UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

CAMPUS SOBRAL - CE
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA
PROFESSOR: DOUGLAS AQUINO

PRÁTICA 07

TRANSISTORES TBJ

Luciano Aguiar Trévia Júnior

Matrícula: 375196

Marivalto Cavalcante Almedia Júnior

Matrícula: 379104

Rodolfo Alberto Camurça Martins

Matrícula: 375207

Sobral

2018
 O relatório apresentado pretende informar e
dissertar acerca dos fatores práticos e teóricos da prática
de transistores TBJ dessa forma contribuindo para a
fixação do assunto abordado e prova da realização da
atividade.

1
 SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO........................................................................................................ 3
2. OBJETIVOS ............................................................................................................ 6
3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL ................................................................ 7
4. CONCLUSÃO ........................................................................................................ 10
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS...................................................................... 11

2
 1. INTRODUÇÃO

Os transistores são componentes eletrônicos que revolucionaram a área de da eletrônica por

causa do seu menor tamanho e menor acarretamento de problemas em relação ao funcionamento do
que as válvulas. Eles podem ser usados como amplificadores ou como chaves eletrônicas.

Dos diversos tipos de transistores que existem o tema abordado no relatório são os transistores
bipolares de junção (TJB) tipo NPN. Eles possuem três terminais: base, emissor e coletor. A figura 1
mostra sua simbologia:

FIGURA 1: SIMBOLOGIA DO TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO NPN.

FONTE: https://www.google.com.br/imgres?imgurl=https%3A%2F%2Fwww.electronica-pt.com%2Fimagens%2Fcomponentes%2Fsimbologia-
NPN-PNP.gif&imgrefurl=https%3A%2F%2Fwww.electronica-pt.com%2Fcomponentes-eletronicos%2Ftransistor-tipos&docid=gD0FHD49A-
258M&tbnid=0qohgOGau3aoxM%3A&vet=10ahUKEwj71vKigvDbAhUDlpAKHaTUA3UQMwg7KAEwAQ..i&w=669&h=427&hl=pt-
BR&bih=635&biw=1366&q=SIMBOLOGIA%20DO%20TRANSISTOR%20BIPOLAR%20DE%20JUN%C3%87%C3%83O%20NPN.&ved=0ahU
KEwj71vKigvDbAhUDlpAKHaTUA3UQMwg7KAEwAQ&iact=mrc&uact=8

Entre a Base e o Emissor existe a tensão de Barreira (V0) de 0,6 V. No TBJ a Corrente é
produzida pelos elétrons e pelas lacunas, por isso o nome bipolar.

FIGURA 2 - TRANSÍSTOR DE JUNÇÃO BIPOLAR

FONTE:
https://www.google.com.br/imgres?imgurl=http%3A%2F%2Fimg.weiku.com%2F%2Fwaterpicture%2F2011%2F11%2F6%2F22%2FTransistor_M8
050_634648484943331582_s.jpg&imgrefurl=http%3A%2F%2Fwww.weiku.com%2Fproducts%2F9353019%2FPWB80A30_SANREX_Thyristor_
Module.html&docid=NTCqv83_0n-BDM&tbnid=X-SMyH5O-

3
 TZVVM%3A&vet=10ahUKEwiS4oH0gfDbAhXEhJAKHVX5AjsQMwgoKAEwAQ..i&w=100&h=100&hl=pt-
BR&bih=635&biw=1366&q=electronic%20component&ved=0ahUKEwiS4oH0gfDbAhXEhJAKHVX5AjsQMwgoKAEwAQ&iact=mrc&uact=8

Os TBJ’s podem ser divididos em dois tipos: junção NPN e PNP. O primeiro tem duas regiões
N e uma região P, o segundo apresenta duas regiões P e uma N. As Figuras 3 e 4 apresentam suas
respectivas simbologias:

FIGURA 3 – SIMBOLOGIA DO TBJ TIPO NPN.

FONTE:
https://www.google.com.br/url?sa=i&rct=j&q=&esrc=s&source=images&cd=&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwja0d6ZgfDbAhWHj5AKHZIKDMg
QjRx6BAgBEAU&url=https%3A%2F%2Fwww.thesergioscorner.com%2Fsingle-post%2F2015%2F07%2F08%2F%25C2%25BFQuieres-ser-un-
buen-t%25C3%25A9cnico-en-electr%25C3%25B3nica-No-dejes-de-ver-esta-
gu%25C3%25ADa&psig=AOvVaw252_7Xmp2gcf1ddEVxoDKz&ust=1530057150862385

FIGURA 4 – SIMBOLOGIA DO TBJ TIPO PNP.

FONTE:
https://www.google.com.br/url?sa=i&rct=j&q=&esrc=s&source=images&cd=&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwj7gpfSgfDbAhXFEJAKHRaOCJU
QjRx6BAgBEAU&url=https%3A%2F%2Fblog.csdn.net%2Fu012452561%2Farticle%2Fdetails%2F50343007&psig=AOvVaw3kWfg8Sc0c6h7Mdq
zI21Ai&ust=1530057269065878

O transístor NPN apresenta a junção emissor-base (JEB) e a junção coletor-base (JCB). O

funcionamento do transistor muda de acordo com a polarização aplicada nele (inversa ou direta) o
que vai influenciar no seu funcionamento.
4
 A Tabela 1 apresenta as condições possíveis.

