e Campus Natal
Zona Norte |INSTITUTO EDERAL DE EDUCACKO CIENCIA TECNOLOGIA 00 RL CAMPUS NATAL ZONA NORTE
Eletrénica de poténcia
Definicao
Chaves semicondutoras de poténcia ne.
Tipos de circuitos de eletrénica de poténcia ..
Aplicagbes da eletrénica de poténcia
Dispositivos de poténcia: caracteristicas e funcionamento
Diodos de poténcia on...
Transistor bipolar do juncdo (TB)
Transistor de efeo de campo meta-xido-somicondutr (MOSFET)
Transistor bipolar de porta isolada (IGBT) .
Retificador controtado do silicio (SOR)...
TRIAC.... so
Dispostvos o crcutos de dispar.
pac. “
Transistor de unjungdo (UIT)
Oscilador de relaxagéo com UT.
Cs para disparo .
Dispositivos de protegéo e circuitos ..
Varistores
FUsivels sn
Transformadores de pUls0 1.
Acopladores épticos..
Conversores AC/DC (eiicadores) fon
Retificadores monofdsicos n&0 Control@d0S «1...
Retificadores monofésicos controlados
Conversores DC/DC (choppers)
Choppers step-down (buck)
Choppers step-up (boost) ..
(Choppers buck-boost
Conversores DC/AC (inversores)
Funcionamento de inversores monofésicos
SSRSSSVsSRRRBRSsssesaaaserxeavwnnnwn
Chaves estitleas ro.
Definigao e aplicagoes nn seonneennens 8T
‘Comparagéo com relés eletromecénicos 38
Relé de estado sdlido (SSR)... . se . 39
Bibliogratia a
ABOSTIA DE ELETRONICA DE POTENCIA LINSTITUTO FEDERAL DE EOUCACAO CIENCIA E TECNOLOGIA 00 A campus narAL 20a NORTE
Eletrénica de Poténcia
1.1 Definigéo
A eeletrénica de poténcia trata das aplicagies de dispositivos semicondutores de
poténcia, como tiristores e transistores, na conversdo € no controle de energia elétrica em
niveis altos de poténcia aplicados & industria. Essa conversao é normalmente de AC para DC ou
Vice-versa, enquanto os parametros controlados so tensdo, corrente e frequéncia, Portanto, 2
letrénica ‘de poténcia pode ser considerada uma tecnologia interdisciplinar que envolve trés
campos bésicos: 2 poténcia, a eletrénica e 0 controle,
1.2 Chaves semicondutoras de poténcia
‘As chaves semicondutoras de poténcia so os elementos mais importantes em circuitos
de eletrénica de poténcia. Os principais tipos de dispositivos semicondutores usados como
haves em circultos de eletrénica de poténdia sio:
Diodos;
Transistores bipolares de juncio (BITS);
Transistores de efeito de campo metal-dxido-semicondutor (MOSFETS);
‘Transistores bipolares de porta isolada (IGBTS);
Retificadores controlados de silicio (SCRs);
Triacs;
1.3 Tipos de circuitos de eletrénica de poténcia
Os circuitos de eletrénica de poténcia (ou conversores, como séo usualmente
chamados) podem ser divididos nas seguintes categorias:
Retificadores no controlados (AC para DC) - converte uma tens monofésica ou
trifésica em uma tensio DC e so usados diodos como elementos de retificacdo.
2. Retificadores controlados (AC para DC) ~ converte uma tenséo monofésica ou trifésica
‘em uma tenséo varidvel e sdo usados SCRs como elementos de retificacdo.
3. Choppers DC (DC para DC) ~ converte ums tenstio DC fixa em tenses DC varidvels.
4, Inversores (DC para AC) — converte uma tenso DC fixa em uma tensio monofésica ou
trifésica AC, fixa ou varidvel, e com frequéncias também fixas ou varidvels.
5. Conversores ciclicos (AC para AC) ~ converte uma tensdo e frequéncia AC fixa em uma
tensdo e frequéncia AC variavel.
