UNIVERSIDADE FEDERAL DO CEARÁ

CAMPUS SOBRAL - CE
CURSO DE ENGENHARIA ELÉTRICA
DISCIPLINA: ELETRÔNICA ANALÓGICA
PROFESSOR: DOUGLAS
AQUINO

PRÁTICA 06

TRANSISTORES MOSFET

Luciano Aguiar Trévia Júnior

Matrícula: 375196

Marivalto Cavalcante Almedia Júnior

Matrícula: 379104

Rodolfo Alberto Camurça Martins

Matrícula: 375207

Sobral

2018
 O relatório apresentado pretende informar e
dissertar acerca dos fatores práticos e teóricos da
prática de transistores mosfet dessa forma contribuindo
para a fixação do assunto abordado e prova da
realização da atividade.

1
 SUMÁRIO
1. INTRODUÇÃO........................................................................................................ 3
2. OBJETIVOS ............................................................................................................ 5
3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL ................................................................ 6
4. RESULTADOS .........................................................................................................9
5. CONCLUSÃO ........................................................................................................ 11
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS...................................................................... 12

2
 1. INTRODUÇÃO

Os transistores são um dos componentes eletrônicos mais utilizados, ficou extremamente

popular na década de 50, portanto foi responsável pela revolução da eletrônica na década de 60. O
transistor é considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenções da história moderna,
tornou possível a revolução dos computadores e equipamentos eletrônicos. A chave da importância do
transistor é sua possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando técnicas simples,
resultando preços irrisórios.

O transistor utilizado na pratica foi o MOSFET, seu nome significa

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor, ou transistor de efeito de campo metal - óxido -
semicondutor – TECMOS, é de longe o tipo de transistor mais utilizado no campo da eletrônica.

O MOSFET possui quatro portas: Dreno (Drain), Fonte (Source), Porta (Gate), Substrato
(Body) porém na nossa pratica no qual trabalhamos apenas com três portas, descartando a porta
‘body’.

FIGURA 1: REPRESENTAÇÃO DO MOSFET

FONTE: https://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:Mosfet-wp.svg

O MOSFET possui três regiões de funcionamento são elas:

 Região de corte: Ocorre quando 𝑉𝐺𝑆 < 𝑉𝑇𝐻 , onde 𝑉𝐺𝑆 é a tensão da comporta e 𝑉𝑇𝐻 é a tensão
de condução do transistor, a chamada tensão de Threshold. Nessa condição, o transístor
permanece desligado, e não há praticamente corrente entre o dreno e a fonte. Enquanto a
corrente entre o dreno e fonte deve idealmente ser zero devido à chave estar desligada, há uma
fraca corrente invertida.
 Região de tríodo: Ocorre para 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻 𝑒 𝑉𝐷𝑆 < 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 onde 𝑉𝐷𝑆 é a tensão entre o
dreno e a fonte. O transístor é ligado, e o canal que é criado permite o fluxo de corrente entre
3
 o dreno e fonte. O MOSFET opera como um resistor, controlado pela tensão na comporta.
Nesse funcionamento temos que destacar duas áreas de funcionamento uma aproximadamente
linear com 𝑉𝐷𝑆 ≪ 𝑉𝐺𝑆 e outra sub linear com 𝑉𝐷𝑆 ≈ 𝑉𝐺𝑆 .
 Região de saturação: Ocorre para 𝑉𝐺𝑆 > 𝑉𝑇𝐻 𝑒 𝑉𝐷𝑆 > 𝑉𝐺𝑆 − 𝑉𝑇𝐻 . Nessa região, o transistor
fica ligado, o que permite que ocorra uma corrente entre o dreno e a fonte. A tensão do dreno
é maior do que a tensão da comporta, uma parte do canal é desligada, essa região é chamada
de pinch-off ou região de pinçamento. Com isso, a corrente no dreno é relativamente
independente de sua tensão sendo controlada apenas pela a região da comporta. Em circuitos
analógicos é principal configuração utilizada.
A figura mostra em um gráfico como se comporta as regiões de funcionamento de um
MOSFET.

