DEE

Disciplina: Eletrnica de Potncia (ENGC48)

Tema: Dispositivos para Eletrnica de Potncia

Prof.: Eduardo Simas
eduardo.simas@ufba.br
Aula 8
Universidade Federal da Bahia
Escola Politcnica
Departamento de Engenharia Eltrica

DEE
2/80
Sumrio
Principais dispositivos para Eletrnica de Potncia
Diodos
Transistores
Tiristores
Aplicaes

DEE
3/80
1. Dispositivos Semicondutores

DEE
4/80
Principais Dispositivos Semicondutores
Diodo de Potncia:
Transistor Bipolar
de Potncia:

MOSFET de Potncia:

IGBT: (Insulated Gate
Bipolar Transistor)
Tiristor (SCR):

TRIAC:

GTO (Gate Turn
Off Thyristor):
MCT (MOS controlled
Thyristor)

DEE Tratamento Trmico e Termoqumico dos Aos 5/80
Principais Dispositivos Semicondutores
Os dispositivos so
escolhidos considerando a
potncia mxima e a
frequncia de chaveamento
necessrias para a
aplicao

DEE
6/80
2.Diodos de Potncia

DEE 7/80
Diodos de Potncia
Os diodos de potncia so provavelmente o dispositivo semicondutor mais
simples utilizado em aplicaes da Eletrnica de Potncia.

Simbologia
Curva Caracterstica
Encapsulamentos
A -> Anodo
K -> Catodo
Quando:
VA > VK (VAK > 0) -> polarizao direta -> conduo
VA < VK (VAK < 0) -> polarizao reversa -> bloqueio

DEE 8/80
Diodos de Potncia
Estrutura interna bsica de um diodo semicondutor (juno P-N):
Regio de
depleo

DEE 9/80
Diodos de Potncia
Estrutura interna:
- O lado N dividido em dois, com
diferente intensidade da dopagem.
- A regio N
-
tem menor intensidade de
impurezas dopantes e permite ao
componente suportar tenses mais
elevadas pois diminui o campo eltrico
na regio de transio.
- As regies externas so fortemente
dopadas gerando contatos com
caractersticas ohmicas (e no
semicondutoras).

DEE 10/80
Diodos de Potncia
Caractersticas estticas:
Vo -> Tenso de conduo
I
R
-> Corrente reversa
V
RR
-> Tenso de ruptura reversa
r -> Resistncia interna para pol. direta
r=
V
I

DEE 11/80
Diodos de Potncia
Caractersticas dinmicas:
Diodos de potncia
apresentam um tempo
finito (no-nulo) para passar
do estado desligado (pol.
reversa) para o estado
ligado (polarizao direta) e
vice-versa.
Sobre-tenso durante o
ligamento (V
FP
)!
Pico de corrente reversa no
desligamento (I
rr
) !
I
F
-> Corrente de pol. direta
V
ON
-> Tenso de conduo
V
R
-> Tenso de pol. reversa
Q
rr
-> Carga acumulada

DEE 12/80
Diodos de Potncia
Caractersticas dinmicas Transitrio p/ conduo:
Portadores so injetados na regio de depleo diminuindo
a barreira de potencial.
O excesso de portadores produz aumento na corrente (t
1
).
O pico de tenso direta (V
FP
) produzido devido a
caractersticas internas ao diodo como:
capacitncia produzida na regio de depleo quando
polarizada reversamente;
resistncia equivalente da regio N
-
;
indutncia da pastilha de silcio
V
FP
pode chegar a algumas dezenas de volts

DEE 13/80
Diodos de Potncia
Carac. dinmicas Transitrio p/ bloqueio:
Durante t
3
o excesso de portadores na juno
gradualmente reduzido.
O intervalo t
rr
= t
4
+ t
5
chamado tempo de recuperao
reversa.
I
rr
=
di
R
dt
t
4
=
di
R
dt
t
rr
S+ 1
sendo: S=
t
5
t
4
Q
rr

