Eletronica

ELETRONICA
A
Obra publicada
com a colaboração da
UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO
REITOR: Prof. Dr. Luís ANTÔNIO DA GAMA E SILVA.

VICE-REITOR
em exercício : Prof. Dr. MÁRIO GUIMARÃES FERRI.
EDITôRA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO
COMISSÃO EDITORIAL:
Presidente - Prof. Dr. Mário Guimarães Ferri

(Faculdade de Filosofia, Ciências e Letras ) . Mem
bros : Prof. Dr. A. Brito da Cunha (Faculdade de
Filosofia, Ciências e Letras ) , Prof. Dr. Carlos da
Silva Lacaz (Faculdade de Medicina), Prof. Dr.
Miguel Reale (Faculdade de Direito), e Prof. Dr.
Pérsio de Souza Santos (Escola Politécnica).
LUIZ DE QUEIROZ ORSINI
Professor Catedrático do Escola Politécnico
do Universidade de São Paulo
EDITÔRA EDGARD BLÜCHER LTDA.

EDITÕRA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO
EDITÔRA EDGARD BLÜCHER LTDA.
CAIXA POSTAL 5450. SAO PAULO. BRASIL
Prefácio
Os estudiosos da Eletrónica têm o singular privilégio de se dedicar a

uma ciência que, mercê de seu extraordinário desenvolvimento e rápida
evolução, atingiu uma posição de evidência em quase todos os setores das
atividades humanas. As suas contribuições às comunicações, ao contrôle
de sistemas, à computação, à instrumentação científica, às ciências bioló
gicas e muitas outras, influíram decisivamente sóbre a evolução de nossa
civilização nas últimas três ou quatro décadas.
Por outro lado, devem os estudiosos da Eletrónica desenvolver um es
fôrço constante de estudo e de pesquisa, que lhes permita conhecer os novos
desenvolvimentos científicos e aplicá-los a finalidades úteis.
Essas reflexões vêm a propósito da origem dêste livro. No início do
corrente ano, o Eng. Edgard Blücher pediu-nos que iniciássemos a revisão de
"Circuitos Eletrónicos", publicado no início de 1963, a fim de preparar sua
segunda edição.
Logo que iniciamos êsse trabalho, ficou patente que a revisão proposta
ultrapassaria os limites de razoável para uma nova edição; somente com
uma recomposição total do livro poderíamos apresentar uma obra razoà·
velmente atualizada. Decidimos então, atendendo a uma sugestão do Editor,
apresentar êste livro com o nóvo nome de "Eletrónica".
Como seu antecessor, "Eletrónica" é essencialmente um livro didático,
em que se descrevem os fundamentos físicos dos principais dispositivos
eletrónicos - válvulas e semicondutores - bem como alguns dos circuitos
básicos construídos com êstes dispositivos; êstes circuitos foram escolhidos
tanto pelo seu interêsse prático como, também, pela oportunidade de apli
cação dos métodos gerais de análise expostos na obra.
Com relação ao livro anterior, muito maior desenvolvimento é dado nesta
obra aos aspectos físicos dos semicondutores, de modo a permitir uma
visão mais completa dos fenómenos que nêles se passam. Procuramos
sempre que possível relacionar os parâmetros dos modelos linearizados por
segmentos, ou dos modelos incrementais, à constituição física do dispositivo.
Essa maior atenção à Física dos Semicondutores justifica-se pelo intuito
de preparar o estudante não só para o estudo dos novos dispositivos semi
condutores, que aparecem dia a dia, bem como daqueles, já existentes, mas
omitidos ou apenas ligeiramente tratados aqui.
VIII P R E F ÁC I O
A matéria dêste livro divide-se em capítulos que pertencem a três

categorias:
a) capítulos em que se introduzem métodos gerais de análise, tais como
os Capítulos 1, 6, parte do Capítulo 13 e o Apêndice I;
b) capítulos essencialmente dedicados à descrição de fenómenos físicos
fundamentais e sua aplicação à realização de dispositivos eletrónicos, tais
como os Capítulos 2, 3, 4 e 5;
c) capítulos destinados a análise de circuitos eletrónicos, isto é, rêdes
elétricas constituídas pela reunião de elementos passivos com os vários
dispositivos eletrónicos. A êstes circuitos são - dedicados em sua maior parte
os capítulos 7, 8, 9, 10, 11, 12 bem como parte do capítulo 13.
Reunidos neste livro a matéria apresentada em nosso curso no Depar
tamento de Física da Faculdade de Filosofia, Ciências e Letras, juntamente
com material utilizado em cursos de atualização ministrados na indústria.
Cremos assim ter obtido um livro versátil, que poderá servir tanto a estu
dantes de ciências ou de engenharia, como a profissionais de Eletrónica
interessados em atualizar seus conhecimentos fundamentais. Para atender
a essas várias finalidades mantivemos neste livro o capítulo sóbre "Teoria
das Rêdes Lineares" e o apêndice sóbre "Transformação de Laplace", que
já constavam do livro anterior. Para estudante de engenharia estas últimas
partes possivelmente serão dispensáveis.
\e.
Cada capítulo encerra uma pequena bibliografia, escolhida sobretudo por
seu interêsse didático, bem como uma coleção de problemas, em que se
aplicam os principais conceitos' expostos no texto. Em alguns casos a reso
lução dos problemas propostos poderá exigir consulta à referências biblio·
gráficas indicadas.
Finalmente, agradecemos ao Eng. Edgard Blücher seu interêsse nesta
edição, bem como à Editóra da Universidade de São Paulo, por seu presti
gioso apoio à nossa obra.
São Paulo, outubro de 1967
LUIZ DE QU EIROZ ÜRSINI
ÍNDI CE
CAPfTULO 1
Teoria dos bipolos elétricos 1
1 . 1 - Introdução. 1 . 2 - Os parâmetros das rêdes. 1 . 3 - Curvas

características. 1 . 4 - Geradores de corrente e tensão. 1 . 5 - Asso
ciações de bipolos; leis de Kirchhoff. 1 . 6 - Circuitos equivalentes;
linearização das características. 1 . 7 - Associações simples de bi
polos não lineares. 1 . 8 - Associações simples de diodos ideais.
1 . 9 - Análise dos circuitos com diodos ideais. 1 . 10 - Método dos
estados dos diodos. 1 . 11 - Método dos pontos de transição. 1 . 1 2
- Aplicação à síntese d e características não lineares. Bibliografia.
Problemas do Capítulo 1 .
CAPfTULO 2
Emissão eletrónica e diodos termoiônicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
2 . 1 - Generalidades. 2 . 2 - Emissão foto-elétrica. 2 . 3 - Emissão

termoiônica. 2 . 4 - Emissores termoiônicos ( catodos ) . 2 . 5 - Emis
são secundária. 2 . 6 - Emissão de campo elétrico. 2 . 7 - Os diodos
a alto váculo; curvas características. 2 . 8 Circuitos equivalentes
-
aos diodos a vácuo. 2 . 9 - Os diodos a gás. Bibliografia. Proble

mas do Capitulo 2.
CAPfTULO 3
Triodos, tetrodos e pentodos termoiônicos 46
3 . 1 - Introdução. 3 . 2 - Curvas características dos triodos. 3 . 3 -

Os modêlos dos triodos. 3 . 4 - Os circuitos incrementais ( ou dife
rencias ) dos triodos. 3 . 5 - Análise não linear da operação dos trio
dos; amplificação. 3 . 6 - Análise dos triodos na conexão catodo
em terra, por modêlos a segmentos lineares. 3 . 7 - O seguidor de
catodo; generalidades e análise incremental. 3 . 8 - Análise não li
near do seguidor de catodo. 3 . 9 - A polarização dos seguidores
de catodo. 3 . 10 - Amplificador de grade em terra; análise incre
mental. 3 . 1 1 - Limitações na operação dos triodos. 3 . 12 - Os te
trodos. 3 . 13 - Os pen todos. 3 . 14 - As válvulas de feixe dirigido.
3 . 15 - Modêlos a segmentos lineares e incrementais dos pentodos.
3 . 1 6 - Efeitos associados a variações rápidas dos potenciais das
válvulas. 3 . 17 - As válvulas de emissão secundária. Bibliografia.
Problemas do Capítulo 3.
X fN D I C E
CAPfTULO 4
Semicondutores e diodos 82
4 . 1 - Introdução. 4 . 2 - Condutividade intrínseca; eletrons livres

e lacunas. 4 . 3 - Recombinação; concentração de portadores intrín
secos. 4. 4 - Impurezas químicas e condução extrínseca. 4. 5 -
Concentração de portadores extrínsecos no equílibrio. 4. 6 - Trans
porte de cargas nos semicondutores. 4. 7 - A junção P-N. 4.8 -
Estudo da junção PN, em equílibrio. 4. 9 - Junção PN com polari
zação direta. 4 . 10 - O diodo de junção real. 4 . 11 - Modêlos linea
res por segmentos dos diodos semicondutores. Bibliografia. Proble
mas do capitulo 4.
CAPfTULO 5
Os transistores de junção 110
5 . 1 - Descrição e processos de fabricação. 5 . 2 - Princípio de ope

ração dos transistores. 5 . 3
- Determinação das correntes nos tran
sistores. 5.4 - Cálculo do fator de transporte. 5. 5 - Modêlos sim
ples de transistores; curvas características. 5 . 6 - Outros efeitos
nos transistores. 5. 7 - Amplificação com transistores; análise
gráfica. 5 . 8 - Modêlos incrementais dos transistores; modêlo 1t
- híbrido. 5. 9 - Outros modêlos incrementais. 5 .10 - Análise in
cremental das configurações básicas dos amplificadores a tran
sistor. 5 .11- Polarização e estabilização do ponto quiescente dos
transistores. 5 .12 - Polarização automática ou de emissor. Biblio
grafia. Problemas do capítulo 5.
CAPfTULO 6
Teoria das rêdes lineares 158
6.1 - Análise das rêdes lineares. 6.2 - O circuito R, L série. 6.3 -

O circuito G,C paralelo. 6 . 4 - O circuito R, L, C série. 6 . 5
- O cir
cuito RLC pararelo. 6.6 - A dualidade nos circuitos. 6.7 - As
equações gerais das rêdes; análise de malhas e análise nodal. 6.8
- Análise de malhas. 6.9 - A análise nodal. 6. 10 - A indutância
mútua e sua inclusão nas equações gerais da rêde. 6 . 11 - O regime
permanente senoidal e o método dos complexos. 6 .12 - As funções
das rêdes. 6.13 - Representação das funções das rêdes em regime
senoidal. 6 .14 - Teoremas das rêdes. 6 .15 - Observações gerais
sôbre as soluções das equações das rêdes. Bibliografia. Problemas
do capítulo 6.
CAPfTULO 7
Circuitos com diodos 198
7 . 1 - Circuitos ceifadores e limitadores. 7. 2 - Retificadores de

meia onda e onda completa. 7. 3 - O retificador de pico. 7. 4 - O
circuito grampeador ( "clamp circuit" ) . 7 . 5 - Os voltômetros a
diodos. 7. 6 - Os dobradores de tensão. 7. 7 - Os filtros de retifi
cadores. 7. 8 - Os retificadores estabilizados a válvulas. 7. 9 - A
estabilização com diodos de Zener. Bibliografia. Problemas do capi
tulo 7.
ÍN D I C E XI
CAPfTULO 8
Os amplificadores classe A com válvulas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220
8.1 - Generalidades. 8 . 2 Tipos de amplificadores. 8 . 3 - Ali

-
mentação e polarização dos amplificadores classe A. 8 . 4 Equa- -
ção geral do ganho dos amplificadores de catado em terra. 8 . 5 -
Medida do ganho dos amplificadores em decibéis. 8 . 6 A distor- -
ção nos amplificadores. 8 . 7 Caracterização da resposta em fre

-
qüência dos amplificadores classe A. 8 . 8 Característica dos am

-
plificadores classe A em regime transitório. 8 . 9 Exemplo de aná- -
lise: amplificador áudio com acoplamento por transformador '
classe A. Bibliografia. Problemas do capitulo 8.
CAPfTULO 9
Amplificadores de acoplamento R, C a válvulas 239
9.1 -Introdução. 9.2 Considerações sôbre o proj eto de ampli

-
ficadores com acoplamento R,C. 9.3 Amplificadores de video com

-
compensação em paralelo. 9.4 Compensação em freqüências

-
baixas. 9.5 Influência do desacoplamento do catado na resposta

-
dos amplificadores RC; compensação catódica. 9.6 Resposta -
completa dos amplificadores vídeo. 9.7 Aproximação assintóti

-
ca do ganho do amplificador vídeo, sem compensação; diagrama

de Bode. 9.8 Associação de amplificadores RC em cascata. Bi
-
bliografia. Problemas do capítulo 9.
CAPfTULO 10
Amplificadores com acoplamento R, C transistorizados 269
10 . 1 -Introdução. 10.2 Modêlos incrementais do amplificador

-
RC em emissor comum. 10. 3 Resposta em freqüências baixas.

-
10. 4 -Resposta em freqüências altas. 10.5 Compensação em -
freqüências altas dos amplificadores R, C transistorizados. 10.6 -
Associação em cascata de amplificadores R,C transistorizados. Bi

bliografia. Problemas do capítulo 10.
CAPfTULO 11
Os amplificadores sintonizados 289
11.1 - Introdução. 11.2 Amplificadores sintonizados com penta

-
dos. 1 1.3 Amplificadores com dupla sintonia. 1 1 .4

- Associação -
Associação em cascata de estágios com sintonia decala��·

em cascata de amplificadores sintonizados na mesma freqüência.
1 1.5 -
1 1.6 - Amplificadores sintonizados a transístores. 11.7 Estabili -
dade dos amplificadores sintonizados. Bibliografia. Problemas do ca

pítulo 11.
CAPfTULO 12
Geradores de formas de ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 312
12.1 -Introdução. 12.2 As resistências negativas. 12. 3

- Exem- -
plos de características com resistência negativa. 12.4 - Dispositi-

XII ÍN D I C E
vos semicondutores com resistência negativa. 12 . 5 Osciladores -
classe A a resistência negativa. 12. 6 Osciladores de relaxação a

-
resistência negativa. 12. 7 - Resistência negativa em modêlos in

crementais. 12.8 - Pontos de operações estáveis e instáveis; mé
todos de disparo. 12 . 9 - Multivibrador instável. 12 .10 - Multivi
brador mono-estável. 12 . 11 - Multivibrador bi-estável. 12 .12 -
Multivibradores transistorizados. 12.13 - Osciladores de bloqueio
transistorizados. Bibliografia. Problemas do Capítulo 12.
CAPfTULO 13
A realimentação nos amplificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 348
13. 1 - Introdução. 13. 2 Realimentação por uma só malha nos

-
amplificadores. 13.3 Redução da distorção e perturbações inter-

-
nas pela realimentação negativa. 13.4 - Realimentação negativa

controlada por tensão e por corrente. 13.5 - Exemplos de reali
mentação controlada por tensão. 13. 6 - Amplificador operacional.
13 . 7 - Circuitos com amplificadores operacionais. 13. 8 Exemplo -
de realimentação controlada por corrente. 13 . 9 - Realimentação

positiva; desacoplamento entre estágios. 13. 10 - Estabilidade nos
amplificadores com realimentação negativa; critério de Routh
-Hurwitz. 13 .11 Aplicação do critério de Routh-Hurwitz aos os
-
ciladores. 13 .12 O critério de Nyquist. Bibliografia. Problemas do

-
Capítulo 13.
AP.J!:NDICE 1
A transformação de Laplace e sua aplicação à teoria das rêdes . ..... 370
A . 1 - Introdução. A . 2 - Ai transformação de Laplace. A.3 - Teo

remas úteis. A. 4 - A inversão da Transformação de Laplace. A. 5 -
A fórmula de inversão de Heaviside. A . 6 - Transformada de Lapla-
ce das derivadas e da integral de uma função. A. 7 - Aplicação da
transformação de Laplace à resolução de equações diferenciais. Bi
bliografia do apêndice 1.
APJ!:NDICE 2
Curvas características típicas 383

1 - Características de diodos termoiônicos. 2 Características de
-
diodos semicondutores. 3 Características de triodos: trioda

-
ECC 32. 4 - triado ECC 83. Característica da foto-célula 90 CV. 5 -

Características de pentados : pentado EF 36. 6 - Características de
transístores.
CAPfTULO 1
TE ORIA DOS BIPOLOS E LÉTRICOS
1 . 1 - Introdução:
Para desenvolver a teoria dos Circuitos Eletrônicos, os vários disposi

tivos elétricos e eletrônicos serão caracterizados pelas relações entre as
variáveis elétricas - tensões ( ou voltagens ) e correntes, medidas nos seus
terminais accessiveis. Os dispositivos elétricos com 2, 3, 4, . . . n terminais
accessíveis serão designados, respectivamente, por bipolos, tripolos, qua
dripolos, . . . n-polos. Esta caracterização é importante porque permite o
tratamento de circuitos que incluam êstes dispositivos, sem que se conheça
detalhadamente sua estrutura interna.
A associação de bipolos, por meio de fios metálicos ( perfeitamente
condutores e de dimensões desprezíveis ) interligando os seus terminais,
constitui uma rêde de bipolos.
Além dos bipolos, têm especial importância os quadripolos, pois permi
tem a interconexão de dois bipolos, como indicado na fig. 1 . 1 .
quodr1polo
FIG. 1.1 - Interligação de dois bipolos por melo de

um quadr ípolo .
Uma associação qualquer de bipolos, tripolos, quadripolos, etc., cons

titui uma rêde ou circuito elétrico. O estudo destas associações é o objeto
da Teoria das Rêdes Elétricas, cuj os pontos essenciais serão revistos nêste
curso.
O estado elétrico de um bipolo depende de suas variáveis: a corrente
elétrica que o atravessa e a tensão elétrica (ou voltagem) entre seus termi
nais. A corrente é medida por meio de amperômetros adequados, que
devem ser intercalados num dos condutores que partem dos terminais do
bipolo. A tensão, por sua vez, é medida por meio de voltômetros conve·
nientes, ligados entre os terminais do bipolo.
2 ELETRÕNICA - L. Q. 0RSINI
Os terminais de um bipolo não são, em geral, indistinguíveis; daí a

necessidade de marcá-los com os sinais + e - , por exemplo. Esta mar
cação é, em princípio, arbitrária, embora razões práticas possam indicar
a conveniência de atribuir um dos sinais a um determinado terminal.
Os aparelhos antes referidos - amperômetros ou voltômetros - tam
bém são bipolos; seus terminais também podem ser marcados com os
'
sinais + e - , como os demais bipolos. Nêste caso porém a marcação não
é arbitrária, dependendo do resultado de experiências bem conhecidas.
Uma primeira propriedade geral dos bipolos é a seguinte: "a corrente
que penetra num dos terminais é, num instante qualquer, igual à corrente
que flui do outro terminal".
+ Para estudar os bipolos devemos fixar
um sentido de referência da corrente. Em
princípio, êste sentido de referência tam
bém é atribuido de maneira arbitrária.
Assim sendo, a representação completa
de um bipolo será feita como indicado
na fig. 1 . 2. Há duas possibilidades de se
relacionarem as marcas dos terminais
Convencõo Convenr;-Õo com o sentido de referência da corrente,
do gerqdor do receptor
a que correspondem duas convenções : a
FIG. 1.2 Convenções de sinais para os
do gerador e a do receptor. O estudante
-
bipolos.
poderá fàcilmente verificar a razão dos
nomes utilizados.
Como já dissemos, a marcação dos terminais e a escolha do sentido
de referência da corrente são arbitrárias. Uma vez feita uma escolha, no
entanto, esta deve ser relacionada com a maneira de ligar amperômetros
ou voltômetros ao bipolo.
Suponhamos então que dispomos de amperômetros e voltômetros con
venientes, com zero ao centro ( isto é, capazes de fornecer indicações posi·
tivas ou negativas ) . l!:stes aparelhos terão seus terminais marcados, de
maneira não arbitrária, com os sinais + ou - . A ligação dêstes aparelhos
ao bipolo deve ser feita de maneira coerente com as convenções adotadas.
Assim, o + do voltômetro deve ser ligado ao + do bipolo ao passo que
o amperômetro deve ser intercalado de maneira que o sentido de referên·
eia positiva de corrente o percorra do terminal + ao terminal -. O fato
de escolhermos uma. dada convenção de sinais na representação do bipolo
corresponde, portanto. a fixar uma regra para introduzir os aparelhos de
medida no sistema. Relembremos que a indicação positiva do amperô·
metro mostra que as cargas positivas se deslocam, através do aparelho,
do terminal + ao terminal - . Uma indicação positiva do voltômetro, num
dado instante, significa que seu terminal + está a um potencial mais
elevado que seu terminal - .
As duas variáveis do bipolo, corrente e tensão, em geral não são inde

pendentes; entre elas existe uma relação, que poderá muitas vêzes ser
determinada experimentalmente ou teoricamente, se fôr conhecida a es·
TEoRIA D OS B I POL OS EL ÉTRIC OS 3
trutura interna do bipolo. Consideraremos aqui bipolos em que essa re·

lação é do tipo :
dv d"V di d"'i
0.1) f ( V, --, --, i, --, --, ª" e,, . . . ek> = o,
dt dt• dt dtm
salvo menção expressa em contrário. 0i. e,, . . . ek representam variaveis
paramétricas ( fôrça-eletromotriz, pressão, temperatura, tensão de polari·
zação, etc. ) .
Passemos a examinar os tipos d e bipolos mais importantes.
1 . 2 - Os parâmetros das rêdes:
Vamos iniciar o estudo dos bipolos por aquêles em que a relação O. l)

assume as formas mais simples possíveis. São os seguintes casos:
a) a função 0 . 1 ) se reduz a uma simples relação de proporciona

lidade, isto é,
( 1.2 ) V = R i ou i = G V,
com R e G constantes, e sendo adotada a convenção do receptor, definida

atrás. Os bipolos em que estas relações se verifiquem podem ser repre
sentados por uma resistência pura, de R ohms; G, medido em mhos, é a
condutância do bipolo. Evidentemente,
0 .3) R = 1/G
:J
b) Suponhamos agora que 0 . l ) é do tipo
0 .4) V = L di/dt OU i = V dt,
com L constante. l!:ste bipolo pode ser representado por uma indutância
pura de L henrys.
:f
c) Se a função 0 .1 ) se reduzir a
dv
( 1.5 ) V = idt OU i e
dt
com e constante, o bipolo será representado por uma capacitância pura,

medida em farads. Como o farad é uma unidade muito grande usam-se
comumente o micro-farad ( 10-• farads ) e o pico-farad (
= 10-12 farads ) . =
N a fig. 1 . 3 indicamos o s símbolos representativos dêsses três bipolos,

com as respectivas relações. Note-se que foi empregada exclusivamente
a convenção de sinais dos receptores.
4 ELETRÔNICA - L. Q. ÜRSINI
Nos três casos anteriores as relações entre tensões e correntes ( ou vice

versa ) são lineares; as tensões e correntes são, em geral, funções do tem
po. Como já foi visto em cursos anteriores, nêstes bipolos, chamados
bipolos lineares, não há transformações continuas e reversiveis de energia.
Por isto êstes bipolos são ditos passivos. Finalmente, êstes bipolos são
ainda bi-laterais, pois a inversão de seus terminais não modifica as rela
ções entre tensões e correntes.
i.. +
�hc
u
V
V=Ri v-:Ldi/dt V= tJidt

i =Gv i= f:Jidt t= e dv/dt
FIG. 1.3 - Os parâmetros das rêdes e suas relações.
Por sua importância particular, R, L, e e recebem o nome de parâ

metros das rêdes; uma rêde constituida exclusivamente por associação
dêstes três tipos de bipolos diz-se linear e passiva.
Referindo-nos ao curso de Física, verificamos que as propriedades dos
bipolos acima descritos coincidem com as propriedades mais marcantes
dos dispositivos físicos chamados resistores, indutores e capacitares.
Com referência a um certo dispositivo físico, as relações O. 2), O. 4 )
e ( 1 . 5) são válidas apenas dentro d e certas condições restritivas, referen
tes, por exemplo, a certos intervalos de valôres de v ou i, à sua taxa de
variação com o tempo, ou a outras condições físicas ( temperatura, pressão,
etc. ) e dentro de um gráu de precisão pré-fixado. Somente quando essas
condições complementares forem satisfeitas os bipolos - dispositivos físi
cos - poderão ser representados pelos parâmetros R, L e C, modêlos teó
ricos dêstes dispositivos.
1 .3 - Curvas características:
Uma forma particular de O. l), de especial importância em Eletrônica,

é aquela em que desaparecem as derivadas na relação funcional, isto é,
para certos intervalos de v e i,
(1.6)
Nos casos que nos interessam, estas funções podem ser representadas
por uma curva no plano i, v, a chamada curva característica do bipolo.
As grandezas 0., 0, . . . 0, são parâmetros físicos, tais como tensões de
polarização, temperatura, etc. Na fig. 1.4 apresentamos alguns exemplos
de curvas características, correspondentes a bipolos conhecidos.
TEORIA DOS BIPOLOS ELÉTRICOS 5
O primeiro exemplo corresponde a um bipolo linear e passivo ( resis

tência ); o segundo, a um bipolo linear e ativo.
Os dois últimos exemplos são bipolos não lineares, que serão estudados
a seu tempo ; no caso do triodo, há um parâmetro, correspondente a uma
tensão de polarização.
:>C, V:;;O
i::01v<O
f e i Dio::fo 1deol (d) Tr1?do
FIG. 1.4 - Exemplos de curvas características.
Dada uma curva característica não linear, podemos definir as seguin

tes grandezas :
a ) Resistência aparente num ponto da característica, correspondente

à relação entre a abscissa (V) e a ordenada ( i ) dêsse ponto;
b) Resistência incremental (ou diferencial) num ponto da caracterís
tica, dada pela derivada dv/di nêsse ponto. Habitualmente a resistência
incremental é aproximada pela relação entre os acréscimos finitos t::,. v / t::,.i,
tomados nas vizinhanças do ponto considerado.
1 .4 - Geradores de corrente e tensão:
A maioria dos bipolos até agora examinados não pode fornecer energia
continuamente, pelo que são chamados passivos. Evidentemente, uma rêde
elétrica constituida exclusivamente por bipolos passivos será uma rêde
"morta", em que não haverá correntes ou tensões ( a menos de eventuais
transitórios, de curta duração, excitados pela introdução na rêde de ca
pacitares ou de indutores com corrente não nula ) .
Passaremos agora a examinar alguns bipolos geradores, chamados ativos,
em contraposição aos anteriores. Os bipolos geradores, por sua capacidade
de fornecer energia, excitam as rêdes elétricas, causando o aparecimento
de correntes ou tensões. Iniciaremos êste estudo introduzindo os gerado
res ideais.
6 ELETRÔNICA L. Q. ÜRSINI
•
-
a) Gerador de tensã.o ideal:
lE
Um gerador de tensão ideal é um bi
polo que tem a propriedade, de manter a
tensão entre seus terminais constante·
+ mente igual a uma função dada do tem
po, qualquer que seja a corrente que o
r
Vs(t)
atravessa. O gerador de tensão ideal re
presenta-se pelos símbolos indicados na
fig. 1 . 5. O símbolo a é de uso geral, ao
passo que b representa geradores de ten
são contínua, isto é, independente do tem
po. Em ambos os casos deve ser feita
(a) (b} uma indicação de polaridade, de acôrdo
FIG. 1.5 - Símbolos dos geradores
ideais de tensão. com as convenções estabelecidas para a
medida de tensões.
Como caso particular interessante, podemos ter um gerador que man
tenha constantemente nula a tensão entre seus terminais; é claro que êste
gerador corresponde a um curto-circuito.
Inversamente, um gerador de tensão ideal pode ser considerado como
um curto-circuito generalizado, pois êste bipolo mantém fixa a tensão
entre seus terminais, embora com um valor não nulo.
Num gerador de tensão haverá sempre uma transformação de ener
gia de um tipo qualquer em energia elétrica. Se desligarmos a fonte de
energia que aciona o gerador, êste passa a comportar-se como um curto
circuito.
b) Gerador de corrente ideal:

Um gerador de corrente ideal é um bipolo que tem a propriedade de
fornecer, pelos seus terminais, uma corrente constantemente igual a uma
função dada do tempo. Representa-se, em geral, pelo símbolo da fig. 1 . 6
( a ) . Se a corrente do gerador, chamada corrente interna ou de curto-cir
cuito, fôr constante, isto é, independente do tempo, o símbolo da fig. 1.6
( b ) é apropriado. Em ambos os casos indica-se na figura o sentido posi
tivo da corrente.
Um gerador de corrente cuja corrente interna seja nula é, efetivamen
te, um circuito aberto. Anàlogamente ao gerador de tensão, podemos
considerar um gerador de corrente ideal como um circuito aberto genera
lizado, pois êste bipolo fornece uma corrente fixa. Se desligarmos a fonte
de energia que ativa um gerador de corrente ideal, êste se comportará
como um circuito aberto.
c) Geradores reais:
Os dispositivos físicos utilizados pràticamente como geradores têm pro·
priedades que os aproximam, se considerados como bipolos, dos geradores
ideais antes definidos. Uma pilha, por

exemplo, mantém entre seus terminais
uma tensão pràticamente constante, se
não fornecer uma corrente excessiva;
uma célula foto-elétrica, sob aclaramento
constante, fornece uma corrente aproxi
I
madamente constante, ainda que varie a
carga a ela ligada.
Veremos mais tarde que uma repre

sentação adequada para geradores reais
se obtém associando um dos geradores
ideais antes definidos com um ou mais (a) fb)
bipolos passivos convenientes ( por exem FIG. 1 .6 Símbolos dos gerado
-
res ideais de corrente.

plo, atribuindo a uma pilha uma certa
resistência interna ) . O modêlo teórico de um gerador real, constituído
pela associação de um gerador ideal com elementos passivos, é o seu gerador
equivalente. Note-se que razões de conveniência podem sugerir a repre
sentação de um mesmo gerador real por diversos geradores equivalentes.
d) Gerador vinculado ( o u fonte controlada}:
Ao estabelecermos os modeios de disposi
L
tivos eletrônicos ( válvulas ou transístores ) será
conveniente introduzir geradores ideais cujas
correntes ou tensões dependam de uma corrente
ou de uma tensão num ponto adequado da rêde
jl-VtI
em que o dispositivo foi introduzido. Tais ge
o� + radores serão chamados geradores vinculados,
v,�
evidenciando a dependência acima apontada.
No símbolo gráfico dos geradores vincula
dos ( fig. 1 . 7 ) deve ser incluído o ponto ou ter
FIG. 1.7 - Gerador vinculado. minal em que é injetada a variável ( corrente
ou tensão de contrôle ) .
1.5 - Associações d e bipolos; leis d e Kirchhoff:
Uma rêde de bipolos ( ou circuito elétrico ) se constitui interli_gando

bipolos pelos seus terminais, de modo a constituir pelo menos um circuito
fechado.
Dentre os bipolos que constituem uma rêde, alguns ( pelo menos um )
devem ser ativos pois, caso contrário, não poderá haver correntes ou ten
sões permanentes na rêde, salvo alguns casos excepcionais, sem importân
cia prática ou não realizáveis fisicamente. Uma rêde sem bipolos ativos
é uma rêde "morta"; a introdução de geradores "excita" a rêde, causan
do o aparecimento de correntes ou tensões. Estas serão consideradas
como a resposta da rêde às excitações.
Os pontos de interligação de dois ou mais bipolos são os nós da rêde;

os bipolos, por sua vez, constituem seus rarrws ou lados.
Para que possam circular correntes na rêde é, evidentemente, necessá
rio que esta contenha circuitos fechados. Indicaremos por malhas de uma
rêde quaisquer circuitos fechados que nela se possam determinar.
As correntes e tensões nas rêdes elétricas satisfazem a duas leis gerais,
as leis de Kirchhoff, abaixo enunciadas.
A primeira lei de Kirchhoff refere-se às correntes da rêde e se enuncia :
" A soma algébrica das correntes que concorrem e m qualquer dos nós
de uma rêde é igual a zero, num dado instante".
Assim, indicando por i. ( t ) a corrente num dos ramos que vão ter
ao nó considerado,
o. 7) ( num nó )
É claro que a aplicação da l." lei de Kirchhoff exige o prev10 estabe

lecimento dos sentidos de referência para a medida das correntes.
A 2.ª lei de Kirchhoff refere-se às tensões existentes ao longo de uma
das malhas da rêde:
"Ao longo de qualquer malha de uma rêde elétrica a soma das tensões
instantâneas, medidas num sentido prefixado, é igual a zero".
Indicando estas tensões por v.(t), a 2.ª lei de Kirchhoff se exprime por
( 1 . 8) ( sôbre u'a malha )
As duas leis de Kirchhoff serão consideradas, nêste curso, como pos

tulados a que obedecem os sistemas físicos, cujo comportamento pode ser
previsto pela Teoria das Rêdes Elétricas. Efetivamente, estas leis podem
ser obtidas da Teoria Eletromagnética. Esta dedução é interessante, pois
precisa as condições de validade da Teoria das Rêdes ( ver a respeito: J. B.
Carson, "Electromagnetic Theory and the Foundations of Circuits Theory".
Bell Syst. Techn. Journ., vol. 6, 1-17 ( 1927 ) ; J. G. Cheney, "A Critica! Study
of the Circuit Concept", Journ. of Appl. Phys., vol. 22, 1429-1436 ( 1951 ) ou,
para uma dedução simplificada, S. Ramo e J. R. Whinnery, "Fields and
Waves in Modem Radio", cap. 5, 2.ª ed., Wiley, 1953 ).
As aproximações mais importantes envolvidas na dedução das leis de
Kirchhoff, a partir da teoria geral dos campos eletromagnéticos, são as
seguintes : a ) desprezam-se os fenómenos de radiação; b ) ignoram-se os
campos eletromagnéticos fora da vizinhança imediata dos elementos do
circuito ( isto é, supõe-se os elementos concentrados ); c ) despreza-se a
retardação de potenciais ou campos.
Em geral tais condições serão satisfeitas se as dimensões do sistema
forem muito menores que J../4, onde )... indica o comprimento de onda da
onda eletromagnética correspondente à componente de freqüência mais
elevada das correntes e tensões do circuito.
1. 6 - Circuitos equivalentes; linearização das características:
Dentre os bipolos estudados até aqui, os parâmetros das rêdes (R, L

e C) e os geradores ideais ( de tensão e de corrente ) têm um papel funda
mental, pois servirão, como veremos mais tarde, para construir modélos
que representarão, dentro de uma aproximação prefixada, qualquer bipo
lo físico linear. Por esta razão vamos designá-los por bipolos elementares.
A associação de bipolos elementares que representa um
certo bipolo físico constitui o seu modêlo ou circuito equiva
lente. Os modelos ou circuitos equivalentes têm, em geral, sua
validade restrita a certos intervalos de variação de v ou de i,
ao tipo de variação destas funções com o tempo ou a outras
imposições físicas.
Se o bipolo dado fôr não linear ( isto é, a relação entre V
tensão e corrente em seus terminais não fôr uma relação linear )
e admitir uma curva característica, a construção do seu modêlo
exigirá um processo de linearização por segmentos da caracte-
rística. Nêste processo têm um papel importante os diodos
ideais, representados, pelo símbolo da fig. 1 . 8 e definidos pela FIG. 1.8 _
curva característica indicada na fig. 1 . 4 {c ) . Símbolo do

díodo ideal
_L:n:, -�E[JJ.
...
-1-
J....
'i=E+Ri i:-l0+Gv
(b) (cJ
FIG. 1.9 - Característica de um gerador e dois possíveis modêlos.
A título de exemplo de modêlo de bipolo linear, apresentamos na fig.

1 . 9 ( a ) a curva característica de um bipolo gerador. É fácil verificar que
êste bipolo pode ser representado por qualquer dos modêlos indicados na
fig. 1 . 9 ( b ) ou ( c ), pois em ambos os modêlos a relação entre corrente e
tensão é a mesma que no bipolo original.
Nêstes modêlos as constantes E e R atendem pelos nomes de fôrça
eletromotriz ( f. e. m. ) e resistência interna do gerador de tensão equiva
lente ao bipolo dado; as constantes Iº e G são a corrente interna ( ou de
curto-circuito ), e a condutância interna do gerador de corrente equivalente.
Para que os dois circuitos ( b ) e (e) representem um mesmo gerador
real, entre estas constantes devem existir as seguintes relações que se
verificam sem dificuldade:
0 .9) R 1/G,
lú ELETRÔNICA - L. Q. ÜRSINI
i = kv 3/2
V
aJ .Diodo a vácuo real
I;
ri i •
E
Ib rb=
1 1
I 1
I
1
V I
1 1
I
I
a:=arctg7
1
I b
I 1
I
1
, "ô(.
V
o Eb
b) Aproximar;:Õo por dois .segmen
ros, inferoepfo no origem.
V
o "'
"'
'C
e) Aproximação por dois segmen "
tos� infercepfo em E;,

...
"'
!E
·e
"
Q
1
O V
Ez Eb
d)Aproximctç:Õo por .3 segmentos.

R0 = R1 1?2=R0Rb/(RQ-R6)
cx.1 =arcfg t/Ra oc2=arcf9 t/ll6
O processo d e linearização por segmentos das características ( não

lineares ) será extensamente utilizado nêste curso. �ste processo consiste
essencialmente, em aproximar a curva característica dada por alguns seg�
mentos de reta. Esta aproximação se faz a sentimento, tendo em vista
as condições de cada problema particular; raras vêzes será necessário em
pregar critérios matemáticos de aproximação. Em seguida, a caracterís
tica linearizada por segmentos permite a construção de modêlos com díodos
ideais. Na fig. 1 . 10, a título de exemplo, apresentamos a característica
de um diodo real e alguns dos correspondentes modêlos linearizados por
segmentos. O estudante poderá verificar a correspondência entre os vários
modêlos e as aproximações utilizadas no processo de linearização.
Algumas vêzes pode ser necessário
construir a aproximação por segmen- '!
tos de uma dada curva característica '
com um êrro absoluto menor, em mó- •

dulo, que um certo E positivo. Nêste
caso pode-se utilizar a construção in
dicada na fig. L 1 1 : translada-se a cur-
va dada de + E e E no sentido ver-
-
tical. Na região assim determinada

-1-��--1- �
traçam-se os segmentos de reta que o
constituem a aproximação desejada. FIG. 1.11 Aproximação com êrro abso-
-
luto menor que E,

Veremos logo mais que é possível
construir modelos, cujas curvas características sej am lineares por segmen
tos, associando adequadamente diodos ideais ( cuja característica está indi
cada na figura 1 4 ( c ) com resistências e geradores. Com tais associações
,
poderemos assim sintetizar uma curva característica dada, com uma aproxi
mação prefixada.
Antes de examinar os problemas de síntese de características, estu
daremos algumas associações simples, bem como a análise de circuitos a
diodos ideais.
l, 7 - Associações simples de bipolos não lineares:
Examinaremos aqui alguns processos gráficos para a análise de asso

ciações simples de bipolos que admitem curvas características. �stes pro
cessos, apesar de sua simplicidade, têm papel fundamental na análise de
circuitos eletrônicos. Teremos oportunidade, no decorrer do curso, de exa
minar várias construções análogas, aplicadas a diferentes dispositivos físicos.
a) Associação série de dois bipolos:

A aplicação das leis de Kirchhoff à associação série de dois ou mais
bipolos mostra que a corrente através da associação é a mesma em todos
os bipolos, ao passo que a tensão entre os terminais da associação é igual
à soma das tensões em cada bipolo. Se êstes admitirem curvas caracte·
rísticas, a curva característica da associação obtem-se, muito simplesmen-
te, adicionando as abscissas das características dos bipolos componentes

( fig. 1 . 12 ) .
,,,
� 2
;""'
,,, "' /"
,,
-p! -. /
,,, ./
./
- - - --- - - - - - - -
/ /
/'
/
-�-�-
/ .
/
/_/
, .
o V
FIG. 1.12 - Construção da característica de uma

associação série de bipolos.
O processo acima fornece a característica completa da associação.

Nem sempre haverá necessidade de construir-se esta característica, bas·
tando resolver o seguinte problema : determinar a corrente iº através da
associação de dois bipolos, de características conhecidas, quando alimenta·
da por uma tensão v,. i
A solução gráfica dêste problema, in
dicada na fig. 1 . 13, se obtém da se
guinte maneira: a curva característica
de um dos bipolos é traçada da ma
neira usual; sôbre êste gráfico, a par
tir do ponto v = v,, desenha-se a se
gunda característica, com a mesma es V ._.,"""====:!!!.._.._ V
cala, mas tomando-se o eixo dos v's no Vr l'J! Vt
sentido oposto. O ponto Q de inter FIG. 1 .13 - Solução grãrica do problema
da associação série de dois bipolos e um
seção das duas características fornece gerador de tensão.
a solução do problema. De fato, a
soma das tensões em cada um dos bipolos, v, + v,, é igual a tensão aplicada
à associação, e a corrente é a mesma em ambos os bipolos, satisfazendo
assim às leis de Kirchhoff.
b) Associação paralela de bipolos:

Nêste caso a aplicação das leis de Kirchhoff mostra que a tensão em
cada bipolo é igual à tensão aplicada à associação, ao passo que a corren
te total é igual à soma das correntes que atravessam cada bipolo.
As construções gráficas acima indicadas adaptam-se facilmente a
êste caso.
1 8
. - Associações simples de diodos ideais:
As características de associações série e paralela de díodos ideais com

resistências ou com geradores ideais obtem-se facilmente pela aplicação
das leis de Kirchhoff ou dos métodos do parágrafo anterior. Na fig. 1 1 . 14
indicamos as características destas associações.
i {
R
l)
D
R o
R
o
(a)
·i
-E
o E
(e) (d)
i i
t I .,...___ e
�1
D
-:Ir----
o
(e) trJ
FIG. 1 .14 - Características de associações série·paralela de diodos ideais e resistências ou
geradores ideais.
O leitor deverá j ustificar os resultados apresentados nesta figura uti

lizando as técnicas de composição de curvas características no parágrafo
anterior.
A partir destas características de circuitos com dois elementos, as
características de associações série ou paralela mais complicadas podem
14 ELETRÓNICA - L. Q. ÜRSINI
ser determinadas, substituindo um par de elementos pela respectiva ca·

racterística e combinando a nova característica com a de mais um ele
mento. Na fig. 1 . 15 indicamos dois exemplos de características de dois
bipolos, constituidos de 3 elementos cada.
i ". G
-ºl"
(
:Gl}
/R
/
1 /
1 /
J
R. R
ir
/ 1 li'
+ /
/ 1 /
-=- E /
o / 1
" / 7)-
(ó)
E
/
(a )
FIG. 1.15 - Características de associações de R ( ou G ) , gerador e diodo ideais.
É evidente que o processo acima indicado pode, por recurrência, ser

extendido a associações série-paralela de um número qualquer de resistên
cias, diodos ideais e . geradores. Mas o trabalho envolvido aumenta muito
depressa com o número de elementos, de modo que convem examinar
mos processos mais eficientes de análise destes circuitos.
1 .9 - Análise dos circuitos com diodos ideais:
A análise de circuitos com diodos ideais têm por objetivos a deter

minação de :
a ) curvas características de bipolos, ou características de entrada, uma
vez conhecida a estrutura interna de bipolos, relacionando tensão e corrente
num mesmo par de terminais, como fizemos nos exemplos anteriores;
b ) características de transferência de quadripolos, isto é, curvas ca

racterísticas que relacionam variáveis elétricas nos terminais de saída de
um quadripolo às suas variáveis nos terminais de entrada, sendo conhecida
a estrutura interna do quadripolo, bem como sua terminação.
As características dos circuitos constituidos exclusivamlmte por diodos

ideais, resistências e geradores ideais têm as seguintes propriedades, que
se verificam fàcilmente nos exemplos já estudados :
a ) a s características d e um circuito constituido sàmente d e diodos e
geradores ideais compõem-se de segmentos paralelos aos eixos coordenados;
b ) a presença de fontes de tensão em série com um diodo ideal des

loca a interseção dos segmentos (ponto de transição) paralelamente às
absclssas;
cJ a presença ele fontes de corrente em paralelo com um diodo ideal
desloca o ponto de transição paralelamente às ordenadas;
d) as resistências dão lugar a segmentos inclinados ;
e ) as características ( de entrada ou transferência ) compõem-se, em

geral, de segmentos de reta que se encontram nos pontos de transição;
são portanto, características lineares por segmentos.
Consideraremos a seguir dois métodos de análise dos circuitos a diodos

Ideais : o método dos estados dos diodos e o método dos pontos de transição.
1 . 10 - Método dos estados dos diodos:
Para a aplicação deste método atribui-se um certo estado (conduzindo

ou bloqueando ) a cada um dos diodos que comparecem no circuito; subs
tituem-se então os diodos em condução por curto-circuitos e os diodos
bloqueados por circuitos abertos. Com isto, a rêde em estudo transfor
ma-se numa rêde linear, pois só contem geradores e resistências, de modo
que as curvas características correspondentes, quer de entrada, quer de
transferência, serão retas.
A repetição deste processo, considerando tôdas as combinações pos·
síveis de estados dos diodos que comparecem no circuito, fornece um
conjunto de características retilíneas. Se o circuito tem n diodos, resulta
·
um máximo de 2" combinações possíveis ; destas, algumas combinações po
derão ser físicamente impossíveis, reduzindo um pouco o número de cir
cuitos a serem estudados. Para obter a característica desej ada, resta de·
terminar quais os segmentos destas retas que podem existir no circuito.
Esta determinação é feita por inspeção .
O método dos estados do diodo têm um inconveniente : o trabalho de
análise cresce muito com o número dos diodos. Ilustremos a aplicação
do método com dois exemplos.
1.° exemplo: - Vamos determinar a característica de entrada do cir

cuito da fig. 1 . 16 ( a ) . Como só há um diodo, há dois estados possíveis,
aos quais correspondem os circuitos b e c da mesma figura.
D1
E s t. 1 e
E s t. II B
.
.(, <'ti t {
--. -- - 0----0----<>
(!"
R1 �\ o
Rz zr RJ
RJ
a ) Circuito Completo b) Estado I e) Estado II
FIG. 1 .16 - 1 .• Exemplo de análise por método dos estados do diodo.

Os circuitos lineares correspondentes aos dois estados possíveis, indi

cados na fig. 1 . 15, tem as seguintes características de entrada:
Estado I - v ---- i + ---- E

R, + R,
Estado II - V R, i
Na fig. 1 . 17 indicamos, em tracej ado, estas duas características; am
bas se cruzam necessàriamente no ponto A, pois R, é sempre maior que
R 1 R2/ ( R 1 + R, ) .
Somente as semi-retas destas carac
terísticas, indicadas em traço cheio,
podem ter existência física; de fato,
para tensões de entrada positivas e ele
vadas o diodo deve conduzir, e vale a
característica II. Inversamente, para
tensões de entrada suficientemente ne
gativas o diodo deve estar bloqueado,
e valerá a característica I. Completa
1
. Rr
E -se assim a determinação da caracte
R1 + R.z
rística de entrada do bipolo.
Est.n
FfG. 1.17 - Característica de entrada do2.º exemplo: - Determinemos a ca
circuito da figura 1 .16.
racterística de transferência v, = f ( v, )
do circuito da fig. 1 . 18 ( a ) . Das 4 combinações de estados dos díodos
a primeira, isto é, os dois díodos bloqueados, é obviamente impossível.
Restam assim somente 3 estados possíveis, cujas características v, = f ( v1 )
estão indicadas na fig. 1 . 18 b, e e d. Nêste caso particular coincidem
as características dos estados II e IV, o que simplifica o problema.
- 1 1 t-+--<:1�-0 O-,JVVll'--�--1111-+_..,___,,.
D1 R1 E E
Est. D1 D2 R1
�-Ol--.,f\/\/\-<>--1
I B B
II B e
UI e B
IV e e
a ) Circuito b) E st. II: v2 = E
<>----VVV\/'----9-----1 1 ( 1-+--0----o
R, E
c) E st . III: v2 = � ( 1'1
R1 + R,
+ E)
d) Est . IV: "' = E
FIG. 1 .18 - 2.0 Exemplo de análise pelo método dos estaaos aos aioaos .
Na fig. 1 . 19 indicamos em tracej ado as retas correspondentes à carac

terística de cada estado, e em traço cheio as semi-retas fisicamente pos
síveis, que constituem a característica procurada.
vzl
II , IV E
o
m
FIG. 1.19 - Característica de transferência do
circuito da figura l .18a.
1 . 11 - Método dos pontos de transição:
No ponto de transição de um a outro segmento da característica de

um bipolo com diodos ideais pelo menos um dos diodos muda de esta
do, isto é, passa da condução ao bloqueio, ou vice-versa. Nesse instante,
a tensão e corrente nesse diodo devem ser ambas nulas.
Dois pontos de transição adjacentes ( em termos da variável indepen
dente ) especificam o segmento da característica que une os dois pontos.
Os dois segmentos extremos são determinados a partir dos pontos de
transição e pela inclinação resistiva destes segmentos externos.
Vamos ilustrar êste método aplicando-o inicialmente ao circuito da
fig. 1 . 16 ( a ) . As coordenadas do ponto de transição obtém-se impondo
vd O e id
= O. Resultam imediatamente as coordenadas do ponto de
=
transição :
{
V E
i v/R1 = E/R1
A característica compõe-se de duas semi-retas, com inclinações corres
pondentes a R1 ( diodo bloqueado ) e R1 R,/ ( R1 + R, ), com o diodo condu
zindo. Chegamos assim novamente às características da fig. 1 . 17.
Como 2.º exemplo, determinemos a característica da entrada do cir
cuito da fig. 1 . 20 ( a ).
t7fl_
D, R1 R2
-{ V, = 0 Rt
<
- -- c>---0 o-.NV'--0-vVV'-1
<i=o
Oz E =
7J'
+
L•--
a) Circuito b ) 1 .0 ponto de transição c) 2.0 ponto de transição
FIG. 1 . 20 Exemplo dos métodos dos pontoi; de transição.

18 ELETRÔNICA - L. Q. 0RSINI
Impondo a transição do l .º diodo, o segundo necessàriamente conduz

e temos o circuito equivalente da fig. 1 . 20 ( b ) . As coordenadas do l .º
ponto de transição A, são, evidentemente, v O e i O. = =
Impondo em seguida a transição do 2.º díodo, que obriga o primeiro

à condução ( para i 0), resulta o circuito equivalente da fig. 1 . 20 ( c ) .
=
A s coordenadas d o segundo ponto d e transição, A,, são portanto :
V E E/Rz
R,
Na fig. 1 . 21 indicamos os dois pontos de transição.
Os segmentos extremos da ca

racterística são construidos ob
servando que ao l .º estado cor
respondente uma resistência in
finita ( característica horizontal ) ,
ao passo que n o 3.º estado o cir
cuito apresenta uma resistência
R, + R 2•
!!f E
1 . 12- Aplicação à síntese de R2
características não lineares: FIG. 1 . 21 - Característica de entrada do circui
to da fig. 1 . 20.
A síntese de características de
entrada não lineares, isto é, a obtenção de um circuito a díodos ideais, cuja
característica de entrada se aproxime suficientemente da característica dada,
pode ser feita : a ) aproximando a curva dada por degraus; b ) aproximando
a curva dada por segmentos inclinados. Vejamos os fundamentos dêstes
métodos.
a) Aproximação por degraus:

Os elementos básicos são os indicados na fig. 1 . 14, e e e. A asso
ciação série desses elementos fornece a característica em degrau básica,
indicada na fig. 1 . 22.
I --- - ----
I
---o-+----E.._�� lf'
º· -r
(a) (J; J
FIG. 1 . 22 - Obtenção da característica em degrau.
A síntese de uma característica, aproximada por degraus, pode ser rea

lizada associando em paralelo os elementos da figura 1 . 22, a. Na fig. 1 . 23
indica-se o processo e a característica resultante.
i
i
--
t
IJ
l3 - l2 I2
I2- lj
V-
I1
o
E1 E2
h) �)
FIG. 1 . 23 Aproximação por degraus de uma característica
b) Aproximação por segmentos inclinados:

Os elementos básicos são agora os indicados na fig. 1 . 15, a e b.
A associação em paralelo de elementos do tipo indicado na fig. 1 . 15, a
fornece as características representadas na fig. 1 . 24, b. Note-se que
a concavidade de característica está voltada para cima.
o E1 Ez
(a } (h)
série.
FIG. 1 . 24 - Característica obtida por associação paralelo de elementos
A associação em série de elementos da fig. 1 . 15, b tem uma curva ca

racterística com a concavidade voltada para baixo, como indicado na
fig. 1 . 25.
1,
t'
i
--
I2
R,
'/;� Rz I2 lt
fh )
{aJ
paralelos.
FIG. 1 . 25 - Característica obtida pela associação série de elementos
Finalmente, combinando elementos dos dois tipos descritos é possível

sintetizar uma curva característica qualquer. Na fig. 1 . 26 indicamos um
exemplo de síntese dêsse tipo; o leitor poderá verificar fàcilmente os re
sultados indicados.
't
I11-------
l3 -------
(JJ)
FIG. 1 . 26 - Exemplo de síntese de característica.
Bibliografia do capítulo 1 :
- E. BOTTANI e R. SARTORI - "Eletrotecnica", vol. 1 - (Tamburini, Milão,

1 947 ) . Exposição muito detalhada da teoria dos bipolos e quadripolos em regi
me estacionário.
2 - E. A. GUILLEMIN - "Introductory Circuit Theory", Wiley, New York, 1 9 5 3 .
Introdução elementar e moderna à teoria das redes passivas e lineares.
3 - H. J. ZIMMERMANN e S. J. MASON - "Electronic Circuit Theory" - (Wi
ley, New York, 1 959) . Caps. 1 e 3 : estudo detalhado de modêlos linearizados
por segmentos e análise dos correspondentes circuitos.
4 - L. STRAUSS - "Wave Generation and Shaping" - ( McGraw-Hill, 1960 ) .

O s modêlos linearizados por segmentos são empregados extensamente, a partir
do Cap. 2 .
PROBLEMAS DO CAPtTULO 1
{t)I
Problema 1 . 1 - Um gerador de tensão ideal aplica a um indutor perfeito ' de. indu
tância 1 H, a tensão indicada no gráfico abaixo ( fig. P l . 1 ) . Construir a curva da
corrente na indutância, em função do tempo.
es
volts
2r - - - - - - - - - - - - - - - - - - ��
!
!�-- - - - - - - - - - - - -
'
FIG. Pl . 1
o 2 .3 t (ms)
Problema 1 . 2 - Verificou-se que a corrente i (t) através de u m bipolo, representada

na fig. P l . 2, redundou na tensão v(t), também representada na mesma figura. Su
gira uma possível constituição física dêste bipolo.
']
v(t}
1
'1
1
1
1
1
1
1
21
1
1
1
1
1
1
31
1
1
1
1
1
• t
FIG. Pl . 2
1 1
1
1
2 • e
Problema 1 . 3 Utilizando elementos ideais, determinar a estrutura interna de um

-
bipolo com a curva característica indicada na figura P l . 3 .

il
FIG. Pl . 3
-1
.
Problema 1 . 4 -Num dado nó de uma rêde entram três correntes, duas das quais,
medidas de acôrdo com as indicações do esquema, variam com o tempo segundo as
curvas indicadas na fig. Pl . 4 . Determinar a terceira corrente.
i,(tJ4
(A} 1
J---
i,(t)
(A)
1
-- J • t
��---------------- FIG. Pl . 4
22 ELETRÔNICA - L. Q. tRSINI
Problema J .5 - Supondo conhecidas as tensões v. e vB, determinar vc, ii, i2 e Íi,
usando as leis de Kirchhoff (ver fig. P l . 5 ) .
f fl_
i,
TPIP O L O
FIG. Pl . 5
Problema J . 6 - Qual a corrente fornecida pela associaçao dos geradores d e cor

rente e de tensão, indicada na figura P l . 6, se. entre seus terminais fôr ligada uma
resistência de 10 ohms?
FIG. Pl . 6
Problema 1 7. - A característica de um diodo é dada pela seguinte tabela :
25 70 1 26 mA
20 40 60 volts
Construir o respectivo modêlo linearizado, de modo a minimizar o erro nas

vizinhanças do ponto h = 70 mA, Eh = 40 V.
Problema 1 8. - Um bipolo passivo, cuja característica é dada pela tabela abaixo,

é associado em paralelo com uma resistência de 4 ohms. Impõe.-se à associação uma
corrente de 10 A . Pergunta-se :
a) Qual a tensão nos terminais d a associação?
b) Qual a resistência incremental no ponto de operação?
V = 0 5 10 15 20 25 30 volts
= O 1 ,5 2,7 3,8 4,7 5,4 5,8 amperes.

Problema 1 . 9 . - Dados os b i polos abaixo, com suas respectivas características ( fig.

P 1 . 9 ) , determmar a corrente resultante ao associá-los em série.
JB
r
-
o o ''e (V)
!'· "l-- -- - :
- -
O tO V
126 mA - - - - - - - - - - - - 1
1
1
1
70mA 1
1
1
25mA 1
1
o 20 40 60
FIG. Pl . 9
Problema 1 . 10 - A curva característica de. um diodo real é dada pelas equações
k v312 (v > O)
= O (v < O )
e passa pelo ponto h = 1 0 mA, Eb 1 V. Pede-se :
a) Determinar os elementos dos modêlos linearizados dos tipos indicados na

fig. 1 . 1 0.
b) Determinar o máximo êrro e m cada caso.
c) E.ste diodo é alimentado por u m gerador d e tensão contínua, com E = 50

V e R = 1 0 kohms. Determinar a corrente n a associação, empregando os vários
modêlos acima.
d) Determinar a corrente pedida n o ítem ( c ) , usando a característica real do

diodo e comparar os resultados.
Problema 1 . 1 1 - Determine a característica de entrada dos circuitos a diodos ideais

da fig. Pl . 1 1 , usando o método dos estados dos diodos.
l
�
-- <>---<>---�
5kn.
1kn. t
t.
--
IOl<n. Sk11
1111A
l>1 l>2
zJ-
flo2 fkn.
(a ) (b)
FIG. Pl . 11 FIG. l . I:l
Problema 1 . 12 - Repita o problema anterior, mas usando o método dos pontos

de transição.
Problema 1 . 13 - Ao circuito da fig. Pl . 1 2 aplica-se uma tensão senoidal v 10

c o s 1 0 t volts. Determine a corrente i(t), e m mA.
Problema 1 . 14 - Determine a característica de transferência e, = f (e. ) do circui

to da fig. P. 1 . 14, com os terminais de saída em aberto.
/O k.n. l� k.tl
fira ll<n.
JJ1
+ 12V
FIG. Pl . 14 FIG. Pl . 15
Problema 1 . 15 - Os terminais de saída ( 22' ) do circuito da fig. P l . 15 estão em

aberto. Determine :
a) a característica de entrada i1 = f ( vi ) ;
b ) a característica de transferência v, = f ( v1 ) .
Problema 1 . 16 - Utilizando elementos ideais, construa um bipolo com a caracterís

tica de entrada indicada na fig. Pl . 1 6.
i (mA}
lfmA).
20
10 'll'{v} �(v)
FIG. Pl . 16 FIG. Pl . 17
Problema 1 . 1 7 - Sintetize um bipolo a diodos ideais com a característica indicada

na fig. Pl . 1 7.
CAPfTULO 2
EMISSÃ O E LETR ôNICA E DI OD OS TE R M OiôNICOS
2 . 1 - Generalidades:
Os processos de emissão eletrônica dos sólidos são de interêsse fun

damental para a operação de numerosos dispositivos eletrônicos. Vários
são os fenômenos responsáveis por essa emissão, e todos são utilizados
em múltiplas aplicações. Em conseqüência, vamos iniciar êste capítulo
pelo exame dos processos mais importantes de emissão de eletrons por
corpos sólidos. A descrição completa destes fenômenos é bastante longa,
de modo que cingir-nos-emos a seus aspectos mais importantes. Serão
examinados os seguintes processos :
a) emissão foto-elétrica, utilizada nas células foto-elétricas;
b ) emissão termoiônica, fundamental na operação das válvulas ele
trônicas;
c ) emissão de campo elétrico, usada em aparelhos especiais ou, even
tualmente em tubos de descarga em gases;
d) emissão secundária, utilizada em válvulas especiais.
Cumpre observar que todos os tipos de emissão acima apontados po
dem ocorrer nas válvulas termoiônicas comuns.
2 . 2 - Emissão foto-elétrica:
Os metais têm a propriedade de emitir eletrons, quando submetidos

à ação da luz. l!:ste efeito foi descoberto ocasionalmente por Hertz ( 1887 )
e explicado teoricamente por Einstein, mediante a introdução de hipóte
ses de Planck.
Para examinar a teoria do efeito foto-elétrico, vamos introduzir um
modêlo simplificado da estrutura dos metais.
Num metal cristalizado, os átomos metálicos dispõem-se nos vértices
de um reticulado geométrico regular. Nessa estrutura os eletrons de va
lência ficam livres no interior do cristal, deslocando-se ao acaso, por fôrça
da agitação térmica. Embora livres no interior do cristal, êstes eletrons
não podem ( pelo menos a temperaturas baixas ) esc�par da superfície cris
talina, por efeito de uma barreira de potencial superficial. Essencialmente,
esta barreira é devida à atração dos ions metálicos positivos, dispostos

no reticulado cristalino.
As energias dos eletrons livres
Energ1u
distribuem-se num intervalo desig
nado por banda de condução, pois
êstes eletrons determinam a con
01.s/"&ncio dutividade elétrica do metal. Na
fig. 2 . 1 indicamos uma representa
ção esquematizada da energia dos
eletrons na banda de condução em
função da distância à superfície me·
tálica ( d > O fora do metal ) .
A energia EF corresponde a o nível
de Fermi. Demonstra-se que, à tem
FIG. 2.1 - Barreira de potencial na superfície
metálica. peratura de OºK, esta é a máxima
energia que podem ter os eletrons. A
temperaturas superiores ao zero absoluto, uma fração determinada e pe
quena dos eletrons estará, em média, com energias superiores a EF; no
entanto, a temperaturas habituais somente um número desprezível de ele
trons adquirirá, termicamente, energia suficiente para escapar do metal. A
energia W = e <P• chamada função de trabalho do metal, é a energia su
plementar que permite a um eletron com energia inicial E. escapar do
metal. O potencial correspondente, e/>• será designado por potencial de ex
tração. A energia W é da ordem de 1 a 5 eletrons-volts nos metais, de
pendendo não só do tipo do material como de suas condições superficiais.
Se êste metal fôr agora submetido à ação da luz, um eletron de energia
inicial E, poderá absorver um foton de energia h v, onde h é a constante
de Planck (6,63 x 10-" j oule. seg. ) e v é a frequência da radiação incidente.
Como um eletron só pode absorver a energia de um foton, sua extra
ção do metal exige que h v > W. Se fôr êste o caso, o eletron poderá
escapar do metal. Indicando por K sua energia cinética fora do metal,
teremos ( ver fig. 2 . 1 ) :
(2.1) K = ( E, + h v) - ( E, + W)
Fixada a freqüência d a l uz incidente, o s eletrons emitidos ( em nú

mero sensível ) com máxima energia cinética são aquêles que estavam ini
cialmente com energias próximas de E.. Fazendo E, = EF na equação
anterior obtemos essa energia máxima :
(2.2) Km = h V - W
Esta é a equação de Einstein do efeito foto-elétrico. Como consequên

cia imediata, verifica-se que só há apreciável emissão de eletrons se a fre·
qüência da luz incidente fôr tal que h v > W. Com esta relação pode·
remos determinar experimentalmente a função de trabalho dos metais.
EMISSÃO ELETRÔNICA E DIODOS TERMOIÔNICOS 27
A eficiência foto-elétrica de um material é definida pelo número de

eletrons emitidos por foton incidente. Esta eficiência depende da natureza
química e física da superfície emissora, bem como da frequência da ra
diação incidente.
Superfícies emissoras foto-elétricas, ou fotocatodos, de eficiência ade
quada eram obtidas inicialmente revestindo superfícies metálicas com fil.
mes de metais alcalinos. Presentemente usam-se fotocatodos mais eficientes,
com camadas simples ou múltiplas de óxidos e compostos intermetálicos.
As células foto-elétricas a vácuo são construidas tomando um fotocato
do cilíndrico e um anodo filiforme e encerrando-os numa ampola de vidro,
em que se faz um vácuo elevado ( fig. 2 . 2, a ) . Polarizando positivamente
o anodo em relação ao fotocatodo ( fig. 2 . 2, b ) verifica-se a passagem
de uma corrente elétrica no circuito, quando o fotocatodo é iluminado.
L uz
�+ 111----------'
E
.____
o) Consfrucõo de célula folo h) Circuifo para evidenciar o

e/élrica a vcict10. efeifo fofoeléfrico.
FIG. 2.2 - Células foto-elétricas.
Esta corrente corresponde aos eletrons emitidos pelo fotocatodo, sob

a ação da luz, que atingem o anodo.
2.3 - Emissão termoiônica:
O processo mais importante de emissão eletrônica é o decorrente do

efeito termoiônico. Consiste êste efeito na emissão de eletrons por eleva
ção da temperatura de corpos metálicos puros ou revestidos de óxidos
metálicos adequados. Com a elevação da temperatura do corpo eleva-se
a energia cinética média dos eletrons livres em sua banda de condução
de modo que um número cada vez maior de eletrons atinge uma energià
cinética suficiente para vencer a barreira de potencial que normalmente
os prende ao corpo metálico.
Para estudar quantitativamente êste efeito, vamos partir do modêlo de
metal já utilizado para o exame do efeito foto-elétrico, completando-o
quando necessário.
O aquecimento do metal, aumentando a energia térmica média dos
eletrons, aumenta também sua velocidade térmica. Assim, poderão esca-
par do metal eletrons que atinj am uma componente de velocidade v, nor

mal à superfície metálica, tal que
1
( 2 . 3) m v'
;i{min
= EF + W
2
A velocidade mínima de escape, normal à superfície emissora, será pois
(2.4)
Vamos agora calcular o número destes eletrons, introduzindo algumas

simplificações; assim, desprezaremos o efeito de eventuais reflexões na
descontinuidade do potencial da superfície. Para efetuar êste cálculo, ne
cessitaremos de algumas noções de mecânica quântica, que serão intro
duzidas a seguir.
Partiremos do princípio da incerteza de Heisenberg, que nos diz
que a incerteza /:::,, p, na determinação da componente i da quantidade de
movimento, e a incerteza /:::,, x, na determinação da coordenada espa
cial x, · de uma partícula, estão relacionadas por
(2.5) /:::,, p, . /:::,, x, � h
onde h é a constante de Planck.

Aplicando esta relação a um eletron contido num cristal de volume
V = L, L, L, ( fig. 2 . 3 ) temos, no caso mais favorável,
Lx
F'IG . 2.3 - Cristal metálico.
/:::,, p, L, h
/:::,, p, L, h
/:::,, p, L, h
Multiplicando membro a membro estas relações, vem
(2.6) !:::. p, · !:::. p, · !:::. p, = h'/ ( L, L, L, ) = h'/V
O volume h' /V é uma célula elementar no espaço de fases p,, p,, p,.
Pelo princípio de exclusão de Pauli, cada uma destas células pode "conter",
no máximo, dois eletrons com "spins" opostos.
Considerando agora um volume dp, · dp, · dp, dêste espaço de fase,

nêle haverá
dp, · dp, dp, V ·
. dp, . dp, . dp,

h'/ V h'
células elementares. O número de estados eletrónicos disponíveis nêste

volume é pois
2V
dS . dp, . dp, . dp,
h'
ou, como dp, = m · dv,,
2 V m'
(2.7) dS . dv, . dv, . dv,
h'
Estes são os estados permitidos para eletrons com velocidades entre

v,, v,., v, e v, + dv,, v, + dv, e v, + dv,. Mas êstes estados disponíveis
não estarão, em geral, plenamente ocupados, pois a sua ocupação depen
de da existência de eletrons com velocidades convenientes.
=
A probabilidade de ocupação de cada estado é dada pela função de
( ).
distribuição de Fermi-Dirac : para os eletrons de energia E
1
(2.8) f (E)
E - EF
1 + exp T
k
onde k é a constante de Boltzmam ( k = 1,38 x 10·23 joule/ºK ) .

Como s ó pode haver u m eletron e m cada estado e, tratando-se d e ele
trons na banda de condução, E indica sua energia cinética, o número de
eletrons do volume V, no intervalo de velocidades em questão, será dado por
2Vm' 1
(2.9) dN = . dv, . dv, . dv,
h'
Os eletrons que escapam da superfície metálica no intervalo de tem

po dt, através de uma área A, estavam contidos no volume V = A v, dt;
substituindo êste valor na equação anterior segue-se
2Am3
( )
• V, dt 1
( 2 . 10 ) dN =
. dv, . dv, . dv,
h' E E,
1 + exp T
k
Para determinar o número de eletrons que escapam da superfície me

tálica, devemos integrar a expressão acima para todos os v, > V,m," e para
todos os valores possíveis de v, e v,. Dividindo ainda o resultado por A · dt,
30 ELETRÓNICA - L. Q. ORSINI
}.
obteremos o número de eletrons que escapam da superfície metálica por
//"
J
unidade de área e por unidade de tempo :
---- --
( E_-_E_, )
+ 00 + 00 + 00 2m3 1.
( 2 . 1 1 ) N1 = . dv, . dv, . dv,
Vxm.io - eo ... - co h' ,
1 + exp
kT ,
No denominador desta expressão poderemos desprezar a unidade em
face da exponencial, pois E - E, » kT para os eletrons que podem esca
par. Para fixar ordens de grandeza, notemos que a energia kT vale 0,026
eV à temperatura ambiente. Considerando ainda que
E = -- 2
1
m ( v,' + v,' + v,' >
--J·+ooj·'+ oo j
1 -- 1
fica
N1
Vxmi•
-
00 ,
'4 + 00 2m'
- 00 h
. exp --
E,
kT
· exp
2kT
m
( v,' + v,' + v,') · dv, dv, dv,
( - --
W)
Efetuando a integração resulta
4 7t m k'T'
( 2 . 12 ) N1 = · exp ( eletrons/m'/s )
h' kT
A densidade de corrente termoiônica obtem-se multiplicando este valor
( -- )
pela carga do eletron, e :
4 7t e m k'T' W
( 2 , 13 ) J,k = · exp - ( A / m' >
h' kT
onde e = 1,602 x 10-1• coulombs e m = 9,107 x 10-31 kg.
A expressão ( 2 . 13 ) é conhecida por equação de Richardson-Dushmam.
É costume escrevê-la também na forma
( 2 . 14 ) J,h = A. T' e - w 1•T ( A/m )'
onde a constante universal A. vale
( 2 . 15 ) A. = 1,2 X 106 A / m' / ( ºK ) '
Os valores experimentais de A. são algumas . vêzes menores que o valor

teórico acima indicado. Isto decorre das simplificações introduzidas na
dedução e de dificuldades na medida experimental de A..
Devido à presença do fator exponencial, J,h aumenta muito ràpidamente
com a temperatura. Por isso, os emissores termoiônicos empregados prà
ticamente devem funcionar a temperaturas elevadas, para fornecerem emis
são abundante. Por outro lado, ( 2 . 14 ) mostra também a conveniência de
usar um material com função de trabalho baixa.
Os emissores termoiônicos constituem os catodos das válvulas termoiô·
nicas. Passemos a examinar os modos de construí-los pràticamente.
2.4 - Emissores termoiônicos ( catodos ) :
D a discussão do parágrafo anterior resulta que o s emissores termoiôni

cos eficientes devem satisfazer às seguintes condições : a ) ter temperatura
de fusão elevada, para que possam trabalhar a temperaturas altas; b ) ter
função de trabalho baixa, diminuindo assim o expoente da exponencial em
( 2 . 14 ) . Pràticamente utilizam.se apenas alguns tipos d e emissores termoiô
nicos, cujas propriedades vêm indicadas na Tabela I.
TA BELA 1 : Emissores termoiô11icos
1
1
1 1
Função de
Temperatuca A0 1
1
trabalho Constante
Material de operação J,. (A/cm'>
( ºK)
( eletron- (A/m2/°K2)
volts )
Tungstênio 2 500 4,5 0,6 X 1 0' 0,5

Tungstênio toriado 1 900 2,6 0,03 X 1 0• 4 ,0
M e t a 1 recoberto
com óxido 1 1 00 1 ,0 a 1 , 5 0,01 X 1 0' 0,5
Catodos "L"
(Lemmens ) 1 400 1 ,6 - 5 ,0
Além das características acima, os emissores termoiônicos, utilizados pa

ra construir os catodos das válvulas termoiônicas, devem satisfazer a uma
série de condições suplementares, tais como a resistência ao bombardeio por
ions gazosos, resistência ao "envenenamento" por gazes residuais, vida
útil, etc .
O tungstênio, sob a forma de fios, é o único material puro utilizado para
construir catodos; tais catodos trabalham a temperatura elevada ( - 2500 ºK ) .
Por sua resistência ao envenenamento e ao bombardeio iônico são utilizados
em válvulas de grande potência, que trabalham a potenciais elevados ( aci·
ma de 10 KV ) . São ainda usados em válvulas especiais, tais como os dio
dos de ruido.
Os catodos de tungstênio toriado são constituidos por fios de tungstênio
com a adição de pequena quantidade de óxido de tório. Mediante um tra
tamento prévio de ativação, forma-se uma camada mono-atômica de tório
sôbre a superfície do fio de tungstênio, com o que se reduz a função de
trabalho do emissor. Tais catodos são usados em válvulas de potência
elevada, que trabalham a potenciais da ordem de 1 KV a 10 KV.
Os catodos de óxidos ( descobertos por Wehnelt, cêrca de 1904 ) são feitos
·
com um cilíndro ou fita de liga metálica, recoberto com uma mistura de
óxidos de bário e estrôncio. l!:stes catodos são bastante sensíveis ao bombar
deio iônico, proveniente dos gases residuais da válvula, que os deteriora.
Por isso, sua aplicação se limita às válvulas que trabalham em potenciais
baixos ( menores que 1000 volts ). A maioria das válvulas eletrônicas empre
ga êste tipo de emissor.
Os catodos "L", assim chamados por terem sido criados por Lemmens
( 1952 ) , são constituídos essencialmente por uma pastilha sinterizada de
32 ELETRÕNICA - L. Q. ORSINI
tungstênio poroso, impregnado com sais de bário e estrôncio ( fig. 2 . 4 ) . Tal

cátodo tem excelente eficiência de emissão e longa vida, pois suporta bem o
Oxitlos a'e
fiq e .sr
FIG. 2.4 - Catodo tipo "L".
bombardeio iônico e se regenera durante sua operação. É também utilizado

em válvulas de potência ou especiais.
Habitualmente os catodos são aquecidos por corrente elétrica, de duas

maneiras :
a ) aquecimento direto, em que o emissor termoiônico, filiforme ou em

forma de fita, é diretamente aquecido pela passagem da corrente elétrica.
li:ste tipo de emissor é designado por filamento.
b ) aquecimento indireto, em que o catodo, habitualmente de forma cilín

drica, é aquecido por um filamento de tungstênio ou liga de tungstênio e
molibdênio, que fica no interior do cilindro e é dêle isolado eletricamente.
Os emissores de tungstênio ou tungstênio toriado são aquecidos direta

mente; os catodos de óxido comumente têm aquecimento indireto, mas po
dem também ter aquecimento direto. Os catodos "L" só se usam com aque
cimento indireto.
2.5 - Emissão secundária:
Quando um feixe de eletrons de energia adequada bombardeia uma su

perfície sólida ( metálica ou de dielétrico ), outros eletrons ( secundários )
podem ser extraídos do interior do metal, constituido a emissão secundária.
A emissão secundária pode ser estudada com o aparêlho esquematizado ( em
corte ) na fig. 2 . 5; os eletrons emitidos termoiônicamente pelo catodo K
são acelerados e focalizados pelos eletrodos E, atingindo o anodo A com
energia cinética bem determinada. Os eletrons secundários são coletados
pelo eletrodo C. A corrente Ic nêsse eletrodo é a corrente de emissão
secundária.
1
+ +
! 111
lp
FIG. 2.5 - Dispositivo para medir a corrente de emissão secundária.
O coeficiente de emissão secundária s é dado pela relação entre o número

de eletrons emitidos e o número de eletrons incidentes. Com a notação da
fig. 2 . 5, resulta
( 2 . 16 ) s =
�ste coeficiente depende da energia dos eletrons incidentes e do material

emissor. Na fig. 2 . 6 indicamos as curvas de s para metais puros, supondo
o feixe incidente normal à superfície.
")!
·�
-�
!, � Ag
�
§ w
�
'� /,O
")
.,, Mo FIG. 2.6 -

·�
�
Coeficientes de
emissão secun
t
dária.
� as
�
-�
� Be
� ener�h incidente (e VJ
o
5 00 1000 /500 zooo
o
Verifica-se que o coeficiente s apresenta um maximo para uma certa

energia. De fato, se a energia do feixe incidente fôr baixa, poucos eletrons
adquirirão energia cinética suficiente para escapar de emissor. Se, ao con
trário, a energia do feixe incidente for muito elevada, o feixe incidente pe
netra mais profundamente no emissor e os eletrons excitados no metal
perdem sua energia em outras colisões, antes de sair do metal.
A fig. 2 . 6 mostra ainda que o coeficiente de emissão secundária varia
de 0,5 a 1 ,5 para metais puros, e o valor máximo ocorre para energias de
eletrons incidentes entre 200 e 1000 eV. Como energias nêsse intervalo são
34 ELETRÕNICA - L. Q. ÜRSINI
comuns nas válvulas termoiônicas, conclue-se que a emissão secundária deve

rá ser considerada no estudo de sua operação.
A experiência mostra também que a relação entre eletrons secundários e
primários é mínima quando os eletrons primários incidem normalmente à
superfície, aumentando com o ângulo de incidência.
O fenómeno de emissão secundária é utilizado pràticamente para aumen
tar pequenas correntes eletrõnicas, tal como nas vdlvulas foto-multiplicado
ras. Nêste caso convém empregar eletrodos com coeficiente de emissão
secundária elevado. Isto se consegue tratando adequadamente o emissor.
Assim, com um emissor de óxido de césio, parcialmente reduzido sõbre uma
base de prata, obtem-se s = 10.
2.6 - Emissão de campo elétrico:
Aplicando-se um campo elétrico de sentido adequado a uma superfície

metálica verifica-se que é possível dela extrair eletrons; se a superfície é, por
exemplo, um emissor termoiõnico, a emissão se torna mais abundante. Há
dois mecanismos distintos que causam esta emissão por campo elétrico :
a ) campos elétricos fracos ou moderados diminuem a barreira de poten

cial da superfície metálica, causando um aumento de emissão ( fig. 2 . 7 ) . :ti:ste
fenõmeno é designado por efeito Schottky.
Energia
b) campos elétricos muito fortes, além de reduzirem a altura da barreira
de potencial, diminuem sua espessura, de modo que aparece a possibilidade
- -
jSem __ _ _
cam;:'o
_
dislancia
_ _ _ .,..
· -...... �
. ......._ � energia t°olencia/ denda
-� · :::-<. . ao campo a,c!lcado
X=O
FIG. 2.7 - Barreira de potencial reduzida por campo externo.
de tunelamento quântico dos eletrons através da barreira do potencial. J!:ste

fenómeno é designado por emissão em campo forte ou de catodo frio, pois
não exige aquecimento da superfície emissora.
Devido ao efeito Schottky a densidade da corrente emitida pelo catodo
aumenta segundo a relação
( 2 . 17 ) ( A/m' )
onde J,h é a densidade de corrente termoiônica e E é a int ensida de do campo

elétrico aplicado, em volts/metro.
A densidade de corrente na emissão de campo forte é dada por
( 2 . 18 ) Jh1 = CE' · e -DJE
onde E é novamente a intensidade do campo elétrico e C e D são constantes

que dependem do material. Para o tungstênio.
C 1,26 X 105 A/V'

D = 2,76 X 10'º V/m
A emissão de campos fortes é utilizada nos microscópios eletrônicos de

emissão de campo.
2.7 - Os diodos a alto vácuo; curvas características:
Os diodos a alto vácuo constam de dois eletrodos : um catado, emissor

termo-iônico (a aquecimento direto ou indireto ) e um anodo ou placa,
metálico.
anodo
�
FIG. 2.8 - Construção de um diodo a alto vácuo.
Estabelecendo-se uma diferença de potencial entre o catodo e o anodo.

de maneira que êste fique positivo, os eletrons emitidos pelo catodo são
atraídos pela placa, causando uma circulação de corrente pela válvula.
Habitualmente os eletrodos do diodo são cilíndricos e coaxiais, ficando o
anodo ao lado externo; o filamento, que aquece o catodo, fica no seu in
terior ( fig. 2 . 8 ).
São também comuns os duplo-díodos, isto é, válvulas com dois diodos
numa só ampola.
Para examinar os fenômenos que se passam num diodo, consideremos o

circuito da fig. 2 . 9; suponhamos que as tensões entre placa e catodo (tensã.o
anódica ), eb e de filamento, er, são variáveis. A variação de er permitirá
modificar a temperatura T do catodo.
l
Com êste circuito podemos obter ex
perimentalmente as curvas caracterís
ticas do diodo, f ( ib, eb ) = O, para vá
rios valores da temperatura T do cato
do. Estas características vêm esque
matizadas na fig. 2 1 0
. .
No patamar destas curvas a corren

te é limitada pela temperatura do ca
todo, isto é, todos os eletrons emitidos
vão ter à placa. A corrente nesta re
gião obtem-se da equação de Richard
son-Dushman, levando em conta a
área do catodo. Na realidade, êsse pa
FIG. 2 .9
- Circuito para o levantamento
da característica de um díodo a vácuo. tamar não é exatamente horizontal,
pois a emissão de campo aumenta
Ugeiramente a corrente quando eb ( e, portanto, o campo elétrico ) aumenta.
Na região ascendente das curvas

da fig. 2 . 1 0 a corrente é limitada
pela carga espacial, isto é, pelo
efeito da densidade de carga nega
tiva constituida pelos eletrons pre
sentes no espaço inter-eletródico.
Os diodos mais comuns trabalham
justamente nesta região da curva
característica.
O contrôle da corrente pela carga
-- T,
espacial é básico, não só nos diodos --+-
como nas demais válvulas eletrô

nicas. Por isso vamos estudar êsse
processo com mais detalhes, no ca-
so simples de um diodo com carga espac ial saturação por
lernperol'ura
eletrodos planos e paralelos, de di
mensões muito maiores que a dis FIG. 2 .10 Curvas características de
- nrn
tância entre êles. Desprezando efei- díodo a alto vácuo.
tos de borda nos eletrodos, ficamos
assim com um problema essencialmente uni-dimensional.
Chamemos d à distância entre os eletrodos, e sej a Eb a diferença de

potencial entre o catodo e o anodo. Quando o catodo está frio, a função
potencial cp ( x ) no espaço inter-eletródico será dada pela reta indicada na
fig. 2 . 1 1 ( b ) . O sistema anodo-catodo se comporta então como um capaci
tor plano ( capacitância da ordem do pico-farad, nos diodos comuns ) .
" anodo
� A
(ai (b)
FIG. 2.11 - Distribuição de potenciais num diodo plano.
Suponhamos agora que o catodo é aquecido, passando a emitir um nú

mero considerável de eletrons, ao passo que o anodo é mantido a um po
tencial Eb; se a corrente de placa fôr menor que a corrente emitida pelo
catodo, uma parte dos eletrons emitidos retorna ao catado, por efeito da
nuvem de eletrons que se situa no espaço inter-eletródico. A presença dessa
nuvem, caracterizada por uma densidade volumétrica de carga p, deprime
a curva de distribuição dos potenciais, que passa a ter a forma indicada
na fig. 2 . 1 1, c. O diodo opera na região ascendente da curva característica,
com sua corrente de placa limitada por carga espacial.
Vamos examinar êste caso com mais detalhes, adotando ainda como
hipótese simplificadora que todos os eletrons são emitidos pelo catodo com
uma velocidade inicial constante e igual a Vo, na direção do eixo dos x.
Suponhamos ainda que esteja atingido o estado estacionário.
A uma distância x do catodo o potencial é cp ( x ) e os eletrons terão
uma velocidade v ( x ) . Tomando igual a zero o potencial d o catodo, a va
riação de energia potencial está relacionada com a variação de energia
cinética por
m
( 2 . 19 ) e q> ( X ) = -- ( V' - Vo2 )
2
Dada nossa hipótese de velocidade inicial constante, o minimo de po

tencial, q>o, corresponde à energia cinética inicial dos eletrons:
-
( 2 . 20 ) 1/2 m Vo2 = e Cjlo
De fato, se v0 fôsse menor que o valor acima, nenhum eletron ultrapas

saria o minimo de potencial; se, ao contrário, vº fôsse maior, todos
os eletrons emitidos seguiriam para a placa, e a corrente seria controlada
por temperatura.
De ( 2 . 20 ) e ( 2 . 19 ) obtemos então
( 2 . 21 ) V = V '2
m e ( q> + Cjlo )
Por outro lado, os potenciais obedecem à equação de Poisson que se

reduz, no caso uni-dimensional, a
d'cp p
( 2 . 22 ) =
dx' Eo
onde Eo é a permitividade do espaço vazio.

Indicando por Jb a densidade de corrente que incide sôbre o anodo,
( 2 . 2,3 ) h = - p V
ou, tendo em vista ( 2 . 21 ),
m
Jb l/
Y 2e ( cp
( 2 . 24 ) p = -
+ cp. )
A equação d e Poisson s e torna então
Jb
V
d'cp m
---Z t
( 2 . 25 ) =
{ q>q>
dx' ' 2e ( cp + cp. )
cuja integração, sujeita à s condições d e contôrno
= - cp. dcp para x = x.
Eb
o
= dx para x = d,
fornece, para x
(Eb +
·= d,
cp. ) ' I'
-
( 2 . 26 ) A
(d x. >'
:
onde
V
Eo e
49
( 2 . 27 ) A = = 2,34 x 10' ( MKS Giorgi )
A equação ( 2 . 25 ) é válida à direita de x x., onde as cargas caminham =
tôdas para o anodo. A esquerda de x = x. devemos considerar ainda as

cargas que retornam ao catodo. Indicando por p+ e p- as densidades volu
{Jo
métricas de cargas que seguem para o anodo e retornam ao catodo, respec·
J.
tivamente, temos as seguintes relações :
= - p+ V
- Jb - - Jb -
( 2 . 28 )
= p- v, donde 2J. = ( p+ + p- ) v
sendo J. a densidade de corrente requerida pela equação de Richardson

-Dushman e visto que a velocidade v é a mesma, em módulo, para um dado x,
J. - J�
qualquer que sej a o seu sentido.
Em consequência,
2
( 2 . 29 ) - (p + + p -) = - p
V
EMISSÃO ELETRÔNICA E DIODOS l'ERMOIÔNICOS 39
Substituindo êste valor na equação de Poisson e eliminando v por

( 2 . 21 ) , resulta
d'cp m
( 2 . 30 )
dx2 2 e ( cp + cpº )
válida para os x < Xo.
Integrando esta equação com as condições de contôrno
t
( q> = o para x = O
( 2 . 31 ) d.cp
q> = CJ>o o para X = Xo
dx
resulta, ainda para x = Xo,
cp.'12
( 2 . 32 ) A --
x.'
Nesta equação q>º é um dado do problema; J0 é calculado a partir da

equação de Richardson-Dushmann; ( 2 . 26 ) e ( 2 . 32 ) permitem assim o
cálculo de xº e de Jb, densidade de corrente limitada por carga espacial.
O exame dessas duas equações mostra que é xº » d. De fato, normal
mente q>º é da ordem de alguns décimos de volts, para os catodos de óxi
dos. A tensão de placa necessária para atingir a saturação por tempera
tura, ao contrário, é da ordem da centena de volts. Atingida a saturação
por temperaturà, Jb = J. e ( 2 . 26 ) e 2 . 32 ) fornecem
( Eb + q>o )'/2 CJ>o'/2

Jo A ------- A
( d - Xo >2 Xo2
Como Eb » q>º ' segue-se que xº é muito menor que d. Em conse

qüência, ( d - Xo >2 varia muito pouco com Eb, de modo que a corrente no
diodo pode ser representada, com bôa aproximação, por
( 2 . 33 )
onde K A S/d', indicando por S a área do catodo. A constante K recebe

o nome de perveância do diodo.
Note-se que, dentro das hipóteses feitas, podemos admitir a existência
de um catado virtual em x = Xo, do qual os eletrons partem com uma ve
locidade inicial nula, a um potencial ligeiramente negativo.
A equação ( 2 . 33 ), que exprime adequadamente os resultados experi
mentais, constitue a lei de Child-Langmuir; q>o varia de fração de volt a
poucos volts.
Considerações dimensionais mostram que esta lei se aplica também a
outras geometrias, mais comuns na prática. De fato, em qualquer equi
potencial do campo, Jb é proporcional a p v. A densidade de carga p,
por sua vez, varia linearmente com o potencial, ao passo que v varia com
sua raiz quadrada. Portanto,
Aplicando ao anodo e considerando sua área,
( 2 . 34 )
Veremos mais tarde que uma lei análoga se aplica também aos trio
dos ou demais válvulas multi-eletródicas.
As curvas características reais dos díodos se afastam um pouco da
quelas correspondentes às leis de Richardson-Dushmann e de Child-Langmuir.
Estas divergências se devem às aproximações introduzidas na dedução das
equações :
- suposição da mesma velocidade inicial para os eletrons enquanto
que, na realidade, as velocidades iniciais se distribuem segundo a esta
tística de Maxwell;
- superfície do catodo perfeitamente homogênea do ponto de vista
da einissão termo-iônica, o que não ocorre na realidade;
- só foi considerada a emissão termo-iônica, desprezando-se as emissões
de campo, foto-elétrica, etc.;
- potencial do catodo constante, o que não será em geral verdadeiro
para os díodos com aquecimento direto.
Normalmente os díodos são operados na região de carga espacial; a
região de saturação por temperatura só pode ser atingida, sem danificá
los, reduzindo a temperatura de aquecimento ( ou a tensão de filamento ) .
Excetuam-se os diodos de ruido e certos díodos utilizados e m reguladores
de tensão, que são proj etados para trabalhar na região de saturação por
temperatura.
A operação dos díodos deve obedecer a um certo número de restrições :
a ) O anodo dos díodos é aquecido não só pela radiação do catodo
como, sobretudo, pela energia dos eletrons incidentes. :tl:ste aquecimento
provoca um aumento de temperatura do anodo, que deve sempre perma
necer inferior a um certo máximo. Como a contribuição da radiação é
pràticamente constante, segue-se que o produto eb ib, que fornece a ener
gia trazida pelos eletrons, deve ser mantido inferior a um máximo acon
selhado pelos fabricantes de válvula. Essa restrição se encontra nos ca
tálogos sob a designação de máxima dissipação de placa ( em watts ).
b) A máxima diferença de potencial permissível entre placa e catodo
é fixada para evitar arcos entre eletrodos ou fios de ligação, bem como
para evitar fenômenos que deteriorariam o vidro ou isolante da válvula.
Por isso as válvulas que trabalham em tensão elevada ( por ex., díodos
retificadores em aparelhos de televisão ) têm a saída de placa no topo da
válvula e a do catodo na sua base. Como a diferença de potencial geral
mente é máxima quando o diodo não conduz, isto é, a placa está negativa
cm relação ao catodo, o máximo de potencial a que pode ser submetido
EM ISSÃO ELETRÔNICA E DIODOS TERMOIÔNICOS 41
um diodo encontra-se nos catálogos sob a designação de máximo potencial

de pico inverso.
c) Em diodos que operam em regime de puls o s pode ocorrer que
a potência média dissipada na placa sej a inferior ao máximo especificado
embora, durante os pulsos, haj a picos de corrente muito elevados. Esta
situação ocorre, por exemplo, nos retificadores com filtros capacitivos, como
examinaremos mais tarde. Nesse caso, a corrente instantânea máxima
deve ser inferior à corrente de emissão termoiônica do catodo. Pràtica
mente, para assegurar uma longa vida à válvula faz-se com que essa cor
rente máxima sej a algumas vêzes ( 4 ou 5) menor que a corrente termo
iônica.
2.8 - Circuitos equivalentes aos diodos a vácuo:
No capítulo anterior ( fig. 1 . 10 ) já examinamos os circuitos equivalen

tes aos diodos a vácuo. Pràticamente, na maioria das vêzes utilizaremos
as alternativas ( b ) ou ( c ) dessa figura. Para referência, abaixo repeti
mos êsses circuitos equivalentes ( fig. 2 . 12 ) .
l ib
t ib
tb+
ib
-r1�' ri�'-
lb
Eb 2 E,,
rb=
rp = 3
lb 7;
tg a: = +p
l_'
Eb eL o Eb eb
la! (b}
FIG. 2.12 - Modêlos d e um díodo a alto vácuo.
l!:stes circuitos equivalentes se referem à região de carga espacial. Mais

raramente haverá interêsse em representar a região de saturação por tem
peratura. Nêste caso pode ser utilizado o circuito indicado na fig. 2 . 1 3 .
rb
a = ore tg -Jr
5
FIG. 2 .13 - Modêlo correspondente à região de saturação por temperatura.

