Universidade Federal Rural do Semiárido

Mestrado Nacional Profissional em Ensino de Física

Física Contemporânea 2022.1
Prof. Carlos Alberto dos Santos

FÍSICA MODERNA
NA
TECNOLOGIA CONTEMPORÂNEA

Capítulo 2
De Schrödinger à Física de Semicondutores
Versão preliminar, sem revisão. As numerações de figuras e equações
podem ter erros.

 EQUAÇÃO DE SCHRÖDINGER
Força central e conservação de energia
Tanto o sistema gravitacional como o atômico, são governados pelo que se denomina de
campo central, ou campo de forças centrais, ou forças conservativas. Nesse tipo de
sistema, as interações são produzidas através de forças que só dependem da distância
entre o objeto e a origem da força e se orientam segundo a linha que une o objeto e a
fonte. Esse sistema é tal que existe uma energia potencial que só depende da
configuração, ou seja da distribuição de massas no caso gravitacional, e de cargas
elétricas no caso atômico. A energia total, ou seja a soma da energia cinética e da energia
potencial é conservada.
Fazendo uso desse princípio e de alguns postulados, Bohr deduziu a energia de
um elétron no átomo de hidrogênio. Foi assim também que Schrödinger deduziu sua
famosa equação, mas neste caso ele teve outras duas fontes inspiradoras. As equações de
Hamilton-Jacobi, estudadas na mecânica clássica, e a teoria de Louis de Broglie, que
estudamos na primeira parte do curso, e vamos repetir aqui com um pouco mais de
aprofundamento.

A dualidade partícula-onda
Resumidamente, necessitamos de duas preliminares para apresentar a teoria de de
Broglie:
1) Ter em conta as definições de velocidade de fase e de velocidade de grupo de uma
onda. Para isso, considere uma onda representada pela seguinte função
Ψ(𝑥, 𝑡) = 𝐴𝑒 !(#$%&') = 𝐴𝑐𝑜𝑠(𝑘𝑥 − 𝑤𝑡) + 𝑖𝐴𝑠𝑒𝑛(𝑘𝑥 − 𝑤𝑡), (1)
onde A é a amplitude da onda, k o número de onda, w a frequência angular e t o tempo. O
comprimento de onda é dado
2𝜋
𝜆=
. (2)
𝑘
Define-se a velocidade de fase pela expressão
𝑣) = 𝜆𝑓. (3)
Por outro lado,
𝑤 = 2𝜋𝑓, (4)
de modo que
𝑤
𝑉) =
, (5)
𝑘
A velocidade de grupo é definida pela relação

2
 𝜕𝑤
𝑉* =
. (6)
𝜕𝑘
2) De acordo com a teoria da relatividade restrita, a energia de um corpo está associada à
sua massa e à velocidade da luz através da relação
𝑚+ 𝑐 ,
𝐸= , (7)
C1 − 𝛽 ,

-!
onde m0 é a massa de repouso do corpo, c é a velocidade da luz no vácuo, e éa
./%0 "
massa do corpo, que varia com a sua velocidade, ou seja
𝑚+
𝑚= , (8)
C1 − 𝛽 ,

𝑣
𝛽 = . (9)
𝑐
De Broglie postulou que cada partícula, com massa m e velocidade v, tem a ela
associada uma onda. A partir das considerações acima ele mostrou que a frequência dessa
onda é dada por
𝑓+
𝑓= , (10)
C1 − 𝛽 ,
e que a velocidade de fase é
𝑐 𝑐,
𝑉) = = . (11)
𝛽 𝑣
Eliminando b nessas duas expressões, e considerando que o índice de refração é dado por
n=c/Vf, obtém-se

𝑓+,
𝑛 = I1 − . (12)
𝑓,

Partindo desses resultados e postulando que a velocidade de grupo, Vg, da onda

associada ao corpúsculo é igual à sua velocidade, v, de Broglie mostrou que o
comprimento de onda associado ao corpúsculo será
ℎ ℎ
𝜆= = . (13)
𝑝 𝑚𝑣
O comprimento de onda relaciona-se com a velocidade de fase através dessa
igualdade
𝑉) = 𝜆𝑓. (14)

3
A equação de Schrödinger independente do tempo
Em 1924, de Broglie tinha todas as ferramentas para deduzir a equação de Schrödinger.
Não se sabe porque ele não fez essa dedução. De Broglie observou que o caráter
ondulatório de corpúsculos materiais poderia ter sido proposto no final do século 19, já
que a teoria de Hamilton-Jacobi permitia à dinâmica clássica agrupar as trajetórias
possíveis de um ponto material, em determinado espaço, de tal modo que as trajetórias de
um mesmo grupo sejam similares à propagação de uma onda, no sentido da ótica
geométrica. Ou seja, a partir da teoria de de Broglie e da teoria de Hamilton-Jacobi é
possível chegar à equação de Schrödinger. Portanto, a ótica geométrica está para a ótica
física, assim como a mecânica clássica está para a mecânica ondulatória. A mecânica
clássica é aplicável quando o comprimento de onda é muito pequeno, comparado às
dimensões espaciais da situação física.
A equação de onda, clássica ou relativística, é dada por (para simplificar vamos
considerar em uma dimensão)
𝜕,Ψ 1 𝜕,Ψ
= , (15)
𝜕𝑥 , 𝑣), 𝜕𝑡 ,
cuja solução é do tipo
Ψ(𝑥, 𝑡) = 𝐴𝑒 !(#$%&') . (16)

A energia total de uma partícula de massa m, movimentando-se com velocidade v,

sob a ação de um potencial V é dada por
𝑝,
𝐸= + 𝑉. (18)
2𝑚

A equação (19) é a equação de Schrödinger independente do tempo, que também

pode ser escrita assim
ℏ, 𝜕 , Ψ
− + 𝑉Ψ = 𝐸Ψ, (20)
2𝑚 𝜕𝑥 ,
onde ℏ = ℎM2𝜋, lê-se h cortado, é conhecida como a constante de Planck reduzida.
Para o caso do átomo de hidrogênio, a energia potencial é dada por
𝑒,
𝑉(𝑟) = − . (21)
4𝜋𝜀+ 𝑟
A solução da eq. (19), ou eq. (20), é denominada função de onda do elétron, com
a energia potencial dada pela eq. (21), resulta no seguinte valor de E
𝑚𝑒 1
𝐸=− , . (22)
2ℏ (4𝜋𝜀+ ), 𝑛,

