Você está na página 1de 45

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.

com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 2

























O primeiro transistor. (Cortesia de AT&T, Laboratrios Bell.)
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 3


ndice:





Ttulo pg.

Tiristores .................................................................................................. 4
Retificador Controlado de Silcio .................................................................................................. 4
Estrutura do SCR .................................................................................................. 5
Circuito Equivalente .................................................................................................. 5
Disparo do SCR .................................................................................................. 6
Comutao do SCR .................................................................................................. 7
Circuito de Controle .................................................................................................. 7
Tabela com alguns SCR .................................................................................................. 9
Prtica Testando SCR .................................................................................................. 13
Prtica: Controle de Potncia com SCR .................................................................................................. 14
Exerccios .................................................................................................. 15
O tiristor GTO .................................................................................................. 15
O tiristor DIAC .................................................................................................. 16
O tiristor TRIAC .................................................................................................. 18
Exerccios .................................................................................................. 19
Aula prtica usando TRIAC .................................................................................................. 21
Transistor de Unijuno .................................................................................................. 22
Prtica com o UJ T .................................................................................................. 26
Regulador de Tenso de Gerador .................................................................................................. 29
Exerccios .................................................................................................. 30
Transistor de Unijuno Programvel .................................................................................................. 31
TCA 785 controlando tiristores .................................................................................................. 33
Tiristor acionado por FET (MCT) .................................................................................................. 36
Grfico comparativo .................................................................................................. 37
Exerccios .................................................................................................. 38
Fotoemissores e fotossensores .................................................................................................. 39
LDR .................................................................................................. 39
Clulas fotovoltaicas .................................................................................................. 40
Diodo Emissor de Luz .................................................................................................. 41
Fotodiodo .................................................................................................. 42
Fototransistor .................................................................................................. 43
Fotoacopladores .................................................................................................. 43
Exerccios .................................................................................................. 45
Bibliografia .................................................................................................. 45



















Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 4
Tiristores

O nome tiristor definido pelo IEC (International Eletrotechnical Comission) como um dispositivo semicondutor biest-
vel, contendo trs ou mais junes, que pode ser chaveado de um estado de corte para um estado de conduo e vice-versa. O
termo tiristor, alm de definir uma classe de componentes eletrnicos, freqentemente usado como sinnimo de SCR. A pala-
vra tiristor vem do grego e significa porta.


SCR (Silicom Controled Retifier)

O SCR um componente da famlia dos tiristores, e o seu nome significa: Retificador Controlado de Silcio.
O retificador controlado de silcio ou diodo controlado de silcio um dispositivo semicondutor de 4 camadas alternadas
de dopagem do tipo P e N.
Ao contrrio dos transistores bipolares e dos fets (fets =transistores de efeito de campo), que podem trabalhar como am-
plificadores lineares ou como chaves, o SCR s funciona como chave.
Nos ltimos anos, tem sido fabricado SCRs para controlar potncias da ordem de 10 M W, com capacidade de corrente
da ordem de 3KA e tenses de bloqueio de at 5KV.
A faixa de freqncia atinge at 10kHz, permitindo aplicaes em altas freqncias.

Smbolo do SCR:








Princpio de funcionamento:

O SCR um diodo de silcio com um terceiro terminal para fins de controle. Foi escolhido o silcio, devido a sua alta
capacidade de suportar altas temperaturas conseqentemente conseguindo controlar elevada potncia. A operao bsica do SCR
pouco diferente da do diodo semicondutor de 2 camadas. Os dois s devem conduzir em apenas um sentido, sendo que o SCR pode
no conduzir tambm no sentido direto. Nesta situao s passaria conduzir se recebesse um comando (pulso positivo) no gate.
Conduzindo o SCR voltaria a deixar de conduzir, quando a corrente que passa por ele ficasse abaixo da corrente de manuteno
(IH=corrente de manuteno, a menor corrente de nodo capaz de manter o SCR no estado de conduo).

Curva Caracterstica Volte x Ampre de um SCR:
OBS.: IG4 > IG3 > IG2 > IG1 > IG0=0

Observando a curva caracterstica acima, percebemos que em relao polarizao reversa (VAK<0), no existe nenhuma
novidade, pois o SCR possui, em polarizao reversa, comportamento semelhante a de um diodo.
Para polarizao direta (VAK>0), pode-se perceber que o ponto onde inicia a conduo, depende da corrente aplicada no
gatilho, ocorrendo em um valor de VAK mais baixo medida que aumenta IG. A justificativa para este fato que uma injeo
maior de portadores na regio de gatilho, permite que o fenmeno de avalanche que d incio ao processo regenerativo que mantm
o SCR em conduo, ocorra em um menor valor da tenso VAK.
Para um valor de IG igual a IGT, o SCR se comporta exibindo caractersticas semelhantes a um diodo comum, polarizado
diretamente, vencendo facilmente a barreira de potencial, VAK~1V.


A (nodo)







K (Ctodo)
G (Gate)
(Porta)

IG4 IG3 IG2 IG1 IG0=0
Corrente de
manuteno IH
Mxima tenso repetitiva
de bloqueio no sentido
direto VDRM
Pico no repetitivo
da tenso de
bloqueio no senti-
do direto.
(IGT) corrente de
gate que fora o
SCR a se compor-
tar como um diodo
comum.
Mxima tenso
reversa repetitiva
IA
VAK
Mxima tenso
reversa no
repetitiva
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 5




Estrutura em barras do SCR:







Anlise da estrutura do SCR sendo polarizada:

Polarizao Reversa:
Observando a estrutura do SCR v-se que para VAK<0, o que corres-
ponde a polarizarmos inversamente este componente, existem duas junes
polarizadas inversamente (J1 e J3) e uma polarizada diretamente (J2). Nesta
condio no haver passagem de corrente significativa. A aplicao de corren-
te de gatilho nesta situao, faria fluir uma corrente de fuga de nodo, de valor
aproximadamente igual a corrente de gatilho causando um super aquecimento
da juno, podendo danificar o componente.






Polarizao Direta:
Em polarizao direta haver duas junes polarizadas diretamente (J
1

e J
3
) e uma polarizada inversamente (J
2
). Esta polarizao reversa em J
2
, difi-
culta bastante o fluxo de corrente, havendo apenas uma corrente de fuga de
baixo valor. Se aplicarmos um pulso de corrente no terminal de gatilho, os
portadores injetados causaro um fenmeno de avalanche na juno J
2,
fazendo
com que a corrente de nodo aumente bastante, sendo limitada apenas pela
impedncia externa conectada em srie com o SCR (impedncia externa a
carga).






Reestruturando de uma outra forma a representao em barras do SCR:






Baseado-nos na reestruturao do SCR tiramos o seu circuito equivalente:

- transistor T1=PNP
- transistor T2=NPN










Polarizao do circuito equivalente do SCR:
No circuito a seguir ao fecharmos a chave CH1, polarizamos o SCR diretamente (nodo positivo e ctodo negativo). En-
tretanto, o mesmo no entrar em conduo, pelo fato de IC2 e IC1 serem quase zero, com isso tornando as correntes de base (IB2
e IB1) praticamente igual a zero, mantendo os transistores T2 e T1 em estado de corte.
P
1
P
2
N
1
N
2
anodo
catodo
gate
(-)
(+)
J1
J2
J3

P
1
P
2
N
1
N
2
anodo
catodo
gate
(+)
(-)
J1
J2
J3

nodo


T1


Gate T2



Ctodo
P
P
N
N
nodo
ctodo
gate
P
N
N
P
P
N
A
G
K
T
2

T
1

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 6
Ao fecharmos a chave CH2, mesmo por um breve intervalo de tempo, injetamos uma corrente de base em T2 fazendo com
que IB2 aumente. Em conseqncia, IC2 aumentar, acontecendo o mesmo com IB1 e IC1, ocasionando um novo aumento em
IB2. Este processo continuo, as correntes aumentando de valor at que ambos os transistores saturem. A partir deste instante,
pode-se retirar a excitao de gatilho, abrindo-se a chave CH2, que o processo se mantm, com um transistor alimentando o outro .
O mnimo valor de corrente de nodo, para qual este processo estabiliza, recebe o nome de corrente de partida (latching em ingls).

Mtodos de disparar (ou provocar a conduo) do
SCR:

Obs.: o componente SCR s pode disparar no
primeiro quadrante, VAK e VG positivos :
1) Disparo por pulso de gatilho:
Esta a forma usual de disparo. Estando os terminais de nodo e ctodo polarizados diretamente, nodo positivo em rela-
o ao ctodo, o SCR deve estar cortado, praticamente no conduzindo. Ao aplicarmos um pulso de tenso positiva no gate em
relao ao ctodo, estaremos causando uma corrente no terminal do gate; se esta corrente possuir um valor acima do valor mnimo
necessrio para provocar o disparo do SCR, este tiristor comear a conduzir intensamente. A corrente de nodo ser mxima,
tendo como limitao fonte e a carga do circuito. Uma vez estando conduzindo, a corrente de gate pode ser levada a zero, que o
componente SCR continuar conduzindo ao mximo.

2) Disparo por sobretenso:
medida que se aumenta a tenso VAK, tenso entre os terminais de nodo e ctodo, este aumento reflete-se totalmente
na juno J2, uma vez que as junes J1 e J3 esto polarizadas diretamente. Haver um momento em que o campo eltrico da jun-
o sob polarizao inversa, fica to elevado, que acontece uma acelerao dos portadores minoritrios que a cruzam, a tal ponto
que um fenmeno de avalanche se estabelece, provocando um aumento da corrente de nodo. Esta corrente ser limitada apenas
pelas resistncias colocadas em srie com o SCR, entrando o mesmo em conduo.
Este procedimento, nem sempre destrutivo, raramente utilizado na prtica. Para o gatilho em aberto, ou seja IG=0, a
tenso na qual o SCR passa ao estado de conduo, chamado de tenso de breakover VBO ( tenso de avalanche).

3) Disparo por velocidade (disparo por dV/dt):
Em um SCR sob polarizao direta, sem aplicao de um pulso de disparo, verificamos
que uma das junes est sob polarizao inversa, havendo portanto uma distribuio de cargas
nas proximidades da juno J2. Pode-se associar a esta distribuio de cargas, um efeito
capacitivo. Na pratica diramos que nesta juno existe um capacitor.
Lembrando a relao entre tenso e corrente em um capacitor:

i =C.dV/dt

A expresso nos diz que para haver corrente em um capacitor, necessrio que haja uma
variao da tenso aplicada. Em outras palavras, se houver uma variao instantnea da tenso
aplicada a um capacitor, haver uma corrente associada.
Com o capacitor associado juno J2 de um SCR diretamente polarizado, pode
ocorrer algo semelhante. Variaes bruscas de tenso sobre os terminais de nodo e ctodo do
SCR, podem provocar correntes de nodo, com intensidade suficiente, a ponto de provocar o
disparo deste tiristor.
Esta maneira de disparar o SCR, deve ser evitada a todo custo, uma vez que a mesma de difcil controle. A forma com
que o SCR disparado por este mtodo, na maioria das vezes tem como causa rudos na rede de alimentao.
Evita-se este disparo indesejvel, com o uso de filtros de rede do tipo passa baixa. Vide FIG A
4) Disparo por aumento de temperatura:
Sabe-se que a corrente que circula por uma juno PN sob polarizao inversa, extremamente dependente da temperatu-
ra. Isto se d porque esta corrente acontece devido ao fluxo de portadores minoritrios, cuja concentrao depende da temperatura
da juno. Em termos quantitativos, em dispositivos de silcio, esta corrente aproximadamente dobra a cada 10C de aumento do
calor do semicondutor. Aumentando a temperatura de um SCR, aumentaremos a corrente reversa em J2, este acrscimo pode levar
o dispositivo ao disparo. Normalmente no usamos este mtodo de disparo do SCR, na maioria das vezes ele indesejvel.