42 ELETRÔNICA - L. Q. ORSINI
A combinação dos circuitos das figuras 2 . 12 e 2 . 13 permitirá repre

sentar o diodo nas regiões de carga espacial e de saturação por tempera
tura ( fig. 2 . 7 ) .
••
FIG. 2 . 14 - Modêlo completo de um diodo a alto vácuo e característica linearizada.
2.9 - Os diodos a gás:
Há dois tipos de diodos a gás : os termo-iônicos ( com catodo emissor

aquecido ) e os de catodo frio.
Os diodos termo-iônicos a gás são constituidos por um emissor termo
iônico, habitualmente recoberto com óxidos, e um anodo metálico. Em
vez do vacuo, existente nos diodos termo-iônicos já estudados, a ampôla
da válvula contém um gás a baixa pressão ( vapor de mercúrio, mais
comumente ) .
A presença dêsse gás modifica d e maneira sensível a distribuição de
potenciais no diodo, neutralizando a carga espacial com os ions positivos
do gás. Na figura 2 . 15 indicamos a forma geral da curva característica
de um diodo termo-iônico a gás.
Para tensões baixas, os ele
trons emitidos pelo catodo não log i0
têm energia suficiente para ioni

zar sensivelmente o gás, e a cor
rente anódica se mantém peque
na. Atingida porém a tensão dis
ruptiva Vd os eletrons adquirem
energia suficiente para causar
ionização dos átomos gasosos;
esta ionização, por sua vez, li
bera novos eletrons, que contri
buem para aumentar ràpidamen
te a corrente de placa, à medida
que a tensão tende a descer. Os
ions positivos, de mobilidade FIG. 2.15 Característica de um diodo a gás.
-
muito menor que os eletrons,

neutraliz am a carga espacial negativa, de modo que a corrente aumenta
cada vez mais. Sem dispositivo externo para limitar a corrente, êste pro
cesso levaria a válvula à destruição.
EMISSÃO ELETRÕNICA E Drooos TERMOIÔNICOS 43
Durante o processo de ionização

os átomos gasosos são excitados;
� el_e trod__o de
/ '
1 \ ao retornarem ao estado primitivo,
1
1 19n1ç o c a energia de excitação é emitida
1 1
1 1 sob forma luminosa, com radia
1 1
1 1 ções características do gás. Assim,
1 '
1 1 as válvulas de vapor de mercúrio
1 1
1 1 apresentam uma coloração azulada,
1 1
1 1 quando em operação.
' 1
1 1 No caso das válvulas retificado
1 1
1 1 ras de vapor de mercúrio, o aque
: catodo Anodo
1 ,,,,.. 1
1 cimento do filamento deve preceder
1
à ligação da tensão de placa; com
a) Constru ção b ) Súnbolo
FIG. 2.16 - Construção de uma válvula regula·
isso aquece-se o mercúrio da am
dora de tensão.
pola, levando a tensão de vapor de
mercúrio ao valor adequado.
A máxima corrente que pode ser obtida sem inconveniente para a
válvula corresponde à corrente de emissão termo-iônica do catodo, acres
cida da emissão de campo; os ions positivos cooperam apenas para neu
tralizar a carga espacial, permitindo que esta corrente seja obtida com
uma tensão anódica baixa. Esta tensão é da ordem do potencial de ioni
zação do gás empregado ( de 6 a 15 volts numa válvula de vapor de
mercúrio ) .
O s retificadores a vapor d e mercúrio são empregados sobretudo para
fornecer correntes relativamente elevadas sob tensões altas como, por
exemplo, em retificadores para a alimentação de transmissores. Os últi
mos desenvolvimentos na técnica de semi-condutores tendem a tornar estas
válvulas obsoletas.
Os díodos de catodo frio são utilizados sobretudo como referência de
tensão, nos circuitos reguladores.
Estas válvulas são constituidas por um catodo cilíndrico e um anodo
filiforme, interno ao catodo ( fig. 2 . 1 6 ) . O catodo é construido de níquel,
com sua superfície interna revestida por óxidos. Para facilitar o início
da descarga, uma pequena ponta se projeta do catodo. Uma vez ultrapas
sada a tensão de ignição, estabelece-se uma descarga elétrica luminosa no
gás ( argon, neon ou mistura de gases nobres, a pressões da ordem de al
guns mm de Hg ) . A tensão nos terminais da válvula, uma vez estabeleci
da a descarga, varia muito pouco com a.. ç_prrente que atravessa a válvula
( tipicamente, 5% do valor nominal quando a corrente passa de 5 a 40 mA ) .
O valor dessa tensão depende d o gás contido na válvula e das condiçõe'.s ·
dos eletrodos.
As válvulas acima descritas são designadas por válvulas reguladoras de
tensão. Não mantêm com precisão a tensão entre seus terminais, quando
a corrente varia; além disso, esta tensão pode também sofrer variações
erráticas durante a vida da válvula.
Mais recentemente foram desenvolvidos díodos a catodo frio nos quais
a tensão se mantém com grande precisão durante a vida da válvula. Tais
diodos são designados por válvulas de referência de tensão ( por exemplo,

a 85A2 ). Essa melhoria de qualidade se deve sobretudo a um cuidadoso
tratamento da superfície do catado.
Bibliografia do capítulo 2:
a) Exposições detalhadas sôbre a construção, propriedades e física das válvulas
e semicondutores :
1 - K. R. SPANGENBERG - "Fundamentais of Electron Devices", McGraw,
New York, 1 957.
2 - J. MILLMAN - "Vacuum Tube and Semiconductor Electronics", McGraw,
New York, 1 958.
b) Detalhes sôbre descrição física dos metais e emissão eletrônica :
3 - R. M. ROSE, L. A. SHEPARD e J. WULFF - "The Structure and Proper
ties of Materiais, Vol. IV - Electronic Propertie.s", Wiley, New York, 1 966.
c) Modêlos linearizados de diodos e análise de circuitos que incluem êsses mo
dêlos :
4 - H. J. ZIMMERMAN e S. J. MASON - "Electronic Circuit Theory'', Wiley,
New York, 1 959.
PROBLEMAS DO CAPlTUW 2
o
Problema 2 . 1 O catodo de uma fotocélula é iluminado por luz de 6000A de
-
comprimento de onda. Verifica-se que um potencial anódico de 1 volt é suficiente

-
para anular a corrente fotoelétrica. Determine :

a) a função d e trabalho W d o metal;
b ) com o anodo positivo, qual o máximo comprimento d e. onda luminosa que
produz corrente na fotocélula?
Problema 2 . 2 - Um dos melhores fotoemissores é constituido por uma superfície
do composto semicondutor Cs,Sb, que emite 0,25 eletrons por foton incidente de
o
!. = 4000 A. Isto posto, determine a corrente de uma fotocélula de Cs,Sb, sôbre cuja
o
superfície sensível incide 1 microwatt de luz de comprimento de onda 4000 A. Note
que !. = c/v, onde e e v são, respectivamente, a velocidade e a freqüência da luz.
Problema 2 3 - A energia do nível de Fermi EP está relacionada ao número de
.
eletrons livres por unidade de volume N/ V num metal, pela relação.
N 16 7t y2
= (m & ) �
V 3h'
onde m é a massa do eletron e h é a constante de Planck. Esta relação é correta a
OºK mas, como o nível de Fermi varia muito pouco com a temperatura, pode ser
utilizada às temperaturas ambientes.
Sabe.ndo agora que o pêso atômico do tungstênio é igual a 1 83,85, sua densi
dade é de 1 9 . 3 g/ cm3 e. sua função de trabalho é igual a 4,5 e V, determine a pro
fundidade do poço de potencial ( fig. 2 . 1 ) , em que se movem os eletrons do tungs
tênio. Suponha ainda que êste metal te.m um eletron livre por átomo.
Problema 2 . 4 - Um catodo a óxidos com área emissora de 0, 1 cm', opera à tem
peratura de l OOOºK.
Supondo que a função de trabalho do emissor é igual a 1 eV, determir.e :
a ) a corrente te.rmoiônica dêsse catodo ;
b ) qual o aumento percentual dessa corrente, por efeito Schottky, s e o campo
elétrico nas vizinhanças da superfície metálica for igual a 100 volts/cm?
Problema 2 . 5 - Determine a relação entre as correntes termoiônicas emitidas por

um mesmo filamento de tungstênio toriado, operando às temperaturas de 1 950 e
1 900ºK.
( �ste resultado ilustra as dificuldades na medida das constantes da emissão termoiô
nica ) .
Problema 2 . 6 - Um filamento d e óxidos, operando à temperatura de l OOOºK
emite uma corrente de 1 00 mA. Determine as correntes que seriam emitidas por
dois outros filamentos de mesma área emissora, construidos, respectivarne.nte, em
tungstênio e tungstênio toriado, operando à mesma temperatura.
Problema 2 . 7 - Demonstre que o tempo de trânsito de um ele.troo, ao passar do
catodo ao anodo de um diodo plano, com a corrente limitada por carga espacial, é
't = l/ m
2 e Eb
- . 3 d,
onde d é a distância entre anodo e catodo, e Eh é a diferença de potencial entre ano

do e catodo. Qual o valor do tempo de. trânsito em condições de carga espacial des
prezível?
Calcule o tempo de trânsito nas duas condições acima, supondo um espaçamento
de 0,5 mm entre placa e catodo e uma d . p. de 20 V.
Problema 2 . 8 - Num diodo de alto vácuo, com a corrente limitada por carga e.s
pacial, Íb = 40 mA eb = 15 V. Pergunta-se :
,
a ) qual a nova corrente, s e eb fôr duplicado?

b) na situação inicial, que acontece se a temperatura do filamento aumentar
de 5 % ?
Problema 2 . 9 - Num diodo a aplicação d e uma tensão d e 5V redunda numa corren
te (limitada por carga espacial ) de 24 mA Qual a máxima tensão de placa que pode
.
ser aplicada para não exceder urna dissipação de placa de 0,5 W?

Problema 2 . 1 O - A associação série de um diodo e uma resistência de 400 ohrns é
aplicada uma certa te.nsão contínua, resultando uma corrente de 72 rnA e uma dife
rença de potencial entre placa e catodo de 1 0,7 V. Qual a tensão aplicada à asso
ciação? Qual o nôvo valôr desta tensão para reduzir a corrente à metade?
V { \< ;
Problema 2 . 1 1 - Entre a placa e o

catodo de um díodo EAA9 1 / 6AL5
6 -+---r- -
aplica-se urna tensão dada pelo grá
5 - - - - - - - - - - 1- - - - - 1-- - --- fico da figura P. 2 . 1 1 .
Dete.rrnine a corrente através do
4
diodo, nos seguintes casos :
a) servindo-se da característi
ca do diodo ( ver apêndice 2 ) ;
b ) substituindo a característi
ca não linear por um rnodêlo lineari
zado por segmentos conveniente.
o
2 ,3 t (msl Compare os resultados dos dois
FIG . P.2.ll itens acima.
Problema 2 . 12 - Uma válvula reguladora de tensão ( tipo 1 5 0 B2) tem uma curva
característica que, na região de operação, pode ser representada pela reta
v = 147 + 0,3 . i (v em volts, i em rnA ) .
Esta válvula é ligada e m série com uma resistência d e �O kohrns e à , as�ocia.çã�
aplica-se uma tensão de 300 V. Determinar a corrente na valvula e, a potencia d1ss1-
pada no resistor.
CAPfTULO 3
T R IODO S, TETR ODO S E PENT ODO S

TE R MOióNICO S
A corrente anódica nos diodos é, como já vimos, essencialmente con

trolada pela carga espacial nas vizinhanças do catodo, onde o potencial
é negativo. A colocação de um terceiro eletrodo - a grade de contrôle -
nessa região permite o contrôle do fluxo de corrente anódica, com um
dispêndio insignificante de energia. A grade de contrôle habitualmente
é constituida por um fio enrolado em hélice, de modo a envolver o catodo,
e a uma certa distância dêle. Na fig. 3 . 1 damos exemplos da construção
de alguns tipos de triodos.
(o}
FIG. 3 . l·a - Tipos d e triodos: triodos d e eletrodos planos.
TRIDOOS, TETRanos E PENTaoos TERMaIÕNICOS 47
.P
(b )
/(
FIG. 3 . l·b - Tipos de triodos: triodos de eletrodos cilíndricos.
Para a compreensão do funcionamento dos triodas, é importante exa

minar-se a distribuição de potenciais no espaço inter-eletródico. No modo
mais comum de operação dos triodas, a grade de contrôle é negativada
em relação ao catodo, ao passo que o anodo é levado a um potencial posi
tivo relativamente elevado. Num triodo com eletrodos planos a distribui
ção de potenciais no espaço inter-eletródico, ao longo de um eixo normal
aos eletrodos, será do tipo indicado na fig. 3 . 2. As duas curvas de cada
gráfico correspondem, respectivamente, à distribuição de potenciais : a) sô
bre um eixo que passe entre dois fios da grade; b ) sôbre um eixo . que
passe por um dos fios da grade.
Na fig. 3 . 2, a, a negativação da grade de contrôle é tal que o campo
elétrico entre grade e catodo é dirigido para a grade; em consequência,
os eletrons que venham a ser emitidos pelo catodo são submetidos a um�
fôrça eletrostática que tende a fazê-los retornar ao catodo. Se a negati
vação de grade fôr suficiente, os eletrons emitidos não podem ultrapassar
a barreira de potencial na região da grade, de modo que não há corrente de
placa. A válvula diz-se em corte e a tensão de negativação da grade que
anula a corrente de placa é chamada tensão de corte.
Quando a grade está menos negativa, parte dos eletrons emitidos pelo
catodo ultrapassa a barreira de potencial e vai constituir a corrente de
placa. O potencial de grade controla. efetivamente, a carga espacial e,

portanto, a corrente anódica. Se a grade permanece sempre negativa, pou·
cos eletrons serão por ela captados e pràticamente não há corrente de
grade ( a menos de efeitos secundários, de que trataremos mais tarde ) , de
I< G p G p
FIG . 3.2 - Distribuição de potenciais num eletrodo plano

a) em éórte; b) em condução.
modo que o contrôle da corrente anódica se faz pràticamente sem dispên

dio de energia.
Pela analogia entre as distribuições de potenciais representadas na fig.
3 . 2 e aquelas correspondentes aos díodos, é de se esperar que a corrente
de placa obedeça a uma lei do tipo de Child-Langmuir, onde o potencial
de placa é substituído por uma combinação dos potenciais de placa e de
grade. De fato, mostra-se que a seguinte relação
(3.1)
representa, com boa aproximação, a corrente de placa ib em função das
diferenças de potencial entre placa e catodo, eb, e entre grade e catodo, e,.
A constante µ, chamada coeficiente de amplificação, é bastante maior que
1, mostrando que o potencial de grade é µ vêzes mais eficiente que o po
tencial de placa, quanto ao contrôle da corrente.
( Para a demonstração de 3 . 1 , ver Spangenberg, "Vacuum Tubes" 1 .'
ed., MacGraw, 1948 ou Dow, "Fundamentals of Engineering Electronics".
Wiley, 1937 ) .
3. 2 - Curvas características dos triodos:

Dispondo um triodo no circuito indicado na fig. 3 . 3 podemos investi
gar experimentalmente as relações
(3.2)
(3.3)
TRIODOS, TETRODOS E PENTODOS TERMOIÔNICOS 49
que subsistem entre as quatro variáveis do triodo: corrente de placa, ib,

corrente de grade, i" tensão de placa eb e tensão de grade e,.
Os resultad os dessa in
vestigação são apresenta
dos sob a forma de curvas
características, em que se
relacionam duas das va
ei
riáveis acima, ficando a
terceira como parâmetro.
Assim temos :
a ) Característica de pla
___ - - -
K
ca, relacionando ib e eb,
com e, como parâmetro
( fig. 3 . 4, a ) ;
b ) C a ra c t e rí s t i c a d e
transferência grade-placa,
relacionando ib a e, com eb FIG. 3.3 - Circuito para o levantamento das
como p a r â m et r o ( fig. características de um trlodo.
3 . 4, b ) ;
c ) Característica de corrente de grade, relacionando i, a e, com e.
como parâmetro ( fig. 3 . 4, e ).
A s características ( a ) e ( b) evidenciam a tensão d e corte d a válvula,

Ea.. Esta tensão de corte se pode calcular aproximadamente de ( 3 . 1 ),
impondo ib = O e fazendo eb = Ebb :
(3.4)
Em grande número de aplicações o s triodos são operados com a grade

negativa, isto é, e, � O. Como nêste caso a corrente de grade é muito pe
quena ( da ordem de micro-amperes ou menos ) , podemos utilizar a apro
ximação io = O.
'• '·
'•
' '° ' .
FIG. 3 .4 - Curvas características de um triodo: a) característica de placa; b) carac·

terístlca de transferência; c) característica de corrente de grade.
As características das válvulas são fornecidas pelos fabricantes, res

tringindo-se, na maioria das vêzes, ao caso da grade não positiva, isto é,
e, � O.
3.3 - Os modêlos dos triodos :
A equação de Child-Langmuir, aplicada aos triodos, permite represen

tá-los por um modêlo com díodos reais. De fato, de ( 3 . 1 ) obtemos
(3.5)
Considerando ainda que a grade e o catodo constituem um diodo,

verifica-se que o triodo pode ser representado pelo modêlo da fig. 3 . 5.
Nesta figura representamos também as características de placa correspon
dentes a êsse modêlo.
I
I
I
I
I
I
,'
••
FIG. 3.5 - Modêlo de um triodo com diodos reais e características do modêlo.
As várias curvas características da fig. 3 . 5 obtem-se da característica

do diodo, com uma translação de - µ ec do eixo vertical.
A comparação das curvas da fig. 3 . 5 com as características reais de um
triodo ( fig. 3 . 4, a ) mostra que êste modêlo é inadequado nas seguintes
situações :
a) e. < O, ib muito pequeno;

b) ec > o, eb muito pequeno.
De fato, em ambos os casos o coeficiente de amplificação da válvula

não pode ser considerado constante.
A partir dêste modêlo obtemos fàcilmente os modêlos linearizados por
segmentos dos triodos; basta substituir os díodos reais da fig. 3 . 5 pelos
respectivos modêlos linearizados por segmentos. Chega-se assim, por exem
plo, ao modêlo da fig. 3 . 6, cuj as características linearizadas por segmentos
vêm indicadas ao lado.
O diodo D, foi introduzido no modêlo para evitar que o gerador vin
culado, µ ec, torne eb negativo, com corrente de placa não nula, o que seria
fisicamente impossível na válvula. l!:ste diodo representa ainda, de ma
neira um pouco drástica, a redução em µ para tensões de placa muito
pequenas.
TRIDOOS, TETRODOS E PENTODOS TERMOIÔNICOS 51
----i
1
}"'o 1
+ 1
*º·
1
1
1
1
1
- - - -·
K
- - - - - - - - - - - - - - - -
FIG. 3.6 - Modêlo de um triodo com diodos ideais e correspondentes curvas

características.
Uma aproximação melhor do comportamento do triodo na regiao cen

tral das características obtem-se com o modêlo da figura 3 . 7, onde o diodo
real D, da fig. 3 . 5 foi substituido pelo modêlo que inclui uma fonte de
tensão.
. fl'• ----
----
- ;
:1
�D•
}'-ec
+
r,
1
+ 1
E0_
:
eó
-G �--�
.. _ _ _ _ I
�
(O) (b)
FIG. 3.'7 - Novo modêlo de triodos com dois ideais e respectivas características.
Quando o triodo funciona na região de amplificação, a grade é negativa

e, portanto, o diodo D, não conduz; o diodo D., ao contrário, está con
duzindo e D, está bloqueado. Em consequência, quando a válvula per
manece na região de amplificação, podemos utilizar os modêlos simplifica
dos da fig. 3 . 8.
A escolha entre os vários modêlos acima indicados será feita em face
dos requisitos de cada problema particular, de modo a se obter a melhor
aproximação possível.
Finalmente, observemos que os geradores de tensão introduzidos nos
modêlos acima examinados podem ser substituidos pelos geradores de cor
rente equivalentes. Assim, os modelos da fig. 3 . 8 podem ser substituidos
pelos indicados na fig. 3. 9. A constante t;Jm = µ /rp, cujo significado vere

mos logo mais, é a transcondutância do triodo.
i·l
p
(b)
FIG. 3.8 - Modêlos de triodos na região de amplificação.
X /(
fo i (b)
FIG. 3.9 - Modêlos de trlo do s na região de amplificação,
com geradores de corrente.
3.4 - Os circuitos incrementais ( ou diferenciais ) dos triodos:
Em grande número de aplicações os triodos são operados com poten

ciais e correntes variando em tõrno de valores fixos, sem corrente de grade
e com a corrente de placa sempre não nula. Esta é justamente a operação
na região de amplificação, acima referida. Nêsse caso, os modêlos acima

examinados podem ser simplificados, abandonando-se as componentes cons
tantes ( ou contínuas ) das correntes e tensões e substituindo os diodos
por curto-circuitos ou circuitos abertos, conforme o caso. Obtemos assim
modêlos incrementais ( ou circuitos equivalentes diferenciais ) dos triodas.
l!:stes modêlos são de grande importância, por sua utilização generali
zada, sobretudo em circuitos de comunicações, onde as válvulas normal
mente funcionam na região de amplificação. É regra, nesse caso, determi
narem-se primeiramente as componentes continuas das tensões e correntes
da válvula ( que fixam o seu ponto quiescente ), e, depois, prosseguir os
cálculos com os modêlos incrementais.
Para estabelecer êstes modêlos vamos, inicialmente, desenvolver a fun
ção ib = ! (eb, ec) em série de Taylor, em tõrno de um certo ponto M das
características de placa ( fig. 3 . 10). Cingindo-nos apenas aos têrmos li-

neares,
(3.6)
Mas
(3.7)
são o s incrementos nas va

riáveis ib, eb e e,. Para maior
simplicidade, vamos designar
êsses incrementos por
(3.8)
D e acôrdo com as conven

ções habituais, os índices p e
FIG. 3.10 Interpretação geométrica dos
g são reservados para desig parãmetros dos triodos.
nar incrementos das variá
veis de placa e de grade.
O significado físico das derivadas parciais que aparecem em ( 3 . 6 ) se
obtém sem dificuldade.
Assim, a derivada aib/aeb é o limite da relação entre os acréscimos
de ib e eb, com e, constante. Efetuando gràficamente êstes acréscimos,
passamos do ponto M ao ponto P na fig. 3 . 10. Portanto,·,
a ib A ib
(3.9) - tga.
a eb A eb
e, = cte.
ou, referindo-se aos modêlos anteriores,

a ib 1
( 3 . 10 ) -
a eb r.
onde r. é a resistência de placa ( ou resistência interna ) da válvula.
A derivada aib/ae,, por sua vez, é o limite da relação entre os acrés

cimos /::;. ib e /::;. e. com eb constante. Fazendo êstes acréscimos na fig. 3 . 10,
passamos do ponto M ao ponto R. Notando que MN = µ Ae" obtemos,
Aib 1 Aib µ
= tg � = . .
µAe. r. Ae. r.
onde µ aeb/ae,.
Mas
µ
aib/aec Ym define a transcondutância do trioda. Portanto, temos

a relação
( 3 . 11 ) Ym = µ / r,
As grandezas r., µ e Ym são chamadas parâmetros do triodo. A inter

pretação geométrica acima indicada mostra que êstes parâmetros podem
ser considerados constantes na região em que as curvas características de
placa podem ser aproximadas por retas paralelas e equivalentes.
Nos triodos mais comuns, r, é da ordem de milhares a dezenas de mi
lhares de ohms; gm, que tem as dimensões de uma transcondutância, é da
ordem de alguns ( 3 a 6 ) mA/V. Os americanos medem gm em micromhos,
sendo 1000 micromhos = 1 mA/V. O coeficiente de amplificação, µ , varia
de 10 a 100.
Introduzindo na equação ( 3 . 6 ) os parâmetros do triodo e a notação
( 3 . 8 ), obtemos
1
( 3 . 12 )
Multiplicando ambos o s membros desta equação por r., rearranjando-a

e considerando ainda ( 3 . 11 ) , vem
( 3 . 13 )
As equações ( 3 . 12 ) e ( 3 . 1 3 ) , que relacionam incrementos ( ou variações )
das variáveis dos triodos, sugerem sua representação pelos modelos incre
mentais ( ou circuitos diferenciais equivalentes ) indicados na fig. 3 . 1 1 . O
leitor poderá verificar sem dificuldade que êstes modêlos satisfazem às
relações ( 3 . 12 ) e ( 3 . 13 ) .
( O} (b )
FIG. 3 .11 - Modêlos incrementais dos triodos.
Notemos que os circuitos equivalentes da fig. 3 . 1 1 podem ser obtidos

diretamente dos modêlos examinados no artigo anterior, desprezando-se as
componentes contínuas das correntes e tensões.
TRIODOS, TETRODOS E PENTODOS TERMOIÔNIOOS 55
Dos três parâmetros µ, gm e rp de um trioda, apenas o primeiro, isto

é, o coeficiente de amplificação, pode ser considerado como pràticamente
independente da corrente de placa. De fato, demonstra-se que êste coe
ficiente, em primeira aproximação, depende apenas da geometria do trioda.
Em consequência, transcondutância e resistência interna variam com a cor
rente de placa. Esta variação pode ser obtida da lei de Child-Langmuir.
Dessa lei obtemos, supondo µ constante :
,ou, uma vez que -V' ih/K = ( e, + eh/µ ) '/', vem
( 3 . 14 )
A transcondutância varia assim diretamente com a raiz cúbica d a cor

rente de placa.
Como rp = µ/ gm, resulta que a resistência interna varia com o inverso
da raiz cúbica da corrente de placa.
3.5 - Análise não linear da operação dos triodos ; amplifi.cação :
Consideremos um trioda montado segundo o esquema da fig. 3 . 12; Ehh

é a tensão ( contínua ) de alimentação e E" é a tensão ( também contínua )
de polarização de grade.
Cabe aqui uma nota sôbre
a convenção utilizada para
designar correntes ou ten
sões : as letras minúsculas in G
dicarão sempre funções do

tempo, ao passo que as letras
maiúsculas designarão cons
tantes em relação ao tempo.
No circuito da fig. 3 . 12 su
ponhamos - E" negativo, de
modo que não há corrente de
FIG. 3 .12 - Circuito para a análise da operação dos
grade ; RL é a resistência de triodos.
carga do trioda . O sinal a ser
amplificado é representado por e •.
Conhecido K" a corrente de placa ib e a tensão de pl a ca eh determi
nam-se facilmente, utilizando-se as características de placa e a construção
gráfica indicada na seção 1 . 7, considerando que Rr. e a válvula constituem
uma associação série de bipolos, alimentada pela tensão Ehh · Na fig. 3 . 13
indicamos esta construção. Notando que e, = - E", na ausência de
sinal, isto é, e. = O, a corrente e a tensão de placa da válvula terão os
valores E& e l&. O ponto Q é designado por ponto quiescente ou ponto de

repouso do circuito, por corresponder à tensão de entrada nula.
A reta que passa pelo ponto Q, e de inclinação definida por RL, é cha
mada reta de carga e coloca-se fàcilmente no gráfico, a partir de suas
interseções com o eixo horizontal ( E&& ) e com o eixo vertical ( E&&/RL) .
'h
FIG . 3 . 13 - Traçado da reta de carga e determinação do ponto qniescente.
Se a tensão e, fôr não nula, i& e e& se modificam, pois o ponto de ope
ração se desloca sôbre a reta de carga, de acôrdo com o valor de ec em
cada instante.
Transpondo-se para o plano i&, ec os pontos correspondentes à reta de
carga, obtem-se a característica dinâmica ou de transferência do triodo,
com a resistência de carga RL ( fig. 3 . 1 4 ) .
Com o auxílio d a característica di-
. nâmica pode-se determinar, ponto por
ponto, a corrente de placa correspon
dente a uma certa tensão de sinal
aplicada. Na fig. 3 . 15 ilustramos êsse
processo, para uma tensão de entrada
senoidal. Nesta figura verifica-se que
a variação da corrente de placa repro
duz aproximadamente a forma de ten
são de sinal desde que a excursão do
ponto de operação se restrinja à re
gião em que a característica de trans
ferência é aproximadamente linear. o
A relação entre as componentes al- FIG. 3.14 Características de transferência

-
ternativas da tensão de grade e da de nm triodo.

corrente de placa se obtém fàcilmente
utilizando os modelos incrementais ( lineares ) estudados no artigo anterior.
É claro que êstes só poderão ser utilizados com proveito se a deformação
do sinal fôr pequena, isto é, se a válvula trabalhar na região linear da
característica. Referindo-nos à fig. 3 . 16 vem, imediatamente,
8'
p
J_ li,_
1
__ _ _ _ _ _____ _ _ _ A'
1
1 1
_ _ J_ _ _J - - - - - - - - - - - - --
1 1 D'
o
FIG. 3.15 - Determinação da tensão de saída pela característica de

transferência.
A tensão de saída ( alternativa ) é
FIG. 3.16 - Modêlo incremental do circuito da fig. 3.12.
( 3 . 15 )
A amplificação o u ganho de tensão d o circuito, A,, define-se pela rela

ção entre a tensão de saída e a tensão de entrada :
( 3 . 16 )
Se fôr RL » r., temos
( 3 . 16' ) A,m � µ
isto é, o max1mo ganho que se pode obter de um triodo é igual ao seu

coeficiente de amplificação.
3.6 - Análise dos triodos na conexão catodo em terra, por modêlos a

segmentos lineares:
A análise não linear que acabamos de ver exige construções gráficas

bastante longas e só tem interêsse quando se desej a uma precisão elevada.
A introdução dos modêlos linearizados por segmentos permitirá, como mos
traremos a seguir, obter resultados satisfatórios com muito menor traba
lho. :t!:stes modêlos serão sobretudo úteis em circuitos de pulsos, em que
a válvula trabalha na região fortemente não linear das curvas caracterís
ticas, inclusive na região de grade positiva.
Consideremos então o circuito indicado na fig. 3 . 17, a, correspondendo
ao triodo o modêlo com díodos ( fig. 3 . 17, b ) e as características de placa
linearizadas indicadas na fig. 3 . 17, c. O gerador e., indicado na figura ,
incluirá, eventualmente, uma componente constante d e tensão, - E " , cor
respondente à polarização de grade.
'"''
FIG. 3.17 - Circuito amplificador de catodo em terra e respectivo modêlo

a diodos ideais.
Uma vez traçada a reta de carga ih = ( Ehh - eh )/RL sôbre as carac

terísticas de placa, as curvas de transferência ih = f, ( ec ) e eh = /2 ( ec )
obtem-se meramente transpondo os pontos da fig. 3 . 17, b, para o s planos
( ih, ec ) e ( eh, ec ) . Na fig. 3 . 18 indicamos os resultados dessa operação.
Note-se porém que basta transpôr dois pontos de cada segmento de reta
- o ponto de corte e o ponto P, em particular.
(O) ( lo }
FIG. 3.18 - Características de transferência linearizadas por segmentos.
Finalmente, podemos passar à característica de transferência

eh, e,.
Enquanto a grade permanece negativa, isto é, ec :( O, vale
e, = ec, de mo-
do que esta característica é idêntica à da fig. 3 18, b, na região dos e,

.
negativos. Para a grade positiva, devido à corrente de grade, teremos
( 3 . 17 )
A determinação de i, s e faz linearizando a s características de grade

( fig. 3 . 19, a ) . Obtido i" a equação acima nos fornece e,, de modo que a
característica pode ser completada como se indica na fig. 3 . 1 9, b. Há
dois valôres limites interessantes : para R, = O recaimos no caso anterior;
para R, � oo , ao contrário e , permanece sempre igual a zero para valôres
positivos de e., pois r. será desprezível em face de R. l!:stes casos limites
estão indicados na fig. 3 . 19, b.
Ea
P - - - - - - - Re-a>
'
'
', Rc
'
' ;;>c= O
o e,
(b)
FIG. 3 .19 - Característica de grade e característica de transferência,

incluindo a região de grade positiva.
Com a característica e,, eb podemos obter a resposta do circuito a qual

quer excitação dada.
3 . 7 - O seguidor de catodo ; generalidades e análise incremental:
No circuito que acabamos de estudar o sinal é aplicado entre a grade

e o catado, ao passo que a resposta se obtém entre a placa e o catado.
Esta configuração é chamada, em consequência, de amplificador com catado
comum ( comum aos circuitos de entrada e saída ) ; como muitas vêzes o
catado fica ligado em "terra", o circuito é também designado por amplifi·
cador de catado em terra.
Duas outras configurações são possíveis : a de placa comum, ou placa
em terra, também conhecida por seguidor de catado, e a de grade comum,
ou grade em terra. Na fig. 3 . 20 indicamos os esquemas simplificados das
três configurações.
Passemos agora a analisar o seguidor de catodo, supondo o esquema
indicado na fig. 3 . 21 , a. O modêlo incremental do seguidor de catado
obtem-se imediatamente, de acôrdo com as regras já vistas ( fig. 3 21 , b ), .
substituindo o trioda pelo modêlo incremental correspondente, e conside

rando a grade sempre negativa.
l· l•t l·
,,,
R,
e, e,
e,
Rx
(bl (ÔJ
f=I
FIG. 3.20 - Configurações básicas dos amplificadores com triodos; a) catodo

em terra; b) seguidor de catodo; c) grade em terra.
A amplificação de tensão do seguidor de catodo se calcula sem difi·

culdade, aplicando a 2.ª lei de Kirchhoff à malha de placa :
- '• p
·+
� ��,...
..
eó
<o> r bJ
FIG. 3.21 - Circuito d o seguidor d e catodo e seu modêlo incremental.
µe.
( 3 . 18 ) i,
R. + r,
A tensão de saída é pois
µe.
e, = i, R. ---- R.
R. + r,
Na malha de grade temos ainda
{ 3 . 19 ) e. = e, - i. R . = e, - e,
Entrando com o valor de e, na equação anterior e resolvendo em rela

ção a e,/e., obtemos finalmente o ganho de tensão
( 3 . 20 ) A. = e,fe,
R. (1 + µ) + r,
Verifica-se imediatamente que o ganho de tensão do circuito é sempre

menor que 1.
O seguidor de catodo é bastante utilizado por apresentar uma resis
tência de entrada muito elevada e uma resistência de saída bastante baixa.
A título de exemplo, calculemos a resistência de saída ( incremental )
do seguidor de catodo representado pelo modêlo da fig. 3 . 21, b. Supore-
TRIODOS, TETRODOS E l'ENTODOS TERMOIÔNICOS 61
mos para isso que e, = O, isto é, o gerador de entrada foi substituído por
um curto-circuito; aplicando agora um gerador de tensão e0 aos terminais
de saída, verifica-se que êsse gerador fornece ao circuito uma corrente
Como e, - eo, pois e1 é nulo, resulta
io = [1/Rt + ( 1 + µ )/rp] eº
A resistência de saída será pois
.( 3 . 21 )
Esta resistência será uma fração de rp desde que se tenha Rt ( 1 + µ ) » Tp.
3 .8 - Análise não linear do seguidor de catodo:
A análise não linear do seguidor de catado se processa, gràficamente,

de maneira análoga à dos circuitos de catado em terra. A extensão dessa
análise aos modêlos linearizados por segmentos se faz sem dificuldades,
pelo que não a exporemos aqui.
No circuito da fig. 3 . 21, a, verifica-se que a corrente de placa do seguidor
de catado é dada por
( 3 . 22 )
Esta equação representa, no plano eb, ib, uma reta de carga como indi
cado na fig. 3 . 22.
eó
O E0
FIG. 3.22 - Reta de carga do seguidor de catodo.
A característica ec, ib obtem-se da fig. 3 . 22, transpondo para êste plano

os pontos da reta de carga, como indicado na fig. 3 . 23. Note-se que, para
os e. > O, a resistência R, será ainda atravessada pela corrente de grade, i •.
Esta corrente de grade deve ser obtida da característica de grade ( fig. 3 . 24 ) .
FIG. 3 .23 - Característica e , i b d o se· FIG. 3 .24 - Característica

,
guidor de catodo . de grade do triodo .
A característica que relaciona a tensão grade-catodo com a tensão de

saída, e,, obtem-se a partir das anteriores, considerando-se ainda as se
guintes relações :
{
e, ( para e, < 0 )
( 3 . 23 )
e, ( para e, � 0).
Resulta assim o gráfico da fig. 3 . 25.

/Re = O
e,,
/
,.-;" Rc
-----------
p -
.<: - - - - R -=
e
1
/ 1
/ 1
/ 1
/
1
/
/ 1
/ 1
/ 1
/
/ 1
/ . 1
11-5 1
e.,
FIG . 3 . 25 - Característica e. , e2 do FIG. 3 .26 Característica de transferência

seguidor de catodo . global do seguidor de catodo.
Finalmente, passemos a construir a característica de transferência glo

bal do seguidor de catodo, isto é, e, = f ( e, ) . Basta, para isso, observar que
A abscissa correspondente a cada valor de e, se obtém da figura 3 . 25, adi

cionando ao e, respectivo o próprio e,. Na fig. 3 . 2 6 indicamos o resultado
desta construção.
Para os e. � O, torna-se necessário levar em conta o valor de R., pois
agora vale
( 3 . 24 ) ei ( para e, � 0).
A corrente de grade ic obtem-se, naturalmente, da característica da

fig. 3 . 24.
A característica da fig. 3 . 26 pode também ser obtida diretamente da
característica de placa, com a reta de carga, da seguinte maneira :
a) fixa-se um valor de e, ;
b) da fig. 3 . 22 obtem-se o ib correspondente;
c) calcula-se e, = ib R. para e, < O ou e, = ( ib + Z,· ) R <, para OS ec � o ;
d ) calcula-se e, = e, + ec ( para e, < 0 ) ou e, = Rc i, + ec + e,, para e � o . e
O ponto quiescente ( ou de repou- 'b
so ) Q do circuito, correspondente à E"b

ausência de sinal de entrada, obtem- "1-;
-se da curva da fig. 3 . 26, fazendo
Muitas vêzes há interésse em de

terminar diretamente o ponto quies
cente, sem construir a caracterís
tica de transferência . Isto se con
segue construindo sôbre a caracte
rística de placa a curva - ec = ib
FIG. 3.27 - Determinação do ponto quiescen·
R.. A intercessão desta curva com te do seguidor de catouo.
a reta de carga ( fig. 3 . 27 ) fornece o
ponto quiescente correspondente a e, = O, para grade negativa.
3.9 - A polarização dos seguidores de catodo :
O exame da característica de transferência global dos seguidores de

catodo, montados de acôrdo com o circuito da fig. 3 . 21, a, mostra que
êste circuito é eminentemente assimétrico : um sinal negativo da ordem
de - E'° """ - Ebb/µ é suficiente para colocar o circuito em corte, ao
passo que são necessários sinais positivos com amplitude da ordem de Ebb
para levar a válvula à saturação. Pràticamente, uma excursão negativa de
poucos volts leva o seguidor de catodo ao corte, ao passo que excursões
·
positivas da ordem de centenas de volts são convenientemente amplificadas.
Em consequência, o circuito da fig. 3 . 21 é sobretudo útil para amplificar
sinais essencialmente positivos .
.. e,
'º' (e; /
FIG. 3 .28 - Polarização dos seguidores de catodo para sinais alternativos.

Para utilizar o seguidor de catodo na amplificação de sinais alternati

vos, isto é, que excursionam igualmente para as regiões positiva e negativa,
o seguidor de catodo deve ser polarizado de modo que seu ponto quiescente
caia ao centro da característica de transferência global, e,-e.. Isto se
consegue decompondo a resistência catódica em duas outras e retornando
a resistência de grade ao ponto comum às duas resistências, como indica
do na fig. 3 . 28. A resistência R1 determina-se de modo que o ponto Q
corresponda a uma tensão eº = Ebb/2µ. O gerador de sinais é acoplado ao
circuito através de um capacitor C, com capacitância suficiente para que
sua reatância sej a desprezível na frequência mínima de utilização do
circuito.
Se desej armos empregar o seguidor de catodo para a amplificação de
sinais essencialmente negativos devemos, ao contrário, polarizá-lo de mo
do que o ponto quiescente coincida com o ponto P, em que e0 = O. Isto
se consegue retornando a resistência de grade diretamente ao catodo, como
indicado na fig. 3 . 2 9 . Também aqui será necessário acoplar o gerador atra
vés de um capacitar de baixa reatância.
e,
P•Q
- - - - - - 1 ec: - O
1
:!.11.!L e,
fOJ (b} .1 1-..f. {CJ

FIG. 3 .29 - Polarização dos seguidores de catodo para sinais negativos.
Nota : Para maiores detalhes sôbre o projeto dos seguidores de catodo,

consultar, por exemplo, Landee, Davis e Albrecht, "Electronic Designers
Handbook", Cap. 3 ( McGraw, New York, 1957 ).
3 . 10 - Amplificador de grade em terra; análise incremental:
Como êste amplificador é relativamente menos usado, vamos aqui limi

tar-nos a fazer sua análise incremental, com grade negativa. Na fig. 3 . 30
representamos o esquema do amplificador e o respectivo modêlo incremen:
tal. Dêste modêlo obtemos a corrente incremental de placa
( 3 25 )
.
.,
L-_ ----4---< 1 1 1 1 1 +
E••
101 (bl
FIG. 3.30 - Circuito do amplificador d e grade e m terra e s e u modêlo
incremental.
A tensão grade-catodo, por sua vez, é

( 3 . 26 )
Eliminando e, destas duas expressões, vem :

ip = - (µ + 1 ) e,/ [ Rk ( 1 + µ ) + r, + Rb]
Finalmente, considerando que e, = - ip Rb, obtemos o ganho de tensão
do circuito
( 3 . 27 )
Observe-se que nêste circuito, ao contrário dos anteriores, a carga não
fica isolada do gerador, pois ambos são atravessados pela mesma corrente.
3 . 11 - Limitações na operação dos triodos:
Os triodos, como os demais dispositivos eletrõnicos, não podem ser

operados em condições quaisquer. Para que desempenhem adequadamen
te suas funções, com uma vida útil razoável, várias restrições devem ser
obedecidas.
Assim, em primeiro lugar, a potência dissipada na placa da válvula de
ve ser inferior a um máximo especificado pelo fabricante. Para esclarecer
êsse ponto, consideremos o circuito da fig. 3 . 31, correspondente a um am
plificador de catodo em terra, com carga resistiva. Aplicando a 2." lei de
Kirchhoff ao longo da malha de placa, temos
( 3 . 28 ) Ebb e. + Íb RL
RL
;.
�
+
eb = Eb b
(O) {b)
-
FIG. 3.31 - Limitação de potência ;,os amplificadores a triodos.
Multiplicando ambos os membros desta equação por ib, vem

( 3 . 29 )
N o primeiro membro desta equação temos a potência instantânea for
necida ao circuito pela fonte de alimentação; esta potência se decompõe
em duas partes, sendo a primeira, eb ib, dissipada no interior da válvula,
e a segunda na resistência de carga. Efetivamente, a parcela eb ib é em
pregada em aquecer a placa da válvula, submetida ao bombardeio dos
eletrons acelerados pelo potencial eb. Para que a temperatura da placa não
ultrapasse valores excessivos, é preciso que, em média, esta potência per·

maneça inferior à máxima dissipação de placa, recomendada pelo fabri
cante. Em condições estacionárias, devemos ter
( 3 . 30 )
onde Wm representa a máxima dissipação de placa. A igualdade ( 3 . 30 )
representa uma hipérbole no plano e b , ib como indicado na fig. 3 . 31, b. O
ponto quiescente da válvula deve sempre situar-se abaixo dessa hipérbole.
Em condições não estacionárias, é possível fazer com que o produto
eb ib ultrapasse o valor Wm, mas duas novas limitações aparecem aqui.
Assim, a corrente não poderá ultrapassar, mesmo instantâneamente, o va
lor da corrente de saturação correspondente à temperatura de operação do
catado. Pràticamente, os fabricantes especificam um valor máximo de cor
rente instantânea, geralmente inferior à corrente de saturação.
Também a tensão eh não deve superar o valor máximo estabelecido pelo
fabricante, sob pena de eventual danificação dos isolantes ou eletrodos da
válvula.
Finalmente, outras limitações da operação dos triodas decorrem das ca
pacitâncias parasitas ou residuais entre os eletrodos, e do tempo de trân
sito dos eletrons no espaço inter-eletródico. Tais limitações são importan
tes na operação dos triodas em frequências elevadas, e serão estudadas
oportunamente. K �! <t• p
3 . 12 - Os tetrodos: ��
O maior inconveniente dos triodas :,-;
decorre da capacitância relativamente
elevada ( vários pico-farads ) existente
entre a placa e a grade. Como vere
mos mais tarde, esta capacitância dá
lugar a efeitos indesej ados.
A interposição de uma segunda gra
de, a grade de blindagem, entre a gra
de de contrôle e a placa, reduz notà
-
velmente aquela capacitância, pela
blindagem eletrostática resultante.
Pelo efeito da grade de blindagem
o potencial de placa do tetrado influi
pouco na distribuição de potenciais en
tre as grades e o catado, justamente
na região em que se efetua o contrôle
da corrente total ( corrente de catado )
da válvula. Em conseqüência, esta
Fio . 3 .32 Distribuição de potenciais
corrente varia lentamente com o po num tetrodo.
tencial de placa.
A grade de blindagem mantem-se normalmente a um potencial posi
tivo e fixo em relação ao catado, de modo a acelerar os eletrons que ui-
trapassam o catodo virtual. Uma fração dêsses eletrons será captada pela
grade de blindagem, constituindo a corrente de grade de blindagem ; os
demais ultrapassam-na, indo ter à placa e constituindo a corrente anódica
da válvula.
O catodo, grade de contrôle e grade de blindagem comportam-se, em
primeira aproximação, como um triodo com a placa vazada. Na fig. 3 . 32
indicamos a distribuição de potenciais num tetrodo de eletrodos planos,
para diversos potenciais de placa.
Nos tetrodos temos as seguintes variáveis :
ib corrente de placa;
i,, corrente de grade de blindagem;
eb tensão placa-catodo ;
e" tensão grade de contrôle-catodo ;
e" tensão grade de blindagem-catodo,
na hipótese de grade de contrôle negativa e, portanto, sem corrente nes·
ta grade.
As características de placa dos tetrodos relacionam ib a eb, com e" como
parâmetro, e para um determinado valor de e".
Na fig. 3 . 33 indicamos as características de placa de um tetrodo típi
co. A corrente de grade de blindagem, para e,, = O, está indicada em
pontilhado, bem como a corrente total ou corrente de catodo, dada por
i,, + ib.
Na região da característica
em que eb > e,,, pelo efeito de
blindagem já mencionado a
�orrente de placa depende
pouco do potencial de placa,
de modo que as curvas são
quase horizontais, aproximan
do-se de retas paralelas.
Para os potenciais de pla

ca vizinhos do potencial da
grade de blindagem, a forma
'
das características é forte
mente influenciada pela emis
e., são secundária da placa, co-
FIG . 3 . 33 - Características de placa de um tetrado . mo veremos.
Assim, quando eb é ligeiramente menor que e" ( curva 1 da fig. 3 . 32 )

o campo elétrico entre grade de blindagem e placa é pequeno; os eletrons
como ocorria para os eb » e,,, são captados pela grade de blindagem, au
mentando a respectiva corrente e reduzindo a corrente de placa, causando
a primeira inflexão nas curvas características ( ponto a, fig. 3 . 33 ) . A me
dida que o potencial eb baixa, tornando-se menor que e,,, aumenta cada
vez mais o número de eletrons secundários captados pela grade de blin

dagem, aumentando a corrente nêste eletrodo em detrimento da corrente
de placa ( região ab ).
Se o potencial d e placa baixa ainda mais, os eletrons emitidos pelo
catodo passam a encontrar um forte campo retardador entre grade de
blindagem e placa, atingindo-a com velocidade cada vez menor, o que di
minui a eficiência da emissão secundária. A partir do ponto b êste efeito
supera o anterior e a corrente ia baixa, aumentando novamente ib, apesar
da diminuição da tensão de placa. Na região bc a curva apresenta uma
inclinação negativa, à qual corresponde uma resistência incremental negativa
na característica de placa. Quando operada nesta região a válvula pode
gerar oscilações, constituindo um oscilador dinatron.
A corrente de placa nos tetrodos é uma função dos p otenciais de grade
de contrôle, grade de blindagem e placa, isto é,
( 3 . 31 )
Por uma extensão da lei de Child-Langmuir, a função acima p ode ser
aproximada ( para os eb > ea ) por
( 3 . 32 )
onde µ1 e µ, são, respectivamente, o s coeficientes d e amplificação d e gra

de de contrôle e de grade de blindagem.
Nas vizinhanças de um ponto Eb, Jb das características a função ( 3 . 31 )
pode ser desenvolvida em série de Taylor. Restringindo-nos aos têrmos
lineares obtemos :
élib élib élib
( 3 . 33 ) dib = deo1 + -- de,, + -- deb
él ec1 élea éleb
Como na maioria das vêzes os tetrodos são operados com potencial de
grade de blindagem constante, desaparece a derivada em relação a ea na
expressão acima. Podemos então definir os seguintes coeficientes, anàlo
gamente ao que fizemos para os triodos :
1
= -- , com r, = resistência de placa ou interna;
r,
( 3 . 34 ) e g. = transcondutância entre grade de contrôle e

placa;
= µ1 = coeficiente de amplificação grade de contrôle-

élec1 -placa.
\
Na regiao linear das características r, é muito grande ( da ordem do

megohm ) ; gm varia entre 0,5 a 10 mA/V e µ1 é da ordem de 100 a 1200, nos
tetrodos comuns.
Também vale aqui, sempre com ea constante, a relação
( 3 . 35 )
TRIDOOS, TETRODOS E PENTODOS TERMOIÔNICOS 69
3 . 13 - Os pen todos:
Os efeitos que decorrem da emissão secundária nos tetrodos podem ser

eliminados pela introdução de uma terceira grade - grade supressora -
entre a grade de blindagem e a placa. Esta terceira grade mantém-se a
um potencial igual ou muito vizinho ao do catodo. A válvula assim cons-
K G,
tituida é chamada pen
f 1
p
1
ta d o ; juntamente com
1
1 1
eb
os triodos constitui a
1
1
classe das v á l v u l a s
1 mais comuns.
1
1
1 Na fig. 3 . 34 indica
1
1
mos, esquemàticamente,
, . .,, · "" :
.� eba a distribuição de poten
.... . ciais num pentodo de
eletrodos planos, para
dois valores de poten
FIG . 3 . 34 - Distribuição de potenciais num pentodo. ciais de placa. A pre
·
sença da grade supres

sora cria um campo retardador nas vizinhanças da placa, que faz retorna
rem a êste eletrodo os eletrons de emissão secundária; assim, são anulados
os efeitos devidos à emissão secundária, que complicavam as curvas dos
tetrodos. As características de placa dos pentodos se apresentam como
indicado na fig. 3 . 35 ( para e,2 e e" - potencial da grade supressora -
constantes ).
Para potenciais de placa maiores que um certo et>o a corrente de placa
varia muito pouco com a tensão de placa, devido ao duplo efeito de blin
dagem das grades supressora e de blindagem. Para potenciais menores
que et>o a retardação dos eletrons
que atravessam a grade de blin
dagem é muito forte, de modo
que sua velocidade baixa ao pon
to de causar o retôrno de alguns
dêles à grade de blindagem. J!:s
__11..---------�� -J
tes eletrons de baixa velocidade
--- -4
-J..----------
constituem uma carga espacial,
que deprime o potencial nas vi
zinhanças da grade, supressora,
chegando a anulá-lo. O sistema ebc
FIG . 3 . 35 - Características de placa de um
grade supressora-placa pode ser pentodo.
considerado como um díodo,
com um catodo virtual na região da supressora. O ramo ascendente da
.característica dos pentodos, que parte da origem, corresponde pois à carac
terística de um diodo, saturado por carga espacial.
Geralmente os manuais de válvulas fornecem as características de pla
ca dos pentados para um ou dois valores de tensão de grade de blindagem.
Vejamos como obter dessas curvas aquelas correspondentes a outros va
l ó res de e,,.
Como nos tetrodos, a corrente de placa dos pentodos pode ser expres
sa em função dos potenciais dos vários eletrodos, pela lei de Child-Langmuir :
( 3 . 36 )
lei esta válida para o s e h > ebc. O potencial d e grade supressora não foi
incluído nesta relação pois habitualmente é nulo, ou sej a, a supressora
está ao potencial do catodo.
Da relação ( 3 . 36 ) obtemos
( 3 . 37 )
Multiplicando todos o s potenciais por uma constante, vem
( 3 . 38 )
Portanto, multiplicando todos o s potenciais por uma constante a cor

rente de placa vem multiplicada pela mesma constante, elevada a 3/2. Em
conseqüência, para passar das
características de placa corres- c312 ib
------- ec1= 0
pondentes a um potencial de
grade de blindagem ea a outro,
e vêzes maior, basta multiplicar
por e as escalas de tensão do
gráfico e multiplicar por C3/2 a
escala de correntes ( fig. 3 . 36 ) .
Note-se que a convenção acima
só é válida na região quase-li
near das características. o Ce,,
Outro problema que pode ap a
FIG . 3 . 36 - Modificação das caracte
recer na utilização dos pentodos rísticas de placa para uma tensão C.Ec2
diz respeito à determinação da de grade de blindagem.
corrente de grade de blindagem

em condições diversas daquelas indicadas nos manuais. Esta determinação
se faz admitindo que as correntes de grade de blindagem e placa se repar
tam sempre na mesma proporção, na região linear das caracteristicas, isto é,
( 3 . 39 )
onde a s duas correntes são consideradas nas mesmas condições d e po

tenciais.
Os coeficientes µ, gm e r. podem ser definidos para os pentodos da mes
ma forma que para os tetrodos. A resistência de placa dos pentodos habi
tuais é muito elevada ( da ordem do megohm ), pois as características são
quase horizontais. O coeficiente de amplificação é da ordem de 2000 e gm
pode ir até 10 ou 15 mA/V.
Na fig. 3 . 37 indicamos as características de transferência ( ou de gra
de ) dos pentodos. Estão representados dois tipos distintos, corresponden
tes às válvulas de corte agudo ( caso a ) e de corte remoto ( caso b ) . Nas
válvulas de corte remoto, também chamadas de µ variável, a grade de
-
contrôle é enrolada com passo não uniforme, de modo que certas partes
do catodo atingem o corte antes das outras; a característica de transfe

rência tende assintàticamente para o eixo horizontal.
(C::O (bi .
FIG . 3 . 37 - Características de trªnsferência dos pen todos de córte agudo
( a ) e córte remoto ( b ) .
Os pentodos de corte remoto são utilizados em amplificadores em que

se desej a introduzir um contrôle de ganho.
3 . 14 - As válvulas de feixe dirigido :
E m vez d e neutralizar o s efeitos d a emissão secundária por meio da

grade supressora, é possível fazê-lo criando uma região de forte carga es
pacial entre a grade de blindagem e a placa. Esta carga espacial reduz
e!efrodo
defletor
11------ + 10
,________ +5
�----- - 5.
J----- - 10
cafodo eb
FIG . 3 . 38 - Construção das válvulas FIG . 3 . 39 - Características de pla
de feixe dirigido. ca das válvulas de feixe dirigido.
os potenciais entre a grade de blindagem e a placa, impedindo o retôrno

dos eletrons secundários à grade de blindagem.
Tais válvulas, chamadas de feixe dirigido, se constroem alinhando as
espiras das grades de contrôle e de blindagem e introduzindo eletrodos
defletores, que formam um feixe eletrônico que se conc�ntra na região
entre a grade de blindagem e a placa ( fig. 3 . 38 ), criando assim a carga
espacial desej ada.
As curvas características destas válvulas, indicadas na fig. 3 . 39, man
tém-se lineares numa região mais extensa que nos pentodos. Isto permi
te a operação da válvula com maiores variações de tensão de placa, o que
possibilita a obtenção de maior potência da válvula, como veremos mais
tarde.
:?- . 15 - Modêlos a segmentos lineares e incrementais dos pentodos:
Para obtenção de modêlos linearizados de pentados ou válvulas de

feixe dirigido, as suas características serão aproximadas por segmentos
de retas paralelos, com espaçamentos iguais para incrementas iguais de
tensão de grade de contrôle ( fig. 3 . 40 ) .
Indicado por lo a ordenada d a in-
terseção da reta correspondente a
A· �\!...p---!lp
}". - ;;,
e" = O com o eixo vertical, verifi -:._ ec 1 = O ___
ca-se fàcilmente que a equação des

ta reta é
L----- - 2E
Para passar às demais caracte L----- - 3E

rísticas, basta efet,u ar translações
- gm E, segundo o eixo das cor
rentes.
o
ou, em geral,
FIG . 3 . 40 - Linearização das ca·
racterísticas de placa de um pentodo.
Esta expressão, sujeita à condição i. > O, corresponde ao modêlo da

fig. 3 . 41 .
J!:ste modêlo, n o entanto, não será válido à direta d a reta O A ( fig. 3 . 40 ) ;
para representar êste trecho uni segundo díodo é introduzido, como se
mostra na fig. 3 . 42.
l!:ste último modêlo, enquanto o diodo D, estiver bloqueado, coincide
com o anterior ( pois a condutância g, - g. em série com o gerador de cor
rente não tem efeito ) . Por outro lado, quando D, estiver conduzindo, o
gerador de corrente fica curto-circuitado, reduzindo-se o circuito apenas
à condutância g., representando assim a operação sôbre a reta OA.
g,,-gp DP ib
Dp
..!.!!.
Ds ip = fgp eb
eb
.{.+g,, ecf rP
FIG . 3 . 41 - Modêlo s implifi · FIG . 3 . 42 - Modêlo de pentodo in·

cado de um pentodo. cluindo a região de saturação.
O diodo D, passa do estado de não condutor à condução quando a

tensão em seus terminais se anula, isto é, ib assume um valor ib tal que
lo + Ymec1
[ Íb - Uo + gmec 1 ) ] • 1/ g. - -----
o
ou seja,
g,
g, - gp
Para as correntes menores que i" ( fixado e" ) o diodo D, passa a
conduzir.
Finalmente, o modêlo se completa introduzindo D. e a resistência r,,
para representarem a eventual operação do pentado com a grade positiva
( fig. 3 . 43 ) .
ic 1 G
----,
FIG . 3 . 43 - Modêlo completo de um pentodo.
Pràticamente, quando o pentado opera na região de amplificação a

grade é sempre negativa, de modo que D, está bloqueado; i" é sempre
positiva e maior que i;:, de modo que D, também está bloqueado e Dp con
duz. O modêlo acima simplifica-se, passando ao indicado na fig. 3 . 44.
·
Finalmente, muitas vêzes interessam apenas os incrementas das variá

veis da válvula; como no caso dos triodas, podemos passar ao modêlo
incremental ou circuito diferencial dos pentodos, com o simples expediente
de abandonar as componentes contínuas do modêlo acima. Tal modêlo
incremental vem indicado na fig . 3 . 45. l!:ste modêlo será válido nas vi
zinhanças do ponto E", !", E" e para potenciais fixos das grades de blinda-
gem e supressora.
G
o �---
p--<>-----O �
eyJ
1
1
K
FIG . 3 . 44 - Modêlo de pe nt o do na re ... I<

gião de amplificação e com grade FIG . 3 . 45 - Modêlo incremen·
negativa. tal de um pentodo.
Modêlos mais elaborados dos pentodos, incluindo o caso em que e,, e

e,3 são variáveis podem ser obtidos introduzindo outros geradores ( ver
Angelo, "E letronic Circuits", cap. 10, McGraw, 2." ed., 1964 ) .
3 . 16 - Efeitos associados a variações rápidas dos potenciais das válvulas:

Quando as válvulas são submetidas a potenciais variáveis com o tem
po, os circuitos ou modêlos equivalentes apresentados atrás são, em geral,
insuficientes para representar sua operação, pois certos fenômenos não
considerados anteriormente se tornam importantes. J!:stes fenômenos de
correm de :
a) capacitâncias inter-eletródicas;
b) indutância dos fios de ligação ;
c) tempo de trânsito dos eletrons.
Vamos aquí discutir apenas qualitativamente êstes fenômenos, relegan
do o seu estudo detalhado para outra ocasião. Comecemos pelas capaci
tâncias inter-eletródicas.
Uma vez estabelecidos os potenciais dos vários eletrodos de uma vál
vula cria-se, no interior da mesma, um campo elétrico, cuj as linhas de
fôrça partem dos eletrodos ao potencial mais elevado e vão ter aos de
potencial mais baixo. Entre cada par de eletrodos há, portanto, uma certa
capacitância parcial, que pode ser determin�a pelas leis da Eletrostá
tica, uma vez conhecida a geometria da válvula e as condições de carga
espacial. Esta capacitância parcial é dada pela relação entre o fluxo do
vetor deslocamento, comum aos dois eletrodos, e a diferença de potencial
entre êles.
Ao variar o potencial de um qualquer dos eletrodos, modificam-se as
cargas elétricas nos demais eletrodos, por causa dessas capacitâncias.
Essas modificações de cargas redundam em correntes através dos fios de
conexão, que independem do fluxo de eletrons no espaço inter-eletródico. Dito
de outra maneira, se um ( ou alguns ) dos eletrodos das válvulas fôr subme
tido a potenciais variáveis, além das correntes eletrônicas entre os seus
eletrodos, teremos ainda correntes de deslocamento entre êles. Para levar
em conta estas correntes devemos introduzir certas capacitâncias - as
capacitâncias inter-eletródicas ( ou parasitas ) nos modêlos de circuitos.
c9P P As capacitâncias inter-eletródicas
mais importantes, suposto o catodo liga
do à "terra" do circuito, são :
- capacitância grade-placa, C,p, rela
G tivamente gTande nos triodos, pequena
nos tetrodos e pentodos;
- capacitância grade-catodo, e,,;
- capacitância placa-catodo, cpko
Introduzindo estas capacitâncias no

modêlo de um triodo, êste fica com o
aspecto indicado na fig . 3 . 46.
No caso dos triodos, a capacitância
FIG . 3 . 46 - Capacitâncias
parasitas num triodo. entre grade e placa produz um efeito par-
ticularmente sensível ( efeito Miller), que se faz sentir para variações relati·
vamente lentas do potencial de grade, até mesmo em áudio freqüências.
1
Nos pentados o número de capacitâncias parasitas é muito maior; na
fig. 3 . 47 indicamos as principais, sempre na hipótese do catado em "terra".
A capacitância grade-placa é mui P
c
r - - - - J �- - -
to pequena nos pentados, pelo que
- --- -- --- ,
habitualmente pode ser desprezada. 1 1
:
1 1
A grade de blindagem normalmente l----- ,
1
----
=!= CP•
é ligada ao catodo através de um t 1 � CpJ
1 1 G,_ _ _ _ _ _ , 1
capacitar de desacoplamento, cd, _ _ _
�
1 1 1
: p T
várias ordens de grandeza maior r C, �
-
r G
a, z
que as capacitâncias parasitas. As
1 : Tc9. l
- - - - .
-
sim sendo, devemos considerar nos
;:= :_
' ' - - - - '_
-_- _
pentados a capacitância de entra·
Tª
c9 k e
�-----��±
da, C11 entre os terminais de grade
de contrôle e catado.
FIG . 3 . 47 - Capacitãncias pa·
( 3 . 41 ) rasitas num pentodo.
A capacitância de saída, entre a placa e o catodo, será
( 3 . 42 )
Além das capacitâncias parasitas, poderá ser necessano incluir nos

modêlos de válvulas as indutâncias parasitas, devidas ao comprimento não
nulo dos fios que ligam os eletrodos da válvula ao circuito externo. Em
particular, a indutância do fio de catado, por causar uma queda de tensão
entre o catodo e a grade, produz efeitos sensíveis em frequências elevadas.
l!:stes efeitos são menos importantes que aquêles devidos às capacitâncias
parasitas.
Finalmente, quando os potenciais aplicados às válvulas variam muito
ràpidamente, poderão sofrer variações sensíveis no intervalo de tempo em
que um eletron passa do catado à região da grade de contrôle - o tempo
de trânsito - o que causa modificações no funcionamento da válvula, que
implicam numa transferência de potência entre o circuito de grade e o feixe
eletrônico. l!:stes efeitos, que só são sensíveis em frequências muito ele
vadas, não serão discutidos aqui.
A fim de reduzir os três efeitos acima discutidos, deve-se diminuir o
tamanho geométrico das válvulas e de seus eletrodos. Justifica-se assim
a tendência para a miniaturização dos dispositivos eletrônicos.
3 . 17 - As válvulas de emissão secundária:
O fenômeno da emissão secundária pode ser aproveitado para aumen

tar a transcondutância das válvulas, sem aumentar-lhes as capacitâncias
parasitas. Para isso, introduz-se um sexto eletrodo, o dinodo ( fig. 3 . 48 ),
cuj a superfície é constituida por um material de elevado coeficiente de
emissão secundária ( da ordem de 4: U .
O dinodo é levado a um potencial positivo e a geometria da válvula é

tal que a maioria dos eletrons que atravessam a grade de blindagem vai
têr a êle; chocando-se com o dinodo, êstes eletrons causam abundante
emissão secundária, que é atraída pa
p
ra a placa, mais positiva que o dino
do, causando assim um aumento subs
tancial da corrente de placa.
Obtém-se assim válvulas com trans
condutância muito elevada ( cêrca dé
25 mA/V ) , sem aumentar correspon
dentemente as capacitâncias parciais.
A corrente de anodo também é muito
maior que a corrente de catodo.
Como desvantagem, estas válvulas
apresentam instabilidade de caracte�
rísticas, devido à flutuação do coefi
ciente de emissão secundária. Devem,
assim, ser utilizadas em circuitos que
possam compensar essa instabilidade.
K
Completamos assim o estudo dos ti
FIG . 3 . 48 - Válvula de emis·
são secundária. pos básicos de válvulas; numerosos
tipos e mesmo famílias de válvulas não
foram mencionados aqui, seja por falta de tempo, sej a pelo seu emprêgo rela
tivamente restrito ou especial.
a ) Tratamentos mais extensos sôbre a construção e física das válvulas encon

tram-se em :
1 - K. R. SPANGENBERG, "Fundamentais of Electron Devices" McGraw, New

York, 1 957.
2 - J. MILLMAN, "Vacuum Tube and Semiconductor Devices" McGraw, New

York, 1 95 8 .
3 - T. S. GRAY, "Applied Electronics'', Cap. I V ( Wiley, New York, 2 . ª e d . , 1954 ) .
4 - H . ROTHE e W . KLEEN, "Grundlagen und Kennlinien der Elektronen Rohren"

(AVG, Leipzig. 3 .ª ed., 1 95 1 ) .
b) Um estudo mais intenso dos modêlos linearizados por se,gmentos encontra-se

em :
5 - H. J. ZIMMERMANN e S. J. MASON, "Electronic Circuit Theory", Wiley,

New York, 1 959.
6 - E. J. ANG E LO Jr., "Electronic Circuits", McGraw, New York, 2.ª ed., 1 964.
PROBLEMAS DO CAPfTUW 3
Problema 3 . 1 - A partir das curvas características (ver Apêndice 2 ) determine os

parâmetros k, n e µ da relação
;. = k ( e, + e./µ) n
para um dos triodas da válvula ECC82/ 1 2AU7. Verifique a aproximação dos resul
tados obtidos, calculando alguns pontos das características, pela fórmula obtida, e
comparando com as curvas originais.
Sugestões: Trabalhe na região linear das características; determine µ pela sua
definição; determine n e k transpondo adequadamente as características para papel
bi-logarítmico.
Problema 3 . 2: Linearize por segmentos as características do triodo ECC82, de modo

a minimizar o êrro na região linear e em tôrno de -6V de polarização de grade.
Constrúa o correspondente modêlo com diodos ideais e, a partir dêste modêlo, de
termine uma expressão linear para a corrente anódica.
Problema 3 . 3: Um dos triodas de uma válvula ECC82 (ver características no Apên
dice 2) é ligado como amplificador de catodo em terra, com uma resistência de
carga d e 10 K ohms e tensão de alimentação de 250V. A partir das curvas caracte
rísticas, determinar :
a) a característica d e transferência global, e , - e.;
b) o ponto quiescente ótimo para amplificação de sinais alternativos, e a res
pectiva polarização de grade ;
':i ------ ------------ - - --
FIG . P.3.1
3 UmSl!!J)
c ) a tensão de placa e . ( t ) , se fôr aplicada à grade a tensão e . ( t ) indicada na

fig. P3 1, com a polarização obtida no ítem anterior e sabendo-se que a resistência
interna do gerador que ataca o circuito é de 1 00 K ohms;
d) Repetir os ítens ( a ) e ( c ) , a partir do modêlo linearizado por segmentos
do triodo, e comparar os resultados com os anteriores.
Problema 3 . 4: Um triodo, operando como amplificador de catodo em terra , tem
µ = 70 e rp = 66 K ohms. Na sua placâ está ligada uma resistência de 80 k ohms.
O circuito tem as polarizações corretas para funcionamento na região linear das ca
racterísticas. À entrada do circuito aplica-se um sinal alternativo de 1 volt eficaz e
1 00 c/s. Calcular :
a) as componentes alternativas de tensão e corrente de placa;
b) o ganho de tensão do amplificador.
Prob lema 3 . 5:Sabe-se que a característica de transferência e" i• de um triodo, na
sua região linear e para uma tensão anódica d e 1 70V, passa pelo ponto e. = 5V, -
;. = 7,5 mA. A transcondutância d a válvula nessa região é de 2,3 mA/V, e seu coe
ficiente de ampl ificação é igual a 1 7 . Determinar :
a) a correspondente característica para uma tensão anódica de 250V;

b ) a polarização de grade que mantém a corrente de placa em 10 mA, para
a tensão anódica de 250V.
!OO k fl
t ECC 83
�=2Mfl
FIG . P.3.2
Problema 3 . 6: Para medir a corrente d e grade num dos triodos d e uma ECC
8 3 / 1 2AX7 ( características no Apêndice 2 ) monta-se o circuito da fig. P3 . 2. Com a
chave S aberta, a corrente anódica é de 1 , 1 mA; o fechamento dessa chave faz com
1
que a corrente anódica passe a 1 ,7 mA. Qual o valôr da corrente de grade?
101 lbJ
FIG . P.3.3
Problema 3 . 7: U m triorlo, ligado como amplificador d e catodo e m terra, tem uma

resistência de carga de R1 ohms e é alimentado por uma bateria de + Ebb volts. Aci
dentalmente o circuito da grade é aberto, de modo que a grade fica flutuante. Co
nhecendo as curvas características do triodo e a corrente de placa, como calcular o
potencial que a grade assume?
Problema 3 . 8: Utilizando modêlos incrementais, determine o ganho de tensão e,/e,

dos dois circuitos da fig. P 3 . 3 ; supor operação na região linear com grade sempre
negativa. Dados : µ = 20, r. = 10 k ohms, R = 10 K ohms, Ebb = 200V.
Problema 3 . 9.� Um triodo da válvula ECCS2 (curvas no apêndice 2) é ligado como
seguidor de catodo, como indicado na fig.' P3 .4. Pede-se :
a) Determinar a característica de transferência global e,, e., para ec � O e a
partir das curvas características da válvula;
b) determinar o ponto quiescente d a válvula ( para e 1 = O);
c ) determinar a tensão d e saída, sabendo-se que o gerador fornece uma tensão

e, = 80 + 80 cos 1 000 t;
d) repe.tir os ítens anteriores, partindo do modêlo linearizado por segmentos
da válvula.
-fr-ECC 82 Problema 3 . 1 O: O circui

to da fig. P3 . 5, a, com um
triodo da válvula ECC8 2
( características no Apên
dice 2) é empregado para
a ampliação de sinais al
ternativos. A soma das
resistências Rz e Rk é igual
+ a 25 K ohms, e o coefi
e, ciente de amplificação da
válvula é µ = 1 8 ; R, é
uma r e s i s t ê n c i a de 1
Mohm. Dete.rminar :
a ) as curvas caracterís
ticas linearizadas indica
FIG . P.3.4 das na fig. P3 . 5 , b e c ;
b ) o ponto quiescente ótimo para a amplificação d e sinais alternativos e os

valôres de Rz e Rk correspondentes;
c ) a tensão d e saída para e , = 50 cos 1 0 t, sabendo-se que a reatância d e e,
é desprezível;
e,
1
..
P(._ _.. e:J
1
1
1
1
1
1
1
1
-�--�
e,
(h) (CI
{O)
FIG . P.3.5
d ) o ganho d o circuito, definido por : valor eficaz d a componente alternativa

de ez dividido pelo valor eficaz de e,.
Problema 3 . li: No circuito da fig. P3 .6, E" é tal que a operação se faz na região
linear das características do duplo triodo. Sabe-se que os dois triodos são iguais e
têm µ = 1 00, rp = 70 K ohms. Utilizando modêlos incrementais, determinar o ga
nho de tensão do circuito. Supor desprezíveis as reatâncias de C, e e,.
+250 V
IOO Ul
C2
e,
______, --1---�
FIG . P.3.6
+ .5 0 V
Problema 3 . 1 2 : Para o aciona
mento foto-elétrico de um relé
utiliza-se o circuito da fig. P3 . 7.
Conhecem-se as características
da foto-célula 90CV e da válvula
ECC82 ( ver Apêndice 2 ) . Sabe
-se ainda que a bobina do relé
tem uma resistência de 5 k ohms
e que uma corrente de 1 0 mA
é necessária para fechá-lo. De
terminar E.,, e R, de modo que
êsse fechamento ocorra quando Ec c
incidir sôbre a foto-célula um - �+'-------f>-�

fluxo luminoso de 0,5 lumens.
FIG . P.3.7
Problema 3 . 13: U m pentodo EF86 (ver características n o Apêndice 2 ) está ligado

de modo que seu ponto quiescente é definido por :
h = 3 mA; Eb = 250V; E,, = 1 40V; E" = O V; Ed = - 2 V.
Determinar :
a ) os coeficientes µi, gm, e rp nas vizinhanças dêsse ponto de operação, a partir
das curvas características;
b ) a variação de gm, e r p com e", mantendo constantes os demais potenciais.
Problema 3 . 14: A partir das características de placa do pentodo EF86, para E,, =
= 1 40V (ver Apêndice 2 ) , de.terminar as mesmas características correspondentes a
Ea = 100 e 1 80 V. Comparar os resultados com aquêles que se podem obter das
características de transferência grade de contrôle-placa, publicadas no Apêndice 2.
Problema 3 . 15: Dado o circuito da fig. P3 . 1 5, a, determinar :
a ) a característica de transferência global, e, = f ( e, ) , com grade negativa, a

partir das características da válvula EF 86 ( ver Apêndice 2 ) ;
b ) idem, partindo dos modêlos linearizados por segmentos;
c ) a tensão e,, sendo e , dado pelo gráfico da fig. P3 . 1 5, b , com a s caracterís
ticas obtidas, respectivamente, nos ítens ( a ) e ( b ) .
Compare os resultados obtidos pelos 2 processos.
e,(V)�
1
2 +---
. EF86
.,1
o 2 .! trms)
-1
---'---i -2
fb l
FIG . P . 3 15
Problema 3 . 1 6: No circuito do problema anterior ( fig. 3 . 1 5, a) a tensão de grade de

blindagem é aumentada para 1 80 V, permanecendo constantes os potenciais de ali
mentação de placa, Ebb, e a polarização de grade, E" Determine o novo ponto
-
quiescente da válvula, a partir das características fornecidas no Apêndice 2.

Problema 3 . 1 7: a ) Determine os elementos /º, Cm e g. do modêlo linearizado de um

pentodo EF 8 6 ( características no Apêndice. 2 ) , operando n a região de amplificação
e cujo ponto quiescente é dado por
Eb = 2 5 0 V; E" = 1 4 0 V ; Ec1 = - 2V
b) Transforme o modêlo ( Fig. P 3 . 1 5 ) num modêlo incremental e calcule o ganho

de tensão do amplificador obtido ligando-se u m a resistência de carga de. 10 K ohms na
placa do pentado.
c) Qual deve ser a tensão de alimentação de placa ( Ebb ) do circuito do ítem

anterior?
Problema 3 . 1 8: Um estágio de amplificação para sinais pequenos é construido como

indicado n a fig. P 3 . 1 6 , onde os capacitores têm reatância desprezível nas freqüências
de operação. Deseja-se u t i lizar o pentodo EF 8 6 , com uma resistência de carga de
50 k ohms, e o ponto quiescente dado por
E = 250 V; E" = 1 4 0 V; Ec1 = - 2V
Sabe-se ainda que a corrente d e grade de blindagem é i gual a 0,6 mA. Determi
nar as !resistências Rk e R,. e o potencial Ebb de modo a obter o ponto quiescente
acima.
Problema 3 . 1 9: Construa o modêlo incremental adequado para representar o circuito

do probl. 3 . 1 2 ; determine a tensão ( incremental ) de saída, para uma tensão de en
trada
e , = v 2 cos 1 00 t (volts )
Qual a leitura de um voltômetro de valor eficaz, ligado à saída dêsse circuito?

Problema 3 . 20: Determinar a
polarização de grade de contrôle
de um pentodo de saída EL 3 4 E/:86
( c aracterística no Apêndice 2 ) ,
com E,2 = 2 5 0 V, tensão de
alimentação 400 V e. uma resis
tência de carga de 2.000 ohms,
de modo a obter máxima lineari
dade para amplificação de sinais
alternativos. Qual a amplitude
máxima d o sinal senoidal de en- e,
trada para que as amplitudes das
excursões do potencial de placa,
acima e abaixo do ponto quies
cente, difiram menos de 1 0 % ?
No ponto quiescente escolhido, FIG . P . 3 . 16

quais as potências dissipadas na
resistência de carga e na placa da válvula?
CAPfTULO 4
SEMICONDUT ORE S E DI ODOS
4.1 - Introdução:
Os materiais semicondutores são utilizados em Eletrônica há muito
tempo; assim, o cristal de galena, empregado como detetor nos radiore
ceptores primitivos, é um material semicondutor. No entanto, somente
nos últimos quinze anos generalizou-se a utilização dêstes materiais para
a construção de novos e melhores dispositivos eletrônicos, ocasionando
uma verdadeira revolução na Eletrônica.
É'.:ste grande progresso só foi possível depois que aperfeiçoamentos tec
nológicos permitiram a obtenção de materiais extremamente puros, sob a
forma de monocristais, e que desenvolvimentos teóricos levaram a uma
compreensão mais completa dos fenômenos de condução elétrica nos se
micondutores.
Atualmente a grande maioria dos
dispositivos a semicondutores é feita
com monocristais de germânio e silício.
É'.:stes elementos pertencem ao 4.º grupo
da classificação periódica de Mende
leieff e têm, portanto, quatro eletrons de
valência. Ambos cristalizam-se no sis
tema cúbico, com a mesma estrutura
do diamante ( fig. 4 . U. Cada átomo do
cristal possui 4 átomos vizinhos, que
com êle permutam 4 eletrons de valên
FIG . 4 . 1 - Estrutura de um cristal
cia; com os seus 4 eletrons de valência de germânio.
completa-se assim uma corôa estável de
oito eletrons em tôrno de cada átomo. Desta partilha de eletrons resultam
forças de ligação covalente, que determinam a estrutura cristalina ( as bar
ras cilíndricas da fig. 4 . 1, representam um par de eletrons ) ; êstes cristais são
chamados cristais covalentes. Para maior facilidade, costuma-se represen
tar esta estrutura proj etada num plano, como indicado na fig. 4 . 2,a. É'.:ste
modêlo é válido à temperatura do zero absoluto; a temperaturas diferen
tes de OºK, eletrons e átomos oscilarão em tôrno de sua posição média.
Aumentando a temperatura do monocristal, alguns dos eletrons que par
ticipam da ligação covalente poderão romper sua ligação com os átomos ,
SEMICONDUTORES E Drooos 83
ficando livres no interior do monocristal e movendo-se erràticamente por

efeito da energia térmica. Veremos a seguir as implicações dêste fato
sôbre a condutividade do cristal.
rr1:-<' J;f;\
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\:;/.._ \ '
- / V"'
ff / \ B_
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1 e 0 '
,,. '
Ge .
/
o/ OºK
FIG . 4 . 2 - Representação bi-dimensional da estrutura do cristal
de germânio.
4.2 - Condutividade intrínseca; eletrons livres e lacunas:
Como vimos acima, a temperaturas acima do zero absoluto algumas

ligações covalentes podem romper-se, dando origem a eletrons livres, que
migram ao acaso pelo interior do cristal. Por outro lado, criado um
eletron livre abre-se uma vaga nas ligações covalentes; outros eletrons li
gados podem vir a ocupar esta vaga, que se transfere para outros átomos
da rêde cristalina. A migração desta vaga, que efetivamente corresponde
à ausência de um eletron, pode ser descrita em têrmos de Física Clássica
( por oposição à Física Quântica ) , pela introdução de uma nova partícula,
a lacuna ( ou buraco ) dotada de uma carga positiva igual à carga de um
eletron e com massa da ordem da massa do eletron.
Resumindo, o rompimento de uma ligação covalente, por efeito da
energia térmica, cria um par eletron livre-lacuna, que fica livre no interior
do cristal. A presença destas partículas faz com que o cristal possa con
duzir eletricidade; há portanto a chamada condutividade intrínseca. Lacunas
e eletrons livres serão designados por portadores intrínsecos; suas con
centrações, isto é, número de portadores por unidade de volume, serão
iguais.
Pelo visto acima, a condutividade intrínseca deve ser uma função cres
cente da temperatura, bem como uma função decrescente da energia ne
cessária para romper uma ligação covalente ( energia de ligação, E. ) .
N o diamante, esta energia é d a ordem d e 5,5 eV, o que o torna iso
lante à temperatura ambiente; o germânio e o silicio, em que esta energia
é da ordem de 0,7 e 1,1 eV, respectivamente, comportam-se como condu
tores à temperatura ambiente.
A energia E. é de fato uma função lentamente variável da temperatura.
Em temperaturas habituais, esta energia exprime-se por :
(4. 1 ) - para o Si : E, = 1,205 - 2,8 X 10-• T ( eV )

(4.2) - para o Ge : E. = 0,782 - 3,9 X 10-• T ( eV )

onde T é a temperatura absoluta d o cristal.
O movimento de eletrons livres e lacunas no interior do cristal por
efeito de causas externas ( por exemplo, campos elétricos aplicados ) só
pode ser descrito corretamente em têrmos quânticos. No entanto, de
monstra-se que uma descrição clássica desses movimentos é possível, desde
que se atribuam massas efetivas convenientes às partículas. Assim, apli
cando ao eletron livre uma fôrça F. a aceleração resultante obtem-se de
� dv,
(4.3) F. = m: --
dt
onde m, * é a massa efetiva do eletron livre.
Anàlogamente, para o caso de uma lacuna teremos
(4.4)
onde m, * é a massa efetiva da lacuna.

As massas efetivas de eletrons livres e lacunas dependem do material;
abaixo indicamos a relação entre massa efetiva e a massa do eletron iso
lado no germânio e no silicio :
Relação m*/m
Material eletrons livres lacunas
- germânio 0,55 0,37

- silício 1,1 0,59
A formação de pares eletrons livres-lacunas nos semicondutores intrín

secos pode ser obtida por qualquer modo que permita fornecer energia
suplementar aos eletrons das ligações covalentes. Assim, bombardeando
um monocristal por fotons também é possível criar pares de portadores.
A discussão mais completa dos fenõmenos de condução nos semicon
dutores só pode ser feita quantitativamente em têrmos quânticos, através
da introdução dos modêlos de banda de energia; nêste curso não tratare
mos dêstes modêlos. O estudante interessado encontrará uma descrição
detalhada dêstes modêlos no livro "Introduction to Semiconductors Phy
sics", de R. B. Adler, A. e. Smith e R. L. Longini ( SEEC, vol. 1 ) .
4.3 - Recombinação; concentração de portadores intrínsecos:

Os eletrons livres e as lacunas intrínsecas deslocam-se ao acaso no
interior dos monocristais, com velocidades térmicas médias vT que podem
ser estimadas pela equação
1 3
(4 . 5 ) -- m V/ k T -
2 2
SEMICONDUTORES E DIODOS 85
onde k = 1,38 x 10-23 ( j oules/ ºK ) , é a constante de Boltzmann; à tempe

ratura ambiente, resultam velocidades da ordem de 107 cm/segundo.
Se, no decorrer dêsses movimentos, um eletron livre e uma lacuna se
-
encontrarem em cincunstâncias favoráveis, o eletron pode ocupar a vaga
correspondente à lacuna, desaparecendo ambos os portadores. Diremos
então que houve recombinação das partículas. É razoável admitir que a
taxa de recombinação R ( cm 3 s- 1 ), sej a proporcional à concentração de
•
portadores de ambos os tipos e que o coeficiente de proporcionalidade de

penda da temperatura. Portanto,
(4.6) R = r, ( T ) n , p , = r , ( T ) n,' ( cm-3 • s- 1 )
onde r, ( T ), função da temperatura absoluta, é o coeficiente de recombi
nação, e n, e p, são, respectivamente, as concentrações de eletrons livres
e lacunas ( cm-3 ) intrínsecos ) .
Por outro lado, a taxa d e geração G ( cm-3 s- 1 ) d e pares eletron-lacuna,
dependendo da disponibilidade de energia térmica, deve também ser fun
ção da temperatura absoluta, para um dado material. Se um monocristal
estiver em equilíbrio térmico, a concentração de equilíbrio dos portadores
ocorre quando a taxa de geração ( fixada pela temperatura ) , for igual à
taxa de recombinação, isto é,
(4.7) R = G (T)
Comparando esta relação com ( 4 . 6 ) resulta que, n o material intrínseco
e em equilíbrio térmico, vale
(4.8) n.' = G ( T ) /r, ( T )

Um estudo mais detalhado das concentrações de ambos os portadores
(
( que, aliás, é feito em têrmos quânticos ) , fornece a seguinte expressão
E. )
para as concentrações de quilíbrio de portadores intrínsecos :
-,;:;:-
q
(4.9) n,' = p, ' = Ao T' exp -
onde Ao é uma constante do material. Acima de 50 ºK e abaixo das tem

peraturas de fusão, estas concentrações no germânio e no silicio calculam
se por
( 4 . 10 ) n,' ( T ) 3,10 x 1032 T3 e-9 100/r ( cm-• ) para o Ge
( 4 . 11 ) n,' ( T ) 1,50 x 10 33 T' e - "000/r ( cm-• ) para o Si
-
Destas expressões obtemos as concentrações de portadores intrínsecos
à temperatura ambiente :
n, p, = 2,4 x 10 1 3 cm 3, para o Ge
n, p, = 1 ,4 x 101• cm-3, para o Si
Considerando que 1 cm' de germânio ou silício contém cêrca de 10"

átomos, vê-se que a percentagem de ligações covalentes rompidas à tem
peratura ambiente é extremamente baixa.
4 .4 - Impurezas químicas e condução extrínseca:

Introduzindo-se num monocristal semicondutor pequenas quantidades
de impurezas, de modo que os átomos das impurezas substituam átomos
do material primitivo na rêde cristalina, consegue-se modificar profunda
mente as concentrações de portadores livres no semicondutor e, portanto,
suas propriedades elétricas.
Estas impurezas podem ser doadoras ou aceitadoras, conforme intro
duzam eletrons livres ou lacunas. Vamos examinar os dois casos em
detalhe.
a) Impurezas doadoras:
Por processos especiais de fabricação é possível substituir uma peque
na fração dos átomos de Ge ou Si de um monocristal por átomos penta
valentes ( arsênico, fósforo ou antimônio ), pertencentes ao grupo V da
classificação periódica. Como êstes átomos têm cinco eletrons de valência,
apenas quatro dêstes eletrons participarão das ligações covalentes. O quinto
eletron ( cuj a energia de ligação é da ordem de apenas 0,01 eV ) fica livre,
às temperaturas habituais, podendo migrar pelo cristal; com esta migração,
a região em que foi introduzido um átomo de impureza adquire uma car
ga positiva, prêsa à rêde cristalina ( fig. 4 . 3 ) . É claro que o cristal per
manece neutro.
Esta impureza é chamada doadora e o
cristal com estas impurezas é designado por
tipo N.
Pràticamente, os doadores são introdu
zidos em concentrações Nd da ordem de 10"
a 10" átomos por cm' . Cada átomo de im
pureza contribui com um eletron livre, nas
vizinhanças da temperatura ambiente; uma
vez que a concentração dêstes eletrons será
algumas ordens de grandeza maior que a
l!Oncentração n, de eletrons intrínsecos, a
concentração n" de eletrons livres no mate
FIG . 4.3 Cristal com impureza
rial tipo N fica -
pentavalente
( 4 . 12 )
Satisfeita esta condição, o material é dito extrínseco, e os ,eletrons

livres são portadores majoritários. As lacunas são aqui portadores mi
noritários.
A condutividade elétrica dum material tipo N será devidf. essencialmen
te aos eletrons livres introduzidos pelas impurezas. Diz-se então que há
condutividade extrínseca.
b) Impurezas aceitadoras:
Em lugar de introduzir impurezas pentavalentes na rêde cristalina, é
possível substituir uma pequena fração dos átomos de Ge ou Si por áto-
mos de impurezas trivalentes, pertencentes ao grupo III da classificação

periódica ( p. exemplo, alumínio, gálio e índio ) . Com isso, uma das liga
ções covalentes não é preenchida, criando-se pois uma lacuna extrínseca,
fracamente ligada ao átomo e que, portanto, migra livremente pelo cristal,
nas temperaturas habituais. Na região em que foi introduzida a impureza
fica assim criada uma carga negativa, prêsa à rêde cristalina ( fig. 4 . 4 ). Como
no caso anterior, o cristal continua eletricamente neutro.
A impureza trivalente, por criar uma lacuna livre, "aceitando" um ele
tron é designada por aceitadora; o cristal é chamado tipo P.
Pràticamente, as impurezas doadoras
terão concentrações N. da ordem de 1015 a
1017 átomos por cm3 • No material extrínseco,
estas concentrações serão algumas ordens
de grandeza maiores que a concentração de
lacunas intrínsecas. Como pràticamente
tôdas estas lacunas estarão livres às tempe
raturas habituais, a concentração Pr de la
cunas livres será
( 4 . 13 ) PP ""' N. ( » n. >
No material tipo P extrínseco as la
FIG . 4.4 - cunas serão os portadores majoritários ao
Cristal com impure.ta
trivalente.
passo que os eletrons serão minoritários.
Também aqui teremos condutividade extrínseca do material, devido à
presença das lacunas livres.
c) Compensação de impurezas:
Introduzindo-se num monocristal de Ge ou Si pequenas concentrações
de impurezas doadoras e aceitadoras ao mesmo tempo, os eletrons suple
mentares irão preencher parte das ligações vagas das impurezas aceitado
ras; haverá uma recombinação de eletrons e lacunas suplementares, pre
dominando as partículas introduzidas pela impureza de maior concentração.
Se a s impurezas forem de igual concentração desaparecem os portadores
extrínsecos e o cristal fica com propriedades semelhantes a do cristal in
trínseco. Sendo N. e N. as concentrações de doadores e aceitadores, res
pectivamente, os portadores maj oritários terão uma concentração pràtica
mente igual a
( 4 . 14 ) N = J N. - N. J
e serão lacunas ou eletrons livres conforme a impureza predominante.

