Transistores de efeito InTRODUGAO Apso esto do dod de juno, que €o principal igostivo second de dois terminals, vimos agor conentar nossa atengio nos dspositivos semiconduores {ke stern. Os dapostivos det trminas sto muito ‘isso que od dis einasporgue pk er it Talos em vias spiagdes qe sestencem dese a mpli- Sag de sina até 0 projet de iets Kgicos dias ¢ ‘e memsra, O pinipio bic envolvdo nesses dspos- thos € 0 uso de uma tensioente dois terminais para con tar flax de coment fees ermial Desse odo tm disposi de seminal pode ser emprcz a como ene conrad, qu, cnno aprender no Capito 1 a thse puro proto de ampliicadors. Além disso, no co ‘tren, sna de contol pode sr usa pra fazer a or- fee no tec eri var de eo tum valor signi= fev, pemitinds, peranto, que 0 dispositive fancone como ua chave. Como tami vimos mo Capito 1, 3 have 6 elemento isin dos eres dias. de campo MOS (MOSFETs) transistor ‘Capitulo 5, Embora cada um dos dois ransistresoferega vantagens distins e dreas de aplicasio especiticas, 0 ‘MOSFET est setornando 0 dispositive mais amplamente empregado, especialmente no projet decrcuitosintegra~ {os (Cl), qe so cicuitos faricados sobre uma pasa (chip) simples de silico. ‘Comparados aos TBIs, os MOSFETs podem ser {abrieados em dimensto muito pequens (sto 6, necess- ‘am de uma pequena drea na pastila de silicio do CD). ¢ fo seu processo de fabricagdo € relativamente simples (veia 0 Apéndice A). Também, para a sua operaglo, € inecessiriapouca pténcia, Além disso, os projetisias de ircuitos tem encontrado maneiras engenhosas para implementar fung6es analégicas e digitas uilizando Gquase exclusivamente transistores MOSFETS (isto 6 om muito povces ou nenhum resistor). Todas essas12 || wicroetetronica ropriedaestém tornado possvel integrat um nero ‘muito grande de MOSFETs (> 200 milhoes) em past- ‘has simples de CI de forma a implementarcircuitos uit sofisticados em escala de integrago muito ama (VLSI — Very Large Scale Integration), tais como ‘memrias e microprocessadores, Cireuitos analogicos, como amplifieadores © filttos, podem também ser limplementados em tecnologia MOS, ainda que em enor densidade em pastilhas de tamanho menor. Além do mais, tem aumentado a tilizagio das fungdes digh ‘aise aaligicas em uma mesma pasta de CI por mcio de iimplementagdo conjunta conhecida como projeto ‘com sina mistorados. © objetivo deste capitulo € fazer que o eitor adquia alto gra de familiaridade com o MOSFET: sua ‘operagio e estrtura fsica,caractersticaselircas em nivel de terminal, modelos para circuito aplicagdes hisieas em ciraito, tanto como amplifcador quanto ‘camo inversorIigico digital. Emboraexistam transis: tores MOS discretose 0 material estudado neste cap lo perita que 0 leitorprojetecircuitos MOS discrete nosso estudo do MOSFET seri fortement influenciado pelo fato de a maioria de suas apicagbes ocorrer em Dojeto de eicuitos integrados. O projeto de citcutox MOS digits e snal6gicos em Cl ocupa grande parte do restante deste Hiro 4.1 ESTRUTURA E OPERACAO FISICA DO DISPOSITIVO (© MOSFET tipo enriquecimento & 0 tipo de transis- ‘oF de efeito de campo mais usado. Nesta seco vamos ‘stor sua esrutrae oper sca 15s0 os levard is faacteiticas de correne-tens30- do disposiiva, que ‘serio estudadas na prOxima sep. 41.1 Aestrutura do dispositive ‘A Figura 4.1 mostra a estrutur fisica do MOSFET tipo enrguecimento canal n. © significado dos termos “nrkqecimento" “canal nse tommaréevidente com a explicagdo a seguir. O transistor € fabricad sobre um ‘usr dotpo p, que & uma limina de silico cristalino {que serve de suport sic para o dspositivo e para ocr ‘ito ttl, no aso de eieaitosinegrados) Duas egies forremente dopadas do tipo, indicadas na figura como regides da font! do dreno 1, so difundidas no subs trato. Uma camada fina de diéxido de silico (S103) de specs fy (tpicamente 2-50 nm) que é excelente olame, € erescido sobre a superficie. do. substrato, cobrindo a dea entre at regies da font edo dreno. Unt ret é depositado por cima da camada de Oxo para f- rar eletrodo de porta do dispositive. Sao fits con- ¥ itn sion Four 41 A sun ce do NMOS ip nqesineai vt om psec) spo trol Tipe, varia Se 3 Wratae 022100 gana espn cana nid (ore e150 om a Silas pian prs i Uo Un ee a en 1 m0 Un mn (iin expec main Um ans (AY 107 204 miso, ega 10°F meus eres, experCapitulo 4 Transistors de efsito de campo MOS (MOSFETs) tates de metal para a egies da font, do dren edosubs: trio, esse Gltimo também conhecido como corpo. Portanto, stem quatro terminals: o terminal ds port (gate — G),o terminal da fote (source — S),0 terminal {do dena (rain —D) eo terminal do substrato ou corpo ty — BY: ‘Neste onto, deve estar claro qué © nome do dispost tivo (MOSFET: transistor de feito de earmpo metal-6xido- ‘emiconduto) origina-se da estrutura fisica Jo diposiiv. Contd. o nome se generalizou e€usado também para os FETs que mio empregam 0 metal no elewodo da porta. De ‘ao, muitos MOSFETs moderos si fabricados wilizan- dose um proceso conhecido como tecnologia de porta de ‘cio, na qual ceo tipo de silico, chamado silcio pol ‘stalin, 6 empregado para formar o eltrodo da porta Inejao Apéndice A), Nossa descrglo da operagio © ca raveistens do MOSFET apica-seindependentemente do ‘ipo de cletodo da por. ‘Outro nome para o MOSFET é FET de porta isola- 4 oa YGFET. Ese nome também tem orger na estru- tur fisca do dispestvo, enfatizando o falo de que © tletrodo de porta est eltricamenteislado do corpo do tispositivo (pela camada de 6xido). esse isolamento que far que a eorrene no terminal da porta sea extremamente peuena (da ordem de 10"'5 A), ‘Onserve que 0 substrato fora uma jungio pm com asregides de fonte ede dreno, Na operaglo normal 3835 Snnges pn 880. mantidas reversamente polarizadas 0 {empo too. Como o dreno ter uma tensio positiva em ‘eligi fone, as duasjungbes pa podem estar efetiva- mene em corte simplesmente conectando-seo termi sb substrato ao terminal da fonte. Devemos supor ser tse 0 cas ma descrigo seguite da operagio do MOS- FET Portanto, agi, 0 substrato sera considerado como ro tendo efeito sobre a operacio do dispositive € 0 MOSFET ser tatado como um dispostiv de tts ter- rims: @ porta (G), a fonte (5) e 0 dreno (D). Seré Inostrado que uma tnsto aplicadn na porta controla © fhxo de corente entre a fontee-0 dreno. Esa corente circular no sentido longitudinal do dreno para «font 0a regito denominada “resido do canal’. Note que est regi tem um comprimento Le uma largura W. dois furimettos importantes do MOSFET. Tipicamente, L Steontn-ae em uma faixa de 0,1 a3 pm © Westéna Fixe 1602 100 ja. Finalmente. observe que o MOSFET & ‘um gispositiv simetrco;portanto, sua fone e seu den nlm ser trad sem alteragdes nas caractriticas do Asposiv. 44.2 Operacdo sem tensao de porta ‘Sem atensio de polrizago upicada 2 porta, ha dis Aiodos face a face em série entre 0 dreno ¢ a font, Um iodo orm pela jungio pn entre a resto n* do dreno 0 substrate ipo p € 6 ato diodo € constitute pels junco pm ene 0 sbstrato tipo p © a regio n” da font. ses diodos fae a face impedem acirculaso da cortente ‘do dreno para Fonte quando for pleads una tens80 ps Na verde, 0 caminho entre 0 dreno ea fonte tem alt resisténcia (a ordem de 10!2 0). 4.4.3 Criando um canal para a circulagao da corrente Consider a siglo representa a seguir na Figure 442, Nessa figura, temos a fonte © 0 eno aterados e uma tensio postvaaplicada porta. Como a fone est ater td, oefeito ds tensto na port aparece ene «porta afont= portant, €representado pot res: A tensSo pesitiva ni ora far que a lacuna livres em um primero insane (as ‘guais esto posivamentecarregadas) sejam repelidas 80 FPeido do sabstrato sob a porta (a rego do canal), Essas Tacunas so empurradas para baixo no substato,deixando para tis wma repo depletada de portadores. A regio de teplego ests rept de igagdescovalentes de cargas neg tivasasociads wos ftomosaceitadores. Ess carps eto ‘em descoherto por causa das acunas que foram empurradas ‘ara dentro do substrate Fgura 42 0 rnssoe MOS tio cargaeine com uma eso Pes cna pr Ui al inden aprile do abe = RST Oa TV AE Ta pn Ea Ta SGN SST wm TOO rm Tinea come clade up Commdn cpa etic ut, ns Cl eas come de compo mse 0 ae ‘Serice om qu 9 dapsone.(iw pee Alon ss, a tendo postva na port ari eltrons as regides nda fontee do dreno (onde eles s20 bun- Vj ¢ com om pe ‘alr des apie, dog age cnn un cmd et tip specu contac cna ¢ pope & ‘Ys: rtp agra swt ~ Vee Oa Ge Iho 6 epg i os rosea pie A Figura 4.4 mostra um esbogo de ip ers 2p par vétios valoes de ny. Observe que © MOSFET esti ‘operande como uma resistécta linear ewo valor &contro- lado por us A ressténcia€infinita para gs = Ve s€0 valor diminui quando ves excede V, ‘A cescrgdo anterior indica qve, para 0 MOSFET ‘onduzt, um anal tem de ser induzdo, Poranto,aumen- ‘ado vgs acima da tensio de limiar V0 canal fea mals Fico em elétons, da nome de operagio no mod enriquecimento ¢ MOSFET tipo enriquecimento, Finalmente, observamos que a conrente que dea oer: ha da Fonte Cg) igual corre que entra no terminal de ‘reno (ip). ea corente da porta f= 0. {Rao satan Va PCRS ee Ta Va a FR Tar Ta a eS ERTSee DC ofan wos Ht OSV or ours 44 Caras jms MOSFET Pps, guns eso alla ear fo en. Rene. © psi op eo aaa 44, Da desrigo amex sobre a oper do MOSFET para ms Peqvena, mrstranes que ip € proporsional a (box ~ Ve: Obtenta constant de propecinaidade art un daposivo particular cjas carci S50 tiosadas a Figura 44, Tamer obtenha a faa de restcia dreno-parafonte que covesponde 2 uma sobrtensio de confuse, pe ~ Vp mafia de 0.5 82 V. esos t mAV%,2 KA 0:5 kA 4.1.5 A operacao com o aumento de vos A seauir,consideraremos a stag quando aumen- tamos pg, Para esse propio, manleremos vs constanle com uth sal maior que V-Considerando a Figura 4.3, fbserve gue wns apareve como uma queda de tnsio na tstersi do canal Iso 6, A medida que caminharos 20 longo do anal da one para 0 deno, testo (medida em relag Fnte)aumenta