5) Disparo por luz ou radiao:
A incidncia de energia radiante sob a forma de ftons (luz), raios gama, nutrons, prtons, eltrons, raios X, ... , sobre
uma janela, adequadamente colocada num SCR especfico, pode dispara-lo. O dispositivo que possui este modo de disparo,
chamado LASCR (Light Activated Silicon Controlled Rectifier). Alm de disparar pela incidncia de luz, este dispositivo pode ser
disparado por pulsos de gatilho, uma vez que o mesmo possui o respectivo terminal.
A
IB1
T1
IC2
IC1
T2
G IB2
k
CH1 CARGA
+
Vcc
- RG CH2
+Vg
-

VG
VAK
I quadrante
SCR com possibilidade
de disparar
(+VAK e +VG)
II quadrante
SCR no dispara
(-VAK e +VG)
III quadrante
SCR no dispara
(-VAK e -VG)

IV quadrante
SCR no dispara
(+VAK e -VG)

FIGURA A
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 7

Comutao de Tirirstores SCR:
Comutar um SCR, significa lev-lo ao estado de bloqueio. Em outras palavras, a comutao se completa, quando cessa a
conduo de corrente no sentido direto e a reaplicao de tenso direta entre nodo e ctodo do SCR, no consegue restabelecer a
conduo do mesmo.
Existem trs mtodos principais de provocar o bloqueio do SCR:

1) Comutao natural:
Quando se reduz a corrente de nodo abaixo de um valor mnimo IH (IH=corrente de manuteno), o SCR comuta (des-
liga). A corrente de manuteno tem um valor baixo, normalmente cerca de 1000 vezes menor que a corrente nominal do dispositi-
vo.
Em um circuito CA, a corrente normalmente passa pelo zero em algum ponto, levando desta forma o SCR ao bloqueio.
Entretanto em circuito CC, uma vez que a tenso entre nodo e ctodo permanece positiva, a corrente de nodo s pode ser reduzi-
da pela abertura de uma chave, pelo aumento da impedncia de carga ou desviando parte da corrente de carga atravs de um circui-
to paralelo com o tiristor, ou em outras palavras, curto-circuitando o SCR.

2) Comutao por Polarizao Reversa:
O circuito de SCR alimentado com tenso CA, tem suas correntes invertidas a cada troca de semiciclo da tenso da rede,
polarizando inversamente os SCR (ctodo positivo e nodo negativo), provocando desta forma o bloqueio dos SCR. Forma esta de
comutar os SCR conhecido por comutao por fase ou comutao pela rede. Em circuito CC deve-se arranjar um meio de aplicar-
se uma tenso reversa entre os terminais de nodo e ctodo, nem que seja pelo auxlio de uma fonte externa, de modo a provocar o
bloqueio do SCR pela inverso da corrente de nodo.

3) Comutao por pulso de corrente:
Existem certos dispositivos eletrnicos especialmente construdos, que conseguem bloquear pela aplicao de um pulso de
corrente negativa aplicada em seu gate. Esta corrente negativa provoca um acrscimo da corrente necessria para manter o SCR
conduzindo (corrente IH), a ponto de esta superar a corrente de carga. Desta forma o SCR comuta.
Um caso especial deste tipo de SCR o GTO, SCR com desligamento pelo gate.

Circuitos para controle de potncia usando SCR:

Controle de fase de 0 a 90.
O circuito a seguir representa o controle de fase mais simples que se pode construir, empregando-se o SCR. Este circuito
pode controlar luminosidade de uma lmpada, velocidade de motores e outras cargas. A potncia entregue a carga pode ser expres-
sa em termos do produto da tenso mdia pela corrente requerida pela carga. Variando-se o ngulo o (o =ngulo de disparo do
SCR) varia-se VL mdio na carga e, por conseqncia, a potncia da mesma.












Considerando-se o semiciclo positivo, na proporo que a tenso de alimentao cresce, a tenso de gate ctodo cresce.
Surge ento uma corrente de gate, que limitada pela resistncia do potencimetro R. Se esta resistncia for de valor pequeno, a
corrente de disparo ser atingida com um valor de tenso VCA baixo. Se o valor da resistncia for alto, o ngulo o ser maior.
Este circuito s permite o controle de 0 a 90, porque a corrente de disparo esta em fase com a tenso da rede, que atinge o seu
valor mximo exatamente em o =90. Se o SCR no disparou at este valor, no ir disparar , pois de 90 em diante, a tenso de
gate e a tenso entre nodo ctodo decrescem, tornando quase impossvel o disparo deste tiristor.
O diodo colocado em srie com o terminal de gate, serve para proteger a juno gate ctodo, de uma polarizao inversa
(corrente contrria de gate). Esta polarizao inversa poderia acontecer, durante o semiciclo negativo da rede, frao de perodo em
que o SCR no deve conduzir.

Controle de fase de 0 a 180.
Para obter-se o controle de 0 180, recorre-se a circuitos RC. O elemento principal deste tipo de controle o capacitor
que possibilita obter um retardo no tempo de disparo do SCR. O instante que a tenso de disparo ser atingida, depender dos valo-
res de R2, R1 e C, que formam o conhecido circuito RC, que nos fornece a constante RC. A tenso de disparo resultado do
valor de tenso sobre o capacitor, subtrado da tenso sobre o diodo D1, como a tenso do capacitor sofre uma defasagem (atraso)
em relao a tenso da rede, possvel atingir um valor crescente de tenso sobre o gate, mesmo depois de termos ultrapassado o
valor da tenso de pico da rede. Desta forma podemos provocar o disparo do SCR alm dos 90 at bem prximo dos 180.
O diodo D2, quando polarizado diretamente, permite que o capacitor C se carregue rapidamente. Esta carga ocorre em
fase com o semiciclo negativo (at 270) , fazendo com que no capacitor, se forme uma diferena de potencial negativo bastante
elevado. Este potencial negativo contribui no atraso que ir provocar, com a descarga de todo este potencial somado ao tempo que
o capacitor ir levar para atingir um potencial positivo, que possibilite o disparo do SCR, numa faixa muito ampla de tenso da
rede, de 0 180 (aproximadamente).
A



K
G
VCA
D
R1


R2
CARGA
wt
wt
o
o
V carga
VCA
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 8












Circuito que permite o controle dos dois semiciclos de uma rede alternada, utilizando-se retificador em ponte:












Percebe-se que os circuitos anteriores s permitem a conduo do SCR nos semiciclos positivos, o que se torna inconveni-
ente, para alguns tipos de cargas. Para obter-se controle completo, nos dois semiciclos, adiciona-se uma ponte retificadora ao cir-
cuito.
Note que este circuito, permite que a carga, colocada antes do retificador em ponte, receba uma corrente alternada com
valor de tenso mdia ajustvel, pelo controle do ngulo de disparo do SCR. O circuito do SCR recebe corrente unidirecional pul-
sante, o que garante sua conduo nos dois semiciclos da tenso de entrada. A carga pode ser instalada opcionalmente, em srie
com o nodo do SCR, a corrente na carga nesta nova situao seria igual a corrente de nodo, conseqentemente, unidirecional
pulsante.
Ao final de cada semiciclo da onda retificada, a tenso cai a zero possibilitando o bloqueio do SCR.
Este tipo de circuito (com ponte retificadora) confivel para cargas resistivas, mas para cargas reativas torna-se necess-
ria uma anlise mais detalhada, uma vez que o tempo disponvel para cortar o SCR (VAK=0) muito pequeno. Desta forma a
defasagem existente entre a tenso VAK e a corrente IA podem tornar quase impossvel a tarefa de provocar o bloqueio do tiristor
SCR.

Outros circuitos retificadores, que empregam o SCR, para controlar o valor mdio da tenso retificada
de sada.
Circuito Retificador Trifsico controlado de meia onda:


wt
wt
o
o
V carga
VCA
A


K
G
VCA
D1
C
R1


R2
CARGA
D2
wt
wt
o
o
V
carga
VCA
o
A


K
G
D1
C
R1


R2
CARGA
D2
carga
opcional
VCA
A SCR1 IO


VA
Vo CARGA
VC VB
SCR2

C B
SCR3

R

S

T

SCR1 SCR2 SCR3
D1 D2 D3
CARGA
IO
Circuito Retificador Trifsico semicontrolado
de onda Completa ou em Ponte.
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 9
TABELA CONTENDO CARACTERSTICAS DE ALGUNS SCRs:






































































Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 10




Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 11
CEFET- RS
Curso de Eletrotcnica Disciplina de Eletrnica Industrial
Professor: Paulo Eduardo Mascarenhas Ugoski

AVALIAO PRTICA COM TIRISTOR SCR: NOTA:..............

Turma: ............... Data / Hora: ................................... s .....h ....min

Dupla de alunos: -1 Aluno(a): .....................................................................................................................................

-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................


Testando o componente SCR:

Introduo

Temos circuitos eletrnicos de potncia que utilizam em suas sadas, o tiristor SCR. Um dos defeitos mais corriqueiros
nestes equipamentos, a queima destes tiristores, visto que estes componentes, por estarem na etapa de potncia, so muito
mais solicitados que qualquer um outro componente do circuito. Mesmo o componente estando queimado nem sempre apresenta
vestgios externos, visveis, de suas disfunes. Para sabermos se realmente este componente esta ou no funcionando, um dos
mtodos alimentar o circuito, quando possvel, e medir as tenses que o mesmo apresenta em seus terminais.
Caso a alimentao do circuito no possa ser restabelecida por algum motivo, por exemplo: o circuito provoca a queima
de fusveis, componentes pegam fogo e (ou) o circuito provoca queima dos equipamentos ligados em sua sada. Devemos retirar
os componentes suspeitos e testa-los fora do circuito.

Componentes a serem utilizados: SCRs e resistores.

Equipamentos utilizados: multmetro analgico e fonte cc.

Teste:

Introduo:
Para testarmos o componente devemos identificar os seus terminais. Observe os desenhos abaixo:

Smbolo: Representao fsica:









Procedimento:

a) Usando o multmetro na escala mais baixa do ohmmetro (R x 1), iremos medir as resistncias encontradas entre os terminais
do SCR, dois terminais verificados de cada vez.
b) Medio de resistncia elevada (tendendo ao infinito) entre os terminais de nodo e Ctodo, quando diretamente ou inversa-
mente polarizados.
c) Polarizando os terminais de nodo e Ctodo diretamente, encontraremos resistncia elevada. Posicionando o terminal positivo
do ohmmetro de forma a conseguir aplicar um pulso positivo no terminal de gate, sem deixar de continuar tocando no terminal de
nodo, verificaremos o disparo do SCR (resistncia de valor baixo). Mantendo os terminais de nodo e ctodo alimentados,
vamos desencostar o terminal positivo do gate e o SCR dever manter-se conduzindo, salvo SCRs de grande porte, que podem
deixar de conduzir, visto que a corrente fornecida pelo ohmmetro pode ser inferior a corrente IH. O ohmmetro pode no ser capaz
de disparar alguns SCRs de porte maior. Para efetuarmos o teste podemos fazer uso de uma fonte de tenso CC. Polarizando no-
do positivo em relao ao ctodo, em srie com um resistor, o SCR deve se manter cortado at o momento que aplicamos um pulso
de corrente no gate, situao que o SCR dever disparar e manter-se conduzindo, mesmo depois de retirado o pulso da porta.
d) A medio de resistncia resultar em valor elevado, quando estivermos verificando os terminais de gate e nodo.
e) Medindo a resistncia entre gate e ctodo, encontraremos um valor baixo, quando gate for positivo em relao ao ctodo. Quan-
do gate receber tenso negativa em relao ao ctodo, a resistncia ser baixa tendo valor superior ao anterior.






