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2012 Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 3
editorial
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Submisses de Artigos
Artigos de nossos leitores, parceiros e especialistas do setor sero bem-vindos em nossa revista. Vamos analisar cada
apresentao e determinar a sua aptido para a publicao na Revista Saber Eletrnica. Iremos trabalhar com afinco em
cada etapa do processo de submisso para assegurar um fluxo de trabalho flexvel e a melhor apresentao dos artigos
aceitos em verso impressa e online.
Editorial
Nesta edio destacamos a soluo da Texas Instruments
para transmisso de dados pela rede de energia (PLC).
Com o avano da tecnologia e o crescimento da popula-
o mundial, notamos que em muitos pases h falta cres-
cente de vrios insumos, entre eles, a energia eltrica.
A indstria, preocupada e sentindo essa oportunidade,
est, nos ltimos anos, disponibilizando novos produtos
que so mais econmicos no consumo de energia, possibilitando assim novas
aplicaes que aumentam a demanda energtica.
As oportunidades de gerao e distribuio de energia esto crescendo, e o nosso
papel mostrar aos leitores como se d isso e onde cada um pode atuar dentro
das suas caractersticas para tirar o melhor proveito.
H um ano publicamos o projeto do veculo eltrico, o E-Kart, abrindo pela pri-
meira vez no mundo, atravs de uma revista tcnica, todo o projeto incluindo
o cdigo-fonte do mdulo de comando. Conseguimos at hoje que 573.000
downloads fossem feitos pelos profssionais da rea (do Brasil e de diversas
partes do mundo). Isto mostra o grande interesse pelo assunto, e, quando o
pblico comear a comprar esses veculos, mais energia eltrica ser necessrio
gerar. O Brasil precisar gerar energia provinda de diversas fontes, seja elica,
biocombustvel etc... Veja quantas oportunidades para voc que nos l!
A internet das coisas, e a entra tambm o Smart Grid, aumentar as oportunida-
des e inclusive o consumo de novos produtos, com novas tecnologias. Esperamos
continuar abordando estes novos caminhos para atender voc da melhor forma
possvel e desvendando material tcnico que nem na web se consegue encontrar,
como foi o caso do veculo eltrico. Continue a nos prestigiar e a fazer da Saber
Eletrnica um dos melhores veculos tcnicos impressos do mundo.
Hlio Fittipaldi
4 I SABER ELETRNICA 460 I Maro/Abril 2012
ndice
12
52
24
Editorial
Acontece
03
06
Fei r a El ect roni ca 2012 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 05
Met a l t ex . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 09
Fei r a Power El ect roni cs . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 11
Ci ka . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 17
Keyst one . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 25
Tat o . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Pat ol a . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 29
Gl obt ek . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 35
Bl ucol or . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 43
Novasaber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51
Novasaber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 59
Nati onal . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2 capa
Novasaber . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 capa
Texas . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4 capa
ndice de anunciantes
06 Processadores SitaraTM ARM agora com
suporte ao Android 4.0
07 Nova fbrica da Altus responsvel por produzir
painis de automao e de potncia
08 O primeiro supercomputador comercial
resfriado com gua quente, da IBM
09 Novo Conector Mini Edge Card para alta
velocidade
10 Nova Interface Homem-Mquina
10 Nova srie de Capacitores Cilndricos Trifsicos
para Eletrnica de Potncia
Reportagem
12 Instituto de Estudos Avanados completa 30 anos
Tecnologias
18 Grupo purifca silcio para fabricao de clulas
solares
Energia
20 Proteo Contra Surtos Transitrios Eltricos
26 Infuncia das Harmnicas na Alimentao de
Dispositivos Eletrnicos Parte 2
Telecomunicaes
30 Solues Texas Instruments para Transmisso de
Dados pela Rede de Energia (PLC)
Conectividade
33 O que uma Rede de Sensores sem Fio?
Industrial
36 Redes Industriais Parte 3
Desenvolvimento
44 Uso do DSP como Sistema de Controle Digital
Componentes
48 Cabos pticos Autossustentveis e o Efeito Corona
52 IGBT Insulated Gate Bipolar Transistor
60 Conversores de Dados Parte I
6 I SABER ELETRNICA 463 I Julho/Agosto 2012
acontece acontece
Processadores Sitara ARM
agora
com suporte ao Android 4.0
Ice Cream Sandwich
ampla gama de pro-
dutos de processa-
dores Sitara. Para
ajudar os desenvol-
vedores a integra-
rem e avaliarem
rpida e facilmente
aplicaes baseadas
em Android, o SDK
tem funcionali-
dade totalmente
testada usando o
A Texas Instruments Incorporated
anunciou a disponibilidade de um novo
kit para desenvolvedores de software
(SDK) que traz o Android 4.0 (Ice
Cream Sandwich) aos processadores
Sitara
AM335x e AM37x ARM
-
Cortex
-A8. Esta oferta completa de

software permite aos inovadores avalia-
rem na sua totalidade o Android 4.0 em
aplicaes integradas em execuo nos
processadores Sitara. Para mais informa-
es ou para baixar o SDK gratuito.
Pela primeira, os desenvolvedores do
Sitara ARM podem tirar proveito do
Android 4.0 para aplicaes de bai-
xo custo e baixa potncia, incluindo
aparelhos eletrnicos como relgios,
visores, displays para eletrodomsticos
e automao, educao e tablets cor-
porativos, terminais de ponto de venda,
dispositivos de navegao portteis e
aplicaes de controle industrial.
O suporte ao Android 4.0 na nossa
plataforma Sitara demonstra o com-
promisso da Texas Instruments com
o avano das oportunidades para a
comunidade do cdigo aberto, diz
Adrian Valenzuela, diretor de marketing
dos processadores Sitara ARM, da Texas
Instruments. Trazer o Android 4.0
plataforma Sitara permite aos desenvol-
vedores usarem os recursos impressio-
nantes que a sua nova verso entrega
a aplicaes integradas, como vdeo
inovador, imagem e efeitos grficos, in-
terfaces de uso robustas e muito mais.
Avalie com facilidade
e rapidez as aplicaes
baseadas em Android
Completo com conectividade pr-
-integrada e capacidades de grficos 3D,
o SDK oferece uma base de software
estvel que pode ser utilizada em uma
dos microcontroladores, incluindo as
seguintes solues:
Suporte para os sistemas opera-
cionais Linux, Android e Windows
Embedded Compact 7
Solues de segurana compatveis
e sistemas operacionais em tempo
real disponveis a partir de terceiros,
permitindo maior customizao de
produtos e desenvolvimento simpli-
ficado
O software StarterWare permite
aos desenvolvedores programarem
estes microprocessadores como um
microcontrolador, sem a necessidade
de um sistema operacional
O kit para desenvolvedores de
software EZ, da Texas Instruments,
permite a gerao de um demo em
minutos e o desenvolvimento em
menos de uma hora.
Novo kit de desenvolvimento de software traz o Android 4.0
aos processadores Sitara AM335x e AM37x ARM Cortex-A8,
atendendo a mercados que requerem SoCs de baixo custo e
baixa potncia
teste de compatibilidade com Android
no mdulo de avaliao AM335x e nas
plataformas Beagleboard-xM, BeagleBo-
ne, AM37x EVM e Flash Board. O SDK
inclui:
Kernel Linux;
Boot loaders (uboot/x-loader);
Sistema operacional (OS) Android
4.0.3 Ice Cream Sandwich;
Grficos 3D usando o driver e as
bibliotecas POWERVR
SGX Open-
GL
da Imagination Technologies;
Drivers de conectividade combi-
nados WiLink
6.0 da Texas Ins-

truments para as tecnologias Wi-Fi
(802.11 b/g/n) e Bluetooth
v2.1;
RowboPERF, uma medida de desem-
penho e aplicao de benchmarking;
Ferramentas de servidor para depu-
rao no Android com o ambiente
de desenvolvimento integrado Code
Composer Studio
;
Notas de aplicao, guias e resultados
de testes para ajudar os desenvolve-
dores com seus projetos.
Suporte adicional
de software
Os processadores Sitara ARM ofere-
cem suporte de software para os
sistemas operacionais mais utilizados
para permitir programao similar
Processador Sitara AM335x,
da Texas Instruments.
Julho/Agosto 2012 I SABER ELETRNICA 463 I 7
acontece acontece
Altus inaugura fbrica responsvel por produzir
painis de automao e painis de potncia
Unidade localizada em Sapucaia do Sul / RS tem a capacidade
de produo de 3 mil colunas de painis eltricos por ano
Na manh de 16 de julho, o Governa-
dor do Estado do Rio Grande do Sul,
Tarso Genro, inaugurou a Fbrica de
Painis da Altus, na cidade de Sapucaia
do Sul. J em atividade, a unidade
voltada para a produo de painis de
automao e painis de potncia para
atender o setor de automao indus-
trial e controle de processos. Alm
disso, a fbrica responsvel pela pro-
duo dos painis para automao das
plataformas de petrleo P-58 e P-62,
bem como das oito primeiras plata-
formas para produo em larga escala
do Pr-sal, contrato conquistado pela
Altus com a Petrobras em 2011.
Cerca de R$ 2 milhes foram inves-
tidos na estrutura, que conta com
uma grande rea de fabricao e salas
especiais para realizao de Testes de
Aceitao em Fbrica (TAF). A filial
dispe de 3.500 m de um ambiente
moderno, que permite o desenvolvi-
mento de projetos com tecnologia de
ponta.
De acordo com o presidente da Altus,
Luiz Gerbase, passou o tempo em
que uma indstria podia competir
baseada em comandos manuais. Hoje
necessrio colocar nossa intelign-
cia dentro da mquina, e a mquina
dentro da indstria. Os equipamentos
que essa fbrica produz fazem que
qualquer processo industrial moderno
seja vivel, afirma.
A unidade est situada a uma distn-
cia de 5 km da matriz da Altus, em
So Leopoldo. Uma equipe formada
por cerca de 100 profissionais atua
na fbrica, desenvolvendo atividades
especficas de engenharia: instalao,
montagem, superviso, comissiona-
mento e start-up dos produtos.
Estiveram presentes na solenidade de
inaugurao o Governador do Estado
do Rio Grande do Sul, Tarso Genro,
o Secretrio de Desenvolvimento e
Promoo do Investimento do Estado,
Mauro Knijinik, a Secretria da Cin-
cia, Inovao e Desenvolvimento Tec-
nolgico em exerccio, Ghissia Hauser,
o Secretrio da Indstria e Comrcio
de Sapucaia do Sul, Jos Kuhn, entre
outras autoridades.
Tarso Genro visitou as instalaes da
Unidade de Painis da Altus e falou
sobre o comprometimento do Estado
do RS com o desenvolvimento da
indstria eletrnica. A alta tecnologia
embarcada nos equipamentos que a
fbrica da Altus produz, faz do estado
do Rio Grande do Sul referncia no
processo de automao para o setor
de gerao de energia em projetos
como a automao das plataformas
do Pr-sal e de Usinas Hidreltricas
em todo Brasil.
A concretizao de negcios como
esse, de acordo com Gerbase,
viabilizada pelo evoludo sistema de
financiamento para tecnologia de-
senvolvido pelo Brasil. Os fundos
setoriais, o BNDES e a FINEP so
chaves para a continuidade da poltica
industrial de alta tecnologia, sem eles
no estaramos aqui, explicou.
O presidente da Altus concluiu seu
discurso afirmando que possvel
exportar e competir em alta tec-
nologia com gigantes, graas a uma
boa educao e ambiente favorvel.
Quando aprendi que a usina de Paulo
Afonso era a maior do Brasil, nunca
imaginei que uma empresa nacional
pudesse controlar algo assim, agora
tenho certeza.
Painis de automao
e de Potncia.
Ricardo Felizzola e Luiz Gerbase na inaugurao
da nova unidade da Altus em Sapucaia do Sul.
acontece acontece
O primeiro supercomputador comercial
resfriado com gua quente, da IBM,
consome 40% menos energia
Tecnologia de resfriamento
Atualmente, at 50% do consumo de
energia e pegada de carbono de uma
central de dados resfriada por ventila-
dor comum no causada pela compu-
tao, e sim, para alimentar os sistemas
de resfriamento necessrios. Os
cientistas e desenvolvedores da IBM
decidiram tratar desse desafio com um
conceito de resfriamento com gua
quente, o que elimina a necessidade de
sistemas de resfriamento de centrais
de dados convencionais. A tecnologia
de resfriamento com gua quente da
empresa resfria diretamente os com-
ponentes ativos no sistema, tais como
processadores e mdulos de memria,
com temperaturas de refrigerao que
podem atingir at 113 F ou 45 C.
medida que continuamos cumprindo
com nossa viso de longo prazo de
uma central de dados com emisso
zero, podemos, finalmente, atingir
uma reduo de at um milho de
vezes no tamanho do SuperMUC, a
fim de que ele possa ser reduzido ao
tamanho de um computador desktop
O SuperMUC da Leibniz considerado o supercomputador mais rpido da Europa
A Leibniz Supercomputing Centre
(LRZ), em conjunto com a IBM, anun-
ciaram hoje o primeiro supercom-
putador resfriado com gua quente
comercialmente disponvel, com um
sistema eficaz projetado para ajudar
pesquisadores e instituies indus-
triais em toda a Europa a investigar e
solucionar alguns dos desafios cientfi-
cos mais intimidantes.
O novo sistema SuperMUC da LRZ
foi elaborado com servidores IBM
System x iDataPlex Direct Water
Cooled dx360 M4 com mais de
150.000 ncleos a fim de proporcio-
nar um desempenho mximo de at
trs petaflops, o equivalente ao traba-
lho de mais de 110.000 computadores
pessoais. Simplificando, trs bilhes
de pessoas usando uma calculadora
de bolso teriam que desempenhar
um milho de operaes por segundo
(cada uma) para atingir um desempe-
nho equivalente ao SuperMUC. Alm
disso, uma nova forma de tecnologia
de resfriamento com gua quente
inventada pela IBM permite que o
sistema seja elaborado 10 vezes mais
compacto, melhorando substancial-
mente seu desempenho mximo ao
consumir 40 por cento menos energia
que uma mquina similar com resfria-
mento por ventilador.
Este ano, toda a eletricidade consu-
mida pelas instituies financiada
pelo estado na Alemanha e elas so
obrigadas a comprar energia 100%
sustentvel, declarou o Prof. Dr.
Arndt Bode, presidente do conselho
da Leibniz Supercomputing Centre. O
SuperMUC nos ajudar a manter nos-
so compromisso, proporcionando, ao
mesmo tempo, o melhor sistema de
sua categoria comunidade cientfica
para testar teorias, projetar experi-
mentos e prever resultados como
jamais se viu.
com uma eficincia muito maior que
a de hoje, declarou Dr. Bruno Michel,
gerente de embalagens trmicas avan-
adas da IBM Research.
O SuperMUC combina sua capacidade
de resfriamento com gua quente,
que remove o calor de maneira 4.000
vezes mais eficiente que o ar, com
18.000 processadores Intel Xeon com
eficincia energtica.
Alm de ajudar com a descoberta cient-
fica, a integrao de resfriamento com
gua quente e software de gerencia-
mento de sistemas dinmico orientado
ao aplicativo IBM permite que a energia
seja capturada e reutilizada para aque-
cer os prdios durante o inverno no
vasto campus da Leibniz - uma econo-
mia de 1 milho de euros/ano.
O supercomputador mais
poderoso da Europa
O sistema SuperMUC o computador
mais rpido da Europa, de acordo com
a lista TOP500 dos computadores mais
rpidos do mundo. Esse desempenho
usado para impulsionar uma ampla gama
O super computador comercial SuperMUC,
da Leibniz Supercomputing Center.
acontece acontece
de pesquisa - desde a estimulao do fluxo
sanguneo por trs de uma vlvula cardaca, at
o planejamento de avies mais silenciosos para
escavar nossos insights em geofsica, incluindo a
compreenso dos terremotos.
O sistema SuperMUC tambm est conectado
a sistemas de visualizao, incluindo uma am-
pla parede de energia estereoscpica de 4K
e um ambiente de realidade virtual ou CAVE
artificial de cinco lados para visualizar conjun-
tos de dados em 3D de campos, incluindo a
cincia da Terra, astronomia e medicina.
A LRZ a central de computadores para as
universidades de Munique e para a Academia
Bavariana de Cincias e Humanidades. Ela
cuida da rede de dados cientficos em Muni-
que, oferece uma ampla gama de servios de
dados, e proporciona instalaes de inform-
tica de ponta para a comunidade cientfica
em toda a Europa.
O novo sistema SuperMUC da central o
maior da Europa e um dos sistemas mais
eficazes do mundo. parte da infraestrutura
de computao de alto desempenho da Par-
ceria para a Computao Avanada na Europa
(PRACE) para pesquisadores e instituies
industriais em toda a Europa.
A Samtec expandiu sua linha de solues High Speed Edge Card com o
Conector Mini Edge Card de passo 2,0 mm (0,0787), que ideal para apli-
caes de computao em alta velocidade e armazenamento, bem como
para outros sistemas complexos com nveis mais elevados de interconecti-
vidade. Esse Edge Card Socket uma soluo flexvel para alta velocidade,
compatvel com diversas espessuras de carto e j vem com uma seleo
de caractersticas severas.
O Mini Edge Card Socket (MEC2 Series) de passo 2 mm (0,0787) um
sistema de fileira dupla (double row) com formatao polarizada e orienta-
o de placa. O sistema disponvel com 5 a 50 contatos por fileira para
um nmero mximo de 98 I/Os. O conector acomoda ambas espessuras
de carto (1,60 mm (0,062) e 2,36 mm (0,093)) e oferece um range de
capacidade de corrente de at 3,5 A por contato para uma elevao de
temperatura de 30 C (dependendo do n total de contatos alimentados).
Especificaes severas incluem abas de soldagem opcionais e pinos de
alinhamento padronizados para melhoria da estabilidade.
A linha completa dos High Speed Edge Card Sockets encontra-se dispo-
nvel em uma variedade de passos e orientaes de forma a responder
adequadamente s necessidades de aplicaes especficas, standard e de
alta densidade. Solues especficas abrangem projetos para sistemas PCI
Express, Serial ATA, micro pitch e de alta velocidade, bem como para aqueles
otimizados visando performance da integridade do sinal.
Acesse www.samtec.com/MEC2-DV e obtenha mais especificaes.
Novo Conector Mini Edge
Card para alta velocidade
acontece acontece
Nova srie de
Capacitores
Cilndricos Trifsicos
para Eletrnica
de Potncia
Os dispositivos apresentam altas capa-
cidades de corrente, faixa de tenses de
operao entre 400 VAC e 1650 VAC, e
uma grande variedade de opes de alturas
e dimetros
A Vishay Intertechnology, Inc. apresen-
tou hoje uma nova srie de capacito-
res cilndricos trifsicos para eletrni-
ca de potncia com alta capacidade de
corrente, nove tenses padronizadas
entre 400 VAC e 1650 VAC, e uma
vasta gama de valores de capacitncia
e opes de embalagem.
Os capacitores EMKP esto disponveis
em quatro alturas de 160 mm a 265
mm e cinco dimetros de 64 mm a
136 mm. Os dispositivos oferecem
elevados valores de corrente at 3
x 56 A e 3 x 104 A (dependendo do
tipo de bucha), correntes de pulso at
21,3 kA, muito baixa autoindutncia
(<100 nH), baixa resistncia-srie
(abaixo de 0,6 mohms), e valores de
capacitncia de 4,0 F a 600 F, com
uma tolerncia de 5%.
Otimizados para correo do fator
de potncia, filtragem de AC, aplica-
es de filtragem de harmnicas da
rede trifsica, drives industriais e de
trao, conversores, turbinas elicas,
e inversores solares, os capacitores
trifsicos EMKP so dispositivos de
filme de polipropileno metalizado com
a tecnologia de autocura.
Eles oferecem uma especificao de
alta confiabilidade igual a 120 FIT, e
uma expectativa de longa vida til de
100.000 horas a + 70 C na tenso
nominal. Os capacitores so espe-
cificados para uma temperatura de
funcionamento entre - 40 C a + 85
C e atendem s normas tcnicas IEC
61071-1, IEC 61881 e IEC 60831. A
tenso de prova terminal- terminal
de 1,5 vezes a tenso nominal AC por
10 segundos.
Nova Interface Homem-mquina
cesso. Com aplicaes mais intuitivas
que ajudam os operadores a tomar as
decises corretas, a operao torna-se
mais segura e a produtividade aumenta.
Novas maneiras para
a personalizao
As empresas procuram novos meios
para aumentar o valor dos negcios
e fortalecer as suas marcas. A Beijer
Electronics vai ao encontro desta ten-
dncia do mercado com o lanamento
do software HMI iX 2.0, oferecendo
muitos modos de personalizar a
aplicao incluindo a personalizao
dos dilogos do sistema. Uma expres-
so visual que corresponde marca
da mquina e da empresa ajuda os
construtores de mquinas e outros a
destacarem-se em nvel competitivo. O
software iX garante uma funcionalida-
de total da interface homem-mquina e
est pronto a ser utilizado, oferecendo
tambm a possibilidade de adicionar,
por exemplo, componentes .NET e de
criar funcionalidades personalizadas
atravs do script C#, uma vez que o
software baseado no Microsoft

.NET Framework.
Os painis de operao da Beijer Elec-
tronics conseguem partilhar informa-
o entre eles atravs das redes do
painel, qualquer que seja o tamanho ou
o desempenho, o que torna mais fcil
partilhar informao entre os usurios
e mais seguro o controle de mquinas
complexas, mesmo a longas distncias.
Os painis podem agir como servidor
OPC UA e client, permitindo a distri-
buio de informaes entre a sala de
produo e o sistema comercial ou
planejamento, e o criador de relatrios
incorporado transforma os dados em
relatrios Excel para serem guarda-
dos ou impressos diretamente. Como
servidores web, os painis da Beijer
Electronics permitem aos engenheiros
criarem livremente pginas web s
quais os operadores e supervisores
podem aceder, por exemplo, atravs
de dispositivos mveis, facilitando as
operaes mais eficientes.
A tecnologia da interface homem-
-mquina deu um grande passo em
direo ao futuro com o lanamento
do novo software iX 2.0 para a inter-
face homem-mquina e dos painis de
operador da nova gerao da Beijer
Electronics. A soluo iX HMI, que foi
incorporada no conceito da interface
homem-mquina impulsionada pelo
mercado, acelera o desenvolvimento
dos projetos, torna a aplicao mais
rpida e a navegao mais eficiente.
O software de desenvolvimento iX 2.0
minimiza a distncia entre a ideia da
interface homem-mquina e a aplica-
o intuitiva e totalmente desdobrada.
As ferramentas de engenharia mais
inteligentes e um conjunto de menus
melhorados num ambiente familiar
baseado no Windows
garantem uma
poupana de tempo substancial aos
criadores de projetos.
Nunca uma interface homem-mquina
industrial foi to intuitiva como a nova
soluo iX HMI. Com a implemen-
tao de ferramentas de navegao
usadas nas aplicaes dirias, tais como
dispositivos mveis, a iX 2.0 cria novas
maneiras de interagir com as mqui-
nas usando os gestos de deslocar e
deslizar. As caractersticas do software,
tais como o menu Ao nico, que
permite um sistema de menus de
vrios nveis e uma rpida execuo
das aes, e o bem conhecido painel
rolante ajudam a colocar a informa-
o mais importante no local onde o
operador mais precisa dela, poupan-
do espao na tela e permitindo uma
operao sem mos durante o pro-
Nova soluo de IHM iX 2.0,
da Beijer Electronics
SE462_Sensores_CS55.indd 67 12/06/2012 17:11:45
reportagem reportagem
Instituto de Estudos
Avanados - IEAv -
completa 30 Anos
M
uito se deve no Brasil a uma
estrutura montada h alguns
anos em So Jos dos Campos
e que, pioneiramente, em nosso
pas e na Amrica do Sul foi a responsvel
pelo desenvolvimento e liderana na rea
aeroespacial e diramos, tambm, em vrias
outras reas como na eletrnica. A ideia
partiu de Santos Dumont h mais de 100
anos atrs. Antes de fazer o seu primeiro
voo, em 1906, j defendia o importante
papel que os dirigveis e avies seriam
chamados a desempenhar, em futuro bre-
ve, logo nas primeiras dcadas do sculo
XX, recomendando, assim, a criao de
instituies de ensino de aerodinmica, de
materiais e processos, de estruturas, cons-
trues de aparelhos areos, de pesquisa de
materiais e motores, bem como de ensino
de comunicaes areas e de meteorologia.
