Química e Ciência dos Materiais (ELT052A)

Cap 17 – Materiais Semicondutores

Wilson Sant’Ana
Universidade Federal de Itajubá
Bibliografia
●
SHACKELFORD, James F. Ciência dos materiais. 6 ed. São
Paulo: Pearson Prentice Hall., cap 17.
●
CALLISTER JUNIOR, William D; RETHWISCH, David G.
Fundamentals of Materials Science and Engineering: An
Integrated Approach. 3rd Edition. Wiley., seções 12.10 até
12.15.

2 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Semicondutividade

●
Condutividade intermediária entre os metais e os isolantes.

Ef Ef
Ef

3 ELT052A -Figura:
AulaShackelford
13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022
Semicondutor puro (cristal singular) x composto
singular composto
●
Elementos
●
Semicondutores compostos são formados
do grupo IV: por elementos próximos ao grupo IV.
Si e Ge ●
Compostos III-V: um elemento com valência 3 e
(valência 4). outro com 5 (4 na média): GaAs, GaN;
●
Compostos II-VI: um elemento com valência 2 e
outro com 6 (4 na média): CdS.

4 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Valência

●
Elétrons orbitando ao redor do núcleo;
●
Elétrons dispostos em camadas;
●
Quanto mais próximo do núcleo, fica
mais difícil para esse elétron deixar o
átomo (seria preciso muita energia);
●
Da mesma forma, os elétrons da camada
mais externa necessitam bem menos
energia para deixar o átomo.

Camada de valência

5 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Valência
●
Si e Ge têm 4 elétrons
na camada de valência:
●
tetravalentes

●
Ga tem 3 elétrons
na camada de
valência:
●
trivalente
●
As tem 5 elétrons
na camada de
valência:
●
pentalente
6 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022
Ligações atômicas

●
Exceto os gases nobres, todos os outros átomos têm a camada
de valência incompleta
●
Não são estáveis
●
De forma a completar a camada de valência, os átomos vão
fazer ligações entre si.
●
Exemplo: Na ligação iônica, um átomo perde elétrons e o outro ganha.
●
Outro exemplo: Na ligação covalente, os átomos compartilham os elétrons
Esse é o caso dos materiais semicondutores

7 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Ligações covalentes no cristal de Si (puro)
●
O Si precisaria de 8 elétrons
na camada de valência para
ficar estável (como o gás
nobre Argônio):
●
Átomos adjacentes vão
compartilhar elétrons.
●
Isso forma um cristal de alta
pureza: chamado
semicondutor intrínseco

8 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Semicondutores intrínsecos
●
Espaçamento proibido entre as
bandas de valência e condução Figura: Callister
relativamente estreito.
●
Elementos do grupo IV: Si e Ge.
●
Sn também – mas sofre transformação
na estrutura cristalina em 13oC –
portanto não tem aplicação comercial.
●
Se ligam por ligações covalentes.

9 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Semicondutores extrínsecos e dopagem

●
Semicondução intrínseca é propriedade do material puro:
●
Si, Ge (intrínsecos singulares) ou GaAs, GaN (intrínsecos compostos).
●
Semicondução extrínseca resulta da adição de impurezas
(dopantes).
●
Processo de inclusão de impurezas: dopagem.
●
2 tipos de semicondutores extrínsecos:
●
Tipo n: portadores de carga negativa (elétrons) predominam;
●
Tipo p: portadores de carga positiva (lacunas) predominam.

10 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Tipo n
●
Si tem 4 elétrons na camada de
valência,
●
ligados covalentemente (ligação forte) a
4 átomos de Si adjacentes.
●
Impureza com valência 5 (Sb, As
ou P) é adicionada.
●
Apenas 4 dos 5 elétrons podem
participar das ligações;
●
O elétron adicional fica preso fracamente
à região ao redor do átomo de impureza.
●
A energia de ligação desse elétron é
relativamente pequena.

