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Sumrio

Introduo 5

Polarizao de base por corrente constante 6

Anlise da malha da base 7


Determinao do resistor de base 8

Estabilidade trmica 10

Fator de estabilidade 11

Estabilidade trmica com corrente de base constante 12

Correo no ponto de operao 13

Regies de operao de um transistor 18

Regio de corte 18

Regio de saturao 20

Regio ativa 22

Apndice 23

Questionrio 23

Bibliografia 24
Espao SENAI

Misso do Sistema SENAI

Contribuir para o fortalecimento da indstria e o desenvolvimento


pleno e sustentvel do Pas, promovendo a educao para o trabalho e a
cidadania, a assistncia tcnica e tecnolgica, a produo e disseminao
de informao e a adequao, gerao e difuso de tecnologia.
Srie de Eletrnica

Introduo
As caractersticas de um circuito eletrnico transistorizado so
dependentes da escolha adequada do ponto de operao do transistor, uma vez
que um ponto quiescente mal selecionado pode levar a um mau desempenho do
circuito.

Este fascculo tratar de um mtodo simples de obteno do ponto de


operao de um circuito transistorizado, visando a capacitar o leitor a obter na
prtica o desempenho do circuito transistorizado, previsto atravs das curvas
caractersticas.

Para a boa compreenso do contedo e desenvolvimento das


atividades contidas neste fascculo, o leitor dever estar
familiarizado com os conceitos relativos a:

Transistor bipolar: relao entre parmetros de circuito.


Transistor bipolar: ponto de operao.

5
Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

Polarizao de base
por corrente
constante
Denomina-se de polarizao de base o processo de obteno da corrente
de base necessria para levar o transistor ao ponto de operao desejado. Entre
os processos de polarizao de base, o mais simples o de polarizao por
corrente constante.

Atravs do traado da reta de carga e da determinao do ponto de


operao Q fica determinada a corrente de base quiescente IBQ, conforme
ilustrado na Fig.1.

Fig.1 Determinao grfica do ponto quiescente de um circuito transistorizado.

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Srie de Eletrnica

No mtodo de polarizao de base por corrente constante, a corrente de


base quiescente IBQ obtida pelo uso de um resistor de base. Como mostrado
na Fig.2, esse resistor ligado entre a base e o terminal positivo da fonte de
alimentao.

Fig.2 Emprego de um resistor para obteno da corrente de base quiescente.

ANLISE DA MALHA DA BASE

Como mostrado na Fig.3, a malha da base, composta pelo arranjo srie


do resistor de base RB e da juno base-emissor, que se completa juntamente
com a fonte de alimentao

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

Fig.3 Malha da base de um transistor.

Considerando que a juno base-emissor do transistor se comporta como


um diodo, o circuito equivalente da malha da base aquele mostrado na Fig.4.

Fig.4 Circuito equivalente da malha da base do transistor.

Observando o circuito equivalente da Fig.4, verifica-se que o diodo


representativo da juno base-emissor polarizado diretamente, permitindo a
circulao de corrente de base atravs do resistor.

DETERMINAO DO RESISTOR DE BASE

A corrente de base IB depende dos seguintes parmetros:

Resistncia RB.
Tenso de alimentao VCC.
Tipo de transistor.

Com base no circuito equivalente mostrado na Fig.4, a corrente de base


quiescente obtida da relao

VCC VBE
I BQ (1)
RB

Dessa forma, conhecidos os valores de IBQ, da tenso de alimentao VCC


e da tenso base-emissor VBE, a resistncia RB pode ser derivada da Eq.(1),
resultando em

VCC VBE
RB (2)
I BQ

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Srie de Eletrnica

O exemplo a seguir ilustra o procedimento de determinao da resistncia


RB.
Exemplo 1: Um transistor de silcio BC200 utilizado no circuito da Fig.5a.
Com base na curva caracterstica do componente mostrada na Fig.5b,
determinar o valor de RB necessrio obteno de uma tenso coletor-emissor
no ponto quiescente, VCEQ = 3V.

(a) (b)
I C(mA)
50

I B(A)=250
40
200
175
30
150
100
20 80
60
10 40
20
0
3,3
0 2 4 6 8 10
V CE(V)

Fig.5 Circuito e curva caracterstica para o Exemplo 1.

A reta de carga correspondente ao resistor RC = 330 mostrado na Fig.5a


j est traada na Fig.5b. A interseo dessa reta com a curva correspondente a
IB = 80A, define um valor VCEQ 3,3 V. Esse valor difere cerca de 10% do
valor definido originalmente e pode ser considerado admissvel para esse
exemplo.

