19/05/2013

FET
2

Construo
Transistor de efeito de campo (FET)

Transistor FET Field Effect Transistor

Elemento de trs terminais Dispositivo controlado por tenso

No BJT, o controle do dispositivo feito por corrente na base

Controle induzido por campo eltrico

Da o nome efeito de campo

Melhor estabilidade em relao ao BJT Pior sensibilidade ao sinal de entrada em relao ao BJT
Trade-off de engenheiro!

Prof. Luciano de Medeiros

FET
3 4

FET
Construo (JFET canal n)
Dreno

Tipos
JFET
Transistor de juno (J)

MOSFET por depleo MOSFET por intensificao

Metal-xido-semicondutor (MOS) Facilidade para integrao em CI
Porta (Gain) p n p

Fonte (Source)

FET
5 6

FET
Construo
Regio de depleo
Formada pela juno dos materiais p e n Fenmeno idntico ao dos diodos
Dreno

Construo (JFET canal p)

DDPs importantes:
Porta (Gain) n p n

vDS
Tenso entre dreno e fonte

vGS
Tenso aplicada nas portas e fonte Atente para conexo entre ambas as portas
Fonte (Source)

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FET
7 8

FET
vGS = 0, vDS > 0
Fluxo de eltrons induzidos por vDS
sentido real da corrente
p n p

vGS = 0, vDS > 0

Alterao forada da zona de depleo

FET
9 10

FET
iD

vGS = 0, vDS > 0

Aumentando vDS, aumenta-se a zona de depleo. Existe limite? E a corrente entre os ns D e S?

vGS = 0, vDS > 0

Por que a zona de depleo aumenta?

iS

FET
11 12

FET
vGS = 0, vDS > 0
Aumento de vDS induz uma resistncia no JFET iD = iS
JFET no altera densidade de fluxo de corrente (vG=0) iD = vDS / R

vGS = 0, vDS > 0

Por que a zona de depleo aumenta?
Eltrons externos cobrem as lacunas do material n
Tenso da fonte vDS

Cobertura propaga-se no sentido real da corrente

Existem regies de depleo maiores e menores ao longo do FET

Orientao depende do sentido real da corrente Induzidas pelo fluxo de eltrons da fonte externa Distribuio uniforme de resistncia R no FET

No limite (vDS = vP)

JFET limita densidade de uxo de corrente (R = ) Corrente limitada a iD = iDSS
Corrente de saturao Corrente do dreno quando porta est em curto No h estrangulamento de corrente!

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FET
13 14

FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
vDS aumenta regio de depleo
vGS = zero

Curva iD vDS
iD

iDSS

Polarizao reversa Independente de vDS

p iG=zero n p

vP

vDS

FET
15 16

FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Aumentando vDS, aumenta-se a zona de depleo

vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)

Aumentando vDS, aumenta-se a zona de depleo

FET
17 18

FET
Curva iD vDS (JFET canal n)

vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)

Reduzindo vGS
Aumentamos zona de depleo nas junes p-n
Para vDS = zero

Reduzimos vP Reduzimos iDSS

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FET
19 20

FET
vGS < 0, vDS > 0 (JFET canal n)
Lugar geomtrico de vP

Curva iD vDS (JFET canal n)

Quando vGS = vGS-off = vP

iDSS = zero FET est desligado

direita do lugar geomtrico de vP

iDSSs

Regio de saturao do FET FET como fonte de corrente!

esquerda do lugar geomtrico de vP

Regio de amplificao/operao do FET
vout(t) = G vin(t)

FET
21 22

FET
iD

vGS > 0, vDS > 0 (JFET canal p)

Fluxo das lacunas

Curva iD vDS (JFET canal p)

n iG=zero

iS

FET
23 24

FET
Comportamentos do JFET
vGG = zero
iD = iDSS se vDD > |vP|
D G BF245C S G J174 S D

Smbolos para JFET

iD

|vGG| |vP|
iD = zero
Independente de vDD Situao de corte na sada
v GG

BF245C

v DD

Material N

Material P

|vP| |vGG| zero

0 iD iDSS

Importante para o circuito atual: vGG = vGS

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FET
25 26

FET
Comportamento do JFET
Para obter iD x vGS a partir de iD x vDS

Comportamento do JFET
iD = iDSS [ 1 (vGS/vP) ]2 vGS = vP [ 1 (iD/iDSS)1/2 ]
iDSS e vP dados do fabricante Equaes so as mesmas
Uso dependente da necessidade

FET
27 28

FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)

Comportamento do JFET
Para obter iD x vGS a partir de iD x vDS

Dreno

n Substrato (SSubstract)

Porta (Gain)

Fonte (Source)