11 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 ●
Elétrons: portadores majoritários;

Semicondutores tipo n
●
Lacunas: portadores minoritários.

●
Para cada elétron fracamente ligado, existe um nível de energia dentro da
zona proibida, imediatamente abaixo da banda de condução (estado
doador).
●
A barreira de energia para promover esse elétron para a banda de
condução é substancialmente menor do que no semicondutor intrínseco
(Ee).
●
Uma vez que esse
elétron é excitado à
partir do estado
doador, nenhuma
lacuna é criada na
canada de valência.
●
Número de elétrons
na banda de condução
excede o número de
lacunas de valência.
12 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 eFigura: Callister
13/nov/2022
 Tipo p
●
Si tem 4 elétrons na camada de
valência,
ligados covalentemente (ligação forte) a 4
átomos de Si adjacentes.
●
Impureza com valência 3 (B, Ga ou In)
é adicionada.
●
Uma das 4 ligações covalentes ficará
deficiente em um elétron;
●
A lacuna adicional aceitará prontamente um
elétron livre.
●
Como se fosse uma “lacuna presa fracamente
à região ao redor do átomo de impureza”.
●
A energia de ligação dessa lacuna é
relativamente pequena.

13 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 ●
Lacunas: portadores majoritários;

Semicondutores tipo p
●
Elétrons: portadores minoritários.

●
Para cada lacuna fracamente ligada, existe um nível de energia dentro da
zona proibida, imediatamente acima da banda de valẽncia (estado
receptor).
●
Um elétron de valência do Si pode ser facilmente promovido para o
estado receptor, gerando uma lacuna na valência. Energia para promoção
é substancialmente menor do que no semicondutor intrínseco (Ee).
Figura: Callister
●
Apenas a lacuna é
criada na valência -
nenhum elétron
livre é criado.
●
Número de lacunas
na banda de
valência excede o
número de elétrons
de condução.
14 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022
Portadores majoritários e minoritários:

●
No material tipo n:
●
Número de elétrons na banda de condução (oriundos dos átomos doadores
pentavalentes) excede o número de lacunas (que não se alteraram) na banda
de valência;
●
Elétrons são os portadores majoritários e as lacunas os minoritários.
●
No material tipo p:
●
Número de lacunas na banda de valência (devido aos átomos receptores
trivalentes) excede o número de elétrons (que não se alteraram) na banda de
condução;
●
Lacunas são os portadores majoritários e os elétrons os minoritários.

15 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 íons doadores e
aceitadores
●
No material tipo n:
●
Quando o elétron extra deixa o átomo
doador, este átomo (pentavalente) se
torna um íon positivo (ele perdeu um
elétron!)

●
No material tipo p:
●
Quando a lacuna extra é preenchida no
átomo aceitador, este átomo
(trivalente) se torna um íon negativo
(ele ganhou um elétron!)

16 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Semicondutores compostos
●
Semicondutores compostos são
formados por elementos próximos ao
grupo IV.
●
Compostos III-V: um elemento com
valência 3 e outro com 5 (4 na média);
●
Compostos II-VI: um elemento com
valência 2 e outro com 6 (4 na média).
●
Compostos III-V e II-VI puros são
semicondutores intrínsecos.
●
Podem ser dopados de forma similar
aos intrínsecos do grupo IV.

17 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 Figura:

e 13/nov/2022
Callister
Dispositivos semicondutores

●
Diodo
●
BJT
●
MOSFET

●
Diodos e transistores (incluindo BJT e MOSFET) substituíram as
válvulas a vácuo.
●
Menores dimensões;
●
Baixo consumo de energia;
●
Inexistência de tempo de aquecimento.