Cada pas, dizia ele, deveria desenvolver
sua prpria tecnologia a par com o avano
da cincia aeronutica, dirigida para projetos
e produo de aparelhos, e tambm para
desenvolver produtos e materiais de acordo
com processos e mtodos tcnicos dos
respectivos parques industriais. Muitos anos
se passaram e logo aps a Segunda Guerra
Mundial, finalmente a ideia de Santos Dumont
se materializou com o primeiro instituto: o
Instituto Tecnolgico de Aeronutica (ITA).
Em seguida foram fundados o Instituto de
Aeronutica e Espao (IAE), o Instituto de
Fomento Industrial (IFI), e em 2 de junho
de 1982 foi criado o Instituto de Estudos
Avanados, IEAv.
Em 2 de junho passado, o IEAv come-
morou 30 anos de existncia. Este instituto
que faz parte do DCTA - Departamento de
Cincia e Tecnologia Aeroespacial (antigo
CTA), em So Jos dos Campos, junto com
os outros institutos forma o departamento
com a misso de contribuir para o progresso
da sociedade brasileira por meio do ensino,
pesquisa, desenvolvimento, inovao e servi-
os tcnicos aeroespaciais. Participaram da
solenidade vrios funcionrios, ex-diretores,
ex-funcionrios e autoridades convidadas,
como o leitor poder ver nas fotos.
O editor da Revista Saber Eletrnica, Hlio
Fittipaldi, entrevistou a seguir, o diretor do
IEAv: Cel Av Vilson Rosa de Almeida, PhD.
Hlio Fittipaldi
Conhea o importante papel no ensi-
no, pesquisa, desenvolvimento, inovao
e servios tcnicos aeroespaciais do IEAv
- Instituto de Estudos Avanados, de So
Jos dos Campos, que comemorou 30 anos
em 2012.
Autoridades presentes na solenidade
(a partir da esquerda para a direita):
Brig Eng Carlos Antonio de Magalhes
Kasemodel, Diretor do IAE; Brig Ar Wander
Almodovar Golfetto, Chefe do Subdeparta-
mento Tcnico do DCTA; Maj Brig Ar Alvany
Ado da Silva, Vice Diretor do DCTA;
Ten Brig Ar Ailton dos Santos Pohlmann,
Diretor-Geral Departamento de Cincia
e Tecnologia Aeroespacial; Cel Av Vilson
Rosa de Almeida, PhD, Diretor do IEAv;
Hugo de Oliveira Piva, ex-diretor do DCTA;
Antnio Hugo Pereira Chaves, ex-diretor
do IEAv; Prof. Fernando Toshinori Sakane,
Vice-Reitor do ITA.
Como o senhor colocaria
a importncia do IEAv no
cenrio nacional?
O IEAv um lugar criado para gerar
conhecimento de fronteira em reas de
interesse aeroespacial. Os cientistas no IEAv
tm infraestrutura laboratorial, biblioteca,
servios de informtica, oficinas mecnica
e eletrnica, restaurante, etc. tudo isso a
10 quilmetros do centro de So Jos dos
Campos. Isso garante um timo ambiente para
a criatividade dos cientistas e colaboradores.
Os trabalhos de P&D no IEAv representam o
que o Brasil faz de mais avanado em vrias
reas de importncia tecnolgica estrat-
gica e, consequentemente, econmica no
contexto atual ou futuro.
Quais tecnologias desenvolvidas
no IEAv o senhor considera as
mais expressivas do ponto de
vista da sociedade brasileira?
O IEAv participou ativamente no
desenvolvimento da urna eletrnica. O
pesquisador principal desse desenvolvi-
mento tecnolgico esteve em diversos
pases da Amrica Latina a servio do
governo brasileiro, prestando assistncia
na utilizao de urnas eletrnicas. Recente-
mente, o IEAv produziu vrios girmetros
(dispositivos sensores inerciais capazes de
medir velocidade angular de rotao, sem
a necessidade de um referencial ou sinal
externo ao sensor) usando fibras pticas
especiais, que podero ser utilizados em
vrios produtos inerciais como, por exem-
plo, dispositivos portteis multifuncionais
ou de entretenimento, msseis, foguetes,
automveis e avies.
O IEAv desenvolve trabalhos de navega-
o autnoma e de sensoriamento remoto
que tero grande importncia econmica,
pois essas tecnologias so utilizadas para
controle de plantio e de safras, preserva-
o de florestas, combate ao narcotrfico,
preveno de catstrofes, manuteno de
estradas, etc. As pesquisas na rea de lasers
tm gerado conhecimento que utilizado
no desenvolvimento de novas tcnicas para
tratamento de materiais e para a explorao
de petrleo em guas profundas. As pesquisas
nas reas nuclear e em velocidades hipers-
nicas podem contribuir para a explorao
do espao nas prximas dcadas.
Quais as principais reas
de atuao do IEAv?
O IEAv foi criado para desenvolver
competncia na rea nuclear, mais especi-
ficamente na rea de separao isotpica
e no levantamento de dados nucleares.
Nos ltimos anos, por causa de novas
diretrizes estratgicas, o IEAv desenvolveu
novas competncias derivadas do esforo
inicial na rea nuclear. Podemos dizer que o
IEAv lder em vrios nichos avanados da
C&T (Cincia & Tecnologia). Por exemplo:
aplicaes de lasers, experimentos em ae-
rotermodinmica de veculos hipersnicos,
utilizao de navegao autnoma e sen-
sores multiespectrais, desenvolvimento de
girmetros e acelermetros a fibra ptica,
simulao computacional e matemtica
aplicada, acelerador de eltrons, etc.
Como o senhor qualifica a interao
entre o IEAv e outros institutos
do DCTA, como o ITA, IAE e IFI?
O DCTA (antigo CTA) foi criado com
base em trs pilares: Ensino, Pesquisa e
Desenvolvimento. O ensino atribuio do
ITA que fornece grande parte dos recursos
humanos para os outros institutos; a pesquisa
, em grande parte, a atribuio do IEAv; o
desenvolvimento de Sistemas Aeronuticos e
Espaciais , na maior parte, atribuio do IAE.
No entanto, essas atribuies so bastante
interligadas e, por isso, existe uma grande
interao entre esses institutos. Devemos
falar tambm de outros institutos do DCTA,
como o IFI que responsvel pelo fomento
industrial, propriedade intelectual, homolo-
gao e certificao de produtos. H ainda
o IPEV, que realiza ensaios de equipamentos
aeronuticos que requerem engenheiros,
pilotos, alm de grande estrutura de apoio.
O IEAv tem atividade na
rea de ensino e formao
de recursos humanos?
O IEAv tambm detm o status de
Instituio de Ensino Superior (IES), com
enfoque particular em Ps-Graduao. Recen-
temente, em 2011, o IEAv, juntamente com
o IAE e o ITA teve aprovado pela CAPES um
Apresentao do livro comemorativo dos 30 anos do IEAv pelo atual diretor Cel
Av Vilson Rosa de Almeida, PhD e pelo ex-diretor Marco Antnio Sala Minucci.
Cel Av Vilson Rosa de
Almeida, PhD. Atual
Diretor do IEAv:
Auxiliar Tcnico em Eletrnica formado
na antiga Escola Tcnica Federal do
Par, em 1983. Bacharel em Cincias
Aeronuticas e Oficial Aviador formado
pela Academia da Fora Area, em
1987. Engenheiro eletrnico formado
no ITA em 1997, com Distino
Acadmica Lurea Magna Cum Laude.
Mestre em Cincias em Micro-ondas e
Optoeletrnica em 1998, tambm pelo
ITA. PhD em Engenharia Eltrica, com
foco em Nanofotnica em Silcio, pela
Cornell University, Ithaca - NY, EUA,
em 2004. Possui dezenas de publica-
es internacionais na rea de Fotnica
em geral e sete patentes nos Estados
Unidos na rea de Fotnica Integrada,
especialmente com o uso de silcio.
Programa de Ps-Graduao em Cincias e
Tecnologias Espaciais (PG-CTE), vinculado
para fins acadmicos ao ITA, em reas de
competncias mais especficas do IEAv e do
IAE; vide www.ieav.cta.br/CPPG_IEAv/
pg-cte.php. Isso foi necessrio em face
da carncia de recursos humanos com
qualificaes requeridas para a realizao
das pesquisas no Instituto.
Podemos dizer tambm que o IEAv
agora est colaborando para a formao de
recursos humanos de alto nvel em diversas
reas da C&T para o Pas como um todo. O
IEAv tambm promove trabalhos de Iniciao
Cientfica (vide www.ieav.cta.br/pibic/),
incluindo a disponibilizao de bolsas PIBIC
e do CNPq; recentemente, tambm passou a
disponibilizar Bolsas de Iniciao em Desen-
volvimento Tecnolgico e Inovao - PIBITI.
Como o senhor qualifica a produo
cientfica e tecnolgica do IEAv?
A produo cientfica do IEAv representa
os resultados de pesquisas e desenvolvimentos
tecnolgicos realizados dentro do Instituto.
Recentemente, o MCT iniciou a avaliao de
pesquisadores com indicadores um pouco mais
voltados para o desenvolvimento tecnolgico.
Isso fez com que ICTs como o IEAv, a EM-
BRAPA, a FIOCRUZ e a CNEN ganhassem
um grande nmero de bolsas para seus pesqui-
sadores, similares s bolsas de produtividade
em pesquisa do CNPq, que tm caractersticas
mais acadmicas. Isso possibilitou aos nossos
pesquisadores condies para concorrer a
recursos financeiros oferecidos por agncias
de fomento. Nesse ponto, podemos dizer que
essa valorizao do pesquisador brasileiro est
proporcionando uma maior transferncia de
conhecimento para as empresas e aumentando
a atividade econmica do Pas.
O recm-aprovado PG-CTE certamente
trar um incremento coordenado do nosso
nvel de produo cientfica e tecnolgica.
O fato de a CAPES ter conceituado nossos
programas de Mestrado e Doutorado com
nota inicial 4, denota a qualidade do nosso
trabalho cientfico-tecnolgico (vide www.
ieav.cta.br/CPPG_IEAv/pg-cte.php).
Os aportes de recursos financeiros
pelo governo federal so suficientes
para os trabalhos de P&D no IEAv?
Sim. Podemos dizer que o IEAv trabalha
no limite superior de sua capacidade e compe-
tncia. Esse limite ditado pela quantidade de
recursos humanos, que diminuiu sensivelmente
nos ltimos anos em virtude de uma lacuna
A Histria da Criao do DCTA em So Jos dos Campos
Santos Dumont procurou atrair a
ateno dos membros do governo e,
de 1915 a 1918, fez diversos pronun-
ciamentos e trabalhos escritos com a
proftica anteviso do futuro sobre o
importante papel que os avies iriam
desempenhar no mundo.
Em 1918, a Editora A Encantada
publicou o livro O que vi, o que
veremos, onde Santos Dumont
registrou a ideia de criao de uma
escola tcnica no Brasil, voltada para
a aviao, antevendo um centro de
tecnologia que s se efetivaria em
1948, com a fundao do ITA. Em um
pargrafo desse livro, Santos Dumont
escreveu: Eu, que tenho algo de
sonhador, nunca imaginei o que tive
ocasio de observar, quando visitei
uma enorme fbrica nos EUA. Vi
milhares de hbeis mecnicos ocu-
pados na construo de aeroplanos,
produzindo diariamente de 12 a 18.
Quando o Congresso Americano
acaba de ordenar a construo de
22.000 dessas mquinas, ns, aqui,
no encaramos ainda esse problema
com a ateno que merece.
A principal dificuldade para a nave-
gao area est no progresso dos
motores... J o ao tem sido melho-
civil e militar, o Ministrio da Aero-
nutica dependeria, essencialmente,
dos modernos avanos e do desen-
volvimento da tecnologia aeronutica
no pas. Nos anos seguintes e com o
envolvimento do Brasil na 2 Guerra
Mundial, o Ministrio da Aeronutica
sentiu a necessidade de se montar
uma slida base tcnica. A princpio,
em 1941, foi criada por decreto a
Diretoria de Tecnologia Aeronutica,
mas ao ser efetivada, meses depois,
assumiu o nome de Subdiretoria de
Material. Foi indicado para assumir
aquela Subdiretoria o Ten.-Cel.-Av.
(Eng.) Casimiro Montenegro Filho,
oficial j consciente da evoluo da
cincia e da tecnologia aeronutica.
Em 1945, Montenegro vai aos EUA,
com o Cel.-Av. (Eng.) Telles Ribeiro,
o Cel.- Av. Faria Lima e mais um
grupo de Oficiais da FAB em visita a
diversas Bases Areas Americanas.
L, so procurados pelo Maj.-Av.
Oswaldo Nascimento Leal, que rea-
lizava o curso de Engenharia Aero-
nutica no Massachussets Institute
of Technology (MIT). Este sugere
a Montenegro que fosse a Boston
para conhecer o MIT e trocar ideias
com o Prof. Richard H. Smith, chefe
rado... Outra dificuldade que se apre-
senta navegao area a de locali-
zar-se o aeroporto... tempo, talvez,
de se instalar uma escola de verdade
em um campo adequado... Margeando
a linha da Central do Brasil, especial-
mente nas imediaes de Mogi das
Cruzes, avistam-se campos que me
parecem bons. Os alunos precisam
dormir junto Escola, ainda que para
isso seja necessrio fazer instalaes
adequadas... Penso que, sob todos os
pontos de vista, prefervel trazer
professores da Europa e dos EUA,
em vez de para l enviar alunos.
Meu mais intenso desejo ver verda-
deiras Escolas de Aviao no Brasil. Ver
o aeroplano, hoje poderosa arma de
guerra, amanh meio timo de trans-
porte, percorrendo as nossas imensas
regies, povoando nosso cu, para
onde, primeiro, levantou os olhos o Pe.
Bartolomeu Loureno de Gusmo.
Em 1941, tanto o Dr. Joaquim Pedro
Salgado Filho (primeiro Ministro da
Aeronutica) como o ento Contra-
-Almirante Armando Figueira Trom-
powsky de Almeida (Diretor de Aero-
nutica Naval) tinham, pessoalmente,
plena convico de que, para se
desincumbir de sua atribuio mista,
Cerimnia de entrega de medalhas co-
memorativas a funcionrios do IEAv.
com a aviao militar e com a aviao
comercial (IPD).
O primeiro Instituto criado, o ITA, de
incio teria a seu cargo, nos limites de
suas possibilidades, todas as ativida-
des do Centro.
Do ITA se desenvolveriam, gradual-
mente, os servios do outro Insti-
tuto. Assim, quando as possibilidades
materiais e as necessidades de servio
justificassem a criao do segundo
Instituto, a este seriam dadas todas
as atribuies, at ento conferidas
ao ITA, de colaborao com a aviao
militar, comercial e com a indstria
aeronutica. Saiba mais visitando
www.cta.br/cta.php.
do Departamento de Aeronutica
daquele instituto, antes que Montene-
gro tomasse qualquer deciso.
O Maj.-Av. Leal acreditava que o
necessrio, ao Brasil, era uma escola
de alto nvel para a formao de
engenheiros aeronuticos para a avia-
o civil e militar, e no apenas para a
Fora Area.
Seria imperiosa a formao de
engenheiros para atender tambm
o que os americanos chamavam de
spin-off, ou seja, o usufruto de
benefcios indiretos que a indstria
aeronutica poderia trazer s inds-
trias correlatas, como o controle
de qualidade de produtos e material
de aplicao no campo aeronutico,
a homologao de projetos e pro-
ttipos e a otimizao de operao
de empresas do transporte areo
comercial, incluindo-se as exigncias
de segurana tcnica sobre a aviao
civil em geral, etc.
A criao de uma instituio desse
gnero era uma aspirao do Prof.
Smith e uma necessidade real, no
Brasil, para o Cel. Montenegro. Em
agosto de 1945 ficou definido o Plano
Geral do Centro, considerando-se o
MIT como modelo para a organizao
do futuro Centro Tcnico do Minist-
rio da Aeronutica.
O Brigadeiro do Ar Armando F.
Trompowsky, ciente da necessidade
e oportunidade do empreendimento,
apresentou ao Presidente da Rep-
blica, Dr. Jos Linhares, o plano de
criao do CTA em 16 de novem-
bro de 1945, que foi imediatamente
aprovado.
O plano estabelecia que o Centro
Tcnico seria constitudo por dois
institutos cientficos coordenados,
tecnicamente autnomos: um para o
ensino tcnico superior (ITA) e outro
para pesquisa e cooperao com a
indstria de construo aeronutica,
Cena do documentrio Santos Dumont: Pr-Cineasta? de
Carlos Adriano, onde Dumont explica seu balo dirigvel a
C.S. Rolls (futuro fundador da Rolls Royce) em 1901.
de abertura de concursos pblicos. No futuro
prximo, a maior parte de nosso corpo de
pesquisadores seniores estar aposentada.
Recentemente, no entanto, o governo voltou
a acenar fortemente com a possibilidade de
abertura expressiva de vagas para concurso
pblico, j no curto prazo, para servidores
civis incluindo pesquisadores para o IEAv.
Por que o Brasil no tem um
programa espacial de sucesso
compatvel com sua importncia
poltica e econmica mundial?
O Brasil um pas cheio de contrastes
e potencialidades. Nosso programa espacial
poderia ter gerado mais benefcios para a
sociedade, mas isso depende de diversos
fatores, dentre os quais a definio de longo
prazo das prioridades nacionais, que so
avaliadas e priorizadas pela nossa sociedade
por meio de nossos governantes, que definem
as necessidades mais urgentes.
Posso dizer que o IEAv, os outros ins-
titutos do DCTA, o INPE, a EMBRAER e
vrias empresas na regio de So Jos dos
Campos so indicadores de sucesso do que
podemos chamar de um programa espacial
amplo. Um aluno que formado no ITA,
uma previso meteorolgica realizada pelo
INPE, um foguete de sondagem lanado pelo
IAE, um avio produzido pela EMBRAER,
etc., todos esses produtos e servios so
possveis hoje porque algum pensou no
passado que o domnio cientfico-tecnolgico
seria consequncia final do objetivo inicial
da construo do complexo aeroespacial
de So Jos dos Campos. Esse homem foi o
Marechal do Ar Casimiro Montenegro Filho.
O senhor engenheiro eletrnico
formado no ITA. O que a
Eletrnica representa dentro das
atividades de seu instituto?
Como engenheiro eletrnico, eu posso
ser considerado suspeito para responder.
Mas o leitor sabe que todo sistema tecno-
lgico nossa volta envolve, em maior ou
menor grau, subsistemas eletrnicos. Isso
no diferente no IEAv. Nossas pesquisas
em Fotnica envolvem Eletrnica, nossos
laboratrios esto cheios de equipamentos
eletrnicos. Pesquisas em Fsica Aplicada,
Geointeligncia, Aerotermodinmica, ra-
diaes ionizantes e no ionizantes, lasers,
sensores, etc. Tudo est repleto de dispo-
sitivos e subsistemas eletrnicos.
O que o senhor diria para os futuros
engenheiros para motiv-los a
construir uma grande carreira?
Os desafios para conseguir alcanar
a especializao, uma profisso, valem a
pena. Eu gostaria de recomendar a todos
que busquem estudar e se especializar
com afinco, que lutem sem medo por seus
sonhos e objetivos, pois sero certamente
recompensados no futuro. A carreira de
engenharia lhes dar o conhecimento e o
ferramental bsico para desempenharem
suas funes e, eventualmente, para se
aprofundarem nos diversos caminhos da
Cincia e da Tecnologia; isso os encher de
orgulho e satisfao no futuro. Alm disso,
o Brasil necessita urgentemente de mais
engenheiros, de todas as reas.
Histrico do IEAv
modinmica, sistemas de apoio deciso,
comando e controle, processamento de
alto desempenho, sensoriamento remoto,
energia nuclear e sistemas eletromagn-
ticos.
Dentre os produtos e tecnologias
gerados pelo IEAv podem ser citados:
giroscpios a fibra ptica, software para
processamento de imagens de radar de
abertura sinttica (SAR), software de
planejamento de misso de defesa area,
software para anlise de dispositivos ele-
tromagnticos, sensor imageador infraver-
melho termal, tnel de vento hipersnico,
sistemas micro-eletro-mecnicos (MEMS),
etc. Alm disso, vale ressaltar que o IEAv,
por meio da atuao de seu pesquisador
Osvaldo Catsumi Imamura, contribuiu
significativamente para o desenvolvimento
da urna eletrnica brasileira, sucesso em
praticidade e confiabilidade, demonstra-
das em inmeras eleies.
O IEAv tambm participa de vrios
projetos de grande importncia para o
Pas, como, por exemplo, a especificao
do satlite geoestacionrio brasileiro, o
desenvolvimento de plataformas inerciais
para satlites e aeronaves, a avaliao
de risco de coliso entre aeronaves nas
regies do Caribe e Amrica do Sul.
Vale lembrar que o IEAv participou em
colaborao com a Marinha do Brasil, do
esforo para o desenvolvimento de reato-
res nucleares de propulso naval.
Todas as reas de estudo do IEAv so
do interesse do Ministrio da Defesa e
do Ministrio de Cincia e Tecnologia,
evidenciando a vocao do instituto
para o desenvolvimento de conceitos e
tecnologias de uso aeroespacial. O IEAv
destaca-se, tambm, entre as instituies
brasileiras dedicadas a altos estudos em
Cincia e Tecnologia.
O amplo espectro de atividades e compe-
tncias atualmente existentes no IEAv lhe
confere um perfil de alta adaptabilidade
e capacidade para participar do processo
nacional de inovao tecnolgica, poten-
ciais que devem ser explorados com
efetividade para o progresso nacional.
Referncias:
IEAv. Atividades de Pesquisa e Desenvolvi-
mento Instituto de Estudos Avanados.
So Jos dos Campos: IEAv, 2008. www.
ieav.cta.br/wai8/pdf/Caderno_Insti-
tucional.pdf
Site: www.ieav.cta.br/historico.php
A Diviso de Estudos Avanados do
ento Instituto de Atividades Espaciais
do CTA, idealizada para a pesquisa e
desenvolvimento de vanguarda, foi ins-
tituda em 28 de outubro de 1976 para
atuar, principalmente, no Programa
Autnomo de Tecnologia Nuclear
(Programa de tecnologia nuclear que
possibilitou o desenvolvimento de
tcnicas nacionais de enriquecimento
de urnio). Nascia, assim, o embrio do
que viria a ser o IEAv.
Com o crescimento acelerado da
Diviso de Estudos Avanados, surgiu
a necessidade de um novo instituto, e,
em 2 de junho de 1982, foi assinado o
Decreto n 87.247, criando o Instituto
de Estudos Avanados.
As atividades do IEAv nos seus pri-
meiros vinte anos concentraram-se no
desenvolvimento de mtodos alterna-
tivos de enriquecimento de urnio a
laser, no desenvolvimento de processos
de medida e avaliao de dados nuclea-
res, enfim, nas diversas tecnologias
sensveis e estratgicas em torno da
energia nuclear, atingindo um patamar
de desenvolvimento cientfico reconhe-
cido internacionalmente (IEAv, 2008).
Nesse perodo, o financiamento das
pesquisas do IEAv provinha do ento
Ministrio da Aeronutica e da Secre-
taria de Assuntos Estratgicos (SAE),
vinculada Presidncia da Repblica.
Entretanto, a partir de 1994, houve um
decrscimo do interesse governamen-
tal pela rea nuclear, obrigando o IEAv
a profundas transformaes. A capacita-
o na rea nuclear foi mantida, porm
o instituto procurou investir tambm
em outras reas estratgicas de inte-
resse mais imediato do COMAER.
Tecnologias e capacitaes desenvolvi-
das anteriormente foram, ento, adap-
tadas ou redirecionadas para outras
aplicaes, demonstrando o alto nvel
de adaptao dos pesquisadores do
IEAv s tecnologias emergentes. Por
exemplo, tecnologias de enriqueci-
mento de urnio a laser para a produ-
o de combustvel nuclear passaram
a ser aplicadas no processamento de
materiais para diversas reas, como nas
indstrias aeronutica e automotiva,
odontologia e dermatologia.
Atualmente, o IEAv concentra esfor-
os nas seguintes reas: fotnica, nano-
tecnologia, hipervelocidade, aeroter-
E
Andresa Deocldea
Soares Crtes
O Brasil importa lminas usadas na produo de painis, apesar de ter as
maiores reservas de quartzo do mundo, do qual se extrai a matria-prima
Grupo purifica silcio
para fabricao de
clulas solares
U
m grupo de cientistas da Unicamp
acaba de obter, pela primeira vez
no Brasil, o silcio purificado para
a fabricao de clulas solares
fotovoltaicas (FVs). Apesar de possuir as
maiores reservas mundiais de quartzo a
matria-prima bruta para o silcio o pas
importa, com altos custos, as lminas do
elemento qumico purificado para a produ-
o dos painis FVs. Os dispositivos FVs so
responsveis pela captao e transformao
da energia solar em eltrica. Matriz limpa,
gratuita e inesgotvel, a energia solar foto-
voltaica tem conquistado relevo mundial.