1
2
I
rr
t
rr
Do grfico temos:
ento:
Q
rr
=
di
R
dt
t
rr
2
2(S+ 1)
dt di
) + (S
= t
R
rr
rr
/
1 2Q
Substituindo chega-se a:
1
/ 2Q
+ S
dt di
= I
R rr
rr

DEE 14/80
Diodos de Potncia
Transitrio para bloqueio com diferentes fatores de atenuao:
Recuperao suave Recuperao abrupta
Observao: t
a
=t
4
e t
b
=t
5

DEE
Perdas em Diodos de Potncia
Perdas:
Perdas no estado ligado:

Perdas no estado desligado:

Perdas no chaveamento:

Total:
P
Ligado
= V
F
I
F
t
ON
T
P
Comutao
=
V
F( max)
I
F( max )
t
Comutao
6
f
S
Perdas= P
Ligado
+ P
Desligado
+ P
Comutao
P
Desligado
= V
R
I
R
t
OFF
T
Sendo:
V
F
= tenso direta
I
F
= corrente direta
V
R
= tenso reversa
I
R
= corrente de fuga
fs = frequncia de chaveamento
15/80

DEE 16/80
Diodos de Potncia
Exemplo:
Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:
Taxa de queda da corrente = 20 A/s
Tempo de recuperao reversa = 5 s
Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t
4
>> t
5
(recuperao
abrupta).

DEE 17/80
Diodos de Potncia
Exemplo:
Considerando que o fabricante de um diodo informou os valores a seguir:
Taxa de queda da corrente = 20 A/s
Tempo de recuperao reversa = 5 s
Encontre a corrente de pico reversa sabendo que t
4
>> t
5
(recuperao
abrupta).
Resoluo:
Como t
4
>> t
5
, ento S 0, assim:
C = ) ( s A =
t
dt
di
= Q
rr R
rr
50 5 / 20 2 / 1
2
2
2

A = C
s
A
= dt di = I
R rr rr
72 , 44 50 2 20 / 2Q

DEE 18/80
Diodos Schottky
O diodo Schottky formado
pela juno de um filme
fino de metal com um
semicondutor (que
normalmente do tipo n).

DEE 19/80
Diodos Schottky
As caractersticas de retificao i-v so semelhantes s de um diodo de
potncia formado por uma juno p-n.

Entretanto apresenta caractersticas particulares se comparado a um
diodo de juno p-n como:
Tenso de conduo mais baixa (0,3 a 0,4 V)
Maior corrente de fuga reversa
Tenso de bloqueio entre 100 e 200 V
Maior velocidade na mudana de estados
Menor pico de tenso durante o ligamento

DEE 20/80
Diodos de Potncia
Circuitos snubber para diodos de potncia:
No processo de recuperao reversa podem
aparecer picos de tenso em diodos de potncia.
Estes picos podem danificar o dispositivo.
Os circuitos amaciadores (snubbers) so utilizados
para proteo dos diodos de potncia.
Capacitor -> estabiliza a tenso:

Resistor -> dissipa energia


DEE
21/80
3. Transistores Bipolares de Potncia

DEE 22/80
TBJ de Potncia
Os TBJs de potncia tm sido tradicionalmente utilizados em diversas
aplicaes onde necessrio o chaveamento de potncia em altas e baixas
frequencias.
Recentemente, com o avano da tecnologia de fabricao de semicondutores,
os transistores de efeito de campo metal-xido (MOSFET) e os transistores
bipolares de porta isolada (IGBT) vm gradualmente substituindo os TBJ em
algumas aplicaes.

DEE 23/80
TBJ de Potncia
Estrutura orientada na
vertical maximiza a rea da
seo transversal.
As resistncias eltrica e
trmica so minimizadas.
Os nveis de dopagem e as
larguras das camadas
influenciam nas
caractersticas do dispositivo.

