➢ Introdução

➢ Defeitos pontuais
➢ Defeitos de linha
➢ Defeitos de interface
➢ Defeitos volumétricos
➢ Introdução a microscopia
 Materiais semicondutores funcionam
devido a concentrações controladas de
impurezas específicas são incorporadas em
regiões pequenas e localizadas

Propriedades mecânicas de metais

puros experimentam alterações
significativas quando átomos de
impurezas são adicionados
Apenas uma pequena fração dos sítios
atômicos são imperfeitos:
Menos de 1 em 1 milhão

Um metal considerado puro sempre tem

impurezas (átomos estranhos) presentes
99,9999% = 1022-1023 impurezas por cm3
- Defeitos Pontuais -
Lacunas e Impurezas
Eletroneutralidade
 Elemento de liga ou
Impureza - soluto
(< quantidade)

Matriz ou Hospedeiro
- solvente
(>quantidade)
Fatores que influenciam:
• Raio atômico - deve ter uma diferença
de no máximo 15%, caso contrário pode
promover distorções na rede e assim
formação de nova fase
• Estrutura cristalina - mesma
• Eletronegatividade - próximas
• Valência - mesma ou maior que a do
hospedeiro
Impureza apresenta raio atômico bem menor que o
hospedeiro
Como os materiais metálicos tem geralmente
fator de empacotamento alto as posições
intersticiais são relativamente pequenas
Geralmente,
no máximo 10% de
Impurezas
são incorporadas
nos interstícios
Os íons Ca2+
substituirão os
íons Na+

e o átomo de O2-
substituirá os
íons Cl-.
Em regiões cristalinas nos Polímeros são observados defeitos pontuais
similares aos encontrados nos metais, como vazios e intersticiais
(átomos ou íons).
Defeitos aparecem nas interfaces entre as regiões cristalinas e não
cristalinas e nas regiões dobradas das cadeias.
- Defeitos Lineares -
Discordâncias
Uma discordância introduzida
no cristal pela adição de um
“meio plano extra”
de átomos.

A magnitude e direção
associada à distorção do
reticulado causada por
uma discordância pode
ser expressa em termos
do vetor de Burgers,
representado pela letra b.
Uma discordância produzida pela distorção (torção) de um cristal, de modo que um plano
atômico produza uma rampa ao redor da discordância (caminho para a discordância).
Discordâncias observadas em uma liga de Titânio a
partir de Microscopia Eletrônica de Transmissão.
As discordâncias surgem a partir de processos de
solidificação, deformação plástica e tensões térmicas
resultantes de rápido resfriamento.
- Defeitos Interfaciais -
Superfície externa,
Contorno de grão,
Contorno de Macla,
Na superfície os átomos não
estão completamente ligados

Então o estado energia dos

átomos na superfície é maior
que no interior do cristal

Os materiais tendem a
minimizar está energia
Corresponde à região que
separa dois ou mais cristais
de orientação diferente.

No interior de cada grão

todos os átomos estão
arranjados segundo um
único modelo e única
orientação, caracterizada
pela célula unitária.
Os átomos próximos aos contornos (a) não possuem uma distância
de equilíbrio ou arranjo definido.
Grãos e contornos de grão em uma amostra de aço inoxidável
ferrítico (b).
Contorno de grão
Há um empacotamento menos eficiente
Há uma energia mais elevada
Favorece nucleação de novas fases
Favorece difusão
Funciona como barreira para movimentação da discordância

Contornos de grãos vistos por MO

➢ MACLAS PODEM SURGIR A PARTIR DE TENSÕES
TÉRMICAS OU MECÂNICAS.
➢ TAL DEFEITO OCORRE QUANDO PARTE DA REDE
CRISTALINA É DEFORMADA, DE MODO QUE A
MESMA FORME UMA IMAGEM ESPECULAR DA
PARTE NÃO DEFORMADA.
➢ PLANO CRISTALOGRÁFICO DE SIMETRIA ENTRE
AS REGIÕES DEFORMADAS E NÃO DEFORMADA,
É CHAMADO DE PLANO DE MACLAÇÃO.
- Defeitos Volumétricos -
Porosidade,
Partículas de Segunda Fase
Inclusões
Origina-se devido a presença ou formação de gases

COMPACTADO DE PÓ DE FERRO COMPACTADO DE PÓ DE FERRO

APÓS SINTERIZAÇÃO
Fases - forma-se devido à presença de impurezas ou
elementos de liga (ocorre quando o limite de solubilidade é
ultrapassado)