Felipe Gonçalves Pereira

Ramon Yaritisa dos santos

Relatório para a disciplina de Laboratório de Circuitos Eletrônicos:

E - MOSFET IRF-530

JUIZ DE FORA
2023
 · INTRODUÇÃO:

MOSFET é a abreviação de Metal-Oxide-Semiconductor Field Effect Transistor ou Transistor de

Efeito de Campo de Óxido de Metal Semicondutor.

Os transistores de efeito de campo não são componentes novos. Na verdade, em teoria foram
criados antes mesmo dos transistores comuns bipolares. No entanto, com a possibilidade de se
obter este dispositivo na versão de alta potência, o MOSFET se tornou um componente
extremamente popular que já começa a ser o preferido em muitas aplicações. Neste relatorio
falaremos do MOSFET comum e seu princípio de funcionamento. .

Os transistores de efeito de campo diferentemente dos transistores bipolares comuns são típicos
amplificadores de tensão e não de corrente. Enquanto a corrente de coletor de um transistor
comum é função da corrente de base, num transistor de efeito de campo, a corrente de dreno é
função da tensão de comporta.

Conforme a figura 1:

Fonte: instituto newton braga

Uma fina película de óxido de metal isola a região de comporta da região do canal que liga o dreno
à fonte.
O eletrodo ligado ao substrato normalmente nas aplicações comuns é unido ao eletrodo de fonte, se
bem que existam aplicações que exijam transistores em que este eletrodo seja polarizado de forma
independente.

Na figura 2 temos uma estrutura simplificada de um MOSFET:

FIG 2:

Em resumo: com uma tensão nula de comporta a corrente de dreno tem um valor que depende da
tensão de alimentação até o ponto de saturação.

Para cortar a corrente de dreno a comporta deve ficar negativa em relação a tensão de fonte. Tanto
mais negativa ela fica menor é a corrente que pode fluir entre o dreno e a fonte conforme a figura a
seguir:

· OBJETIVOS
 O objetivo desse relatorio é identificar e comparar os valores medidos em laboratorio com
os valores encontrados no datasheet.

· MATERIAIS

Para este experimento, utilizamos os seguintes materiais:

· e-MOSFET IRF-530
· Datasheet do e-MOSFET IRF-530

· DATASHEET

A partir do datasheet, coletamos as seguintes informações:

Grandeza Valor
V GS ( V T )
th
2,9 V

V GS ( on )
7V
ID ( on)
20 A
Tabela – coleta de dados feitas a partir do datasheet.

Pudemos ainda coletar as informações abaixo através dos gráficos fornecidos pelo
fabricante através do datasheet.

Tabela – Coleta de dados feitas a partir do datasheet para o e-mosfet:

V GS ID
4,0 1
4,5 2
5,0 4,5
5,5 7,0
6,0 12
6,5 17
7,0 20
7,5 25
8,0 28
 Série 1
25

20

15

10

0
4 4.5 5 5.5 6 6.5 7

Série 1 Linear (Série 1)

Fonte: Produção própria.

Essa tabela foi construída utilizando os valores de VGS e ID indicados no datasheet.

· CONSIDERAÇÕES FINAIS

Em conclusão, os MOSFETs são componentes eletrônicos amplamente empregados em

diversos circuitos eletrônicos para funções essenciais, como amplificação, comutação e regulação

de tensão. Sua popularidade se deve às características distintivas que possuem, tais como alta

impedância de entrada, baixo consumo de energia, alta velocidade de comutação e capacidade de

operar com altas tensões e correntes.

· REFERÊNCIAS

BRAGA, N. D. C. Códigos de Componentes (ART1908). Instituto Newton C. Braga (NCB), 18

agosto 2014. Disponível em: https://www.newtoncbraga.com.br/index.php/como-funciona/6417-
art977

Motorola datasheet e-MOSFET IRF 530: file:///C:/Users/Ad/Downloads/irf530_mot%20(1).pdf