A (nodo)







K (Ctodo)
G (Gate)
(Porta)
K
G



A
A







K A G


A




K A G
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 12
Exemplificao do teste de disparo do componente SCR usando o ohmmetro analgico:






















Exemplo de tiristores SCR em diversos encapsulamentos, peso , corrente e tenso:


A







K A G


0
A





K A G


0

- +
- +

SCR 240g

IRMS =1400 A
IRMS =1600 A
I
RMS
=600

A I
RMS
=700 A

VRMS de: 900V a 2300V
Peso aproximado de 940 g
Peso:
IRMS =2150 A 2,25kg
IRMS =2400 A 2,80kg
VRMS de: 1200V a 1600V
Tiristor: Duplo SCR

V
RMS
=1300 V
I
RMS
=45A


Viso da parte interna de um
mdulo:
VRMS de: 500V a 2100V
IRMS de : 115 A a 175 A
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 13
A






K
D1

R3 G

VCA

C
R1




R2
CARGA
D2
CEFET- RS
Curso de Eletrotcnica Disciplina de Eletrnica Industrial
Professor: Paulo Eduardo Mascarenhas Ugoski

AVALIAO PRTICA: CONTROLE DE POTNCIA COM TIRISTOR SCR: NOTA:..............

Turma: ............... Data / Hora: ................................... s .....h ....min

Dupla de alunos: -1 Aluno(a): .....................................................................................................................................

-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................

Componente a ser ensaiado: SCR em placa de Circuito Impresso.
Circuito examinado: Controlador de fase de 0 180 com SCR (controlador de potncia)
Instrumentos; fonte de tenso AC de 60 Volts e osciloscpio.


Diagrama Eletrnico:

















Procedimento:
Ensaiar o circuito do controlador de potncia, anotando todos os dados obtidos, de forma a apresentar estes resultados em
um relatrio, constando em um grfico as tenses visualizadas no osciloscpio e seus respectivos valores principais

Ensaio:
- acrescentar no diagrama desenhado acima, os valores nominais dos componentes do circuito recebido, certifique-se de
que todos os componentes contidos no circuito impresso, esto representados corretamente no diagrama;
- identificar os pontos de alimentao, deste circuito baseado na observao do seu diagrama esquemtico;
- alimentar o circuito utilizando tenso alternada de 60 Volts 60Hz, fornecida pela bancada;

Medies Utilizando o osciloscpio: Regular o potencimetro para trs valores distintos. 1) Potencimetro com valor m-
ximo, tomando o cuidado para que a carga apresente alguma tenso visvel na tela do osciloscpio; 2) Potencimetro com valor
mdio; 3) Potencimetro com valor mnimo.
- medir as tenses de nodo em relao a massa;
- medir as tenses de gate em relao a massa;
- medir as tenses na carga e tenses entre nodo e ctodo.

Usando os dois canais do osciloscpio: (NUNCA USE AS GARRAS JACARS EM DOIS PONTOS DISTINTOS)
- observe as formas de ondas encontradas na entrada do circuito e a tenso entre nodo e ctodo;
- observe as formas de ondas encontradas na entrada do circuito e a tenso sobre o capacitor;
- observe as formas de ondas encontradas sobre a carga e a tenso entre nodo e ctodo do SCR (use o canal 2 com a
ponteira positiva no ctodo e a garra jacar no nodo, o canal 1 com a ponteira positiva do lado da tenso positiva e a garra jacar
tambm no nodo do SCR);












Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 14




t








t







t







t







t

VCA








VC







VG








VAK








Vcarga



Desenhe as formas de ondas, tenso em funo do tempo, encontradas na observao feita usando os dois canais do ins-
trumento para os trs ajustes das tenses de disparo: 1) Mxima tenso na carga; 2) tenso mdia na carga, disparo aos 90 do SCR
e 3) tenso mnima na carga, disparo prximo aos 180.
















































Concluses:
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
...............................................................................................................................................................................
.............................................................................................................................................................................
EXERCCIOS:
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 15
EXECUTE AS SEGUINTES QUESTES:
1) Como chamado o valor mnimo de corrente direta exigida para manter o SCR no estado de conduo?
2) Explique uma situao em que o SCR pode conduzir perfeitamente:
3) Desenhe a curva caracterstica do SCR identificando nesta curva: a) o ponto onde o SCR, polarizado diretamente, inicia a con-
duzir mais intensamente, sem ter corrente de gate aplicada; b) o ponto onde o SCR passaria a conduzir, mais intensamente, sob
polarizao reversa:
4) Complete as lacunas em branco, de forma adequada, mantendo as afirmativas verdadeiras
a) O SCR possui ................................... camadas semicondutoras.
b) O SCR tem trs terminais que so denominados ................................... , ................................... e ................................... .
c) O SCR usado basicamente como uma ................................... eletrnica.
d) Sob condies normais um SCR polarizado de modo que possa ser ativado com a aplicao de um pulso de corrente na
.................................... .
e) Trs aplicaes para o SCR: controle de luminosidade, ................................... e ................................... .
5) Defina tiristores:
6) Descreva o disparo do SCR ocorrido por aumento de temperatura:
7) Descreva o disparo do SCR ocorrido por sobretenso:
8) Explique a comutao natural do SCR :
9) Explique a comutao por pulso de corrente negativa aplicada no gate SCR :
10) O SCR um componente que funciona deixando passar, corrente em apenas um sentido. a) Qual o motivo de utiliza-lo em
circuitos alimentados por tenso CA? b) Caso alimentssemos estes circuitos, com tenso CC, qual seria o maior inconveniente?
11) Com qual instrumento podemos fazer o teste do o funcionamento do SCR, mesmo antes de colocado em um circuito? Qual a
escala mais adequada para realizar o teste? Caso o teste no seja possvel de ser feito, somente com este instrumento; qual o prov-
vel motivo?
12) Observe o circuito desenhado abaixo. Este circuito deve ser de um controlador de fase de 0 180: a) liste os componentes
que podem estar faltando; b) modifique os componentes que possam estar em lugar trocado; c) retire os componentes que possam
estar a mais no circuito.
.
L
SCR
D2
D1
R1
P
R2
TENSO
CA

13) Qual o procedimento necessrio, realizado com o circuito controlador de fase SCR, consiga controlar a tenso alternada em
uma carga, aproveitando os dois semiciclos completos fornecidos pela rede? Desenhe o circuito responsvel por esta faanha:

GTO (Tiristor bloquevel)

O GTO um tiristor que pode ser disparado por um pulso de corrente positiva de curta durao aplicada ao gatilho e, pode
continuar conduzindo mesmo que se retire esta corrente, como acontece nos SCRs. O GTO pode ser desligado (comutado) ao
receber um pulso de tenso negativa entre gate e ctodo, conseqentemente por uma corrente negativa de gate. Esta corrente de
bloqueio aplicada ao gatilho deve ter durao na ordem de poucos micros segundos, mas deve ter uma amplitude grande, tipica-
mente a corrente para desligar o GTO to grande como a corrente de nodo.
Sob polarizao reversa o GTO no deve conduzir, chegando a suportar valores de tenso relativamente elevados, depen-
dendo da sua construo.

Curva caracterstica do GTO: Smbolo do GTO:












A tenso que surge nos terminais de nodo e ctodo do GTO em conduo varia de 2 a 3V, muito maior que nos SCRs.
A velocidade de chaveamento est compreendida na faixa de alguns micros segundos a 25 micros segundos.
O GTO tem capacidade para funcionar com tenses maiores que 4kV, e com correntes na faixa de kA, razo pela qual
justifica seu emprego em circuitos que necessitem de tenses e correntes altas, cuja freqncia de chaveamento varie de algumas
centenas de Hertz 10kHz.
Aplicaes para o GTO: circuitos geradores de forma de onda; circuitos inversores; circuitos reguladores de tenso e ...
A (nodo)







K (Cto-
do)
G (Gate)
(Porta)
VAK
IA desligamento
disparo
VBR
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 16

Circuito aplicativo para o GTO:

Funcionamento do circuito ao lado: Quando aplicarmos uma
tenso em VI o GTO dever conduzir imediatamente, visto que o
nodo deste estar com uma tenso positiva em relao ao ctodo.
O ctodo por sua vez ter tenso igual a zero, em relao a massa.
O gate dever ter tenso positiva (Vz), em relao ao ctodo, sufi-
ciente para provocar a conduo do GTO. Nesta situao inicial, a
tenso de sada (VO) dever ser zero. O capacitor comear a se
carregar por meio do GTO, aumentando gradualmente sua diferen-
a de potencial (VO). Quando a tenso sobre o capacitor ultrapas-
sar a tenso de gate (Vz), o gate do GTO estar com tenso negati-
va em relao ao ctodo, provocando uma corrente inversa no gate.
Esta corrente vai aumentando at que atinja um valor suficiente
para provocar o bloqueio do GTO. A tenso em VO, neste instante,
ser superior a Vz. Como o GTO bloqueou, o capacitor dever se
descarregar por P e R2 at que atinja tenso inferior a VZ, provocando desta forma uma tenso positiva no gate, podendo a mesma
provocar um novo disparo do GTO. O ciclo deve se repetir at a retirada da alimentao do circuito. Modificando o valor do po-
tencimetro P poderemos provocar variaes no perodo de funcionamento do circuito. Aumentando P aumentaremos o perodo e
diminuindo P diminuiremos o perodo.

Aplicaes:

Os GTOs so uma das poucas opes do projetista para tenses acima de 1000 V e correntes acima de centenas de amp-
res, com limitaes de emprego, por trabalhar em baixas freqncias de chaveamento. Fora desta faixa os transistores bipolares,
FET ou IGBT so mais utilizados.
O GTO teve seu auge de pesquisas e utilizao comercial na dcada de 70. Exemplo de aplicao: No-break, inversores de
freqncia, controladores de motores CC, ... Recentemente os projetistas tm preferido utilizar um grupo de transistores em parale-
lo, do que um nico GTO. A razo que o desligamento dos GTO exige um circuito condicionador de sinal, de corrente da mesma
ordem de grandeza de IA. Gerar este pulso para GTOs, com IA da ordem de 1000 A, no muito comum.


DIAC (Diodo de Corrente Alternada):

O DIAC um componente de dois terminais, de baixa potncia, basicamente formado por uma associao paralelo-
inversa de camadas semicondutoras, possibilitando o disparo nos dois sentidos. A curva caracterstica do dispositivo mostra clara-
mente que h uma tenso de avalanche em cada sentido de conduo. Esta possibilidade de conduzir em ambos os sentidos,
explorada em aplicaes que necessite de corrente alternada para funcionar.

Curva Caracterstica:
















Estrutura em Barras:













+
Vo
-
+
VI
- R1
GTO
P
DZ C
R2

(I)





VBR IBR (V)

IBR VBR

Corrente de
avalanche
Tenso de
avalanche
N
1

P1

N2

P2 N3
nodo 1
nodo2
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 17
Note que no existe terminal de ctodo. Temos um terminal de nodo 1 (ou eletrodo1) e um terminal de nodo 2 (ou ele-
trodo 2). Quando polarizamos nodo 1 com tenso positiva em relao ao nodo 2, as camadas responsveis pela conduo, ou
no, da corrente sero: P1, N2, P2, N3. Quando polarizamos nodo 1 com tenso negativa em relao ao nodo 2, as camadas
responsveis pela conduo, ou no, da corrente sero: P2, N2, P1, N1.

