FLVIO MACEDO CUNHA

MATERIAIS ELTRICOS E MAGNTICOS

INTRODUO
1.
2.
3.
4.
5.

ESTRUTURA DOS MATERIAIS

CONDUTORES
SEMICONDUTORES
DIELTRICOS
MATERIAIS MAGNTICOS

2012
1

INTRODUO

A histria da humanidade, de certa forma, tem sido datada a partir do domnio de

determinadas tcnicas empregadas e dos materiais usados por nossos antepassados em determinadas
pocas. Nesse contexto os pesquisadores dessa rea definem a Idade da Pedra como uma fase em que
os homens usavam a pedra como ferramenta, muitas vezes criando instrumentos com esses materiais
para seu manuseio. No perodo de 2000 at 1000 a.C. j eram usadas ligas de cobre e estanho e foi
caracterizada como Idade do Bronze. O perodo de 1000 a.C. at o ano zero caracteriza a Idade do
Ferro, quando era utilizada a tcnica de fabricao de ligas de ferro. Em diversas sociedades da
antiguidade observou-se o uso da cermica e do vidro. J a tecnologia do ao foi desenvolvida na
Idade Moderna. Na segunda metade do sculo XX duas grandes tecnologias mudaram os costumes e
utilizaes de recursos materiais: a inveno do plstico e a tecnologia do silcio grau eletrnico. Esses
materiais produziram grandes impactos nos bens consumo atualmente empregados. As tendncias
futuras indicam que o domnio tecnolgico dos materiais concentra-se nos campos da biotecnologia e
a neurotecnologia.
O desenvolvimento da tecnologia dos materiais tem sido associado a um conhecimento, cada
vez mais profundo, da fsica dos materiais. Portanto, sempre que se refere ao estudo dos materiais,
usa-se o termo cincia e engenharia, referindo-se engenharia de base cientfica. No entanto, cada
modalidade de engenharia tem um foco definido para o estudo dos materiais no seu campo especfico.
Na engenharia civil, por exemplo, o estudo dos materiais leva em considerao as foras de trao e
compresso, os processos de corroso, a dilatao trmica, a durabilidade dos os materiais. Na
engenharia mecnica os esforos mecnicos, as propriedades trmicas e qumicas, os desgastes por
atrito devem ser levados em considerao ao aplicar os materiais. Na engenharia eltrica os materiais
so estudados sob o ponto de vista tambm dos fatores fsicos (esforos em uma estrutura metlica,
esforos em barramentos por curto-circuito, dentre outros), qumicos (oxidao e desgaste de contatos
eltricos, por exemplo), trmica (dissipao de calor em equipamentos, aquecimento de cabos
eltricos, etc), mas, sobretudo, visa ao estudo do comportamento dos materiais sob campo eltrico e
campo magntico. Para realizar o estudo com esse foco fundamental iniciarmos pela estrutura dos
materiais, especialmente o estudo do modelo do tomo e das ligaes dos tomos entre si na
constituio de um slido.
O campo de estudos da cincia dos materiais tem como ncleo central a fsica, a qumica e a
matemtica. A cincia dos materiais se estrutura em torno desse ncleo implicando alguns campos de
especializao tais como: geocincia, biocincia, metalurgia, cermicas, semicondutores dentre outras.
Numa circunferncia mais ampla, est a aplicao tecnolgica que inclui reas da medicina, farmcia,
agricultura e as engenharias. Cada modalidade de engenharia, em seu campo especfico, aborda alguns
aspectos desse conhecimento. Cabe ao engenheiro adquirir competncias para realizar sua atividade
em interao com outras reas, mesmo que ele no tenha conhecimento especializado em
determinados tipos de contedos no campo especfico de materiais. Mas importante que alguns
fundamentos nessa rea sejam conhecidos.
Um problema que deve ser cada vez mais levado em conta a questo ecolgica. Uma vez que
os materiais produzidos pela indstria e, cada vez mais consumidos pela sociedade, so obtidos da
natureza, constata-se que esta fonte est atingindo o limite de sua capacidade. Alm disso e o que
mais grave, o retorno desses produtos para o meio ambiente na forma de lixo. Essa prtica precisa
2

ser revista. urgente que sejam desenvolvidas tecnologias de reaproveitamento e reciclagem desses
produtos em nvel econmico para reutilizao desses materiais, nos diversos campos. Essa uma
tarefa da engenharia de materiais e que deve atuar em consonncia com uma poltica de Estado nessa
rea.
O estudo dos materiais apresentado nesse texto foi organizado para fornecer um contedo
tcnico dos materiais usados na rea eletroeletrnica com nfase nos fundamentos da cincia dos
materiais. Trata-se, de um modo geral, do estudo da fsica dos materiais, com foco nas aplicaes no
campo da engenharia. Busca-se, dessa forma, destacar as principais aplicaes dos materiais na rea de
eletroeletrnica. Deve-se, o quanto antes, destacar que a rea de materiais uma das mais pesquisadas
na atualidade, o que implica sempre em inovao tecnolgica. O texto est estruturado considerando
os seguintes pontos: fornecer os conceitos bsicos da fsica dos materiais, apresentar e compreender as
grandezas fsicas relacionadas aos materiais e destacar algumas aplicaes no campo da engenharia.
Ao final de cada captulo algumas questes so colocadas para uma melhor compreenso do estudo e
soluo de problemas. So indicados ainda alguns temas relacionados ao estudo realizado no captulo
para que o estudante desenvolva pesquisa em determinados assuntos que possam complementar sua
formao.
O texto que constitui esse material apresentado em cinco captulos. No primeiro captulo
estuda-se a estrutura dos materiais, com foco inicial no modelo atmico passando para a organizao
estrutural da matria e destacando-se algumas propriedades dos materiais usados na rea
eletroeletrnica. O entendimento dos conceitos tratados no primeiro captulo fundamental para a
compreenso dos captulos posteriores. Nos captulos 2, 3 e 4 o estudo considera o comportamento dos
materiais sob campo eltrico. Cada um desses captulos aborda uma categoria especfica de matrias:
condutores, semicondutores e dieltricos. Nesses ltimos encontram-se os isolantes. O captulo cinco
trata do comportamento dos materiais sob campo magntico. O estudo desse material deve ser
precedido por uma base matemtica inicial prpria dos cursos de engenharia, pelo estudo da fsica em
especial eletricidade e magnetismo e pelos conceitos da qumica inorgnica. Na estrutura de um curso
de engenharia no campo da eletroeletrnica, esse estudo fornece uma base conceitual para os
contedos de eletrotcnica, eletrnica e mquinas eltricas.

1
ESTRUTURA DOS MATERIAIS
Neste captulo abordamos o estudo da estrutura dos materiais destacando os seguintes pontos:
modelo atmico, nveis de energia atmico, bandas de energia nos slidos, ligaes atmicas, estrutura
cristalina e amorfa. Apresentamos dois modelos atmicos Rutherford e Bohr desenvolvidos no
incio do sculo XX e que serviram de base para a evoluo dos estudos posteriores no campo da fsica
dos materiais e das pesquisas tecnolgicas aplicadas. Evidencia-se o contraste entre a fsica clssica e
a fsica quntica enquanto modelos para explicao de fenmenos observados no comportamento dos
materiais. Ao considerar o modelo de bandas de energia, visamos introduzir a classificao dos
materiais em condutores, semicondutores e isolantes, que constitui o foco dos captulos posteriores. O
estudo das estruturas cristalinas visa conhecer a aplicao de algumas propriedades importantes dos
materiais usados na engenharia. Para o estudo da fsica dos materiais fundamental esta introduo na
estrutura da matria e nos modelos apresentados.
Aspectos tericos e fundamentos conceituais que devero ser compreendidos:
- os modelos atmicos e a transio do modelo clssico para o modelo quntico;
- bandas de energia e a classificao dos materiais em condutores, semicondutores e isolantes;
- a estrutura cristalina e amorfa dos materiais e suas propriedades principais.
1 Materiais e a fsica
Antes de tratarmos dos tpicos especficos relacionados estrutura da matria, alguns dados
devem ser destacados para incio desse estudo, em carter de reviso de conceitos da fsica, conforme
segue. Os tomos so constitudos de nutrons (no) e prtons (p+) no ncleo central com eltrons (e-)
girando em rbita. Um tomo com 1 p+ e 1 e- apresenta um raio de 10-10 m, enquanto que o raio do e da ordem de 10-15 m. O e- gira em torno do ncleo atmico cerca de 10 trilhes de voltas por
segundo. Quando analisamos a matria no nvel atmico, parece existir um imenso vazio, uma vez
que as dimenses das partculas so extremamente pequenas e suas distncias muito grandes se
comparadas com essas dimenses. Observe os dados acima. Por outro lado, os valores atribudos s
massas das partculas so tambm intrigantes. A massa do prton (ou do nutron) 1,66x10-24 g e
constitui uma unidade de massa atmica (uma). Se fizermos 1/(1 uma) obtemos o 6,02x1023 que
representa o nmero de prtons (ou nutrons) necessrios para obter 1 grama. Esse o nmero de
Avogadro. O nmero de prtons no ncleo atmico define o nmero atmico de um elemento que
obtemos facilmente ao consultarmos uma Tabela Peridica de elementos qumicos. Assim, um tomo
de carbono tem 6 prtons, de silcio 14, de ferro 26. A quantidade de nutrons no afeta a identidade
qumica. Estaremos utilizando ainda alguns conceitos fsicos durante esse estudo, tais como corrente
eltrica e eletron-volt(eV). Apenas a ttulo de reviso, uma corrente de 1A equivale a 1C/s ou a
6,25x1018 eltrons fluindo por segundo. Observe que a carga do eltron 1,6x10-19C. Um eV
corresponde energia adquirida por um eltron em um potencial de 1 volt, ou seja, 1eV = 1,6x10-19J.
No estudo que vamos iniciar sero apresentados dois modelos atmicos: Rutherford e Bohr.
Visamos, alm de apresentar a descrio desses modelos, principalmente, descrever a evoluo do
modelo de tomo desenvolvido no paradigma da fsica clssica para o modelo desenvolvido na fsica
quntica. Vale lembrar que a idia de tomo como partcula elementar da matria foi proposta na
Grcia Antiga por Demcrito. Certamente que esse conceito no contexto grego era bastante diferente
do que foi desenvolvido na modernidade. O tomo teria sido uma proposio de que haveria uma base
elementar da matria que era indivisvel (a-tomo). Esse conceito permaneceu apenas no nvel
4

qualitativo, ao considerar a idia de existir uma partcula elementar que pudesse ser o fundamento do
mundo material. No entanto, uma vez aprofundado os estudo da estrutura da matria, o tomo
moderno, como sabemos, tornou-se constitudo de partculas ainda menores, os eltrons, os prtons e
os neutrons. Ainda assim os prtons e nutrons so constitudos por quarks. Enquanto que o eltron
considerado uma partcula sem estrutura interna, no se sabe ainda exatamente o que um quark.
Novas descobertas no campo da fsica das partculas podem alterar essas concluses. Da Grcia
Antiga at meados do sculo XIX, pouca coisa foi mudada em termos de modelo para o tomo. Com a
descoberta do prton e do eltron, o tomo deixou de ser indivisvel e passou, at final do sculo XIX,
a ser considerado uma estrutura constituda pela juno de prtons e eltrons. Na primeira dcada do
sculo XX o nutron ainda no havia sido descoberto. Portanto, o modelo do tomo era ainda simples
em relao ao que hoje conhecido. O modelo de Rutherford foi o primeiro que considerou o tomo
com ncleo central. Conforme veremos, o modelo de Bohr evoluiu esse conceito levando em
considerao as descobertas da fsica quntica no incio do sculo XX.
2 O modelo atmico de Rutherford
O modelo atmico proposto por Rutherford em 1911, consiste de um ncleo com carga
positiva em torno do qual circundam os eltrons. Para o tomo de hidrognio o ncleo constitudo
pelo prton como carga positiva em torno do qual gira um eltron com carga negativa conforme Fig.
1. O prton contm praticamente toda a massa do tomo. Quanto ao valor da carga, o eltron e o
prton apresentam a mesma intensidade, porm sinais opostos. Existe, portanto, uma fora de atrao

q2
4 o r 2
1

F=

entre estas duas cargas, dada pela Lei de Coulomb:

onde: q = valor da carga do eltron ou do prton;
r = raio do tomo de hidrognio;
o = constante de permissividade para o espao livre.

rbita do eltron

raio

prton

Fig. 1 Modelo tomo de Rutherford

Supondo que o eltron desenvolva um movimento circular uniforme, com uma
velocidade V, o mesmo estar submetido a uma fora dada por:

Fc =

mV 2
r

Igualando as equaes:

mV =
2

1 q2
40 r
5

O termo direita da equao a energia potencial do eltron. Esta energia igual a

zero quando r tende ao infinito, que corresponde ao maior valor da energia potencial (observe o sinal
negativo). Assim, a energia potencial :

Ep =

q2
4 0 r
1

Para a energia cintica do eltron temos:

Ec =

mV 2
2

onde m a massa do eltron.

Para um determinado valor de r, e tendo como referncia a lei da conservao da energia, podemos
considerar que a energia total do eltron ser:

W = Ec + E p

mV 2
q2
W=

2
4 0r
Das equaes acima resulta:

W=

q2
8 0r

Esta equao nos fornece a energia do eltron em relao distncia deste ao ncleo.
medida que o eltron se aproxima do ncleo sua energia diminui. Deve-se destacar, no entanto que,
apesar de sua formulao ter sido elaborada com base em dados experimentais, esse modelo atmico
apresentou uma contradio com uma lei clssica do eletromagnetismo. Segundo esta lei: uma carga
oscilando a uma freqncia f, ir irradiar energia com essa freqncia.
Deste modo, o eltron deveria emitir uma radiao na mesma freqncia em que gira em torno
de sua rbita. Deveria haver, portanto, uma radiao emitida pelo tomo, de freqncia igual
freqncia de giro do eltron. Se o eltron est irradiando energia, sua energia total deveria diminuir
de uma quantidade igual energia emitida. Se a energia total diminui ento o raio r diminui, de forma
que o eltron iria girar em rbitas cada vez menores at atingir o ncleo. Deve-se ainda considerar
que, como a freqncia depende do tamanho da rbita circular, a energia irradiada deveria ser de
freqncia gradativamente em mudana. Entretanto esta variao de freqncia, conforme descrito
acima, no era observada na prtica. Observe que, apesar do modelo de Rutherford ter sido
apresentado a partir de dados experimentais (fica por conta do estudante pesquisar o tipo de
experimento realizado por Rutherford) e de ter sido estruturado em termos dos conhecimentos e
formalismos da fsica de sua poca, seu modelo apresentou contradies com alguns conceitos
existentes na fsica. Como ento explicar este modelo atmico em contraste com as leis clssicas do
eletromagnetismo? Esta foi uma questo que surgiu na poca e buscaremos a analisar as tentativas de
solues no item seguinte.