A compensação de impurezas, permitindo passar de um cristal tipo N
a um cristal tipo P, ou vice-versa, é importante na fabricação de disposi
tivos semicondutores.
O que foi dito acima é valido desde que N. e N. sejam sempre algumas
ordens de grandezas menores que a concentração dos átomos do mono
cristal puro ( da ordem de 1022 cm-3 ).
4. 5 - Concentração de portadores extrínsecos no equilíbrio:
Consideremos um monocristal com pequena fração de impurezas, em

equilíbrio térmico com o ambiente; indiquemos por n. e p. as concentrações
de eletrons livres e lacunas em equilíbrio.
Uma vez que as impurezas estão bastante diluídas no cristal, não
haverá modificação no processo de geração térmica de pares eletrons-la
cuna; a taxa de geração continuará uma função de temperatura
G = G CT)
A taxa d e recombinação, por outro lado, modifica-se, pois o s portado

res introduzidos pelas impurezas aumentam a probabilidade de recombi
nação; como no caso intrinseco, teremos
( 4 . 15 ) R = r, C T ) n.p.
No equilíbrio, G = R e, portanto,
( 4 . 16 ) p.n. = G ( T )/r,( T )
A vista d a equação ( 4 . 8 ) concluímos que
( 4 . 17 )
Num cristal tipo N , n. = n. Nd ; em consequência. da equação ante
=
rior obtemos a concentração de lacunas p. :
n,2 ( T )
( 4 . 18 ) p. = p. = ----
Nd
Esta equação pode ser escrita na forma
n,
(4. 19) p. = - · n, (T)
Nd
Segue-se que a concentração de lacunas, no material N é muito menor

que a concentração intrinseca à mesma temperatura e, além disso, varia
ràpidamente com a temperatura.
Anàlogamente, num cristal tipo P, p. = PP = N. e
n, ' ( T )
( 4 . 20 ) n, =
N,
A concentração de eletrons minoritários é muito inferior à concentra

ção de eletrons intrínsecos à mesma temperatura, e varia ràpidamente com
a temperatura.
As relações ( 4 . 1 8 ) e ( 4 . 20 ) foram obtidas supondo que a concentra
ção de impurezas de um tipo predomina largamente sôbre a concentração
de impurezas do outro tipo e que a concentração de portadores maj ori
tários é muito maior que a concentração de portadores intrínsecos. Em
alguns casos extremos alguma dessas hipóteses pode não ser adequada.
Nêsse caso, a determinação das concentrações de portadores se faz a par-
tir da equação ( 4 . 1 7 ) , que é sempre válida no equilíbrio, e da condição

de neutralidade.
Esta condição de neutralidade afirma que a soma das cargas elétri
cas positivas é sempre igual à soma das cargas elétricas negativas, em
qualquer volume macroscópico de um semicondutor homogéneo em equi
líbrio. De fato, se assim não fôsse, apareceria um campo elétrico locali
zado intenso, que ràpidamente redistribuiria as cargas de modo a obter-se
a neutralidade.
Para exprimir quantitativamente esta condição devemos considerar as
concentrações de cargas fixas na estrutura cristalina, isto é, N. ( cargas
negativas ) e Nd ( cargas positivas ), bem como as concentrações de cargas
móveis Po ( positivas ) e nº ( negativas ). A condição de neutralidade exige
então que
( 4 . 21 )
Conhecidas as concentrações de ·· impurezas e a temperatura de cristal,

o sistema de equações ( 4 . 17 ) e ( 4 . 2 1 ) permite a determinação exata das
concentrações de portadores.
A título de exemplo, retomemos o cálculo da concentração de lacunas
num semicondutor tipo N, mas só com impurezas doadoras ( i. é. N. = 0 ) .
A condição d e neutralidade ( 4 . 2 0 ) fornece então
Desta equação e de ( 4 . 17 ) obtemos

( no' - N<lno - n, ' O
l
=
Po + NdPo - n, ' = O
r
Resolvendo estas equações e considerando sàmente as raízes positivas
vêm :
nº :d [ v 1 + ( 4n, '/Nl> + 1 ]
1
( 4 . 22 )
P0 � :· [ V 1 + C 4n!/N1 l - 1 J
É fácil de ver que no caso n;' « Nl obtemos, como anteriormente,
e
Cálculos análogos poderiam ser feitos para um cristal tipo P.
4.6 - Transporte de cargas nos semicondutores:
Os portadores livres nos semicondutores estão sempre dotados de mo

vimento de agitação térmica; estes movimentos, apesar de se executarem
com velocidades médias elevadas, não correspondem a transporte de cargas,
porque se realizam inteiramente ao acaso. Para que haj a transporte de
cargas é preciso sobrepôr ao movimento desordenado da agitação térmica

uma componente ordenada de velocidade. Dois são os mecanismos de trans
porte de cargas nos semicondutores : a condução ôhmica, que redunda na
corrente de deriva, e o processo de difusão, que cria a corrente de difusão.
Examinemos êstes dois mecanismos.
a) Corrente de deriva:
A corrente de deriva resulta da aplicação de um campo elétrico ao
semicondutor. Por um processo semelhante ao da condução ôhmica nos
metais, verifica-se que os portadores ( eletrons livres ou lacunas ) , adqui
rem uma velocidade de deriva, proporcional ao campo aplicado :
( 4 . 23 ) vd = ± µ E
onde o sinal + se refere as lacunas e o sinal - aos eletrons.
O coeficiente µ é a mobilidade do portador considerado. �ste coefi
ciente depende do tipo de portador, do material e da temperatura, como
indicado no quadro abaixo :
Mobilidade
Material a 300ºK Dependência de T
(cm'/volt. seg.)
( - eletrons livres 3900 4,9 X l O'T- ' ·" (de 1 00 300ºK)

�
a
Ge
l. - lacunas 1 900 1 ,05 X l O'T-"" ( " 125 a 3 00ºK)
( - eletrons livres 1350 2, 1 X l O'T-'" ( "

1 60 a 400ºK)
Si �
l - lacunas 480 2,3 X lO'T-"' ( .. 1 50 a 4000K)
(E. N. Conwell, Proc. I.R.E., 46, pgs. 1 2 8 1 - 1 300 ( 1 958 ) .

Indicando por µ. e µh as mobilidades de eletrons livres e lacunas, res
pectivamente, a densidade de corrente de condução nõ cristal será
( 4 . 24 ) J = q < !J:• n + µh p) E
onde n e p são as concentrações de eletrons livres e lacunas.
Em consequência, a condutividade do material fica
J 1
-+ -+
( 4 . 25 ) O" = 1 / 1 E 1 = ( µ. n + µh p) q
Esta condutividade caracteriza o processo de condução ôhmica.
título de exemplo, determinemos a condutividade de um monocris
A
tal de Si intrínseco, perfeitamente puro. Teremos, à temperatura ambi
ente, n = p = n, = 1,4 x 10'º ( cm-' ) ; introduzindo em ( 4 . 25 ) os valores
de µ, e µh obtidos do quadro acima resulta
O" 1 ,6 X 1 0 - •• X 1 ,4 X 10'º ( 1 3 50 + 4 80 )
donde
r; = 4,1 x 10-• mhos/cm
Suponhamos agora que êste cristal é dopado com uma impureza P, com
concentração N. 10" cm-• ( ou seja, cêrca de um átomo de impureza em
=
10' átomos de Si ) . Como será a gor a p N, » n, a condutividade deter

=
mina-se por
O" = Q µh · p
ou, introduzindo os valores numéricos,
cr = 1 ,6 x 10- " x 480 x 10" = 7,7 x 10- 2 mhos/cm
l!:ste exemplo mostra que a condutividade de um semicondutor é ex

tremamente sensível à presença de impurezas ainda que em percentagens
mínimas.
b) Corrente de difusão:
Suponhamos que se estabelece num monocristal semicondutor uma
distribuição não homogênea de portadores. Isto se consegue, por exem
plo, iluminando uma região do cristal, ou por processos que discutiremos
mais tarde. Em consequência, haverá um gradiente de con�ntração
não nulo.
Como os portadores estão animados de agitação térmica, com distri
buição ao acaso de velocidades, compreende-se fàcilmente que sairão por
tadores de um pequeno volume, em que a concentração é mais alta que
em suas vizinhanças, em número maior do que os portadores que ai pe
netram. Aparece assim uma corrente de difusão, que tende a equalizar
as concentrações.
No caso de eletrons livres, a densidade da corrente de difusão é dada por
( 4 . 26 ) Jc = + q D, grad n
onde D, é o coeficiente de difusão de eletrons.
Havendo um gradiente não nulo de concentração de lacunas, surge uma
densidade de corrente de difusão de lacunas
( 4 . 27 ) h = - q Dh grad p
onde Dh é o coeficiente de difusão de lacunas.

De um modo geral, podem coexistir as correntes de condução e de difusão.
Em consequência, as densidades de corrente de lacunas e de eletrons se
rão dadas, respectivamente, por
1
q µh p E - q Dh grad p
( 4 28 )
.
-+ ->
L J, q µ, n E + q D, grad n
A mobilidade e o coeficiente de difusão, para um dado portador, es
tão ligados pela relação de Einstein
( 4 29 )
. µ /D = q/kT
onde k é a constante de Boltzmann e q é o valor ( em módulo ) da carga
do eletron.
Com a relação de Einstein e os valores de mobilidade a 300ºK já indi·
cados, obtemos os seguintes valores para os coeficientes de difusão:

- no germânio :
D& = 49 ,3 D. = 101 ( cm' s- 1 )
- no silício :
D& = 12,4 D. = 35 ( cm' s- 1 )
Eliminando os coeficientes de difusão das equações ( 4 . 28 ) por meio
da relação de Einstein, obtemos as seguintes expressões para as densida
des totais de corrente de lacunas e de eletrons :
{
-+ -+
J& = µh ( q p E - kT grad p )
( 4 . 30 )
-+ -+
J. = µ. ( q n E + kT grad n )
4 . 7 - A junção P-N:
A possibilidade de construir díodos e transístores com semicondutores

decorre da existência de processos tecnológicos que permitem estabelecer
num monocristal regiões tipo P e tipo N, separadas por uma região de
transição extremamente delgada ( inferior à 10-• cm ) . O plano de separa
ção entre as regiões que contem impurezas distintas define a junção me
talúrgica. De um lado e de outro da junção metalúrgica forma-se uma
camada de carga . espacial, em que as cargas ligadas à estrutura cristalina
( introduzidas pelas impurezas ) não são neutralizadas pelas cargas dos por
tadores livres.
Examinemos qualitativamente a formação dessa camada de carga es
pacial. Para isso, con
T1,00 P Tip o N sideremos dois mono
e 0+ 0+ 0+ � � � �
cristais semicondutores,
+
5endo um tipo P e ou
o) 0+ 0+ 0+ 0+ � � � 8_ tro de círculos na fig.
4 . 5 ) . Nêstes monocris
e+ e+ e+ e+ 8 � 8 �
+ - + - + - +
tais temos as cargas li
- + - + - + -
gadas à estrutura cris
© , e cargos lig adas à r é de c r isfaltno talina ( indicadas den
+ ' - c argo s livres
tro de círculos na fig.
4 . 5 ) e as cargas livres,
1 1 constituídas pelos por
0+ 0+ 0+ 11 e © 11 e±?. e±?. � tadores maj oritários e
e+ 0+ 0 : 0
1 pelos portadores mino
b) © 1 8 � 8
. , 1 ritários, êstes últimos
e+ 8+ 0+ 11 0 8 1 � 8 8
1 gerados termicamente.
1 1 estes portadores estão
1
1 .. • 1 distribuídos ao acaso,
c am a da de mas de maneira unifor
e arg a e s pa c ial
me, em média, dentro
FIG . 4 . 5 - Formação de uma junção PN do cristal.
Suponhamos agora que êstes dois monocristais são reunidos num só,
criando uma junção metalúrgica, mas de modo a preservar a estrutura
cristalina ( fig. 4 . 5, b ). Ao fazer idealmente essa junção, temos, em sua
vizinhança, fortes gradientes de concentração de eletrons livres e lacunas.
l!:stes gradientes fazem aparecer correntes de difusão, que levam lacunas
para a região N e eletrons
f
livres para a região P. Em
conseqüência aumenta a
recombinação de ambos
os lados da junção, redu
zindo a concentração de
� ilensiclocle eletrons livres e lacunas
de coq·a nessa região e fazendo
aparecer as cargas espa
ciais de ambos os lados
da junção.
, 1 f'O/enciO'/ Estas cargas espaciais
1Jf ty
To criam entre as duas re-
giões do cristal uma bar-
.., 1 x reira de potencial que se
FIG . 4 . 6
- Distribuição de carga e potenciais opõe à difusão dos porta'
ao longo da junção PN.
dores maj oritários.
Na fig. 4 . 6 indicamos esquemàticamente a densidade de cargas espa
ciais ao longo do cristal e a correspondente diferença de potenciais .
Num monocristal isolado e em equilíbrio térmico a altura da barreira
de potencial ( ou a diferença de potencial de contato ) deve ajustar-se de
modo a anular a corrente através do cristal. Para examinar qualitativa
mente êste processo, indiquemos os portadores sôbre o diagrama de po
tenciais ( fig. 4 . 7 ) . Relembremos que as cargas positivas tendem a descer
a barreira de potencial, ao passo que as cargas negativas tendem a subi-la.
Assim, enquanto os portadores maj oritários do cristal P têm sua passagem
ao cristal N dificultada pela barreira, os portadores minoritários do mes
mo cristal ( eletrons ), que por ventura atinjam as vizinhanças da barreira,
são acelerados pelo campo elé
trico. A corrente I.,, ( fig. 4 . 7 ) re Região P Regiêfo N
sultante dêstes portadores é uma

++
função da temperatura, pois es
ta fixa, a concentração de por
tadores minoritários. Como os
portadores maj oritários estão su
j eitos à agitação térmica, alguns,
com velocidade suficiente e na porta dores
direção adequada, poderão ven majortlárioS
cer a barreira de potencial, cons '°' + + + + +
tituindo uma corrente lrp, que f>orladores !;:,
----..
Igp
dependerá essencialmente da al rninorilórios
tura \jlº da barreira de potencial. FIG . 4 . 7- Corrente através de uma junção PN.
Anàlogamente, do cristal N partirão as correntes r., de portadores mi

..
noritários e Iro, de portadores maj oritários.

A uma dada temperatura, com o cristal em circuito aberto, as correntes
de lacunas e de eletrons através da junção devem ser nulas, separada
mente. Em consequência, a altura da barreira ajusta-se automàticamente
para anular estas correntes.
Se aplicarmos uma polarização direta ao cristal, por meio de uma
fonte externa ( fig. 4 . 8, a ) a alturà da barreira diminui, pois o campo ex-
p N p N
1- V >O 1.. V<O
-'-l
L--tNWV'---+ q ,_- _
ll
- l 1�
u
___ _
'-------l +-
· __,
_
FIG . 4.8 - Polarização direta e inversa de uma j nção PN.
terno se opõe ao criado no cristal; em consequência, as correntes de por

tadores majoritários aumentam ràpidamente, causando a circulação de uma
corrente importante no circuito externo.
Aplicando uma polarização inversa ( fig. 4 . 8, b ), a altura da barreira
de potencial é aumentada, diminuindo as correntes de portadores majori
tários, que atingem ràpidamente um valor desprezível; predomina a corrente
de portadores minoritários, função só da temperatura. Para valores de V
suficientemente negativos ( da ordem de alguns volts ), esta corrente tende
para a corrente de saturação !,.
Vemos assim que um cristal com uma junção PN comporta-se como
um díodo. Passemos a examinar quantitativamente êstes fenômenos, para
chegarmos à equação do diodo de junção.
4.8 - Estudo da junção PN, em equilíbrio:
Para estudar quantitativamente a junção PN, consideremos um mono

cristal prismático, com a junção ao centro ( fig. 4 . 9 ) . Desprezando efeitos
t
de borda e de superfície, fica
P N
mos essencialmente com uma
geometria unidimensional, isto
é, tôdas as condições são idênti
cas nos planos x = constante.
Apesar desta simplificação, os re
sultados obtidos serão aplicáveis
1''IG . 4 . 9
- Cristal com junção PN. a outras geometrias, mais fre
qüentemente usadas na prática.
Suporemos ainda uma distribuição uniforme de impurezas nas regiões
P e N, com No > N., isto é, a região N mais "dopada" que a região P. Estas
concentrações serão suficientemente menores que a "concentração crítica"

( da ordem de 10" átomos de impurezas por cm' > ; diremos então que as
impurezas são diluidas.
Em tôrno da j unção metalúrgica, forma-se uma estreita camada de
carga espacial ( espessura da ordem de 10-• a 10-s cm ). Na ( fig. 4 . 10, a )
indicamos a distribuição de concentrações de portadores majoritários e mi
noritários, com os contátos em aberto e o cristal em equilíbrio térmico.
P," - . (ex..lo9arllm1ca)
.
11110 - 110
Ppo =:: N4
1 f
1\ / 1
1 \/ 1
-·w:-·-
po
- -. L1 //' .l1 . _ .
..
\
_ _
nt _ _
\ 1 P-io
(a )
-Xp 1� •.+ x n X
Camada de corgd espacial
J
X
(b)
(e)
X
FIG . 4 . 10 - Distribuição de concentrações de impurezas,

carga espacial e potencial num cristal com junção PN.
Note-se que as concentrações estão indicadas numa escala logarítmi

ca, para tornar visíveis concentrações que diferem por algumas ordens de
grandeza.
Como indicado na fig. 4 . 10, nas regiões neutras as concentrações de
portadores maj oritários são constantes. Na camada de carga espacial, ao
contrário, estas concentrações variam ràpidamente. Por outro lado, a dis
tribuição de cargas espaciais indicada na ( fig. 4 . 10, b ) cria um forte campo
elétrico nessa região. Em consequência, a camada de carga espacial será
atravessada por correntes de condução e de difusão, tanto de lacunas
como de eletrons. Como o cristal está em equilíbrio, tais correntes devem
contrabalançar-se, separadamente. Desprezamos aqui eventual geração ou
recombinação na camada de carga espacial; esta hipótese é adequada se
esta região fôr suficientemente estreita.
-
Portanto, através da junção, aplicando as equações ( 4 . 30 ) temos :
-- dn
O
1
Jn = µn ( qnEx + kT ) =
dx
l
( 4 . 31 )
Jb = µb ( qpE - kT , -- dp
dx
) = O
Rearranjando estas equações e considerando que Ex dx - dlji, ob-

temos as duas equações diferenciais :
-
{
�,
dn q
dlji
n kT
( 4 . 32 )
dp
p
-- q
kT
dlji
espacial, isto é, de -
Integrando estas duas equações entre os limites da camada de carga
x. a + Xn, tomando a região P como referência de
potenciais, ou sej a, fazendo lji ( - x. ) O e tendo em vista as distribuições de
=
concentrações nas regiões neutras ( fig. 4 . 10 ) obtemos
( �)
f o q lji.
nn n •• exp
1
( 4 . 33 )
( lji. )
�
q
ppo = p exp
••
onde lji. é a altura da barreira de potencial, ou a di/ erença de potencial

de contato entre as duas regiões neutras.
Como o cristal está em equilíbrio térmico,
n/
( 4 . 34 ) npo = -
p••
Substituindo na primeira das equações ( 4 . 32 ) e rearranjando, obtemos
( lji. )
q
( 4 . 35 ) n •• · p•• = n;' exp · -- = N, No
kT
pois as concentrações de portadores maj oritários são pràticamente iguais
nêste caso, às concentrações de impurezas em cada região.
Da equação ( 4 . 35 ) obtemos a altura da barreira de potencial :
( 4 . 36 ) lji. = - ---
kT
q
ln
n00 p••
n.'
ou
( 4 . 37 ) lji. = -- kT
q
ln ---
n.'
N. No
Tipicamente, lji. varia de 0,2 a 1,0 V.

4.9 - Junção PN com polarização direta:
Polarizando um cristal PN com uma tensão externa V > o ( ver fig.

4 . 8, a) a altura da barreira passa a \jlº - V, pois o campo elétrico criado
pela polarização opõe-se ao campo interno da j unção. Como já vimos, ha
verá uma corrente direta intensa através da junção; note-se que V deve
ser pequeno, sem o que as correntes resultantes poderão destruir o dispo
sitivo. Nestas condições, a queda ôhmica nas regiões neutras será des
prezível, de modo que V é pràticamente a tensão aplicada às bordas da
camada de carga espacial.
Com esta variação de altura da barreira de potencial, variam sobre
tudo as concentrações de portadores minoritários nas bordas da camada
de carga espacial; uma vez que a neutralidade do cristal deve manter-se
fora da camada de carga espacial, os portadores maj oritários sofrem
acréscimo numericamente igual aos minoritários. Sendo aqueles muito
mais numerosos, sua variação percentual é bastante pequena. Na fig. 4 . 1 1
indicamos as novas distribuições de concentrações de portadores, sempre
em escala logarítmica.
Vamos agora procurar determinar o valor da corrente através da jun
ção. l'!:ste cálculo será desdobrado em 3 etapas : a ) cálculo das concen
trações nas bordas direita e esquerda da camada de carga espacial; b )
cálculo da distribuição de concentrações na região neutra; c ) determina
ção das correntes de portadores minoritários. Passemos à primeira etapa:
a) Cálculo das concentrações de portadores nas bordas da camada de

carga espacial:
Para êste cálculo, admitiremos que as concentrações de portadores nas
bordas da camada de carga espa
cial distribuem-se ainda segundo
relações do tipo de ( 4 . 33 ) , mas adata
das à nova altura da barreira, \)Jo -
- V. Esta hipótese será j ustifi

.:: ada pelos resultados obtidos. Como
'\ll p o agora estaremos interessados nas
Pno regiões neutras muito mais exten
sas que a camada de carga espacial,
podemos fazer x"
- = O - e +
X
+ x. = O+. As equações ( 4 . 33 ) , com
FIG . 4 . 11 Distribuição de concentrações
- as modificações indicadas ficam
nas regiões neutras, com polarização direta.
então
r [ J
P. < O - ) q
exp ( \jlº - V )
[ � (\jl, J
p. ( 0+ ) kT
l
( 4 . 38 ) �
n. ( 0+ )
exp - V)
n, (0- ) kT
=
Mas, das relações ( 4 . 33 ),
q lji. q lji. P..
exp -- e exp --
kT kT Poo
r
Portanto,
(- :; )
P. (0- ) P..
( :; )
exp
1
p. ( 0+ ) Pno
( 4 . 39 )
l
� n=
n. < 0+ )
= exp - ,.___
n. (O- ) npo
Vamos admitir agora satisfeita a condição de injeção de baixo nível,

em que os portadores injetados não modificam sensivelmente as concen
trações de portadores maj oritários; valem portanto as relações :
( 4 . 40 ) Il P.
nn
=
:::::
p
••
nno
Introduzindo estas relações em ( 4 . 39 ) resultam as relações importantes :
r Pn < O+ ) - Puo exp

qV
1
--
( 4 . 41 )
kT
qV
n. (0- ) ef n•• exp --
' kT
Estas relações mostram que, satisfeita a condição de injeção de baixo
nível, "as concentrações de portadores minoritários nas bordas da camada
de carga espacial variam exponencialmente com a tensão de polarização
aplicada à junção".
b) Distribuição de portadores minoritários nas zonas neutras:

Sendo p. ( x ) a distribuição não uniforme de concentrações dos porta
dores minoritários na região neutra
N, em cada ponto teremos um valor
de densidade de corrente de difu
são - Dh ap./ax, sempre conside
rando geometria unidimensional.
-
Vejamos o que acontece numa
fatia !:::,, X da região neutra, a partir
da coordenada x; em (x + f:::,, x ) a
de:!lsidade de corrente de difusão X
será FIG . 4 . 12 - Dedução da equação de difusão.
ª'p.
dx'
/:::,,X ) '
desprezando têrmos de ordem superior ( fig. 4 . 12 ) . Supondo regime esta

cionário, a diferença entre os dois valores de corrente se deve às partículas
que desaparecem por recombinação. Como a taxa de recombinação é pro
porcional ao excesso de portadores,
( 4 . 42 ) P'n = Pn - Pnn
( em relação ao equilíbrio ) temos, fazendo a diferença entre as duas den

sidades de corrente e igualando-a à taxa de recombinação,
Dh ---
3' Pn
!:::,. X
Pn - Pno
• !:::,. X
a x'
onde a constante "th corresponde ao tempo de vida média dos portadores.
Introduzindo nesta equação o excesso de concentração ( 4 . 42 ) e sim
plificando, vem
P'n
a x'
Fazendo ainda Dh "th = L2b, vem finalmente
3' P'n P'n

( 4 . 43 )
a x' L\
A solução geral desta equação é
( 4 . 44 )
Impondo agora as condições de contorno
p'. = O para X --> co
P'n = P'n ( 0 ) para X O
determinam-se as constantes e, e e, :
e, = o ; e, = p'n ( 0 ) Pn ( O ) - Pno
Introduzindo êstes valores em ( 4 . 44 ) e levando em conta a primeira
[ ]
das relações ( 4 . 39 ) obtemos finalmente
( 4 . 45 ) p'. ( x ) = p00 exp ( :; ) - 1 e -x/L •
Esta expressão mostra que
( 4 . 46 )
é o comprimento e m que o excesso de concentração de portadores cai a

1/e do valor inicial. Em consequência, Lh é chamado comprimento de di
fusão ( varia de 10- ' a 10-1 cm nos casos habituais ) .
c) Determinação das correntes de portadores minoritários:

A partir da expressão ( 4 . 45 ) calculamos a densidade de corrente de
o p '. 1
difusão na borda N da camada de carga espacial :
( 4 . 47 ) Jh ( 0 ) = - Q Db -- ox X = O
= q · --
Dh
Lh
Pno
:: [ J
Anàlogamente, a densidade de corrente de difusão de eletrons na borda
P da camada da carga espacial será
( 4 . 48 ) J, ( 0 ) = q n� exp ( :; ) - 1
Em consequência destas expressões, supondo uma junção de área A e

admitindo recombinação e geração desprezíveis na camada de carga es
pacial ( o que é razoável se sua largura fôr muito inferior aos comprimen
tos de difusão ), a corrente através da junção será dada pela soma de ( 4 . 47 )
e ( 4 . 48 ) , multiplicada por A . Indicando por I essa corrente obtemos assim
I = Ib + l, = A [ Jh ( 0 ) + J, ( 0 ) ]
ou
( 4 . 49 )
Esta dedução baseou-se essencialmente na imposição da continuidade
p
de correntes; note-se que a corren
N te de portadores minoritários vai
diminuindo à medida que nos afas
tamos das bordas da camada de
carga espacial. A corrente de por
tadores majoritários, ao contrário,
que provê às recombinações, vai
aumentando à medida que nos afas
tamos da junção. A soma das duas
FIG . 4 . 13 -Densidades de constantes de

portadores minoritários e majoritãrios
correntes ( de portadores majoritá
rios e minoritários ) mantém-se
com polarização direta. constante ( fig. 4 . 13, referente à po
larização direta ) .
No caso d e polarização inversa, isto é, V < O, a equação ( 4 . 49 ) tam-
kT
bém se aplica. Supondo ainda 1 V 1 » ou sej a, bem maior que 26 mV
q
[-
I
J
à temperatura ambiente, vemos que tende para a corrente de saturação
.p. -
inversa:
Db D,
I,
Lh L,
( 4 . 50 ) = qA + �
[
ou ainda, considerando as relações entre concentrações no equilíbrio e na
J
hipótese de impurezas diluídas,
Dh D.
( 4 . 51 ) J, = A + n,'
q ---
Lh No L. N.
Esta equação mostra que a corrente de saturação inversa depende
fortemente da temperatura. Pode-se verificar que, às temperaturas habi
tuais, Is dobra quando a temperatura aumenta de lOºC, no caso do ger
mânio, ou cada 6°C, no caso do silício.
Na fig. 4 . 14 esquematizamos as distribuições de portadores minoritá
rios e as densidades de correntes de portadores minoritários e majoritá
rios no caso da polarização inversa. Os resultados aí indicados obtém-se
com facilidade.
[ J
Finalmente, introduzindo a expressão ( 4 . 51 ) em ( 4 . 49 ) obtemos a equa-
ção do diodo de junção ideal:
I,
\7a )
q
( 4 . 52) I = exp ' V - 1
p N
Pno
l J: iJft. +Je
FIG . 4 . 14 -Distribuição de concentrações
densidades de correntes com
e
-
polarização inversa.
4 . 10 O diodo de junção real:

Na dedução da equação do díodo de junção foram introduzidas várias
hipóteses simplificadoras, com o fito de chamar a atenção apenas sôbre
os fenômenos mais marcantes. Nos díodos reais, no entanto, têm lugar
outros efeitos que poderão tornar-se importantes em determinadas condi
ções. Tais efeitos serão examinados sucintamente a seguir.
a) Queda ôhmica nas regiões neutras:

Um estudo mais detalhado dos fenômenos que se passam na i·egião
neutra ( ver, por ex., SEEC vol. 2, pgs. 50ss . ) mostra que próximo à jun
ção, a corrente de portadores maj oritários tem uma componente de difusão
e outra componente de deriva; a alguns comprimentos de difusão ( de por
tadores minoritários ) , só subsiste a componente de deriva. Em conse
quência há sempre um campo elétrico na região neutra, campo êste pro-
porcional à corrente do díodo, em condição de injeção de baixo nível.

Devemos então associar ao corpo do semicondutor uma resistência série
Rs. Em correntes relativamente elevadas a queda de tensão em Rs poderá
predominar sôbre a tensão através da junção.
b) Modificação da corrente de saturação inversa:

Na teoria antes exposta, a corrente inversa do díodo ( isto é, com po
larização inversa ) tende ràpidamente ao valor Is. Essencialmente êste
valor é fixado pela disponibilidade de portadores gerados termicamente
nas vizinhanças da junção.
Pràticamente observa-se uma corrente superior ao previsto, por duas
razões : presença de corrente de fuga superficiais e geração de portadores
na camada de carga espacial.
As correntes de fuga superficiais dependem fortemente do estado da
superfície livre da junção; em geral dependem menos da temperatura do
que a corrente de saturação inversa; a componente de corrente devida
à geração de portadores depende essencialmente da tensão inversa aplicada
à junção.
As anomalias da corrente inversa são mais aparentes nos díodos de
silício que nos de germânio, pelo menos às temperaturas habituais. De
fato, no Si a corrente de saturação inversa dada pela expressão ( 4 . 51 ) é
muito menor que nos díodos de germânio, de modo que os efeitos antes
apontados são mais fàcilmente observáveis.
c) Ruptura da junção:
Aumentando-se o valor da tensão inversa aplicada à junção chega-se
a um valor limite em que a corrente passa a aumentar muito ràpidamente;
êste valor é a tensão de ruptura V, da junção. Em consequência as ca
racterísticas dos díodos de junção, na região inversa serão do tipo indicado
na fig. 4 . 15.
i
A curva indicada na ( fig. 4 . 15, a),
i.
corresponde a u m díodo mal res
friado, em que o fenômeno de rup
tura se complica com o aquecimento
da junção, que aumenta a corrente
inversa. As curvas ( b ) e ( c ) cor
respondem a díodos com adequada St Ge
dissipação de calor; a tensão per
manece pràticamente constante
(e)
desde que a potência dissipada no (b )
dispositivo não supere um certo má· FIG . 4 . 15 - Características de um díodo
com polarização inversa.
ximo.
J!:ste fenômeno é aproveitado nos diodos de Zener, que são utilizados
como referência de tensão. Conforme a construção do dispositivo a ten
são de ruptura poderá ocorrer de cêrca de 2 até várias dezenas de volts.
A ruptura das junções submetidas a tensões inversas pode resultar
de dois fenômenos diferentes :
1 - ruptura de Zener, causada pelo rompimento de ligações covalen

tes na região de transição devido a campos elétricos muito intensos ( maio
res que 106V/cm ) ;
2 - ruptura por avalanche, e m que a energia fornecida aos portado
res na camada de carga espacial é suficiente para ionizar novos átomos
por colisão, criando novos portadores e iniciando assim um processo
tipo avalanche.
A ruptura por avalanche ocorre em campos elétricos inferiores aos
exigidos pela ruptura de Zener, exceto em diodos com elevada concentra
ção de impurezas, de modo que na maioria dos chamados diodos de Zener
de fato a ruptura é por avalanche. Ambos os mecanismos podem estar
presentes num mesmo diodo.
d) Capacitância nos diodos de junção:
Como já vimos, de ambos os lados de uma junção forma-se uma ca
mada de carga espacial, com carga positiva na região N e carga negativa
na região P. A largura desta região depende da tensão aplicada à junção.
Com polarização inversa aplicada, em que a corrente através do diodo é
mínima, a junção funciona como um capacitor cuja capacitância varia com
a tensão aplicada. Esta capacitância é chamada capacitância de carga
espacial ou capacitância da junção. Com polarização inversa V esta capa
citância varia proporcionalmente a ( - V ) - 1 1' para junções abruptas, ou
a ( - V ) -1/2 nas junções graduais ( ver, por exemplo, Gray e outros, "Phy
sical Electronics and Circuits Models of Transistors", SEEC vol. 2, pgs.
93 ss. ) . Em consequência, um diodo de junção com polarização inversa
pode ser utilizado para fornecer uma "capacitância controlada por tensão"
( "Varicaps" ou "Varactores" ) .
Outro efeito capaciti-
vo, presente nos diodos N t>
com polarização direta,
N
decorre dos portadores
armazenados nas re- (a )
giões neutras. Como
vimos a distribuição de
concentrações de porta o X
dores minoritários na
região neutra depende $
da tensão aplicada à
'
junção. Assim, se au 1
mentarmos a polariza-
ção direta aumentam as 1 (b )
\
'
concentrações de porta ' o X
dores em tôda a região
'
neutra e, portanto, au
menta a carga nela ar FIG . 4 . 16 - Junção abrupta com polarização inversa.
mazenada. l!:ste efeito
pode então ser representado por uma capacitância de armazenamento. Tam-
bém esta capacitância é uma função da tensão de polarização.
104 ELETRÔNICA ......;. L. Q. ÜRSINI
A titulo de exemplo, vamos calcular aqui a capacitância de junção de

uma junção PN abrupta, com polarização inversa.
Para isso consideremos um semicondutor homogêneo, unidimensional,
com junção abrupta, e adotemos a seguinte hipótese simplificadora: na
camada de carga espacial a depleção é total, i.é, as cargas livres são des
prezíveis em relação às cargas fixas. Em consequência, a distribuição de
cargas é retangular; de fato a distribuição real será como indicado pelas
linhas pontilhadas na (fig. 4 . 16, b ).
Para calcular o campo elétrico partimos da equação de Poisson :
( 4 . 53 ) b. q> = - p/E
ou, no caso unidimensional,
d'cp
( 4 . 54 ) - p/E
dr
Mas
= - Ex
dcp
dx
e então
=
dE,
( 4 . 55 ) p/E
dx
donde, como A é constante em cada trecho.
( 4 . 56 ) E, = ( p/E ) x + cte.
Para :t < O, p = qNA e E, = O para x = - z•.
Portanto,
qNA
( 4 . 57 ) X < o
{ Ex = - -- ( X + z. >
E
Para X > O, p = qNo e Ex = O para x = l •.
Portanto,
qNo
( 4 . 58 ) X > 0 fl Ex = -- E (X - l.)
C..C:._.<.-c :::-:-. '_ _:;-::::>
Para = O obtemos
r
x
qNA
E. 1 = - --
z.
E
1
( 4 . 59 )
qN.
E. = - -- l.
E
A continuidade do campo elétrico na origem implica em
( 4 . 60 )
o u seja, a s cargas totais são iguais d e ambos o s lados da junção, como é

de esperar.
SEMICONDUTORES E Dxooos 105
- l. =
J
A barreira de potencial será
1 1
( 4 . 61 ) lj'J. V = - E, dx = - E. < Z. + l. ) -
2 2
_ z.
Na fig. 4 . 17 indicamos a variação do campo elétrico e do potencial ao
longo da junção.
Da relação ( 4 . 61 ) e das anteriores seguem-se :
- largura da camada de depleção :
E
(O )
'f
(b )
-
[ - )] ' /'
----�=-��+-��..J_�--'--t� x
(
FIG . 4 . 17 Campo elétrico e potencial
com polarização inversa.
]'/2
2E 1 1
l ( ljl. - V ) - +
-[
( 4 . 62 ) = -
q NA No
- valor máximo de campo:
2q NA No
( 4 . 63 ) E0 = -- ( ljl. - V )
E NA + No
A capacitância se calcula sem dificuldade para ! V I » cp ••
A carga total armazenada num dos lados da junção é

( 4 . 64 ) Q = q No l,. •
A
Mas NA
( 4 . 65 ) z. =
NA + No
e
N,. No
( 4 . 66 ) Q qA . l.
N,. + No
]1/2
Substituindo l por seu valor, resulta
( 4 . 67 ) Q
NA No
= qA ---
[.!:.._ . ( lj.i. - V ) '/2
[.::!..__ ]'!'
NA + No q
A capacitância da junção será pois

dQ NA · No
( lj.i. - V ) -112
( 4 . 68 ) C1 = = A • •
d ( - V) 2 NA + No
Comparando esta expressão com o valor de l, resulta ainda

E A
( 4 . 69 ) Ci = --
z
A capacitância da junção sem polarização externa será

E A
( 4 . 70 ) C; ( 0 ) = --
l (0)
d e modo que, para uma polarização inversa V, . podemos escrever
E A l (O)
( 4 . 71 ) C; ( V ) = -- = C; ( 0 ) --
l (V) l ( V)
ou, finalmente
'
lj.i. 'I
( 4 . 72 ) e <v> = e <o> ·
( lj.i. - V )'/2
Sendo 1 V 1 » lj.i., concluimos que a capacitância da junção abrupta varia
pràticamente com o inverso de V'/2, como já afirmamos.
4 . 1 1 - Modêlos lineares por segmentos dos diodos semi-condutores:

Para utilizar as técnicas de cálculo de circuitos lineares, as caracte
rísticas não-lineares dos diodos semi-condutores devem ser aproximadas
por segmentos lineares, como já foi feito para os diodos de alto vácuo.
A cada aproximação por segmentos lineares corresponde um circuito equi
valente, com diodos ideais.
Na fig. 4 . 18 apresentamos dois possíveis modêlos que representam
diodos semí-condutores.
{l
aJ opro1Cirnoçõo por duo• re ale t4,,elt:t•
FIG . 4 . 18a - Modêlos de diodos semi·condutores.

No modêlo da fig. 4 . 18, a, podemos fazer, em geral,
pois r, > > Te.

{i
b.' ,....-; v dlilo c o .-n c o rr e n te de s o f u r o ç õo
FIG . 4 . 18b - Modêlos de diodos semi·condntores.
Dada a curva característica do diodo, os modêlos indicados se dedu

zem fàcilmente; a escolha de um ou outro tipo será ditada pelas condi
ções de cada _ problema particular.
a) Como referência geral, consultar os livros pu.blicados pelo "Semiconductor Elec

tronics Education Committee" (SEEC ) :
SEEC 1 - R. B. ADLER, A. C. SMITH e R. L. LONGINI, "Introduction to
Semiconductor Physics" (Wiley, 1 964 ) .
SEEC 2 - P. E . GRAY , D. D e WITT, A . R . BOOTHROYD e J . F . GIBBONS,
"Physical Electronics and Circuit Models of Transistors" (Wiley,
1 964 )
b) Sôbre teoria da junção PN, examinar o trabalho original :
W. SHOCKLEY, "The Theory of P-N Junctions in Semiconductors and P-N
Junction Transistors", Bell Syst. Techn. Journal, vol. 28, pgs. 435-489 ( 1 949 ) .
e) Outra referência útil :
J. F. GIBBONS, "Semiconductor Electronics'', McGraw, 1 966.
Problema 4 . 1 : A massa atômica e a densidade do germânio e do silício são dados

na tabela abaixo :
Massa atômica densidade (g/cm3 )
germânio 72,6 5,33

silício 28, l 2,33
Sabendo ainda que o número de Avogrado é N. = 6, 02 X 1023 átomo/mol.

-grama, determine :
a ) a fração das ligações covalentes rompidas ( e m média) num monocristal de
Ge intrínseco, a 25ºC;
b ) repita o mesmo cálculo para um monocristal de Si.
Problema 4 . 2: Um monocristal semicondutor é preparado fundindo-se 1 micrograma
de gálio ( massa atômica 69,9 ) em 100 g de germânio ( massa atômica 72,6) purís
simo. Supondo o monocristal homogeneo, determine :
a) a concentração de átomos de Ge, em cm', no monocristal;
b) a relação entre esta concentração e a concentração d e átomos d e Ge;
c) a condutividade do monocristal, a 200C.
Problema 4 . 3: Um semicondutor de Ge intrínseco é dopado com impurezas doadoras,
uniformemente distribuidas, com concentração Nn = 8,5 X 1 0 " cm·'. A temperatura
de 27ºC, determinar :
a ) a condutividade do cristal;
b ) a resistência de u m prisma de 2 c m x 1 mm2 desse material;
c) a diferença de potencial que ocasiona uma corrente de 2 mA na direção
da maior dimensão desse prisma;
d ) a velocidade de deriva dos eletrons devida à aplicação do potencial do item
anterior.
·
Problema 4 . 4: Suponha-se que ao semicondutor do problema anterior é adicionada

também uma impureza doadora, com NA = 3 ,6 x 10" cm·'. Calcule a nova condu
tividade do germânio.
Problema 4 . 5: Admitindo que as mobilidades dos portadores num semicondutor in

dependem da concentração de impurezas (primeira aproximação ) , determine a con
centração de impurezas doadoras que fornece a condutividade mínima do material.
Aplique ao caso do germânio e determine a relação entre esta condutividade e a
condutividade do Ge intrínseco a 300ºK.
Problema 4 . 6: Numa região de um certo semicondutor a concentração de lacunas

m inoritárias decai linearmente de um certo valor p ( O ) a zero em 1 0-3 mm, na dire
ção do eixo dos x. Qual o valor da concentração p ( O ) para que a densidade de cor
rente de difusão, na direção de x, seja igual a 0, 1 A/cm2?
:">l•
Problema 4 . 7: Num monocristal de Ge, em equilíbrio a temperatura de 300ºK, com
junção abrupta, a concentração de lacunas majoritárias é igual a 1 017 cm·', ao passo
que a concentração de lacunas minoritárias é igual a 1 012 cm·'. Determine :
a) as concentrações de eletrons em ambos os lados de junção;

b) a altura d a barreira d e potencial d a junção :
Problema 4 . 8: Dada uma junção abrupta de Si, com Nn = 1 017 cm·' e NA = 1 015
cm·', determinar :
a ) a concentração de equilíbrio de portadores minoritários, na região N, à
temperatura ambiente;
b ) a polarização que se deve aplicar à junção para que a concentração de por
tadores na borda da camada de carga espacial seja dez vezes maior que a concen
tração de equilíbrio.
Problema 4 . 9: Uma junção de Si abrupta tem as seguintes características :

Secção transversal A = 1 0-•m2; NA = l O"m-3;
NA = 1 01•m-'; 'tn = 10-• se.gundos
SEMICONDUTORES E Drooos 109
Determine :
a) a corrente d e saturação inversa à temperatura ambiente e a 1 5 0ºC;

b) as concentrações de portadores minoritários, nas mesmas temperaturas.
Problema 4 . 10: Um díodo de junção PN tem uma corrente de saturação inversa de

1 microampere.
Determine :
a) a resistência incremental d o diodo em função da corrente, com polarização

direta;
b) idem, mas em função da tensão de polarização;
e) construa um modêlo a diodos ideais desse diodo, adequado para representar
a região de saturação inversa e com êrro nulo na tensão de 0,4 V de polarização
direta.
Problema 4 . l i : Um diodo de junção de germânio tem uma área de junção de 1 mm'

e dopagens dadas por NA = 1 017 cm"' e Ne = 1 015 cm·3• Sabendo ainda que a cons
tante dielétrica relativa do germânio é E,= 1 6, determine a capacitância da junção
em função de polarização inversa.
CAPfTUW 5
O S T R ANSI ST O RE S DE JUNÇÃO
5. 1 - Descrição e processos de fabricação:
Em 1948 Bardeen e Brattain inventaram o transístor de pontas, dis

positivo constituído por uma base de germânio tipo N, sôbre a qual se
apoiam dois finos contátos metálicos, espaçados de uma pequena fração de
milímetro. Um dos contátos, após um processo de formação adequado,
forma com o germânio N uma junção PN, constituindo o emissor. O outro
contáto recebe o nome de coletor. Polarizando diretamente a junção
emissor-base e inversamente a junção coletor-base, verifica-se que uma va
riação da corrente de emissor causa uma variação igual ou maior da
corrente do coletor, de modo que o dispositivo pode funcionar como am
plificador de corrente. Como, além disso, a impedância entre os terminais
emissor-base é muito menor que aquela entre os terminais coletor-base,
esta amplificação de corrente é acompanhada de um ganho considerável
de potência.
Os transistores de pontas foram ràpidamente superados pelos tran
sistores de junção ( Shockley, 1949 ), constituídos por uma fina camada de
germânio tipo p ( ou n ) , colocada entre duas camadas de germânio tipo n
( ou p ) ; o processo de fabricação deve ser tal que a regularidade da es
trutura cristalina é preservada ao longo de todo o dispositivo. A região
central constitue a base do transístor, ao passo que as outras duas cor
respondem, respectivamente, ao coletor e emissor.
Posteriormente, o desenvolvimento tecnológico permitiu a obtenção de
transístores de silício, que têm qualidades superiores às dos transístores
de germânio.
Na fabricação dos transístores põem-se logo dois problemas : a manu
tenção da estrutura cristalina e a obtenção de bases extremamente finas.
Vejamos sucintamente os principais processos para a fabricação de tran
sístores:
a) Transístores de junção por crescimento:
!!: o processo mais antigo e hoje está pràticamente abandonado. Os

transistores de junção por crescimento obtém-se a partir do germânio ex
tremamente puro. �ste germânio é fundido num cadinho, em atmosfera
•
ÜS TRANSISTORES DE JUNÇÃO 111
adequada. Uma haste com um pequeno cris·

tal de germânio toca a superfície do banho
( fig. 5 . 1 ). Esta haste sobe lentamente, ao
mesmo tempo que gira devagar. Em con
seqüência, forma-se na extremidade da haste
um monocristal de germânio, que pode atin
gir mais de 10 cm de comprimento. Para
formar as junções, quantidades diminutas
de impurezas doadoras e aceitadoras são
juntadas sucessivamente ao material fundi
do. Formam-se assim, alternadamente, re FIG . 5 . 1 - Fabricação de junção por
crescimento.
giões P e N no monocristal.
Terminada a formação do monocris
tal, êste é recortado em pequenos pris
mas que contém duas junções ( fig.
5 . 2 ) ; obtém-se assim um transístor
PNP ou NPN. Em seguida formam-se
contatos ôhmicos nas superfícies ade
FIG . 5.2 - Transistor de junção por quadas e encapsula-se o dispositivo.
crescimento.
O transístores de junção por crescimento só são utilizáveis em fre

quências baixas; além disso, têm grande variabilidade de características,
pela dificuldade de controlar adequadamente a espessura da base.
b) Transístores de junção por liga:

Sôbre uma face de uma pequena lâmina de monocristal de Ge tipo N,
de alta resistividade, coloca-se uma esférula de material aceitador, como
o índio. O conjunto é aquecido o suficiente pa
ra fundir a esférula, mantendo o Ge sólido. O
índio forma assim uma liga com o Ge, consti
tuindo uma solução saturada. Ao resfriar-se o
conjunto, o Ge recristaliza-se, mas constituindo
E e
uma região tipo P, fortemente dopada. O mes
mo processo repete-se na outra face da lâmina,
mas com uma esférula maior. Constitui-se as
sim uma junção PN de cada lado da base, que
fica bastante fina. Na fig. 5 . 3 indicamos um
corte de um transístor dêsse tipo. Dificuldades
tecnológicas impedem que se construam por FIG . 5 . 3 - Corte de transistor
de junção por liga.
êsse processo transístores de base extrema-
mente fina ( até 10 micra ), o que limita a freqüência máxima de operação
do dispositivo.
Com êste processo é também possível fazer transístores NPN.
A junção do coletor habitualmente é maior que a junção do emissor
( por exemplo, 500µ e 250µ de diâmetro ) , por razões que veremos mais
tarde. Somente nos transístores simétricos as duas junções têm o mesmo
tamanho.
1 12 ELETRÔNICA - L. Q. ORSINI •
c) Transístores de barreira superficial:

Nêstes transistores formam-se duas depressões nos dois lados de uma
lâmina de Ge tipo N ou P, de resistividade elevada, por via eletrolítica.
As junções são obtidas depositando, por fusão, pequenas quantidades de
alumínio nestas depressões. Uma parte do Al difunde-se no Ge, consti
tuindo-se assim o emissor e coletor, de ambos os lados de uma base ex
tremamente fina. A velocidade do transistor é mais elevada, mas o dispo
sitivo é algo frágil, porque os contátos de emissor e coletor são suportados
por uma camada de germânio muito fina.
d) Transistores de liga com base difundida ("diffused-base alloy tran

sistors"):
Nêstes transistores a lâmina de Ge inicial é retirada de um monocris
tal extremamente puro. Os átomos de impureza são introduzidos nessa
lâmina através de um processo de difusão ( por exemplo, expondo a lâmina
a uma atmosféra que contenha a impureza conveniente ) . O processo de
difusão permite que se obtenha uma base gradual, isto é, cuja resistivi
dade varia com a distância à superfície. As junções de coletor e emissor
são formadas por liga, como no caso ( b ) . A base gradual cria um campo
elétrico interno na base, que reduz o tempo de trânsito dos portadores e
melhora a operação do transistor em frequências altas.
Combinando êste processo com um tratamento eletroquimico obtém-se
os transistores de micro-liga em base difundida ( "micro-alloy diffused-base
transistor" ) , que já operam em frequências bastante elevadas, mas em pe
quenas potências.
e) Transistores "mesa":
Para a construção de um transistor "mesa" típico parte-se de uma
fina lâmina de semicondutor levemente dopado com impurezas P ou N.
Sôbre esta lâmina serão formadas algumas centenas de transistores.
Após uma limpeza e polimento, difunde-se sôbre uma das faces da
lâmina uma impureza de tipo oposto ao j á existente ( N ou P ) . A lâmina
fica assim com uma junção PN, com uma região de base bastante fina e
um coletor relativamente grosso ( cêrca de 0,1 mm ) . Em seguida cobre-se
a outra superfície da base com uma máscara metálica conveniente, con
tendo algumas centenas de pequenas aberturas. Através dessas aberturas
faz-se nova difusão de impurezas, do mesmo tipo usado para o coletor.
Obtém-se assim a junção do emissor, com forma conveniente e área bem
controlada. Resulta uma base extremamente fina, sem diminuir a solidez
do dispositivo. Em seguida, a lâmina é submetida a um tratamento ele
troquímico para erodir parte da área ativa da junção do coletor, reduzindo-a
a um pequeno retângulo. Finalmente, os vários transistores são recorta
dos da lâmina e soldam-se os terminais.
Uma das desvantagens do transistor mesa resulta do seu coletor re
lativamente espêsso e de alta resistividade. Esta desvantagem se elimina
com a chamada técnica epitaxial, que permite a deposição por evaporação
de uma fina camada monocristalina e extremamente pura de um semicon-
Os TRANSISTORES DE JUNÇÃO 1 13
dutor, sôbre uma lâmina do mesmo material, mas fortemente dopado.

Usando também esta técnica constroe-se o transistor mesa epitaxial.
Para construir o transistor mesa epitaxial, parte-se de uma lâmina de
monocristal fortemente dopado ( por exemplo, silício N+, fig. 5 . 4 ) . Sôbre
essa lâmina deposita-se epitaxialmente uma fina camada de Si tipo N, de
alta resistividade.
Por difusão transforma-se a parte
superior dessa camada em tipo P,
constituindo assim a região de base.
Por nova difusão, através de más
caras adequadas, obtém-se a região
do emissor.
Como no caso do transistor mesa
típico, o dispositivo se completa ero
dindo as regiões laterais e deposi FIG . 5.4 - Transistor ºmesa" epitaxial.
tando os contátos de emissor e base
( fig. 5 . 4 ) .
Os transistores mesa podem ser fabricados em grande série, o que
reduz o seu custo; por outro lado, o processo dá excelente reprodutibili
dade e bases muito finas, do que resultam excelentes transístores, tanto
de germânio como de silício.
f) Transístores planares:
Na fabricação do transistor planar de silício usam-se, bàsicamente as
mesmas técnicas - difusão e crescimento epitaxial - que nos transistores
mesa. Os bórdos das várias junções, no entanto, terminam num mesmo
plano, correspondente à superfície do monocristal. Esta superfície pode
então ser submetida à passivação, isto é, é recoberta com uma camada inerte
de silíca, sob a qual se formam as junções, por difusões alternadas. Para
ilustrar a técnica, descrevemos a seguir o método de fabricação de um
transístor planar epitaxial passivado de silício.
As principais etapas da fabricação estão ilustradas na fig. 5 . 5. Parte-se
de uma lâmina de monocristal fortemente dopado (P+ ou N+ ). Sôbre a
superfície dessa lâmina, exposta em temperatura adequada a uma atmos
fera contendo vapor de tetracloreto de Si, cresce epitaxialmente uma ca
mada de Si de alta resistividade, com espessura da ordem da dezena de
micra. Em seguida, a superfície da lâmina é oxidada, ficando inteiramen
te recoberta por uma fina camada de óxido de silício ( fig. 5 . 5, a ) . Por
meio de um mascaramento adequado da superfície e de subsequente ataque
químico, a película de óxido é retirada da região central da lâmina.
O conjunto é então exposto a um vapor da impureza adequada ( boro
para os transístores NPN; Sb, As ou P para os PNP ) .
A impureza difunde-se através d a superfície não protegida d a camada
epitaxial, formando assim a base.
As impurezas difundidas penetram também sob as bordas da camada
protetora de óxido, de modo que a interseção da junção coletor-base com
a superfície do cristal fica sempre protegida ( fig. 5 . 5, b ) . Segue-se nova

oxidação da região central.
Para difundir o emissor novamente mascara-se o cristal e retira-se o
óxido sôbre a região central da base. Uma impureza do mesmo tipo do
ccrmada de oxido
i.a
, 12.u. 6' 1----c:_
tz__O'
m. _m_cr
___ v
íCl_
c:... _O'.
. l. _
_ll ___.
ol
1_
) passlvação
()
crescimento epltaxial e
da superfí •
cie.
b) difusão da base.
e) difusão do emissor.
d) metalização dos contatos.
i) vísta superior
FIG . 5.5 - Fases da fabricação de um transistor planar epitaxial passivado.

Os TRANSISTORES DE JUNÇÃO 115
coletor difunde-se n a superfície do cristal, formando-se a junção emissor

base. A esta operação segue-se nova oxidação da região desprotegida
C fig. 5 . 5, e ).
Finalmente, após nôvo mascaramento e remoção do óxido nas áreas
adequadas, as superfícies da base e do emissor são metalizadas, ficando
preparadas para receber os contátos. Como se vê, durante o processo as
superfícies da junção ficam sempre protegidas pelo óxido. Além do mais,
os sucessivos mascaramentos são efetuados por processos fotográficos, de
modo que em cada lâmina preparam-se ao mesmo tempo centenas de tran
sistores. A fabricação é assim feita em grande série, reduzindo o custo
do transistor.
Obtém-se assim excelentes transistores, com corrente inversa muito
baixa, grande robustês e boa reprodutividade de características. Pode-se
também controlar fàcilmente a área e a forma da região ativa da base,
obtendo inclusive uma melhor relação entre a área do emissor e seu pe
rímetro, o que permite a obtenção de transistores de potência elevada e
que operam em frequências elevadas.
5.2 - Princípio de operação dos transístores:
Normalmente os transistores são operados com a junção emissor-base

diretamente polarizada e a junção coletor-base inversamente polarizada.
As variáveis do transístor são as correntes terminais ( de emissor, de base
e de coletor ) , bem como as tensões entre os terminais. Na fig. 5 . 6 indi
camos as polarizações dos transistores PNP e NPN, os respectivos símbolos
representativos e os sentidos de referência de correntes ou tensões.
Para examinar qualitativamente a operação dos transistores, conside
remos um transistor PNP ligado como se indica na fig. 5 . 6, a. Em con
seqüência das polarizações aplicadas ao transistor, a distribuição de po
tenciais ao longo da região ativa da base terá o aspecto indicado na fig.
5 . 7, ou sej a, a barreira de potencial entre o emissor e a base fica reduzida,
(a) Jrq17s1slor PNP (.6) lr0''7S1sfor NPN
FIG . 5.6 - Polarização e símbolos dos transistores.
ao passo que a barreira entre base e coletor fica aumentada. Em con

sequência, de acôrdo com o que vimos no estudo das junções PN, e con-
siderando que normalmente o emissor é muito mais dopado que a base,

há uma forte injeção de lacunas na região da base.
Estas lacunas se difundem atra-
p N p vés da base, onde são portadores
minoritários. Se a largura W da
1 o X
base fôr muito menor que o com
primento de difusão das lacunas,
a maior parte dos portadores mi
noritários injetados chega à região
da barreira de potencial entre base
e coletor. O campo elétrico aí exis
w
1 • 1• tente faz com que estas lacunas
FIG . 5. 7 Distribuição de potenciais ao longo
-
passem ao coletor, constituindo a
de um translstor.
corrente de coletor.
Assim, indicando por iB a corrente no emissor, uma fração a. is dessa
corrente passa ao coletor. Além disso, como a junção coletor-base está
polarizada inversamente, ela será atravessada também por uma corrente
inversa Iro ( função da temperatura, em polarização inversa suficiente ), cons
tituída de eletrons minoritários do coletor. Em consequência tendo em
vista os sentidos de referência de correntes indicados na fig. 5 . 6, teremos
(5.1) ic = - a. is - Iro
onde a constante a. é o fator de amplificação de corrente emissor-coletor;

Iroé a corrente inversa através da junção do coletor, com o emissor em
aberto ( i.é, com is = 0 ) .
A corrente d e base exprime-se e m função das outras duas aplicando a
primeira lei de Kirchhoff a uma superfície fechada que envolve o transístor :
(5.2)
Como veremos e m seguida, normalmente a corrente de base é tomada

como variável independente. Convem então exprimir a corrente de coletor
em função da corrente de base; das equações ( 5 . 1 ) e ( 5 . 2 ) obtém-se fa
cilmente
1
(5.3) ic = ---- is ---- Iro
1 - a. 1 a.
Vamos agora definir o fator de amplificação de corrente base-coletor, (3.

a.
( 5 . 4)
1 a.
Nos transístores habituais f3 varia de 30 a 200; segue-se que a. é nor

malmente um pouco inferior à unidade.
Fazendo ainda
1
(5. 5) ---- Iro = IcEo
1 a. -
a equação ( 5 . 3 ) escreve-se
(5.6) io = f3 is - Iro
ÜS ThANSISTORES DE JUNÇÃO 117
Esta expressão mostra que IcEo é a corrente inversa de coletor, com a

base aberta. A vista de ( 5 . 4 ) e ( 5 . 5 ) obtém-se
( 5 . 7) IcEo = ( 1 + � ) lco = � lco
pois � é geralmente muito maior que 1. À temperatura ambiente Ico é da

ordem de micro-ampere nos transistores de germânio e de nano-ampere nos
de silício. De maneira análoga mostra-se que nos transistores NPN valem
as relações
(5.8)
(5.9) ic = � ia + ICEo
Nota-se que, nestes transistores, mudam os sinais das correntes inver

sas, em relação às fórmulas do transistor PNP.
A explicação sucinta que acabamos de dar é insuficiente, pois encobre
alguns dos fenómenos físicos importantes dos transistores, sendo adequada
apenas como uma introdução ao assunto. Passemos então a examinar
em detalhe as relações entre correntes do transistor, servindo-nos da teo
ria das junções, introduzida no capítulo anterior.
5.3 - Determinação das correntes nos transistores:

Vamos proceder à determinação das correntes num transistor que sa
tisfaça às seguintes condições : a ) o transistor é constituido por um mo
nocristal com junções abruptas; b ) os portadores minoritários se movem
somente por difusão; c ) a geometria da região ativa da base é unidimen
sional; d ) a taxa de concentração de impurezas no emissor é muito maior
que na base; e) as impurezas são diluídas; f) o cristal é eletricamente
neutro fóra da região de carga espacial; g ) os efeitos de superfície são
desprezíveis.
Tôdas estas hipóteses são adequadas para os transistores de junção
por liga; nos transistores de junção por difusão as hipóteses ( b ) e ( / )
eventualmente não serão satisfeitas.
{b )
FIG . 5. 8 - a) tensões e correntes num transistor PNP; b) distribuição de portadores
minoritários ao longo do transistor.
Consideraremos aqui um transistor PNP; a largura de sua base, W,

será muito menor que o comprimento de difusão Lb de portadores mino-
ritários na base, ao passo que os comprimentos do emissor e do coletor

são muito maiores que os comprimentos de difusão respectivos. O tran
sistor está polarizado na região de amplificação, isto é, VEs > O e Vcs < O
( ver fig. 5 . 8, a ) . Suporemos ainda que tensões e correntes variam não
muito ràpidamente com o tempo, de modo que a concentração de porta
dores minoritários na base é quase-estacionária. Nessas condições, a dis
tribuição de concentrações Pb de portadores minoritários ( lacunas ) na base
pode ser sempre aproximada por uma reta, como indicado na fig. 5 . 8, b.
Próximo à junção do emissor esta concentração terá um valor pb (0), fun
ção exponencial de VEs; em x = W esta concentração será muito pequena,
por causa da polarização inversa da junção. Admitiremos então pb ( W ) = O.
As correntes através das junções decompõe-se em quatro componentes :
i., corrente de eletrons injetados pela base no emissor;

i,,, corrente de lacunas injetadas pelo emissor na base;
i., = corrente de lacunas injetadas pela base no coletor;
J., = corrente de eletrons injetados pelo coletor na base.
Estas correntes serão calculadas com as expressões que já estabelece

mos quando do estudo das junções.
( )
Assim, i., é a corrente de eletrons através de uma junção polarizada
diretamente :
D. q VEB
( 5 . 10 ) iut = q A n.,, exp 1
L. kT
onde A = área ativa da junção e n.,., é a concentração de equilibrio de por
tadores minoritários no emissor.
--
Para maior simplicidade vamos introduzir a notação
D.
qA n.,,
- )
L.
de modo que ( 5,8 ) fica
( 5 . 12 ) i., = 1.1 ( exp

Q VEB
kT
- 1
--
A corrente i. , é devida à difusão de lacunas na base. Portanto,
dpb
( 5 . 13 ) i. , = - q A Db
dx
-
sendo Db o coeficiente de difusão de portadores minoritários na base. Da
hipótese de distribuição linear de concentrações de lacunas na base segue-se
que dpb/dx = Pb ( 0 ) /W. Mas, como já sabemos,
Pb( O ) = Pbe exp

kT
onde Poo é a concentração de equilíbrio de lacunas na base. Em conse

qüência, a expressão ( 5 . 13 ) fornece :
Db q VEB
( 5 . 14 ) ip, = qA Pbo exp
w kT
ou ainda
q VEB
-
( 5 . 15 ) ipt lpt exp
kT
com
Db
( 5 . 16 ) lpt = qA • Pbo
w
A corrente Íp2 é constituída pelas lacunas que se difundem através da

base. Como o comprimento de difusão é muito maior que a espessura da
base haverá pequena recombinação nessa região, de modo que podemos
escrever a relação
( 5 . 17 )
onde B = fator d e transporte d a base, é ligeiramente inferior à unidade.

Para prover a estas recombinações, deve penetrar pelo contato da base
uma corrente in, de eletrons ( ver fig. 5 . 8,b ) , que será dada por
( 5 . 18 ) in, = ( 1 - B ) Íp1
Finalmente, a corrente in2 corresponde à corrente inversa através da
--
junção coletor-base sendo, portanto, dada por
De
( 5 . 19 ) qA nco = In2
Lc
onde nco representa a concentração de equilíbrio de eletrons no coletor.
Ao escrever tôdas as equações acima os sinais foram tomados de modo
coerente com os sentidos de referência de correntes indicados na fig. 5,8,b.
Podemos agora calcular as correntes nos terminais do transistor, isto
( )
é, ÍE, Íc e Íe.
Assim, a corrente de emissor será
( 5 . 20 ) ÍE = Ín1 + Íp1 = Uni . + I,, ) exp - 1 + lpt

kT
à vista de ( 5 . 12 ) e ( 5 . 1 5 }.
Da mesma forma a corrente de coletor obtém-se somando ( 5 . 17 ) com
( 5 . 19 ) e trocando o sinal :
= e - 1)
- Íc = i.,2 + in2 = B lp1 exp + In2
ou kT
q VEB
( 5 . 21 ) - i, B lp 1 exp + In2 + B J,,
kT
120 ElETRÔNICA - L. Q. ÜRSINI
Finalmente, a corrente de base obtém-se por aplicação da 1 .8 lei de

Kirchhoff:
( 5 . 22 ) is = - ( ic + iB )
- -
Substituindo nesta expressão iE pela primeira das equações ( 5 . 20 ) e ic
pela primeira das equações ( 5 . 21 ) vem
is = ( ip t ip2 ) - in1 + in2
- -
Esta expressão nos mostra que a corrente de base é constituída de 3
parcelas:
a) a parcela i,,, = ( i., i., ) = ( 1 B) ip., corresponde aos eletrons
que provêm à recombinação na região da base;
b) a corrente de eletrons injetada pela base no emissor in,;
c) a corrente inversa na junção do coletor, i"', constituída por eletrons
( --- )
extraídos do coletor pela polarização inversa.
---
Substituindo os valores das várias parcelas, obtemos
q VEs q VEa
is = - ( 1 - B ) Ip1 exp - In1 exp - 1 + I"'
kT kT
is = - f ]f -]
ou, após algumas transformações simples,
( 5 . 23 ) 1., + ( 1 - B ) IP • exp q
k
;E
R 1 + I"' - ( 1
---
Podemos agora eliminar destas relações a tensão VEB, obtendo assim
relações entre as correntes terminais. Para isso, da relação ( 5 . 20 ) obtemos
q VEs
( 5 . 24 ) ---- = exp - 1
kT
-
ou introduzindo na equação de ic, ( 5 . 21 ),
. '
ic = B Ip1 ----
I., + lp l
ou ainda,
B lp1 B IP ,
( 5 . 25 ) ic iE + Ini + I,,
I., + lp 1 In1 + lp 1
Definindo agora a eficiência do emissor por
( 5 . 26 ) y =
lp 1 + I.1
que é uma grandeza muíto próxima de 1, pois nos transístores habituais
a dopagem do emissor é muito maior que a da base, a equação ( 5 . 25 ) se
escreve
( 5 . 27 ) ic
Os ThANSISTORES DE JUNÇÃO 121
Introduzindo agora o fator de amplificação de corrente emissor-coletor a.
( 5 . 28 ) a = B. y
' e a corrente inversa Ico na junção de coletor com iE o, a equação ( 5 . 27 )

se torna finalmente
( 5 . 29 ) Íc
com
( 5 . 30 ) Ico = In2 + a I.1
Chegamos assim novamente à expressão ( 5 . 1 ) , deduzida no parágrafo

5 . 2 por um raciocínio simples. Agora, no entanto, podemos relacionar os
parâmetros lá introduzidos com a constituição física do transístor. Pas
saremos agora a discutir alguns pontos interessantes. Vejamos, por exem
plo, as condições para que � = a/( 1 - a ) seja elevado.
Um valor alto de � exige que a sej a muito vizinho de 1, isto é, tanto
o fator de transporte B como a eficiência do emissor y devem ser vizi
nhos da unidade. Ora, introduzindo em ( 5 . 26 ) os valores de 1.1 e I.i, dados
por ( 5 . 16 ) e ( 5 . 1 1 ), respectivamente, obtemos
1
( 5 . 31 ) y
D, W
1 +
DbL, Poo
Como D. e Db são da mesma ordem de grandeza, esta última expressão

mostra que uma eficiência de emissor vizinha da unidade exige que sejam
satisfeitas as condições :
a) W « L, ou seja, base muito estreita;

b) n .. « Poo ou sej a, emissor mais fortemente dopado que a base.
5.4 - Cálculo do fator de transporte:

Examinemos agora o fator de transporte, B. A expressão ( 5 . 17 ) mos
tra que êste fator é definido por
( 5 . 32 ) B
ou sej a, é a relação entre as correntes de lacunas nas duas bordas da base.

Estas correntes são correntes de difusão e, portanto, são proporcionais
às derivadas da concentração de lacunas em relação a x. Em consequên
cia, o fator B pode ser calculado a partir da relação :
dp/dx /x w
/x
( 5 . 33 ) B
dp/dx
0
Ora, em nosso modêlo de transístor admitimos uma distribuição linear

de lacunas na base e, portanto, as duas derivadas acima citadas são iguais.
o cálculo de B exige assim que levantemos essa restrição, adotando uma

melhor aproximação para a distribuição de lacunas.
Para isso, vamos introduzir, como nova variável, o excesso de concen
trações
( 5 . 34 ) P'b (X ) = Pb ( X ) - Poo
Como Poo não depende de x, o fator de transporte pode ser calculado

pela relação entre as derivadas do excesso de concentração nas duas bor
das da junção :
( 5 . 35 ) B
dp'b/dx j
X = 0
A distribuição de excesso de concentrações, em regime estacionário, j á

foi obtida n o capítulo anterior, determinando-se uma solução geral para a
equação de continuidade ( ver equação 4 . 44 ) :
( 5 . 36 )
A s constantes de integração e , e C2 determinam-se agora impondo as
( 5 . 37 )
{
seguintes condições de contorno :
p/ ( 0 ) = Pb ( O ) - Poo ( para x = 0 )
Pb1 ( W ) = - Poo ( para x = W )
Introduzindo estas condições n a equação anterior vem, após algumas
transformações,
p/ ( 0 ) e-w1r,, + Poo
2 sinh ( W/Lb )
( 5 . 38 )
�1 ( 0 ) e-w1i,, + Poo
2 sinh ( W/Lb )
Tomando a s derivadas d a equação ( 5 . 36 ) nos pontos convenientes,
obtemos
1
dp/ 1
-- = -- ( C, - C2 )
dx X = O 4
Introduzindo estes dois valores na expressão ( 5 . 35 ) resulta
C, eW/Lb - C2 e-Wfl;,
( 5 . 39 ) B =
C, - C2
Finalmente, substituindo aqui os valores das constantes e, e C2 , após
algumas passagens algébricas, obtemos o valor do fator de transporte:
Pb' ( 0 ) + Poo cosh ( W/Lb )
( 5 . 40 ) B =
�' ( 0 ) cosh ( W/4 ) + Poo
ÜS TRANSISTORES DE JUNÇÃO · 123
..,
Nos transistores práticos esta expressão pode ser aproximada por ou
tra mais simples; de fato, como a base é muito menor que os comprimen
tos de difusão de lacunas na base, teremos W « Lb. Por outro lado, se
a junção emissor-base está polarizada diretamente, vale p/ ( 0 ) » Pbo·
Nessas condições, a expressão 5 . 40 reduz-se a
( 5 . 41 )
!_ e� )z
ou, desenvolvendo a secante hiperbólica em série e restringindo-nos aos
termos lineares,
( 5 . 42 ) B :;;; 1 -
2 Lb
Portanto, se a base é muito estreita o fator de transporte é ligeira
mente inferior à unidade, como j á afirmamos. A título de exemplo, veri
fica-se que num transistor com largura de base W = 10 - 2mm e compri
mento de difusão L. = 0,25 mm o fator de transporte resulta B = 0,9992.
5 . 5 - Modêlos simples de transistores; curvas caracteristicas:
Nos parágrafos anteriores estabelecemos as equações que relacionan

as correntes terminais num transistor, examinando ainda, detalhadamente ,
a influência da constituição física do transistor sôbre os parâmetros dessas
equações
A partir dessas relações, podemos obter modelos a diodos simples para
os transistores.
Assim, para os transistores PNP valem, como já vimos, as relações
(5.1)
(5.6)
' ic = a. is + Ico
-
ic = � iB - lcEo
} Transistores PNP
Estas relações são satisfeitas pelos dois modêlos a diodos da fig. 5 . 9,

onde D, e De são diodos ideais.
PNP
e
o-��-Q--ó-�� .o--o -.
te
FIG . 5 . 9 - Modêlos a diodos ideais para transistores PNP.
Anàlogamente, no caso dos transistores NPN valem as relações

(5.8)
(5.9)
ic
ic
= - a. is + lco
� iB + lcEo
} Transistores NPN
..
Estas relações obviamente são satisfeitas pelos modelos da fig. 5 . 10.

NPN
13<8 rfcEo
<E e (8 8 e
;:: /.::'
....
E De te {ç
B E
fa) (b)
FIG . 5 . 10 - Modêlos a diodos ideais para transistores NPN.
Note-se que, uma vez estabelecidos os modêlos a díodos ideais acima

indicados, a análise de circuitos com transístores transforma·se num pro
blema de análise de circuitos a díodos ideais. As técnicas apresentadas no
capítulo 1 podem ser aplicadas.
Podemos agora construir as curvas características dos modêlos das
figs. 5 . 9 e 5 . 10; em ambos os casos, as características de entrada, isto é,
que relacionam a corrente de entrada com tensão entre os terminais de
entrada ( E-B ou B-E ) correspondem à característica de um diodo ideal,
isto é, se a corrente de entrada for diferente de zero a tensão de entrada
é nula.
Quanto às características de saída, há duas possibilidades : as que rela
cionam a corrente de coletor com a tensão Vce, chamadas características
de coletor com base comum, ou as que relacionam a corrente ic com a
tensão VcB, chamadas características de coletor com emissor comum. As
características de coletor com emissor comum referêntes aos modêlos das
figs. 5 . 9 e 5 . 10, b, estão representadas na fig. 5 . 1 1 ; compõem-se de semi
-retas horizontais, paramétricas em is.
,...� .
L----
°1J <o i------ � >o
1------ -<8°0 '-------: �'º
a) Transístor PNP b ) Transístor NPN

FIG . 5 . 11 - Características de coletor comuns dos modelos
a diodos ideais dos transistores PNP e NPN.
Para verificar a adequação dos modêlos estabelecidos, reproduzimos

na fig. 5 . 12 as características de entrada e de coletor, com emissor comum,
de um transístor PNP.
4
---- --<·a :80f<A
100
60flA
2
.---- 40JAA
20fA
o
a2 <% (V)
-z.- 0.2 0,4 46
FIG . 5 . 12 - Características de entrada e de coletor,
cm emissor comum, de um transístor PNP.
Como se verifica dessa figura, as características de entrada do tran

sístor real dependem da tensão entre coletor e emissor; as características
de coletor não são horizontais, de modo que variam lentamente com Vc•·
A região inicial destas curvas, correspondente aos pequenos Vc• também
se comporta de modo não previsto pelo nosso modêlo. Daí a necessidade
de investigarmos os fenômenos que causam estas peculiaridades.
5.6 - Outros efeitos nos transistores:
Vamos estudar aqui, de maneira sucinta, outros efeitos que ocorrem

nos transístores, com o intuito de obtermos modêlos mais completos.
a) Resistência intrínseca de base:

A corrente de base, constituída de portadores majoritários dessa re
gião do transístor ( eletrons, no transistor PNP ), percorre longitudinalmen
te a estreita região de base ( fig. 5 . 13, para um transístor planar ) .
�11f' ·Ii��{fl�,��t��1J-
CONTATOS
c
FIG . 5 . 13 - Corrente transversal de base.
A corrente de base é assim uma corrente de deriva, e a ela deve ser

associado um campo elétrico, também dirigido ao longo da base. Em con
sequência, a junção emissor-base não está submetida exatamente à mesma
diferença de potencial sôbre tôda a sua superfície. A queda de potencial
ao longo da base, necessária para estabelecer a corrente de base, é tal que a
região central da base ( à direita, na fig. ) se torna positiva em relação às suas
bordas. Em consequência, a tensão através da junção emissor-base, res
ponsável pela injeção de lacunas, é maior nas bordas do emissor que no
seu centro. Em consequência, a densidade de corrente que atravessa a

junção é maior nas regiões próximas ao contato da base, que na sua região
central. J!:ste efeito é sobretudo importante para correntes mais elevadas.
Para levar em conta com rigor os efeitos antes apontados seria ne
cessário introduzir nos modêlos de transístor uma resistência distribuida
ao longo da base; demonstra-se, no entanto, que é possível, dentro de um
intervalo razoável de correntes, representar êstes efeitos pela introdução
de uma resistência intrínseca de base, rb. Em transístores típicos tal re
sistência varia entre 50 a 250 ohms.
b) Queda de tensão emissor-base :
A característica de entrada dos transístores ( por exemplo, ver figura

5 . 12, a ) mostra que a tensão entre emissor e base depende não só da cor
rente de base como, ainda da tensão VcE· De fato, desde que a polarização
inversa da junção coletor-base ultrapasse alguns volts, a característica de
entrada só varia muito pouco com VcE · Esta queda de tensão pode ser
incluída nos modêlos das figuras ( 5 . 9 ) e ( 5 . 10 ) linearizando as caracte
rísticas de entrada, na região de saturação inversa, construindo um mo
dêlo e introduzindo-o em série com o fio do emissor. Pràticamente, é
(Ji8- JCEo
l
suficiente introduzir no modêlo um
�t---
l -<>---o
.J'
gerador de tensão constante E., com

E. igual a 0,2 V para transístores de
f
t
germânio ou 0,6 V para transístores �
de silício.
Introduzindo em nossos modêlos
a díodo a resistência intrínseca de i:Eo
base e a tensão entre emissor e base,
obtemos o modêlo da fig. 5 . 14 ( para FIG . 5 . 14 - Modêlo de transistor PNP incluindo
transístores PNP. a resistência transversal de base e a queda de
tensão do emissor-base.
c) Modulação de largura de base ( efeito Early ) :

A base de um transístor é determinada por duas camadas de carga
espacial como esquematizado na fig. 5 . 15; a largura W da base, muito
CC E I pequena, habitualmente é compará
vel com a. largura das camadas de
carga espacial. Mas a largura da
camada de carga espacial varia com
E e a tensão a que está submetida a
junção; estas variações de largura
são especialmente sensíveis na jun
ção do coletor, que está normal
mente submetida a uma tensão in-
FIG . 5 . 15 - Modulação de largura de base. versa relativamente elevada.
l..,. _
Assim, aumentando a tensão inversa na junção coletor-base aumenta
a largura da respectiva camada de carga espacial e, em conseqüência,
diminui a largura da base. Ora, uma diminuição da largura de base cor

responde a um aumento do fator de transporte ( eq. 5 . 42 ) , o que acarreta
um aumento (3. Explica-se assim a inclinação das curvas características
de coletor. A variação da largura de base modifica também um pouco
as condições na junção emissor-base, pelo que as características de entra
da variam um pouco com a tensão do coletor, como já discutimos ( ver
fig. 5 . 12,a ) .
Outro efeito d a modulação de largura d e base, resulta d a modificação
do número de portadores armazenados na base, quando muda sua largura.
li:ste efeito, que será examinado em detalhe mais tarde, representa-se nos
modêlos por uma capacitância entre coletor e base.
Finalmente, a modulação da largura de base pode causar perfuração
( punch-through ) da base. De fato, se aplicarmos uma tensão inversa su
ficiente à junção coletor-base a região de transição desta junção pode alar
gar-se até tocar a região de carga espacial da j unção emissor-base. O
transístor parece estar com um curto-circuito entre emissor e coletor; des
de que as limitações de potência ou aquecimento não sej am ultrapassadas,
a perfuração não danifica o transístor.
Normalmente os transístores são construidos de modo que a ruptura
Zener ou por avalanche da junção coletor-base, ocorre antes da perfuração.
Os efeitos das capacitâncias de armazenamento e das j unções serão
examinados mais tarde.
5.7 - Amplificação com transistores; análise gráfica:
Vamos agora utilizar os conhecimentos já adquiridos para examinar

a utilização dos transístores como amplificadores. Restringir-nos-emos a
situações quase-estacionárias, isto é, em que a variação temporal dos sinais
aplicados ao circuito é suficientemente lenta para que efeitos capacitivos
sejam desprezíveis.
O circuito de amplificação a transístores mais utilizado é aquêle de
signado por configuração de emissor comum, indicado esquemàticamente
na fig. 5 . 16, a. O sinal a ser amplificado é fornecido pelo gerador de cor
rente i1 = i1 ( t ) .
N a fig. 5 . 16, b traçamos, sôbre a s características d o coletor d o tran
sístor considerado, a reta de carga correspondente à resistência Rc. O pon
to quiescente Q do circuito será dado pela interseção desta reta com a
(u)
FIG . 5 . 16 - Amplificador de emissor comum.
característica correspondente à corrente de base Ie; esta é a corrente de

base quando fõr i1 = o.
A corrente Ie é imposta pelo circuito de polarização, constituido pela
resistência R, e a pilha E,. Vamos determinar seu valor.
Aplicando a 2 .ª lei de Kirchhoff ao circuito de entrada do transistor,
temos:
( 5 . 43 ) VeE = E1 - R , ( ie - i, )
ou
Fazendo i1 = O fica ie = Ie, corrente de polarização de base. Da equa

ção anterior obtemos então
( 5 . 44 )
Como j á sabemos, VeE é d a ordem de 0,2V nos transistores d e Ge ou
0,6 nos de silício.
Se fõr E, » VeE , a corrente de polarização obtém-se pela fórmula simples
( 5 . 45 )
A tensão VcE obtém-se fàcilmente aplicando a 2.ª lei de Kirchhoff à
malha de saída:
( 5 . 46 )
Como no caso dos amplificadores a triodos, a partir d a fig. 5 16, b, .
podemos construir a característica de transferência ic, ii. representada na

fig. 5 . 17. Verificamos aí as três regiões de operação do amplificador :
corte-região d e amplificação-saturação.
Convém notar aqui que, nos tran

sistores, a utilização das curvas ca
racterísticas tem muito menos in
terêsse que no caso das válvulas,
pelas seguintes razões : a ) a varia
bilidade das características em tran
sistores de um mesmo tipo é muito
Sofurociio
grande; b ) a temperatura modifica
de maneira importante as curvas
características, como veremos em ------��-;:;+-�-L��--�
IB o -
tj
detalhe mais tarde. FIG . 5 . 17 Regiões de operação do transistor.
-
A título de exemplo, vamos ainda examinar o mesmo circuito utili·

zando o modêlo a diodos da fig. 5.10, b. Nêste modêlo ainda desprezare
mos IcEo em face de �ie, o que é geralmente possível, ao menos em tem
peraturas da ordem da temperatura ambiente. Com estas observações,
o circuito do amplificador de emissor comum será substituido pelo mo
dêlo da fig. 5 . 18, a.
(o } (JJ)
FIG . 5 . 18 - Modêlo a diodos ideais de amplificador de emissor comum
e respectiva característica linearizada.
A característica de transferência linearizada, i0 = f ( i, ) obtem-se ime

diatamente determinando o ponto de corte, dado por
( 5 . 47 ) i, = - Ia
e o ponto quiescente Q, correspondente a i, = O.

Nêste ponto :
( 5 . 48 ) ic = lc = � la
A saturação ocorre para ic = E,/Rc.
A corrente i" abscissa do ponto de transição superior ( da região de
amplificação à de saturação ) determina-se fàcilmente a partir de :
Ez OU (i, + la ) R c = Ez
donde
( 5 . 49 ) ( E,/� Rc ) - Ia
Na região de amplificação temos

( 5 . 50 )
Desta expressão obtemos sem dificuldade o ganho incremental de

corrente :
( 5 . 51 )
l!:ste circuito é portanto capaz de fornecer um ganho de corrente elevado.

Para concluir êste exame preliminar dos amplificadores a transistor,
examinemos algumas relações de potência. Suponhamos, para isso, que o
sinal i, ( t ) é alternativo, isto é, i, ( t ) é uma função periódica com valor
médio nulo num período.
A potência instantânea fornecida pela bateria de coletor é
( 5 . 52 )
!_Jº T
onde i/ é a componente alternativa de ic.
A potência média fornecida pela bateria de coletor é pois
( 5 . 53 ) Pcc = Pcc dt = E2 lc ( watts )

T o
sendo T o período de ic.
A potência instantânea dissipada na resistência de carga Rc é
( 5 . 54 ) Pc = R c ic' = R c ( lc + i/ )2
!:_JT
A potência média na carga obtém-se integrando a expressão acima:
( 5 . 55 ) Pc = Pc dt
T o
Substituindo Pc por seu valor, efetuando a integração e considerando
que a integral de i/ num período é nula, pois a função é alternativa,
resulta
( 5 . 56 ) Pc = R c lc' + Rc l.l'
!:_f T
onde a corrente eficaz l.l é definida de
T
( 5 . 57 ) 1.12 = i/2 dt
o
Portanto, a potência média dissipada no coletor do transístor, que será

a diferênça entre P e Pc resulta
cc
( 5 . 58 ) P, = Pcc - Pc = E, lc - Rc lo' - R 1.12 ( watts )
Esta é a potência que aquece o transístor. Como vemos, esta po

tência é máxima ( pior condição ) na ausência de sinal, em que l.t se anula.
Nessa condição, a potência dissipada no transístor é
( 5 . 59 )
Para impedir que a temperatura d a junção ultrapasse o valor Pm.. es

pecificado pelo fabricante, deve
mos então obedecer à seguinte ic
desigualdade :
( 5 . 60 )
Como no caso dos triodos,

no plano ic, VcE esta relação exige
que o ponto quiescente Q se si
tue à esquerda da hipérbole VcE ·
ic = p como indicado na
max . o
fig. 5 . 19. FIG . 5 . 19 - Hipérbole de potência máxima.
5.8 - Modêlos incrementais dos transistores; modêlo 'lt - luõrido:
Como vimos ao estudar as válvulas, os modêlos incrementais, referen

tes apenas a variações de correntes ou tensões, podem ser obtidos dos mo
delos completos mediante supressão das componentes contúmas de tensão
ou de corrente. No caso dos transístores, se aplicarmos êste mesmo cri
tério aos modêlos j á estabelecidos não obteríamos precisão suficiente, pois
desprezamos a pequena variação de tensão emissor-base, bem como as va-
riações de tensão do coletor; tais variações são importantes na operação

dos transistores com sinais pequenos.
Alternativamente, nas válvulas obtivemos também os modêlos incremen
tais pela introdução de parâmetros convenientes, determinados diretamente
a partir das curvas características. l!:ste método também não é muito
adequado aos transistores, pois suas curvas características variam muito,
não só entre transistores de um mesmo tipo como, ainda, em função da
temperatura.
Assim, vamos adotar um outro critério para a determinação dos mo
delos incrementais dos transistores : procuraremos determiná-los a partir da
física do dispositivo, calculando os parâmetros mais importantes. Desse
modo obteremos inicialmente os modêlos 'lt híbridos, em duas aproxima
-
ções sucessivas. Em seguida, relacionaremos êstes modêlos com os modê

los mais utilizados, ou sej a : modêlos de parâmetros híbridos e modêlos de
parâmetros de admitância. Muitos outros modêlos são empregados pelos
fabricantes de transistores ou por seus utilizadores; as relações entre êstes
modêlos e os acima mencionados estabelecem-se sem dificuldade, impondo
se a equivalência entre os quadripolos respectivos.
Passemos então a estabelecer inicialmente o modêlo 'lt híbrido de
-
1.• ordem.
Usaremos consistentemente as seguintes regras para a notação de cor
rentes ou tensões :
a) letras maiúsculas representam grandezas independentes do tempo;
b) grandezas indicadas por letras minúsculas, afetadas de indices com

letras maiúsculas, representam valores instantâneos e totais de
correntes ou tensões;
c) grandezas indicadas por letras minúsculas, afetadas de índices com

letras minúsculas indicam incrementos de correntes e tensões, va
riáveis com o tempo.
Assim, indicando respectivamente por VEa, Ia e Ic os valores quiescentes

de tensão emissor-base, corrente de base e corrente de coletor, os valores
incrementais correspondentes serão indicados por :
l 5 . 61 )
Para estabelecer o modêlo 'lt híbrido suporemos um transistor PNP

-
satisfazendo às hipóteses assumidas no parágrafo 5 . 3, acrescidas das se

guintes :
a) a eficiência do emissor é pràticamente igual a 1, ou sej a, a cor

rente de eletrons injetados no emissor pela base é desprezível em
face da corrente de lacunas injetadas pelo emissor na base
U., » I., ) ;
b) o fator de transporte é pràticamente igual a 1 .