TABELA 1: MODOS DE FUNCIONAMENTO

Modo de Polarização JEB Polarização JCB

funcionamento

Corte Inversa Inversa

Ativo Direta Inversa

Saturação Direta Direta

No modo ativo o transistor funciona como amplicador, na comutação os modos de corte e

de saturação são utilizados. A figura 5 mostra esses modos:

FIGURA 5 - CURVAS CARACTERÍSTICAS IC-VCE DE UM TJB NPN

FONTE:
https://www.google.com.br/url?sa=i&rct=j&q=&esrc=s&source=images&cd=&cad=rja&uact=8&ved=2ahUKEwjdqvPMgPDbAhWBvZAKHTLXD
bsQjRx6BAgBEAU&url=http%3A%2F%2Flogicaleee.blogspot.com%2F2013%2F05%2Fmosfat.html&psig=AOvVaw30U3Br3BCec-
sUO0Dz1pBk&ust=1530056985981505

5
2. OBJETIVOS

 O objetivo principal desta prática é levantar e traçar as curvas características de um transistor

de TBJ na configuração emissor-comum mediante simulação e experimentação.

6
 3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

Para iniciar a pratica, montamos o circuito abaixo utilizando um transistor NPN BC548, de
modo que a corrente na base do circuito possa variar de 20µA até 80µA, utilizando uma
fonte variável Vcc para analisar o comportamento da corrente do coletor Icc, mediante a essas
variações.
FIGURA 6: CIRCUITO MONTADO

FONTE: Próprios Autores

Para uma corrente no Ibb de 20µA, precisamos de uma tenção de aproximadamente 2.5V,
com isso começamos a montar a seguinte tabela:

TABELA 2: CORRENTE MEDIDA NO COLETOR

Corrente no coletor medida Icc (mA)

Vcc (V)
0 1.5 3.0 4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0 13.5 15.0
20 0 4.64 4.73 4.84 5.02 5.14 5.28 5.41 5.56 5.71 5.80
30 0 6.7 6.9 7.1 7.3 7.42 7.56 7.73 7.99 8.17 8.25
Ibb 40 0 8.56 9.1 9.26 9.38 9.61 9.81 10.4 10.8 11.1 11.4
(µA) 50 0 10.2 10.7 11.3 11.8 12.1 12.8 13.1 13.4 13.7 14.1
60 0 10.6 12.8 13.1 13.5 13.7 14.5 14.9 15.2 15.6 16.0
70 0 10.8 13.9 14.5 15.3 15.6 16.2 16.4 16.7 17.0 17.4
80 0 10.9 15.8 16.2 16.6 17.1 17.4 17.8 18.4 18.9 19.3

FONTE: Próprios Autores

Com essa tabela podemos notar como a corrente do coletor varia de acordo com as
variações de tensão e corrente do transistor. Através dela montamos o gráfico abaixo:

7
 GRÁFICO 1: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO

Transistor Bipolar de Junção

20
20
Corrente (mA)

15 30

10 40
50
5
60

0 70
0 2 4 6 8 10 12 14 16 80
Tensão (V)
.

FONTE: Próprios Autores

Montamos o circuito acima no simulador Proteus, para analisar como a simulação do circuito
funciona, comparando os valores simulados com os valores reais. Assim montamos o seguinte
circuito no Proteus:

Através desse circuito montamos a seguinte tabela:

TABELA 3: VALORES SIMULADOS

Corrente no coletor medida Icc (mA)
Vcc (V)
0 1.5 3.0 4.5 6.0 7.5 9.0 10.5 12.0 13.5 15.0

8
 20 0 4.56 4.70 4.83 4.97 5.10 5.24 5.37 5.51 5.64 5.78
30 0 6.50 6.69 6.88 7.08 7.27 7.46 7.65 7.85 8.04 8.23
Ibb 40 0 8.49 8.74 9.00 9.24 9.49 9.75 10.00 10.2 10.5 10.7
(µA) 50 0 9.97 10.5 10.8 11.1 11.4 11.7 12.0 12.4 12.7 13.0
60 0 10.3 12.2 12.6 12.9 13.3 13.6 14.0 14.3 14.7 15.0
70 0 10.5 13.8 14.2 14.7 15.0 15.4 15.8 16.1 16.3 16.6
80 0 10.5 15.4 15.8 16.3 16.6 16.9 17.6 18.0 18.5 18.9
FONTE: Próprios Autores
Com essa tabela podemos notar como a corrente do coletor varia de acordo com as variações
de tensão e corrente do transistor. Através dela montamos o gráfico abaixo:

GRÁFICO 2: TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNÇÃO, VALORES MEDIDOS

Transistor Bipolar de Junção

20
18 20
16
Corrente (mA)

14 30
12
10 40
8 50
6
4 60
2
0 70
0 2 4 6 8 10 12 14 16 80
Tensão (V)
.

FONTE: Próprios Autores

Vemos através do gráfico que temos uma curva característica de um transistor

bipolar de junção.

9
 5. CONCLUSÃO
Com a conclusão da pratica podemos aplicar os conceitos desenvolvidos em sala de aula e ver
o funcionamento dos transistores TBJ. Foi possível o levantamento de curvas características tanto
com valores simulados e com valores medidos. E com isso foi possível, ver a importância deste
componente para a disciplina e por consequência o resto do curso.

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REFERÊNCIAS BILIOGRÁFICAS

SEDRA, A S.; SMITH, K.C. Microeletrônica. 4.ed. São Paulo: Makron Books, 2000

DATASHEET. Disponível em:< .datasheetcatalog.org/datasheet/kec/BC546_7_8.pdf>

Acesso em: 06 dez. 2011.

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