Radiao Gama - O que a radiao gama? - De onde vem a radiao gama? - Como se origina a radiao gama?

? - O que instabilidade nuclear? - Quais os tipos de decaimento radioativo? - Como a radiao gama interage com a matria? - Quais so os tipos de detectores de radiao gama? - Como funcionam os detectores? - Quais as principais vantagens de cada detector?

Radiao eletromagntica
Comprimento de onda (m)

   

"


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Freqncia (Hz)
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Energia (keV)

Qualquer radiao eletromagntica, no importando em que posio do espectro se encontre, pode ser caracterizada pelo comprimento de onda (8), freqncia (<) ou energia equivalente (E) 8 @ <=c E=h@ <

onde: c = velocidade da radiao eletromagntica h = constante de Planck

- A radiao gama consiste na liberao de energia em excesso presente no ncleo de um tomo. - A liberao feita na forma de radiao eletromagntica com energia definida (quntica).

- Analogamente a raios X, a radiao gama produzida pela transio de um estado excitado para um de menor excitao, porm no ncleo. - Uma transio (pela emisso de raio () nem sempre leva diretamente ao estado de menor excitao possvel para um determinado ncleo. - Em muitos casos ocorre a emisso de diversos raios (em cascata, at que seja atingido o estado de menor excitao. 247 159 0
 !

Te ( (!

(

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Te

- A emisso de radiao gama apenas libera o excesso de energia, no fornecendo estabilidade ao ncleo. - A estabilidade de um ncleo depende da proporo entre nutrons e prtons. - Se um ncleo possui excesso de nutrons ou de prtons estar sujeito a decaimento radioativo por " ou $ de modo a alcanar a condio de maior estabilidade. - excesso de nutrons - decaimento $ - excesso de prtons - decaimento $ captura eletrnica (CE) decaimento " (para ncleos pesados)

140 120 100 80 60 40 20

Nmero de nutrons

20

40

60

80

100

Nmero atmico

- A ocorrncia mais comum de emisso de raios ( em decaimento radioativo, aps a emisso de partculas " ou $.
!%

Cs (30 anos) $ $ 662 ( 0

!%

Ba (estvel)



Po (T=138 d) "

"

803 0
$

( Pb (estvel)

- Tambm em algumas reaes nucleares pode ocorrer a formao de estados excitados de um nucldeo, levando emisso de raios (.
"

10833 9155 9152 8312 7301 7155 6323 5299 5270

N(n,() N

#

0
#

N (estvel)

Na (T=2,58 anos) CE 1277 ( 0 Ne (estvel) $ $ 1022

&

Th (T=1.91 anos)

290 250 215 84 0

"

"

Ra (T=3.66 d)

Simplificadamente, a interao de raios ( com a matria pode ocorrer por meio de trs processos: efeito fotoeltrico espalhamento Compton formao de par A predominncia de um processo sobre os demais depende da energia da radiao gama (E) e do nmero atmico do elemento (Z) com que ocorre a interao. Processo Efeito fotoeltrico Espalhamento compton Formao de par Dominante em E baixa e Z alto E mdia e Z baixo E alta e Z alto

absorvedor densidade = D coeficiente de atenuao de massa = :/D

x I=I exp(!:/D x D)


- o coeficiente de atenuao de massa caracterstico da composio elementar do material.

EFEITO FOTOELTRICO
- o raio (interage com um eltron de uma camada interna, fortemente ligado. - o eltron ejetado do tomo, carregando praticamente toda energia do raio (.

e e
Ee = E( - El - Er Ee E( El Er = energia transferida para o eltron = energia do raio gama incidente = energia de ligao do eltron = energia de recuo do tomo

onde:

- o eltron ter sua energia cintica perdida pela coliso com o material das adjacncias. - o eltron perdido deixa um espao vago que normalmente ser preenchido por outro eltron, com emisso de um ou mais raios X. - sendo um fton de baixa energia, o raio X dever interagir com tomos prximos - ao final do processo, a tendncia de que toda a energia do raio ( incidente seja absorvida nas imediaes da primeira interao.