FIGURA 2: REGIÕES DE FUNCIONAMENTO DE UM MOSFET

FONTE: https://pt.wikipedia.org/wiki/Ficheiro:MOSFET_enhancement-mode_n-channel.svg

4
2. OBJETIVOS

 O objetivo principal dessa pratica é levantar e traçar as curvas características de um

transistor FET (MOSFET tipo intensificação) mediante simulação e experimentação.

5
3. PROCEDIMENTO EXPERIMENTAL

Os instrumentos e os equipamentos utilizados nesta pratica são:

 Voltímetro
 Amperímetro
 Fonte CC
 Mosfet 1RF540
Vamos falar logo das especificações do mosfet, visto que seus parâmetros vão influência
diretamente no resultado do procedimento. Para esse mosfet, considerando uma temperatura de 25℃
teremos:

𝑉𝐷𝑆𝑚𝑎𝑥 = 100𝑉

𝑉𝐺𝑆𝑚𝑎𝑥 = ±20𝑉

Esse são valores máximos absolutos, visto que é importante saber para não danificar o mosfet.

FIGURA 3: MOSFET E SUAS ENTRADAS

Para montar o circuito, utilizamos um resistor de 1KΩ no Rd, duas fontes ajustáveis para
colocar no circuito, e um mosfet. Com isso montamos o seguinte circuito abaixo.

FIGURA 4: CIRCUITO A SER MONTADO

FONTE: Próprios Autores.

6
 Com o circuito, fazemos uma analise computacional utilizando o software proteus, com o
intuito de preencher a tabela abaixo:

TABELA 1: VALORES SIMULADOS

Corrente no coletor medida Id (mA)

Vds (V)
0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 1.5 2 3 3.5
3.1 0 90u 182u 252u 485u 978u 1.35m 1.87m 2.38m 2.61mA
A A A A A A A A
Vg 3.2 0 92u 186u 257u 488u 980u 1.36m 1.89m 2.42m 2.64mA
s( A A A A A A A A
V) 3.3 0 95u 189u 258u 492u 983u 1.38m 1.92m 2.46m 2.67mA
A A A A A A A A
3.4 0 96u 192u 260u 494u 986u 1.41m 1.94m 2.49M 2.71mA
A A A A A A A a
3.5 0 98u 196u 261u 495u 992u 1.43m 1.96m 2.51m 2.74mA
A A A A A A A A
3.6 0 99u 198u 262u 496u 998u 1.48m 2.00m 2.52m 2.77mA
A A A A A A A A
FONTE: Próprios Autores.

Com os dados da tabela, podemos ter uma curva característica do mosfet para diversos casos,
dado pelo gráfico abaixo:

GRÁFICO 1: CURVAS DA SIMULAÇÃO NO PROTEUS

Curvas da simulação do MOSFET

3000

2500
3.1
2000
MileVolts

3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5

0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper

FONTE : Próprios Autores.

7
 Com isso, montamos o circuito do experimento, e fizemos a mesma analise utilizando
os mesmos valores do experimento simulado para analisar a diferença entre o processo simulado e o
processo real. Assim preenchemos a seguinte tabela:

TABELA 2: VALORES MEDIDOS

Corrente no coletor medida Id (Ma)

Vds (V)
0 0.1 0.2 0.3 0.5 1 1.5 2 3 3.5
3.1 0 60U 183U 315U 492U 1.0Ma 1.57Ma 1.9Ma 2.23Ma 2.56Ma
a a a a
Vg 3.2 0 63U 116U 249U 350U 800U 1.07Ma 1.50Ma 2.20Ma 2.42Ma
s( a a a a a
V) 3.3 0 45U 115U 226U 398U 757U 1.07Ma 1.46Ma 2.41Ma 2.57Ma
a a a a a
3.4 0 77U 129U 261U 281U 809U 1.12Ma 1.56Ma 2.22Ma 2.47Ma
a a a a a
3.5 0 89U 140U 190U 356U 782U 1.06Ma 1.44Ma 2.19Ma 2.53Ma
a a a a a
3.6 0 76U 148U 211U 396U 747U 1.15Ma 1.48Ma 2.11Ma 2.47Ma
a a a a a
FONTE: Próprios Autores.