a partir de 0 até vp. Porat. & eos ene a porta eos pontos ao longo do canal mina ma fom até es ~ uns 0 dren. Como a profi ‘ida do canal depende dessa tens, conus qe ele lo mantém sua profundidage wniforme: ao contro, © Catal omard a forma de um estetamento, eonforme ‘nox na Figura 43, sendo mais profundo no final a feat e mais superficial no final do dren. Four AS Opera rastor NMOS sin ere ans {plans rau yO cin ida grea fr a ‘Seo te i et AA medida que sumentamos py, canals torna mals cestrita sa resisténcia aumenta comespondentemente. Paortanto, a curva ip ~ rps no ser mais uma linha reta, mas uma curva, como se pode ver na Figura 46. Eventualmente, quando aumentamos ops até 0 valor que reduz a tensio entre porta ¢ 0 eanal no final do dreno pra V,—st0 6, Yep = Vp 00 tus — dns = V; 005 = os — Vj. peofundidade do canal no fil do dreno Vs ‘Aumentando ups além desse valor, 0 feito & Pequeno (leoricamente,n3o sure mais efeto) sobre a forma do canal, a corente pelo canal se mantém cons tate a pati de ups = wes ~ Vp A comente de dreno centto satura com esse valor e dizemas que © MOSFET inicia sua operago na regi de saturagio. A tenslo ps ‘em que ocore a saturagio € representa por Ups a sat = %65- Vi Obviamente, para cada valor do ves = Vy existe um valor corespondente de spsux. O dispositvo opera na regio de saturagio s€ vps = tos A egido da carac- terstiea Jp~ ps obtida para ips ~< tps € chamada regido de triode, temo remanescente do tempo das ‘valvulas cua opera ¢semelhante& do FET. ae ea Figura 47 umes yf ec gs a foes ‘Sopes, focre a ate Te to ‘feo jens erect, nen) eso cal Para avsiliar mais na vsualizapo do efeito de ups. ‘mostramos na Figura 4.7 esbogos do canal quando aumen- famot ss enguanto mantemor vs constant, Teoria: ‘mente, qualquer aumento em xs ima de say (Que & igual ups ~ Vp) ndo surte mals efeito sobre a forma do Canale simplesmente aumenta regio de deplogio em tomo do canal e da regio * do dren, 4.1.6 Determinagao da relagao ip~Vos ‘A deserigao da operagofisicaapresetada anteriot- ‘mente pode ser uilizada pare determinar uma expresso pata a teas pps que desereva 0 comportamentore- Presentado na Figura 46, Com esse objetivo, vamos supor ‘que a tens3o gs exteja aplicada entre porta ¢ fonte com ‘tas > Vp para indizir-um canal. Também supomos ‘que uma fensto zps este apicada entre dreno e font Em primeiro lugar, comideraremos a operagio na regito de trio, para a qual o canal deve ser continuo e, portan- 1, up deve ser maior que V; ou, equivalentemente, vps < ngs ~ Ve Nesse caso, o canal tera forma iusrada ma Figura 48, © leitor deve lembrarse de que, no MOSFET, a port ea regio de canal formam um capacitor de placas paruelas para o qual eamada de 6xido serve como um sicletrico. Se a capacitincia por unidade de rea for indi- ‘ada como Cor € a espessura da camada de Oxido € fae c= (42) ‘em que x € a perissividade do 6xid de siliio, Bey = 39 BBS4 X 10F= 345 % 1071 Fim A espessura do ido fr € fixada pelo process tec- nolbpico empregado. para fabricar 0 MOSFET. Como cxemplo, para gg = 10 mm, Cye = 343 < 10-> Fi, 00 23.45 CF jun’, como freientemente ¢ express, ‘Agora, observe a Figura 4.8 e consiere 2 porcio {infinitesimal da porta em uma posigho x em reac one. capactincia dessa pongo € CW de. Para aca a carga armazenada nessa porgo infinitesimal da. capaci- tincia de por, muliplicames a capacitinca pela tensdo ftv ene a porta eo ana ma posi xno qual atensioCapitulo 4 Transisiores do efvto de campo MOS (MOSFETs) wr cfesiva€aquela que indo canal no ponto xe €,portan- to [tes ~ (2) ~ Vi, em que v(x) €atensto no canal no ponio Segue que carga elerinica dq nesse porgio ‘nites do canal no ponto x € ly = ~CasWdings — 42) ~ VA emu osinal ngativo leva em consderagio 0 fato de dg ser uma carga negativa. 'A tensio ops prods um campo etrico ao longo do anal no sentido negativo de x. No ponto x, esse campo dese expresso como a3) uta) Fy = (0 campo eetricn Ex) faz que a carga da se deslogue em Giregio o dreno com uma velocidad ddr, Hannon ae nqepittenal eae elie arose Sonera. eee Se of iota ee =e als sls aE Substtuindo a carga-poranidade-de-comprimento dats ‘obida a partir da Equagio 43 e a velocidade de deriva dif obi da Equasio 4.4, resulta emt dete) Fig Ce Woes ~ 90) = WI -Emora a comente de deriva exteja send avaliada em um onto particular do canal, comente i deve ser consante emt todos os pons ao Tongo do canal. Nesse caso, {deve set ‘gual & coment fnte-dreno. Uma vez que estamos iteres- ‘adios na coment dreno-font ip, podemos obi como p= “i= mC Wheeg ~ 00) — VIG que pode ser rearranjada da seguite forma Ig de= pin CaW los Vi — ve] dv) Integrando ambos 0s lados dessa equago de = 0 até “r= Le, correspondentemente, de v(0) = 0 até v(E) ‘st [lew = [oceawien =v wnrenn resulta em e WV ccs ~ Vowar - duh ia = onca(P) [va ~ Ww = $f 5 (apo et cee At ce haee ener oe See ‘caine (1. C.( oor WO is 40)18 | Microetetranica sca ¢ 4 expresso para a carateritica pops ma regio de saturago; ela simplesmente fomece 0 valor de saturagto de jp errespondente a0 js dado. (Lembre- sede que. na siturago, jp pexmanece Constante para dado ‘os 8 medida que tps varia.) Nas expresses das equag0es 4.5 € 46, pyCy € uma constante determinada pela teenoogia de processamento prtioular empregada para fabricar 0 MOSFET canal n eC 6 conbecido como parmetro de transcondutin- ‘ia do process, o qual, como seri visto em breve, deter ‘mina o valor da ranscondutincia do transistor MOSFET. ‘costums ser indcado como fe tem dimensto de A/V2, KC an ‘Centamente as expresses jpg nas equagdes 4.5 € 4.6 podem ser reseritas em ternos de como Sepue: FETE (ax ~ VF (Regito de sauragio) (4.60) Neste livo, ilizaremas as formas com (jC) € com Ky ingistintamente ‘Das eogSes 45.4.6, observa-te que a coment de ‘reno & proporcional& rao ente a argora de canal We © comprimento de canal L,conbecida como razio de faspecto do MOSFET. Os valores do We L- podem ser ‘lesional pelo projetista de cireuitos para resulta nas faracteristieas i~» desejadas. Contudo, para. dado processo de fabricapio, existe um comprimento minimo fe canal, Lp, Na verdade, © comprimento minimo de ‘canal. praticado para determinado processo de fa bricaga0, € utilizado mio apenas para caracterizar 0 process, mas também como parkmetro que € continua mente redurido a medida que 2 tenologia avanga. Como ‘exemplo, ma Gpoca em que ese livzoestava senda excrto (2003). estado da arte da teenologia MOS ero proces 0 de 0.13 am, sigificando que © comprimento minimo 4 canal era 0.13 um.S Também existe um aor mii mo para a largura de canal W. Por exemple, para © processo de 0,13 yum que aeabamos de mienciona, Wain 0,16 ym. Finalmente, & importante destear que a fexpessura do Gxido fo diminul por un fator de escala ‘bem semethante 0 de Zap. Assim, para a tecnologia de 1S ya fy € 25mm, mas para uteenologa de 0,13 jn Imencionada anteriormente, tomos ,, = 2 nm, <= $£— EXEMPLO. 4.1 CConsidere o processo tecnico para © qual Lye = 04 jt, ty = Bm, oy = 480 MPV" $€ V; = O.7V. (a) Odteaha Cy, e (b) Para am MOSFET com W/L = 8 vO jm, cal- cule 05 valores de Vos ¢ Vigan Recesirios para que 0 transistor opee na reiio de saturagso.com uma corre fp = 100 HA. (©) Para. disposiivo em (b), obtenha 0 valor de Vos necesstio para fazer que 0 dispositive opere como um resistor de 1,000 £1 para vps muito pequeno. Sotto wf = ASI 9 x 10 Ht (Gam Se SPIO 2 107 432.1F)am? = aC = 490 (om? V9) 4.32 Fa) = 450 5108 umt7V5)%4.32 1O-™Fem2) = 194 10-6 FV: 9) 194 wav? (b) Para operago na regio de saturag0, pewter yt eete@ouv Poranto, 100 8 * x 194 X (Ves — 037) queresltaem Vas ~ 07 = 032 Vos= 100 Vosain = Vos = V= 02. (6) Para 6 MOSFET na regido de iodo com xs muito pequeno, ek Fea Wem pera ar oe ST en Oe aga a wah ea roa, Conan aD ‘nes rene acta send dun 200) et at dopa MOS oo Aisi ea comprmeno an 6 ‘Sade 0 un)Capito 4 Taio eto de congo wos wosreTalf =] lagu a resisténcia dreno-fonte rps pode se obtida como Assim, 1.000 =o ae significa 12. Pamum pce mom de ma hl = TSame bs = SS0am/ otha one ce ‘Stoo on = Vole en peo sso M2 ope mmm = OamA Gel ova nn xen? Fp 23 un 127 nA OH 040 43. in eed orem io de wo pa tue tm MOSFET cn n on ccs emg Vy = Ves ~ ¥ elo wa sts Vos ee Oy pace po ts Sacaema a tv ra fe Calo valor de rs para um isposivo que tem Ki 100 ANN? © Wik = 10 quando ele opera com wma, sobrtenso de sont de 0. ¥ Respects 2 KO. 4.4.7 O MOSFET canal p (0 MOSFET tipo enriquecimento canal p (ransistor [PMOS)¢fabricado sobre um substratotipon com regides (Para odreno e font e, ness cas, a seunas so 0s Portadores de caga-O disposiivo opera do mesmo modo {que 0 dispositivo canal n, excel que as tensBes vas © wns So negativas © a tensio de limiar V, & negativa, Além disso, a corente jp entra poo terminal da fone e sat pelo terminal do dreno. 'A tecnologia PMOS foi originalmente dominante na {abicagao de dspostivos MOS. Prémn, pelo fato deo dis- positive NMOS ser menor, operar mas pido erequerer fma font de alimentagdo de menor valor de tenso que © 'PMOS, atecnlogia NMOS substan vitualmentea PMOS. Todavia. € importante familiarise com © transistor PMOS por das azdes: cs ispostvos PMOS ainda so tencontrados nos projetos de crcultos dscretos e, mais {importante ainde, os iansistores PMOS © NMOS sto uti- Tizados nos cireitos MOS complementares ou CMOS, que éatualmene a tcnologia MOS dominant. 