- o raio ( interage com um eltron externo. - apenas uma parte da energia do raio ( transferida para o eltron. - a energia restante aparece na forma de um fton de menor energia. - pelo princpio de conservao de energia e momento, as energias do eltron e do fton esto relacionadas ao ngulo de emisso. - ftons emitidos com ngulo prximo a zero tm praticamente a mesma energia do raio ( incidente.  - ftons emitidos com 180 possuem a menor energia, sendo portanto maior a energia transferida para o eltron.

ESPALHAMENTO COMPTON

e
Ee = E( - Ef Ee = energia do eltron espalhado E( = energia do raio gama incidente Ef = energia do fton espalhado

onde:

- o eltron ter sua energia cintica perdida pela coliso com o material das adjacncias. - dependendo de sua energia, o fton espalhado poder voltar a interagir com a matria longe da primeira interao. - em alguns casos pode haver uma sucesso de espalhamentos Compton que terminem por efeito fotoeltrico. - ao final do processo, a tendncia de que a energia do raio ( incidente seja absorvida em diferentes partes da matria.

- o raio ( interage nas imediaes (campo magntico) do ncleo. - o fton desaparece totalmente. - origina um par eltron-psitron (consumindo 1022 keV) - o restante da energia do raio ( transferido na forma de energia cintica para o eltron e para o psitron.

FORMAO DE PAR

ncleo e
onde: Et = E( - Ep Et = energia cintica total do par eltron-psitron E( = energia do raio gama incidente Ef = energia de produo do par eltron-psitron

- o eltron e o psitron tero sua energia cintica perdida por coliso com o material prximo. - muito provavelmente, o psitron aps a perda de energia cintica se combinar a um eltron livre, produzindo dois ftons de 511 keV (aniquilao). - os ftons de aniquilao estaro ento sujeitos a interagir com a matria por efeito fotoeltrico ou espalhamento Compton. - ao final do processo, a tendncia de que a energia do raio ( incidente seja absorvida em diferentes partes da matria, devido a presena dos ftons de aniquilao.

ANIQUILAO - a forma mais provvel de aniquilao se d aps a perda da energia cintica do psitron. - normalmente a combinao ocorre com um eltron livre. - h a liberao de dois ftons de 511 keV em ngulo de 180 .

#

A8

#

A8

= = EGKE = A JH FHAI

J= =

> J

F II LA GK= @ F H

F IEJH

=E @= F IIKE A AHCE= ?E ? HH ?E= KEJ >=EN=

JE?= A A L

LA @

= FH >=>E E@=@A @A

DETECTANDO RADIAO GAMA Existem trs tipos bsicos de detectores: - detectores de estado gasoso - cintiladores slidos (NaI) - semicondutores (germnio) A operao desses detectores envolve: - converso da energia do fton para eltrons por: efeito fotoeltrico espalhamento Compton produo de par - pela interao dos eltrons produo de: pares eltron-on (estado gasoso) pares eltron-vacncia (semicondutores) estados moleculares excitados (cintiladores) - reunio e medio da: carga gerada luz emitida na desexcitao das molculas

CONTADOR PROPORCIONAL

catodo -

+ + + + + + + nodo + + + + + +

CINTILADOR SLIDO

GAMA e LUZ
e

FOTOCATODO

DINODOS

ANODO

SEMICONDUTOR

BANDA DE CONDUO
e

BANDA PROIBIDA BANDA DE VALNCIA

- em um detector de germnio apenas 3 eV produzem um par eltron-vacncia - em contador proporcional so necessrios 30 eV - em um cintilador de NaI so necessrios 100 eV para produzir um fton de luz Assim, o poder de resoluo de um detector de germnio bem maior.

1596 keV

1596 keV

1596 keV

e 1200 keV e

e e e e

1596 keV 1596 keV

REFERNCIAS DEBERTIN, K. & HELMER, R.G. Gamma-ray and x-ray spectrometry with semiconductor detectors. North-Holland, Amsterdam, 1988, 399p. EISBERG, R. & RESNICK, R. Fsica quntica (traduo). Editora Campus, Rio de Janeiro, 1979, 928p. MARMIER, P. & SHELDON, E. Physics of nuclei and particles. Academic Press, Londres, 1969, 809p.