Através dela podemos montar as seguintes curvas:

GRÁFICO 2: CURVAS DOS VALORES MEDIDOS

Curvas dos valores medidos do MOSFET

3000

2500
3.1
2000
MileVolts

3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5

0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper

FONTE: Próprios Autores.

Através dos gráficos e dos dados, podemos observar que experimentalmente temos
algumas variações, que pode ser causada tanto pelos componentes do circuito, quanto o instrumento
utilizado para obter os dados.

8
4. RESULTADOS

a) Traçar as curvas Id = f(Vds) e Id = f(Vgs) do mosfet: experimental e simulada.

Curva Vds:

Curvas da simulação do MOSFET

3000

2500
3.1
2000
MileVolts

3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5

0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper

Curva Vgs:

Curvas da simulação do MOSFET

3000

2500
3.1
2000
MileVolts

3.2
1500
3.3
1000 3.4
500 3.5

0 3.6
0 500 1000 1500 2000 2500 3000 3500 4000
MicroAmper

b) Comente detalhadamente a respeito das curvas traçadas explorando os seguintes

tópicos: polarização utilizada, curvas características e limites de operação.

Percebe-se que o MOSFET opera com uma resistência linear cujo valor é controlado por Vgs.
Para o MOSFET conduzir, um canal tem que ser induzido. A corrente que deixa o terminal da fonte
9
é igual a corrente que entra no terminal de dreno. A região de saturação ocorre quando Vds é maior
ou igual a Vgs – Vi.

c) Consultando a folha de dados do FET adotado durante a prática, comente a respeito

das principais características de operação bem como os limites de operação.

O circuito com FET é projetado para diversas aplicações: corte-saturação e amplificação de

sinais. É interessante que tal ponto escolhido seja interno a curva que limita a região de operação do
FET, tendo em vista a limitação das características externas as quais o componente esteja submetido.

d) Pesquise os tipos de MOSFET: MOS de sinal, DMOS, VMOS, UMOS e MOSFET de

Potência.

DMOS ( Double-Diffused MOS): sua estrutura é de um MOS duplo difundido, seu nome vem
da sequência em que o substrato p-dopado é difundida em primeiro lugar e seguido pelo altamente n-
dopado. Tem o poder de resistir a tensões extremamente alta com intervalos de quilovolts.

VMOS (Vertical MOSFET):Tem valores de resistência de canal menores e especificações de

potência maiores do que os MOSFETS convencionais. A desvantagem é que sua estrutura é mais
complexa e mais cara do que um FET tradicional.

UMOS: A fonte apresenta-se na parte superior do dispositivo enquanto o dreno fica na parte
inferior o que da um formato de U ao componente. Nesse caso a corrente não irá fluir horizontalmente
e sim verticalmente.

MOSFET de potência: é o switch mais usado para baixa voltagem, é controlado por tensão ,
constratando um transistor bipolar que é um dispositivo controlado por corrente.

MOS de sinal: é um MOSFET que é utilizado na região de saturação como amplificador,

pequena mudanças são feitas para que ele opere dessa forma.

10
 5. CONCLUSÃO
Percebe-se que o MOSFET é um dispositivo essencial nas aplicações da eletrônica e com o
advento da prática pode-se conhecer mais acerca do seu funcionamento bem como os seus vários
modos de operação e os limites de seu uso. Conhecendo sua estrutura química e física é possível
monta-lo de diversas formas, cada uma com um uso diferenciado que serve para diversas
aplicações.

11
REFERÊNCIAS BILIOGRÁFICAS

Mosfet - Baú da Eletrônica. Disponível em <

http://www.baudaeletronica.com.br/componentes-eletronicos/transistor/mosfet>. Acesso em 03 de
junho de 2018.
.

O que é MOSFET - Blogplus - Hardplus. Disponível em < http://hardplus.com.br/blog/o-

que-e-um-mosfet-como-ele-e-e-como-funciona/>. Acesso em 03 de junho de 2018.

Como funciona o MOSFET (ART977) - Instituto Newton C. Braga. Disponível em <

http://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6417-art977>. Acesso em 03 de junho
de 2018.

12