Estrutura interna
Simbologia

DEE 24/80
TBJ de Potncia
O coletor tem dois nveis de dopagem distintos (de modo semelhante ao diodo de
potncia).
A largura das camadas do coletor determina o nvel de tenso de ruptura do
dispositivo.
Pode ser dos tipos NPN ou PNP:


DEE 25/80
TBJ de Potncia
Princpio de operao (tipo NPN):
H uma juno PN entre a base e o emissor e outra entre a
base e o coletor.
Quando a juno B-E est diretamente polarizada (V
BE
> 0), um fluxo de portadores
de carga (eltrons e lacunas) estabelecido entre a base e o emissor.
Como a regio da base fina, os portadores acabam sendo atrados para a juno
coletor emissor que est inversamente polarizada (V
BC
> 0) e enfraquecendo a
regio de depleo.
Desse modo estabelecido um fluxo de portadores entre o coletor e o emissor.

DEE 26/80
TBJ de Potncia
Princpio de operao:
A corrente de emissor dada por:

A corrente de coletor uma frao da corrente de emissor:
Como i
E
= i
C
+i
B
:
sendo: V
T
=KT/q e o coeficiente de emisso

DEE 27/80
TBJ de Potncia
Curvas de operao
(emissor-comum):
Em aplicaes de chaveamento o TBJ opera entre as regies
de corte (corrente I
C
nula para qualquer valor de V
CE
) e de
saturao (alta corrente I
C
para baixos valores de V
CE
).

DEE 28/80
TBJ de Potncia
Curvas de operao :
TBJ de potncia vertical
A regio de quase-saturao
s existe nos diodos de
potncia devido regio de
baixa dopagem no coletor.
BV
SUS
: tenso de ruptura com I
C
> 0
BV
CEO
: tenso de ruptura com I
B
= 0
BV
CBO
: tenso de ruptura com I
B
< 0

DEE 29/80
TBJ de Potncia
ConexoDarlington:



Devido suas caractersticas construtivas os TBJ de
potncia em geral apresentam baixo ganho de corrente
(5 a 10 vezes).

Quanto um maior ganho necessrio pode-se utilizar
um par Darlington:

| = |
1
x |
2
+ |
1
+ |
2


DEE 30/80
TBJ de Potncia
Regio de Operao Segura (Safety Operation Area SOA)
Indica os valores de tenso e corrente que podem ser aplicados ao dispositivo:
Polarizao
direta
Polarizao
reversa

DEE 31/80
TBJ de Potncia
Caractersticas
dinmicas: Carga
Resistiva

Sendo:
t
on
= t
d
+ t
n
: tempo de ativao
t
off
= t
s
+ t
f
: tempo de desativao
t
d
: tempo de atraso devido ao
efeito capacitivo da juno B-E
t
n
: tempo de subida de Ic
t
S
: tempo necessrio p/ neutralizar
os portadores da juno C-B
t
f
: tempo de descida de Ic

DEE 32/80
TBJ de Potncia
Caractersticas dinmicas: Carga Indutiva
Com cargas indutivas a corrente apresenta um
atraso em relao tenso aplicada na base.
produzida uma corrente de base negativa
durante o desligamento do dispositivo.

DEE 33/80
TBJ de Potncia
Perdas:
As perdas podem acontecer no
chaveamento, durante a
conduo e no estado desligado
Quando a frequencia de chaveamento baixa as perdas na conduo so mais
significativas:

As perdas no chaveamento aumentam com
a frequencia de comutao:
V
CC
: tenso de polarizao do coletor
I
C(max)
: mxima corrente I
C
t: durao do transitrio de
chaveamento (t=t
on
ou t=t
off
)
f
S
: freq. de chaveamento
S C CE(SAT)
f t I V P =
Ligado Ligado
S
C(MAX) CC
f
I V
P

~
6
comutao
S C(Fuga) CC
f t I V P ~
Desligado Desligado

DEE 34/80
TBJ de Potncia

DEE 35/80
TBJ de Potncia
Circuitos de acionamento da base:
Exemplo
1
Um pulso positivo em 1 leva T
1
conduo,
carregando o capacitor com a tenso do diodo zener
e produzindo uma corrente positiva na base do T
P
.