6. Chaves estaticas (AC ou DC) - 0 dispositive de poténcia (SCR ou triac) pode ser
‘operado como uma chave AC ou DC, substituindo, dessa maneira, as chaves mecénicas
@ eletromagnéticas tradicionais,
1.4 Aplicades da Eletrénica de Poténcia
A transferéncia de poténcia elétrica de uma fonte para uma carga pode ser controlada
pela variagéo da tenséo de alimentacéo (com o uso de um transformador variével) ou pela
insergo de um regulador (como uma chave)
Os dispositives semicondutores utlizados como chaves tém a vantagem do porte
pequeno, do custo baixo, da eficiénciae da utiizagdo para o controle automético da poténca. ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
A aplicagdo de dispositives semicondutores em sistemas elétricos de poténcia vem
crescendo incessantemente. Os dispositivos como diodo de poténcia, transistor de poténcia,
SCR, TRIAC, IGBT etc, so usados como elementos de chaveamento e controle de forecimento
de energia de maquinas e motores elétricos.
Dentre as aplicagées cotidianas mais comuns se destaca 0 controle microprocessado de
poténcia.
Fig. 01 ~ Controle miroorocessade de poténala
Os equipamentos de informatica, tais como a fonte de alimentagao chaveada do PC, 0
estabilizador, 0 no-break, etc, utilizam como elementos principais disposttives semicondutores
chaveadores (Mosfets, IGBTS, TJBs, etc)
Fig 02 -no-break Fig, 03 - Fonte Chaveada de PC
2. Dispositivos de poténcia: caracteristicas e funcionamento
2.1 Diodos de poténcia
(© material ative mais comum para a construgdo do diodo é o silicio, um material
semicondutor, ou seja, classificado entre o isolante 0 condutor, cuja resisténcia decresce com
‘© aumento da temperatura.
O silico é um elemento do grupo IV da tabela periédica e tem quatro elétrons na titima
Grbita em sua estrutura atémica.
Se a ele for acrescido um elemento pentavalente, com cinco elétrons na ultima érbita,
haveré um elétron live na estrutura do cristal. O elétron livre possibilita um grande aumento na ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
conducdo e, como o elétron é uma carga negativa, esse material é conhecido como
semicondutor tipo N,
Se ao slicio for acrescentada uma impureza trivalente, um elemento com trés elétrons
ra sua Uitima érbita, surge um vazio ou lacuna na estrutura cristalina, que pode receber um
elétron, Esse vazio pode ser considerado uma carga positiva, conhecida como lacuna,
possibilta um grande aumento na conducéo; esse material dopado & conhecido como
semicondutor tipo P.
© grau de dopagem (adicéo de impurezas) é da ordem de 10” atomos. Em
semicondutores tipo N, a maioria dos portadores de corrente é de elétrons e a minoria & de
lacunas. 0 contrério aplica-se a semicondutor tipo P. Dependendo da dopagem, a condutividade
do semicondutor tiva Wou Pé aumentada muito se comparada 20 silico puro.
0 diodo mostrado abaixo é formado pela jung3o dos materiais dos tipos N e P. Desta
forma, sé hd passagem de corrente elétrica quando for imposto um potencial maior no lado P
do que no lado N. Devido a uma barreira de potencial formada nesta jungéo (Vy), & necesséria
uma d.d.p. com valor acima de 0,6V (em diodos de sinal) para que haja a condugao, Em diodos
de poténcia, esta tensio necesséria gira em torno de 1 a 2V,
SIN] PL sungéo PN
K A
—__kK_— Simbolo Elétrico
TS
Wr
Fou 04 ~ Simbolo do code
Na figura 05 vemos o aspecto fisico de um diodo de poténcia caracterizado pelo anodo
rosqueado,
‘Figura 05 ~ Aspect fio do dodo de paténcts
Principais valores nominais para os diodos
‘Tensio de pico inversa (PIV)
0 valor nominal da tensdo de pico inversa (peak inverse voltage ~ PIV) é a tenséo
inversa maxima que pode ser ligada nas terminals do diado sem ruptura. Se far excedido a PIV
nominal, 0 diodo comeca a conduzir na direcdo inversa e pode ser danificado no mesmo
instante, Os valores nominais da PIV so de dezenas a milhares de volts, dependendo do tipo
do diodo. Os valores nominals da PIV so também chamados de tensdo de pico reversa (PRV)
ou fensao de ruptura (VBR). ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
Corrente
A corrente direta média maxima € a corrente méxima que um diodo pode aguentar com
seguranca quando estiver diretamente polarizado. Os diodes de poténcia esto disponiveis com
valores nominais que vao desde alguns poucos a centenas de ampéres,
‘Tempo de recuperacio reverso (tr)
0 tempo de recuperagio reverso de um diodo é bastante significativo em aplicacées de
chaveamento em alta velocidade. Um diodo real ndo passa, em um tnico instante, do estado de
Cconducdo para o estado de no-conducéo. Nesse momento, uma corrente inversa flui por breve
periodo, e 0 diodo no desliga até que a corrente inversa caia a zero,
(© intervalo durante © qual a corrente inversa flui é denominado de tempo de
recuperago reverso. Durante este periodo, so removidos os portadores de carga armazenados
na jungdo quando a conducéo direta cessou.