4.1.8 MOS complementar ou CMOS CConforme nome suger atcnologia da complemen tirade MOS emprega tansistores de ames as polar- fades, Embora os circuitos CMOS sejam mais dlficis de ser fabricados que os NMOS, a disponbilidade dos disposi tivos MOS complementares toma posivelo uso deténicas {& projet extemamente poderosas. De fao,atualmente 0 (CMOS 6. mais largament empregada de fossa tecnolo- asd Cl, Ess afiemago se aplica ambos os tipos de cir cuits: anakigicos ov digits. A teenologia CMOS ite Falmente sobs os projelosbsseados 9 em transstones NMOS, Além dso, na época desta esrita (2003), nologia CMOS jé tnha se apossado de muitas apicagoes ‘ge apenas alguns snos antes eram possfveis somente com ispositivosbipoares, No dcomer deste liv estadaremos muitos circuit fabricados com a teenologin CMOS. ‘A Figura 49 mostra uma seqio transversal de uma pastilha CMOS ilusiando como os tansistores PMOS © ‘Fara 49 Soo cums wn cin inagade CMOS, Ober te sir POS fama a ei ep op mcrae Fae aoe eens anny ann pote em gp cmp "wal > dp ne foradoem una caida, Nb sk mss eee eee yac dc fm to carne maven Edina fee ono anal cope a0 posi calMicroeletrénica [NMOS sio fabricados. Observe que enquamto 0 transis- tor NMOS é implementa dietamente no subst tipo p, ‘tans PMOS ¢fabricad em uma reiso pia espe- ‘sikmente,conheida como easidade ou pogo n(n well). Os ‘ois ispositivos so separados um do our pr ua regio ‘expessa de 6x que funciona como um solane.O que nfo $o mosradas no dagrama slo as conexes que devem ser fei no corpo ip p e na eavidade. Essa lima serve como tein de corp para o transistor PMOS. 4.1.9 A operagao do transistor MOS na regio de sublimiar | descr sterior do MOSFET canal implica gue, part xs Vp io hi coments eo dspositiv est em cone Isso nfo €toiaimente verdadero, visto que para valores de vy menores, mas peésios de V, circula ma pequena ‘coment de dreno, Nessa replao de subimiar (subihre- ‘shold de opera, a comente de reno te uma rela txponencial ens, sila 3 relago de ic~ ape de um "TBI, como seré mostra no préximocaptlo. Embors na maioria dis apliages, o wansistoe MOS ‘opere com aig > VY; hi apicages especiis, cada vez em maior nimero, que fazer uso da operaso de sublimi Neste livre, nlp vamos consierar a opera em subli- mia e, pas informagbes acini, oleae pode digi se Bs referéncislistadas no Apéndice F 4.2 AS CARACTERISTICAS DE CORRENTE-TENSAO [Nasego anterior estabeloceu-eo fundamen fs para operagho do transistor MOS tipo enriquecimen- to, Agora, vamos apeesenta, nesta se, ss earacters- ticascompleas de corrente nso. Esas carateriticas podem ser medidas em cr ou em baiasfreqiacias. por {ss0, slo chamadas cartteristicasesieas. Os efeitos 4indmicos que limitam a operagao do MOSFET em alas fieqincias em chaveamento de alta velocidade serio icutios na Sexo 4.8 e oe 4.2.1 O simbolo para circuito {A Figura 410(a) mostra osimbolo para cireuito do [MOSFET tipo enrquccimento ema x. Observe que 0 ‘expago entre ina da porta ea lina do canal represent ‘fat de que eetodo da porta sola do corpo do is positive. A polariade do subsrato tipo p (corpo) © 0 ‘anal tipo est ndicada pela seta na linha que represen 1a 0 corpo (B). Essa seta indica também a polridade do transistor, ou sea, que ele € um dispositive canal Embora.o MOSFET soja um dispesiivo simi, & 1, nas aplicagGes de projeto de eieuitos,designar um terminal como fontee o otro como dreno (sem ter de cscover § 04D no terminal) so pose serconseguio no imbolo para cirito madicado, mostrado na Figura 4.1000). Ness caso, um seta & poscionada no terminal ‘de font, permtindo distnguito do terminal de demo. A ‘sca sponta no sentido normal do faxo de coment e, po tan, india a potaridade do disposiivo ist €, canal) Observe qu, 1 simbolo modificad, ni exist a neces- sidade de mostrar a ela no terminal de corpo. Embora 0 simbolo para creuito di Figura 4.10) permitaclarar mente distinguir a fonte do dreno, na pits € a polar fade imposta ao dispositive que determina qual €fonte € ‘qual 6 dreno; 0 dren sempre positio em rela afte ‘no MOSFET canal n ‘Em apliagBes em que a fone esti conectada a0 «oupo do dispositive, ums simplfieagoaicional no sim bolo para cieuto € possvel, como indicado a Figura 44.10), Esse sfmbolo€ também utlizado em aplicages ‘as guais 0 efeito de corpo ndo ¢ importante na operagio ‘do ciruito, como sera visto posterionnente 4.2.2 As caracteristicas ip—Vps |A Figura 411( exibe um MOSFET tipo enrique: mont canal com enses 5 € tg aplicadas € com os ‘ends normais das coments incados. Esse circuitocon- etal pe ser usado para media craters [pep ‘gue € uma faa de cuvas, cada uma medida com um “alr constant dev. A pati do estado da operas fii Fgura 410 (a Sato par cnn do MOSFET ip cision in Sano me pr cit com a indo te ‘eprint dwn nto olan apn i aa) Sida sill racic purser nec ‘Shins oe cet orp ud ok pen € imprint na pero do peso.Ccapmuso 4. Tenses cn vino tx ongo Mos woseeTll[ i] ‘an segdo anterior, esperamos que cada cura de ip~ ens teoha a forma mostada na Figura 46. Esse € realmente 0 80, como evideneiado na Figura 4.11(0), que mostra um onjnto de caracterstcas p~ vp pica. Um entendimen- to minuciowo das caractrsticas elias do MOSFET & ‘stencil par oleitor gue retende projet crcitos MOS. ‘As curvas carateristcas na Figura 4.11(b) indicam que hates regides de operagio: a reglde de corte, a ‘epldo de triodo c a regio de saturagio, A repito de ssturagio 6 usada se FET for operar como amphficador. Para operat como chave, so usadas as repibes de corte © Ae tiodo. O dispositive esté em corte quando 1s < Vp Para o MOSFET operar na regito de triode, precisamos rimeiro induziro cama, suas = V; (canal induzo) as) ‘entio mamter tp pequeno'0 suficente, de modo que 0 anal permanega continuo, Isso 6 obsido garantindo-se {gue atenso porta-dreno seja ‘gp > Vy (Canal continuo) 49 sa condi pode ser déclarada expicitamente em ter- ‘mos de vps escrevendo-se tgp = as + Usp 165 — tos. 0 ves — mms> Ve oe pode er rearranjada para produie ‘ns < ves ~ Vj (canal contin) (4.10) ode ser usada a Equagio 49 ou a Equagio 4.10 para snalsar «operas na reido de trodo. Ou seja, 0 MOS- Fowe 411 FET spo enriquecimento canal n opera na regido de trio- do quando vi € maior que V, ea testo de dreno é menor (que a tens ma porta em pelo menos V, vols ‘Na tego de iodo, as earacersticasip~ vps podem ser descitas pela elagbo dad na Equasio 4.5, que repeti- ‘mos aqui, ‘em que k= fgCye &0 parimetro de transcondutincia do processo; seu valor €determinado pela tecnologia de far bricagio, Se vps for suficientemente pequeno. tal que possamos desprerar 0 term na Equaio 4.11, entio ‘obfemos par a curateistica p~ es proxima da origer a relagdo a a f= Ke E oos— VO v8 a2) [Essa relago linear representa 4 operago do transistor “MOS como uma esstncia linear rps cujo valor € con- ‘tolado por ws. Especficamente, para vgs ixado em um valor Vas. ros & dado por Wye y= fg = [1 vy] en a) Analisamos ess regio de operao na seo anterior (veja ‘a Figura 44), também bastante usual expresar em termos da sobretensio de conducio porta-fonte, Vor= Vos ¥, (uo ep dain —>a5) Finalmente, sugerimos que o leitor mostre que 2 ‘sproximagio envolida na eserta da Equagio 4.12 € ‘ascada na suposgio de que vps * 2Voy: Para o MOSFET opera ta fegido de satragio, um canal tem de sr induzido: ‘tos = V, (ana inguzido) 416) ‘eestrngulad no final do dreno pelo aumnento-em eps até tum valor que result na queds da tensio pors-dreno six de Vp ‘tap = V, (esrangularpento do canal) (4.17) [Bsa condigto poe ser express explictamente em ter- ‘mos de ms como ‘ups = nay ~ Vj (canal estraigulao) (4.18) sea, 0 MOSFET tipo enriqucimento canal n pera na reso de sauracdo quando vs for maior que V «ten oom A < do de dreno io cai abv da tens na porta por mais de V, vt ‘0 limite enue a repo de iodo a rei de sat raglo &caraeterizado por eps = ves Ve (imi) 9) Subir esse valoe de aps na Equagio 411 produ 0 valor da corente de saturagao fp come Ly W, 2 aden hto-W a2) Portnt, na satura, 0 MOSFET proporciona uma cor rene de den co valor € independent eso de demo ‘6 deterinad pela enso ss de acardo com aes ‘guadrtia na Equagso 420, culo esbogo € mosrado Figura 4.12, Uma ver que a corrente de dren € indepen- ‘ented east de reno. © MOSFET satrado se comport ‘ome uma fone deeorente eno valr€contolado pot x ‘conform rela nio-linear na Equagio 420, A Figur, “415 astra uma represenaso de cieuto para MOSFET ‘operand na regito de straySo, Observe que ela € © mo ‘deloeauivalente de creito para grandes sais Refrindo-nos novamente is aractersticas ip~tne na Figura 41100), observamos que o limite entre as arp. omer NMOS cise mrt 1K We 10 MAND Faura418 Modelo silencio gers dew MOSFET carl opti gio eno.Capitulo 4 Transistres de eteto do campo Mos qwosreTa | _ 18 replies de wiodo e de saturagso & mostrada por uma linha curva traced. Como essa curva € caracteriaada or aps = ups ~ Va 88a equagdo pode ser encontrada substiuindo sts ~"V por vps em qualquer uma das equigdes da regito de triode (Equagio 4.11) ou na equago da regio de saturagao (Equagio 4.20) 0 resul- tao é aan Deve ser observado que as carateristicasdesenhadas ws figuras 44, 4.11 © 4.12 so para MOSFET com A{WIL) = 10 mAV2€ V, = LV. Finalmente, ogrfico ns Figura 4.14 mostra os nveis reais de tens que os termingis do transistor NMOS tipo enriquecimento devem ter para a operagio na regio se tio © na regio de satura. ‘ea, i Secs i Neg c: = heen vie AL Fe Faure 14 Nive aor de ns eo mim do tamaor MOS to egret ete pr oper aed rei de sao, aaah 444 Umtansisior NMOS tipo enigasimento com ¥,= 0.7 V tem o wu terminal & fot aeradoe una tens ce de 1. apicada na porta. Em qual regio de opersio © Aispsitvo opera pra) Vp = 08 V7 () Vp = 09? (¥p=3¥7 espa (a Tio; ¢) Satrag of) Saturago 45. Seo dipostivo NMOS oo Enetctco 44 tem pC, = 100 KAN, W= 10 pme = 1 um, obtebs valor de ‘oente de dreno que esata em cada um dos Us casos (ah) espeifiendos no Exertio 4.4 Fess (a) 275 uA (6) 320 Ac) 320 uA. 446 Umirasisior NMOS po eniquesiment com ¥;= 0.7 V conduz una cortente f= 100 A goando ns = ens = 12 V. Obtenha oval para voy = 15 Ve eps = 13 V.Tambéi clcute olor da resistencia den fone spar me Peaueno € tes = 32 V. Respusts 256 A; 5000 4.2.3 A resisténcia de saida finita na saturacao ‘A tquago 4.12 ¢ 0 comespondet cco equiv lene pra grandes sins na Figura 413 indica que, a satura, ip € independent denn Patan, una var G0 sm ena Ureno-font faz que no baja dang mip. aque implica que a essai increment. vistano deo do MOSFET satarado, sj init so, ent una ielzago Bascal preminsa de gue uma ver stranglad 0 eatal no ial Jo depo, aumento xt ps ero eft ma forma do ca Masa pis ae tarsal dem feta um pouco o cal. specifics mene, quando aumentamos zp 0 pnto de esangul remo do canal se move Tigermente do dren pa 8 fone 180 €iastado na Fgur415, na gual ntamos gue a tensio peo canal permanece vos ~ Vi = tsi € 21> ‘So aicioma aplicada a0 dreno aparece como ina queda de tens pla regio de depo ene o fim do canal ea regio de reno, Fssa ens seelera os lero pea regio de depego em dro ao rene. No obsame, not que {com avemento da eataa de Ueplegao) 0 comprimea ‘eivo do cana €reduzido, de La ~ AZ, um fendmeno ‘onbccido como modulagio do comprimento do cana Com ip €nversanentepoporcional a eomprimcnin co «anal (Equa 420), samen como aumento de i I 13 t i Fore 18 homme kit a ae ines ara levar em considerag a dependéncia de jp com nga satrap, rocamos na Equago 420 por &.