LABORATÓRIO DE ELETRÔNICA

ANALÓGICA

PRÁTICA 05: TBJ OPERANDO COMO CHAVE

Alunos: Marcos Eugênio Borges de Oliveira Júnior (416822)

Sarah Martins Guimarães Rodrigues (428349)
Turma: 01A

Professor: René Pastor Torrico Bascopé

Fortaleza, 10 de Maio de 2020

 TBJ Operando Como Chave

1. OBJETIVOS

O objetivo principal desta prática é projetar e analisar o funcionamento de

um TBJ como chave mediante simulação.

2. ATIVIDADES DO PRÉ-LABORATÓRIO

(a) Usando os dados do Item 4, dimensionar os resistores Rb e Rc. Significa

que devem ser encontrados os valores de resistência e as potências dissipadas.

• 𝑹𝒃 =
𝑽𝒃𝒃−𝑽𝒃𝒆 𝟓−𝟎,𝟕
𝑰𝒃
= 𝟒𝟎𝟎𝝁𝑨 = 10,75 kΩ

• 𝑹𝒄 =
𝑽𝒄𝒄−𝑽𝒄𝒆𝒔𝒂𝒕 𝟏𝟐−𝟎,𝟑
𝑰𝒃∗ 𝜷
= 𝟒𝟎𝟎𝝁𝑨∗𝜷 = 292,5 Ω

𝐼𝑐 40 𝑚𝐴
Onde β = 𝐼𝑏 = 400 𝜇𝐴 = 100.

(b) Verificar o ponto de operação “Q” usando as curvas Ic=f(Vce) obtidas

via o simulador. Se tiver discrepâncias fazer comentários para explicar os motivos.
Figura 01A – Simulação do ponto Q.

Ponto “Q”

Fonte: próprio Autor.

Figura 01B – Simulação do ponto Q.

 Ponto “Q”

Fonte: próprio Autor.

Figura 01C – Circuito utilizado na simulação

Fonte: próprio Autor.

 Figura 02 – Curva característica do fabricante.

Fonte: BC 546 PDF. Disponível em <https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-

pdf/view/50729/FAIRCHILD/BC546.html>

Como podemos perceber comparando os gráficos, existe uma certa

semelhança entre a natureza das curvas simuladas e das curvas do fabricante, o
que nos mostra que, no geral, o funcionamento do circuito com o TBJ está normal.
No entanto, é possível perceber também discrepância quanto os valores do eixo y
(corrente no coletor) em ambas as curvas. Essa discrepância se deve ao fato de que
o transistor disponível no Orcad (BC 546B) apenas faz uma aproximação do
transistor que realmente deveria ser utilizado.
 (c) Usando os valores indicados e os componentes encontrados, simular em
qualquer programa o circuito da Figura 2, e mostrar as formas de onda na seqüência,
Vbb, Vce, e VRc. Sincronizar todas as formas de onda usando a mesma escala e
mostrar somente 3 períodos.

Figura 03 – Simulação de Vbb.

Fonte: próprio Autor.

Figura 04 – Simulação Vce.

Fonte: próprio Autor.

 Figura 05 – Simulação VRc.

Fonte: próprio Autor.

Figura 06 – Circuito da simulação.

Fonte: próprio Autor.

(d) Observando as formas de onda da tensão Vbb e VRc, determinar os

tempos ton e toff conforme explicado no livro Boylestad.

Figura 07 – Curvas de Vbb e VRc.

 Fonte: próprio Autor.

• Ton = Tr + Td

Figura 08 – Cálculo do Ton.

Fonte: próprio Autor.

Traçando-se um eixo vertical (Y1) cravado no tempo zero do inicio da

transição do sinal, e outro eixo vertical (Y2) no instante em que a transição está
90% completa, o delta desses dois eixos nos dará o valor de Ton =247,996ns.

• Toff = Ts + Tf

Figura 09 – Cálculo do Toff.

Fonte: próprio Autor.

Já nesse, o primeiro eixo vertical (Y1) ficou cravado no ponto onde a fonte
Vbb começava a transição de 5 para 0V, ou seja, no início do tempo de
armazenamento. O outro eixo vertical (Y2) foi colocado no ponto que representava
10% da curva de VRc. O delta desses eixos nos dá Toff = 447,625ns.
 (e) No simulador, verificar o valor da tensão de saturação VceSAT e
comparar com o valor teórico considerado no Item 4.

Figura 10 – VceSAT.

Fonte: Próprio Autor.