Funcionamento do DIAC:
O DIAC ao ser polarizado, praticamente no conduz, circuito aberto, deixando passar apenas uma corrente de fuga, qua-
se igual a zero, at que a tenso sobre seus terminais, ultrapasse a tenso de avalanche. Deste ponto em diante ele passa a conduzir
intensamente (dispara), sua resistncia interna cai consideravelmente e a corrente ser mxima. Ele se comporta desta forma, para
correntes que circulem num e noutro sentido O processo de conduo interrompido, quando a corrente que passa pelo DIAC, fica
inferior a um valor mnimo necessrio para mant-lo conduzindo, ento ele corta. Cortado o DIAC apresentar resistncia quase
infinita e s voltar a conduzir, quando houver um novo disparo. A tenso capaz de provocar o disparo do DIAC est na faixa de
20 a 40 V.

Smbolos usados para representar o DIAC:











* Smbolo mais usado na representao do DIAC.





Circuito equivalente ao DIAC:









Estudo do funcionamento do DIAC, pela analise do comportamento de seu circuito equivalente, quando submetido a uma
polarizao por fonte de tenso CC varivel.











O valor de tenso que a bateria entrega ao circuito, inicialmente prximo de zero e ir aumentando gradualmente. O
circuito do diac deve estar no estado de corte no primeiro instante, mesmo estando o diodo Dz1 polarizado diretamente. A passa-
gem de corrente estar interrompida enquanto o diodo Dz2 receber tenso inferior a tenso zener. A carga ter tenso zero sobre
seus terminais. Quando a tenso da fonte ultrapassar o valor de tenso do diodo zener 2 (tenso zener) somada a tenso do diodo
zener 1 (tenso direta do zener) , fluir corrente na carga, o diac estar disparado. O diac ir cortar quando a corrente sobre ele, for
inferior a um valor mnimo necessrio para mant-lo conduzindo (ou disparado).










Anodo 2
Dz 1
Dz 2
Anodo 1

nodo 2






nodo 1
* a)

nodo 2






nodo 1
b)
nodo 2






nodo 1
c)

CARGA


nodo 2
Bateria Dz 1
c/
tenso Dz2
varivel nodo 1

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 18
CARGA

N

R1


TRIAC
R2



DIAC
C
F

Smbolo do componente TRIAC:
Circuito aplicativo para o DIAC:

Abaixo temos um circuito que utiliza o DIAC para disparar um outro tiristor de potncia, o TRIAC. Este circuito utiliza-
do para variar a luminosidade de lmpadas, ele conhecido por Dimer.
O DIAC tem a funo de tornar mais preciso o pulso de corrente de gate, responsvel pelo disparo do TRIAC. Segundo o
ajuste de R2, o pulso de corrente de gate acontecer em um determinador intervalo de tempo aps a passagem pelo zero da tenso
de entrada, que controlar o tempo de conduo do componente TRIAC, que por sua vez alimentar a carga com uma tenso de
valor ajustvel.
















TRIAC (TRIode AC swith)

O TRIAC fundamentalmente um diac que recebeu um terminal de porta. Este terminal usado para controlar as condi-
es de disparo deste componente, que conduz em ambos os sentidos. Em outras palavras, a corrente de porta pode controlar a
conduo do dispositivo em qualquer sentido, de maneira parecida com mostrada para o SCR.


Curva Caracterstica:



















Estrutura em Barras:




Anodo 2
Anodo 1
gate


IG4 IG3 IG2 IG1 IG0=0
Corrente de
manuteno
IH
IA
VAK
IG0=0 IG1 IG2 IG3 IG4

VBR
|
|
VBR
NODO 2 POSITIVO
EM RELAO AO
NODO 1
NODO 2 NEGATIVO
EM RELAO AO
NODO 1
Corrente de
manuteno IH

nodo 1
nodo2
N
1
N
2
P
1


N
3

P
2

N
4
N
5

gate (porta)

A2 (nodo2)









A1 (nodo1)
G (Gate)
(Porta)
Circuito Equivalente:
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 19
VG
VA
2
A
1

I quadrante
TRIAC com possibilidade
de disparar.
(+VA2A1 e +VG)
II quadrante
TRIAC com possibilidade
de disparar.
(-VA
2
A
1
e +VG)

III quadrante
TRIAC com possibilidade
de disparar.
(-VA2A1 e -VG)

IV quadrante
TRIAC com possibilidade
de disparar.
(+VA2A1 e -VG)

Carga



R1

R2

P DIAC
TRIAC


C2
LDR C1
Mtodos de disparar o componente TRIAC:

Obs.: o componente TRIAC pode disparar nos quatro quadrantes:

Os mtodos utilizados para disparar o TRIAC so
semelhantes aos usados para disparar o SCR. A diferena exis-
te quanto a polarizao. O SCR necessita que o terminal de
nodo e o terminal de gate sejam positivos em relao ao ter-
minal de ctodo, para que o disparo possa acontecer. J o
TRIAC trabalha com tenso positiva ou negativa, aplicada
entre nodo 2 e nodo 1, acontecendo o disparo quando o gate
recebe tenso positiva ou negativa, em relao ao terminal de
nodo 1, a polaridade no importante.

Mtodos de disparo:

1) Disparo por pulso de gate (tenso aplicada entre o gate e o
terminal de nodo 1): Esta tenso de valor pequeno , valor
prximo de 1 volt, sua polaridade pode ser positiva ou negativa
independente da polaridade existente entre A2 e A1. Basta
existir uma diferena de potencial entre os terminais de A2 e A1, o TRIAC estar cortado at que seu gate receba um pulso de
corrente, a partir da, o TRIAC estar conduzindo at que a corrente que passa entre A1 e A2 fique menor que IH.
2) Disparo por sobretenso: Se a tenso aplicada entre os terminais de A2 e A1, de um TRIAC cortado , ultrapassar um certo
limite, o TRIAC poder conduzir mesmo sem ter recebido pulso de gate.
3) Disparo por velocidade: Se acontecer uma variao brusca de tenso entre os terminais de A2 e A1, de um TRIAC em corte,
pode surgir uma corrente mais intensa de nodo, provocada por efeito capacitivo das junes sob polarizao inversas do TRIAC.
Mesmo sem aplicarmos corrente no gate, esta corrente pode ser suficiente para levar o componente ao estado de conduo (dispa-
ro).
4) Disparo por temperatura: Acontecendo aumento de temperatura sobre as junes inversamente polarizadas, de um TRIAC em
estado de corte, deve acontecer um acrscimo da pequena corrente circulante. Se este aumento de corrente for suficiente para pro-
vocar o desencadeamento do processo de disparo do TRIAC, o mesmo pode passar a conduzir mesmo sem ter recebido o comando
pelo gate.
5) Disparo por radiao: Em TRIAC provido de uma abertura janela pode acontecer o disparo por incidncia de luz. Esta luz
incidente pode provocar um aumento de corrente, que passa pela juno sob polarizao inversa, este acrscimo da corrente pode
provocar o disparo do componente, mesmo sem a aplicao de um pulso de corrente no terminal de gate.

Comutao de Tiristores TRIAC:
Comutar um TRIAC que esteja conduzindo, provocar o bloqueio da corrente que estava circulando por este componente.
Para faze-lo conduzir novamente no basta aplicar uma diferena de potencial entre A2 e A1, o gate deve receber um pulso de
corrente
1) Comutao Natural: Para um TRIAC em conduo, para leva-lo ao corte, basta que a corrente de nodo tenha valor inferior
ao valor da corrente de manuteno (IH)

Obs.: Os outros mtodos de comutao no funcionam com o TRIAC. Exemplo: Comutao por pulso de gate; comutao por
polarizao reversa.

Aplicaes: Circuitos de controle de intensidade luminosa de lmpadas de filamento; controle de potncia de pequenos motores
universais (exemplo motor de mquina de costura); controle da potncia de estufas; controle de potncia de chuveiros eltricos;
variador de velocidade de ventiladores; variador de velocidade de furadeiras eltricas; controlador de velocidade de motores de
equipamentos eletrodomsticos (liquidificadores, batedeiras); ...

Circuito aplicativo para o tiristor TRIAC: controle de iluminao externa, utilizando a luz do sol para controlar o acionamen-
to do sistema:


Representao Fsica do TRIAC















A
2










A
1
A
2
G


A
2




A
1
A
2
G
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 20
Exerccios:

1) Desenhe a curva caracterstica do DIAC:
2) Desenhe dois smbolos que podem representar o componente DIAC:
3) Desenhe o circuito equivalente para o componente TRIAC:
4) Cite cinco maneiras, possveis, de disparar o componente TRIAC:
5) Assinale abaixo, a alternativa correspondente a caracterstica funcional do TRIAC:
( ) a) bloquear quando houver pulso positivo no gate e tenso VA
2
A
1
;
( ) b) disparar quando acontecer um pulso negativo na porta;
( ) c) no estado de conduo, deixar de conduzir quando for aplicado tenso negativa no gate;
( ) d) no estado de conduo, deixar de conduzir quando for aplicado tenso positiva no gate;
( ) e) deixar passar corrente nos dois sentidos sempre que estiver no estado de conduo (disparado);
6) Cite quatro aplicaes para o componente TRIAC:
7) Desenhe o circuito equivalente ao componente DIAC:
8) Desenhe os grficos das tenses em funo do tempo, correspondentes ao desenho abaixo. Considere que o TRIAC, do circuito
abaixo esteja disparando em trs situaes: a) incio dos semiciclos positivo e negativo; b) aos 90 e 270 graus da tenso de entrada
e c) ao final dos semiciclos.















































CARGA
N



R1

TRIAC
R2
VCA


DIAC
C
F




t





t



t




t



t

VCA
VC



VG



VA
2
A
1
V carga
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 21
CEFET-RS
Curso de Eletrotcnica Disciplina de Eletrnica Industrial
Professor: ...............................................................
AVALIAO PRTICA COM CONTROLADOR DE POTNCIA COM TRIAC: NOTA:..............

Turma: ............... Data / Hora: ................................... s .....h ....min

Dupla de alunos: -1 Aluno(a): .....................................................................................................................................

-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................
Introduo: Vamos alimentar o circuito de um dimer, montado com TRIAC, usando uma fonte CA de 60 Volts e observar as
formas de ondas encontradas em diversos pontos. A observao ser feita com auxlio do osciloscpio.