Nessas condições, e com a notação do parágrafo 5 . 3, é pràticamente

ic = ip1• P6 {l
Suponhamos agora que a
tensão emissor-base sofre um
acréscimo t::,. VEB ; em consequên
cia a distribuição de concentra
ção de portadores minoritários
na base modifica-se, como indi
cado na fig. 5 . 20. Admitiremos
ainda que essa variação é bas
tante lenta, de modo que a dis
tribuição de concentrações de
lacunas na base é sempre repre FIG . 5 . 20 - Distribuições de concentração de por
sentada por uma reta. tadores minoritários na base.
Como a concentração quiescente de portadores na borda da junção

emissor-base é dada por
( 5 . 62 ) Pb ( 0 ) = Pbc exp ---
kT
obtemos, por diferenciação,
q q
( 5 . 63 ) • Veb
kT kT
Anàlogamente, a variação da componente ip, da corrente através dessa
junção calcula-se de ( 5 . 15 ) :
q
( 5 . 64 )
kT
Mas, de acôrdo com nossas hipóteses,
( 5 . 65 ) ip , = + l lc j
Portanto, de ( 5 . 64 ) obtemos
q
( 5 . 66 ) - ic = I Ic l • Vob
kT
Definindo agora a transcondutância do transistor por
/'::,. ic
( 5 . 67 ) Ym � -
Í::,. VEB
resulta de ( 5 . 66 ) :
q
( 5 . 68 ) Ym = I Ic l
kT
kT
A temperatura ambiente = 0,025 V, de modo que
q
( 5 . 68' ) Ym � 40 I Ic l ( Ic em A, Ym em mhos ).
Finalmente, na configuração de emissor comum convém trocarmos a

variável v,b por vb,; como v,b - V1x, a equação ( 5 . 66 ) pode ser escrita
=
na forma
( 5 . 69 )
Examinemos agora a variação de corrente de base resultante da varia

ção de vEB · Esta variação pode ser decomposta em 3 componentes :
a ) a corrente estacionária iB sofre uma variação, que designaremos

por A iB,, que se calcula diferenciando ( 5 . 23 ) em relação a vEB:
( 5 . 70 )
-
Definindo a condutância g por
"
A iB1
( 5 . 71 ) g = =
1t
A VEB
resulta, da equação anterior,
g = Uni + ( 1 - B ) l.,] exp ---

1t
kT kT
Substituindo aqui ln1 por seu valor ( 5 . 1 1 ), 1., pela expressão ( 5 . 16 ) e
[qA !!:.._ e�)' ]

considerando que, de ( 5 . 42 ) resulta 1 B = -- ( W/L. >2, chegamos a
2
!_
Db q
Lb
g = n.,, + · qA Pbo exp
-[ e )
" L. 2 W kT kT
Esta expressão pode ser ainda escrita na forma
J
1
e qA -- )
g D, W n.,, W '
( 5 . 72 ) ·
Lb
-- - + - -
" L. Db Pbo 2
Db q VEB q
pbo exp -- -
W kT kT
O colchete na expressão acima é um parâmetro adimensional que de·
e )
pende sàmente da construção do transistor, e será designado por ô :
D, W n,,., 1 W '
( 5 . 73 ) ô - -- - + - -
L, Db pbo 2 Lb
e representa dois "defeitos" do transistor que causam a corrente da base :
recombinação na base e injeção de portadores minoritários no emissor.
O parêntesis na expressão ( 5 . 72 ) é a corrente i.1 ( ver eq. 5 . 14); dentro

de nossas aproximações, i., � IE � I Ic l · Portanto g fica
1t
1 Ic j
q
( 5 . 74 )
kT
ou, à vista de ( 5 . 68 ) ,
( 5 . 75 )
b ) o acresc1mo v,b, aumentando as conci:intrações de lacunas na base,

como indicado na figura 5 . 20, aumenta a carga positiva nela acumulada.
Para manter a neutralidade, os portadores majoritários da base devem
sofrer um aumento correspondente. Resulta assim uma componente de
corrente de base transitória, 6 iB, , que fornece êsses eletrons :
( 5 . 76 )
dt
onde Cb tem as dimensões de uma capacitância, que pode ser calculada a
partir de
( 5 . 77 )
/::,. VEB
sendo 6 qB a variação da carga armazenada na base. Ora, da figura 5 . 20

vemos que
1
/::,. QB = 6 pb ( 0 ) · W · qA
2
ou à vista de ( 5 . 63 ) :
1 q
( 5 . 78 ) -- qA w . Pb (O) . 6 VEB
2 kT
Considerando que
w
( 5 . 79 ) Pb ( 0 ) = J Ic J ·
obtemos
W' q
( 5 . 80 ) · -- I Ic l
6 VEB 2 Db kT
ou, finalmente, considerando ( 5 . 68 ) ,
W'
( 5 . 81 ) cb = 9m --
2 Db
c ) a terceira componente da corrente incremental de base é também
uma componente transitória, que carrega a capacitância C;, da junção emis
sor-base :
( 5 . 82 ) - 6 iB3 = C;, ---
dt
Portanto, o incremento total da corrente de base será a soma de ( 5 . 70 ) ,

( 5 . 76 ) e ( 5 . 82 ) :
d v,b
( 5 . 83 ) - /:::,. iB = ib-g v,b + ( Cb + C;, )
TC dt
ou trocando v,b por - VbCJ
d vbo
( 5 . 84 ) ib = g vbo + ( Cb + C;, )
TC dt
As relações ( 5 . 69 ) e ( 5 . 84 ) definem o modêlo incremental da fig. 5 . 21,
onde indicamos ainda
( 5 . 85 )
J'!:ste é o modêlo 7t híbrido de 1 .' ordem e seus parâmetros são

-
calculáveis, ao menos em princípio, para um dado transistor.

o .
�--<> --- .:'.e
FIG . 5 . 21 - Modêlo 7t·híbrido de 1.• ordem.
Nêste modêlo não consideramos os efeitos de modulação de largura

de base nem a resistência intrínseca de base; vamos, em seguida, intro
duzi-los no modêlo 7t híbrido de 2.ª ordem.
-
Como já vimos dando um incremento t::,. VcB à tensão entre coletor e

base, a largura da base varia de um certo t::,. W. Em consequência, a dis
tribuição de concentração de portadores minoritários na base varia como
indicado na fig. 5 . 22 ( sempre mantendo a hipótese de distribuição linear
de concentrações ).
Em consequência da modificação de concentrações :
a) varia a corrente de coletor,
que depende da derivada de
e
Pb ( x ) ;
lf,(o) b) modifica-se a corrente de
base que alimenta a recom
binação, pois aumentou a
concentração de lacuna;
c) a modificação da carga de
portadores maj oritários na
��O:+-��-r��-+-�---��• X
base, para manter a neutra
IW 1 lidade, fornece uma com
__.,'3 w 14---- ponente t r a n s i t ó r i a de
FIG . 5 . 22 - Variação da largura de base.
corrente;
d) também modificam-se as cargas armazenadas na junção coletor

-base, o que acarreta outra componente transitória de corrente.
Os três primeiros efeitos são levados em conta introduzindo-se no

modêlo as condutâncias g. e g e a capacitância Cd , proporcionais a I Ic l
µ
e portanto a gm. O cálculo dêstes parâmetros se faz de maneira análoga
aos anteriores ( ver, por exemplo, Gray, De Witt, Boothroyd e Gibbons,
"Physical Electronics and Circuit Models of Transistores", SEEC vol. 2,
Willey 1964), obtendo-se
( 5 . 86 )
=
onde TJ , fator d e modulação d e largura d e base, é dado por
kT 1 dW
( 5 . 87 )
= � C : )·
'lJ
q w dVcs
( 5 . 88 ) õb
Como o fator de modulação de largura de base é muito pequeno ( 10-3

a 10-s, nas condições normais de operação ), êstes parâmetros também são
pequenos e seus efeitos só são importantes quando o ganho do amplifi
cador é da ordem de 1 /TJ.
O 4.º efeito leva-se em conta adicionando uma capacitância Cic em pa

ralelo com Cd. Indicaremos por C a soma destas duas capacitâncias :
µ
( 5 . 89 ) C = Cd + C;c
µ
Finalmente, a resistência intrínseca de base é introduzida nêste mo

dêlo através da resistência r,. Em consequência, a tensão na região ativa
da base modifica-se, de modo que o gerador de corrente do modêlo de 1 .ª
ordem passa a ser vinculado à tensão vb ,.. Na fig. 5 . 23 indicamos o mo
dêlo 1t lnõrido de 2.ª ordem, com os elementos acima considerados.
-
, - - - H·:-· - - - - - - ç- - 1
1 �e � •
rtJ
h1 [Joc. ó ' e
!,.,,
?t1 <7mWe 7o
FIG . 5 . 23 - Modêlo 1t ·híbrido de 2.• ordem.

Na tabela abaixo indicamos os valores típicos dêstes parâmetros em

transistores de Ge e de Si. Nesta mesma tabela apresentamos também
a notação clássica, com duplo índice, para estes parâmetros.
Parâmetro Transist. de Ge Transist. de Si
e = cb'c 10,5 pf 6 pf
µ
1
r rb" 1320 n 150 n
g 1t
1t
Ym 39 mA/V Uc = lmA) 400 mA/V Uc = lOm )
1
-- = ro r..
67 Kohms 17 Kohms
Yo
e = Cb '• 1000 pF 200 pF
1t
1
r = rb'c > 2 Mohms 1 Mohm
g µ
µ
1
r, rbb' 75 ohms 100 ohms
g,
5.9 - Outros modêlos incrementais:
De um modo geral, os modêlos incrementais de transístores podem

ser obtidos considerando-os como quadripolos lineares ( fig. 5 . 24 ) . O es-
tado elétrico do quadripolo li
T t-----� 4-
ocj J 2 <2
near é fixado por quatro variá --6- ---------l
veis, como indicado na figura.
As variáveis com índice 1
são normalmente as variáveis de
entrada correspondendo ao lado
em que se aplica o sinal. As va
riáveis com índice 2 são variá
FIG . 5 . 24 O transistor como quadrípolo.
veis de saída. -
Destas quatro variáveis somente duas são independentes, pois entre

elas subsistem 2 relações funcionais ( por exemplo, as curvas caracterís
ticas de entrada e saída, no caso dos transístores ) .
O número d e modêlos possíveis é assim bastante elevado pois: a ) po
demos tomar duas quaisquer das quatro variáveis como variáveis indepen
dentes; b ) o transístor poderá ser utilizado nas três configurações indicadas
na fig. 5 . 25 e designadas respectivamente por : configuração de emissor
comum, de base comum e de coletor comum.
e e
e
e e
a) emissor comum b) base comt/m e} coletor comum

FIG . 5 . 25 - Configurações do transistor.
Limitar-nos-emos aqui a estabelecer o modêlo de parâmetros hibridos

( h ) , na configuração de emissor comum, relacionando-o com o modêlo
1C - lúbrido. Com isso ilustraremos o método de obtenção dos modelos;
mais informações a respeito, bem como as fórmulas de conversão entre
modêlos podem ser encontradas na literatura ( ver, por exemplo, L. P.
HUNTER "Handbook of Semiconductor Eletronics", cap. 11 e 18, 2.ª ed.,
McGraw-Hill, 1962 ) . Vamos também restringir-nos ao caso estacionário, em
que os parâmetros são reais.
Para obter os parâmetros lúbridos adotamos a corrente de entrada i,
e a tensão de saída v, como variáveis independentes. Como o quadripolo
é suposto linear, as outras duas variáveis se exprimem linearmente em
{
função destas :
V1 = hu i , + h12 V2
( 5 . 90 )
i, = h21 i, + h22 v,
É facil verificar que estas equações são satisfeitas pelo modêlo da fig.
5 . 26, a. Note-se que hu tem as dimensões de uma resistência, h12 e h" são
adimensionais e h22 tem as dimensões de uma condutância.
� �2 �.6 c.:Ç
fi11 li1e
z;- 12 � "1 ?/'

21 I nzz Vi �e �e're � <6 4e Zfe
(o ) (b )
FIG . 5 . 26 - Modêlo híbrido de transistor em emissor comnm.
No caso dos transistores estes 4 parâmetros são habitualmente indi

cados por h,, h,, h1 e hº, adicionados de um segundo índice, e, b ou e, con
forme tenhamos configuração de emissor comum, base comum ou coletor
comum. Na fig. 5 . 26, b, indicamos, com esta notação, o modêlo híbridó
{ �be
de um transistor em emissor comum. Temos assim as relações :
( 5 . 91 )
= h ,, �b + hn V00
Z, = h 1o Zb + hoo V00
Os parâmetros lúbridos podem ser medidos diretamente com relativa

facilidade, sendo comumente fornecidos pelos fabricantes dos transístores.
No caso estacionário, estes parâmetros podem também ser obtidos das

características de emissor comum do transistor ( fig. 5 . 27 ) :
PNP _ .{B
o
- ZBE (b )
(O)
FIG . 5 . 27 - Características de emissor comum de um
transístor PNP.
{� �
De fato estas curvas fornecem-nos as funções
BE = f 1 ( B , VCE )
( 5 . 92 )
lc = f, ( is , VcE )
Nestas expressões usamos índices maiúsculos, significando assim valo

res totais das variáveis.
Desenvolvendo estas expressões em serie de Taylor em tôrno de um
ponto quiescente Ua, Ic, Va E , VC E ) e restringindo-nos aos termos lineares da
expressão, obtemos :
a !1
r
a !1
6 VnE 6 'Ía + • !:!, VcE
1
a is a VcE
( 5 . 93 ) a f,
a f,
6 Íc · !:!, is + !:!, VcE
a is a VcE
Comparando estas expressões com ( 5 . 91 ) obtemos os valores dos parâ-
1 1
metros híbridos :
a Va E a VaE
1
h ie = hrc
a is VcE cte VCE a VcE is cte 1.
( 5 . 94 ) a ic
a ic 1
h ro =
a is
11 VcE = cte = VcE
h o<
a VcE
is = cte = la
parâmetros
Estas expressões indicam-nos a maneira de obter os vários
caracter ísticas e j ustificam as designaç ões dos parâmet ros "h" :
das curvas
curto
h,, resistência de entrada em emissor comum, com saída em
-circuito; _
em
h" ganho de tensão inverso em emissor comum, com a entrada
circuito aberto;
h ee ganho de corrente direto em emissor comum, com a saída em
curto-circuito;
hoc condutância de saída de emissor comum, com a entrada em
aberto.
140 ELETRÔNICA - L. Q. Ül\SIN I
Passemos agora a estabelecer as relações de equivalência entre êste

modêlo e o modêlo 1t - híbrido. Consideraremos êste modêlo sem as ca
pacitâncias, como indicado nn fl g . 5 . 28, pois limitamo-nos aqui ao caso
estacionário. Desprezaremos também a resistência intrínseca de base, que
em geral é muito menor que r .
1t
FIG . 5 . 28 - Modêlo 1t·híbrido em regime �ionário.
f"lÍ " � .. :
Do modêlo da fig. 5 . 28, obtemos fàcilmente as relações
'· + :
c Íb ( )
., •• ., v.
( 5 . 95 )
Ym - g Ym - g
µ + µ g +
=
Yo + g • Vcc
g + g g + g µ µ
1t µ 1t µ
A comparação destas equações com ( 5 . 91 ) fornece as relações de equi

valência desejadas. Considerando que normalmente temos Ym » g , g. » g
µ µ
e g » g as relações de equivalência simplificam-se para
1t µ
1 Ym
h,. r hrc =
g1t 1t g
1t
( 5 . 96 )
g
µ
h,c hoc = g.
g
7t
Costuma-se também índicar o parâmetro hrc por �.; introduzindo ainda

r
1t
= 1 /g , da 2.ª das relações ( 5 . 96 ) , obtemos a relação útil
1t
( 5 . 97 ) �. = r . g.,.
1t
Finalmente, para completar o estudo, indicamos na fig. 5 . 29 os modê

los T dos transístores, nas configurações de emissor comum e de base
comum.
"e
a ) base comum b) emissor comum

FIG . 5 . 29 - Modêlos T dos translstores.
Verifica-se sem dificuldade que entre os parâmetros destes dois modê
{
los subsistem as relações
Td = (1 - a., ) Te
( 5 . 98 )
�. = a./( 1 - a. )
A s relações entre os parâmetros T e m emissor comum e os parâmetros
hlõridos são as seguintes :
( 5 . 99 )
f h,. = r b + ( 1 + �.)r. ; h,. = r./( r. + rd )
l hr. = �. ; h.. = 1/( r. + rd )
5 . 10 - Análise incremental das configurações básicas dos amplificadores

a transistor:
Como já vimos, há três configurações básicas de amplificadores tran

sistorizados : emissor comum, base comum e coletor comum. Vamos fazer
agora, a análise incremental destas configurações, ainda em frequências
suficientemente baixas para que os efeitos capacitivos possam ser despre
zados, com o intuito de comparar suas principais propriedades.
a) amplificador de emissor comum:

Suponhamos que o amplificador é excitado por um gerador de corrente
e que a condutância de carga GL é ligada ao coletor do transístor. Subs
tituindo o transístor por seu modêlo híbrido a emissor comum, obtemos
o circuito incremental da fig. 5 . 30.
t6 b �le
�e +
·is • 1.e tt
e
FIG . 5 . 30 - Modêlo híbrido de amplificador a emissor comum.
{ �be
Dêste modêlo obtemos as relações :
= h,, �b + h" Voo

( 5 . 100 )
?e = h1o ?b + h.. Voo
{
Tipicamente, para um transistor de germânio de pequena potência, os
parâmetros híbridos têm os seguintes valores :
h,, = 2000 ohms ; hr. = 50

h,, = 5 x 10-• ; 1 /h.. = 50 K ohms
É importante conhecer estas ordens de grandeza para obter expressões

simples.
Considerando que Voo = - i,/GL, a segunda das relações do modêlo
fornece
i.
i, = hr. ib - ( h.. + GL) -
GL
e o ganho incremental de corrente G, resulta
( 5 . 101 )
Se fôr GL » h.. , a equação acima simplifica-se para
( 5 . 102 )
Portanto o máximo ganho de corrente ocorre quando a saída estiver

em curto-circuito, e é igual a h1o ( ou �º ) .
Calculemos agora a resistência incremental d e entrada d o amplificador :
Mas, d a l .' das equações ( 5 . 100 ) vem
Dividindo ambos os membros por ib e substituindo G, por seu valor

( 5 . 101 ) obtemos
( 5 . 103
Note-se que habitualmente h" é muito pequeno de modo que a resis

tência de entrada pode ser aproximada por h, •.
O ganho incremental de tensão dêste circuito é definido por

( 5 . 104 )
ou
G, = - GJ( GL Rin )
Substituindo G, e Rin por seus valores, obtemos finalmente
1
( 5 . 105 ) G, = -
Pràticamente, a segunda fração desta expressão é igual a 1 /h;c e, nos

circuitos habituais, hoc é desprezível em face de GL. O ganho de tensão
pode assim ser aproximado por
( 5 . 106 ) Gv = - hrc/ ( h;, · GL )
Portanto, se a resistência de entrada fôr menor que a resistência de
carga, êste amplificador terá um ganho de tensão considerável.
Passemos agora à determinação da resistência incremental de saída R.
dêste amplificador. Como esta resistência vai depender do que está ligado
à entrada do amplificador, vamos completar o modêlo da fig. 5 . 30 com
a resistência R, ( ver fig. 5 . 31 ), que corresponde à combinação em para
lelo da resistência interna do gerador de sinais com as resistências de po
larização ( que serão discutidas logo mais ) .
�----<>--<> .._ íc
FIG . 5 . 31 - Modêlo para o cálculo da resistência de saída

do amplificador de emissor comum.
Para determinar R0 , vamos inativar o gerador de corrente, fazendo

i, = O, e aplicar a tensão v" à saída do circuito. Teremos então :
( 5 . 107 )
Pela lei de Kirchhoff aplicada ao nó de saída,

i, = ( h., + hk ) ib
com
---- · Vce
h;c + Rs
Substituindo êste valor na equação anterior e rearranj ando a expressão
obtemos
V,c 1
( 5 . 108 ) R. =
Í, hoc - h1c h"/ C Rs + h;c )
Normalmente a resistência d e saída será pràticamente igual a 1 /h.,.
Em resumo, a configuração de emissor comum tem as seguintes pro-
priedades :
- ganho de corrente elevado ;
- ganho de tensão elevado;
- resistência de entrada média;
- resistência de saída alta.
Em consequência das duas primeiras propriedades, êste circuito terá

um ganho de potência elevada.
b) amplificador de base comum:

Para examinar as propriedades da configuração de base comum usa·
remos ainda os parâmetros híbridos, mas agora com um índice b; o modêlo
incremental é semelhante ao do circuito anterior ( ver fig. 5 . 32 ) , mas os
valores dos parâmetros são muito diversos. Tipicamente, sempre para
{
transistores de germânio e pequena potência teremos
h1& ::::: 50 ohms hfb = - a. = - 0,98

h,& ::::: 4 X lo-• 1 /h.& ::::: 1 Megohm
e -'e
�e 1.b�b 11.ob
b 6
FIG . 5 . 32 - Modêlo híbrido de amplificador a base comum.
Os ganhos de tensão e corrente, bem como as resistências de entrada

e saída exprimem-se por relações análogas às do circuito de emissor co
mum, apenas com as mudanças de símbolos indicados na fig. 5 . 32. Apenas
as aproximações serão diferentes, à vista dos novos valores dos parâme
tros. Assim, temos :
- ganho de corrente:
i,
( 5 . 109 ) = hrb GL/( GL + h.& )
G, "" -- - 1
i.
- resistência de entrada:
V,&
( 5 . 1 10 ) R, = -- = h,b - h,b hfb/ ( h.b + Gc )
i.
- ganho de tensão:
Vcb
( 5 . 111 ) G. = --
v.b
- resistência de saída:
1
( 5 . 1 12 )
Em consequência, as propriedades de um amplificador de base comum

típico são as seguintes :
- ganho de corrente igual a 1; -
- ganho d e tensão elevado;

- resistência de entrada baixa;
- resistência de saída elevada.
O ganho de potência é em geral menor que no circuito do emissor
comum.
c) amplificador de coletor comum:

Para o estudo do amplificador de coletor comum, o modêlo híbrido
não é conveniente pois, ao contrário do que sucedia nas outras duas con
figurações, o parâmetro h, não é desprezível; assim sendo, vamos utilizar
o modêlo T da fig. 5 . 29, b, cuj os parâmetros têm as seguintes ordens de
{
grandeza, sempre para transistores de germânio de pequena potência :
rb = 500 ohms �. = 50
r, = 25 ohms rd = 50 Kohms
O modêlo incremental do amplificador de coletor comum fica então
J� A�
com o aspecto indicado na fig. 5 . 33, a.
r.,
b <i, e �
RL is Rs 2'éc RL
e e
(a) (b }
FIG . 5 . 33 - Modêlo de amplificador de coletor comum.
Nas aplicações habituais do circuito de coletor comum é RL « rd; con

siderando ainda que r, « rd, o circuito pode ser simplificado como se in
dica na fig. 5 . 33, b.
A partir dêste circuito o ganho incremental de corrente do amplifica
dor de coletor comum calcula-se fàcilmente. De fato, aplicando a l .ª lei
de Kirchhoff ao nó b',
i, = ( �. + 1 ) ib
ib
-
e, portanto,
i,
( 5 . 113 ) G, = - = - ( �. + 1 ) = - �.
Para calcular a resistência de entrada partimos da equação da 2.ª lei

de Kirchhoff, aplicada à malha externa do circuito da fig. 5 . 33, b :
Substituindo i. por G, ib = ( a. + 1 ) ib e dividindo tudo por ib vem

Vbc
( 5 . 114) R,. = -- = rb + ( r. + Rc) ( 1 + a.)
ib
O ganho de tensão determina-se notando que
Vbc
V.,. = - Râ. = - RLGi ib = RL ( ªº + 1 ) -
R in
Dividindo ambos os membros por vbc e substituindo R,. por seu valor
( 5 . 1 14 ), resulta para o ganho de tensão :
V.,.
( 5 . 1 15 ) Gv = -- = ------ "" 1
vbc rb + ( r. + RL ) ( 1 + a. )
Para calcular a resistência d e saída inativamos o gerador d e sinal e
aplicamos uma tensão v"' à saída do amplificador. Em conseqüência
V.,. = r. i. - ( rb + Rs ) ib = r. i. - ( Rs + rb )ie/G,
Substituindo G, por seu valor ( 5 . 1 1 3 ) e dividindo por i. vem
v.. rb + Rs
( 5 . 116) R. = -- = r. + ----
i. 1 + ªº
Resumindo, o circuito de coletor comum apresenta um ganho de ten
são pràticamente igual a um e um ganho de corrente pràticamente igual
a - a.. Sua utilidade decorre do fato de apresentar uma resistência de
entrada elevada e uma resistência de saída baixa.
5 . 11 - Polarização e estabilização do ponto quiescente dos transistores:
A polarização dos transistores têm por objetivo fixar o ponto quies

cente Q ( i.é, o ponto de operação na ausência do sinal ) na região linear
das características; o circuito de polarização deve ainda prever a estabili
zação do ponto quiescente, isto é, êste ponto não deve sair da região linear
embora, eventualmente, variem a. VEe e Ico. Estas variações podem decor
rer de mudança da temperatura do transistor ou da variabilidade de ca
racterística de transistores do mesmo tipo.
Além de estar na região linear das características, o ponto quiescente
deve ainda cair na região de alta confiabilidade, ou região segura. Nas
características de coletor essa região é bàsicamente delimitada pela hi
pérbole de máxima potência do coletor, pela linha de saturação e pela
vertical passando pela tensão de ruptura do coletor, com I. O, habi
tualmente designada por B VcEO ( ver fig. 5 . 34 ) .
Basicamente, o circuito d e polarização tem duas funções : a ) mantém
o transistor na região linear de operação, isto é, evita que o ponto quies
cente venha a se aproximar demasiado da região de saturação ou da região
de corte; b ) controla a potência dissipada pelo coletor, mantendo-a abaixo
do máximo permissível. Estas funções devem ser asseguradas em presen
ça de variações de temperatura ou de variações das características do
transístor, ou ambas.
.<:{; � Sa�<m::rt:aõ
I 1
t 1
I
FIG . 5 . 34 - Região permissível nas características

de coletor.
As variações das características dos transístores com a temperatura são

especialmente importantes. Na fig. 5 . 35 indicamos um exemplo típico de
variação das características de entrada e de coletor de um transístor de
Ge, quando a temperatura ambiente passa de 25º a 75ºC. Na fig. 5 . 36
reproduzimos as mesmas características para um transístor de Si típico.
- .ÍB - lc 25ºC
- az v
-tÉ=IOOfi A
o,imA 5mA
75
50
25
oµA
-7/éE
0, 2 V - t'flE .3 V
(a} (f; )
75°C
-1féo 0. 2 . -tÉJ=25f'A
EmA
Of!A
-25fA
-50f A
'
3V - -icE
{e ) (d}
FIG . 5 . 35 - Variação das características de um transístor de Ge.
25ºC
smA
tb=8?1A
0,6m4
60
40
20
o
o
0,6 11 �E
(a) (fJ)
1 05ºC
t8=40;«A
2 0f'A
o
o o
2'éE
(e) ( d)
FIG . 5 . 36 - Variação das características de um transístor de Si.
O exame destas características mostra que a fixação de Ia não é in

teressante para a estabilização do ponto quiescente; assim, por exemplo,
na fig. 5 . 35, b e d, verifica-se que, para uma dada reta de carga, o ponto
Q passa da região linear à região de saturação, quando a temperatura passa
-de 25º a 75ºC.
Na fig. 5 . 36 verificamos que nos transistores da Si habitualmente pre
domina a variação de f3 com a temperatura, ao passo que nos de Ge pre
domina a variação de I,.,.
Em primeira aproximação os efeitos da temperatura ( exceto na va
riação de f3 ) podem ser estimados pelas seguintes regras práticas, válidas
·em tomo da temperatura ambiente:
a ) a corrente de saturação inversa Ioo dobra a cada lO°C para os
transistores de Ge e a cada 7ºC para os transistores de Si;
b ) o módulo de VEs cai cêrca de 2,5 mV para cada grau centígrado, quer
nos transistores de Ge, quer nos de Si.
A limitação da potência dissipada no coletor visa impedir que a tem
peratura da junção do coletor ultrapasse o valor máximo especificado pelo
fabricante ( habitualmente de 85 a 105ºC para o germânio e de 150 a 250ºC
para o silício ) . A diferença t:,.T entre a temperatura da junção, T1 e a
temperatura ambiente, TA, pode ser considerada proporcional à potência

dissipada no coletor :
< 5 . 117) !:,. T T; - T A = e,A . Pc
= ( ºC )
onde a constante e,A, definida por

( 5 . 118 ) ( ºC/W )
é a resistência térmica total do transistor, em sua montagem.

No caso de transistores montados sôbre superfícies irradiadoras a re
sistência térmica total é a igual à soma das resistências térmicas parciais.
Assim, no caso da montagem esquematizada da fíg. 5 . 37, temos a consi
derar as seguintes resistências térmicas :
0,c resistência térmica da junção à caixa;
Ses
=
resistência térmica da caixa ao radiador;

8sA
=
resistência térmica do radiador ao ambiente.

=
e a resistência térmica total será:

( 5 . 119 )
radiador
"'
FIG . 5 . 37 - Montagem de um transistor de potência

sôbre um radiador.
Com o aumento da temperatura o ponto quiescente poderá apenas se

aproximar das regiões não lineares, causando um aumento da distorção do
amplificador; êste caso ocorre quando a reta de carga não intercepta, no
plano das características de coletor, a hipérbole de potência máxima, a
uma dada temperatura ambiente ( fig. 5 . 38, a ) . Se, ao contrário, a reta
de carga intercepta a hipérbole de potência máxima ( fig. 5 . 38, b ), o ponto
Q pode passar à região proibida, ocasionando a destruição do transistor,
por "disparo térmico" ( thermal runaway ) .
Yce
(a ) (b)
FIG . 5 . 38 - Possíveis relações entre a reta de carga e a
hipérbole de potência máxima.
]'.;ste fenômeno é especialmente importante nos amplificadores de po

tência, em que a carga estacionária do transistor é constituida apenas
pela resistência dos fios do primário de um transformador de acoplamento.
5 . 12 - Polarização automática ou de emissor:

Da discussão precedente verifica-se que a melhor alternativa para es
tabilizar o ponto quiescente consiste em fixar a corrente de emissor, com
o que pràticamente se estabiliza a corrente de coletor. Esta estabilização
pode ser obtida com o chamado circuito de polarização automática ou
de emissor, indicado na fig. 5 . 39, a. Limitar-nos-emos aqui tão somente
ao exame dêste circuito, por ser o mais empregado. A figura refere-se
a um transistor NPN; para o transistor PNP devemos inverter a polari
dade das baterias.
Ecc
R1
f-o
o--J
�
Rz Re Eb
{a)
FIG . 5 . 39 - Circuito de polarização de emissor e sua simplificação.
Para analisar êste circuito, preliminarmente transformamos o circuito

constituido pelo gerador de tensão E,., R, e R,, entre os terminais de base
e terra, pelo gerador de Thévenin equivalente, como indicado na fig. 5 . 39, b.
Verifica-se facilmente que
{
R,
Eb = ----
( 5 . 120 )
R1 + R,
Prosseguindo com a análise, substituiremos o transístor pelo modêlo
linearizado da fig. 5.10, b, substituindo os diodos por curto-circuitos ou
circuitos abertos, chegando assim ao modêlo da fig. 5 . 40, a. No caso de
transi.s · -es de potência poderá ser necessário incluir no modêlo a resis
tência de base, rb ( fig. 5 . 40, b ).
EbI�
e
Rc
��---<:>--��--'J-
.=.. Ecc
'--��---<>-��__,
(a) {b)
FIG . 5 . 40 - Modêlos para o estudo da polarização de �.nissor.
Vamos determinar a corrente quiescente de coletor Ic, usando o mo

dêlo da fig. 5 . 40, b. Aplicando a 2.ª lei de Kirchhoff à malha da base, vem
( 5 . 121 )
Mas
Ic - IcEo
( 5 . 122 ) Ic = {3 Is + IcEo :. Is =
Entrando com o valor de Is em ( 5 . 121 ) e resolvendo em relação a Ic

obtemos
( 5 . 123 ) Ic = ------ (Eb - E. ) + ------ IcEo

Rb + ( 1 + {3 ) R,
A temperatura ambiente, normalmente a 2.ª parcela será desprezível
em relação à primeira, de modo que
( 5 . 124 ) Ic =
Rb + ( 1 + {3 ) R,
A tensão quiescente entre coletor e emissor, VcE, calcula-se aplicando
a 2.ª lei de Kirchhoff à malha do coletor:
R, ( JB + Ic ) + Rc Ic + VcE Ecc
ou
( 5 . 125 ) R, IB + ( R, + Rc) Ic + VcE = Ecc
A primeira parcela desta expressão é desprezível em relação às demais,

de modo que resulta
( 5 . 126 )
Se eventualmente a queda de tensão R, IB não fôr desprezível, elimi

namos IB de ( 5 . 125 ) com a ajuda de ( 5 . 122 ) ; resolvendo em relação a VcE
-[ : )] :·
obtemos a expressão exata
( 5 . 127 ) VcE = E" R , + R, ( 1 + Ic + Ic•o
As expressões acima foram deduzidas para um transistor NPN. Pode

rão ser utilizadas para um transistor PNP, desde que E., Eb e lcE assumam
valores negativos.
Examinemos agora a estabilidade do ponto quiescente.
Para isso, vamos diferenciar ( 5 . 123 ) em relação a IcEo:
( 5 . 128 ) · b. IcEo
Mas !::, IcEo = ( � + 1 ) !::, Ico , de modo que
Rb + Rc
( 5 . 129 ) 6 Ic = ------ (1 + �) · 6 Ico
Rb + ( 1 + � ) Rc
Para comparar os vários circuitos de polarização, costuma-se definir
o fator de estabilização de corrente, S, pela relação entre 6 Ic e 6 Ico.
Portanto, pela equação anterior,
6 Ic
( 5 . 130 ) s = --- ------- (1 + �)
6 Ico fü + ( 1 + � ) Rc
Pondo esta expressão sob outra forma,

1 + Rc/Rb
( 5 . 131 ) s = (1 + �)
1 + ( 1 + � ) Rc/Rb
Uma boa estabilização exige S pequeno; pràticamente é difícil obter
S inferior a 5.
Para determinar a influência da variação de Eº vamos derivar ( 5 . 123 )
em relação a Eº ; passando a acréscimos finitos obtemos
- �
( 5 . 132 )
6 Eo Rb + ( 1 + � ) R,
ou, introduzindo o fator de estabilização S e notando que � + 1 == �
6 Ic s
( 5 . 133 )
Considerando variações concomitantes de I'° e Eº' de ( 5 . 129 ) e ( 5 . 133 )

teremos a variação total de Ic :
s
( 5 . 134 ) 6 Ic = S • 6 Ico
Rb + R,
Nos casos práticos, habitualmente um destes dois termos será domi
nante.
Passemos agora a examinar os efeitos da variação de �. :t!:ste efeito
é muito importante, pois os valores de � para transistores do mesmo tipo
podem fàcilmente variar na relação de 1 a 6. Admitamos então dois va
lores � 1 e �" com �2 > �1· Supondo desprezível o efeito de IcEo, as corren
tes do coletor correspondentes aos dois valores de � calculam-se por ( 5 . 124 ) :
�2
( 5 . 135 ) Ic1 = ------- ( Eh - Eo ) ; [cz = ------- ( Eb - Eo )
Rb + ( 1 + �, ) Rc Rb + ( 1 + �, ) R,
Fazendo a relação destas correntes,
Rb + ( 1 + �1) R,
Rb + ( 1 + �, ) Rc
Subtraindo a unidade de ambos os membros desta equação, rearran

jando os termos e fazendo
r
/:::,. lc = lei - lei
/:::,. p p, - p ,
-<!:
=
Rb + R.
s, ---- (1 + p, )
Rb + ( 1 + p, ) R.
obtemos
/:::,. Ic s,
( 5 . 136 )
1 + p,
Finalmente, a variação de VcE com lc obtém-se diferenciando ( 5 . 127 )
ou sua aproximação ( 5 . 126 ) . Nêste último caso,
( 5 . 137 ) /:::,. VCE - ( Rc + R, ) • /:::,. 10 = - ( Rc + R, ) S • /:::,. lco
se a variação de lco for a mais importante.

=
O cálculo de um circuito de polarização, isto é, a determinação de

R,, R,, R, e Rc para satisfazer a um conjunto de especificações, não pode
seguir um roteiro pré-determinado, pela variabilidade das possíveis espe
cificações e pelas diferentes influências dos parâmetros nos vários tipos
de transistores.
Assim, em circuitos de pequena potência muitas vêzes especificam-se
os valores máximo e mínimo de lc e de P; não havendo dissipação impor
tante de potência no coletor, a influência da temperatura poderá não ser
importante. Nêste caso, o cálculo dos elementos do circuito pode come
çar pela fórmula ( 5 . 136 ), da qual se calcula s,. Da fórmula ( 5 . 131 ) de
termina-se a relação R,/Rb; se Rb também fôr especificado ( pelo menos por
uma restrição inferior), obtém-se R.. Da expressão ( 5 . 124 ) , com os valores
máximos de lc e p , calcula-se Eb; como R, já é conhecido, R, obtém-se da
1 ." das equações ( 5 . 120 ). Finalmente, se Rc não fôr especificado, poderá
ser determinado de ( 5 . 126 ), a partir de um valor atribuido a VcE ·
Calculadas assim as resistências de polarização, devem ser feitas veri
ficações da influência da temperatura no ponto quiescente, para verificar
se realmente sua influência é desprezível. Se não o fôr, o projeto deve
ser refeito, mudando adequadamente as especificações iniciais.
Outros roteiros de cálculo, partindo de especificações diversas podem
ser encontradas na literatura ( ver, por exemplo, "Motorola Power Tran
sistors Handbook", cap. III, 1960 ou Joyce e Clarke, "Transistor Circuit
Analysis", cap. III, Addison-Wesley, 1961 ) .
Bibliografia d o capítulo 5 :
1 - SEEC 2 - P . E . GRAY, D . d e WITI, A . R . BOOTHROYD e J. F. G IBBONS,

"Physical Electronics and Circuit Models of Transistors" ( Wiley, 1964 ) .
2 - SEEC 3 - C . L . SEARLE, A . R . BOOTHROYD, E . J . ANGELO, P . E.
GRAY e D. O. PEDERSON - "Elementary Circuit Properties of Transistors".
( Wiley, 1964 ) .
3 - E . J . ANGELO, Jr., - "Electronic Circuits, Second Edition" ( McGraw, 1 965 ) .
4 - J . F . GIBBONS - "Semiconductor Electronics" ( McGraw, 1 966 ) .
154 .ELETRÔNICA - L. Q. ÜRSINI
PROBLEMAS DO CAP1TUW 5
Problema 5 . 1 - Sabendo-se que o transistor OC 7 1 é do tipo PNP, pelo exame de

suas características (ver Apêndice 2 ) :
a ) determinar as convenções de sinais de correntes e tensões que foram utili
zadas no levantamento das curvas;
b ) determinar os parâmetros a e lco adequados às equações ( 5 . 1 ) e ( 5 . 3 ) .
Problema 5 . 2 - Demonstrar a partir d e ( 5 .3 1 ) , que a eficiência de emissor de um
transistor pode ser posta sob a fórma
1
y = -��
1 + (crb W) / (cr• . L,)
onde crb e cr, são, respectivamente, as condutividades da base e do emissor.
Problema 5 . 3 - Um transistor simétrico PNP de germânio, suposto com junções

planas e paralelas, efeitos de superfície desprezíveis, tem as seguintes características
( 25ºC ) :
- condutividade do emissor cr. = 1 00 mhos X cm
da base crb = 2 mho X cm
- comprimento de difusão de lacunas na base Lb = 0,0 1 cm
" eletrons no emissor L, = 0,0 1 5 cm
- largura da base W 0,00 1 cm
- seção transversal da base A = 0,5 mm'
Determine :
a) o fator de amplificação de corrente emissor-coletor;
b) a s concentrações d e portadores minoritários e m equilíbrio n o emissor e na
base.
Problema 5 .4 - A junção emissor-base do transistor do problema anterior tem po

larização direta de 0, 1 V, ao passo que a junção coletor-base tem uma polarização
inversa não muito elevada. Determine agora :
a) a concentração Pb ( o ) ;
b) a corrente d e coletor;
c) a corrente inversa l'°.
Problema 5 . 5 Um transistor PNP de germânio tem

- a = 0,985 e /,º = 1 micro
ampere à temperatura ambiente. Determine :
a ) o s respectivos modêlos a diodos ideais, com base comum e emissor comum
( ver fig. 5 .9 do texto ) ;
b ) a característica de entrada iB = f ( vBE ) e a característica de transferênc i a
i, = / ( iB ) , correspondentes a o modelo de emissor comum.
Problema 5 . 6 - Dado o modê!o de transistor PNP indicado na figura 5 9 ,b do texto,

.
pede-se :
a) determine suas características de entrada, ie = f( vnd e de saída, i,
= f(ie, VcE ) ;
b ) compare estas características com as correspondentes ao transístor OC 7 1
( ver Apêndice 2 ) ; para li,I < 5mA e l vcE I < 1 0 V há razoavel concordância?
c) após a eventual introdução de outros elementos no modêlo da figura 5 . 9 ,
determine os parâmetros adequados à representação do transístor OC 7 1 .
Problema 5 . 7 - Utilizando modêlos a diodos ideais e sabendo que o transistor em

pregado é de germânio e tem a. = 0,99, determine o ponto quiescente do circuito da
figura P.5.7, a. Em seguida, determine a resistência R, da fig. P.5.7,b, de modo que
este circuito tenha o mesmo ponto quiescente do anterior.
lka
JJ;n
18 V
t
6 0 0.n.
(a) (Í> )
FIG. P . 5 . 7
Problema 5 . 8- Um transistor NPN de silicio, com f3 = 5 0 , é utilizado no circuito

amplificador da fig. P.5.8. Usando um modêlo a diodos ideais adequado, determine :
a) a característica d e transferência Vc = f(i,);
b) a tensão Vc ( t ) se o sinal i, ( t ) é i, ( t ) 0,2 cos l Ot (mA ) .
j k .ll
z /00 /<.n
+1 _
.=.. ]::, V
E
!S V
L-��>--��6----'-� lt +
FIG. P . 5 . 8
Problema 5 . 9 - Considere o transistor cujas características foram introduzidas no

problema 5 . 3 . Supondo uma corrente de coletor de 1 mA, determine :
a) os parâmetros g e g d o modêlo 1t - híbrido;
m 1t
b) a capacitância da junção coletor-base, supondo VCE - 6 volts ;

c) a capacitância e .
1t
Problema 5 . 1 O - Os parâmetros híbridos incrementais em emissor comum, em fre

quências baixas, de um certo transistor são :
1 , 3 K ohm 90
8 X 1 0-• 0, 1 25 mA/V
Se este transistor fôr ligado como amplificador de emissor comum, com uma
resistência de carga de 1 K ohm, qual seu ganho incremental de corrente?
Problema 5 . 1 1 - Um transístor cujos parâmetros T em base comum são
r. 40 ohm rb = 1 K ohm
1 ,43 M ohm (1.., = 0,968
é utilizado num circuito amplificador de emissor comum. Pede-se :
a ) determinar a resistência d e carga d o coletor, R,, que fornece. o máximo ga
nho de potência;
b) determinar a resistência d e entrada e m função d e R;
c) determinar a resistência de saída do amplificador, supondo que a resistência
interna do gerador de sinais é igual à resistência de entrada calculada no item anterior .
•
Problema 5 . 12 No amplificador de emissor comum da fig. P. 5 . 12, determine o
-
ganho incremental de corrente iJi, e a resistência de entrada pelos terminais 1 1'.

Dado s : h,. = 2,2 Kohms; h,. = 9 X 1 0-<; h1. = 30;
h.,. 23 microamperes/volt.
1 .i/ B 'ie
5 0 kfl Sk.n 1 kl1

Aoe
FIG. P . 5 . 12
Problema 5 . 13 Um transístor PNP de germânio, com � = 1 00, deve ser utiliza

-
do no amplificador da fig. P. 5 . 1 3 . Este amplificador deve ser capaz de fornecer, na

carga de 1 K ohm, uma tensão senoidal com 6 volts de amplitude; a tensão de ali
mentação deve ser a menor possível. Usando um modêlo a díodos conveniente, de
termine :
a ) o s valores de E" e. R ,
b ) a amplitude do sinal senoidal d e entrada que fornece a tensão d e saída es
pecificada;
e) a potência dissipada no coletor do transístor, na ausência do sinal.
FIG. P . 5 . 13
Problema 5 . 14 - No circuito da fig. P. 5 . 14, Ere = - 6V e o transistor de germânio

tem l3 = 50, com 1,,,, desprezível à temperatura de operação. Pede-se :
a ) determine a corrente d e coletor e a tensão VcE quiescentes;
b ) o transístor é trocado por um outro, do mesmo tipo mas com 13 1 00.
Quais os novos valores de lc e VcE?
' 60 kf1. 0,5 k.ll
JS kil
l kJJ.
FIG. P . 5 . 14
Problema 5 . 15 - No transistor do circuito da fig. P. 5 . 1 5 tem-se hFE = 60, lcao

1 5 µA ( 25ºC ) , V88 = -0,25V, Ecc = 1 2V. Determine :
a) I" la e VcB do ponto quiescente, a 25°C.
b ) sabendo que o transístor é de germânio e portanto lesa dobra a cada l OºC,
ao passo que os outros parâmetros permanecem pràticamente constantes, calcular a
corrente de coletor quiescente a 55°C.
4 7..fl
2,8K
0, 94 k
12 fl
FIG. P . 5 . 15
CAP1TULO 6
TE OR IA DA S R �DE S LINEA RE S
6. 1 - Análise das rêdes lineares:
Apresentaremos aquí uma breve revisão dos métodos básicos de análise

das rêdes lineares, isto é, aquelas em que subsistem relações lineares entre
tensões e correntes. O estabelecimento das regras para a determinação das
equações gerais das rêdes e sua solução será precedido de um exame deta
lhado de alguns circuitos simples. O conhecimento dêstes circuitos simples
permite desenvolver uma certa intuição do comportamento dos circuitos,
intuição esta indispensável ao estudo da Eletrônica.
Como a resolução dos circuitos a partir de suas equações gerais é habi
tualmente trabalhosa, é interessante que se introduzam simplificações, me
diante oportunas transformações de partes do circuito. Tais transformações
são facilitadas pelo emprêgo dos teoremas dos circuitos, que serão também
revistos nêste capítulo.
A transformação de Laplace será utilizada como ferramenta matemática
para a resolução dos circuitos, dada sua generalidade e as simplificações
que decorrem do seu emprêgo. A título de referência, as principais pro
priedades da transformação de Laplace que interessam à teoria de cir
cuitos estão reunidas no Apêndice 1 .
6. 2 - O circuito R , L série:
Consideremos inicialmente uma rêde constituida pela associação série

de uma resistência R e de uma
R
indutância L, excitada por um ge
rador de tensão ideal ( a resistên
cia R poderá incluir a eventual re
j
sistência interna de um gerador L
real ), como indicado na fig. 6 . 1 .
A a p l i c a ç ã o da 2.ª lei de
Kirchhoff a êste circuito fornece FIG. 6 . 1 - Circuito R,L série.
di
(6. 1) L - + R =: e (t) (t > 0)
dt
TEORIA DAS RÊDES LINEARES 159
Sendo iº o valor inicial da corrente na indutância, a aplicação da trans

formação de Laplace à equação 6 . 1 fornece
( sL + R ) I (s) = E, (s) + L io
A corrente transformada é pois
E, ( s ) + L io
(6.2) J( s ) =
sL + R
A expressão
(6.3) Z( s ) = sL + R
é a impedância generalizada da associação e é igual à relação entre as
transformadas da tensão e da corrente, no caso de condições iniciais quies
centes, isto é, com iº = O.
Vamos agora determinar a corrente na rêde para certos tipos de exci
tação, e, ( t ), mediante a inversão de ( 6 . 2 ) :
a) Comportamento livre:
Se fôr e, ( t ) = O, o circuito se diz livre, pois não lhe é imposta nenhu
R ma excitação. A rêde fica então como se
indica na fig. 6 . 2; temos que anti-transfor
mar a equação
(6.4) J( s )
sL + R s
onde s, R /L é a raiz da equação
FIG. 6 . 2 Comportamento livre '.lo
-
circuito R,L. (6.5) sL + R = O
Esta equação é a equação característica ( no plano s ) da rêde em aprêço.

Anti-transformando ( 6 . 4 ) obtemos a corrente da rêde :
( 6 . 6) i( t ) = io e - (R/L)t
É claro que a corrente na rêde só será não nula se a corrente inicial
fôr diferente de zero. Na fig. 6 . 3 indicamos a corrente na rêde em função
do tempo, bem como algumas propriedades que se deduzem facilmente.
Note-se que no intervalo de tempo
(6.7) T = L/R
chamado constante de tempo do circuito, a corrente cai a 1/e 0,368 do
seu valor inicial.
b) Excitação em degráu:
Vamos aplicar agora ao circuito uma excitação em degráu de ampli

tude E, no instante t = O.
Esta excitação é descrita por meio da função unitária de Heaviside :
e,( t ) = E · H( t )
Sua transformada é, como indicado no Apêndice, igual a E/s. Introdu

zindo êste valor em ( 6 . 2 ), a equação transformada do circuito se torna
i (()
�
\
\
\
\
\
\
\
\
\
\
\ 1
\ 1
\ 1
\ 1
ºI
L/,q .3L/R t(seg)
FIG . 6 . 3 - Corrente exponencialmente decrescente, com

constante de tempo L/R.
E + sL iº E / L + s io
(6.8) [( s )
s ( sL + R )
Supondo condições iniciais quiescentes, isto é, io = O , a anti-transfor

mada de ( 6 . 8 ) fornece
E
(6.9) i (t) = (1 _ e - ( R /Llt )
R
A curva dessa função vem representada na fig. 6 . 4.
Os resultados já obtidos mostram que o transitório nêste circuito

pode ser interpretado como a transição entre um estado inicial dado e um
i(t)
l(f}
_ __ __ _ _ _ "" _ _ _ _ _ _ _
/ 1
/ 1
- - - - - - - - ;r - - - - - - - ,,.�� /
I
/ ,,. ,,. 0,865 Ef,q / 1
"" / 1
/
1
I /, 1
/ ó 1 1
I 1
I 1
I � - - - - -- - - � - - - - - - - - 4
1 1
/ 1
I 1
I 1 1
/. 1 1
1 1
1 1
o L/ll o LfR 2 L/R t rseg)
FIG . 6 . 4 Corrente exponencialmente FIG. 6 . 5 - Infiuência de corrente

crescente, com constante de tempo L/R. inicial não nula.
estado permanente que, nêstes exemplos, se calcula fàcilmente. A con

cordância entre os dois estados é feita por uma curva exponencial, cuj o
andamento é fixado pela constante de tempo do circuito. Com estas ob
servações, podemos prever a modificação do resultado ( 6 . 9 ) pela presença
de uma corrente inicial iº não nula; a corrente no circuito passará expo
nencialmente do valor iº ao valor final E/ R, como indicado na fig. 6 . 5.
c) Excitação senoidal:
{o
Finalmente, suponhamos uma excitação senoidal, dada por
( para os t < O )
e,( t ) =
Em sinw t ( para o s t � 0 )
A transformada da excitação será agora
w
E,( s ) = Em -----
82 + w2
e sua substituição em ( 6 . 2 ), com condições iniciais quiescentes, fornece
( 6 . 10 ) l( s )
L( s2 + w2 ) ( s + R/L )
Esta função poderá ser transformada pela fórmula de Heaviside. Mais
simples é, no entanto, recorrer a uma tabela de transformadas ( vêr, por
exemplo, Gardner e Barnes, pg. 343, transformada 1 .308 ) . Obtém-se então
w Em e -C R/L l t
(6. 11) i( t ) = + sin ( wt- ÇZ5 )
L [ ( R/L ) ' + w2 ] L [ ( R/L ) ' + w' ] 1 /2
( 6 . 12 ) com ÇZ5 = tg-• ( w L/R )
Esta corrente compõe-se de duas parcelas, a primeira das quais decres
ce exponencialmente com o tempo, ao passo que a segunda é oscilatória.
Esta última parcela des- WJ
creve o chamado regi-
me permanente e, decor-
rido um intervalo de
tempo correspondente a
algumas constantes de
tempo, será a única
apreciável. Na fig. 6 . 6
representamos as duas
parcelas da solução . .
( 6 . 1 1 ) e a corrente i(t),
supondo que o período
FIG. 6 . 6 - Corrente nwn circuito R,L com excitação
da senóide é maior que senoidal.
a constante de tempo L/R.
6.3 - O circuito G,C paralelo:
O circuito antes estudado tem uma só malha; consideremos agora

um circuito com um só par de nós, constituído pela associação em para
lelo de um resistor de condutância
G e um capacitor de capacitância e,
alimentada por um gerador de cor
rente ideal ( fig. 6 . 7 ) . Aplicando a
v il) G e
primeira lei de Kirchhoff a um dos
nós, obtemos
Íc + ic = i, ( t )
FIG. 6 . 7 - Circuito G,C paralelo.
ou, introduzindo as relações entre corrente e tensão nos bipolos elemen

tares,
dv
( 6 . 13 ) C - + G V = i ( t) (t>O)
dt
Esta equação diferencial tem a mesma forma de ( 6 . 1 ) ; portanto sua
solução será formalmente análoga à do caso anterior, desde que substi
tuamos L por e, R por G, v por i e, por i,. Como veremos mais tarde, cir
cuitos regidos por equações formalmente análogas são chamados circuitos
duais. A condição inicial a ser imposta aqui decorre do valor da tensão
v0 nos terminais do capacitor, no instante t = O. A esta tensão corres
ponde uma carga inicial
( 6 . 14 ) Qo = C Vo
A transformada de Laplace de ( 6 . 13 ) será então

( sC + G ) V( s ) = J,( s ) + qº'
donde
J,( s ) + ªº
( 6 . 15 ) V( s )
se + G
A expressão
( 6 . 16 ) Y( s ) = se + G
é a admitância generalizada do circuito; corresponde à relação entre as
transformadas da corrente e da tensão, para condições iniciais quiescentes.
Vamos agora examinar o comportamento dêste circuito, quando sub
metido a excitações análogas ao circuito anterior. À vista da analogia for
mal já apontada, não precisaremos refazer os cálculos, bastando transfor
mar, por dualidade, os resultados já obtidos para o circuito anterior.
Assim obtemos:
a) comportamento livre:
Para carga inicial ªº' a tensão entre os nós do circuito será
ªº
( 6 . 17 ) v( t ) = __
e -<01ci t
e
A tensão diminui exponencialmente com a constante de tempo

( 6 . 18 ) T = C/G = RC ( segundos )
Uma curva análoga à da fig. 6 . 3 representará esta tensão em função
do tempo.
b) Excitação em degráu de amplitude I:
[,
( 6 . 19 ) v( t ) = -- (1 _ e- <G 1c > • )
G
com condições iniciais quiescentes.
c) Excitação senoidal:
Se a excitação fôr
f
i, Im sinw t ( t?;O ),
a resposta resulta
{
w Im e - <G tc> • sin ( w t - 0 )
v( t ) = -- + ------
( 6 . 20 ) e ( G/C ) 2 + w2 w ( G2/C2 + w' )'''
0 = arctg ( w C/G )
6.4 - O circuito R, L , C série:
Examinemos agora o compor

tamento do circuito constituido
por uma associação série de re
sistência, indutância e capacitân +
cia, atacado por um gerador de e/t!

r�
=r-c
tensão ideal ( fig. 6 . 8 ) .
A equação da rêde obtém-se
imediatamente aplicando a se '-�--��
gunda lei de Kirchhoff :
J
FIG. 6 . 8 - Circuito R,L,C série.
dt
di 1
C
L + Ri + i dt = e,( t )
Considerando apenas os t � O, devemos introduzir na equação acima a

integral definida e a carga inicial qº do capacitor, para obter a tensão
1 f'
correta em seus terminais :
di qo
( 6 . 21 ) L -- + Ri + -- idt + = e,( t ) ( t>O).
dt e º e
Sendo iº a corrente inicial n a indutância, a aplicação d a transformação

de Laplace fornece
( sL + R + 1 /sC ) l( s ) = E, - qº/sC + Liº

Portanto,
E,( s ) - qo/sC + Liº
( 6 . 22 ) I( s ) =
sL + R + 1 /sC
A anti-transformação desta expressão fornece a solução do problema,
A função
( 6 . 23 ) Z( s ) = sL + R + 1 /sC
é a impedância generalizada da rêde, sendo dada, como anteriormente,
pela relação entre tensão e corrente transformadas, no caso de condições
iniciais quiescentes.
Vamos agora determinar a solução da rêde em alguns casos particu
lares, a fim de examinar os fenõmenos físicos que nela se passam.
1 ) Comportamento livre:
Impondo e, ( t ) = O obtemos o comportamento livre da rêde. Fazendo
ainda, para maior simplicidade, iº = O, a equação ( 6 . 22 ) se reduz a
qo/sC
I( s )
sL + R + 1/sC
ou ainda,
qo 1
( 6 . 24 ) I( s ) = -
LC s' + ( R/L ) s + 1 /LC
A inversão desta função exige a determinação das raízes de
R
( 6 . 25 ) s' + -- s + 1 /LC = O,
L
equação característica da rêde. Introduzindo a notação
( 6 . 26 ) CX. = R/2L 1 Wo2 = 1 /LC,
as raízes de ( 6 . 25 ) podem ser postas sob a forma
( 6 . 27 )
com
( 6 . 28 ) wi = wo' - a.2
Por razões que ficarão claras em seguida, w0 é chamado frequência

( angular ) própria da rêde não amortecida, ao passo que wd é a frequência
angular com amortecimento.
Re-escrevendo ( 6 . 24 ) com a notação ( 6 . 27 ) , vem
1
( 6 . 29 ) I( s ) = - qoWo2
É necessário distinguir três casos possíveis :

a ) s, e s, reais : rêde aperiódica, ou com amortecimento maior que
o crítico;
b ) s, = s,: rêde com amortecimento crítico;
c ) s, e s, complexos conjugados : rêde oscilatória, com amortecimen-
to menor que o crítico.
Examinemos cada caso de per si.
a) caso aperiódico:
y;
Para que s, e s, sej am reais devemos ter
( 6 . 30 ) Wo2 < a' ou R > 2
Satisfeita esta condição,

v' a'
t
r s, = - a - - Wo2 - a - 13
V a,2
( 6 . 31 )
s, = - a + - Wo2 - a + 13
onde
( 6 . 32 ) w a
}
- Wo2
Introduzindo os valores ( 6 . 31 ) em ( 6 . 24 ) , vem, após algumas trans

formações,
Wo2 13
I (s) qº - -----
13 ( s + a)' - W
Anti-transformando,
Wo2
( 6 . 33 ) i (t) = - qº -- e '" sen hl3t
-
13
i(t)
Teremos então um pulso unidire
cional de corrente como indicado
na fig. 6 . 9.
Note-se que a integral de ( 6 . 33 ) ,

d e O a oo , é exatamente igual a qº,
como deveríamos esperar.
b) Amortecimento crítico:
A igualdade de s, e s, implica, de
FIG. 6 . 9 - Corrente no circuito R,L,C sédc
acôrdo com ( 6 . 31 ), em com amortecimento maior que o crítico.

L -
/-
( 6 . 34 ) a' = Wo2 ou R
A transformada ( 6 . 29 ) reduz-se então a

'= 2
Ve
1
I (s) = - qowo' ---
(s + a )'
cuja anti-transformada é
( 6 . 35 ) i (t) =
166 ELETRÔN!CA - L. Q. ÜRSINI
A corrente é ainda um pulso uni-direcional, mais rápido que no caso

anterior.
c) Caso ondulatório ou sub-amortecido:

J!:ste é o caso mais importante, pelo que será tratado com mais deta
V�
lhes. A condição de sub-amortecimento é
( 6 . 36 ) Wo2 > u.2 ou R < 2
e as raízes s. e s, da equação característica são os complexos ( 6 . 27 ) . In

troduzindo êstes valores em ( 6 . 29 ) obtemos, após um pequeno arranj o,
Wo2
[( s ) = qo -- -------
Wd (s + cx Y + w/
ou, anti-transformando,
Wo2
( 6 . 37 ) i (t) qº -- e - a.• sen wdt
Wd
A corrente é pois uma senóide amortecida, de frequência angular WJ

e fator de amortecimento (J. ( fig. 6 . 1 0 ) .
O pseudo-período d a corrente será
iftJ
\
\
'\ Td
'\
'
'
'
/
/
FIG. 6 . 10 - Corrente no circuito R,L,C

oscilatório
( 6 . 38 ) ( seg. )
e a sua frequência, em c/s, é
( 6 . 39 )
2r.
No caso de amortecimento muito pequeno, isto é, a. « w0,
( 6 . 40 ) Wd � W0
wº é a frequência angular não amortecida do circuito.
( ::n )
A relação das amplitudes de oscilações no início e no fim de um perío
do é dada por:
eaTd = exp
O logaritmo neperiano dessa relação é o decremento logarítmo b, do

circuito :
( 6 . 41 ) b, = 2 1t a./WJ
No caso do circuito pouco amortecido,
( 6 . 42 )
_
Definindo-se o índice de mérito do circuito oscilante por :
WaL L
V
1
( 6 . 43 ) Q
R R C
resulta
1t
( 6 . 44 ) b, �
Q
Nota-se que a forma da resposta depende essencialmente das raízes
da equação característica ( 6 . 25 ) . Estas recebem o nome de frequências
(angulares) complexas próprias da rêde; suas partes reais fornecem o fa
tor de amortecimento, ao passo que as partes imaginárias dão as frequên
cias (angulares) próprias da rêde.
-
As raízes de ( 6 . 25 ) são ainda os polos da função ( 6 . 24 ) ; êstes polos
determinam o caráter - oscilatório ou aperiódico - da resposta.
2 Excitação em degráu:
Examinado o comportamento livre do circuito R, L, C série, vejamos
como obter sua resposta a um degráu de amplitude E.
Como a transformada da excitação é E/s, a corrente transformada
obtém-se de ( 6 . 22 ) :
E/s - qo/sC + Lia
( 6 . 45 ) l( s )
sL + R + 1 /sC
Supondo iº O, fica
(E - Qo/C )/s
(6 . 46 ) l( s )
sL + R + 1/sC
Esta equação é análoga à que fornece o comportamento livre; apenas
qo/C fica substituido por E·qa/C.
Fazendo q0 = O, isto é, adotando condições iniciais quiescentes, as

soluções para a excitação em degráu podem ser obtidas das anteriores,
substituindo-se - q0 nestas soluções por EC. Obtemos assim os seguintes
resultados :
a) circuito aperiódico:
w.'
i (t) = EC -- e - a.' sen h�t
�
ou, como w.' 1/LC,
E
( 6 . 47 ) i (t) = -- e-a.' sen h�t
L�
b) amortecimento crítico:
E
( 6 . 48 ) i( t ) -- t e - a.•
L
c) circuito oscilatório:
E
( 6 . 49 ) i( t ) -- e-a.• sen wdt
Lwd
6 . 5 - O circuito RLC paralelo:
Consideremos agora um circuito constituído por uma condutância G =

= 1 /R, uma indutância L e uma capacitância C, associadas em paralelo e
excitado por uma fonte de corrente ( fig. 6 . 1 1 ) .
v lt ) L e
FIG. 6 . 11 - Circuito R,L,C paralelo.
A aplicação da V lei de Kirchhoff a um dos nós do circuito fornece
dv
Í,( t ) = ÍG + Íc + Í1
1f
ou, substituindo pelas relações de corrente e tensão em cada bipolo,
( 6 . 50 ) e -- + Gv + -- vdt = i,( t )
dt L
Esta equação é formalmente análoga à correspondente equação para
o circuito RLC série; sua solução será análoga á do caso anterior, desde
que substituamos v por i, L por e e G por R ( e vice-versa ) . Não precisa
mos, portanto, refazer a solução mas, tão somente, fazer as substituições
acima indicadas nas deduções do parágrafo anterior.
:l!:ste é mais um exemplo da aplicação do princípio de dualidade.

Como no caso anterior, as frequências complexas desta rêde serão da
das por
( 6 . 51 ) a ± j y w02 ---cJ!.
onde
( 6 . 52 ) a = G/2C ' Wo2 = 1 /LC
Êstes resultados foram obtidos fazendo as substituições acima indica

das. Teremos também 3 casos a distinguir :
a) rê de aperiódica:
( 6 . 53 )
b)
Wo2 < a' ou G < 2
amortecimento crítico:
v:
( 6 . 54 )
c)
Wo2 = a' ou G
rêde oscilatória:
2
v:
( 6 . 55 ) wo' > a' ou G > 2
v+
O índice de mérito do circuito RLC paralelo será dado por
( 6 . 56 ) Q =
G
ou ainda, considerando que wºC = 1/woL e G 1 /R
R
( 6 . 57 ) Q =
Note-se que, nêste caso, o índice de mérito aumenta com R ao con

trário do caso anterior, em que êste índice diminuia quando R aumentava.
A resposta da rêde pouco amortecida a um degráu de corrente de
amplitude J, com condições iniciais quiescentes, obtém-se adaptando a so
lução ( 6 . 49 ) :
I
( 6 . 58 ) V (t) --- e - a.• sen wdt
Cwd
6.6 - A dualidade nos circuitos:
Vamos dispor no quadro da pág. 170 as equações básicas da teoria dos

circuitos já examinados no capítulo 1 :
a) Relações nos bipolos lineares :

R; G=�
o--� v = Ri i= Gv
i=f fv dt
e
<>------<1 1-1 ---<>

o V= � j idt · - c .::t.Y...
&- dt
b) leis de Kirchhotf :
� i; = O ( num nó ) ; � vi = O ( numa malha ) .
Examinando estas relações, verifica-se que mediante as seguintes tro-
cas ordenadas de termos,
tensão -« >- corrente
resistência >- condutância
indutância capacitância
passamos de uma lei válida a outra lei também válida, mas referente a
outro circuito, chamado dual do primeiro.
Os têrmos constantes desta lista chamam-se duais.
Com as propriedades já vistas, referentes à associações de bipolos, a
lista de têrmos duais pode ser ampliada :
gerador de tensão ---->- gerador de corrente
circuito aberto -« >- curto-circuito
malha -« par de nós
série paralelo
admitância >- impedância
Verifica-se assim a validade da seguinte regra :
"Dada uma propriedade referente a uma rêde, pode-se obter outra pro
priedade, dita dual da primeira, mediante uma substituição ordenada dos
têrmos que comparecem na primeira propriedade por outros têrmos, cha
mados duais dos primeiros".
A propriedade dual será válida, em geral, para um segundo circuito,
também chamado dual do primeiro ( por ex.; o circuito RLC série é dual
do circuito RLC paralelo, como já fizemos notar ) .
A regra d e dualidade é útil para simplificar 6 estudo das rêdes.
6.7 - As equações gerais das rêdes; análise de malhas e análise nodal:
Dada uma rêde - pelos parâmetros dos bipolos que a constituem, a

maneira pela qual estão interconectados e os geradores que a excitam,
surge o problema de analisá-la, isto é, determinar as tensões e correntes
em todos os seus ramos.
Para resolver o problema da análise de uma rêde, dispomos das duas
leis de Kirchhoff e das relações entre correntes e tensões em cada um
dos ramos que a compõem. Usando estas relações fundamentais, cumpre

escrever um sistema de equações determinado, isto é, com solução única,
satisfazendo às condições iniciais pre-fixadas, que permita a determinação
das correntes e tensões na rêde.
Passaremos a descrever em seguida processos sistemáticos de obtenção
destas equações, não em sua forma mais geral, mas naquelas formas que
acarretam um máximo de sistematização e simplificação. Exporemos dois
métodos: análise de malhas e análise nodal, ambos em sua forma simpli
ficada. Êstes processos serão suficientes para êste curso.
6.8 - Análise de malhas:
Numa rêde elétrica podemos obter pelo menos uma ou, em geral, vá
rias malhas, isto é, circuitos fechados compostos de ramos de rêde. Na
fig. 6 . 12, por exemplo, indicamos várias malhas distintas que podem ser
extraídas de uma rêde em ponte.
Nesta figura representamos a rêde pelo seu gráfico, isto é, por arcos de
curvas indicando apenas as inter-ligações entre os vários nós da rêde.
Para cada malha escrevemos uma equação correspondente à segunda
lei de Kirchhoff; nestas equações as tensões podem ser eliminadas pelas
relações entre tensão e corrente em cada bipolo pertencente à malha.
Feita esta eliminação, resulta um sistema de equações integro-diferenciais
lineares, em que as várias correntes de ramos comparecem como incógnitas.
A resolução dêste sistema fornece as correntes do circuito.
oJ grcif1co do rêde em ponte b) várias molhas d1sf1nfos
FIG. 6 . 12 - Gráfico das rêdes e escolha de malhas.
Surgem então duas perguntas : a) como escolher as correntes incóg

nitas? b ) como escolher as malhas de modo a obter equações indepen
dentes e em número adequado para formar um sistema determinado?
Vamos responder a estas perguntas de um modo limitado, restringin
do-nos à sistematização mais comum e mais útil em Teoria das Rêdes ( para
maiores detalhes ver, por ex. Guillemin, "Int roductory Circuit Theory",
Willey, 1953 ) .
Como correntes incógnitas, vamos escolher correntes d e malhas, isto
é, atribuiremos a cada malha uma corrente de circulação, tal que a corren
te fisicamente existente em cada ramo da malha sej a dada pela soma
algébrica das correntes de malha que o atravessam. Assim, automàtica
mente fica satisfeita a l ." lei de Kirchhoff, pois tôdas as correntes de cir
culação que penetram num nó também saem dêle, e vice-versa.
A escolha adequada das malhas, isto é, de

modo a fornecer um sistema de equações
independentes e em número adequado ( ma
lhas independentes ) , faz-se da seguinte ma
neira :
a ) se a rêde for planar, isto é, puder ser
desenhada num plano sem cruzamento de
linhas, seus vários ramos delimitam alvéo
los no plano do desenho ( fig. 6 . 13 ) . Os con
tôrnos dêsses alvéolos fornecem malhas in
dependentes, isto é, satisfazendo às condi
FIG. 6 . 13 Os contornos dos -
ções desejadas; alvéolos constituem malhas
Independentes.
b ) se a rêde fôr não planar, considera
mos uma árvore associada a ela, isto é, um conjunto de ramos necessário e
suficiente para interligar todos os nós da rêde, sem deixar nenhum circuito
fechado. Os ramos que não pertencem à árvore serão chamados ramos de
ligação ( fig. 6 . 14 ) .
A colocação d e u m ramo d e ligação fecha uma só malha. A s malhas
fechadas pelos vários ramos de ligação, quando colocados um a um na
rêde, são malhas independentes.
o J grcir1co da reêle b ) árvore c ) rornos de !1gaç:ôo

FIG. 6 . 14 - Ramos de árvore e ramos de ligação.
No que se segue, consideraremos apenas circuitos planares; os con

tornos dos alvéolos constituirão malhas independentes. A cada uma dessas
malhas atribuiremos uma corrente de malha; suporemos ainda que tôdas
estas correntes circulam no mesmo sentido ( horário no caso ) .
Antes d e passar as equações gerais d e malhas, vejamos u m exemplo
simples, referente a rêdes puramente resistivas.
Seja então a rêde indicada na fig. 6 . 15.
R,
+
E,
FIG. 6 . 15 - Análise de malhas de rêde resistiva.

A aplicação da 2.ª lei de Kirchhoff às duas malhas que contornam os

alvéolos da rêde, fornece :
j E, + V1 + V3 = O
-
( 6 . 59 )
l E, VJ + v, = O
-
Ao escrever estas equações, em cada malha supusemos positivas as
{v,
quedas de tensão no sentido de circulação da respectiva corrente de malha.
Pela lei de Ohm, aplicada em cada bipolo,

= R, i,
( 6 . 60 ) v, = R, i,
VJ = R, ( i, i, ) -
{
Entrando com êstes valores em ( 6 . 59 ),
R, i, + R, ( i, - i, ) = E,
- RJ ( i, - i, ) + R, i, - EJ
{
=
ou ainda,
( R, + RJ ) i, - R, i, = Ei
( 6 . 61 )
- R, i, + ( R, + R, ) i, = - E,
Obtemos assim um sistema de duas equações independentes, cuja
resolução fornece as correntes i, e i,; a corrente em R, será a diferença
entre i, e i,.
O exame do sistema ( 6 . 61 ) revela uma lei de formação simples : nas
equações correspondentes a cada malha, a respectiva corrente aparece mul
tiplicada pela soma das resistências em série na malha; as correntes nas
malhas contiguas vêem multiplicadas pelas resistências comuns às duas
malhas, afetadas de sinal negativo. Nos segundos membros, aparecem as
tensões dos geradores em série nas malhas, com sinal positivo se a corren
te de malha sai pelo pólo positivo do gerador, com sinal negativo em caso
contrário.
- -
--
- -
�
--- e_,
- -
-
- -
- -
-
FIG. 6 . 16 - Malha genérica de uma rêde.
Passemos ao caso geral, considerando rêdes com os parâmetros R,L,C;

excluiremos, por enquanto, a presença de indutâncias mútuas. Suporemos
ainda que todos os geradores da rêde serão representados pelos geradores

de tensão equivalentes ( geradores de Thévenin ) .
Consideremos então a j-ésima malha independente d e uma rêde d e n
malhas ( fig. 6 . 16 ),
1· f
Aplicando a esta malha a 2.ª lei de Kirchhoff e considerando as rela
ções entre corrente e tensão nos terminais de cada bipolo, obtemos
di; 1 di; 1
f f
l..1 -- + R1 i; + -- i; dt + Li -- + Ri i; + -- i; dt + ...
dt e, dt Ci
di 1 di , 1
. . . + Ln ; + Rn i; + -- i; dt - L, - R1 i1 - -- Í1 dt
dt � dt �
r
� 1 �
Li -- - R, i, - -- ii dt - . . . - Ln -- - Rn in -
dt e, dt
+
_i
_ r in d t = e; ( t )
e. ,
onde e i ( t ) corresponde à soma das tensões dos geradores inseridos na
malha < sinal + se a corrente sair pelo terminal positivo, sinal - em caso
contrário ) .
Para abreviar o trabalho, vamos introduzir as notações abaixo :
r
L;; L, + Li + + L. = soma das indutâncias
em série na malha
l
R ;; R, + Ri + + R. soma das resistências
l :,
em série na malha
( 6 . 62 ) 1 1 1
+ + .. + soma dos inversos das
e, e, Cn capacitãncias em série
na malha.
( 6 . 63 )
r
�
R; k
L; k
1
Rk
Lk
1
resistência comum às malhas j e k
indutância comum às malhas j e k
l� ck
inverso da capacitância comum às malhas
j e k.
f
A equação d a malha pode ser representada, simbàlicamente, por
L: 1
n
dik
( 6 . 64 ) ( L; < -- + R;< i. + -- i• dt ) = e; ( t )
• = 1 dt C;•
Vari �ndo o índice i de 1 a n, obtemos as demais equações independen
f
tes da rede ; a resoluçã o do sistema integro-diferencial de n equações
di. 1
( 6 . 65 ) ( L; • -- + R. i. + -- i. dt ) = ei ( t )
k = 1 dt C;•
(j = 1 ,2, . . . n>
suplementado por um conjunto adequado de condições iniciais, completa

a análise da rêde.
Note-se que os coeficientes com j =F k serão todos negativos, decorren·
do tal fato da escolha de um mesmo sentido para tôdas as correntes de
circulação ( o que é sempre possível nos circuitos planares ) .
Formalmente, o sistema ( 6 . 65 ) s e resolve sem dificuldade com o em
prêgo da transformação de Laplace; adotando condições iniciais quies·
centes, a transformação do sistema ( 6 . 65 ) fornece
( 6 . 66 )
(j 1 ,2, n)
Introduzindo a notação
1
( 6 . 67 ) Z;k ( s )
sC;k
as equações transformadas da rêde ficam
1 Z 11 l1( s ) + Z 1 2l2( s ) + . . . + Z 1 .ln( S ) = E,( s )
l
, Z2 1 l,( s ) + z,,I,( s ) + . . . + Zz.ln( S ) = E,( s )
( 6 . 68 )
z.,l,( s ) + Zn2l2( S ) + . . . + Znnln( s ) = E.( s )
ou resumidamente,
( 6 . 69 ) E;( S )
(j = 1 ,2 . . . n)
A resolução de ( 6 . 68 ) ou ( 6 . 69 ) fornece
I:
n
1
( 6 . 70 ) l; ( S ) .ô. k; Ek
.ô. k - 1
onde
Z 1 1 Z 12 Z 1n
Z21 z,, Z2n
(6.71) ,ô. ( S )
é o determinante d o sistema e o s .ô. <; são o s respectivos complementos

algébricos.
A anti-transformação de ( 6 . 70 ) fornece as correntes procuradas. Esta

inversão, feita pela fórmula de Heaviside, por exemplo, exigirá o conheci
mento dos zeros de
( 6 . 72 ) ,6. ( s ) = O ( equação característica da rêde )

l'!:stes zeros, após a inversão, aparecerão como expoentes de exponen
ciais do tipo
onde A é, em geral, complexo; definem portanto as frequências ( comple

xas ) próprias da rêde. As partes reais destas frequências complexas da
rão os amortecimentos dos vários modos própri.os da rêde, ao passo que
suas partes imaginárias darão as respectivas frequências angulares.
FIG. 6 . 17 - Exemplo de análise de malhas.
Não prosseguiremos aqui com a solução em detalhe; notemos apenas

que, nas rêdes passivas, as partes reais das frequências complexas serão
sempre não positivas, pois, se assim não fosse, teríamos componentes de
corrente que aumentariam indefinidamente com o tempo. obviamente,
esta possibilidade não obedeceria ao princípio da conservação de energia.
Exemplo de análise de malhas :
(-1- -1- ) J - -1- f

Seja analisar o circuito da fig. 6 17
JL,
.
As equações da rêde são :
d�
l- -1- f L, (-1- -1-)f

+ R,i, + + i,dt i,dt = e, ( t )
� � e e
di,
i,dt + + R2i2 + + i,dt = O
e � � e
Transformando segundo Laplace e colocando na forma ( 6 . 68 ), com
- 1
condições iniciais quiescentes,
( :. + � ) � J
[
!, (s) 12 ( s ) = E, ( s )
se
1
J1 ( s ) + sL, !, ( s ) O
se
Note-se que êste sistema transformado pode ser escrito diretamente,

por inspeção da rêde.
A resolução dêste sistema depende da resolução da equação caracte
rística.
_)
1
sL,
+
R,
+ _:_ ( se
1
--
+ 1 = o
se s e e,
ou
1
s'L, + R,s +
(1
--
e
+ 1
--
)j = o
e _ e e,
º
isto é, uma equação do 4. completa.
-
O prosseguimento da solução só é cõmodo se forem dados os valores
numéricos dos parâmetros da rêde.
6.9 A análise nodal:
A análise nodal, que passaremos a expor sob sua forma simplificada,

é dual da análise de malhas; por esta razão será tratada com menos de
talhes que a anterior .
Sej a então uma rêde com n nós; aplicando a l ." lei de Kirchhoff a
n-1 dêstes nós, obtemos um sistema de n-1 equações independentes, rela
cionando as correntes da rêde. Para efetuar esta primeira etapa, supore
mos que todos os geradores da rêde estão representados pelos geradores
de corrente equivalente.
Em seguida, atribuiremos potenciais v,, v, . . . etc. aos vários nós da
rêde, potenciais êstes medidos com relação ao potencial de um dos nós,
escolhido como nó de referéncia. Por meio
das relações entre correntes e tensões nos
vários bipolos que constituem a rêde, as
correntes que comparecem nas n-1 equa
ções de Kirchhoff serão eliminadas, apare
cendo em seu lugar os n-1 potenciais dos
nós não de referência. Ficamos assim
com um sistema de n-1 equações nos n-1
-
potenciais incógnitos; a resolução dêste
sistema completa a análise nodal da rêde.
Antes de estudarmos o processo geral,
FIG . 6 . 18 Análise nodal
vejamos um exemplo simples : rêde pura de rêde resistiva.
mente resistiva.
Sej a o circuito da fig. 6 . 18, com dois nós independentes, constituido
exclusivamente por resistências, de condutâncias G,, G, e Gi, atacado por
dois geradores de corrente.
Vamos atribuir, arbitràriamente, sentidos positivos de correntes nos

vários ramos e aplicar a 1 .ª lei de Kirchhoff aos nós 1, 2. Obtemos
{
li + i, i, · (nó 1 )
I, + i, i, = o ( nó 2 )
Mas
t
( ii - G iV1
i, G,v,
i, a, < vi - vi >
Entrando com êstes valores nas equações da lei de Kirchhoff,
], G,v, - a, < vi - v, ) = o
J, + G3 ( V1 - v, ) - G,v, o
ou rearranjando-as,
{
( G1 + G, ) Vi - G,v, I,
G,vi + ( G, + G, ) v, = J,
A lei de formaç ã o destas equações é extremamente simples; na equa
ção correspondente a um certo nó, o coeficiente do respectivo potencial é
dado pela soma das condutâncias que convergem no referido nó; os coefi
cientes dos demais potenciais são dados pelas condutâncias que interligam
os nós correspondentes ao nó anterior, com sinal negativo. Nos segundos
membros comparecem as correntes de fontes, com sinal positivo quando
penetram no nó, e sinal negativo em caso contrário.
e,
e,
FIG . 6 . 19 - Nó genérico de uma rêde.
Passemos agora ao caso geral, considerando a parte de uma rêde indi

cada na fig. 6 . 19; excluiremos por enquanto a existência de indutâncias
mútuas na rêde.
Aplicando a 1 .ª lei de Kirchhoff ao nó 1, vem :
-- 1f
Eliminando as correntes e introduzindo as tensões v1 e v,
dV1 d ( Vi - V, )
( 6 . 73 ) ei + GiV1 + -- Vidt + e, + G, ( V1 - v, ) +
dt Li dt
-j
1 •
+ ( Vi - v, ) dt = i,i ( t )
(-1- -1- )- J J
L,
Rearranjando esta equação,
-1- 1· dt]
r !..___
[
L
< Ci + e, ) + ( Gi + G, ) + + dt · Vi -
dt Li L, L....
- e, .!.._ + G, + v, = i.i (t)

dt L,
[ s(ei (-1- 1-) -1- ]

Transformando segundo Laplace, na hipótese de condições iniciais
quiescentes,
-( �)
L,
Vi ( s )
Li
( 6 . 74 ) + e, ) + Gi + G, + + -
se, + G, + V, ( s ) = I.i ( s )
s
Verifica-se que a lei de formação dos coeficientes, desta equação é
análoga à do caso simples j á estudado; basta que se substituam as "con
dutâncias", na regra j á formulada, por "admitâncias generalizadas". Por
tanto, o coeficiente do potencial do nó considerado é a soma das admitân
cias generalizadas dos ramos que convergem nesse nó; os coeficientes dos
demais potenciais se obtém somando as admitâncias generalizadas comuns
aos dois nós e mudando o sinal.
-1- (-1- -1-)

( -1- )
Yu = s ( ei + e, ) + Gi + G, + +
s L, L,
( 6 . 75 )
Y12 = - se, + G, +
sL,
a equação ( 6 . 74 ) fica
( 6 . 76 ) Y u Vi + Y12 V2 = I,1 ( s )
Repetindo o processo para o s demais nós independentes d a rêde obte
r
ríamos, genericamente, um sistema de equações transformadas do tipo
Yu Vi + Yi2 Vi + + Y1m Vm = I,1 { S )
l
Y21 Vi + Y22 v, + . . + Y2m Vm = 152 (S)
( 6 . 77 )
Ymi V1 + Ym2 v, + . . . . . + Ymm Vm = [5m ( S )

ou, sintetizando,
( 6 . 78 )
k - 1
(j = 1,2, .. . m)
A resolução d o sistema ( 6 . 77 ), seguida d a anti-transformação das fun
ções incógnitas, fornece os potenciais de todos os nós independentes da
rêde, completando assim a análise nodal.
Note-se que as considerações feitas a respeito da análise de malhas
transpõem-se, por dualidade, para a análise nodal.
Finalmente, notamos que um dado circuito pode, em princípio, ser
analisado por qualquer dos dois processos expostos. Antes de iniciar os
cálculos convém, no entanto, examinar qual dos processos conduz ao
resultado desejado com menos trabalho. Muitas vêzes será interessante
procurar qual dos dois processos fornece um sistema com menor número
de equações.
Exemplo de análise nodal:
--ij�·11
No circuito da fig. 6 . 20, sej a
dada a corrente do gerador
pela função H ( t ) ( amperes )
r----"i'-
v,
J
e vamos determinar a tensão G-
1 __ G,
v, ( t ).
O circuito tem dois nós in-
dependentes; escolhendo-se o '-------+- __J
nó de referência indicado na ,
figura, as equações da anã- FIG . 6 . 20 - i>xemplo de análise nodal.
{
lise nodal transformadas se escrevem imediatamente :
1
( 6 . 79 )
C sC + G1 ) V, - sCV, =
s
- sCV1 + ( sC + G, ) V, = O
pois a transformada de H( t ) é 1 /s.
Dêste sistema obtém-se
1 1
V, ( s ) = -----
1
s + ----
[ J
e
Anti-transformando,
1 G1 G,
( 6 . 80 ) V2( t ) = ---- exp t ( t � 0)
G1 + G, ( G, + G, ) C
6 . 10 - A indutância mútua e sua inclusão nas equações gerais d a rêde:

Consideremos dois circuitos dispostos de tal maneira que o fluxo de
indução magnética criado por uma corrente i1 que circula no primeiro
circuito concatena-se, no todo ou em parte, com um segundo circuito_

Se fôr ljJ o fluxo comum a ambos os circuitos, define-se indutância mútua
entre os dois circuitos por
( 6 . 81 ) M = lj.i/i 1 ( henrys )
A indutância mútua, M, depende apenas da geometria do sistema e da
permeabilidade magnética do meio_
Se, ao contrário do caso anterior, considerarmos uma corrente i2 cir
culando no segundo circuito, o fluxo de indução magnética que lhe é devi
do, concatenado com o primeiro circuito, será
( 6 . 82 ) lj.i' = Mi,
onde M tem o mesmo valor anterior.
A presença de indutância mútua no circuito é indicada pelo símbolo
-L2---e\·
da fig. 6 . 21.
�,-+
M
�
Suponhamos agora que i 1 varia; o
fluxo concatenado com a bobina 2
também varia, introduzindo nela uma
tensão : -L,
dlj.i di1
( 6 . 83 ) V2 M --,
dt dt
FIG . 6 . 21 - Símbolo de indutância
se os circuitos forem indeformáveis. mútua.
Inversamente, se i, varia, aparecerá uma tensão V1 na primeira bobina:
dii
( 6 . 84 ) V1 = M --
dt
Estas quedas de tensão devem ser incluidas nas equações das rêdes;
para isso precisamos conhecer os sentidos respectivos. A determinação
dêsse sentido exige o conhecimento da relação dos dois enrolamentos com
o fluxo de indução. Para verificar essa
}
relação, na fig. 6 . 22 representamos duas
bobinas enroladas sôbre um núcleo
( com o mesmo sentido de enrolamento ) .
Suponhamos que num dado instan
+ te se aplica uma tensão continua aos
terminais da primeira bobina, como in
dicado na figura. A aplicação da lei de
Lenz mostra que aparece nos terminais
do segundo enrolamento uma tensão
com a polarização indicada. Convencio
FIG . 6 . 22 - Indícação de polaridade naremos marcar com o m.esmo sinal
numa indutância mútua.
( um ponto, por exemplo ) os dois ter-
minais positivos. Com esta marca de "polaridade", podemos escrever a
segunda lei de Kirchhoff para circuitos com indutância mútua.
Assim, por exemplo, consideremos o circuito da fig. 6 . 23.

