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DEFEITOS CRISTALINOS
DEFEITOS CRISTALINOS
POR QU ESTUDAR?
As propriedades de alguns materiais so profundamente influenciadas pela presena de imperfeies.
importante ter um conhecimento sobre os tipos de imperfeies que existem e sobre os papis que elas desempenham ao afetar o comportamento dos materiais.
QUESTIONAMENTOS: Por que os cristais de silcio empregados na produo de chips semicondutores contem dopantes (boro ou fsforo)? Oquetornaoaomaisduroeresistentequeoferropuro? Por que os metais CFC tendem a ser mais dcteis que os metais CCC e HC?
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DEFEITOS CRISTALINOS
Todos os materiais apresentam um grande nmero de defeitos e imperfeies em suas estruturas cristalinas. NO EXISTEM ESTRUTURAS CRISTALINAS PERFEITAS. Diversas propriedades dos materiais metlicos so profundamente afetadas pela presena de defeitos cristalinos e freqentemente, determinadas caractersticas so intencionalmente alteradas pela introduo de quantidades controladas de defeitos. Exs: Processos de cementao e nitretao de aos; Dopagem de semicondutores; Endurecimento de metais e ligaas por encruamento (deformao frio); Refino do tamanho de gro, etc.
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DEFEITOS CRISTALINOS
NITRETAO
um tratamento termoqumico da metalurgia em que se promove enriquecimento superficial com nitrognio, usando-se de um ambiente nitrogenoso determinada temperatura.
Busca-se o aumento da dureza do ao at certa profundidade. Oobjetivodifundironitrognio. Para isso, um material com estrutura CCC melhor para a difuso. Temperaturas abaixo de 720C so ideais.
DEFEITOS CRISTALINOS
CEMENTAO
a introduo de carbono na superfcie de um ao de baixo teor, atravs de uma reao qumica, em temperatura superior a da zona crtica desse ao.
Visa a alterao da composio qumica de uma camada superficial do ao, de modo que aps a tmpera e revenimento, esta camada apresenta uma dureza mais elevada do que a do ncleo.
DEFEITOS CRISTALINOS
As imperfeies ou defeitos cristalinos so classificados em trs classes:
Imperfeies lineares: Discordncias; Maclas.
quando h aumento de energia decorrente de aquecimento, durante o processamento do material ou devido introduo de impurezas ou dopagem. Impurezas: Elementos ou compostos qumicos que se originam de matrias-primas ou do processamento. Dopantes: Elementos ou compostos adicionados deliberadamente, em condies conhecidas e em locais especficos da estrutura, para obter um efeito benfico nas propriedades ou processamento. De modo geral, o efeito das impurezas prejudicial, enquanto que o efeito dos dopantes til nas propriedades dos materiais.
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Vacncia
distoro dos planos
Alto Intersticial
distoro dos planos
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o As LACUNAS ou VACNCIAS constituem o NICO tipo de defeito que est em equilbrio com o cristal.
o Assim o n de lacunas para uma dada quantidade de material funo da temperatura de acordo com a equao: Energia de No. de lacunas Ativao Qv Nv = exp No. tomos N kT Temperatura Constante deBoltzmann (1.38 x 10 -23 J/tomos-K) 11 (8.62 x 10 -5 eV/tomos-K)
Para 1 m3:
N ACu r= NA
(6, 023x1023 atomos
Converso de cm para m
N=
m)
N=8x10
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atomos / m3
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Calculando Nv:
Nv
= exp
Qv kT
28atomo 8 3
0,9
eV atomo eV .(1273K)
Nv =
10
8, 62x10
exp
5
atomo K
Nv=
x10
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lacunas/ m 3
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o um tomo do cristal posicionado em uma stio intersticial, que em circunstncias normais estaria vago.
o tomos ou ons intersticiais, embora menores que os tomos ou ons localizados nos pontos de rede, so maiores que os espaos intersticiais que ocupam => a regio ao redor do defeito comprimida e distorcida.
o Em pequenas concentraes, os tomos de carbono ocupam os interstcios da estrutura cristalina do ferro, introduzindo tenses mecnicas nas vizinhanas do tomo adicionado.
o Caso haja discordncias nos cristais tentando se movimentar atravs desses defeitos, elas iro encontrar resistncia ao movimento, o que reduz a capacidade de deformao permanente (plstica) de metais e ligas.
o tomos estranhos (impurezas ou elementos de liga) sempre estaro dispersos na estrutura cristalina;
oEstas impurezas so classificadas em duas classes:
INTERSTICIAIS - Na qual SUBSTITUCIONAIS - Na os tomos de soluto esto esto qual os tomos de soluto palocados em posies atm doriginalmente pertencentes icas ao stomo d e solvente.
o Podem ocorrer em razo da presena de impurezas ou da adio deliberada para formar ligas.
o Uma vez introduzidas, independente da temperatura. o Em geral, os tomos substitucionais elevam a resistncia do material. o Exemplos:
o obtida com a adio intencional de outros elementos(elementos de liga) no metal solvente. o As solues slidas tambm so classificadas em substitucionais e intersticiais.
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o Uma discordncia um defeito cristalino linear no qual diversos tomos esto desalinhados e conseqentemente provocam uma distoro na estrutura cristalina. o Toda a teoria de deformao e endurecimento de metais fundamentada na movimentao de discordncias. o Pode ser de 3 formas:
DISCORDNCIA EM CUNHA OU ARESTA; DISCORDNCIA EM HLICE; DISCORDNCIAS MISTAS.
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o Pode ser entendida como um plano extra de tomos no reticulado que provoca uma imperfeio linear;
o Vetor de Burgues (b) representa a magnitude e a direo da distoro do reticulado; oA magnitude desta distoro
b
r
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o Pode ser imaginada como sendo o resultado da aplicao de uma tenso de cisalhamento;
oOvetordeBurguesparaleloalinhadediscordnciaA-B.
Vista frontal
Vista de topo
Cunha Espiral
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o Os contornos de fase so as fronteiras que separam fases com estruturas cristalinas e composies distintas.
diferentes orientaes. o Como so possveis diferentes orientaes entre cristais adjacentes existem contornos de gromais ou menos ajustados:
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ngulo de desalinhamento
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contorno de gro no qual existe uma simetria especular, ou seja, os tomos de um lado do contorno esto localizados em uma posio que a posio refletida do outro lado.
oAregiodematerialentreoscontornoschamadademacla.
o As maclas so resultantes de deslocamentos atmicos produzidos por tenses de cisalhamento (maclas de deformao) ou durante tratamento trmico (maclas de recozimento). oA formao de maclas (maclao) ocorre em planos cristalogrficos definidos e direes cristalogrficas especficas, que so dependentes da estrutura cristalina.
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