Utilizando na Eq.(2), IBQ = 0.08 mA e o valor VBE = 0,6 V


correspondente ao silcio, obtm-se

7,5 0,6 6,9


RB 86.250
0,08 0,08

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

Do resultado do Exemplo 1, observa-se que o resistor RB normalmente


de resistncia elevada pois as correntes de base em transistores so usualmente
baixas.

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Srie de Eletrnica

Estabilidade trmica
A dependncia com a temperatura da corrente de fuga ICBO faz que a
corrente de coletor seja tambm influenciada pela temperatura. Isso torna-se
evidente a partir da expresso geral para a corrente de coletor

IC = IB + ( + 1) ICBO (3)

Essa dependncia com a temperatura da corrente de coletor influencia a


tenso sobre o resistor de coletor VRc e aquela entre coletor e emissor VCE. Essa
concluso obtida analisando-se as expresses para as tenses na malha do
coletor do circuito mostrado na Fig.6

VRc = RC IC (4)

VCE = VCC VRc (5)

A Eq.(4) mostra que variaes na corrente de coletor devido a flutuaes


de temperatura produzem variaes em VRc. Essas variaes tambm alteram o
valor de VCE, como se pode concluir a partir da Eq.(5).

Fig.6 Circuito transistorizado na configurao emissor comum.

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

A influncia da temperatura na localizao do ponto de operao do


circuito transistorizado pode ser resumida da seguinte forma:

Acrscimo de temperatura: O ponto de operao se desloca sobre a reta de


carga no sentido de correntes crescentes e tenses decrescentes, como
mostrado na Fig.7a.

Decrscimo de temperatura: O ponto de operao se desloca sobre a reta de


carga no sentido de correntes decrescentes e tenses crescentes, como
mostrado na Fig.7b.

Fig.7 Influncia da temperatura na localizao do ponto de operao de um


circuito transistorizado.

O grau de influncia da temperatura sobre o ponto de operao de um


circuito transistorizado pode ser caracterizado a partir do fator de estabilidade
definido a seguir.

FATOR DE ESTABILIDADE

O fator de estabilidade S um coeficiente utilizado para avaliar o grau de


estabilidade trmica de um estgio transistorizado. Este fator definido pela
relao
I C
S (6)
I CBO
onde:

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Srie de Eletrnica

ICBO = variao na corrente de fuga ICBO causada pela variao de


temperatura.

IC = variao na corrente de coletor IC causada pela variao com a


temperatura da corrente de fuga ICBO.

Um estgio transistorizado ter melhor estabilidade trmica quanto menor


for a variao IC para uma dada variao ICBO na corrente de fuga. Dessa
forma, a Eq.(6) permite estabelecer:

A estabilidade trmica de um estgio transistorizado ser tanto


melhor quanto menor for o valor do fator de estabilidade trmica S.

Como descrito a seguir, a estabilidade trmica depende fundamentalmente


do tipo de aplicao a que se destina o circuito transistorizado.

ESTABILIDADE TRMICA COM CORRENTE DE


BASE CONSTANTE

O fator de estabilidade para este mtodo de polarizao pode ser obtido


determinando a variao IC devido a uma variao ICBO no segundo membro
da Eq.(3). Impondo que IB seja constante na Eq.(3), o que equivale a uma
variao IB = 0, obtm-se

IC = ( + 1) ICBO

Essa relao permite obter o fator de estabilidade com uso da Eq.(6)


resultando em

S=+1 (7)

Da Eq.(7) nota-se que quanto maior for o ganho de corrente do transistor,


maior ser o valor de S o que implica pior estabilidade trmica do circuito.
Portanto, o mtodo de polarizao por corrente de base constante deve ser
evitado em circuitos que estejam sujeitos a grandes variaes de temperatura.

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

CORREO NO PONTO DE OPERAO

Devido a diferenas em processos de fabricao, os transistores de um


mesmo tipo podem apresentar ganhos de corrente distintos, que podem variar
em uma ampla faixa de valores. O transistor BC337, por exemplo, pode
apresentar um ganho de corrente situado entre 60 e 630. Devido a essa
variabilidade, a caracterstica de sada fornecida pelo fabricante representa o
comportamento mdio de uma dada especificao de transistor.