Na segunda malha teremos
di, di,
L, -- + Ri2 - M -- = O
dt dt
pois a comparação com a V L,
fig. 6 . 22 mostra que um
di,/dt > O causa uma subida
da tensão no sentido da cor
rente i,. Da mesma forma, na FIG . 6. 23 - Rêde simples com indutância
{
mútua.
primeira malha vale
di, di2
L1 -- + R, i 1 - M --- = V
dt dt
O circuito da fig. 6 . 23 obedece então às equações
d di,
( L1 -- + R, ) i, - M -- = V
( 6 . 85 )
dt dt
di, d
- M -- + ( L, -- + R, ) i, = O
dt dt
1'.!:ste exemplo ilustra a regra a ser adotada para o sinal de M nas
equações de malha : "Quando ambas as correntes entram ( ou saem ) pelo
terminal marcado, o têrmo em indutância mútua é positivo ; caso contrá
rio, isto é, quando uma das correntes entra e a outra sai pelo terminal
marcado, o têrmo correspondente à indutância mútua é negativo".
Conhecido o sentido da queda de tensão, esta se introduz sem dificul
dade nas equações de malhas das rêdes.
A inclusão nas equações de análise nodal é um pouco mais complicada,
pelo que não a discutiremos aqui ( Ver a respeito Gardner e Barnes, "Tran
sients in Linear Systems" pág. 30 ).
6 . 1 1 - O regime permanente senoidal e o método dos complexos:
Diz-se que uma rêde está em regime permanente quando as suas cor
rentes e tensões podem ser descritas por funções periódicas do tempo.
Para o estudo do regime permanente, basta considerarmos o compor
tamento das rêdes lineares ( únicas consideradas aqui ) quando excitadas
por funções senoidais de freqüências w. O caso mais geral de funções
periódicas não senoidais será obtido decompondo-se a função periódica
pela série de Fourier, determinando o comportamento da rêde correspon
dente a cada uma das componentes da série e somando os resultados.
Ao aplicar essa excitação senoidal a uma rêde, sua resposta terá com
ponentes transitórios, que decaem exponencialmente com o tempo, e com
ponentes permanentes, cuj os valores eficazes permanecem inalterados.
Algum tempo depois da aplicação da excitação, as componentes tran
sitórias terão valor desprezível, restando apenas as demais componentes.
A rêde terá então alcançado o regime permanente.
É claro que a resposta da rêde em regime permanente pode ser obtida

resolvendo completamente o circuito, por aplicação da transformação de
Laplace, e destacando em seguida as componentes não permanentes da
resposta. l!:ste processo será, no entanto, ineficiente. É preferível pesqui
sarmos, tão diretamente quanto possível, soluções particulares senoidais
das equações diferenciais das rêdes. É o que faremos a seguir, procurando
porém aproveitar ao máximo o formalismo já estudado.
Para isso, em vez de trabalharmos com funções senoidais, vamos ser
vir-nos de exponenciais complexas, cuj as partes reais representarão, con
vencionalmente, as tensões ou correntes físicas.
Assim uma tensão senoidal
( 6 . 86 ) e( t ) = 1 Em 1 cos ( wt + 0)
corresponde, evidentemente, à parte real d a função

( 6 . 87 )
com o complexo
( 6 . 88 )
Diremos que ( 6 . 88 ) é a tensão complexa correspondente à tensão

( real ) ( 6 . 86 ) .
Inversamente, s e fôr dada uma tensão complexa, a tensão real corres
pondente se obtém multiplicando o complexo por e1w' e tomando sua par
te real.
Note-se que o módulo de uma tensão complexa é igual ao valor má
ximo da tensão real, ao passo que seu argumento fornece a /ase da ten
são real.
Costuma-se também tomar o módulo das grandezas complexas igual ao
valor eficaz da grandeza senoidal.
Nêste caso, para obter o valor instantâneo devemos tomar a parte real
do produto da grandeza complexa multiplicada por v2 ei wt
( 6 . 89 ) e( t ) = R e [ v2E eiw•]
onde
( 6 . 90 ) E i E i eiO
Evidentemente, considerações análogas valem para a representação de
correntes.
Mostraremos em seguida que a representação das grandezas · senoidais
por complexos conduz a processos de resolução das rêdes formalmente
análogos aos estabelecidos com a transformação de Laplace; devemos
apenas substituir a variável complexa s pela variável imaginária jw, subs
tituir a transformada da excitação por sua representação complexa e, em
vez de anti-transformar os resultados, tomar sua parte real, após a mul
tiplicação por eiw• e, eventualmente, y -2�
Para isso, mostraremos primeiramente que as leis de Kirchhoff man
tém a mesma forma em regime senoidal.
184 ELETRÔNICA .;,__ L. Q. ÜRSINI
Consideremos então várias correntes senoidais i,, i,, . . . tõdas de mes

ma freqüência e convergindo num dos nós de uma rêde. A primeira lei
de Kirchhoff afirma que
Í1 + i2 + i1 + . . . . + in - 0
I
Empregando a representação complexa,
i Re [ -\12 l, eiw• ]
l �:. �.�� .��. �. �� -�;�?

in = R e [ v'2 ln eiw• ]
Substituindo na equação anterior e cancelando o fator comum
Re [l, eiw• + l, eiw• + . . . . + ln e1w'] = O
pois o operador "parte real" é comutativo em relação à adição

Esta expressão decorre de
11 eiw• + 12 elw• + .. . . + ln eiw• = O

Cancelando o fator e1"'', obtemos
( 6 . 91 ) l, + 12 + . + ln O
.
. . =
Verüica-se, portanto, que a 1 .ª lei de Kirchhoff mantém sua forma

quando se representam as correntes pelos complexos 1,, 1,, . . , ln.
Anàlogamente, mostrar-se-ia que a 2.ª lei de Kirchhoff se exprime em
têrmos de grandezas complexas por
( 6 . 92 ) v, + v, + . + VL o
..
=
onde os V, representam as tensões complexas medidas ao longo de uma

das malhas da rêde.
As relações entre corrente e tensão nos bipolos R, L, e e também
mantém, com a representação complexa, a mesma forma que no campo
transformado. A demonstração sendo imediata, apenas indicamos abaixo
( fig. 6 . 24 ) os resultados finais.
R e
� � li
v •Ri v=L dt
di
v• f fidt
V(ilJ =Rl (s) V(s) = sL /{5) Vf5J = I (sJ
j:,C Ujw)
s'c
Vfjw)=RJ (jw) VfjrJJ) =jwL/(jw) VfjwJ =
(a! (b) (e )
FIG . 6. 24 - Os parâmetros dos circuitos e relações entre correntes

e tensões.
Como vemos, as leis de Kirchhoff e as relações nos bipolos conservam

em notação complexa forma análoga à que têm no campo transformado.
Uma vez que estas leis são os fundamentos da teoria dos circuitos, é de
se esperar que as regras de cálculo por complexos sejam análogas àquelas
estabelecidas pela transformação de Laplace, substituida a variável com

plexa s pela variável imaginária jw. Pode-se demonstrar, embora não o
façamos aqui por brevidade, que isto é verdadeiro.
Portanto, o cálculo de circuitos em regime senoidal se processa de
maneira análoga ao cálculo por transformação de Laplace. Apenas ao
fim, em lugar de anti-transformar o resultado, multiplicam-se as correntes
e tensões complexas obtidas por v2 eiw t ( eventualmente por eiw' ) e toman
-se as partes reais. Se houver interêsse em conhecer apenas os valores
eficazes ( ou máximos ) das correntes e tensões, basta tomar os módulos
dos complexos que as representam.
6 . 12 - As funções das rêdes:
A aplicação de uma excitação ( ou sinal ) a uma rêde elétrica, por meio

de um gerador de tensão ou de corrente ligado aos seus terminais de
entrada, ocasiona o aparecimento de correntes ou tensões nos vários ramos
da rêde. Habitualmente há interêsse em determinar uma ou mais dessas
grandezas, que serão designadas por respostas da rêde. Excitação e res
posta ( ou respostas ) serão, em geral, funções do tempo.
Indiquemos por e( t ) a excitação ( sej a ela tensão ou corrente ) e por
r( t ) a resposta ( também tensão ou corrente ) que nos interessa. Suponhamos
ainda que ambos se referem a uma rêde linear. Se a excitação e a resposta
admitirem as transformadas de Laplace E( s ) e R( s ) , respectivamente, a
aplicação das equações gerais de análise permitirá a obtenção de uma rela
ção da forma
( 6 . 93 ) R( s ) F( s ) - E ( s )
onde
( 6 . 94 ) F( s ) == R( s )/E( s )
é a função d a rêde. Conhecida esta função, que depende s ó dos parâme
tros da rêde, a transformada de Laplace da resposta pode ser determinada.
Estritamente, a relação ( 6 . 93 ) refere-se a uma rêde com condições
iniciais quiescentes. Se não fôr êsse o caso, as eventuais condições iniciais
não quiescentes, isto é, capacitores inicialmente carregados ou indutores
com correntes iniciais não nulas, devem ser consideradas como outras tantas
excitações.
A função de rêde acima introduzida, como relação entre duas trans
formadas de Laplace, é uma função de rêde generalizada.
Em regime senoidal, de acôrdo com as observações do parágrafo anterior,
podemos também obter funções de rêde complexas, fazendo s == jw na defi
nição anterior e substituindo E ( s ) e R( s ) pelas respectivas grandezas com
plexas. Assim, em regime senoidal permanente,
( 6 95 )
. F( jw ) == R(jw)/E( jw )
isto é, as funções das rêdes em regime senoidal serão definidas pela rela
ção entre resposta e excitação complexas.
186 ELETRÕNICA - L. Q. ORSINI
As funções das rêdes incluem as impedâncias e as admitâncias de

entrada ou de transferência, bem como os ganhos de tensão ou de corren
te. Quando estas funções se referem a relações de grandezas transformadas
segundo Laplace, recebem o adjetivo de generalizadas; se corresponderem
à relação entre complexos representativos de corrente ou tensão, serão
adjetivadas por complexas.
A relação entre as transformadas da tensão e da corrente num bipolo
é chamada impedância generalizada ( de entrada ) do bipolo. As correspon
dentes relações entre complexos representativos das tensões ou correntes
serão as impedâncias ou admitâncias ( complexas ) de entrada.
Vejamos o aspecto destas relações em bipolos constituidos por R,
L ou C :
a) Resistência:
Temos
v( t ) = Ri( t ) i( t )
, = G v( t )
com G = 1/R
Das relações indicadas na fig. 6 . 24 ( a ), vem
V( s )
impedância generalizada : Z( s ) = R
l( S )
l( s )
admitância generalizada : Y( s ) = = G
V( s )
No caso de regime senoidal. adotando a representação complexa, ob
temos
l(jw )
Y( jw ) G
V(jw )
V(jw )
Z( jw ) R
l(jw )
b) Indutância:
Das relações da fig 6 . 24 ( b ) obtemos, considerando as transformadas
de Laplace
Z( s ) = sL
1
Y( s ) =
sL
Para o regime senoidal
Z(jw ) jwL
1 j
Y(jw )
jwL wL
c) eapacitância:
Das relações da fig. 6 . 24 ( c ) vêm, sucessivamente, para as transfor
madas
Y( s ) == se
1
Z( s )
se
e para o regime senoidal
Z(jw ) 1 /jwe == - j/we
Y( jw ) jwe
As impedâncias e admitâncias de entrada combinam-se segundo as
mesmas regras que as condutâncias e resistências, respectivamente, pois
as leis de Kirchhoff conservam a mesma forma quer em regime estacioná
rio, quer transformadas segundo Laplace, quer sob a forma complexa em
regime senoidal.
Estas funções relacionam correntes e tensões num bipolo, ou sej a, num
dos ramos da rêde. De modo mais geral podemos relacionar tensões e
correntes em pontos diferentes de uma rêde, definindo assim as impe
dâncias ou admitâncias de transferência. Estas funções, quer generaliza
das, quer complexas, se calculam sem dificuldades a partir das equações
gerais das rêdes, excitadas por um único gerador.
Finalmente, poderá haver interêsse em relacionar duas tensões ou duas
correntes em pontos diferentes da rêde. Se êstes pontos corresponderem,
respectivamente à saída e entrada da rêde, teremos as funções de ganho
de tensão e corrente. Tais funções serão também generalizadas ( funções
de s ) ou complexas ( funções de jw ) :
r
V2 C s ) V, ( jw )
G. (s) == ou G. Cjw )
V, (s) V , ( jw )
l
i
12 ( s ) I, ( jw )
G, (s) = ou G , Cjw ) =
I, ( s ) I , ( jw )
Estas funções serão utilizadas mais tarde nos estudos dos circuitos
eletrónicos.
Exemplo:
[ti
Sej a o circuito da fig. 6 . 25, cuj os ter
minais 1 1' serão considerados de entrada
e 2 2' de saída.
Vt C Vz
A impedância de entrada dêste circuito
com os terminais 22' em aberto, será dada
pela associação série das impedâncias de
r r
R e e: FIG . 6 . 25 - Exemplo para o
Z (s) = R + 1/se cálculo de ganho.
O ganho de tensão resulta

V, ( s ) 1 /RC
G( s ) = ---
V, ( s ) s + 1 /RC
6 . 13 - Representação das funções das rêdes em regime senoidal:
As funções das rêdes em regime senoidal caracterizam-se pelo seu mó

dulo e fase ( ou argumento ) , ambos funções de w :
F( jw ) = 1 F( jw ) j ei<i>(wJ
ou, fazendo M (w) j F ( jw ) j ,

F ( jw ) = M ( w ) ei<i>(w) = M ( w ) / cp ( w )
Esta última notação é muito empregada e m eletrônica.

Habitualmente, estas funções são apresentadas sob a forma de gráficos.
Assim F( jw ) pode ser caracterizada por dois diagramas cartesianos d�
M( w ) e cp( w ) em função de w. ( fig. 6 . 26 ) .
.?fw) fHwJ
FIG . G . 2S - Módulo e fase de uma função de r�de.
Utilizando o plano complexo, podemos representar F( jw ) pelo lugar

geométrico dos afixos da função F, quando w varia de O ( zero ) a ao . Jl'.:ste
lugar geométrico pode ainda ser graduado em têrmos da freqüência angu
lar ( fig. 6 . 27 ) .
w=O
Rc F
FIG . 6 . 27 - Represen�ção das funções de rêde

no plano complexo.
TEORIA DAS RftDES LINEARES 189
6 . 14 - Teoremas das rêdes :
Examinaremos aqui alguns teoremas cuj a aplicação pode simplificar

bastante a análise das rêdes.
a) Teorema da superposição
No caso de rêdes regidas por equações lineares, podemos enunciar o
seguinte teorema :
"As correntes ( ou tensões ) numa rêde excitada por vários geradores
podem ser determinadas somando-se as correntes ( ou tensões ) parciais,
resultantes da ação de cada um dos geradores isoladamente".
l!:ste teorema é uma conseqüência imediata da linearidade das equa
ções das rêdes. De fato já vimos que uma corrente qualquer de uma rêde
excitada por vários geradores é dada por
I; = !; Yit E k
k
onde os Et são as tensões ( transformadas ou complexas ) dos varios gera

dores e os Yit são admitâncias de transferência que se calculam pela relação
entre dois determinantes.
Esta expressão mostra que li pode ser considerada como a soma de
várias correntes que resultam da ação isolada de cada um dos geradores E ..
b) O Teorema de Thévenin
O teorema de Thévenin nos permite substituir uma rêde, para efeito
de cálculo da corrente ou tensão numa de suas partes, por um bipolo cons
le{t)
tituído pela associação série
de um gerador de tensão ideal illL f
e uma impedância ( gerador

de Thêvenin ) . À B
Suponhamos então uma
rêde linear, decomposta em 2
duas partes A e B, interliga FIG . 6 . 28 - Rêde decomposta em duas partes

das pelos nós 1 e 2 ( fig. para a aplicação do teorema de Thévenin .
6 . 28 ), sendo a rêde B passiva.
Abrindo-se as ligações em 1 e 2, aparecerá, nos terminais da rêde A,
uma tensão eº( t ) ( tensão em vazio, ou em circuito aberto ) ; associando a
esta rêde um gerador com a mesma tensão, mas polaridade invertida
( fig. 6 . 29 ) , a tensão entre os terminais
e0 ft)
-
da associação será obviamente nula.
+
Se a rêde B fôr ligada aos terminais
( novos ) , não haverá circulação de
A corrente.
Como na associação original circula
va a corrente i( t ), aplicando o teore
FIG . 6 . 29 - Associação de um ge ma da superposição, podemos atribuir
rador para anular a tensão nos ter
minais da rêde A.
ao segundo gerador, quando em série
com a rêde A com seus geradores não vinculados inativos, a imposição de

uma corrente i( t ) .
-
E m conseqüência, invertendo a polaridade d o segundo gerador e asso-

ciando-o em série com a rêde Ã, obtida de A tornando inativos seus gera-
dores, temos uma associação que
fornece à rêde B a mesma corrente
que a rêde original A ( fig. 6 . 30 ) .
Como a rêde B é qualquer, esta
associação é equivalente à rêde ori
ginal; esta associação corresponde ao
gerador de Thévenin equivalente à
FIG . 6 . 30 Equivalente de Thévenin
rêde dada. à rêde A.
-
Exemplo:
O circuito da fig. 6 . 31 ( a ) admite o gerador equivalente da fig. 6 . 31
( b ), onde
R,
la) {bi
FIG . 6 . 31 - Exemplo de aplicação do teorema de Thévenin.
E
E. = -----
· R,
R, R,
R. =
c) O teorema de Norton
Consideremos ainda a mesma rêde acima, dividida nas partes A e B.
Por um raciocínio dual do anterior, podemos verificar que a tensão nos
terminais da rêde B ( ou a corrente que nela penetra ) pode ser calculada
supondo inativos todos os geradores não vinculados da rêde A ( rêde A) e
ligando-se em paralelo entre A e B uma fonte de corrente, cuj a corrente
interna sej a igual à corrente fornecida pela rêde A, quando em curto cir
cuito ( fig. 6 . 32 ).
A /,/ti
'º' (b) fel
FIG . 6 . 32 - A aplicação d o teorema d e Norton.

O gerador equivalente da fig. 6 . 32 ( b ) é chamado gerador de Norton

equivalente à rêde dada.
A demonstração dêste teorema é dual do precedente pelo que vamos
omití-la.
Na fig. 6 . 33 apresentamos o gerador
de Norton equivalente à rêde da
fig. 6 . 30 ( a ).
Temos agora
E
FIG . 6 . 33 - Equivalente de Norton à
rêde da fig. 6 . 31.
Outros teoremas de circuito, de utilização menos frequente, não serão

discutidos.
6 . 15 - Observações gerais sôbre as soluções das equações das rêdes:
Nêste capítulo, após um exame do comportamento de circuitos sim

ples, introduzimos métodos gerais para a análise de rêdes, sempre com a
utilização da transformação de Laplace. Em seguida, foi feita uma par
ticularização para o regime senoidal permanente.
A aplicação dêstes métodos gerais a circuitos simples é, muitas vêzes,
excessivamente trabalhosa. Uma solução mais rápida poderá, muitas vê
zes, ser obtida por métodos mais simples e diretos, desde que se usem
alguns resultados já estabelecidos. Para esse fim valem as observações
abaixo :
1 - A determinação da resposta completa de uma rêde linear corres
ponde, matemàticamente, à determinação da solução completa de um sis·
tema de equações diferenciais lineares, ordinárias e a coeficientes constan
tes. Como se sabe, esta solução completa compõe-se da soma de uma
solução geral do sistema de equações homogêneo ( isto é, com os segundos
membros igualados a zero ) com uma solução particular do sistema com
pleto, i. é, com os segundos membros não nulos. A solução geral do sistema
homogêneo corresponde à parte transitória ( ou natural ) da resposta. De fato,
como já sabemos as componentes desta parte da resposta são funções
exponencialmente decrescentes ( pelo menos nas rêdes passivas realizáveis
fisicamente ), exponenciais estas caracterizadas pelas frequências comple
xas próprias da rêde. A solução particular do sistema completo corres
ponde à componente forçada ou permanente da resposta. Esta compo
nente se calcula sem dificuldades para excitações em degráu ou senoidais.
Assim, de um modo geral a resposta de uma rêde linear será do tipo
( 6 . 96 ) r (t) = l: A; e•i• + r1 ( t )
j
onde os A1 são constantes de integração, que se determinam através das

condições iniciais impostas, e a função r1 ( t ) é a componente forçada da
resposta. Se as frequências complexas próprias S; forem conhecidas ( ou
calculadas pelo determinante do sistema de equações da rêde ) a resposta

( 6 . 96 ) pode ser escrita imediatamente.
2 - Em muitos casos pràticamente interessantes o valor inicial, pre
valente em t = O - , e o valor final da resposta são conhecidos ou facil
mente calculáveis. Se a rêde for suficientemente simples seu comportamento
transitório será conhecido, de modo que a solução procurada poderá ser
obtida concordando-se os valores inicial e final por meio do transitório
adequado. :rtste método é particularmente interessante quando o transi
tório é apenas uma exponencial amortecida.
Para maiores detalhes sobre a Teoria das Rêdes Elétricas consultar, além das
obras já citadas no texto :
1 - E. A. GUILLEMIN, "Introductory Circuit Theory" (Wiley, 1 9 5 3 ) .
2 - N. BALABANIAN, "Fundamentais of Circuit Theory" ( Allyn and Bacon, Bos
ton, 1 96 1 ) .
Estudos mais aprofundados dos circuitos elétricos encontram-se em :
3 - S. SESHU e N. BALABANIAN, "Linear Network Analysis" (Wiley, New
York, 1 959 ) .
4 - F . F . KUO, "Ne.twork Analysis and Synthesis", ( 2a. edição, Wiley, New York,
1 966 ) .
PROBLEMAS DO CAP1TULO 6
a) Transitórios:
Problema 6 . 1 : A chave do circuito da fig.

P6 . 1 , há muito tempo na posição l , passa
bruscamente para a posição 2, no instan
te t = O. Determine :
a) a corrente i(t) n a indutância;
b) a energia final armazenada na in
dutância.
P. G.l
Problema 6 . 2: U m gerador d e tensão senoidal, com frequência 1 000 c/s, tensão

eficaz de 1 00 V e impedância interna nula, é ligado, através de uma chave, a uma
associação . série de uma resistência de 100 ohms e uma indutância de 1 mili-henry.
Supondo que a chave é fechada no momento em que a tensão passa por um máximo
positivo, determine a corrente no circuito e a tensão nos terminais da indutância.
Em que instante a chave deve ser fechada para que não haja componente tran
sitório na corrente?
Problema 6 . 3: A um circuito constituido por uma resistência R em paralelo com
uma capacitância C, com energia armazenada nula no instante inicial, aplica-se uma
tensão e ( t ) = E. H (t). Determinar :
a) a s correntes n a resistência e na capacitância;
b) a corrente total fornecida pela fonte;
c) repetir os ítens ( a ) e ( b ) , admitindo uma carga inicial q0 no capacitor.

Problema 6 . 4: Um pulso retangular de tensão de 10 volts de amplitude e 5 micro

-segundos de duração é aplicado a um circuito R,L série, com R = 2 ohms e L = 1 0
micro-henrys. Desenhar o gráfico d a corrente em função do tempo, nas seguintes
hipóteses :
a) corrente inicial nula n a indutância ;
b) corrente inicial d e 1 A na indutância.
Problema 6 . 5: O gerador de tensão no circuito da fig. P6 . 2 fornece um pulso de

10 V de amplitude e de duração de 1 micro-segundo. Determine a tensão nos ter
minais do capacitor nos seguintes casos :
a) e 1 0 pF
b) e 1 000 pF
c) e 0,1 micro-farads.
+
<? ( :} IO kfl e
P. 6.2
Problema 6 . 6 : N o circuito da figura P6 . 3 o gerador d e tensão ligado à grade está

inativo há muito tempo e a corrente de placa do triodo é de 10 mA. No instante
t = O o gerador fornece um degráu de tensão negativo, suficiente para levar a vál
vula ao córte e aí mantê-la.
+
elt!
C = fOO p F
P. 6.3
a) Determine a tensão n o s terminais d o capacitor C, em função do tempo.

b) Determine o valor mínimo de R que reduz Vc a u m s ó pulso d e tensão.
b) Análise de malhas e nodal:

Problema 6 . 7: Dado o circuito em ponte da figura P . 6 . 4, determine :
R,
a) a corrente e m R., usando análise
de malhas;
b) a s tensões nos nós, usando análise
nodal.
:f: possível resolver o ítem ( a) de ma +
neira mais simples? 20 V
R, 5 ohms
R, 5 ohms
R, 10 ohms
R. 5 ohms
Rs 5 ohms
R, 1 0 ohms P. 6.4
Problema 6 . 8: Determine a tensão v,(t) no circuito da fig. P6 . 5, utilizando análise

nodal e sabendo que o gerador fornece, em t = O, um degráu de corrente de 10 mA.
IO O p F
IOmA t 101<11 IOpF

r
P. 6.5
c ) Regime senoidal:
Problema 6 . 9: Um gerador de corrente fornece à associação da fig. P6 . 6 uma cor
rente representada pelo complexo 8 + j6 amperes, e de freqüência angular 1 000 rd/seg.
Determinar :
a ) as tensões complexas em R, L. C;
b) os valores instantâneos das mesmas tensões;
c) a tensão complexa e a tensão eficaz entre o s terminais d o gerador;
d) a potência dissipada n o circuito.
,:00.ÍL
--
, �
�f-----..-6
C = SJLF
P. 6.6
Problema 6 . 1 0: Aplica-se ao circuito da fig. P6 . 7 uma tensão senoidal de 1 00 volts

eficazes e freqüência 1 000 c/s. Sabendo-se que os vários parâmetros do circuito apre
sentam, nessa freqüência, as reatâncias indicadas na figura, determinar :
a) o valor eficaz e a defasagem [em relação a e , ( t ) ], d a corrente n o circuito;
b) idem, para e, ( t ) .
c) idem, para e, ( t ) .
fOOfl
200fl
tOOfl.
e, !tJ e,,!t)
200fl
P. 6.7
Problema 6 . 1 1 : N o circuito da fig. P6 . 8, excitado por um gerador senoidal d e 1 00

volts eficazes e frequência angular 500 rd/seg., determinar :
a) a tensão eficaz nos terminais d e R,;
b) a impedância vista pelo gerador.
M = 200mJI
R1 = 20fl. �
!OOV .._,-- L1= f00 m J.f L2 = 500m)I 1?2= 50.í1.

50ard/s
P. 6.8
c) Teoremas das rêdes:
Problema 6 . 1 2: Utilizando o teorema da superposição, determinar a corrente atra

vés do capacitar C, no circuito da fig. P6 . 9, em regime permanente.
10 0 .n. 200.n.
10012·rv+ C= 50µ F
+
,.....,
200 12. ·
L
60 C/5 - _ 60 C/s
P. 6.9
Problema 6 1 3 : Construir os geradores de Thévenin e Norton correspondentes aos

.
circuitos típicos da fig. P6 . 1 0 .

s..
ct"'
.., 1 Q::
�-r-
�
.....
.{) ct' \J
'-
'-
Q::
ri
+ 1
L.(J�
o
'-
+. � I
Problema 6 . 14: Determinar a corrente i, ( t ) no circuito abaixo ( fig. P6 . 1 1 ) , apli

cando o teorema de Thévenin.
P. � - 11
Problema 6 . 15: Determinar as correntes I, i ndicadas pelos amperômetros ideais (ele

valores eficazes ) , nos circuitos da fig. P6 . I 2 .
• on
�---'W>f-INN'.;,---�
(QJ (bl
p 6 . 12
CAPfTULO 7
CI RCUITOS COM DI OD OS
7.1 - Circuitos ceifadores e limitadores:
Iniciaremos o estudo dos circuitos com diodos pelo exame dos circuitos
'
ceifadores, isto é, circuitos que suprimem porções de formas de ondas
abaixo ou acima de um potencial prefixado. Os circuitos mais simples
para tal fim são aquêles indicados na fig. 7 . 1, ( a ) e ( b ) . Aplicando os
métodos indicados no Cap. 1, na hipótese de díodos ideais, verifica-se que
tais circuitos têm as curvas de transferência indicadas na mesma figura,
( c ) e ( d ).
R
f tl e2
[>! '
r-
e, t e., e,
Er
1
E
r
1
(oJ (b )
"2 ez
, ,_;
E - - - - - - -
r
E,, e, -0;;-t----;.E,_r-- �
(CJ 1 c:i )
Er
I 1 I
I 1 I
I 1 I
I 1 I
-o , ,'-----'--
ni---�c-----! 1 "'t
1 I 1
1 I 1
1 I \
1 I 1
'-' ,_ /
( e) ( FJ
FIG . 7.1 - Circuitos cei!adores com diodo shunt ( a ) e diodo série ( b ) .
CIRCUITOS COM DIODOS 199
Aplicando à entrada dêstes circuitos uma tensão senoidal resultam à

saída, as formas de ondas indicadas, respectivamente, na fig. 7 . 1 ( e ) e / ) . (
E m ambos o s casos, a forma d e onda foi cortada n o nível E,, donde o
nome de ceifadores dado a êstes circuitos.
No caso de díodos reais, a presença das resistências direta e inversa
modifica um pouco as características de transferência, e o corte não se
dá exatamente em E,. Introduzindo o modêlo do diodo real na fig. 7 . 1 ( a ) ,
obtemos o circuito da fig. 7 . 2 ( a ), onde r , e r, representam as duas resis
tências mencionadas. Dêste modêlo, sempre aplicando os métodos do Cap.
1 , resulta a característica de transferência indicada na fig. 7 . 2 ( b ) , dada
por dois segmentos de reta, que se obtém das equações :
R
��W-/#WWlr--��--o-��
1
ez
e,
( e;, ) ( b)
FIG . 7 . 2 - Influência das resistências do diodo no circuito ceifador.
a) diodo bloqueado:
e, - E,
(7. 1) e, + E,
1 + R/r,
b) diodo conduzindo:
==
e, - E,
(7.2) e, + E,
1 + R/rr
Se tomarmos R » rr e R « r, ao fazer o projeto do circuito, veri
fica-se que a característica de transferência afastar-se-á muito pouco da
ideal.
Relembremos algumas ordens de grandeza :
r, - varia de 100 a 1000 ohms nos díodos a vácuo e de 1 a 500 ohms
nos díodos semicondutores;
r, - pode ser considerado infinito nos díodos a vácuo e varia de 100
K ohms a 1000 K ohms nos díodos semicondutores.
É possível, portanto, realizar simultâneamente as duas condições aci
ma indicadas, obtendo assim circuitos ceifadores cuj a operação se apro
xima muito da ideal. Note-se que desprezamos aqui a capacitância para
sita dos díodos, que deve ser considerada em circuitos com formas de ondas
muito rápidas.
Os circuitos limitadores, que mantém a tensão de saída no intervalo
fixado por duas tensões de referência, En e E,,, se obtém associando dois
circuitos ceifadores, como indicado na fig. 7 . 3.
Tal circuito impede que a forma de onda de saída excursione fora do

intervalo E,,-E,,, como se verifica na curva de transferência da fig. 7 . 3, b.
e,
(c. J (b)
FIG . 7 .3 - Circuito limitador.
7.2 - Retificadores de meia onda e onda completa:
A obtenção de tensões contínuas para a alimentação de circuitos ele

trónicos se faz, habitualmente, retificando a tensão alternativa fornecida
pelas rêdes de fôrça, por meio de circuitos retificadores. Os elementos
básicos dêstes circuitos são os retificadores de meia onda e os retificadores
de onda completa.
Na fig. 7 . 4 apresentamos o circuito de um retificador de meia onda,
com resistência de carga RL e a correspondente curva de transferência ( na
hipótese de diodo ideal ) .
e,
1 I
1 I
1 I
1 I
o e, ,_,
(O} (b} lei
FIG . 7.4 - O retificador meia onda.
Se a tensão de entrada fôr dada por
e, ( t ) = Em sinwt
[
a tensão retificada terá a forma indicada na fig. 7 . 4 ( c ). A análise de
J
Fourier desta onda fornece.
sinw t - -- �
1 1 2 cos kwt
( 7 . 3 ) e,( t )
L.J
= Em · -- + --
7t 2 7t (k + 1 ) . (k - 1)
k: = 2 ,4,8 . . .
A componente contínua desta onda, correspondente ao seu valor médio

num período, é
(7.4)
e seu valor eficaz, que se calcula fàcilmente aplicando a definição, resulta
{7.5)
Uma tensão retificada ideal deverá ter apenas a componente constan

te; a fim de caracterizar o afastamento dêsse caso ideal, define-se
o fator
de ondulação por
(7.6)
onde E',1 corresponde ao valor eficaz das componentes alternativas da

onda retificada.
No caso da retificação de meia onda esta componente se calcula da
seguinte maneira:
(7.7)
l/ E',r
Em conseqüência, o fator de ondulação da onda retificada é
(7.8) r =
t --- - 1 = 1,21
E2cc
O retificador de meia onda conduz então a um fator de ondulação
muito elevado.
Resultado melhor se obtém com o retificador de onda completa, repre
sentado na fig. 7 . 5.
Êste retificador exige o emprêgo de um transformador com tomada
central no secundário, como indicado na figura.
A análise de Fourier da onda completamente retificada, supondo uma
tensão de entrada senoidal e, = Em sinw t e com diodos ideais no circuito,
J
fornece
cos kwt .
(7.9)
(k 1) (k + 1) -
l, �'
�
]1 1 1 te,
E,.
( O ) (Q)
FIG . 7.5 - O retificador de onda completa.

202 ELETRÔNICA � L. ·Q. ÜRSINI
A componente contínua · desta onda é

( 7 . 10 ) E cc 2Em/1t
ao passo que seu valor eficaz é
( 7 . 11 ) E,( = E mN2
O fator de ondulação, calculado pela aplicação de ( 7 . 8 ) resulta

( 7 . 12 ) . r = 0,482
Como êste fator de ondulação ainda é excessivo para grande número
de aplicações, associam-se elementos de filtragem aos retificadores, como
mostraremos logo mais. Com êstes filtros o fator de ondulação pode ser
reduzido a valores convenientes.
A retificação de onda completa pode também ser obtida com o retifi
cador em ponte, indicado na fig. 7 . 6.
]1 1
o t
(a ) (ó )
FIG . 7 .6 '-- O retificador em ponte.
Neste caso a componente contínua da tensão retificada, seu valor eficaz

e seu fator de ondulação são calculados pelas mesmas fórmulas do retifica
dor de onda completa.
O retificador ponte exige quatro diodos, ao passo que o de onda com
_pleta exige apenas dois. No entanto, o primeiro circuito tem algumas van
tagens que podem compensar o aumento de diodos, sobretudo quando
se utilizam semicondutores. Assim, o transformador dos retificadores
em ponte não tem tomada central e o valor máximo da tensão entre
os seus fios extremos é igual ·a Em ( 2Em nos retificadores de onda com
pleta ). A tensão de pico inversa nos diodos, isto é, a máxima tensão a que
ficam suj eitos, quando bloqueados, é igual a E'" no retificador em ponte e
vale 2Em nos retificadores de onda completa. Em conseqüência, para um
dado tipo de diodo, com o retificador em ponte poderemos obter tensões
retificadas duas vêzes· mais elevadas que com o retificador de onda completa.
7.3 - O retificador de pico:
Consideremos agora um retificador de meia onda tendo em paralelo

com sua resistência de carga R L uma capacitância c tal que
RL e » T,
onde T é o período da tensão que alimenta o circuito ( fig. 7 . 7 ) .
t'IG . 7.7 - O retificador de pico.
Suponhamos aplicada ao circuito uma tensão

e,( t ) = Em sinwt,
com o capacitor inicialmente descarregado.
Se a resistência R, fôr pequena, de modo que R, e « T, o conden
sador começa a carregar-se ràpidamente, assim que se torne e, > O, pois
o diodo conduz ( fig. 7 . 8, a ) ; a tensão em seus terminais sobe pràtica
mente junto com e., até o instante t = T/4. A partir dêsse instante, e, di
minui e o diodo deixa de conduzir; o capacitor passa a descarregar-se atra
vés de R L , sendo �ma tensão dada por
( 7 . 13 )
t'
A e;: e e
E"" - - -- ,
' B ' / l \ ,e, B/ Í ' ,
,
\ \ I 1 '( • 1 \
\ li 1 1 1 1 /1 1 \
1 1 1 1 1 1 1 I 1 1 \
1 I 1 1 1 1 1 I 1 1 \
1 I l 'd l 1 1 1 t 1 \
1 IT
1
1 I
\ I 1
\ I \
\ I
' /
rv'-
e,
- 2 E,..,. tb/
1 0 1
FIG . 7 . 8 - Form_as d e ondas n o retificador d e pico.
Esta descarga prossegue até que a tensão e,, na segunda alternância,

iguale a tensão do capacitor ( ponto B ) . O diodo passa a conduzir nova
mente, recarregando o capacitor até o ponto C. Em seguida recomeça o
mesmo ciclo.
A tensão máxima nos terminais do capacitor, uma vez atingido o regi
-
me permanente, é igual a Em; a sua tensão mínima, uma vez que R LC » T,
obtém-se considerando os têrmos lineares do desenvolvimento em série de
( 7 . 1 3 ) , com t � T :
( 7 . 14) ez m t o � Em [ 1 T/( R LC ) ]
)
O valor médio de e, num período é , portanto,
Em + e z min
( 7 . 15 ) é, =
2
\
A corrente contínua que atravessa a resistência de carga é dada, apro

ximadamente, por
( 7 . 16 )
Note-se que o capacitor C funciona como um filtro, pois reduz o fator

de ondulação da tensão de saída.
Na fig. 7 . 8 (b ) representamos ainda a tensão nos terminais do diodo.
e. = e, - ei
7.4 - O circuito grampeador ( "clamp circuit" ) :
Examinemos agora a operação d o circuito representado na fig. 7 . 9,

chamado circuito grampeador porque fixa a forma de onda numa tens&o
de referência.
+
e , '"'-'
FlG . 7.9 - O circuito grampc:tdor.
Suponhamos o capacitor inicialmente descarregado e e, Em sinwt . =
O período T de e, seja tal que CR, « T, isto é, a constante de tempo de

carga do capacitar sej a muito pequena em relação ao período de e,.
e,
1
1
':1 -- ;--T------,
( CI )
(bl
FIG . 7 . 10 - Fórmas de ondas no circuito grampeador.

CIRCUITOS COM Drnnos 205
A aplicação da segunda lei de Kirchhoff ao circuito fornece
( 7 . 17 )
Consideremos agora e 1 aumentando a partir de zero; enquanto fôr

e, < E, o diodo permanece bloqueado, de modo que o potencial e, acompa
nha e, ( trecho OA, fig. 7 . 1 0 ) . A partir de e, E, o diodo conduz, carregan
=
do-se o capacitor. Esta carga prossegue até e, Em e e, fica constante

=
mente igual a E,, pois o diodo conduz no trecho AB.

Ultrapassado o máximo e, Em, o capacitor fica carregado à tensão
=
E,. - E, e o diodo bloqueia, pois seu potencial e", de acôrdo com ( 7 . 17 )

fica negativo. Como a ca:rga do capacitar não varia mais, a variação de e,
acompanha a variação de e , , resultando a curva indicada na fig. 7 . 10 ( b ) .
Verifica-se, portanto, que êste circuito fixa o tôpo d o sinal d o nível E,,
uma vez atingido o regime permanente.
Invertendo-se o diodo ( fig. 7 . 1 1 ) a repetição da análise acima mostra
que a base do sinal fica em E,.
A propriedade básica dos circuitos grampeadores - fixação da base ou
do tôpo do sinal - conduz a seu emprêgo comum em circuitos de televisão
ou de pulsos. Dêle se podem derivar também os circuitos de voltômetros a
diodos ou dobradores de tensão, que examinaremos a seguir.
+
e, .-..._,
��cll _1
+
Zr
e2
-�----------�
o
lJl t
FIG . 7 . 11 - Grampeador para fixar a base do sinal.
7 . 5 - Os voltômetros a diodos:
A medida de tensões que variam ràpidamente com o tempo não pode
ser feita com voltômetros comuns, pois a inércia mecânica c:l.o aparelho ou
os parâmetros residuais do circuito associado impedem o seu funciona
mento. Existe, naturalmente, a possibilidade de retificar a tensão a medir
com um dos circuitos anteriores; se não fôr utilizado um filtro, a leitura
do aparelho será proporcional ao valor médio da tensão. Se fôr empregado
um retificador de pico ( seç. 7 . 3 ) , a leitura será proporcional ao valor de

pico da tensão medida.
Outra possibilidade é a utilização de um circuito grampeador, seguido
de um filtro RC ( fig. 7 . 12 ) .
e,
e, P,
grorn,oeador l'!ltro
FIG . 7 . 12 - Voltômetro a diodo.
Supondo-se R, e R, suficientemente elevados, de modo a não modifica

rem sensivelmente o funcionamento do circuito grampeador, a tensão ea
corresponde à tensão de entrada, grampeada no nível zero ( fig. 7 . 13 ) .
t t
e,
-
t
t
Noto .- As áreas achur1adas sõo 1gvois.
FIG . 7 . 13 - Formas de onda no voltômetro de "pico acima da média".
O filtro R, e, extrai da tensão e0 a componente contínua, resultando a

tensão e,. Um voltômetro de tensão contínua, que meça e,, fornece então
o "pico acima da média" da tensão de entrada.
7.6 - Os dobradores de tensão :
Ainda do circuito grampeador deriva-se o retificador dobrador de ten

são, que permite obter uma tensão retificada da ordem de 2Em, onde Em é a
amplitude da tensão senoidal de entrada.
CIRCUITOS COM Drnoos 207
Como se indica na fig. 7 . 14, o dobrador de tensão compõe-se de . um

grampeador em série com um retificador de pico; uma vez que o pico. da
tensão fornecida pelo grampeador é igual aproximadamente a 2Em, a tensão
contínua fornecida pelo retificador de pico será também aproximadamente
igual a 2Em.
A presença de resistências, inclusive de carga; reduz a tensão de saída.
l!;ste retificador, aliás, tem má regulação, isto é, a diferença entre as ten
sões em vazio e em carga é bastante grande; isto limita sua utilização.
FIG . 7 . 1 4 - Circuito dobrador de tensão.
Os circuitos dobradores podem ser generalizados, levando aos circuitos

multiplicadores de tensão. A título de exemplo, apresentamos na fig. 7 . 15
um circuito quadruplicador de tensão ( para maiores detalhes sôbre cir
cuitos multiplicadores de tensão, ver FRISCH, "Progress in Nuclear Phy
sics", vol. 1 , págs. 22-24 ) .
"f -
- 1t i>I
1
2E�
4 €,.,
12<�
E�
FIG . 7 . 15 - Circuito quadruplicador de tensão.
7.7 - Os filtros de retificadores:
Como vimos, os retificadores constituídos apenas por díodos e resis

tências fornecem tensões e correntes que contém componentes alternati
vas em proporção considerável, ou sej a, o respectivo fator de ondulação é
elevado. Uma vez que a maioria dos circuitos alimentados pelos retificado
res exige que essas componentes sej am muito reduzidas, torna-se neces
sário comple tá-los com filtros adequados, que reduzirão o fator de ondula
ção a valores prefixados.
O filtro mais simples será constituído por um capacitor colocado em
paralelo com a carga, constituindo um retificador de pico ( ver fig. 7 . 6 ) .
Êste filtro, porém, s ó é eficiente para resistências d e carga muito elevadas,
208 ELETRÔNICA - L. Q . ÜRSINI
.
ou para retificadores que fornecem correntes muito pequenas. A seguir

examinaremos os dois tipos de filtros mais empregados.
a) Filtro com indutância de entrada:

A célula de filtragem é constituída por uma indutância L, em série com
a carga, e uma capacitância em paralelo ( fig. 7 . 16 ) .
�1Y.llllilffi'.�-o��.-<>-�--.
L
FIG . 7 . lG - Filtro . com indutância de entrada.
A indutância habitualmente é constituida por um enrolamento sôbre

um núcleo de ferro, pois deve ser de valor elevado; a capacitância, tam
bém alta, se realiza por um capacitor eletrolítico.
Vamos . examinar quantitativamente êste filtro, na hipótese de que o
mesmo sej a atacado por um retificador de onda completa. A vista da in
dutância elevada, é razoável supor também que a corrente nunca se anula,
de modo que um ou outro dos diodos do retificador de onda completa
sempre conduz; a transição de um a outro díodo será, supostamente, rea
lizado num tempo muito curto.
Assim sendo, podemos considerar o circuito da fig. 7 . 16 atacado por um
gerador de tensão retificada, cuja tensão é dada por
2 Em 4 Em '
( 7 . 18 ) e,( t ) = --- - --- cos 2wt +
1t 31t
Restringimo-nos na expressão acima à segunda harmônica, pois a

filtragem será mais eficiente para as componentes de freqüências superiores
( note-se que a reatância indutiva, em série, será tanto maior quanto mais
elevada a freqüência, ao passo que a reatância capacitiva, em paralelo, di
minui quando a freqüência sobe, curto-circuitando a carga para as fre
qüências mais altas ).
Supondo desprezíveis as resistências do indutor e do retificador, a ten
são contínua do filtro será
( 7 . 19 ) E,, 2 Em/1t =
isto é, é igual à componente contínua da tensão do retificador.

Se a indutância e a capacitância são elevadas, a reatância indutiva
XL = 2wL ( em 2.• harmônica ) é também alta, ao passo que a reatância
capacitiva X, = 1 / ( 2wC ) é muito baixa. Em conseqüência, o valor eficaz
da corrente alternativa que atravessa as duas reatâncias será dado, essen
cialmente.· por
CIRCUITOS COM Drooos 209
Como a maior parte desta corrente passa pela capacitância, pois

1 /2 w C « RL, a tensão eficaz entre seus terminais é
-
v 2
E',r = Xc l'cf = --- E" X,/XL
3
O fator de ondulação à saída do filtro será então
( 7 . 20 )
=
Para a freqüência de 60 c/s obtemos, com L e m henrys e C em micro
farads;
0,83
( 7 . 21 ) r
LC
Procuremos agora calcular a tensão de saída aproximadamente, le
vando em conta a resistência direta dos díodos e a resistência do indutor
( fig. 7 . 17 ) .
\E.r
JI� ' 1
FIG. 7 . 17 - Retificador de onda completa com filtro de indutância na

entrada..
Se um dos diodos sempre conduz, a ter.são contínua de saída será

dada por
2 Em
E" = - 1-. r,, I" R,
/[ l
--- -
1t
=
Eoc/RL, da equação acima obtemos
2 Em ri' Rc
E" --- 1 + --- + ---
1t R 1. RL .
Introduzindo o valor eficaz da tensão no secundário do transformador,
/[
E.r = Em/ v2, chegamos à expressão final
( 7 . 23 ) Eo, = 0,90 E.r 1 +
Se r" e R, forem muito menores que R,, a tensão de saída fica pràti
camente constante e igual a 0,90 E or.
210 ELETRÓNICA - L. Q. - ÜRSINI
resultado, mostra ( pág. 209 ) que a tensão de saída de um retificador

o
com filtro varia com a corrente de carga. A regulação do sistema é defi,.
nida por
=
( 7 . 24 ) Regulação % X 100
=
onde E'° tensão contínua em vazio e Eoc tensão continua em plena
carga. Para o filtro obtemos
( 7 . 25 ) Reg. % ( rp + R ) x 100/RL ,
aplicando a definição da pág. 209.

Nota: Os resultados indicados nêste parágrafo foram obtidos supondo
que a corrente através da indutância é sempre não nula. Isto ocorre quan
do o valor dessa indutância é maior que um certo valôr crítico, dado por
( 7 . 26 )
( vêr, a respeito, Millman, "Vacuum-Tube and Semicondutor Eletronics",

pgs. 510 ss., McGraw, 1958 ) .
b) Filtro com célula 7t e capacitânciá de entrada:

Constitui-se de uma ou mais células 7t, com dois capacitores e um
indutor, como indicado na fig. 7 . 18.
(b
1 L
"
ma
J.
r
E2 E20 /?L
FIG. 7 . 18 - Filtro com célula 7t e capacitância

de entrada.
Com êste filtro a tensão continua - fornecida se aproxima da tensão de

pico do secundário do transformador do retificador, sendo portanto bem
mais elevada que no caso anterior. A regulação, no entanto, é pior que no
caso anterior e os elementos retificadores fornecem picos de corrente que
devem ser limitados de alguma maneira.
Vamos analisar êste filtro por um método devido a Arguimbau ( vêr
Arguimbau e Adler, "Vacuum Tube Circuits and Transistors", Wiley, 1956 ).
Suponhamos então que a célula de filtragem é alimentada por um retifi
cador de onda completa. Para o cálculo do fator de ondulação a componen
te alternativa mais importante será a correspondente à segunda harmõni
ca da frequência, pois o filtro será mais eficiente para as frequências
superiores.
A corrente que entra no filtro será constituida por picos d e pequena

duração, pois os diodos só conduzirão durante pequena parte do ciclo, como
foi visto para os retificadores de pico. A amplitude da segunda harmônica
desta corrente obtém-se, pela análise de Fourier, a partir de
l'im =
T 2 f' •
ib COS 2wt dt
Notemos agora que os picos da corrente ib ocorrem quando a tensão

retificada passa pelos máximos, isto é, quando cos 2wt é próximo de 1
;
( ver fig. 7 . 19 ) . Em conseqüência,
l'im = r
Esta integral não é senão
a carga fornecida num pe t
ríodo, ou sej a I" T, onde I"
é a corrente contínua que sai
do filtro . Portanto,
FIG. 7 . 19 - Fórmas de ondas no filtro com célula '!t·
O valor eficaz da componente da segunda harmónica é

I'"1 = v D"'
A maior parte desta corrente passa por e,, de modo que o potencial
da segunda harmônica na entrada do filtro é
E', = vZ !';, Xc1
Como a reatância de e, também é muito pequena, a tensão de segunda
harmônica à saida do filtro é
Xc1
E',0 = ·../°2. I" X"
XL
Substituindo I" por Eoo/RL, o fator de ondulação fica
E',0 Xc1 X,,
( 7 . 27 ) r = -- = v2 -- . --
E" XL RL
Nas expressões acima as reatâncias são calculadas na freqüência 2w.
Para uma alimentação a 60 c/s, capacitâncias em micro-farads, resistência
em ohms e indutância em henrys, a última expressão fornece
3,3 X 10'
( 7 . 28 ) r =
c,c, L RL
Se o indutor fôr substituido por um resistor R,, o que se faz comu
mente em pequenos retificadores, uma análise análoga ao caso anterior
fornece
Xo1 x'2
( 7 . 29 ) r = v -Z
=
Rr Rc
ou, a 60 c/s,
2,5 X 10'
( 7 . 30 ) r
C, C, Rr Rc
A tensão contínua de saída dêste filtro pode ser obtida sem dificuldade
se desprezarmos a resistência interna dos diodos e a impedância do trans
formador que alimenta o circuito, utilizando os resultados já obtidos
quando estudamos o retificador de pico. De fato, dentro das mesmas apro
ximações lá introduzidas, a tensão contínua nos terminais do primeiro
capacitor será
( 7 . 31 )
4 t e,
E": [1 ]=
Sendo Ro a resistência do indutor de filtragem, a tensão contínua de
saída será
Rc
( 7 . 32 ) Eo.1 = R - E cc1
Rc + R, R, + RL
Substituindo-se o valor de E"" obtido da expressão anterior, obtemos
a tensão de saída em função de !".
O cálculo exato da tensão de saída é complicado ; pràticamente efe
tua-se com a utilização de curvas que se encontram nos manuais de rádio
·
( ver, por ex., Landee e outros, "Electronic Designers Handbook", cap. XV,
McGraw, 1957 ).
7. 8 - Os retificadores estabilizados a válvulas:
A tensão de saída nos retificadores já estudados varia quando mudam

a tensão da rêde e a corrente de carga. Para eliminar essa variação em
pregam-se circuitos estabilizadores ou reguladores de tensão.
O circuito de estabilização mais simples aproveita a região de tensão
constante da característica das válvulas reguladoras de gás.
Estas válvulas são diodos com V
gases adequados ( mistura de (volts/
gases nobres ) , a pressões entre

0,5 e 40 mm de Hg. A aplica
------:'
105
ção à válvula de uma tensão .__ \.. 1
maior que a tensão de ignição

estabelece uma aescarga atra
vés do gás nela contido. A ca t 'J O
racterística da descarga é tal

que a tensão entre o catodo e o
anodo se mantém pràticamente
constante desde que a corrente
se mantenha num intervalo
FIG . 7 . 20 Característica de válvula i·cguiadora.
-
J,.., -Jmin { fig. 7 . 20 ) .

CIRCUITOS COM Drnoos 213
A tensão de ignição é cêrca de 50 a 30% superior à tensão de operação

_
da valvula. Em alguns tipos de válvulas reguladoras contaminam-se os
eletrodos com material radioativo, a fim de reduzir a tensão de ignição.
Encontram-se válvulas reguladoras
com tensão de operação de 70 a 150 volts.
Para estabilizar tensões mais elevadas
estas válvulas podem ser associadas em CJ2 - 0, 5 M.12
série; convém, no entanto, dispôr uma ou
mais resistências em paralelo, para faci
litar a ignição das válvulas ( fig. 7 . 21 ) .
A associação em paralelo de válvu
las reguladoras não é recomendável, pois
será difícil equalizar as correntes que as
atravessam.
A tensão de operação das válvulas
reguladoras habituais pode sofrer varia
ções sensíveis durante sua vida, devido
a alterações internas ou a fatores exter FIG. 7 . 21 Associação série de
-
válvulas reguladoras.
nos; estas variações se fazem, às vêzes,
em pequenos saltos. Quando se deseja uma tensão bem determinada, usa-se
uma válvula de referência ( por exemplo, a 85 A2 ), em cuja construção fo
ram tomados cuidados especiais para reduzir as flutuações de tensão. As
válvulas de referência devem trabalhar com uma corrente constante.
Para estabilizar a tensão de um retificador com válvulas reguladoras
utiliza-se uma resistência em série, como indicado na fig. 7 . 22.
Retilic ador não

estabilizado
=
FIG. 7 . 22 - Estabilização de tensão com válvula reguladora.
Dêste circuito obtemos

E, R, ( i1 + i, ) + E,
Nos problemas práticos i1 e i, são dados; i, é a corrente de operação
=
da válvula e i, é a corrente nominal de carga do retificador. A resistência
série calcula-se então de
( 7 . 33 ) R,
i, + i,
Para prosseguir com a análise, vamos aproximar a característica da
reguladora por uma reta :
( 7 . 34 ) E, a i1 + b
Com o auxílio da equação anterior e considerando ainda que E, =
RL i,, a tensão regulada se exprime em função de E, por

aRLE1 + bRtR,
E, =
RLR s + aR, + aRL
Introduzindo agora um /ator de estabilização S dE,/dE,, da expres-
são anterior resulta
aE, + bR,
( 7 . 35 ) s
a E,
A expressão acima indica que, para uma dada válvula, a estabilização
será tanto melhor quanto maiores E, e R.
Ao projetar um circuito estabilizador devemos ainda satisfazer às se
guintes condições, nos casos mais desfavoráveis :
a ) a corrente na válvula reguladora não deve cair abaixo de lm;,;
a) a máxima corrente na válvula reguladora não deve ultrapassar
Imu;
c) a ignição da válvula, ao ligar-se o circuito, deve ser assegurada.
Para examinar a maneira de satisfazer a essas condições, partamos

da corrente na válvula reguladora:
E, - E,
( 7 . 36 ) i,
R,
Vamos considerar variações admissíveis máximas ± t::,. E, e ± t::,. i, da
tensão de entrada e da corrente de carga.
Com referência à condição ( a ) , a situação mais desfavorável é aquela
em que ocorrem, ao mesmo tempo, uma diminuição de E, e um aumento
de i,. Devemos então assegurar que
E, - t::,. E , - E,
( 7 . 37 )
R,
Da mesma forma, para satisfazer a ( b ) nas piores condições,
E, + t::,. E 1 - E,
( 7 . 38 )
R,
Finalmente, para assegurar a ignição da válvula ( condição c ) , deve
mos ter
( 7 . 39 ) > v .•n
R s + RL
onde V,., representa a tensão de ignição.
Com as três relações acima podemos determinar as restrições superior e
inferior para a resistência R,. Se o intervalo de valores permissíveis resul
tar grande, R, deve ser tomada próximo ao extremo superior, para melhorar
o fator de estabilização. Pode também acontecer que o menor valor para

R, seja maior que o extremo superior. Nessas condições, o problema de
estabilização não pode ser resolvido com a válvula considerada; será pre
ciso trocar de válvula reguladora ou modificar os dados do proj eto.
As imperfeições inherentes às válvulas reguladoras permitem controlar
a tensão de saída dentro de uns poucos porcentos; além disso, a tensão
regulada deve corresponder aos valores discretos de tensão fornecidos pelas
válvulas encontradas no mercado.
Em aplicações mais críticas, usam-se sistemas mais elaborados para a
regulação; tais sistemas obedecem ao esquema de bloco da fig. 7 . 23. Como
elemento de referência pode ser usada uma pilha padrão, uma válvula
reguladora ou de referência, ou diodo de Zener. Os circuitos que consti
tuem os vários blocos serão estudados a seu tempo.
Regvlador
Êrro
E, ornoslra
Refe rência ,_____---< Ez
Comparador
FIG. 7 . 23 - Diagrama de blóco de circuito regulador de

tensão.
7.9 - A estabilização com díodos de Zener:

Os díodos de Zener apresentam na sua característica ( fig. 7 . 24 ) uma
região em que a tensão se mantém constante, quando submetidos a uma
polarização reversa suficiente. Díodos de silício convenientemente construi
dos podem trabalhar nessa região,
sem se danificar, desde que a potên ; ,,
cia dissipada sej a devidamente limi

100 m A
tada.
Como no caso das válvulas regu
ladoras, esta região da característica
pode ser aproveitada para construção V�
de fontes reguladoras.
IV V
Encontram-se díodos Zener para
tensões de alguns volts até cêrca de
Cond. r e v e r s a
30 volts ; para estabilizar tensões mais
elevadas, vários diodos podem ser as
IOO rnA
sociados em série e montados numa
só cápsula. Outra característica im rz = res incre -
rn e n fo !
portante dos diodos de Zener é a má
FIG. 7 . 24 - Característica de diodo
xima potência dissipada, sendo fabri· de Zener.
cados diodos para até 10 watts de dissipação máxima, a 25ºC. Para a opera
ção em temperaturas mais elevadas, esta dissipação máxima deve ser redu
zida de acõrdo com as recomendações do fabricante.
O circuito básico de regulação
com os diodos de Zener é seme
lhante ao utilizado com as vál
vulas reguladoras : uma resistên
cia série absorve as variações de E,
tensão ( fig. 7 . 25 ) .
Do circuito dessa figura obte-
mos imediatamente :
FIG. 7 . 25 - Estabilização de tensão com
díodo de Zener.
onde Vz é igual à tensão de saída, E,.

Desta relação obtemos o valor da resistência série :
( 7 . 41 ) R, = ( E, - Vz )/( Iz + Id
A corrente através do diodo e a potência nêle dissipada resultam
( 7 . 42 ) [, = - IL
R,
E, - Vz
( 7 . 43 ) pz = VZ IZ = vz - Ic vz
R,
Para completar o projeto, é preciso verificar-se que a potência máxima

não sej a excedida, nem a corrente através do diodo caia abaixo de um
valor mínimo, nas piores condições. Tomando como valor mínimo dessa
corrente 10% de Ic. temos as seguintes expressões para o projeto :
E, - t::,. E 1 - V,
( 7 . 44 ) R, =
JLmu + 0,1 ILmax
E, + t::,. E , Vz
( 7 . 45 ) Pzmax = V, -
VzILmin
R,
Em conclusão, notemos que os diodos de Zener adequadamente construi

dos, de modo que o seu coeficiente de temperatura fica muito reduzido,
podem ser também utilizados como referências de tensão, quando polariza
dos inversamente ( ver, para maiores detalhes, Intern. Rect. Cor., "Zener
Diode Handbook", El Segundo, California, 1960 ) .
Bibliografia d o capítulo 7 :
a) Sôbre a utilização de circuitos com diodos na formação de ondas, consultar :

1 - J. MILLMAN e H. TAUB, "Pulse, Digital and Switching Waveforms",
McGraw, New York, 1 9 6 5 .
2 - L. STRAUSS, "Wave Generation and Shaping", McGraw, New York, 1 960.
b) Com respeito à construção d e retificadores e filtros, referir-se a :
3 - J . MILLMAN, "Vacuum-tube and Semiconductor Electronics", McGraw,

New York, 1 9 5 8 .
4 - R . W . LANDEE, D . C. DAVIS e A . P . ALBRECHT, "Electronic Desig

ners Handbook", McGraw, New York, 1 957.
5 - M. V. JOYCE e K. K. CLARKE, "Transistor Circuit Analysis", Addison

-Wesley, Reading, Mass., 1 96 1 .
Problema 7 . 1 : À entrada do circuito ceifador da fig. P7 . 1 ( a ) aplica-se a tensão

t riangular indicada na mesma figura. Determinar a tensão de saída, supondo que as
�
resi stências direta e inversa do diodo são, respectivamente, 1 00 ohms e 1 00 K ohms.
e,
tOfefl.1�
e1 e2
10 V
5V 1_ t (mBJ
FIG. P . 7 . 1
=
Problema 7 . 2 : Supondo ideal o diodo d o circuito d a figura P7 . 2 ,
a) determinar a expressão d a cor
rente através de R 5000 ohms, seu
D
valor eficaz e sua componente contínua,
sabendo que o gerador fornece uma ten
são de 1 1 0 V eficazes, 60 c / s ; R
b) qual o nôvo v a l o r da compo

nei:ite contínua da corrente em R se uma
capacitância de 50 micro-farads fôr colo
cada em paralelo com R ? FIG. P . 7 . 2
Problema 7 . 3 : No circuito da fi g . P7 . 3, com o diodo suposto ideal, a tensão de en

trada, mantida igual a 1 00 V há muito tempo, varia a partir de t = O como indica
do no gráfico. Determinar a tensão e, e m função do tempo. Repetir o problema
supondo que o diodo tem r1 = 1 000 ohms e r , = 500 K ohms.
I rn s 2
FIG. P . 7 . 3
Problema 7 . 4: Uma onda quadrada de 5 kc/s, cujas tensões máximas e mm1ma

são + 50 e - 50 V, é aplicada ao circuito da fig. P7 . 4 . Supondo ideal o · díodo,
determinar :
a) a tensão de saída, desprezando capacitâncias parasitas;
b ) a mesma tensão de saída no início da operação do circuito e em regime
permanente, supondo igual a 10 pF a capacitância placa-catodo do diodo.
e,
+ 50 V
.1
J_::
e,
0,2 0,3 0,4 t(rns}
1 25 V
FIG. P . 7 . 4
Problema 7 . 5: Um díodo da EZ90 ( 6X4 ) , ligado como re.tificador de 1h onda, ali

menta uma carga de 2500 ohms, a partir de um transformador com tensão eficaz
de 350V. Pede-se:
a ) determinar a característica de transferência do circuito, a partir das ca
racterísticas da válvula (ver Apêndice 2 ) ;
b ) construir gràficamente a fórma da corrente de saída, supondo senoidal a
tensão aplicada e desprezando a impedância interna do transformador;
c) estimar rp da válvula, para 4 valores de corrente ( 20, 40, 60 e 80 mA) e
determinar daí seu valor médio;
d ) com o resultado do item ( c ) , construir um modêlo com díodos do cir
cuito, repetir o ítem ( b ) e verificar a aproximação obtida.
Problema 7 . 6: Um circuito típico para alta tensão de uma válvula de raios cató
dicos está indicado na fig. P7 . 5. Determinar a tensão contínua de saída, o fator
de ondulação e a máxima tensão de pico inversa da válvula. Desprezar a impe
dância do transformador e a resistência do díodo.
J T
FIG. P . 7 . 5
Problema 7 . 7: Um retificador com filtro RC (fig. P7 . 6) fornece uma corrente de

5mA. Desprezando a impedância interna do transformador e as resistências dos
diodos, determinar o valor eficaz da tensão em cada metade do transformador para
que o retificador forne,ça uma tensão contínua de 500 V.
tOO kfl
FIG. P . 7 . 6
Problema 7 . 8: Deseja-se obter uma tensão estabilizada d e 1 5 0 V , para alimentar

uma carga de 20 mA, a partir de um retificador que fornece uma tensão contínua
de 250 ± 1 0 % V. Utiliza-se para isso uma válvula reguladora OA2, assim espe
cificada :
tensão nominal : 1 50 V
tensão de ignição : 1 80 V
corrente mínima : 5 mA
corrente máxima : 30 mA
Calcular a resistência série do circuito estabilizador e a máxima variação ad

missível na corrente de carga.
Problema 7 . 9: Um díodo de Zene.r com V, 10 V, dissipação máxima de 1 W a

25ºC, é empregado como regulador no cir 1"6 = 50íl
cuito da fig. P7 . 7. Sabe-se que a tensão l
o-�-All/Vli'NV...,..��-o _:_.
de entrada é de 15 V ± 1 0 % . Determinar
05 valores máximo e mínimo que pode
assumir a corrente Ic, de modo a não ul
trapassar a dissipação especificada nem re E,
duzir a corrente no díodo a menos de 5mA.
Supondo ainda que a resistência incremen
tal do díodo é igual a 1 ,5 ohms, determinar
a redução do fator de ondulação da tensão
de saída, em relação à tensão de entrada.
FIG. P . 7 . 7
CAPÍTULO 8
OS AMP LIFICADORE S CLA S SE A COM VÁ LVU LA S
8. 1 - Generalidades:
Para estudar os amplificadores substituiremos as válvulas por seus

modêlos linearizados por segmentos, modêlos êstes que incluem um ou
mais diodos ideais, cuj o estado dependerá dos potenciais aplicados aos
vários eletrodos das válvulas. Chamaremos de amplificadores classe A
aquêles amplificadores em que o estado dos diodos que comparecem nos
modêlos não muda durante o ciclo de operação. Assim sendo, os diodos em
questão podem ser substituidos por curto-circuito ou por circuitos abertos,
conforme seu estado sej a de condução ou de não-condução. Resultam, por
tanto, modêlos lineares para o circuito.
Se o estado do diodo muda durante a operação do dispositivo, diremos
que o circuito trabalha no rrwdo transicional. Assim, por exemplo, os re
tificadores que acabamos de estudar trabalham nêsse modo.
Uma vez que os amplificadores classe A serão representados por mo
dêlos lineares, na maioria das vêzes será possível examinar separadamente
as componentes contínuas das correntes ou tensões - que fixam o ponto
de operação quiescente - e as componentes alternativas ou variáveis.
Para o estudo destas últimas utilizaremos os modêlos incrementais.
Convém ainda salientar que a grade de contrôle se conserva quase
sempre negativa na operação em classe A sendo, portanto, nula a compo
nente continua da corrente de grade ( a menos de uma pequena corrente
de grade, resultante de efeitos secundários ) .
Freqüentemente o circuito opera d e tal modo que a tensão fornecida
à saída é uma reprodução amplificada da tensão de entrada; o circuito
diz-se então um amplificador de tensão.
As três configurações possíveis de uma só válvula - catodo em terra,
placa em terra e grade em terra - indicam três possíveis tipos de ampli
ficadores, fornecendo um primeiro critério para classificá-los :
- amplificador de catodo em terra,
- amplificador de placa em terra ou seguidor de catodo,
- amplificador de grade em terra.
Examinaremos inicialmente as propriedades dos amplificadores com
um só estágio, isto é, com um só triodo, tetrodo ou pentodo, com a grade
negativa.
Os AMPLIFICADORES CLASSE A COM VÁLVULAS 221
8.2 - Tipos de amplificadores :
Supondo que o s potenciais d e polarização e excitação são tais que a

válvula funciona em classe A, esta pode ser representada pelos modelos
incrementais indicados na fig. 8 . 1 . O modêlo ( a ) corresponde aos triodas
e o ( b ) aos tetrados ou pentodos, em que a capacitância grade - placa
é desprezível.
. rr· 11 t
G
nJ_ 11
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FIG. 8 . 1 - l\fodêlos incrementais de triodos e pentodos incluindo
capacitâncias parasitas.
Qualquer dos três eletrodos ( placa, grade ou catado ) pode ser comum
aos circuitos de entrada e saída ; supondo ainda um quadripolo ligado à
placa ( carga de placa ) , resultam os três modelos indicados na fig. 8 . 2.
Supuzemos aí serem nulas as impedâncias internas das fontes de polariza
ção e alimentação.
Os amplificadores classe A podem ser classificados pela sua caracterís
tica de freqüência:
a ) amplificadores de acoplamento direto, que respondem a sinais
continuos ( w = 0 ) aplicados na entrada;
=
b ) amplificadores de áudio-freqüência, que amplificam na região de
freqüências audíveis ( == 10 a 20 . 000 c/s ) ;
c ) amplificadores d e vídeo-freqüência, que amplificam desde freqüên
cias muito baixas ( eventualmente desde w 0 ) até freqüências da ordem
de vários megaciclos por segundo;
d ) amplificadores de rádio-freqüência, que amplificam uma certa
faixa de freqüências ( banda passante ) em tôrno de uma freqüência central,
esta da ordem de décimos até centenas de megaciclos por segundo ;
e ) amplificadores seletivos, que amplificam apenas uma estreita fai
xa de freqüências.
Os amplificadores de rádio-freqüência podem ainda ser de banda es
treita, quando a banda passante fôr muito menor que a sua freqüência
central, ou de banda larga, quando ambas forem comparáveis.
A classificação acima apresentada não é exaustiva, nem perfeita;
encontram-se amplificadores que dificilmente caberiam num dêstes grupos.
8 . 3 - Alimentação e polarização dos amplüicadores classe A:

O ponto quiescente de um triado é definido pelos potenciais de placa,
E", e de grade, - E"; num tetrodo ou pentado intervem ainda o potencial
de grade de blindagem, E,., pois a grade supressora habitualmente é ligada
junto com o catado.
A fixação do ponto de operação quiescente da válvula exige a existên·

eia de dois circuitos fechados para corrente contínua :
l .º - da fonte de alimentação de placa ( + B ) pela caTga da válvula
até sua placa; através da válvula até o catado e dêste até o terminal nega
tivo da fonte de alimentação, através das eventuais impedâncias de catodo;
2 .º - da grade ao catodo, através das impedâncias de grade ou catado
e da fonte de polarização de grade.
No caso de tetrados ou pentodos, deve existir ainda um terceiro circuito
de corrente contínua, através da grade de blindagem.
p
K
c:::l ) e a t o do em terra
p
b ) pl a c a em t e r ra
CP"
p
rP
!·
e, Cgk Cgp
g,., eg
eP
..
G
cJ g rade em t e rr-a
FIG. 8 . 2 - Modêlos incrementais das três configurações básicas dos amplificadores
a válvulas.
o ) arnpli licador de áudio , ocoplarnento RC .
�"'
..
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E
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?"--H·-->---+-
e,
d ) amp l ificado r de rádio - l'reqüência

" sinto n i z a do .
Os potenciais que fixam o ponto quiescente são designados por poten

ciais de polarização da válvula, e devem ser escolhidos de modo a fazê-la
operar em tôrno de um ponto conveniente de suas características.
Note-se que, apezar de indicarmos baterias na maioria dos circuitos,
os potenciais de polarização habitualmente são obtidos a partir de retifi
cadores com filtros, evitando-se assim o emprêgo de pilhas que se dete
rioram ràpidamente. É claro que as pilhas são indispensáveis em casos
especiais ( por ex., para os aparelhos portáteis ) .
Uma vez fixado o ponto quiescente de uma válvula, têm-se Eb, - E,"
h, E,, e I,,, a partir dos elementos publicados nos manuais.
A polarização de grade normalmente é obtida pela chamada polariza
ção de catado ( fig. 8 . 4 ) , isto é, através de uma resistência colocada entre
o catodo e a terra e shuntada por uma capacitância e•.
FIG. 8 . 4 - Circuito de polarização catódica com triodo.
O valor de R. calcula-se de
(8. 1 )
no caso de triodas; no caso de pentados ou tetrados, a resistência R.

também é atravessada pela corrente da grade de blindagem, de modo que
(8.2) Rk = ----
Ib + J,,
Habitualmente o capacitor e. é calculado de modo que sua reatância seja
muito menor que R,, na menor freqüência de operação do circuito:
1
(8.3) --- « Rk
WmCk
Assim sendo, a queda de tensão nos terminais de R, permanece essen
cialmente constante durante a operação da válvula. Se a capacitância
e. fôr insuficiente, aparece uma realimentação negativa, que será estu
dada em detalhe mais tarde.
A tensão de alimentação de placa Ebb é calculada depois de determi
nados o ponto quiescente e a resistência de carga da válvula, RL. Apli
cando a lei de Kirchhoff à malha de placa temos ( fig. 8 . 4 ) :
(8 4)
ÜS AMPLIFICADORES CLASSE A COM VÁLVULAS 225
no caso de triodos. Muitas vêzes será E,, « Eb, de modo que se pode
usar a expressão simplificada.
(8.5)
Em geral RL será a componente resistiva da impedância de placa, em

freqüência nula.
No caso de tetrodos ou pentodos temos ainda que polarizar a grade
de blindagem, isto é, fixar o potencial E,.. Na maioria das vêzes esta
polarização se obtém fazendo a corrente de grade de blindagem, I,,, atra
�R,
vessar uma resistência R,. ( fig. 8 . 5 ) .
�
r��-o +Ebb
l---;b
FIG. 8 . 5 - Polarização catódica e de grade de

blindagem nos pentodos.
Temos agora
(8.6) Ebb = E.,, + E,, + I,, R,0
donde
(8.7)
O capacitor e,. serve para eliminar a componente variável da corrente

da grade de blindagem, fixando seu potencial. Como no caso da polariza
ção por catodo, sua reatância na mesma freqüência deve ser muito menor
que R,•.
Já examinamos anteriormente o funcionamento de amplificadores
simples, com cargas resistivas; vimos como determinar o ponto quiescente,
a reta de carga e o ganho de tensão. Em seguida generalizaremos êste
estudo, incluindo elementos reativos na impedância de carga. Nêste caso
a análise gráfica já estudada perde muito de seu interêsse, por tornar-se
mais complicada. Em vez de uma reta, o ponto de operação passa a des
crever uma elipse. De fato, se a componente incremental e, eb Eb da = -
tensão de placa fôr senoidal, isto é,

(8.8) eP = Em sinwt
e a impedância de carga de placa tiver uma componente reativa, a com-

no caso de triodas. Muitas vêzes será E" « E", de modo que se pode
usar a expressão simplificada.
(8.5)
Em geral RL será a componente resistiva da impedância de placa, em

freqüência nula.
No caso de tetrados ou pentados temos ainda que polarizar a grade
de blindagem, isto é, fixar o potencial E,.. Na maioria das vêzes esta
polarização se obtém fazendo a corrente de grade de blindagem, I,., atra
�R,
vessar uma resistência R,. ( fig. 8 . 5 ) .
í
r��-o +Ebb
i---:b
_ _ _ J�g
FIG. 8 . 5 - Polarização catódica e de grade de

blindagem nos pentodos.
Temos agora
(8.6) Ebb = E"' + E,, + I,, R,,
donde
(8.7)
O capacitar e,. serve para eliminar a componente variável da corrente

da grade de blindagem, fixando seu potencial. Como no caso da polariza
ção por catado, sua reatância na mesma freqüência deve ser muito menor
que R,•.
Já examinamos anteriormente o funcionamento de amplificadores
simples, com cargas resistivas; vimos como determinar o ponto quiescente,
a reta de carga e o ganho de tensão . Em seguida generalizaremos êste
estudo, incluindo elementos reativos na impedância de carga. Nêste caso
a análise gráfica já estudada perde muito de seu interêsse, por tornar-se
mais complicada. Em vez de uma reta, o ponto de operação passa a des
crever uma elipse. De fato, se a componente incremental e, = eb E" da -
tensão de placa fôr senoidal, isto é,

(8.8) eP = Em sinwt
e a impedância de carga de placa tiver uma componente reativa, a com-
ponente alternativa da corrente de placa estará defasada em relação à ten

são e será também senoidal ( ao menos em primeira aproximação ) , isto é,
(8.9) i. = lpm sin( wt - cp )
Considerando-se que o plano
e., i. se obtém do plano eb, ib,
onde são representadas as carac
terísticas de placa, por uma
translação de origem, verifica-se
que as duas equações acima de
finem uma elipse de operação; o
lugar geométrico das tensões e
correntes da válvula é uma elipse
( fig. 8 . 6 ) .
Nêste capítulo consideraremos
apenas a operação linear das
válvulas; em consequencia, a
maior parte do estudo se desen FIG. 8 . 6 - A elipse de operação nos amplificadores
volverá sôbre modelos incre com carga com componente reativa •.
mentais.
8 .4 - Equação geral do ganho dos amplificadores de catodo em terra:
Consideremos um amplificador de catado em terra, no qual o efeito da

capacitância e.. seja desprezível; isto ocorre em circuitos com tetrados ou
pentados e em circuitos com triodas em freqüências suficientemente baixas.
O circuito de placa fica assim isolado do de grade e o modêlo incre
mental do circuito assume o aspecto indicado na fig. 8 . 7.
J
G
-
FIG. 8 . 7 - Modêlo incremental para a dedução da equa;;ão

geral do ganho de tensão dos amplificadores.
O ganho ou amplificação de tensão do amplificador é a hnção de

transferência que relaciona as tensões de saída e de entrada. Define-se
então por
( 8 . 10 )
N o circuito d a fig. 8 . 7 suporemos que o s terminais d e saída estão
em aberto; nestas condições, indicaremos por ZL a impedância de entrada
do quadripolo de carga. Relembremos que ZL é uma impedância generali-
zada e que E, e E, são as transformadas de Laplace das tensões de entra

da e saída, no caso geral.
Em regime senoidal G, e ZL mantém a mesma forma, mas passam a
ser funções de jw; E, e E, passam a ser os complexos representativos das
duas tensões.
Para obter uma expressão geral do ganho de tensão vamos introduzir
uma impedância mútua Zm, definida por
(8 . 11 ) Zm = - E,/I
decorrendo o sinal negativo das convenções indicadas na figura 8 . 7. Con
siderando ainda que
e que, nêste circuito, E, E,, o ganho fica

( 8 . 12 ) G,( s ) = - g,.. Zm
Esta é a equação geral do ganho nos amplificadores de catoclo em

terra. Mostraremos depois que também nos demais tipos de amplificadores.
o ganho de tensão pode ser pôsto numa forma análoga.
A equação ( 8 . 12 ) sugere a representação do amplificador pelo circuito
equivalente da fig. 8 . 8.
o O estudo de tipos particulares de
amplificadores ocupar-se-á sobretudo do
exame dos fatores que afetam a equação .
8 . 12.
Do ponto de vista da válvula, vemos .
zm
que gm é importante na determinação do
ganho. Não esqueçamos porém que Zm vai .
depender da resistência interna e das ca
pacitâncias parasitas da válvula. A trans-
condutância de pentodos e triodos é da .
HG. 8 . 8 - Simplificação do moclêl<> mesma ordem de grandeza. A resistência .
da fig. 8 · 7 •
de placa, porém, é muito maior nos pri-
meiros, o que acarreta em geral a possibilidade de obter maior ganho nos ,
circuitos com pentados.
Finalmente, notemos que em geral a determinação da impedância mútua .
pode ser . facilitada representando o quadripolo de carga da válvula pelo ..
seu circuito 7t equivalente.
Designando por z,, z, e z, as três
imped2..n cias do circuito 7t ( fig. 8 . 9 )
obtemos
Z, ( Z, + Z, )
( 8 . 14 ) E = - ----- 1
Considerando que
Z,
(8' 15) E, ---- E FIG, 8.9 - Circ,lito 7t equivalente
Z, + Z, a um quadripolo de acoplamento.
= - -- = -------
resulta para a impedância mútua, definida por (8 . 1 1 ),
E, z, z,
( 8 . 16 ) z.•
! z, + z, + ZJ
Esta expressão será aplicada mais tarde, ao estudarmos vários tipos

de circuitos.
8.5 - Medida do ganho dos amplificadores em decibéis:
O ganho de potência de um amplificador define-se pela relação entre

a potência por êle fornecida à saída e a potência aplicada à sua entrada.
Seguindo uma prática habitual em Comunicações, o ganho de potência é
comumente medido em decibéis, definidos por
p,
( 8 . 17 ) G.( db ) = 1 0 log -
P,
A definição acima pode ser extendida, permítindo medir-se qualquer
potência em decibéis, com relação a uma potência de referência, escolhi
da arbitràriamente :
p
( 8 . 18 ) N( db ) = 10 log -
Pº
Se N fôr positivo, é P > Po, diremos então que P está N decibéis acima
da potência de referência. Inversamente, se P < Po, diremos que está N
decibéis abaixo da referência.
Se as impedâncias de entrada e de carga do amplificador forem resis
tivas e iguais,
P, = Pi'/R e P, = E,'/R,
onde E, e E, são os valores eficazes das tensões de entrada e saída. O

ganho em decibéis do amplificador será agora
( 8 . 19 ) Gp( db ) = 20 log ( E,/E, )
Por extensão, a relação acima é também usada para medir o ganho
de tensão dos amplificadores, em decibéis; se as resistências de entrada
e saída forem diferentes, é claro que o número que mede o ganho de ten
são será diferente do número que mede o ganho de potência do mesmo
amplificador. Note-se que no estudo dos amplificadores de tensão normal
mente não se define o ganho de potência.
8.6 - A distorção nos amplificadores:
Um amplificador ideal amplifica as formas de onda aplicadas à sua

entrada sem as deformar, isto é, a forma de onda de saída é uma reprodu
ção exata, a menos de um fator de escala, do sinal de entrada.
Nos amplificadores reais isto não acontece, havendo sempre uma maior
distorção do sinal. A distorção nos amplificadores classe A classifica-se nos
seguintes tipos :
1 - distorção não linear;

2 - distorção de freqüência;
3 - distorção de fase ( ou de retardo ) .
A distorção não linear provém da não linearidade das características
das válvulas; se o sinal de entrada fôr uma senoide, à saída obtemos uma
senoide deformada contendo, portanto, freqüências harmônicas que não
apareciam no sinal de entrada. Já vimos processos gráficos para traçar
estas formas de ondas, em casos simples.
A distorção de freqüência resulta da variação do ganho do amplificador
com a freqüência; as várias componentes de um sinal complexo serão
amplificadas diversamente, resultando na saída uma onda deformada.
A distorsão de fase ou de retardo ocorre quando a defasagem das com
ponentes de diferentes freqüências de um sinal complexo não varia linear
mente com a freqüência.
Vamos examinar êstes dois últimos tipos de distorção em têrmos de
análise de Fourier. Suponhamos aplicada à entrada do amplificador uma
tensão periódica, cujo desenvolvimento em série de Fourier é dado por
( 8 . 20 ) e,( t ) = v2 [E, sin (w t + 0, ) + E, sin ( 2w t + 0, ) + . . .

. . . + E. sin ( nw t + 0. ) + . . . ]
Se o ganho complexo do amplificador fôr dado por
G. ( jw ) = M (w) / lji (w)
a tensão d e saída d o amplificador será
( 8 . 21 ) e,( t ) = v2 [M( w ) E, sin ( wt + 0 1 + lji ( w ) ) + M(2w ) E, .

sin ( 2wt + 0, + lji ( 2w ) ) + . . . + M (nw) E. sin ( nwt + 0. + lji ( nw ) ) ]
pois cada componente da tensão d e entrada terá seu valor eficaz multi
plicado pelo correspondente M ( w ) e sua defasagem aumentada de lji ( w ) .
Para que a s formas d e onda d a entrada e saída sejam iguais, a menos
de uma amplificação e de um retardo no tempo, devemos ter satisfeitas as
seguintes condições :
( 8 . 22 ) M ( w ) =: M(2w ) = ... = M(nw )
rw t + 0, + lji ( w ) = wt' + 0,
� ................................
L nw t + 0. + 1Ji e nw ) = nwt' + e.
Para que estas relações se verifiquem, qualquer que seja a freqüência
de operação, deve ser
( 8 . 23 ) lji ( nw ) = nw( t' - t)
Portanto a defasagem introduzida pelo amplificador deve variar linear
mente com a freqüência. A grandeza t' - t é o retardo da forma de onda,
ao atravessar o amplificador.
Se ( 8 . 22 ) não fôr satisfeita, há distorção de freqüência; a não verifica

ção de ( 8 . 23 ) implica em distorção de fase.
De um modo geral não é possível satisfazer concomitantemente a estas
condições.. a não ser dentro de faixas mais ou menos restritas de fre
qüências.
8.7 - Caracterização da resposta em freqüência dos amplificadores

classe A:
O exame da resposta em freqüência dos amplificadores permitirá esta

belecer certos índices de mérito, úteis para a comparação de tipos diver
sos de amplificadores.
A resposta em freqüência dos amplificadores em regime senoidal carac
teriza-se completamente pelas duas funções M ( w ) e � ( w ) , funções estas
que habitualmente são apresentadas sob forma de curvas, ou famílias de
curvas.
A função M ( w ) caracteriza a resposta em amplitude do amplificador .
N a fig. 8 . 10 apresentamos dois exemplos d e curvas d e resposta e m ampli
tude correspondendo, respectivamente, aos amplificadores passa-baixo e
passa-banda.
U(w) Mtw}
Wz
(ol (b)
FIG. 8 . 10 - Curvas de resposta em freqüência de amplificadores

passa·baixo ( a ) e passa-banda ( b ) .
O valor G., ganho de referência, indicado na figura, corresponde ao

módulo da função Gv ( jw ) , quando esta se torna real ( ou, eventualmente,
imaginária pura ) ; nos casos mais simples, G, corresponde ao ganho máxi
mo do amplificador.
As freqüências em que o ganho se reduz a 1/ .../2 do ganho de referên
cia são as freqüências de corte, w, e w,, do amplificador. Portanto, nas
freqüências de corte o ganho cai 3 db abaixo do ganho de referência. Esta
definição exige que a curva de resposta tenha um patamar mais ou menos ·
plano ( ondulação menor que 3 db ).

No caso da curva da fig. 8 . 10, b, define-se a banda passante do am
plificador por
( 8 . 24 ) B ' = W2 - w, ( rd / seg )
ou, em têrmos de freqüências,
( 8 . 25 ) B = fz - f, ( c/seg )
Se fôr w1 « w,, podemos fazer

( 8 . 26 ) B' = Wi
e o amplificador será do tipo passa-baixo.

O traçado completo das curvas de resposta dos amplificadores, que de
ve incluir também o traçado da curva de defasagem em função da fre
qüência, é bastante trabalhoso. O problema se simplifica da seguinte
maneira :
a ) se a freqüência de corte inferior fôr menor que cêrca de 1/10 da
freqüência de corte superior, o estudo da curva de resposta pode ser de
composto em três regiões : a região das freqüências baixas, a região das
freqüências centrais e a região das freqüências altas. Para cada região
será utilizado um modêlo distinto;
b ) eventualmente poderá haver mais de duas freqüências de corte;
a mesma subdivisão acima indicada poderá ser aplicada repetidas vêzes;
c) a curva de resposta em amplitude é comumente apresentada em
decibéis. Examina-se então, com facilidade, seu comportamento assintó
tico, em freqüências altas ou baixas. Examinaremos êste ponto com mais
detalhes quando estudarmos os vários circuitos utilizados pràticamente.
Para comparar os vários tipos de amplificadores utilizam-se índices
de mérito adequados. No caso dos amplificadores passa-banda, um índice
de mérito pode ser definido pelo produto ganho-banda-passante:
( 8 . 27 ) F. = G, X B'
No caso dos amplificadores passa-baixo, o índice de mérito se define a

partir da freqüência de corte superior, w,:
( 8 . 28 ) F. = G, X w,
A caracterização completa da função ganho do amplificador exige ainda

o conhecimento da curva de defasagem em função da freqüência. Na
maioria dos amplificadores que estudaremos a função ganhe é tal que to
dos seus pólos e zeros estão no semi-plano esquerdo do plano complexo,
isto é, têm sua parte real não positiva. Os amplificadores com essa carac
terísticas são chamados de mínima defasagem, pois a defasagem entre as
tensões de entrada e de saída é a menor possível, para uma dada resposta
em freqüência.
8.8 - Característica dos amplificadores classe A em regime transitório :
A resposta em transitório de um amplificador classe A pode ser dedu

zida da função Gv ( jw ) , por meio da análise de Fourier. Êste processo,
no entanto, é longo, de modo que é preferível examinar diretamente a
resposta do amplificador a certas formas de onda padronizadas. Assim,
para os amplificadores de pulsos ( extensamente usados em televisão, radar,
física, nuclear, computação . . . ), examina-se a resposta a um pulso retan
gular, ilustrado na figura 8 . 1 1, a. Decompõe-se o problema no estudo da
reprodução da borda dianteira do pulso, designada por resposta à borda,
e da reprodução de seu tôpo ( resposta ao tôpo ). Na fig. 8 . 1 1 ( b ) e ( d )

estão ilustradas as duas respostas.
Note-se que a escala de tempos é muito mais dilatada em ( b )que em ( d ) .
A resposta à borda d o pulso, que é essencialmente a resposta à descon
( ;� -)
tinuidade de um degrau, se caracteriza por :
a ) Supertensão ( overshoot ) y , medido geralmente por
( 8 . 29 ) y% = 1 X 100
b ) Tempo de subida TR, medido habitualmente pelo intervalo de tempo

em que a tensão de saída passa de 0,1 a 0,9 do seu valor final. Algumas
vêzes o tempo de subida é medido com outras referências ( 0,05 a 0,95 ou
0,01 a 0,99 da tensão final ) .
Ainda outras definições são usadas para o tempo d e subida ( ver T. L .
Martin, "Eletronic Circ.", pág. 109ss., Prentice Hall, 1955 ) .
Sendo Gr o ganho de referência de um amplificador, podemos definir
um índice de mérito f. pela relação entre o ganho de referência e o tempo
de subida :
( 8 . 30 ) fa = Gr/TR
Quanto à supertensão ( overshoot ), seu valor é especificado de acôrdo
com a utilização do amplificador.
A resposta ao tôpo do pulso se caracteriza pela flecha, indicada na
fig. 8 . 1 1 , d. A flecha percentual, referente a pulsos de duração T, defi
ne-se por
o 1000 t rµ s) t rµ s)
(b )
l-
FIG. 8 . 11
1000 t rµ s) 01
'ººº
t fµ s)
Caracterização da resposta à borda dianteira e ao tôpo de um

pulso retangular.
( 8 . 31 ) PO/o = ----- X 1 00
E,
Notemos desde j á que a resposta à borda, decorrendo de uma brusca
variação da tensão aplicada ao circuito, está associada com a resposta do
amplificador a freqüências altas. A resposta ao tôpo, ao contrário, resul
tante da habilidade do amplificador em reproduzir sinais lentos, está liga
da à resposta em freqüências baixas.
8.9 - Exemplo de análise: amplificador áudio com acoplamento por

transformador, classe A:
Para dar um exempl_o de análise, consideremos um amplificador de

áudio a triodo com acoplamento por transformador ( fig. 8 . 3, e ) . l!:ste tipo
de �mplificador é utilizado como estágio final dos amplificadores de áudio
-frequência, tendo um alto-falante como carga.
Admitiremos operação em classe A, de modo a não haver distorção
importante. Assim sendo, podemos determinar separadamente o ponto
quiescente da válvula e, em seguida, usar o modêlo incremental para o
cálculo dos ganhos e impedâncias.
Comecemos pela determinação . do ponto quiescente. Para isso, basta
traçar sôbre as características de placa da válvula amplificadora a reta
de carga correspondente à resistência Rt + R,, onde Rt é a resistência
do catodo e R, a resistência ( em corrente continua ) do primário do trans·
formador ( fig. 8 . 12 ) . -i.b
N ote-se que esta reta
é quasi vertical, pois
Rk e R, são peque-
nas. O ponto Q é
obtido pela interse·
ção desta reta com a
linha de polarização.
Obtém-se assim os
v a l o r e s quiescentes
FIG . 8 . 12 - Determinação do ponto quiescente do
Eb, Ib e - Ecc. amplificador de áudio a transformador.
Determinando o ponto quiescente podemos obter os parâmetros incre·

mentais µ e r" do
triodo. Substituin
do o transforma-
Q
]
dor por seu mo
Lz
-€2 dêlo com indu·
Q tâncias mútuas,
chegamos ao mo
dêlo incremental
FIG . 8 . 13 - Modêlo incremental do amplificador
de áudio a transformador.
da fig. 8 . 13.
{
Nêste modêlo adotamos uma carga resistiva R, e supuzemos despre
=
zível a resistência do secundário do transformador. Por análise de malhas
e notando que !, = E,/R, obtemos
( rp + R, + sL, ) I , - s � E, - µ. E,
R,
( 8 . 32 )
l
sL, + R,
- s M !, + E, = O
R,
Resolvendo em relação a E, e dividindo tudo por E, obtemos o ganho
de tensão do circuito :
E, s µ MR,
( 8 . 33 ) G, ( s ) = -
E,
Suponhamos agora que o coeficiente de acoplamento do transformador
é k = M/ v L, L, = 1. Dessas condições o ganho de potência fica
s µ. M R,
( 8 . 34 ) G,( s ) = - -------
s [L,R, + ( R, + rp )L,] + ( R, + rp )R,
Passemos agora ao regime senoidal, fazendo s = jw :
j w µ. M R,
G,(jw ) = - ------
jw [L, (R, + rp ) + L,R,] + ( R, + rv > R,
Esta expressão mostra que, para frequências tais que
( R1 + rp ) R,
w » ------
L,R, + L,(R, + rp )
o ganho tende a
µ. M R,
( 8 . 35 ) ªº
L,R, + L,(R, + rp )
Em consequência,
jw
( 8 . 36 ) G,( jw ) ªº
(R, + rp ) R,
jw + --------
L,R, + L,( R, + rp )
Desta expressão conclui-se que o ganho cai a G0/ v 2 na freqüência
( 8 . 37 ) w, = -----
L,R, + L,( R, + rp )
w, é, portanto, a frequência de corte inferior do amplificador. Note-se que
êste modêlo não fornece frequência de corte superior, pois não colocamos
nêle indutâncias de dispersão ou capacitâncias parasitas do transformador;
corresponde assim a um amplificador passa-alto.
A expressão ( 8 . 35 ) , que fornece o ganho de referência do amplificador

pode ainda ser simplificada. Assim, em primeiro lugar notemos que, no
caso de acoplamento unitário, as indutâncias próprias e mútuas estão re
( ) =
lacionadas ao número de espiras do primário, N1, e do secundário N,, por
L1 N1 . ' M N1
k ' J:
( 8 . 38 ) =
N, N,
ou, introduzindo a relação de transformação r = N1 /N,,
L1 M
( 8 . 39 ) - '
- - r
�- r · �-
L, ' L,
Colocando a relação de transformação em ( 8 . 35 ), o ganho de referên-
eia fica :
1 µ r' R,
( 8 . 40 )
r r' R, + ( R 1 + rp )
Mas rGº é o ganho referido aos terminais da indutância L1; a equação
( 8 . 40 ) sugere assim o modêlo simplificado indicado na fig. 8 . 14, válido
para freqüências muito maiores que w1•
Nessa gama de frequências, tudo se
passa como se a carga do amplificador
fôsse uma resistência r' R,, isto é, dada
pelo produto do quadrado da relação de
transformação pela resistência de carga
do secundário. Diz-se que esta é a resis
tência "refletida" no primário do trans
formador.
Em consequência, a operação em FIG . 8 . 1 4 - Modêlo incremental
regime senoidal dêste amplificador, para simplificado do amplificador
de áudio.
frequências bem superiores à frequência
de corte inferior, é descrita pela reta de carga dinâmica AQ ( fig. 8 . 12 ) , de
inclinação correspondente a R, + r' R, ( em geral é R 1 « r' R, ) .
O valor d a relação d e transformação d o transformador é determinado
considerando que a resistência refletida r'R, deve ser igual à resistência
=
de carga ótima para a válvula, R., fornecida pelo fabricante :
R.
( 8 . 41 ) r'R, = R. :. r
l/ R,
I
Nêste tipo de amplificador os cálculos da potência de saída e da dis

torção são mais importantes que o cálculo do ganho. Estas indicações
habitualmente são indicadas nos manuais de válvulas, para pontos quies
centes ótimos.
Detalhes de proj eto de amplificadores de potência encontram-se em
Landee, Devis e Albrecht, "Electronic Designer's Handbook", cap. 4 ( McGraw,
1957 ) .
Tratamentos mais extensos da matéria apresentada nêste capítulo encontram-se

cm :
1 - T. L. MARTIN, Jr., "Electronic Circuits", Prentice-Hall, Engle.wood Ciffs,
1955.
'
2 - E. J. ANGELO, "Electronic Circuits'', 2.ª ed., McGraw, New York, 1 965.
PROBLEMAS DO CAPtTUW 8
Problema 8 . 1 : Um dos triodos da ECCS2 ( 12AU7 ) (ver características no Apêndi
ce 2) é ligado como amplificador de catodo em terra, com RL 20 k ohms. De
seja-se obter um ponto quiescente dado por fü = l SOV e h = 7mA, utilizando
polarização catódica. Pede-se :
a ) determinar R k e Ebb para obter o ponto desejado;
b ) determinar Ck, sabendo que a menor frequência d e operação do circuito é
de 1 00 c/s;
c) realizado o circuito com os valores acima, a tensão de alimentação de placa
foi modificada para 300 V. Qual o nôvo ponto quiescente?
Problema 8 . 2: Um pentodo EFS6 (ver características no Apêndice 2) deve ser ligado
como amplificador de catodo em terra, com polarização catódica. A resistência de
carga sendo igual a 50 k ohms, e o ponto quiescente especificado por fü = 250 V,
E,, = 140 V, /b = 3 mA e /,1 = 0,6 mA, determinar : a tensão de alimentação Ebb ,;
e as resistências de grade de blindagem e de catodo. Especificar ainda os capacitores
de desacoplamento de blindagem e de catodo, para operação em frequências superio
res a 20 c/s.
Problema 8 . 3: Determine a amplificação de tensão, a 1 000 c/s, do circuito da fig.