Os trabalhos so coordenados pelos
docentes Francisco das Chagas Marques, do
Laboratrio de Pesquisas Fotovoltaicas, do
Instituto de Fsica Gleb Wataghin (IFGW),
e Paulo Roberto Mei, do Laboratrio de
Fuso por Feixe de Eltrons e Tratamentos
Termomecnicos, do Departamento de
Engenharia de Materiais da Faculdade de
Engenharia Mecnica (FEM).
O Brasil possui tecnologia para a fabri-
cao de clulas solares, mas importa o silcio
purificado, encarecendo o custo dos painis
solares. Ns temos, no entanto, as maiores
jazidas de quartzo do mundo, localizadas,
principalmente, em Minas Gerais e na Bahia.
Somos tambm um dos maiores produto-
res e exportadores de silcio metalrgico,
produzido a partir do quartzo, mas que
tem um ndice de pureza muito baixo. Aps
a purificao, principalmente nos Estados
Unidos e na Europa, compramos o silcio
a um preo maior do que a matria-prima
exportada. As clulas solares precisam de
silcio de alta pureza para que funcionem de
Outra empresa do ramo, a Tecnometal, que
possui fbrica em Campinas, tambm mantm
parceria com a Unicamp. A companhia mineira,
cuja sede fica na cidade de Vespasiano, a
nica que fabrica, comercialmente, os painis
FVs no Brasil, mas ainda a partir de clulas
importadas. A associao com a Universidade
j rendeu um projeto para a produo em
escala-piloto do silcio purificado, abrindo
a possibilidade para a fabricao industrial
de painis fotovoltaicos utilizando somente
matria-prima nacional.
No momento, a empresa pleiteia junto
ao Banco Nacional de Desenvolvimento
Econmico e Social (BNDES) um financia-
mento de aproximadamente R$ 13 milhes
para desenvolver o projeto. Pr-selecionada
pelo Banco em janeiro deste ano, a iniciativa
tambm prev investimentos em laboratrios
e compra de equipamentos de pesquisa para
a Unicamp.
Mercado
O contexto mundial para a produ-
o de painis FVs bastante oportuno,
circunstancia o fsico Francisco Marques.
Apenas na ltima dcada, o mercado de
energia solar fotovoltaica tem crescido, em
mdia, 40% ao ano, estimulado, principal-
mente, pelos pases europeus e asiticos.
um crescimento extraordinrio, que
est relacionado a diversos fatores, entre
os quais a custos cada vez mais elevados
do petrleo e ao temor pelo aquecimento
global. Alguns pases esto trocando suas
matrizes energticas que poluem por fon-
tes alternativas limpas. As principais so
a solar e a elica, situa.
forma eficiente, refora o fsico e docente
Francisco das Chagas Marques, que investiga
esta rea na Unicamp desde a dcada de 1980.
O silcio purificado obtido nos laborat-
rios da Universidade apresenta os requisitos
necessrios para a fabricao de clulas solares
eficientes. Francisco Marques explica que, at
certo nvel, quanto maior a pureza do silcio,
mais eficiente ser a clula solar. O ndice de
pureza ideal comea a partir de 99,9999%,
segundo o cientista. Ns conseguimos
purificar o silcio at o nvel de 99,9993%,
que suficiente para a produo de painis
fotovoltaicos se adicionarmos outras tcnicas
de reduo de impurezas durante o processo
de fabricao das clulas solares, revela.
Estas tcnicas permitiram, segundo ele,
atingir um elevado grau de eficincia para
as clulas solares. No momento, estamos
fabricando clulas solares com silcio nacio-
nal com eficincias entre 10% e 13%, que
representam os maiores valores obtidos no
Brasil e semelhantes aos melhores ndices
reportados na literatura em todo mundo,
utilizando processos similares aos empregados
na Unicamp. Tais valores indicam que este
material pode ser aplicado na fabricao de
clulas solares comerciais para produo de
painis FVs, demonstra.
A purificao do silcio e a fabricao de
clulas solares na Unicamp, em escala experi-
mental, conta com a colaborao voluntria do
grupo empresarial Rima. Instalado em Minas
Gerais, o grupo possui jazidas de quartzo e
produz o chamado silcio metalrgico. Este
material fornecido Universidade, que faz
a purificao at o nvel apropriado para a
utilizao nos painis.
tecnologias
E
F1. Da esquerda para a direita: o Orientador, Co-orientador
e a autora do artigo, em laboratrio da FEM.
A
n
t
o
n
i
o

S
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F3. O Co-orientador ao lado do forno
para difuso de fsforo, no IFGW.
F2 . O Silcio metalrgico (acima), a lmina
( equerda) e as clulas solares ( direita).
De acordo com ele, pases como
Alemanha e Japo esto empenhados em
desativar algumas de suas usinas nucleares,
principalmente aps o acidente radioativo
em Fukushima, causado pelo terremoto e
tsunami de 2011. Isso vai dar outra disparada
na produo de painis fotovoltaicos. E quanto
mais se aumenta a escala de produo, mais
os custos so reduzidos. Estudos indicam que,
entre cinco e dez anos, a energia fotovoltaica
j estar competitiva com quase qualquer
outra fonte de energia, prev.
Silcio de grau solar
O silcio purificado possui diversas aplica-
es. O elemento, identificado pela primeira
vez em 1787 pelo qumico francs Antoine
Laurent de Lavoisier, pode ser utilizado
tanto para a produo de ligas metlicas e
preparao de silicones, como nas inds-
trias cermica, eletrnica e fotovoltaica. O
elemento qumico purificado a principal
matria-prima dos microprocessadores de
computadores fabricados por empresas gi-
gantes da eletrnica e informtica, instaladas
nas cidades norte-americanas de Palo Alto,
Santa Clara e San Jos, na Califrnia, regio
que ficou conhecida como Vale do Silcio.
O mtodo Siemens, desenvolvido na
Alemanha na dcada de 1950, amplamente
utilizado na indstria para a produo do
silcio purificado. Complexo e um dos mais
caros, o processo d ao silcio um grau
de pureza altssimo, concorda o docente
da Unicamp. Por isso, o procedimento
usado, principalmente, para a produo de
dispositivos eletrnicos, que necessitam de
quantidades menores de silcio e possuem
um valor agregado maior do que os painis
FVs. Para o emprego em painis solares, este
tipo de silcio com alto teor de pureza acaba
sendo comercialmente invivel.
Uma alternativa a este mtodo a rota
metalrgica, processo utilizado na Unicamp
para obter o chamado silcio de grau solar.
Mais acessvel financeiramente, o proce-
dimento consiste em um melhoramento
do silcio metalrgico, que possui baixo
teor de pureza. O silcio para as clulas
fotovoltaicas requer certo grau de pureza
que no precisa ser, necessariamente, to
alto quanto o obtido por meio do mtodo
Siemens, esclarece Francisco Marques.
Neste mtodo alternativo, o silcio me-
talrgico submetido a uma desgaseificao
a vcuo, realizada em um forno de feixe de
eltrons, tambm conhecido pelo nome de
electron-beam, do termo em ingls. Este processo
reduz as impurezas com presso de vapor
maior que a presso do silcio. Impurezas com
presso de vapor menor no so eliminadas.
Aps esta etapa, produzimos tarugos de
silcio em um sistema Czochralski da empresa
Rima e outro do laboratrio do IFGW. Os
tarugos so, ento, cortados em forma de
lminas para a fabricao das clulas solares.
Na fabricao de clulas solares, uma nova
etapa de purificao do silcio realizada por
um processo de armadilhamento de impurezas
em altas temperaturas, utilizando tomos de
fsforo introduzidos por difuso, detalha.
Doutorado
O processo por rota metalrgica, que
no Brasil tambm vem sendo utilizado pelo
Instituto de Pesquisas Tecnolgicas (IPT),
foi tema do doutorado da pesquisadora da
Unicamp Andresa Deocldea Soares Crtes.
O trabalho, intitulado Desenvolvimento
de clulas fotovoltaicas utilizando silcio
metalrgico melhorado, foi defendido por
Andresa em julho de 2011.
Atualmente, o pesquisador e doutoran-
do Rafael Borges Merlo d sequncia aos
estudos, que so financiados pelo CNPq
(Conselho Nacional de Desenvolvimento
Cientfico e Tecnolgico).
Publicao
Tese: Desenvolvimento de clulas
fotovoltaicas utilizando silcio metalrgico
melhorado
Autora: Andresa Deocldea Soares
Crtes
Orientador: Paulo Roberto Mei
Co-orientador: Francisco das Chagas
Marques
Unidades: Faculdade de Engenharia
Mecnica (FEM) e Instituto de Fsica Gleb
Wataghin (IFGW)
Originalmente publicado no Jornal da
Unicamp Edio 530 - www.unicamp.br/
unicamp/ju/530/grupo-purifica-silicio-
-para-fabricacao-de-celulas-solares
tecnologias
Eletrnica Aplicada
Energia
O que um Surto
Transitrio Eltrico?
Distrbio resultante de sbitas des-
cargas de energia eltrica armazenada,
que provoca efeitos de induo eltrica
e magntica em face aos altos valores de
corrente no circuito de descarga ocorridos
em um pequeno intervalo de tempo. Esta
a defnio completa de um STE (surto
transitrio eltrico), sendo que o primeiro
exemplo e um dos mais preocupantes
o famoso relmpago, constitudo pelas
descargas eltricas.
Tipos de STE
Os STEs so divididos em dois tipos,
o randmico, do qual eu j citei o seu
maior exemplo (descargas atmosfricas),
sendo que podemos identifcar este tipo
da seguinte forma:
Ocorrem em pontos inesperados;
No tm uma periodicidade de-
fnida;
So de uma natureza complexa.
Compare estas caractersticas com o
nosso exemplo: aonde vai ocorrer? De
quanto em quanto tempo? Como pro-
duzida uma descarga?
Um outro parmetro que poderamos
lembrar tambm que para detectarmos
um transitrio randmico, necessitamos
de instrumentos de monitorao com
rpida resposta a frentes de ondas e com
caractersticas que os habilitem a trabalhar
com nveis de tenso e corrente elevadas.
Um outro exemplo de transitrio rand-
mico consiste nas descargas eletrostticas.
O segundo tipo o transitrio repe-
titivo, sendo que podemos identifc-los
por ser:
Frequentemente observados
Provocados por fenmenos co-
nhecidos.
Um exemplo desse tipo o Spike
composto pelos picos de energia eltrica
Proteo contra surtos
transitrios eltricos
Vocs com certeza j observa-
ram equipamentos sem o pino
de aterramento em seus cabos de
energia, ou at mesmo j instala-
ram o terra da tomada interligado
com o neutro sem observar a forma
correta para esta prtica segundo as
normas. Estas so negligncias que
podem ocorrer, ou seja, a instalao
errada ou at a completa falta de
proteo contra os surtos eltricos,
lembrando o grau de prejuzo que
pode causar, por exemplo, durante
uma descarga atmosfrica, onde
pode provocar danos indiretos at a
15 km do ponto de queda e um cho-
que eltrico de aproximadamente
4000 V atravs de um aparelho tele-
fnico situado a 10 km deste mesmo
ponto. Desta forma, acredito que
este deveria ser um item melhor
analisado por todos ns.
Neste artigo, vocs conhecero
as origens e os elementos de uma
proteo contra surtos eltricos
para que possam identificar os
principais fatores que auxiliam na
proteo, os quais vo desde as
condies da infraestrutura at o
tipo/modelo do protetor que iremos
utilizar.
Naur Arjonas
resultante dos chaveamentos eltricos,
por exemplo: o chaveamento de cargas
indutivas, excitao de motores, entre
outros. Os transitrios repetitivos so
mais simples de suprimir por terem suas
causas facilmente defnidas, sendo que
para este caso podemos utilizar estabi-
lizadores e nobreaks para a proteo dos
equipamentos eletroeletrnicos. Lembra-
mos que alm do problema de queima de
equipamentos, os transitrios repetitivos
tendem a diminuir o tempo de vida dos
equipamentos.
Para podermos proteger os circuitos
devemos analisar causa por causa, ento
vamos comear pelo maior problema.
Descargas Atmosfricas
As descargas atmosfricas so um
fenmeno natural que acompanha o
homem em toda a sua histria e devido
destruio causada pelas descargas de
energia que acontece, at hoje impem
respeito e temor. E deve ser uma das
preocupaes para quem vai instalar ou
j instalou um sistema eltrico/eletrnico
(alm da prpria proteo patrimonial).
Para podermos nos proteger, primeira-
mente temos que entend-las.
Como ocorrem?
As grandes responsveis pelas des-
cargas eltricas so as nuvens do tipo
cumulus nimbus, tambm denominadas
CB (fgura 1). Usualmente as descargas
atmosfricas se iniciam dentro destas
nuvens, nas quais os valores eltricos so
bem maiores que no solo.
Um problema que temos que at
hoje h vrias controvrsias entre as
teorias de como ocorre a formao das
cargas eltricas positivas e negativas
dentro da nuvem. A mais usual que
inicialmente a nuvem possui cargas
positivas e negativas, e quando se inicia
2012 I Julho/Agosto I SABER ELETRNICA 463 I 21
a tempestade ocorrem fortes correntes
ascendentes de ar mido dentro das CBs.
Em resultado da condensao do vapor
de gua formam-se gotas de gua que,
atingidas certas dimenses, comeam a
cair carregadas de eletricidade, negati-
vamente em sua parte inferior e positi-
vamente na sua parte superior. Em sua
queda encontram gotculas em ascenso,
cedendo a elas sua carga positiva, nas
quais so violentamente arrastadas para
as bordas superiores das nuvens.
Como consequncia final, apresen-
tam-se as nuvens com cargas eltricas
positivas em sua parte superior, fcando
a parte de baixo carregada negativamen-
te. Desta forma se inicia o processo de
descarga eltrica, aumentando o campo
eltrico na nuvem.
N.A. Medies efetuadas nas nuvens
atravs de bales atmosfricos identifcaram
que as densidades de cargas variam bastante,
sendo que o valor mximo medido foi de 100
volts por centmetro. Mesmo com tempo bom,
foi possvel encontrar valores onde se fzeram
presentes tenses da ordem de 20 a 30 V/cm.
A Descida
O primeiro componente visvel da
descarga o denominado stepped leader,
que se movimenta em direo da terra
em saltos variando de 10 a 200 metros.
Quando este alcana a terra, intensa lumi-
nosidade ento vista, como se estivesse
deslocando-se do solo para a nuvem: esta
a chamada descarga de retorno com
alta corrente circulando, fazendo inclusive
que a temperatura do ar chegue a 3000
Celsius, provocando a expanso rpida do
mesmo ao redor do canal e, consequen-
temente, criando uma onda de choque
sonora ( o trovo).
No entanto, depois de um certo inter-
valo de tempo uma segunda descarga-
-lder descendente pode ocorrer seguida
tambm por uma de retorno: este ento
no mais o lder e muito mais rpido
que o primeiro, sendo ento chamado de
dart leader. Quando sucedem vrias dart
leaders seguidas de suas descargas de
retorno, ns temos as chamada descargas
atmosfricas mltiplas (fgura 2).
O Poder das Pontas
Em 1749, Benjamin Franklin escreveu
uma srie de cartas para a Royal Society
(uma sociedade cientfca, em Londres) des-
crevendo as suas experincias eltricas e as
suas interpretaes. Numa delas referiu-se
ao extraordinrio poder das pontas obser-
vado nos objetos pontiagudos eletrizados,
poder esse que permitia extrair ou projetar
o fogo eltrico, que se manifestava nos
fenmenos chamados eltricos, de atrao
e de repulso, e que provocavam fascas de
uns corpos para outros.
Este poder funciona da seguinte for-
ma, imagine um condutor vertical (uma
haste de para-raios por exemplo): duran-
te as tempestades os campos eltricos
aumentam os seus valores, desta forma
ocorre uma concentrao de campo na
ponta da haste, se a intensidade de campo
na ponta da haste ultrapassar certo valor
crtico haver um curto-circuito com
parte do campo eltrico da nuvem, pois
ir ocorrer a ionizao por coliso, em
consequncia ocorrendo o transporte de
ons positivos da terra (atravs da haste
para a atmosfera), (fgura 3).
Proteo
Um sistema completo de proteo
contra descargas atmosfricas (SPDA)
pode ser dividido em duas partes:
Earthing - responsvel pela ab-
soro e transferncia da energia
proeminente das descargas atmos-
fricas, compreendido portanto
pelo sistema de hastes verticais e
eletrodos horizontais.
Grounding - referente aos meios e
princpios de vinculaes eltricas
que devem preservar a segurana,
dissipao para os sistemas de
proteo contra surtos e criao de
potenciais referentes.
Earthing
Foi em 1752 que Benjamim Franklin
verifcou que entre um corpo eletrizado
e outro pontiagudo apenas saltava fasca
quando este ltimo estava ligado terra,
e na sequncia ele realizou uma das suas
mais famosas experincias, quando utili-
F1. Nuvens do tipo
Cumulus Nimbus.
F2. Descargas atmos-
fricas mltiplas.
Eletrnica Aplicada
Energia
zando um dispositivo baseado nos papa-
gaios de papel e com uma chave presa na
outra extremidade da linha (e conectada
terra), quando pode comprovar a descar-
ga recebida pelo papagaio ao carregar
uma garrafa de Leyden permitiu-lhe ve-
rifcar que as nuvens estavam carregadas
de eletricidade.
N.A. - A garrafa de Leyden um tipo de
capacitor de alta tenso de uso comum em ele-
trosttica. Na forma usual atualmente (ltimos
200 anos...), consiste em um pote cilndrico de
material altamente isolante, com uma folha me-
tlica fxada por fora e outra fxada por dentro.
Um terminal atravessando a tampa do pote faz
contato com a folha interior, e um anel metlico
faz contato com a folha exterior, constituindo
assim os dois terminais do capacitor.
Esta primeira experincia deu base a
uma segunda, que foi realizada na Fran-
a. Sendo montado um mastro metlico
isolado da terra, um fo de cobre foi li-
gado terra e um dos experimentadores
presentes (isolado do cobre com vidro)
aproximou o cobre do mastro durante
uma trovoada, observando fascas a saltar
entre o mastro e o cobre, o que comprovou
a teoria de Franklin (fgura 4).
Esta experincia serviu tambm para
mostrar a capacidade de proteo que este
para-raios proporciona, desde que o mas-
tro seja ligado a terra. O que hoje constitui
a base do sistema de proteo pelo mtodo
de ngulo de proteo, tambm chamado
mtodo Franklin.
Captores
O captor tem a funo de interceptar a
descarga atmosfrica, sendo que os mtodos
mais utilizados de captores so:
Mtodo Franklin ou de ngulo de
proteo que consiste na instala-
o de um captor sobre um mastro
colocado na parte mais alta do
telhado. Este mastro possui ligao
com cabos de descida colocados
nos cantos externos da casa, que
tem como funo levar a descarga
eltrica at o solo (fgura 5).
Condutores em Malhas ou gaiolas
o contorno de todo o telhado fei-
to por uma malha de fos metlicos
intercalados por pequenas hastes
responsveis pelo recebimento de
descargas eltricas, que descem
atravs dos cabos ligados malha
(fgura 6).
Descidas
So os cabos, ou outros meios, respons-
veis por conduzir a descarga eltrica desde
o captor at o sistema de aterramento.
Aterramento
formado pelo conjunto de eletrodos,
cabos e conexes fabricados em cobre,
que constituem o caminho de escoamento
e disperso da corrente recebida pelos
captores e conduzida ate o sistema para
a terra, sem provocar tenses de passos
perigosas e mantendo baixa a queda de
tenso, e desta forma diminuindo ao
mximo a probabilidade de riscos a rea/
pessoas.
Na fgura 7 podemos observar as di-
ferentes confguraes de uma malha de
aterramento.
Efeitos Indiretos
Como j estudamos, uma descarga
eltrica com a potncia gerada pode causar
enormes danos aonde atinge, por isso
necessrio o uso de captores, descidas e
aterramento, evitando que as estruturas e
edifcios sejam total ou parcialmente des-
trudas pelos raios. No entanto, os danos
causados indiretamente pelos raios so
to importantes quanto os diretos, pois
quando ocorre a queda de um raio em um
prdio adequadamente protegido contra
descargas diretas, so geradas sobreten-
ses nas redes da empresa concessionria
(tanto nas linhas de mdia quanto nas
linhas de baixa tenso), nas instalaes
eltricas do prprio edifcio e naquelas
dos edifcios vizinhos. Um prdio a cen-
tenas de metros de um outro que recebeu
a descarga pode ter seus equipamentos
danifcados ou, nos casos mais graves, at
serem totalmente destrudos.
E, na maioria dos casos, mais crtica
e importante a interrupo das comuni-
caes ou ainda a perda de programas
em processamento do que os prprios
equipamentos em si que precisam ser
substitudos devido ao raio.
F3. Ionizao da terra para a
atmosfera atravs da haste.
F4. Ocorrncia de fascas
durante uma trovoada.
F5. Captor Franklin ou de
ngulo de Proteo.
importante lembrar que no so
apenas as tenses, mas tambm nos nveis
de energia que determinam a avaria de um
equipamento.
Nveis de Exposio
e Suportabilidade
A aplicao de um determinado tipo
de circuito de proteo contra surtos de-
pende, principalmente, do grau de expo-
sio a descarga atmosfrica da instalao
ou qualquer outro STE, ou seja, o quanto o
equipamento a ser protegido est exposto
a um surto (STE).
Caractersticas dos
nveis de exposio
Exposio elevada: situaes
com alta probabilidade de im-
pact o di ret o ou ocorrnci as
muito prximas de descargas
atmosfricas. Ex.: Topo de mon-
tanhas, altas estruturas, linhas
areas etc.
Exposio moderada: instalaes
eletrnicas em prdios pouco su-
jeitos a ao direta, mas ainda su-
jeitos a interferncia de descargas
atmosfricas prximas.
Exposio baixa: equipamentos
em uma nica sala ou abrigo, ali-
mentados atravs de um mesmo
quadro de distribuio, com cabos
de comunicao tambm confna-
dos na mesma sala.
Suportabilidade
Suportabilidade a tolerncia mxima,
em nveis de tenso e corrente, aplicados
sem a degradao das caractersticas origi-
nais de um equipamento, seja em aplicao
repetitiva ou no.
Os equipamentos eletrnicos possuem
uma curva de suportabilidade de tenso de-
pendente do tempo de durao do impulso
ou sobretenso do surto.
O estudo publicado pela CBEMA
(Computer Business Equipment Manu-
facturers Association) estabelece uma
orientao segura para operao de
equipamentos de informtica, baseada
nas caractersticas tcnicas das suas fontes
de alimentao, sendo uma forma efcien-
te de preparar uma operao tima de
equipamentos no que tange a alimentao
eltrica (fgura 8).
F6. Malha ou gaiola
de fos metlicos.
F7. Diversas confguraes para
uma malha de aterramento.
F8. Curva de Suportabilidade: (Tenso Nominal
X N Ciclos) para equipamentos eletrnicos.
Eletrnica Aplicada
Energia
Equipamentos que operam nas regies
A e B podem ter seu funcionamento com-
prometido.
Caractersticas Desejveis
dos Mdulos Protetores
Para podermos especificar qual a
melhor proteo para cada tipo de STE,
foram definidos alguns parmetros e
caractersticas eltricas desejveis destes
equipamentos:
Tenso de Clamping o valor de
tenso medido pico a pico, aps o
tempo de atuao da proteo, ou
seja, a tenso garantida aps a
proteo ter sido acionada;
Sobretenso residual o mximo
valor medido pico a pico no instante
anterior a atuao da proteo - a
tenso mxima em que o equipa-
mento fca exposto antes da atuao
do protetor;
Tempo de resposta o tempo de-
corrido entre a aplicao do pulso e
a atuao da proteo. O ponto de
atuao da proteo caracteriza-se
pela passagem do pulso pelo valor
de Clamping, sendo que aps este
instante a tenso nos terminais do
protetor mantida nos limites espe-
cfcos da atuao do mesmo.
Fator de Clamping a razo entre
a sobretenso residual e a tenso de
clamping:
Baixa distoro evitando assim
problemas como rudos na linha
telefnica.
Centelhador a Gs
Os centelhadores so constitudos por
dois ou trs eletrodos dentro de um tubo de
vidro ou cermica, separados por uma dis-
tncia bem determinada, na ordem de 1 mm,
sendo o volume preenchido por um gs raro.
Ele atua quando os limites de corrente
forem excedidos (seja em corrente, durao
ou nmero de aplicaes) podendo ter seus
eletrodos fundidos. Para entender melhor,
quando ocorre um aumento brusco da ten-
so (por um surto que atinge o centelhador),
inicia-se um processo denominado avalanche,
e que conduz a disrupo do gs. Uma vez
estabelecido o arco entre os eletrodos, a ten-
so de alimentao pode cair que o arco se
mantm ( uma descarga autossustentada).