— AL. prs oer io= vy “a1 Tam ee Le @(1 + Boog — Woe Fe oF em que supomos que (AL/L) 1, Agor, se supusermos (que AL sejaproporcional a rps. AL =A'wysa aes ‘em que A” € um parimetro ds tecnologia de processo com se star ta 4.8 0 tramigor PMOS mosuato na Figura EAS tem ¥, =I V. ky = 60 WAV W/L =10, (a) Obtain de We pars que o ransistor cond. (b) Em eros de Vo oben 8 fala de Vi pra 0 qual © wanistor oper regio de wo, (6) Em tos de Vo. btn a fina de Vp para o qual © wansor opera satura. (@) Despreando 0 eto de modulo de cans (se son ‘dod =O) obteba 0 lores de Vn Vee comrespm ‘dene fai dep para que o wast oper a0 mt tug com f= 75 wA.(e}SeA = ~0102 V1 encore ‘valor der, comesponent scbretensn obi em Put = “002 Ve pars var de Voy determined ‘em (f), btenha fy para Vp = +3.V ep Vp = OV: 0 seca, alee 0 valor da esis Je si spur ‘sata, Compare com 0 alr encode em Tw. 3 Fowa E48 Respsta (a) Va 44 V (©) Vp = Vo + 1:16) Vp = Vo + 1: (0) 05¥:35 Vi = 48 (0) 067 MOO 78 As67 MED (0 mesmo) 4.25 A fungao do substrato — O efeito de corpo Em musts aplieagdes,o terminal de fone & eonetado ‘40 terminal de sbstrao (ou corpo) trina! B, o que resi em uma jungio pn entre 0 substrate o canal inhi (ven Figura 4.5), endo uma polarzagorevera constant. Em luis casos, o substratonio tem fungo nm operaglo docu «sa existéacia pode ser totalmente ignorala. Nos cireuitos integrados, contudo, 0 substat é geal ‘mente comum para muitos transstores. Com finalidade le manter a condigio de polarizao reversa na junss0 sutstrato-canal, 0 substato € normalmente conectado no Ponto mais negativo da fonte de alimentagdo em um cit- cuito NMOS (no ponto mais positive em um circito PMOS). A tensto de polarizagio reversa estate ent & fone © corpo (Vsy em dspositvos canal ner um efito sobre a operasao do dispositive. Parx peceber iss, con- side um transistor NMOS e faga que o substratoFique ‘mais ngativo em rela & fone. Atensto de poarizagio eversaumenta a reglo de deplecio (va a Figura 42). sso, por sua vez, reduz a profundidade do canal. Para retornar o canal forma orginal, Vas dove ser aumentads. ‘O efito de Vay sobre canal pode ser representa ‘mis convenientemente como uma Vario ma tensio de limiar V. Especficamente, pode ser mostrado que sumen- tara tensio de polaizagoreversa no substrata Vg rest ‘a-em um aumento em V; de acordo com a ela Vim Viet 11V 24+ Vas 26) (433) ‘em que Vig 6 tens de limiar para V3g = O; 6 wm po met fisico com (26) tipicamente de 0,5 Vi e 76 um pparimetro de processo dado por = NaN = Vaiss y aay fem que g € a carga do elétron (1,6 X 10° C), Ny € a ‘concentrago de dopantes do substrata tipo p ¢ €, a per Imissividade do slicio (L1,7eq.™ Hy] X 8854% 10-4 = 1,04 10" lem). O parimeto tem dimensio de WV ctipicamente vale 04 V12. Finalmente, note que & Fquagio 4.33 aplica-se também para dispostivos com canal p, mas com Vy substituide pela tensdo ceversa de polarizagi0 Jo substrate, Vgy (le forma, alterativa, demos roar Vig por Vg)-e note que 7 €negativo, No flculo de y, Ny deve ser trocado por Np, 4 concentagao {de dopantes do pogo n em que o PMOS é formado, Para Aispositvos canal p, 24 ¢ tipieamente 0,75 V,e-y € nor mmalmente 0,5 V'2, ‘A Elquagdo 4.33 indica que uma variagio incremental ‘em Vg dt origem a uma varigéo em V, que, por Sun ver ‘esl em uma variagdo incremental em i. embora vgs ‘enh se mantido constant. Isso implica que a tensto de ‘corpo control portato, o corpo age como outta porta Para o MOSFET, um fendmeno conhecido como efeito deCapitulo 4 Transistores de ofsito de campo MOS (MOSFETs) ‘corpo, Por outro lado, 0 parimetro & eonhecido como parimetro de efeito de corpo, 0 efeito de compo pode rovoedr ua considerdvel degradaeo no funcionamento ‘dcireito,conforme ser mostrado no Capitulo 6. scan 49 Um asisor NMOS apresena Vp = 08 Vs 26y= 0.7 108-V!2,Obenha ¥ quando Vag = 3V. espace 123. 4.26 O efeito da temperatura Tanto V; quanto A slo sensiveis& temperatura, O lode ¥,dimimu em cerca de 2 m¥ para cada 1 °C deumento ma emperatura, Essa diminuigBo mo médulo de Ij dé origem a um correspondente aumento na corren- tee dena, visto que a temperatura aumentou. Contudo, «em vie dea diminuigho de com a temperatura ser 0 fete dominant, oefeito total observado de um anmento fu temperatura & uma diminuigSo na comente de dren. Fe resulad imeresant seré posto em pritica na apli> ‘gio do MOSFET nos icuitos de poténcia (Capitulo 14). 4.2.7 Aruptura e a protecao da entrada Com o aumento da tensio de dreno, um valor & stingido, no qual a jungio pr ene a egito de dreno e 0 oo Sobretenso de condugio: toy = tas Ve tas V; + Yow Operacio na regi de riod + Condigbes () 26s; € tov =0 @) tan = V; € vos = os Vi & Hos = wow 1 suistrato sofre uma ruptura por avalanche (veja a Subsepo 3.74) Essa rptura ocorre geralmente para n= shes de 20 V 2150 V e resulta em aumento um tanto pi oda corente avalanche suave. ‘Quito efit de rupura que ocorte em fensbes balcas {cereale 20 V) em disposiivos moderns échamado per- furagio MOS (pnce-shrough). Iso ocore nos disposi tivos com canals relatvamente cutos, quando a tensfo ‘de dreno 6 aumentada sié um ponto em que a regito de deploio envolvendo a regido de dreno se estende pelo ‘anal tingndo a fone. A corrente de dreno aumentara- Pidaments. A perfuro noralmente ndo resulta em ‘dano permanente pata 0 disp ‘Anda out tipo de rupura quand a tensdo porta fonteexcede um valor de ceca de 30 Ve ocore a uptura do Gxido da porta, resultando em dano permanente para 0 Aispositvo. Fmbora 30 V poss parecer elevado, deve ser Tembrado que o MOSFET tem alta resistencia de entrada uma capacitinea de entrada muito bana e, portato, 35, equenas quantidads de carga estticas que se acum Tam no capacitor de porta podem exceder sua tensi0 de rupuura Para evita ese actimulo de carps estas ma porta {de wn MOSFET, normalment sio includes dispesitives de rotegdo de porta nos terminas de entrada dos cireutos itegeados MOS. 4.28 Sumario Como referéncia para consulta file rida, apre- seotamos, na Tabela 41. um sumdio das relapies eor- Fente-tenslo para MOSFETs tipo enrquecimento,138 _ |] icrootetronica + Caractere Hr to suite = von} a] Para ns 2(tas ~ ¥) € vps $20v w, fos aE es — vo Opera ma relia de saturagdos + Condes: (ws woe 0 @) wep = V; © mms 1s ~ Vs & os ™ soy + Coracteriias He ta = F.C f (ex VIO + Av) + Modelo equivalent pars grandes sna a fynctto.-w]'-# emaue SEU ey: Io= 3 tn Cu Wor Vi ‘Tensto de limiar: Vm Vo + YW 2 * Wad — V2, Parimetros de process: (em) wy, (vim) ow) VUNG GT, (WV!) 9 = RSSH 10-2 Fim ean = 3,889 = 345 X 10°! Fm = 1174) = 108 X 10-19 Rim 602 10-9Capitulo 4 Transistors de efeto de campo MOS (MOSFET) | 1 of Sobretensio de conducao: tov = vs — Ve vse = Yd = bod Caracteristicas bo: As mesmasrlagbes para transstones NMOS, excet0, 1 Toca K€ Naor A Ks © No respectivamente Vp Vio Mae €-y sh negativos. + Condigdes para operagio na repo de triodo: (3655 ¥) © toys 0 6 a= | Q)n¢ =I) © vos was — Me & eas lvorl "Condes para operago na repo de saturagdo: (1) s65 = Ve & voy =0 © w59 = (Ni 2) m6 = Wl eps = 165 ~ Vs eos = lnorl + Mosel equvalente para grandes sia: = [bide cetivee— war] =H Ds ca fo J ty Cap eo WP100 || Microetetrenica 4.3. Circuitos com MOSFET EM cc Apis termos estudado as caracteistcas de cor rente-tenso dos MOSFETs, estudaremos agora poar- zaglo ce de cireuitos com MOSFETs, Especificamente, apresentaremos uma série de exemplos de projets © de anilses de cizcuitos em oc. O objetivo € desenvolver ‘radualmente no letor uma familiaridade com 0 dispos tivo e a hablidae para aandlise de circuits com MOS- TFET de forma ripidae ao mesmo temp ete Nos exemplos sepuntes, por simplicidade © para focaliar& tengo na esséncia da operagdo dos citeitos ‘com MOSFET, goralmente vamos desprezar a modlaglo {do comprimento de canal; isto 6, vamos supoe & = 0, ‘eremos quo isso 6 conveniene para setrabalhar em ter mos da sobretensio de conduct: Voy = Vos ~ ¥s ‘Lembre-e de que, para NMOS, ¥, © Voy sio positives, enquanto, para PMOS, V; © Voy slo negatives. Para PMOS, o leitor pode preferir escrever Vico = Veal = Vi + Vor EXEMPLO 4.2 Projeteo citcuito da Figura 4.20 de modo que o tansis tor opere com Ip = Oat MA'e Vp = +05 V. O tan sistoe NMOS tem V, = 0.7 V. jsCyy = 100 WANE, L = Lume W = 32 pm, Despreze'« modulagdo do ‘comprimento do canal isto €, suponha que = 0}. Vo = #25¥ a es 13% Y= 25 Fur 420 Circuito pro Example Sotuedo Como Vp = 0.5 V-é maior que Vo, iso signifies que © ‘uansstor NMOS ests operand ma repo de satraso,¢ devemoswilizar& expresso da regio de satraso dep para determinar 0 valor pedi de ts, dy cM eg Wi Io = 5th Cah es ~ VP Substiuindo Vas ~ Vs = Vos lp = O16 mA = 400 uA, HaCox = 100 HIV? e WA. = 32/1, vemos ue resulta em osv Vor Portant, Vos = ¥;+ Voy = 0.1 + 05 = Em relagdo Figura 420, observamos que a porta st no Potencal do terra; logo, fonte deve estarem —12 Veo ‘alr pedo para Rs pode ser determinado a partir de Y= Vs a a Seen pep IID) saan Para estabelecer uma tenslo ec de +0.5 V no dren, deve mos escother Rp como segue: Lata 4.10 Reproeeo cio da Figur 4:20 par o segue sa: Vo = Vis = 25-V. Vp = 1 Vo ssCun = (0 xAIV?, WIL = 120 pm yum fp = 03 me Vi OA. Resposta_Ry= 3.340: Ry = 740. << _— EXEMPLO 4.3 Projete 0 circuito da Figura 4.21 para obter uma corrente finde 80 A. DE 0 valor necessrio para Re calcul a tn- So ec, Vp. Suponka que o wansstor NMOS tenha V, 06 Vs 1Con = 200 WANE, L = 08 ume W = 4 ui. Desprze' feito da modulago do comprimento da can Ato &,suponha A 0). Figure 421 Ciro pao Fsenpo 43ino 4_ Tider etd mon nos sneer sotto ina ver que Voc = 0, Vp = Vae © FET esté operand ra repo de sturaio, Potanto, Wg tom eC es VI Wp, $s Cu vie gual obtemos Voy emo = ag OAV ‘sin Voe= V+ Vou = 084 04'= 1 ani to et Y= Vom +1Y. (0 valor nesessrio para R pode ser encontrado como sxe Yoo= Vo palo, Reporte 0 cit do Exerplo 43.de fonna hpicaro valor de fy sem mur Vp- Oben 0s von valores pra WL e Fespsta 7 ~ 10 por xem, 8 aw pm: R= 12540. 