equações, A_v é
o ganho de tensão em banda média.
Geralmente, Av é muito maior que 1 e Cout(M) é aproximadamente igual à

capacitância de realimentação. É notável, no uso do teorema de Miller, o efeito sobre a
capacitância de entrada Cin(M). Ela mostra-se como se a capacitância de realimentação
fosse amplificada, obtendo-se uma nova capacitância que é Av + 1 vezes maior. Esse
fenômeno, conhecido como efeito Miller, tem aplicações úteis porque cria capacitores
artificiais ou virtuais muito maiores que o capacitor de realimentação.
Compensação em um Amplificador Operacional
A maioria dos amp-ops são internamente compensados, o que significa que

incluem um capacitor de desvio dominante, que provoca o decaimento do ganho de
tensão a uma taxa de 20 dB por década. O efeito Miller é usado para produzir esse
capacitor de desvio dominante.
Essa é a ideia básica: um dos estágios amplificadores em um amp-op tem um

capacitor de realimentação, como mostra a Figura 2A. Com o teorema de Miller, podemos
converter esse capacitor de realimentação em dois capacitores equivalentes (Figura
2B). Agora, existem dois circuitos de atraso, um na entrada e outro na saída. Devido ao
efeito Miller, o capacitor de desvio na entrada é muito maior do que o capacitor de desvio
na saída. Como resultado, o circuito de atraso é dominante; ou seja, ele determina a
frequência de corte do estágio. O capacitor de desvio de saída geralmente não tem
efeito até que a frequência de entrada seja várias décadas maior.
Em um amp-op típico, o circuito de atraso de entrada (Figura 2B) produz uma

frequência de corte dominante. O ganho de tensão cai na frequência de corte a uma
taxa de 20 dB por década até que a frequência de entrada alcance a frequência de
ganho unitário.
242
FIGURA 2: O EFEITO MILLER PRODUZ UM CIRCUITO DE ATRASO DE ENTRADA
FONTE: Adaptado de MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. v. 2.

243
RESUMO DO TÓPICO 3
• Os circuitos envolvendo transistores têm seu comportamento fortemente relacionado

à frequência dos sinais aplicados a eles. É necessário lembrar que, quanto maior a
frequência de um sinal, menor é a reatância capacitiva inerente do circuito.
• O limite superior de frequências em que o transistor pode operar é definido,

majoritariamente, pelas capacitâncias parasitas.
• O parâmetro mais afetado pela frequência do sinal é o ganho de tensão, cuja análise
é feita, geralmente, considerando seu valor em decibéis.
• Existem dois fatores que definem o ponto de corte de -3 dB no lado das altas
frequências: a dependência do hfe (β), em função da frequência, e as capacitâncias
do circuito.
• Para um amplificador TBJ para altas frequências, as frequências de corte de entrada

e saída são, respectivamente:
e , em que:
• Para amplificadores a transistor de efeito de campo, as frequências de corte de

entrada e saída são, respectivamente:
e , em que: e
244
AUTOATIVIDADE
1 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Com base no circuito da figura a seguir:
a) Determine re.
b) Encontre Avmédio = Vo / Vi.
c) Calcule Zi.
d) Encontre fLS, fLC e fLE.
e) Determine a frequência de corte inferior.
2 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Considere o circuito apresentado na figura a seguir:
245
a) Determine VGSQ e IDQ.
b) Calcule gmo e gm.
c) Calcule o ganho no meio da faixa de Av = Vo / Vi.
d) Determine Zi.
e) Calcule AVs = Vo / VS.
f) Encontre fLG, fLC e fLS.
g) Determine a frequência de corte inferior.
h) Esboce as assíntotas do diagrama de Bode definido pelo item (f).
i) Esboce a resposta em baixas frequências para o amplificador utilizando os resultados

do item f.
3 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Com base no circuito da figura a seguir:
FONTE: Adaptada de Boylestad; Nashelsky (2013, p. 501-502)
a) Determine fHi e fHo.
b) Determine fβ e fT.
c) Utilizando o diagrama de Bode, esboce a resposta em frequência para a região de

altas frequências e determine a frequência de corte.
246
d) Qual é o produto ganho-largura de banda do amplificador?
4 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Para o circuito apresentado na figura a seguir:
a) Determine gmo e gm.
b) Calcule Av e Avs para a faixa central do espectro.
c) Determine fHi e fHo
d) Utilizando o diagrama de Bode, esboce a resposta em frequência para a região de

altas frequências e determine a frequência de corte.
e) Qual é o produto ganho-largura de banda do amplificador?
5 (BOYLESTAD; NASHELSKY, 2013) Um amplificador com quatro estágios possui

frequência inferior de 3 dB igual a f1 = 40 Hz para um estágio. Qual é o valor de f1 para
o amplificador completo?
247
REFERÊNCIAS
11. ed. São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013. Disponível em: https://
MALVINO, A.; BATES, D. Eletrônica. 8. ed. Porto Alegre: AMGH, 2016. v. 2.
248
ANOTAÇÕES
249

Eletrônica Analógica 1

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Copyright © Sagah Educação S.A. 2021

Revisão, Diagramação e Produção:

Dalvi, Giovanni Gueler

Eletrônica analógica I. / Giovanni Gueler Dalvi. – Indaial:

249 p.; il.