O arco s ser extinto se a fonte no conseguir
fornecer correntes da ordem de 1 mA, ou se a
tenso da fonte fcar abaixo da tenso do arco
(entre 10 V e 20 V).
Devido a essas caractersticas, os cen-
telhadores devem ser usados em circuitos
protegidos por fusveis ou disjuntores junto
a eles e do lado da fonte.
Varistores
Os varistores so resistores cuja resistncia
varia com a tenso aplicada, por isso, tambm
denominados VDR.
Os varistores tm uma aplicao bastante
ampla devido a larga faixa de tenses (desde
4 V at 4 kV) e de correntes de impulso (100
A at 120 kA), podendo ser fornecidos para
soldagem direta SMD, nas placas de circuito
impressa (PCB Power Circuit Board), com
terminais, ou ainda sem terminais (os chama-
dos blocos para uso nos para-raios).
Diodos Supressores
Os diodos supressores so baseados nos
diodos Zener que so usados normalmente
como diodos estabilizadores de tenso, mas
para serem empregados como proteo sua
construo deve ser especial para obterem
maiores junes entre gros de silcio e maior
massa nos terminais e, desta forma, aumen-
tando a dissipao de calor. Comercialmente
recebem diversos nomes, sendo os fabricados
respectivamente pela Siemens (TAZ) e pela
General Semiconductors (TRANSZORB) os
mais facilmente encontrados no comrcio.
O tempo de resposta teoricamente de 1 a 5
ns, mas esse tempo raramente conseguido
devido a indutncia dos terminais.
Em relao aos varistores os diodos so
mais rpidos, de menor tamanho e do melhor
proteo, mas em contrapartida tm menor ca-
pacidade de dissipar potncia e so mais caros.
Desta forma eles so usados como proteo
fna, ou em locais onde as energias so baixas
e precisamos de um elevado nvel de proteo.
Proteo hbrida
Como podemos observar, um nico
dispositivo de proteo no atende simul-
taneamente aos requisitos de tempo de
atuao, capacidade de conduo de corrente
e as caractersticas de suportabilidade de
tenso dos equipamentos que normalmente
precisamos proteger. Surge ento a opo de
usarmos uma proteo hbrida, onde usamos
as qualidades de cada elemento de proteo
para atenuar as desvantagens do outro, sendo
normalmente dividida em proteo primria,
proteo secundria e fltros.
Sendo que a proteo primria deve
atender as caractersticas do surto, princi-
palmente quanto a capacidade de conduo
de corrente. E apresenta nveis de tenso de
operao superiores queles suportados pelos
equipamentos protegidos e sua velocidade
de atuao sempre menor que a requerida.
Os prximos estgios j apresentam
sempre velocidades de atuao superiores e
nveis de atuao (tenso de disparo) precisos
e compatveis com os nveis de suportabi-
lidade de tenso dos componentes a serem
protegidos, porm possuem baixa capacidade
de conduo de energia.
Para atuar como elemento de retardo de
corrente e divisor de potncia so utilizados
fltros, normalmente indutivos, que defasam
e dividem a corrente e a tenso em tempo
sufciente para permitir que o estgio subse-
quente opere com baixos nveis de energia at
que ocorra a atuao da proteo primria.
Equalizao de potencial
Para nos assegurarmos quanto prote-
o contra STE, um sistema de aterramento
equalizado, ou seja, nico, se constitui como
a proteo mais completa, isto , ele garante
uma proteo contra descargas atmosfricas,
proteo das instalaes de baixa tenso, dos
sistemas eletrnicos e de telecomunicaes.
A equalizao de potencial necessria
principalmente onde existam muitos equi-
Baseados nestes parmetros, agora pode-
mos defnir as caractersticas desejveis dos
protetores contra STE:
Grande capacidade energtica para
que possa suportar grandes descargas
de corrente e tenso;
Velocidade rpida de atuao com
baixa sobretenso residual quanto
mais rpido ele atuar, menor ser a
sobretenso que o equipamento pro-
tegido ir receber;
Tenso de Clamping condizente com
a classe de suportabilidade do equipa-
mento protegido;
Baixa atenuao para que os equipa-
mentos no tenham suas capacidades
alteradas;
F9. Equalizao de potencial em um
ponto, ou distribuda em vrios pontos.
pamentos eletrnicos sensveis, e em alguns
casos a nica proteo de equipamentos e
operadores.
A equalizao de potencial obtida
mediante a interligao equipotencial, inter-
ligando:
Sistema de proteo contra descargas
atmosfricas;
Armao metlica da estrutura;
Instalaes metlicas;
Massas e blindagens de condutores;
Sistemas eltricos;
Sistemas eletrnicos;
Sistemas de telecomunicaes;
Lembrando que os condutores vivos de-
vem, obrigatoriamente, ser conectados atravs
de protetores contra surtos.
A equalizao deve ser efetuada tanto em
um nico ponto, quando as distncias forem
pequenas, como em vrios pontos, quando h
grandes distncias ou vrios equipamentos
em um mesmo ambiente (fgura 9).
Concluso
Os sistemas de proteo contra surtos
so visivelmente negligenciados durante
uma manuteno ou at mesmo durante a
instalao de sistemas eletroeletrnicos, en-
to, espero ter demonstrado de uma forma
geral que a instalao de uma proteo no
simplesmente uma norma legal, e sim uma
segurana para os equipamentos eletroele-
trnicos e, principalmente, para ns mesmos
que trabalhamos uma boa parte do dia perto
de um micro ou uma mquina conectada a
sistemas eltricos. E
Eletrnica Aplicada
Energia
C
omponentes de uma instalao,
equipamentos e a prpria insta-
lao eltrica podem ser afetados
pela presena de harmnicas.
Danos irreversveis podem ocorrer em
muitos dos casos.
Os efeitos da presena de harmnicas
em uma rede se manifestam de diversas
formas. Em alguns casos, eles podem
ser ouvidos na forma de oscilaes ou
vibraes estranhas dos aparelhos ali-
mentados. Em outras situaes, podem
ser percebidos pelo sobreaquecimento
ou mesmo oscilaes da tenso afetando
o brilho das lmpadas que iluminam o
local. No entanto, a maioria s poder
ser detectada de forma efciente com a
utilizao de instrumentos apropriados.
Analisemos esses efeitos.
Sobreaquecimentos
As harmnicas podem ter frequn-
cias muitas vezes maiores do que o sinal
fundamental. Pelo efeito pelicular, as
correntes de frequncias mais elevadas
tendem a circular pelas camadas exte-
riores do condutor. Isso signifca que a
resistncia encontrada (pela distribuio
no uniforme da corrente) ser maior,
com um aquecimento consequentemente
maior, conforme mostra a fgura 1.
Atuao de Sistemas
de Proteo
Os valores eficazes das correntes
podem ser pequenos, mas se o fator de
crista for elevado, dada a presena de
harmnicas, teremos o disparo dos dispo-
sitivos de proteo, mesmo que a corrente
no circuito seja aparentemente menor do
que o necessrio para isso.
Veja que esse fato importante nos
casos onde tenhamos computadores sen-
do alimentados por uma rede comum e
equipamentos que tenham caractersticas
capazes de gerar harmnicas e, com isso,
disparar disjuntores com frequncia.
Circuitos separados ou no-breakes so re-
comendados para que no ocorra a perda
de informaes em caso de interrupo do
fornecimento de energia.
Ressonncia
Cargas indutivas em paralelo com car-
gas capacitivas podem formar um circuito
ressonante LC, conforme ilustra a fgura 2.
Os bancos de capacitores usados na
correo do fator de potncia de certas
instalaes formam com as cargas indu-
tivas, circuitos ressonantes capazes de
amplifcar certas harmnicas presentes
nessas redes.
Alteraes de Tenso e
Fator de Potncia
Como um outro efeito provocado
pela presena de harmnicas numa rede,
temos o aumento das quedas de tenso e
a reduo do fator de potncia.
O que Fazer para Corrigir
os Problemas?
Constatando-se problemas causados
pela presena de harmnicas em uma
rede, diversas so as aes a realizar no
sentido de se fazer sua correo. A seguir,
detalhamos algumas delas.
Cuidados com os conduto-
res de Fase e Neutro
Os critrios da norma NBR5410 devem
ser a base para o dimensionamento dos
condutores. Na norma previsto o caso
ideal em que no existem harmnicas.
Entretanto, a corrente do circuito deve
considerar a presena das harmnicas,
Influncia das Harmnicas na Alimentao de
Dispositivos Eletrnicos:
Efeitos, e como elimin-los
Na primeira parte deste artigo
vimos que a energia da rede que
alimenta dispositivos em indstrias,
comrcios e residncias no pura,
contendo harmnicas que podem
causar srios problemas a esses
equipamentos. Nessa 2 parte vere-
mos quais so esses efeitos e, uma
vez constatados, como podem ser
eliminados.
Newton C. Braga
levando-se em conta que ela pode chegar
a ter at trs vezes o valor das correntes
das fases, veja a fgura 3.
Assim, em lugar da recomendao da
norma para que o condutor de neutro te-
nha metade da seco das fases, em alguns
casos esse condutor dever ser at mais
grosso que os condutores de fase, dada a
presena das harmnicas.
Um descuido nesse dimensionamento
pode levar a sobreaquecimentos e at
a problemas com o prprio dispositivo
alimentado.
Isso nos leva a procedimentos b-
sicos para a determinao das seces
dos condutores para circuitos trifsicos
em que estejam presentes harmnicas,
principalmente de 3 ordem nas fases.
Considerava-se ainda que os condutores
sejam dos mesmos materiais.
Esses procedimentos consistem em
se corrigir as bitolas recomendadas de
acordo com a presena de harmnicas
conforme a seguinte tabela 1. Essa corre-
o vlida para circuitos trifsicos de 4
condutores.
Esta tabela deve ser usada em conjun-
to com as tabelas 31 a 34 da NBR5410/97.
Filtros
O controle da presena de harmnicas
em uma instalao de vital importncia
para se ter algumas garantias importan-
tes para o correto funcionamento dos
aparelhos alimentados. Uma baixa THD
significa ter uma forma de onda mais
prxima possvel da senoidal.
Internacionalmente, recomenda-se
como limite para a presena dessas distor-
es em todos os pontos de uma instalao
5 %. Normas como a IEC 61000 3 2 ,
IEC 3 4, IEEE 519-2 especifcam os
limites de THD que devem existir numa
instalao eltrica.
Os valores de THDU e THDI (Distor-
es Harmnicas de Tenso e Distores
Harmnicas de Corrente) esto interli-
gados. Isso significa que os processos
utilizados na sua reduo podem operar
com as duas grandezas.
Os processos usados na reduo da
THDI e THDU so basicamente trs.
Uso de indutncias
Neste caso, o que se faz ligar
uma indutncia em srie com o dis-
Porcentagem da
3 harmnica na fase
Correo da seco
baseada na fase
Correo da seco
com base no neutro
0 15% 1,0 -
15 33% 0,86 -
33 45% - 0,86
maior que 45% - 1,0
positivo alimentado, conforme mostra
a figura 4.
A indutncia agregada somada
indutncia do cabo e da fonte (transfor-
mador ou gerador), ocorrendo ento uma
atenuao dos sinais de frequncias mais
elevadas. que correspondem justamente
s harmnicas. Fontes chaveadas usadas
em computadores e outros dispositivos
fazem uso desta tcnica.
Embora esta soluo tenha uma efci-
ncia limitada e dependendo da aplicao
suas dimenses possam ser grandes, alm
de haver uma certa queda de tenso na
linha, as vantagens principais esto na
sua simplicidade e possibilidade de uso
praticamente em qualquer tipo de fonte.
Filtro passivo
Neste caso, conforme exibe a fgura 5,
o que se faz ligar um fltro LC em parale-
lo com o circuito alimentado, responsvel
pela poluio da energia.
Os valores dos elementos deste cir-
cuito devem ser tais que a impedncia do
fltro seja zero na frequncia da harm-
nica que deve ser eliminada. Esse fltro
tambm recebe a denominao de no
compensado.
Um outro tipo de fltro LC o com-
pensado, que tem a confgurao dada
na fgura 6.
Nesse fltro temos uma indutncia a
mais ligada em paralelo com o conjunto
LC srie. Essa indutncia adicional reduz
F1. Sobreaquecimento do con-
dutor pelo efeito pelicular.
F2. Circuito res-
sonante LC.
F3. Presena de harmnicas nos
condutores de Fase e Neutro.
F4. Filtro de harmnicas
com uso de Indutncia.
T1. Correes das bitolas
dos fos FASE e NEUTRO.
Eletrnica Aplicada
Energia
a energia capacitiva exigida do gerador,
principalmente no momento da partida.
Estes filtros passivos apresentam
como principal vantagem a sua simplici-
dade e confabilidade, alm da facilidade
de instalao, sendo bastante efcientes
quando a taxa de distoro harmnica
inferior a 5 %.
Todavia, como desvantagem eles eli-
minam apenas os sinais sintonizados, no
sendo efcazes numa banda mais larga.
Filtros Ativos
Os fltros ativos ou condicionadores
ativos como tambm so chamados, so
ligados em paralelo entre a fonte geradora
das harmnicas e a fonte de alimentao,
atente para a fgura 7.
Esse tipo de fltro monitora em tempo
real as fases do sinal, e a partir dessa an-
lise ele gera o espectro harmnico. Com
as informaes contidas neste espectro
harmnico, o fltro gera uma corrente de
compensao que a diferena entre a
corrente total da carga e a fundamental.
Essa corrente (que consiste na soma
das correntes fundamental e harmnicas)
injetada no circuito, porm em oposi-
o de fase de modo a cancelar os sinais
harmnicos. O resultado da combinao
dessas correntes um sinal senoidal puro
aplicado carga.
Veja que, este fltro faz com que no
percurso entre a fonte e a carga no exis-
tam correntes harmnicas circulando.
Note, ento, que outros equipamentos
ligados mesma fonte neste percurso no
sero afetados pela eventual presena de
harmnicas na linha de alimentao.
Os fltros ativos so circuitos com se-
micondutores de potncia, normalmente
IGBTs, e so projetados para atuar numa
faixa de harmnicas que vai do segundo
ao vigsimo quinto.
Transformadores
Em muitas instalaes so usados
transformadores que tm por fnalida-
de modifcar as tenses e correntes, ou
ainda para se obter um neutro de forma
diferente, isolando trechos ou ainda pro-
porcionando um nvel segurana maior.
No entanto, as propriedades eltricas
desses componentes tambm permitem
que eles sejam empregados na confnao
dos circuitos que alimentam equipa-
mentos geradores de harmnicas. Um
transformador pode bloquear a passa-
gem das harmnicas de uma linha para
outros trechos, afetando assim outros
equipamentos que so alimentados por
essa mesma linha, acompanhe na fgura 8.
O modo como os enrolamentos de um
transformador so ligados determina a
ordem de bloqueio de certas harmnicas.
Logo, temos duas possibilidades.
Na primeira, mostrada na fgura 9, um
transformador com uma ligao tringu-
lo/estrela capaz de confnar ao trecho
alimentado pelos secundrios as terceiras
harmnicas e suas mltiplas.
Esse tipo de aplicao para um trans-
formador especialmente indicado para
a alimentao de quadros que tenham
como cargas equipamentos com fontes
monofsicas, tais como computadores,
copiadoras, eletrodomsticos, etc.
Para o caso de cargas trifsicas, onde
predominam as quintas e stimas harm-
nicas, a melhor soluo consiste na utiliza-
o de um transformador com secundrio
duplo, conforme ilustra a fgura 10.
Estes enrolamentos fazem com que
haja um deslocamento de fase de 30 graus
nas tenses, o que implica com que as
correntes harmnicas se somem algebri-
camente e com isso se cancelem antes do
transformador, desaparecendo assim da
linha que alimenta o primrio.
Este tipo de soluo deve, entretanto,
alimentar apenas cargas trifsicas de
mesmas caractersticas, ou seja, que te-
nham o mesmo espectro harmnico alm
de carregarem da mesma forma os enro-
lamentos secundrios do transformador.
Isso necessrio para que as correntes de
primrio, quando somadas, resultem em
um valor o mais prximo de zero quanto
seja possvel.
Concluso
A presena de harmnicas numa linha
de alimentao um problema que se
agrava com o uso de dispositivos comu-
tadores, na maioria das aplicaes.
As fontes comutadas, os dispositivos
da famlia dos tiristores que trabalham
com a rpida comutao de correntes em
F5. Filtro
Passivo LC.
F6. Filtro LC com-
pensado.
F7. Filtro ou condicio-
nador ativo.
F8. Uso de trafo para blo-
quear harmnicas.
inversores de frequncia, os controles
de velocidade e muitos mais geram uma
grande quantidade de harmnicas que
polui as linhas de alimentao, causando
diversos tipos de problemas.
Nestes dois artigos estudamos como
as harmnicas so geradas, o que elas
podem causar em uma instalao e
completamos com alguns procedimen-
tos que podem ser adotados para sua
eliminao, entre eles o uso de fltros e
transformadores.
Tambm tratamos da escolha ade-
quada dos cabos de uma instalao onde
a presena de harmnicas ocorra de
forma mais frequente, podendo causar
problemas de aquecimentos e desarme
de dispositivos de proteo.
Acreditamos que este artigo tenha sido
de grande utilidade para os que fazem
instalaes eltricas, manuteno de ins-
talaes, principalmente em indstrias e
outros locais onde esses problemas possam
se manifestar de forma mais intensa.
F9. Trafo com ligao
tringulo/estrela.
F10. Trafo com secundrio duplo para o
caso de cargas trifsicas.
E
Eletrnica Aplicada
Telecomunicaes
Em importante documentao tcnica, a Texas Instruments (www.
ti.com) descreve solues para se implementar comunicaes utilizando
a rede de transmisso de energia eltrica ou PLC (Power Line Commu-
nications). Estas solues encontram uma enorme gama de aplicaes
prticas que procuramos descrever neste artigo, totalmente baseado
naquela documentao. Os leitores que tenham um bom conheci-
mento do ingls podem acessar a documentao original digitando:
slay021PLC, no search do site daTexas Instruments.
Solues Texas
Instruments para
Transmisso de Dados pela
Rede de Energia (PLC)
Newton C. Braga
O
meio ruidoso em que se constitui
a rede de transmisso de energia
dificulta a sua utilizao em comu-
nicaes a longas distncias e em
altas velocidades. No entanto, para curtas e
mdias distncias, ou em sistemas que no
exijam altas velocidades, a implementao
de sistemas se torna vivel permitindo sua
utilizao numa ampla gama de aplicaes
prticas.
Com a possibilidade de se usar o prprio
cabeamento de energia para transmitir
dados, aplicaes importantes na automa-
o predial, segurana e mesmo links de
dados para monitoramento de consumo se
tornam simples de implementar, com custos
reduzidos e desempenhos que atendem
plenamente aos usurios.
Dentre as possibilidades que a PLC
oferece, destacamos o controle de lmpadas
(dimmers) feito a partir de qualquer local de
uma instalao eltrica ou de uma central
inteligente de controle que gerencie a ener-
gia consumida no local. O mesmo sistema
pode acionar (ou desligar) lmpadas em
determinados horrios segundo progra-
mao, usando os comandos feitos atravs
da prpria rede de energia que as alimenta.
Tambm podemos implementar sistemas de
segurana com sensores inteligentes que se
comunicam com uma central, utilizando
a fiao do prprio prdio que deve ser
protegido.
O monitoramento do consumo de
energia, aparelho por aparelho, registrado
numa central inteligente que tambm o
gerencie, outra possibilidade importante
que a PLC apresenta.
Com uma preocupao crescente com o
consumo consciente da energia e a entrada e
utilizao de novas fontes, como os painis
solares, o gerenciamento do interfaceamento
das diversas fontes, feito atravs da prpria
linha de energia que elas fornecem, pos-
svel com o emprego da tecnologia PLC.
Um gerenciamento dos inversores uti-
lizados com os painis solares a partir de
centrais inteligentes pode ser criado com
facilidade de modo a se obter o melhor
aproveitamento da energia gerada.
Eletrnica Aplicada
Os Padres
O modo como os dados podem ser envia-
dos atravs da rede de energia estabelecido
por diversos padres. Os padres existentes
levam em conta os diversos ambientes de
operao e tambm as aplicaes possveis.
Os mais conhecidos so os G3 e PRIME.
Pode-se dizer que o G3 primo do IEEE
P19012, visando aplicaes que exigem mais
robustez. Dada sua capacidade de trabalhar
melhor em ambientes com elevado nvel de
rudo, atualmente o G3 tem sido o escolhido
para a maioria das aplicaes. Na tabela 1,
da documentao da Texas Instruments,
damos as principais caractersticas destes
padres.
A G3 Alliance a responsvel pela
evoluo do padro G3 que opera na banda
CENELEC-A usada na Europa, de 3 - 95 kHz,
e que pode se estendida por toda banda do
FCC de modo a possibilitar uma taxa maior
de transmisso de dados em outros pases.
O padro G3 permite a transmisso
bidirecional com uma taxa efetiva de 20 a
40 kbps na banda CENELEC-A e at 200 -
400 kbps na banda do FCC (G3-FCC). Ele
coexiste com a S-FSK e outras tecnologias
PLC legalizadas.
Para proporcionar uma imunidade
maior s interferncias e atenuao, o padro
G3 adota a modulao OFDM (Orthogonal
Frequency-Division Multiplexing). Como resul-
tado, podem ser conseguidos alcances de at
6 milhas em trechos entre transformadores
de mdias tenses. No caso em que existam
transformadores de mdia e baixa tenso no
percurso do sinal, o alcance ficar na faixa
de 2 a 3 milhas, dependendo de diversos
fatores adicionais.
muito importante ressaltar a capaci-
dade dos sinais de passar atravs de trans-
formadores, principalmente em reas rurais
onde a densidade de populao baixa.
O que ocorre que os transformadores
consistem em um obstculo para os sinais,
exigindo eventualmente o emprego de um
concentrador, cuja finalidade passar os
sinais atravs dele, aplicando-os a um trecho
seguinte da linha.
A utilizao de um concentrador com
estes transformadores numa localidade de
baixa densidade de populao no com-
pensa seu custo.
Como o G3 permite a passagem dos
sinais atravs dos transformadores, os
concentradores podem ser colocados apenas
nos locais em que eles possam reunir dados
de diversos locais e em que se observe que
eles so necessrios.
O G3 tambm forma o as partes Annex-A
e Annex-D (G3-FCC) do ITU G.9955 (G.9956
pra G3 MAC). O IEEE est desenvolvendo
uma verso mundial do G3 com o nome
de P1901.2, que dever estar disponvel no
final de 2012.
Para conseguir maior taxa de dados,
o G3-FCC utiliza modulao coerente e
diversas demodulaes para o modo rob,
BPSK, QPSK, 8PSK e 16QAM com um ganho
de at 5 dB.
Alm do G3
Na busca da melhor soluo para im-
plementao da PLC, diversos pases esto
fazendo testes no sentido de verificar seu
desempenho sob condies ruidosas de
operao. Podemos citar o caso da Coreia
que faz testes com cabos subterrneos.
Mas no so todos os pases que esto
adotando o G3. Pases como a Espanha
e Frana escolheram outras tecnologias.
Evidentemente, diante da batalha entre
os padres, com a possibilidade de cada
pas adotar um padro diferente, os OEM
que puderem desenvolver produtos multi-
-padro estaro numa posio privilegiada
para colocar seus produtos no mercado.
A Texas Instruments disponibiliza uma
plataforma que pode operar com todos os
padres da tabela que demos. Para isso
ela criou a PLC-Lite como plataforma de
desenvolvimento no baseada em padres,
de baixo custo e muito flexvel para o de-
senvolvimento de aplicativos PLC.
Justamente por no ser uma plataforma
de desenvolvimento padronizada, os desen-
volvedores podem explorar a flexibilidade
da PLC-Lite para otimizar a implementa-
o das caractersticas especficas de canal e,
com isso, melhorar a robustez do link em
ambientes em que a G3 e PRIME encontram
dificuldades devido ao fato de que o nvel
de interferncia na linha exige capacidade
de manuseio excepcional.
A taxa mxima de dados da PLC-Lite
de 21 kbps e ela suporta tanto os modos
Banda Completa (Full-band) como Meia
Banda (Half-band), conforme a tabela 2.
Ela possui recursos para proporcionar
robustez em relao a determinados tipos
de interferncia como as de banda estreita
que podem afetar os links G3.
A PLC-Lite apropriada para as
aplicaes muito sensveis ao custo e onde
a complexidade do G3 e PRIME no so
exigidas. No entanto, um canal robusto de
comunicao necessrio.