Os diodos séo classificados como de recuperacéo répida e lenta com base nos tempos
de recuperacdo. Esses tempos vo da faixa de microssegundos, nos diodes de jungSo PN, 2
varias centenas de nanossegundos em diodos de recuperacao rdpida, como o Schottky.
Os diodos de recuperagao rpida sao utilizados em aplicagies de alta frequencia, tals
‘como inversores, choppers e nobreaks.
‘A figura abaixo mostra um caso onde o diodo conduzia a corrente direta (I;) @ que,
depois de desligado, existe um tempo em que a corrente flui no sentido inverso (Isa)
‘Figura 06 ~ Tempo de recuperacdoreverso
Temperatura maxima da juncSo (Tyoa)
Este pardmetro define a temperatura maxima que o diodo pode suportar, na juncao,
sem apresentar defeito. As temperaturas nominais de diodas de silico estdo normalmente na
feixa de -40°C 2 +2008C. A operacio em temperaturas mais baixes costuma resultar em um
desempenho melhor. Os diodes so em geral montados em dispositivos dissipadores de calor
para que haja melhora nas condicdes nominais de temperatura.
Corrente maxima de surto (Irs)
0 valor nominal da corrente direta maxima de surto é a corrente maxima que 0 diodo
pode suportar durante um transitério fortuito ou diante de um defeito no circuto,
2.2 Transistor bipolar de juncao (138)
Um transistor bipolar & um dispositive de trés camadas Pe N (P-N-P ou N-P-N), cujos
simbolos so mostrados na figura 07, ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
a
Fura 07 — Transistor bpolr de junco
{figura seguinte mostra as crrentese tenses inerentes aos dls tipos de TBs
If. It
Lh 24}
WAP]
(a) NON (0 PNP
Figura 08 Comentese tensées no TB
Aplicando-se as leis de Kirchoff para corrente e tenséo, teremos as seguintes equagies:
- NPN ou PNP: Ie= Iz + Ip
= NPN ou PNP: Te = Bl
+ NPN: Vee = Vee + Ves
+ PNP: Vec = Ves + Vac
Para 0 JB trabalhar como chave eletrénica é preciso polarizé-lo nas regides de corte e
saturacéo e como amplificador, na regido ativa,
De modo geral, 0 TJB de poténcia segue os mesmos pardmetros do transistor de sinal.
Algumas caracteristicas so préprias devido aos nivels de correntes e tenses que o dispositive
trabalha, por exemplo:
a) 0 ganho (f) varia entre 15 e 100;
b) operagio como chave, variando entre os estados de corte e saturaco;
©) tensio e corrente maximas de coletor de 700V e 800A, respectivamente;
d)_tensdo de saturacdo ¢ de 1,1V para um transistor de silico.
2) tensdo de bloquelo reverso entre coletor e emissor em torno de 20V, de modo que o
impede de trabalhar em AC,
2.3 Transistor de efeito de campo metal-6xido-semicondutor (MOSFET)
© transistor de efeito de campo de semicondutor de éxido metilico (MOSFET) de
ppoténcia é um dispositive para uso como chave em niveis de poténcia. Os terminais principais
séo 0 dreno e 2 fonte, com a corrente fluindo do dreno para a fonte e sendo controlada pela
tensdo entre a porta ¢ a fonte, Abaixo é mostrado 0 simbolo do MOSFET: ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
7
cali
Fura 09 Simbolo do MOSFET
© MOSFET & um transistor de chaveamento répido, caracterizado por uma alta
impedincia de entrada, apropriado para poténcias babkas (até alguns quilowatts) e para
aplicagies de alta frequéncia (até 100kH2)
Um MOSFET tem aplcagies importantes em fontes de alimentacio chaveadas, nas
quaisfrequénciasaltas de chaveamento subentendem componentes menores emails
econémicos, além de motores de baixa velocidade de controle que utilize modulago por
largura de pulso ~ PWM (ver item 6).