Procedimento:
1) Observando o dispositivo eletrnico no circuito impresso, desenhar o seu diagrama esquemtico. Coloque no desenho os valores
dos componentes.
2) Ligue a carga (lmpada de 100W 127V) ao circuito e alimente-o com tenso CA reduzida (60V) ou valor menor.
3) Utilizar o osciloscpio para observar as tenses: no gate; na carga; no capacitor; na entrada do circuito e entre A1 e A2. Ao fazer
as medies nestes pontos, varie o valor do potencimetro e veja o que acontece observando a tela do osciloscpio.
4) Usando os dois canais do osciloscpio, observar as formas de ondas: VCA e VA2A1; Vcarga e VA2A1; VG e VA2A1; VC e
VCA. Todas estas formas de ondas devem ser desenhadas usando os eixos abaixo. Os valores mximos e mnimos, de tenso, de-
vem vir indicados nos grficos. O traado das curvas deve ser feito para trs ajustes do potencimetro segundo o comportamento
do tiristor: 1) TRIAC disparando no final do semiciclo positivo e semiciclo negativo (tenso na carga ser quase zero); 2) TRIAC
disparando aos 90 do semiciclo positivo e 270 do semiciclo negativo (tenso na c arga ser mdia) ; 3) TRIAC disparando no
incio do semiciclo positivo e incio do semiciclo negativo (tenso na carga ser mxima).
5) Concluses: a respeito do circuito; seu funcionamento e dificuldades encontradas. Entregar um relatrio correspondente aos
itens acima ensaiados. Um relatrio por dupla de trabalho.




t








t







t







t







t

VCA








VC







VG








VA
2
A
1







V carga


Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 22



TRANSISTORES DE UNIJUNO

UJT (Transistor de Unijuno)

O transistor de unijuno ( UJT- Unijuncion Transistor), como o prprio nome sugere, um dispositivo semicondutor de
trs terminais possuindo apenas uma juno P-N. O UJT fundamentalmente, um dispositivo de chaveamento (liga ou desliga)
com propriedades diferentes em relao aos demais componentes semicondutores.













DADOS CONSTRUTIVOS

Em uma barra de material tipo N, levemente dopado, soldado um terminal de alumnio, que um dopante aceitador. No
processo de soldagem a difuso de tomos de alumnio na barra N, faz com que surja uma regio do tipo P de dopagem elevada
que dar origem ao emissor. Os dois outros terminais colocados nos extremos da barra N, sero chamados de Base 1 e Base 2. Em
relao aos terminais de base, a barra N nada mais que um simples resistor cuja resistncia depende das dimenses e da dopagem
desta barra, cada UJT possui um valor caracterstico seu, acontecimento normal, visto que estes valores dependem do processo
construtivo, que no possui muita preciso.

FUNCIONAMENTO DO UJT:

O circuito equivalente do UJT, alimentado por duas fontes CC, uma maior fixa e outra menor varivel, mostra a resistn-
cia entre bases representando simples divisor de tenso, formado por resistncias, com o emissor entre as mesmas, as de valor mais
significativo so rB1 e rB2 (resistncia interna do UJT).














OBS.: Como usualmente as resistncias dos resistores de polari-
zao das bases 1 e 2, so de valores pequenos, desprezveis, em
relao a resistncia interna deste componente, podemos substitu-
ir o valor da tenso VB2B1 por VBB.

O diodo de emissor comporta-se como um diodo normal, ou seja, quando polarizado inversamente, flui pelo mesmo ape-
nas uma corrente de fuga de baixo valor. Quando polarizado diretamente conduz pequena corrente, at antes de vencer a barreira de
potencial (0,7 volts para o silcio). Depois de ultrapassar a barreira de potencial, a corrente que flui pelo diodo passa a ser elevada.
A resistncia rB1 conhecida por resistncia negativa. Por resistncia negativa entende-se, uma resistncia que de-
cresce de valor medida que a corrente que a atravessa aumenta. Em resistores convencionais acontece ao contrrio, se a corrente
aumenta a resistncia tende a aumentar.
A operao normal do UJT consiste em aumentar VE at que seja atingido o valor da tenso de pico Vp. Neste valor da
tenso de emissor, o diodo passa a ficar diretamente polarizado, e dito ento que o UJT foi disparado. A tenso Vp portanto Vale:

Vp = Vx + VD

OBS.: VD a queda de tenso do diodo do emissor, com valor aproximadamente igual a 0,7 volts.

A partir de VE =Vp, o UJT entra na regio que exibe resistncia negativa. Com a juno P-N (o diodo do emissor) polari-
zado diretamente, a injeo de portadores em ambos os lados da juno. O aumento do nmero de portadores na regio entre o
RB2
B2
D rB2
E X Vx +
VBB
-
rB1
+
VE B1
-
RB1

VX = rB1 . VB2B1
rB1+rB2

Smbol o:

Base 2

Emissor




Base 1

Representao em
barras:
Base 2

N
Emissor P




Base 1


Circui to Equi valente:
Base 2


rB2
Emissor


D
rB1

Base 1

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 23
emissor e a base 1, faz com que rB1 diminua. O decrscimo de rB1 provoca a diminuio de Vx, aumentando a diferena de poten-
cial aplicada ao diodo. Isto acarreta aumento da injeo de portadores na juno, aumentando a corrente de emissor. O acrscimo
na concentrao dos portadores produz uma nova reduo no valor de rB1. Este processo regenerativo e s cessar quando rB1
igualar-se rB1s (resistncia de base 1 de saturao), ponto em que o UJT estar na regio de vale, (Iv, Vv), a partir deste ponto a
corrente de emissor, torna-se uma funo aproximadamente linear da tenso e a resistncia assume um valor positivo. Se a tenso
do emissor ficar menor que Vv, o UJT ir cortar, parar de conduzir intensamente. No conduzir com intensidade, significa aumen-
tar a resistncia interna. O UJT voltar a regio de corte, at que a tenso de emissor VE fique pouca coisa maior que Vp e o ciclo
se repita.
A curva do UJT mostra que a partir do vale, a caracterstica do UJT aproxima-se da caracterstica do diodo de emissor em
relao a base 1, indicado pela curva onde IB2 =0 (base 2 em aberto).


CURVA CARACTERSTICA DO UJT
















* (letra grega eta) representa a razo intrnseca de equilbrio, definido por:

= rB1
rB1 +rB2

O valor de pode variar entre 0,4 a 0,9 dependendo do tipo do transistor. A razo determina o valor da tenso do ponto
de disparo Vp:

Vp = VB2B1 +VD = Vx + Vp

Vp = VBB +VD ( se R1 e R2 <<RBB)

OBS.: RBB =resistncia medida entre bases B1 e B2.

VD = queda de tenso no sentido direto do diodo de emissor.


PROPRIEDADES E CARACTERSTICAS DO UJT:

1) sua tenso de disparo aproximadamente uma frao fixa da tenso de alimentao, o que permite que um oscilador de relaxa-
o, tenha freqncia de oscilao independente da tenso da fonte;
2) o UJT possui uma regio de resistncia negativa bastante estvel, o que sugere o seu uso em osciladores e circuitos de disparo;
3) freqentemente, o uso do UJT em um circuito que se destine a implantar uma determinada funo, reduz metade o nmero de
componentes que seriam necessrios se fosse utilizado um transistor bipolar. Isto implica em simplicidade e maior confiabilidade
do circuito;
4) sua resistncia interna na condio de desativado relativamente elevada (5K ohms 10 k ohms);
5) o dispositivo necessita de baixos valores de corrente de disparo: 2 A 10 A;
6) o UJT tem elevada capacidade de corrente de pulso (2A);
7) so disponveis sada B1, tenses de pico relativamente elevadas (3 5 Volts), que podem ser usadas no chaveamento de
tiristores.

Obs.: Tiristores so componentes eletrnicos, utilizados para controlar equipamentos de potncia elevada. Por exemplo: grandes
motores.


VE
Regio de
corte
Regio de
resistncia
negativa
Regio de
saturao
Vp
Ip
Iv
Vv
IE
IB2 =0
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 24
OSCILADOR DE RELAXAO:

Grfico das tenses em funo do tempo: de emissor, da sada 1 e da sada 2 do circuito desenhado acima:




















Equaes para o dimensionamento do circuito do oscilador de relaxao:


Clculo de RB2:

RB
RBBmin
Vcc
RB 2
04 1
1 < +
, . .
.
( )
.





Clculo do perodo (T) e Freqncia (f):


T =

R C . .ln
1
1
f
RC
= =

1 1
1
1
T
.ln








R1

R


R2



Emissor Base 2



Base 1

C
RB2
RB1
VCC
S2
S1
VS2
t
VE
t
VS1
t
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 25
Limites a serem observados no momento do dimensionamento do circuito:

a) o capacitor utilizado no circuito dever ter valor menor ou igual a 10 F;
b) o circuito dever ser montado com valores comerciais dos componentes, o mais prximo do calculado;
c) o valor de eta fornecido pelo fabricante, no preciso, logo o circuito montado com base no que foi calculado, pode apresentar
pequenas diferenas no funcionamento;
d) para aplicaes comuns, como osciladores etc, comum utilizar o resistor RB1 com valor de 22 O, dispensando assim seu cl-
culo e facilitando o clculo de RB2;
e) comum no lugar de RB1 introduzirmos um transformador de pulso, com relao de transformao ou 1/1, cuja finalidade
seria de isolar eletricamente o circuito, de baixa potncia do oscilador, do de alta potncia do tiristor, evitando que a fase seja liga-
da em comum com a fonte CC ou evitando curto-circuito entre fases. O transformador bloqueia a tenso CC do oscilador, apesar da
mesma possuir valor pequeno, evitando que o tiristor funcione, dispare, sem controle.

Abaixo temos o circuito do oscilador de relaxao como sinal de sada retirado de umtransformador
de pulso .















OBS.: a finalidade do diodo D1 de proteger o
circuito do UJT da fora contra eletromotriz gerada
pelo primrio do transformador de pulso, sempre
que a corrente sobre ele for interrompida. O diodo
D2 tem a funo de bloquear pulsos negativos que
surjam no secundrio do transformador, evitando
queimar o tiristor


Transistor de Unijuno 2N2646

Especificaes de limites mximos, temperatura de 25C:

-dissipao de potncia .................................. 300 mW
-corrente de emissor RMS .............................. 50 mA
-corrente de pico de emissor .......................... 2A
-tenso inversa de emissor ............................ 30V
-tenso entre bases ....................................... 30V
-faixa de temperatura de operao ................ -65C 125C

Caractersticas do UJT 25C:

Mn. Tp. Mx.
q para VBB =10 V 0,56 0,65 0,75
RBB (VBB =3V , IE =0) 4,7kO 7,1 kO 9,1 kO









Emissor Base 2
Base 1
C
R1
R2
RB2
VCC
S2
S1
D1
D2

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 26
CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE PELOTAS (CEFET-RS)
Curso de Eletrotcnica Disciplina de Eletrnica Industrial
Professor: Paulo Eduardo Mascarenhas Ugoski

AVALIAO PRTICA COM OSCILADOR DE RELAXAO: NOTA:..............

Turma: ............... Data / Hora: ................................... s .....h ....min

Dupla de alunos: -1 Aluno(a): .....................................................................................................................................

-2 Aluno(a): .....................................................................................................................................

Materiais e equipamentos utilizados:

-circuito impresso do oscilador;
-fonte de tenso contnua;
-multmetro;
-osciloscpio de dois canais.

Procedimento: A prtica deve ser feita em duplas. A dupla deve executar os ensaios solicitados, nos itens abaixo e relatar as con-
cluses que a dupla chegou, ao cumprir cada um dos itens apresentados.


Itens a serem ensaiados e que devem constar no relatrio da aula prtica:

1) Desenhe o circuito eletrnico do oscilador de relaxao que vocs receberam na chapa de circuito impresso. No desenho devem
constar todos os componentes encontrados no circuito, com seus respectivos valores. Anote tambm o nmero do circuito recebido.


















2) Calcule o perodo mximo e mnimo do circuito. Determine a faixa de freqncia que o circuito deve operar:

















3) Utilizando a fonte CC, ajustada para [X+(N do circuito)] Volts, alimente o circuito corretamente.





Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 27
4) Com o auxlio do osciloscpio verifique as formas de ondas nos seguintes pontos do circuito: emissor; base 1 e base 2 (estas
medies devem ser feitas em relao a massa do circuito).


















a) Anotar perodo mximo e mnimo, faixa de freqncia, medidos com o osciloscpio. Comparar com os valores j cal-
culados. Tirar concluses.



b) Ajustar o circuito para que funcione na freqncia mxima.

c) Mea o tempo de carga e descarga do capacitor, anotando na curva de VE os respectivos valores encontrados. (S para
fazer as medies dos valores de tempo, utilize a forma de onda de B1)

d) Desenhe a forma de onda de VE e anote na mesma os valores de Vp e Vv.






e) Desenhe a forma de onda de VB1 e anote na mesma os valores das tenses mnimas e mximas encontradas.







f) Desenhe a forma de onda de VB2 e anote na mesma os valores das tenses, com o UJT no corte e com o UJT conduzin-
do ao mximo.






g) Variar a tenso da fonte cc de 5 V at no mximo 30 V. Observar se o perodo da forma de onda se modificou. Caso
tenha mudado, qual a modificao ocorrida? Tire concluses:

OBS.: no item h) use as garras do osciloscpio SEMPRE no mesmo ponto,
caso este procedimento no seja observado, estaremos correndo altssimo
risco de provocarmos um curto-circuito, que certamente danificar os cabos
e at mesmo o osciloscpio.









VE
t
VB1
t
VE
t
VB1
t
VB2
t
VB2
t
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 28
h) utilizando as duas ponteiras do osciloscpio, comparar as tenses: h1) VE c/ VB1, h2) VE c/ VB2 e h3) VB2 c/ VB1.

h1)













h2)












h3)








































VE
t
VB1
t
VE
t
VB2
t
VB1
t
VB2
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 29
Circuito aplicativo exemplificando o uso do UJT em conjunto com o SCR e outros componentes vistos
anteriormente.
Diagrama do circuito eletrnico do regulador de tenso, da excitatriz do campo do gerador (alternador GE
220/380-440 V; 62,5/50 KVA 1800 rpm; 60Hz).
S C R
D 4
D 1
R 11
D 2
D 3
R
S
T
T 1
T 2
D 5
D 6
R 1
R 2
R 3
R 4
R 5
R 6
R 7
R 8
R 9
C 2
C 1
C 3
C 4
R 10
R 12
F 1
C 5
L
N


VALORES DOS COMPONENTES:

F1 =6A R9=2,5KO C1=500 F/25V
R1;R2;R3 =10 K O R10=220 O C2=0,22 F/400V
R4=910 O R11=47 O C3=47 F/50V
R5=7,5 K O R12=200 O/10W C4=0,22 F/400V
R6=500 O D1,D2 e D3=1n4007 T1=ASY26 ou AF155 ou AF185
R7=2,5 K O D4 e D6 =SKE 1/08 SCR=TIC126D
R8;=5K O D5=1N4747 T2=2N2646



























N R S T
Campo do
gerador
Excitatriz sem escovas
Enrolamento do estator
L
Enrolamento que
recebe tenso do
circuito eletrnico.
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 30
Exerccios:

1) Diga em poucas palavras , o que um UJ T? Como ele constitudo? Qual o significado da sigla UJ T?

2) Desenhe a estrutura em barra e o circuito equivalente do UJ T. Identifique todos os terminais, com os respectivos
nomes:

3) Desenhe curva caracterstica do UJ T identificando nesta curva as regies de: saturao; corte e resistncia nega-
tiva. Tambm assinale na curva, os pontos de tenso de pico e tenso de vale:

4) Descreva o princpio de funcionamento do oscilador de relaxao desenhado ao
lado:

5) Observando o circuito desenhado ao lado, explique: a) Qual o comportamento do
oscilador de relaxao se o resistor R1 abrisse? b) O que aconteceria com o oscilador,
se R1 entrasse em curto-circuito? c) Se o capacitor entrasse em curto-circuito, qual o
sintoma que o oscilador apresentaria?

6) Escreva cinco caractersticas do componente UJ T, destacando a correspondente
vantagem comparando a outros componentes eletrnicos:

7) Desenhe as formas de onda (tenso x tempo) observa-
das no oscilador de relaxao, nos seguintes terminais:
emissor (V
E
); base 1 (V
B1
) e base 2 ( V
B2
). OBS.: todas as
formas de ondas devem ter em comum o tempo, mesmo que
sejam representados em eixos distintos.


8) Desenhe o circuito de um oscilador de relaxao, que
funcione sincronizado com a rede CA que o alimenta:

9) Desenhe o circuito de um oscilador de relaxao a UJ T,
que me entregue em sua sada, um pulso de tenso negativa. Identifique no circuito, claramente, onde se localizar
esta sada:

10) O circuito desenhado, abaixo, de um oscilador de relaxao, faa o que se pede:

a) Cite todos componentes, que normalmente NO causa-
riam modificaes considerveis, na freqncia de opera-
o do circuito, quando tivessem seus valores alterados
por um motivo ou outro:

b) Qual a funo do componente D1 no circuito acima:

c) Se o diodo D2 abrisse, o que poderia acontecer com o
circuito?

d) Se o capacitor, do circuito, entrasse em curto-circuito.
Qual seria o comportamento do oscilador ?

e) Tenho um oscilador de relaxao que trabalha em uma determinada faixa de freqncia. Nesta faixa de fre-
qncia encontramos valores mximos e mnimos. Qual seria a alterao aceitvel, nos valores dos componentes,
para se conseguir que os valores das freqncias, mnima e mxima, tenham os valores iguais a 1/4 dos valores
originais?






+
-
R1
R2
C
Ra
Rb
V
BB

V
E
t
V
B1
t
V
B2
t

R1
P1
RB2
+
_
C
Vcc
D1
D2
UJ T
T1

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 31
11) Observe o circuito desenhado abaixo. Este circuito de um regulador de tenso de um gerador sncrono. Diga as funes que
os componentes executam, no circuito abaixo, conforme a lista a seguir: a) diodo D5; b) diodo D4; c) transistor T1 e d) transistor
T2. .
S C R
D 4
D 1
R 1 1
D 2
D 3
R
S
T
T 1
T 2
D 5
D 6
R 1
R 2
R 3
R 4
R 5
R 6
R 7
R 8
R 9
C 2
C 1
C 3
C 4
R 1 0
R 1 2
F 1
C 5
L
N



PUT Transistor de Unijuno Programvel

O PUT um componente de 4 camadas, da famlia dos tiristores, com caractersticas semelhantes ao SCR. O PUT difere
do SCR, na posio do terminal de gate, no SCR o gate colocado no material tipo P mais prximo do ctodo, no PUT o gate fica
colocado no material tipo N mais prximo do nodo.
Tendo caractersticas parecidas com o SCR, mesmo assim o PUT chamado de transistor de unijuno, pois o mesmo
utilizado em circuitos onde poderiam ser usados UJT convencionais. O PUT possui caractersticas semelhantes ao UJ T, com a
vantagem de ser mais rpido, mais sensvel e possuir a tenso de disparo programvel, podendo a mesma ser estabelecida pela
escolha de um divisor resistivo adequado.

Estrutura em Barras do PUT Smbolo do PUT Circuito Equivalente ao PUT














Princpio de funcionamento

O PUT trabalha como um transistor de Unijuno, desde que exista um circuito externo de polarizao, que estabelea a
tenso de disparo Vp. A figura abaixo mostra o divisor resistivo de tenso, responsvel pelo estabelecimento da tenso de disparo e
o seu circuito Thevenin equivalente.










Divisor resistivo Circuito equivalente

Expresses para este circuito:
2 1
2 1
B B
B B
G
R R
R R
R
+
= V
S
=V
BB
2 1
1
B B
B
R R
R
+


anodo
catodo
gate
T1
T2


carga
RB2
RB1
V
A

G


k
VBB


carga
RG
V
A

G


k
VS

P
P
N
N
nodo
ctodo
gate
A (nodo)







K (Ctodo)
G (Gate)
(Porta)
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 32
Baseado no circuito equivalente do PUT, considerando todas as tenses em relao a massa, observe que se VG >VA, T1
estar em estado de corte, o mesmo acontecendo com T2. Conseqentemente a corrente que flui pelo gate deve ser muito pequena
e em G a tenso praticamente VS. Para T1 conduzir se faz necessrio que a juno base e emissor seja polarizado diretamente.
Para que isto acontea temos:

D G A
V V V + =

Como VS VG ~

D
B B
B
BB A
V
R R
R
V V +
+
=
2 1
1


Quando VA iguala-se a VP, definido na equao acima, ser estabelecido o processo regenerativo que manter T1 e T2
saturados, o terminal de gate deixa de proporcionar o controle do PUT. Para que o mesmo retorne ao estado de bloqueio, necess-
rio que a corrente de nodo caia abaixo de IV, aqui anloga a corrente de manuteno. O PUT considerado programvel por pos-
sibilitar a fixao do valor de eta (q) externamente.

Curva Caracterstica de um PUT:














Clculo do perodo e freqncia para o oscilador de relaxao construdo com o PUT.

|
|
.
|

\
|

~
1
1
ln
T T
C R T
|
|
|
|
.
|

\
|
+

~
2 1
1
1
1
ln
B B
B
T T
R R
R
C R T

|
|
.
|

\
| +
~
2
2 1
ln
B
B B
R
R R
RTCT T

|
|
.
|

\
|
+ ~
2
1
1 ln
B
B
T T
R
R
C R T


A freqncia de oscilao ser:
|
|
.
|

\
|
+
=
2
1
1 ln
1
B
B
T T
R
R
C R
f


OBS.: Pela observao da figura ao lado
percebe-se que a caracterstica de um PUT
semelhante a de um UJT.


RT
RB2
RB1
CT
A G


PUT
k

RS
VBB

VA


VP






VV

IP IV IA
Por analogia definiremos :
2 1
1
B B
B
R R
R
+
=
Resultando:
P D BB A
V V V V = + =

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 33
Circuito aplicativo de um PUT, funcionando como um oscilador de relaxao, pronto para controlar o disparo de um SCR.













Controle de fase de tiristores, empregando o
Circuito Integrado TCA785

O circuito integrado TCA785 da Siemens projetado para efetuar o controle de componentes eletrnicos de potncia tais
como: SCRs, Triacs e Transistores. O controle feito atravs de pulsos que podem ser deslocados de 0 a 180 graus, com tempo
de durao ajustvel, garantindo uma faixa de controle total em circuitos em CA.
Aplicaes: conversores CA CC, controles de potncia CA, controle de potncia trifsicos, inversores, ...

O CI TCA785 fornecido em invlucro DIP de 16 pinos e possui as seguintes caractersticas:
- Circuito de reconhecimento de passagem por zero;
- Pode ser usado como chave de passagem por zero;
- Opera em circuitos trifsicos (uso de 3 CIs);
- Fornece corrente de sada de at 250 mA;
- Possui uma ampla faixa de corrente de rampa;
- Opera numa ampla faixa de temperatura;
- Oferece boa estabilidade ao controle de potncia.