Parmetro IEC1334 S-FSK PRIME (OFDM) G3 (OFDM) P1901.2 / G3-FCC (OFDM)
Tamanho da Modulao Spread frequency shift keying DBPSK / DQPSK / D8PSK DBPSK / DQPSK / (D8PSK) D8PSK/DQPSK/D8PSK/modula-
o coerente
Correo de erro direta N/A taxa do cdigo convolu-
cional
RS Externo + taxa interna
cdigo convolucional
RS Externo + taxa interna
cdigo convolucional
Taxa de dados 2,4 kbps 21, 42, 64, 84, 64 kpbs (com
codificao)
20, 36/34, 76 (46)kpbs (com
codificao)
Escalvel at 250 kbps
Plano de banda CENELEC-A Continuo 42-89 kHz (definido
pelo cenrio LV)
36-91 kHz com mascaramento
de tom para SFSK
CENELEC-A, Banda FCC
Modo ROBO No No Sim Sim
Mscara de tom No No Sim Sim
Mapa de tom adaptativo No Sim Sim Sim
MAC IEC61334 MAC PRIME MAC Perfil 802.15 4/63 Baseado no 802.15.4
Camada de convergncia IEC61334-4-32 IEC61334-4-32/IPv6 6LoWPAN/IPv6 6LoWPAN/IPv6
Aplicao para medida COSEM/DLMS COSEM/DLMS, IP COSEM/DLMS, IP COSEM/DLMS, IP
T1. Principais caractersticas
dos diversos padres.
Eletrnica Aplicada
Telecomunicaes
Podemos fazer uma comparao com os
controles remotos de diversos aplicativos
domsticos que no necessitam de todas
as capacidades do Wi-Fi para um simples
aumento de volume, liga- desliga de um CD,
ou troca de canal de um televisor.
Isto importante, pois numa aplicao
simples como: acender ou apagar uma
lmpada, mudar volume, ou trocar canal
no se necessita mais do que alguns kbps
para executar a funo.
A PLC-Lite tambm especialmente
indicada para desenvolvimento de dispo-
sitivos que devem operar alm do medidor
de energia como conversores solares, ilumi-
nao industrial e residencial e aplicaes
de rede.
Flexibilidade atravs
de Software
Com o seu software plcSUITE, a Te-
xas Instruments proporciona uma soluo
totalmente operacional para os principais
sistemas PLC com um processamento
completo de camadas MAC e PHY, assim
como uma API para a aplicao - veja a
figura 1.
A simplicidade de uso do software
plcSUITE da Texas Instruments facilita
a criao de um produto em muito menos
tempo, o que um fator importante para sua
chegada ao mercado antes dos concorrentes.
Os desenvolvedores podem pedir uma
verso licenciada do cdigo- fonte, dando
a opo de utilizar os componentes que
desejarem.
Um dos pontos de destaque do PLC
software PE que ele roda em seus MCUs.
Para aplicaes em que o PLC deva ser im-
plementado em subsistemas independentes,
o microcontrolador PLC83 proporciona uma
abordagem econmica.
Caso se exija que a aplicao e o PLC
devam rodar no mesmo processador, a
plataforma C2000 Concerto de micro-
controladores da Texas Instruments
uma soluo importante, pois ela oferece
uma variedade de opes com diferentes
densidades de memria e capacidades de
processamento.
Uma vantagem importante destes pro-
cessadores que eles tm ainda a capacidade
de suportar maior taxa de dados. Para
aplicaes de baixo custo, a Texas oferece
ainda o processador F280x da srie C2000
Piccolo que usa a plataforma PLC-Lite.
Banda Meia Banda A/B/C/D, configurvel
no compliante CENELEC run-time
Banda Completa CENELEC A
Largura de banda 23 kHz 47 kHz
Frequncia de amostragem 500 kHz 250 kHz
Durao dos dados/caberio 2.24 ms 2.24 ms
Durao do prembulo (cada) 2.048 ms 2.048 ms
Taxa de dados PHY 21 kbps (BPSK)
11 kbps (BPSK + FEC)
2.6 kbps (Robo-4)
1.3 kbps (Robo-8)
42 kbps (BPSK)
21 kbps (BPSK + FEC)
5.2 kbps (Robo-4)
2.6 kbps (Robo-8)
Tamanho da FFT 1024 512
Tamanho do CP 96 48
Nmero de subportadoras 49 97
MAC CSMA/CA CSMA/CA
F1. O software plcSUITEda Texas Instruments propor-
ciona uma soluo para os principais sistemas de PLC.
T2. Principais especificaes nos modos
suportados: Meia Banda e Banda completa.
E
O desenvolvedor poder escolher a me-
lhor soluo para seu produto em termos de
custo e desempenho, uma vez que ele dispe
de diversos tipos de microcontroladores.
Kit de Desenvolvimento
Os desenvolvedores podem ter um con-
tato inicial com a tecnologia PLC atravs do
kit de avaliao TMDSPCLKIT-V3 da Texas
Instruments, o qual inclui a plcSUITE e
a ferramenta Zero-Configuration Gui Tool.
Trata-se de uma poderosa ferramenta que
permite a caracterizao de um canal de
link. No modo de configurao zero, os
desenvolvedores podem transmitir dados
entre nodos sem ter de definir qualquer
parmetro de configurao. Isso simplifica
substancialmente o processo de avaliao,
especialmente pelos desenvolvedores que
ainda no esto familiarizados com detalhes
da implementao de PLC.
A ferramenta tambm ajuda a acelerar o
desenvolvimento de um produto, suportan-
do o modo expert no qual o desenvolvedor
pode fazer o ajuste fino de uma configurao
de canal de modo a capturar mais dados
atravs do canal.
Diversos testes foram realizados em
pases para se obter informaes que per-
mitam a utilizao da tecnologia PLC de
maneira mais eficiente, analisando como
os meios especficos podem influir em
seu desempenho. Estes testes podem ser
visualizados na documentao original da
Texas Instruments no link dado no incio
do artigo.
Mais informaes podem ser obtidas
na Texas Instruments do Brasil.
Eletrnica Aplicada
Neste artigo, veremos o que uma plataforma WSN, e quais so as suas
caractersticas e topologias. Tambm veremos uma Rede de Sensores sem Fio
da National Instruments.
O que uma Rede de
Sensores sem Fio?
National Instruments
U
ma rede de sensores sem fio (Wi-
reless Sensor Network) uma rede
sem fio que consiste de dispositivos
autnomos distribudos espacial-
mente, os quais utilizam sensores para
monitorar condies fsicas ou ambientais.
Estes dispositivos autnomos, ou ns, so
utilizados com roteadores e um gateway
para criar um tpico sistema WSN. Os ns
de medio distribudos comunicam-se
(sem fio) com um gateway central, o qual
fornece uma conexo ao mundo cabeado
onde voc pode medir, processar, analisar
e apresentar seus dados coletados. Para
aumentar a distncia e a confiabilidade de
uma rede de sensores sem fio, voc pode
utilizar roteadores para um link adicional de
comunicao entre os ns finais e o gateway.
As redes de sensores sem fio da Natio-
nal Instruments oferecem confiabilidade,
com ns de medio de baixa potncia
que operam por at trs anos com 4 pilhas
AA e podem ser utilizados por um longo
prazo, operando remotamente. O protocolo
NI WSN, baseado nas tecnologias IEEE
802.15.4 e ZigBee, fornece um padro de
comunicao de baixa potncia que possui
capacidades de roteamento de malha para
aumentar a distncia e a confiabilidade da
rede. O protocolo sem fio que voc seleciona
para sua rede depende dos requisitos de sua
aplicao. Para aprender mais sobre outras
tecnologias sem fio para sua aplicao, veja o
artigo Selecting the Right Wireless Technology.
Aplicaes WSN
A monitorao integrada abrange vrias
reas de aplicao, incluindo aquelas em que
limitaes de potncia ou infraestrutura
fazem uma soluo cabeada apresentar um
custo alto, desafiador, ou quase impossvel.
Voc pode posicionar redes de sensores sem
fio junto com sistemas cabeados para criar
um sistema de medio e controle completo,
cabeado e sem fio.
Um sistema WSN ideal para uma
aplicao como monitorao ambiental,
cujos requisitos exigem aquisio de dados
por longos prazos para realizar medies
de caractersticas da gua, do solo ou do
clima. Para utilidades como rede eltrica,
iluminao pblica e distribuio de gua,
sensores sem fio oferecem um mtodo de
baixo custo para coletar dados sobre a sade
do sistema, reduzir o consumo de energia
e melhorar o gerenciamento de recursos.
No monitoramento de sade de estrutu-
ras, voc pode utilizar sensores sem fio para
monitorar efetivamente rodovias, pontes e
tneis. Voc tambm pode implantar esses
sistemas para monitorar continuamente
edifcios comerciais, hospitais, aeroportos,
Eletrnica Aplicada
Conectividade
F1. reas de aplicao de WSN.
F2. Arquitetura de uma rede de sensores sem fio comum.
fbricas, usinas de energia e instalaes de
produo. Veja a figura 1.
Arquitetura de um
Sistema WSN
Em uma arquitetura WSN comum,
os ns de medio so implantados para
adquirir medidas como as de temperatura,
tenso ou mesmo de oxignio dissolvido.
Os ns so parte de uma rede sem fios
administrada pelo gateway, que governa
aspectos da rede como autenticao de
cliente e segurana de dados. O gateway
coleta os dados medidos em cada n e os
envia atravs de uma conexo cabeada, ti-
picamente Ethernet, para uma controladora
host. Nesta controladora, um software como
a plataforma de programao grfica NI
LabVIEW pode fornecer processamentos e
anlises avanadas e apresentar seus dados
em um estilo que atenda suas necessidades.
Observe um exemplo de Arquitetura de
Rede na figura 2.
Padres de Potncia e Rede
Um n de medio WSN contm vrios
componentes incluindo o rdio, a bateria,
o microcontrolador, o circuito analgico, e
a interface com o sensor.
Em sistemas energizados por baterias,
voc deve checar constantemente a con-
dio das mesmas e substitu-las quando
necessrio, pois maiores taxas de dados
e uma utilizao mais frequente do rdio
consomem mais energia.
Atualmente, baterias e tecnologias de
gesto de energia evoluem continuamente
devido extensa pesquisa.
Em aplicaes WSN comum a neces-
sidade de trs anos de vida das baterias,
portanto, muitos destes sistemas hoje so
baseados em protocolos ZigBee ou IEEE
802.15.4 devido ao seu baixo consumo de
energia. O protocolo IEEE 802.15.4 define
as camadas de controle de acesso mdio
e fsico no modelo de rede, fornecendo
comunicao nas bandas 868 a 915 MHz e
2,4 GHz ISM, alm de taxa de dados de at
250 kb/s. O ZigBee projetado para atuar
sobre as camadas do 802.15.4 para fornecer
segurana, confiabilidade atravs de topo-
logias de rede em malha, e interoperabili-
dade com outros dispositivos e padres.
O ZigBee tambm permite aplicao de
objetos definidos pelo usurio, ou perfis,
que fornecem personalizao e flexibilidade
com o protocolo.
Alm dos requisitos de vida longa,
voc deve considerar o tamanho, o peso, e
a disponibilidade das baterias, bem como as
normas internacionais para seu embarque.
O baixo custo e grande disponibilidade das
baterias alcalinas e de zinco- carbono fazem
delas uma escolha comum.
Tcnicas de coleta de energia tambm
esto se tornando mais comuns em redes
de sensores sem fio. Com dispositivos que
utilizam clulas solares ou coletam calor de
seu ambiente, voc pode reduzir ou mesmo
eliminar a necessidade de fornecimento de
energia atravs de baterias.
Tendncias do Processador
Para prolongar a vida das baterias, um
n WSN acorda periodicamente para ad-
quirir e transmitir dados, ligando o rdio e
depois desligando-o para conservar energia.
O rdio WSN deve transmitir de maneira
eficiente um sinal e permitir que o sistema
volte a dormir, realizando isso com um
mnimo consumo de potncia.
Do mesmo modo, o processador tambm
deve ser capaz de acordar, energizar-se
e voltar a dormir de modo eficiente. As
tendncias de tecnologias de micropro-
cessadores para WSNs incluem reduo
do consumo de energia enquanto mantm
ou aumentam a velocidade do processador.
Tal qual a escolha do rdio, trade off de
consumo de energia e velocidade de proces-
samento uma preocupao fundamental
na seleo de um processador para WSN.
Isto faz com que arquiteturas PowerPC e
baseadas em ARM sejam uma opo no
indicada para dispositivos alimentados
por baterias.
Uma opo mais comum de arquitetura
inclui o TI MSP430 MCU, que foi projetado
para operao de baixa potncia. Dependen-
do do processador especfico, o consumo de
energia no sleep mode pode variar de 1 a 50
W, enquanto que em operao o consumo
pode variar de 8 a 500 mW.
Topologias de Rede
Voc pode utilizar vrias topologias
de rede para coordenar o gateway WSN,
os ns finais e os ns roteadores. Estes
ltimos so similares aos ns finais, j que
podem adquirir dados de medio, mas voc
tambm pode utiliz-los para transmitir
dados medidos ao longo de outros ns. A
primeira e mais bsica topologia a estrela
(star), na qual cada n mantm uma nica
via de comunicao direta com o gateway.
Esta topologia simples, mas restringe a
distncia total que sua rede pode alcanar.
Para aumentar a distncia que uma rede
pode alcanar, voc pode implementar uma
topologia cluster, ou rvore. Nesta arquite-
tura mais complexa, cada n mantm um
nico caminho para o gateway, mas pode
utilizar outros ns para rotear os dados
ao longo desse caminho. Entretanto, esta
topologia apresenta uma desvantagem:
se um n roteador perder a comunicao,
todos os ns que dependem desse n ro-
teador perdero sua via de comunicao
com o gateway.
A topologia rede de malha remedia
este problema utilizando vias de comu-
nicao redundantes para aumentar a
confiabilidade do sistema. Em uma rede
de malha, os ns mantm mltiplas vias de
comunicao com o gateway, de modo que,
se um n roteador perder a comunicao, a
rede automaticamente redireciona os dados
por um caminho diferente. A topologia de
malha, embora muito confivel, sofre de
um aumento na latncia da rede, pois os
dados devem fazer mltiplos saltos antes
de chegarem ao gateway.
Veja as trs topologias de redes na
figura 3.
Vantagem da rede de
sensores sem fios da NI
Com a plataforma WSN da National
Instruments, voc pode personalizar e
melhorar uma tpica arquitetura WSN para
criar um completo sistema de medio,
cabeado e sem fios, para sua aplicao.
A integrao dos softwares da NI fornece
a flexibilidade para escolher um controlador
host baseado em Windows para seu sistema
WSN ou um controlador host de tempo real
como o NI CompactRIO, dando-lhe a pos-
sibilidade de integrar E/S reconfigurveis
com suas medies sem fios.
Com ambos os controladores host,
voc pode utilizar o LabVIEW e o software
NI-WSN com integrao ao projeto no Lab-
VIEW e programao clique e arraste para
configurar facilmente seu sistema WSN, de
modo a extrair dados de alta qualidade de
suas medies, fornecer anlises e apresen-
tar seus dados.
Alm disso, a integrao com Lab-
VIEW oferece a possibilidade de ampliar
a conectividade de sua aplicao WSN e o
nvel de dados por todo caminho atravs
da internet para o cliente final, como um
iPhone ou um laptop.
Voc pode utilizar esta arquitetura de
sistema completa para adquirir dados de
praticamente qualquer lugar com uma rede
de sensores sem fio da NI, process-los e
armazen-los em um servidor, e depois
acessar os dados convenientemente e
remotamente a partir de um dispositivo
inteligente sem fio.
Para aprender mais sobre as opes em
sistemas de medio WSN, veja o artigo NI
WSN Measurement Systems.
F3. Topologias de rede WSN.
Eletrnica Aplicada
Industrial
P
a
r
t
e

3
Nesta ltima parte da srie sobre Redes Industriais, veremos a rede
digital multi-drop para conexo entre sensores, atuadores e sistemas
de automao industrial em geral, DeviceNet. Alm disso, os protocolos
HART / 4-20 mA e WirelessHART
TM
Redes
Industriais
Csar Cassiolato
DeviceNet
DeviceNet um rede digital, multi-drop,
para conexo entre sensores, atuadores e
sistema de automao industrial em geral.
Ela foi desenvolvida para ter mxima
flexibilidade entre equipamentos de cam-
po e interoperabilidade entre diferentes
vendedores.
Apresentado em 1994 originalmente
pela Allen-Bradley, o DeviceNet teve sua
tecnologia transferida para a ODVA em 1995.
A ODVA (Open DeviceNet Vendor Association
- www.odva.org) uma organizao sem
fins lucrativos composta por centenas de
empresas ao redor do mundo que mantm,
divulga e promove o DeviceNet e outras
redes baseadas no protocolo CIP (Common
Industrial Protocol). Atualmente mais de 300
empresas esto registradas como membros,
sendo que mais de 800 oferecem produtos
DeviceNet no mundo todo.
A rede DeviceNet classificada no
nvel de rede chamada devicebus, cujas ca-
ractersticas principais so: alta velocidade,
comunicao em nvel de byte englobando
comunicao com equipamentos discretos
e analgicos, e alto poder de diagnstico
dos devices da rede.
A tecnologia DeviceNet um padro
aberto de automao com objetivo de trans-
portar 2 tipos principais de informao:
dados cclicos de sensores e atuadores
diretamente relacionados ao controle,
dados acclicos indiretamente relacio-
nados ao controle, como configurao
e diagnstico.
Os dados cclicos representam infor-
maes trocadas periodicamente entre o
equipamento de campo e o controlador. Por
outro lado, os acclicos so informaes tro-
cadas eventualmente durante configurao
ou diagnstico do equipamento de campo.
A camada fsica e de acesso da rede Devi-
ceNet baseada na tecnologia CAN (Controller
Area Network) e as camadas superiores no
protocolo CIP, que define uma arquitetura
baseada em objetos e conexes entre eles.
Uma rede DeviceNet pode conter at
64 dispositivos onde cada dispositivo
ocupa um n na rede, endereados de 0 a
63. Qualquer um destes pode ser utilizado.
No h qualquer restrio, embora se deva
evitar o 63, pois este costuma ser utilizado
para fins de comissionamento.
Um exemplo de rede DeviceNet mos-
trado na figura 31.
Eletrnica Aplicada
F31. Exemplo de Rede DeviceNet.
F32. Loop de corrente convencional.
Caractersticas da
rede DeviceNet
As caractersticas da rede DeviceNet so:
Topologia baseada em tronco prin-
cipal com ramificaes. O tronco
principal deve ser feito com o cabo
DeviceNet grosso, e as ramificaes
com o cabo DeviceNet fino ou chato.
Cabos similares podem ser usados
desde que suas caractersticas eltri-
cas e mecnicas sejam compatveis
com as especificaes dos cabos
padro DeviceNet;
Permite o uso de repetidores, bridges,
roteadores e gateways;
Suporta at 64 ns, incluindo o mes-
tre, endereados de 0 a 63 (MAC ID);
Cabo com 2 pares: um para alimenta-
o de 24 V e outro para comunicao;
Insero e remoo a quente, sem
perturbar a rede;
Suporte para equipamentos alimen-
tados pela rede em 24 V, ou com
fonte prpria;
Uso de conectores abertos ou selados;
Proteo contra inverso de ligaes
e curto-circuito;
Alta capacidade de corrente na rede
(at 16 A);
Uso de fontes de alimentao de
prateleira;
Diversas fontes podem ser usadas
na mesma rede atendendo s ne-
cessidades da aplicao em termos
de carga e comprimento dos cabos;
Taxa de comunicao selecion-
vel:125, 250 e 500 kbps;
Comunicao baseada em cone-
xes de E/S e modelo de pergunta
e resposta;
Diagnstico de cada equipamento
e da rede;
Transporte eficiente de dados de
controle discretos e analgicos;
Deteco de endereo duplicado
na rede;
Mecanismo de comunicao extre-
mamente robusto a interferncias
eletromagnticas.
Para mais informao, visite tambm o
site da ODVA: www.odva.org
HART/ 4-20 mA
Atualmente muito se fala em termos de
redes fieldbus, mas tem-se muitas aplicaes
rodando em HART (Highway Addressable
Remote Transducer), tendo vantagens com os
equipamentos inteligentes e utilizando-se
da comunicao digital de forma flexvel
sob o sinal 4-20 mA para a parametrizao
e monitorao das informaes.
Introduzido em 1989, tinha a inteno
inicial de permitir fcil calibrao, ajustes
de range e damping de equipamentos ana-
lgicos. Foi o primeiro protocolo digital de
comunicao bidirecional que no afetava
o sinal analgico de controle.
Este protocolo tem sido testado com su-
cesso em milhares de aplicaes, em vrios
segmentos, mesmo em ambientes perigosos.
O HART permite o uso de mestres: um
console de engenharia na sala de controle e
um segundo mestre no campo, por exemplo
um laptop ou um programador de mo.
Em termos de performance, podemos
citar como caractersticas do HART:
Comprovado na prtica, projeto sim-
ples, fcil operao e manuteno.
Compatvel com a instrumentao
analgica;
Sinal analgico e comunicao digital;
Opo de comunicao ponto a
ponto, ou multi-drop;
Flexvel acesso de dados usando-se
at dois mestres;
Suporta equipamentos multiva-
riveis;
500 ms de tempo de resposta (com
at duas transaes);
Totalmente aberto com vrios for-
necedores.
As especificaes so atualizadas con-
tinuamente, de tal forma a atender todas
as aplicaes.
Veremos a seguir alguns detalhes do
protocolo HART.
Eletrnica Aplicada
Industrial
A simplicidade: o HART
e o loop de corrente
convencional
As figuras 32 e 33 nos mostram como
entender o HART facilmente. Na figura
32 temos um loop de corrente analgica,
onde os sinais de um transmissor variam
a corrente que passa por ele de acordo com
o processo de medio.
O controlador detecta a variao de
corrente atravs da tenso sob um resistor
sensor de corrente. A corrente de loop varia
de 4 a 20 mA para frequncias usualmente
menores que 10 Hz.
A figura 33 baseada na figura 32,
onde o HART foi acrescido. Agora ambas
terminaes do loop possuem um modem
e um amplificador de recepo, sendo que
este possui alta impedncia de tal forma a
no carregar o loop de corrente.
Note ainda que o transmissor possui
uma fonte de corrente com acoplamento AC
e o controlador uma fonte de tenso com
acoplamento AC. A chave em srie com a
fonte de tenso no controlador HART, em
operao normal fica aberta.
No controlador HART os componentes
adicionais podem ser conectados no loop
de corrente, como mostrado, ou atravs do
resistor sensor de corrente. Do ponto de vista
AC, o resultado o mesmo, uma vez que a
fonte de alimentao um curto-circuito.
Note que o sinal analgico no afetado,
uma vez que os componentes adicionados
so acoplados em AC.
O amplificador de recepo frequente-
mente considerado como parte do modem
e usualmente no mostrado em separado.
Na figura 33 foi desenhado separadamente
para mostrar como se deriva o sinal de
tenso de recepo. O sinal de recepo
no somente AC, nem no controlador ou
mesmo no transmissor.
Para enviar uma mensagem, o transmis-
sor ao ligar sua fonte de corrente, far com
que se sobreponha um sinal de corrente de
1 mA pico a pico, de alta frequncia, sobre o
sinal analgico da corrente de sada. O re-
sistor R no controlador converter este sinal
em tenso no loop e esta ser amplificada
no receptor, chegando at ao demodulador
do controlador (modem).
Do mesmo modo, para enviar uma men-
sagem ao transmissor, o controlador fecha
sua chave, conectando sua fonte de tenso
que sobrepe um tenso de aproximada-
F33. Loop de corrente
acrescido o HART.
F34. Modulao e sinal HART.
F35. Elementos tpicos de
uma instalao HART.
Eletrnica Aplicada
mente 500 mV pico a pico atravs do loop.
Esta vista nos terminais do transmissor
e encaminhada ao amplificador e demo-
dulador. Note que existe uma implicao
na figura 33 que que o mestre transmita
como fonte de tenso enquanto o escravo,
como fonte de corrente.
A figura 34 mostra detalhes do sinal
HART, sendo que as amplitudes podem
variar de acordo com as impedncias e ca-
pacitncias de cada equipamento e perdas
causadas por outros elementos no loop.
O HART se utiliza do FSK, chaveamento
por mudana de frequncia (Frequency
Shift Keying), onde a frequncia de 1200
Hz representa o 1 binrio e a de 2200 Hz,
representa o 0 binrio.
Note que estas frequncias esto bem
acima da faixa de frequncias do sinal
analgico (0 a 10 Hz) de tal forma que no
h interferncias entre elas. Para assegurar
uma comunicao confivel, o protocolo
HART especifica uma carga total do loop
de corrente, incluindo as resistncias dos
cabos, de no mnimo 230 ohms e no mximo
1100 ohms.