Os MOSFETS estdo disponivels no mercado nos tipos canal N e canal P. Entretanto, os
disposttivos em canal N tém valores nominais de corrente e tenso mais altos. A figura 08
mostra a simbologia de um disposttivo em canal N.
Devido a alta resisténcia de porta, a corrente de controle & praticamente nula,
propiciando um controle de conducéo entre dreno e fonte a partir de uma tensdo aplicada no
terminal de porta, Ainda, pela balxissima necessidade de corrente de controle, & posstvel
comutar a condugéo do MOSFET através de circuits microcontrolados.
© MOSFET & bem mais répido nas comutagies que 0 T3B, entretanto fornece mals
perdas de conducéo na saturacso.
© MOSFET infelizmente sozinho no consegue bloquear uma tenséo reversa entre
dreno fonte. Isto de deve 20 um diodo acoplado intermamente a sua estrutura em
antiparalelo. Este diode & chamado de afode de corpo e serve para permitir um caminho de
retorno para 2 corrente para a maioria das aplcacSes de chaveamento, Este dodo é visto na
figura 10,
5
Foua 10 Detahe do dodo de corpo
2.4 Transistor bipolar de porta isolada (IGBT)
O transistor bipolar de porta isolada (IGBT) mescla as caracteristicas de baixa queda de
tensdo de saturago do TIB com as excelentes caracteristicas de chaveamento e simplicidade
dos circuitos de controle da porta do MOSFET. O simbolo do IGBT & mostrado a seguir ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
ool
e
Figura 11 ~ Sinbob do IGT
Os IGBTs substituem os MOSFETS em aplicacdes de alta tenso, nas quais as perdas na
conducao precisam ser mantidas em valores baixos. Embora as velocidades de chaveamento
dos IGBTs sejam maiores (até 50 kHz) do que as dos TJBs, so menores que as dos MOSFETS.
Portanto, as frequéncias maximas de chaveamento poss{veis com IGBT ficam entre as dos TBS
@ as dos MOSFETs, Ao contrério do que ocorre no MOSFET, 0 IGBT no tem qualquer diodo
reverso interno. Assim, sua capacidade de bloqueio para tensdes inversas é muito ruim. A
tensdo inversa maxima que ele pode suportar é de menos de 10 V.
2.5 Retificador controlado de
io (SCR)
SCR é um dispositivo de trés terminals, chamados de anodo (A), catodo (K) e gatilho
(@), como mostra a figura a seguir:
esTRuTURA simpo.o aspect EQUVALENTE COM
a TRANSISTORES
a a
° 4
[rn] °
{| ° nie
w 106 6
TY
c ¢ CAG é
‘gua 12 Retcacercontroade deste
A seguir vemos 0 aspecto fisico mais comum do SCR de poténcia, A figura mostra 0
‘nado sendo o terminal rosqueado e dois rabichos: 0 catodo, mais grosso, e 0 gatiho, mais
fino.
Figura 13 ~ Aspect fico do SCR de potéacia
Podemos considerar 0 SCR um diodo controlado pelo terminal de gatiho. No SCR,
apesar da tenso ser positiva, o mesmo ainda permanece bloqueado (corrente nula). $6
quando for apliado um pulso de gatilho, é que o SCR passaré a conduzir corrente, ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
‘comportando-se como um curto-circulto, Para observar este fato melhor é mostrada a curva
deste dispostivo.
Caracteristicas e parametros
Observando-se a curva da figura 14, pode-se distinguir ts regides:
Polarizacdo reversa: com Vak<0, praticamente no ha corrente reversa. A corrente
reversa depende do tipo de SCR. Nos de baixa corrente, a corrente reversa é da ordem de
dezenas a centenas de 1A e nos de alta corrente, a corrente reversa pode chegar a centenas de
mA.
Polarizacao direta em bloqueio: nesta regio, hé varias curvas parametrizadas pela
corrente de gatilho Is. Quando I = 0, o SCR permanece bloqueado, desde que a tensdo seja
Inferior a Veo (tensdo de disparo ou breakover voltage). Quando VaK= Veo, 0 SCR dispara ea
corrente cresce, sendo limitada pela resisténcia de carga, colacada em série com o SCR.