4
 Reescrevendo a eq. (20) em três dimensões, em coordenadas esféricas, e
realizando a separação de variáveis, obtém-se a eq. de Schrödinger em coordenadas
esféricas
1 𝑑, Φ 𝑠𝑒𝑛, 𝜃 𝑑 , 𝑑𝑅 𝑠𝑒𝑛𝜃 𝑑 𝑑Θ
= − U𝑟 V − U𝑠𝑒𝑛𝜃 V
Φ 𝑑𝜑 , 𝑅 𝑑𝑟 𝑑𝑟 Θ 𝑑𝜃 𝑑𝜃
2𝑚 ,
− 𝑟 𝑠𝑒𝑛, 𝜃 [𝐸 − 𝑉(𝑟)], (23)
ℏ,
cuja solução é do tipo
Ψ23-# (r, θ, φ) = R 23 (r)Θ3-# (θ)Φ-# (φ), (24)
onde
5
𝑅23 (𝑟) = 𝑒 %4 2 𝑟 3 𝑥 (𝑝𝑜𝑙𝑖𝑛ô𝑚𝑖𝑜 𝑒𝑚 𝑟); (25𝑎)
Θ3-# (θ) = 𝑠𝑒𝑛|-#| 𝜃 𝑥 (𝑝𝑜𝑙𝑖𝑛ô𝑚𝑖𝑜 𝑒𝑚 𝑐𝑜𝑠𝜃); (25𝑏)
Φ-# (φ) = e!-# 7 , (25𝑐)
onde n, l, e ml são, respectivamente denominados número quântico principal, número
quântico azimutal e número quântico magnético, e obedecem às seguintes restrições:
𝑛 = 1, 2, 3, … (26𝑎)
𝑙 = 0, 1, 2, … (𝑛 − 1). (26𝑏)
𝑚3 = 0, ±𝑙, ±(𝑙 − 1), ±(𝑙 − 2), … (26𝑐)
A esses números, acrescenta-se o número quântico de spin, ms, cujos valores são
𝑚8 = ± 1M2 . (26𝑑)
Os números quânticos principais, que designam os níveis ou camadas da estrutura
eletrônica, têm denominações específicas:
n = 1, nível ou camada K,
n = 2, nível ou camada L,
n = 3, nível ou camada M,
n = 4, nível ou camada N, e assim por diante.
Os números quânticos azimutais, que designam os termos na nomenclatura
espectroscópica, também têm denominações especiais:
l = 0, termo s, orbital s;
l = 1, termo p, orbitais px (ml=+1), py (ml=-1), pz (ml=0);
l = 2, termo d, orbitais dz2 (ml=0), dxz (ml=+1), dyz (ml=-1), dxy (ml=+2), dx2-y2 (ml=-2);
l = 3, termo f, orbitais fz3 (ml=0), fxz2 (ml=+1), fyz2 (ml=-1), fxyz (ml=+2), fz(x2-y2) (ml=-2),
fx(x2-3y2) (ml=+3), fy(3x2-y2) (ml=-3).

5
 De acordo com o princípio de exclusão de Pauli, é impossível que dois elétrons
tenham os mesmos números quânticos n, l, ml e ms. Portanto, cada orbital nlml só pode
conter dois elétrons, um com ms=+1/2, e outro com ms=-1/2. Assim, o número máximo
de elétrons nos diferentes níveis ou camadas será:
Camada K, 2 elétrons no orbital s;
Camada L, 8 elétrons, sendo 2 no orbital s e 6 nos orbitais p;
Camada M, 18 elétrons, sendo 2 no orbital s, 6 nos orbitais p e 10 nos orbitais d.

Configuração eletrônica dos elementos químicos

Para se determinar a configuração eletrônica dos elementos químicos temos que resolver
a equação de Schrödinger correspondente, com a qual determinamos a energia de cada
nível atômico. Trata-se de uma tarefa que está muito acima do escopo deste curso.
Todavia, podemos determinar como os elétrons são distribuídos nos diferentes níveis,
seguindo o princípio de exclusão de Pauli (mencionada acima), as regras de Hund e o
diagrama de Pauling. Convém lembrar que as configurações eletrônicas estáveis são
aquelas que correspondem à menor energia.

Regras de Hund (simplificadas)

1. Antes de preencher um orbital de um subnível com dois elétrons, todos os orbitais
devem ser ocupados por um elétron.
2. Todos os orbitais de um subnível, ocupados por um elétron, devem ter o mesmo
valor de spin. Ou seja, todos os spins dos orbitais devem ter o mesmo sentido.

Diagrama de Pauling
A ordem do preenchimento dos termos é obtida através do seguinte
diagrama.

6
 Observe que o termo 4s é preenchido antes do 3d, o 5s antes do 4d, e assim
por diante.

Notação da configuração eletrônica
A configuração eletrônica é designada através do número da camada (K=1, L=2,
M=3, N=4, etc.) e da letra do termo (s, p, d, f) tendo como expoente o número de
elétrons. Portanto, as camadas cheias são assim designadas:
• K: 1s2
• L: 2s22p6
• M: 3s23p63d10
• N: 4s24p64d104f14
A configuração do hélio, Z=2, é 1s2. A do lítio, Z=3, é 1s22s. Costuma-se
representar a configuração do lítio assim: [He]2s. Essa forma de representação é
usada para todos os átomos. Ou seja, coloca-se a configuração do gás nobre anterior
juntamente com o restante da configuração do elemento em questão. Por exemplo, a
configuração do cálcio é [Ar]4s2

Exemplos
1) Configuração eletrônica do nitrogênio, Z=7
Um modo prático de aplicar as regras de Hund é separar os níveis em seus
diversos orbitais, sabendo que cada orbital só comporta dois elétrons, conforme o
princípio de exclusão de Pauli. Inicialmente, preenche-se os orbitais de cada subnível, na
ordem determinada pelo diagrama de Pauling, com os spins de todos os elétrons no
mesmo sentido. Quando todos os orbitais estiverem ocupados com os spins em um
sentido, os primeiros orbitais começam a serem preenchidos com dois elétrons, com spins
contrários.
O diagrama de Pauling fornece a configuração eletrônica, enquanto as regras de
Hund indicam como os orbitais são ocupados. Para o nitrogênio, a configuração
eletrônica é 1s22s22p3 = [He]2s22p3, enquanto os orbitais são ocupados conforme o
desenho abaixo.
s p
K
L

2) Configuração eletrônica do cloro, Z=17

Pelo diagrama de Pauling, a configuração é 1s22s22p63s23p5 = [Ne]3s23p5. De
acordo com as regras de Hund, a distribuição eletrônica será

7
 s p
K
L
M

Semicondutores intrínsecos: teoria de bandas

A equação de Schrödinger para átomos isolados fornece os níveis de energia em função
de três números quânticos, n, l e ml, denominados respectivamente número quântico
principal, número quântico azimutal e número quântico magnético. O quarto número
quântico, referente ao spin do elétron, denominado número quântico de spin, ms, foi
descoberto logo depois da dedução da equação de Schrödinger. Na velha mecânica
quântica, anterior à equação de Schrödinger, os níveis de energia eram discretos, e só
dependiam do número quântico principal. Com a inclusão dos outros números quânticos,
os níveis são desdobrados em função da existência do orbitais atômicos, como ilustra a
Fig. 1.
À medida que átomos são agrupados para a formação de cristais, seus elétrons
sofrem influências das cargas dos outros elétrons, e dos outros núcleos. Trata-se de um
problema complexo, que pode ser abordado com várias aproximações para simplifica-lo.
O primeiro resultado intuitivo é que os níveis de energia transformam-se em bandas de
energia, como ilustrado na Fig. 2. Inicialmente novos níveis começam a aparecer e depois
eles se multiplicam de tal forma a formarem bandas.
O tratamento desse problema depende se o cristal é metálico ou semicondutor.
Este é o caso do qual nos ocuparemos.

Fig. 1 – Disponível em <http://cronodon.com/images/Electron_energy_levels.jpg>. Acesso em 20/5/2016.

8
 Fig. 2 - Disponível em <http://www.physics-assignment.com/uncategorized/band-theory-of-solids>.
Acesso em 20/5/2016.

A evolução da situação ilustrada na Fig. 2 é a formação de bandas de níveis de

energia, ou simplesmente bandas de energia. A Fig. 3 ilustra uma situação mais realista,
para o caso do silício, que tem configuração eletrônica [Ne]3s23p2. Quando o silício
forma um cristal, os orbitais 3s e 3p formam um banda sp. A situação é similar para todos
os materiais do grupo p. É por isso que eles são também conhecidos como materiais sp.
Os estados s e p da última camada juntam-se para formar as bandas de valência e de
condução.