PS . 1, sabendo que a válvula opera na região linear da característica, com gm =
= l ,2mA, rp = 25 k ohms, R, = 1 5 k ohms e C = 0,01 micro-farads.
R,
v, FIG. P 8 . 1
Problema 8 . 4: O circuito d a fig. PS . 2 , constituido por u m triodo d a ECCS2, é ataca

do por um gerador que fornece um degráu de tensão de + 2V. Determine o valor
da tensão e (t), servindo-se das características publicadas no Ap. 2 ( inclusive para
construir modêlos linearizados por segmentos ) .
!Olrfl
FIG. P . 8 . 2
e;ft) !Mfl : 2óO V

Problemas 8 . 5: O amplificador da fig. PS . 3, com a válvula operando na região linear,

com µ = 20 e r. = 7700 ohms, tem os seguintes valores dos parâmetros : R = 5 0' ·
k ohms, C = 0,0 1 micro-farads e L = 0,0 1 henrys. Determine :

a) o ganho dêste amplificador e m função d a frequência;
b) a resposta a u m degráu unitário.
e
FIG. P . 8 . 3
Problema 8 . 6: Utilizando o modêlo incremental, determinar a função de transferên

cia E2 (s) /E, (s) do circuito da fig. PS . 4, bem como sua resposta à excitação e,
(t) = - 10 H ( t ) volts, onde H ( t ) é a função unitária de Heaviside.
Dados : µ. = 20, r. 1 0 k ohms, C = 1 00 pF.
J_
T
(5e,rt)
1
L_ 1 _____
FIG. P . 8 . 4
J_._
Problema 8 . 7: N o circuito d a fig. PS . 1 , determine :
a) a curva d o módulo d o ganho d e tensão e m função da frequência;
b) a curva de defasagem em função da frequência;
c) a curva d e ganho d e tensão, e m decibéis, e seu comportamento assintótico
para w = O e w = oo ;
d) represente o s resultados d o ítem anterior num gráfico com escala logarítmica
de frequências e examine as relações entre a curva do ganho de tensão em
db e suas assíntotas.
Problema 8 . 8: O circuito da fig.
PS . 5, com RL e R, variáveis, pode
ser utilizado para a medida do coe.
ficiente de amplificação do triodo, +
desde que se ajuste o valor das re
sistências de modo a anular a cor
rente alternativa através do miliam
perômetro. Determine a expressão de
µ, em função de RL e R,, supondo
que os capacitores têm reatâncias des
prezíveis na freqüência de operação.
Utilize modêlo incremental. FIG. P . 8 . 5
Problema 8 . 9: O amplificador a transformador da fig. 8 . 6 utiliza um triodo ECC82

(ver característica no Apêndice 2 ) . O transformador empregado tem núcleo de ferro
( coeficiente de acoplamento unitário ) , com indutâncias L, = 1 H e L, = 0,04 H. A
resistência em CC. do enrolamento primário é igual a 1 000 ohms, ao passo que a
do secundário é desprezível. Determine :
a) o ponto quiescente d a válvula;
b) a reta d e carga dinâmica;
c) o valor aproximado da potência na carga ( desprezando distorção e perdas
no transformador ) quando for aplicado á grade um sinal senoidal com 6
volts de amplitude.
+ 250 V
FIG. P . 8 . 6
Problema 8 . 1 O : Determine a curva d e resposta d o amplificador da fig. PS . 7 ' na região

de frequências médias e. baixas, utilizando o modêlo incremental do triodo e sabendo
que µ = 20 e rp = 1 0 k ohms.
-t t:bb
FIG. P . 8 . 7
CAPfTULO 9
AMP LIFICADOR ES DE ACOP LAMENTO R , C

A VÁ LVU LAS
9. 1 - Introdução:
Nêstes amplificadores o acoplamento entre os sucessivos estágios é feito,

essencialmente, por um circuito R,C. Compreendem os amplificadores de
áudio-frequência, cuja banda passante se restrinj e às frequências audíveis
( cêrca de 20 a 20.000 c/s ), e os amplificadores de vídeo-frequência, cuja
banda passante se estende a vários Mc/s.
Em ambos os tipos de amplificadores, a impedância de carga da vál
vula é constituida pela associação da resistência ligada à placa da válvula
com suas capacitâncias parasitas, a capacitância de acoplamento entre
as duas válvulas, a resistência de grade e a capacitância de entrada do
estágio seguinte ( fig. 9 . 1 ) .
FIG. 9 . 1 - Circuito típico de amplificador de acoplamento

R, C, com triodo .
Os amplificadores de vídeo-frequência dispõem ainda de elementos pa

ra compensar o efeito das capacitâncias parasitas.
Na fig. 9 . 2 apresentamos o modêlo incremental equivalente ao circuito
da figura anterior, supondo nulas as impedâncias do catado e da fonte
de alimentação. Nesta figura, C0 é a capacitância de saída da válvula,
e, e e·, correspondem à capacitância da fiação ( entre os fios de ligação e o
chassis do aparelho ) e e, é a capacitância de entrada do estágio seguinte.
Como já foi indicado no Capítulo 8, a análise do circuito da fig. 9 . 2

se faz convenientemente considerando três situações diferentes, correspon
dentes a gamas de frequências designadas por altas, médias e baixas. No
caso de frequências altas e. pode ser considerado como um curto-circuito,
FIG. 9 . 2 - Modêlo incremental do circuito da figura 9 . 1.
pois a capacitância é elevada, de modo que o circuito equivalente se sim

plifica para aquêle indicado na fig. 9 . 3.
(e, = c. .. c, + c,
R= ll, . r0 e R9 em
cora/elo
FIG. 9 . 3 - Modêlo Incremental para o estudo da resposta a freqüências

altas ou à borda dianteira de pulsos.
l!:ste último circuito serve também para examinar a resposta à borda,

no caso de excitação por pulso retangular.
Nas frequências médias tôdas as capacitâncias podem ser desprezadas,
pois a reatância de e, será ainda muito menor que R., ao passo que a
reatância das capacitâncias em paralelo é muito elevada em face das re
sistências do circuitos. Chegamos assim ao circuito da fig. 9 . 4.
p p
LI LE·
G
rp R, E,
K K
FIG. 9 . 4 - Modêlo incremental correspondente à região de freqüências
médias.
AMPLIFICADORES DE ACOPLAMENTO R, C A VÁLVULAS 241
Como êste circuito não contém nenhuma componente reativa, o ga

nho calculado a partir dêle será adotado como ganho de referência, G,.
Finalmente, no caso de frequências baixas a reatância das capacitân
cias em paralelo é tão elevada que elas podem ser desprezadas. A reatância
de C, será apreciável ( note-se que e, pode variar entre 1 micro-farad e ""
10-2 micro-farads, ao passo que as capacitâncias em paralelo serão em

geral inferiores a uma dezena de pico-farads ), de modo que podemos uti
lizar o modêlo da fig . 9 . 5.
p p
i'IG. 9 . 5 - Modêlo incremental para estudo da resposta a freqüências

baixas, ou para a r�sposta ao tôpo de pulsos.
J!:ste modêlo será também útil para examinar a resposta ao topo de

um pulso retangular.
Com a equação geral e as observações feitas no capítulo anterior sôbre
a impedância mútua, podemos obter as expressões dos ganhos correspon
dentes aos vários modêlos acima. Os resultados estão resumidos na
Tabela 1 ( vide página seguinte ) .
N a fig. 9 . 6 indicamos os diagramas d e pólos e zeros correspondentes
às três funções G ( s ) indicadas na tabela.
- g� R
· Wz
-w
,
o r
O ) Frequência� altas bJ Frcquônr1os médio• c ) Freqü6nc1os bo 1 .K a s

ou rssp a borda ou r.sp a o 'o"",oo
FIG . 9. 6 - Polos e zeros das respostas do amplificador R, C .
Examinemos agora a resposta em regime permanente senoidal. As

freqüências de corte, isto é, aquelas freqüências em que o ganho se reduz
a 1 / v2< ou 3 db ) em relação ao ganho de referência, serão dadas pela
condição
(9, 1) 1 G ( jw ) 1 = 1 G, 1 / -../'i = YmR N 2
Empregando as relações da Tabela 1, com s = jw, obtemos :
a) freqüência de corte superior:
A relação adequada às freqüências altas, com s = jw, fica
- gm R Ym R
Ga( jw ) / 0a
1 + jw/w2 v 1 + ( w/w2 )'
!:-:>
"'"
!:-:>
l::i:j
TABELA I §
O>
z
Resposta à borda ou Ganho de referência ou resp. Resposta ao topo ou resp. �
resp. em freq. altas em freq. médias em freq. baixas
!:""
- s f)
�
- --
G (s) gmR
....
==
gm 1 S + W1 f/l
G (s) == -
z
CT
-
S + W2 ou
1 -
ou G (s) == gmR == G, 1
-
G (s) = gmR
1
1
1 + w, / s
G (s) gmR
(- - - )
=
com
1 + s / w, com
1 1 1 -!
com R == + + 1
1
rp Rt R. w,
W2 == 1 /RCT ( R, + R, ) C,
CT == Co + C1 + e, 1
R,
1 /r" + 1 /Rt
Impondo a condição ( 9 . 1 ), resulta para a freqüência de corte superior

:
(9.2) WH == W2 == 1 / ( RCr )
b) Freqüência de corte inferior:

- gm R
GL( jw ) == ---- ----- / eL
1 + jwifw v 1 + ( wi/w )'
Impondo novamente a condição ( 9 . 1 ),
1
(9.3)
( Ri + R, ) Cc
As curvas de 1 GH ( jw ) 1 e de \ GL ( jw ) \ , bem como das respectivas defa
sagens, em função respectivamente de w/w, e de w1/w encontram-se nos
manuais ( ver, por exemplo, Terman, "Radio Eng. Handbook", pg. 357 ) .
Passamos agora à resposta e m transitório. Para calcular o tempo de
subida, lembremos que G( s ) E,/Ei, onde E, e E, são, respectivamente, as
==
transformadas das tensões de entrada e de saída. Adotando como tensão

1
de entrada o degrau unitário, ou sej a, fazendo Ei == --, vem :
s
gm 1 1
E,( s ) == G( s ) · Ei( s ) ==
Cr s + w, s
ou, introduzindo o ganho de referência,
G, 1
E,( s )
RCr s ( s + w, )
Anti-transformando, vem
(9.4) e, ( t )
com w, 1 /RCr.
Examinando-se esta função ( fig. 9 . 7 ) ,
verifica-se que o tempo de subida de 10 a
90 % vale
TR = 2,2 RCr
Para calcular a flecha correspondente à

resposta ao tôpo de um pulso retangular,
partamos da função ganho para freqüências
baixas, indicada na tabela I, considerando
ainda um degrau unitário aplicado à entra
FIG . 9 . 7 - Resposta à borda
dianteira de um pulso. da. Teremos agora
s 1 1
E,( s ) == - gm R ---- == - gm R ---
s
donde, introduzindo o ganho de referência e anti-transformando,
Se a duração do pulso retangular fôr T « 1/w., podemos desenvolver

em série a exponencial e considerar apenas os têrmos lineares. Segue-se
então
(9.5) e,( T ) = G, ( 1 - w,T )
Como e,( 0 ) = G,, resulta para a flecha
T
P% w, T
Podemos agora calcular os vários índices de mérito correspondentes a

êste amplificador :
a) produto ganho-banda passante:
( 9 . 6) F. = G, W2
( se fôr ainda w, « w, ) ;
b) relação ganho - tempo d e subida:

(9.7)
Na tabela II damos um resumo das propriedades dêste tipo de am

plificador.
TABELA II
Ganho de referência G, . . . . . . . . gm R
Freq. de corte superior W2 . . . . . . . . 1/RCT
Freq. de corte inferior W1 . . . . .. . . 1/ [ ( R, + R, ) CT]
Supertensão ( Overshoot ) y . . . . . . . . o
Tempo de subida 10-90% TR . . . . . . . . 2,25 RCT
Produto ganho-banda passante F. fJm /CT
Relação ganho-tempo de sub. f . . . . . . . . 'Jm/2,25 CT
1
•
Flecha P% . . . . . . . . lOO T/[ ( R 1 + R, ) Cc]
Da tabela acima obtemos fàcilmente a relação entre o tempo de subi

da e a banda passante, suposta igual a w,:
(9.8) T, = 2,25/B' B' = 2,25/T,

9.2 - Considerações sôbre o projeto de amplificadores com acoplamento

R,C :
Tendo em vista a natureza dos problemas de projeto, não se pode apre

sentar um conjunto de regras que permitam projetar o melhor amplifica
dor para uma dada finalidade. Há uma grande variedade de tipos de
circuitos que podem satisfazer a um dado fim. Por outro lado, os requisi
tos exigidos são os mais variados possíveis, de modo que só a experiência
pode levar a um proj eto conveniente. Por isso limitar-nos-emos aqui a
dar algumas indicações sôbre o caso dos amplificadores de banda passante
larga; sob certos aspectos, êste é o caso mais delicado. Com referência
aos amplificadores de áudio-freqüência, o leitor deve consultar os manuais
de válvulas ( por exemplo, o manual RCA ) , onde são apresentados circui·
tos típicos para as várias válvulas.
Nos amplificadores de acoplamento RC e banda passante larga é mui

to importante a escolha da válvula. Esta escolha pode ser orientada esta
belecendo-se um índice de mérito para a válvula. Como vimos, o produto
ganho-banda passante é dado, no caso em apreço, por
onde gm é a transcondutância da válvula e CT é a capacitância paralela

total. Esta capacitância depende de maneira muito forte das capacitâncias
parasitas da válvula. A capacitância de fiação, outra parcela de CT, pode
ser reduzida ou controlada por uma disposição cuidadosa da fiação, com
fios curtos, capacitores de desacoplamento ligados tão próximos quanto
possível da válvula, componentes pequenas, etc.
Assim sendo, costuma-se adotar como índice de mérito das válvulas a
relação entre sua transcondutância e a soma das capacitâncias parasitas
de entrada e de saída :
(9.9) F,
No caso de pentodos esta capacitância depende pouco do efeito Miller,

o que não acontece nos triodos. Nêste último caso o índice de mérito deve
ser calculado adotando-se um ganho de referência típico para o estágio.
Na tabela III indicamos o índice de mérito para algumas das válvulas

usadas em amplificação de banda larga.
Se a banda fôr extremamente larga, chegando a várias dezenas de
Mc / s ( como se usa em alguns osciloscópios modernos ), o índice de mérito
acima não é a única consideração a ser feita. É necessário verificar-se
ainda qual o valor da condutância de entrada da válvula.
TABELA III
Válvula gm( mA/V ) Cº ( pF ) C , ( pF ) F,( 10' rd/s )
6AB7 5,00 8,0 5,0 386

6AC7 9,00 1 1 ,0 5,0 562
6AG5 5,00 6,5 1,8 603
6AH6 9,00 10,0 3,6 661
6AG7 7,70 12,5 7,5 385
6AK.5 5,00 4,0 2,8 735
6CB6 6,20 6,3 1 ,9 756
6AU6 5,00 5,5 5,0 476
EF183 12,50 9,0 3,0 1040
EF184 15,00 10,0 3,0 1250
A condutância ele entrada das válvulas é uma condutância que se su

põe ligada entre catodo e grade e que representa as perdas que ocorrem
no circuito de grade por dois efeitos : tempo de trânsito dos eletrons entre
o catodo e a grade e a presença de indutância parasita nos fios do catodo.
= =
Demonstra-se que esta condutância de entrada é dada pela expressão
( 9 . 10 )
onde L. indutância dos fios do catodo, e•• capacitância grade-catodo,

k = constante para cada válvula e -r tempo de trânsito. À freqüência
de 100 Mc/s indicam-se os seguintes valores para o inverso de G :
6AK5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7 000 ohms

6J6 . . . . . . . . . . . . . . . 4 700
6AH6 . . . . . . . . . . . . . . . 1 000
EF184 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1 800
Nos amplificadores de pulsos a banda passante deve ser escolhida de

forma a permitir uma reprodução adequada dos pulsos mais estreitos.
Sej a T a duração do pulso mais rápido a ser amplificado. Se escolhermos
para freqüência de corte superior do amplificador
/2 = w,/2rc = 1/T ou w2 = 2rc/T,
o tempo de subida será
( 9 . 11 ) T, = 2,25/w, = 035 T
O pulso de saída terá então a forma indicada na fig. 9 . 8, satisfatória
em muitas aplicações. Daí a regra prática : A freqüência de corte supe
rior ( em c/s ) de um amplificador deve ser aproximadamente igual ao
ínverso da largura dos pulsos mais estreitos que devem passar pelo ampli
ficador.
JLI
.�1
�
1- - - - -- - - - - - - -_,,, ,_.
FIG . 9.8 -
T
! \_
Resposta a pulso de duração t l/f,-
A freqüência de corte inferior é determinada pela flecha admissível, refe

rente aos pulsos de maior duração que devem ser amplificados. Supondo
pulsos de duração T ( seg ) e uma flecha admissível de 6,3% teremos
p 0,063 1
( 9 . 12) W1 = -- :. f, = -- -- '== 0,01/T
T 2� T
Portanto a freqüência de corte inferior, em c/s, será igual a 1 % do

inverso da duração em seg. do mais longo pulso a ser amplificado.
Feitas estas observações gerais, podemos enunciar regras para o pro
j eto dos amplificadores RC de banda larga :
1 Escolha a válvula amplificadora, levando em conta os vanos
-
fatores que intervém em cada caso particular : durabilidade, preço, resis

tência a choques ou vibrações, microfonia, uniformidade de características,
características elétricas ( especialmente o "recuo de grade" ou tensão de
corte, para amplificar sinais grandes ), etc. Se a banda passante fôr muito
larga, ou o tempo de subida muito pequeno, o indice de mérito acima
definido e a condutância de entrada serão os fatores predominantes nes
ta escolha.
2 Use o valor de R. recomendado pelo fabricante ou, possivelmente,
-
um valor menor.
3 Calcule RL a partir do tempo de subida ou da freqüência de cor
-
te superior especificados.
4 Determine o capacitor de acoplamento Cc pela flecha ou freqüên
-
cia de corte inferior especificados.

5 Determine os resistores de catodo e de grade de blindagem para
-
fornecer polarizações adequadas ao ponto quiescente escolhido ( esta escolha

será feita, sempre que possível, atendendo às recomendações do fabricante
da válvula ) .
6 Dimensione os capacitores d e desacoplamento d e catodo e de
-
grade de blindagem em função da freqüência de corte inferior ou da flecha

admissível.
7 - A tensão de alimentação Ebb é determinada como indicado no
cap. 8.
!? . 3 - Amplificadores de video com compensação em paralelo:
Os amplificadores com acoplamento RC acima estudados são bastante

ineficientes quando se desej am bandas passantes muito largas, pois o ga
nho de referência realizável será muito baixo. Como a limitação da banda
passante resulta essencialmente da capacitância C,, a solução óbvia para
o seu aumento será a introdução de uma indutância que compense, em
freqüências altas, o efeito dessa capacitância.
O circuito com compensação mais simples é aquêle em que se coloca
uma bobina em série com a resistência de placa, constituindo um ampli
ficador vídeo com compensação em paralelo ( fig. 9 . 9 ) . Habitualmente
utilizam-se pentodos para êstes amplificadores, pois estas válvulas têm
produto ganho-banda passante elevado.
Na fig. 9 . 9 ( b ) representamos o modêlo incremental dêste amplifica
dor, válido para freqüências altas ou para o exame da resposta à borda
(b )
foJ
FI G . 9.9 - Amplificador vídeo com compensação em paralelo.
C reatância de C0 desprezível ) . Como a indutância L será pequena, a

resposta em freqüências médias ou baixas não se modifica com relação ao
amplificador não compensado; o ganho de referência tem o mesmo valor,
- Ym R.
Tratando-se de amplificado- p
res com pentodos, r. e R, serão 1'-----?-----,__-�
muito maiores que Rt, de modo

l
que o modêlo incremental da
g,,., Eg i
IE9
6
fig. 9 . 9 pode ainda ser simplifi· o
e, E2
cado como indicamos na fig.

RL
9 . 10.
A partir do circuito desta I<
figura, a impedância mútua Z,. FIG . 9 . 10 Modêlo incremental em frequências
-
obtém-se imediatamente : altas do amplificador da fig. 9 . 9.
( 9 . 13 )
AMPLIFICADORES DE ACOPLAMENTO R, C A VÁLVULAS 24!)
Vamos agora definir um parâmetro de compensação m, por

( 9 . 14 ) m = w2 L/RL
onde w2 = 1 /RL CT é a freqüência de corte do amplificador não compen

sado. Introduzindo m e w, na expressão da impedância mútua obtemos,
após algumas transformações,
1 S + W2/m
( 9 . 15 )
CT s' + s w,/m + w,'/m
ou
1 + s m / w,
( 9 . 16 ) Zm = RL -------
1 + s/w, + s' m/w,'

O ganho do amplificador compensado em freqüências altas será, como
Ja vimos, G( s ) = gm Zm. Como gm é real, para discutirmos a natureza
-
da resposta basta considerarmos a função Zm( s ) . Os polos desta função

são dados pelas raíses de
s ' + ( w,/m ) s + w,' / m. O
ou sej a, por
( 9 . 17 ) S1 .2 = - [w,/ ( 2m ) ] [1 ± v 1 - 4m ]
Portanto, para os m menores que 0,25 teremos dois polos reais ( fig.
a ) ; o circuito é super-amortecido e não haverá supertensão. Para
9 . 11,
m = 0,25, temos um polo real duplo, correspondendo ao amortecimento
crítico. Finalmente, para os m maiores que 0,25 há dois polos complexos
conjugados e o amplificador tem supertensão ( fig. 9 . 1 1 , e ) .
JW JW JW
II'
(21
(j o (j
e, Jo
f=I fb i le i
FIG . 9 . 11 - Diagrama de polos e zeros e resposta à borda dianteira

de nm amplificador com compensação paralela.
Para determinar o tempo de subida é necessário calcular a resposta a

uma excitação em degrau. Os cálculos são extensos, pelo que não serão
reproduzidos aqui; os resultados mais significativos estão indicados na

tabela abaixo onde constam, para vários valores de m, as relações entre
o tempo de subida do circuito não compensado, o tempo de subida do
circuito compensado e a respectiva supertensão percentual :
m TR / TR ( comp. ) y%
o
0,250
1,0
1 ,4
oo
0,340 1,6 1,0
0,414 1 ,7 3,1
0,500 1 ,9 6,7
0,600 2,1 1 1 ,4
Verifica-se que se pode obter uma redução de tempo de subida da ordem

de 1/2 com relação aos amplificadores não compensados, desde que se tole
re uma certa supertensão. Para dar uma idéia dos valores de supertensão
toleráveis, citamos os seguintes valores típicos :
- servo-mecanismos 40 ou 50%
- amplif. televisão 5 ou 10%
- osciloscópios 1%
Vejamos agora qual é o aumento de banda passante que se obtém

com êste tipo de compensação. Em regime senoidal, o ganho do amplifica
dor em freqüências altas será
1 + jw m/0J,
( 9 . 18 ) G(jw ) - gm R c -------
=
1 + jw/w, - mw'/wz'
Para obter a freqüência de corte superior wH devemos igualar o mó

dulo da função acima a g,. R c/ v2: Feitas as devidas manipulações, resulta
( 9 . 19 ) Wn = 0,707 �
m
1/ . 2m + 2m' - 1 + vT2m + 2m' - 1 ) ' + 4m'
Abaixo tabelamos alguns dos valores de wH/w, em função do parâme-

tro m:
m o 0,25 0,34 0,50 0,60

1 1 ,4 1,6 1 ,8 1 ,85
Como o aumento da banda passante é obtido sem redução do ganho

de referência, o produto ganho-banda passante aumenta na mesma pro
porção. Note-se que para m > 0,5
o aumento suplementar de banda é
pequeno, pelo que tais valores não são usados.
Para o proj eto do amplificador vídeo com compensação paralela po

de-se adotar a seguinte esquematização :
1 Escolher uma válvula com índice de mérito suficientemente
-
elevado ;
2 Avaliar C,;
-
3 - Calcular a resistência de carga RL para dar o ganho de referên

cia desej ado ;
4 Determinar o parâmetro de compensação m, de maneira a satis
-
fazer as especificações do proj eto;

5 Calcular L por
-
( 9 . 20 ) L = m RL' Cr
6 Para completar o projeto, seguir as indicações dadas no caso do
-
amplificador RC.
Há vários outros tipos de circuitos compensadores, mais complicado:>
que a compensação em paralelo ( ver, a respeito, Millman e Taub, "Pulse
and Digital Circuits", cap. 3, McGraw, 1956 ) , inclusive com acoplamento
por quadripolos. A maior complicação no ajuste dêstes circuitos limita,
porém, o seu uso.
9.4 - Compensação em freqüências baixas:
A medida que a freqüência diminui a resposta dos amplificadores

acima estudados diminui por três razões: a ) aumento da reatância do
capacitor de acoplamento, Cc; b ) desacoplamento insuficiente da resis
tência catódica de polarização, isto é, a reatância de Ck se torna da ordem
de Rk; c) desacoplamento insuficiente da grade de blindagem, pelo au
mento da reatância do capacitor ligado entre a grade de blindagem
e a terra.
Vej amos inicialmente como compensar o efeito do circuito de acopla
mento, constituido pelo capacitar Cc e pela resistência R.. Um dos modos
de fazer a compensação dêste efeito é pelo circuito indicado na figura
9 . 12, a ) ao qual corresponde o modêlo incremental da mesma fig. b.
e,
l�
1
r·
:.: .Q"
L
.,9
e,
'º'
E,
FIG . 9 . 12 - Compensação em frequências baixas por Rp C 1 .

A partir dêste modêlo incremental o ganho do amplificador pode ser

calculado ( ver Martin, "Electronic Circuits", pg. 140 ss., Prentice Hall, 1955 ).
Daremos aqui apenas os resultados mais importantes.
Notemos tão sbmente que a compensação em freqüências baixas se
deve, essencialmente, ao fato que a resistência de carga da válvula tende
a RL + R, quando a freqüência tende a zero; êste aumento de resistência
compensa a redução de ganho devida ao circuito de acoplamento.
No caso de amplificadores com pentados, habitualmente as seguintes
relações são satisfeitas :
Demonstra-se então ( ver referência citada ) que o ganho do amplifica

dor em freqüências baixas é dado por
s(s + WL + wr)
( 9 . 21 ) G( s ) = + G, ------
(s + w, ) (s + wr )
onde
Wr = 1 / ( R,,, C,) , WL = 1 / ( RL Cr )
G, = - (/m RL ' W1 = 1 / [ ( R, + R.) Cc] ' R, = rp Rc/( rp + Rc )
Supondo o amplificador excitado por um degrau unitário, isto é, E,

(s) = 1 / s , a resposta será
S + WL + Wf
E,( s ) = G, ------
( s + w, ) ( s + w, )
Anti-transformando esta expressão, resulta
( 9 . 22 )
Para obter a compensação ótima, devemos impor que a resposta admi

ta uma tangente horizontal na origem. De ( 9 . 22 ) obtemos assim, para
condição de compensação ótima,
( 9 . 23 ) W1 = Wc
A resistência R, não entra nessa condição, de modo que ainda fica

indeterminada; examinando-se a influência da relação R cfR,, verifica-se
que a compensação será tanto melhor quanto menor fôr essa relação.
Assim, para pulsos de duração R. Cc temos os seguintes valores típicos
para as flechas :
RcfR, 0,1 0,5 2 ,0 10
Flecha% 4 16 40 69
Do ponto de vista da melhor compensação é pois interessante um Rr
maior que Rc; no entanto, essa escolha poderá levar a valores da tensão
de alimentação inconvenientemente elevados.
AMPLIFICADORES DE ACOPLAMENTO R, C A VÁLVULAS 25:3
Um segundo critério para fazer esta compensação, designado por com

pensação convencional, consiste em tomar
( 9 . 24 )
=
Nêste caso, o ganho d o amplificador s e torna
s
G (s) G, ----
S + Wf
e a curva de resposta é análoga à do amplificador sem compensação, mas
com a freqüência de corte inferior igual a wf, em vez de w,.
O projeto dos amplificadores compensados em freqüências baixas pode
ser feito segundo as etapas abaixo, uma vez satisfeitos os requisitos para
a resposta em freqüências altas ( ou resposta à borda ) :
1 Os valores de R8 e C, serão o s mais elevados possível, dentro de
-
outras limitações impostas;

2 R, e w, são calculados por :
-
rp + RL
3 O tipo de compensação a ser usado é especificado, notando-se
-
que a compensação ótima dá melhores resultados que a convencional. No

caso de ser escolhida a compensação ótima, da condição w, = wL resulta
R, + R,
RL
=
Em seguida, o valor de RE é escolhido para dar a compensação deseja
da; seu valor máximo é dado pela tensão de alimentação, pois
=
Ebb lb( RL + R E ) + Eb + E.
4No caso de ser escolhida a compensação convencional, faça Wf +
-
wL w,, onde a freqüência de corte inferior, WE, é um dado do proj eto.

Como w, é a freqüência de corte inferior do amplificador não compensado,
obtém-se
do que se seguem
9.5 - Influência do desacoplamento do catodo na resposta dos amplifica

dores RC; compensação catódica:
Como já assinalamos, habitualmente a polarização de grade dos am

plificadores é feita por meio de uma resistência no catodo, colocada em
paralelo com um capacitar de capacitância elevada. Supusemos até aqui
que êste capacitar era, efetivamente, um curto-circuito para as componen
tes variáveis do sinal. Em freqüências baixas, muitas vêzes esta hipótese
não pode ser verificada, de modo que passaremos a estudar a influência
da impedância ligada ao catado na resposta do amplificador. Mostraremos

em primeiro lugar que o desacoplamento imperfeito acarreta uma redução
do ganho, sobretudo em freqüências baixas. Os requisitos para obtenção
de uma flecha percentual pequena são de tal modo estritos que muitas
vêzes não se desacopla o resistor de catado, introduzindo assim uma rea
limentação negativa no amplificador. Nêste caso é possível utilizar-se esta
realimentação para aumentar a banda passante do amplificador, embora
à custa de um menor ganho de referência.
Para iniciar nossa análise, consideremos o amplificador da fig. 9 . 13, a,
representado pelo modêlo incremental b, onde zk indica a impedância cató
dica. Evidentemente,
1 1
( 9 . 25 ) zk
ck s + 1/(Rk Ck )
-E. --
p
+ lnb
,
q,.. l9 r,
'p•
, E,
<. -
l, E,
E,
""•
IQJ te»
FIG . 9 . 13 - Circuito para exame da influência do desacoplamento

do catodo na resposta dos amplificadores R, e .
Chamando ainda por Zp a impedância de rp em paralelo com Cvk e

por meio de transformações de fontes, obtemos os modelos equivalentes
da figura 9 . 14, a e b. Mediante uma definição adequada da transcondu
tância efetiva, g' êstes modêlos poderão ser postos sob a forma indicada na
m,
fig. 9 . 14, e, que nos permitirá obter o ganho do amplificador na sua

forma geral.
' ª' l't::> i

FIG . 9 . 14 - Transformações do modêlo incremental da figura 9 . 13.
Do modêlo da fig. 9 . 14, b, obtemos
( 9 . 26 ) �
r lp
gm Zp
z, + Zp + ZL
E.
l Eg E1 - z, I"
Destas duas relações segue-se
( 9 . 27 )
zk ( 1 + gm Zp ) + Zp + ZL
Por outro lado, do modêlo da fig. 9 . 14 c, que corresponde ao circuito

desej ado e em que, com o mesmo Ir, obtemos a mesma amplificação do
circuito dado, obtemos
( 9 . 28 ) lp = g'm ---- E,
Identificando ( 9 . 27 ) e ( 9 . 28 ) , o valor da transcondutância equivalente

resulta
( 9 . 29 ) g'm
1 + gm Zp
z. ----- + 1
Zp + ZL
Finalmente, tendo em vista o modêlo da fig. 9 1 4 e a definição de
=-
. , e,
impedância mútua já vista, o ganho do circuito será
( 9 . 30 ) G, ( s ) = - 91rn Zm
1 + 9m Zp
1 + z. -----
Zp + ZL
No caso em aprêço o denominador da expressão acima geralmente tem

seu módulo maior que 1, de modo que o ganho do amplificador, consi
derada a impedância catódica, será menor do que o correspondente a um
perfeito desacoplamento da resistência catódica. Há, portanto, realimen
tação negativa nêste circuito .
Algumas aproximações d a expressão ( 9 . 30 ) s ã o interessantes. Assim,
em freqüências baixas podemos fazer
( 9 . 31 )
de modo que o ganho do amplificador fica
( 9 . 32 ) G,( s )
=
= - ------
µ + 1
1 + zk -----
pois que µ 9m rP.
No caso de pentados, como as seguintes relações são satisfeitas ha
bitualmente
( 9 . 33 ) 1 Zp 1 » 1 ZL 1 , ! Zp 1 » 1 z. 1
o ganho se torna
( 9 . 34 ) G,.( s )
Admitindo válida a aproximação, vamos agora determinar a resposta

ao tôpo do circuito da fig. 9 . 13 a, supondo que e, é um curto-circuito.
Notando que Zm é agora a resistência paralelo de RL, R, e rr, que designa
remos por R,, ( 9 . 34 ) fornece :
----- E ,
Substituindo z. por seu valor ( 9 . 25 ) , supondo que a tensão de entrada

é um degrau unitário e notando que - gm R1 é o ganho de referência do
amplificador, obtemos
( 9 . 35 ) E,( s )
onde w.
[1
A anti-transformação desta expressão fornece a resposta ao tôpo do
J
degrau :
e - ( w<
G, + grn/ Cd t
R.
1 + gm Rt
( 9 . 36 ) e,( t ) = + gm
1
A resposta decai exponencialmente, a partir do valor G,. Considerando
agora tempos t « / ( w . + gm/C.), a exponencial pode ser desenvolvida
em série. Conservando apenas os têrmos lineares dêsse desenvolvimento
e após algumas simplificações obtemos
e, ( t ) � G, [1 - ( gm/C,) · t]
Calculando a flecha ao fim de um período T, dentro da aproximação
acima, vem
( 9 . 37 ) P O/o
Esta expressão nos permite calcular o valor da capacitância de desa

coplamento para obter uma flecha prefixada, correspondente a uma dada
duração T de pulsos. Suponhamos, por exemplo, T 0,01 segundos e =
P = 5 % , com gm 5mA/ V. Resulta

=
100 gm T
( 9 . 38 ) _ 0,001 F 1000 micro-farads.
p
J!:ste exemplo mostra que os valores de Ck, para flechas pequenas, de
vem ser muito elevados. Daí a prática habitual de não se desacoplar o
catodo quando se desej am flechas pequenas para pulsos relativamente
longos. Nêste caso teremos uma realimentação negativa que reduz o ga
nho do amplificador em tôda a faixa de freqüências. Esta redução de
ganho, no entanto, é compensada por uma maior estabilidade e lineari
dade do circuito, decorrente da presença da realimentação negativa ( como
demonstraremos mais tarde ) .
O não desacoplamento da resistência catódica, contemporâneamente

com a introdução da realimentação negativa permite um aumento da ban
da passante do circuito, como mostraremos a seguir.
Consideremos para isso o modêlo da fig. 9 . 14, e, com a saída entre
a placa e a terra. A impedância mútua Zm reduz-se então à combinação
paralelo das impedâncias ZL e Zp , de modo que o ganho de tensão do am
plificador fica
( 9 . 39 ) GJ S ) - - 91m Zm - gm -------
1 + Ym Zp
z, ----- + 1
1 1
CT s + W2
Zk 1/ [Ck ( s + wd ] , com wk
= 1/RkC, e ainda supondo que as seguin-
tes condições são válidas,
1 Zp 1 » 1 ZL 1 • j 1/ Zp 1 « Ym,
a equação ( 9 . 39 ) fornece, após algumas simplificações,
Ym 1
( 9 . 40 ) G,( s ) = - -
CT S + W2
Vamos introduzir agora como condição de compensação
( 9 . 41 )
Nessas condições o ganho se torna
Ym 1
( 9 . 42 ) G,( s ) = - -- ----
CT S + ( Wk + Ym/Ck)
Se o circuito fôr excitado por um degrau unitário, sua resposta será,

1
( 9 . 43 ) E, = E, G.( s ) = -- G,( s )
s
cuja anti-transformação fornece, à vista de ( 9 . 42 ) ,
e,( t ) =
CT Wk + Ym/ Ck
com a w, + Ym/Ck. Tendo em vista a condição de compensação, fica
ainda
( 9 . 44 )
( 9 . 45 ) e,( t )
Estas duas equações mostram que o tempo de subida fica dividido por
1 + gm Rk, ao passo que o ganho de referência se reduz na mesma propor
ção. Em conseqüência, a compensação catódica não melhora a relação
ganho-tempo de subida ( ou o produto ganho-banda passante ) . A intro
dução de realimentação negativa, no entanto, tem vantagens especiais,
como a melhoria da estabilidade do circuito, que tornam atrativo o seu
emprêgo.
Para efetuar esta compensação não é necessário satisfazer exatamen
te a relação ( 9 . 41 ) ; se fôr, por exemplo, wk 2w, diminui-se ainda mais =
o tempo de subida, mas aparece uma supertensão ( ver Valley e Wallman,

"Vacuum Tube Amplif.", pgs. 90 ss ).
9.6 - Resposta completa dos amplificadores vídeo:
Para completar o exame dos amplificadores vídeo, vamos determinar

sua resposta completa; esta resposta, em seguida, será utilizada para ilus
trar o processo de aproximação assintótica da característica de resposta
do amplificador.
Sej a então um amplificador vídeo sem realimentação, representado pelo
modêlo incremental da fig. 9 . 15.
lrr
e
E,
_ _
FIG. 9 . 15 - Modêlo incremental do amplificador R, C, sem compensação.
[
1 1 1 1
+ + sCº + sCº
Z, Tp RL R,
l
�
1 1
+ se,
z, R.
a tensão de saída transformada será

Z1 Z2
E, ( s ) = - gmE1 ( s ) -------
Z1 + Z2 + 1/( sCc )
e o ganho de tensão d o amplificador resulta, após simples transformações,
1
( 9 . 46 )
1 1 1 1
+ + -- --
r � :p + � �g
Introduzindo nesta expressão os valores de z1 e z,, e fazendo ainda
l
L
( 9 . 47 )
� 1 1 1
+
R, rp
obtemos
( 9 . 48 ) Gv ( S )
1
X
1 +
Vamos agora simplificar esta expressão, notando, em primeiro lugar

que, sendo Cc muitas ordens de grandeza maior que e, ou e. o têrmo C,C0/C,
pode ser desprezado em face de C, + e., no denominador . de fração ; em
segundo lugar façamos aparecer as várias constantes de tempo que inter
vém no circuito. Após algumas transformações, ( 9 . 48 ) fica :
( 9 . 49 )
Esta é pois a expressão completa do ganho de u m amplificador vídeo

sem realimentação ( catódica ou de grade de blindagem ) .
Para justificar a decomposição d o estudo dêste amplificador e m três
regiões de freqüências, como fizemos atrás, vamos introduzir novas sim
plificações na expressão ( 9 . 49 ) . Para isso, notemos que, sendo ( R, e. +
+ R.Ci > / C R,C, ) muito menor que 1, o colchete no denominador de ( 9 . 49 )
pode ser tomado igual a 1 / C C, + C. ) R ; considerando ainda que nos am
plificadores práticos R = R,, pois RL é muito menor que R, ou r., vem
s/ [ C C, + C. ) R ]
( 9 . 50 ) Gv ( S ) = - gmR -��
s 1
s' + +
{
+
-------
C C, C0 ) R C,R, · C C, + C. )R,
Finalmente, vamos introduzir as frequências de corte
W1 = 1 / ( R.Cc )
( 9 . 51 )
W2 = 1 / [R ( C.
+ C, ) ]
pràticamente iguais às frequências de corte inferior e superior do ampli

ficador vídeo, já definidas a partir dos modêlos simplificados. A função
ganho do amplificador fica então
S W2
( 9 . 52 )
S2 + SW2 + W1 W2
Esta função tem um zero em s O; para explicitar seus pólos, vamos

=
fatorar o denominador, ou sej a determinar os zeros de
S2 + SW2 + W1 W2 = 0
As duas raíses ( reais ) desta equação são :
S 1,2 = - 2
W2
± 2
W2
1/' 1 - 4
W1
---;:
Como é w 1 « w, o radical pode ser desenvolvido pela fórmula do
binômio, restrita ao têrmo linear; em primeira aproximação obtemos
( 9 . 53 ) S2 = - W1
A expressão simplificada do ganho do amplificador se torna então
s w,
( 9 . 54 ) G, ( s ) = - YmR •
( s + w, ) ( s + w, )
Comparando esta expressão com aquelas que constam da Tabela I, ve
mos que o ganho do amplificador é aproximadamente igual ao produto
de seu ganho de referência ( frequências médias ) pelos fatores, dependentes
de s, que comparecem nas expressões do ganho em frequência alta e em
frequência baixa, respectivamente. Esta expressão é tanto mais aproxi
mada quanto maior for a relação entre as frequências de corte superior
e inferior do amplificador.
Dentro da aproximação considerada, a função ( 9 . 54 ) caracteriza com
pletamente o ganho do amplificador. Para passar ao regime senoidal
basta, como já vimos, substituir a variável complexa s pela variável ima
ginária jw. Em regime senoidal, portanto, o ganho de tensão do amplifi
cador será
jw W2
( 9 . 55 ) G, ( s ) - YmR -------
=
( jw + w, ) ( jw + w, )
Esta função pode ser caracterizada por duas curvas : o módulo do
ganho em função da frequência e o seu argumento, também em função
da frequência.
9 . 7 - Aproximação assintótica do ganho do amplificador vídeo, sem com

pensação; diagrama de Bode:
A representação completa das funções ganho, tal como ( 9 . 55 ), é tra

balhosa; uma grande redução de trabalho obtém-se passando à caracte
rística logarítmica, em decibeis, examinando seu comportamento assintó
tico e substituindo a curva real por suas assíntotas. Vamos ilustrar êste
processo partindo da função ganho acima determinada. Para isso, vamos
colocá-la na forma :
1) 1)
jw/w,
( 9 . 56 ) G. ( jw ) - Ym R -------
=
( jw/w, + ( jw/w, +
Tomando agora o módulo desta expressão e exprimindo·o em deci

béis, vem
( 9 . 57 ) G, ( db ) = 2 0 log ( gmR ) + 2 0 logw/w, - 2 0 log( w'/w,' + 1 ) 1 /2
- 20 log ( w'/w,' + 1 ) 1 /2
Examinemos agora o comportamento dos vários têrmos que compõem
esta expressão.
A primeira parcela de ( 9 . 57 ) é uma constante, independente da fre
quência, e corresponde ao ganho de referência em decibéis:
( 9 . 58 ) G, ( db ) = 2 0 log ( gmR >

A segunda parcela, representada num gráfico com escala logarítmica
de frequências, corresponde a uma reta que passa por O db na frequên
cia w = w,, subindo 6 db por oitava, isto é, aumentando de 6 db tôda a
vez que a frequência dobra. Esta reta está representada na fig. 9 . 16.
A terceira parcela, - 20 log. ( w'/w,2 + 1 ) '!', tende a O db para frequên
cias muito menores que w,; diremos que admite, sempre em escala Ioga·
rítmica de frequências, uma assíntota de O db em frequências baixas. Para
w » w,, esta parcela torna-se aproximadamente igual a - 20 log w/w, o
que corresponde, sempre em escala logarítmica de freqüências, a uma reta
descendo 6 db por oitava. Portanto, a assíntota em frequências altas dêste
termo corresponde a uma reta que desce 6 db por oitava e passa por O db
na frequência w,. As duas assíntotas de frequências altas e baixas, corres
pondentes a esta parcela, cruzam-se no ponto O db, w,.
O comportamento da quarta parcela é idêntico a êste último; apenas
suas assíntotas cruzam-se no ponto O db, w,.
Na fig. 9 . 16 representamos as assíntotas correspondentes às quatro par
celas de ( 9 . 57 ) . Somando-se algebricamente as ordenadas correspondentes,
obtemos a aproximação de ( 9 . 57 ) por suas assíntotas, como indicado na
fig. 9 . 17.
Esta representação assintótica habitualmente é designada por diagra·
ma de Bode do amplificador, e tem um papel importante na síntese de
rêdes ativas.
Gr(dbJ
Odb -l-��--=:::&:__��-<i''--��--.,_.
iog w
FIG. ü . 16 - Componentes assintóticas da resposta do amplificador R, C, não compensado.

No mesmo . diagrama da fig. 9 . 17 .superpusemos a curva de ( 9 . 57 ) , in

dicando algumas propriedades interessantes que se verificam sem difi
culdade; assim, por exemplo, o êrro da aproximação assintótica é igual a
3 db nas frequências de córte, e é igual a 1 db uma oitava abaixo ou acima,
·
respectivamente, das duas freqüências de corte .
- 6db/oitavo
w, 2 wz log w
FIG. 9 . 17 - Curva de ganho do amplificador R, C, não compensado

e sua aproiimação assintótica.
Finalmente, para completar o estudo da resposta dêste amplificador,

vamos_ examinar sua resposta em /ase, ou seja, como varia a defasagem
entre os sinais de saída e entrada em função da frequência. Trata-se,
portanto, de examinar o argumento da função ( 9 . 56 ) . Vamos desprezar o
sinal negativo da expressão, que indica apenas uma defasagem constante
de 1t; indicaremos então por </> ( w ) o correspondente argumento:
1)
j w/w,
( 9 . 59 ) <f> ( W ) = Arg --------
( jw/w, + ( jw/w, + 1 )
Segue-se pois
1t/2
( 9 . 60 ) <f>(W ) =
are tgw/w , + are tgw/w,
Vamos fazer o diagrama desta função, representando-o sempre numa

escala logarítmica de freqüências. Para isso, notemos que :
a) para w = 0, <f>( W ) 1t/2

b) para w = oc;, q, ( w ) 1t/2
e) para w w11 q,C w ) =
+ 1t/4
d) para w w,, q,( w ) =
- 1t/4
Como a defasagem muda de sinal entre w, e w,, ela deve passar por
zero nesse intervalo. l!: fácil ver que q, = O para w = v w, w, ou seja,
numa freqüência igual à média geométrica das duas freqüências de corte.
De fato, nessa freqüência teremos
are tgw/w, + are tgw/ w1 = 1t/2

Designando por cp• e cp2 os dois arcos desta expressão podemos escrever
tg( q,, + cf>2 ) = t git / 2
Mas
w/w, + w/w,
tg ( cp 1 + cf>2) =
1 - ( w/w, ) (w/w2)
Para que esta expressão sej a igual a tg 7t/ 2, bbviamente
( 9 . 61 ) w' = W1 W2
Na fig. 9 . 18 representamos a variação da defasagem do amplificador
vídeo não compensado em função da freqüência.
Um tratamento análogo ao que fizemos poderia ser estendido ao caso
dos amplificadores compensados. Em grande parte, os têrmos que vão
aparecer na função ganho são análogos ao dêste caso. No entanto, além
dêstes aparecerão também os têrmos correspondentes aos polos complexos,
decorrentes da bobina de compensação. O tratamento dêstes têrmos é um
pouco mais complicado, pelo que não abordaremos aqui êste problema.
Para maiores detalhes a respeito dos diagramas de Bode e suas implica
ções na síntese de rêdes, as seguintes obras podem ser consultadas:
7C
2
-n - - - - - - - ..- ..- - - - - � - ---- - - - - - ---

- - - - - - -- - --
2
FIG. 11 . 18 - Curva de defasagem do amplificador R, C, nio compensado,
com escala logarfimica de freqüência.
a) M. E. VAN VALKENBURG, "Modem Network Synthesis", cap. 9,

Wiley, New York, 1960.
b) H. W. BODE, "Network Analysis and Feedback Amplifier Design",
Van Nostrand, New York, 1945.
9. 8 - Associação de amplificadores RC em cascata:

Um só estágio de amplificação é em geral insuficiente para obter os
ganhos desej ados na prática. Será então necessário associar em cascata
( isto é, a saída de um ligada à entrada do seguinte ) vários estágios de
amplificação.
Se os vários estágios forem efetivamente isolados, isto é, não houver

realimentação entre êles, é fácil ver que o ganho da associação é igual ao
produto dos ganhos dos vários estágios. De fato, consideremos a associação
esquematizada na fig. 9 . 19, em que os ganhos de cada estágio são
G,( s ), G,( s ), . . . G. ( s ) .
FIG. 9 . 19 - Associação em cascata de amplificadores.
Temos, por definição,

G,( s ) = E,/E, , G,( s ) = E,/E, , ... . . G.( s ) = Eo/E.
Multiplicando membro a membro estas expressões,
( 9 . 62 ) G,( s ) · G,( s ) . . . . . . G.( s ) = Eo/E, = GT( s )

Com esta expressão podemos analisar o comportamento dos amplifi
cadores compostos de vários estágios em série. Vamos iniciar esta análise
considerando a resposta às freqüências altas, médias e b aixas, separa
damente.
Com referência às freqüências médias, em que o ganho de cada está
gio é real e dado por Ym Rt, verifica-se imediatamente que o ganho da
-
associação é igual ao produto dos ganhos de referência de cada estágio. No

caso comum de n estágios iguais, com ganho de referência G, teremos pois
( 9 . 63 )
Ainda no caso de n amplificadores iguais, o ganho em baixa freqüência
será, à vista da Tabela I ( amplificadores não compensados em baixa
freqüência ),
1
( 9 . 64 )
[1 + w.fjw ] "
onde w , é a freqüência d e corte inferior d e cada estágio.
1 / 1
Tomando o módulo desta expressão,
( 9 . 65 ) GT ( jw ) = G: -----
[ 1 + w ,2 / w2 ] 0/2
A freqüência de corte inferior obtém-se da expressão acima, impondo

-se sua igualdade a G,/ v2; resulta
( 9 . 66 ) Wt = w.f -../ 2'/º - 1 .
De maneira análoga obtemos, para a freqüência de corte superior de

uma associação em cascata de n estágios iguais, sem compensação, o valor
( 6 . 67 ) WH = W2 V 211• - 1
A freqüência de corte inferior da associação é mais elevada que a

freqüência de corte de cada estágio ; por outro lado, a freqüência de corte
superior da associação será mais baixa que a correspondente a cada está
gio, de modo que o efeito global da associação é o de reduzir a banda
passante do circuito.
A associação em cascata de amplificadores compensados também é exa
minada a partir das respectivas funções ganho. Verifica-se que a banda
passante se reduz quando o número de estágios aumenta, mas essa redu
ção é maior que no caso anterior. ( ver curva em Martin, "Electronic Circ.",
pgs. 1960 ss ) .
Vejamos agora o efeito d a associação de estágios amplificadores sôbre

o tempo de subida ; limitar-nos-emos aqui a enunciar uma série de regras
práticas que permitem avaliar o tempo de subida e a flecha do amplifica
dor ( para maiores detalhes, ver Valley e Wallman, "Vacuum Tube Ampli
fiers", cap. 2 ) :
1 .º - O tempo de subida de um amplificador com n estágios, sem
supertensão ( "overshoot" ), é dado pela raiz quadrada da soma dos quadra
dos dos tempos de subida de cada estágio
( 9 . 68 ) T, = vT'c1 + T',, + + T',.

Se todos os tempos de subida forem iguais,
< 9 . 69 )
2.º S e a supertensão e m cada estágio fôr muito pequena ( da ordem
-
de 1 ou 2% ), a supertensão da associação será igual ou ligeiramente

maior, e o tempo de subida total é dado aproximadamente pelas fórmulas
indicadas acima.
3.º - Para estágios com supertensão de 5 a 10%, a supertensão total
aumenta aproximadamente com a raiz quadrada do número de estágios,
ao passo que o tempo de subida aumenta mais devagar do que no caso
anterior.
4. º Se a flecha de cada estágio fôr pequena, a flecha total será dada
-
pela soma aritmética das flechas de cada estágio.
Bibliografia do capítulo 9 :
A respeito da matéria dêste Capítulo, consultar :

1 - T. J. MARTIN, Jr., "Electronic Circuits", caps. 4,5,6, Prentice Hall, Engle
wood Cliffs, 1 955.
2 - E. J. ANGELO, Jr., "Electronic Circuits", 2.ª ed., caps. 1 6, 1 7, McGraw,
New York, 1 964.
Para problemas especiais de amplificação de pulsos, consultar :
3 - J. MILLMAN e H. TAUB, "Pulse, Digital and Switching Waveforms",
McGraw, New York, 1 965.
Problema 9 . 1 : No circuito da figura P9 . 1 gm = 2000 micromhos, r. = 30 Kn e E, =
= 2,0 V eficazes. Calcular o ganho, a tensão de saída e a defasagem entre os sinais

de saída e entrada, se a frequência do sinal fôr de 200 c/s.
0,01 ,µ. F
50/<íl
FIG. P . 9 . 1
Problema 9 . 2: D o manual d e válvulas obtém-se o s seguintes dados para a construção

de um amplificador de audio-freqüência típico, com o pentodo EF86 (ver caracterís
ticas no Apêndice 2 ) :
lt = /b + J,, = 2,5 mA 1 00 k ohms
ck = 50 micro-farads R,, 390 k ohms 1 k ohms
füb = 300 V e,. 0,5 micro-farads
R, = 3 3 0 k ohms Cc 0,5 micro-farads.
Sabe-se ainda que a válvula em questão tem r. = 2,5 M ohms, e, 1= 3,8 pF,
C0 = 5,3 pF e, para uma corrente anódica de 3 mA, a corrente de grade de blinda
gem é igual a 0,6 mA.
Supondo que êste estágio é seguido por outro idêntico, e tomando a capacitância
de fiação igual a 1 0 pF, determinar :
a ) o ponto quiescente d e válvula (Eb, /b, - Ecc, E,,, /,,) ;
b ) o ganho d e referência d o amplificador, utilizando a transcondutância direta
mente obtida das curvas características;
c ) as freqüências de córte superior e inferior do amplificador;
d ) quais a s modificações nos resultados acima s e o capacitor Ck for retirado
do circuito?
Problema 9 . 3: Um amplificador RC, com válvulas 6AK5, tem os seguintes parâme

tros : gm = 4,3 mA/V, RL = 1 0000 n , R, = 1 00.000 n; Cc = 0,0 1 µF, Rk = 3 3 0
n. Sabe-se que a capacitância shunt de fiação vale 8 p F . Do manual de válvulas
obtém-se ainda os seguintes dados : Eb = 150 V, E,. = 140 V, J,, = 2 mA, lb =
7 mA. Determinar :
1 ) as frequências de córte superior e inferior e o ganho de referência;
2 ) a tensão d e alimentação .Ebb, e a resistência d a grade d e blindagem;
3 ) os capacitores de desacoplamento de catodo e de grade de blindagem, de
modo que a frequência de córte inferior seja definida por R. e C0;
4 ) a indutância d a bobina de compensação e m paralelo, de modo que a super
te.nsão não exceda 1 % , bem como a nova frequência de córte superior.
Problema 9 . 4: O amplificador da fig. P9 . 2 emprega um pentodo com gm = 4,4 mA/V
e r• = 1 ,5 M il. Pede-se :
a) seu ganho complexo nas frequências d e 1 0, 1 0' e 1 07 c/s;
b) as frequências de córte superior e inferior;
c) a indutância da bobina de compensação paralela, tal que reduza o tempo
de subida do amplificador a cêrca de l;2 do valor sem compensação.
Dados : Capacitância de entrada da válvula : 5,5 pF

Capacitância de saída da válvula : 5,0 pF
Supôr que o estágio seguinte tem a mesma válvula e a capacitância de fiação é
da ordem de 5 pF.
IM.fl.
FIG. P . 9 . 2
Problema 9 . 5 : U m amplificador R C com catodo em terra, sem compensação, tem

uma frequência de córte superior de 1 Mc/s. A válvula amplificadora é um pentodo,
com Km = 10 mA/V. Sabe-se ainda que a capacitância parasita total, e m paralelo
com o anodo, é de 10 pF, a resistência de grade da válvula seguinte vale 1 M n e o
capacitar de. acoplamento tem 0, 1 µF. Introduzindo aproximações convenientes,
calcular :
a ) o ganho d e referência do amplificador, em dbs;
b ) o tempo de subida do amplificador;
c ) a frequência de córte inferior;
d ) a flecha percentual, para \)m pulso de 0,0 1 s.
Problema 9 . 6: Ensaiando o amplificador da fig. P9 . 3 obtiveram-se os seguintes
dados :
ganho de referência = - 20 X
frequência de córte superior = 1 Mc/s
frequência de córte inferior = 1 0 c/s
Sabe-se ainda que o pentado empregado tem Km = 4,7 mA/V. Pede-se :
a ) o valor d e R L e. Cc;
b ) prosseguindo o s ensaios, a ponta d e prova d e u m osciloscópio, com capaci
tância de entrada de 15 pF, é colocada entre o ponto A e a terra. Quais
as alterações causadas na operação do amplificador?
Dê indicações quantitativas.
FIG. P . 9 . 3
Problema 9 . 7: Considere um amplificador RC, com uma resistência de. carga RL e a

capacitância shunt na placa CT, sem resistência de catodo.
S11b�tit"a ?. flora RL por R'c e acrescente um resistor de catodo R., shuntado por
e., de. modo que
R. e. = R'c cT
Mostre que se R'c for tal que o ganho em freqüência s médias permanece cons
tante, o tempo de subida vem multiplicado por gm/g·m, onde gm eg·m são as transcon
dutâncias efetivas correspondentes, respectivamente, ao 1 .º e. 2.0 casos.
Problema 9 . 8: Um amplificador vídeo, construido com um pentodo com gm = 1 0
mA/V e r. = 1 3 0 k ohms, tem seu ganho controlado por u m potenciômetro n o ca
todo, como indicado na figura P9 . 4. Sabe-se que a capacitância total e.ntre placa e
terra da válvula é de 1 5 pF. Determinar o ganho do amplificador e suas frequências
de córte superior e inferior, com o potenciômetro nas duas posições
-- extremas e na
posição central .
+ Ebb
e,
tMfl e2
FIG. P . 9 . 4
Problema 9 . 9: Um amplificador vídeo, para o qual RL = 2 K ohms, é acoplado ao

estágio seguinte por um capacitor de 0 , 1 µ F e uma resistência de 0,5 Mil. A cor
rente de repouso da válvula é de 20 mA. A máxima tensão de alimentação disponível
é de 300 V e a tensão de placa, em repouso, é de 200 V. Determinar a compensação
ótima em baixa frequência, desenhar o diagrama do circuito e calcular a flecha, antes
e depois da compensação, para uma onda quadrada de 200 c/s. Desprezar re g eneração
catódica e de grade, de blindagem.
CAPfTULO 10
AMP LIFICADORE S COM ACOP LAMENT O R , C

T R ANSI STORIZADOS
Os amplificadores transistorizados podem ser classificados de maneira

análoga aos amplificadores com válvulas. Assim, segundo o tipo de acopla
mento entre os vários estágios, podemos ter amplificadores transistorizados:
a) com acoplamento R, C;
b) com acoplamento por transformador;
c) com acoplamento, direto.
Cada um dêstes tipos de amplificadores pode ser realizado com qual

quer das configurações básicas do transístor ( emissor comum, base comum
ou coletor comum ). Considerando ainda as possíveis variações de banda
passante, gama de freqüências a ser amplificada ( áudio - vídeo - ou rádio
·freqüências ) resulta uma grande variedade de tipos de amplificadores
transistorizados.
Neste capítulo limitaremos nosso estudo somente ao tipo mais comum
de amplificador transistorizado, ou sej a, o amplificador de acoplamento
RC na configuração de emissor comum, para sinais fracos. l!:ste estudo
será decomposto em duas partes : os amplificadores sem compensação, de
banda passante relativamente estreita ( que incluem os amplificadores de
áudio ) e os amplificadores com compensação, cuj a banda passante pode
ser bem maior. Ilustraremos assim algumas técnicas para a análise dos
amplificadores transistorizados. No capítulo seguinte examinaremos os am
plificadores sintonizados, ou seletivos.
Antes de prosseguir, notemos que a configuração de emissor comum é
a mais utilizada, sobretudo quando vários estágios de amplificação devem
ser associados em cascata, pelas seguintes razões :
a ) o amplificador de emissor comum fornece, ao mesmo tempo, ganhos
elevados de tensão e de corrente; b ) suas impedâncias de entrada e saída
são tais que a associação em cascata se faz sem grande perda de ganho;
c ) o circuito pode ser polarizado com facilidade, sem alterar suas proprie
dades. As demais configurações, não gozando ao mesmo tempo de tôdas
estas propriedades, são utilizadas apenas em casos especiais.
Uma vez que os problemas de polarização do transistor e estabilização

do ponto quiescente já foram estudados no Capítulo 5, não voltaremos aqui
a examinar êsses problemas; tratando-se ainda de amplificação de sinais
fracos em classe A, com a junção emissor-base sempre polarizada direta
mente e a junção coletor-base sempre com polarização inversa, utilizare
mos apenas modelos incrementais dos transistores.
10 . 2 - Modêlos incrementais do amplificador RC em emissor comum:
Examinaremos aqui o amplificador cuj o esquema básico está indicado

na fig. 10 . 1. Em geral as bandas passantes de amplificadores dêste tipo
estender-se-ão de algumas dezenas de ciclos/segundo até, eventualmente,
alguns megaciclos/segundo. Como no caso das válvulas, devemos estabe
lecer modelos incrementais adequados a cada domínio de freqüência .
.------9---o - E c c
R,
FIG . 10 . 1 - Esquema d e amplificador transi�torizado

com acoplamento R, C .
Neste circuito, as resistências R,, R, e R. são determinadas a partir das

condições de polarização e estabilização do ponto quiescente do transistor,
ao passo que RL é a resistência de carga do coletor.
Os vários modelos incrementais dêste circuito poderão ser obtidos a
partir do esquema da fig. 10 . 2, mediante a substituição do transistor pelo
modêlo incremental adequado, inserido entre os pontos B, E e C.
e,
� f-----<>--+-11
R B
Ce
FIG . 10 . 2 - Esquema simplificado do amplificador R, C .
Neste circuito as freqüências de corte inferior serão determinadas

pelas capacitâncias e, e e,, ou ambas; a freqüência de corte superior será
AMPLIFICADORES COM ACOPLAMENTO R, C TRANSISTORIZADOS 271
fixada pelo transistor. O estudo dêsse amplificador será então feito suces
sivamente nas três regiões de freqüências médias, baixas e altas. Como no
caso das válvulas, os resultados obtidos serão adequados desde que as fre
qüências de corte estej am espaçadas de pelo menos algumas décadas.
Considerando inicialmente a região de freqüências médias, vamos subs
tituir o transistor por seu modêlo 1t - híbrido, desprezando tôdas as capaci
tâncias bem como as resistências r e rº dêsse modêlo. Supondo ainda que
µ
C, e têm reatâncias desprezíveis nessas freqüências obtemos o modêlo
e.
da fig. 10 . 3.
Rs <, 8 '"" B' e '-z
e
s
Rb r,7
)�. �m111ie RL
)�
-
E
FIG . 10 . 3 Modêlo em frequências médias do amplificador R, C.
A tensão de saída será
( 10 . 1 ) Vz
Mas
r
1t
( 10 . 2 ) . e,
-
Em conseqüência, o ganho incremental de tensão em freqüências médias
)
resulta
- gm T RL
Vz 1t
( 10 . 3 ) G
(
••
e, r + r
X 1t
Rs 1 + + T
X
+ T
Rb 1t
O ganho incremental de corrente calcula-se facilmente, notando que

Rb r
•
1t
( 10 . 4 ) --
--- i,
de modo que
( 10 . 5 ) =
Para examinar a resposta na regiao de freqüências baixas, usaremos

ainda o modêlo 7t - híbrido do transistor, sem as capacitâncias, despre
zando também aqui as resistências rº e r . Reintroduziremos, no entanto,
µ
as capacitâncias e, e ec bem como a resistência ,R.. Para não complicar
demasiadamente os cálculos, vamos admitir que a resistência R� é muito
elevada, omitindo·a no modêlo. Chegamos assim ao modêlo da fig 10 . 4.
Rs e,
M'-----1
8 "" B' e
fs
�? v,, 1 rrr
E
9 rn vb'e
RL \'2
I?
Re Ce
FIG . 10 . 4 - Modêlo e m frequências baixas do amplificador R , C.
Finalmente, na região de freqüências altas devemos reintroduzir as ca

pacitâncias e e e do modêlo 7t - híbrido; as capacitâncias e, e e,, cuj as
" µ
reatâncias serão desprezíveis, podem ser substituidas por curto-circuitos.
Supondo ainda que R b é muito elevada, obtemos o modêlo da fig. 10 . 5.
FIG . 10 . 5 - l\fodêlo cm frequências al tas do amplificador R, C.
Vamos examinar sucessivamente as propriedades dêsses modelos.
10 . 3 - Resposta em frequências baixas:
( 1 )
A análise de malhas transformada, aplicada ao modêlo da fig. 10 . 4,
fornece as equações
e _1_ ) 1
R5 + r + r + R + _ !, - R, !, E,
X
" e
se,
: 10 . 7 )
- R, !, + Rc + I, + gm vb .• -- o
se, se,
Considerando que Vb ·· == r · l i e introduzindo a notação

1t
( 10 . 8 ) Rr == R s + r. + r
1t
+ R,
as equações anteriores fornecem, após algumas simplificações,

í ( s + 1 /Ci Rr ) l i - s ( Ro/Rr ) · l, == ( s/Rr ) · E,
( 10 . 9 )
1l
[y .. r / ( R. C, ) - s ] li + [s + 1/ ( R, C, ) ] l,
"
== O
Fazendo
( 10 . 1 0 ) R. == Rs + r. + r
1t
resolvendo em relação a li e rearranjando os termos, obtemos de ( 10 . 9 )

Es s ( s + 1 /R, C, )
( 10 . 1 1 ) li ==
R.
Considerando que V, == - g., Vb ·, Rc - g., r Rc 111 o ganho de tensão

"
em freqüências baixas resulta
v,
( 10 . 12 ) G. - ==
Es
9m r1t R c s ( s + 1/R, C, )
==
R. g.. r
1
s' + ) + R.
1 Rr 1t
s { + +
R. Ci R, R. C, R C,
• . R, e, e,
Esta função tem zeros na origem e em S i - 1/R,C, e dois pólos reais ==
s, e s,, que são os zeros do denominador. :É'.:stes pólos e zeros determinam

a resposta em frequências baixas.
Para examinar a operação do circuito, vamos fazer duas aproximações
extremas :
a) e. ..... co :
Neste caso a função ( 10 . 1 2 ) reduz-se a

g.. r Rc
.. s
( 10 . 13 ) G, ==
R. s + 1 /R.Ci
O ganho fica assim com um só pólo; passando para o regime senoidal
e introduzindo o ganho em freqüências médias ( 10 . 3, com R b --> co ) , obtemos
jw
( 10 . 14 ) G, ( jw ) == G,.
jw + 1 /R.Ci
com a frequência de corte inferior
00 . 15 ) Wu == 1 /R.Ci == 1 / [ < Rs + r. + r 1t ) Ci]
b) C1 -+ oo :
Com esta nova aproximação, ( 10 . 12 ) fornece
( )
s + 1IR. C.
( 10 . 1 6 ) G, = G •• · -------
1
s + -- RT + ílm r
R, C. R. .
(
Passando ao regime senoidal
jw + 1IR. e.
)
( 10 . 17 ) a. < iw ) = a..
1 R
jw + -- T + Um r
R. C, R. "
( )
�]
A freqüência de corte inferior é agora
" [
1 RT 1
( 10 . 18 ) W 12 = -- -- + Um r =
R. C. R. R, + r, +
C. · R.11
1 + g. r
1t
As expressões ( 10 . 15 ) e (Gul
( 10 . 18 ) indicam a possibi-
lidade de dimensionar o 1000
circuito de modo que a
'ºº
freqüência de corte infe 1
rior seja essencialmente 1
'º 1
definida por C1 ou por e., l
conforme wu ou w12 pre 1
1
dominem.
º •' -fL---..--ir--+t-
1 -'
U:Je.
"'--t--------- w
Se nenhuma dessas al 10 'ºº 1 00
f
ternativas ocorrer, será FIG . 10 . 6 - Resposta em frequências baixas.
necessário determinar os
pólos de ( 10 . 12 ), para várias escolhas de C1 ou e. ( ver a respeito SEEC,
vol. 3, 195 ss. ) . Neste caso, a curva de resposta, em escalas logarítmicas,
terá o aspecto indicado na fig. 10 . 6.
10 . 4 - Resposta em frequências altas:
Adotaremos agora o modêlo da fig. 10 . 5. Para simplificar a análise

vamos inicialmente transformar o gerador de tensão em série com Rs e r,
no gerador de Norton equivalente, obtendo assim o modêlo da fig. 10 . 7,
[ ]
onde
-' Rs + r, + r
"
< Rs + r. ) 11 r.,,
=
( 10 . 19 ) ( R, + r. > r
"
FIG . 10 . 7 - Simplificação do modêlo em frequências altas.
Nêste modêlo indicamos as condutâncias, em vez das resistências. Fica

mos assim com um circuito com dois nós; a análise nodal nos fornece então
r[ ]
as equações
Es
1
G, + ' C C, + e > vb .. - s e v,
, µ Rs + r,
- 'e · v, .. + c a, + s e > v, + g.. v� .. = o
, µ
ou rearranjando,
r e > l vb - s e v,
Es
[ G1 + s (e + .• =
Rs + r,
l
" µ µ
( 10 . 20 ) �
["g. - s e 1 vb .. + ( GL + s e > v, = o
µ µ
Resolvendo em relação a V2 e dividindo tudo por Es, obtemos o ganho

de tensão :
< u.. --" se )/< Rs + r.>
v. µ
S2 e e + s [ e G1 + ( e + e ) GL + Um e
00 . 21 ) Gv
Es ] + G1 GL
" µ µ " µ µ
Esta função tem novamente dois polos; como sua análise é relativamente
longa ( ver SEEC, vol. 3, págs. 202 ss. ), vamos limitar-nos aqui apenas a uma
aproximação. Esta aproximação será feita nas equações ( 6 . 19 ) , notando que,
para a maioria dos transistores modernos, e é bastante pequeno, de modo
µ
que poderemos desprezar se em face de gm e eL. Obtemos assim as equações
µ
[ G1 + s (e + e ) ] Vb·. - s e v,
" µ µ Rs + r,
00 . 22 )
O ganho de tensão resulta assim
[G, + s ( C r. + e ) ] GL + se gm
( 10 . 23 ) G, =
Es
µ µ
Multiplicando numerador e denominador por RL = 1/GL e introduzindo

o ganho de referência G,. ( eq. 10 . 3, com Rb -.. ao ) segue-se finalmente
1
(gm RL + 1 ) + e ] fG, +
( 10 . 24 ) Gv = G,. · -------
s [C 1
µ "
Passando ao regime senoidal ( s = j1.u ),

1
[ C (gm RL + 1 ) + e" ] fG,
( 10 . 25 ) Gv ( jw ) = Gv. -------
jw + 1
µ
Esta expressão mostra que a freqüência de corte superior do amplifica

dor será
Rs + rx + • r"
1
e ( gm RL + 1 ) + e
( 10 . 26 )
( Rs + rx) r
µ " "
Em conseqüência, para aumentar a freqüência de corte superior deve

mos diminuir RL e Rs.
Nas deduções acima empregamos exclusivamente os parâmetros
'7t -lu'bridos. No entanto, muitas vêzes os fabricantes não fornecem C ,
r.
dando, ao contrário, as freqüências f ou /r. Vejamos como relacioná-las a C .
� "
Para isso, consideremos o modêlo em freqüências altas, com a saída em
curto circuito ( fig. 10 . 8 ) e calculemos seu ganho de corrente.
- Modêlo
E
FIG . 10 . 8 para o cálculo da frequência de córte de B·
l, = (9m - se ) vb '
µ
r�/ [s ( C.. + e ) ]
l
i µ
r"
r" + 1/ [s ( C7t s r7t (C7t + e > + 1
------ [,
+ Cu ) ]
v• ., 1.1
O ganho de corrente em curto-circuito será pois

(Um - s C ) r
I. µ "
( 10 . 27 )
I, s r (C + e ) + 1
" " µ
ou, desprezando sCµ em face de gm,

g .. r
"
( 10 . 28 ) G, = --
---
s r (C + e ) + 1
" 'I< µ
Passando ao regime senoidal e lembrando que 130 Ym r ,

"
( 10 . 29 )
jw r ( C + C. ) + 1
" "
Desta expressão resulta que o módulo do ganho de corrente em curto

circuito reduz-se a 1/ v 2 de seu valor em freqüências baixas na freqüência
1
(C + C )
( 10 . 30 ) W,i ( rd/s )
r
" 1t µ
ou
1
( 10 . 31 ) t = ( Hz )
� 21t · r (C + C )
" " µ
f é a freqüência d e corte d e 13.
�
Em freqüências muito maiores que f � o ganho de corrente tende para
o valor assintótico
f/m r
" Ym
( 10 . 32 ) - j -------
jw r ( C + e ) w (C + C )
" " µ " µ
A freqüência wT ( ou fT ) é aquela em que o módulo do ganho assintótico

se torna igual a 1, isto é,
1 G,. I = ---- = 1
wT ( C + C )
" µ
donde
( 10 . 33 ) ( rd/s )
e" + e
µ
ou
( 10 . 34 ) Hz
2'1t (C + C )
" µ
As expressões 00 . 31 ) ou 00 . 34 ) permitem-nos .calcular C , dados f

'li �
ou fr, bem como C e f3o · De fato, como j á sabemos, Ym é calculado pela
µ
corrente de coletor e r = f3o/ Ym·
'li
10 . 5 - Compensação em frequências altas dos amplificadores R, C transis

torizados:
A banda passante dos amplificadores transistorizados pode ser aumen

tada, como no caso de amplificadores a válvulas, mediante a introdução
de compensações adequadas, quer em freqüências baixas, quer em freqüên
cias altas. Limitaremos aqui nossa discussão ao exame de alguns tipos de
compensação em freqüências altas; maiores detalhes encontram-se nas obras
citadas no fim do capítulo.
O primeiro recurso para aumentar a freqüência de corte superior de
um amplificador RC transistorizado é, naturalmente, a redução da sua resis
tência de carga, como vimos na seção anterior. Com isto, no entanto, não
aumentamos o produto ganho x banda-passante. De fato, êste produto será
( 10 . 35 ) ,
[ C ( gm RL + 1 ) + e ] Rs + r.
µ 'li
à vista de ( 10 . 3 ) , com Rb -. oo e de 00 . 26 ) .
Esta expressão mostra ainda que a banda passante aumenta quando
diminui a resistência do gerador que ataca o circuito; neste caso a resis
tência transversal de base ( em freqüências altas ), r,, é um fator importante
na limitação da banda passante.
Os métodos mais simples de compensação em freqüências altas são os
indicados nos esquemas simplificados da fig. 10 . 9.
Rf Lf
(a ) (b)
(C)
FIG . 10 . 9 - a ) Compensação shunt, b ) Compensação por realimentação, e ) Compensação série.
Na compensação shunt ( fig. 10 . 9, a) a indutância L. ressoa com .a capa

citância de entrada efetiva do transistor seguinte, nas vizinhanças da fre
qüência de corte superior.
No esquema da fig. 10 . 9, b ) há uma realimentação negativa, definida
por Rr na região de freqüência baixas e médias; a indutância Lr reduz essa
realimentação em freqüências altas, ocasionando o aumento de banda pas
sante.
Finalmente, a compensação série será objeto de um estudo detalhado a
seguir, ilustrando assim o cálculo dos circuitos de compensação.
O circuito completo de um amplificador com compensação série está
indicado na fig. 10 . 10. ---.0---0
..-
- Ec c
FIG . 10 . 10 - Esquema de amplificador R, C com compensação série.
Neste circuito, Rd e Cd podem ser dimensionados para fazer uma com

pensação em freqüências baixas; em freqüências altas, a resistência de
carga é RL = R//R,. Para o estudo da compensação em freqüências altas
êste circuito será simplificado como indicado na fig. 10 . 1 1, a.
"> e:
e,. e
�s "'11
vb 'e
.C
rr
E
'lrn vb'e
+-
(a )
v1 u.
e+. = Cµ (l+ <jm RL ) + Crr
Ls B "· B' e
r c RL
ll t )/"m Vb'e
(b)
E
FIG . 10 . 11 - Consideração do efeito Miller.

l!:ste circuito pode ser simplificado, para o cálculo da impedância de

entrada e do ganho, da seguinte maneira : a corrente de base, no circuito da
fig. 10 . 1 1, a, é dada por
rb = < u" + s e" > vb .• + s e cvb .• - V2 >

µ
ou, considerando que V2 = - Ym RL vb'••
( 10 . 36 ) I& = { g" + s [C u + r;., Rd + e" H V&·.

µ
Esta expressão mostra que tudo se passa como se tivéssemos, entre os

pontos B' e E, uma capacitância
( 10 . 37 )
igual à soma d e C" com a capacitância C (1 + gm RL ), causada pela reali-

µ
mentação de C . l!:ste aumento aparente da capacitância é designado por

µ
efeito Miller.
Se desprezarmos ainda a corrente através de C em face de gm Vb·., obte-
µ
mos o modêlo da fig. 10 . 1 1 , b. Note-se que êste modêlo será adequado para
determinações da impedância de entrada ou dos ganhos do amplificador; não
servirá, no entanto, para determinação da sua impedância de saída. Vamos
usar êste modêlo para o estudo da compensação série; da aplicação da 2 .ª lei
de Kirchhoff à malha de entrada segue-se
r /(1 + se, r >
" "
( 10 . 38 ) =
E, Rs + r. + s Ls + r /(1 + sC, r )
" "
( 10 . 39 ) W& 1/ ( r C, )
"
e rearranjando ( 10 . 38 ) obtemos
V& ·. 1/(Ls C, )
Es W&
s ' + s [w& + ( Rs + r.)/Ls] + -- ( Rs + r. + r )
Ls "
Considerando ainda que é V2 = - Um RL V&·., o ganho de tensão resulta
V2
( 10 . 40 ) G,( s ) = - = -
1/( Ls C, )
= - g,. RL ------· -----
<R.
<Ub
s2 + s [til\ + + r. >/Ls] + - ( Rs + r. + r )
Ls ,.
- 2 ( Wb rx ) ±
O caráter da resposta dêste circuito depende dos pólos da função acima,
ou seja, de
rx )
1
Rs
( 10 . 41 ) S1,2 =
+ rx + r )
__ + +
.Wb +
Ls
± 1 Wb
v/(
Rs +
2
'
-- - 4 -- ( Rs
Ls L� "
( Wb
+ rx 2 Wb + rx + r )
Para obter uma resposta sem super-tensão ( não oscilatória ) , as duas
raízes acima devem ser reais; a condição limite corresponde ao radical nulo,
)
isto é,
Rs
+ = 4 -- (Rs
� � 1t
r +
Daqui podemos tirar o valor da indutância de compensação, correspon
+ rx + 2 r ) r
dente à resposta não oscilatória :
2 Rs rx
+ rx
1
( 10 . 42 ) Ls = -- (Rs 1t
+ r. r
Devemos optar pelo sinal negativo, que dá Ls O quando fôr = Rs = O
e, portanto, não há necessidade de compensação.
+ + + + r.)'
A expressão acima simplifica-se bastante se fôr Rs « . De fato,
+
1t
nesse caso o radical de ( 10 . 42 ) pode ser aproximado por
rx 1 rx 1
V' ""' 1
Rs Rs ( Rs
r 2 r 8 r •
1t 1t 1t
+ r.)'
Substituindo em ( 1 0 . 42 ) resulta, após algumas simplificações,
1
( 10 . 43 ) Ls ""' -- ( Rs · C,
4
Vejamos agora qual a banda passante que se obtém com essa compen
( Wb + + r.
sação. Como L, foi dimensionado de modo a anular o radical dos pólos, a
função ganho ( 10 . 40 ) fica com um pólo duplo
) - Wc
Rs
2
S1 = - 1 =
Ls
O ganho fica então
Qm Rt 1
( 10 . 44 ) Gv( S )
Ls C, ( s + w,)'
Passando ao regime senoidal,
Qm Rt i
(1
G. ( jw ) = -
Ls C, w/ + jw/w, )'
( ) [
o ganho cai 3 db na freqüência de corte wu, tal que
: � ;�
1 + W2uc / w', = v2
J
Desta equação obtemos e · ência de corte superior
R 1
WHC - 0' 32 Wb + --- = 0,32 Wb + 4
( Rs + r, ) e,
=
Ls .
à vista de ( 10 . 43 ) .
[ ]
Pondo w b e m evidência e simplificando,
r
"
( 10 . 45 ) Wuc ""' 0,32 Wb • ) + 4
Rs + r.
vamos comparar esta freqüênc1a de corte com aquela obtida no cir
cuito nao compensado, mantenao a hipotese Rs + r. « r . u ganno ao
"
circuito não compensado obtém-se fazendo Ls = O em ( 10 . 4\J )
1
( 10 . 46 ) G... =
e, s ( Rs + r. ) + Wb ( Rs + r. + r )
"
Passando ao regime senoidal e impondo uma queda de 3 dB no ganho,
obtemos a freqüência de corte superior do circuito não compensado :
Rs + r. + r r
" "
( 10 . 47 ) Wu = Wb = Wb
Rs + r, Rs + r,
Dividindo ( 10 . 45 ) por ( 10 . 47 ) ,
Wuc 0,32 ( Rs + r. > + 1,28 r
"
( 10 . 48 )
WH r
"
Esta expressão mostra que a compensação traz um aumento da ordem

de 30% na banda passante, sempre na hipótese de Rs + r. « r e sem
"
supertensão. Naturalmente, se uma certa supertensão fôr tolerável, pode-se
obter um maior aumento na banda passante.
Pode-se verificar que, dentro das mesmas aproximações acima, o tempo
de subida também se reduz .cêrca de 30% em relação ao amplificador não
compensado.
10 . 6 - Associação em cascata de amplificadores R,C transistorizados:

Nem sempre é possível obter-se um ganho pré-determinado usando um
só estágio de amplificação transistorizado; será necessário então associar
em cascata vários estágios de amplificação para alcançar o ganho desejado.
O problema da associação em cascata dos amplificadores transistorizados
é mais complexo que no caso dos amplificadores a válvulas, pois só muito
raramente haverá isolação elevada entre a entrada e a saída de cada estágio
de amplificação.
Para realizar uma associação em cascata de vários estágios de amplifi·
cação só se usa, pràticamente, a configuração de emissor comum, pois só
ela dá ao mesmo tempo ganho de tensão e de corrente e possui impedân

cias de entrada e saída adequadas. As outras configurações básicas poderão
ser usadas para resolver problemas específicos ( por exemplo, combinação
de impedâncias ou otimização de fator de ruído ) nos extremos da cadeia
de amplificação.
FIG . 10 . 12 - Amplificador R, e com dois estágios.
Como as impedâncias de entrada e de saída do circuito do emissor

comum são finitas, ao se fazer a associação em cascata deve-se considerar
o problema de combinação de impedância em ambos os extremos do estágio
amplificador. Para a obtenção do máximo ganho de potência, é claro que
as impedâncias de saída de um estágio e a de entrada do estágio seguinte,
devem ser combinadas. Tendo em vista a ordem de grandeza dessas impe
dâncias no circuito de emissor comum, essa combinação exige o emprêgo
de um transformador. Nos amplificadores de banda relativamente estreita,
como no caso dos amplificadores de áudio-freqüência êstes transformado
res se realizam sem dificuldade. Nos amplificadores de vídeo-freqüência, ao
contrário, os transformadores são de realização mais difícil, não se justi
ficando econômicamente o seu emprêgo. Abandona-se então a combinação
de impedâncias, utilizando o acoplamento R, C, mais econômico, e compen
sando a redução do ganho de potência com o aumento do número de estágios
da associação.
Para ilustrar o problema da análise e as aproximações utilizáveis, vamos
examinar aqui apenas uma associação de dois estágios, terminada por uma
carga resistiva.
FIG . 10 . 13 - Modêlo em frequências altas do amplificador

de 2 estágios.
Para construir o modêlo em freqüências médias e altas dêste circuito,

vamos substituir os transistores ( supostos iguais ) pelos respectivos modê
los 'lt -híbrido; supondo ainda desprezíveis as reatâncias dos capacitares
e fazendo R,//Rb = Rb1 , Ro//Ra = R1b, obtemos o circuito da figura 10 . 13.
·2s4 ELETRôN1cA - L. Q. ORsrn1
A análise completa dêsse circuito exige a resolução de um sistema de 4

equações nodais ( transformando previamente o gerador de sinal e as resis
tências associadas num gerador de corrente ); tal processo é demasiado longo
e, além do mais, dificilmente permitirá a obtenção de conclusões gerais. Po
demos tão sbmente verificar daí que a função ganho de tensão Gv = V,/ E ,
terá quatro polos ( reais ) devidos aos capacitores e e C , bem como um
" µ
zero duplo no infinito,
.
por causa dos dois capacitores C" _ A determinação
dos valores dêstes pólos poderá ser feita, uma vez determinada G. ( s ) , por
processos aproximados ( ver SEEC, vol. 5, "Multistage Transístor Circuits",
cap. 1 ).
Contentar-nos-emos aqui com uma análise mais simples, de primeira
aproximação.
Assim, para calcular o ganho em freqüências médias, vamos admitir
desprezível a influência das capacitâncias C , o que é razoável se o ganho
µ
de cada estágio fôr relativamente pequeno ( inferior a cêrca de 100 ) . Des-
prezando ainda as capacitâncias e , cuja reatância é muito maior que r
" "
nestas freqüências, bem como Rbi. chegamos ao modêlo em freqüências mé-
dias indicado na fig. 10 . 14, em que os estágios de amplificação ficaram iso
lados. O ganho da associação calcula-se sem dificuldade, obtendo-se
- Ym r Ru - gm r Ru
v. v, v. " "
( 10 . 49 ) Gvo =
Es Es v, Rs + r. + r r. + r
" "
onde
R, ( r. + r )
{
" Rei Rb2
Ru , R,
R, + r. + r Rei + Rb2
00 . 50 ) "
RC2 · R.
Ru
Rc2 + R ,
Rs "'• ...
r
<}'...,Y, V3
1'11 ,R1 �mv3 RC2 Ro
Vi
� '--y--'
Ru R L2
FIG . 10 . 14 - Modêlo simplificado em frequências médias.
Vamos agora estimar a freqüência de corte superior dêste amplificador.