1. Eletrônica analógica. – Brasil. 2. Circuitos eletrônicos. – Brasil.

Você, como acadêmico de Educação a Distância, deve saber que existem

Estimamos que, ao término deste estudo, você tenha agregado um mínimo de

Prof. Giovanni Gueler Dalvi

No livro didático, você encontrará blocos com informações

Na Educação a Distância, o livro impresso, entregue a todos

Preocupados com o impacto de ações sobre o meio ambiente,

Preparamos também um novo layout. Diante disso, você

Com o objetivo de enriquecer seu conhecimento,

Acesse o QR Code, que levará ao AVA, e veja as novidades que

Conte conosco, estaremos juntos nesta caminhada!

TÓPICO 1 - MATERIAIS SEMICONDUTORES..........................................................................3

TÓPICO 3 - APLICAÇÕES DE DIODOS................................................................................. 45

UNIDADE 2 — TRANSISTORES I.......................................................................................... 69

TÓPICO 1 — TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJ)........................................................71

TÓPICO 3 - ANÁLISE DA CORRENTE ALTERNADA (CA) DO TRANSISTOR

UNIDADE 3 — TRANSISTORES II........................................................................................ 173

TÓPICO 1 — POLARIZAÇÃO DO TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO (FET)............... 175

TÓPICO 2 - ANÁLISE DO FET PARA PEQUENOS SINAIS.................................................. 203

TÓPICO 3 - RESPOSTA EM FREQUÊNCIA DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

• compreender e conhecer algumas aplicações dos materiais semicondutores;

• resolver exercícios envolvendo materiais semicondutores;

• calcular e medir a resistência equivalente usando o teorema da superposição;

• compreender a definição de diodo e seu circuito equivalente;

• reconhecer a notação de diodo e compreender sua folha de dados;

• conhecer tipos especiais de diodos (diodo zener e diodo emissor de luz);

• resolver exercícios envolvendo diodos;

• analisar a reta de carga de um diodo e algumas de suas aplicações em circuitos

• conhecer algumas aplicações práticas de diodos.

TÓPICO 1 – MATERIAIS SEMICONDUTORES

Antes de apresentar os materiais semicondutores, relembraremos os materiais

• Materiais condutores possuem resistividade muito baixa (normalmente μΩ/m),

Normalmente, um bom condutor apresenta uma condutividade na ordem de 10-8

FIGURA 1 – ESTRUTURA DO DIAMANTE (A) E GRAFITE (B)

FONTE: Schuler (2013, p. 26)

FIGURA 2 – MODELO DE BOHR PARA O ÁTOMO DE COBRE

FONTE: <https://www.gratispng.com/png-to1wru/download.html>. Acesso em: 20 jun. 2020.

Por exemplo, em um pequeno pedaço de fio de cobre, existem bilhões de átomos

FIGURA 3 – ESTRUTURA DO FIO DE COBRE

FONTE: Schuler (2013, p. 28)

Um cristal de silício puro (Figura 5B) comporta-se como isolante – mesmo

FIGURA 4 – ESTRUTURA ATÔMICA DO ÁTOMO DE SILÍCIO

FONTE: Schuler (2013, p. 29)

FONTE: <http://www.eletronpi.com.br/ce-024-semicondutor.aspx>. Acesso em: 3 jun. 2020.

2.1 NÍVEIS DE ENERGIA

FIGURA 6 – NÍVEIS DISCRETOS DE ENERGIA EM ESTRUTURA ATÔMICA ISOLADA

FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 6)

Os elétrons da banda de condução possuem um nível mínimo de energia e, os

É possível classificar os materiais de acordo com o gap de energia necessário

No caso em que um elétron é submetido a uma diferença de potencial de 1 V,

Esse nível de energia é conhecido como elétron-volt, ou seja:

FIGURA 7 – BANDAS DE CONDUÇÃO E VALÊNCIA DE UM ISOLANTE, UM SEMICONDUTOR E UM CONDUTOR

FONTE: Boylestad; Nashelsky (2013, p. 6)

Na Figura 8, temos a formação de um cristal do tipo n com a inserção de

FIGURA 8 – FORMAÇÃO DO CRISTAL DO TIPO N

FONTE: Galdino (2012, p. 14)