IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor

Introduo
Para serem aplicados em sistemas de elevada potncia e substiturem as rudimentares vlvulas, os dispositivos semicondutores devem ser capazes de suportar grandes correntes e elevadas tenses reversas em seu chaveamento. Alm disso, h necessidade de uma operao em elevadas freqncias de chaveamento dos dispositivos semicondutores, como, por exemplo, os inversores de tenso, necessrios para a construo de filtros ativos de potncia. Dessa forma, os dispositivos semicondutores devem possuir baixas perdas de potncia durante o chaveamento.

 Reunindo as caractersticas de comutao dos transistores bipolares de potncia elevada impedncia de entrada dos MOSFETs, o IGBT se torna cada vez mais popular nos circuitos de controle de potncia de uso industrial e at mesmo em eletrnica de consumo e embarcada.

Evoluo do IGBT

Estrutura Fsica do IGBT

Sua estrutura muito semelhante quela apresentada por um transistor MOSFET. No caso do IGBT, teremos uma dupla difuso de uma regio do tipo P e uma do tipo N.

IGBT

MOSFET

A principal diferena entre essa estrutura do IGBT e a de um MOSFET a incluso de um substrato P+ (O smbolo + foi colocado para indicar que esta regio fortemente dopada, enquanto que o smbolo - indica que a regio fracamente dopada) onde conectado o terminal de coletor (collector).

MOSFET

Esta camada P+ tem como objetivo a incluso de portadores positivos lacunas na regio de arrastamento (Drift region) como feito em um transistor bipolar do tipo pnp.

 O IGBT freqentemente utilizado como uma chave, alternando os estados de conduo (On-state) e corte (Off-state) os quais so controlados pela tenso de porta, assim como em um MOSFET. Os IGBTs so componentes usados principalmente como comutadores em conversores de freqncia, inversores etc. Nestas aplicaes, normalmente uma carga indutiva ligada e desligada, podendo com isso aparecer tenses inversas elevados, contra as quais o dispositivo deve ser protegido. Essa proteo feita com o uso de diodos ligados em paralelo com o coletor e o emissor para evitar que uma elevada tenso reversa seja aplicada ao IGBT.

Circuito Equivalente do IGBT

Caractersticas Estticas do IGBT

Caractersticas Estticas do IGBT

Caractersticas Dinmicas do IGBT

Caractersticas Dinmicas do IGBT

Aplicao do IGBT como Inversor de Tenso

Tal processo muito utilizado na construo de filtros ativos de potncia e em sistemas de transmisso HVDC (High Voltage Direct Current) de energia eltrica. No caso de inversores de tenso que sero aplicados na construo de filtros ativos de potncia d-se preferncia ao emprego de IGBTs devido sua possibilidade de operar em elevadas freqncias

Inversor de Tenso 6 pulsos

As tenses de porta de cada um dos IGBTs so controladas a partir de uma Mquina de Estados Finitos, onde cada estado corresponde ao chaveamento de apenas trs IGBTs (cada um em uma associao em srie diferente com um na parte de cima e outro na parte de baixo), a ordem de chaveamento mostrada nos grficos apresentados a seguir, onde temos as tenses em cada uma das chaves com o tempo e a tenso total entre a fase C e o neutro da associao em Y na sada do transformador apresentado na figura acima.

Inversor de Tenso 6 pulsos

Assim, vemos que a forma de onda da tenso na fase C com respeito ao neutro formada por seis segmentos idealmente retos, como mostrado na figura. Por isso, este bloco funcional denominado de um inversor de 6 segmentos. As formas de onda nas demais fases apresentam a mesma forma de onda que a da fase C, com apenas uma diferena de fase de 120 de uma em relao outra.
Esta forma de onda na sada semelhante a uma forma de onda senoidal, embora ainda possua muita distoro harmnica (possui componentes harmnicos de freqncias mais altas). Para melhorar o desempenho do inversor, geralmente o que se usa a associao de mais blocos de inversores de 6 segmentos como o mostrado anteriormente em srie, da seguinte forma apresentada na figura a seguir:

Inversor de Tenso 12 pulsos

Cada um dos inversores mostrados na figura anterior idntico ao inversor de 6 segmentos do esquema anterior e geram as mesmas formas de onda. No entanto, o primeiro transformador do tipo Y-Y, fazendo com que a forma de onda na sada no apresente nenhuma defasagem com relao ao sinal original; j no caso do segundo transformador do tipo D-Y, temos que a sada ser defasada em 30 com relao forma de onda original. Assim, a sada deste inversor ser formada pela forma de onda de 6 segmentos normal somada a esta mesma forma de onda deslocada de 30, o que ir gerar uma forma de onda na sada de 12 segmentos como mostrado a seguir:

Inversor de Tenso 12 pulsos

Como podemos ver, essa forma de onda se aproxima mais de uma senide do que a forma de onda anterior. Para suavizar esta forma de onda de forma que se aproxime mais de uma senide, bastando para isso utilizar um filtro passa-baixas para eliminar as componentes de altas freqncias que so responsveis pelas transies abruptas dessa forma de onda e causam um elevado fator de distoro harmnica.

Alguns Dados Tcnicos para Diferentes IGBTs

Referncias
RASHID, Muhammad Harunur. Power Electronics Circuits, devices and applications. 2 ed. Prentice Hall, New Jersey: 1993; PENELLO, Luiz Fernando. Filtro Ativo de Potncia Shunt. Tese de Mestrado, Universidade Federal do Rio de Janeiro COPPE: 1992; Apostila de Eletrnica Potncia I; http://www.elec.gla.ac.uk/groups/dev_mod/papers/igbt/igbt.html; http://www.mathworks.com/access/helpdesk/help/toolbox/powersys/igbt.sht ml;

http://www.coltec.ufmg.br/alunos/270/semicondutores/igbt.html;
http://www.mitsubishichips.com/datasheets/power/powermos_index.html; http://sites.uol.com.br/rick.machado/engenhar.html;