412 Comidero siete da Figur 4.21, que fol proetado to Exempla 4.3 (observe-o anes de esoler ete ublema) A tenso Vp est aplicaa a porta de oo feamistor Qp como mostra) na Figura BA.12 ‘Sopont que Qs et ico a Q, Determine co rere etm no depo de Q,(Saponta h = 0) ema ® a 2 awe 6412 Renpsts 80 uA: + a] << §£ $$ EXEMPLO 44 Projeteocireito na Figura 422 pra estabelecer uma ten- so de dreno de 0.1 Y. Qual éa resistencia eftiva etre 0 ‘reno ea fone nesse pia de erage? Suponha V;= 1 ¥ cekAWIL) = 1 malV2 | ats 4 gure 422 City Exe 44 ‘Sotugho ‘Como a tens de dreao é menor que ada pora de 4.9 V eV, = 1 V. 0 MOSFET es operando na tego de trio ‘do, Portanto, a corrente fp & dada por cs = 0395 mA (© valor necessirio para Ry pode ser encontrado como = 124k Em am problems pritico de projet de cruito dsereto scolbe-seo valor de resisténcia 0 mas proxini possivel td padio disponivel. Por exemplo, par resistres com ‘fede toleincia,o valor mais prximo & de 12 KA; veja ‘© Apéndice G. Uma vez que o transistor est operando na regido de wiodo com um Vip pequeno, resistncia fe ‘adeno fonte pode ser determiada como segue: 4.18 Seno ciao do Exempla 40 valor de Rp fr dupion ov eenn os vale sroximsos para Tn ¢Vo- Fespsta 02 mA: 0.08 V.Analise 0 creuito mostrado na Figura 423(a) a fim de ‘eterminar todas as tenses dos ns © as coments no ramos, Suponba Vj = 1 Ve &, (WAL) = 1 mAIV= Despeze o feito dt modulagio do comprimento do canal (isto suponna A.» 0) oy = MT gute 422.) Cros pa Engle 5. mal tas Jeane Sotuedo ‘Como acorrente da porta € zero, a tensdona porta € deter- minada simplesinente pelo divisor de tensio formado pelo dois reisiores de 10. MO, 0 +10 45 Box Ve = Voo pepe = 10% Com essa tensio positva na pot, 6 transistor NMOS entra em conduso. Nao sabemos, condo, se transistor ‘et operando na regito de saturagdo ou na reido de to {o, Podemos supor a opera a satuagso, resolver 0 problema verficar a valde de nossa suposigi. Obviament, se nossa suposigSo de que o transistor ests em saturaglo no for vid, teremos de resolver 0 pro ‘ema novamente para operago ma regio de tried De acordo coma Figura 423(b), tension po € de 5 Veatensio ma fonte € (mA) 6(AD) = 6p. Assim Vos = 5~6lp Porto fy daa por w, fo Phe Wes V9 wall x (since $x 1x5 ~ 6h — 0F «ue pad seit quo gud em i: sw} =25), +80 ssa equagio produz dois valores para Ip: 0.89 mA & (05 mA. A primeira respsta resulta em uma tensio de fone de 6 0:89 = 5.34 V, que € maior que tensbo na porta eno tem significado iso, jf que impliara otan- ‘stor NMOS em corte, Pertant, By av Vp=10-6x05= +7 Visto que Vp > Vo ~ Vn transistor estéoperandonasa- ‘turagso como supost iniiakente, UU 4.14 Parao ico da Fgura 423, qual ¢ 9 male valor |e Rp pd er de forms gue o tanisor perma 0 modo satura? espest 12 0. Reprjte oct da Figue 4.23 para os segues requir Vag = 45, Ip = 032A, Vs~ 16, Vp = 34 V. com uma corn de 1 A araves do visor de tens Roy. Rr Ulla o mesmo MOSFET emprgado no Exemplo 3, Raspes y= LEMME Ke: ska, << $ $—— EXEMPLO 46 Projet o circuito da Figura 4.24 de modo que o transistor ‘pete na saturagdo com Jy = 0.5 mA e Vp = +3 V. ‘Sapoaha um teatsiste PMOS tipo enrguecimento tendo Vm -1 Ve RuWL) = 1 mANV2, Suponka A ~ 0, Qual ¢ 0 maior valor que Rp pode ter pars mantra op ‘ago na regido de sturagio? Fgura 424. eno pao KxcaloBein eememNn ES i wos cers St Some Como 9 MOSFET se encontra emt saturay, podemos a7 . HE Wes — Vd a OL Sutitindo = 05 mA eX, WIL = I AMV? lembran- toque, para o tansistor PMOS, Voy &negativo,obfemos donk cea Oya 44 vay 1y Vow Vig Wt Vog= 1 218 22 Con font ex com + Vans mapa dene et de +3 V. Isso pode ser obtido pela escolha apropriada dos: ‘are eyo Rey Unnesclbe pose € ey =2 MO hey = 3M ‘valor de Ry pote we encoun por Yeo 4 fom, “05 Acer no mode igo srk mati 0 pont ‘em que Vp exceder Ve; por V4, que &, aé ox +1 Vw se valor dé tenslo de dreno pode ser obsido €om Rp Aa por 4 y= gig= 8x0 rr EXEMPLO 4.7 (0s tansstores NMOS ¢ PMOS oo circuito da Figura 425) esto cakados: com Ki(Wag) = (Wy) 1 MAW? © Vm = —Vp = 1 V. Assumindo A = 0 para mos os ransistoes, determine as correntes de deeno in ‘lop Dem como as tenses ip para v; = OV, +25 Ve “25. rotten ee lym or Finney aly ite ite alee lise Bata hu Ate Fou a Fur 425 Chea yar 0 Fsemo 47 Sotucto {A Figura 425(b) mostao crcuito para 0 caso xy = 0 V. E importante notar que, uma vez ue Oy € Op esto per feitamente casados e operando com Vl iguais (25 V) 0 cireuito € simétricn, 0 que implica vp ~ 0 V. Portanto, tanto Qy como Op esto operando com Voq| = Oe, desse modo, a saturagfo, As correntes de dreno podem ser, eno, encontraas a partir de Joe ton = 4 XK = IF = 1125 ma ‘A seguir, vamos analisar citouto com 1y = +25 V. 0 teansstor Otel um Vay nuloe, portant, estard coral, reduzindo cireuto para aquele mostrdo na Figura '4.25(),Podemos nota que x ser negative, e assim ip ‘ri maior que Vfazendo que Qy opere na regio de t0- Go, Por simplicidad, vamos supor que vp Sea pequenBi Biaimcorser ce: conseqlentements, emos (Wd LXVos~ VOVos = 1125 ~ (25) ~ Hla ~ ¢ ny 3 [A pantie do diagrama do cireuito mostra na Figura 4.25(¢), podemas ecrever Ing (ma) Tomkn) -Bsas das equates formam wm sistema cua solugto & Iny= 026 mA wy ==2.44V Note que Vos = ~2.44 = (-2,5) = 006 V. que épequeno como supeste de inicio Finalmente, a sitaglo para o caso xy = -25 V [gure 425(d)} € analisada de forma completamente andloga oo caso xy = +2.5 V: 0 transistor Qy estar cor tado, Potato, py = 0, Qpestardoperando na repo de triode com lop = 2.44 mA 1p = 42.44 V. eee tata aca 4.16 Os rsitres NMOS © PMOS mo cit ds Figura B16 ‘to cmos com Kil) = AL) = | MAN Ya" —Vp= 1'¥. Sapo A = 0 pr ambos os srs determin 3 otentes de dren jy ns com as emoes tp pay = OV. 425 Ve “28. Lite, fiom ee rowmesie Aaspsta sy = OV: 0mA, 0 mA, OV: = 425 ¥: (104A, OmA, 1/08 V5 y= —25 V0 mA, 0,104 mA on 4.4 O MOSFET como AMPLIFICADOR E COMO CHAVE [Nesta Seg, iniciaremos nosso estudo sobre ut lizagao de MOSFETs no projto de cireuitos amphi adores” A base para essa importante apicagi0 do MOSFET ¢ que, quando opera na regido de satura, também atu com fone de corrente controll por ten. so: mudangas ns tens porta-fonte ngs do lugar aco respondentes mudangas na corrente de dren i Consequentements, 9 MOSFET satura pode ser ut lizado para implementar urn amplificador de transcon ducincia (veja 4 Se530 1.5). Enicetanto, uma ver que estamos interessados em amplificayo linear — isto € «em amplificadoes cujosinal de sada (nesse caso, a oe rente de dreno 4p) tenha uma rlagio linet com 0 sil {e entrada doles (esse caso fens port-fonte os) — teremos de enconiar uin modo para contorna a relag30 altamente nao-tinear (ei quadrtiea) 8 ip por ves: ‘A téenica que urilzaremos para obter ampliicao linear patir de um dispositive fundamentalmente nto near € 4 de polarizar em ce 0 MOSFET pura operar em certo Vos apopriado © um cotrespoadente Ip © entio ‘superpor 0 sna de tensio a ser amplificado, vp, sobre & tensa de polariagio ce Vg. Se 0 snal vp for feito ‘pequeno'. a varagaoresltante na corente de eno, i pode ser feta proporcional av, Essa tcnica fi intr uzida formalmente na Seglo 1.4 aplicada no caso do iodo na Subsego 3.3.8 Rntretano, antes de eonsiderar 2 ‘operacao em peguenos sinais do amplificador MOSFET, analsaemes © "etrsto completo" estdaremos @ ope ‘ago ger ou para grandes sinais do ampliieador MOS- FET, Furemos iso dervando a caracterstica de transl. roca de tnsio de um circuito ampliicador MOSFET comumente empregado. A partir da caracteristica de teansferéncia de tenslo, seemos capazes de observar aramente regio ma qual transistor poe er poariza- do para opera como um amplificador de pequenos sina, assim como agulasregides nas quais ele pode oper como chave (ist é estar completamente ‘conduindo’ ot completamente “aberto"). As chaves MOS tém aplicga0 fanto nos eiruitos analégicos como também nos digits: 4.4.1 Operacao com grandes sinais — A caracteristica de transferéncia A Figura 4.26(a} mostra esturahisica (esquelto) ‘do ampliieador MOSFET mais comuenteempregsd. © circuit fonte comum (FO), O nome ciruito font comm ou fonte-aterrada surge da visualizaco do crcito como uma rede de dois acessos em que o ternal de Toate ate rado écomum para acesso de entrada, entre porta fone. ‘0 aesso de sd, entre drenne fone. Note que bors ‘aso bésica de controle do MOSFET se a variago em ‘ts (aqui significa variagdo em xj jd ave ty = ts) que Aesencaieiavaraglo corespondente em ip utiizremos ‘um resistor para conseguir ama tens de sad = ts = Vow ~ Rio 439) i aie RATE pT Tw OR TEN aT TC ORT aS ‘Cpt eyes 4015) ade pla ncn eee oan esi bce he pens oe eva.16 || Microetetranica esse modo. 0 amplifcador de tanscondutinci & conver: tid em um amplifcadr de tenso. Finalmente, observe que « ncessra uma fn de poarzao ce para lgar © MOS- FFE e forever corentenecessra par soa operags, Da anilise do cireuito da. Figura 426(a), vamos Np. 0 wansistr ena bem dentro da reso de | tiodo. Observe que, como 3s curvas earactertsies regio de triodo estio muito proximas, a tensio de saida | imi lenamente em dreao