Polari direta em condugdo: para que 0 SCR permaneca nesta regio, &
ecessério que a corrente de anodo atinja um valor minimo de disparo It (latching current
‘ou corrente de disparo). Caso esse valor nao seja atingido, apés o disparo, o SCR volta ao
estado de bloqueio.
faster
Foua 14~ Cana caracteritica do SOR
Pela curva do SCR, vé-se que, quanto maior 0 valor da corrente de gatilho, tanto menor
a tenso Vac necesséria para disparar 0 SCR. Isso é verdade até o limite de Ic = Icr (corrente
de gatilho com disparo). IcT € a minima corrente de gatilho que garante o disparo do
SCR com tensso direta de conducdo Vr. Com Ict aplicada, é como se o SCR fosse um
diode.
Na regio de polarizagao direta em conduso, a queda de tensio do dispositive é em
tomo de 1,5V.
‘Apés 0 disparo, sendo estabelecida a conducdo (Ia>I1), a corrente de gatiiho poderé
ser removida que este continuard em condugao. O SCR s6 voltaré ao bloqueio se a corrente IA
Gir abaixo de IH (corrente de manutengao ou holding current), ou se VaK < 0.
Métodos de acionamento
O nivel minimo de tensdo e corrente necessério para o disparo do SCR é uma funcéo da
temperatura da juno. De maneira genérica, quanto menor a temperatura de juno, maior
serd a corrente ¢ menor serd a tenso necesséria 20 gatilhamento.
‘A corrente e tensao de gatilho estdo sujeitas a um valor maximo, mas no disparo
devem ultrapassar um valor minimo. 0 produto entre a tensio e corrente de gatilho dé um
nivel de poténcia para o qual um maximo é estabelecido. ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
Métodos de disparo sem aplicagao do pulso de gatilho
‘Além da aplicagdo do pulso de gatiho, o SCR pode ser disparado de outras formas,
Normalmente, esses disparos so indesejades, pois, em alguns casos, podem destruir o
dispositvo,
paro por sobretensio
‘Se aumentarmos a tenso Vak a ponto de atingir o valor VBo, o SCR entraré em
condugao, mesmo sem a aplicacéo da corrente de gatilho. Este processo de disparo, nem
sempre destrutivo, raramente é utiizado na pratica,
Disparo por variago de tenséo
Um capacitor armazena carga elétrica e a corrente que carrega capacitor relaciona-se
com a tensdo pela expressdo:
u seja, para haver variagdo de tens no capacitor (av), em um intervalo de tempo
(at), & necessério circular uma corrente / pelo capacitor. Quando a variacao de tensdo & muito
pequena e o intervalo de tempo muito pequeno, essa expresséo muda para
av
i=C—
dt
Em um SCR polarizado diretamente, na junco Jz existem fons positives de um lado e
‘ons negativos do outro. Isto & como um capactor carregado, como mostra a figura 15.
cH, 4
Floura 15 ~ Detae do efato capactvo na juno do SCR
Assim, mesmo no havendo pulso no gatlho, fechando-se a chave CHi, a capacitancia
da junco J, fard com que circule corrente de gatitho. Como a variacéo & muito grande (de zero
para V), a corrente resultante seré muito grande. Essa corrente poder ser suficiente para
estabelecer o proceso de conducéo do SCR.
Esse disparo é normalmente indesejado e pode ser evitado pela ago de um circuito de
protegio chamado de SNUBBER, Este circuito & mostrado na figura 16,
Cireto de protegéo
(Gnubber,
Fura 16 Creuito de proto SNUBBER ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
Disparo por outros meios
Ha a possibilidade do SCR entrar no estado de conducio, sem a aplicagdo do pulso de
gatilho, por aumento de temperatura ou por intensidade de incidéncia de luz ou radiagdo no
dispositive, No segundo caso, hd um dispositive préprio chamado de LASCR (Light Activated
Silicon Controlled Rectifier). Além do disparo por luz, esse dispositive também é acionado pelo
gatilho. Podemos ver na fig. 17 os detalhes deste dispositivo.