3 O modelo atmico de Bohr

O modelo atmico alternativo e, de certa forma, complementar ao de Rutherford, foi
apresentado por Bohr em 1913. Bohr utilizou os dados observados no diagrama de linhas espectrais do
hidrognio. Para explicar os fenmenos observados na prtica, Bohr props trs leis fundamentais
conhecidas como postulados de Bohr que sero citados sucintamente e, na sequncia, analisados com
mais detalhes.
Primeiro postulado:
O eltron no tomo ocupa estados discretos de energia, representados por nveis n = 1, 2, 3 ..., e no
emite radiao nesses estados.
Segundo postulado:
A energia de cada estado um valor discreto dado em funo de n, cuja equao em eV
En = - 13,6/n2.
Terceiro postulado:
Quando o eltron salta de um nvel para outro ir emitir ou absorver energia com freqncia
proporcional diferena da energia entre os nveis, i.e. E f.
Com esses postulados as questes destacadas em relao ao modelo de Rutherford foram
praticamente respondidas. Vamos agora analisar com mais detalhes os postulados acima citados.
Os estados no tomo so considerados nveis discretos no irradiantes. Para o hidrognio estes
nveis so representados na Fig. 2, denominado diagrama de linhas espectrais. Portanto, o eltron no
cai no ncleo. O eltron pode ocupar os nveis n = 1,2,3,..., at o infinito ( ). Enquanto o eltron
permanecer nesses nveis no h emisso de radiao. O eltron ainda no pode ocupar estados de
energia que no sejam esses mencionados, i.e. pode ocupar apenas os estados 1, 2, 3... Dessa forma o
eltron no ocupar uma posio entre os nveis 1 e 2 ou entre os nveis 2 e 3 e assim por diante.
n

E (eV)

-0,56

-0,87

-1,53

-3,41

-13,60

Fig. 2 - nveis de energia para o hidrognio

Podemos agora avaliar a energia correspondente a cada nvel da Fig. 2. Tomando-se como ponto de
partida a equao de Einstein que apresenta a equivalncia entre matria e energia, temos:
E = mc2
onde c = velocidade da luz no espao livre.
Outro conceito da fsica moderna a hiptese quntica de Planck, que considera que uma radiao de
freqncia f apresenta energia dada por:
E = hf
onde h = constante de Planck.
A equao de Planck introduz o conceito de quantum de energia. Temos ainda que a relao entre
freqncia e comprimento de onda de uma radiao que propaga a uma velocidade v em um meio
:


=
Portanto obtemos a equao de E:

E=h

Usamos v no lugar de c para a equao apresentada. Neste caso trata-se da velocidade do eltron na
rbita atmica, que no corresponde velocidade da luz. O eltron gira em torno do ncleo cerca de
10.000 bilhes de vezes por segundo. Assim, a eq. para o comprimento de onda :

h
mv

A equao acima resultado dos trabalhos de Louis de Broglie, denominada equao de de

Broglie, que buscou aplicar o conceito da dualidade onda-partcula (antes atribuda apenas natureza
da luz) ao eltron na rbita atmica. Esta concluso considera a natureza ondulatria e corpuscular do
eltron. Deve-se, portanto, considerar o eltron como uma partcula com movimento ondulatrio
deslocando em torno do ncleo em uma rbita de raio r. Portanto, uma volta completa do eltron
dever corresponder a n comprimentos de ondas, de forma a no haver irradiao de energia, onde n
so nmeros inteiros (ver Fig.3). Podemos ento escrever:

n = 2 R

(onde n = 1,2,3 ...)

Substituindo a equao do comprimento de onda, resulta:

nh
= 2 R
mv
A expresso para v ser:

v=

nh
2 mR
8

ou

v2 =

n2h2
4 2 m2 R 2

A equao da velocidade no modelo clssico :

v2 =

q2
4 0 Rm

Igualando as equaes de velocidade obtemos a expresso para os raios permitidos para o

hidrognio, isto :

R=

n2h 2 0

q 2 m

A equao acima nos fornece os raios para os nveis n =1,2,3, ... que o eltron pode ocupar no tomo.
Substituindo esta equao na equao do modelo de Rutherford obtemos:

Wn =

q 4m 1
8 20 h 2 n 2

onde Wn so valores de energia (em joules) para os nveis n = 1,2,3, ... respectivamente. O estudante
agora pode fazer uma anlise comparativa das equaes de Rutherford e de Bohr.
Sendo 1eV = 1, 6 x1019 joules, assim a equao de energia dos nveis do H pode ser escrita na
forma:

En = 13, 6

1
n2

para En em eV.
Os valores da energia para (En) para o hidrognio indicado na Fig. 2.
A Fig. 3 indica algumas rbitas possveis para o H a partir da equao de de Broglie.

a-) n = 2, = n

b-) n = 3, =

2
n
3

c-) n = 4, =

Fig. 3 - Algumas rbitas possveis para o tomo H

9

1
n
2

Consideremos agora dois estados com energia W1 e W2 no tomo de H. Quando o eltron passar de
um estado para outro, haver uma irradiao de energia cuja freqncia da onda ser diretamente
proporcional diferena de energia desses dois estados. Assim temos:
W2 W1 f
A constante de proporcionalidade para este caso a constante de Planck. A equao resultante :

W2 W1 = hf
Esta equao pode tambm ser expressa em funo do comprimento de onda ( ) da radiao em
angstron (A0) e com os valores de energia (E) em eV. Temos 1eV = 1,6 x 10 -19 J.
Sendo f = c / e substituindo h por seu valor (em J.s), obtemos:

E 2 E1 =

12400

(unidade em eV)

Retornando agora Fig. 2, para que o eltron salte do nvel n=1 (menor energia) para o nvel n = 2
(maior energia), haver absoro de energia. Ao saltar do nvel 2 para o nvel 1 haver emisso de
energia pelo tomo na forma de um fton.
4 Excitao e ionizao do tomo
Para o tomo de hidrognio, Fig. 2, o eltron normalmente ocupa o nvel n =1, denominado de
estado normal, que corresponde ao estado de menor energia do tomo. Para o tomo de H, quando o
eltron ocupa os nveis n = 2, 3, 4 e 5, o tomo est excitado. Esses so os nveis de excitao do H.
medida que o eltron recebe determinadas quantidades de energia poder mover-se para esses nveis.
Se o tomo receber uma quantidade de energia muito grande, suficiente para retirar seu eltron da ao
do ncleo, dizemos que o eltron atingiu o nvel n ou nvel de ionizao. Neste momento, o
tomo fica ionizado, resultado da perda de um eltron e da obteno de um on H+.
Sabemos agora que, para o eltron mover-se do estado normal n = 1 para o nvel de excitao
n = 2, precisamos fornecer energia ao tomo. Qual a quantidade de energia necessria para que ocorra
essa translao de nveis? Essa energia ser exatamente igual diferena de energia dos dois nveis n
= 1 e n = 2, isto , 10,19 eV. Esta energia incidente no tomo pode ser na forma de uma radiao.
Podemos, portanto, calcular a freqncia (em Hz) desta radiao. Com este mesmo raciocnio voc
pode calcular a freqncia e o comprimento de onda da radiao absorvido pelo tomo, para que o
eltrons possa mover de n = 2 para n = 3, de n = 3 para n = 4. Qual seria a energia necessria para
ionizar o tomo de hidrognio, ou seja, para mover o eltron do nvel n = 1 para o nvel infinito?
Como vimos acima, o tomo ao absorver uma radiao pode saltar para um nvel excitado.
Porm o eltron no mantm neste estado, i.e., retorna ao estado normal aps um intervalo de tempo
de 10-8s. Nesta etapa de retorno do eltron (por exemplo, de n = 2 para n = 1) o tomo emitir uma
radiao cuja energia ser igual diferena de energia dos dois nveis. A energia emitida ser, portanto
igual a W2 - W1 = hf. Esta energia denominada fton de energia e dada pelo produto da constante h
pela freqncia f da radiao. Esta caracterstica quantizada da onda eletromagntica foi introduzida
por Planck em 1900. Portanto quando o eltron, no tomo de hidrognio, salta de n = 2 para n = 1
haver emisso de uma radiao de = 1216 A0, correspondente ao comprimento de onda do
10

ultravioleta. Para o infravermelho temos = 18750 A0, correspondente transio de n = 4 para n = 3.

Portanto, a emisso de luz por um tomo ocorre somente durante a transio de um nvel para outro de
menor energia. De n = 3 para n = 2 a radiao emitida correspondente luz visvel. A luz, portanto,
no emitida continuamente por um tomo. No percebemos a radiao descontnua devido a grande
quantidade de tomos emitindo energia.
A esta altura interessante analisar como se pode provocar a excitao do tomo. Como levar
o eltron de n = 1 para n = 2, por exemplo, no tomo de H? Suponhamos ainda que a energia fornecida
ao tomo seja suficiente para o eltron ultrapassar o nvel n = 2, mas insuficiente para que o mesmo
atinja o nvel n = 3. Esta energia ser absorvida pelo tomo? Como se explica esta questo? Um dos
mtodos de fornecer energia ao tomo fazer que sofra colises com um eltron, transferindo-lhe
energia necessria para levar o tomo ao estado de excitao correspondente. Neste caso, a quantidade
de energia excedente ser mantida como energia cintica pelo eltron aps a coliso. As colises com
eltrons podem ser elsticas ou inelsticas. Em uma coliso elstica no ocorre alterao de energia
cintica, i. e., o eltron transmite uma pequena energia cintica ao tomo, devido pequena massa do
eltron. Em uma coliso inelstica, h uma alterao interna na energia do tomo, ocorrendo uma
excitao, conforme descrito acima.
Outro mtodo de fornecer energia a um tomo fazer que sofra colises com um fton. Neste
caso, para que o tomo seja excitado, a energia da radiao eletromagntica incidente dever ser
exatamente igual diferena de energia de dois nveis atmicos. Isto se deve caracterstica
quantizada da radiao eletromagntica incidente. Nos processos em que o tomo absorve energia de
forma a ocorrer uma passagem de seu eltron para um nvel mais elevado e, em seguida, seu retorno
ao nvel de origem com a emisso de energia, dizemos que ocorreu uma fotoexcitao. No caso em
que a radiao que colide com o tomo possua energia no mnimo igual energia de ionizao do
tomo, o resultado poder ser um on e um eltron livre, i. e., o eltron no retornar ao nvel de
origem. Temos, no final deste processo, uma ionizao.
Como podemos constatar, o modelo de Bohr descreve uma srie significativa de fenmenos,
mas designada de antiga teoria quntica. A evoluo das pesquisas em relao ao tomo levou a
outras verses da teoria denominada de nova teoria quntica. Essa evoluo correspondeu ao modelo
de Erwin Schrodinger, que considerou o conceito de onda associada a cada partcula material. Nessa
verso o eltron passou a ser percebido no como um ponto material, mas como uma entidade
matemtica denominada funo de onda. Essa funo a soluo da equao de Schrodinger e
assume diferentes valores em diferentes pontos do espao. Nosso estudo, no entanto, no ir abordar
esse conceito, que deixamos como um tema que pode ser pesquisado pelo estudante de acordo com
seus interesses.
5 Os nmeros qunticos
O nvel de energia em que o eltron se encontra no tomo denominado de nmero quntico
principal e identificado pelo nmero n = 1, 2, 3... Para representar a quantidade de movimento angular
do eltron, que refere-se ao subnvel, usa-se o nmero quntico secundrio que assume os valores de
l = 0,1,2, ...,(n-1). O nmero quntico magntico (m) refere-se ao orbital no qual o eltron se
encontra e assume valores de m = - l ... -1, 0, +1 ...+ l . O movimento de rotao do eltron em torno
de seu prprio eixo denominado de spin que pode ser de ou -, equivalendo rotao no sentido
horrio ou anti-horrio. Portanto, cada estado atmico formado por um conjunto de quatro nmeros
qunticos. Pelo princpio de excluso de Pauli no mais que dois eltrons de spins opostos podem
ocupar o mesmo orbital de energia, ou seja, dois eltrons com spins iguais no ocupam o mesmo
estado quntico. Os eltrons de um tomo que esto em um mesmo nvel ou camada apresentam um
11

mesmo valor de n. Temos n = 1,2,3, ... ou representado por K, L, M, ... Esses nveis se dividem em
subnveis correspondentes aos valores de l ou representados pelas letras s, p, d, f. Portanto para n =
1, l = 0, m = 0, spin = -, temos dois estados denominados 1s. Sabemos que o nmero atmico Z
indica o nmero de eltrons em torno do ncleo. Assim, a configurao eletrnica para o sdio (Z =
11) ser 1s2 2s2 2p6 3s1. Temos ento indicados os estados especficos de energia nos quais os eltrons
ocupam neste tomo (Fig. 4).
spin

1, 0, -1

1
2

Fig. 4 representao dos nmeros qunticos para Z =11

Observa-se que existe uma relao entre os nmeros qunticos dada por:
n = 1, 2, 3...
l = 0, 1, 2, 3... n -1
m = - l ... -1, 0, +1, ... , + l
O spin, indicado por uma seta, tem dois valores + ou .
Verifica-se que em n = 3, existe um estado semi-cheio, que pode ser preenchido por um eltron com
spin oposto ao spin existente.
6 Nveis de energia molecular
Num cristal formado por tomos, os nveis de energia dos eltrons das camadas mais internas
de cada tomo no so afetados apreciavelmente pela presena de tomos vizinhos. Entretanto os
nveis de energia dos eltrons da camada mais externa so preenchidos parcialmente. As condies
para os nveis de energia de um eltron que se move em um campo de ncleos mltiplos so diferentes
em relao ao nvel de apenas um tomo. Os nveis de energia no cristal so denominados de bandas.
Um cristal constitudo de n tomos ter uma distribuio de eltrons similar aos nveis atmicos,
porm na forma de bandas. Portanto um subnvel s (que contm 2 eltrons) se converte em uma banda
12

com capacidade para 2N eltrons. Um subnvel p se converte em uma banda com capacidade para 6n
eltrons. Na fig. 5 temos os tomos suficientemente afastados nos nveis de energia, que sero os
mesmos do tomo isolado. Se o espao interatmico for diminudo, um tomo exercer uma fora
eltrica sobre os tomos vizinhos, resultando um grande nmero de nveis de energia discretos, mas
bastante prximos. So as bandas de energia. As bandas constituem estados de nveis moleculares
mltiplos correspondendo aos nveis atmicos de iguais energias de cada tomo.
Assim se considerarmos os nveis n = 1 e n = 2, poderamos representar esquematicamente a
interao entre estes nveis em funo da proximidade dos tomos, resultando a formao de bandas
de energia conforme indica a fig. 5.