a zero. Antes de chegar a ‘ero identiicamos um pono de opera particule C obi do pars wy = Vp. A tons de sida comespondete oe ser noalmente mito pequena. Esa deteminaso pono 4 pono da caructersea de anseréncia res na curs rmosrad a Figra 4:26), Note que deineamos seuss Segments dsinos, cada om somespndn & una dis lids resides de operagio do MOSFET @,. Também indicamos os pntos moves da curva de transfers em corespondénca cont os ponos na Figura 4.26), 4.4.3 Operacao como chave Quando 9 MOSFET & empregado como chave, ee opera nos pons extremos da curva. de trnserénia Especificament,o dispositvo est desligado se fizermes ‘y= Vy resultando na opera em algum lugar do sep- ‘mento XA com 7 po. chave est ligada se aplicar ‘mos uma fensona entrada prima de Vp resultando ne ‘operagio perio do ponto C com xg muito pequeno (em C, ‘Wo = Nog). Nesse content, devemos também observ aque a curva de trnsferéncia da Figura 426(¢) tem 9 mesma forma que a apresentada na SeqSo 1.7 ara oinver $0F ligico digit. De fo, 0 cieuito MOS font comum pode ser empregado como inversor logic com o ive de tensio baito' priximo a 0 V eo nivel alo" prdximo & Vin Inversoeeslgicos MOS mals elaborados sero est dados na Sedo 4.10, 4.4.4 Operacao como amplificador linear Para MOSFET operar como amplifiador, devemos uilizaro segment comespondente a0 modo saturagio da cura de tansferénci O dispositive ¢polaizado em um Ponto lealizado em algum higar pesximo so meio da ‘urs 0 pontoQ é wm bom exemplo de pont de polria- {0 aprpriado. © ponto de polarzagio ce também = Yoo ~ Roly Para garantir 2 operagdo na regio de saturaco, vemos ter as9) Vo> Vas ~ Ve Alem disso, uma vez que tens8o 90 dreno ter um ‘componente de snalsuperposto sobre Vp, Vp devert ser Suficentemente maior que (Ves ~ V)) para permitir & ‘excurado do snal na sada. wap Fgura 434 Ci conn enpngnnm da peo [MOSFET coo um splice pews Sa. 4.6.2 O sinal de corrente no terminal de dreno ‘A setui, consideraremos ¢ situa com 0 sinal de entrada, aplicado, A ensdoinstantinea port fonte ser 5 = Vos + ts (450) ‘esultando em uma cortente de dreno instantinea otal ip, w, 2 Fay + t= Vi Mea Wve —Voog+ buy We, LW Way Vet RE Wes Vie + BU aon (© primeiro trmo do segundo membro da Equaglo 457 poe ser reconhesido como a corente ce ou correntequl- tscente fy (Equal 4.54), © segundo trmo representa lum componente de coremte que é dreamente propor- ‘nal ao sina deena tO timo terme é um con- ponent de corente que & proporcional ao quadrado do Sinal de entrada. Esse limo componente ¢ indesjavel, forge representa uma dstrs0 niolincar. Para reduzit & distrgao no-linear ntodurida pelo MOSFET, o sna] ‘de entrada deve ser mantio pequeno, tl que Suen ek Wes — Vie, ‘alia Se Wos—¥) as) ow equivaentment, tor a) ‘au qual Voy € 8 sobeetensio de condugio em que otran- sistr est operando. ‘Se ess condigo para pequenos sinas fo stint 1a, podemos desperat 0 dino termo na Equagio 457 ¢ ‘expres iy por aD aa sit ta Vine ae ee Sane Wve Hae Ver-v) OD ‘ou, em trmos da sbretensto de conto Vor Peay 462) {A Figura 435 aprsenta uma interpreta prifica da coperagio para pequenos sinais do. amplificador com MOSFET tipo enriquecimento. Observe que gy igual & Inclinago di caractristia p~ ns no ponto de operas, an # 463) Fgura 435 Oper pr seo in do agli som MOSCapitulo 4 Transisores de efeito de campo MOS (MOSFETs) ssa kima equagdo representa a defined formal de A poe ser facimente visto que, por meio dela, chepa- ses equagdes 4.61 € 4.62. 46.3 O ganho de tensao Retomando 30 circuit da Figura 434, podemos xpresar a tenso de dno instantinea ital p coma segue; = Van — Rin Na condo de pequenns sinas, tems 1" Yoo = Rolla +i) ue pode ser reserita coma » ‘Logo, o componente do sina da tens de dreno seri dado or fo ~ Role MU Min = “ntl «inca que 0 ganho de tenséo& dado por 469) Gta Bao A 465) O sinal menos na Bguago 4.65 indica que o sinal de ‘said est 180° defasado em rlagdo a sinal deena (hj To €ilustrado na Figura 4.36, que mosira ips © ‘up, Supie-se que o sal de entra tenba uma forma de ‘onda triangular com uma amplitude muito menor que 2Wgs ~ Vk que €4 condigdo pars pequends sina na iquago 4.58, a fim de garantr uma opera linear. Para uma operago na regido de satuagso 0 tempo too, 0 valor minimo de no deve se menor que 0 valor cor- respondente den; acima de V. Além disso, o valor méxi- ‘mo de wp deve ser menor que Vp ets0 contro, 0 FET entrant na reito de corte ¢ os picos da forma de onda do sal de safda sero ceiados, Finalmente, podemosnotar gue, pela substi da ‘expresso de gy dada pela Equagio 461 na expresso do _ganho fomeci pela Equagdo 4.68, o resultado fics idea. {ico aquele obtido na Septo 4.4 — a saber, Bquaso 4.40, 4.8.4 Separando a andlise cc e a andlise de sinal vimos que, com a aproximasio (0s valores de snal sio sobrepostos ‘08 valores ce. Por exemplo, a correte de dreno toa jy & igual 8 corrente ce fp mais eorrente de sinal i 0 mesmo ‘se aplicando i tens de dreno ol yp = Vp + ve assim or diane. Isso significa que a andlise o projeto podem Ser muito simplificados, separando-se os cdlculos da polarizagio ce dos cflculos para pequenos sinais. Iso 6 uma vez que um pont de operago etavel cc tena sido eabelecido © todos 0s valores ce calculados, podems ‘nto exeeutar a andise de sinalignorando os valores ce. Fea 430 Assess nt spt cite da Faw,17 |) microetetronica 4.65 Modelos equivalentes de circuitos para pequenos sinais ‘Do ponto de ists de sinal. 0 PET se comporta como uma foute de correntecontolada por testo, Ele reebe tum sil yc entra port ea font eproporciona uma cor Fente me no terminal de dreno. A fesisténcia de entrada ‘essa font conrad é muito alta —idealmentc, infin ta. A esistécia de saida — ito €, a resist@nca visa pelo reno — também € muito alta, alé agora, supuseincs ‘que ela sjainfnita,Colocando tudo isso junto, cheganos fo creuito da Fgura 4.37(a), que representa a operagio tanciasintemas, 0 leitor deve observar a Figura 41. Ha basicamente dois tipos de capacitancias intemas_ no MOSFET: Beto capactivo da porta: 0 elewodo de porta (por cexemplo,osilicio polirstalino) forma um capacitor de placas paralelas com 0 canal, com a camada de Gxido servindo como dielérco. 14 discutimos a capacincia de porta ou capacitincia do éxido na Segio 41 ¢ denominamos seu valor de unidade de fea como Cor 2 Capactincias de deplegto fonte-corpo © dreno- corpo: essas so as capacitincias associadas as jungées pa reversamente polarizadas formadas pela regldo de fonte n* (iambém chamada difusio de fonte esubstesto tip pe pea regito de dreno (3 difusio de dreno) © 0 subsirato. A determinagio ‘dessascapactincias pode ser feita por meio do equ ‘ionamento estudado no Capitulo 3.Capitulo 4 Transisores de efsito de campo MOS (MOSFETs) _ 198 ses dois efeitos capacitives podem ser modelados ls incluso de capacitncias no modelo do MOSFET entre eis quatro terminas, G, D, Se B. Haver cinco capacitan- a m0 total: Cyn Cy Cin Cp © Cay 7 que 05 indices inseam a localizasio das capactincias no modelo. Em ‘eid, mostraernos com es valores das cinco capaci sno modelo podem ser determinados. Fareros sso con- sieando cada um dos dois efeitos capacitvosctados. 4.8.1 O efeito capacitivo da porta ( eeito capacitvo da porta pode ser modelado pelas tis capacincias Ch, Cy Cl O5 valores desss capa ints podem ser determinados como segue: 1. Quando o MOSFET est operando na regio de iodo rata valores vps pesquenos, © canal ter profundidade tniforme. A capacitincia pora-canal seré WL Cay © ode ser moda entre fone edreno;portanto Gpeney WAC, (regito de triodo¥4.107) Isso, obviamente, uma aproximago (asim como tea. modelagem apresentada também o 6), mas fun- ‘ona bem para a regio de triode mesmo quando tps lo € pequena. 2, Quando © MOSFET opera na saturago,o canal tem ‘uma forma triangular, e 0 estrngulamento de canal foore no dreno, Demonsirase que a capacitincia canal, esse caso, Yale aproximadamente FW Cave pode ser modelada abuind-se toda caps- ‘Stic’ porta-caal & Cy, e fazendo Cy igual zero {porque 6 canal est estrngulado no dene); portanto | 4.108) regio de atarasio Ee a, (4.109) 3, Quando o MOSFET estécortado, o canal desaparece «, portano, Cy, = Coy = 0. Entretanto, podemos {Gps uma argumentago bastante complexa) mode- lar efeito capacitive de porta atribuindo uma capa- citdncia WL Cy, capacitincia porta-corpo; logo (10) aap p= Gu=0) 5229 ean 4. Hi um pequeno componente capacitive adicional ‘que deveria ser adicionado a Cy, © Cyy em todas as {ormulas anteriores, Essa é uma capactincia que resulta do fato de as difusdes de dreno ¢ fonte se ‘xtenderem levemente absixo do Gxido de porta (veja 4 Figura 4.1), Se 0 comprimento de sobreposicdo (overlap) for chamado dé Lo, & capactincia de sobreposigio pode ser expressa como Coy = Why Cue 12) Tipicamente, Ly = 0,05 a 0.1 4.8.2 As capacitancias de juncao ‘As caacitincias de depleydo das das jungBes pr re- versamente polarizadas formadas entre as fuses de foe ‘eno eo corpo pedem ser deerminaswilizando a forma- Taf vista na Subsegdo 37.3 (Equago 3.56). Poranto, para a Aifusio de Fonte, temos capaitinca onte- compo, Cy a3) em que Co €0 valor de C., para polrizagbo forte-corpo hula, Vg € 0 valor da tens de poarizacio reverse Vo atensto interna da jung (0620.8 V). De forma anslo~ ‘ga pur a difuso de dreno, eos a capacitincia dreno> ‘ompo Cg dada por Coo Van Vo Co ana) 1 v ‘em que Cayo 0 valor da capacitincia para tensdo de pola Fizagio reversa nula ¢ Vip € 0 valor da tensio de polarizagdoreversa. Note que supusemos, para ambas as jungies, um coeficiente de pravagio m = 0. ‘£ importate observar que eada una das capaitén- cas de jangio inclai um componente proveniente da textremidide interna dajuncdo e um componente asocia- {dos paredes laterais da difsio. Fm relagio a esse Tato, fobserve que cada dfusio tem tés paedes laterals que testo em contato com 0 substrato e, portant, contribuem, para a capacitincia de junsio (a quarta parede esti em ‘contato com