Equipamentos de campo e handhelds
(programadores de mo) possuem um
modem FSK integrado, onde via port serial
ou USB de um PC, ou laptop, pode-se co-
nectar uma estao externamente. A figura
35 mostra uma conexo tpica HART de
campo. Veremos, posteriormente, outros
tipos de conexes.
Em uma conexo do tipo ponto a ponto,
como a da figura 36, necessrio que o
endereo do equipamento seja configura-
do para zero, desde que se use o modo de
endereo na comunicao para acess-lo.
Em sistemas considerado grandes, pode-
-se utilizar de multiplexadores para acessar
grandes quantidades de equipamentos
HART, como por exemplo, na figura 37,
onde o usurio dever selecionar o loop de
corrente para comunicar via Host. Nesta
situao em cascata, o host pode comunicar
com vrios equipamentos (mais do que
1000), todos com endereos zero.
Ainda podemos ter rede em multi-drop
e condies de split-range. Na figura 38, na
conexo em multi-drop, observe que podem
ser ligados no mximo at 15 transmissores
em paralelo na mesma linha. A corrente
que passa pelo resistor de 250 ohms (foi
ocultado na figura) ser alta, causando uma
alta queda de tenso.
Portanto, deve-se assegurar que a tenso
da fonte de alimentao seja adequada para
suprir a tenso mnima de operao.
No modo multi-drop a corrente fica fixa
em 4 mA, servindo apenas para energizar
os equipamentos no loop.
A condio de split-range usada em
uma situao especial onde normalmente
dois posicionadores de vlvulas recebem o
mesmo sinal de controle, por exemplo, um
operando com corrente nominal de 4 a 12
mA e o outro de 12 a 20 mA. Nesta condio,
os posicionadores so conectados em srie
no loop de corrente com endereos diferen-
tes e o host ser capaz de distingui-los via
comunicao. Veja figura 39.
Como visto anteriormente, o HART se
utiliza do sinal de 4-20 mA, sobrepondo
um sinal em tcnica FSK, chaveamento
por mudana de frequncia (Frequency
Shift keying), onde a frequncia de 1200
Hz representa o 1 binrio e a de 2200 Hz
representa o 0 binrio. Cada byte individual
do telegrama do layer 2 transmitido em
11 bits, usando-se 1200 kHz.
Cabeamento
Utiliza-se um par de cabos tranados
onde se deve estar atento resistncia total
j que esta colabora diretamente com a carga
total, e agindo na atenuao e distoro do
sinal. Em longas linhas e sujeitas a interfe-
rncias, recomenda-se o cabo com shield,
sendo este aterrado em um nico ponto,
preferencialmente no negativo da fonte de
alimentao.
F37. Conexo HART via
multiplexador.
F36. Conexo HART
ponto a ponto.
F38. Conexo HART em Multidrop.
Eletrnica Aplicada
Industrial
Layer 2
O protocolo HART opera segundo o
padro Mestre-Escravo, onde o escravo
somente transmitir uma mensagem se
houver uma requisio do mestre.
A figura 40 mostra de maneira simples
o modelo de troca de dados entre mestre e
escravo. Toda comunicao iniciada pelo
mestre e o escravo s responde algo na linha
se houve um pedido para ele.
Existe todo um controle de tempo entre
envios de comandos pelo mestre. Inclusive
existe um controle de tempo entre mestres
quando se tem dois mestres no barramento.
A convivncia de
vrios protocolos em
uma mesma planta
Daqui para frente esperado que a
convivncia entre vrios protocolos torne-
-se uma constante, principalmente onde
o parque instalado for grande e deseja-se
preservar os investimentos feitos. A figura
F40. Frame HART.
F39. Conexo HART
via Split Range.
F41. Integrao Foundation Fieldbus
e HART usando o HI302.
41 um exemplo tpico de sistema onde se
tem em uma mesma planta os protocolos
Foundation Fieldbus e HART.
Neste caso, uma interface HART-FF, o
HI302, utilizada, permitindo conexes
ponto a ponto e multi-drop.
O HI302 uma ponte entre equipamen-
tos HART e sistemas Foundation Fieldbus,
possui 8 canais HART master e permite ao
usurio executar manuteno, calibrao,
monitoramento de status do sensor, sta-
tus geral do equipamento, dentre outras
informaes.
WirelessHART
Nos ltimos anos, a tecnologia de redes
sem fio sofreu grandes avanos tecnolgicos
o que hoje pode proporcionar: segurana,
confiabilidade, estabilidade, auto-orga-
nizao (mesh), baixo consumo, sistemas
de gerenciamento de potncia e baterias
de longa vida. Em termos de benefcios
podemos citar, entre outros:
a reduo de custos e simplificao
das instalaes
a reduo de custos de manuteno,
pela simplicidade das instalaes
monitorao em locais de difcil aces-
so ou expostos a situaes de riscos
escalabilidade
integridade fsica das instalaes
com uma menor probabilidade de
danos mecnicos e eltricos (rompi-
mentos de cabos, curto-circuitos no
barramento, ataque qumico, etc).
Hoje, no mercado, vemos vrias redes
proprietrias e tambm algumas padroniza-
das. Existem muitos protocolos relacionados
com as camadas superiores da tecnologia
(ZigBee, WirelessHART, ISA SP100) e
o protocolo IEEE 802.15.4 (2006) para as
camadas inferiores.
O protocolo IEEE 802.15.4 define as
caractersticas da camada fsica e do con-
trole de acesso ao meio para as LR-WPAN
(Low-Rate Wireless Personal Area Network).
Eletrnica Aplicada
A padronizao para redes sem fio
mostra que, ainda que existam diferenas,
as normas esto convergindo e a principal
dentre elas, a SP100 e WirelessHART, da
ISA e HCF (HART Foundation e que hoje
vem sendo adotado como padro para a
Foundation Fieldbus e Profibus). Vamos co-
mentar um pouco sobre o WirelessHART.
A estrutura de uma rede Wireles-
sHART est representada no diagrama
da figura 42, onde a comunicao de uma
rede WirelessHART feita atravs de
uma gateway.
Consequentemente, o gateway precisa
ter a funcionalidade de um roteador de
pacotes para um destino especfico (ins-
trumento da rede, aplicao hospedeira
ou gerenciador da rede). O gateway usa o
padro de comandos HART para comunicar
com os instrumentos na rede e aplicaes
hospedeiras (host applications).
Incluso ao HART 7 est o Wireless-
-HART, o primeiro padro aberto de
comunicao sem fio desenvolvido espe-
cificamente para atender as necessidades
da indstria de processo.
Opera na frequncia de 2,4 GHz ISM
usando o Time Division Multiple Access
(TDMA) para sincronizar a comunicao
entre os vrios equipamentos da rede. Toda
a comunicao realizada dentro de um slot
de tempo de 10 ms. Slots de tempo formam
um superframe.
Suporta chaveamento de canais (channel
hopping) a fim de evitar interferncias e
reduzir os efeitos de esvanecimento mul-
tipercurso (multi-path fadings). O protocolo
HART foi elaborado com base na camada
7 do protocolo OSI. Com a introduo da
F42. Estrutura de uma rede
WirelessHART.
F43. Sistema Wireless com o DF100
(Controlador HSE- WirelessHART).
tecnologia sem fio ao HART tem-se duas
novas camadas de Data Link: token-passing
e TDMA. Ambas suportam a camada de
aplicao HART.
Na figura 43 temos o primeiro contro-
lador HSE (High Speed Ethernet) Wireles-
sHART. um controlador da Smar que
traz ao mercado mais uma inovao. um
controlador com tecnologia digital aberta e
integrvel em sistemas baseados em HSE.
Uma rede de comunicao Wireles-
sHART estruturada em malhas, onde
cada sensor funciona como um router,
ou como um repetidor. Deste modo, o
alcance de uma rede no depende apenas
de uma gateway central, o que permite
a configurao de uma ampla estrutura de
rede distribuda.
uma forma inteligente de se garantir
que em uma situao de obstruo que possa
causar a interrupo de um caminho de
comunicao, o sistema remaneje e consiga
rotas alternativas, aumentando e garantindo
assim a disponibilidade da rede.
O WirelessHART adota uma arquite-
tura utilizando uma rede Mesh baseado
no IEEE 802.15.4 operando na faixa de 2,4
GHz. Os rdios utilizam o mtodo de DSSS
(espalhamento espectral com sequencia-
mento direto) ou salto de canais FHSS
(Spread Spectrum de salto de frequncias)
para uma comunicao segura e confivel,
assim como comunicao sincronizada entre
os dispositivos da rede utilizando TDMA
(Time Division Multiple Access).
As redes Mesh permitem que os ns
da rede se comuniquem entre si estabele-
cendo caminhos redundantes at a base,
aumentando a confiabilidade, pois se um
caminho est bloqueado, existem rotas
alternativas para que a mensagem chegue
ao seu destino final.
Este tipo de rede tambm permite
escalabilidade simplesmente adicionando
mais ns ou repetidores na rede. Outra ca-
racterstica que quanto maior a rede, maior
a confiabilidade porque mais caminhos
alternativos so automaticamente criados.
Uma rede WirelessHART possui trs
dispositivos principais:
Wireless Field devices: equipamen-
tos de campo
Gateways: permitem a comunicao
entre os equipamentos de campo e
as aplicaes de controle
Network Manager: responsvel
pela configurao da rede, geren-
ciamento da comunicao entre os
dispositivos, rotas de comunicao
e monitoramento do estado da rede.
O Network Manager pode ser in-
tegrado em um gateway, aplicao
no host ou em um controlador de
processo.
Eletrnica Aplicada
Industrial
Sistema de automao
aberto baseado em
redes industriais
A figura 44 mostra um exemplo de um
sistema verdadeiramente aberto baseado em
redes industriais. O SYSTEM302, sistema
de automao e controle da Smar, fornece
uma plataforma de automao com ampla
capacidade de conectividade com as mais
diversas tecnologias (Foundation Fieldbus,
Profibus-DP, Profibus-PA, HART/4-20mA,
DeviceNet, AS-i, I/O convencional, Modbus,
DNP3, HSE, etc), criando um ambiente
amigvel, flexvel, escalonvel, integrado
e colaborativo.
O ambiente integrado facilita a engenha-
ria, comissionamento, manuteno e gesto
de redes de campo. Sua interface intuitiva
permite a fcil operao e diagnstico de
todo o sistema. uma arquitetura poderosa
de informaes e a soluo para:
Sistemas de automao para os mais
diversos segmentos industriais
Aplicaes de pequeno, mdio e
grande porte
Sistemas hbridos de controle de
processo, combinando o melhor dos
dois mundos, SDCD e CLP
Controle contnuo e discreto, contro-
le avanados, tempos de varreduras
menores, arquiteturas redundantes
Melhoria da eficcia operacional
atravs de informaes integradas
Gerar solues eficazes atravs da
engenharia simplificada e integrada
Gerenciamento de informaes e
alarmes
Gerenciamento de Ativos e gesto
de Negcios (MES)
Conectividade, modularidade e
facilidade de expanso
Segurana aliada confiabilidade
de hardware e software
Excelncia operacional
Para mais detalhes, consulte: www.
smar.com/brasil2/system302/
Concluso
As Redes de Comunicao Industrial
tm um papel fundamental para as inds-
trias em geral. Hoje a automao extrapola
o cho de fbrica e chega ao mundo dos
negcios. Vimos vrios padres abertos e
suas caractersticas.
O fator tecnolgico imprescindvel para
a sustentabilidade de uma unidade indus-
trial. A inovao tecnolgica responsvel
pelo rompimento e/ou aperfeioamento das
tcnicas e processos de produo. Pode,
desta forma, trazer ganhos em termos de
competitividade.
Neste caso, deve-se romper com a
tecnologia convencional e ampliar as
possibilidades de sucesso com a inovao
demandada pelo mercado, neste caso
sistemas de automao verdadeiramente
abertos, com tecnologia digital, baseados
em redes industriais e com vrias vantagens
comparadas aos convencionais SDCDs:
Reduo do erro de medio com a
eliminao da converso A/D do si-
nal vindo do transmissor de campo;
Visibilidade acrescida de toda a
instrumentao digital, isto , desde
o cho de fbrica at a automao
dos negcios;
Diagnsticos em linha, em qualquer
ponto do sistema;
Expanso da rede com o sistema em
funcionamento;
Reduo de materiais na fase de
montagem: eletrocalhas, eletro-
dutos, condulets, caixas de juno,
cabos, etc;
F44. Exemplo de um Sistema Digital Aberto, baseado
em redes industriais: SYSTEM302, Smar.
Eletrnica Aplicada
Redues de tempo e custo de comis-
sionamento e partida de sistemas;
Reduo no uso de armrios de
rearranjo;
Interoperabilidade entre equipa-
mentos de fabricantes diferentes;
Atualizao de firmware;
Instrumentos multivariveis;
Reduo do cabeamento, painis,
borneiras, fontes de alimentao,
conversores e espao na sala de
controle;
Alimentao do instrumento pelo
mesmo cabo de sinal;
Opes de segurana intrnseca;
Capacidade de auto-sensing (autor
reconhecimento) do instrumento,
permitindo fcil instalao e down-
load de parmetros;
Reduo dos custos de engenharia,
instalao e manuteno. Alm do
controle de fluxo de informaes e
processos;
Gesto de ativos.
A mudana do controle de processo da
tecnologia 4-20 mA para as redes digitais e
sistemas abertos j se encontra num est-
Csar Cassiolato Diretor de
Marketing, Qualidade e Engenharia
de Projetos & Servios da da Smar
Equipamentos Ind. Ltda., foi Presidente
da Associao Profibus Brasil Amrica
Latina de 2006 a 2010, Diretor
Tcnico do Centro de Competncia
e Treinamento em Profibus, Diretor
do FDT Group no Brasil, Engenheiro
Certificado na Tecnologia Profibus e
Instalaes Profibus pela Universidade
de Manchester.
gio de maturidade tecnolgica e usurios
colhendo seus benefcios.
Essa mudana encarada como um
processo natural demandado pelos novos
requisitos de qualidade, confiabilidade e
segurana do mercado.
A sua utilizao traz uma vantagem
competitiva, no sentido que essa nova tecno-
logia traz aumentos de produtividade pela
reduo das variabilidades dos processos e
reduo dos tempos de indisponibilidade
das malhas de controle. E
Bibliografia
Material de Treinamento
Profibus - Csar Cassiolato.
Artigos tcnicos Foundation
Fieldbus, HART, Profibus,
Wireless - Csar Cassiolato
Manuais Smar
www.system302.com.br
www.smar.com.br
Pesquisas na internet
Obs.: Todas as ilustraes, marcas
e produtos usados aqui pertencem
aos seus respectivos proprietrios,
assim como qualquer outra forma de
propriedade intelectual.
Desenvolvimento
Neste artigo, descreveremos como fazer a anlise e de-
senvolvimento de um projeto de controle digital de sistemas
desde a modelagem at a concepo de tcnicas avanadas
de controle usando um DSP (processador digital de sinais),
comparando as solues V/Hz (tenso/frequncia) versus FOC
(controle orientado a campo), que podem ser implementadas
para controlar um motor eltrico.
O potencial de mercado para desenvolver um sistema
de controle digital de motores imenso. Pois bem, vamos
comear, dividindo a definio da soluo em etapas.
Uso do DSP
como Sistema de
Controle Digital
Hamilton Kosaka Igncio
Anlise e desenvolvimento
de um sistema de controle
Vamos partir de um conceito bem sim-
ples de entender. Queremos medir a altura
do nvel de gua de um tanque (vide figura
1). Assim sendo, em nosso sistema temos a
sada (altura do nvel de gua h), o sensor
(flutuador), um atuador (vlvula ajustvel
que relaciona com a velocidade do fluxo de
gua v) e, finalmente, o controlador (me-
canismo que converte a posio medida do
flutuador; o chamado feedback em abertura
de vlvula; o controle). O entendimento
dessa situao nos ajuda a modelar a soluo.
O que um sistema
de controle?
Um sistema de controle composto de
um processo ou planta, um controlador ou
controladores, juntamente com sensores e
atuadores (veja a figura 2).
A grande preocupao ao desenvol-
ver um sistema de controle a sada se
comportar de acordo com o desejado e
esperado, ou seja,
Manter a sada (ou sadas) constantes;
Mudar a sada (ou sadas) do modo
desejado.
Saiba como controlar motores
atravs desta ferramenta,
tanto no mtodo V/f como
no orientado a campo
Desenvolvendo um
Controle Digital de Motor
De posse do conceito acima, podemos
definir o sistema de controle digital de
motor, conforme mostrado na figura 3.
Note os principais elementos necess-
rios para implementar a soluo proposta,
incluindo as formas de onda em cada
etapa do modelo para melhor visualizar o
processamento em sua plenitude, ou seja,
para falarmos com o mundo real (que
analgico) atravs do mundo digital (por
exemplo, um controlador digital DSP),
colocaremos componentes que faam essa
interface (conversores A/D e D/A, amplifi-
cadores operacionais) e a atuao sobre o
motor ser realizada pela parte de potncia
(por exemplo, IGBTs ou MOSFETs). Pronto, j
temos um modelo para controlar um motor
eltrico, bem simples.
Quais so os requerimentos
de um controlador digital?
Passada a etapa do modelo de controle,
precisamos agora definir quais so as es-
pecificaes necessrias de um controlador
digital. Abaixo, seguem alguns requerimen-
tos necessrios.
Alto poder de processamento para
implementar algoritmos avanados
de controle;
Tempo rpido de resposta para
eventos e excees para garantir
segurana e adaptao ao processo e
mudanas no ambiente de contorno.
Alta preciso para minimizar erros
de quantizao e evitar introduo
de rudo no sistema.
Alta taxa de amostragem para mini-
mizar o fenmeno do aliasing, ou
seja, evitar a introduo dos efeitos
de amostragem (rudo) no sistema.
Quais so os requerimentos
de um processador digital?
Em linhas gerais, necessitamos das
seguintes especificaes:
Grande poder de processamento
para desenvolver algoritmos comple-
xos de controle e respostas rpidas
(instrues MAC/MACD executadas
em um nico ciclo de instruo)
Tamanho de palavra longa para faixa
dinmica e resoluo necessria
Baixa latncia de interrupo, lgica
rpida e operaes de salto para res-
postas rpidas a eventos e excees
Alta integrao de perifricos para
reduzir o overhead da CPU, tais
como timers, conversores A/D, ge-
rador de sadas PWM, etc.
Interfaces de comunicao.
Note que o DSP uma boa escolha para
desempenhar a funo de controlador em
um sistema de controle digital de motor.
Vrios deles possuem arquitetura Harvard
modificada (parte de memria de dados pode
ser alocada para operar como memria de pro-
grama), multiplicador por hardware, pipeline
de vrios nveis, vrios perifricos integrados
ao silcio, facilitando a implementao desses
algoritmos complexos de controle.
Projetando um sistema
de controle
A seguir, apresentamos as etapas de
desenvolvimento de um sistema de con-
trole (observe a figura 4 para detalhes de
interdependncia).
F1. Tanque de gua com nvel na altura h.
F2. Diagrama de um Sistema de Controle.
F3. Sistema de um Controle Digital de Motor.
F4. Etapas do desenvolvimento de um Sistema de Controle.
Desenvolvimento
Modelagem: descrever o comportamen-
to de um sistema (ou processo) atravs de
expresses matemticas.
Anlise e projeto: analisar o sistema e
projetar o controlador baseado em certos
critrios.
Simulao e teste: simular o sistema
proposto e testar segundo as condies
de contorno.
Implementao: implementar o projeto.
Veja alguns exemplos de modelos de
controle no box ao lado.
Critrios para projeto
Abaixo, citamos os principais critrios
para projetar o sistema de controle digital
de motor:
Estabilidade;
O sistema deve ser estvel;
Resposta de transiente (figura 5);
Rpido, overshoot limitado, pequeno
erro de estado steady;
Sensibilidade a variao de par-
metros, robustez;
Atenuao a rudo e distrbios.
Em termos de solues de controle
para um determinado motor, temos alguns
possveis approaches, indo da clssica
ideia onde o foco posio dos polos e ze-
ros, resposta em frequncia (diagrama de
F5. Sistema com Resposta Rpida a transientes.
Bode) e margem de estabilidade (critrio de
Nyquist), cujo controlador PID um bom
exemplo, at ideias mais modernas e avan-
adas como realimentao e observador de
estado, controles estocstico e adaptativo,
lgica fuzzy e redes neurais.
Note que a implementao de algumas
tcnicas de controle ainda est muito limi-
tada ao poder de processamento do compo-
nente escolhido, porm o uso de DSP facilita
a implementao de algoritmos avanados
de controle, dando asas ao projetista para
voar e desenvolver novos produtos com
grande valor agregado, diferenciando-os
no mercado.
Para ilustrar toda essa narrativa, esco-
lhemos um exemplo de controle de veloci-
dade de um motor AC de induo (ACIM),
onde discutimos duas possveis solues:
Tenso/Frequncia (V/Hz) versus Controle
Orientado a Campo (FOC). Quais so os
prs e contras de cada uma das solues.
Algumas vezes, esse um dilema que vrios
projetistas tm que resolver para satisfazer
o binmio custo/benefcio.
Em termos gerais, segundo o princpio
de controle de velocidade, controlando o tor-
que, ns conseguimos controlar a acelerao.
Para compreender melhor o princpio
de controle Tenso/Frequncia (V/Hz),
vide figura 6 com dois grficos. O primeiro
o perfil da tcnica V/Hz e o segundo no
domnio do torque.
Na regio de baixa velocidade, V
min

aplicada para compensar a reduo de fluxo.
Na regio de debilitao do campo, fluxo e
torque so reduzidos, V=V
nom
. Entre ambas
as regies, um fluxo constante aplicado
(fluxo nominal).
F7. Modelo dinmico de motor com
transformao de coordenadas.
F6. Grficos (V x ) e (Te x ) para
o Controle Digital de Motor.
Exemplos de modelos de controle
Equaes diferenciais
Leis bsicas da fsica
Frequentemente simplificado
Equaes de transferncia
Transformada de Laplace
Plos e zeros
Equaes de estado
Transformada de Laplace
Plos e zeros
Quais so as limitaes
dessa tcnica?
O valor Rs no pode ser esquecido
em baixas velocidades, o modelo de fluxo
constante apenas uma aproximao, over-
shoots de corrente descontrolados devido a
oscilao do torque, entre outras.
Vamos agora analisar o princpio de
controle orientado a campo (FOC).
Essa tcnica baseia-se no uso de modelo
dinmico de motor AC de induo junta-
mente com a transformao de coordenadas,
migrando das coordenadas do estator a-b-c
para o sistema de referncia do fluxo do
rotor chamado referncia s-q (atente para
figura 7).
Nesse sistema, o controle do motor AC
de induo torna-se muito similar a uma
simples mquina DC (separately-exited DC
machine), visto que i
mR
mantida constante.
Temos que i
sq
controla o torque da mes-
ma maneira que a corrente de armadura faz
em motor DC.
Na figura 8, encontra-se um diagrama
de blocos do controle orientado a campo
para um inversor trifsico, controlando um
motor AC de induo.
Em termos de torque versus velocidade
para a tcnica FOC, veja a figura 9 com
detalhes da expresso torque-controle
instantneo.
Quais so as vantagens
dessa tcnica?
Torque mximo em toda faixa de rotao
at a velocidade nominal: baseada em
um modelo dinmico de motor, controle
de torque contnuo, as correntes do estator
so controladas em amplitude mxima,
entre outras.
A concluso a que chegamos que o
controle FOC apresenta a melhor soluo
tcnica, pois tem controle de fluxo e torque
contnuo ao passo que o controle V/Hz
no possui controle de torque contnuo,
alm de apresentar potenciais problemas
com o motor (perdas traduzidas em calor,
saturao do material magntico, ripples de
torque, desbalanceamento).
Quem estiver interessado em conhecer
com mais detalhes a soluo V/Hz para
motores AC de induo, visite o link abaixo
para baixar o application note: htp://focus.
F8. Diagrama de Blocos do Controle Orientado a Campo para Inversor Trifsico.
F9. Grfico (Torque x Velocidade) para um motor AC de induo.
ti.com/docs/apps/catalog/resources/app-
noteabstract.jhtml?appId=120&abstract
Name=spra284a.
Agora, para aqueles leitores interes-
sados em conhecer a soluo FOC para
motores AC de induo, visitem o link a
seguir para baixar o application report: htp://
focus.ti.com/docs/apps/catalog/resources/
appnoteabstract.jhtml?appId=120&abstra
ctName=bpra073.