Pinagem: Circuito interno:
















Funcionamento:


O diagrama de blocos mostrado
na figura 2 ao lado.
O TCA 785 recebe umsinal de
sincronizao por meio de um resistor
de elevado valor , obtido da rede CA de
alimentao, por meio de um resistor de
elevado valor (Rsync). Umdetetor de
passagem por zero transfere esse sinal
para umregistrador, o capacitor C10 se
carrega com uma corrente constante
determinada por R9. Se a tenso da
rampa V10 execede a tenso de controle
V11, umsinal processado pela lgica interna. Dependendo da tenso de controle V11, o ngulo de disparo pode ser
deslocado numa faixa de 0 a 180.
Para cada meio ciclo, umpulso positivo de aproximadamente 30s de durao aparece nas sadas Q1 e Q2. A
durao do pulso pode ser prolongada at 180 por meio do capacitor C12. Se o pino 12 for conectado a terra, teremos
pulsos comdurao entre o ngulo de disparo e 180.
RT
RB2
RB1
CT
A G
PUT
k
VBB VCA
CARGA
SCR

Figura 1
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 34
As sadas Q1 e Q2 fornecempulsos invertidos emrelao a Q1 e Q2.
Um sinal comngulo de disparo mais 180, que pode ser usado para controle de lgica, disponvel no pino 3.
Umsinal que corresponde ao link NOR entre Q1 e Q2 disponvel na sada Qz que corresponde ao pino 7.
A entrada de inibio (pino 6) pode ser usada para desabilitar as sadas Q1 e Q2, assim como as complementa-
res.
O pino 13 pode ser usado para estender os pulsos das sadas Q1 e Q2 para umpulso completo cujo comprimen-
to a diferena entre 180 e o ngulo de disparo. Na figura 3, temos o diagrama de pulsos obtidos nos diversos blocos
e sadas deste circuito integrado.
Na tabela 1, temos os valores mximos absolutos do TCA 785.
A faixa de operao dada na tabela 2.

Exemplo de circuitos prticos de aplicao do TCA 785, controlando alguns tiristores:

a) Dimer controlado pelo TCA tendo o TRIAC em sua etapa de potncia.
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 35

b) Controle de onda completa para dois SCR de alta potncia. Os SCR esto ligados na configurao antipara-
lela de forma que seja aproveitada a tenso da rede de maneira integral, ciclo completo.


c) Circuito de controle de potncia em fase nica usando retificao em ponte semicontrolada e transformador
de pulso.





Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 36
Tiristor Controlado por MOSFET MCT

um novo tipo de dispositivo semicondutor de potncia que associa as capacidades de densidade de corrente e de blo-
queio de tenso tpicas dos tiristores, com um controle de disparo e de comutao baseados em dispositivos MOS. Enquanto o
GTO tem o gate controlado em corrente , o MCT funciona comandado por tenso. Existe MCT que pode funcionar com correntes
de 600 A e 2000V (dados de 1996).


















Princpio de funcionamento

Em um MCT de canal P (P-MCT) o MOSFET responsvel pela entrada em conduo do tiristor (on-FET) tambm de
canal P, sendo levado conduo pela aplicao de uma tenso negativa no terminal de gate.
Estando o nodo positivo, a conduo do on-FET realiza uma injeo de portadores na base do transistor NPN, levando o
componente conduo.
Uma vez que o componente formado pela associao de dezenas de milhares de clulas, e como todas elas entram em
conduo simultaneamente, o MCT possui excelente capacidade de suportar elevado di/dt. O MCT permanecer em conduo at
que a corrente de nodo caia abaixo do valor da corrente de manuteno (como qualquer tiristor), ou ento at que seja ativado o
off-FET, o que se faz pela aplicao de uma tenso positiva no gate.
A conduo do off-FET, ao curto-circuitar a juno base-emissor do transistor PNP ( possvel tambm uma estrutura que curto-
circuita as junes base-emissor de ambos os transistores), reduz o ganho de corrente para um valor menor do que 1, levando ao
bloqueio do MCT. A queda de tenso deve ser menor que Vbe. Esta capacidade de desligamento est associada a uma intensa in-
terdigitao entre o off-FET
e as junes, permitindo absorver portadores de toda superfcie condutora do nodo (e do ctodo).
Assim como um GTO assimtrico, o MCT no bloqueia tenso reversa acima de poucas dezenas de volts, uma vez que as
camadas n+ligadas ao nodo curto-circuitam a juno J1, e a juno J3, por estar associada a regies de dopagem elevada, no tm
capacidade de sustentar tenses mais altas. possvel, no entanto, faz-los com bloqueio simtrico, tambm sacrificando a
velocidade de chaveamento.
O sinal de gate deve ser mantido, tanto no estado ligado quanto no desligado, a fim de evitar comutaes (por "latch-
down" ou por dv/dt) indesejveis.
O gate necessita de baixssimas correntes de comando, visto que seu gate funciona feito minsculo capacitor, drenando
corrente muito pequena, ao se carregar.

Comparao entre P-MCT e N-MCT

possvel construir MCTs que so ligados por um MOSFET de canal N, e desligado por um MOSFET de canal P, como
mostrado nas figuras acima (N-MCT). Este componente entra em conduo quando um potencial positivo aplicado ao gate,
desligando com uma tenso negativa. Como o nodo est em contato apenas com uma camada P, este dispositivo capaz de sus-
tentar tenses com polarizao reversa.Sabe-se que um MOSFET canal N mais rpido e apresenta menor queda de tenso do que
um MOSFET canal P.
Assim, um P-MCT, por ser desligado por um MOSFET canal N capaz de comutar uma corrente de nodo 2 a 3 vezes
maior do que a que se obtm em um N-MCT. Em contraposio, por ser ligado por um MOSFET canal P, a entrada em conduo
mais lenta do que a que se tem em um N-MCT. A queda no MOSFET deve ser menor que 0,7V, para garantir que o TBP no con-
duza. Esta queda de tenso se d com a passagem da totalidade da corrente de nodo pelo MOSFET.

Smbolos:










A
K
G
MCT de canal P (P-MCT)
on-FET
off-FET
A
K
G
MCT de canal N (N-MCT)
on-FET
off-FET
A



G


K
MCT de canal N
MCT de canal P
A

G





K
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 37
Grfico de: tenso; corrente e freqncia, mostrando a faixa de atuao de uns com-
ponentes eletrnicos semicondutores de potncia:






























































Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 38


CENTRO FEDERAL DE EDUCAO TECNOLGICA DE PELOTAS RS
Coordenadoria de Eletrotcnica Disciplina de Eletrnica Industrial

EXERCCIOS:
1) Descreva o componente GTO, falando do seu funcionamento:
2) Vamos supor que um GTO esteja conduzindo, entre que valores de tenso eu poderia encontrar o seu VAK?
3) O GTO um componente elaborado para controlar elevadas potncias. Qual o limite, aproximado, de tenso e corrente mxima
que este componente consegue suportar?
4) Que faixa de freqncia o GTO consegue trabalhar?
5) Cite trs aplicaes para o GTO:
6) O GTO ainda utilizado na atualidade, aos poucos vem perdendo terreno para os: BJT, Hexfet e IGBT. Qual o motivo desta
perda?
7) Comparando os componentes de potncia estudados at aqui (SCR, TRIAC, GTO, BJT, HEXFET e IGBT). Responda os se-
guintes itens listados abaixo:
a) Quais destes componentes pode trabalhar com potncia mais alta?
b) Destes componentes qual trabalha com potncia mais baixa (por volta de 2000W)?
c) Qual o componente que funciona com freqncia de chaveamento superior a 50 k Hz ?
d) Liste os componentes que apresentam custo mais baixo que os demais:
e) Liste os componentes que apresentam custo mais elevado que os demais:
f) Liste os componentes que necessitam de circuitos externos de desligamento:
g) Cite os componentes que possuem comando por pulso de corrente:
h) Cite os componentes que possuem comando por pulso de tenso:
8) O que significa a sigla PUT?
9) Desenhe o smbolo do PUT:
10) Desenhe o smbolo o circuito equivalente do PUT:
11) Descreva o princpio de funcionamento do oscilador ao lado.Calcule a freqncia de oscilao:
Dados: RB2=2,2 kO; RB1=1,8 kO; RT=75 kO ; CT=0,022F e RS=100O.
12) Descreva detalhadamente o funcionamento do circuito desenhado abaixo:
a)



































A G
PUT
sada
RS
RT
RB2
RB1
CT
VBB
k

+
Vo
-
+
VI
- R1
GTO
P
DZ C
R2

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 39


COMPONENTES FOTOEMISSORES E FOTOSSENSORES

Os dispositivos optoeletrnicos so divididos em dois grupos bsicos. Classificam em dispositivos sensveis luz e dis-
positivos emissores de luz. Os mais importantes componentes em ambas as categorias sero por ns estudados.
A necessidade de conhecermos os dispositivos optoeletrnicos esta crescendo em importncia, uma vez que eles esto
sendo cada vez mais usados e, novas aplicaes so constantemente encontradas, na indstria, no comrcio, no lar, no automvel,
na informtica,...

Caractersticas Principais da Luz:
O termo luz usado para designar radiaes eletromagnticas em parte visveis ao olho humano. Basicamente a luz um
tipo de radiao eletromagntica e difere de outros tipos como raios csmicos, raios gama, raios x e ondas de rdio, apenas quanto
freqncia.
O espectro, ou seja a faixa de freqncia, ocupada pela luz estende-se de 300 giga hertz (300 x 109 hertz) at 300.000.000
giga hertz (300 x 1015 hertz). Acima da regio de raios x esto os raios gama e os raios csmicos.

| | | | | | | | | | | | |
2000 3000 4000 6000 5000 7000 8000 9000 10000 11000 12000 13000 14000 (A )
1,5x10
6
1,0x10
6
7,5x105 6,0x105 5,0x105 4,3x105 3,8x105 3,3x105 3,0x105 2,7x105 2,5x105 2,3x105 2,1x105
| |
ULTRAVIOLETA CORES VISVEIS PARA O SER HUMANO INFRAVERMELHO

=
v
f

=comprimento de onda em metros OBS.: 1 A =10
-10
m
V=velocidade da luz 3x10
8
m/s
f =freqncia Hertz

CLULAS FOTOCONDUTIVAS (LDR)

A clula fotocondutiva um dos mais antigos componentes sensores optoeletrnicos. Basicamente no passa de um resis-
tor sensvel a luz, conhecido por LDR (Resistncia Dependente da Luz), cuja resistncia interna varia quando a luz que o atinge
alterada em intensidade. A variao da resistncia no linear pois varia em propores diferentes da luz incidente.



Materiais utilizados na construo destas clulas:
As clulas fotocondutivas so geralmente feitas de materiais sensveis luz, como sulfato de cdmio (CdS) ou seleneto de
cdmio (CdSe), embora outros materiais, como sulfato de chumbo e telureto de chumbo, tambm sejam usados. Estes materiais
bsicos podem ainda ser dopados com outros, como cobre ou cloro, para controlar a exata maneira em que a resistncia do disposi-
tivo variar com a intensidade da luz.
As clulas fotocondutivas so mais sensveis luz do que outros tipos de dispositivos fotossensveis. A resistncia de uma
clula tpica pode ser to alta como algumas centenas de Mega ohms, quando a luz que atinge sua superfcie (iluminao) zero
(completa escurido), e to baixa como algumas centenas de ohms, quando a iluminao superior a 100 lux (aproximadamente 9
ps candela ou 100 lumem por metro quadrado). Isto representa uma tremenda mudana na resistncia para uma variao relativa-
mente pequena de iluminao. Esta extrema sensibilidade torna a clula fotocondutiva adequada a aplicaes onde as variaes na
intensidade luminosa so pequenas.

Desvantagem:
Ela responde lentamente as variaes na iluminao.

Tenso de alimentao:
A maioria das clulas fotocondutivas capaz de suportar tenses de operao relativamente altas. Dispositivos tpicos
devero ter valores mximos de tenso de 100, 200, ou 300 volts contnuos.

Consumo mximo:
Potncia mxima de 30 mW a 300 mW so tpicas.