o canal) Em uma modelagem mais avangada do MOSFET, os dois componenes de cada capacitincia Ge junglo so ealulados separadamente 'Asfemulas para a capaciincas de jung represen tadas polas equagies 4.113 ¢ 4.114 pressupsem operaio om pequenos sinas. Ess fGrmulas entetanto, podem ser ‘modified para a obteng0 de valores médios aproxim dos pura as eapactinias quando o transistor esiveroperan- 4 sob congo de grandes sinais, como em circuits Nigi- ‘os, Finalmente, valores ipcos para as capaitncias que 0 MOSFET canal n ibe para um proceso CMOS reativa- ‘mente modem (05 um) so obtides no exerecio Seguin. ata ‘4.36 Pra um MOSFET cnaln com, = 10 am, 2. = Lj, W = 10jum ye = O15, Co = Ga = HOFF. Vo = 6 V, Vag = 1 V © Vs = 2, determine as suis capris quand o fins estver operand na sat topo: Con Con Cos Gus Cin Car (one: Voc pode com Solara Tabla 41 para valores ds constants kes). Raspesta 3.45 FF jn; 1,72 F247 fF; 1,726. AUF| Microotetronica 4.8.3 O modelo para altas freqiiéncias do MOSFET A Figura 4.47(a) mostra 0 modelo para pequenos ‘Snais do MOSFET, ineluindo quato capacitances, Cp, Cys Ga € Ca Esse modelo pode se uilizado para prover ‘a Fesposta em alas freqiéncias dos amplificadores MOS- FET. Entretanto, ¢ bastante complex ili ‘modelo para cileulo mancal, sendo seu uso programas simuladores do tipo do SPICE. Felizmente, para 0 caso em que a fonte esti conectada a0 comp, 0 ‘modelo fica consderavelmente mais simples, confore pode ser visto na Figura 4.4700). Nesse modelo, Cy ‘embora pequeno, tem papel extremamente importante resposta em alas freqincias de ampliticadoes (Se530 49), portant, deve ser conservado no modelo Em co andlise manual. O circuto resultante esti exposto nu Figura 44%), ur 447 (a) Modo siete pur sci do MOSFET: () i euler io em qu fone xt coma nb te orate de) cm Cn dvr rs tc» maa 484 A freqiiéncia de ganho unitario do MOSFET (f;) {Ua figura de meio par a open do MOSFET como ampliicaorem alas reins € 4 eghnca de ino unio, Ea defsida como eget em que gama de crete de cuca configurag one omum se oro unio. A Fgura 4.48 ro msl = ‘to do MOSFET como teal de fre comm en ‘ena cai, Pare dterminro gt de cote em ‘so-so, nena pica ua foe come / ‘€ 05 terminais de saida sio curto-circuitados.” E fil obser- ‘ar qu erent naa eto celta € dad por Sign = SCs Lembrando que Cyr € pequeno nas freqbéncias de interes se, 0 segundo temo nesta equacio pode ser desprezado, Erne ans) Da Figura 4.48, podemos expressar Vm temos da cor rente de sida J, como Vis = WC Cyd) (4.116) ‘As equagies 4.115 e 4.116 podem ser combinadas de forma afomnecet 6 ganho de curto-circuite: "Cisne ape coo apse anos Finis co unin (Saree poe GT ae ais da Rot CAEN UAE ‘ets de ane, eves et aise com meron mien urs une ead cm tag pr se,Capitulo 4 Transistores de efsto de campo MOS (MOSFETs) 2 Fir 48 Caleta o ao decree cutie fl ay) ae GD Em egime permanente senoidal (x = jo), observase que | ga de coments & niirio ma fegncia 7 fadCy} Codd Potato, a freqbéncia de ganho unitrio fy = en/2m seré leer Go us) Una ver que fr € proporcional ay inversamente pro- con is capactincias incemas do FET, quanto maior valor def, melhores serio earacersticas do FET tomo dispositive amplificado. Substiuindo g, usando 3 Bquagio 47, pademos expressar rem temos J Ip (Vela ‘Problema 492). Alemativament, podemos substiuir ova pair da Bguaco 469, para expressar fr em termos «dv sahretensdo de condugdo Voy: Ess expresses per~ rmitem entender wm pouco mais opera ent atas fre {iéncias do MOSFET. “Tipicamente, fz varia de cerca de 100 MH para tec nologias. mals antgas (aio é, processos CMOS com frend eater fp~ toy com prande nia. Potato, Qycomesponde a um camino de bata esistn- Gia ere 0 terial de sala eo tera, e esa resstécia pode ser obi ulizandos a Egug 4.13 como vm lfe(?) Ean TT FRCS os Sa De HoT Wo i aa a Sto SNE To(mr vata A Figura 454¢) mostra 0 circuit equivalente do inversor quando a entadestéem nivel alto, Esse creo confiema que ty = Vou, = 0 V. a disspacto de potén- iano inversor, novamente,€praticamente nul, aes aoe © Figura 44 Oper do err CMOS an as ce tocoms) = Vp et Kise) coe pe prs ‘trim ont Super cc ake ( outro caso exremo, quando w= 0, est ilustndo ‘na Figura 435, Nese caso, Qy estéoperandoem x39 = 0, Jogo sua caracteristcaip~ ps & guase uma linha rts ho- ‘zontal passando por um avel de corente de aproximads- mente ero. A curva de carga € a earacterstia p= 150 40 ‘tanssior canal p com aycp = Ypp. Conforme pode ser visto no pont de opera, tensio de saa &quase val Vpo (tipicament, menos de 10 mV abaixo de Vip) € a ‘orente pelos dis transistors est muito prima de or Princ, « dssipagao de poéncia no invervor € muito psquena em ambos os extemos de operaso. Figure 488 Opi doivener CMOS guns ou an (0) oe com 9 = (het pes) amar ri a ‘snr posted peg: eee A Figura 4.55(¢) mostra 9 eireuito equivatente do inversor quando a entrada esti em nivel baixo. Agu, pereebemos que o transistor Op faz 0 papel de um eami- ho de baixaresisténca entre 9 trminal de safda ea fonte ec representada por Vop cua resisténcia€ dada por: (2) mo row = fs(¥) ooo = wen] cate gece ets seen ‘= Vow = Vope que a dissipagtio de poténcia no inver- opreceeet neice cm er apn rotenone eral ea era CMOS sence Loita geCapitulo 4 Transisores de efsto de canpo MOS (Mosrets)f svt alto no circuito da Figura 4.58, 0 transistor Qy pode enar uma corrente de eargsrelativamente alta. Essa cor- ‘ene pode rapidamente descarregar dada capacitancia de ‘arpa na sada, como ser visto em breve. Em virtude de sua haildade de drenar corrente de carga e, portanto, usar a tensio de saida em diregio ao ten, o transistor ‘Qy€ conhecdo como dispositive abaixador (pull-down) De forma similar, com a entrada em nivel baixo no eir- ‘lito da Figura 45S, o transistor Qp pode fornecer uma fomente de carga relativamente grande. Essa corrente ove rapidamente caregar wma capactincia de carga, xan, porto, a tens de safda para cima em diregio Vp. Assim, 6 co-nhecido como dispostivo levanti- or (pull-up). © leitor deve lembrarse de que ja uti- ‘nanos esa terminologia quando deserevemos inversor concetul da Figura 1.32. Em resumo, do que foi descrito anteriormente, ems concluir que o inversor CMOS pode ser consi- rao como ideal se: 1. Osnieis de tensio de safda so 0 e Vpp portanto, _sexcurso de sinal & a méxima possvel. 10, acoplay > a ny ® Fgura 459 (a Sintlo de cscto para MOSFET po depo cna ‘i () Simos spice dee pea para was de ss tru) eta consi ft). pene of ‘A Figura 4:59(a) apresenta 0 simbolo para circuito do MOSFET tipo depleso canal n. Esse simbolo difere MOSFET. O primeiro tero de capactincia nas equaies 4.161 4.162 represent a capacitincia da eama- dade deplego (a jungd0) do fundo plano das repides de ‘inte dren O segundo termo de capactincia considera 2 capuctincia da camada de deplegio ao longo do pimeto (perifria) desss mesmas regies. Ambos os ‘esos io expressosutilizando a formula desenvolvida na Subsegdo 3.7.3 (Bquaso 356). Ox valores de AD. AS, PD [PS devem ser espeificados pelo usudrio com base mas ‘dmensdies do dispositive que estversendo emprezado. Pardmetros de eapacitancia de porta e de dimensao do MOSFET Em um MOSFET fabricado, 0 comprimento efetivo de canal Ly € mais curto que o comprimento de ‘anal nominal (ou de desenfo, ou de mascara). (como ‘specificado pelo projetista) pomue as repibes de difusio A fone e dreno estendem-se levemente por baixo do ‘rid de porta durante a fabscacdo, Além diss, a largura tfetiva de canal Way do MOSFET € mais estrcita que a Jargra de canal nominal (ou de deseno) W por causa das {uses laterals por buixo do dxido de porta no canal a par tiedo corpo semicondutor na diego da largo, Baseado os parmettosespecificados na Tabela 4:7, 4.163) Wag = W ~ 2D asp, De forma andloga 30 uso de Ly, para indicar Lp i= tizaremos 0 simbolo Woy para indicar WD. Consequen- ‘temente, como mostrado na SubsegSo 48.1, 4 capacitin- porta-fonte Cp, € a capacitincia portadreno Cg devem ser aumentadas por um componente de sobreposigio de, respeetivamente, Cyraw = WOGSO 165) Catoe= WEGBO 4.166) Analogamente, a capacitincia porta-substrato Cyp deve ser aumentada por um componente de sobreposiga0 de aon © eitor pode possvelmente ter observado que existe uma redundnca oemal ma especiticago dos parimtos para 0 ‘modelo do MOSFET no SPICE. Por exemplo. 0 usuirio pode especificar valor de KP para um MOSFET ou, altr- htvarente, especiticar TOX e UO e deixar 0 SPICE c cular KP como UO TOX. Analogamente, GAMMA pode ‘er espoifcado dretamente, ou os parkmes fisicos que Iabilitam o SPICE a determins-lo podem ser espcificados {porexemplo, NSUB), Em qualquer caso os valores expeci- “feos pelo uxairio terdo sempre prioridade (isto é,pre- ‘cedencia) sobre os valores calculadas pelo SPICE. Como tm exemplo & mais, observe que © usuitio tem a ope de ‘ou especificardretamente as capacitincias de sobreposio CGBO, CGDO © CGSO ou deixar 0 SPICE calcul tino CGDO = CGSO = LD COX e CGBO = WD COX. 