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UNIVERSIDADE FEDERAL DO MARANHÃO

DISCIPLINA: ELETRÔNICA DE POTÊNCIA


PERÍODO 2017/2 – LISTA DE EXERCÍCIOS Nº 1
PROFESSORA. SILVANGELA BARCELOS

1. Explicar as diferenças mais importantes no uso de semicondutores para eletrônica linear quando comparada com a
eletrônica de potência.
2. Eletrônica de potência já existe como um campo especial a cerca de 40 anos. Neste período, houve um rápido
desenvolvimento para sistemas baseados em eletrônica de potência. Descrever as causas deste desenvolvimento.
3. Desenhe as características I x V dos seguintes componentes semicondutores de potência:
3.1 Diodo
3.2 Tiristor (SCR)
3.3 MOSFET
3.4 IGBT
4. Faça uma análise comparativa entre as 4 chaves semicondutoras potência da questão 3 (Diodo, Tiristor, MOSFET e IGBT),
no que se refere aos seguintes aspectos1:
4.1 Capacidade de bloqueio de tensão direta e reversa (indique valores comercias limites tipicamente disponíveis);
4.2 Se têm disparo e/ou bloqueio controlados ou não;
4.3 Características gerais do circuito de disparo e/ou bloquei (como acionar e/ou bloquear a chave semicondutora);
4.4 Faixas limites de correntes média e RMS;
4.5 Tempos típicos de acionamento (disparo) e bloqueio;
4.6 Máximas frequências de chaveamento;
4.7 Quedas de tensão quando em condução;
4.8 Perdas de chaveamento e de condução;
4.9 Suportabilidade quanto a 𝑑𝑣 ⁄𝑑𝑡 e 𝑑𝑖 ⁄𝑑𝑡 .
5. Considere o circuito de chaveamento de uma carga resistiva mostrado na Figura 1, sendo Vd = 300 V, fs = 300 MHz e R =
75Ω. Assuma que o tempo de disparo da chave (turn-on time) é igual a 𝑡 + 𝑡 e que o tempo de bloqueio (turn-off time)
é 𝑡 + 𝑡 . Durante a condução a queda de tensão na chave é igual a 0,8 V. Assumindo características de variação linear
para a tensão e corrente na chave durante o chaveamento, plote os gráficos da tensão, corrente e potência na chave, em
regime permanente, para um período de operação. Calcule a perda média de potência na chave. Considere 𝑡 = 100 𝑛𝑠,
𝑡 = 50 𝑛𝑠, 𝑡 = 100 𝑛𝑠 e 𝑡 = 200 𝑛𝑠.

R
Vd
iT

+
VT
-

Figura 1 – Circuito de chaveamento de uma carga resistiva

6. Estude os exemplos resolvidos sobre cálculo térmico e dissipadores de calor, do Capitulo 10 (Seção 10.8), do Livro Power
Electronics, do autor Daniel W. Hart. Os exemplos são os números 10.5; 10.6; 10.7 e 10.8.
7. Resolva os exercícios propostos no Capitulo 10 (Seção 10.8), do Livro Power Electronics, do autor Daniel W. Hart,
referentes a dissipadores (heat sinc): 10.13; 10,15; 10.16; 10.18 e 10.19.

1
Consulte, por exemplo, www.semikron.com, para obter dados técnicos de diodos, tiristores, MOSFETES e IDBTs.
8. Calcule o valor médio e o valor RMS para a fonte de tensão cuja forma de onda é mostrada na Figura 2. Deduza a série de
Fourrier para essa forma de onda. Qual o valor do THD? Deduza as expressões de forma literal e calcule os valores
numéricos considerando Vm = 200 V, T = 100 𝜇𝑠 e D=40%.

Figura 2.

9. Calcule o valor RMS para a fonte de tensão cuja forma de onda é mostrada na Figura 3. Deduza a série de Fourrier para
essa forma de onda. Qual o valor do THD? Deduza as expressões de forma literal (em função de 𝑉 , 𝛼 𝑒 𝜔𝑡). Calcule os
valores numéricos considerando 𝑉𝑑𝑐 = 500 𝑉, 𝑓 = 60 𝐻𝑧 𝑒 𝛼 = 𝜋⁄3.

Figura 3.

10. Para o retificador de meia-onda não-controlado mostrado na Fig. 4, a fonte de tensão é de 120 Vrms, 60 Hz. O resistor de
carga é de 5 Ω. Determine: (a) as correntes média e eficaz na carga; (b) a potência dissipada na carga; e (c) o fator de
potência do circuito.

Figura 4
11. Para o retificador de meia-onda não-controlado mostrado na Fig. 5, a fonte de tensão é de Vm = 100 V, 60 Hz. A carga é
de R = 100 Ω, L = 0,1 H. Determine: (a) as correntes média e eficaz na carga; (b) a potência absorvida pela carga RL, e (c)
o fator de potência.

Figura 5