2p6
2s2
1s2

6N eltrons
2N eltrons
regio entre 2 nveis (sem estados)

banda de energia
banda de energia
gap ou proibida

2N eltrons

banda de energia

Fig. 5 - Interao entre os tomos resultando na formao de bandas de energia

A banda de energia proibida representa a no existncia de estados que possam ser ocupados
por eltrons. Os eltrons dos estados internos no afetados pela aproximao dos tomos e so
denominados de eltrons centrais ou nveis internos. Os eltrons dos estados exteriores so
denominados de eltrons de valncia. A energia do estado mais alto ocupado por eltrons (a 0K)
recebe o nome de Nvel de Fermi. Em temperaturas elevadas a energia trmica levar os eltrons
acima do Nvel de Fermi. Portanto um eltron poder passar acima do Nvel de Fermi, apenas se
receber energia suficiente.
Para o alumnio, Z = 13, sua configurao eletrnica 1s2 2s2 2p6 3s2 3p1. O diagrama de
banda de energia para o slido pode ser representado conforme a Fig. 6 para os nveis externos. Uma
banda pode ter todos os estados preenchidos ou parcialmente preenchidos com eltrons. Uma regio
proibida corresponde a no existncia de estados que possam receber eltrons. A banda de maior
energia (mais alta) est parcialmente cheia e recebe o nome de banda de conduo.

Banda de conduo ou de energia livre (e- livres)

Banda de valncia (e- de ligao)
Regio proibida
Banda cheia
Eltrons centrais correspondentes aos nveis internos

Fig. 6 - Modelo de bandas de energia para um cristal

13

7 Modelo de bandas para condutores, semicondutores e isolantes

No diagrama de bandas de energia da Fig. 6, correspondente ao alumnio, apenas os eltrons
acima do Nvel de Fermi atingiro a banda de energia livre e consequentemente estaro livres para
constituir a corrente eltrica. Alguns materiais, entretanto, apresentam uma regio proibida entre a
regio de energia livre e regio cheia, dificultando a liberao de eltrons livres. Esses diagramas
levam a uma diferenciao de classes de materiais em funo da sua condutividade eltrica. A Fig. 7
relaciona os diagramas de nveis energia para condutores, semicondutores e isolantes. Nesses diagrmas
esto representadas apenas as bandas de conduo e de valncia, pois os nveis internos no exercem
influncia nesse caso, uma vez que esto completamente preenchidos. Esta classificao esta ligada
facilidade em se obter o eltron livre. O eltron livre, que conduz a corrente eltrica, fica na banda de
conduo.
Condutor

Semicondutor
conduo

Isolante

conduo

conduo

proibida
valncia

proibida

valncia

valncia

Fig. 7 - Diagrama de bandas de energia para condutor, semicondutor e isolante

Os condutores so materiais nos quais a banda ocupada pelos eltrons de valncia est em
contato com a banda de energia livre e inclusive se sobrepe a esta. Em conseqncia, os eltrons
nesta regio podem passar para a banda de energia livre com facilidade. Sob ao de um campo
eltrico esses iro constituir uma corrente eltrica.
Os semicondutores so materiais com uma estreita banda proibida, que dificulta a passagem de
eltrons para a banda de nveis de energia livre. Entretanto os eltrons podem atingir esta regio de
energia livre, se recebere energia externa, tal como calor.
Os isolantes so materiais nos quais a banda de energia proibida muito grande, dificultando a
passagem de eltrons para o nvel de energia livre. Portanto a condutividade muito pequena nesses
materiais.
Em um semicondutor, um eltron poder saltar a zona proibida e atingir a regio livre, com o
fornecimento de energia da ordem de 1 eV. A partir da, este eltron poder se deslocar sob ao de
um campo eltrico. Para o isolante esta energia deve ser da ordem de 4,5 a 7 eV.
As propriedades eltricas so determinadas pela estrutura da matria, i.e., do modo como os
tomos (ou as molculas) se organizam, no constituindo uma particularidade de um dado tomo.
Como exemplo, temos o carbono que, na forma de diamante um isolante eltrico e na forma de
grafite apresenta condutividade eltrica alta. Portanto, o estudo da estrutura dos materiais deve levar
em conta, no apenas os diagramas de nveis de energia do tomo e de bandas de energia nos slidos,
mas tambm a forma como os tomos e as molculas se organizam na constituio do slido. Este o
estudo das estruturas cristalinas e amorfas.

14

8 Estruturas cristalinas e amorfas

Os slidos podem ser classificados em dois tipos segundo sua estrutura: amorfos e cristalinos.
Num slido de estrutura amorfa os tomos (ou molculas) no apresentam um ordenamento regular na
distribuio espacial. Nos slidos cristalinos observa-se um ordenamento regular dos tomos (ou das
molculas) formando um retculo (Fig. 8). De uma forma geral todos os tomos apresentam alguma
ordem. Mesmo os slidos amorfos apresentam um determinado ordenamento em torno de cada tomo
denominado de ordem de curto alcance. Um slido que no se cristaliza aquele que suas molculas
podem se imobilizarem em uma grande variedade de arranjos.

Estrutura amorfa

Estrutura cristalina

Fig. 8 Estrutura amorfa e estrutura cristalina

No estado cristalino os tomos mantm-se unidos por ao de diversas foras que constituem
as ligaes: inica, covalente, metlica e molecular, conforme Fig.9. Os eltrons de ligao so os
elementos constitutivos dessas ligaes.
Na ligao inica um tomo perde eltron para outro constituindo ons. Esses ons obtm um
arranjo regular graas ao equilbrio entre atrao e repulso das cargas. Exemplo o NaCl.
Na ligao covalente os tomos partilham seus eltrons constituindo o cristal com orientaes
definidas. Como exemplo, temos o diamante, no qual cada tomo de C est ligado a quatro outros
tomos eqidistantes resultando numa configurao tetradrica.
Na ligao metlica os tomos compartilham seus eltrons de valncia. O resultado um
retculo de ons positivos circundados por uma nuvem eletrnica que neutralizam esses ons. Esses
eltrons podem mover atravs do retculo resultando em alta refletividade ptica e a condutividade
eltrica e trmica caracterstica dos metais.
Na ligao molecular existe uma fraca atrao entre os tomos. Esse tipo de ligao pode
ocorrer entre lquidos e gases assim como em determinados cristais. Exemplo tpico o grafite no qual
lminas de tomos de C, ligados por covalncia, so fracamente unidos por foras de Van der Walls, o
15

que possibilita que essas lminas deslizem umas sobre as outras. Essa caracterstica que faz do grafite
um material macio quando comparado com um metal, por exemplo.

Ligao inica: Na Cl

Estrutura metlica cbica

Esquema da ligao covalente de 2 tomos

Fig. Fig. 9 Ligaes atmica

O processo de formao dos cristais denominado cristalizao. A cristalizao pode ocorrer

de diversos modos, destacando-se: a partir de uma soluo, a partir de uma massa em fuso e a partir
do vapor.
A cristalizao a partir de uma soluo ocorre, por exemplo, com o NaCl, quando h
evaporao da gua de uma soluo, resultando agrupamento dos ons de Na e Cl em uma forma
definida.
A formao de um cristal a partir de uma massa em fuso resulta normalmente da reduo da
temperatura do material fundido com o posicionamento de seus tomos em pontos definidos mediante
a formao dos centros de nucleao que, posteriormente d origem estrutura cristalina. o caso da
obteno de ligas metlicas.
A cristalizao a partir do vapor ocorre mediante o resfriamento do gs com a conseqente
aglutinao de seus tomos que se agrupam obedecendo a uma orientao definida. Esse processo
utilizado para obter o crescimento do cristal a partir de uma semente. Uma semente um cristal
16

com orientao cristalogrfica bem definida e que servir de guia para orientar o crescimento do
cristal. O crescimento ocorre em um ambiente com temperatura e presso sob controle de modo a
produzir a agregao dos tomos na semente. Um exemplo o crescimento do cristal de quartzo
piezoeltrico utilizado nos osciladores eletrnicos. O silcio grau eletrnico pode ser tambm obtido
mediante esse processo.

9 Retculos cristalinos
Podemos caracterizar o cristal como uma estrutura geomtrica, denominada rede cristalina, na
qual cada ponto associado ao tomo ou conjunto de tomos, denominado de base. No cristal de NaCl
a base constituda por tomos diferentes de Na e Cl. O paraleleppedo que gera a rede cristalina
denominado clula unitria da rede. Quando temos paraleleppedos de diferentes tamanhos, o menor
paraleleppedo denominado clula primitiva da rede.
Um retculo cristalino definido de acordo com as relaes entre os lados e os ngulos da
clula unitria. Esses retculos ou redes cristalinas podem ser divididos em sete sistemas cristalinos.
Cada um desses sistemas pode apresentar um ou mais tipos de retculos. Esse estudo foi realizado por
Bravais, em 1848, resultando da nos 14 retculos espaciais de Bravais. A rede geomtrica mais
simples a cbica, que pode apresentar trs tipos de retculos: cbica simples, cbica de face central
(Al, Cu, Au) e cbica de corpo central (Cr, Cs, W) (Fig. 10).

Fig. 10 clula unitria cbica: um tomo em cada vrtice.

10 Direes em um cristal
A direo de um cristal definida por um vetor identificado por 3 nmeros inteiros. Por uma
questo de simplificao deste estudo vamos considerar apenas o cristal cbico. Esse cristal apresenta
3 direes, definidas a partir dos eixos x, y, z denominadas:
[100] direo correspondente aresta do cubo
[110] direo correspondente diagonal da face
[111] direo correspondente diagonal do cubo
A Fig. 11 apresenta os eixos x, y, z com as direes indicadas por vetores, para o caso especfico da
clula unitria cbica.
[111]

[100]
[110]
Fig. 11 direes [100], [110], [111]
17

Em um cristal cbico define-se um plano cristalogrfico como o plano perpendicular ao eixo

cristalino correspondente. Assim, ao eixo [100] corresponde o plano (100) que a face do cubo.
Diversas propriedades dos cristais so definidas em funo do eixo cristalogrfico. A
propriedade que mais nos interessa a anisotropia cristalina. Anisotropia cristalina caracteriza-se pela
variao do comportamento do material em funo da direo do eixo cristalogrfico em que
determinado parmetro fsico medido. Esses parmetros podem ser permeabilidade magntica,
dureza, condutividade eltrica etc.
Apresentamos, a seguir, alguns exemplos de anisotropia cristalina.
Ex. 1 Para o cobre a resistncia trao funo da direo cristalogrfica conforme apresentado:
Direo [100] 14,60 Kgf/mm2
[110] 20,15 Kgf/mm2
[111] 35,00 Kgf/mm2
Ex. 2 O FeSi GO (gros orientados) utilizado nos ncleos magnticos dos transformadores 60Hz, a
magnetizao maior na direo [100] (Fig. 12). Observe que a melhor magnetizao ocorre na
direo [100]. O tema ser retomado no captulo de materiais magnticos.
M
direo [100]: melhor magnetizao
direo [110]
direo [111]
H
Fig. 12 Curva M x H para o FeSi GO (linearizada)
Ex. 3 Determinados tipos de cristais lquidos apresentam ndice de refrao da luz varivel em
funo da direo cristalogrfica em que a luz incide no material.
Ex. 4 A cianita um mineral que forma cristais alongados em lminas que pode ser facilmente
riscado na direo paralela ao comprimento do cristal e que apresenta alta dureza na direo
perpendicular.
Os cristais podem ainda ser classificados em monocristalinso e policristalinos. Um
monocristal apresenta um eixo cristalogrfico nico. Um policristal um cristal com diversas
orientaes cristalogrficas. Assim, um monocristal pode apresentar propriedade anisotrpica, o que
pode no ocorrer com um policristal. O silcio grau eletrnico usado na indstria eletrnica alm de
apresentar alta pureza precisa ser monocristalino. Essa propriedade garante a fabricao dos
dispositivos na microeletrnica e na nanoeletrnica. O mesmo ocorre com o cristal piezoeltrico para
fabricao de osciladores eletrnicos. A anisotropia no pode ser verificada nos materiais amorfos, em
funo da no existncia de eixo cristalogrfico nico nesses materiais.
Outras propriedades observadas nos cristais so destacadas a seguir.