'A Tabela 4.8 fornece valores tpicos para os pardme- twos do modelo nivel 1 do MOSFET de uma tecnologia CMOS de 0.5 ne, para fins de comparagdo, aqucles de ‘uma tecnologia CMOS de 5 um antiga (ou mesmo obso- letay Os valores correspondentes para 0 comprimento ‘minino de canal Lye largura minim de canal Wg © Carin = ECGBOeq temo. mixima de slimentga0 (Vp + Wise tio indicados como sepve Tecnologia — bmn Wain (Vo0 + slime (CMOS de 5 an CMOS de 05 jam OS wn 125 um Microeletrénica wv 33 Sam 125 um Por causa do dxido de porta mais fino em teenologias ‘€MOS moderas. a tensdo de alimentagdo méxima deve ser ‘edzida para assegurar que a tenses nos terminals do MOSFET nio provoquer a rupture da igidezdielétrca do ‘ido de port, A diminuigo da testo de alimentago éum os aspects no projeto de circuits imegradosanalsicos «em tecnologias CMOS avangadas que mais atraplham. Na ‘Tabela 48, 0 leitor pode observar outa tendéncias em processos CMOS. Por exemplo, & medida que Lyin € redurio, o efit de modulago do comprimento de canal toms-se mais pronunciad e, consequentement, 0 valor de 2X aumenta. Isso resulia em MOSFETs com menor resist- ia de saida 7, , portant, menores “ganhos inrinsecos ‘Gla © Capitulo 6). Outro exemplo ¢ a ciminuigao da moti dade dos portadres em tecnologias CMOS modernas¢0 correspondent aumento na rao py de 2 pra pero de 5. (0 impacto dessa ¢ de outras tendéncias no proto de reitos imeprades em tecnologia CMOS avangadas seri iseutido no Capitulo 6 (ja, em particular. a Se5a0 6.2). Processo CMOS de § um Processo CMOS de 05 jm NMOS PMOS ‘NMOS PMos LEVEL, 7 i 1 1 OX BSe9 859 9309 9509 vo 750 250 460 us LAMBDA, oor 03 Ol 02. GAMMA rv) 65 os 04s vro. 1 e 07 08 PHI 07 6s os 075 Lb 0766 060-6 0,08e-6 0.08e-6 Is 1e6 1e6 e-9 S09 ci O4te-3 0,183 os7e3 O.93e-3 MI as 05 os os. casw. O89 060-9 0.1269 O19 MSW 05 05 oa as PB 07 07 09 09 ‘capo 0229 0229 038-9 0,389 ‘eGp0 Ode-9 Odeo O4e-9 0389 caso. 04e9 04e-9 4e9 035¢9 * No Psp. foams ‘MOSFET pa carexponteno ss modo fmecidox Or oe oem encores cho de rograa Par) poral wr sehsmihor Os tecos de fopana NMOS ¢ PMOS pac sleepin CMOS de OS um eine 5009 'NMos0Ps_ODY PhOSAPS. BODY, psi Os echo de ans NMOS PMOS fr sel CMOS de ym eo ‘ns como NMOSSPU,BODY « PMOSSPO. BODY. rmyetiamene lands, he poana NMOSIPSe PMOSDPS oa i ar cresponiet respective o NMOSOPS, BODY uh So ssi concn 00 rae © PODS BODY com oom tts ‘Quando estiver simulando um cireuito com MOS- FET, o ususrio precisaréexpecifica tanto valores dos primetros para © modelo como as dimensoes de cada MOSFET do circuito. Pelo menos o comprimento de canal L ¢ a largura de eanal W devem ser especificados. ‘As deas AD e AS ¢ 0s perimetros PD e PS precisam ser especificados para o SPICE calcular as capacitincas junglo-subsiato (caso contro, capacitincias nulas se- ‘iam assumidas). Os valores exatos desses pardmetros eoméricos dependem do layour do dispastivo (veja 0 AApéndice A). Entretanto para estimar essas dimensdes, ‘vamos supor gue o contato metdlico seja feito diretamente ‘em. cada tma das regides de fonte ¢ dreno do MOSFET. Para tant, essa regides difundidas devernultapassar 9 ‘im do canal (sto 6 na dirego Z da Figura 4.1) em pelo eno 2,75.in,Portanto a fea e 0 primero minimos ‘de uma regito de difesio dreno(fonte com contato metli- ‘0 direto so, respectivamenc,Capitulo 4 Transistores de efeito de campo MOS (MOSFETs) [a AD=AS=2.75lyual¥ (4.68) PD=PS=2X275lqntW (4.169) ‘A menos que especiticado de outa maneira, ullzaemos Sempre as equagaes 4.168 ¢ 4.169 par estimar as dimensbes das gies de fontee dreno em nosso exerplos. Finalmente, € importante destacar que 0 SPICE cal ‘aos valores dos pardmetras do modelo para pequenos sinas do MOSFET baseado no ponto de operagao ce (nontodepolarizace). Em seguida, esses valores so ut- Talos pelo SPICE para realizar a anise em pequenos sini (anise ea) << EXEMPLO 4.14 CO AMPLIFICADOR FC Neste exemplo, vamos utlizar 9 PSpice para calelar 2 respostaem fregléncia de um amplificador FC evja cap- tur esquemitica € mosirada na Figura 4.63.12 Observe {ue o MOSFET tem fonte esustrato conectados entre si {fim de eancelaro efeito de corpo. Vamos supor uma \cenlogia CMOS de 0.5 am para o MOSFET e utilizar 1: porimetros para 0 modelo nivel I do SPICE listados 1g Tabela 48, Vamos também supor uma resisténcia da foi de sin jg 10 KO, uma resisténcia de carga Ry = 5) KA e eapacitores de acoplamento ¢ de desvio. de I0 AP. As especificagdesdesejadas para o amplifeador FC sio um ganho em frequncias médias Ay = 1D VIV e tum consume méximo de poténcia P = 1,5 mW. Como deve ser sempre 0 caso na simulago por computador, ‘amos comegar com um projeto manual proximado com, yop = 33, ° apenas papel epi Em seguida, vamos utilizar PSpice para fazer 0 ajuste fino do nosso projeto e investgar 0 ‘desempentio do projeto final. Desse modo, podemos ‘bier 0 mixin proveito e discernimento da simulagao. ‘Com ma tensio de alimentagio de 3,3 V, a cor rente de deno do MOSFET deve estar limitada 8 fp Ppp 1,3 MWB V = OAS mA para satsfazee a especificagao de consumo de poténcia. Escolhendo Voy = 0.3 V (um valor tipico em projctos de baixa ten- so) € Vas © Vof3 (para aleancar uma grande excursto Ge sinal na sada), podemos agora obter a relagdo de ‘tamanhos como w. by Vail + AVes) : 5x10 Fora x 10-5017 00.0 cemgue R= snCux = 17041 pA/V2 a partir da Tabela 48). ‘Aqui, Lor € ilizado prelerivelmente em lugar de L para permiiro edleulo mais previo de fp. O efit de uizar Weyrem lugar de W & muito menos importante porque tipi ‘camente W2 Wo Poranto,escolhendo L = 016 am resul> tem Log = L'— Uy = 044 ame W = 233 um. Observe que escolhemos J levemente maior que Lyay 1880 uma prétiea com no projeto de Cs analgios fim de contonar efeitos de nlo-dealidade no valor de L prove- tients do processo de fabricagio. Como estudaremos em capftlos posteriores, estes efeitos de nio-iealdade so ‘articulurmente importantes quando 0 desenmpenbo do cir- ‘exito depende do casarento entre as dimensGes de dois ov mais MOSFETs (por exemplo, nos circuitos espetho de corrente que estudaremos em detalhes no Capitulo 6). Fire 4.63 Cop semi do ali FC paca Fxemplo 418. ara a EF a ERATE apie eT ends ie maa Pe Te aos TR SMCE sour plea sr cnt poral mw samt, Nox xp equals (come moray ma Pi) eos ‘Spann gus) enn vrs et dicarce oto ae ox ens creer do cit, a menses SelMosrer to yom uc let esque feo ds mang So slore Ss componenes spleen akean 0 akc dos rot cnegsts ao do posWiser A seguir, Ro 6 calcula bascado no ganho de tensio desea: Vd = an(Rol Rit.) = 1OVIV = Rp = 4.2K a7 emque gn = 3.0mA/V er, = 222k). Conseqientemente, ‘a tensio de poarizagSo na sada € Vp = Vip = LR ~ 16301 é necesito Vo/3. Finalmente, os resitores Roy 13 MO so ecothidos ara fixaratensio de polarizagao de para em Ve = Ips + Vow + Vie = 1.29 V. Uiilizar valores elevados para esses ‘esistres de porta asegura qu tanto o consumo de pon «a como o efeito de caregamento sobre a fost do sinal de ead sejam despeezveis. Cabe observar que 0 efito de ‘compo nio foi considerado na expresso de Ve, ‘Vamos, agora ilizar 0 PSpive para confer nosso projeto investigar 6 desempenho do amplificwlor FC. ‘Comesamos pea simulag30 do ponto de polarizago para verifear se 6 MOSFET esti polrizado adequadarente na eo de saturogoe ve asfensbese crretesc esto den tro das espeificagdes desejadas. Com base nessa sim Jago, diminafinoso valor de W para 22 wm para limita fp ‘em cere de 0.45 mA. Fam seguda, para medio ganto em feqiencias médias Ay € as feqilencas de 3.4B fy € fix aplicamos uma tensfo ca de 1 V na entrada, ealizamos 8 ‘Simolagio no modo andlise cae plumes a magnitude da tens de saa (em dB) em fungio da frequéneia, como ‘mostrado na Figura 464, Is0 coresponde & magnitude da reposts do amplificador PC porque escolhemos um sna ‘deentrada de 1 V2 Assim, 0 ganho em feqiéncias médias 6 Ay = 935 VIV a faixa do passagem de 3 dB & BW I~ f= 122) MHz. A Figura 464, além disso, mosta ‘que 6 ganho comega a ear em cerca de 300 Ha, mas est- biliza-se novamente em cerca de 10 Hz Esse segundo pata ‘mar de ganho em bainasfreiéncss¢ devido a presenga de tum zero real de tansmissie, inseduzido na fangio de transferéncia do amplificadr por Ry junto com Cy. Ese zero come na feqbéncia fy = 1 / (2m RyC'y) = 25.3 He, ‘qu est tipicamente entre as Feqlénci fae fy dedi. das ma Subsegio 4.9.3 (Figura 4.52) Dessa forma, vamos agora aval esse fendmeno simulando novamente 0 amplifeador FC com Cs = 0 (isto, removendo Cs) afi e mover f para init, ou sea, remover oseuefeito. A respost em freléncia comespondente ests plotada tam ‘bam na Figura 4.64. Como esperado, para Cs = 0. no jobservamos. qualguer patamar secundario na resposta. ». | Capi 6 sce cin CMOS digas Cups 10. PROBLEMAS Sogo 4.1: Estrutura e operaglo fisica do dispositive Sendo ue jy Oa deve sr aro de Targuras enue disposes canal »'€ canal p se ees tiverem coretes de denn ienisas quando operando modo stuasso com nobecerses de condo da mesma magni? 2 a a ‘Um dspostivo MOS canal em uma tecotoga =) gu espera do ido €20 no camprimento a mo de canal 6 ¥ ym. kj = 100 wAVV2 V; = 08 V ‘pert mt epio de trodo. om Ypy pequeo € cm e- ‘So pofonte afta de O Va +5 V. Qual ts dispose € nea pra eegute he 4 restcia nfnnispontvel ea |KO? ‘Comidere vm prosesso CMOS par © bl mn = 08 nog = 15 mpg = S80CMPIV56¥, = 07 V, (a) Obenta Cures {() Paaum amsistor NMOS com WIL= 16 gm, «aleule a valores de Voy Va ® Vain esis oro eapsno opera a eo de satura com fuma coment ce fp = 100 uA: (6) Part aisposiio em (chen os valores Be Voy ‘eVox nocessiios pura fazer o dspstivo ope ‘somo um resistor de 1.0001 pa Ys pains. ‘Consider um MOSFET cal om f= 20 jy 650 om/V “4, ¥) = 08 Ve WL = 10, Obtenba rent d demo os seguites ess G@)tus=3Veus=1¥s aos =2Ve ms= 12; (@mus= 5 Vem = 02 Vi (@)2¢~ ms ~ 5. Secso 4.2: As caractersticas de corrente-tensio 45 a Consider um warsisor NMOS que ik, exceto por ter meta do lrg, a9 tassios carcerisicn ‘ps0 rota Fgura 1). Cora ver tal devia ser emarcado, tl qu as carci respondam a disposi mai seta? Seo dispositive mis seo oprar atu com uma sobeenso de condo de 15 V qua o valor de ip esate? ‘Umteanssto NMOS que te ¥;= 1V opera na eo Se wiodo com tas pequen. Pas ay = 1,8 ¥, fo ‘encoad uma resistin de 1X0. Qual valor Vos necesro para oberg = 200 11 Enconte os Valores correspocres das yas ress para um spn que ten 0 dobro de W- ‘Um MOSFET particular tp egussimeno pao qual Vj = 1 Ve RAW) = 0,1 AV? tem de opera na regio de sturag, Seip for de 0.2 A, enconte 9, 10 mimo tps ecessrio, Rept para ip = 08 mA. {Um MOSFET particu tipo nriguccimsnto cana n eve wm coment de dens medida de WA para Vos = Vos = SV e1 ma para Vos = Vg = 3 V. Qual ‘valde # OWA, €V panes disposi? ‘Um ransite NMOS, operand a episode eins nar com ty = 01 V com 60 A pa toy = 2V 160 WA para ngs = 4 V. Qu 0 valor apareme da fens de Tinie V? Se = 90 AV qual € arco WAL do: dipesiivo? Gol coment: ciara com Sage Meg 1208S apelin oper cat