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J-Fet Resumo
J-Fet Resumo
JFET
O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, FET (Junction Field Efect Transistor). H
dois tipos: Canal N e Canal P.
P
Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no
centro com material P (ou N), a regio N (ou P) esta parte, estreita, chamado canal, por influir a
corrente controlada.
D - DRENO
N CANAL
P P
G - GATE S - SUPLIDOURO
D D
G G
S S
CANAL N CANAL P
Smbolos
Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN. Esta
barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro.
FUNCIONAMENTO
MA
ID
VDS
VGS
Na figura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte varivel Ves, que controla
a corrente do canal ID. Note que Ves, na polarizao reversa (- no gate P).
Inicialmente fazemos Ves = 0. O canal N est normalmente aberto, pois a barreira de
potncia mnima, assim, circula uma corrente mxima chamado IDSS, caracterstica do JFET
para Vds.
Agora vamos aumentar Ves, fazendo que a largura da barreira de potencial aumente.
Ento a rea de conduo diminui, que diminui a corrente de dreno. O campo eltrico entre a
porta e o supridouro repele eltrons ao canal, nas proximidades da juno e a corrente fica
confinada ao centro, diminuindo. Este o efeito de campo, que d nome ao transistor.
Quando maior a tenso reversa Ves, menor a corrente de dreno, com Vds fixa. Se
aumentarmos gradualmente, chegar num ponto em que a corrente se anular. A tenso Vgs
nesse ponto chamado Vgsoff ou Vgscorte, a tenso de estrangulamento do canal, ou de corte.
CURVAS CARACTERSTICAS
H dois tipos:
Transcundncia;
Dreno.
ID
IDSS
VGS VESCORTE
Curva de Transcundncia
Esta curva, vlida para Vds > Vgs de corte, descreve o controle de corrente de dreno
pela tenso porta / apridouro. a curva da regio ativa do JFET.
ID
VGS 1 = 0V
VGS 0
REGIO
VGS 3
VGS 4
ATIVA
VGS 5
VGS = VGScorte
VDS
Curva Caracterstica de Dreno
REGIO DE OPERAO
Na regio ativa,
ativa a corrente de dreno controlada pela tenso Vgs, e quase no varia
com tenso Vds (compartimento de fonte de corrente controlada). Nesta o JFET pode funcionar
como multiplicador de fonte-de-corrente.
O JFET est nesta regio quando Vds > Vescorte nas curvas caractersticas a parte
horizontal da curva para uma certa Vgs (toda a rea fora de saturao, hachurada, e entre as
curvas Vgs1 e Vgs6)
A saturao ocorre quando Vds < Vgscorte. Aqui a corrente ID depende tanto de Vgs
como Vds (comportamento de resistor controlado). Nas curvas caractersticas de dreno, a reta
inclinada que une cada curva a origem do grfico. Repare que as inclinao, relacionada
resistncia do canal, diferente em cada uma das curvas (valores de Vgs). Nesta regio, o JFET
atua como resistor controlado por tenso, ou chave, conforme a aplicao.
Quando Vgs Vgscorte, o JFET est na regio de corte,
corte e a corrente de dreno nula.
Usada na operao como chave (alternando com a saturao - chave fechada).
APLICAES
1) Fonte de Corrente:
+ VDD
RS
ID
RL
O circuito opera o JFET fica na regio ativa, ou seja, Vds> Vgscorte, isso impe limite ao
valor de RL.
O circuito usado em polarizao, sendo freqncia dentro dos amplificadores
operacionais e outros CI's analgicos.
2) Amplificadores:
gm = = ID
VGS
(
ID = IDSS
1 - VGS
(
VGS corte
RS + VDD
RG RS
Obs.: Nos amplificadores dreno comum Rd no usado. Ele no altera a corrente de dreno.
A corrente circula em Rs, surgindo uma queda de tenso nele. A porta est aterrada
atravs de Rg, e ento a tenso em Rs aparece entre S e G, polarizando o JFET com uma
tenso reversa, que se ope corrente de dreno (Suplidouro), regulando-a atravs de
realimentao negativa. A corrente ento fica dada pelas caractersticas do FET e o valor de Rs.
Tambm se usa polarizao por diviso de tenso, semelhante usada com transistor
bipolar, mas menos exata (pouco melhor que a autopolarizao).
b) Supridouro comum:
a mais usada, pois oferece ganho de tenso.
O sinal de entrada aplicado entre a porta e o Suplidouro, e a sada colhida no dreno. A
fase invertida.
A impedncia de entrada muito grande, j que a juno porta-suplidouro est
polarizada reversamente, circulando apenas uma desprezvel corrente de fuga. Na prtica, a
impedncia dada pelo resistor RE de polarizao. J a de sada um pouco menor que RD.
O ganho de tenso dado por:
G = - gm RD
Seu valor na prtica fica entre 3 e 30 vezes, em geral (bem menor que no bipolar).
comum na entrada de instrumentos de medio, e dentro de C.I. analgicos, pela alta
impedncia.
+ VDD
RS
C ent. SADA
ENTRADA
RG RS
Obs: Cent. pode ser omitido, em algumas aplicaes. Nos amplificadores com acoplamento
direto, todos os capacitores so dispensados, mas o ganho diminui.
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