18 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Junção p-n
●
Junção pn é construída a partir
de uma única peça de Figura: Callister

semicondutor,
●
com dopantes do tipo p de um lado e
do tipo n do outro.
●
Se peças de materiais p e n fossem
unidas uma à outra, existiria uma
superfície de contato que resultaria em
dispositivos ineficientes.
●
Devem ser utilizados monocristais de
forma a evitar fenômenos prejudiciais
nos contornos de grãos.

19 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Junção p-n não polarizada (Vd=0V, Id=0mA)
●
Junção pn é construída a partir de uma única peça de semicondutor, com dopantes
do tipo p de um lado e do tipo n do outro.
●
Didaticamente, falamos que as regiões foram unidas.
●
Diodo: di (dois) – odo (eletrodos)
No instante que os 2 materiais são “unidos”,
elétrons livres do lado n vão ser atraídos para Depleção = esgotamento
as lacunas livres do lado p. COMBINAÇÃO

Os átomos do lado n que doaram os

elétrons livres se tornam íons +

Os átomos do lado p que receberam os

elétrons doados pelo lado n se tornam
íons -
Na região da junção vai ocorrer um
esgotamento de portadores livres.

20 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Diodo (diretamente
polarizado)
●
Antes de aplicação de qualquer
potencial: lacunas são os portadores Figura: Callister

dominantes no lado p e os elétrons no

lado n.
●
Quando polarizado diretamente, as
lacunas do lado p e os elétrons do lado n
são atraídos para a junção (onde estão os
íons da combinação).
●
À medida que que elétrons e lacunas se
encontram próximos à junção, existe
uma recombinação com os íons.
●
Potencial da bateria força os portadores
a serem atraídos para os polos opostos,
gerando uma corrente elétrica.

21 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Diodo (reversamente
polarizado)
●
Quando polarizado
reversamente, tanto as lacunas Figura: Callister

quanto os elétrons são afastados

da junção.
●
Essa separação deixa a região da
junção livre de portadores de
cargas móveis.
●
Junção se torna altamente
isolante.

22 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Curva característica do diodo real

Figura: Callister
●
Diodo real precisa vencer uma
barreira de potencial vo para iniciar
a condução.
●
Quando polarizado reversamente,
vai existir uma pequena corrente de
fuga reversa (minoritários).
●
Caso a polarização reversa
ultrapasse um determinado valor
(tensão de ruptura), o diodo entra
em condução reversa –
ocasionando a perda do
componente.

23 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Processo de retificação
Figura: Callister

●
Corrente direta enquanto
diodo está polarizado
diretamente (semiciclo
positivo);
●
Pequena corrente reversa
enquanto o diodo está
polarizado reversamente.

24 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

Transistores

●
Dois tipos de funções:
●
Amplificação de sinais (região ativa);
●
Operação como chave (regiões de corte e saturação).
●
Dois tipos principais:
●
BJT (transistor de junção)
●
FET (transistor por efeito de campo):
●
MOSFET (com gate/porta isolado por óxido).

25 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Construção do transistor BJT/TBJ
●
Dispositivo de 3 camadas (N-P-N ou P-N-P) e 2 junções PN
●
Em ambos os casos:
●
Camada interna (base) tem baixa
dopagem (ex: 1:10) e muito mais
estrita (ex: 1:150)
●
BASE: reduzida condutividade e baixo
número de portadores majoritários.
●
Uma das camadas externas mais
fortemente dopada (para ter mais
portadores majoritários )
Em ambos os casos, normalmente, junção
●
Para emitir esses portadores (EMISSOR) base-emissor vai estar diretamente
para o COLETOR polarizada...
...e a junção base-coletor vai estar
reversamente polarizada

26 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Apenas Junção Base-Emissor diretamente
polarizada (exemplo PNP)
●
Potencial positivo da fonte vai
atrair os elétrons do lado n (B) e
Potencial negativo da fonte vai
atrair as lacunas do lado p (E).
●
EXISTIRIA uma corrente circulando
nessa malha;
●
Mas ainda não estamos considerando a
malha da outra junção!