Fig. 3 – Disponível em < http://pt.slideshare.net/DelftOpenEr/03-introduction-to-quantum-theory-of-

solids>. Acesso em 22/5/2016.

9
 Para um cristal com N átomos de silício, teremos 2N estados 3s e 6N estados 3p,
ou seja 8N estados, sendo que 4N estarão ocupados, formando a banda de valência, e 4N
estarão desocupados, formando a banda de condução. Costuma-se denominar os elétrons
que ocupam esses estados pela letra do estado. Ou seja, no cristal de silício tem 2N
elétrons p, porque em cada átomo tem 2 elétrons no nível p.
Entre essas bandas existe uma região proibida, também conhecida como banda
proibida. Elas são separadas por uma barreira energética, conhecida como gap de energia.
Como os nomes sugerem, a banda de valência é onde ficam os elétrons responsáveis pela
ligação atômica, enquanto a banda de condução é o espaço por onde circulam os elétrons
portadores da corrente elétrica. Ou seja, só haverá condução elétrica se houver elétrons na
banda de condução. Todos os materiais cristalinos apresentam bandas de energia, mas
suas características são diferentes para os diferentes tipos de materiais, como ilustra a
Fig. 4.
No contexto do presente capítulo, entende-se por característica da estrutura de
banda apenas a separação energética entre as bandas de valência e de condução. Nos
materiais isolantes, ou dielétricos (na terminologia moderna), o gap de energia é
suficientemente grande para impedir que, em condições normais de temperatura, pressão
e voltagem aplicada, elétrons da banda de valência passem para a banda de condução. Por
outro lado, nos materiais semicondutores a separação é tal que por agitação térmica
alguns elétrons da banda de valência migram para a de condução. Esse processo é mais
facilmente realizado quando uma voltagem é aplicada. Cada elétron que passa para a
banda de condução, deixa uma lacuna, ou buraco, na banda de valência. Esta lacuna pode
se movimentar na banda de valência. Assim, nos semicondutores temos condução elétrica
através do movimento dos elétrons e do movimento das lacunas. Voltaremos a essa
questão logo em seguida.

Fig. 4 – Adaptado de
<https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Energy_band1.svg?uselang=pt-br>. Acesso
em 20/5/2019.

10
 Situação completamente diferente ocorre nos materiais condutores, onde há uma
superposição das duas bandas. Assim, elétrons na banda de valência têm liberdade para
se movimentar na banda de condução. Qualquer voltagem, por pequena que seja, é capaz
de induzir uma corrente elétrica nos materiais condutores. Na Fig. 4 há uma linha
pontilhada, marcada energia de Fermi, ou nível de Fermi, que separa, na temperatura do
zero absoluto (0 K), os estados ocupados daqueles desocupados. Ou seja, na temperatura
de 0 K, não há estados ocupados acima da energia de Fermi. Pelas características dos
isolantes e dos semicondutores, apresentadas acima, é óbvio que para esses materiais o
nível de Fermi deve ficar na banda proibida.

Definição de semicondutores intrínsecos e extrínsecos

Conforme o que foi dito acima, semicondutores são materiais que têm a banda de
valência cheia e a banda de condução vazia. Isso pode acontecer com os elementos
químicos do grupo p da tabela periódica (Fig. 5), sendo silício e germânio os mais
notáveis entre aqueles que existem na forma pura. Além disso, existem vários compostos
semicondutores, GaAs, InSb, InP, GaP, CdS, PbS, PbTe, CdTe, entre outros. O quê
caracteriza um semicondutor, além de ter a banda de condução vazia e separada da banda
de valência? O que caracteriza os materiais semicondutores é o valor do gap de energia,
Eg. De um modo geral, quanto menor Eg melhor o semicondutor, no sentido em que
necessita-se de uma voltagem menor para a obtenção de corrente. Por outro lado, quanto
menor Eg, mais sensível ele é à temperatura, uma propriedade que deve ser superada para
uso tecnológico do material.
Seguem alguns valores típicos de Eg (em eV) em temperatura ambiente: Si (1,12),
Ge (0,66), GaAs (1,43), InSb (0,18), InP (1,35), GaP (2,26), CdS (2,42), PbS (0,35),
PbTe (0,30), CdTe (1,45).
As propriedades elétricas dos condutores dependem principalmente do número de
elétrons na banda de condução, ou seja, dependem da relação Eg/KBT, onde KB é a
constante de Boltzmann. KBT é a quantidade de calor necessária para aumentar, em uma
unidade, a entropia de um sistema.
Os semicondutores mencionados até agora são denominados semicondutores
intrínsecos, porque são praticamente puros, com baixa concentração de impurezas.
Podemos dizer que são semicondutores naturais ou semicondutores não dopados. Eles
têm pouca utilidade tecnológica por duas razões: têm pouca concentração de portadores,
e esta concentração depende muito da temperatura. Para aumentar a concentração de
portadores e tornar as propriedades elétricas menos dependentes da temperatura, os
semicondutores intrínsecos são dopados com determinados átomos, chamados de
impurezas. O semicondutor dopado é denominado semicondutor extrínseco. Mais
adiante discutiremos esse tipo de material.

11
 Fig. 5 – Elementos químicos semicondutores. Adaptado de
<https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/e/e5/Periodic_table_of_elements_showing_electron_sh
ells.png>. Acesso em 20/5/2016.

Elétrons e lacunas em semicondutores intrínsecos

Como você sabe, num semicondutor a agitação térmica é capaz de promover a migração
de um certo número de elétrons da banda de valência para a de condução, deixando uma
lacuna na banda de valência. Assim, o material passa a conduzir se for submetido a uma
voltagem. Qualquer que seja a voltagem aplicada, sempre haverá uma corrente de
elétrons em um sentido, e uma corrente de lacunas no sentido contrário. Como a lacuna
funciona como uma carga positiva, de igual valor à carga do elétron, tem-se duas
correntes iguais e de mesmo sentido.
Podemos analisar a corrente elétrica a partir da dualidade partícula-onda,
considerando que o elétron comporta-se como uma onda, ou melhor, como um pacote de
ondas, exatamente como propôs de Broglie, ou seja, em uma dimensão,

12
 Ψ(𝑥, 𝑡) = 𝐴𝑒 !(#$%&') . (1)
O elétron, representado por este pacote de ondas, está sujeito a um potencial
periódico produzido pelos núcleos dos átomos do cristal. Sem entrar em detalhes a
respeito da estrutura desse potencial cristalino que atua sobre o elétron, podemos dizer
que a energia do elétron é dada por
ℏ, 𝑘 ,
𝐸 = ℏ𝑤 =
. (2)
2𝑚
Da teoria de de Broglie, sabe-se que a velocidade do elétron é igual à velocidade
de grupo do pacote de ondas a ele associado. Ou seja,
𝜕𝑤 1 𝜕𝐸
= 𝑣* = . (3)
𝜕𝑘 ℏ 𝜕𝑘
A aplicação de uma voltagem, significa a aplicação de um campo elétrico, que
resultará em uma força sobre o elétron, dada por
𝜕𝐸 𝜕𝐸 𝜕𝑘 𝜕𝐸 𝜕𝑘 𝜕𝑡
𝐹= = = . (4)
𝜕𝑥 𝜕𝑘 𝜕𝑥 𝜕𝑘 𝜕𝑡 𝜕𝑥
Usando as relações (2) e (3), e as propriedades derivadas, mostra-se que
𝜕𝑘
𝐹=ℏ . (5)
𝜕𝑡

