Curso: Engenharia Eltrica

Disciplina: Laboratrio de Eletrnica II

Prof.: Frederico Luiz Fernandes Marcelino
Prtica 06 Amplificador BJT na configurao Darlington
Data: 06/10/2016
Autor (es): Athos Lincoln Oliveira/ Evandro Jnio de Paiva Pereira/ Samuel Rodrigues Souza Leite
Objetivo
Avaliar as correntes e tenses AC e DC de polarizao e os parmetros de pequenos sinais
para o amplificador BJT na configurao darlington.
Matrias e Mtodos
Realizou-se o clculo dos parmetros de polarizao DC e AC para o amplificador BJT na
configurao darlington. Aps isso, simulou-se o circuito utilizando o software Proteus, e realizouse sua montagem no Laboratrio de Eletrnica. Para montagem e simulao, utilizou-se os
seguintes equipamentos:

Protoboard;
Fonte de alimentao CC ajustada em 12V;
Gerador de sinais ajustado em 100 mVp 1 KHz;;
2 Transistores 2N2222;
1 resistor de 330 ;
1 resistor de 1M38 ;
1 resistor de 600 ;
Cabos banana-jacar;
Osciloscpio digital;
multmetro;
fios de conexes e osciloscpio.
A figura 1 ilustra o circuito que tema desta prtica.

Figura 1 - Amplificador BJT na configurao

Darlington.

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Prtica 06 Amplificador BJT na configurao Darlington
Data: 06/10/2016
Autor (es): Athos Lincoln Oliveira/ Evandro Jnio de Paiva Pereira/ Samuel Rodrigues Souza Leite
Resultados e Discusses
Para os clculos dos parmetros CC e CA desta configurao, utilizou-se as equaes
abaixo, obtendo-se os respectivos resultados:

I B 1=

V CC V BE 1V BE 2
=0.58021 A
R B + R E ( B1 +1)(B 2+1)

I C 1=B1 I B 1=93,413 A
B

1+ 1

I E 1=
r e 1=

26 mV
=276,61
IE 1

V E 1=V CC =12V
V B 1=V CCI B 1 RB =11,199 V
V E 1=V CC I B 1 R BV BE 1=10,609V
I B 2=I E 1 =93,994 A
I C 2=B2 I B 2=16,355 A
B

2+ 1

I E 2=
V C 2=V CC =12V
V B 2=V E 1=10,609V
2

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V E 2=R E I E 2=9,869 V
26 mV
=1,5806
IE 1

r e 2=

Z i=R B / BT R E=1,2753 M

Z0=

r e1
+ r =3,1703
B2 e2

G i=

BT R B
=2125,49
R B + BT R E

GV =

Gi R E
=0,999998
B T RB R E
(
)
R B +B T RE

A tabela 1 apresenta os resultados obtidos para os clculos realizados, para a simulao no

Proteus e para as medies realizadas no laboratrio
Tabela 1 - Resultados tericos, de simulao e prticas para a configurao darlington.

Experimento
s
Terico
Simulao
Prtico

Vb1/2
11,99V

11,349V

11,78V

Ve1/2

Vc1/2

IB1/2

IE1/2

IC1/2

10,609

10,609

9,8694

12

12

0,580

93,994

93,994

16,449mA

10,757

10,757

10,015

12

12

0,474

95,597

95,597

16,6945m

10,512

10,672

9,91V

12

12

0,431

94,894

94,894

16,581mA

93,414

16,355mA

A
95,122

16,5989mA

A
94,131

16,487mA

Utilizando-se um osciloscpio digital, foi possvel visualizar as formas de onda para Vi

(sinal de entrada do amplificador curva em verde) e Vo (sinal de sada curva amarela), assim
como mostrado na Figura 2.

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Autor (es): Athos Lincoln Oliveira/ Evandro Jnio de Paiva Pereira/ Samuel Rodrigues Souza Leite

Figura 2 - Formas de onda para Vi e Vo, vistas pelo

osciloscpio.

Os erros entre os valores tericos, prticos e da simulao, assim como a forma de onda
resultante pode ter sido ocasionada por se utilizar um circuito equivalente de transistor composto
por componentes lineares. Outro fator pode ser a dependencia do valor de com a corrente de
coletor, pois, quando o transistor est em operao no circuito, est sujeito a nveis de corrente que
podem alterar o valor de . Ento, isso pode influenciar no resultado.
Pode-se observar que o transistor Q1 atua como uma fonte de corrente para Q2, ou seja, o
aumento na corrente do coletor de Q1 preciso para suprir maior corrente para a base de Q2 com o
objetivo de manter o ponto quiescete do mesmo.
Como observado na parte terica que esta configurao possui uma alta impedncia de
entrada, na ondem de mega ohms e baixssima impedncia de sada e possui um ganho de tenso
aproximadamente igual a 1. Os valores da impedncia de entrada, vista pela base de Q 1 muito alta,
devido a baixa corrente que excita a base de Q2.
Concluso
Portanto, a caracterstica principal da conexo Darlington os transistores atuarem de
maneira nica, com um ganho de corrente que igual ao produto dos ganhos de corrente dos
transistores individuais. Assim, ele fornece um transistor com um ganho de corrente muito alto, em
geral em alguns milhares. Uma outra vantagem deste tipo de configurao que tanto o disparo
quanto o bloqueio so sequenciais, e a queda de tenso em saturao constante. Uma desvantagem
que sua utilizao se limita a mdias frequncias e potncias.
Alm disso, pode-se verificar que os valores calculados, tericos e simuladores esto
prximos dos medidos, o que atesta a verossimilhana dos dados obtidos.
Referncias
[1] SEDRA, A. S.; SMITH, K. C. Microeletrnica. 5ed. So Paulo: Pearson Prentice Hall, 2007.
[2] BOYLESTAD, R. L; NASHELSKY, L. Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Cirucitos. 8ed. So
Paulo: Pearson Prentice Hall, 2005.
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