Um pulso negativo em 1 leva T
2
conduo (e T
1
ao
corte ), criando um caminho para a descarga do
capacitor, que gera um pulso de corrente negativa na
base do T
P
, acelerando seu desligamento

DEE 36/80
TBJ de Potncia
Exemplo: Considerando que no circuito a seguir V
CC
=200V, R
C
=20 e
V
CE(sat)
=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:
a)f
s
=120Hz, t
on
=1s e t
off
=1,5s
b)f
s
=5kHz, t
on
=1s e t
off
=1,5s
Considere a corrente de fuga no estado bloqueado
aproximadamente igual a zero e um ciclo de trabalho d=0,8.


DEE 37/80
TBJ de Potncia
Exemplo: Considerando que no circuito a seguir V
CC
=200 V, R
C
=20 e
V
CE(sat)
=0,9V, encontre as perdas no TBJ para:
Resoluo:
a)f
s
=120Hz, t
on
=1s e t
off
=1,5s
1/fs = Ts = T
Ligado
+ T
Desligado
+ T
comut
sendo Ts o perodo entre os
chaveamentos assim: Ts= 8,3333 ms d = T
Ligado
/(Ts - T
comut
)
T
Ligado
= (8,3333 0,0025) x 0,8 = 6,6646 ms


Perdas = P
Ligado
+ P
comut
:
S C CE(SAT)
f t I V P =
Ligado Ligado
S
C(MAX) CC
f
I V
P

=
6
comutao

DEE 38/80
TBJ de Potncia
Exemplo:
>> Perdas no estado ligado:




>> Perdas na comutao:

S C CE(SAT)
f t I V P ~
Ligado Ligado
S
C(MAX) CC
f
I V
P

~
6
comutao
A = =
R
V V
= I
C
CE(SAT) CC
C
9,955
20
0,9 200

ento:
W P 7,17 120 10 6,6646 9,955 0,9
3
Ligado
~ =

A = =
R
V
= I
C
CC
) C(
10
20
200
MAX
ento:
sendo:
W = P 0,1 120 10 2,5
6
10 200
6
comutao

como:

DEE 39/80
TBJ de Potncia
Exemplo: Total de perdas:

>> Repetindo o problema para o item b) f
s
=5kHz, t
on
=1s e t
off
=1,5s chega-se a:
Ts= 20 s T
Ligado
=(20 2,5) x 0,8 = 14 s







Perdas= P
Ligado
+ P
Comutao
= 7, 17+ 0, 10= 7, 27W
W P 0,627 5000 10 14 9,955 0,9
6
Ligado
~

W = P 4,167 5000 10 2,5

6
10 200
6
comutao

W = + = P + P = 4,794 4,167 0,627 Perdas

Comutao Ligado

DEE 40/80
TBJ de Potncia
Aplicaes:
Acionamento de um
motor de corrente
contnua:

DEE
41/80
4. Transistores de Efeito de Campo de
Potncia

DEE 42/80
MOSFET de Potncia
Com os avanos na tecnologia de fabricao de semicondutores, MOSFETs com
considervel capacidade de conduo de corrente no estado ligado e bloqueio de
tenso no estado desligado comearam a ser produzidos em larga escala a partir
da dcada de 1980.
Os MOSFETs passaram a ser amplamente utilizados em substituio aos TBJs
principalmente em aplicaes onde requerida alta frequncia de chaveamento.
Diferente do BJT, o MOSFET pertence a uma classe de dispositivos UNIPOLARES,
pois utilizam apenas os portadores majoritrios para conduo.
So intrinsecamente mais rpidos que os TBJs pois no apresentam excesso de
portadores minoritrios a serem removidos durante os transitrios de ligamento e
desligamento, as nicas cargas a serem removidas so das capacitncias internas.