Das relações de de Broglie mostra-se que

𝑝 = ℏ𝑘. (6)

A aceleração ganha pelo elétron será

𝜕𝑣* 𝜕 1 𝜕𝐸 1 𝜕,𝐸 1 𝜕,𝐸 1 𝜕 , 𝐸 𝜕𝑘
𝑎= = U V= = = . (7)
𝜕𝑡 𝜕𝑡 ℏ 𝜕𝑘 ℏ 𝜕𝑘𝜕𝑡 ℏ 𝜕𝑘𝜕𝑡 𝜕𝑘 ℏ 𝜕𝑘 , 𝜕𝑡
𝜕𝑘
Substituindo (5) em (7), obtém-se
ℏ,
𝐹= 𝑎. (8)
𝜕𝐸 ,M
𝜕𝑘 ,
Lembrando que F=ma, a equação (8) mostra que sob a ação de uma força externa,
providenciada pela voltagem, o elétron em um cristal comporta-se como um elétron livre,
mas com uma massa diferente, denominada massa efetiva.

ℏ,
𝑚∗ = . (9)
𝜕𝐸 ,M
𝜕𝑘 ,

13
 Pode-se mostrar que as lacunas têm massas efetivas formalmente idênticas às dos
elétrons, mas são negativas. Quando se diz formalmente, quer-se dizer que a fórmula é
igual à relação (9), mas o cálculo é diferente. Explicarei sem entrar nos detalhes. Elétrons
em diferentes estados de uma banda de energia têm diferentes funções de onda (pacotes
de onda) e portanto, diferentes valores de w e k. Os elétrons de condução encontram-se
na parte de baixo da banda de condução, portanto, o cálculo de (9) para os elétrons é
realizado com os valores mínimos de k pertencentes à banda de condução. Por outro lado,
as lacunas encontram-se na parte superior da banda de valência, de modo que o cálculo é
realizado com os valores máximos correspondentes à banda de valência. A tabela 1
apresenta valores típicos de me* e ml* em relação à massa de repouso do elétron,
m0=9,1x10-31 kg, calculadas para T=300 K.
Tabela 1 – Valores típicos da massa reduzida de elétrons e lacunas, em relação à massa de repouso do
elétron, calculadas para T=300 K.
Cristal me*/m0 ml*/m0
Ge 0,12 0,23
Si 0,26 0,38
GaAs 0,068 0,50

Como já foi dito, o principal processo de criação de pares elétron-lacuna em

semicondutores é a excitação térmica, mas existem outros processos. Por exemplo, a
absorção de um fóton com energia ℏ𝑤 promove a transferência de um elétron da banda
de valência para a de condução, desde que esta energia seja igual ou superior a Eg, a
energia do gap. O tratamento dessa questão leva à discussão da concentração de elétrons
e lacunas, que neste caso de semicondutores intrínsecos são iguais, ou seja ne=nl. Trata-se
de um parâmetro muito importante na ciência e tecnologia de semicondutores, mas não o
discutiremos aqui com e devido detalhamento. Quando necessário, mais adiante, faremos
uma discussão qualitativa.

Semicondutores extrínsecos
Os semicondutores intrínsecos são pouco utilizados em dispositivos
principalmente porque, além de baixa, sua condutividade é muito dependente da
temperatura. Uma alternativa é colocar impurezas que superem essas duas dificuldades.
Os materiais obtidos com a dopagem, como é conhecido o processo de inclusão de
impurezas, são denominados semicondutores extrínsecos. A Fig. 1 ilustra o processo.
Existem duas possibilidades de dopagem. Uma é a utilização de um material que tenha
mais elétrons na camada externa do que material base. Por exemplo, fósforo, que tem 5
elétrons na última camada dopando silício, que tem 4 elétrons na última camada. Neste
caso, o fósforo é impureza doadora, porque libera um elétron para a condutividade do
material, que passa a ser denominado semicondutor tipo N, porque tem mais elétrons do
que lacunas disponíveis para conduzir a eletricidade. Diz-se que nesses materiais os
elétrons são os portadores majoritários. A outra possibilidade é dopar com um material
que tenha menos elétrons na última camada, como o boro em relação ao silício. Esse

14
material é denominado impureza aceitadora, e o semicondutor é denominado
semicondutor tipo P. O processo é um pouco mais complicado do que o anterior. Neste
caso, para completar a ligação covalente o material base cede um elétron, ficando com
uma lacuna em sua banda de valência. Essa lacuna na banda de valência do material base
pode conduzir eletricidade como se fosse uma carga positiva. Portanto, o semicondutor P
tem tem mais lacunas do que elétrons, e portanto as lacunas são os portadores
majoritários.

Fig. 1 – Dopagem do silício, com impurezas tipo N (fósforo) e P (boro).

O processo de dopagem é representado pela existência de níveis próximos à banda

de condução (semicondutor N) ou à banda de valência, como ilustrado na Fig. 2. Ou seja,
a doação de um elétron por uma impureza doadora significa a colocação de um nível
próximo à banda de condução. A proximidade facilita a passagem do elétron, da banda da
impureza para a banda de condução do material base. Por outro lado, a dopagem com
impureza aceitadora significa a existência de níveis próximos à banda de valência, de
modo que elétrons desta banda passam para os níveis da impureza, deixando lacunas na
banda de valência.

15
 Fig. 2 -

Os níveis de energia das impurezas no gap dos semicondutores podem ser

calculados com métodos quânticos similares aos aplicados no caso do átomo de
hidrogênio. Como já foi visto, a energia de ionização do átomo de hidrogênio é
𝑚𝑒 1
𝐸= , . (1)
2ℏ (4𝜋𝜀+ ), 𝑛,
Observe que o valor da energia é positivo. No tratamento anterior ela era negativa
porque tratávamos dos níveis de energia. Agora estamos tratando da energia necessária
para ionizar o átomo, ou seja a energia necessária para extrair o elétron do nível “n”. É
uma sutileza que devemos ter atenção.
No caso do elétron no átomo da impureza, a energia é calculada considerando que
ele esteja preso ao íon da impureza, como em qualquer átomo hidrogenóide. Ou seja, na
expressão (1) m deve ser substituída pela massa efetiva do elétron e a permissividade
dielétrica do vácuo, 𝜀+ deve ser substituída pela permissividade do cristal 𝜀. Assim, a
energia do elétron no nível 1 da impureza será
𝑚∗ 𝑒 1 𝑚∗ 𝑒 1 𝑚 𝜀+ , 𝑚𝑒 1 𝑚∗ 𝜀+ , 𝑚∗ 𝜀+ ,
𝐸= = U V = g h = 13,6 g h . (2)
2ℏ, (4𝜋𝜀), 2ℏ, (4𝜋𝜀), 𝑚 𝜀+ 2ℏ, (4𝜋𝜀+ ), 𝑚 𝜀 𝑚 𝜀
Substituindo os valores conhecidos para o germânio, isto é, 𝜀 ≅ 16𝜀+ e
m*=0,12m, obtém-se
E=0,006 eV. (3)
O valor apresentado em (3) é apenas uma aproximação para o caso do germânio,
pois não leva em conta as propriedades do átomo da impureza. Mesmo aproximado, esse
valor nos permite estimar a vantagem em dopar o germânio, uma vez que para este
material a energia do gap é da ordem de 0,66 eV.
Uma série de questões importantes deixarão de ser tratadas aqui porque estão fora
do escopo do curso, que é tratar aspectos qualitativos da física da matéria condensada
indispensáveis para a compreensão do funcionamento de dispositivos tecnológicos
contemporâneos.
Todavia considero importante mencionar algumas dessas questões:
1. Como são feitas as dopagens? Existem duas formas básicas. A mais antiga, via
difusão térmica. A mais moderna via implantação iônica, com maior controle de
qualidade, tanto no que se refere à concentração de dopantes, quanto à posição em
que eles devem ocupar no material base.
2. Um aspecto importante no processo de dopagem é justamente a concentração de
dopante, ou a concentração de portadores majoritários. A partir do conhecimento