18

a Piezoeletricidade: formao de carga eltrica no cristal em funo da aplicao de uma presso em

uma determinada direo. O cristal que apresenta esse fenmeno no tem um centro de simetria.
Exemplo tpico o quartzo piezoeltrico, usado nos osciladores eletrnicos e que obtido por
crescimento por vapor.
b Pireletricidade: aparecimento de cargas eltricas em um cristal quando a temperatura variada sob
determinadas condies. O efeito pireltrico devido expanso trmica desigual no material. o
caso da turmalina.
c Luminescncia: o fenmeno de emisso de luz por um material que no seja resultado direto da
incandescncia. Os 2 tipos principais so a fluorescncia e a fosforescncia. Na fluorescncia o
material emite luz quando submetido radiao ultravioleta, raio x e raios catdicos. Na
fosforescncia o material emite luz sob radiao eletromagntica, porm a emisso perdura aps a
interrupo da radiao excitante.

QUESTES

1 - Fazer um estudo comparando os modelos atmicos de Rutherford e de Bohr. Avaliar, nesse

caso, os conceitos introduzidos pela fsica quntica no modelo de Bohr.
2 - Conceituar fotoexcitao de um tomo e citar situaes prticas desse efeito.
3 - Conceituar fotoionizao de um tomo e citar situaes prticas desse efeito.
4 Explicar o que so os nmeros qunticos.
5 - Explicar o modelo de bandas de energia para condutores, semicondutores e isolantes.
6 - Definir coliso elstica e inelstica e citar exemplos.
7 - Considerando o diagrama de linhas espectrais do hidrognio, calcular a energia nos nveis n =
1, 2 e 3.
8 - Calcular o fton de energia emitido por um tomo de hidrognio quando o eltron passa de n =
3 para n = 2. Explicar o que um fton.
9 - O tomo de hidrognio excitado de forma que emitir uma radiao quando o eltron retorna
de n=2 para o estado normal (nvel 1). a) Calcular a freqncia da radiao emitida; b) Calcular o
comprimento de onda correspondente.
10 - Calcular o raio da rbita de menor energia do tomo de hidrognio (raio de Bohr).
11 - Calcular a energia de ionizao do tomo de hidrognio a partir do estado normal.
12 - Com o bombardeamento do tomo de hidrognio observou-se raios fluorescentes de 1216 Ao
e de 6563 Ao. a) Calcular o comprimento e a freqncia da onda da radiao de bombardeamento;
b) Quais foram os nveis atingidos, neste tomo, no processo acima citado.
13 - Um eltron com energia cintica Ec = 11eV colide com o tomo de hidrognio em seu esta
normal. Verificar se seria possvel a excitao do tomo de hidrognio com esta coliso.
14 - Se a coliso (descrita na questo 13) fosse realizada por um fton de freqncia f = 2,65 x
1015 Hz, poderia ocorrer excitao no hidrognio. Explicar.
19

15 Explicar como a luz produzida em uma lmpada se descarga em gs.

16 Explicar o que um material: monocristalino, policristalino e amorfo.
17 Explicar o que direo em um cristal e citar as direes preferenciais do cristal cbico.
18 Explicar o que anisotropia cristalina de um material e citar aplicaes na engenharia.

TEMAS PARA PESQUISA

Raio Laser: princpios fsicos e aplicaes

Lmpadas de descarga em gs: princpio de funcionamento e tecnologias
Fenmenos incandescentes, fosforescentes e fluorescentes e suas aplicaes
O surgimento da fsica quntica e suas influncias no desenvolvimento da tecnologia moderna
Metais amorfos e aplicaes em transformadores eltricos
Piezoeletricidade e aplicaes na engenharia
Medies nos cristais utilizando difrao de raio X
Anisotropia cristalina: princpios e aplicaes

20

2
CONDUTORES

Neste captulo apresentamos as caractersticas e aplicaes dos materiais condutores, iniciando

com o conceito de condutividade eltrica dos materiais e os fatores que interferem nesse parmetro
tais como temperatura e impurezas. Retomando o diagrama de bandas de energia realizamos uma
anlise da estatstica de distribuio eletrnica nos metais com nfase no nvel de Fermi e aplicao
nos efeitos termeltricos. Destacamos diversas aplicaes dos condutores metlicos mais usados na
engenharia, com destaque para o cobre e alumnio e algumas ligas metlicas. Realizamos um estudo
dos contatos eltricos com destaque para a influncia do arco voltaico nos equipamentos. Abordamos,
com foco no tema de condutores, os seguintes tpicos: efeito corona, efeito pelicular e
supercondutores.
Aspectos tericos e fundamentos conceituais que devero ser compreendidos:
- condutividade eltrica nos metais e ligas metlica;
- a influncia da temperatura e impurezas na condutividade eltrica dos metais;
- nvel de Fermi nos metais, estatstica de distribuio de eltrons e efeitos termeltricos;
- metais e ligas e aplicaes na engenharia eltrica;
- efeitos fsicos nos condutores eltricos e suas aplicaes.

1 Condutores na engenharia eltrica

As caractersticas que precisam ser consideradas em um condutor, tendo em vista sua
aplicao na engenharia eltrica, envolvem conceitos de condutividade eltrica, resistividade
mecnica, resistncia oxidao, comportamento trmico especialmente em temperaturas elevadas,
tudo isso associado a fatores econmicos. Quanto mais adequadas essas caractersticas para uma
determinada aplicao, mais investimentos em pesquisa e inovao tecnolgica so requeridos. No
caso, por exemplo, do uso de metais como o cobre e o alumnio para fabricao de fios e cabos, a
condutividade eltrica um fator fundamental, mas no o nico. Diversos outros fatores devem ser
avaliados na escolha do material incluindo critrios econmicos, facilidade de manuteno e vida til
do sistema. Muitas vezes mais interessante usar uma liga metlica em determinadas aplicaes que
o metal puro, em funo de fatores fsicos, qumicos e econmicos. O engenheiro tem o papel de
conhecer e analisar essas questes para tomar decises adequadas. Para isso necessrio
conhecimento de conceitos tcnicos e cientficos, alguns dos quais so estudados nesse texto.
Os slidos condutores mais usados em engenharia eltrica so os metais e de modo particular
as ligas metlicas, que juntam caractersticas importantes acima citadas para aplicaes diversas. Uma
das formas de melhorar as caractersticas eltricas do metal aumentar seu grau de pureza. Este
tratamento pode ser trabalhoso e muitas vezes a melhoria de uma propriedade pode resultar em
prejuzo para outras. O cobre encontrado em sua forma natural apresenta-se com uma pureza em torno
de 2,5%. s vezes, requer-se deste metal com grau de pureza de at 99,9999% para aplicaes
especiais. O alumnio outro metal bastante empregado na engenharia eltrica. Encontrado na
natureza em forma de bauxita (50 % Al203) abundante no Brasil, o que no ocorre com o cobre.
Alguns metais tem importncia em aplicaes especficas, como o caso do nquel na construo de
baterias. Constitui fator de desenvolvimento de uma nao saber utilizar os recursos de que dispe
21

dominando todo o ciclo tecnolgico para a fabricao de produtos. O conhecimento dos fundamentos
da fsica desses materiais fornece ao engenheiro capacidade para tomar decises quanto definio de
projetos de engenharia, ao planejamento de processos de manuteno e escolha, tanto econmica
quanto tcnica, de suas aplicaes tecnolgicas.
Considerando-se a resistividade eltrica os materiais podem ser classificados em condutores,
semicondutores e isolantes, de acordo com a tabela abaixo.
CLASSE DE MATERIAIS
Condutor
Semicondutor
Isolante

(m)
-8 ___

-5

10
10
-6 ___
10
108
107___ 1016

TIPODE CONDUO
por eltrons
por eltrons (n e p)
por eltrons e ons

A diferena estrutural entre os materiais uma das principais razes de seu comportamento
diverso, razo pela qual necessrio estudar a prpria estrutura molecular do material e suas
caractersticas de ionizao e excitao. A circulao de corrente eltrica notada em materiais slidos
e nos lquidos, e sob condies favorveis, tambm nos gasosos. A maior parte dos materiais
condutores no estado slido so os metais e ligas. No grupo dos lquidos, temos os eletrlitos, os
metais em estado de fuso e o mercrio, nico metal que temperatura ambiente se encontra no estado
lquido. O mercrio solidifica-se a 39C. Os gasosos tornam-se condutores quando submetidos a
campos muito intensos, ocorrendo ionizao. A corrente eltrica nos gases um deslocamento de
cargas (eltrons e ons) que se realiza em virtude da aplicao de energia externa, fazendo com que as
partculas elementares que compem o tomo elevem seu nvel de energia. Neste captulo o estudo dos
condutores eltricos ser focalizado especialmente nos slidos. Iniciamos esse estudo com o conceito
de condutividade eltrica.
2 Condutividade eltrica dos metais
Os metais e ligas, conforme vimos no captulo 1, caracterizam-se por apresentar uma estrutura
cristalina. No obstante algumas ligas, dependendo de seu processo de produo, podem ter estrutura
amorfa o que lhes confere o nome de vidros metlicos. Na formao dos cristais, os tomos
individuais respeitam entre si determinados afastamentos evitando, assim, que se choquem. A
representao grfica para os metais, indicando apenas os ncleos de seus tomos, pode ser uma
estrutura cristalina tridimensional. Na maior parte dos casos a clula unitria tem o formato de cubo
havendo casos de disposies hexagonais. O afastamento entre os tomos da ordem de 10-8 cm. Os
tomos no permanecem parados, mas apresentam um movimento vibratrio. Essa vibrao est
associada a um equilbrio de foras de atrao e repulso dando origem a uma situao designada
coeso. Se a temperatura for elevada, a amplitude aumentar at que os tomos rompam seu percurso
normal de vibrao, fazendo com que a energia cintica supere a ao da fora de coeso e o metal
passar para o estado lquido. Por isso, de um modo geral, os metais mais duros e resistentes
mecanicamente, com elevada coeso entre seus ncleos, so tambm metais cujo ponto de fuso
mais elevado. Nos metais a estrutura cristalina resulta da ligao metlica, na qual os tomos
compartilham seus eltrons de valncia. Na ligao metlica, devido liberao dos eltrons de
valncia, os tomos da estrutura tornam-se eletropositivos. Resultam nesta ligao, eltrons livres que
preenchem os espaos entre os tomos formando uma nuvem eletrnica que por sua vez exerce fora
de atrao entre os tomos eletropositivos.
A condutividade eltrica dos metais realizada pelos eltrons livres da banda de valncia. A
teoria eletrnica clssica considera o condutor slido como um sistema formado por uma rede
22

cristalina (ncleo do tomo mais eltrons internos) sendo uma mdia de 1 a 2 eltrons livres para cada
tomo do metal. O eltron livre desloca-se nessa estrutura sofrendo colises, conforme Fig. 1.

Fig. 1 Deslocamento do eltron livre na rede cristalina metlica indicada pelas setas
O movimento destes eltrons chocando-se contra a rede cristalina, sob ao do campo externo,
resulta em perda de energia de deslocamento e consequentemente no aquecimento do metal. A
quantidade de energia perdida pela nuvem de eltrons por unidade de tempo (W) dado por:
W = E2
onde: a condutividade eltrica do material, cuja unidade Simens/m ou 1/ (m) e E campo
eltrico aplicado
Quando o metal submetido a um campo eltrico, o movimento dos eltrons livres so
orientados de forma a constituir uma corrente eltrica. A existncia do eltron livre uma hiptese que
pode ser verificada por alguns tipos de argumentos, conforme descrito a seguir:
- se durante um grande perodo passa uma corrente eltrica de um metal para o outro, no
observa-e que os tomos de um metal penetram uns nos outros;
- em altas temperaturas, os eltrons livres aumentam a velocidade e chegam a desprender-se
do metal, vencendo a fora da barreira de potencial superficial;
- se um condutor move rapidamente e pra instantaneamente, os eltrons livres, devido
inrcia, tendem a continuar movendo-se; e se colocarmos um instrumento medidor nos
extremos deste condutor, este indicar uma d.d.p. no instante da parada.
O campo eltrico E atua sobre o eltron de carga q com uma fora F, que tende aceler-lo:
F = qE
Considerando a massa do eltron igual a m, temos:
F = ma
Igualando as duas equaes acima, resulta:
ma = qE

a=

23

qE
m

O eltron sob ao dessa fora no acelerado indefinidamente, pois ir perder energia devido
a colises com impurezas, imperfeies estruturais da rede e fnons (quanta de energia trmica sob
forma de onda). Essas colises ocorrem em um tempo de relaxao, indicado pela letra . Ver Fig. 2.
Portanto, sendo a velocidade mdia do eltron igual a vm, a acelerao pode ser dada por:

a=

vm

v m = a =

qE
m

v
pontos de colises do eltron na rede cristalina

Fig. 2 Velocidade do eltron no metal (: tempo de relaxao)

A densidade de corrente J em um material dada por:

J = nqv m
ou ainda:

J=

nq 2 E
m

em que n o nmero de eltrons livres por unidade de volume.