Partindo do circuito da fig. 10 . 13, a simplificação mais conveniente consiste
em eliminar os capacitores C , substituindo-os pela capacitância de efeito
µ
AMPLIFICADORES COM ACOPLAMENTO R, C ThANSISTORIZADOS 285
Miller ( eq. 1 0 . 37 ) . Para o último estágio, em que a carga é resistiva,

obtém-se imediatamente
( 10 . 51 ) C,2 = C + C ( 1 + Um Ru )
" µ
Para o 1 .0 estágio, a situação é mais complicada, pois sua carga é capa

citiva, incluindo C,2, de modo que a resistência de carga deve ser substi
tuída por uma impedância. No entanto, para obter apenas a estimativa da
freqüência de corte costuma-se ignorar essa capacitância, calculando a capa
citância de efeito Miller por
( 10 . 52 ) Cu = C + C ( 1 + Um Ru )
" µ
Obtemos assim o circuito equivalente da fig. 10 . 15, em que os vanos

estágios estão isolados. Mesmo assim, a determinação da freqüência de
corte apresenta dificuldades, sendo necessário recorrer a novas aproximações.
�s
FIG . 10 . 15 - Modêlo simplificado em frequências altas.
Não entraremos aqui nos detalhes destas aproximações ( ver SEEC, vol.
5, págs. 22 ss. ) ; demonstra-se que a freqüência de corte superior pode ser
estimada por
1
( 10 . 53 ) ( rad/seg )
onde os e,, são as capacitâncias de efeito Miller e os R,, são as resistências

vistas por estas capacitâncias no circuito da fig. 10 . 15, com os geradores
inativados.
Note-se que a fórmula 00 . 53 ) já é aproximada; dada ainda a incerteza
nos valores de rx e r , que poderão variar em transistores do mesmo tipo,
"
conclui-se que ( 10 . 53 ) não fornece senão uma estimativa grosseira da fre-
qüência de corte superior do amplificador.
Um resultado mais preciso obtém-se calculando a função ganho no mo
dêlo da fig. 10 . 13, determinando seus polos e daí calculando a freqüência
de corte. �ste processo só é cômodo se se dispuzer de um computador
digital.
1 - M. V. JOYCE e K. K. CLARK.E, "Transistor Circuit Analysis" Addison

Wesley, Reading, Mass., 1 96 1 .
2 - C . L. SEARLE e outros, "Elementary Circuit Properties o f Transistors"
SEEC, vol. 3. Wiley, New York, 1964.
3 - R. D. THORTON e outros. "Multistage Transistor Circuits", SEEC, vol. 5,

Wiley, New York, 1 965.
4 - J. M . PETTIT e M . M . MCWHORTER, "Electronics Amplifier Circuits"
McGraw, New York, 1 965.
Problema 10 . 1 - O transistor do amplificador R,C da fig. P I O . 1 tem os seguintes

parâmetros híbridos, no ponto de operação normal e a 25°C :
350 ohms 0,9 X 1 0-•
35 µA/V 40
.------<>--<> + 25 V
FIG . P . 10 . l
Determinar :
a) os ganho de corrente e tensão, em decibéis, na região de frequências mé
dias;
b) as frequências de corte inferior;
c) construir a aproximação assintótica da curva de resposta na região de fre

quências baixas.
Problema 1 0 . 2 Determinar as frequências de corte inferior de um amplificador

-
R,C, correspondentes ao ganho de corrente. Comparar os resultados com aquêles re

ferentes ao ganho de tensão.
...._,,... Gerador
RF
FIG . P . 10 . 2
Problema 1 0 . 3 - A medida do parâmetro rbb' ou r, é feita com o circuito simplifi

cado da fig. P 1 0 . 2, com as seguintes operações :
a) com a chave na posição 1, ajusta-se a leitura do voltômetro de rádio-fre
quência VRFnum certo valor;
b) passando a chave à posição 2, leva-se a leitura do voltômetro ao mesmo

valor, variando a resistência R.
Demonstre que, nessas condições, vale rb/ = R. Complete também o circuito
com os elementos necessários à polarização do transistor.
�5,2kfl
f k.íl.
21rn
FIG . P . 10 . 3
Problema 1 0 . 4 O amplificador R,C d a fig. P l 0 . 3 utiliza u m transistor OC45,

-
cujos parâmetros do modêlo 1t-híbrido são :

C = 10,5 pF C 1 000 pF
µ 1t
r 1 320 ohms r > 2 Mohms
1t µ
39 mA/V r, = 75 ohms r. = 6 7 Kohms.
200 .Jl
FIG . P . 10 . 4
Conhecidas ainda as curvas características do transistor (ver Apêndice. 2 ) , de-

terminar :
a) os valôres quiescentes /,, - V" e h;
b) o fator d e estabilização S;
d ) o ganho d e tensão em frequências médias, supondo o circuito atacado por
um gerador de tensão de resistência interna igual a 2 Kohms;
e) a s frequências d e corte superior e. inferior, referentes ao ganho d e corrente;
f) a indutância de compensação na entrada, supondo o circuito atacado pelo
mesmo gerador de tensão do ítem ( d ) e correspondente à resposta não oscilatória.
Problema 1 0 . 5 - O amplificador R, C a dois estágios da figura P . 1 0 . 4 utiliza um

transistor planar de Si com os seguintes parâmetros '7t-híbridos :
r, 20 ohms e 1 3 5 pF
µ
r 570 ohms e 1 , 5 pF
'7t '7t
gm = 200 mA/V
Supondo o . amplificador alimentado por um gerador de 50 ohms determine :

a) o ganho de referência do amplificador;
b) a freqüência de córte inferior;
c) a freqüência d e córte superior.
CAPÍTULO 1 1
OS AMP LIFICADORE S SINTONIZADOS
1 1 . 1 - Introdução:
Examinaremos neste capítulo os tipos mais comuns de amplificadores
de rádio-freqüência. t!.:stes amplificadores têm ganho numa faixa de fre
qüências que se estende de ambos os lados de uma freqüência central,
chamada /reqüência de sintonia do amplificador.
t!.:stes amplificadores constituem-se de um elemento ativo - válvula
ou transístor - com uma impedância de carga ràpidamente variável com
a freqüência. Examinaremos aqui os casos em que esta impedância é cons·
tituida por um circuito ressonante paralelo ou por um transformador resso
nante. Em seguida trataremos também de alguns problemas que decorrem
da associação em cascata dêstes amplificadores.
No caso de válvulas, os amplificadores sintonizados são realizados mais
comumente com pentodos; a entrada e saída do circuito podem ser consi
deradas isolados, com boa aproximação. Isto decorre do pequeno valor
da capacitância grade-placa nos pentodos.
Em circuitos com transístores esta aproximação nem sempre é válida.
Daí a necessidade de examinarmos o problema da estabilização do circuito.
As propriedades dos amplificadores sintonizados serão aqui estabele
cidas, sempre que possível, a partir do exame dos polos e zeros da respec
tiva função ganho. t!.:ste tratamento, além de simples, presta-se a impor
tantes generalizações.
1 1 . 2 - Amplificadores sintonizados com pentodos:

O amplificador sintonizado a pentodo é constituído por um pentodo
operando na região linear das características, tendo um circuito ressonante
paralelo como carga de placa, indicado na fig. 1 1 . 1, a. Tratando-se de opera·
ção linear, nossa análise será feita sôbre o respectivo modêlo incremental
( fig. 1 1 . 1, b ). Neste modêlo, CT é a capacitância total entre a placa da válvula
e a terra. Como C0 oferece uma reatância desprezível nas freqüências de
operação do circuito, CT incluí não só o capacitor do circuito ressonante
como, ainda, as capacitâncias placa - catodo da válvula, as capacitâncias
de fiação e a capacitância de entrada do estágio seguinte. Desprezamos
também a resistência de placa do pentodo.
la)
G L
fb)
FIG. 11 . 1 - Amplificador sintonizado com pentodo e seu
modêlo em rád.io·freqüência.
A expressão geral do ganho de tensão, aplicada ao modêlo da fig. 1 1 . 1, b

fornece
s
( 11 . 1 ) G,( S ) = Ym Zm = -
-
CT S2 + s G/CT + 1/( LCT )

Esta função ganho tem um zero em s = O e dois polos em
r S1
i
= - G/( 2CT ) + j V 1 / ( LCT ) ( G/2CT ) 2 - a + j Wd
01 .2)
l Sz - G/( 2CT ) - j V 1/(LCT ) ( G/2CT ) 2 = - a - j Wd
com
( 11 . 3) a = G/( 2Cr ) • wi = Wo2 - a' . °'o2 = 1/( LCr )
Na fig. 1 1 . 2 apresentamos o correspondente dia·

grama de polos e zeros. Em têrmos de polos e
zeros, o ganho de tensão se exprime por
s
( 11 . 4) G,( s )
Para passar ao regime senoidal, obtendo

assim a resposta em freqüência do circuito, basta
trocarmos s por jw :
S2 jw
FIG. 11 . 2 - Diagrama de ( 11 . 5) G,( jw ) =
pólos e zeros do amplifi·
cador sintonizado. ( jw
ÜS AMPLIFICADORES SINTONIZADOS 291
Habitualmente os am
plificadores sintonizados jw
são construidos com cir
cuitos ressonantes de Q
/
elevado, ou de amorteci /
/
mento a. pequeno, isto é,
�Y�- ---- J·w.
/ .
a. « w .
º Vamos examinar 51 2oc
:
o
1
com mais detalhes o com
', '....G::-
.. .. -s;.
portamento dêstes circui 1 ,
1 '
' jw
tos nas vizinhanças da fre 1 ,
1 '
�
qüência Wo- Como jw - s2
é aproximadamente igual 1
a 2jw ( ver figura 1 1 . 3, a), (b} T

FIG. 11 . 3 Diagrama de pólos e zeros para
o ganho fica -
circuito com Q elevado.
g.. 1
(11.6) G. ( jw ) - - ---
2CT jw s,
gm 1
(11.7) [ G. [
Verifica-se imediatamente que o ganho é máximo para a freqüência

W = Wo :
gm
( 11 . 8)
onde
G,
G
- gm Qo
V �T
Wo CT 1
( 11 . 9 ) Q = =
G G Wo L
é o índice de mérito do circuito ressonante.
Na fig. 1 1 . 4 indicamos a curva de ganho em função da freqüência

normalizada. G
A banda passante, defini
da pelo intervalo de freqüên
cias em que o ganho de ten
são é maior que 1 / .../ 2 = 0,707 � 0, 70 7Gr --------
do valor máximo, obtém-se �

1 1
imediatamente do diagrama 1 1
1 1
da figura 1 1 . 3,b; êste inter 1 1
1 1
valo corresponde à região em
0 -4 - 3 - 2 -/ Q · +/ +2 +3 +4 UJ - Ulo
que o módulo do fasor jw -s, ac
não supera v21 jwo - s, 1: FIG. 11 . 4 - Banda passante do amplificador

sintonizado.
( 1 1 . 10 ) B = 2a. G/CT ( rd/seg )

Entrando com o valor de Qº dado por 0 1 . 9 ) vem ainda
( 11 . 11 ) B = Wo/Qo ( rd/seg )
o produto ganho-banda passante obtem-se multiplicando as equações

( 1 1 . 8 ) e ( 1 1 . 1 1 ) ; obtém-se o mesmo resultado que nos amplificadores vídeo :
( 1 1 . 12 )
Como CT compõe-se essencialmente das capacitâncias de entrada e saída

da válvula, êste produto é um índice de mérito para a escolha da válvula
a empregar.
11 . 3 - Amplificadores com dupla sintonia:
Os amplificadores de dupla sintonia são constituídos normalmente com

um pentodo tendo como carga de placa um transformador �om o primário
e secundário sinto
nizados por meio de
capacitâncias ( fig.
11 . 5 ) . O transforma·
dor serve, assim, de
órgão de acoplamen
to entre a placa da e,
válvula e a entrada
do estágio seguinte. + Eoo
l!:stes amplificadores
FIG. 11 . 5 Esqueiii.ãd;;"' amplificador com dupla sintonia.
são extremamente
-
usados por suas qualidades : ganho elevado, quando as bandas passante são
estreitas, e excelente seletividade.
Para fazer a análise dos amplificadores de dupla sin�onia, vamos utilizar
o modêlo incremental da fig. 1 1 . 6, a, que, mediante uma transformação de
fontes, se reduz ao modêlo da fig. 1 1 . 6, b. Em ambos os modelos supu
zemos desprezível a condutância interna do pentodo. As capacitâncias
e, e C2 incluem, respectivamente a capacitância de saída do pentodo e a
capacitância de entrada da válvula seguinte, bem como as capacit âncias de
fiação. As condutâncias G, e G2 incluem as perdas nos circuitos ressonantes.
{
Aplicando as leis de Kirchhoff ao circuito da figura, obtemos as
equações:
( Z, + s L, ) l, - s M 12 = - Ym Z1 E,
( 1 1 . 13 ) - sM l, + (Z, + sL, ). l, = O
E, = Z, 12
Entre os parâmetros do transformador existe ainda a relação

( 11 . 14 ) M' = k' L, Lz
onde k é o fator de acoplamento do transformador.

Das equações ( 1 1 . 13 ) calcula-se o ganho de tensão do circuito :
( 1 1 . 15 ) G.( s ) = E,/E, = -
(Z, + sL, ) ( Z, + sL, ) - ( sM )'
i!. = - '
, G1+ s c,
.--A--.,
M
o ,...,.___ o
Lz Cz
E,
i!.,
Lz
.,.
foJ
FIG. 11 . 6 - Modêlo em freqüências a l tas do amplificador
com dupla sintonia.
Substituindo Z, e z, por seus valores, levando em conta a relação ( 1 1 . 14 )

e após algumas simplificações, a expressão do ganho fica
{ 1 1 . 16 ) G.( s ) =
( s 2 + sGJC, + 1/L, C, ) ( s' + sG,fC, + 1 /L, C, )
- ( s k )' ( s + GJC, ) · ( s + G,/C, )
Desta expressão depreende-se que a função ganho tem 4 polos e um

zero na origem. A análise completa desta função é assás longa, pelo que
não será feita aqui ( ver a respeito "Vacuum Tube Amplifiers'', Valley e
Wallman, Cap. 5, MacGraw, 1 948 ) . Para examinar as propriedades mais
marcantes do circuitos limitar-nos-emos à análise de um caso particular,
·em que os dois circuitos ressonantes estão sintonizados na mesma fre
qüência, isto é,
{ 1 1 . 17 ) 1/L, C,
e, além disso, ambos os circuitos ressonantes têm o mesmo índice de méri·

to, na freqüência de ressonância:
( 1 1 . 18 )
Introduzindo estas condições na expressão geral do ganho obtemos,

após algumas simplificações,
- gm sM/ ( L1 L1 C1 C2 )
( 1 1 . 19 ) G.( s ) =
( s2 + sw./9. + w02 ) 2 - ( sk ) 2 ( s + w./9,) 2
O denominador desta expressão, sendo uma diferença de quadrado&,
pode ser fatorado imediatamente, chegando-se a
- gm sM wo'
( 1 1 . 20 ) G.( s )
( 1 - k ) 2 [s 2 + sw./9. + w.2/ ( 1 + k ) ]
[s2 + sw./9. + w.2/ ( 1 - k ) ]
r
Os p6los desta função são :
@ilil , _
- --
w. 1 1
S1, 2 ± jw.
V
1·· ·
29. 1 + k 49.2
( 1 1 . 21 )
- --
1
JI
w. 1
= ± jw.
29. 1 k 4 9.'
No caso de 9 elevado ( nos amplificadores de freqüência intermediária

dos rádio-receptores 9 pode ser superior a 100 ) , estas expressões podem
ser simplificadas :
--Wo
± j -----
Wo
29. v�
( 1 1 . 22 )
--Wo
29.
± j ----- Wo
v1 - k
Como na maioria das vêzes o fator de acoplamento é muito menor que
a unidade,
·
( 1 - k ) - 1 12 = 1 + k/2 ' ( 1 + k ) - 1 12 = 1 - k/2
e os p6los podem ser aproximados por
( - +)
w.
S1. 2 = - -- ± jw. 1
29.
7)
( 11 . 23 )
S3 " = -- Wo
29.
± jw. (
\
1 +
Na fig. 1 1 . 7 representamos êstes pólos no plano complexo. Note-se

que a presença do acoplamento faz com que a freqüência própria dos cir-
cuitos ressonantes se desdobre em duas
freqüências distintas. Esta é uma pro-
priedade geral do acoplamento entre S1 f"" - -
circuitos ressonantes. I _ _ _
Passemos agora ao exame da res

1
s" :lt-- - -
posta dêste amplificador em regime se 1
1
noidal. O diagrama de pólos e zeros é 1
especialmente útil para êste exame, pois 1
1
l
permite intuir fàcilmente a curva de
resposta. De fato, levantando sôbre
-Wo o
cada ponto do plano complexo uma cota 2 Qo II
proporcional ao módulo da função 1
( 1 1 . 20 ) nesse ponto obtemos uma su 1
1
perfície ondulada que descreve o anda 1
S4 ;k
mento da função. Em particular, às 1
posições dos pólos corresponderão picos 1
de altura infinita e na posição dos zeros Sz :Jc
ocorrem vales de cota zero. A interse- FIG. 11 . 7 Diagrama de pólos e zeros
-
do amplificador com dupla sintonia.

ção de um plano vertical que contenha
o eixo imaginário com essa superfície dá justamente a resposta em regime
senoidal, pois corresponde ao andamento do módulo de G, ( jw ) .
N a fig. 1 1 . 8 representamos a superfície acima referida; verifica-se que
a curva de resposta do amplificador de dupla sintonia tem dois picos, se os
pólos forem suficientemente afastados. À medida que os pólos se aproximam
êstes dois picos tendem a coalescer num só, correspondente à condição de
acoplamento crítico.
JW
I<'IG. ll . 8 Superflcle dOll módulot1 da funçã o puho do

amplittcado r com dupla 1inton1a.
Passemos agora ao exame quantitativo do problema. Para obter a

resposta em regime senoidal basta fazermos s = jw na equação 0 1 . 20 ) .
Fatorando, a o mesmo tempo, o polinômio d o denominador obtemos
( 1 1 . 24 ) G. ( jw ) = (1
------ ----- ------
- k' )
- j gm wM Wo'
( jw - s, ) ( jw - s, ) ( jw - s, ) (jw - s, )
Vamos examinar o comportamento nas vizinhanças d e wo, d e modo que
podemos introduzir as simplificações
Ow - s, _ 2jw
� .
l Jw - s, _ 2jw
Introduzindo estas simplificações em ( 1 1 . 24 ) e normalizando a fre
qüência em relação a wo, obtemos a seguinte aproximação da função ganho :
j gm M Wo
( 1 1 . 25 ) G. ( jw/wo ) =
( 1 - k' ) . 4 ( w/wo ) ( jw/wo - s,/wo ) (jw/wo - s / w ) , o
Substituindo s, e s, pelos valores ( 1 1 . 23 ) e introduzindo o desvio de
freqüência
( 1 1 . 26 ) ô = w/wo - 1
+ _!:__ )]
o ganho fica
j gm Wo M
( jw/wo)
(.
( 1 1 . 27 ) G.
[-1-
= ------
[-.-/- )] �
4 (1 - k' ) + j ô X
2 90 2
X
2 Qº
+ j ( Ô - !_
2 Wo
Como última aproximação, na vizinhança de w0 podemos tomar w/w0 =
desprezando êste fator no denominador da função ganho. Tomando agora
1,
o módulo do ganho resulta
(1 vi[ � + ( + r i
( 1 1 . 28 )
4 k' ) ô + X
V[ ; + (s +rJ
_
x 4 º,
Vamos achar os máximos e minimos desta função; basta para isso,
[-.-1- ]
derivar em relação a ô o que está dentro do radical e igualar o resultado
a zero :
[-1- ]
(ô + k /2 ) ( o - lc/2 )'
+
( 1 1 . 29 ) + +
490'
<ô - k/2 >

490'
+ <o + k/2 >' = o
Esta equação é satisfeita :
a ) para õ = O, em que podemos ter um máximo ou um mínimo da

função;
b) para õ = ± 1/2 v-k' - 1/Q.' .
Como õ deve ser real, esta última

condição corresponde à existência de
dois picos na curva de resposta, desde
que
( 1 1 . 30 ) k > 1 /Q.
Se esta desigualdade fôr verifica

da, diz-se que o acoplamento é maior
que o crítico, ou que o circuito está
super-acoplado; õ O corresponde
=
o
então a um mínimo da curva de res
FIG . 11 . 9 - Banda passante do amplifica·
posta ( fig. 1 1 . 9 ) . dor com dupla sintonia.
O caso em que o coeficiente de acoplamento é igual a 1 /Q. corresponde

ao chamado acoplamento crítico; temos então
( 1 1 . 31 )
e a curva de resposta tem apenas um máximo em õ O, ou sej a, na fre

qüência de ressonância dos circuitos L, e. Se o coeficiente de acoplamento
=
fôr menor que o valor crítico, a curva de resposta continua com um só má
ximo, mas o ganho é menor que no caso anterior.
O ganho na freqüência central ( o = 0 ) , para qualquer valor de k, obtém-se
diretamente da equação ( 1 1 . 28 ) :
gm k vL: L,
I Gv l
w.
( 1 1 . 32 ) =
õ = o ( 1 - k' ) [ 1 /Qo' + k'] k' + 1 /Qo'
O valor máximo do ganho obtém-se justamente para k = k, :
v L, L, Q.
1 Gv 1
gm w.
( 1 1 . 33 ) m., 2'
2
No caso de acoplamento maior que o crítico, o ganho máximo ocorre

nos dois picos decalados em relação à freqüência central e seu valor é
calculado fazendo õ = 1/2 v k' - 1 / Q.2 em ( 1 1 . 28 ) :
v L, L, Q. gm Wo v-i, L, Q.
1 Gv 1
gm w.
( 1 1 . 34 ) -
2( 1 - k' ) 2
Note-se que êste ganho é igual àquele em õ = o, para acoplamento
crítico.
298 ELETRÔNICA - L. Q. 0RSINI
A banda passante do amplificador de dupla sintonia obtém-se deter

minando as freqüências em que o ganho se reduz a 1 / -../2 do seu valor
máximo. No caso do acoplamento crítico obtém-se, sem dificuldade,
( 1 1 . 35 ) Bc = v 2 Wo/Qo rd/seg
Para outros valores do acoplamento, as duas freqüências que limitam
a banda passante determinam-se impondo que o valor do ganho, calculado
V -
por ( 1 1 . 28 ) , sej a igual a 1 / -../2 do valor ( 1 1 . 34 ) . Após algum desenvolvi
mento de cálculo obtém-se
1
< 1 1 . 36 ) s' = ± -- < k' Q.' n + v2 v 1 + 1c< Q.4
2Q.
Os acoplamentos maiores que o valor crítico são utilizados quando se
-
desej a aumentar a banda passante do circuito, e a pequena redução de
ganho na freqüência central é tolerável.
11 . 4 Associação em cascata de amplificadores sintonizados na mesma

frequência:
Vamos examinar em seguida as propriedades da associação em cascata

de vários estágios de amplificação, todos sintonizados na mesma freqüên
cia. Êste tipo de associação é utilizado sobretudo quando se desej am bandas
passantes estreitas. Se, ao contrário, há necessidade de obter bandas pas
santes largas, pode ser feita a associação de estágios sintonizados em fre
qüências um pouco afastadas, como veremos mais tarde.
Os estágios individuais da associação podem ser do tipo de sintonia
simples ou de dupla sintonia. Comecemos pela associação dos primeiros.
a) Amplificadores de sintonia simples :

A associação de estágios de amplificação de sintonia simples se faz
acoplando os vários estágios através de um capacitor de reatância despre·
zível nas freqüências a serem amplificadas, . ou sej a, na banda passante do
amplificador.
Na hipótese de perfeita isolação entre estágios, que se verifica com
boa aproximação para os pentodos, o ganho da associação será igual ao
produto dos ganhos de cada estágio. A função que descreve o ganho da
associação terá pois os mesmos pólos e zeros dos estágios individuais ( ver
fig. 1 1 . 2 ), mas com multiplicidade igual ao número n de estágios associados :
S"
( 1 1 . 37 )
( s -- s, )" ( s - s, )"
( --)
Passando ao regime senoidal, nas vizinhanças da freqüência de resso
nância e com as aproximações já introduzidas para obtenção da expres
são ( 1 1 . 6 ),
Ym 0 1
( 1 1 . 38 ) G. ( jw ) = -
2Cr
Iº [ (
Tomando o módulo desta expressão e com as notações empregadas
) I'
em ( 1 1 . 7 ) e ( 1 1 . 8 ), segue-se
T
1
( 1 1 . 39 ) 1 G. 1 = 1 G, ----
w a w0 2
1 +
A banda passante da associação obtém-se determinando as freqüências

em que 1 G. 1 = U/ y 2 ) 1 G, J •, ou seja, as freqüências que satisfazem a
Em conseqüência, a banda passante resulta
( 1 1 . 40 ) E. = 2 a v 2'1" - 1 = E , v 2'!• - 1
onde E, é a banda passante de um só estágio. Verifica-se que a banda
passante da associação se reduz à medida que aumenta o número de
estágios.
O ganho na freqüência de ressonância é, evidentemente, igual ao ganho
de referência de cada estágio elevado à n-ésima potência.
b) Amplificadores c.om dupla sintonia:
Consideremos a associação de n estágios idênticos com dupla sintonia,

com índice de mérito Q. e freqüência de ressonância w., além de acopla
mento crítico entre as bobinas.
O ganho da associação é, novamente, dado pelo produto das funções
ganho de cada estágio, dadas por 0 1 . 28 ) . Introduzindo ao mesmo tempo
a condição de acoplamento crítico, obtemos
( 1 1 . 41 ) [ Gn J =
4n ( Q. 1 /Q. )" ( 1 /4Q.' + 0' )0/2
(_g_m_w_._v_L_,_L_, )
-
Como habitualmente é Q. » 1, a equação acima simplifica-se para
º 1
( 1 1 . 42 ) J Gn [ = -
4 Q. U /4Q.' + 0 ' >012
( )º
O ganho máximo ocorre em o = O, isto é, na freqüência de ressonância
e resulta igual a
1 G. 1
gm -
( 1 1 . 43 ) mu = - - Wo V L, L, Q.
2
Verifica-se facilmente que êste ganho corresponde ao ganho máximo
de um só estágio, elevado à potência n.
A banda passante da associação determina-se a partir das freqüências
f211•
em que o ganho cai a 1 / v2 do valor anterior. Impondo esta condição em
( 1 1 . 42 ), obtemos
1
B1,2 = ± - 1
Como é B f:,, W /Cilo, a banda passante da associação resulta igual a
( 1 1 . 44 ) Bº = v'1
2 1/D - 1
v2wo
ºº
= B1 V2'1·
4
_ 1
B1 é, novamente, a banda passante de um só estágio. Verifica-se que

a banda passante da associação reduz-se com o número de estágios, mas
mais vagarosamente que no caso anterior.
11 . 5 - Associação em cascata de estágios com sintonia decalada:
Outra forma de associar estágios de amplificação consiste em decalar

a freqüência de sintonia dos vários estágios,. com a finalidade de obter
banda passante mais larga. A sintonia decalada pode ser aplicada em
associações de amplificadores com sintonia simples ou dupla. Só cuida
remos em seguida do primeiro caso, isto é, da associação em cascata de
estágios amplificadores de sintonia simples.
jw
A decalagem da sintonia se faz normal
mente em dois ou três estágios sucessivos.
kwi- :-�-
Constituem-se assim pares ou triplos que, por
sua vez, podem ser associados em cascata para
obtenção de um ganho pré-determinado.
Vej amos agora o caso de um par, consti
tuído por dois estágios de sintonia simples e
1
:1: .jw, -
1
- - -
acoplados por intermédio de uma capacitânciu

de reatância desprezível na banda passante. Um 1
.dos estágios será sintonizado na freqüência. 1
1
W1 = W0 ( 1 - k / 2 ) 1
1
ao passo que o outro está sintonizado em
1
( 1 + k/2 ) 1
1
Nestas expressões k representa o coeficien 1
te de decalagem e será sempre bem inferior à 1
1
unidade. *
A decalagem da sintonia dos dois estágios, 1
faz com que a função ganho da associação 1
tenha quatro pólos distintos, como indicado na *
fig. 1 1 . 10. Dêste diagrama pode-se intuir a
FIG . 11 . 10 - Diagrama de
forma da curva de resposta : se k fôr suficien
pólos e zeros do amplificador
temente grande, a curva de resposta poderá ter com sintonia decalada.
Os AMPLIFICADORES SINTONIZADOS 301
dois picos; para k muito pequeno, ao contrário, haverá um só pico estreito.

Haverá então um valor intermediário de k que fornece a curva de resposta
com o patamar otimizado ( "maximal flatness" ) .
Utilizando duas vêzes a equação ( 1 1 . 7 ) obtemos o ganho d a associação :
( 1 1 . 45 ) I G2 I
Substituindo w, e w, por seus valores e fazendo
r
�
w - w,
º· = õ + k/2
Wo
( 1 1 . 46 )
w - w,
l º'
= õ - k/2
Wo
a equação ( 1 1 . 45 ) fornece, após algumas simplificações,
( 1 1 . 47 )
Esta equação tem a mesma forma que ( 1 1 . 28 ) . Em conseqüência, as

propriedades do par de sintonia decalada serão semelhantes às do circuito
com dupla sintonia, e o coeficiente de decalagem é análogo ao coeficiente
de acoplamento. Assim, para os valores de k menores que o valor do
coeficiente de decalagem crítico,
( 1 1 . 48 )
teremos u m s ó pico n a curva d e resposta. Para k k. teremos ainda um

=
só pico, mas com ganho máximo. :J!:ste é justamente o caso do patamar

otimizado. Finalmente, para k > k. ocorrem dois picos na curva de resposta.
o ganho na freqüência central, isto é, para õ = O, para qualquer valor
do coeficiente de decalagem, é
( 1 1 . 49 ) IGI
õ = o G' 1 + Q.' k'
Em particular, para o valor crítico do coeficiente de decalagem o ganho
fica igual a Ym'/(2G' ).
O restante do cálculo prossegue como para o circuito de dupla sinto·

nia. O ganho nos máximos, para k > k" é
g..2
( 1 1 . 50 ) I G l max =
2k a2 Q.
As freqüências em que ocorrem os máximos resultam de
1
( 1 1 . 51 ) ± -- ....; 9.2 k' - 1
2Q.
A banda passante, ainda para coeficiente de decala!jtem maior que o
crítico, resulta igual a
w.
{ 1 1 . 52 ) ....; k2 Q.2 - 1 + 2k 9. B, y k' 9.2 - 1 + 2k Q •
Q.
onde B1 é a banda passante de um só estágio.
No caso de acoplamento crítico, a banda passante do amplificador é
w.
( 1 1 . 53 ) B2c =
Q.
No caso de dois estágios de amplificação sem sintonia decalada, a

expressão ( 1 1 . 40 ) mostra que a banda passante é igual a 0,63 B,. Verifi
ca-se assim o grande aumento de banda passante que resulta do emprêgo
da sintonia decalada.
Para maiores detalhes sôbre êstes circuitos, bem como para os dados
de proj eto, o leitor poderá consultar o manual de Landee e outros, citado
na Bibliografia.
11 .6 - Amplificadores sintonizados a transístores:

Examinaremos aqui apenas os amplificadores
sintonizados com banda estreita, isto é, com a e
freqüência de ressonância w. muito maior que a
banda passante B. Em princípio, um amplifica
dor dêste tipo poderá ser realizado, como no caso
das válvulas, utilizando um circuito ressonante
como carga do coletor de um amplificador ( fig.
1 1 . 1 1 ) ; veremos logo mais que esta solução apre FIG . 11 . 11 - Esquema
simplificado de amplifica
senta inconvenientes, que serão removidos pelo dores sintonizados a tran-
emprêgo de um transformador. sistor.
Para o exame dêste circuito vamos utilizar os parâmetros de admi

tância; dada a banda estreita dêstes amplificadores, a variação dos parâ
metros "y " com a freqüência não trará dificuldades. Com êstes parâmetros
( fig. 1 1 . 12 ) teremos, em emissor comum:
( I,
t
( 1 1 . 54 )
I,
-I1
Vi 1 �e
FIG . 11 . 12 - Parâmetros de admitância.
Os parâmetros y,, e y,,. habitualmente são decompostos nas partes con
=
{
dutiva e susceptiva, isto é,
y .. = g,, + j b,, = g,, + j � e,,

Yoo g,,. + J. b,,. = g,,. + JW e,,.
Note-se que ambas as partes real e imaginária das aãmitâncias serão
funções da freqüência e das condições de operação do transístor.
Indicamos na tabela I abaixo valores típicos dêsses parâmetros para
a freqüência de 450 KHz.
TABELA I
=
Trans. de Ge ( - Vc• = 6V; h = lmA ) 1 Trans. de Si ( VcE = lOV, = lmA )
r a,, 0,25 m mhos 0,3 m mhos

Yie {
L e ,, = 70 pF 25 pF
y,, 4 1 270º micromhos 1,5 [ 270º micromhos
Yro 38 � mA/V 35 1-Q:_ mA/V
r g"' 1 micromhos 4 micromhos

Yoo 1
l Coo 4 pF 1,4 pF
No estudo que faremos a seguir admitiremos que tais parâmetros são

pràticamente constantes na banda passante; em 2.ª aproximação, pode-se
desenvolver êstes parâmetros em série de Taylor, nas vizinhanças da fre
qüência de ressonância ( ver, a propósito, SEEC. vol. 3, cap. 8 ) .
Com o s parâmetros de admitância, o modêlo incremental d o amplifi
cador da fig. 1 1 . 1 1 terá a forma indicada na fig. 1 1 . 13.
O ganho de tensão dêste amplificador resulta pois
v,
(jw C )
( 1 1 . 55 ) G, ( jw ) -
1
y"' + + --- + G
. L
JW
- 1,
1
'f,.evz.
�ie 'toe L e G
-
V2
!ffeVr
V,
FIG . 11 . 13 Modêlo incremental do amplificador sintonizado.
Considerando que y.. = g.. + jw e.. temos ainda
[w
( 1 1 . 56 ) G. ( jw ) =
G + Y� + j (C + C°' )
Vamos tomar o ganho de referência na freqüência w0 em que o deno
L ..
minador se torna real, isto é,
1
( 1 1 . 57 )
v (C + C )
- Yr.
O ganho de referência é pois
0 1 . 58 ) Gvo = ----
G + g°'
Passemos agora a determinar a banda passante do amplificador, ou

1 Gv 1 ;;:::: G,o/ v 2;
[ . ) - �L J
sej a, o intervalo de freqüências em que portanto, nas fre-
qüências de corte teremos, de ( 1 1 . 56 ) ,
( � wo' )
(G + g.. ) ' = w (C + C.
ou seja, considerando que L = 1/wº' ( C + C.. ) ,

Wz
± (G + goc ) = ( C + C.. )
-
Como se trata de amplificador de banda estreita, as freqüências de
corte 6i são próximas de wº e temos
�2 Wo2
--
Substituindo na equação anterior e resolvendo em relação a (;) resultam
as freqüências de corte
1 G + Y�
( 1 1 . 59 ) W2 .1 = Wo ±
-
2 e + e..
e a banda passante
G + g..
( 1 1 . 60 ) B W2 W1
e + e..
Conhecidas a condutância de carga G, a freqüência de ressonância

w. e a banda passante B, bem como os parâmetros do transistor, as expres
sões 0 1 . 57 ) e C l l . 60 ) permitem a determinação de L e e.
Veremos logo mais que a condutância de carga G é fixada por consi
derações de estabilidade do circuito; tais valores resultam razoàvelmente
elevados, ou seja, a resistência de carga é relativamente baixa. Em conse
qüência, resultará um valor de L inconvenientemente baixo, bem como um
valor de e muito grande.
Assim, por exemplo, consideremos um estágio de F.I., construindo com
o transistor de Si cujos parâmetros foram indicados anteriormente. Supondo
ainda uma freqüência de ressonância de 450 KHz, ou w. = 2,82 x 1 0' rd/s, uma
banda passante de 9 KHz, ou B = 56,4 x 1 03 rd/s e G 10" mhos, obtemos: =
a) de ( 1 1 . 60 ) :
G + g.. + 4 X 1 0·'
- 1,4
1 0·3
e
56,4
- e.. = X 10·",
B X 103
donde
e =
17700 pF
b) de ( 1 1 . 57 ) :
1 1
L = = = 7,1 µH
w.
'
( C + C.. ) 2,82' X 10" X 1 7700 X 1 0·"
Os valores de L e C encontrados são de fato inconvenientes.

A fim de aumentar a
indutância e diminuir o e'
e costuma-se então uti
lizai' um transformador
no circuito de coletor;
normalmente êste trans
formador é dotado de
mais um enrolamento,
que perinite também •'fG . 11 . 14 Esquema de amplificador
- sintonizado com
transformador.
transformar a impedân-
eia de carga. Obtemos assim o circuito da fig. 1 1 . 14.
Normalmente êste transformador é realizado sôbre uma fôrma de ferri
te, de modo que podemos considerar seu coeficiente de acoplamento igual
a 1 . Nestas condições, indicando por L' a indutância total do primário ( com
o secundário aberto ) e por a ( maior que 1 ) a relação entre o número total
de espiras e o número de espiras entre o coletor e a massa, verifica-se que
a indutância refletida no coletor é
L'
( 1 1 . 61 ) L L' a'L
a'
Da mesma forma, a capacitância refletida no coletor será

e
( 1 1 . 62 ) e = a'C' :. C' = --
a'
Assim, escolhendo uma relação a adequada, podemos chegar a valores
convenientes para L e C; no exemplo anterior, escolhendo C' = 1000 pF,
- l/
resultará
17700
ª - 1 --- � 4,2
1000
de modo que
L' = 1 7,7 X 7,1 :.; 126 µH
Ao calcular a condutância de carga dêste circuito devemos associar
a G'L ( fig. 1 1 . 14 ) , multiplicada pela relação de transformação apropriada,
a condutância decorrente das perdas do transformador. Esta condutância
total, referida ao coletor, será utilizada para o cálculo do ganho de refe
rência pela fórmula ( 1 1 . 58 ) .
11 . 7 - Estabilidade dos amplificadores sintonizados:
Vamos estudar a estabilidade dos amplificadores sintonizados repre

sentando o elemento ativo por seus parâmetros de admitância, isto é, uti
lizando o modêlo incremental da fig. 1 1 . 15. Os resultados obtidos serão
depois aplicados a válvulas ou transístores, pelo emprêgo de valores ade
quados dos parâmetros.
r Ys r,
r Y,
r r
rie�
Is 6s f.1 't22 G L e
�21v,
FIG . 11 . 15 - Modêlo incremental para o estudo da estabilidade dos

amplificadores sintonizados.
Dêste modêlo obtemos:
( I, = Y11 V, + Y12 V,
1. v, = - Y21 Vif(y,, + YL )
Eliminando V, na primeira equação e dividindo tudo por V, obtemos a

admitância de entrada do quadripolo terminado por YL:
( 1 1 . 63 ) Y, = Y11 - ----
A admitância vista pelo gerador será então
( 1 1 . 64 ) Ys = Gs + Y 11 - ----
Y22 + YL
ou, como
r Y11 Yu + j bu Yu + jw Cu
l Yn g,, + i b ,, g,, + jw e,,,

vem ainda
( 1 1 . 65 ) Ys
( g,, + G) + i ( wC' - 1 /wL )
onde
( 1 1 . 66 ) C' = C + C22
Vamos agora introduzir a aproximação de banda estreita; nessas con

dições, ( w' - Wo2 )/w 2 ( w - Wo ), com w0 dado por
::;,,
1
( 1 1 . 67 )
yL ( C + C,, )
Com estas aproximações, ( 11 . 65 ) simplifica-se para
y,. Y 12
( 1 1 . 68 ) Ys = Gs + g" + f b 11 - -----
( g,, + G) + j 2 C' ( w - Wo )
A condição suficiente para que o circuito sej a estável é que a parte real
da admitância vista pelo gerador sej a positiva para qualquer w, isto é,
( 1 1 . 69 ) Re [ Y ] � O
,
Ora, de ( 1 1 . 68 ) obtemos
( 1 1 . 70 ) Re [ Y ] , =
Re [ y" Y21 ] ( g12 + G) + lm [y,. y,,] · 2C' ( w - wº )

( g,, + G )' + 4 C" ( w - Wo > '
Para satisfazer à condição de estabilidade devemos pois assegurar que
o minimo de ( 11 70 ) é ainda positivo. Como esta função é bastante com
.
plicada, vamos introduzir mais uma simplificação, válida para válvulas e

para os transistores modernos pelo menos até freqüências da ordem do
mega-hertz. Admitiremos assim que vale
( 1 1 . 71 ) R e [y,, Y2 1 ] = O
Com isto,
1 Y1 2 Y21 1 · 2 C' ( w - Wo )
( 1 1 . 72 ) Re [ Y,] --
--- > o
( g22 + G ) ' + 4 C" ( w - Wo ) '
308 ELETRÔNICA - L. Q. ÜlilSINI
Derivando esta expressão em relação a w e igualando-a a zero, obtemos

a freqüência em que a parte real de Y, é mínima. Substituíndo êste valor
de w em ( 1 1 . 72 ), a condição de estabilidade fica
1
( 1 1 . 73 ) ( Gs + gu ) ( gzz + G ) > 1 Y1 2 • Y21 I
2
�l
Nota : Se não admitirmos a simplificação ( 1 1 . 71 ), a condição de esta
bilidade será
( 1 1 . 74 ) < Gs + gu ) ( gzz + G) > Re [Y21 Y12] + i Y12 Y21 J ]
( ver, a respeito, SEEC vol. 3, pág. 249 ) .
Para satisfazer com segurança a condição d e estabilidade, obtendo assim

um projeto que acomode variações dos parâmetros dos elementos ativos,
bem como tolerância dos componentes e, aínda, tenha a curva de resposta
bem comportada, costuma-se tomar
s
( 1 1 . 75 ) 1 Y12 • Y21 1,
2
onde o fator de estabilidade s é escolhido entre 4 e 10; se houver mais de

um estágio de amplificação, aumenta-se o valor de s ( multiplica-se por 2
para 2 estágios e por 2,6 para 3 estágios ).
Vejamos agora os aspectos que toma a condição ( 1 1 . 74 ) quando se
usam pentodos ou transistores.
a) Amplificadores a pentados :
O modêlo íncremental do pentodo é o índicado na fig. 11 , 16.
{
Em conseqüência, os parâmetros de
admitância resultam
Yu = jw ( C, + C8p )
Y12 -
- - J0W egp
( 1 1 . 76 )
Y21 = Ym - jw Cgp Ym
Yzz jw ( Cº + Cap ) + gp FIG . 11 . 16 - Modêlo incremental de pcntodo.
Substituindo em ( 1 1 . 75 ), a condição de estabilidade fica
s
( 1 1 . 77 ) Gs ( gp + G) = -- Ym w. c.p
2
ou ainda
2 Gs gm
( 1 1 . 78 )
S ' W0 Cgp G + gp
Ora, o segundo membro desta expressão não é senão o módulo do ganho

de referência do amplificador ( eq. 1 1 . 8 ), I G, I . Concluimos pois que o ganho
de referência do amplificador sintonizado a pentado deve ser
2 Gs
( 1 1 . 79 ) 1 a, 1 = ----
S • W0 CKP
Assim, por exemplo, para um amplificador de um estágio ( s = 4 ), em
450 KHz ou 2,82 x 10' rd/s, alimentado por uma fonte com resistência de
50 Kohms e usando um pentodo com e.. = 0,0035 pF obtemos
2
J G, I = - 1 000
4 X 2,82 X 10' X 5 X 10' X 3,5 X 10- 1 5
b) Amplificadores a transistores :
Na gama de freqüências em que ( 1 1 . 71 ) é válida, os parâmetros de admi
tância dos transistores são dados por
J
Yu Yie g.. + jw e..
- jw e"
== ==
( 1 1 . 80 ) Y 12 = Y" =
1 Yt· I '�
l
Y21 Yr. =
y,, Y°' Qo, + jw Coo
Substituindo em ( 1 1 . 74 ) , vem
s
( 1 1 . 81 ) ( Gs + g,, ) ( G + g°' ) =
2
Em alguns transistores pode ocorrer que g., e g°' sej am tais que
1
( 1 1 . 82 ) g,, g°' > 1 Yr. Y" 1
2
A condição de estabilidade ficará assim automàticamente satisfeita para
quaisquer valores de condutâncias da fonte ou da carga; o transistor diz-se
então incondicionalmente estável.
A título de exemplo, consideremos um amplificador usando um tran
sistor planar de Si, com os parâmetros indicados na tabela I da seção
1 1 . 6, operando em 450 KHz, e alimentado por uma fonte com 50 Kohms de
resistência interna. Adotando s = 4 ( um estágio ), de ( 1 1 . 8 1 ) obtemos o
valor da condutância de saída :
2 J y ,, Y" J
( 1 1 . 83 ) ª =
( Gs + g,, )
ou, substituindo os parâmetros ( medidos em m mhos ) :
2 X 35 X 1,5 X 10·3
G = - 4 x W-3 = 0,33 m rnhos
2 X 10" + 0,3
ou sej a, a resistência de carga do coletor deverá ser da ordem de 3 Kohms.

Conhecida esta resistência, os demais parâmetros do circuito se calculam

como indicado na seção 1 1 . 6.
Nos dois exemplos anteriores, com válvula e transistor, a condição de
estabilidade foi satisfeita impondo o valor da resistência de carga do circuito.
Como esta resistência resulta menor que a resistência correspondente à
transferência máxima de potência, diz·se que a estabilidade foi obtida por
descombinação de impedâncias.
Para obter um ganho maior por estágio, a condição de estabilidade
( 1 1 . 74 ) indica, como outra alternativa, a redução da admitância de trans·
ferência inversa, y1,. I sto se consegue pela neutralização do circuito, me
diante a introdução de uma realimentação que anula ( ou reduz ) o efeito de
y12 • É'.:ste recurso raramente é utilizado na prática atual, pelo que deixamos
de discuti-lo aqui.
Sôbre os amplificadores sintonizados a válvulas consultar :
- T. L. MARTIN, Jr., "Electronic Circuits", caps. 3, 4, 5 e. 6 (Prentice-Hall, En

glewood Cliffs, 1 955 ) .
2 - G . E . VALLEY e H . WALLMAN ( ed ) , "Vacuum Tube Amplifiers'', caps. 4
e 5 . (McGraw-Hill, New York, 1 948 ) .
3 - R . W . LANDEE e outros, "Electronic Designer's Handbook", seção 7 (Me

Graw-Hill, New York, 1 957 ) .
Sôbre o s amplificadores sintonizados a transistor, referir-se a :
4 - C . L . SEARLE e outros, "Elementary Circuit Properties o f Transistors" (SEEC
vol. 3 ) , cap. 8. (Wiley, New York, 1 964 ) .
5 - R . D . THORNTON e outros, "Multistage Transistor Circuits", ( SEEC, vol 5 )
cap. 7 . (Wiley, New York, 1 965 ) .
6 - W . H . T . HETTERSCHEID, "Transistor Bandpass Amplifiers". Philips Techn.
Libr., Eindhoven, 1 964.
Para detalhes de projeto ver, por exemplo,
7 - N. G. CHERRY, "The Design of Tuned Transistor I. F. Amplifiers", IEEE
Trans. vol. BTR-9, pgs. 48-6 1 ( 1 963 ) .
Problema 1 1 . 1- Um pentodo com gm = 4 mA/V, r. = 1 Mohm e capacitância de

saída Co = 4,4 pF é utilizado para construir um amplificador com sintonia simples
e ganho de tensão de 80 vêzes, em 500 kc/s. Deseja-se obter uma banda passante
de 1 0 kc/s e avalia-se a capacitância de fiação em 8 pF. Sabe-se ainda que o ampli
ficador deve alimentar uma carga constituida por uma resistência de 100 Kohms em
paralelo com uma capacitância de 10 pF. Determinar :
a) a indutância e a capacitância d e sintonia;
b) o índice de mérito da bobina a ser utilizada.
Problema 1 1 . 2 U m amplificador d e dupla sintonia e acoplamento crítico utiliza

-
um pentado com gm = 4,0 mA/V. O amplificador está sintonizado em 455 kc/s e

tem uma banda passante de 10 kc/s. Sabendo-se que os dois circuitos sintonizados
são idênticos e que a capacitância total de sintonia é igual a 1 00 pF, determinar :
a) o índice de mérito dos circuitos ressonantes;
b) os valores das indutâncias próprias e mútua;
c) o ganho na frequência central;
d) o ganho e m frequências 1 5 kc/s acima e abaixo d a frequência central ;
e ) o ganho de referência e a banda passante resultantes da associação em
cascata de dois estágios do tipo acima.
Problema 11 . 3 Um amplificador de F. I., com 80 dB de ganho de tensão é cons

-
tituído por quatro estágios idênticos a sintonia simples, com pentados 6AK5 (gm =
= 5 mA/V ) . A frequência central é de 45 MHz e a indutância sintoniza com a ca
pacitância total entre estágios de 12 pF. De.termine :
a) a resistência de carga de cada estágio;
b) a banda passante total do amplificador;
c) a indutância de sintonia.
Problema 11 .4 O amplificador sintonizado esquematizado na fig. P. 1 1 . 1 , ope

-
rando a 455 KHz, utiliza um transístor cujos parâmetros de admitância são :
esp. �f
�4
3j
esp.� 2. 1<.n.
FIG. P . II . l
g ic 0,24 mA/V Cic = 68 pF
!Yrcl = 3 4 mA/V IYrel = 4 µA/V
goe = 0,85 µA/V Coe = 3 ,8 pF
A indutância do primário do transformador tem 2 1 8 µH e a capacitância de sin

tonia vale 560 pF.
Sabe-se ainda que o índice de mérito da bobina isolada é igu �I, � 1 1 5 . Coi_n as
relações de espiras indicadas na figura e supondo acoplamento umtano, determmar :
a) a banda passante d o amplificador, e m KHz;
b) o valor que deve ter a condutância d a fonte para que o fator d e estabilidade
seja igual a 4.
CAPfTULO 12
GE R ADORE S DE F OR MA S DE ONDA S
12 . 1 - Introdução
Os geradores de formas de ondas são circuitos destinados a fornecer

tensões ou correntes que variam em função do tempo segundo uma lei
bem determinada, quando alimentados por fontes de corrente contínua.
São muito comuns os geradores que fornecem ondas senoidais, com fre
qüências fixas ou variáveis; tais circuitos são muitas vêzes designados por
osciladores. Outros geradores fornecem ondas retangulares, pulsos, ondas
triangulares, "dentes de serra", etc.: normalmente incluem circuitos ope
rando no modo transicional.
Dado um circuito ativo qualquer, as técnicas de cálculo de circuitos
nos permitem saber se o circuito é estável ou instável, desde que sej a
possível estabelecer um modêlo linear ou linearizado conveniente. No pri
meiro caso ( circuito estável ) a resposta de rêde a uma excitação qualquer
se caracterizará por têrmos exponenciais decrescentes no tempo, que de
correm de pólos da função de rêde com partes reais negativas. A resposta
dos circuitos instáveis, ao contrário, contém têrmos exponenciais crescen
tes, que decorrem da presença, na função de rêde, de pólos com partes
reais positivas.
l!:ste processo de cálculo é conveniente para os circuitos que operam
em classe A, quando os modêlos lineares podem ser empregados com boa
aproximação; em conseqüência, são utilizados sobretudo para o exame dos
osciladores senoidais.
No caso de circuitos operando no modo transicional, a análise deve ser
feita empregando os modêlos a segmentos lineares, de modo que as técni
cas gerais de cálculo dos circuitos lineares não podem ser aplicadas.
No estudo dos geradores de formas de ondas distinguiremos dois casos :
a ) Osciladores bipolares ou a resistência negativa;
b ) Osciladores quadripolares, ou com realimentação.
Os esquemas de bloco de ambos os circuitos estão indicados na fig. 12 . 1 .
Examinaremos inicialmente os circuitos com resistência negativa.
12 . 2 - As resistências negativas:
As curvas características dos bipolos podem apresentar certas reg1oes

em que a resistência incremental é negativa, isto é, dv/di < O. Diremos
GERADORES DE FORMAS DE ÜNDAS 313
A /irn�ntaçõo
A rnp/i/icodor
S1slerno
A lirnen Pesis ttfncto de orn?Oze
negativo non?enlo
toçÕo
de energ:o
A rrno� enornl!n!"o de
ene rgia
o) ( · - --dador�� com resistêncta negativo
FIG. 12 .1 - Diagramas de blocos dos osciladores.
então que êsse bipolo exibe uma característica com resistência negativa.
Esta característica pode ser de dois tipos :
a) resistência negativa controlada por tensão, ou estável em curto-cir
cuito ( figura 12 . 2 ) ;
\\_
1
1
1
1
1
V
1
O) Cur vo c o ro c t e r is t t c a 1
1
1
�:
b) Vor i o ç ão do r�sis têncio
FIG. 12 . 2 - Resistência negativa controlada por tensão.
b) resistência negativa controlada por corrente, ou estável em circuito

aberto ( fig. 12 . 3 ) .
Note-se que, no primeiro tipo, a resistência incremental passa de va
lores positivos a valores negativos tornando-se infinita, ao passo que no
segundo caso a transição se faz por valores nulos.
Verifica-se fácilmente que as resistências negativas se associam com
outras resistências ( positivas ou negativas ) segundo as regras habituais.
Evidentemente estas regras só podem ser aplicadas ao se fazerem modelos
incrementais do circuito, mantido o ponto de operação na região de resis
tência negativa. Com estas restrições, a resistência negativa se introduz nas
equações das rêdes exatamente como as resistências ordinárias.
oJ Curvo coracte ris t t ca b) Vortaç:õo da res i s tência
FIG. 12 . 3 - Resistência negativa controlada por corrente.
Como exemplo, consideremos um circuito constituido por um capacitar,

carregado inicialmente a uma tensão Vo, e ligado a uma resistência negati
va em t O ( fig, 12 . 4 ) .
=
{V _+1�
.__C _RJl
A integração das equações do circuito
fornece
(t) Vº exp ( - t/RN C) V. _______ V

__
02 . 1 ) Vº
_
i (t) -- exp ( - t/RN C )

RN FIG. 12 . 4 - Carga de capacitor através
de resistência negativa.
Como RN é, por hipótese, negativa, a corrente e a tensão crescem expo

nencialmente com o tempo ( fig. 12 . 5 ) .
V
FIG. 12 . 5 - Variação da tensão e da corrente no circuito

da fig. 12 . 4.
l!:ste exemplo mostra que :

a ) um bipolo com resistência negativa deve ter uma fonte de energia
associada;
b ) a resistência negativa só pode existir em trechos limitados da
característica dos bipolos, sem o que êstes poderiam fornecer quantidades
arbitràriamente grandes de energia.
12 . 3 - Exemplos de características com resistência negativa:
Ao estudarmos os tetrodos, já verificamos que sua característica de

placa apresenta uma região com resistência negativa controlada por ten
são. Também as válvulas de descarga em gases ( válvulas reguladoras ) e
os arcos elétricos apresentam características com resistência negativa, mas
agora controladas por corrente.
Outras resistências negativas podem ser construídas utilizando-se vál
vulas ou transistores em circuitos convenientes. Examinemos, como primeiro
exemplo, a associação série de triodos representada na fig. 12 . 6,a.
Para analisar êste circuito notemos, inicialmente, que há três estados
possíveis :
r
(C>/ (Jo} Est I . fcil Est Ili
:O-�
rº"
v.��
�� +
(e ) é s t. II
---<> -1..
r--- -WWIMr-r,,
_L
2
FIG. 12 . 6 - Circuito com resistência negativa e respectivos modêlos.
- estado 1: V, conduzindo, V, bloqueada;

- estado II: V, bloqueada, V, conduzindo;
- estado III : V, e V, conduzindo.
A não condução simultânea das duas válvulas é bbviamente impossível,

pois não poderiam circular as correntes necessárias para bloquear as vál
vulas. Notemos ainda que, nos estados I e II, a tensão grade-catodo da
válvula que conduz é igual a zero, pois não pode haver corrente na res
pectiva resistência de catodo. Em conseqüência, resultam os três modêlos
indicados na fig. 12 . 6, b, e, d, correspondentes, respectivamente, aos três
estados acima. Dêste circuitos deduzem-se imediatamente as seguintes
relações entre a tensão e a corrente nos terminais 1, 2 :
( 12 . 2 ) estado 1: V ( R + r. ) i
( 12 . 3 ) estado I I : V
A correspondente relação no estado III obtém-se a partir das equações :
{
v ( R + r. > ( ib + i ) µe" -
( 12 . 4 )
R + rp
e" = R ib ; e" =
( i + ib ) R-
Eliminando ib, e" e e,, destas equações resulta

( 12 . 5 ) v = 1/2 [rp + (1 - µ ) R ] i + Ebb/2
A característica linearizada por segmentos do bipolo em estudo obtem
-se compondo as retas correspondentes às relações 02 . 2 ) , ( 12 . 3 ) e ( 12 . 5 ) ,
como indicado n a fig. 12 . 7.
Na região III esta característica apresenta uma resistência negativa
controlada por corrente.
FIG . 12 . 7 - Característica linearizada por

segmentos do circuito da figura 12.6.
12 . 4 - Dispositivos semicondutores com resistência negativa:

Há vários dispositivos semicondutores que apresentam características
com resistência negativa, podendo assim ser utilizados na construção de
geradores de :formas de onda ou osciladores. Aliás, é possível operar na
maioria dos transistores na região de avalanche da junção coletor-base, em
que, por exceder-se a tensão de ruptu
ra, desencadeia-se um processo de
avalanche na junção. As característi
cas de coletor do transistor têm então
o aspecto da fig. 12 . 8, em que há uma
região de resistência negativa contro
lada por corrente.
Controlando a dissipação de po
tência pelo circuito externo é possível o-"��
6Vc:Eo B Vc eo
�-T-��--li--�-t� °l{;e
operar na região de avalanche sem
FIG . 12 . 8 - Características de coletor
destruir o transistor. de um transistor com repão de avalanche
•
Vários outros dispositivos semicondutores são construidos para exibir

uma característica de resistência negativa na região de operação normal.
Dentre êsses dispositivos, vamos examinar apenas dois, sendo um relati
vamente lento - o transistor de unijunção e outro extremamente rápido -
o diodo tunel ou diodo de Esaki. Vej amos uma descrição sucinta dêsses
dispositivos e seus modelos linearizados.
a) Transistor de unijunção :
O transístor de unijunção é constituído por uma barra prismática de
silício tipo N de alta resistividade ( 120 ohms x cm ), disposta sôbre dois
contatos de ouro, suportados por uma peça de cerâmica ( fig. 12 . 9 ) .
filme de A u
I
r
10 mlls
FIG . 12 . 9 - Transistor de semijunção.
Nos apoios da barra de Si constituem-se dois contatos ôhmicos B, e B,,

que são as bases do transístor. Um emissor, constituído por um fio de
alumínio, cria uma junção PN no silício, algo mais próxima de B, que de
B,. O transístor de unijunção representa-se pelo símbolo da fig. 12 . 10-a; suas
características de entrada e características interbases tem os aspectos repre
sentados nas fig. 12 . 10-b e e, respectivamente.
(a ) (C )
(b )
FIG . 12 . 10 - Características do transistor de semijunção: a) símbolo; b ) características da
emissão; c) características interbases.
Na operação do dispositivo aplica-se uma tensão VBB entre as duas

bases, que causa uma queda de tensão distribuída ao longo da barra de
silício. A região N da junção, próxima do emissor, fica assim polarizada a
uma tensão 11 V BB, determinada pelo espaçamento entre a junção do emissor
e o contato da base B,. Se a tensão do emissor fôn menor que êste valor,
a junção PN está polarizada inversamente, de modo que a característica de
entrada corresponde à característica inversa de um díodo, com uma cor
rente inversa de saturação IEo· Se a tensão aplicada exceder 11 VBB pela queda
•
3lr. ELETRÔNICA - L. Q. ÜRSINI
V0, correspondente à queda na junção com polarização direta, há inj eção

de lacunas na região entre o emissor e B,. Em conseqüência, a condutivi
dade dessa região aumenta, pois a concentração de eletrons no Si é muito
pequena e é facilmente sobrepujada pela concentração de lacunas injetadas.
O aumento de condutividade nessa região da barra faz com que baixe a
tensão do lado N da junção, aumentando assim a polarização direta da
junção, o que acarreta nôvo aumento de lacunas injetadas e, conseqüente
mente, aumento da corrente de emissor. Caímos assim na região de resis
tência negativa. A corrente de emissor aumenta e a tensão VE diminui até
alcançarmos o ponto de vale V., onde o transistor entra na região de satu
ração. Nesta região, a condução entre base 1 e emissor é limitada pela
recombinação entre eletrons e lacunas, causando uma resistência incre
mental positiva.
l!:ste dispositivo apresenta pois uma resistência negativa controlada por
corrente.
Um modêlo linearizado por segmentos do transistor de unijunção ( em
freqüências baixas ) é dado pelo circuito a diodos da fig. 12 . 11-a. Nesse
modêlo os diodos estão em corte para tensão v. inferior a
rB l
( 12 . 6 ) Vp = TJ VBe , com TJ
rBl + rB2
I"
De
-{�
E "e 62
<e
- ª2
!! 1�e
1'é "e 1 VB B
('é
e, o Vp YJ VBB
(a ) (b)
FIG . 12 . 11 - Modêlo linearizado do transistor de semijunção.
Atingida a tensão acima, D. conduz; a corrente de emissor será então

( 12 . 7 ) v. = TJ VBB + [ r, + ( 1 - y ) TJ r., ] i.
Na realidade, o parâmetro y varia com a vida média dos portadores
e o tempo de trânsito do emissor à base 1; varia de 3, para correntes baixas,
a 1 na saturação. Desta variação resulta a não-linearidade da resistência
negativa.
A região de saturação é atingida quando o diodo D, passa à condução.
Nesta região,
02 . 8 ) v. = Vs + ( Rs//rBi//rB, ) i. ( com r. = 0)
sendo
Rs//ra,
( 12 . 9 ) Vs · Vaa
( Rs//ra, ) + re2
A característica linearizada dêste modêlo está indicada na fig. 12 . 1 1-b.

b) Diodo túnel:
O diodo túnel, ou diodo de Esaki, constitui-se de uma junção PN entre
duas regiões P e N fortemente dopadas ( da ordem de 10" átomos de impu
rezas/ cm' , em ambos os lados ) . Nessas condições, a camada de carga espacial
é extremamente delgada ( cêrca de 0,01 µ) e o campo elétrico na camada de
carga espacial pode atingir 10' V /cm, sem polarização externa. �ste campo
é suficiente para causar a ruptura Zener da j unção, sempre sem potencial
externo. Em conseqüên-
cia, o dispositivo oferece
resistência baixa para ten·
sões de qualquer polarida /
cara<:. d1odo e . pola1Jacõo
d"ela
de, resultando o trecho da

característica indicado na rupfura Zener
fig. 12 . 12. A condução
elétrica neste trecho resul
ta do tunelamento quân
tico através da estreita FIG . 12 . 12 - C:ira cter íst:c:> do díodo tunel
camada de carga espacial.
Aplicando ao diodo uma polarização direta, reduz-se a altura da barreira
de potencial e, portanto, o campo elétrico interno; a partir da tensão v. êste
campo não mais será suficiente para manter a ruptura de Zener, donde
uma diminuição de corrente, aparecendo assim a região de resistência nega
tiva controlada por tensão. Para tensões maiores que Vv o mecanismo
normal de inj eção de portadores na junção passa a predominar, obtendo-se
uma região da carecterística semelhante à de um diodo normal, polari
zado diretamente.
Em diodos túnel típicos a tensão de pico v., varia de 50 a 150 mV, con
forme o material utilizado, com correntes de algumas dezenas de mA. Em
conseqüência, a resistência negativa dos diodos túnel é bastante baixa, o
que pode causar dificuldadei:;.
o diodo túnel é extremamente rápido, podendo operar até freqüências
da ordem de 1010 Hz.
12 . 5 - Osciladores classe A a resistência negativa:

consideremos um bipolo com resistência incremental negativa associado
a um circuito RLC para
lelo e a um gerador de
corrente ( fig. 12 . 13 ) . Exa .,
minemos em que condi L e

R,,
ções êste circuito se torna
instável, fornecendo osci·
lações senoidais. O gera
dor de corrente foi aí in- FIG . 12 . 13 - Modêlo incremental de oscilador a
resistência negativa.
troduzido para representai
eventuais perturbações elétricas do circuito.
C - + (1/RN + 1/R) + L1 f V V
A equação do circuito será
dv
02 . 1 0 ) - dt = i, ( t )
dt
Transformando segundo Laplace e resolvendo em relação a V (s),
02 . 1 1 ) V (s)
L (s) s
=
C s2 + (RN + R) s/(RN RC) + 1/(LC)
-- ------ ------
O s pólos de V ( s) são pois

1_
_ RRN V R
__+
_ R
_ N_ i/_1_ ± - (- 1
- R + RN ) ;
02 . 12 ) S1 . 2 j
= -
2 e RRN
L e 2 e
Para que a resposta sej a oscilatória, a quantidade sob o radical deve
( 2�
)'.·2
ser positiva, isto é,
02 . 13 ) <
1
----
• LC
--
O estabelecimento de oscilações, a partir de qualquer perturbação

( introduzida no modêlo pelo gerador de corrente ) , exige que a parte real
dêstes pólos seja positiva, ou seja,
02 . 14 )
Como RN é negativa, deve ser
02 . 1 5 )
Satisfeitas a s condições 02 . 1 3 ) e 02 . 1 5 ) , a tensão v ( t) é uma oscila·

ção que aumenta exponencialmente, com a freqüência
02 . 16 )
Evidentemente o aumento exponencial das oscilações não pode pros

seguir idefinidamente. Deve aparecer alguma modificação no circuito que
limita a amplitude da oscilação, tornando-a constante. Para isso, a parte
real dos pólos ( 12 . 1 2 ) deve anular-se, satisfazendo à condição.
02 . 17 )
Atingida esta condição, a freqüência do oscilador será
02 . 18 ) Wa = v T/LC
sendo fixada apenas pelos parâmetros L e e.
Dêste estudo ressaltam as componentes essenciais de um gerador a
resistência negativa e as respectivas funções :
1 -
Resistência negativa : torna positiva ou nula a parte real dos
pólos da função resposta ( positiva ao iniciar a operação, para "escorvar"
o gerador ) ;
2 -
Elemento não linear ( R o u R N ), que controla o estabelecimento
das oscilações e limita o seu valor final;
3 -
Elementos controladores de freqüências
fixam a freqüência de operação;
(L e e no exemplo ) , que
4 -Início das oscilações : satisfeita a condição 1, qualquer perturba

ção do circuito ( transitórios de ligação, flutuação de tensão, ruido térmico,
etc. ) desencadeará o processo exponencial que estabelece as oscilações.
Aplicando a regra de dualidade, podemos também obter as condições

de oscilação para um circuito RLC série alimentado por um gerador de
tensão. As condições para oscilação resultam agora
R 1 RN 1
( )
( 12 . 19 ) <
1 > R 2+ RN '
LC L
( 12 . 20 )
12 . 6 - Osciladores de relaxação a resistência negativa:
As condições que acima examinamos correspondem a u m gerador de

oscilações senoidais ( ou quase-senoidais ) . Vejamos agora um exemplo de
u m gerador de forma de onda forte
n--
1
mente não senoidal. Tal gerador pode,
por exemplo, ser constituido ligando-se
um capacitor aos terminais da resis
tência negativa controlada por corren·
V C
te, indicada na figura 12 . 6-a. Supo
nhamos que o capacitor, de capacitân-
cia e e inicialmente descarregado, é
1
-
ligado à resistência negativa através
de uma chave, no instante t = O ( fig. FIG . 12 . 14 Modêlo de oscilador
de relaxação com resistência negativa.
12 . 14 ).
Uma vez que a carga do capacitor é contínua ( a menos que o circuito
possa fornecer correntes impulsivas ), esta ligação impõe v O nos termi
=
nais da resistência negativa, em t =O. O bipolo estará então no ponto 1

da sua característica ( fig. 12 . 15-a ). A corrente negativa carrega o capacitor,
fazendo com que a tensão v aumente, de modo que o ponto de operação
excursiona pelo trecho II da característica; a corrente de carga diminui
em módulo, tendendo exponencialmente a zero ( fig. 12 . 15-b ) , ao passo que
a tensão aumenta também exponencialmente, tendendo a Ebb ( fig. 12 . 15-c ) .
Ambas a s exponenciais têm constante de tempo Rn C , onde Ru é dado pelo
recíproco da inclinação da característica no estado IL Esta situação pros
segue até ser atingido o ponto B.
Atingindo o ponto B, o ponto de operação não pode continuar a descre

ver a caracteristica da resistência negativa, pois o potencial do capacitar
seria forçado a diminuir, com a corrente sempre no mesmo sentido, o
que é impossível. Desencadeia-se então um processo de transição, brusco,
que faz passar o ponto de operação ao ponto e.
·t
e e
-
5;- -
V
- - - - - - - - - - - - - - -
18
_ _ L _ _ _ _ _ _ _ _
.
_ _ _ _ _ _ _
1 1
7l 1 1
f - - - � - -�- - - - - - - - - - - - - - -
(
! 1
1 1
1 1
t
FIG . 12 . 15 - Traçado gráfico da corrente e da tensão no circuito
da figura 12 . 14.
Dentro de nossa aproximação, esta transição será instantânea, e se rea

liza a tensão constante. Efetivamente, as indutâncias parasitas associa
das com o circuito limitarão a velocidade de transição.
A partir de e, o ponto de operação segue o ramo 1 da característica,
na direção de D; a corrente e a tensão decaem exponencialmente, tenden
do a zero com a constante de tempo R1 C.
Atingido o ponto D, há nova transição a tensão constante, que leva
o circuito ao ponto A, terminando o primeiro ciclo da operação. É fácil
de ver que a partir dêsse instante o ponto de operação passa a descrever
o ciclo ABCD.
Na fig. 12 . 15-b e e representam as curvas de corrente e tensão em
função do tempo. Verifica-se fàcilmente que a duração de um período da
oscilação é dada por
( 12 . 21 ) ô = Ô 1 + ô,
onde
1
E •• E. µR
01 == -r1 ln -r1 ln
E•• E�
l
( 12 . 22 )
R + r.
E. µR
02 == "' ln -- == -r2 ln
E. R + r.
com as constantes de tempo
�Lr "1 == C ( R + r. )
02 . 23 )
'r2 e (R + r. >
pois, neste caso, R, Rn== R + rr. ==
t:ste circuito é instável, pois seu ponto de operação descreve contlnua

mente o ciclo ABCD; como as formas de ondas são fortemente não senoi
dais, constitui um oscilador de relaxação.
Nota : Para maiores detalhes sôbre as transições ver Zimmerman e
Mason, "Electronic Circuit Theory", págs. 443ss. ( Wiley, 1959 ) .
12 . 7 - Resistência negativa e m modêlos incrementais:

Vejamos agora
um exemplo de cál
culo de resistência
negativa a partir de
modêlos incremen
tais; cálculos dêsse
tipo serão úteis no
estudo de oscilado
res senoidais ou
quase-senoidais, ao
passo que o seu in
terêsse para o estu
do de osciladores {a)
de relaxação é bas
tante reduzido.
Consideremos en
tão o circuito de
multivibrador ( ou
circuito binário ), re
presentado na fig.
12 . 6-a, e vamos cal
cular a resistência
negativa entre os
terminais ab, a par
tir do modêlo incre
mental da figura
FIG . 12 . 16 Circuito de multivibrador e :seu
12 . 16-b.
-
modêlo incremental.
Dêste modêlo obtemos

ep2
R, ,
R, + R, ,
( 12 . 24 )
ep,
R .,
R, + R .,
A resistência negativa entre os terminais a e b será

V ep, epp,
( 12 . 25 ) RN =
Mas ep, e ep2 são dados por

( ep, µe. , + Tp1 ib1
02 . 26 ) �
l ep2 = µe,, + Tp2 ib2
1
Para simplificar o cálculo, vamos supor válvulas iguais, bem como as

respectivas resistências de placa e de grade. Abandonaremos então os
índices 1 e 2 nas resistências e abandonaremos ainda as correntes que
atravessam os divisores de tensão R, R,, em face das correntes ib, e ib,.
Esta hipótese é razoável se R e R, forem muito maiores que RL e Tp. Nessas
condições, a tensão v será :
( 12 . 27 )
Das relações ( 12 . 24 ) a ( 12 . 27 ) e tendo e m vista a s hipóteses acima,

decorre finàlmente
2r.
( 12 . 28 )
r. R,
1 + - µ
RL R + R,
Para que RN sej a negativa deve então ser satisfeita a condição

R, r.
( 12 . 29 ) µ > 1 + --
R + R, RL
Calculada a resistência negativa, a realização de um oscilador senoidal

se processa como indicado no parágr. 12 . 5.
12 . 8 - Pontos de operações estáveis e instáveis; métodos de disparo :
Passemos a examinar o proble

ma da estabilidade dos circuitos
com resistência negativa em regi
me estacionário, considerando ini
cialmente a associação do bipolo
com resistência negativa, uma
fonte de tensão e uma resistência FIG . 12 . 17 - Modêlo para determina
ção dos pontos de operação de bipolos
( figura' 1 2 . 1 7 ) . com resistência negativa.
GERADORES DE FORMAS DE ONDAS 325
Os pontos de operação possíveis do circuito se obtém traçando a reta

de carga sôbre a característica do bipolo, como habitualmente. Nas figu
ras 12 . 18-( a ) e ( b ) indicamos as respectivas construções para as resistências
controladas por tensão e por corrente. Ocorrem, em geral, três pontos de
interseção da reta de carga com a curva característica, que correspondem
a três pontos de operação possíveis.
E V V
(o) (lo)
FIG . 12 . 18 - Pontos de operação de bipolos com resistência negativa
controlada por tensão e por corrente.
Em regime rigorosamente estacionário êstes três pontos seriam pontos

de operação estáveis. No entanto, a presença inevitável de elementos arma
zenadores de energia ( capacitâncias e indutâncias parasitas ) , bem como
de pequenas perturbações, como variações da tensão E., faz com que o
circuito não permaneça no ponto 2, ao qual está associada uma resistência
incremental negativa. O ponto 2 é instável, ao passo que 1 e 3 são estáveis.
Variando E e R no circuito da fig. 12 . 17 podemos obter pontos de ope
ração estáveis, ainda na região de resistência negativa. Basta, para isso,
que a reta de carga só tenha uma interseção com a curva característica,
como se indica na fig. 12 . 19.
o V o
FIG . 12 . 19 - Pontos de operação estáveis.
A condição necessária para a estabilidade na região de resistência

negativa resulta pois
- para resistências negativas controladas por tensão
02 . 30 )
t.
- para resistências negativas controladas por correntes
02 . 3 1 )
Não sendo satisfeita uma das condições ( pág. 325 ), recaimos no caso dos
três pontos de interseção, indicados na fig. 12 . 18; o circuito tenderá a
ficar num dos dois pontos estáveis de operação. A instabilidade do ponto
2, dependente de elementos armazenadores de energia, não pode ser de·
monstrada a partir do modêlo da figura 12 . 17.
Dado um circuito com dois pontos
de operação estáveis, sua história an.
terior determinará em qual dos pon· '
'
tos o circuito está num dado instante . '
'
Para exemplificar êste ponto, conside·
remos novamente o circuito da figura
12 . 17, sendo a resistência negativa
controlada por tensão. Suponhamos
ainda que E aumenta a partir de zero,
com R constante. Para um valor E,
de E, bastante pequeno, o ponto de O E,
FIG . 12 . 20 - Disparo de circuito
operação do circuito situa.se em 1 com resistência negativa por varia·
( fig. 12 . 20 ), ponto estável. ção da tensão de alimentação .
A medida que E aumenta, o ponto de operação descreve o ramo AO da

curva característica, mantendo-se estável. Atingindo o ponto A, em que a
reta de carga tangencia a curva característica, um nôvo aumento de E faz
passar o ponto de operação a 3, no ramo BC da característica. O processo
transitório que faz passar o ponto de operação de um a outro ramo da
característica é designado por disparo ( "triggering" ) do circuito.
Se a tensão E continua a aumentar, o
ponto de operação evidentemente caminha
na direção de C. Se, ao contrário, E dimi
nui, o ponto de operação caminha sôbre o
ramo BC da característica, aproximando-se
de B. Atingindo o ponto B, em que a reta
de carga novamente tangencia a caracterís
tica, o circuito dispara novamente e o ponto
de operação passa a 4, no ramo OA da ca
racterística.
O disparo do circuito pode ser obtido de
o
outras maneiras; na fig. 12 . 21 indicamos o
FIG . 12 . 21 - Disparo por variação
de resistência. disparo por variação da resistência R.
Nota Bibliográfica:
Para maiores detalhes sôbre o problema da estabilidade, ver :
a ) A. A ndronov e C. Chaiakin - "Theory of Oscillations" ( Princeton U. P. 1 949 ) .
b) H. Rothe e W . Kleen - "Elektronenrohren ais Schwingungs-erzeuger und

Gleichrichter'', 2.ª ed., Akadernische Verlag, Leipzig, 1 948.
e) W. Cunningham - "Introduction to Nonlinear Analysis" (McGraw, New
York, 1 9 5 8 ) .
12 . 9 - Multivibrador instável:
O conceito de resistência negativa é útil para o estudo de geradores

de formas de ondas ou osciladores em que os elementos reativos ( ou ar
mazenadores de energia ) estão ligados entre os terminais em que aparece
a resistência negativa. Quando isso não acontece, é preferível estudar o
circuito por outros processos, partindo de modelos linearizados por seg
mentos. Para ilustrar êstes processos, examinemos uma família de cir
cuito de grande importância, os multivibradores, começando pelos multi
vibradores instáveis, a válvulas ( fig. 12 . 22 ) .
FIG . 12 . 2 2 - Circuito de multivibrador instável a válvula.
Neste circuito são possíveis os três estados citados abaixo :
Estados v, V2
I bloqueada conduzindo
II conduzindo bloqueada
III conduzindo conduzindo
Mostraremos inicialmente que o estado III é instável. Para isso, supo

nhamos que a grade de V, foi desligada do circuito por um momento e
seu potencial subiu bruscamente de t:,.e". Como a válvula V, está condu
zindo, esta variação de potencial acarreta uma variação G, t:,.ec, do -
potencial de placa, sendo G, o ganho da válvula. Esta variação é trans

-
mitida à grade de V2 através da capacitância C2. Como V, também está

em condução, seu potencial de placa variará de
( 12 . 32 )
328 ELETRÔNICA - L. Q. ÜRSINl
l!:ste incremento, por sua vez, será reacoplado à grade de V1 ; se G 1

e G, forem maiores que l, o que pode ser realizado sem dificuldade, a
perturbação original retorna à grade de V 1 , muito amplificada e com o
mesmo sentido, de modo que seu potencial aumenta ràpidamente, até ser
grampeado em zero volts ( em relação ao catodo ), pelo diodo grade-cato
do. A válvula V1 tende pois à condução plena, ao passo que V,, recebendo
um forte pulso negativo, tende ràpidamente ao corte. Em conseqüência o
circuito passa bruscamente do estado III ao estado II. Notemos que esta
transição é bastante rápida, sem entrar em maiores detalhes.
Assegurada portanto a instabilidade no estado III, vejamos o que se
passa nos outros dois estados.
Consideremos então o circuito no estado I, contando a origem dos
tempos a partir do instante de transição do estado II (o estado III será
considerado instantâneo ) . Se a resistência direta do díodo grade-catodo
de V1 fôr desprezível, o capacitor C1 estará carregado pràticamente com a
tensão E&&, no instante inicial. Efetivada a transição II-!, o multivibrador
poderá ser representado pelos dois circuitos da fig. 12 . 23. Nesta figura
indicamos também a transformação de um dos circuitos equivalentes, apli
cando o teorema de Thévenin para simplificar os cálculos.
O exame do circuito equivalente da fig. 12 . 23-b, mostra que a tensão
nos terminais de C1 tende exponencialmente de + E&& a E., - E,, com a
constante de tempo
{- E!!>b + J
e,
�
1
1
e. ,
1
� .Qg,
�·
f'
(O)
fel
FIG . 12 . 23 - Modêlos para a análise d o circuito d a figura 12 . 22 .
02 . 33 )
Se fôr R., muito maior que Rb2 ou r.,, como é habitual, pois que tais
circuitos são geralmente feitos com triodos, resulta
02 . 34 )
Em conseqüência, a tensão e,, será dada por

-t
e" - ( E.i - E, ) == [Ebb - ( E., - E, ) ] X exp -
-r 6 1
e a corrente de descarga resulta
e - t
- [Ebb - ( E., - E, ) ] -- exp --
dt
'°' s 1 '°' s 1
A tensão de grade V, é pois
- í
Dentro de o, segundos a tensão e,, chega à tensão de corte da válvula

V,, ocasionando o seu desbloqueio e a transição para o estado II ( fig. 12 . 24-a ) .
1
1
1
1
1
- - - - - - - - - , - - - - - - - - - --
!
1
1
1 "'s 1 C1 "' ;:;ól
1 Rd2
"' º
eb 2 1
1
1
Eb b
- -- - -- ---
1 ��.......
r
1 "'
r,cl
( b}
t:
FIG. 12 . 24 - Fónnas de ondas no circuito do

multivibrador instável.
Essa transição é brusca, de modo que a tensão e,, tende a zero muito
ràpidamente, permanecendo nula durante a duração 02 do estado II ( su
pondo nula a resistência do díodo constituído pela grade e catodo ) .
A duração do estado I, Õ 1, obtém-se igualando 02 . 35 ) à tensão de corte

da válvula V,, Eco1:
-
R ,1 C1 - Õ1
--- [Ebb - ( Ea2 - E, ) ] exp --
donde
( 12 . 36 )
-r81 [ J
Se a resistência de grade fôr muito maior que a de placa,
Ebb + E, - E,,
( 12 . 37 ) 01
_
= ln
E'º' + E, _
A variação de eh, com o tempo, obtida do mesmo circuito equivalente

da fig. 12 . 23, vem representada na fig. 12 . 24-b. Enquanto a válvula
V, está em condução plena ( e,2 = 0 ) , esta tensão é igual a E.,, na hipó
tese de Rb2 em paralelo com rp, ser muito menor que R8,. No instante em
que a válvula 1 passa a conduzir sua tensão de grade passa bruscamente
de -E,01 a zero; essa descontinuidade é acoplada à placa da válvula V,
através do capacitor Ci, de modo que a tensão eh, aumenta bruscamente
de E'º' volts. A partir dêsse ponto, o potencial eh, tende a Ebb, à medida
que o capacitor e, se carrega exponencialmente através da resistência Rbi,
ou seja, com a constante de tempo
02 . 38 )
Durante o estado I I passam-se fenômenos análogos; para sua análise
õ, = -r82 [ i;8
basta trocarmos os índices 1 e 2 nas expressões anteriores. A duração
dêste estado é, portanto,
2 J
R., C, Ebb + E, - E,,
02 . 39 ) ln --- -------
E'º' + E,
õ,
A duração de um ciclo completo do multivibrador, ou seja, seu período,
é então
02 . 40 ) T = Õ1 +
12 . 10 - Multivibrador mono-estável
As transições do circuito anterior ocorrem porque as tensões de gra

de, durante as descargas dos respectivos capacitores, ultrapassam a tensão
de corte da válvula bloqueada, fazendo-a conduzir. Uma modificação
simples do circuito transforma-o em multivibrador mono-estável, em que
apenas uma das transições é possível. Basta, para isso, retornar uma das
grades a uma tensão negativa superior, em módulo, à tensão de corte da
válvula correspondente ( fig. 12 . 20 ) .
Enquanto o multivibrador instável mantem-se sempre em oscilação,

gerando as formas de onda já indicadas, o mono-estável está normalmente
no estado II ( fig. + Eb6
12 . 25 ) , isto é, com
V, bloqueada e V i
conduzindo.
Para fazer com
que ê s t e circuito
saia do estado II de·
vemos a p l i c a r - l h e
u m pulso d e dispa
ro. Assim, por exem
plo, a aplicação de
-
um pulso positivo à
placa de V,, com
amplitude suficiente,
faz com que V, passe FIG. 12 . 25 Circuito de multivibrador mono-estável.
a conduzir ràpidamente, ao passo que V, bloqueia.

O circuito passa assim ao estado I do caso anterior e a descarga de
C1 faz com que haj a nova transição depois de Õ 1 segundos. O circuito
volta ao estado II e aí per
manece, pois a tensão de gra
n e
de da válvula V, não ultra
passa a tensão de corte. Na
ecl�
fig. 12 . 26 apresentamos as
formas de onda correspon
o dentes; sua obtenção é aná
loga ao caso já estudado do
j�º'V-E< , �
multivibrador instável.
Note-se que o circuito
pode também ser disparado
por um pulso negativo apli
cado à grade de V, ou à placa
e-
1 1
de V,. l!:ste pulso será am
:; '
plificado por V,, que está
conduzindo e recaimos assim
_ _ _ _ _ _ _ _ _ - -- - - - - -
no caso anterior. Por efeito
o 1 1 t da amplificação de V, êste
1
pulso pode ser de menor am
plitude que o pulso positivo.
o
A cada pulso de disparo
corresponde pois um ciclo
-
completo do circuito, resul
tando nas formas de ondas
indicadas na fig. 12 . 26. Como
Flli. 12 . 26 Fórmas de ondas no multivibrador
mono-estável.
estas formas independem da
forma do pulso de disparo, êste circuito pode ser utilizado como formador
de pulsos.
Os pulsos de disparo habitualmente são injetados por meio de diodos,
que só deixam passar pulsos de um sinal e desacoplam o gerador na
ausência de pulsos. Na fig. 12 . 27 apresentamos um tipo de circuito para
o disparo com pulsos negativos.
( Para maiores detalhes sôbre o multivibrador mono-estável, bem como
o instável, ver Millman e Taub, "Pulse and Digital Circuits", cap . 6, Mac
Graw, 1956 ).
� t--....-iÇ
... t--��
Tr
�
FIG. 12 . 27 - Disparo do multivibrador mono-estável.
12 . 11 - Multivibrador bi-estável:
Retomemos aqui o circuito da fig. 12 . 16, já estudado por seu modêlo

incremental. Sendo êste circuito muito importante por suas numerosas
aplicações em computadores, circuitos de contagem, medidores de freqüên
cia, etc., vamos examiná-lo com mais detalhes. Por ter dois estados
estáveis, dos quais o circuito só sai quando excitado por pulsos de disparo,
êste circuito recebe também o nome de circuito binário; é ainda conhe
cido por outras designações : circuito Eccles-Jordan, "flip-flop", etc.
Como no caso dos multivibradores instáveis, o circuito pode apresen-
tar três estados, sendo que +Ebb
aquêle em que as duas

válvulas conduzem é for
temente instável; os ou
tros dois, com uma das
válvulas conduzindo e a
v,
outra bloqueada, são es
táveis.
O cálculo dos estados
estáveis se faz sem difi
culdade, na hipótese de
serem as resistências de
placa das válvulas muito
menores que as demais FIG . 12 . 28 - Multivibrador bi·C$tável .
( fig. 12 . 28 ) .
Consideremos então V, bloqueada e V2 conduzindo plenamente, isto é,

com a grade pràticamente ao potencial do catado. O circuito completo
reduz-se então aos dois circuitos equivalentes da fig. 12 . 29, dos quais obtemos :
Ebb
( 12 . 41 ) Eb1 = · R
Rb + R
Eb, + E,,
( 12 . 42 ) - E, , R. - Ecc
R + R,
E,, deve ser bem maior, em módulo, do que a tensão de corte da
válvula 1, para assegurar o seu bloqueio. Introduzindo a variável auxiliar
V, --
---- R
1 ov
(b)
FIG. 12 . 29 -Modêlo dos circuitos d e placa do
multivibrador bi-estável.
( 12 . 43 ) X = R/R.
obtemos de (21 . 42 )
Eb, X
- Ec1 - E"
1 + X X + 1
Portanto,
Eb, + E,,
( 12 . 44 ) X =
Desta equação resulta x, pois Eb, sendo a tensão de placa da válvula

cuja grade está a zero volts, se deter
mina facilmente traçando a reta de
carga correspondente a Rb e Ebb sôbre a
característica de placa da válvula.
Resta-nos agora verificar se a gnt·
de da válvula que conduz está real
mente a um potencial pouco maior que
zero. Na fig. 12 . 30 representamos o
modêlo do circuito que alimenta essa
FIG. 12 . 30
grade; devemos ter Eoo2 positivo, com - Modêlo para a determinação
da tensão de grade.
a conexão para a grade 2 aberta.
Dêste modêlo obtemos
Eco2 ------- R. - Ecc
ou, como Rb « R + R,,
( 12 . 45 ) Ecoi ---- R. - Ecc

R + R1
Introduzindo aqui a variável x e impondo a condição de E'º' positiva,
resulta
--
--- > o
X + 1
ou, como x é positivo,
( 12 . 46 )
Sendo satisfeitos 02 . 44 ) e 02 . 46 ) o circuito funciona como multivi·
bradar bi-estável.
FIG. 12 . 31 - Multivibrador bi-estável com

polarização automática.
A polarização fixa do multivibrador bi-estável pode ser substituída

facilmente por polarização automática, como se indica na fig. 12 . 31.
Não é estritamente necessário desacoplar a resistência de polarização,
pois ela será sempre percorrida pela corrente de uma das válvulas. No en·
tanto, uma capacitância de desacoplamento pequena facilita o disparo do
circuito.
Para que o multivibrador bi-estável execute um ciclo completo é ne
cessano que lhe sej am aplicados dois pulsos de disparo. l!:ste circuito
assim divide por dois os pulsos ( de uma dada polaridade ) que lhe são
aplicados. É necessário então que os pulsos de disparo sejam aplicados de
maneira simétrica, de modo a poderem mudar sempre o estado do circuito.
Na fig. 12 . 32 damos exemplos de dois circuitos de disparo; no pri
meiro o pulso é injetado através de diodos, ao passo que no segundo a
inj eção é direta.
No circuito da fig. 12 . 32, a, os diodos só permitem a passagem dos

pulsos negativos, que são efetivamente aplicados à grade da válvula que
está conduzindo, ocasionando a transição.
--l t-i>--!Q--t-_,,_-Nt-.'"J--ó�
)T
1 C "" 5 0pF,
-1 r-------Ç
e [__
(b)
FIG. 12 . 32 - Métodos de disparo dos
multivibradores bi·estáveis.
Em ambos os circuitos os capacitores C, chamados capacitores de comu

tação, servem para apressar e facilitar o processo de transição ; o segundo
circuito não funciona sem êstes capacitores ( ver a respeito Millman e Taub,
"Pulse and Digital Circuits", cap. 5, McGraw, 1956 ) .
1 2 . 12 - Multivibradores transistorizados:
Evidentemente é possível construir multivibradores instáveis, mono-es

táveis ou bi-estáveis com transistores. A título de exemplo vejamos aqui
como realizar multivibradores bi-estáveis transistorizados.
Como primeira possibilidade, podemos construir um multivibrador bi
-estável transistorizado com um circuito semelhante àquele com válvulas
e utilizando duas baterias ( fig. 12 . 33 ) .
Êste circuito tem dois estados estáveis, correspondentes a u m dos
transistores em corte e o outro em saturação. Vamos analisar êste circuito
capacitores de comutm;:ão
( '\
---1
FIG. 12 . 33 - Multivibrador bi·estável

transistorizado.
com as seguintes hipóteses simplificadoras : a ) a corrente de saturação

inversa do transistor em condução é despresível; b ) as resistências inter·
nas dos transistores são muito menores que as resistências externas do
circuito; c ) o circuito é perfeitamente simétrico.
Suponhamos ainda que o transis-
tor T2 está conduzindo, na região de
s a t u r a ç ão
saturação; o seu coletor estará a um
potencial - Vci ( para transistores
p-n-p ) muito baixo. J!:ste potencial se
obtém traçando a reta de carga sôbre
as características de coletor ( fig.
12 . 34 ) . Supondo que as resistências
Rb e R são muito maiores que R" a
inclinação da reta de carga será dada
apenas por esta última resistência.
A condição de saturação obtem-se
impondo que a corrente de base do FIG. 12 . 34 - Pontos de saturação e cor!"
transistor em condução sej a suficien no multi.vibrador transistorizado.
temente elevada, isto é,
C 12 . 47 )
R + Rc
onde lb, obtem-se da característica da fig. 12 . 34. Como a junção emissor

base está polarizada para a frente, fizemos ainda Vb, = O. Esta condição
deve ser verificada para o valor de h, correspondente à temperatura infe
rior de operação do circuito pois, fixado o circuito externo, lb, aumenta
quando a temperatura do transistor baixa.
A condição de corte do transistor T, exige que sua base estej a ligeira
mente positiva em relação ao emissor; considerando a presença da corrente
de saturação inversa da junção coletor-base, cuja presença tende a tirar o

transistor do corte, a condição desejada obtêm-se do modêlo da fig. 12 . 35.
l
ipc
-�
2
Em conseqüência, T,
p
i
1 ;:;,: Rb Tz
1
R + Rb I + !" º
e o potencial de base, que deve ser + Vbb

FIG. 12 . 35 - Circuito simplificado para a
não negativo, é dado · por análise do multivibrador transistorizado.
( 12 . 48 ) vb1 = -------
R + Rb
Finalmente, desta equação obtemos a condição
( 12 . 49 )
Esta condição deve ser satisfeita para o valor de Ioo correspondente à

maior temperatura de operação do circuito.
Satisfeitas concomitantemente as duas condições 02 . 47 ) e 02 . 49 ) , nas
temperaturas extremas de operação do circuito, êste será um multivibrador
bi-estável.
A presença de duas baterias no circuito da fig. 12 . 33 é um inconve
niente, que pode ser removido com o emprêgo de uma resistência entre os
emissores e a terra, como se indica na fig. 12 . 36. Em qualquer dos estados
estáveis, esta resistência será atravessada pela corrente de um dos transis-
-�
c
capacitares cornuta;;õo
f '\
de
FIG. 12 . 36 - Multivibrador transistorizado com

uma só bateria.
tores, de modo que o capacitor e, não é essencial. Normalmente, e, é uma

pequena capacitância, destinada a desacoplar R, durante as transições, faci
litando assim o disparo do circuito. Os capacitores de comutação indica
dos na figura têm, essencialmente, a mesma função.
Suponhamos que o transístor T, está em corte, ao passo que T,, em
plena condução, está saturado. O potencial de coletor excursiona então de
- V" até um potencial - V,,, que passamos a determinar. Sendo I, a
corrente de coletor em condução plena, temos
02 . 50 )
Para determinar I,, vamos desprezar a queda de tensão entre coletor
e emissor do transístor saturado, por ser da ordem de fração de volt.
Supondo ainda que R e Rb são muito maiores que R; vale
02 . 51 ) ( I, + Ib, ) R. + J, R, = Vcc
Nesta expressão Ib, é a corrente de base correspondente à saturação.
Considerando ainda que I, = p Ib., resolvendo ( 12 . 51 ) em relação a J,
obtemos
02 . 52 )
<P + 1) R, + � R,
Como é � » 1, a corrente de coletor pode ser aproximada por
02 . 53 ) I, = ----
R, + R,
Substituindo êste valor em 02 . 50 ) obtemos o potencial de coletor do
transístor em condução :
( 1 + � ) R, R,
0 2 . 54 ) - V,2 = - V" ------- - - Vcc ____
( 1 + � ) R, + � R,
Para que êste circuito sej a efetivamente bi-estável, duas condições
devem ser satisfeitas: no transístor em condução o potencial de base, - Vb,,
deve ser um pouco inferior a - V,,, para assegurar a polarização direta
da junção coletor-base; no transístor bloqueado a base deve ser um pouco
menos negativa que o emissor, para
garantir o corte da correspondente
t---->--vlJINIJ'-�"'
-v,; 2
kós+.lc
j unção. Como o potencial de ruptura
da j unção emissor-base é da ordem
de um ou dois volts na maioria dos
transístores, deve-se cuidar, para não
danificar a j unção, de limitar essa di
ferença de potencial, ou impedir que
a eventual co rren te a t raves da JUnçao FIG.
· · - 12 . 37 - Modêlo para a determinação
:lo potencial de base no transistor em corte.
ultrapasse valores permissíveis.
A primeira das condições acima, correspondente ao transístor em con
dução, exprime-se por
02 . 55 ) - Vb2 :( - V,2
Do circuito da fig. 12 . 36 obtemos
I =
Destas duas equações, após algumas transformações, resulta para o

potencial da base de Tz
( 12 . 56 ) ------- v<c
R + fü + Rc
Ao proj etar o circuito bi-estável, Rc e R, podem ser fixados a partir

da escolha de uma reta de carga adequada; impondo uma certa excursão
do potencial de coletor resulta - Vc2· Das características do coletor ob
tem-se então a corrente Jb• ·
Substituindo o valor ( 12 . 56 ) na condição ( 12 . 55 ) e resolvendo em re
lação à resistência R obtemos uma limitação superior para seu valor:
02 . 57 ) R :( --------�
Quando a temperatura do transístor diminui, a corrente de saturação

de base, para um circuito externo fixado, aumenta. Em conseqüência, a
relação acima deve ser satisfeita para o valor de Jb, correspondente à menor
temperatura de operação.
Para exprimir a segunda condição, consideremos o circuito correspon
dente à base do transístor em corte, como indicado na fig. 12 . 37. O gerador
de corrente representa aí a corrente de saturação inversa da junção coletor
-base. Como o potencial de base deve ser não inferior ao potencial de
emissor, a segunda condição se exprime por
( 12 . 58 )
Obtemos assim uma restrição para a resistência fü :
( 12 . 59 )
A corrente d e saturação inversa !,º aumenta com a temperatura, de

modo que a condição acima deve ser verificada para a temperatura máxi
ma de operação do circuito.
A transição de um a outro dos estados estáveis acima apresentados
exige a aplicação de pulsos de disparo, capazes de tirar do corte o tran
sístor bloqueado. Tais pulsos habitualmente são inj etados através de dío
dos, dispostos de modo a permitir apenas a passagem de pulsos de uma só
polaridade. Tais díodos servem ainda para desacoplar os multivibradores
do circuito gerador de pulsos. Na fig. 12 . 38 damos dois exemplos de pro
cessos de injeção de pulsos de disparo através de díodos.
Os capacitares de comutação, indicados na fig. 12 . 38, servem para faci

litar o disparo do circuito e, entre certos limites, reduzir o tempo de
transição de um a outro estado. Não examinaremos aqui êste problema,
amplamente discutido na bibliografia recomendada no fim do Capítulo.
_L
f -1
Putso de
disparo
positivo
=J In; e ç ão p e t a b a se
_L
(----i
Puls o de
disparo
p o :o i t i v o
b ) Injeção p e lo cole t o r
FIG. 12 . 38 - Disparo dos multlvibradores translstorizados.
Para conseguir multivibradores rápidos devem ser escolhidos transis

tores adequados, com pequena constante de tempo de armazenamento de
portadores. Em casos extremos, circuitos mais elaborados serão necessá
rios. Em particular, poderão ser utilizados multivibradores não saturados,
em que o armazenamento de portadores é reduzido.
Para ilustrar a análise dos multivibradores bi-estáveis utilizamos aqui
transistores PNP. Evidentemente podem também ser utilizados transistores
NPN; a análise anterior transpõe-se sem dificuldade para êste caso.
A realização de multivibradores transistorizados instáveis ou monoestá

veis também não oferece dificuldades, e a análise dos correspondentes cir
cuitos se processa de forma semelhante aos anteriores. A título de exemplo
apresentamos, na fig. 12 . 39 os circuitos básicos dêstes multivibradores.
c;;, J Multi vibrador instáveC b) Multi vibrador n?ono - e s táve!.
FIG. 12 . 39 - Circuitos de multivibradores instáveis e mono-estáveis transistorizados.
12 . 13 - Osciladores de bloqueio transistorizados:
Os osciladores de bloqueio transistorizados são circuitos que, mediante

o emprêgo de um transformador, permitem a realização de geradores de
pulso com um só transístor. O transformador, com suas bobinas conve
nientemente ligadas, introduz uma forte realimentação positiva entre coletor
e base, responsável pela operação dos circuitos.
l!:stes osciladores podem ser monoestáveis ou instáveis. Comecemos com

o primeiro tipo:
a) osciladores de bloqueio monoestáveis:
O circuito básico é o indi + '{e
" ·) e
cado na fig. 12 . 40, com as bobi
nas do transformador ligadas
com a polaridade indicada, e o
transístor NPN inicialmente blo •
queado pela tensão V••·- O
gerador indicado no circuito de
base fornece pulsos de disparo
positivos. Suporemos unitário o
coeficiente de acoplamento entre
as três bobinas.
FIG . 12 . 40 - Esquema do oscilador de blo ·
queio mono-estável.
Ao ocorrer o pulso de disparo, o transístor entra em condução, caindo

o potencial do coletor; esta variação é transmitida à base pelo transfor
mador, aumentando bruscamente a corrente de base; a continuação dêsse
processo regenerativo leva ràpidamente o transístor à saturação plena,
caindo o potencial do coletor pràticamente a zero. Suporemos que esta
transição do corte à saturação é pràticamente instantânea.
Em conseqüência, terminada a transição, uma tensão pràticamente igual
a Vcc é aplicada ao primário do transformador. A corrente de base vale
nb 1
( 12 . 60 ) --,
desde que seja VBB « Vcc nb/n,.