DEE 43/80
MOSFET de Potncia
Caractersticas:






O MOSFET de potncia utiliza uma estrutura de canal
vertical para aumentar a capacidade de potncia.
Estrutura interna de
um MOSFET canal-n
Simbologia
Canal-n
Canal-p
O gate est isolado
do corpo pelo SiO
2
.
n+ : 10
19
cm
-3
(alta dopagem)
n- : 10
14
cm
-3
(baixa dopagem)
p : 10
16
cm
-3
(mdia dopagem)

DEE 44/80
MOSFET de Potncia
Curvas de
Operao:

DEE 45/80
MOSFET de Potncia
Funcionamento:
Bloqueio
Duas junes p-n, no h passagem de corrente qualquer que seja a polarizao.

DEE 46/80
MOSFET de Potncia
Funcionamento:
Efeito de
campo.
Um capacitor
de alta
qualidade
formado.

DEE 47/80
MOSFET de Potncia
Funcionamento:
Conduo
A corrente de dreno controlada a partir da tenso aplicada na porta !

DEE 48/80
MOSFET de Potncia
Transitrios de chaveamento:
Circuito utilizado para analisar os
transitrios de chaveamento:
Acionamento de uma carga
indutiva.

DEE 49/80
MOSFET de Potncia
Transitrios de chaveamento:
Desligado Ligado:
No h pico de corrente nem
atraso de resposta como no TBJ.







DEE 50/80
Perdas no MOSFET de Potncia
Perdas:
Perdas no estado ligado:

Perdas no estado desligado:

Perdas no chaveamento:
Total:
Comparando com o TBJ, o MOSFET apresenta menor perda durante o chaveamento,
porm maior perda no estado ligado.
P
Ligado
= I
D
2
R
DS(ON)
t
ON
T
P
Comutao
=
V
DS( max )
I
D
t
Comutao
6
f
S
Perdas= P
Ligado
+ P
Desligado
+ P
Comutao
P
Desligado
= V
DS( MAX)
I
DSS
t
OFF
T

DEE 51/80
MOSFET de Potncia
Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parmetros: R
DS(ON)
=0,3 , ciclo
de trabalho 50%, I
D
=6 A, V
DS
=100V, t
(off-on)
=100 ns e t
(on-off)
=200 ns e que a frequncia de
chaveamento 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.

DEE 52/80
MOSFET de Potncia
Exemplo: Considerando que um MOSFET tem os seguintes parmetros: R
DS(ON)
=0,3 , ciclo
de trabalho 50%, ID=6 A, VDS=100V, t
(off-on)
=100 ns e t
(on-off)
=200 ns e que a frequncia de
chaveamento 40 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.
Resposta:
Ts = 1/fs = 25 s d = T
Ligado
/(Ts - T
comut
)
Como o ciclo de trabalho d=0,5 -> t
Ligado
= 0,5 x (25 0,1 0,2) = 12,35 s


P
ON
=
6
2
0,3 12, 35 10
6
25 10
6
= 5, 33W P
OFF
=
100 2 10
3
12, 35 10
6
25 10
6
= 0, 099W
P
COMUTAO
=
100 6 300 10
9
6
40 10
3
= 1,2W
P
TOTAL
= 5,33+ 0. 099+ 1,2= 6, 629W

DEE
53/80
5. Transistores Bipolares de Gate
Isolado (IGBT)

DEE 54/80
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)
Mescla caractersticas de baixa queda de tenso no estado ligado (do TBJ) com o
excelentes caractersticas de chaveamento (do MOSFET).
Os IGBTs vem substituindo os MOSFET em aplicaes de alta tenso onde as
perdas de conduo precisam ser mantidas em valores baixos.
Embora a velocidade de chaveamento dos IGBT seja maior que a dos TBJ, so
inferiores alcanada pelos MOSFET.
O IGBT acionado por tenso (assim como o MOSFET) e apresenta baixa
resistncia no estado ligado (como o TBJ).