Quando circula corrente em um condutor slido geralmente a densidade de corrente
proporcional ao campo eltrico aplicado, isto :

JE
O fator de proporcionalidade a condutividade eltrica do material () que referese facilidade de conduo de corrente eltrica de um material. Temos portanto:
J=E

Igualando-se as equaes de densidade de corrente acima, obtemos:

nq2
= ------m

24

Conclui-se, portanto, que a condutividade eltrica funo do nmero de eltrons livres por
unidade de volume sendo que este nmero maior nos metais e varia de metal para metal. A equao
demonstra ainda que a condutividade funo do tempo de relaxao que, por sua vez, depende da
temperatura, das impurezas e imperfeies do metal.
A densidade de corrente em um condutor :

J=

I
A

A resistncia de fio metlico de comprimento L e seo A (unidade em ) :

L
R = ---A
onde = 1 / , a resistividade do material (m).
Portanto a resistncia R de um material funo de sua configurao geomtrica (L/A) e depende da
natureza e condies intermoleculares do material ( ). O efeito das impurezas e da temperatura na
condutividade dos metais objeto de estudo dos prximos tpicos.
3 Regra de Matthiessen e equao de Nordhein
O estudo da condutividade eltrica dos metais nos permite concluir que a condutividade
funo do nmero de eltrons livres e do tempo de relaxao. Esse tempo tem uma relao com o
nmero de colises que o eltron sofre ao deslocar-se na estrutura do material. As colises, por sua
vez, ocorrem em funo da vibrao trmica e dos defeitos estruturais, das impurezas e bolhas no
material. Assim, a resistividade do metal pode ser expressa em funo de dois parmetros
denominados resistividade trmica (T) e resistividade residual (R), resultando na equao de
Matthiessen:
= T + R
A T maior quanto mais alta a temperatura do metal. A R devida s impurezas, ranhuras
internas e outras imperfeies estruturais. Nos materiais, mesmo a 0 K , quando temos T = 0, existe a
parcela R.
Uma forma de determinar a pureza e perfeio de um material condutor medindo a razo de
sua resistividade a 25C (298K) e temperatura de 4,2K (temperatura do hlio lquido):

K = ( 298 K ) / ( 4 ,2 K )
Considerando T 0 na temperatura de 4,2 K, resulta = R . Portanto para esta
temperatura temos:

R
Assim, quanto mais puro o metal, menor o valor de R, consequentemente maior o valor de K.
K

Para metais purssimos temos K = 100.000. Para materiais comerciais K pode chegar a 100.
25

Como vimos, a adio de impurezas aumenta a resistividade residual do material. A

variao de R em funo da adio de impurezas, indicado na Fig. 3, dado por:

R = Ax ( 1 X )
Essa expresso denominada de equao de Nordheim,
onde: Ax a constante de Nordheim para um dado metal base com uma impureza especfica;
X a concentrao da impureza no metal base.
Para solues diludas, x<<1, temos:

R = Ax

A x(1-x)

x
Fig. 3 resistividade residual em funo da concentrao de impurezas

Para valores muito pequenos de x, a relao entre a resistividade residual e a concentrao de

impurezas no metal uma relao linear. A fig. 4 mostra a variao da resistividade eltrica do cobre a
20C em funo da percentagem de impurezas de Fe, Mn e Ag. Como vemos para cada tipo de
impureza haver uma declividade caracterstica da curva. A resistividade de 1,7 x 10-8 representa a
resistividade do cobre puro na temperatura de 293K.

(x10-8) .m

Fe

2,5

Mn
Ag

1,7

0,05 0,10

0,15

0,20

% impureza por massa

Fig. 4 Resistividade do cobre em funo da percentagem de impureza (Fe, Mn e Ag

26

4 Coeficiente de Temperatura
Como vimos, a resistividade eltrica de um metal varia com a percentagem e
com o tipo de impureza existente no mesmo. Outro fator que influencia na variao da
resistividade eltrica do metal a temperatura do mesmo. A variao da resistividade
eltrica do metal em funo da temperatura indicada pela curva da fig. 5. Trata-se de uma reta de
inclinao T / , cuja expresso matemtica :

= 0 ( 1 + 0T )
onde a resistividade eltrica do metal na temperatura T
0 a resistividade a 0 C
0 um coeficiente relacionado temperatura de 0

regio de supercondutividade

-273oC (Zero K)

Temperatura

Fig. 5 Curva de variao da resistividade eltrica em funo da temperatura para metais

A variao da resistividade de um metal (ou liga metlica) com a temperatura, (T T1) pode ser
calculada pela equao:

= 1 [1 + 1 ( T T1 )]
1 o coeficiente de temperatura relacionado temperatura T1 e 1 refere-se
temperatura T1.
Normalmente a temperatura T1 tomada como T1=20C. Neste caso 1=20.
A tabela 1 indica os valores caractersticos de e para os valores de metais referidos
temperatura de 20C. A coluna Tf refere-se ao ponto de fuso dos metais sob presso normal.
De uma forma geral os materiais podem apresentar coeficiente positivo de temperatura (CPT
ou PTC) ou coeficiente negativo de temperatura (CNT ou NTC). PTC constituem o grupo dos
materiais condutores (metais e ligas) e NTC referem-se aos materiais semicondutores e isolantes. A
Fig. 6 indica a curva da resistividade com a temperatura para esses grupos.

27

NTC

PTC

Fig. 6 Variao da resistividade com a temperatura para materiais: NTC e PTC

TABELA 1 PROPRIEDADE DOS METAIS

(m) X 108

TF ( C )

X (10-4) (K-1)

Mercrio Hg

95.8

-39

Sdio Na

4.6

97.7

50

ndio In

9.6

156

47

Estanho Sn

12.0

232

44

Cdmio Cd

7.6

321

42

Chumbo Pb

21.0

327

37

Zinco Zn

5.9

420

40

Magnsio Mg

4.5

651

42

Alumnio Al

2.8

657

42

Prata Ag

1.6

961

40

Ouro Au

2.4

1063

38

Cobre Cu

1.7

1083

43

Berlio Be

4.0

1284

60

Nquel Ni

7.3

1455

65

Cobalto Co

6.2

1490

60

Ferro Fe

9.8

1535

60

Platina Pt

10.5

1773

39

Zirconio Zr

41.0

1860

45

Nibio Nb

18.0

2415

30

Tungstnio W

5.5

3380

46

METAL

28

Deve-se observar que o valor de T depende da escolha inicial da temperatura de

referncia. Metais puros possuem uma estrutura cristalina perfeita, o que reduz sua resistividade. As
impurezas, mesmo em quantidades mnimas, alteram a perfeio da estrutura,
elevando consequentemente a resistividade do material. Pode-se referir a um material
indicando sua resistividade em funo do padro internacional.
Assim para o cobre duro comercial 97% 0 20C sua caracterstica ser:

97 =

100
0.97

onde 100 resistividade padro do cobre a 20C.

O coeficiente de temperatura para o cobre :

20/97 = p . 0,97

sendo p o coeficiente de temperatura padro do cobre a 20C.

5 Nvel de Fermi nos metais
No captulo 1 apresentamos o diagrama de bandas de energia nos metais, destacando os nveis
de maior energia que representam as bandas de valncia e de conduo. Na banda de conduo esto
os eltrons livres. Pergunta-se agora, que fatores interferem na concentrao de eltrons livres
existentes na banda de conduo e como podem ser determinados? A determinao do nmero de
eltrons livres consiste em um estudo probabilstico, definido pela funo de probabilidade de FermiDirac e apresenta uma relao de dependncia com a temperatura.
No prisma da fsica quntica os eltrons nos materiais so distribudos em nveis crescentes de
energia e atendem ao princpio da excluso de Pauli segundo o qual no mais que dois eltrons de
spins opostos podem ocupar o mesmo orbital energtico. Os eltrons de maior energia so os eltrons
que esto na banda de valncia. Partindo, portanto, do diagrama de bandas de energia para os metais,
podemos considerar que:
- a zero K, a energia mxima que os eltrons podem apresentar corresponde ao Nvel de Fermi (NF);
portanto, a zero K todos os eltrons esto abaixo do NF;
- os eltrons livres em um metal no esto sujeitos a quaisquer foras desde que no haja nenhum
campo no metal;
- para temperatura acima de zero K, alguns eltrons passam acima do NF;
- para que um eltron salte para fora da superfcie do metal dever adquirir uma energia mnima acima
da energia de Fermi, indicada por EW.
Os postulados acima podem ser representados na Fig. 7.

29

(a)
(b)
(c)
Figura 7a indica que medida que distanciamos do ncleo aumentam o nmero de eltrons livres
com energia prximo de EB.
Figura 7b - indica a densidade de eltrons com energia acima de EF para temperatura de 2500oK e
inclusive a densidade de eltrons que podem escapar para T > 2500oK.
Figura 7c diagrama indicando o N.F. e a distribuio de energia a 2500oK.
A densidade de eltrons livres com energia E num metal :

d nE
dE

onde dnE = nmero de eltrons livres/m3

dE = intervalo de energia E que estes eltrons livres possuem.
Podemos ainda expressar E por :
(E) = f(E) N(E)
onde

f(E) = probabilidade de ter um estado quntico com energia E, ocupado por 1 eltron.
N(E) = nmero de estados / eV . m3.

A 0 K temos:
- a probabilidade de encontrar eltrons com energia En < EF f(E) = 1, ou seja, a 0K todos os eltrons
esto abaixo no NF.
- a probabilidade de encontrar eltrons com energia En > EF f(E) = 0, ou seja, a 0K nenhum eltron
est acima do NF
A expresso para f(E) a funo probabilidade de Fermi-Dirac.

f (E) =

1
e

(E - E F ) / KT

onde KT = energia trmica do eltron.

30

+1

Para E = EF, i.e., se quisermos saber a probabilidade de encontrar eltrons com energia E=EF (qualquer
que seja T) temos:

f (E) =

1
1
=
e +1 2
0

Assim, analisando a expresso de f(E), temos:

f (E) =

1
e

E/0

+1

=1

Para T = 0K e E < EF [E negativo]

f (E) =

1
e

E/0

+1

=0

Para T = 0K e E > EF [E positivo]

A Fig. 8 indica o grfico de E em funo de f(E) nas temperaturas 0K e 2500K.

Fig. 8 Nvel de Fermi nos metais a 0oK e a 2500oK.

A 2500K a probabilidade de encontrar eltrons com energia E = E1 (com < EF) 0,75;
para E = E2 (com > EF) a probabilidade 0,25.
A probabilidade de encontrar eltrons com energia E = EF 0,5 para qualquer T.
A 0K impossvel para um eltron escapar da superfcie do metal, pois precisaramos de no
mnimo Energia = EB. O mximo de energia que temos a 0K EF. A quantidade de energia acima de
EF que devemos fornecer ao eltron para que ele escape da superfcie do metal :
Ew = EB - EF
Ew denominada funo trabalho do metal
31

A corrente termoinica resultante dos eltrons que podem ultrapassar a superfcie do metal (com
E>EB) dada por:
I TERMOINICA = SAT2 e-Ew /KT)
onde S = rea do metal e A = constante (A/m2 . K2)
A corrente termoinica ocorre sempre que uma superfcie metlica sob campo eltrico intenso
aquecida. Esse tema pode ser importante no efeito do arco voltaico que ocorre na abertura e
fechamento dos contatos a vcuo como o caso dos disjutores e contatores a vcuo.
6 Efeito termeltrico nos metais
O efeito termeltrico que trataremos nesse tpico denominado Efeito Seebeck. Considere a
Fig.8 em que uma barra metlica apresenta uma extremidade quente e a outra extremidade fria. Os
eltrons na extremidade quente ganham energia passando acima do Nvel de Fermi e, como
conseqncia, difundem-se para a extremidade fria. Dessa forma, o lado quente fica positivo em
relao ao lado frio. possvel medir uma ddp ao longo da barra, desde que sejam usados materiais
diferentes entre a barra e o medidor. A ddp funo da diferena de temperatura entre as extremidades
da barra, no importando como esta se distribui ao longo da barra.
QUENTE

FRIA

V1

V
V2

Fig.8 Efeito Seebeck e o circuito equivalente

A tenso induzida pode ser medida por um voltmetro conectado nas extremidades quente/fria
da barra. Os condutores que fazem a ligao da barra ao voltmetro tambm esto sujeitos
temperatura quente e fria. Dessa forma, surgem tambm nesses condutores a ddp com polaridades
positiva (no lado quente) e negativa (no lado frio). O modelo equivalente do efeito pode ser indicado
por duas fontes cc, com valores V1 e V2. Observe que, se o material do fio de conexo for o mesmo
da barra, teremos V1 = V2. Neste caso a leitura no voltmetro ser zero e o efeito no ser medido.
Para que o efeito possa ser medido no voltmetro, o material do fio de conexo deve ser diferente do
material da barra. Assim, V1 ser diferente de V2 e o voltmetro indicar a diferena dessa leitura.
Essa variao da tenso com a diferena de temperatura define a potncia termeltrica da juno:
ST = dV / dT
A tenso induzida termicamente denominada de Potencial de Seebeck.
O Efeito Seebeck pode ser aplicado na medio de temperatura utilizando-se o par termeltrico. O par
termeltrico consiste de uma juno de dois metais diferentes em que uma extremidade mantida
numa temperatura a ser medida (geralmente a juno quente) e a outra em outra temperatura (que pode
32

ser a temperatura ambiente). Nessa regio utiliza-se um voltmetro para indicar a tenso induzida.
Mediante o potencial de Seebeck pode-se obter a temperatura no ponto de medio. Um dos pares
termeltricos mais usados o ferro-constantan. A Fig 9 apresenta a fora eletromotriz (fem) trmica
do par ferro-constantan. fcil obter informaes sobre outros pares comercialmente usados.
V
0,05
0,04
0,03
0,02
0,01
0
0 400 800 1200

Fig.9 Fem trmica em funo da diferena de temperatura na juno termopar Fe-constantan

7 Metais e ligas metlicas
Os metais podem ser classificados em quatro categorias:
1.
2.
3.
4.

Alcalino: ltio, sdio, potssio;

Nobres: ouro, cobre, prata, platina;
Bivalentes: berlio, estrncio, clcio, brio;
de Trnsito: ferro, nquel, cobalto, tungstnio.

Neste tpico vamos dar nfase s caractersticas e aplicaes do cobre, do alumnio e de algumas ligas
metlicas empregadas na engenahria.
Quanto estrutura cristalina os metais podem ser:
1- Cbica de corpo central (ccc)
2- Cbica de face central (cfc)
3- Hexagonal fechada
Conforme estudamos no captulo 1 uma das propriedades importantes dos metais a anisotropia
cristalina. A estrutura cristalina, no entanto, pode apresentar defeitos tcnicos durante o processo de
solidificao, o que nem sempre possibilita a propriedade anisotrpica. No processo de solidificao
de um metal podem surgir defeitos tcnicos na estrutura do mesmo entre os quais se destacam:
- bolhas e poros: durante a fuso os metais absorvem gases como oxignio, nitrognio, gs
carbnico e outros. No processo de solidificao esses gases podem se separar novamente dos
metais ou ser absorvidos pelos mesmos.
- fissuras: um resfriamento rpido ou a presena de materiais que no se combinam com o metal
leva a formao de fissuras, devido ao processo de contrao metlica durante o resfriamento.
- impurezas: a presena de impurezas depende do ambiente e do processo de resfriamento do metal
e apresentam grande influncia nas caractersticas eltrica e mecnica dos metais.
Nos itens seguintes vamos destacar algumas caractersticas de dois metais amplamente usados como
condutores eltricos na engenharia: o cobre e o alumnio.