Como podemos analisar da figura acima, o VceSAT no ponto Q está

situado próximo ao valor de 0,2 V. Já analisando o valor teórico, ele é de 0,3V.
3. QUESTIONÁRIO

Questão (1): Mostrar as formas de onda de tensão simulada e experimental

para o TBJ BC546: Vbb, Vce e VRC. As mesmas devem estar na seqüência
indicada, com a mesma escala de tempo e mostrar três períodos.
Não houve procedimento experimental.

Questão (2):Comentar sobre a diferença ou não, entre as formas de onda

simuladas e experimentais mostradas na Questão (a).
Não houve procedimento experimental.

Questão (3):Determinar os valores de ganho de corrente, , mediante

simulação e experimental, e comentar resultados.

Tabela 01 – Valores de Beta simulados.

Relação β = Ic/Ib da tabela simulada

Vce (V) Ic (mA) Ib (uA) β

0,5 40 355 112,68
1,0 40 360 111,11
4,01 40 380 105,26
7,98 40 398 100,50
β (Médio total)
107,39

Fonte: próprio Autor.

𝐼𝑐 40 𝑚𝐴
Visto no começo da prática, sabe- se que o valor de β = 𝐼𝑏 = 400 𝜇𝐴 = 100.

O valor β simulado foi calculado a partir de Ic e Ib do gráfico da figura

01A, como pode ser visto na tabela 01. Tal valor simulado foi de 107,39; como foi
próximo ao valor teórico, pode-se dizer que houve uma coerência nos valores
simulados.
 Questão (4): Determinar a perda de condução no TBJ. De maneira
simplificada a perda de condução é igual PcondTBJ= VceSATIcmed.
• Icmed = 20𝑚𝐴.
• VceSAT= 0,3 V.

PcondTBJ= VceSATIcmed.

PcondTBJ= 0,3𝑉 × 20𝑚𝐴 = 6𝑚𝑊.

Questão (5): Pesquisar na literatura técnica a expressão matemática para

quantificar as perdas de comutação do TBJ, que ocorrem na entrada em condução
e no bloqueio.

A perda total de comutação pode ser calculada da seguinte forma:

𝑃𝑇 = 𝑃𝑂𝑁(𝑚𝑒𝑑) + 𝑃𝑂𝐹𝐹(𝑚𝑒𝑑) + 𝑃𝑠𝑤

= 𝑃𝑂𝑁(𝑚𝑒𝑑) + 𝑃𝑆𝑊

1
= 𝑉𝐶𝐸(𝑠𝑎𝑡) 𝑥 𝐼𝐶 𝑥 𝑉𝐶𝐸(max) 𝑥 𝐼𝐶(max) 𝑥 𝑓.
3

Questão (6): Mostrar pelo menos 5 (cinco) aplicações do TBJ operando

como chave.
- Acionador de relé;
- Chaveamento de lâmpada;
- Manutenção de corrente de carga fixa;
- Sistema de alarme com uma fonte de corrente constante;
- Indicador de nível de tensão.
4. CONCLUSÕES

Essa prática foi de suma importância para compreender as curvas

características de um transistor TBJ como chave, assim como sua função e
aplicação. Apesar de não ter sido realizado o procedimento experimental, foi
possível ratificar a teoria por meio das simulações feitas pelo software OrCAD, em
que os valores foram bem próximos dos valores teóricos.
É necessário ressaltar que as curvas simuladas tiveram pequenas diferenças
das curvas fornecidas pelo fabricante Fairchild, isso acontece principalmente pelo
fato de o software trabalhar com as condições ideais. Entretanto, mesmo com uma
discrepância, a natureza das curvas permaneceu a mesma; assim como o valor de
ganho de corrente (β) simulado que foi bem próximo ao valor teórico, como visto
na Tabela 01.

5. REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] SOUSA OLIVEIRA JR., Demercil ; PASTOR TÓRRICO BASCOPE,

René. Eletrônica Analógica - Práticas de Laboratório. Universidade Federal do
Ceará - Campus do Pici: [s. n.], 2020.

[2] BOYLESTAD, Robert L.; NASHELSKY, Louis. Dispositivos

eletrônicos e teoria de circuitos. 11. ed. São Paulo: Pearson, c2013. xii, 766 p. ISBN
9788564574212 (broch.).

[3] BC546 PDF. Disponível em

<https://www.alldatasheet.com/view.jsp?Searchword=BC456> Acesso em
06/05/2020.

[4] SWITCHING LOSSES. Disponível em

<https://www.daenotes.com/electronics/basic-electronics/power-losses-in-
switches> Acesso em 07/05/2020.