Como na polarizao por corrente de base constante o ponto de operao


depende diretamente do ganho de corrente do transistor, comum ocorrer uma
diferena entre os valores obtidos no circuito e aqueles previstos em projeto.

A Fig.8 ilustra o que ocorre quando o ganho do transistor superior ao


valor mdio obtido das curvas caractersticas de sada contidas no folheto de
especificaes tcnicas.

Fig.8 Alterao do ponto de operao para um transistor com ganho superior ao


valor mdio especificado pelo fabricante.

14
Srie de Eletrnica

Como pode ser a observado, o ponto de operao Q obtido da interseo


da reta de carga com a curva mdia est deslocado para cima, ocorrendo no
ponto Q' da curva caracterstica do componente real. Note-se que, para uma
mesma corrente de base IB, a curva caracterstica do componente real est
deslocada para cima, pois o ganho de corrente do componente real ' superior
ao valor mdio fornecido no folheto de especificaes do fabricante. Nessa
situao, o valor real da tenso coletor-emissor VCEQ' inferior ao valor esperado
VCEQ e a corrente de coletor real ICQ' maior do que o valor ICQ obtido da curva
caracterstica mdia.

A Fig.9 mostra a alterao observada no ponto de operao quando o


ganho do transistor inferior ao valor mdio. Nesse caso, o ponto de operao
Q obtido na curva mdia est deslocado para baixo, ocorrendo no ponto Q' da
curva caracterstica referente mesma corrente de base no componente real.
Nessa situao, o valor real da tenso coletor-emissor VCEQ' superior ao valor
esperado VCEQ, e a corrente de coletor real ICQ' inferior ao valor ICQ obtido da
curva caracterstica mdia.

Fig.9 Alterao do ponto de operao para um transistor com ganho inferior ao


valor mdio especificado pelo fabricante.

A Tabela 1 resume as alteraes que podem ocorrer nos parmetros do


ponto de operao de um transistor.

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

Tabela 1 Possveis modificaes nos parmetros eltricos de um transistor em


relao aos valores previstos em projeto.
Ganho real > Ganho mdio Ganho real < Ganho mdio
' > ' <
VCEQ' < VCEQ VCEQ' > VCEQ
ICQ' > ICQ ICQ' < ICQ

Quando diferenas significativas ocorrem, necessrio modificar o


circuito de forma que o ponto de operao fique o mais prximo possvel
daquele desejado. Como o ganho de corrente do transistor no pode ser alterado,
a correo deve ser feita alterando-se o resistor de base, conforme demonstrado
nos exemplos a seguir.

Exemplo 2: O circuito mostrado na Fig.10 utiliza um transistor BC337, e foi


projetado para operar com os parmetros mostrados na segunda coluna da
Tabela 2, obtidos no ponto de operao Q da Fig.10. No entanto, aps a
montagem do circuito, foram observados os valores mostrados na terceira
coluna da Tabela 2. Determinar o valor RB' do resistor de base para que o
circuito opere com os valores desejados da corrente de coletor e da tenso
coletor-emissor.

I C(mA)
I B(mA)=0,4
100
0,35

80 0,3

0,25
60
0,20

Q I BQ=0,15
40
I CQ 0,1

20 0,05

0 V CEQ
0 10 V (V) 20 30
CE

Fig.10 Circuito e curvas caractersticas para o Exemplo 2.

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Srie de Eletrnica

Tabela 2 Parmetros de circuito para o Exemplo 2.


Parmetro Valor projetado Valor observado
Tenso coletor-emissor VCEQ = 12 V VCEQ'= 7,5 V
Queda no resistor RC VRcQ=12 V VRcQ' = 16,5 V
Corrente de coletor ICQ=36 mA ICQ'= 50 mA

Para uma corrente de base IBQ=0,15 mA, o ganho de corrente mdio pode
ser obtido utilizando-se o valor ICQ = 36 mA listado na segunda coluna da
Tabela 2, resultando em
I CQ 36
240
I BQ 0 ,15

No entanto a corrente de coletor observada ICQ'=50 mA, resultando em


um ganho real
I CQ' 50
' 333,33
I BQ 0 ,15

Portanto o ganho real superior ao valor mdio. Por essa razo a corrente
de coletor resultante superior ao valor projetado. Como conseqncia a queda
de tenso no resistor RC se torna maior, diminuindo assim a tenso coletor-
emissor em relao ao valor calculado em projeto.

