DIODO

SEMICONDUTOR
 DIODO

• O diodo semicondutor de junção é formado pela

união de um cristal tipo P e um cristal tipo N,
sendo um dispositivo de estado sólido simples.

• Devido a repulsão mútua, os elétrons livres do

lado N espalham-se em todas direções, alguns
atravessam a junção e se combinam com as
lacunas.

• Nesse caso, a lacuna desaparece e o átomo

associado torna-se carregado negativamente –
íon negativo.
• A camada de depleção age como uma barreira
impedindo a continuação da difusão dos
elétrons livres.

• Sua intensidade aumenta com cada elétron

que atravessa a junção até que se atinja um
equilíbrio.
• A diferença de potencial através da camada
de depleção é chamada de Barreira de
Potencial (B.P.), sendo de 0,7V para o
silício e 0,3V para o germânio.
Sem polarização aplicada (VD = 0 V)
Na ausência de uma polarização aplicada a um
diodo semicondutor, o fluxo líquido de carga em um
sentido é igual a zero
 POLARIZAÇÃO DO DIODO
POLARIZAÇÃO DIRETA
– No material tipo N os elétrons são repelidos pelo
terminal da bateria e empurrado para a junção,
enquanto que no material tipo P, as lacunas
também são repelidas pelo terminal e tendem a
penetrar na junção, diminuindo a camada de
depleção.

– Para isso, a tensão da bateria tem de sobrepujar

o efeito da camada de depleção.
POLARIZAÇÃO DIRETA
 POLARIZAÇÃO REVERSA

• Ligando-se o pólo positivo da bateria no material

tipo N e o pólo negativo no material tipo P, a
junção fica polarizada inversamente.

• Assim, no material tipo N os elétrons são

atraídos para o terminal positivo, afastando-se da
junção e no material do tipo P, o mesmo ocorre
com as lacunas.
 POLARIZAÇÃO REVERSA
• Pode-se dizer então que a bateria aumenta a
camada de depleção, tornando praticamente
impossível o deslocamento de elétrons de uma
camada para outra.
 CURVA CARACTERÍSTICA DE UM DIODO
Gráfico que relaciona cada valor da tensão aplicada com
a respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo.
Id – corrente no diodo
Vd - tensão no diodo
Vo – tensão de “condução”
Vz – tensão de “ruptura”
 ESPECIFICAÇÕES DE POTÊNCIA DE UM DIODO

P = V * I [W]

• Não se pode ultrapassar a potência

máxima, especificada pelo fabricante, pois
haverá um aquecimento excessivo.

• Os fabricantes em geral indicam a potência

máxima ou corrente máxima suportada por
um diodo.
 RESISTOR LIMITADOR DE CORRENTE
• Num diodo polarizado diretamente, uma pequena tensão
aplicada (VS) pode gerar uma alta intensidade de corrente.
• Devido a isso, um resistor é usado em série com o diodo
para limitar a corrente elétrica que passa através deles.
• Assim, quanto maior o R, menor a corrente que a t r a v e s s a
o diodo e o R.
 Silício x Germânio

a) TPI (Tensão de Pivo Inversa) nominais para diodos

de silício podem situar-se na faixa dos 1000 V, ao
passo que o valor máximo para o germânio é de
aproximadamente 400 V;

b) O silício pode ser usado em aplicações nas quais a

temperatura chega a aumentar em torno de 200º C,
enquanto que o germânio apresenta um valor
nominal muito menor, em torno de 100º C;
c) A corrente de saturação reversa (Is) para
diodos de silício é da ordem de 10 nA à
temperatura ambiente, sendo que para os
diodos de germânio ela se situa em torno de
1 a 2 mA.

d) O silício é muito mais abundante na

natureza que o germânio;
e) A desvantagem do silício em relação ao
germânio é a maior tensão de polarização
direta exigida para alcançar a região de
condução.
• Essa tensão é da ordem de 0,7V para os diodos de
silício disponíveis comercialmente e de 0,3V para os
diodos de germânio.
• Essa tensão é também chamada de tensão de limiar
ou de disparo, representada por VT (de threshold).
 Arseneto de gálio (GaAs)
• O GaAs era mais difícil de fabricar em níveis elevados
de pureza;

• O GaAs, hoje em dia ele ser frequentemente utilizado

como material de base para novos projetos de circuitos
integrados de larga escala (VLSI, na sigla em inglês) e
alta velocidade.