Enquanto o transístor está saturado, a corrente ie permanece nesse
valor ( fig. 12 . 41-a ) .
(a ) (b }
FIG . 12 . 41 - a) Formas do oscilador de bloqueio; b) Pontos de operação do oscilador
de bloqueio.
A corrente de coletor, para os t > O, é dada pela soma da corrente

refletida da base mais a corrente de magnetização em L. Como a esta
( � )2 + � · t
indutância foi aplicado um degrau de tensão de amplitude Vcc, sua corrente
aumenta linearmente com o tempo, de modo que
i, = �
RB
( 12 . 61 )
n, L
Esta corrente, indicada na fig. 12 . 41-a, subsiste enquanto a corrente de
base 02 . 60 ) fôr suficiente para manter a saturação do transístor, isto é,
entre os pontos P e P' da característica de coletor ( fig. 12 . 41-b ) . Atingindo
êsse ponto, no instante t =
" a tensão de coletor começa a aumentar,
reduzindo assim a tensão aplicada ao primário do transformador.

O transformador reacopla esta variação ao circuito de base, com sinal

trocado, iniciando assim nova transição que leva bruscamente o transistor
ao corte. Neste estado o circuito permanece até a chegada de nôvo pulso
de disparo.
O pulso de saída obtem-se do terceiro enrolamento do transformador.
Conforme o lado desta bobina que se ligar à terra podemos obter pulsos
positivos ou negativos.
Para determinar a duração do pulso, notemos que o transístor sai da
saturação ( e, portanto, inicia-se a transição que leva ao corte ) quando
onde hFE é o ganho de corrente em curto-circuito para sinais fortes.

Substituindo i, m,, por 02 . 6 1 ), com t = "°' • e is por 02 . 60 ) a equação
anterior fornece
i�\
2
Vcc Vcc nb 1
1 + -r h FE Vcc --
Ru \ n, L n, Ru
donde
L L nb
( 12 . 62 ) -- -- hFE
Rs n,
nb
pois normalmente hFE » --
.
n,
Pelas simplificações introduzidas no cálculo, ( 12 . 62 ) fornece apenas uma
estimativa da duração de pulso.
Note-se ainda que o corte brusco do transístor e, por consequente, da
corrente na indutância, faz aparecer transitórios relativamente bruscos no
circuito, como indicado em pontilhado na fig. 12 . 41-a. Tais transitórios
podem danificar o transístor, pelo que habitualmente são suprimidos, por
meio de um díodo ligado entre os terminais do transformador.
Na exposição acima não levamos em conta possíveis não-linearidades
do núcleo do transformador. Tais não-linearidades modificarão a duração
do pulso.
Para facilitar o disparo do circuito convem também colocar uma pequena
capacitância de comutação C, em paralelo com a resistência Ra ( indicada
na fig. 12 . 40 ) .
b) Osciladores d e bloqueio instáveis :

O circuito da fig. 12 . 40 transforma-se facilmente em instável, isto é,
passa a gerar pulsos, mesmo na ausência dos sinais de disparo. Basta,
para isso, aplicar uma tensão positiva à base ( fig. 12 . 42 ) .
N a fig. 12 . 40-b, indicamos a curva d a tensão coletor-emissor dêsse cir
cuito, em função do tempo. Durante o intervalo de tempo O -e, o circuito -
opera como no caso monoestável, de modo que "°'' pode ser calculado por
( 12 . 62 ). Ao fim dêsse intervalo de tempo o transístor bloqueia-se, estado
•
êste que é instável, por causa da polarização + Vas; o transistor vai então
voltar à saturação após um intervalo de tempo "t'2, que depende essencial·
mente da constante de tempo do circuito RC da base.
nb
CB RB
�e
+ VB B
o t
(a ) (b )
FIG . 12 . 42 - Oscilador de bloqueio instável.
O período 't'2 pode ser calculado aproximadamente por
( 12 . 63 ) R a Ca l n ------
Vaa - E.
onde E. é a tensão base-emissor com o transistor em condução plena ( 0,6 V

nos transistores de Si ) . Esta expressão se deduz sem dificuldade, notando
que o capacitor Ca está carregado, no início da transição, a uma tensão
igual a Vas E. + ( nb/nc ) Vcc.
-
Um estudo mais detalhado dos osciladores de bloqueio transistorizados

encontra-se na obra de Millman e Taub, citada na bibliografia.
Bibliografia do Capítulo 12:
A respeito de geradores de fórmas de ondas a válvulas, consultar :
1 - B. CHANCE ( Ed. ) - "Waveforms'', Radiation Lab. Series, vol. 19

( McGraw, New York 1 949 ) .
2 - J . MILLMAN e H . TAUB - "Pulse and Digital Circuits" (McGraw, New

York, 1 95 6 ) .
Para maiores informações sobre circuitos transistorizados, recorrer a :
3 - L . STRAUSS - "Wave Generation and Shaping" ( McGraw, New York,

1 960 ) .
4 - M . V . JOYCE e K. H . CLARK - "Transistor Circuit Analysis" (Addison

-Wesley, Reading, Mass., 1 96 1 ) .
5 - J . MILLMAN e H . TAUB - "Pulse, Digital and Switching Waveforms"

( MacGraw, Ne.w York, 1 965 ) .
PROBLEMAS DO CAPfTULO 12
Prob lema 12 . 1 - Uma resistência negativa do tipo indicado na fig. 1 2 . 6 do texto é

construida com um duplo triodo ECC 82, que tem µ = 17 e r. = 7,7 kohms. Sa
bendo que a resistência de catodo é R = 2 Kohms e o circuito é alimentado com
uma tensão de 300 V,
a ) determinar a característica d a resistência negativa, linearizada por segmentos;
b ) construir a mesma curva, mas a partir das características da válvula, publi
cadas no Apêndice 2;
c ) determinar a tensão v ( t ) obtida a o s e ligar uma capacitância d e 1 000 pF
entre os terminais da resistência negativa, utilizando as características dos
ítens ( a ) e. ( b ) , sucessivamente, e comparar os resultados.
Problema 12 . 2 - Um oscilador pode ser construido utilizando a resistência negativa

da característica dos tetrodos ( oscilador dinatron ) , como indicado na fi g . P l2 . 1 . Sa
bendo que a resistência negativa no ponto quiescente vale - 2 000 ohms, C = 200
pF e L é tal que o circuito ressoa em 1 00 kc/s, de.termine o máximo valor de R
que permite o início das oscilações.
_ ---1--<--i 1 1 1-
L--- +-� ! !
Ebb
FIG. P . 12 . 1
Problema 12 . 3 - Construa, com três se g mentos de reta, uma aproximação lineari

zada da curva característica do circuito apresentado na fig . P 1 2 . 2, entre os pontos
simplificar sempre que possível despreze as correntes nas resistências de acoplamen

a e b sabendo que os triodos empreg ados têm µ = 17 e '• = 8,0 Kohms. Para
to em fac� das correntes de placa dos triodas, e suponha nula a resistência do diodo
formado pela grade e catodo das válvulas.
+250 V
2201t.f2
-150 V
FIG. P . 12 . 2
Problema 1 2 . 4 -Verifique que o dispositivo do problema anterior pode ser repre

sentado pelo modêlo da fig. P 1 2 . 3, e. determine os valores dos respecticos parâmetros.
Qual o elemento reativo que deve ser ligado entre os terminais a e b para que o
circuito entre em oscilação de relaxação com período de 10 micro-segundos?
1
1
�PN
r1
FIG. P . 12 . 3
Problema 1 2 . 5 - O circuito d a fig. P l 2 . 4 é constituido com u m duplo triodo ECC

82 ( ver características no Apêndice 2 ) . Calcule os potenciais dos vários eletrodos da
válvula nos estados estáveis, supondo desprezível a resistência dos diodos constitui
dos pelas grades e catodos.
r;-.: cov
i5,8kfl
201rf2 ;E
1
22p F 22pF �20,W
f601tfl. f80 1t.fl.
ECC 82
Prob �ema 1 2 . 6-
1 2201ti7.
-f!50V
FIG. P . 12 . 4
220ki7.
-f50 V f
U m multivibrador instável, com o esquema d a fig. P l 2 . 5 , utiliza
trans1stores PNP com a. = 0,99. Supondo instantânea a transição entre estados de
termine, em prime.ira aproximação :
a ) a s tensões d e coletor e base, e m função d o tempo;
b) a frequência do multivibrador.
-sv
FIG. P . 12 . 5
Problema 12 . 7 - Dado o multi vibrador bi-estável da fig. P 1 2 . 6, construido com

transistores OC 1 71 ( ver características no Apêndice 2 ) , determinar a distribuição de
potenciais nos estados estáveis, bem como as correntes de coletor e de base. Verificar
também os máximos valores de. J,º e lb, em que o circuito se mantem bi-estável.
- 9V
500pF
FIG. P . 12 . 6
.CAPfTULO 13
A REALIMENT AÇÃ O NOS AMPLIFICADORE S
13 . 1 - Introdução :
Na maioria dos circuitos que estudamos até aqui os sinais prosseguiam

sempre num só sentido, da entrada para a saída. Em alguns casos exami
namos mesmo quais as precauções a tomar para impedir o retôrno do
sinal, neutralizando ou unilateralizando o circuito.
Passaremos agora a estudar o que ocorre quando, deliberadamente, uma
fração do sinal de saída de um circuito é realimentada ( ou retro-acopla
da ) na sua entrada. Veremos que as propriedades dos amplificadores podem,
assim, ser modificadas de modo importante e útil.
A realimentação será positiva ou negativa conforme a fração de sinal
que retorna tenha a mesma fase ( ou a mesma polaridade ) ou fase inversa
( ou polaridade inversa ) com relação ao sinal de entrada.
A realimentação positiva permite aumentar o ganho dos amplificado
res, à custa da diminuição de sua estabilidade; se suficiente, poderá mesmo
transformar um amplificador em oscilador. Normalmente, a realimentação
positiva só é usada nesta última situação, isto é, na construção de oscila
dores. Na maioria das vêzes a realimentação positiva aparece por efeito
de parâmetros parasitas ou residuais, ou como sub-produto da introdução
de realimentação negativa.
A realimentação negativa, ao contrário, é extensamente empregada, por
sua capacidade de melhorar as características dos amplificadores nos se
guintes pontos:
a) torna o ganho dos amplificadores menos dependente dos valores
de parâmetros que se alteram durante sua vida ( variação de caracterís
ticas de válvulas ou transistores, variação de temperatura, mudança da
tensão de alimentação . . . ) ;
b ) reduz distorções não lineares e certas perturbações internas dos
amplificadores;
e) modifica níveis de impedâncias e bandas passantes;
d) modifica as características dinâmicas dos amplificadores.
O estudo dos circuitos com realimentação pode ser feito utilizando as
regras gerais de Teoria dos Circuitos; quando, porém, a realimentação é
A REALIMENTAÇÃO NOS AMPLIFICADORES 349
introduzida deliberadamente, convém utilizar um processo de análise que

evidencie as propriedades da realimentação e as modificações por ela in
troduzidas na operação do amplificador. No que se segue mostraremos
como conduzir essa análise.
A introdução deliberada de realimentação negativa num amplificador
acarreta, muitas vêzes, a introdução indesejada de realimentação positiva,
que pode reduzir a estabilidade do amplificador. Daí a necessidade de
examinarmos também o problema da estabilidade dos amplificadores com
realimentação.
Finalmente, notemos que o conceito de realimentação tem uma grande
importância no estudo de sistema não elétricos e, em particular, nos sis
temas de contrôle. Os processos de análise que examinaremos aqui podem
ser extendidos a êstes outros sistemas.
13 . 2 - Realimentação por uma só malha nos amplificadores :
Na realimentação por uma só malha, uma certa fração (3 do sinal de

saída é reenviada à entrada, através do circuito (3, somando-se aí com o
sinal de entrada. Na fig. 13 . 1 apresentamos o diagrama de blóco dêste
·
sistema. Nesta figura o símbolo circular representa um somador e o triân
gulo representa um amplificador unilateralizado e de impedância de entra
da infinita. Sej a G0 ( s ) o ganho dêste amplificador, medido com a malha
de realimentação aberta num ponto em que não passe corrente ( ponto A,
por exemplo ) . A função de transferência (3 é medida nas mesmas condi
ções, com o gerador de sinais E1 inativo.
Do exame dêste diagrama resulta que
03 . 1 )
F.; +
FIG . 13 . 1 - Diagrama de bloco de um amplificador

com realimentação.
Desta equação obtemos o ganho de tensão do amplificador com reali

mentação, resolvendo-a em relação a Eo/E,:
ªº (s)
03 . 2 ) Gc ( S ) =
1 - (3 ( s ) Gº ( s )
A função ganho de um amplificador é assim modificada por efeito da
função de transferência (3 do circuito de realimentação. Esta função é
designada por relação ( ou fator ) de realimentação.
Definiremos ainda a diferença de retôrno da malha de realimentação,

F ( s ), por
( 13 . 3 ) F (s) = 1 - f3 G.
A realimentação mede-se em decibeis a partir da diferença de retôrno :
( 13 . 4 ) F ( db ) = - 20 log J F J
Quando fôr 1 F 1 > 1 o módulo do ganho com realimentação é menor
que o módulo do ganho sem realimentação, 1 G. J . Diz-se então que há
realimentação negativa. Quando, ao contrário fôr J F 1 < 1, o módulo do
ganho com realimentação, J G, 1 , é maior que o módulo do ganho sem rea
limentação, 1 G. I Há neste caso, realimentação positiva.
·
Uma forte realimentação negativa tende a tornar o ganho do ampli

ficador independente de G.. De fato, suponhamos que o ganho sem reali
mentação é negativo e real, isto é, G. = K. Se também f3 fôr real mas
-
positivo e tal que J f3 G. 1 » 1 , da equação 03 . 2 ) obtemos

03 . 5 ) G, ( s ) � - 1/(3
ll:ste artifício é usado para estabilizar o ganho dos amplificadores, pois
o ganho depende essencialmente do circuito (3. Se êste circuito · fôr reali
zado com elementos precisos e estáveis, há constância de ganho do ampli
ficador. O amplificador diz-se então auto-calibrável.
Examinemos com mais detalhes a auto-calibração dos amplificadores
com realimentação negativa. Derivando a equação ( 13 . 3 ) em relação a
G., vem
d G f dG.
o = 1/ ( 1 - (3 G. )'
Multiplicando ambos os membros desta equação por G./G, e simpli
ficando, obtemos
dG,/G, 1
03 . 6 ) s 1/F --- =
A grandeza S é a sensibilidade do ganho total, para variações em G.;

para diminuir essa sensibilidade devemos aumentar a diferença de retôrno.
É claro que assim reduz-se também o ganho total do amplificador. ll:ste
recurso é, no entanto muito usado, porque a compensação da redução do
ganho se faz de maneira econômica, ao passo que sua estabilização por
processos distintos da realimentação é bastante dispendiosa.
Para o exame da variação da sensibilidade com a freqüência, convém
introduzir aqui o diagrama de Nyquist, que será também útil no exame dos
demais problemas relacionados com a realimentação. Passando ao regime
senoidal, as funções que comparecem em ( 13 . 2 ) passam a depender da
variável imaginária jw. Em particular, o ganho da malha de realimen
tação será
03 . 7 ) GL ( jw ) = f3 (jw) G. ( jw )
GL é u m vetor n o plano complexo; à medida que a freqüência varia,
sua extremidade descreve uma curva nesse plano; como, em geral, o ganho
se reduz a zero para freqüências muito altas e muito baixas, essa curva
se fecha na origem ( figura 13 . 2 ) .
A diferença de retôrno obtêm-se fa
cilmente do diagrama de Nyquist.
Basta, para uma freqüência préfixada,
fazer a diferença entre os vetores
1 + jO e Gl, como se indica na fig. 13 . 2 . 1
A realimentação é negativa quando �-t-��---if--; -�-=>,<'--_,��-
1
o extremo de GL cai fora do círculo x
de raio unitário e centro em 1 + jO ,

pois o módulo de F é então maior que
a unidade.
Êste diagrama mostra que a sensi FIG . 13 . 2 Diagrama de Nyquist.
-
bilidade varia com a freqüência, sendo

maior quando a curva de Nyquist passa perto do ponto crítico 1 + jO.
A variação das características dinâmicas do amplificador por efeito
da realimentação é evidenciada por ( 13 . 2 ) . Verifica-se aí que os pólos das
funções Gc e G. são, em geral, diferentes. Em particular, Gc poderá ter
pólos com parte real positiva, indicando a possibilidade de gerar oscila
ções, o que não acontece com G.. Ao tratarmos de circuitos particulares
examinaremos estas modificações nos pólos.
13 . 3 - Redução da distorção e perturbações internas pela realimentação

negativa:
Vamos examinar a influência da realimentação negativa sôbre as dis

torções não lineares geradas no interior do amplificador. Tais distorções
ocorrem sobretudo nos estágios finais, em que o nível de sinal é elevado
e o ponto de operação das válvulas ou transístores pode excursionar fora ·
da regiê.o linear das características.

Para efetuar a análise, substituiremos o amplificador real por outro,
com o mesmo ganho e sem distorção, seguido de um gerador de distorção
( fig. 13 . 3 ) .
b' e rcdcr c!e

disl,:;r.;õo
Amp!i/'. com distor ção Amp!if. s e m distorção

FIG . 13 . 3 - Substituição de um amplificador com distorção.
Efetuando essa substituição, o diagrama de bloco do amplificador com

realimentação assume o aspecto da fig. 13 . 4.
O diagrama de bloco mostra que a tensão de distorção à saída é tal que
E,
+
FIG . 13 . 4 - Introdução da distorção no diagrama de bloco

de wn amplificador com realimentação.
Em conseqüência,
( 13 . 8 )
e a distorção é reduzida pela diferença de retôrno.
A tensão total à saída, por sua vez, é
( 13 . 9 )
Sem realimentação teríamos à saída
( 13 . 10 )
Estas expressões mostram que sinal e distorção ficam divididos pela

diferença de retôrno, à saída do amplificador. Fixada no entanto a tensão
de saída no valor máximo compatível com as características do estágio de
saída, podemos aumentar o sinal de entrada ( pois amplificação em nível
baixo pràticamente não introduz distorção ), de modo a compensar a perda
de ganho do sinal. Nessas condições a percentagem de distorção à saída
fica reduzida pela realimentação negativa.
Efetivamente o emprêgo de realimentação negativa corresponde a um
aumento da região de linearidade das características das válvulas ou tran
sístores de saída.
Da mesma forma que a distorção, ruídos ou perturbações originados no
interior do amplificador podem ser reduzidos em relação ao sinal, e na
mesma relação que a distorção.
13 . 4 - Realimentação negativa controlada por tensão e por corrente:
Supuzemos até agora que a realimentação negativa era efetuada por

uma fração ( complexa ) da tensão de saída, sem investigar a maneira de
extrair esta tensão. De fato, podem apresentar-se duas situações diferentes :
a ) a tensão de realimentação é controlada pela tensão na carga; di
remos que há realimentação negativa controlada por tensão;
b ) A tensão de realimentação é controlada pela corrente na carga,
e há realimentação negativa controlada por corrente.
Estas duas possibilidades, que levam a propriedades diferentes com

relação ao contrôle de impedância de saída do amplificador, estão exem
plificadas, respectivamente, nas figuras 13 . 5-a e b.
Qualitativamente, verifica-se com facilidade que a realimentação nega
tiva controlada por tensão baixa a impedância de saída. De fato, se a im
pedância de carga diminui, baixa também a tensão de saída; em conse
qüência, diminui a tensão realimentada negativamente, o que tende a fazer
aumentar a tensão de saída. A realimentação melhora a regulação do
amplificador com relação à impedância de carga, o que corresponde efe
tivamente a baixar sua impedância interna. Anàlogamente mostraríamos
que a realimentação negativa controlada por corrente aumenta a impedân
cia interna do amplificador.
Passemos agora ao exame quantitativo dêste problema, começando com
a realimentação controlada por tensão ( fig. 13 . 5-a ) .
�.
l,_
a) Realimentação negativa controlada por tensão .
Z;l2
b) Reoltmentaç:Õo negativa c ontrolado por corrente
FIG . 13 . 5 - Tipos de realimentação negativa.
Se não houvesse realimentação, a tensão de saída seria
( 13 . 1 1 ) Eo = Ko E, Z,/( Z, + Z, )
Note-se que o K0 desta equação é diferente do Go de 03 . 2 ) ; ambos estão

relacionados pela expressão
( 13 . 12 ) G0 = Ko Z,/(Z, + Z, )
Aplicando ao circuito a expressão geral ( 13 . 2) e tendo em vista ( 13 . 12 ) ,
vem, após algumas simplificações,
z,
( 13 . 13 ) Eo = ---- ------
1 - p Ko Z;/ U - Ko p ) + Z,
Comparando esta expressão com ( 13 . 1 1 ) , verificamos que a impedância
interna com realimentação reduziu-se a
( 13 . 14 ) Z" = ZJU - Ko p ) = ZJF
Se a realimentação é negativa, 1 F 1 > 1, e a impedância interna de

fato se reduz.
Passemos agora ao caso da realimentação negativa controlada por
corrente ( fig. 13- b ) . A expressão geral ( 13 . 2 ) refere-se agora à tensão indi
cada na figura por E,, com
( 13 . 15 ) P = Zr/ ( ZL + Zr )
( 13 . 16 ) Go = Ko ( ZL + Zr )/( ZL + Zr + Z; )
A tensão de saída do amplificador é
( 13 . 17 )
Mas, pela expressão geral da realimentação,
Ko ( ZL + Zr )
E, = E, Go/U - p Go ) = --------
ZL + Z1 + ( 1 - Ko ) Zr
e portanto a tensão de saída resulta
( 13 . 18 ) Eo = ------- E,
Esta expressão most.ra que a impedância interna do amplificador ficou

aumentada de Zr ( 1 Kº ) . Esta quantidade é grande, pois Ko, além de
-
elevado, deve ser negativo para que a realimentação também sej a negativa.
Notemos ainda que os dois tipos acima descritos podem coexistir num
mesmo amplificador.
Passemos agora a examinar alguns circuitos típicos de realimentação.
13 . 5 - Exemplos de realimentação controlada por tensão :
a) Circuito geral :
Como nem todos os tipos de circuitos que vamos examinar se enqua
dram diretamente no diagrama de bloco da fig. 13 . 1 , vamos introduzir
aqui o modêlo da fig. 13 . 6 e referí-lo ao diagrama de bloco.
No diagrama de bloco a tensão E , é a tensão na entrada com E0 identi

camente nulo, ou sej a, com a saída em curto. Portanto, da fig. 13 . 6-a obtemos
:zf
(a) (b )
FIG . 13 . 6 - Circuito com realimentação negativa de tensão e diagrama de
bloco básico.
R, Zr/ ( R, + Zr )
( 13 . 19 ) E, = ------- Es = Es = a. Es.
Rs + R, Zr/ ( R0 + Zr ) Rs ( R, + Zr) + R, Z1
E0 será a tensão à entrada, com Es O, isto é, com o respectivo gerador =
em curto-circuito. Da fig. 13-6-a, verificamos que

R, R,/ C R, + R, )
Z1 + Rs R./ < Rs + R, )
Em conseqüência, o fator de realimentação fica

R, Rs
( 13 . 20 ) � = ------
Z r < R s + R,) + Rs R,
O ganho global do amplificador ( com realimentação ) é definido por

Eº E,
( 13 . 21 ) G, = E o/Es =
E, Es
Mas, de 03 . 19),
EJEs = CJ.
e do diagrama de bloco,
Eº ªº
=
E, 1 -
p ªº
Portanto,
( 13 . 22 )
Considerando ainda que
( 13 . 23 )
o ganho global do amplificador fica

z, p ªº
( 13 . 24 ) G, =
Rs 1 - p Gº
b) Admitância de entrada e efeito Miller:

Vamos determinar a impedância de entrada do amplificador com reali
mentação do tipo antes descrito.
Façamos, para isso, R, = O no circuito da fig. 13 . 6-a. Em conse
qüência, a admitância de entrada fica
( 13 . 25 ) Y, = I;/Es
Mas, da mesma figura,
I, = ( Es - Eo )/Z1 + Es/R,
Agora vale E0 = G0 Es, pois a condição Rs = O e a alimentação por

gerador de tensão suprimiram a realimentação. Fazendo ainda Y1 = l/Z1 e
G, = 1 /R,, a equação anterior fica
I, = Es ( 1 - Go ) Y1 + G, Es
e a admitância de entrada resulta
( 13 . 26 )
N o caso d e amplificadores de ganho elevado e u m s ó estágio ( a válvula

ou transistor ) Go é negativo e de módulo bastante grande; se G, fôr des
prezível, resulta
( 13 . 27 )
Se o amplificador fôr a triodo ( pag. 355 ), a admitância Y1 resulta apenas

da capacitância grade-placa; tudo se passa como se esta capacitância fôsse
multiplicada pelo ganho do amplificador. J!;ste efeito é conhecido por efeito
Miller.
c) Conversor de impedância negativa :
Façamos Gº = + 2 e G, = O em ( 13 . 26 ) ; resulta em conseqüência
( 13 . 28 )
Portanto, u m amplificador que satisfaça à s condições acima indi

cadas ( pelo menos na região central de sua banda passante ) apresenta uma
impedância de entrada igual à impedância de realimentação, tomada com
valor negativo. Se a realimentação se fizer por uma simples resistência,
sua admitância de entrada é uma resistência negativa de mesmo módulo.
13 . 6 - Amplificador operacional:
Os amplificadores operacionais são extensamente utilizados em sistemas

de computação ou simulação analógica, em sistemas de contrôle ou ins
trumentação, ou como elementos básicos para a síntese de circuitos ativos.
Bàsicamente, um amplificador operacional consta de um amplificador
de acoplamento direto e ganho elevado, com entrada diferencial, associado
a um circuito externo de realimentação negativa. Em sua versão moderna,
A REALIMENTAÇÃO NOS 1 AMPLIFICADORES 357
tais amplificadores são realizados com transistores de j unção, transistores

de efeito de campo ( FET ) ou em circuitos integrados. Dispõem de dois
terminais de entrada ( correspondentes a um estágio de amplificador dife
rencial ) e um ou dois terminais de saída. Nas figs. 13 . 7 e 13 . 8 indicamos
os símbolos representativos dêstes amplificadores, com os respectivos
modelos.
,- - - - - - - -z� -;
o----'---�
1 1
1 1
1 zin GEi. 1
1 1
1
_ _ _1
FIG . 13 . 7 - Símbolo de amplificador operacional a saída

simples e seu modêlo.
Nos símbolos destas figuras omitimos a indicação das alimentações
lE0° - 2 G E 1
( fonte positiva e fonte negativa ) dêstes amplificadores.
- - - - - - - -- - -,
1 .
fit
1
Zo 1
1
+ 1
1 1
.... 1 E;0 1
1
l 1
1
1
1 + 1
1
L - - - - - - - - � __J1
z
FIG . 13 . 8 - Símbolo do amplificador operacional a saída

simétrica e seu modêlo.
O amplificador operacional ideal teria como características :
impedância de entrada: z,. -> co ; ganho : G -> co

impedância de saída : Z0 = O
com a propriedade de ser E. =O quando fôr E, O. óbviamente os modêlos

=
indicados nas figs. 13 . 7 e 13 . 8 têm esta última propriedade, pois não

introduzimos neles as tensões de alimentação e as assimetrias inerentes a
um amplificador real.
Nos amplificadores reais a estado sólido, a impedância de entrada variará
de várias dezenas de Kohms a megohms; o ganho poderá situar-se entre
10• e 10' e a impedância de saída será da ordem de unidades a centenas de
ohms. Apresentam ainda os amplificadores reais duas outras imperfeições,
pelas quais a tensão de saída é ligeiramente diferente de zero quando fô.r
E, = O: a ) o amplificador requer uma pequena tensão e corrente de polari
zação que, se não forem compensadas, ocasionam um deslocamento do zero
( "offset" ) ; b ) temperatura, envelhecimento e variações das tensões de alimen
tação causam variações no deslocamento do zero, ocasionando uma deriva
na saída do amplificador. O deslocamento do zero pode ser compensado
por meio de circuitos externos; a deriva, ao contrário, só pode ser reduzida
cj) amplificador com in ve�iio {mulfiplicaciio por - k )
. �.
/;) amplificador sem inversão (mul/iplicoçõo por ,. K)
e) seguidor de tensaõ .
e2
e, o-vvi,.....,=--�
o-""1."-=--�---�NV'---�
d) somador.
e) suhtrtrtor.
procurando-se combinar os transistores de entrada e montando-os sôbre um

mesmo bloco metálico, para mantê-los, na medida do possível, à mesma
temperatura.
Os amplificadores operacionais são utilizados em vários circuitos de reali
mentação que serão descritos a seguir. Em todos êles, no entanto, valem
duas propriedades básicas :
a ) em operação normal, o s terminais de entrada estão pràticamente ao
mesmo potencial; de fato, se a tensão máxima de saída fôr, por exemplo, de
10 V e o ganho do amplificador igual a 105, a tensão E; será de apenas 0,1 mV.
Êstes terminais constituem assim uma "terra virtual".
b) em conseqüência, a corrente de entrada é pràticamente nula. Assim,
no exemplo anterior, com Z;n 100 Kohms, teremos l;n
= 10·•; 10s 10-• A. = =
Vejamos agora alguns circuitos básicos de utilização dos amplificadores

• operacionais.
13 . 7 - Circuitos com amplificadores operacionais:
Mostremos agora que é possível realizar várias funções associando uma

rêde de realimentação negativa conveniente a um amplificador operacional.
Na fig. 13 . 9 indicamos os principais circuitos, juntamente com a relação
entre as tensões de entrada e saída, no caso do amplificador ideal. Note-se
que estas relações estão escritas no domínio do tempo, isto é, não utilizamos
transformadas. Tais relações deduzem-se facilmente, lembrando que no ampli
ficador operacional ideal a tensão entre os terminais de entrada é rigorosa
mente nula, bem como a corrente que os atravessa.
Naturalmente, nos amplificadores reais estas condições não são exata
mente satisfeitas, do que resulta um pequeno êrro. Para avaliar êste êrro,
vamos deduzir a relação correspondente ao amplificador com inversão
( caso a ) , supondo que o amplificador tem um ganho - G e uma resistência
de entrada R;n, ambos finitos. Substituindo o amplificador operacional pelo
modêlo indicado na figura 13 . 7, obtemos o circuito da fig. 13 . 10. Recaímos
assim na situação indicada no circuito da fig. 13 . 6-a. Pela equação ( 13 . 24 ) ,
com - G e m lugar d e Gº vem
,- - - - - - -· - - - - - - ....,
1 1
1
1
1
1
1
1
_j
FIG . 13 . 10 - Modêlo d o amplificador

com inversão.
R, �G
( 13 . 29 ) G,
1 + �G
( )
onde
( 13 . 30 ) � =
Rf R,
-- + 1 + R,
.
R ,º
A relação ( 13 . 29 ) mostra que se a diferença de retõmo fôr muito maior
que 1 teremos
e0 Rf
e. R,
Ora, num amplificador operacional esta condição é fàcilmente verificada,
bastando que escolhamos R , e Rf menores que a impedância de entrada R,"
e o ganho sem realimentação sej a razoàvelmente elevado.
Completaremos êste exame sucinto dos amplificadores operacionais com ·
alguns comentários sôbre os circuitos da fig. 13 . 9; os circuitos a, b, d, e e f

são empregados em simulação analógica, constituindo blocos para efetuar,
respectivamente, multiplicação por constante negativa, multiplicação por
constante positiva, soma, subtração e integração no tempo. No circuito inte
grador uma chave em paralelo com o capacitor estabelece a condição inicial
nula.
O seguidor de tensão ( circuito e ) , tem como principais vantagens uma
impedância de entrada elevada e uma impedância de saída muito baixa.
No caso de um amplificador real, demonstra-se que a impedância de entra
da do seguidor de tensão é dada pelo produto G Z,n, isto é, é igual à impe
·
dância de entrada do amplificador em malha aberta multiplicada pelo seu

ganho, também em malha aberta. A impedância de saída é Z./G, onde Zn é
a impedância de saída em malha aberta.
Muitas outras aplicações dos amplificadores operacionais, bem como
-
detalhes sôbre suas imperfeições, podem ser encontrados na bibliografia
indicada no fim do capitulo.
13 . 8 Exemplo de realimentação controlada por corrente:

·
Como exemplo de realimentação negativa controlada por corrente,
vamos examinar aqui o circuito de um amplificador com impedância cató
dica não desprezível ( fig. 13 . 1 1 ).
eh,
-rrj5� z-F-- +
__
FIG .
_,__ -
____
13 . 11
___,T-
Circuito com realimentação
pelo catodo.
A REALIMENTAÇÃO Nos. AMPLIFICADORES 361
O ganho do amplificador obtêm-se imediatamente aplicando a equa

ção 03 . 18 )
0 3 . 31 ) Gc ( S ) = Eo/E ; = -----
ZL + Z; + Zr ( 1 - K0)
onde Kº é o ganho do amplificador em circuito aberto.
No caso de amplificadores com pentodo, de banda larga, o ganho em
aberto é gm Tp, incluindo as capacitâncias parasitas na carga. Portanto,
-
03 . 32 ) G (s) = ------
ZL + Tp + Z1 (1 + gm Tp )
Como r" é muito maior que as demais impedâncias,
- gm ZL
03 . 33 ) Gc ( s ) = -----
1 + gm Zr
Lembrando que o ganho sem realimentação é gm ZL, verifica-se que -
a realimentação negativa reduz o ganho, dividindo-o por ( 1 + gm Z1 ) .

Mostremos agora que a realimentação negativa aumenta a banda pas
= -- -----
sante do amplificador. Para isso, vamos substituir ZL por seu valor em
=
freqüências altas, isto é,
1 1
03 . 34 ) ZL com w, 1 / RL CT
CT s + w,
Usando a expressão aproximada ( 13 . 33 ), vem, supondo ainda que Zr

é constituída pela combinação paralela de Rk e e.,
1
03 . 35 ) Gc = , com wk
CT ( s + w, ) [l + gm/Ck ( s + Wk )]
ou ainda, simplificando,
1 - gm ( s + wk )
03 . 36 ) G
Em particular, se fizermos w, = w., isto é, RL CT = RK Ck resulta
03 . 37 )
Esta expressão mostra que a nova freqüência de corte superior do
amplificador é
03 . 38 ) = w, (1 + gm R. >
R. Ck
Nestas condições, a freqüência de corte superior vem multiplicada pelo
fator 1 + gm Rk. É claro que o ganho de referência vem dividido pelo
mesmo fator, de modo que a realimentação não aumenta o índice de mé
rito do amplificador. As outras vantagens decorrentes da realimentação,
sobretudo com respeito à auto-calibração do amplificador podem, no

entanto, recomendar esta solução.
13 . 9 - Realimentação positiva; desacoplamento entre estágios:

A realimentação positiva é pouco usada, a menos que se deseje cons
truir osciladores. Aplicada aos amplificadores, diminui sua estabilidade
e pode levá-los a modos espúrios de oscilação.
É mais comum o emprêgo de realimentação positiva nos amplificadores
dentro de uma malha de realimentação negativa. Nesse caso a primeira
realimentação aumenta o ganho do circuito, ao passo que a segunda asse
gura sua estabilidade.
A realimentação positiva aparece muitas vêzes associada a efeitos se
cundários, tais como o efeito Miller, causando oscilações espúrias, geral
mente inesperadas.
Outras vêzes a realimentação positiva se faz através da impedância
interna das fontes que alimentam o circuito. Para evitá-la, inserem-se
filtros de desacoplamento, constituídos por circuitos R, C, na linha de ali
mentação. No caso de fonte de tensão positiva tais filtros podem ser
dispostos como se indica na fig. 13 . 12. As constantes de tempo do circuito
R, C devem ser ao menos 10 vêzes maiores que o inverso da freqüência de
corte inferior do amplificador ( para maiores detalhes, ver F. E. Terman,
"Radio Engineering Handbook pgs. 406 ss, McGraw-Hill, 1943 ) .
FIG . 1 3 . 12 - Filtros d e desacoplamento entre estágios de

um amplificador.
Outros cuidados para evitar oscilações espurias incluem: disposição

cuidadosa da fiação, evitando a proximidade dos fios de entrada e saída,
sobretudo nos amplificadores de ganho elevado; inserção de pequenas resis
tências em série com as grades; amortecimento por resistência das indu
tâncias de fiitro ou desacoplamento, etc.
13 . 10 - Estabilidade nos amplificadores com realimentação negativa;

critério de Routh-Hurwitz:
Ao se aplicar realimentação negativa num circuito, é possível que êle

oscile, isto é, forneça um sinal de saída com sinal de entrada nulo, devido
à variação da realimentação na gama de freqüência do amplificador.
A REALIMENTAÇÃO NOS( AMPLIFICADORES 363
Portanto, ao proj etar circuitos com realimentação é necessário que se

examine sua estabilidade, ou imunidade a oscilações.
Outras vêzes a realimentação é introduzida no circuito justamente para
fazê-lo oscilar; neste caso os critérios de estabilidade fornecem as condi
ções para a oscilação, através da sua não validade.
Há dois critérios importantes para o estudo da estabilidade dos ampli
ficadores : o critério de Routh-Hurwitz, essencialmente analítico, e o cri
tério de Nyquist, que se adapta aos dados experimentais. Vejamos inicial
mente o critério de Routh-Hurwitz.
De um modo geral, a operação do circuito será descrita através de
uma função de rêde ( por exemplo, uma função ganho ), que é sempre dada
por uma relação entre dois polinômios inteiros :
bo s m + bi s m 1 +-
( 13 . 39 ) F (s) K -��
ao S" + a1 Sº - 1 + + a0
Para que o circuito sej a estável, os pólos desta função devem ter
partes reais negativas; se assim não fôr a resposta conterá componentes
,
que crescem exponencialmente com o tempo. Como os pólos de F ( s ) são

os zeros do seu denominador, segue-se que a equação
03 . 40 ) a0 S" + a1 Sº -
1 + . . . + a. - 1 S + a. = 0
deve ter apenas raízes com parte real negativa. Uma condição necessária,
mas não suficiente, para que isso aconteça é que todos os coeficientes da
equação tenham o mesmo sinal.
Para obter uma condição necessária e suficiente, formam-se os seguintes
determinantes com os coeficientes da equação :
1 a1
( 13 . 41 ) 1 a,
1 ª'
ªº
a,
ª•
O
a1
ª'
/1 a.
ª'
o
a1 a. . . . . . o
o
U2n- l U2n- 2 U2n-3 · · · · · · · · · Un
Nestes determinantes deve-se colocar a, = O tôda a vez que fôr r > n.

Para que as raízes de ( 13 . 40 ) tenham as partes reais não positivas, é
necessário e suficiente que todos os determínantes acima sej am positivos,
admitindo ªº > O.
Vamos a seguir ilustrar a aplicação dêste critério com alguns exemplos.
Para a sua demonstração, o leitor poderá consultar :
a ) F. von Mises, "Differential Gleichungen der Physik", vol. 1 , pg. 162 ss,
2.• ed. Braunschweig, 1930;
b ) E. A. Guillemin, "Mathematics of Circuit Analysis", págs. 395 ss.,
Willey, 1949.
13 11
. - Aplicação do critério de Routh-Hurwitz aos osciladores :
Muitos circuitos auto-osciladores podem ser representados pelo esque

ma geral da fig. 13 . 13-a, ao qual corresponde o modêlo da mesma figura b.
G
z,
(ca l (b)
1''IG . 13 . 13 - Esquema geral de um oscilador e correspondente modêlo
incremental.
Adotando como variável as correntes indicadas na figura e notando

que E, - z, I e Ec - z, I., as equações de malhas do circuito ficam
=
r z, Ir + ( Z, + z, + Z3 ) I O =
( 13 . 42 ) � [rp + ( 1 + ) Z, + Z ] lp +
l µ 2 ( Z, - µZ, ) I O =
A estabilidade do circuito deve ser examinada a partir do determinante

dêste sistema, que será, no máximo, uma equação do 4.º grau em s :
( 13 . 43 ) ao s • + a , s' + a, s' + a, s + a, = O
Formando os determinantes ( 13 . 41 ), a condição de instabilidade do

circuito, ou sej a, a condição de oscilação, será que pelo menos um dêles
sej a negativo. Portanto, devemos ter
03 . 44 ) a, a, - ªº a, < O
ou, alternativamente,
03 . 45 ) ( a, a, - a. a, ) a, - a,' a, < O
Vamos aplicar êstes resultados ao oscilador Hartley ( fig. 13 . 14 ) .
FIG . 13 . 14 - Esquema do oscilador Hartley e seu modêlo
{
incremental.
As impedâncias z,, z, e z, são :

Z, = ( L, + M ) s + R ,
( 13 . 46 ) z, = ( L, + M ) s + R,
Z, = 1/sC
A REALIMENTAÇÃO NOS\ AMPLIFICADORES 365
Supondo ainda que R, e R, são muito menores que r.,, a equação ( 13 . 43 )

reduz-se a
03 . 47 ) (1 + µ) (L, + M ) ( L, + M ) e S3 + rp (L, + Li + 2M ) Cs' +
+ [ (R, + R, ) rp C + ( L, + M ) ] s + r. O =
Pela condição 03 . 44 ) , o circuito poderá gerar oscilações se

03 . 48 ) ( L, + L, + 2M ) [ (R, + R, ) rp e + (L, + M ) ]
< ( 1 + µ ) ( L, + M ) ( L, + M )
<
Como s e depreende dêste exemplo simples, o critério de Routh-Hurwitz

leva a cálculos bastante extensos.
13 . 12 - O critério de Nyquist:
O critério de Nyquist refere-se especificamente à estabilidade de ampli

ficadores com realimentação, em que a função ganho é dada por
( 13 . 49 ) Gc ( s ) = Gº ( s )/ [1 - � ( s ) G0 ( s ) ]
Trata-se, portanto, d e ver s e o s pólos d e Gc ( s ) estão fora d o semi
plano complexo direito, no plano da variável complexa s. l!:ste plano será
designado a seguir por plano S.
Suporemos inicialmente que o amplificador é estável sem realimenta
ção, isto é, a função Gº ( s ) não tem pólos no semi-plano à direita do plano
S. O mesmo sucede com a função � ( s ), uma vez que a realimentação é
introduzida por uma rêde passiva.
A estabilidade do amplificador com realimentação dependerá pois dos
zeros da função diferença de retôrno, F ( s ) 1 � ( s ) Gº ( s ), que serão
= -
pólos de Gc ( s ) ; os pólos de F ( s ) são os pólos de � ( s ) e de Gº ( s ) .

Consideremos agora o que sucede quando a variável s descreve um
contôrno fechado no plano S. O afixo de F ( s ) descreverá outra curva num
segundo plano complexo, chamado plano F, cujos pontos têm por coorde
nadas as partes real e imaginária de F ( s ) . Se a função F não tiver pontos
singulares no interior do contôrno C, o contôrno correspondente, C', no
plano F, será descrito no mesmo sentido ( fig. 13 . 1 5 ) .
jw
FIG . 13 . 15 - Contôrno e mapeado no plano F.

Se não houver pólos ou zeros sôbre o contôrno C, o chamado "Princípio

do Argumento" da teoria de funções afirma que "o número de vêzes que
o contôrno C' envolve a origem do plano F é igual à diferença entre
o número de zeros e o número de pólos de F ( s ), internos ao contôrno C
no plano S". Pólos e zeros múltiplos são contados aqui de acôrdo com as
respectivas multiplicidades.
l!;ste princípio pode ser aproveitado para verificar a existência de zeros
da função F no semi
,j w
-plano direito. Basta fa
zermos, em primeiro
lugar, com que o con
tôrno e envolva todo o C'
semi-plano direito. Isto
se consegue com o semi
-círculo da fig. 13 . 16 fa
zendo õ --> O e R __, oo
( é preciso que a função
F não tenha, em conse
qüência, singularidade!."
Sôbre O eixo imaginá· FIG . 13 . 16 Contõrno C que abrangerá todo o
-
semi-plano direito.
rio; caso contrário será
preciso evitá-las, desviando ligeiramente do eixo imaginário ) .
J á sabemos que a função F ( s ) não têm pólos com parte real positiva;
em conseqüência, se o lugar geométrico dos afixos de F ( s ) no plano F
envolver a origem haverá pelo menos um zero de F ( s ) com parte real po
sitiva, e o amplificador é instável. Portanto, a condição de estabilidade
do amplificador pode ser enunciada do seguinte modo : "um amplificador
com realimentação será estável se o lugar geométrico dos afixos da dife
rença de retôrno F ( s ) no plano F, quando a variável s descreve o eixo ima
ginário do plano S, de - j oo a + j oo, não envolver a origem do plano F".
Efetivamente não é necessário fazer o lugar da função F; podemos
aproveitar o diagrama de Nyquist ( fig. 13 . 2 ). De fato, como
( 13 . 50 ) F (s) = 1 - GL ( s )
onde GL é o ganho da malha de realimentação, a origem do plano F cor
responde ao ponto crítico 1 + j O no diagrama de Nyquist e precisaremos
examinar se o lugar da função GL envolve ou não o ponto crítico.
Portanto, um amplificador com realimentação será estável se e apenas
se o diagrama de Nyquist da função GL não envolver o ponto crítico.
Na construção do diagrama de Nyquist de GL podem ser consideradas
as seguintes simplificações, que reduzem o trabalho :
a ) como GL (jw) = GL (- jw ), o que se verifica pela simetria do dia
grama de pólos e zeros em relação ao eixo real, basta construir o· lugar
de GL para w variando de o a oo . A parte correspondente aos w negativos
será simétrica em relação ao eixo real, no diagrama de Nyquist;
b ) pràticamente GL tende a zero quando w tende a infinito, por causa
das inevitáveis capacitâncias parasitas. Basta então construir o lugar de
GL até que seu módulo fique inferior a 1; para freqüências mais altas, o
lugar não pode mais envolver o ponto crítico.
Se o lugar de GL passar pelo ponto crítico, o amplificador estará no
limiar da estabilidade; qualquer causa que lhe aumente ligeiramente o ganho
torna-o instável ( fig. 13 . 17-b ).
E m outra situação, podemos ter amplificadores e m que a redução do
ganho leve à instabilidade; tal situação ocorre quando o diagrama de
Nyquist tiver o aspecto indicado na fig. 13 . 17-c. É claro que uma redução
uniforme do ganho ( que pode ocorrer, por exemplo, pela saturação do
amplificador ) faz com que o lugar de GL envolva o ponto critico, causando
oscilações. Os amplificadores dêste tipo dizem-se condicionalmente estáveis.
A estabilidade condicional deve ser evitada.
o! A mp lificador i n c. o n dic i o b) Amplificador no lim iar

nalm ente es tó vet de EfS tobilidade .
e ) A mp lificador c on di c i onaL
rn e n te e s tá ve l
FIG . 13 . 17 - Diferentes tipos de

diagramas de Nyquist.
Nota : Na fig. 13 . 17 representamos apenas a parte dos lugares geomé

tricos correspondentes aos w positivos; as outras partes das curvas serão
simétricas com relação ao eixo real.
Finalmente, notemos que o diagrama de Nyquist pode ser levantado,
no todo ou em parte, por processos experimentais, com a malha de real!.:
mentação do amplificador aberta em um ponto conveniente. Outrossim,
sua construção pode ser facilitada por meio da aproximação assintótica

das curvas de resposta, já examinada anteriormente.
Bibliografia do Capítulo 13
A obra clássica sôbre realimentação nos amplificadores é :

1 - H . W . BODE, "Network Analysis and Feedback Amplifier Design", Van
Nostrand, New York, 1 945.
Para tratamentos mais sucintos, consultar :

2 - E. J. ANGELO Jr., "Electronics Circuits", 2.ª ed., cap. 1 9, McGraw-Hill,
New York, 1 964.
3 - J. D. RYDER, "Engineering Electronics", cap. 7, McGraw-Hill, New
York, 1 957.
Uma exposição detalhada sôbre realimentação, incluindo algumas noções sobre

simulação analógica é :
4 - G . J . THALER e R . G . BROWN, "Analysis and Design o f Feedback Con
trol Systems", 2.ª ed., McGraw-Hill - Kogakusha ( New York ) , 1 960.
Sôbre computação analógica, consultar :

5 - N. R. SCOTT - "Analog and Digital Computer Technology'',
McGraw-Hill, 1 960.
PROBLEMAS DO CAPITULO 13
Problema 13 . 1 - Deseja-se aplicar uma realimentação negativa a um amplificador

cujo ganho em malha aberta é igual a - 1 0.000, de modo que sua sensibilidade total
fique igual a 0,0 1 . Qual o valor de � necessário? Qual o ganho com realimentação?
Problema 1 3 .2 - Um amplificador de áudio, na região central de sua banda pas

sante, forne<:e à saída uma tensão de 100 V, com 1 0 % de distorção. O ganho do am
plificador é igual a - 20. Introduz-se realimentação negativa para reduzir a distorção
a 2 % . Qual o valor de � necessário? Qual a tensão de entrada a ser aplicada ao am
plificador com realimentação para fornecer os mesmos 100 V à saída?
Problema 1 3 .3 - Verifique a estabilidade ( ou instabilidade ) dos circuitos re.p resen·

tados pelas funções de rêde abaixo, utilizando o critério de Routh-Hurwitz :
(1 + s/200) (1 + s/1 00)
a) F(s) = K
i' + 600 s + 500
i' + 1
b) F(s) K
s' + 4i' + s - 6
i' + 1
c) F(s) K
s' + 4i' + s + 6
...
Problema 13 . 4 - Construir o diagrama dos pólos e ze.ros da impedância do circuito

da figura P 1 3 . 1 . Introduzindo as aproximações convenientes, construir o lugar geo
métrico de Z(jw ) , para w variando de - oo a + oo , no plano F.
fOOfl.
0, 1 H
FIG . P . 13 . l
Problema 13 . 5 - U m amplificador RC a u m estágio tem u m ganho de referência

igual a - 50 e frequências de corte supe.rior e inferior iguais, respectivamente, a 100
e 50 . 000 rd/s. Utilizando a aproximação assintótica e o diagrama de Bode, respecti
vamente, construir o lugar geométrico da função ganho dêste amplificador no plano F.
Problema 13 . 6 - No amplificador do problema anterior introduz-se uma realimen

tação com (3 = 0,01 ( real ) . Traçar o diagrama de Nyquist do amplificador com
realimentação e determinar seu ganho de referência e as novas frequências de córte.
Problema 13 . 7 - No amplificador de áudio esquematizado na fig. P 1 3 . 2 um sinal

de entrada de 1 mV fornece 10 W à resistência de carga de 10 ohms. Pergunta-se :
a) qual o fator d e realimentação (3 ?
b) qual o valor de K?
c) qual a redução de distorção devida à realimentação?
fM.12
,.. - - - - - - - - - - - - -,
fkfl +
1 1
10.n.
1 1
L - - - - - - - - - - - -.J
FIG . P . 13 . 2
APl!:NDICE 1
A TRANSF ORMAÇÃ O DE LAP LACE E SUA

AP LICAÇÃ O A TE ORIA DA S RÊDE S
A. 1 - Introdução:
A resolução de rêdes lineares implica na resoluçãó de equações dife

renciais ordinárias lineares e a coeficientes constantes, ou na determi
nação de soluções de sistemas de equações diferenciais dêsse mesmo
tipo. Quando atacada pelos métodos clássicos, esta solução é, habitualmente,
'
assaz trabalhosa.
Com o fito de simplificar certas operações costuma-se, muitas vêzes,
transformar os operandos, a fim de fazer com que a operação se transfor
me em outra mais simples. Um exemplo corriqueiro de transformação
é a utilização de :Logaritmos para efetuar produtos : ambos os fatores são
transformados em seus logaritmos, e o produto de ambos se transforma
na soma dos logaritmos. Com o auxílio de uma tábua, passa-se do loga
rítmo do produto a seu anti-logarítmo, que fornece o resultado da opera
ção. Cada fator pode ser considerado como um original, ao qual se associa
uma transformada ( o logaritmo ). A operação "multiplicação dos originais"
se torna uma "soma das transformadas", cuj a anti-transformada ( anti-lo
garítmo ) fornece o resultado desej ado.
De maneira análoga, há transformações que transformam as opera
ções de derivação ou integração em multiplicações ou divisões; aplican
do-se tais transformações às equações diferenciais, estas se transformam
em equações algébricas, mais facilmente solúveis. A anti-transformada da
solução das equações transformadas fornecG o resultado da integração da
equação diferencial original.
Dentre as várias transformações utilizáveis para êsse fim é mais em
pregada, atualmente, a transformação de Laplace, por conduzir, em geral,
a soluções mais simples dos problemas de rêdes. É esta transformação que
introduziremos a seguir, não na sua forma mais geral, mas naquela que
permite a resolução de problemas de circuitos mais diretamente ( método
indicado por J. C. Jaeger, "Laplace Transformation" ) .
Convém ressaltar que a transformação d e Laplace tem, neste curso,
um interêsse muito maior que a mera simplificação de processos de resolu
ção de equações diferenciais, pois permitirá o desenvolvimento da teoria de
A TRANSFORMAÇÃO DE LAPLACE E SUA APLICAÇÃO À TEORIA DAS RÊDES 371
uma forma geral, sem restrições quanto ao tipo de variação temporal das
correntes ou tensões.
Além disso, a transformação de Laplace é um poderoso instrumento
de análise matemática, cabendo-lhe pois um papel importante nos cursos
respectivos.
A . 2 - A transformação de Laplace:
Consideremos uma função f ( t ) , definida para os t > O. Sej a f ( t )

contínua para os t > O excetuado, eventualmente, um número finito de
descontinuidades em qualquer intervalo finito O < a :::;:; t � b. A trans
farmada de Laplace da função f ( t ) é dada pela integral imprópria.
/
,.
(A . 1 ) L [f ( O J F (s) e · " , ( t ) dt,
o
onde s indica a variável complexa, desde que exista um complexo sº tal

que a integral acima sej a convergente para a parte real de s > parte
real de So.
As funções f ( t ) para as quais ocorre esta convergência são ditas
funções L-transformáveis ( para maiores detalhes ver : GHIZZETTI "Calcolo
Simbólico", Zanichelli, Bologna 1943, ou GARDNER e BARNES, "Transients
in Linear Systems", Wiley, New York, 1942 ) .
A transformação d e Laplace é uma transformação linear, isto é, goza
das seguintes propriedades :
=
(A.2)
L U1 < t ) + li ( O + f, ( t ) + . . .J = L U1J + L [ f, J + L Ud +
(A.3) L [ e , f, ( t ) + e, f, ( t ) + . . . ] e, L [/,] + e, L [ f, ] + . . ·
onde os e, são constantes.

Aplicando a definição, calculemos a transformada de Laplace de algu.
mas funções simples, úteis ao cálculo de circuitos :
a) Função de Heaviside, ou degrau unitário :
{
Esta função é dada por ( fig. A 1 ) . .
O para t < O
(A.4) u_, ( t ) =
1 para t > 0
J
Sua transformada de Laplace será :
e.o f i------
L [ u_, ( t ) ]
1
(A.5) = e·" · 1 dt
s t
FIG . A. 1
b) e-a.t
J
Função exponencial, f ( t ) = '
com a real ou complexo, t � O:

00
1
(A.6) L [eª' ] = e-" e" dt
s - a
o
Função seno f ( t ) sen wt; ( w real, t > 0 )
--
e) =
Aplicando a identidade
1
sen wt = ( eiw' - e-Jw• ),
2j
[ ])
o resultado anterior, combinado com as propriedades lineares da transfor·
mação, fornece :
L e-iw• , donde
L
w
(A.7) [sen wt]
s ' + w2
d) Função cosseno, f ( t ) = cos wt; ( w real, t > 0)
De forma análoga obtemos :

s
(A.8) L [cos wt]
s 2 + w2
-
ê) Função impulsiva ou impulso unitário, uº ( t ) :
Partamos de um impulso no instante t = t., i . é , de u0 ( t t0 ), e
J
apliquemos a definição de transformada de Laplace :
00
(A.9) L [ u. < t - t. ) J e-" u. ( t - t.) dt

o
Como u. ( t to > só é não nula numa vizinhança infinitésima de t0,
f f
�
temos
-
'º + ô
00 e-" u. < t - t. ) dt = e-stº Uo ( t - t0 ) dt = e-st0
'º ô
Portanto,
L [ Uo ( t - to ) ] = e - st.
Fazendo agora tº -> O, vem
L [ Uo ( t ) ] = 1
Para a determinação de outras transformadas recorrer à literatura ( p.
-
ex. Gardner e Barnes ou Ghizzetti ). Passemos agora a examinar alguns
teoremas básicos.
-
A.3 Teoremas úteis:
·at
I Translação no campo complexo
Se F ( s ) é a transformada de Laplace de uma função f ( t ), a trans
formada da função e f ( t ) é dada por F ( s + a ) , ou sej a, a multiplicação
da função original por uma exponencial corresponde a uma translação ( real
ou complexa ), a na transformada.
De fato,
j
co
( A . 10 ) L [e-" f ( t ) ] = e-" e-" f ( t ) dt =
, oo
_J e (• + a)t f ( t ) dt F ( s + a ), onde
-
o
F (s) = L [f ( t ) ]
II Teorema da translação real
=
Se F ( s ) é a transformada de Laplace de uma função f ( t ) e a é um
número real, vale
(A . 1 1 ) L [f ( t - a ) ] e·" F ( s ), desde que f ( t - a ) o
para O < t < a.

De fato, vamos introduzir na definição da transformação,
. ao
f ('t' ) e·•i: d-r = F (s)
{ 00e·• < • -•l

a mudança de variável -r = t - a; vem então
e·• ,
f ( t - a ) dt = F (s)
!· 00 e·•
Multiplicando ambos os membros da equação acima por vem
e·" f ( t - a ) dt = F (s)
•
Como f ( t-a ) = O para os t < a, o limite inferior da integração pode
f:
ser extendido a zero, ficando
< t - a ) dt e·" F ( s )
.. f
o
Portanto :
L [f ( t - a ) ] = e·"' L [f < t > J
III - Multiplicação do argumento por constante
Se F ( s ) é a transformada de Laplace de uma função f ( t ) e w é uma
: ( :)
constante positiva, a transformada de t ( wt ) será
( : ).
F , ou sej a, de
( A . 12 ) F (s) = L [f ( t ) ] segue-se L [ f ( wt ) ] = � F
f 00
Para demonstrar o teorema, vamos aplicar a definição a f ( wt ) :
L [ f ( wt ) ] = e·•' f ( wt ) dt
r
o
Fazendo a mudança de variável t' = wt,
L [f ( wt ) ]
dt' 1
(-:- )
00
= e·•' "/w f ( t' ) - = - F
W W
•0
l!:stes são três teoremas úteis na determinação de novas transforma..

das de Laplace, a partir de valores tabelados.
Nota: Muitos autores utilizam a forma "s- multiplicada" da trans
sf
formação de Laplace, definindo-a por
.
( A 13 ) L [f ( t ) ] = r;/) e ·" t ( t ) dt
o
Ao utilizar tabelas de transformadas, convém verificar sempre qual das

duas definições é utilizada.
A . 4 - A inversão da Transformação de Laplace:
Para a resolução de problemas por meio da transformação de Laplace

é necessário saber invertê-la, isto é, determinar a anti-transformada ( ou
função original ) de uma transformada conhecida.
Um processo imediato para a inversão consiste na utilização "ao con
trário" das tábuas de transformadas. Isto é possível porque a operação
de anti-transformação é unívoca (a menos de certas restrições sem grande
importância física, ver Ghizzetti ) .
Algumas vêzes será possível reconduzir uma transformada não tabe

lada em outra tabelada, por aplicação dos teoremas anteriores.
Exemplo :
Sej a determinar a anti-transformada de :
s + a
(a = constante real )
( s + a )' + w'
Aplicando o teorema 1, verifica-se que a função anti-transformada

será dada pelo produto de e·•• pela anti-transformada de s/( s' + w2 ) ; a anti
-transformada procurada é pois
e·•• sen wt
De um modo geral as funções transformadas F ( s ) podem ser inverti·
das ou anti-transformadas pela fórmula de inversão de Mellin-Fourier :
f (t) = -1-JY
21t j y
+ i
-i
�
F ( s ) e" ds
�
A integral acima deve ser feita sôbre a reta paralela ao eixo imagi
nário, a uma distância y à direita; entre outras restrições, a função F ( s )
deve ser holomorfa no semi-plano à direita de y. Seu cálculo se pode
fazer pelo método dos resíduos.
Para a resolução de problemas de circuitos a constantes concentradas,
onde as transformadas serão sempre funções racionais próprias, utilizamos
a fórmula de inversão de Heaviside, abaixo exposta.
A . 5 - A fórmula de Inversão de Heaviside:
Suponhamos que as transformadas de Laplace sejam funções racionais

próprias, isto é,
P (s)
( A . 14 ) L [f < t > J
Q (s)
onde P ( s ) e Q ( s ) são dois polinômios e m s, com coeficientes reais e o
grau de P ( s ) é menor que o de Q ( s ) .
Dois casos devem ser distinguidos : Q ( s ) possui apenas raíses simples,
ou algumas de suas raíses são múltiplas.
a) Q ( s ) tem sàmente raízes simples :
Sej am a,, a,, . . . a. as raíses simples de Q ( s ). Mostremos que a anti
transformada de ( A . 1 4 ) é
P < a, )
( A . 15 ) f (t) = --- eart
r = l
Q' ( a, )
onde Q' ( a, ) indica. a derivada primeira do polimônio Q ( s ) , tomada no
ponto s = a,.
De fato, a função racional que se deseja anti-transformar pode ser

decomposta em funções parciais :
I:
n
P (s) A,
( A . 16 )
Q (s) r = 1 s - a,
Para determinar A, basta reduzir tôdas as frações do desenvolvimento

acima ao denominador comum e identificar os numeradores :
E
D
P (s) = A, ( s - s, ) . . . ( s - a, _ 1) ( s - a, + 1 ) • • • (s - ª" )
r - 1
Fazendo agora s = a,
P ( a, ) = A, ( a, - a, ) . . . ( a, - a, _ 1 ) ( a, - a, + 1 ) . . . ( a, - a" )
Portanto
P ( a, )
( a, - a, ) . . . ( a, - a, _ , ) ( a, - a, + , ) . . . ( a, - a. )
Notemos agora que o denominador desta fração é justamente igual à

derivada de Q ( s ), tomada em s = a,, isto é,
çy ( a, ) = ( a, - a, ) . . . ( a, - a, - , ) ( a, - a, + , ) . . . ( a, - an)
e portanto :
P ( a, )
( A . 17 ) A, =
Q' ( a,)
t
Substituindo êste valor e m ( A . 1 6 ) ,
P (s) P ( a, ) 1
=
Q (s ) r - l
Q' ( a, ) s - a,
Notando que a anti-transformada de 1/( s-a, ) é e + ª,t, a anti-trans

formação têrmo a têrmo da expressão acima demonstra a fórmula de in
[ 1
versão ( A . 1 5 ) . Portanto :
P (s) P ( a, )
L
t
-· 1
( A . 18) f (t) =
Q (s) =
r = 1
Q' ( a, )
Exemplo : Determinar a anti-transformada de
1
F (s) = -------
s (s + 1 ) (s + 2) (s + 3)
Temos : Q' ( 0 ) = 6 Q' ( - 2 ) + 2

Q' ( - 1 ) = - 2 Q ' (- 3 ) - 6
Portanto a aplicação de ( A . 18 ) fornece
1 (t) =
- - 1
6
-
1
2
e- ' +
1
-- e- , , -
2
-- 1
6
e- 3•
b) Q ( s ) tem raízes múltiplas

Sej a agora
p (S)
F (s) =
Q (s)
onde Q ( s ) é um polinômio de grau n, maior que o grau de P ( s ), e admi

tindo raíses múltiplas.
Uma fração racional do tipo acima pode ser decomposta numa soma
de frações parciais do tipo
( A . 19 )
P (s)
Q (s)
A1
s - a
+
A,
( s - a )'
+ ..
. +
Âp
< s - a )P
+
+
B1
+
B,
+ .. . +
B•
+ .. .
..
(s b) ( s - b )' (s - b )•
. =
onde a, b, . . . são raízes de Q ( s ), de multiplicidades respectivas p, q, . ,
com p + q + n. . .
Efetuada essa decomposição, a inversão pode ser feita têrmo a têrmo,
-
sabendo-se que
t' 1
L
1
( Ver Ghizzetti, pág. 19 ss. )
<r - 1)! S'
donde :
C( -
) -
1 t' 1
.
( A . 20 ) = e.
( s - a )' <r 1)!
Portanto, "a anti-transformada de uma fração racional própria se
obtém decompondo-a numa soma de frações parciais do tipo A/( s-a )' e
anti-transformando cada uma dessas frações pela fórmula acima".
Ainda no caso de raízes múltiplas, é possível estabelecer-se uma fórmula
correspondente a ( A . 1 8 ) . Pelo menor interêsse prático dêste caso, no en
tanto, tal fórmula não será apresentada aqui.
Exemplo : Determinar a anti-transformada de
L [f ( t ) ]
s + 1
= F (s) =
s' · (s + j) · (s - j)
D e acôrdo com ( A . 1 9 ) , esta fração pode ser decomposta n a soma de
frações parciais.
s + 1 A, B e
( A . 21 ) F (s) + + +
s' (s + j) (s - j) s s' s + j s - j
ou, reduzindo ao mesmo denominador,

( A, + B + C ) sJ + ( A, - jB + jC ) s' + A, s + A,
F (s) =
s' · ( s' + 1 )
Para que o numerador seja idêntico a s + 1, as constantes A,, A,, B e
e devem satisfazer a
r
A, + B + C = O
l
A, - jB + jC = O
A, 1
A, = 1
donde
1 - j l + j
B = ; C
2j 2j
Substituindo as constantes por seus valores em ( A . 2 1 1, resulta
1 1 1 - j 1 + j
F (S) = - + - + +
s s' 2j ( s + j ) 2j ( s - j )
ou, ainda,
1 1 1 - .i 1 1 + j 1
F (s) = + - + ----
s s' 2j s + j 2j s - j
Anti-transformando esta expressão têrmo a têrmo por ( A . 20 ) e relem-

brando que O ! = 1, vem
2 - j 1 + j
L [F ( S ) ] = f ( t )
- 1
•i
1 + t + = e- j t - . e •
2j 2j
Para simplificar esta expressão, coloquemo-la sob a forma
f (t) = 1 + t + ----
2j 2
ou, introduzindo as funções hiperbólicas,
sinh ( - jt )
f (t) = 1 + t + - cosh ( - jt ) = 1 + t - sint - cost
j
NOTA : Esta anti-transformada foi calculada da maneira acima ape
nas com o fito de ilustrar a aplicação da fórmula ( A . 20 ) . Na realidade,
quando comparecem raízes conjugadas, caso muito freqüente em teoria dos
circuitos, os pares conjugados podem ser englobados numa só fração parcial,
por meio de uma decomposição do tipo
A, A, B + Cs
F (s) = + -- + ----
s s' s' + l
Reduzindo ao mesmo denominador e identificando os numeradores, as

constantes resultam
A, = 1, A, = 1, B - 1, e = 1
isto é,
1 1 1 s
F (s) = - + - ----
s s' s' + 1 s' + 1
Esta expressão pode agora ser anti-transformada têrmo a têrmo, com
a ajuda das fórmulas ( A . 5 ), ( A . 20 ) , ( A . 7 ) e ( A . 8 ) obtendo-se, como no
caso anterior,
f ( t ) = 1 + t - sint - cost
A . 6 - Transformada de Laplace das derivadas e da integral de uma função :
a) Transformada da derivada:
"Se a função f ( t ) e sua derivada primeira f' ( t ) são transformáveis se
gundo Laplace, e F ( s ) é a transformada de f ( t ), vale,
( A . 22 ) L [ f' ( t ) ] = sF ( s ) - f (O +)
onde f < 0+ ) é o limite da função à direita da origem".
Para demonstrar o teorema, apliquemos a definição :
L rr < 0 1 = r� e·" r m dt
1 : .r :"
o
Integrando por partes,
L U' < O l = f < t ) e· ·• s f co dt sF ( s ) - f < O+ )
O teorema estende-se imediatamente a derivadas de ordem superior :

( A . 23 ) L [/" ( t ) ] = s L [f' ( t ) ] - f' ( O + ) = s' F ( s ) - sf ( 0+ ) - f' < 0+ )
Generalizando, obtemos para a derivada n-ésima.
( A . 24 ) L [ fC •> (t)] = S" F (s) sn - 1 f < 0 + ) - sn - 2 f' < 0+ ) - . . .
sf!" - 2> < O+ ) pn - !)
( O+ )
b) Transformada da integral:
J'
"Sej a f ( t ) uma função L-transformável e
</> ( t ) = f ( t ) d t sua integral. Vale então

o
L [cf> < 0 1
1
( A . 25 ) -- F ( s ) onde F ( s ) é a transformada de
s Laplace de t ( t )".
Para demonstrar o teorema, notemos que
cf/ ( t ) = f (t)
Tansformando segundo Laplace ambos o s têrmos desta expressão,
aplicando ao mesmo tempo o teorema anterior,
L [cf/ ( t ) ] = s L [ cf> ( t ) ] = F ( s ), pois e/> C O+ ) O
Portanto :
L [ cf> ( t ) ]
1
= - F ( s ).
s
Como vemos, a aplicação da transformação de Laplace transforma as
operações de diferenciação e integração no campo real em, respectivamen
te, multiplicação e divisão no campo complexo.
c) Teorema do valor inicial:

"Sej a f ( t ) uma função L-transformável, que admite um limite à di
reita no ponto t O, isto é,
=
lim f ( t )
t+l\
Se F ( s ) é a transformada de Laplace de f ( t ) , vale
C A . 26 ) lim [ s F ( s ) ] = f ( 0+ )".
•+ -
De fato, sabemos que
;·
Vamos tomar o limite desta expressão para s -> oo :
O()
lim e ·" f' ( t ) dt = lim [sF ( s ) - f (0+ )]

•+ - •+-
()
Como a integral tende bbviamente a zero para s -> oo , segue-se

lim [ sF ( s ) - f C O+ > ] = O
•+-
Desta expressão obtemos ( A . 26 ) imediatamente.
d) Te.orema do valor final:

"Sej a f ( t ) uma função L-transformável, bem como sua derivada. Se
existirem os limites indicados, vale
( A . 27 ) lim [sF ( s ) ] lim f ( t )".
s+o t+ -
\,
.f
De fato, de
s� 00 e-" f' ( t ) dt = lim [sF ( s ) - W+ ) ]

s+o
o
vem
I 00
!' ( t ) dt lim [sF ( s )
s-)--o
- f ( 0+ ) ]
Por outro lado,
f
·o
0011 ( t ) dt lim
'->--
( t ) dt = lim f ( t ) - f W + )
t+ =
Comparando esta expressão com a anterior, segue-se

lim [sF ( s ) ] = lim f ( t ) , c. q. d.
s+o t+ =
A.7 - Aplicação da transformação de Laplace à resolução de equações

diferenciais:
Consideremos a equação diferencial ( linear a coeficientes constantes ) :

d· t d" - 1 j df
( A . 28 ) a. -- + a, + . . . + a. - , + a. f = cf> (O,
� - 1
--
� �
onde cf> ( t ) é uma função dada, f ( t ) é uma incógnita e a., . . . a. são coefi
cientes constantes. Suponhamos que f ( t ) e cf> ( t ) são L-transformáveis.
Sej am ainda
( A . 29 ) t (0) = a., !' ( 0 ) = ª' . . . r -
l (0) = ª" - 1
as determinações da função f e de suas n-1 primeiras derivadas no instan

te t = o_ correspondentes às condições iniciais do problema.
Aplicando a transformação de Laplace à equação ( A . 28 ) , tendo em
vista ( A . 24 ) , vem :
Í
l
( a. s• + a , s• ' + . . . + a. _ , s + a. ) F ( s ) =
-
( A . 30 ) = cf> ( s ) + a. a. s•
' + ( a. a, + a, a. ) s " ' + . .
- - .
. . . + ( a. a. - , + a, Ro 2 + a. 1 a. ) - -
A partir desta expressão F ( s ) pode ser calculada; antitransformando

o resultado, obtém-se a função f ( t ) desej ada.
No caso de condições iniciais quiescentes, isto é, a. = a,
= a. _ , O, a expressão ( A . 30 ) assume a forma simplificada
1
( a. s" + a, s• - + + a. _ , s + a.) F ( s ) = cf> ( s )
donde
cf> ( s )
( A . 31 ) F (s)
a. s" + a, s" -
1 + . . . + a.
A anti-transformação da expressão anterior fornece f ( t ) .

As condições iniciais não quiescentes, a,, , a,, . . . ª" _ , são consideradas
conhecidas e referem-se ao instante t = o_. O teorema da derivação, ao
contrário, faz aparecer os valores da função f ( t ) no instante t =O + ; se
houver descontinuidades de f ( t ) e suas derivadas na origem, ambos os
valores não coincidem. Demonstra-se, no entanto ( ver Ghizzetti ) que a
introdução de ao, . . . a. _ , em ( A . 30 ) fornece o resultado correto.
A resolução de sistemas de equações diferenciais lineares pela trans
formação de Laplace segue a mesma linha acima, isto é, as várias equa
ções do sistema são transformadas segundo Laplace. O sistema transfor
mado é resolvido em relação às transformadas das funções incógnitas. A
anti-transformação dos resultados dessas operações fornecerá as funções
incógnitas desejadas.
Bibliografia do apêndice 1:
1 - J. C. JAEGER - "Introd. to the Laplace Transformation" (Methuen, London ,

•
1 949 ) .
2 - A . GHIZZETTJ - "Calcolo Simbolico" (Zanichelli, Bologna, 1 943 ) .
3 - G . DOETSCH - "Lapiace Transformation" ( Dover, New York 1 943 ) .
G . DOETSCH - "Handbuch der Laplace - Transformation" ( Birkhausen,
Base!, 1 950.
4 - F. K. KUO - "Network Analysis and Synthesis'', cap. 6) 2.ª edição, Wiley, New
York, 1 966 ) .
APÊNDICE 2
CU R VAS CA R ACTE R Í STICA S TÍPICA S
1 - CARACTERlSTICAS DE DIOOOS TERMO-IONICOS
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2 - CARACTERtSTICAS DE DIODOS SEMI·CONDUTORES
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- -- Tamb 60°C �
!mA)
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- 1,0 -0,8 0,6 0,4 0,2
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a) Díodo de germânio OA85
Io
1000C �
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1,5 Vo {V) 2 1
o 0.5 o 200 400 600 800
b) Diodo de silício OA211
3 - CARACTERlSTICAS DE TRIODOS:
TRIODO ECC 82
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20
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ª' características de placa, triodo ECC82/12AU7
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ºo 5 70 15 I0(mA)
b) Característica de transferência grade-placa do ECC82. c) Variação dos parãmetros do ECC83.
TRIODO ECC83
5 ECC 81. 10-6- '51

Ia
(mA)
' ,,...
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,,,.
2
JV
3, 5 V
- 1. V
o
o 50 700 150 200 250
a) Características de placa do triodo ECC83/12AX7.
ECCB1 I0-6- ':: 6 ...

Ia
mA)
�
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,,
�"'
3
-1,i
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��l 1
�
o
-1. �{V) - 3 -2 -1 o
b) Características de transferência grade placa
do ECC83/12AX7.
4 - CARACTERfSTICA DA FOTO-CELULA 90 CV:
Ia .,
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90CV O-li·' 3
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o 20 60 80 l',(\',1
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5 - CARACTERtSTICAS DE PENTOOOS:
PENTOOO EF 86
8
-:Z; �t=Ov F º·' :• r•
I.{mA) .
\\
-:Z;
�a = 140 V
�3 - 0 V
6
tV
f,5 V
4
-,i • V
3V
J.S V
o 4.sf
- .111
o m 200 300 400 500 V. V 6CIO
a) Características de placa do pentodo EF86 •
. . 1 '
�
•
1-H-++-++++++-++-1-H-++-++++++-++-:� • . f-j-�
t-+-+-H-++-++++++-++-+-H-++-++++
' ·H
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1-H-++++++++-++-H-<-++-++++++��f r�....-+ +· +--H
• 1
H-++HH+++f-++H+++f-++++t-' q"J P::�•Fri-+H��

H-t-t++-H-+-r++-
l-+- �
.
l-+++-++t-++t-rtt'tt+-rtrT7'�
1-+4-H++++++++l-H-H++++.�++f+-1+-''
b) Características de transferência grade·placa

do EF86.
PENTODO DE SAíDA EL 34:
Ia 1-+-+-t-+-1-+-�+-+-1-+-++441-J-+-+--1 -H1-+"-+-Hl-+-H--Hl-++-+-H1-+-l-+-�iH--l-1'�LJ�4�J�-1çr-·�119
0-iA1n-+-H-l-H-H,�-t-t-t-H-+++-t+-IH-t-++-t-+-IH+++-lH-H-+++-lH-H-+++--+�
ttEEEEHn�nn:a;eE:a:Eil��a�v.8.t±S:8 �3=
300 � -1-t-
' t-+
- +++-1-t--+-+++--HH-H-+++--+--+-H--1-++--+-+-H--H-+--+�-+-t-l
1-+---14-+- 4-+-,_...�--H-+--rl·--H-+-+-+--H-l-+-�--H-+-+-+--H-+-+-l--'-'-L
0V
�2= 250 V H-+-+-+-+-H-1
I=
a) Características de placa do EL34.
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;... 3.2. Va = 350 V1 LY2 = 375 V 1 Vg3=0V 1 ,+
Va = 400 V 1 LY2 = 425V1 �3 = 0 V
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b) Característica de transrerência grade-placa
do EL34.
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VnA 14oµA - +1- .

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1 10 -vcE(v)
0, 1
0,5 1 2 5 10-Ic(mr-1)
d) Transistor OC71 : variação dos parâmetros híbri e) Transistor OC71: variação dos parâmetros hí bri·
dos com a tensão de coletor , na ligação de emissa.· dos com a corrente dê coletor, na ligação de emis·
comu1n. sor comum.
-18 - rt \'\' rn
Ic 1-12- '59
(mA) 150pA
� 1
!\�
m Tamb 25°C
< 125
'ºº
75
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Eletronica - Luiz de Queiroz Orsini

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UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO

REITOR: Prof. Dr. Luís ANTÔNIO DA GAMA E SILVA.

EDITôRA DA UNIVERSIDADE DE SÃO PAULO

Presidente - Prof. Dr. Mário Guimarães Ferri

EDITÔRA EDGARD BLÜCHER LTDA.

Os estudiosos da Eletrónica têm o singular privilégio de se dedicar a

A matéria dêste livro divide-se em capítulos que pertencem a três

Teoria dos bipolos elétricos 1

1 . 1 - Introdução. 1 . 2 - Os parâmetros das rêdes. 1 . 3 - Curvas

Emissão eletrónica e diodos termoiônicos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25

2 . 1 - Generalidades. 2 . 2 - Emissão foto-elétrica. 2 . 3 - Emissão

aos diodos a vácuo. 2 . 9 - Os diodos a gás. Bibliografia. Proble­

Triodos, tetrodos e pentodos termoiônicos 46

3 . 1 - Introdução. 3 . 2 - Curvas características dos triodos. 3 . 3 -

4 . 1 - Introdução. 4 . 2 - Condutividade intrínseca; eletrons livres

Os transistores de junção 110

5 . 1 - Descrição e processos de fabricação. 5 . 2 - Princípio de ope­

Teoria das rêdes lineares 158

6.1 - Análise das rêdes lineares. 6.2 - O circuito R, L série. 6.3 -

Circuitos com diodos 198

7 . 1 - Circuitos ceifadores e limitadores. 7. 2 - Retificadores de

Os amplificadores classe A com válvulas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 220

8.1 - Generalidades. 8 . 2 Tipos de amplificadores. 8 . 3 - Ali­

mentação e polarização dos amplificadores classe A. 8 . 4 Equa- -

ção geral do ganho dos amplificadores de catado em terra. 8 . 5 -

Medida do ganho dos amplificadores em decibéis. 8 . 6 A distor- -

ção nos amplificadores. 8 . 7 Caracterização da resposta em fre­

qüência dos amplificadores classe A. 8 . 8 Característica dos am­

plificadores classe A em regime transitório. 8 . 9 Exemplo de aná- -

lise: amplificador áudio com acoplamento por transformador '

classe A. Bibliografia. Problemas do capitulo 8.

Amplificadores de acoplamento R, C a válvulas 239

9.1 -Introdução. 9.2 Considerações sôbre o proj eto de ampli­

ficadores com acoplamento R,C. 9.3 Amplificadores de video com

compensação em paralelo. 9.4 Compensação em freqüências

baixas. 9.5 Influência do desacoplamento do catado na resposta

dos amplificadores RC; compensação catódica. 9.6 Resposta -

completa dos amplificadores vídeo. 9.7 Aproximação assintóti­

ca do ganho do amplificador vídeo, sem compensação; diagrama

bliografia. Problemas do capítulo 9.

Amplificadores com acoplamento R, C transistorizados 269

10 . 1 -Introdução. 10.2 Modêlos incrementais do amplificador

RC em emissor comum. 10. 3 Resposta em freqüências baixas.

10. 4 -Resposta em freqüências altas. 10.5 Compensação em -

freqüências altas dos amplificadores R, C transistorizados. 10.6 -

Associação em cascata de amplificadores R,C transistorizados. Bi­

Os amplificadores sintonizados 289

11.1 - Introdução. 11.2 Amplificadores sintonizados com penta­

dos. 1 1.3 Amplificadores com dupla sintonia. 1 1 .4

Associação em cascata de estágios com sintonia decala��·

1 1.6 - Amplificadores sintonizados a transístores. 11.7 Estabili­ -

dade dos amplificadores sintonizados. Bibliografia. Problemas do ca­

Geradores de formas de ondas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 312

12.1 -Introdução. 12.2 As resistências negativas. 12. 3

plos de características com resistência negativa. 12.4 - Dispositi-

vos semicondutores com resistência negativa. 12 . 5 Osciladores -

classe A a resistência negativa. 12. 6 Osciladores de relaxação a

resistência negativa. 12. 7 - Resistência negativa em modêlos in­

A realimentação nos amplificadores . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 348

13. 1 - Introdução. 13. 2 Realimentação por uma só malha nos

amplificadores. 13.3 Redução da distorção e perturbações inter-

nas pela realimentação negativa. 13.4 - Realimentação negativa

de realimentação controlada por corrente. 13 . 9 - Realimentação

aos diodos a vácuo. 2 . 9 - Os diodos a gás. Bibliografia. Proble

5 . 1 - Descrição e processos de fabricação. 5 . 2 - Princípio de ope

8.1 - Generalidades. 8 . 2 Tipos de amplificadores. 8 . 3 - Ali

ção nos amplificadores. 8 . 7 Caracterização da resposta em fre

qüência dos amplificadores classe A. 8 . 8 Característica dos am

9.1 -Introdução. 9.2 Considerações sôbre o proj eto de ampli

completa dos amplificadores vídeo. 9.7 Aproximação assintóti

Associação em cascata de amplificadores R,C transistorizados. Bi

11.1 - Introdução. 11.2 Amplificadores sintonizados com penta

1 1.6 - Amplificadores sintonizados a transístores. 11.7 Estabili -

dade dos amplificadores sintonizados. Bibliografia. Problemas do ca

resistência negativa. 12. 7 - Resistência negativa em modêlos in

A . 1 - Introdução. A . 2 - Ai transformação de Laplace. A.3 - Teo

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