Para corrigir o ponto de operao do circuito, deve utilizar-se o valor do


ganho real do transistor para determinar a corrente de base IBQ' que seria
necessria para fornecer a corrente de coletor desejada de 36 mA. Isso pode ser
feito utilizando-se o valor observado ' para o ganho de corrente resultando em

I CQ' 36
I BQ' 0 ,11 mA
' 333,33

Ou seja, a corrente de base deve ser diminuda de 0,15 mA para 0,11 mA


de forma que os valores desejados listados na segunda coluna da Tabela 2 sejam
obtidos. Essa diminuio no valor da corrente de base s pode ser obtida
aumentando-se o valor RB do resistor de base. O valor desejado RB' pode ser
obtido pelo uso da Eq.(2), fornecendo

VCC VBE 24 V 0 ,6 V
R B' 212 ,7 k
I BQ' 0 ,00011 A
Exemplo 3: Para o mesmo circuito mostrado na Fig.10, projetado para operar
com os parmetros mostrados na segunda coluna da Tabela 3, foram observados

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

os valores mostrados na terceira coluna da Tabela 3. Determinar o valor RB' do


resistor de base para que o circuito opere com os valores desejados da corrente
de coletor e da tenso coletor-emissor.

Tabela 3 Parmetros de circuito para o Exemplo 3.


Parmetro Valor projetado Valor observado
Tenso coletor-emissor VCEQ = 12 V VCEQ'= 15 V
Queda no resistor RC VRcQ=12 V VRcQ' = 9 V
Corrente de coletor ICQ=36 mA ICQ' = 27 mA

Este exemplo segue os mesmos passos do Exemplo 2. No caso presente, o


transistor apresenta um ganho real inferior ao ganho mdio. O valor do ganho
real obtido utilizando-se o valor observado de 27 mA para a corrente de
coletor, resultando em
I CQ' 27
' 180
I BQ 0 ,15

A corrente de base necessria para produzir uma corrente de coletor de 36


mA pode ser determinada utilizando-se o valor obtido para o ganho real do
transistor, resultando em,
I CQ 36
I BQ' 0 ,2 mA
' 180

O valor desejado RB' obtido da Eq.(2), fornecendo

VCC V BE 24 V 0,6 V
R B' 117 k
I BQ' 0 ,0002 A

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Srie de Eletrnica

Regies de operao
de um transistor
A localizao do ponto de operao de um estgio transistorizado sobre a
reta de carga define trs regies de operao descritas a seguir.

REGIO DE CORTE
Um transistor est na regio de corte quando a base polarizada de forma
a tornar a corrente de coletor praticamente nula. Essa condio obtida na
iminncia de polarizao inversa da juno base-emissor, conforme ilustrado na
Fig.11a.

Na regio de corte a corrente de base reduzida a um valor praticamente


nulo. Da relao entre correntes no transistor dada pela Eq.(3) e reproduzida a
seguir

I C I B 1 I CBO (7)

a condio IB 0 fornece

I C,corte 1 I CBO I CEO (8)

Dessa forma, a corrente de coletor corresponde corrente de fuga, com


um valor da ordem de alguns microampres para transistores de silcio.

Devido ao pequeno valor da corrente de coletor, a queda de tenso no


resistor de coletor praticamente nula e a tenso coletor-emissor torna-se

VCE,corte VCC (9)

No diagrama ICVCE, a regio de corte est localizada bem prxima ao


eixo horizontal, conforme mostrado na Fig.11b.

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

Fig.11 (a) Circuito transistorizado operando na condio de corte. (b) Regio de


corte no diagrama da caracterstica de sada do transistor.

As caractersticas da regio de corte esto sumarizadas na Tabela 4.

Tabela 4 Caractersticas da regio de corte.


Juno coletor-base: inversamente polarizada.
Juno base-emissor: na iminncia de polarizao inversa.
Corrente de base: IB 0.
Corrente de coletor: IC = ICEO.
Tenso coletor-emissor: VCE VCC.

Nos transistores de silcio basta anular-se a corrente de base


para levar o transistor condio de corte.

REGIO DE SATURAO

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Srie de Eletrnica

Um transistor est na regio de saturao quando a juno base-emissor


est diretamente polarizada com a condio adicional de a tenso VCE tornar-se
inferior a tenso VBE.

As conseqncias decorrentes dessa condio podem ser analisadas com


base no transistor npn mostrado na Fig.12. A relao entre tenses nos terminais
do transistor pode ser posta na forma

VCB VCE VBE (10)

Fig.12 Tenses entre terminais em um transistor npn.