33

COBRE

Entre os metais condutores, o cobre apresenta as seguintes vantagens:

pequena resistividade com valor superior apenas ao da prata que possui elevado preo dificultando
seu uso;
caractersticas mecnicas favorveis fabricao e utilizao de fios e cabos;
baixa oxidao para a maioria das aplicaes, sendo que esta oxidao bastante rpida quando o
metal sofre elevao de temperatura;
fcil deformao a frio e a quente o que possibilita obter fios de milmetros de dimetro.
A pureza no cobre aplicado na fabricao de condutores em torno de 99,9%. A presena
de impurezas dificulta a mobilidade dos eltrons. O cobre resiste bem ao de gua, sulfatos e
carbonatos sendo corrosvel pelo oxignio do ar em presena de cidos e sais de amonaco. Em
presena de ar, a uma temperatura acima de 120C o cobre oxida, formando uma camada escura e
de elevada resistividade.
Na natureza o cobre encontrado em minrios como CuFeS2 e Cu2S, em que a
percentagem de cobre varia de 0,5 a 3,5%. Com o tratamento do minrio obtm-se o cobre
eletroltico, com 99,9% de pureza. Este processo consiste em uma cuba eletroltica com sulfato de
cobre e cido sulfrico de forma em que em seus eletrodos haja a deposio do cobre. Uma vez
obtido, o cobre com este grau de pureza transformado em lingotes. De acordo com o tipo de
tratamento pode-se obter trs tipos de cobre:
Cobre duro: resultante de tratamento mecnico a frio (laminao), apresenta maior resistividade
eltrica e maior resistncia trao, sendo usado em fios que ficam sob a ao de esforos de
trao, barramentos, barras de aterramento, etc;
Cobre semiduro: obtido pelo recozimento parcial do cobre duro, que consiste no aquecimento do
material seguido de resfriamento lento;
Cobre mole: resultante de recozimento, utilizado em fios para enrolamentos, condutores
isolados, etc, e apresentam menor resistividade eltrica e menor resistncia trao.
De uma forma geral, a fabricao de fios de cobre passa pelas seguintes etapas:

1. Refino eletroltico obtm-se o cobre por tratamento eletroltico com 99,9% de pureza e 100% de
condutibilidade eltrica, segundo normas internacionais.
2. Laminao neste processo obtm-se os vergalhes utilizando-se um laminador e submetidos a
controles dimensionais, mecnicos e eltricos.
3. Recozimento utilizado quando pretende-se obter o cobre semiduro ou cobre mole.
4. Decapagem consiste na eliminao dos xidos superficiais inerentes ao processo de laminao
sendo que a superfcie externa posteriormente tratada para evitar nova oxidao.
5. Trefilao aps a decapagem, os vergalhes de cobre esto em condies de serem trefilados, o
que envolve diversas etapas, nas quais o fio puxado atravs de fieiras adequadas, dispostas em
sequncias apropriadas, at alcanar o dimetro final desejado.
Em muitos casos o cobre no pode ser usado na forma pura empregando-se ento, ligas de
cobre conforme veremos adiante.
ALUMNIO
O alumnio um metal amplamente usado em eletricidade, principalmente por motivos
econmicos, podendo ser aplicado em substituio ao cobre, apesar de sua fragilidade mecnica e
rpida oxidao. Os principais minrios so a bauxita (Al2O3-H2O) e de hidrxido de alumnio (Al-O(OH)), frequentemente misturado com impurezas. O alumnio mais puro usado nas folhas e eletrodos
de capacitores, por exemplo, com 99,95% de pureza. Tomando por base o padro internacional do
cobre recozido (IACS), obtemos a comparao das caractersticas fsicas entre o cobre e o alumnio,
conforme a Tabela 2.

34

CARACTERSTICA FSICA

TABELA 2 Al, Cu, padro IACS

Al (DURO)
Cu (DURO)

Condutividade mnima percentual a 61

20C
Densidade a 20C (g/cm3)
2.7
Resistividade mxima a 20C
0.0282
Calor especfico (cal/gC)
0.214
Condutividade trmica (cal/cm3 s C)
0.48
Coeficiente de dilatao linear (C)
23x10-6

97

PADRO
(IACS)
100

8.89
0.0177
0.092
0.93
17x10-6

8.89
0.0172
0.092
0.93
17x10-6

O alumnio oxida-se rapidamente formando uma pelcula de xido de grande

resistividade eltrica. Isso evita a ampliao da corroso, mas em contrapartida, dificulta a
condutividade nas regies de emendas e conexes. Cuidados especiais devem ser tomados nas
emendas de cobre e alumnio. Em relao ao cobre, o alumnio apresenta menor condutividade trmica
o que acarreta sobreaquecimento em caso de soldagem. Por outro lado, para uma mesma bitola, o fio
de cobre aproximadamente duas vezes mais pesado que o de alumnio, o que um dado importante
na construo de torres de linha de transmisso. Para a aplicao de cabos isolados de alumnio, o
aumento da seo transversal implica em maior gasto de material isolante. A resistncia mecnica do
alumnio muito inferior do cobre, sendo conveniente o uso de cabo de Al com tmpera meio dura.
Em funo da baixa resistncia trao, os cabos de alumnio so reforados com cabos de ao,
denominados por ACSR. O seu emprego como conector requer adio de elementos no sentido de
aumentar a resistncia mecnica.
Nas linhas de transmisso em alta tenso, o aumento do dimetro do condutor de alumnio
(ACSR) apresenta vantagens com relao a dois fenmenos: o Efeito Corona e o Efeito Pelicular. No
tpico seguinte vamos fazer uma anlise desses dois fenmenos.
LIGAS METLICAS
As ligas constituem-se na mistura de dois ou mais metais que se ligam estruturalmente
no estado de fuso. Destacamos dois tipos de ligas dos metais:
1 - Ligas com formao euttica
Representadas por dois metais, que, no estado de fuso, misturam-se entre si
formando uma liga plena, mas que ao solidificarem separam-se novamente. Temos como exemplo a
liga chumbo-antimnio (Pb-Sb).
2 - Ligas com estruturas cristalinas mistas
Este tipo de liga ocorre quando dois metais so perfeitamente combinveis tanto no
estado slido quanto no lquido. Os tomos diferentes participam na construo da estrutura cristalina.
Um cristal misto no deve ser entendido como uma ligao qumica. Exemplo: liga cobre-nquel (CuNi).
Entre os vrios tipos de ligas metlicas destacamos as seguintes:
1 - Contantan liga Cu-Ni, caracteriza-se pela no variao da resistividade ao variar a temperatura;
emprega-se na fabricao de reostatos e dispositivos de controle que precisam funcionar a temperatura
de at aproximadamente 400C_20 = 0,50.mm2/m ;
2 - Manganina liga Cu-Mn empregada para fabricao de resistores de preciso para fins de
medio, devido a sua elevada capacidade trmica 20 = 0.34.mm2/m; tambm recomendadas para
temperaturas de at 400C.
3 - Niquelina liga Cu-Ni-Mn usada como matria prima para dispositivos de partida, em que uma
baixa resistncia suficiente e onde a resistividade no precisa se manter constante com a variao da
temperatura.
4 - Kanthal - liga Cr-Al-Fe apresenta baixo coeficiente de resistividade e um elevado ponto de fuso
podendo, portanto, funcionar em temperaturas elevadas; so aplicadas principalmente em aquecimento
eltrico.
35

5 - Duralumnio liga Cu-Mg-Al que pode ser aplicada em fio, cabos, tubos e barras condutoras
tambm utilizada na confeco de dissipadores trmicos.
6 - Lato liga Cu-Zn, de condutividade relativamente baixa, resistente corroso, empregada em
barramentos, bornes e conexes em equipamentos eltricos. Um dos problemas de emprego desta liga
a tendncia formao de rachaduras (Season Cracking) efeito este que mais acentuado quanto
maior for a quantidade de zinco empregado. O alvio das tenses internas de forma a diminuir estes
efeito obtido submetendo-se o material ao recozimento.
7 - Bronze liga Cu-Sn, de boa condutividade eltrica e elevada resistncia corroso e fadiga.
Outros dados referentes s ligas bronze e lato so referidos na tabela 5.
8 Efeito Corona
Um condutor sob ao de um campo eltrico apresenta linhas de campo radialmente
distribudas conforme indicado na Fig. 10. Prximo superfcie do condutor as linha de campo
eltrico esto muito prximas entre si. Esta situao de alta densidade de campo provoca, dependendo
da tenso aplicada, uma ionizao e excitao das molculas do ar em torno do condutor denominado
de Efeito Corona. Esse efeito mais intenso quanto maior for a concentrao das linhas de campo.
Essa concentrao de linhas de campo, por sua vez, maior quando o condutor tem pequeno dimetro
ou quando h rugosidades e pontas na superfcie do mesmo. Esse dado explica uma das vantagens do
uso do cabo ACSR nas redes de alta tenso, pois o cabo ACSR apresenta um dimetro maior que um
cabo equivalente (em termos de condutncia) de cobre. Ao apresentar um maior dimetro as linhas de
fora do campo eltrico ficam mais distantes entre si na superfcie do cabo.

Fig. 10 Linhas de fora de campo eltrico radiais ao condutor

O efeito corona mais significativo na tenso alternada senoidal, quando a tenso atinge o valor de
pico da senoide. O termo corona devido formao de uma coroa em torno do condutor. O
resultado a produo de radiaes eletromagnticas. Inicialmente observa-se um rudo audvel,
quando a tenso passa pelo valor de pico. Se o campo eltrico for mais intenso, pode chegar
produo de radiao ultravioleta e mesmo produo de arco voltaico entre as fases ou fase-terra. As
normas estabelecem limites mximos para o efeito corona, uma vez que uma rede eltrica poder gerar
radiaes da ordem de radiofreqncias causando radiointerferncias nos equipamentos eltricos, alm
de representar perdas eltricas na rede. O Efeito Corona representa tambm perdas no sistema eltrico.
9 Efeito Pelicular
O efeito pelicular relaciona-se distribuio da corrente no interior de um condutor sob
corrente alternada. Um condutor homogneo sob corrente contnua tem uma distribuio uniforme da
corrente na seo transversal do condutor. Se o mesmo condutor estiver submetido corrente
alternada, o fluxo concatenado com um filamento central no condutor ser maior que num filamento
na periferia desse condutor. O fluxo concatenado corresponde s linhas do campo magntico que
envolvem os filamentos de corrente, conforme mostrado na Fig. 11. Como o fluxo magntico
varivel, surge uma tenso induzida dada pela Lei de Faraday [e = N d/dt] no condutor. O fluxo
interno existente no interior do condutor contribui para a tenso induzida no mesmo. Quanto maior o
nmero de linhas de fluxo, maior o efeito da fora contra-eletromotriz sobre a corrente, produzindo
uma reduo da corrente nesse filamento. Portanto, a densidade de corrente ser menor no filamento
central do condutor (com mais fluxo concatenado) que na periferia do mesmo, onde o fluxo
concatenado menor.
36

Fig.11 Linhas de fluxo concatenado no filamento central do condutor maior que no filamento
perifrico
Como conseqncia a corrente fica com menor densidade no centro do condutor metlico que
na periferia. A tendncia da corrente circular na periferia (pelcula) do condutor. No cabo ACSR o
centro sendo de ao ter menor corrente que a parte externa que de alumnio, o que constitui uma
soluo para a resistividade do condutor. Observa-se ainda que o efeito pelicular proporcional
freqncia da rede (observe a Lei de Faraday). Esse efeito tem tambm importncia fundamental nas
redes de alta freqncia, tal como nas linhas de comunicao.
10 Aplicaes na engenharia
LIGAS FUSVEIS
Os elementos mais utilizados em ligas fusveis so o chumbo, o estanho, o bismuto e o
cdmio. O fusvel um dispositivo usado para proteo de circuito contra sobrecorrentes, mediante a
fuso do elemento fusvel devido ao Efeito Joule [P = Ri2]. Em funo do tipo de liga temos o ponto
de fuso determinado conforme indica a Tabela 3.
TABELA 3 PONTO DE FUSO DE LIGAS FUSVEIS
LIGA
PONTO DE FUSO
67% Pb 33% Sn
200
38% Pb 62% Sn
183
50% Pb 50 % Bi
160
32% Pb 50% Sn 18% Cd
145
27% Pb 13%Sn 50%Bi 10% Cd
72

A corrente necessria fuso de um fio funo de seu dimetro e pode ser dado pela
frmula de Preece;
I = Ad3/2
Onde: I a corrente com a qual o fio funde
A a constante que funo do tipo de material
d o dimetro do fio
Vemos que a caracterstica de fuso de uma liga fusvel funo do tipo de liga tal como sua
emissividade trmica e geometria do material. A Tabela 4 fornece o valor de A (da frmula de Preece)
para alguns metais e ligas.
TABELA 4 Valor de A para metais e ligas sendo d em mm e I em Ampres
METAL OU LIGA
A
Cobre
80.0
Alumnio
59.3
Constantan
44.4
Estanho
12.83
Chumbo
10.77
67% Pb 33% Sn
10.30
37