16
Dispositivos semicondutores: junção p-n
O primeiro dispositivo semicondutor fabricado foi a junção p-n. A junção se
forma quando determinado semicondutor é dopado em lados opostos com impurezas tipo
p e n. No semicondutor tipo p há um excesso de lacunas, enquanto no semicondutor tipo
n há um excesso de elétrons. Diz-se que há um gradiente de lacunas do lado p para o n, e
de elétrons no sentido contrário. Esses gradientes de concentração provocam a difusão de
lacunas em direção ao lado n, e de elétrons em direção ao lado p. Na região da interface,
elétrons e lacunas se recombinam, deixando uma faixa de íons positivos no lado n e outra
de íons negativos no lado p. Essa região é conhecida como região de carga espacial (por
causa das cargas dos íons), ou região de depleção, por faltam elétrons e lacunas, que se
recombinaram.

Fig. 1 – Representação esquemática de uma junção p-n. Adaptado de

<https://commons.wikimedia.org/wiki/File:Pn-junction-equilibrium.png?uselang=pt-br>.

Em determinado momento o processo de difusão cessa e o sistema entra em

equilíbrio. O processo cessa porque os íons positivos empurram as lacunas para o lado p,
e os íons negativos empurram os elétrons de volta para o lado n. Dito de outro modo, os
íons formam uma barreira de potencial na interface. É uma espécie de capacitor, com um
campo elétrico dirigido do lado n para o lado p, como ilustra a Fig. 2.

Fig. 2 – Junção p-n em polarização direta.

17
 Na Fig. 2 a junção p-n está ligada a uma bateria no modo denominado polarização
direta. O terminal positivo da bateria ligado ao semicondutor p e o terminal negativo ao
semicondutor n. O que ocorre pode ser assim resumido:
1. Do terminal negativo saem elétrons em direção à junção no lado do semicondutor
n.
2. O terminal positivo remove elétrons do semicondutor p, deixando lacunas que
migram para a interface.
3. Se a voltagem da bateria for superior à barreira de potencial da junção, elétrons e
lacunas se aniquilam na interface e abrem espaço para mais elétrons e lacunas. É
assim que surge a corrente. Ou seja, a corrente inicia quando a voltagem aplicada
é superior à barreira de potencial da junção.
4. A região de depleção fica mais estreita.

Se a junção for ligada no sentido contrário, no modo conhecido como polarização

reversa (Fig. 3), o que acontece pode ser assim resumido:
1. Os portadores majoritários de ambos os lados são atraídos para os terminais da
bateria.
2. Isso implica em região de depleção mais larga e barreira de potencial maior.
3. Como não há recombinação de elétrons e buracos, também não há corrente no
circuito, a não ser uma pequena corrente de fuga, devido a imperfeições na
junção.
4. Eventualmente, elétrons e lacunas penetram na região de depleção e são
fortemente acelerados. Ao chocarem-se com átomos nessa região, iniciam uma
avalanche que origina a corrente de ruptura.

Fig. 3 – Junção p-n em polarização reversa.

18
 Na Fig. 4 é esquematicamente apresentada a curva da corrente em função da
voltagem aplicada.

Fig. 4 – Curva característica I-V da junção p-n.

MOSFET
MOSFET é o acrônimo de Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor, o
transistor mais usado em computadores. O texto sobre o MOSFET encontra-se no
capítulo 3 do livro Energia e Matéria.

Efeito túnel
A história da descoberta e os princípios básicos do efeito túnel encontram-se neste
artigo:
http://www.ciencia.org.br/noticia/v/ler/id/3020/n/o_fantasminha_camarada_da_microelet
ronica
Complementarei o artigo com detalhes que não cabiam na coluna da CH. Embora
mesmo aqui nem todos os detalhes podem ser discutidos, pois exigem conhecimento de
mecânica quântica que não dispomos. Vamos tentar uma narrativa consistente com o
nível de conhecimento que temos da mecânica quântica.

19
 Fig. 5 – Curva I-V para um diodo túnel.

Na Fig. 5 temos uma curva I-V de um diodo túnel. A característica típica desse
diodo é a região em que o dispositivo apresenta resistência negativa. Esse fenômeno não
é específico desse tipo de diodo. Ele acontece em descargas em gases, em lâmpadas de
neon, entre outros dispositivos. Antes do diodo túnel, a resistência diferencial negativa
(NDR: Negative Differential Resistance) já era conhecida. Em cada tipo de dispositivo o
mecanismo responsável pelo fenômeno é diferente, mas o resultado experimental é o
mesmo, ou seja, corrente e voltagem crescem em sentidos contrários, ao contrário do que
acontece na lei de Ohm, i=Rv, onde corrente e voltagem variam no mesmo sentido.
Vamos nos restringir ao caso do diodo túnel descoberto por Leo Isaki nos anos 1950.
Para uma junção p-n apresentar o fenômeno da resistência negativa é necessário
que a concentração de dopantes, de um lado e de outro da junção, seja muito alta, algo
superior a 1018 cm-3 (elétrons por unidade de volume). Este nível de concentração diminui
a espessura da zona de depleção, o que aumenta a probabilidade de tunelamento quântico.

Abordagem simples do efeito túnel

Vamos considerar o caso de um elétron livre que se propaga na direção +x e
encontra uma barreira de potencial de altura V0, como ilustra a Fig. 6.

Fig. 6 -
Na região I o elétron pode ser representado por uma função de onda do tipo
𝜓: (𝑥) = 𝐴𝑒 !#$ + 𝐵𝑒 %!#$ , (1)
onde

20
 √,-<
𝑘= ℏ
. (2)

A equação de Schrödinger que descreve esta situação é (V0=0 para o caso do

elétron livre)
𝜕 , Ψ 8𝜋 , 𝑚
+ (𝐸 − 𝑉+ )Ψ = 0. (3)
𝜕𝑥 , ℎ,
Sendo V0 – E > 0, a solução na região II é
𝜓:: (𝑥) = 𝐶𝑒 >$ + 𝐷𝑒 %>$ , (4)
onde
C2𝑚(𝑉+ − 𝐸)
𝛾= . (5)
ℏ
As constantes A, B, C e D devem satisfazer às condições de contorno da função
de onda. Para 𝑥 → ∞, 𝜓:: (𝑥) → ∞ se 𝐶 ≠ 0. Como a função de onda não pode divergir,
C deve ser nula. Em x=0, 𝜓: (0) = 𝜓:: (0), e
𝑑𝜓? 𝑑𝜓??
r = r . (6)
𝑑𝑥 + 𝑑𝑥 +
𝑑 , 𝜓M
Se (6) não fosse verdadeira, a energia cinética que é proporcional a 𝑑𝑥 , ,
seria infinita em x=0. Com essas condições, podemos obter as amplitudes da onda
refletida B e da onda transmitida D em função da amplitude da onda incidente A.
Portanto, a amplitude da função de onda cai exponencialmente ao atravessar a
barreira de potencial. Este é o efeito túnel. Obviamente nas situações reais o problema é
muito mais complexo, mas a ideia básica é essa.