° Loe
‘Aigura 17 Detaes do ASR
Métodos de bloquelo
Bloquear ou comutar um SCR, significa cortar a corrente que ele conduz e impedir que
le retorna 8 condugio. Ou seja, 0 bloqueio estaré completo, quando a corrente no sentido
direto for anulada € a reaplicado de tensio direta, entre anodo e catodo, no provocar 0
retorno do SCR ao estado de condugao,
Bloqueio natural
Quando se reduz a corrente de anodo a um valor abaixo de Th, chamada de corrente de
manutencao (holding current}, © SCR é bloqueado. A corrente de manutengo tem um valor
baixo, normalmente cerca de 1000 vezes menor do que a corrente nominal do dispositive.
Em circuito CA, em algum momento a corrente passa pelo zero da rede, levando 0 SCR
a0 bloqueio.
Exemplo: Bloqueio pelo Zero da Rede
. ‘ares on
Figura 18 ~Bloquee pelo zero da rede
Bloqueio forcado
Em vez de aguardar a passagem de corrente pelo zero da rede para bloquear um SCR,
pode-se fazer o bloqueio através de dois meios:
11°: diminuir 0 fluxo de corrente direta para um valor abaixo de TH;
20: aplicar tensdo reversa, ISTITUTO FEDERAL DE EOUCACAO CIENCIA E TECNOLOGIA 00 A campus narat 20NA NORTE
Apés 0 bloqueio, deve-se garantir que a tenso néo seja reaplicada ao SCR
mediatamente. Isto restabeleceria 0 processo de condugo do dispositivo. A tensdo reaplicada
deve aumentar segundo um pardmetro dv/dt, definido nas folhas de dados fornecidos pelo
fabricante.
Exemplo: Bloquelo por Chave
‘Figura 19 ~Bloqueo por chave
Exemplo comentado: Bloqueio por Capacitor
‘Figura 20 ~ Bloque por capacitor
Com Ch; e CH abertas, 0 SCR esté bloqueado, a témpada apagada e o capacitor
descarregado.
Fechando-se Ch, alimenta-se o circuito de gatilho. O SCR dlspara e tampada acende.
‘Além da corrente da lémpad, 0 SCR conduz também a corrente de carga do capacitor
Gy, conforme se vé abaixo:
we
Figura 21 ~ Process de carga do capactorC;
( capacitor carregase de forma exponencial, com uma canstante de tempo + = Ry. Cr.
(0u seja, passado um tempo correspondente a s, 0 capacitor carrega-se com apraximadamente
273 da tensio que 0 alimenta. No caso deste circuito, com cerca de 5x 0 capacitor estard
totalmente carregado com 12V.
Se Ohl for fechade, a tensio acumulada no capacitor polarizard reversamente 0 SCR
Jevando-o ao bloqueio, de acorde com a figura 22. ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
iowa 22 — Poarizaioreversa do SCR através do capactor
2.6 TRIAC
Para se evitar a necessidade de utilizacdo de dois SCRs em antiparalelo, foi
desenvolvido 0 TRIAC.
TRI (triodo ou dispositive de trés terminais) e AC (corrente alternada) formam o nome
deste elemento, cuja principal caracteristica & permitir 0 controle de passagem de corrente
alternada.
© simbolo 6 dado por:
Aur)
VA
«
AMT)
Figura 23 ~ Sinbolo do tise
Caracteristicas e parametros
‘Sua curva caracteristica é mostrada a seguir:
Figura 24 Curva caracerstica do tise
Pela curva caracteristica, pode-se observar que 0 TRIAC pode conduzir nos dois
sentidos de polarizacdo, ISTITUTO FEDERAL DE EOUCACAO CIENCIA E TECNOLOGIA 00 A campus narat 20NA NORTE
‘As condicdes de disparo so anélogas ao do SCR. Podendo ser disparado com corrente
de gatilho positiva ou negativa. Em conducéo, apresenta-se quase como um curto-circulto
‘com queda de tenséo entre 1V e 2V,
(Os terminais séo chamados de anodo 1 (A1 ou MT1), anodo 2 (A2 ou MT2)
gatilho (6).
(© TRIAC pode ser disparado em qualquer polaridade de tensio e sentido de corrente,
desta forma ele opera nos quatro quadrantes, tomando-se o terminal Al como referéncia, Vé-
se este fato na figura 25.
‘Quadrante | A, | G
1 >0 | >0
m >0 | <0
im <0 | <0
Vv, <0 | 50
Figura 25 ~ Quacrantes de polariagio do trie
A sensibilidade ao disparo varia conforme o quadrante, em fungao das diferencas nos
ganhos de amplificagéo, em cada caso. Normalmente, 0 primeiro quadrante ¢ 0 de maior
sensibiidade ao disparo e o quarto, o de menor.