DEE 55/80
IGBT
Simbologia
Estrutura interna
Modelo equivalente

DEE 56/80
IGBT
Caractersticas estticas:

DEE 57/80
IGBT
Perdas:
Perdas no estado ligado:

Perdas no chaveamento:

Perdas no estado desligado:

Total:


P
Ligado
= V
CE( sat )
I
C( avg)
T
Ligado
f
S
S
C(MAX) ) CE(
f
I V
P

~
6
max
Comutao
Perdas= P
Ligado
+ P
Comutao
+ P
Desligado
S Desligado C(Fuga) CC
f T I V P ~
Comutao

DEE
58/80
6. Tiristores

DEE
59/80
Tiristores
Tiristor o nome dado a uma famlia de
semicondutores que apresenta uma
estrutura com 4 camadas (pnpn);
Operam em regime chaveado
(controlado pelo terminal de gate);
So capazes de suportar altos valores
de tenso e corrente (entre os terminais
de anodo e catodo).
+

V
AK

-
I
A
I
G
Simbologia Estrutura
interna

DEE
60/80
Tiristores
O tiristor mais difundido o SCR (Retificador Controlado de Silcio Silicon
Controlled Rectifier);
Outros tiristores:
TRIAC (tiristor triodo bidirecional);
DIAC
GTO (tiristor comutado pela porta);
LASCR (SCR ativado pela luz).

DEE
61/80
Funcionamento Bsico
Corrente majoritria: A-K;
Bloqueio para tenso reversa (V
AK
<0 J
1
e J
3
reversamente polarizadas e J
2
diretamente polarizada);
A conduo para tenso direta (V
AK
>0 J
1
e J
3
diretamente polarizadas e J
2
reversamente polarizada) est condicionada existncia de uma corrente
positiva no gate (I
G
>0 diminuio da barreira de J
2
, permitindo a passagem
da corrente, que se mantm mesmo na ausncia de I
G
).
Dispositivos Semicondutores Eduardo Simas
Sentido de
conduo

DEE
62/80
Modelo Equivalente com 2 Transistores
V
AK
<0 no h conduo pois as junes dos dois
transistores esto reversamente polarizadas.
V
AK
>0 necessrio que V
G
>0 para iniciar a
conduo.
Uma vez que a corrente I
A
comea a circular, V
G
no
mais necessria para manter a conduo
Modelo equivalente
com dois transistores

DEE
63/80
Modos de Disparo de um Tiristor
Corrente positiva no gate: modo mais usual de disparo. A barreira J
2

atenuada pela corrente de gate, o que leva conduo se V
AK
>0.
Tenso: em polarizao positiva, a alta taxa de variao (dV/dt) pode levar o
tiristor conduo. Em alguns casos, a tenso direta pode iniciar (na
ausncia da corrente de gate) um processo de avalanche que leva
conduo.
Temperatura: altas temperaturas levam ao aumento da corrente de fuga
numa juno pn reversamente polarizada (J
2
).
Energia Radiante: energia radiante incidindo e penetrando no cristal pode
elevar o nmero de portadores livre (eltrons e lacunas) levando
conduo. Este o princpio utilizado no LASCR.

DEE
64/80
Curva Caracterstica Tenso-Corrente
Vbr Tenso de ruptura reversa;
Vbo Tenso de ruptura direta;
IL Corrente mnima de disparo;
Von Tenso de conduo.

DEE
65/80
Parmetros Bsicos de Tiristores
Mxima corrente de anodo (Iamax);
Mxima temperatura de operao (Tjmax);
Resistncia trmica (Rth);
Mxima taxa de crescimento da tenso direta Vak (dv/dt);
Mxima taxa de crescimento da corrente de anodo (di/dt);
Corrente de manuteno de conduo (IH);
Corrente de disparo (IL);
Tempo de disparo (ton);
Tempo de desligamento (toff);
Corrente de recombinao reversa (Irqm).