Esperamos que este artigo atinja o
objetivo de discutir algumas tcnicas de
controle e como implement-las. A nossa
ideia abrir a discusso do uso de DSP para
o controle digital de motores. E
Hamilton Ignacio engenheiro eletrnico
com ttulo de MBA, com diversos cursos de
especializao em DSP e microcontroladores
nos EUA, e Gerente de Produtos e Aplicaes
da Texas Instruments para a Amrica do Sul.
Responsvel pela famlia de DSP
TMS320C2000, microcontroladores
MSP430, Stellaris ARM Cortex M3 e M4,
e conversores de dados, gerencia as reas
de automao industrial, instrumentao,
smart grid, controle digital de sistemas e
motores, linha branca, segurana eletrni-
ca, automotiva e no-breaks, entre outras.
Tambm gerencia o programa universitrio
na Amrica do Sul.
Componentes
O
efeito Corona (fgura 1) tam-
bm conhecido como fogo de
Santelmo. Esse efeito um fe-
nmeno relativamente comum
em linhas de transmisso com sobrecarga.
Devido ao campo eltrico muito intenso
nas vizinhanas dos condutores, as par-
tculas de ar que os envolvem tornam-se
ionizadas e, como consequncia, emitem
luz quando da recombinao dos ons e
dos eltrons.
O nome Fogo de Santelmo vem de
Santo Elmo, padroeiro dos marinheiros,
e surgiu quando antigos marinheiros
observavam navios com os mastros en-
volvidos por uma tnue luz. A superstio
cuidou de transformar esse fenmeno em
apario divina. Posteriormente, porm,
observou-se que tal apario ocorria
principalmente nas regies tropicais, em
condies que precediam as tempestades.
As nuvens eletrizadas induziam cargas
nas pontas dos mastros, produzindo o
efeito Corona.
O efeito Corona aparece na superfcie
dos condutores de uma linha area de
transmisso quando o valor do gradiente
de potencial a existente excede o valor
do gradiente crtico disruptivo do ar.
Mesmo em um campo eltrico uniforme,
entre dois eletrodos planos paralelos no
ar, uma srie de condies controlam essa
tenso disruptiva, tais como a presso do
ar, a presena do vapor dgua, o tipo de
tenso aplicada e a fotoionizao inciden-
te. No campo no uniforme em torno de
um condutor, a divergncia do campo
exerce infuncia adicional, e qualquer
partcula contaminadora, como poeira,
por exemplo, transforma-se em fonte
pontual de descargas (fgura 2).
Descargas eltricas em gases so geral-
mente iniciadas por um campo eltrico que
acelera eltrons livres a existentes. Quando
esses eltrons adquirem energia sufciente
do campo eltrico, podem produzir novos
eltrons por choque com outros tomos.
o processo de ionizao por impacto.
Durante a sua acelerao no campo
eltrico, cada eltron livre colide com
tomos de oxignio, nitrognio e outros
gases presentes, perdendo, nessa coliso,
parte de sua energia cintica. Ocasional-
mente, um eltron pode atingir um tomo
com fora sufciente de forma a excit-lo.
Nessas condies, o tomo atingido passa
a um estado de energia mais elevado. O
estado orbital de um ou mais eltrons
muda e o eltron que colidiu com o to-
mo perde parte de sua energia, para criar
esse estado.
Posteriormente, o tomo atingido
pode reverter ao seu estado inicial, libe-
rando o excesso de energia em forma de
calor, luz, energia acstica e radiaes
eletromagnticas. Um eltron pode
igualmente colidir com um on positivo,
convertendo-o em tomo neutro. Esse
processo, denominado recombinao,
tambm libera excesso de energia.
Toda a energia liberada ou irradiada
deve provir do campo eltrico da linha,
portanto, do sistema alimentador, para o
qual representa perda de energia e, por
conseguinte, prejuzo. Essas perdas e suas
consequncias econmicas tm sido objeto
de pesquisas e estudos h mais de meio
sculo, no obstante, s recentemente se
alcanaram meios que permitem deter-
minar, com razovel segurana, qual o
desempenho que se poder esperar para
as diversas solues possveis para uma
linha de transmisso, no que diz respeito
a essas perdas.
De um modo geral, elas se relacionam
com a geometria dos condutores, tenses
de operao, gradientes de potencial nas
superfcies dos condutores e, principal-
mente, com as condies meteorolgicas
locais. Constatou-se, por exemplo, que as
perdas por Corona em linhas com tenses
Cabos pticos Autossustentveis e o
Efeito Corona
Ricardo Pantoja*
F1. O efeito
Corona.
F2. Explicao do
Efeito Corona.
extraelevadas podem variar de alguns
quilowats por quilmetro at algumas
centenas de quilowats por quilmetro,
sob condies adversas de chuva ou
garoa. As perdas mdias, como se verif-
cou, podem constituir apenas pequenas
partes das perdas por efeito Joule, porm
as perdas mximas podem ter infuncia
signifcante nas demandas dos sistemas,
pois a capacidade geradora para atender a
essa demanda adicional dever ser previs-
ta, ou a diferena de energia importada.
Tanto as perdas com tempo bom
como aquelas sob chuva dependem dos
gradientes de potencial na superfcie dos
condutores. As perdas sob chuva depen-
dem no s do ndice de precipitaes,
como tambm do nmero de gotculas
dgua que conseguem aderir superfcie
dos condutores. Esse nmero maior nos
condutores novos do que nos usados, nos
quais as gotas dgua aderem mais facil-
mente geratriz inferior dos condutores.
As linhas areas de transmisso de
energia eltrica h muito tm sido conside-
radas como causadoras de impacto visual
sobre o meio ambiente em que so cons-
trudas. Uma espcie de poluio visual
que os conservadores, urbanistas e estetas
h muito vm combatendo. O advento da
transmisso em tenses extraelevadas e as
perspectivas de transmisso em tenses
ultraelevadas enfatizaram dois outros
tipos de perturbao do meio, provocados
pelo efeito Corona, sendo-lhes atribudo
tambm carter de poluio: A radiointer-
ferncia (RI) e o rudo acstico (RA).
Descargas individuais de Corona pro-
vocam pulsos de tenso e corrente de curta
durao que se propagam ao longo das
linhas, resultando em campos eletromagn-
ticos em suas imediaes. Essas descargas
ocorrem durante ambos os semiciclos da
tenso aplicada, porm aquelas que ocor-
rem durante os semiciclos positivos que
irradiam rudos capazes de interferir na
radiorrecepo nas faixas de frequncia
das transmisses em amplitude modulada
(AM), em particular nas faixas das ondas
mdias. Efvios de Corona tambm ocor-
rem em outros componentes das linhas,
tais como ferragens e isoladores, porm a
intensidade dos rudos gerados bastante
inferior dos gerados pelos condutores.
Ferragens defeituosas, pinos e contrapinos
mal ajustados ou soltos podem igualmente
gerar pulsos eletromagnticos. Estes, no en-
tanto, ocorrem nas faixas das frequncias de
FM e TV, provocando interferncia ou
rudos nas recepes de FM e TV (TVI).
A gerao desses rudos interfere com
os direitos individuais dos moradores das
vizinhanas das linhas de transmisso,
uma vez que os rudos se podem propagar
alm das faixas de servido das linhas.
Ainda no possvel projetar-se economi-
camente uma linha de transmisso area
em tenses acima de 100 kV e que no
produza radiointerferncia. No obstante,
critrios corretos e ateno aos aspectos
relevantes do projeto podem produzir
um sistema que resulte pelo menos em
nveis aceitveis de perturbao. O estudo
do comportamento das linhas no que se
refere a RI bastante complicado em
virtude dos inmeros fatores que afetam
seu comportamento, muitos dos quais
ainda so indefnidos e nem mesmo com-
pletamente entendidos, de forma que os
efeitos cumulativos so considerados em
bases estatsticas.
Nos projetos de pesquisa sobre Corona
em tenses extra e ultraelevadas verifcou-
-se, igualmente, que outra manifestao
sua no mais poderia ser descurada nas
linhas de 500 kV ou tenses mais elevadas,
dado o carter de poluio ambiental que
apresenta. a poluio acstica causada
pelo rudo caracterstico provocado pelos
efvios do Corona. Esse aspecto tambm
vem merecendo crescente ateno no di-
mensionamento das linhas, a fm de que
o grau de perturbao seja mantido em
nveis aceitveis. Tais estudos mostraram
que o rudo auditivo funo dos mxi-
mos gradientes de potencial na superfcie
dos condutores.
Em vista do exposto, pode-se concluir
que, para as linhas de transmisso em
tenses extras e ultraelevadas, o dimen-
sionamento econmico das linhas est
diretamente relacionado com a escolha do
gradiente de potencial mximo admissvel
na superfcie dos condutores das linhas de
transmisso. Gradientes para uma mesma
classe de tenso somente so reduzidos
mediante o emprego dos condutores de
dimetros maiores, ou maior espaamento
entre fases, ou pelo emprego de conduto-
res mltiplos, com nmero crescente de
subcondutores, ou pela forma com que
so distribudos sobre o crculo tendo
como centro o eixo do feixe.
Alternativamente, vm sendo pes-
quisados outros mtodos para a reduo
da radiointerferncia e rudos audveis,
como a colocao de espiras ao longo
dos condutores ou o seu envolvimento
em capas de neoprene. A disposio dos
subcondutores em forma de polgono
irregular tambm vem sendo investigada
como meio de reduzir os gradientes de
potencial, e parece ser a forma mais pro-
missora: possvel encontrar uma posio
para cada subcondutor na periferia de um
crculo, de forma que a gradiente em todos
os subcondutores seja mnima.
O emprego dos condutores mltiplos
assimtricos tem apresentado problemas
de estabilidade mecnica sob ao do
vento, e a melhor soluo sob esse aspecto
poder confitar com a melhor soluo sob
o aspecto de distribuio de gradientes de
potencial. Atente para a fgura 3.
F3. Cabo de Fibra tica poludo
prximo a linha de alta tenso.
Componentes
Clculo de trao e frmula
de design para cabo autos-
sustentvel de fibra ptica
O clculo da tenso em um cabo de f-
bra ptica um processo um pouco difcil
para um engenheiro de design para cabos
pticos de fbra. A resistncia trao
(T) de todos os tipos de cabos dieltricos
autossustentveis pode ser calculada
usando-se a seguinte frmula e condies:
Flexa em condies normais: 0,5 m.
Presso do Vento: 700 Pa.
Temperatura mxima: 55 C.
Mnima temperatura: - 6 C.
Distncia entre Postes: 70 m.
T ser calculada a partir da seguinte
frmula:
Onde:
T1 = tenso de instalao, sem vento (N)
T = tenso resultante sob pior carga (N)
w = massa de cabo (kg/m)
g = acelerao gravitacional (9,81 m / s
2
)
L = comprimento do vo entre os polos (m)
S = flexa do cabo, sem vento (m)
E = mdulo de elasticidade de membro da
fora (MPa)
a = rea da seco transversal de membro da
fora (mm
2
)
k = coeficiente de expanso linear de membro
da fora (/ C)
t
1
= temperatura em que T calculado (C)
t = temperatura em que T1 calculada (C)
P = presso de vento (Pa)
D = rea projetada por metro de cabo (mm
2
)
F = Fator de forma (0,6 por cabo redondo)
Condies do teste de trao
para um cabo de fibra tica
autossustentvel
O comprimento do cabo de fbra tica
em teste ter um mnimo de 70 m.
Terminar ambas extremidades do cabo
de fbra ptica em teste com um tipo de-
dal, pr-formado em torno da braadeira
de terminao.
Ancorar a extremidade um, ao aplicar
a carga T. Manter a carga de trao por 10
minutos enquanto se mede o alongamento
da fbra.
Durante o perodo do teste, o alonga-
mento da fbra que medido em termos
de tenso no deve exceder 0,20%. O cabo
de fibra ptica no deve sofrer danos
permanentes durante o teste.
O revestimento exterior do cabo de
fibra ptica deve ser cuidadosamente
examinado para quaisquer rachaduras
ou danos.
Creep test
A amostra do cabo de fbra ptica
usada no teste de trao deve ser utili-
zada e o teste de confgurao pode ser
o mesmo.
Aplicar uma carga Tc = (T + T1) / 2,
onde Tc = tenso de Creep. Veja os mto-
dos de instalaes dos cabos, nas fguras
4, 5 e 6.
F4. Dois Mtodos utilizando
o Carretel Mvel.
F5. Mtodo Carretel Fixo usando
um Cabo pr-instalado.
F6. Mtodo do Carretel
fxo puxando o cabo.
ADSB-9-06X04-D-KP-D 70M_120KM_H_0.7%Sag
Part Number:
F90240612B
The Teldor P/N and Description
Applications: Aerial Installations
General Construction:
This All Dielectric Self-Supporting (ADSS) cable contains 24 SM
color coded optical fibers. The cable contains 6 loose tubes filled
with thixoropic gel, 4 fibers in each tube. The loose tubes are
stranded around a dielectric central strength member. The cable
core is reinforced and protected by dry waterblocking strength
yarns, and an outer jacket with a black, UV-resistant HDPE com-
pound completes the cables construction.
Outer Jacket Material: HDPE
Outer Diameter: 10.5 mm nom.
Weight: 85 kg/km
Design & Materials
Buffer Material: PBT
Color code: Per TIA/EIA 598-C
Central Strength Member: FRP
Cabling: SZ
Strength Elements: Aramid Yarns
Total Number of Tubes: 6
Number of fibers: 24
Waterblocking: Dry Waterblocking
Rip-Cord: Yes
Outer Jacket Color: Black
Marking: Per request
Standards
Applicable Standards: IEC 60794, EIA/TIA-455
Installation: Guidelines as per IEC 60794-1-1 Annex A
Performance
Max. Span: 70 m
Sag: 0.7 %
Max. Installation Tension: 970 N
Loading Tension: 3000 N
Max. Wind Velocity: 120 km/hr
Impact Resistance: 3 Nm
Impact Resistance: 20 cycles
Max. Crush Resistance: 400 N/cm
Min. Bend Radius for Installation: 20xD mm
Min. Bend Radius for Operation: 10xD mm
Max. Operating Temperature: +70 C
Min. Operating Temperature: 40 C
Max. Installation Temperature: +35 C
Min. Installation Temperature: 5 C
Max. Storage Temperature: +70 C
Min. Storage Temperature: 40 C
Como sugesto ser apresentado na
tabela 1, o modelo de cabo TELDOR para
vos de 70 metros, considerando o SAG de
0,7% com PART NUMBER F902040612B.
Este modelo composto de 6 tubos
LOOSE TUBE contendo 4 fbras mono-
modo por tubo. Na sua construo todas
as fbras so protegidas e reforadas com
kevlar e tambm bloqueadas contra umi-
dade e gua waterblocking.
Sendo muito importante nestas aplica-
es, acrescenta-se uma capa externa con-
feccionada em polietileno de alta densidade
HDPE resistente a extremos de temperatu-
ra, impacto, torso e raios UV.
T1. Caractersticas do cabo TELDOR
para vos de 70 metros.
(*) Ricardo Pantoja fundador e diretor da empre-
sa Pantoja Engineering & Consultant - Ethernet
Industrial: www.pantojaindustrial.com
E
Componentes
F1. Limites de operao de componentes
semicondutores de potncia.
D
esde a inveno do primeiro ti-
ristor de quatro camadas PNPN
pelos laboratrios Bell em 1957,
houve um grande avano nos
dispositivos semicondutores de potncia.
Na verdade, estes substituram as rudi-
mentares vlvulas ignitron, phanatron e
thyratron, que j eram capazes de supor-
tar grandes correntes e elevadas tenses
reversas de chaveamento. Na maioria
dos casos, esses semicondutores devem
tambm operar em elevadas frequncias
como, por exemplo, na etapa de sada de
inversores. Para suprir essa necessidade
foi, ento, criado o IGBT. Confra agora
seu funcionamento, e entenda qual sua
importncia na automao industrial.
Estrutura e Funcionamento
O IGBT rene duas importantes carac-
tersticas: alta velocidade de comutao
mesmo em grandes potncias (semelhante
aos transistores bipolares); e alta impe-
dncia de entrada (como os MOSFETs).
Os transistores bipolares de frequn-
cia possuem caractersticas que permitem
sua utilizao no chaveamento de ele-
Insulated Gate
Bipolar Transistor (IGBT)
Conhea sua estrutura, e a im-
portncia do Insulated Gate Bipolar
Transistor (IGBT) na automao
industrial.
Alexandre Capelli
vadas correntes com muitas vantagens,
sendo a principal as baixas perdas no
estado de conduo.
Sua desvantagem, entretanto, a alta
corrente de base, visto que eles operam
como amplifcadores de corrente. J os
transistores de efeito de campo MOS de
potncia, por serem excitados por tenso,
tm a vantagem de uma alta impedncia
de entrada, exigindo correntes nfmas
para seu funcionamento. Estes disposi-
tivos, porm, tm como desvantagem a
baixa velocidade de comutao, devida s
capacitncias parasitas de gate.
O IGBT um componente hbrido
que rene a facilidade de acionamento
dos MOSFETs e sua elevada impedncia
de entrada, com pequenas perdas em
conduo dos transistores bipolares de
potncia. Assim, a velocidade dos IGBTs
semelhante a estes, no entanto, nos l-
timos anos tem crescido gradativamente,
permitindo sua operao em frequn-
cias de dezenas de kHz, e centenas de
ampres.
Com essas duas facilidades, este com-
ponente torna-se cada vez mais indicado
F2. Estrutura
do IGBT.
F3. Circuito
equivalente.
para comutao de cargas em alta veloci-
dade e corrente.
Na fgura 1 apresentamos um grfco
contendo uma comparao entre os prin-
cipais dispositivos semicondutores de
potncia quanto s suas caractersticas de
tenso, corrente e frequncia de operao.
Podemos ver que os tiristores so os
dispositivos que conseguem superar os
maiores valores de corrente e tenso,
mas no podem operar em frequncias
de chaveamento elevadas. Por outro
lado, os IGBTs possuem uma capacidade
de suportar maiores tenses e podem
operar em mais altas frequncias que
os transistores bipolares de potncia, e
ainda maiores tenses e correntes que
os MOSFETs de potncia. Como obser-
vamos, a regio segura do IGBT maior
que as regies reservadas ao MOSFET e
ao transistor bipolar.
A fgura 2 ilustra a estrutura tpica de
um IGBT de canal tipo N (o canal P tem
seu funcionamento anlogo).
Diferenas
A principal diferena entre a estrutura
do IGBT e a do MOSFET a incluso de
um substrato P + (o smbolo + uma
conveno para indicar que esta regio
fortemente dopada, enquanto o smbolo -
indica que a regio fracamente dopada)
onde conectado o terminal de coletor. Esta
mudana tem como efeito a incluso das
caractersticas bipolares do componente. A
camada P+ tem como objetivo a formao de
portadores positivos (lacunas) na regio de
arrastamento (Drift region) como feito em
um transistor bipolar do tipo PNP.
Na estrutura do IGBT importante notar
que o terminal de porta est conectado s
duas regies (isoladas do material semicon-
dutor atravs de uma camada isolante de
xido de silcio SiO
2
) ao invs de ser apenas
uma nica regio como costumamos ver em
MOSFETs. O IGBT, portanto, apresenta a for-
mao de dois canais ao invs de apenas um.
Na fgura 3 podemos contemplar o cir-
cuito equivalente do IGBT, construdo com
o MOSFET e um transistor bipolar. Quando
uma tenso positiva aplicada ao gate do
MOSFET, sua resistncia entre dreno e fonte
(representada por Rmod) cai drasticamente.
Desta forma a base do transistor bipo-
lar PNP aterrada, levando-o a saturao
(V
CE

0 V), e, consequentemente, energi-
zando a carga.
bom lembrar que o transistor IGBT
utilizado, quase sempre, como chave, ou seja,
trabalha no corte ou na saturao.
Limites de Operao e
Parmetros do IGBT
Os limites de operao (ratings) so
os valores mximos que cada parmetro
pode assumir tais como: tenso, tempera-
tura, potncia dissipada, etc., recomenda-
dos, claro, pelo fabricante. Para garantir
uma vida longa para o componente e,
consequentemente, ao equipamento de
que ele faz parte, imperativo que estes
valores sejam respeitados.
Cada tipo apresenta seu prprio li-
mite, sendo alguns deles interligados em
mdulos, conforme podemos observar
na fgura 4. Outros, entretanto, podem
ser comercializados individualmente, em
encapsulamento TO 220.
A seguir, faremos uma breve anlise
dos principais parmetros deste compo-
nente:
Corrente contnua
de coletor
Esta corrente defnida como a corren-
te mxima direta que pode fuir atravs
do dispositivo a uma dada temperatura
(geralmente entre 70 e 85C) de encap-
sulamento, em conjunto com a mxima
temperatura de juno (intrnseca ao
transistor) durante a mxima potncia
dissipada.
Este valor funo de:
T
Jjax
= Temperatura mxima de
juno
R
TH
(j-c) = Resistncia trmica entre
juno e encapsulamento
V
CE(sat)
= V
CE
na saturao
V
GE
= Tenso aplicada ao gate em
relao ao emissor
A frmula que relaciona essas gran-
dezas :
Conforme podemos observar pela
fgura 5, e considerando uma fonte cons-
*V
CE(sat)
= considerando I
C
a uma T
Jmax
mxima.
Componentes
tante, quando aumentamos a tenso de
gate, a tenso de saturao (V
CE
) diminui,
e a corrente de coletor (I
C
) aumenta.
J a fgura 6 mostra como o I
C
diminui
com o aumento da temperatura do encap-
sulamento (T
C
).
Capacidade de bloqueio entre
coletor e emissor:
A capacidade de bloqueio entre
coletor e emissor, conhecida como V
CES

(continuous collector to emiter voltage), a
mxima tenso que a juno entre coletor
e emissor pode suportar, estando o gate
em curto-circuito com o emissor (sob a
mxima temperatura permitida).
Tenso gate/emissor
A tenso V
GES
(gate to emiter voltage)
a tenso que pode ser aplicada entre a
juno gate e o emissor sem que ocorra a
degradao do componente.
O fator que infuencia diretamente
esse parmetro a espessura da camada
de xido de isolao do gate, determinada
na fabricao do IGBT.
Potncia total
a mxima potncia (P
TOT
) que pode
ser dissipada pelo componente a uma
temperatura T
C
.
A potncia total dissipada = perdas
no estado on + perdas no chaveamento
+ perdas no estado of.
Este parmetro est relacionado com a
permeabilidade da dissipao da tempera-
tura entre invlucro e o ambiente, bem como
a resistncia trmica entre a juno e ele.
Outros fatores de infuncia so: tem-
peratura da juno, corrente de coletor, e
tenso entre gate e emissor.
Temperatura da juno
a faixa (mnima e mxima) de tem-
peratura em que a juno do componente
pode operar.
Caractersticas
Eltricas Estticas
Estas caractersticas descrevem o
comportamento do componente em duas
F4. Alguns exemplos de
mdulos de IGBTs.
F5. Tenso
Gate x Ic.
F6. Temperatura de
encapsulamento x Ic.
Obs.: Dimenses em mm
situaes: on-state (conduo) e of-
-state (corte).
Off-State
I
CES
: a corrente de bloqueio entre
cowletor e emissor (ou collector
cut-of). No datasheet especifcado
na tenso de corte entre coletor e
emissor (V
CES
) com gate e emissor
em curto-circuito a uma tempera-
tura (T
J
) de 25 C. Este parmetro
uma juno de V
CES
e T
J
. I
CES
au-
menta com o aumento de V
CES
e T
J
.
I
GES
: a corrente residual entre gate
e emissor em uma tenso especf-
ca V
GE
, com coletor e emissor em
curto-circuito (V
CE
= 0) e T
J
= 25C.
Estado de conduo (on-state):
V
GE(th)
: a tenso mnima entre gate
e emissor requerida para levar o
IGBT ao estado de conduo, com
uma I
C
e V
CE
determinada.
V
GE(sat)
: a tenso de saturao entre
gate e coletor e emissor, a qual, uma
vez atingida, qualquer valor acima
no alterar a condio de on-state.
Todos os parmetros acima so in-
fuenciados diretamente pela tempera-
tura. A figura 7 ilustra a diferena da
corrente de coletor para uma temperatura
de 25C e de 125C.
Caractersticas Dinmicas
As caractersticas di-nmicas descre-
vem a performance do componente em
dois estados de transio: de of para on;
e de on para of. H grande perda durante
este chaveamento, portanto importante
contemplar esses parmetros a fm de
determinar o montante das perdas.
Tenso turn-on
A fgura 8 apresenta o comportamento
de V
CE
e I
C
neste perodo.
td
(on)
: o tempo de atraso para o
estado on (delay time), e defnido
como tempo decorrido entre V
GE
=
0 at I
C
= 10% do valor fnal (t
1
a t
2
).
t
1
: o tempo de subida (rise time) para
aumentar I
C
de 10% a 90% do valor
fnal (t
2
a t
3
). Este parmetro funo
das caractersticas de cada IGBT.
t
on
: a soma de td
(on)
+ tr
E
on
: a energia perdida em turn-
-on tambm exibida na fgura 8. F7. Comparao de Ic a
T = 25C e T = 125C.