BIMETAL
Usa-se a denominao bimetal para dois metais diferentes unidos entre si, de forma que, em
funo das propriedades de cada metal possamos obter um comportamento do conjunto que venha
atender a certas aplicaes em engenharia. Vamos citar em especial o bimetal tipo copperweld e o
bimetal trmico.
a) Bimetal tipo copperweld
Em certos casos, para economizar o uso de metais no ferrosos e melhorar as
propriedades mecnicas dos condutores, emprega-se o chamado bimetal copperweld que consiste de
um fio de ao recoberto por uma camada de cobre. Com esta disposio obtm-se maior condutividade
em corrente alternada, proteo do ao contra corroso e aumento da resistncia mecnica. Empregase em linhas de transporte de energia e em hastes de aterramento. Podem ser aplicadas tambm em
chaves fusveis para distribuio em funo do seu efeito de mola.
b) Bimetal Trmico
Consiste na unio de duas lminas metlicas que apresenta valores de coeficientes de
dilatao trmica diferentes entre si. Este conjunto quando aquecido sofre um processo de deflexo,
uma vez que uma das lminas ir dilatar linearmente mais que a outra. O bimetal trmico utilizado
principalmente em rels trmicos bimetlicos e nos disjuntores trmicos para proteo de circuitos
contra sobrecorrentes.
CONDUTORES NO-METLICOS
Existem outros meios condutores que no so metlicos tais como as solues inicas
eletrolticas (exemplo: soluo NaCl) e a grafita. Um eletrlito pode ser usado, por exemplo, como um
resistor varivel, mediante a variao do nvel de eletrlito numa cuba. A grafita uma forma
alotrpica do carbono, formado de lminas hexagonais e pode ser usada como eletrodos e em
escovas para contatos eltricos mveis. A grafita usada como eletrodo de carbono possui coeficiente
de temperatura negativo i.e., a resistividade eltrica varia inversamente proporcional variao da
temperatura, o que uma vantagem nos contatos mveis que naturalmente sofrem aquecimento. Alem
desta vantagem a grafita pode ser usada como um lubrificante das partes mveis ao realizar contato
com um anel de cobre. A grafita uma modificao do carbono puro, possui estrutura laminar e
anisotropia eltrica e mecnica.
CONTATOS METLICOS
Uma das grandes utilizaes dos metais em equipamentos eltricos consiste em suas
aplicaes como peas metlicas para contato. Os contatos podem estar sujeitos a efeitos fsicos
resistividade do material, capacidade trmica, transferncia de eltrons, arcos voltaicos e a efeitos
qumicos oxidao e gases corrosivos.
Ao estabelecer contato entre duas partes metlicas h uma distino ente a superfcie
real e a superfcie aparente. Quando um contato mvel fecha-se sobre um contato fixo, a rea de uma
pea que realmente mantm contato com a outra no corresponde rea geomtrica (AG) dos
contatos. Na realidade a rea de contato, que chamamos de rea mecnica (AM) muito menor que a
rea geomtrica (Fig. 12).

rea geomtrica

rea mecnica

Fig. 12 Pontos de contatos e a distino entre AM e AG

38

A corrente, entretanto, circula apenas atravs da rea eltrica (AE) que menor que a
mecnica, pois esses pontos de contato podem estar recobertos por xidos semicondutores. Portanto:
AG > AM
AM > AE
Entretanto a rea de contato funo da presso aplicada e da dureza do material.
Assim,

A=

P
H

Onde A a rea, P a presso e H a dureza do material. Esses fatores so considerados nos

processos de fabricao dos contatos usados nos dispositivos eltricos.
Normalmente um contato eltrico construdo usando-se um metal base (geralmente o cobre)
revestido por um metal ou liga metlica que no sofre aumento significativo da resistividade eltrica
por influncia da temperatura e oxidao. O revestimento pode ser uma fina camada de prata (Ag) ou
compostos como AgNi, AgCd, AgCdO (Fig. 13).
Revestimento de Ag (0,1 mm)
Metal base (Cu)

Fig. 13 Contato metlico com revestimento de Ag

Outro fator importante a ser observado nos contatos eltricos consiste na conexo de metais
diferentes, como o caso de conexo de cobre e alumnio. Nesse caso os materiais que apresentam
potenciais eletroqumicos diferentes, podero sofrer corroso galvnica, mediante a transferncia de
um material para o outro. A resistividade do ponto de contato poder ser muito alta com o passar do
tempo, trazendo uma srie de problemas para o circuito. Esse problema pode ser resolvido utilizandose contato bimetlico, que consiste em usar um terceiro metal entre os dois metais, com potencial
eletroqumico intermedirio. o caso de usar o estanho na conexo do cobre com o alumnio.
ARCO VOLTICO
O arco voltaico nos contatos eltricos de um equipamento de manobra (interruptor, disjuntor
etc) surge no instante em que o circuito interrompido, em conseqncia da f.e.m. da fonte que tende
a manter a corrente eltrica atravs do circuito. A intensidade do arco funo da tenso e da corrente.
O arco produz uma grande dissipao trmica podendo elevar a temperatura at a 6 000 oC. No
ambiente em que o arco voltaico se forma surge uma grande quantidade de eltrons livres e ons
(plasma) que mantm uma descarga de corrente, alimentado pela fonte de energia eltrica com a
produo de intensa energia trmica. A elevao da temperatura entre os contatos produz desgaste e
oxidao e, dependendo da intensidade do arco, pode fundir os contatos. O desgaste ocorre devido
emisso de eltrons e materiais da superfcie dos contatos e a oxidao uma reao qumica que
intensificada pela elevada temperatura. Esses fatores produzem o aumento da resistividade do contato,
reduzindo sua rea eltrica (AE). Portanto, o arco voltaico precisa ser reduzido ao mximo nas
operaes de ligar e desligar os equipamentos.
Os recursos utilizados nos equipamentos eltricos de manobra para extino do arco voltaico
consideram os seguintes fatores que, geralmente, so conjugados entre si na construo dos
equipamentos:
1 maior rapidez na abertura dos contatos;
2 uso de meio adequado entre os contatos no momento da abertura;
3 emprego de cmara de extino de arco. A cmara de extino do arco um sistema que
facilita a remoo do calor gerado e empregado juntamente com um mecanismo de molas que
promove a rpida abertura dos contatos. Em equipamentos de abertura a seco o meio no qual os
contatos so abertos o ar. Em equipamentos que manobram valores elevados de energia eltrica (alta
39

corrente e/ou alta tenso), so empregados meios adequados entre os contatos tais como: leo isolante,
gases (como o caso do SF6) e outros recursos similares, sempre com o objetivo de extino rpida do
arco. A tendncia atual o uso de cmara de extino a vcuo, como o caso de contatores e
disjuntores a vcuo.
SUPERCONDUTORES
O fenmeno da supercondutividade foi observado pela primeira vez pelo fsico KamerlingOnnes, em 1911, ao verificar que um anel de mercrio colocado numa temperatura de 4,2K
apresentava resistncia eltrica nula. O fenmeno recebeu a denominao de supercondutividade. Um
material torna-se supercondutor quando sua temperatura fica abaixo de determinado valor (geralmente
muito prximo de 0K) denominado de temperatura crtica. A Fig.14 indica o grfico da resistividade
em funo da temperatura para um supercondutor, com destaque para a temperatura crtica (Tc). Para
uma temperatura acima de Tc o efeito da supercondutividade desaparece.

Tc

Fig. 14 Resistividade x temperatura: para T < Tc o material supercondutor

Posteriormente diversos materiais pesquisados apresentaram esse fenmeno da supercondutividade.
Materiais como os metais e algumas ligas apresentam Tc muito baixa: Al (1,2K), Nb (9,7K), Nb3Sn
(18K). Certos compostos apresentam valores mais elevados de Tc: MgB2 (40K). O xido composto de
Hg-Ba-Ca-Cu chegou Tc = 130K, o que um caso especial.
A supercondutividade est limitada por trs pontos crticos. Um deles a Tc como j foi mencionado,
fator esse que dificulta sua aplicao em escala comercial. Os outros dois pontos crticos so o campo
magntico crtico (Hc) e a densidade crtica de corrente (Jc). Quando um supercondutor submetido a
um campo acima de Hc, a supercondutividade desaparece. O mesmo acontece com a densidade de
corrente. O fenmeno da supercondutividade indica que uma vez iniciada a corrente, esta ir continuar
circulando pelo material sem necessidade de uma fonte de energia para mant-la. No entanto,
necessrio manter a temperatura abaixo da Tc, o que um fator limitador de seu uso. Pode-se, por
exemplo, obter uma bobina supercondutora, gerando um campo magntico constante. Porm, essa
bobina fica limitada aos fatores crticos descritos. Uma aplicao promissora desse fenmeno o trem
que movimenta em trilhos magnticos pelo efeito diamagntico dos supercondutores. Esse assunto fica
indicado para o estudante como tema para pesquisa.

QUESTES
1 Em um fio de cobre de 1,5 mm2 circula uma corrente de 10A. O cobre apresenta cerca de 8,4 x
1022 eltrons livres por cm3. Calcular a velocidade mdia do eltron no condutor e avaliar o resultado
considerando o conceito de Vetor de Pointing.
2 Calcular a resistividade eltrica do cobre a 100oC. Usar os dados da resistividade do cobre a 20oC,
fornecidos na Tab. 1.
3 Calcular a resistividade eltrica da grafita a 200oC. Dados: resistividade (20oC) = 5x10-5 xm;
coeficiente de temperatura = - 5 x 10-4 oC-1. Interpretar o resultado e comparar com a questo n. 2.
4 Calcular as perdas por efeito Joule por metro, em um fio de cobre de 2,5mm2, percorrido por uma
corrente contnua de: a) 10A; b) 20A. Idem para um fio de alumnio.
40

5 Considere os dados fornecidos na Tab. 1. Calcular a queda de tenso em uma rede de cobre de 2,5
mm2 e 100m de extenso, percorrido por uma corrente contnua de 10A. Idem para uma rede de
alumnio.
6 Com relao questo n.5, o que altera no clculo da queda de tenso se a corrente for alternada
senoidal (10 A eficaz) com freqncia 60Hz?
7 Considere os dados da Fig. 4. Calcular: a) a resistividade trmica do cobre puro a 20oC; b) a
resistividade residual do cobre com 0,1% de Mn.
8 Considere o Nivel de Fermi para o Tungstnio cujo valor EF = 8,95 eV com N(E) = 1,99x1028
estados/eV.m3. Calcular quantos eltrons por m3 possuem energia entre 8,5 e 8,6 eV nas temperaturas
de: a) 0 K; b) 2500 K.
9 Definir Nivel de Fermi para os metais.
10 Explicar: a) efeito pelicular em um condutor; b) efeito corona em um condutor.
11 Explicar, com base na teoria eletrnica e no diagrama de bandas de energia, como ocorre a
variao da condutividade eltrica para os materiais: a) CPT; b) CNT.
12 Calcular a FEM trmica da liga Fe-constantan. Ver curva da FEM trmica.
13 Descrever os fatores crticos que interferem na supercondutividade.
TEMAS PARA PESQUISA
Condutores eltricos de alta tenso: caractersticas construtivas, tipos de materiais e aplicaes
Materiais condutores para redes eltricas areas de baixa tenso e de alta tenso
Equipamentos eltricos de comando em baixa e em alta tenso: recursos para extino do arco
voltaico
Efeito pelicular em cabos de alta freqncia
Ligas metlicas usadas na engenharia eltrica
Tecnologia para medio de temperatura: Termopar e Termometria
Perdas por Efeito Corona em redes de mdia e de alta tenso
Supercondutores: princpio fsico, tecnologia e tendncias futuras

41

SEMICONDUTORES
Neste captulo realizamos uma anlise das propriedades dos materiais semicondutores
iniciando pelo modelo do diagrama de banda de energia. O estudo aborda as propriedades dos
semicondutores intrnsecos e extrnsecos, o comportamento dos semicondutores n e p obtidos
mediante dopagem, a condutividade eltrica, os processos de difuso, o efeito da luz e da temperatura
e as aplicaes na eletrnica. A anlise do nvel de Fermi que realizada neste captulo possibilita
compreendermos a relao dos portadores de carga em funo da temperatura e da luz nesses
materiais. Realizamos, ao final do captulo, um estudo do diodo de juno pn.
Aspectos tericos e fundamentos conceituais que devero ser compreendidos:
- semicondutores intrnsecos: bandas de energia, ligao covalente, portadores;
- semicondutores extrnsecos: bandas de energia, tipo p e n, dopantes, estrutura de ligao;
- condutividade nos semicondutores: por deriva e por difuso;
- como a luz e a temperatura interferem na condutividade e na gerao de portadores e suas aplicaes;
- nvel de Fermi nos semicondutores.
1 Semicondutores e aplicaes na engenharia
Os semicondutores constituem um grupo de substncias cuja resistividade temperatura
normal se encontra entre a resistividade dos condutores e dieltricos. Com os semicondutores torna-se
possvel transformar diversos tipos de energia em energia eltrica alterando-se a condutividade eltrica
dos mesmos por meio de temperatura (termorresistncias), da luz (clulas fotorresistentes), do campo
eltrico (resistncias no lineares), de esforos mecnicos (capacitores tensomtricos), etc. Os
materiais semicondutores se classificam em semicondutores simples e compostos. Os semicondutores
simples constituem os elementos da tabela peridica cujos principais encontram-se relacionados na
Tabela1.
TABELA 1 semicondutores simples
ELEMENTO
Boro
Silcio
Germnio
Fsforo
Arsnio
Enxofre
Selnio
Telrio
Iodo

B
Si
Ge
P
As
S
Se
Te
I

ENERGIA P/ VENCER A BANDA PROIBIDA

(EV)

GRUPO

1,1
1,12
0,72
1,5
1,2
2,5
1,7
0,36
1,25

III - A
IV - A
IV - A
V-A
V- A
VI- A
VI - A
VI - A
VII - A

Os compostos qumicos so compostos formados entre elementos dos grupos conforme mostra a
Tabela 2. Quanto aos semicondutores simples destacam o Ge e o Si, sendo este ltimo mais abundante
na crosta terrestre e de maior uso nos dispositivos eletrnicos.
Os dispositivos fabricados com materiais semicondutores apresentam maior durao, pequenas
dimenses, boa resistncia mecnica, baixo consumo de energia e tornam-se econmicos quando
42

fabricados em grande escala. O desenvolvimento da tcnica da microeletrnica possibilitou um maior

aperfeioamento destes dispositivos. O grande avano da eletrnica nos ltimos anos se deve ao
estudo da fsica dos semicondutores, amplamente desenvolvida a partir dos conceitos da fsica
quntica e ao desenvolvimento de tecnologias cada vez mais apropriadas s pequenas dimenses.
TABELA 2 semicondutores compostos
Grupos

Compostos

I - VIII
I VI
IV
II VII
II VI
II V
II IV
III VI
III V
IV VI
V VI
VI VI
VIII VI
I VII VI

CuCI, AgBr
Cu20, CuS
K Sb
AzCl2, CdCl2
Zn0, CdS, ZnS
ZnSB, Mg3Sb2
Mg, Sn, Ca2Si
Ga S, In2Fe3
Ga P, GaAs
GeO2, PbS
Bi2S3
M003
Fe203
Cu Al S2

2 Semicondutores intrnsecos
A teoria das bandas de energia nos slidos caracterizam os semicondutores por possurem um
estreita banda proibida, cuja energia para ser vencida da ordem de 0,2 a 2,5 eV. A Fig. 3.1 representa
o diagrama de nveis de energia de um semicondutor intrnseco, no qual a banda de energia livre
recebe eltrons da banda de valncia, indicado, nesse caso, pela seta.