SIMBOLOGIA:

ESTRUTURA FSICA DO LDR:
MATERIAL SENS VEL LUZ
TERMINAIS

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 40
Aplicaes: sensor que monitora a existncia ou no de chama em um queimador de uma caldeira; sensor de luminosidade ambi-
ente, que fornece informaes a um circuito que controlar a intensidade da luz artificial; rel fotoeltrico que aciona a iluminao
externa sempre que o sol se pe e etc..
Exemplo de aplicao do LDR:

Circuito de umrele fotoeltrico.
REL
LDR
LMPADA
NF
NA
F N
REDE CA
220V


Funcionamento do circuito:

A luz incidente sobre o LDR faz com que sua resistncia diminua e acione o rel, o rel ao acionar abre o contato NF e
fecha o contato NA, a lmpada desligada. A ausncia de luz incidente sobre o LDR, faz com que sua resistncia aumente, desa-
cionando o rel. O rel desacionado, o contato NA abre e o contato NF fecha, permitindo a energizao da lmpada.

CLULAS FOTOVOLTAICAS

A clula fotovoltaica um dispositivo que converte diretamente energia luminosa em eltrica. Quando exposta luz ela
gera uma tenso entre seus terminais, esta tenso aumenta quando a luz cresce em intensidade. A clula fotovoltaica foi usada por
muitos anos em vrias aplicaes militares e espaciais. comumente empregada a bordo de satlites, aeronaves, centrais telefni-
cas desprovidas de rede eltrica, bias navais de sinalizao, ... Converte energia solar em eltrica que pode ser usada para operar
vrios tipos de equipamentos eltricos e eletrnicos. Este dispositivo normalmente chamado de clula solar.
A clula fotovoltaica basicamente um dispositivo feito de materiais semicondutores, usualmente o silcio e o selnio.

















Nos ltimos anos tem havido um interesse crescente pela clula solar como fonte alternativa de energia. Porm, se consi-
derarmos que a densidade de energia recebida do sol ao nvel do mar em torno de 100 m W/ cm
2
( 1 kW/m
2
), veremos que cer-
tamente uma fonte de energia que ainda requer pesquisa e desenvolvimento, a fim de maximizar a eficincia de converso de
energia solar para eltrica.
A gerao de tenso, na clula fotovoltaica, depende da incidncia de ftons (partculas de luz) na superfcie da clula.
Nem todos os ftons que atingem a clula fotovoltaica criam pares eltron-lacuna e muitos dos eltrons e lacunas que separam-se
para formar pares, eventualmente se recombinam. A clula , portanto um dispositivo altamente ineficiente com relao conver-
so da energia luminosa em energia eltrica. Comparando a potncia de sada com a potncia de total contida na energia luminosa
da entrada, a maioria das clulas apresenta eficincia que varia de 3% at no "mximo" 15%.
Esses dispositivos geralmente requerem altos nveis de luz para fornecer potncia de sada til. A 2000 ps-candelas, a
tenso mdia de sada em circuito aberto (sem carga) de uma clula comum aproximadamente 0,45 volts, Quando carregada, uma
clula tpica pode fornecer 50 mA a 60 mA de corrente de sada carga. Entretanto, conectando-se um grande nmero de clulas
em srie ou paralelo, qualquer valor desejado de tenso ou corrente poder ser obtido.



CAMADA
P
ANEL METLICO
P
N
SUPORTE METLICO
TERMINAIS
ANEL METLICO
ESTRUTURA SMBOLO
ENTRADA DE
LUZ

Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 41


DIODOS EMISSORES DE LUZ (LED)

Os LEDs so dispositivos semicondutores que produzem luz quando submetidos a uma corrente ou tenso externa, ou
seja, simplesmente convertem energia eltrica em energia luminosa. um componente de estado slido, e fisicamente mais forte
que as lmpadas encapsuladas em vidro ( incandescentes, neons,...). Como todos os dispositivos semicondutores, apresenta uma
expectativa de vida ilimitada.
Um diodo de juno pode emitir luz em resposta a uma corrente eltrica. Nesse caso, a energia luminosa produzida de-
vido aos eltrons lacunas forados a se recombinarem. Quando um eltron e lacuna se recombinam pode ser liberado energia na
forma de ftons. A freqncia (ou comprimento de onda) dos ftons emitidos dessa maneira determinada pelo tipo de material
semicondutor empregado na construo do diodo.

* Porque os LEDs emitem luz e os diodos comuns no o fazem?
Isto se explica simplesmente pelo fato da maioria dos diodos comuns serem feitos de silcio e este um material opaco ou
impenetrvel energia luminosa envolvida. Qualquer fton produzido em um diodo comum, simplesmente no escapa do seu inte-
rior. Os LEDs so feitos de material semicondutor transparentes energia luminosa. Em conseqncia, em um LED parte da ener-
gia luminosa produzida pode escapar do dispositivo.

Construo do LED:
Muitos LEDs so feitos de arseneto de glio (Ga As). Os LEDs feitos desse material emitem luz mais eficientemente no
comprimento de onda prximo a 9000 angstrons (9000x10
-10
m), que situa-se na regio infravermelha do espectro da luz e no
visvel ao olho humano. Outros materiais tambm so usados tal como o fosfeto arseneto de glio (Ga As P) , que emite uma luz
vermelha visvel a aproximadamente 6600 angstrons (6600x10
-10
m) e o fosfeto de glio (Ga P) que produz uma luz visvel verde
em mais ou menos 5600 angstrons. O dispositivo de Ga As P oferece ainda uma gama relativamente extensa de possveis compri-
mentos de onda de sada, pelo ajuste da quantidade de fosfeto nele presente. Variando-se a quantidade de fosfeto, o LED pode
emitir luz em qualquer comprimento de onda de 5600 9100 angstrons.

Construo Bsica:















Uma tpica cpsula de LED: Smbolo do LED:














Grfico mostrando intensidade relativa x comprimento de onda para LEDs de diversas cores







Obs.: 1 A
0
=10
-10
m



contato de
alumnio
camada
isolante
substrato Ga
Ga As P
P
N
raios de luz
contato de ouro
contato de
alumnio
camada iso-
lante
substrato GaAS
contato de
ouro
GaASP
5000 5500 6000 6500 7000 7500 (A
0
)
0,0
0,5
1,0
GaAsP verme-
lho
vermelho de
alta eficincia
amarelo
verde
(intensidade relativa)
terminal de ctodo
Fio condutor
terminal
de nodo
chanfro
pastilha
semicon-
dutora do
LED
lente pls-
tica
ctodo
nodo
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 42
fonte de luz
+
P
N
janela metlica
base metlica
N
I

Dependendo de cada tipo de LED temos as seguintes caractersticas de alimentao:
- tenso direta tpica de 1,5 V at LEDs com tenso de 2,5 V.
- corrente direta mdia de 10 mA at 50 mA.
- tenso de ruptura inversa de 3 V at 5V.

Grfico tenso x corrente de um LED tpico:




FOTODIODO

O fotodiodo um dispositivo sensvel a luz que utiliza uma nica juno PN. constitudo de forma similar clula
fotovoltaica. Pode fornecer energia eltrica quando iluminado ou pode variar a corrente que passa por ele (polarizao reversa)
comandado pela luz.
Material utilizado na construo: silcio.

Representao em barras de fotodiodos:













OBS.: I material intrnseco possui resistncia muito alta (uma baixa condutividade) porque possui algumas impurezas.
O acrscimo da camada I resulta numa regio de depleo muito maior para uma certa tenso de polarizao reversa. A
regio de depleo mais extensa faz o fotodiodo PIN responder melhor as freqncias menores (ftons penetram mais fundo) e
maiores (por possuir menor capacitncia, dieltrico maior).

Curva tenso reversa x fotocorrente x potncia radiante (luz)

















SMBOLOS:















0,5 1,0 1,5 2,0 V
tenso direta
(corrente direta)
I(mA)
5
10
15
20

catodo
anodo
anodo

catodo

janela
metlica
fonte de luz
+
P
N
base metlica
Tipo PN


70

60

50

40

30

20

10
5 10 15 20 25 30 tenso reversa (volts)
fotocorrente (A)
50 W
100 W
150 W
200 W
potncia radi-
ante
+
R
CPSULA DE UM FOTODIODO:
Exemplo de polarizao de um fotodiodo:
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 43

FOTOTRANSISTOR:
O fototransistor tambm um dispositivo de juno PN. Porm ele apresenta duas junes ao invs de uma.

Construo: (estrutura em barras)














Circuito equivalente:













Smbolo do fototransistor:









Uma diferena importante entre o fototransistor e o fotodiodo, est na quantidade de corrente que cada dispositivo pode
controlar. O fototransistor pode conduzir muito mais corrente de sada que o fotodiodo, para uma certa intensidade luminosa, de-
vido capacidade de amplificao do fototransistor.
O fototransistor no possui uma resposta muito rpida para mudanas de intensidade de luz e portanto no adequado a
aplicaes onde uma resposta muito mais rpida seja exigida.

OPTO-ISOLADORES (Fotoacopladores)

O opto-isolador uma unidade que contm um LED infravermelho e um fotodetetor tal como um diodo de silcio, um par
Darlington de transistor, ou um SCR. As respostas a comprimentos de onda dos dispositivos so feitas o mais parecido possvel
para se obter a mxima medida de acoplamento.








5 10 15 20 25 30 tenso de coletor (volts)
5
4
3
2
1
1 m W/cm
2
2 m W/cm
2
3 m W/cm
2
4 m W/cm
2

C
E
B


N
P
N
emissor
base
coletor
luz
ISO - LIT 1
Curva caracterstica Vc x IC
corrente de coletor (mA)

1

2


3

6

5


4
coletor
base
emissor
tenso de
polarizao
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 44
Exemplo de aplicao de fotoacopladores:

Rels de estado slido:
Rels de estado slido so aqueles construdos com base em componentes semicondutores, e le-
vam esse nome por no possurem partes mveis, e normalmente possuem o seu interior totalmente
preenchido.

Diagrama eletrnico:



















































Forma Fsica de um rel de estado slido:
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)
Eletrotcnica/ Eletrnica Industrial II
28/02/08 13:42 45

EXERCCIOS:

1) Qual o significado da sigla LDR?
2) Qual o comportamento do LDR com relao as variaes da intensidade luminosa?
3) Qual a desvantagem que o LDR apresenta?
4) Cite trs aplicaes para o LDR:
5) Descreva o funcionamento do circuito desenhado abaixo:
REL
LDR
LMPADA
NF
NA
F N
REDE CA
220V

6) O que uma clula fotovoltaica?
7) Desenhe o smbolo de uma clula fotovoltaica:
8) Cite trs aplicaes para as clulas fotovoltaicas:
9) O que um LED?
10) Porque os LEDs emitem luz e os diodos comuns no o fazem?
11) Desenhe o smbolo do LED:
12) Todos os LEDs so iguais? Caso a resposta seja afirmativa. Que diferenas uns apresentam em relao aos outros?
13) O que um fotodiodo?
14) Desenhe o smbolo do fotodiodo:



Referncias Bibliogrficas:







GMBH, Dr. Fritz Martin & Co. KG. SEMIKRON Semicondutores de Potncia 90. Carapicuiba,
SEMIKRON, 1990.

ALMEIDA, Engenheiro J os Luiz Antunes de. Eletrnica Industrial.

BOYLESTAD, Robert. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos. Editora Prentice Hall do Brasil. Rio de
J aneiro, 1994.

MALVINO, Albert Paul. Eletrnica. Volume I, 4 edio. Pearson Education do Brasil. So Paulo, 1997.
Create PDF files without this message by purchasing novaPDF printer (http://www.novapdf.com)