A estrutura de bandas na junção super dopada

Até aqui sempre mencionamos níveis discretos de energia dos dopantes acima da
banda de valência ou abaixo da banda de condução do material base. Os dopantes
formam níveis e não bandas de energia porque existem em baixa concentração, de modo
que quase não interagem uns com os outros. Quando a concentração é superior a 1018 cm-
3
, a interação passa a ser considerável e os níveis são substituídos por bandas de energia
de impurezas. Assim, as bandas de impurezas doadoras se superpõem com a banda de
condução do material base. Por outro lado, as bandas de impurezas aceitadores se
superpõem com a banda de valência. Desse modo, mesmo em T=0 alguns estados acima
da base da banda de condução estão preenchidos com elétrons, e o mesmo acontece com
as lacunas abaixo do topo da banda de valência.
Uma análise mais aprofundada, levando em conta o posicionamento do nível de
Fermi, mostra que a aplicação de uma voltagem no modo de polarização direta implica na
existência de elétrons preenchendo bandas de energia no lado n, emparelhados com
estados desocupados no lado p, de mesma energia, mas separados pela interface da

21
junção. Como essa interface é muito estreita, é grande a probabilidade de tunelamento
quântico.

O surgimento da resistência negativa

Com polarização direta, elétrons no lado n são empurrados na direção do lado p.
Como a interface é estreita, há tunelamento desses elétrons. Existe uma razão
fundamental para isso, cuja compreensão está acima do que sabemos, porque não
discutimos detalhadamente o nível de Fermi. Sabemos apenas que este nível delimita a
região onde há estados desocupados. Ou seja, acima do nível de Fermi os estados estão
desocupados. Esta é a situação no início do processo de polarização. O nível de Fermi no
lado p fica abaixo do nível de Fermi no lado n. É por isso que elétrons do lado n migram
para o lado p. Essa corrente aumenta com a voltagem. Em determinado momento, o valor
da voltagem é tal que a banda de condução no lado n fica acima da banda de valência no
lado p e o tunelamento começa a diminuir, diminuindo também a corrente, como ilustra a
Fig. 5. Então na faixa entre A e B da Fig. 5, dI/dV < 0. É o surgimento da resistência
diferencial negativa (RDN). Trata-se de um resultado não apenas curioso, como
favorável a determinadas aplicações tecnológicas. Por exemplo, sabe-se que o
comportamento normal de materiais resistivos é dissipativo, ou seja, parte da energia
transportada pela corrente elétrica em um condutor é dissipada pelo efeito Joule. No caso
da RDN, ao invés de perder potência, o dispositivo fornece potência. É por isso que o
diodo túnel é muito usado em osciladores e amplificadores de sinal.
Leitura complementar: textos que mencionam o efeito túnel na CH Online
1. http://www.ciencia.org.br/noticia/v/ler/id/2927/n/grafeno:_sucesso_tecnologico_e
_fascinio_teorico
2. http://www.ciencia.org.br/noticia/v/ler/id/2935/n/2015,_ano_internacional_da_luz
3. http://www.ciencia.org.br/noticia/v/ler/id/2960/n/microscopia_as_cegas
4. http://www.ciencia.org.br/noticia/v/ler/id/2973/n/tunelamento_quantico_em_reac
oes_quimicas

A origem do magnetismo e suas propriedades

O magnetismo surge das propriedades magnéticas intrínsecas de prótons, nêutrons
e elétrons, e das consequências magnéticas de seus movimentos no átomo. Pode-se dizer
que o magnetismo é a ciência das cargas em movimento. Noções básicas e elementares
sobre o assunto encontram-se no curso que ministrei na Licenciatura em Matemática da
UFRGS <http://www.if.ufrgs.br/tex/fis142/mod00/>.
São três as fontes do magnetismo:
1. Elétrons em movimento em torno do núcleo.
2. Movimento do elétron em torno do seu próprio eixo.
3. Movimento dos quarks no interior do próton e do nêutron.

22
 O movimento do elétron em torno do núcleo produz o momento angular, 𝐿 t⃗, ao
qual se associa um momento magnético, 𝜇⃗, cujo módulo é igual a iA. Sua origem tem a
ver com a lei de Ampère.

Podemos fazer um tratamento semiclássico para a obtenção da relação entre o

momento angular e o momento magnético. A corrente equivalente a um elétron girando
na círculo de raio r é i=e/T, onde e é a carga do elétron, e T é o período de revolução,
2𝜋𝑟
𝑇=
𝑣
𝑒
𝑖=
2𝜋𝑟M
𝑣
Como
𝜇
𝑖= ,
𝜋𝑟 ,
resulta que
𝜇 𝑒𝑣
,
=
𝜋𝑟 2𝜋𝑟
𝑒𝑣𝑟
𝜇=
2
Por outro lado, o momento angular é dado por
𝐿 = 𝑚𝑣𝑟,

23
o que implica em
𝑒𝐿 2𝜋ℎ 𝑒𝐿 𝑒ℏ 2𝜋
𝜇 = = = 𝐿
2𝑚 2𝜋ℎ 2𝑚 2𝑚 ℎ
Ou seja,
𝐿t⃗
𝜇⃗ = −𝜇@ ,
ℏ
onde µB é o magnéton de Bohr,
𝑒ℏ
𝜇@ =
2𝑚
Em 1921, Stern e Gerlach descobriram o spin do elétron em um experimento com
um feixe de hidrogênio submetido a um campo magnético. O feixe dividiu-se em dois e o
fenômeno foi atribuído à existência do spin, com valor ½. Os dois feixes correspondem
aos números quânticos mS, similares aos números quânticos ml. Portanto, 𝑚A = ±1/2.

Desde então, o momento angular atômico passou a ser considerado como a soma
do momento angular orbital com o spin, ou seja
𝐽⃗ = 𝐿t⃗ + 𝑆⃗

𝑆 = { 𝑚8

𝐿 = { 𝑚B

𝐽 = { 𝑚C

𝑚D = 𝑚3 + 𝑚8

Formalmente cada um desses momentos tem um momento magnético associado:

𝑒
𝜇⃗3 = −𝑔3 t⃗
𝐿
2𝑚
𝑒
𝜇⃗8 = −𝑔8 𝑆⃗
2𝑚
𝑒
𝜇⃗C = −𝑔 𝐽⃗
2𝑚

24
 Cada momento possui uma constante, ou fator g, sendo aquele associado ao
momento angular total o mais famoso. Ele é conhecido como fator de Landé, que
depende da estrutura eletrônica do material, e varia entre 1 (g do elétron) e 2 (g do spin)
1≤𝑔≤2
Propriedades macroscópicas
As propriedades microscópicas do magnetismo manifestam-se
macroscopicamente através de algumas propriedades mensuráveis, como a magnetização
total por unidade de volume, definida como
∑! 𝜇⃗!
tt⃗ =
𝑀
𝑉
As propriedades macroscópicas associadas ao magnetismo causam muita
confusão, até mesmo em respeitáveis livros didáticos e artigos científicos publicados em
revistas de boa qualidade. Elas podem ser definidas diferentemente, dependendo do
sistema de unidades. Por exemplo, as expressões podem ser diferentes quando escritas no
sistema internacional, SI, ou no CGS. Além disso, há muito confusão quanto às duas
grandezas que expressam o campo magnético, a intensidade de campo magnético, H, e a
indução magnética, B. Não raras vezes uma dessas grandezas é usada no lugar da outra.
A intensidade de campo magnético, H, é relacionado com a corrente que cria o
campo magnético, cujo valor pode ser obtido através da lei de Ampère

t⃗. 𝑑𝑙⃗ = 𝜇+ 𝑖
€𝐻

ou da lei de Biot-Savart, que fornece o valor do campo magnético produzido por uma
corrente que percorre uma trajetória C
𝜇+ 𝑖 𝑑𝑙⃗𝑥𝑟̂
t⃗ =
𝐻 €
4𝜋 4 𝑟 ,
Para o caso de uma corrente em um círculo de área, obtém-se
𝜇+ 𝑖𝐴 𝜇+ 𝜇
𝐻(𝑧) = =
2𝜋 𝑧 E 2𝜋 𝑧 E
Geralmente os livros didáticos escrevem essas três expressões substituindo H por
B. A discussão é extensa demais para os objetivos deste curso. Aqui é suficiente termos
em mente as relações entre as grandezas macroscópicas e suas unidades nos dois sistemas
mais usados, SI e CGS.
Algumas técnicas de medidas de propriedades magnéticas utiliza o fluxo
produzido pela indução magnética, dado pela relação

t⃗ . 𝑑𝑠⃗
Φ = „𝐵

As relações entre H e B são:

No sistema SI

25
 t⃗ = 𝜇+ (𝐻
𝐵 t⃗ + 𝑀
tt⃗)
No sistema CGS
t⃗ = 𝐻
𝐵 t⃗ + 4𝜋𝑀
tt⃗
onde µ0 é a permeabilidade magnética do vácuo.
𝜇+ = 4𝜋𝑥10%F 𝑁M𝐴,
A permeabilidade magnética de um meio qualquer é dada por:
No sistema SI
𝜇 = 𝜇+ (1 + 𝜒)
No sistema CGS
𝜇 = 1 + 4𝜋𝜒
onde c é a susceptibilidade magnética do meio, definida por
𝑀
𝜒=
𝐻
Nos materiais paramagnéticos e diamagnéticos, H e B relacionam-se através da
permeabilidade
t⃗ = 𝜇𝐻
𝐵 t⃗
Nos materiais ferromagnéticos, antiferromagnéticos e ferrimagnéticos, a relação é
mais complexa, depende do material e do processo de magnetização.
t⃗ = 𝑓(𝐻
𝐵 t⃗)

Grandeza SI CGS Relação

F Weber (Wb) maxwell 1 Wb=108 maxwell

B Tesla (T) = gauss (G) 1 T = 104 G

Wb/m2

H A/m Oersted (Oe) 1 A/m = 4p x 10-3 Oe

M A/m emu/cm3 1 A/m = 10-3 emu/cm3

µ N/A2 adimensional

c adimensional adimensional

26
Materiais magnéticos
Os materiais magnéticos são classificados em:
1. Paramagnéticos;
2. Diamagnéticos
3. Ferromagnéticos;
4. Antiferromagnéticos;
5. Ferrimagnéticos.
Existem duas propriedades magnéticas que todos os materiais apresentam. A
primeira é que qualquer material apresenta uma componente diamagnética. O
diamagnetismo tem origem na lei de Lenz-Faraday. Em um circuito fechado, por
exemplo, uma bobina, uma corrente será induzida para se opor à variação do fluxo
magnético através do circuito. Então, quando um campo magnético atua sobre qualquer
material, seus elétrons produzirão um campo magnético para se opor ao campo externo.
Isso faz com o material seja repelido pelo campo magnético. Os materiais que apresentam
esse fenômeno com maior intensidade são aqueles que possuem todos os orbitais com
elétrons emparelhados. Nos outros materiais, que possuem orbitais com elétrons
desemparelhados, esse efeito é muito pequeno, mas está sempre presente.
A outra propriedade que todo material apresenta é o paramagnetismo acima de
determinada temperatura, que depende da natureza do material. Abaixo dessa temperatura
crítica, o material sofre uma transição magnética e passa a ser ferromagnético,
antiferromagnético ou ferrimagnético.
Um material é ferromagnético, quando abaixo da temperatura crítica todos os
momentos magnéticos alinham-se numa mesma direção. Neste caso, a temperatura crítica
é denominada temperatura de Curie, TC. Ela vale 7770C para o ferro.

Quando abaixo da temperatura crítica os momentos magnéticos ordenam-se em

sentidos contrários, o material é antiferromagnético. O material apresenta duas sub-redes.
Uma ordena-se num sentido, e a outra ordena-se em sentido contrário. A temperatura
crítica é denominada temperatura de Néel, TN. Ela vale 370C para o crômio.

27
 Em alguns materiais antiferromagnéticos, uma das sub-redes tem momento
magnético menor do que na outra. Esses materiais são denominados ferrimagnéticos, e
apresentam propriedades similares aos ferromagnéticos. É por isso que sua temperatura
de transição é denominada temperatura de Curie e não temperatura de Néel.
Curiosamente, o primeiro material magnético descoberto, a magnetita, Fe3O4, que todos
pensavam ser ferromagnético, é na verdade ferrimagnético, com TC=5850C. A descoberta
desse fato se deve a Louis Néel.

Além da temperatura, que provoca o ordenamento natural, os materiais podem ser

ordenados pelo efeito de um campo magnético externo.

As diferenças entre esses três tipos de materiais resultam do tipo de estrutura

eletrônica e das interações entre os átomos do cristal. Um dos modelos mais utilizados
para o estudo das interações magnéticas em um cristal foi desenvolvido por Heisenberg, e
recebe seu nome. As interações são descritas através do seguinte hamiltoniano:

Neste hamiltoniano, Si e Sj representam os momentos magnéticos totais nas

posições, ou sítios i e j. B é um campo magnético atuando em cada sítio, resultante da
soma dos outros momentos magnéticos, é uma espécie de campo médio atuando em cada
sítio. A constante J, conhecida como constante de acoplamento, determina em que
categoria enquadra-se o material. Se J>0, o material é ferromagnético. Se J<0, o material
é antiferromagnético.

28
Domínios magnéticos
Por causa das imperfeições durante os processos de crescimento cristalino, quer
seja espontaneamente na natureza ou sob condições controladas em laboratório, os
materiais são geralmente inomogêneos. Essas inomogeinidades manifestam-se pela
formação de pequenos grãos. Isso é verdade tanto do ponto de vista da estrutura
cristalina, quanto da estrutura magnética. Neste caso, os grãos são denominados domínios
magnéticos.

A passagem de um domínio a outro não é abrupta como sugere a figura

acima. Entre domínio vizinhos existe uma parede, chamada parede de domínio ou parede
de Bloch, ou parede de Néel, como ilustrado abaixo. No interior da parede os momentos
magnéticos giram desde a orientação de um domínio até a orientação do domínio vizinho.