DEE
66/80
Associao de Tiristores
Embora os tiristores possam atingir altos valores de tenso e corrente
(~ 5kV / 4kA), em alguns casos preciso utilizar mais de um dispositivo
para elevar a capacidade de trabalho.
Associao em paralelo: aumenta a capacidade de conduo de corrente
do conjunto.
Associao em srie: aumenta o valor da tenso mxima que pode ser
aplicada ao conjunto.

DEE
67/80
Circuitos de Acionamento (Disparo)
O terminal de gate tem limites de dissipao de potncia muito menores
que os de anodo e catodo.
Para o acionamento podem ser utilizados circuitos de desacoplamento:





Ou circuitos micro-processados (por exemplo para acionamentos por PWM)

DEE
68/80
Retificador Controlado de Silcio (SCR)
um dos tipos mais comuns de tiristor (em alguns casos os termos SCR
e tiristor so usados como sinnimos).

Encapsulamentos

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Tiristor Comutado pelo gate (GTO)
Estrutura de 4 camadas tpica dos tiristores.
Funcionamento semelhante ao do SCR, porm pode ser levado ao estado de
bloqueio (desligado) pela aplicao de uma corrente negativa na porta (gate).
Conduo Desligamento

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Tiristor Comutado pelo gate (GTO)
Embora criado desda a dcada de 1960, no era muito utilizado devido ao
baixo desempenho.
Com a evoluo nos processos de fabricao de dispositivos
semicondutores :
Maiores valores nominais de tenso e corrente
Aumento na utilizao do GTO .
Desvantagens do GTO:
Podem no apresentar adequado bloqueio de tenso reversa.
Para no haver chaveamento indesejado conveniente manter as
correntes de gate (positiva conduo ou negativa bloqueio).

DEE
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Tiristor Triodo Bidirecional (TRIAC)
capaz de conduzir nos dois
sentidos;
O disparo condicionado
aplicao de tenso no gate;
O pulso de chaveamento deve
ter a mesma polaridade da
polarizao do dispositivo.
limitado a frequncias de
operao mais baixas.
Simbologia
Estrutura
interna

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Tiristor Triodo Bidirecional (TRIAC)
Caracterstica V-I: Conduo nos dois
sentidos.
Modelo equivalente: dois SCRs conectados
em anti-paralelo.

Curva Caracterstica

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Tiristor Diodo Bidirecional (DIAC)
O nico modo de levar o DIAC ao estado ligado
exceder a tenso de disparo.
Pode ser ligado com tenses positivas ou negativas.
Os DIACs so utilizados em circuitos de disparo de SCRs
ou TRIACs.


Curva Caracterstica
Simbologia
nodo 1 nodo 2
Estrutura
interna

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Aplicaes (SCR)
Retificadores Controlados:
Utilizados na converso AC-DC com controle de potncia:

Retificador monofsico de
meia onda controlado Sendo o o ngulo de disparo

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Aplicaes (Transistores / GTO)
Converso DC-DC:


Conversor Abaixador
(Step-down ou Buck)

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Aplicaes (Transistores / GTO)
Inversores (converso DC-AC):

Inversor de fonte de tenso (VSI) monofsico em meia ponte

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Aplicaes (SCR + Transistores / GTO)
Controle de Motores AC:

Sistema de controle de velocidade de motor de induo

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Aplicaes (DIAC e TRIAC)
Controle de Iluminao:

Circuito simples para controle da iluminao (dimmer)

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Exerccios de Fixao (parte 1 de 2):
1. Compare os diversos semicondutores de potncia considerando a potncia mxima e a frequncia de chaveamento.

2. Comente a respeito da estrutura interna de um diodo de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.

3. Considerando um circuito com um diodo de potncia em srie com um resistor de 100 sendo alimentado por uma fonte de tenso em onda
quadrada ( 300V) de frequncia igual a 1kHz e ciclo de trabalho 50%, sabendo que o tempo de recuperao reversa de 2 s, a taxa de subida
de corrente 40 A/micro s, a taxa de queda de corrente 30 A/s, calcule as perdas no dispositivo considerando que V
F
=1,1V e I
R
= 0,2 mA.