Isolante (SiO2)

FET
29 30

FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
vDS > 0, vGS = 0

Construo (MOSFET depleo do tipo n)

Regio isolante (SiO2)
Da o nome de xido O nome metal vm dos contatos metlicos

Corpo formado de material p Canal formato de material n

No h contato entre porta (G) e canal

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FET
31 32

FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
vDS > 0, vGS < 0
Reduo da corrente no canal.
p iD iD

Construo (MOSFET depleo do tipo n)

vDS > 0, vGS = 0
Corrente flui pelo canal de material n iD = iS Pode atingir iDSS
Como no JFET

n iS

n iS

FET
33 34

FET
Construo (MOSFET depleo do tipo n)
vDS > 0, vGS > 0
Aumento da corrente no canal.
iD

Construo (MOSFET depleo do tipo n)

vDS > 0, vGS < 0
Tenso negativa na porta induz aumento de zona de depleo na regio do canal
Efeito de campo Importante: no h contato entre porta e canal

Reduo da corrente de eltrons no canal

Corrente real, at o estrangulamento Como no JFET

n iS

FET
35 36

FET
Construo (MOSFET depleo do tipo p)
Comportamento anlogo ao MOSFET por depleo do tipo p
iD

Construo (MOSFET depleo do tipo n)

vDS > 0, vGS > 0
Aumento da corrente de eltrons no canal
Eltrons adicionais so roubados dos portadores minoritrios presentes no corpo material p Exige cuidado para no destruir o componente iD > iDSS

Intensificao da corrente no canal

p iS

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FET
37 38

FET
Comportamento (MOSFET depleo tipo p)

Comportamento (MOSFET depleo tipo n)

FET
39 40

FET
Smbolos para MOSFET por depleo

Comportamento (MOSFET depleo)

Mesmas j vistas anteriormente iD = iDSS [ 1 (vGS/vP) ]2 vGS = vP [ 1 (iD/iDSS)1/2 ]
iDSS e vP dados do fabricante

D 1

D G SS

D 1
G

2 3 S

2
SS

Material N

Material P

Atente para a ligao do substrato com a fonte.

FET
41 42

FET
Construo (MOSFET por intensificao n)
Regio isolante (SiO2)
Dreno n Substrato (SSubstract)

Construo (MOSFET por intensificao n)

Da o nome de xido O nome metal vm dos contatos metlicos

p

Porta (Gain)

Corpo formado de material p No h canal

No h contato entre porta (G) e o corpo

Fonte (Source)

Isolante (SiO2)

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FET
43 44

FET
Construo (MOSFET por intensificao n)
vDS > 0, vGS > 0
Induo de caminho de eltrons na regio da porta
p iD

Construo (MOSFET por intensificao n)

vDS > 0, vGS = 0
No h corrente fluindo atravs do dreno e da fonte. Polarizao reversa impede duplamente tal corrente.

n iS

FET
45 46

FET
Construo (MOSFET por intensificao n)
vDS > 0, vGS > 0
Aumento de vDS reduz corrente no canal virtual
iD

Construo (MOSFET por intensificao n)

Potencial vGS repele lacunas do corpo
Aquelas prximas do isolante SiO2 Induo de zona de depleo nessa regio

Potencial vGS atrai eltrons do corpo

Eltrons de material p = portadores minoritrios Formao de caminho/canal

Agora h um condutor para circulao de corrente vGS controla vazo do canal induzido
vGS > vT (tenso de limiar) para haver corrente

n iS

FET
47 48

FET
Comportamento (MOSFET intensificao n)

Construo (MOSFET por intensificao n)

Aumento da tenso vDS gera saturao
Efeito equivalente ao MOSFET depleo ou FET
Eltrons externos (da fonte vDS) cobrem lacunas do substrato na vizinhana entre substrato/canal virtual Substrato = corpo

Aumento de vDS no afeta mais iD

iD a corrente de saturao (equivalente ao iDSS)

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FET
49 50

FET
Construo (MOSFET intensificao p)
Comportamento anlogo ao MOSFET por intensificao do tipo p
iD

Comportamento (MOSFET intensificao n)

Comportamento no-linear
Difere dos FETs e MOSFETs mostrados anteriormente

vDS-sat = vGS vT
vT fornecido pelo fabricante

iD = k (vDS-sat)2
iD = k (vGS vT)2 Para vGS > vT

k depende da construo:
k = iD-on / (vGS-on vT)2

p iS

FET
51 52

FET
Smbolos para MOSFET por intensificao

Comportamento (MOSFET intensificao p)

D G
G

D G SS

D G

SS S S

Material N

Material P

Atente para a ligao do substrato com a fonte.