Da Eq.(10) nota-se que a condio VCE < VBE fornece

VCE VBE < 0 VCB 0

Tendo a base do transistor npn polaridade positiva em relao ao coletor, a


juno base-coletor fica diretamente polarizada. Portanto, na regio de saturao
a corrente de coletor pode ser razoavelmente elevada.

No grfico com as curvas caractersticas de sada do transistor, a regio de


saturao fica localizada nas proximidades do eixo vertical. Para auxiliar o
exame das curvas caractersticas naquela regio, os folhetos de especificaes
tcnicas fornecem um grfico adicional detalhando a regio de saturao, do tipo
mostrado na Fig.13.

Naquela poro do diagrama da Fig.13, os valores de VCE so geralmente


inferiores ao potencial de barreira de uma juno semicondutora. Note-se que

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

nessa regio a corrente de coletor influenciada tanto pelo valor da tenso VCE
como pelo valor da corrente de base.

I C(mA)
100

regio de I B(mA)=0,45
80 saturao
0,3
0,25
60
0,2

0,15
40
0,1

20 0,05

0
0 1 2
V CE(V)
Fig.13 Grfico detalhando a regio de saturao de um transistor.

As caractersticas da regio de saturao esto sumarizadas na Tabela 5.

Tabela 5 Caractersticas da regio de saturao.


Juno coletor-base: diretamente polarizada.
Juno base-emissor: diretamente polarizada com VBE>VCE.
Corrente de coletor: influenciada pelos valores de IB e de VCE.

REGIO ATIVA

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Srie de Eletrnica

A regio ativa corresponde a todo o trecho da reta de carga situado entre


as regies de corte e de saturao, conforme ilustrado na Fig.14.

I C(mA)
regio ativa I B(mA)=0,4
100
0,35

80 0,3

0,25
60
0,2
Q 0,15
40
0,1
20
0,05

0
0 10 V (V) 20 30
CE

Fig.14 Regio ativa no grfico das curvas caractersticas de um transistor.

Essa a regio caracterstica de funcionamento dos estgios


amplificadores, pois a que a corrente de coletor controlada apenas pela
corrente de base, no sofrendo praticamente nenhuma influncia da tenso
coletor-emissor. Para pontos de operao nessa regio so vlidas as regras de
polarizao delineadas na Tabela 6.

Tabela 6 Caractersticas da regio ativa.


Juno coletor-base: inversamente polarizada.
Juno base-emissor: diretamente polarizada com VBE < VCE < VCC.
Corrente de coletor: Influenciada apenas pela corrente de base.

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Transistor bipolar: polarizao de base por corrente constante

Apndice
QUESTIONRIO
1. O que se entende por polarizao de base por corrente constante em um
transistor?

2. Em um circuito transistorizado na configurao emissor comum, quais os


elementos que compem a malha da base?

3. Descreva de que forma a temperatura influencia o ponto de operao de um


circuito transistorizado na configurao emissor comum.

4. O que fator de estabilidade?

5. Qual a relao entre estabilidade trmica e fator de estabilidade em um


circuito transistorizado?

6. Em que situaes o mtodo de polarizao de base por corrente constante


deve ser evitado? Por qu?

7. Descreva que alteraes so produzidas no ponto de operao de um


transistor na configurao emissor comum, nas seguintes situaes:
(a) ganho real > ganho mdio.
(b) ganho real < ganho mdio.

8. Quais as regies de operao de um transistor e onde esto situadas no


diagrama IC VCE?

9. Qual a regio que deve ser utilizada para o emprego de transistores em


estgios amplificadores?

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Srie de Eletrnica

BIBLIOGRAFIA
CIPELLI, Antnio Marco Vicari & SANDRINI, Valdir Joo. Teoria do
desenvolvimento de Projetos de Circuitos Eletrnicos . 7.ed. So Paulo, rica,
1983, 580p.

MILLMAN, Jacob & HALKIAS, Christos C. Eletrnica: Dispositivos e


circuitos, Trad. Eldio Jos Robalinho e Paulo Elyot Meirelles Villela. So
Paulo, Mc-Graw Hill do Brasil. 1981, v.2

SENAI/ Departamento Nacional. Reparador de circuitos eletrnicos; eletrnica


bsica II. Rio de Janeiro, Diviso de Ensino e Treinamento, c 1979. (Coleo
Bsica Senai, Mdulo 1).

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