Componentes
Transio turn-off
As formas de onda no perodo de
transio turn-of podem ser vistas na
fgura 9.
td
(of)
: o tempo de atraso no des-
ligamento (turn-of delay time), e
defnido como o tempo decorrido
de V
GE
= 90% do valor inicial at I
C
=
90% tambm do valor inicial (t
8
a t
9
).
tr: o tempo da queda de I
C
= 90%
at 10% do valor inicial (t
9
a t
10
).
t
of
: a soma entre td
(of)
e tr.
E
of
: a energia dissipada na tran-
sio (fgura 9).
Um conceito fnal, e que resume todo
o processo, o fenmeno de formao do
canal n- (fracamente dopado) no tempo de
estado on, bem como sua extino em of.
Relao entre
V
CE
, V
GE
, P
TOT
, I
C
e T
J
Estes parmetros esto ligados inti-
mamente, e a alterao de um pode afetar
os demais. O principal deles a tenso de
controle V
GE
(gate/emissor). Como j foi
visto, seu aumento leva o IGBT ao estado
de conduo, diminuindo radicalmente
V
CE
. O mximo valor de V
GE
, usualmente
20 V, porm, o recomendado 15 V. A f-
gura 10 ilustra os efeitos do V
GE
sobre V
CE
,
e como eles afetam a corrente de coletor e
temperatura do dispositivo.
Como podemos notar pela fgura 11,
V
CE(sat)
aumenta com a elevao da cor-
rente de coletor, o que eleva a dissipao
de potncia.
V
CE(sat)
ir aumentar com o acrscimo
de temperatura em caso de altas corren-
tes de coletor. Isto o que chamamos de
operao na regio de coefciente posi-
tivo de temperatura. Quando, porm, a
corrente de coletor pequena, e V
CE(sat)

diminui com o aumento de temperatura,
dizemos que o regime de operao na
regio de coefciente negativo de tempe-
ratura. Esta regio muito til, visto que
diminui as perdas e aumenta a vida til
do componente.
Capacitncias do IGBT
So trs as capacitncias parasitas
apresentadas em um IGBT (fgura 12):
C
RES
: a capacitncia reversa de
transferncia (reverse transfer capaci-
tance) est disposta entre o coletor e
gate, e pode ser analisada de modo
F8. Formas de onda tpicas da
transio para o estado ON.
F10. Vce x
Vge.
F12. Capacitncias
parasitas do IGBT.
F9. Formas de onda tpicas da
transio para estado OFF.
F11. Vce
x Ic.
F13. Curva
RBSOA.
anlogo capacitncia Miller
(efeito Miller) nos transistores
bipolares.
C
IES
: A capacitncia de entrada
(input capacitance) a soma da ca-
pacitncia entre gate e coletor; e a
gate com emissor.
C
OES
: A capacitncia de sada
(output capacitance) a soma das
capacitncias entre gate/coletor
e coletor/emissor, considerando
o gate em curto-circuito com o
emissor.
RBSOA
A rea segura de operao (Reverse
Biased Safe Operating Area) a curva que
limita a mxima corrente e a tenso de
operao que o componente pode cha-
vear a uma temperatura mxima que
respeita as caractersticas do dispositivo.
Se o IGBT estiver dentro desta curva, teo-
ricamente, ele no sofrer danos.
Normalmente, nos testes para deter-
minar esta curva, os fabricantes aplicam
uma corrente 200% a mais da nominal,
com 85% de V
CES
a uma temperatura T
J
=
125C. Alm disso, o IGBT trabalha com
uma carga indutiva (pior caso).
A fgura 13 exibe uma curva RBSOA
tpica, e a fgura 14 um exemplo de cir-
cuito de teste.
A fgura 15 ilustra uma forma de onda
tenso x tempo do teste.
Dissipadores de Calor
A funo do dissipador de calor em
um IGBT (ou em um mdulo de IGBTs)
manter a temperatura da juno (ou
junes no caso de um mdulo) dentro
de um valor seguro (abaixo do mximo).
A temperatura da operao do IGBT
est relacionada com a expectativa de vida
do componente. A fgura 16 mostra como
o aumento da temperatura diminui a vida
do componente de modo exponencial.
Por esta razo a escolha de um dissi-
pador deve ser cuidadosa, pois ela defne
a confabilidade do sistema. Alguns equi-
pamentos, inversores de frequncia, por
exemplo, utilizam coolers para melhorar a
conduo de calor entre o componente e
o meio ambiente.
Os fatores a serem considerados para
a escolha de um dissipador de calor (com
ou sem cooler) so:
Qual a mxima temperatura de
juno?
Qual a capacidade de sobrecor-
rente?
Qual o custo do sistema de dissi-
pao?
Qual o espao fsico ocupado pelo
dissipador e ventilador?
Qual ou quais tipos so viveis de
serem instalados?
A figura 17 ilustra um dissipador
tpico de um IGBT em encapsulamento
TO-220; j a fgura 18 exibe um dissipador
para um mdulo de seis IGBTs.
IGBTs e Inversores
de Frequncia
A importncia dos equipamentos in-
versores de frequncia (utilizados como
acionamentos de motores AC) na auto-
F14. Circuito de teste RBSOA. F15. Forma de onda do teste.
F17. Dissipador de calor para IGBT
com encapsulamento TO-220.
F16. Expectativa de
vida x temperatura.
F18. Dissipador para
mdulo de seis IGBTs.
Obs.: Dimenses em mm
Componentes
mao industrial tornou-se extremamente
signifcativa nas ltimas dcadas.
Atualmente, inversores vetoriais e
sensor less j so dispositivos comuns
que equipam grande parte das mquinas
e sistemas de produo contnuos e da
manufatura.
At o fnal da dcada de 80, entretanto,
estes aparelhos eram muito caros e utili-
zados em situaes muito especfcas. Na-
quela poca, os acionamentos em corrente
contnua (conversores CC) dominavam o
mercado, mesmo com as desvantagens
tcnicas quanto ao alto preo da manu-
teno preventiva e corretiva.
Um dos fatores que contribuam para
o alto preo dos inversores era sua etapa
de potncia, feita com transistor FET de
potncia (os famosos V FETs). Estes
componentes, alm de caros, no po-
diam chavear grandes cargas (motores
pesados).
O advento do IGBT, por outro lado,
foi fundamental para a popularizao
dos inversores de frequncia, fazendo
com que, em uma dcada, quase toda a
motorizao industrial se convertesse em
corrente alternada.
A fgura 19 ilustra uma etapa tpica de
potncia de um inversor, feita com IGBTs.
A tendncia mais moderna integrar
estes componentes em mdulos (power blo-
ck), de modo a otimizar o projeto e espao.
O princpio de operao simples, vis-
to que um circuito eletrnico de controle
comuta trs IGBTs por vez (cada um em
associao em srie diferente com um na
parte de cima e outro na parte de baixo),
a ordem de chaveamento pode ser vista
na fgura 20, onde temos as tenses em
cada uma das chaves com o tempo e a
tenso total entre a fase T e o neutro da
associao em Y.
Este tipo de inversor chamado de
seis passos, onde podemos observar
que a forma de onda da tenso da fase
T com respeito ao neutro formada por
seis segmentos idealmente retos. As
formas de onda nas demais fases so
iguais a T, defasadas em fase 120 uma
da outra.
Uma caracterstica interessante dos m-
dulos de IGBTs a presena dos diodos em
antiparalelo com cada componente. Estes
dispositivos so conhecidos como diodos
free whee ling, e protegem cada elemento
do mdulo da fora contra eletromotriz
gerada por cargas indutivas (motores).
Geralmente, estes diodos podem su-
portar 2/3 da corrente nominal de cada
transistor, o que confere proteo sufciente
para a maioria das aplicaes.
Concluso
Assim como os IGBTs podem ser
utilizados como etapa de potncia
de sada para inversores de frequ-
ncia, eles podem ser usados como
toda e qualquer chave esttica, cujo
regime de operao seja severo (alta
temperatura, corrente, tenso, e fre-
quncia).
Esta caracterstica faz desse transistor
um importante elemento para sistemas
de alta confiabilidade em automao
industrial.
F19. Bloco funcional de um
inversor de 6 pulsos.
F20. Fase T em relao ao
neutro.
E
Componentes
C
onverter dados da forma digital
para analgica e vice-versa no
to simples como parece. A infni-
dade de tipos de conversores, com
caractersticas que nem sempre so bem
interpretadas, pode complicar as coisas
para um projetista e muito mais que isso,
induzi-lo a uma escolha errada.
Neste primeiro artigo de nossa srie
de trs, trataremos dos parmetros que
devem ser observados em um conversor
de dados ADC ou DAC, fornecendo ele-
mentos para que os projetistas tenham
condies de interpretar corretamente os
dados de suas folhas de especifcaes, e
assim no errar na escolha do tipo apro-
priado para seu projeto.
Conversores de Dados:
Saiba como interpretar suas principais caractersticas,
e escolher o melhor tipo para sua necessidade
Os conversores de dados fazem
parte de uma infinidade de aplica-
es eletrnicas modernas. Con-
vertendo dados da forma digital
para analgica (DAC) ou da forma
analgica para digital (ADC), eles
operam em conjunto com micro-
processadores, integrando DSP,
alm de estarem presentes numa
infinidade de aplicaes onde sinais
analgicos e digitais devam ser
processados e convertidos.
Nesta srie de artigos, feitos com
base em ampla documentao da
Texas Instruments, analisaremos
um pouco dos principais problemas
que envolvem o uso de conversores
de dados, com especial nfase para
pontos que muitos projetistas, mes-
mo experientes, s vezes esquecem
ou no conhecem, e que podem
comprometer um projeto, que so
as interpretaes das especificaes
e os erros.
Newton C. Braga
O Conversor ideal
O conversor analgico-digital (ADC)
ideal tem uma curva de converso que
uma linha reta. No entanto, na realidade,
dada a quantidade fnita de valores que
podem ser representados na forma digital
com um determinado nmero de bits, a
curva real de um conversor uma escada,
conforme ilustra a fgura 1.
Do mesmo modo, o conversor digital-
-analgico ou DAC ideal tem tambm
uma curva que seria representada por
uma linha reta, com infnitos pontos de
converso. Contudo, na prtica, essa cur-
va tambm uma escada onde o nmero
de degraus ou passos depende do nmero
de bits, e, portanto, da quantidade de
F1. Curva de converso real de um Con-
versor AnalgicoDigital (ESCADA).
valores individuais que podem ser con-
vertidos, observe a fgura 2.
Analisemos os dois tipos de conver-
sores separadamente para entendermos
melhor o que essa fuga do comportamen-
to ideal pode representar na escolha de
um conversor.
O Conversor Analgico-
Digital ou ADC
Um ADC s pode representar uma
quantidade de valores fnitos do sinal de
entrada.
Conforme vimos pela fgura 1, cada
cdigo digital de sada representa apenas
uma frao da faixa analgica de entrada.
Como a escada de valores analgicos
contnua e a faixa de cdigos digitais
discreta, h um processo de quantizao
na converso que introduz um erro.
medida que o nmero de cdigos
discretos aumenta, os degraus da escada
de converso se tornam menores e a
funo de transferncia se aproxima de
uma linha reta ideal.
No projeto de um ADC os degraus
(ou passos) so programados de modo a
ter transies que fquem no ponto mdio
de cada um na escada de converses,
justamente por onde passa a linha que
corresponderia a um conversor ideal.
A largura de um degrau defnida
como 1 LSB (Least Signifcant Bit) ou bit
menos signifcativo, e utilizada tambm
como referncia para outras grandezas
nas especifcaes dos conversores. Ela
tambm pode ser empregada para indicar
a resoluo de um conversor, j que defne
o nmero de divises ou unidades da
escala analgica varrida pelo conversor.
Isso signifca que LSB representa uma
quantidade analgica que corresponde
metade da resoluo analgica.
A resoluo de um ADC normalmen-
te expressa pelo nmero de bits do cdigo
digital de sada.
Por exemplo, um ADC com n bits de
resoluo tem 2n cdigos digitais de sada,
os quais defnem 2n degraus na escada
de converso.
Todavia, se levarmos em conta que o
primeiro degrau (zero) e o ltimo degrau,
tm apenas metade da largura total dos
demais degraus, devemos dizer que a es-
cada total (full-range) ou FSR est dividida
em 2n -1 degraus.
Isso quer dizer que para um conversor
de n bits temos:
Para um DAC, 1 LSB corresponde
altura de um passo entre dois valores
analgicos de sada (veja a fgura 2),
e isso vale da mesma forma para um
ADC. Um DAC pode ser comparado a
um potencimetro controlado digital-
mente, no qual a escala de valores de
sada determinada pelo cdigo digital
de entrada.
Erros
Como os conversores no so per-
feitos, fugindo do comportamento ideal
pelas caractersticas que vimos, erros so
introduzidos. Analisemos alguns desses
erros.
O Conversor
Digital-Analgico
Um conversor digital-analgico s
pode representar um nmero limitado
de cdigos digitais de entrada. Com isso,
ele s pode fornecer um nmero fnito de
valores analgicos de sada, conforme
vimos pela curva de transferncia da
fgura 2.
F2. A curva real de um Conversor Digital
Analgico tambm uma ESCADA.
F3. Erro de ofset do
conversor.
Componentes
Fontes de Erros Estticos
Erros estticos so aqueles que afetam a
preciso de um conversor quando ele conver-
te sinais estticos (DC). Esses erros podem ser
resumidos em quatro espcies: erro de ofset,
erro de ganho, no linearidade integral e no
linearidade diferencial. Cada um deles pode
ser expresso em termos de unidades LSB, ou
ainda na forma de uma porcentagem.
Por exemplo, um erro de LSB em
um conversor de 8 bits corresponde a um
FSR de 0,2%. Examinemos em detalhes
esses erros:
Erro de offset
O erro de ofset, observe a fgura 3,
defnido como a diferena entre os pontos
nominais e reais de ofset.
Para um ADC, o ponto de ofset o
valor de meio degrau quando a entrada
digital zero.
Para um DAC o valor do degrau
quando a entrada digital zero. Esse tipo
de erro afeta todos os cdigos da mesma
forma (com igual intensidade) e pode
normalmente ser compensado com um
processo de ajuste ou compensao.
Se o ajuste ou compensao no
possvel, o erro referido como erro de
escala zero ou zero-scale, se indicarmos
o termo em ingls.
Erro de Ganho
O erro de ganho ilustrado na fgura 4,
defnido como a diferena entre o ponto
nominal e o ponto de ganho real na funo
de transferncia, depois de feita a correo
do erro de ofset para zero.
Para um ADC, o ponto de ganho est
no centro do degrau quando a sada digital
est no fnal da escala, enquanto que para
um DAC o valor do degrau quando a
entrada digital est no seu valor mximo.
Esse erro representa a diferena entre
o desvio real e a funo de transferncia
ideal, uma vez que ele tem sempre a
mesma porcentagem de erro para cada
degrau. Ele tambm pode ser normal-
mente reduzido para zero atravs de
compensao ou ajuste.
Erro de No Linearidade Di-
ferencial ou DNL (Differen-
tial Nonlinearity Error)
O erro de no linearidade diferencial
exibido na fgura 5, e algumas vezes
F4. Erro de Ganho do
Conversor.
F5. Erro de No Linearidade Dife-
rencial (DNL) do Conversor.
chamado simplesmente de linearidade
diferencial. No caso de um ADC, esse
erro dado pela diferena entre a largura
real do degrau (ou a altura do degrau se
for um DAC), e o valor ideal que de 1
LSB. Se a largura ou altura do passo for
exatamente 1 LSB, ento o erro de no
linearidade diferencial zero.
Se o DNL for maior que 1 LSB, ento
o conversor poder tornar-se no mono-
tnico, ou seja, a magnitude da sada ser
menor para um aumento da magnitude
da entrada. Em um ADC existe ainda a
possibilidade que ocorra a ausncia de c-
digos, ou seja, um ou mais dos 2n cdigos
de sada nunca estar presente na sada.
Erro Integral de No
Linearidade (INL)
O erro integral de no linearidade
(Integral Nonlinearity Error) abreviado por
INL mostrado na fgura 6.
Esse erro dado pelo desvio da reta
ideal do valor na funo real de transfe-
rncia.
Essa linha reta poder ser a melhor
linha reta que seja desenhada para
minimizar esses desvios ou uma linha
reta traada entre os pontos extremos
da funo de transferncia, uma vez que
os erros de ganho e ofset tenham sido
modifcados.
O segundo mtodo denominado
linearidade de pontos extremos.
Para um ADC, os desvios so medi-
dos nas transies de um degrau para
o seguinte, e para os DAC so medidos
a cada degrau.
O nome no linearidade integral
deriva do fato de que a soma das no
linearidades diferenciais de baixo para
cima de um degrau especfico determi-
na o valor da no linearidade integral
naquele passo.
Erro de Preciso
Absoluta (Total)
A preciso absoluta ou erro total de
um ADC, representada na fgura 7.
Trata-se do valor mximo que a di-
ferena de um valor analgico tem em
relao ao valor mdio do degrau. Esse
erro inclui o os erros de ganho, de ofset e
de no linearidade integral, assim como
o erro de quantizao no caso dos ADCs.
Erro de Abertura
O erro de abertura, tambm conhecido
como jiter de abertura, causado pela
incerteza no instante em que a amostra-
gem e manuteno passam do modo de
amostragem para o modo de manuteno,
observe a fgura 8.
Essa variao causada pelo rudo no
clock, ou pelo sinal de entrada. O efeito do
erro de abertura uma limitao para a
fxao da frequncia mxima de um sinal
F7. Erro Total de um
Conversor.
F6. Erro Integral de No
Linearidade (INL).
Componentes
senoidal aplicado na entrada porque ele
defne a taxa mxima de crescimento do
sinal. As frmulas que determinam esse
erro so dadas nessa prpria fgura.
Efeitos da Quantizao
Na prtica, os sinais analgicos na
entrada de um ADC formam um espec-
tro contnuo de valores com um nmero
infnito de estados possveis. Entretanto,
a sada digital uma funo discreta
com um nmero fnito de estados que
so determinados pela resoluo do
dispositivo.
Em consequncia disso, parte dos
valores de tenses diferentes aplicadas na
entrada representada pelo mesmo valor
digital na sada. Assim, parte da informa-
o perdida, e uma distoro no sinal
introduzida. Isso o que denominamos
de rudo de quantizao.
Para uma escada de transferncia ideal
de um ADC, o erro entre o valor real da
entrada e a forma digital obtida na sada
ter uma densidade de probabilidade
uniforme se o sinal de entrada for consi-
derado aleatrio.
Ele pode variar na faixa de +/- LSB
ou +/-q/2, onde q a largura de um passo,
como ilustra a fgura 9.
Nela, temos as frmulas que permitem
calcular esse erro.
Amostragem Ideal
Quando se converte um sinal contnuo
em relao ao tempo em uma represen-
tao digital, o processo de amostragem
um requisito fundamental para o bom
funcionamento disso.
No caso ideal, a amostragem consiste
em um trem de pulsos que so infnita-
mente estreitos e tm uma unidade de
rea. A recproca do tempo entre cada
impulso chamada taxa de amostragem
(sample rate).
O sinal de entrada tambm deve ter
suas caractersticas limitadas, no conten-
do componentes acima de certo valor no
seu espectro, veja exemplo na fgura 10.
A condio de amostragem ideal
representada tanto no domnio de frequ-
ncia quanto de tempo.
O efeito da amostragem no domnio
do tempo produz um trem modulado em
amplitude que representa o valor do sinal
no instante da amostragem.
F8. Erro (ou jitter) de Abertura
do Conversor.
F9. Erro de Quantizao
do Conversor.
No domnio de frequncias, o espectro
do trem de pulsos uma srie de frequ-
ncias discretas que so mltiplas da taxa
de amostragem.
A amostragem convolve o espectro do
sinal de entrada de tal forma que o trem de
pulsos produz o espectro combinado, exi-
bido na fgura, com duas bandas laterais
em torno de cada frequncia discreta, que
so produzidas no processo de modulao
em amplitude.
O efeito de algumas frequncias mais
altas refetido de tal forma que h a pro-
duo de uma interferncia nas frequn-
cias mais baixas. Essa interferncia causa
distoro, que chamada tecnicamente
aliasing ou falseamento.
Se o sinal de entrada manuseado de
modo a ter limitaes para uma frequn-
cia determinada f, numa frequncia de
amostragem fa como mostra a fgura 10,
o desvio e o fenmeno de falseamento no
vo ocorrer se:
dulados em amplitude conforme ilustra
a fgura 11. Examinando o espectro do
trem de pulsos retangulares, observamos
uma srie de frequncias discretas, mas
a amplitude dessas frequncias modif-
cada por um envelope. O erro resultante
disso pode ser controlado por um fltro
que compensa o envelope senoidal. Ele
pode ser implementado como um fltro
digital num DSP ou utilizando tcnicas
analgicas convencionais.
O Efeito de Falseamento e
Consideraes
Nenhum sinal realmente determi-
nstico e em consequncia, na prtica,
ocupa uma faixa infnita de frequncias.
Entretanto, a energia nas componentes
de frequncias mais altas diminui gradu-
almente de tal forma que a partir de certo
valor, sua presena pode ser considerada
irrelevante. Esse valor pode servir de refe-
rncia para a elaborao de um projetista.
Como mostrado, a intensidade do
falseamento ou aliasing afetada pela
frequncia de amostragem e pela largura
de faixa relevante do sinal de entrada,
fltrado da forma necessria. O fator que
determina quanto de falseamento pode
ser tolerado , em ltima anlise, a reso-
luo do sistema.
Se o sistema tem baixa resoluo, en-
to o piso de rudo relativamente alto
e o efeito de falseamento no aparece
de modo signifcativo. Contudo, em um
sistema de alta resoluo, o efeito do
falseamento pode aumentar o piso de
rudo consideravelmente, e ento deve
ser controlado de forma mais completa.
Uma forma de prevenir o efeito
de falseamento aumentar a taxa de
amostragem. Todavia, a frequncia est
limitada pelo tipo de conversor usado
e tambm pela taxa mxima de clock do
processador digital que recebe e transmite
os dados. Assim, para reduzir os efeitos de
falseamento para nveis aceitveis, fltros
analgicos devem ser usados de modo
a alterar o espectro do sinal de entrada,
observe a fgura 12.
Escolha do Filtro
Conforme vimos, na amostragem
existe uma soluo ideal para a escolha do
Dessa forma, na amostragem realizada
em uma frequncia que seja pelo menos
duas vezes maior que a frequncia do si-
nal de entrada, o fenmeno do aliasing ou
falseamento no acontece e a informao
contida no sinal pode ser extrada.
Esse o Teorema da Amostragem de
Nyquist, que fornece o critrio bsico
para a seleo da taxa de amostragem
necessria converso de um sinal de
entrada numa determinada faixa de
frequncias.
A Amostragem Real
O conceito de pulso til para simpli-
fcar a anlise do processo de amostragem.
Todavia, trata-se de um ideal terico que
pode ser aproximado, mas nunca alcana-
do na prtica. Em lugar disso, o sinal real
uma srie de pulsos com um perodo
que igual ao recproco da frequncia de
amostragem.
O resultado da amostragem com o
trem de pulsos uma srie de pulsos mo-
fl < fa fl
2fl < fa
Ou seja:
F10. Representao da Amostragem de um Sinal
nos domnios do tempo e Ideal da frequncia.
Componentes
fltro e para a realizao prtica que no
comprometa o projeto. O fltro ideal con-
siderado uma barreira que no introduz
nenhuma atenuao na faixa passante e ao
mesmo tempo corta instantaneamente os
sinais indesejveis.
Na realidade, isso no ocorre, pois
todo fltro introduz certa atenuao na
faixa passante, tem uma resposta fnita e
deixa passar algumas frequncias na faixa
que deve ser bloqueada. Alm disso, ele
tambm pode introduzir distoro de fase
e de amplitude nos sinais.
A escolha admite diversas possibili-
dades.
Filtro Buterworth
Filtro de Chebyshev
Filtro Inverso de Chebyshev
Filtro de Cauer
Filtro de Bessel-Thomson.
Cada um desses fltros apresenta ca-
ractersticas apropriadas para determina-
dos tipos de projetos, devendo o projetista
de conversores de dados conhec-los
muito bem para saber qual deve usar
numa aplicao.
F11. Resultado da Amostragem Real do Sinal nos
domnios do tempo e da frequncia.
F12. Uso de Filtro Analgico para reduo do
efeito de falseamento para nveis aceitveis.
E

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