(© TRIAC em corrente alternada
Os circuits a seguir mostram, como exemplo, aplicagées simples do TRIAC em
corrente alternada.
a) Controle em Onda-Completa com TRIAC
Fines 26
b) Controle de Poténcia numa carga
goon
VF
ml ®
twee | OAS ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
3. Dispositivos e circuitos de disparo
3.1 DIAC
Quando 0 TRIAC é usado como dispositive de controle, é frequentemente utiizado um
DIAC como dispositivo de disparo, conforme pode ser visto na figura 28.
Carga
Vu fh, me 7K Tae
‘Fgura 28 Controle de aspera com DIAC
© DIAC (Diode Alternative Currente) & uma chave bidirecional disparada por tensSo.
Normaimente, a tensio de cisparo dos DIACs ocorre entre 20 e 40V, A sua curva caracteristica
esta mostrada a sequi, junto com seus simbolos mais utiizados:
(a) Carva Caracterstca
VA
() Simbotos
Figura 29 - Detaes do DIAC
No circuito da figura 28, a rede Ry, Ra © Cy defasa @ tensio sabre Cs. O capacitor se
carrega até atingir a tensdo Vo de disparo do DIAC. Quando isso ocorre, 0 DIAC entra em
conducdo e cria um caminho de baixa impedancia para o capacitor descarregar-se sobre 0
gatifno do TRIAC. A corrente de descarga do capacitor é suficientemente elevada para
conseguir disparar TRIACS de baixa poténcia, mesmo com valores relativamente baixos de
capacitancia
3.2 Transistor de unijungo (UIT)
0 UIT 6 um dispositive semicondutor de trés terminals com apenas uma jungo PN,
A estrutura fisica e a simbologia do UT séo mostradas na figura 30. ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
(a) Estrutura Fisica (6) Simbolo
lou 30 ~ Detates do WIT
Para facilitar a andlise do funcionamento do UIT é utiizado o circuito visto @ seguir.
Figura 31 ~ Ceuta equvalente do UIT
Na figura acima, 0 diodo representa a juncdo PN do emissor. O caminho B,-By (Base 2
© Base 1) é dividido em duas partes: a primeira, rb2, que é a resisténcia entre o ponto central
2x 0 terminal B, e a Segunda, formada por uma resisténcia fixa r, e outra varidvel rq, sendo
rbL = Fy + Fy
A soma das resisténcias rbl
terminals By e By
rb + rb2 corresponde a resisténcia da barra entre os
3.3 Oscilador de relaxacao com UIT
© circuito tradicional de disparo usando 0 UIT & chamado de oscilador de
relaxago, mostrado na figura 32,
Figura 32 Osciador de relaagion
© UIT tem dois parémetros importantes: Tensdo de Disparo (Ve) e Tensio de Vale
(W). 0 primeira diz o valor de tenso necessério para fazer conduzir 0 caminho entre o emissor
(E) € a base 1 (B,). O segundo informa o valor de tensdo que, apés a entrada em candugdo, ISTITUTO EDERAL DE EOUCACAO CIENCIA ETECNOLOGIA 00 At campus nara 20NA NORTE
bloqueia o citado caminho, Em outras palavras, estes pardmetros indicam 0 inicio ¢ o fim do
disparo do UIT.
Analsando 0 circuito da figura 32, vamos considerar inicialmente 0 capacitor
descarregado. Ao ligarmos a fonte Vas 20 circuit, 0 capacitor comesaré a se carregar
exponencialmente. Enquanto o valor da tenséo do capacitor ndo alcancar 0 valor do parémetro
Ve, 0 UIT estaré bloqueado, isto é, passard uma pequena corrente pelo caminho entre os
terminais de base, Esta cortente, por sua vez, iré produzir uma pequena queda de tensSo no
resistor Ray
No momento que a tensdo do capacitor atinge o parémetro Ve, 0 UIT comesaré a
conduzir através do caminho emissor ¢ basel. Neste instante inicial de conducdo, a resisténcia
interna deste caminho & baixissima, proporcionando a elevacio da corrente e, a0 mesmo
tempo, a descarga do capacitor. E o que chamamos de resistancia negativa,
Este surto de corrente inicial & transitrio, pois a resisténcia do caminho E-B; torna-se
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