27 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Apenas Junção Base-Coletor reversamente
polarizada (exemplo PNP)
●
Potencial positivo da fonte vai atrair
os elétrons livres do lado n (N) e
potencial negativo da fonte vai
atrair as lacunas livres do lado p (C).
●
Isso resulta em aumento da região de
depleção
●
A única corrente possível SERIA (sem
considerar a outra junção) a dos portadores
minoritários (formados por energia
térmica)

28 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Junção Base-Emissor diretamente polarizada e Junção
Base-Coletor reversamente polarizada (exemplo PNP)
●
Com a junção B-E polarizada
diretamente, o negativo de VEE atrai as
lacunas (majoritários do E) para a base;
●
Mas a base é estreita e fracamente
dopada (baixa condutividade):
●
Baixa corrente IB (de lacunas).
●
E o resto dessas lacunas?
●
A junção Base-Coletor polarizada reversamente
Lacunas do emissor
não permite a passagem dos majoritários da
são atraída pelo
base (eletrons no material N);
negativo de Vcc
●
Mas a base recebeu lacunas do emissor:
●
Na base N essas lacunas são portadores minoritários (injeção de portadores minoritários)
●
E os minoritários podem atravessar a junção!
29 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022
 Porque “Bipolar de Junção”
●
Tanto no PNP quanto no NPN:
●
A corrente principal precisa atravessar 2
junções → “de junção”;
●
A corrente é composta tanto por majoritários
quanto por minoritários → “bipolar”.
●
Outro tipo de transistor é o FET
(transistor por efeito de campo):
●
A corrente principal não atravessa junções;
●
Existe um canal N ou canal P;
●
Corrente é apenas de majoritários.

30 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 MOSFET
●
Criação de um canal entre fonte e dreno, cuja resistividade pode
ser controlada pelo campo elétrico aplicado entre porta e fonte
(Vgs – tensão entre gate e source).
●
No caso do MOSFET a porta é isolada por uma camada de óxido.
●
Corrente de porta é muito menor do que a necessária para acionar um BJT.
●
Para o MOSFET da figura (substrato n), uma tensão negativa na
porta atrai lacunas do substrato, formando um canal p entre
fonte e dreno.
●
No caso do canal n, as regiões p e n
são invertidas e os eletrons são os
portadores de carga e Vgs precisa ser
positiva. Figura: Shackelford

31 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

BJT x FET
●
Ao contrário do BJT, FETs não possuem injeção de portadores
minoritários.
●
Por não ter recombinação elétron-lacuna, FETs apresentam maior resistência
quando em condução.
●
Isso limita seu uso quando as correntes são elevadas.
●
Entretanto, a necessidade de recombinação diminui a velocidade de
chaveamento dos BJTs.
●
BJTs requerem corrente de base muito mais alta (proporcional à
corrente entre coletor-emissor) do que os FETs (controlados por
tensão – MOSFET ainda tem gate isolado).
●
IGBTs combinam o estágio de disparo dos MOSFETs com o estágio
de condução de corrente dos BJTs (baixa resistência).
32 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022
Materiais emergentes para semicondutores de
potência

●
Arseneto de Gálio (GaAs): mobilidade de elétrons maior (5x) do
que o Si:
●
Resulta em menor resistência de condução (especialmente vantajoso no caso
dos dispositivos com condução por portadores majoritários – MOSFET).
●
GaAs também apresenta maior suportabilidade para tensão de
ruptura:
●
Pode-se trabalhar em tensões mais elevadas.
●
Carbeto de Silício (SiC) apresenta suportabilidade ainda maior
do que o GaAs.

33 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022

 Dúvidas???

Grato!!!

E-mail: wilson_santana@unifei.edu.br
Sala: I.1.2.24
Telefone: 35-3629-1145

34 ELT052A - Aula 13 – Cap 17: Materiais Semicondutores 08 e 13/nov/2022