4. Compare o diodo Schottky com o diodo de potncia de juno p-n.

5. Comente a respeito da estrutura interna de um transistor bipolar de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.

6. Para o circuito da Figura 1, sabendo que V
CC
= 150 V, V
CE (sat)
= 0,9 V, V
BE(sat)
= 1,1 V, R
C
= 100 e R
B
= 1 k, sabendo que a tenso VB uma onda
quadrada simtrica, encontre o valor mximo necessrio para produzir a configurao de polarizao em saturao (conforme especificado).

7. Para o transistor da questo 06, encontre a perda no dispositivo se a frequncia do sinal V
B
for 2 kHz e o ciclo de trabalho 60%. Considere que os
tempos de ligamento e desligamento do dispositivo so respectivamente 0,5 s e 0,9 s e que a corrente de fuga aproximadamente 0,1 mA.

8. Comente a respeito da estrutura interna de um MOSFET de potncia e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.

9. Considerando que um MOSFET tem os seguintes parmetros: R
DS(ON)
=0,4 , ciclo de trabalho 80%, I
D
=7 A, V
DS
=170V, t
(off-on)
=130 ns e t
(on-off)
=150
ns e que a frequncia de chaveamento 30 kHZ, calcule as perdas no estado ligado e no chaveamento.

10. Repita a questo 09 para uma frequncia de chaveamento igual a 300 Hz e compare os resultados obtidos.

11. Comente a respeito da estrutura interna de um IGBT e dos seus efeitos nas caractersticas dinmicas do dispositivo.

12. No circuito da Figura 2, Vs = 220 V, R
L
= 10 , fs = 1 kHz e d= 0,6. Considerando as caractersticas do IGBT: t
ON
= 2,5 s, t
OFF
= 1 s e V
CE (sat)
= 2 V,
determine:
a. A corrente mdia na carga.
b. As perdas no dispositivo.

Figura 1
Figura 2

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Leitura indicada:
Rashid, Muhammad H. Power Electronics Handbook, Devices, Circuits and Applications, Segunda Edio, Elsevier, 2007.
Mohan, Undeland and Robins, Power Electronics, Converters, Applications and Design, Wiley
Pomilio, Jos Antenor. Eletrnica de Potncia , Faculdade de Engenharia Eltrica e de Computao, UNICAMP, 1998,
Revisado em 2002.
A. Ahmed. Eletrnica de Potncia. Prentice Hall, 2006.

Exerccios de Fixao (parte 2 de 2):
13. Compare os transistores TBJ de potncia, MOSFET de potncia e IGBT em termos das perdas , dos tempos e transitrios
de chaveamento.

14. Compare os diversos dispositivos tiristores estudados considerando a estrutura interna, o funcionamento, as curvas
caractersticas, etc.

15. Um SCR tem os seguintes valores nominais: tenso nodo-ctodo no estado ligado 1,5 V, tenso porta-ctodo no
estado ligado 0,6 V. Considerando o circuito da Figura 3 e que a tenso V
IN
= 4 V, determine a perda de potncia total no
estado ligado.

16. A perda de potncia durante o chaveamento num SCR pode ser estimada a partir de P
chav
= (V
bloq
x I
Direta
x t
chav
x fs)/6 .
Considerando ainda o circuito da Figura 3, se uma fonte em onda quadrada (Vs) de 100 V e frequncia 250 Hz
conectada ao resistor RL, estime as perdas de chaveamento sabendo que t
ON
= 5 s, t
OFF
= 25 s e que o SCR disparado
uma vez a cada dois ciclos da tenso.

17. Esboce a forma de onda da tenso na carga do circuito da questo 16 sabendo que o SCR disparado com um atraso de
0,5 ms em relao subida da tenso de alimentao.

Figura 3
+
Vs
-
Algumas figuras utilizadas nesta apresentao foram retiradas das referncias citadas acima.