Em cada domínio, os momentos magnéticos são alinhados numa única direção, de

modo que existe uma magnetização média em cada domínio, mas a magnetização total do
material é nula, se ele está acima da sua temperatura de transição ou se não há um campo
magnético externo. Quando o material é submetido a um campo externo, acontece o
seguinte: inicialmente os domínios cuja magnetização aponta em sentidos próximos do
campo externo crescem, em detrimento daqueles cujas magnetizações apontam em
sentidos mais afastados. Isso evolui até que praticamente as magnetizações de todos os
grãos apontam no sentido do campo externo. Os grãos restantes giram suas
magnetizações para se alinharem com o campo externo.

29
 É óbvio que a magnetização total do material cresce à medida que cresce a
intensidade do campo externo. A situação pode ser ilustrada numa curva de
magnetização, M, ou indução magnética, B, versus campo magnético, H.

Ciclos de histerese
Uma das manifestações magnéticas mais importantes da interação entre um material e um
campo magnético é o ciclo de histerese, cuja fase inicial é apresentada na figura acima.
Quando se atinge o campo de saturação, ou seja o valor do campo H, acima do qual não
há mais crescimento significativo de M ou B, inicia-se a diminuição de H. Nos materiais
ferro, ferri e antiferromagnéticos, a curva de descida não é igual à de subida. Durante a
subida ocorrem transformações irreversíveis, ou seja, aqueles domínios que cresceram e
rodaram não voltam mais para suas configurações originais. Na curva de subida, também
denominada curva inicial de magnetização, M=0 quando H=0, mas na curva de descida,
M=MR quando H=0. MR é denominada magnetização remanente ou residual. A
magnetização só volta a ser nula quando o campo é invertido e atinge um valor
genericamente conhecido como HC, ou campo coercivo.

30
 Os valores de MR e HC, bem como o formato do ciclo de histerese caracterizam a
natureza do magnetismo dos materiais. Por exemplo, materiais magnéticos chamados
duros apresentam ciclos “retangulares” com altos valores de MR e HC. Enquanto os
materiais doces ou permeáveis apresentam baixos valores de HC.

Os materiais duros são apropriados para fabricação de ímãs permanentes. Os

moles, facilmente magnetizáveis e desmagnetizáveis, são usados em motores,
transformadores, eletroímãs, blindagem magnética, entre outras aplicações. Materiais
com campos coercivos entre os duros e os moles são usados em dispositivos de gravação
magnética.
Os materiais antiferromagnéticos apresentam ciclos de histerese inclinados e com
baixíssimos campos coercivos.

31
 Apenas os materiais paramagnéticos apresentam transformações reversíveis, de
modo que suas curvas MxH ou BxH não apresentam histerese, como ilustra a figura
abaixo.

Ressonância nuclear magnética

Uma importante aplicação médica dos materiais magnéticos é a ressonância
nuclear magnética (RNM), cujos princípios básicos passo a descrever.
A RNM resulta da interação do momento magnético nuclear com um campo
magnético externo. Na verdade, com dois campos magnéticos externos. O momento
magnético nuclear resulta dos spins dos prótons e nêutrons. Sendo uma carga elétrica, o
próton tem spin como o elétron, mas é estranho que o nêutron, sendo eletricamente neutro
tenha spin. A explicação tanto para o próton, quanto para o nêutron, vem da constituição
dessas duas partículas, como ilustra a figura abaixo. Essas duas partículas nucleares são
compostas de 3 quarks, com cargas tais que resultam carga total nula para o nêutron e
carga igual à do elétron para o próton. São os quarks que os responsáveis pelos momentos
magnéticos do próton e do nêutron.

32
 Numa visão clássica a RNM funciona assim: um campo magnético aplicado ao
núcleo (nas aplicações médicas geralmente usa-se o núcleo de hidrogênio, ou seja o
próton) faz o momento magnético precessionar em torno da direção do campo externo.
Um pequeno campo transversal é aplicado, de modo que o momento magnético é levado
para uma direção perpendicular à inicial. Quando o campo transversal é retirado, o
momento volta para a posição inicial, um processo tecnicamente conhecido como
relaxação, e que depende do material em volta do núcleo. O núcleo emite sinais durante a
relaxação, cuja detecção permite a investigação do ambiente em sua volta.

Vejamos tudo isso com o detalhamento compatível com o nosso referencial

teórico. Consideremos o caso de um sistema com uma distribuição de momentos
magnéticos 1/2. Se não há campo magnético aplicado os estados de energia desses
momentos magnéticos são degenerados, ou seja, os momentos com mS=1/2 e -1/2 têm a
mesma energia. A aplicação de um campo magnético levanta a degenerescência, e
passamos a ter dois estados com energias diferentes, como ilustra a figura abaixo. Essa é
a fase inicial do processo descrito acima.

33
 Esses momentos magnéticos, com spins +1/2 e -1/2, são distribuídos de acordo
com a estatística de Boltzmann, segundo a qual a ocupação do estado inferior é maior do
que a do estado superior, ou seja

Para todos os núcleos utilizados em experimentos de RNM, a energia que separa

os dois estados situa-se na faixa de radiofrequência. Portanto, aplicando-se um campo de
radiofrequência transversal ao campo inicial, produz-se a excitação do sistema, ou seja a
transferência do estado inferior para o superior. O processo de relaxação providencia o
retorno ao estado inicial, emitindo a energia recebida, sob a forma de um pulso de
radiofrequência. Trata-se, portanto, de um processo de ressonância, como ilustrado na
figura abaixo.

Na fase 1 o sistema está desordenado. Na fase 2 o campo magnético B0 é aplicado

e o sistema fica ordenado, com mais spins -½ do que spins +½. O campo de
radiofrequência é aplicado na fase 3 e leva todos o sistema para o estado superior. O
sistema volta ao estado inicial emitindo sinais de radiofrequência na fase 3. São esses
sinais que dão informações sobre o ambiente em torno do núcleo. Complexos algoritmos
matemáticos, baseados na transformação de Fourier transformam esses sinais em
imagens.
Um esquema simplificado do aparato experimental é apresentado na figura
abaixo.

Equipamento típico usado em hospitais

34
Aplicações tecnológicas de materiais magnéticos
Textos da coluna Do laboratório para a fábrica, publicados na Ciência Hoje
Online:
1. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2952/n/conectomica:_o_cerebro_so
b_investigacao
2. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2989/n/nanoparticulas_que_salvam
_vidas
3. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/3016/n/magnetismo,_farmacologia_
e_medicina
4. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2948/n/nanotoxicologia:_melhor_pr
evenir_que_remediar
5. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2967/n/como_medir,_afinal,_os_ris
cos_da_vida_nanometrica
6. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2996/n/como_medir_o_risco_dos_n
anomateriais
7. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2989/n/nanoparticulas_que_salvam
_vidas
8. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/3015/n/histerese_magnetica%3A_p
erdas_e_ganhos/
9. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/3018/n/feynman,_o_profeta_da_nan
otecnologia
10. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2948/n/nanotoxicologia:_melhor_pr
evenir_que_remediar
11. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2967/n/como_medir,_afinal,_os_ris
cos_da_vida_nanometrica
12. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2996/n/como_medir_o_risco_dos_n
anomateriais
13. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/2989/n/nanoparticulas_que_salvam
_vidas
14. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/3016/n/magnetismo,_farmacologia_
e_medicina

35
15. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/3015/n/histerese_magnetica%3A_p
erdas_e_ganhos/
16. http://www.cienciahoje.org.br/noticia/v/ler/id/3018/n/feynman,_o_profeta_da_nan
otecnologia

36