Fig. 1 - Diagrama de nveis de

energia para o semicondutor
intrnseco

Em uma determinada temperatura T vrios eltrons passam da banda de valncia para a banda
de conduo, originando na banda de valncia um nmero equivalente de lacunas. Portanto, o nmero
de lacunas igual ao nmero de eltrons livres, de forma que a concentrao de lacunas p igual
concentrao de eltrons n, resultando: n = p = ni, onde ni a concentrao intrnseca.
O germnico e o silcio so os dois mais importantes semicondutores usados em dispositivos
eletrnicos. A estrutura cristalina desses semicondutores tem o formato de um tetraedro com um
tomo em cada vrtice. O silcio possui nmero atmico 14. A sua configurao atmica .

43

1s2 2s2 2p6 3s2 3p2

Portanto o tomo de silcio possui quatro eltrons de valncia e sua estrutura em duas
dimenses est representada na Fig.2. Cada tomo do cristal contribui com quatro eltrons de valncia
constituindo desta forma uma ligao covalente ou par eletrnico.
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Fig. 2 - Estrutura do cristal de silcio; cada tomo

possui 4 eltrons de valncia

Uma vez que cada eltron de valncia utilizado para ligar os tomos entre si, isto faz com
que os mesmos estejam fortemente ligados (so os eltrons de ligao), no liberando eltron livre o
que resulta em baixa condutividade. Para o silcio necessrio 1,1 eV para obter o eltrons livre. Isto
produz uma quebra da ligao covalente resultando uma lacuna que ir contribuir para a
condutividade.
3 Semicondutores extrnsecos
A maioria dos dispositivos semicondutores so constitudos de semicondutores extrnsecos. A
obteno do semicondutor extrnseco feita adicionando-se uma pequena quantidade de tomos
trivalente ou pentavalente ao semicondutor intrnseco, assim como outras impurezas, ou ainda a
produo de defeitos na rede cristalina, microranhuras, etc. O resultado um semicondutor dopado ou
impuro. O tomo que atua como dopante pode doar eltrons banda de conduo do semicondutor ou
receber eltrons dos nveis de sua banda de valncia. Os primeiros so ditos doadores e os segundos
receptores.
Doadores
As impurezas doadoras caracterizam-se por terem sua banda de valncia prximo banda de
energia livre do semicondutor no qual est localizado. Desta forma essas impurezas doam seus
eltrons de valncia banda condutora do semicondutor.

Fig. 3 semicondutor
extrnseco tipo n
n>p

Esses eltrons, por sua vez, fazem parte da conduo de corrente (Fig. 3).
Observamos que no semicondutor haver maior concentrao de eltrons que de lacunas,
portanto recebe o nome de semicondutor tipo n. Um exemplo de impureza doadora o tomo de
fsforo (P - nmero atmico = 15) que possui cinco eltrons de valncia. Esses tomos deslocaro
44

alguns tomos da rede cristalina. Quatro de seus cinco eltrons de valncia faro ligaes covalentes
com os tomos de silcio e o quinto eltron ficar no ligado. A energia necessria para deslocar este
quinto eltron a partir do tomo da ordem de 0,05 eV. Este eltron ser utilizado como portador de
corrente. A representao no plano de um semicondutor extrnseco tipo n de silcio dopado com
fsforo est indicado na Fig.4. Um campo eltrico aplicado neste semicondutor, far com que o eltron
livre desloque, resultando uma corrente eltrica.
Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

Si

e-.
+

Fig. 4 - Rede cristalina com um tomo

de silcio dopado por fsforo e
indicao do sentido do deslocamento
do eltron (e-).

Para cada tomo de P corresponde 1 eltron livre introduzido na rede cristalina do Si. Temos,
nesse caso, n>p. O semicondutor tipo n.
Receptores
Outras impurezas podem introduzir nveis que se situam na banda proibida do semicondutor,
prximo de sua banda de valncia. A excitao trmica far com que os eltrons da banda de valncia
do semicondutor saltem para os nveis de energia introduzidos pela impureza. So denominadas de
impurezas receptoras. No semicondutor ir surgir uma concentrao de lacunas maior que de eltrons.
Temos ento um semicondutor extrnseco tipo p. Em virtude do afastamento dos tomos da impureza,
os eltrons nos nveis de energia livre das mesmas no participam da corrente eltrica.

Fig. 5 semicondutor extrnseco

tipo p.
p>n

Um tomo do boro (B - nmero atmico = 5) introduzido na rede de silcio permitir o

preenchimento de apenas trs ligaes covalentes e teremos a ausncia de um eltron na quarta
ligao. Observe que o boro possui trs eltrons de valncia. Surge assim, uma lacuna p na rede
cristalina, correspondente ao eltron no ligado. Um campo eltrico aplicado neste semicondutor far
um deslocamento de lacunas no mesmo sentido do campo. Isto pode ser entendido (Fig. 6)
observando-se que um eltron ir ocupar esta lacuna deslocando-se no sentido oposto ao campo. Desta
forma o eltron ir deixar uma lacuna do local de onde saiu. Dizemos, portanto, que a lacuna desloca
em funo do campo eltrico no semicondutor extrnseco tipo p.
Para cada tomo de B corresponde 1 lacuna introduzida na rede cristalina do Si. Temos, nesse
caso, p>n. O semicondutor tipo p.

45

4 Concentrao de portadores
Em um semicondutor existem quatro classes de partculas carregadas.
Partculas com carga positiva.
Lacunas mveis - p
ons doadores imveis - ND
Partculas com carga negativa.
Eltrons mveis - n
ons receptores imveis - NR
Desta forma a densidade total de carga no semicondutor pode ser dada por:

= q(p + N D - n - N R )
Em um semicondutor homogneo e uniformemente dopado a densidade de carga espacial
nula.
Os portadores cuja concentrao maior no semicondutor dado chamam-se majoritrios, e
aqueles cuja concentrao menor, minoritrios. Assim nos semicondutores tipo n os eltrons so
majoritrios e as lacunas minoritrios. No semicondutor tipo p, os portadores majoritrios so as
lacunas e os minoritrios os eltrons.
5 Conduo de corrente
Em uma condio de equilbrio as partculas mveis no semicondutor apresentam um
movimento trmico aleatrio. A alterao deste equilbrio poder resultar em uma corrente eltrica no
material. Existem dois tipos de corrente eltrica:
Corrente de deriva obtida pela aplicao de um campo eltrico no semicondutor;
Corrente de difuso resultante da distribuio no uniforme dos portadores.
Para um semicondutor intrnseco a 0K o material comporta-se como um isolante, pois no
possui portadores livres de corrente eltrica. Em temperaturas ambiente a energia trmica suficiente
para quebrar algumas ligaes covalentes, resultando na conduo de corrente eltrica. A energia
necessria para quebrar esta ligao covalente para o Ge e Si :
Ge E = 0,72 eV
Si E = 1,1 eV
Com a quebra desta ligao resulta o aparecimento de um eltron livre (n) e de uma lacuna (p) no
semicondutor intrnseco. Como vimos, a adio de impureza em um semicondutor intrnseco ir
resultar um semicondutor extrnseco cuja energia necessria para obteno do eltron livre ser menor
que no caso do semicondutor intrnseco base. Conforme vimos a quantidade de energia necessria para
deslocar o eltron que no participa da ligao covalente, para Ge e Si, com impureza doadora ;
Ge (extrnseco tipo n ) 0,01 eV
Si (extrnseco tipo n ) 0,05 eV
46

A conduo devido aos eltrons na banda de conduo diferente da conduo devido s

lacunas na banda de valncia. No semicondutor intrnseco a quantidade de eltrons igual
quantidade de lacunas. Shockley usa a seguinte explicao para o processo de conduo nos
semicondutores. Uma garagem com dois pavimentos possui o pavimento inferior completamente
lotado de veculos e o pavimento superior completamente vazio. Nestas condies no e permitido o
movimento de nenhum automvel no pavimento inferior. Se um automvel deslocado para o
pavimento superior este ter liberdade de movimento devido ao grande espao livre. No movimento
inferior os automveis podero deslocar no espao deixado pela vaga do automvel que foi
transportado para o andar de cima. A vaga de carros no andar de baixo corresponde s lacunas.
Quando um carro move nesse andar (banda de valncia), equivale ao movimento de um eltron de
ligao. Dizemos que a vaga (portanto a lacuna) que move. O carro no andar de cima corresponde ao
eltron livre que se encontra na banda de conduo. Dessa forma, a mobilidade dos eltrons livres
maior que a mobilidade das lacunas.

Fig. 7 deslocamento de n e p
Com essa analogia, percebe-se que a condutividade no semicondutor depende das cargas livres
existentes constitudos por eltrons e lacunas. A corrente de eltrons em um semicondutor intrsenco
mostrada na Fig. 7, para uma temperatura acima de 0 K. Vemos a indicao do movimento de um
eltron livre (para a placa positiva) e de uma lacuna (para a placa negativa). Observe que o movimento
da lacuna trata-se na realidade do deslocamento de um eltron de valncia (eltron ligado) e no de
eltron livre. Considera-se o movimento de lacunas para efeito de aplicao de equaes clssicas. A
seguir faremos um estudo da corrente de deriva e corrente de difuso no semicondutor.
Corrente de deriva
Deriva refere-se ao movimento dos portadores (eltrons e lacunas) sob ao de um campo
eltrico. A corrente dificultada pela ao trmica. A densidade de corrente em um material :
J = nqv
onde: n = nmero de portadores por unidade volume
q = carga do eltron
v = velocidade mdia dos portadores de carga
Temos ainda que J E, i.e., a densidade de corrente proporcional ao campo eltrico.
A constante de proporcionalidade a condutividade eltrica () do meio:
Resulta:
47

J=E
Igualando as equaes acima, temos:
= nqv/E
A razo v/E denominada de mobilidade eltrica do material e constante para uma determinada
temperatura:
= v/E
A equao para a condutividade eltrica aplica a mobilidade dos eltrons (n) e das lacunas (p), cuja
unidade pode ser obtida da prpria definio: sendo v(cm/s) e E(V/cm) resulta (cm2/v.s). Como j foi
mencionado a mobilidade dos eltrons maior que a mobilidade das lacunas.
A condutividade total a soma da condutividade devido aos eltrons e lacunas.
= qn n + qpp = q (nn + pp)
onde n = concentrao de eltrons livres
p = concentrao de lacunas
n = mobilidade de eltrons
p = mobilidade das lacunas
A energia da banda proibida geralmente calculada 300K. Com o aumento da temperatura
diminui a energia necessria para vencer a zona proibida. A densidade de eltrons livres pode ser
calculada para temperaturas prximas de 300K. O aumento de pares eltrons-lacunas corresponde ao
aumento da condutividade do material. Para o silcio a concentrao de tomos 5,0 x 1028 tomos/m3
e de eltron livres 1,7 x 1016 eltrons/m3. Assim, somente um tomo em 1012 tomos de silcio
contribui com um eltron livre (e tambm com uma lacuna) para o cristal devido quebra de ligaes
covalentes. O estudo de concentrao acima relacionado a um semicondutor intrnseco. Se em um
semicondutor adicionamos tomos doadores obteremos um material com nmero de eltrons livres
muito superior ao nmero de lacunas. Podemos dizer que para um semicondutor tipo n a concentrao
de eltron livre aproximadamente igual a densidade de tomos doadores, representando na forma:
n = Nd
onde

n = concentrao de eltrons livres

Nd = concentrao de tomos doadores.
Desta forma, tomando a equao da condutividade teremos, para o semicondutor tipo n, n >>p
resultando p0. Ento a condutividade para um semicondutor tipo n ser:
n = qnn
Analogamente a condutividade para um semicondutor tipo p ser:
p = qpp

As equaes acima podem ser expressas em funo da densidade de corrente. Assim temos.

J = q(nn + pp)E

48

Jn = qnn E
Jp = qpp E
Corrente de Difuso

A corrente de difuso ir ocorrer sempre que partculas mveis se encontrarem distribudas

no uniformemente em um meio. Os efeitos que podem provocar essa distribuio no uniforme
podem ser, dentre outros, variaes da temperatura, luminosidade e concentrao de impurezas no
semicondutor.
Seja a Fig. 8 representando uma maior concentrao de partculas esquerda do semicondutor
tipo p. Resulta, em funo deste desequilbrio, um fluxo de lacunas da esquerda para a direita dado
por: -Dp (dp/dx), onde Dp o coeficiente de difuso de lacunas. O sinal negativo significa que os
portadores vo da regio de maior concentrao para a regio de menor concentrao, i. e. a
declividade da curva negativa.

Fig. 8 Semicondutor tipo p com distribuio no uniforme de partculas (a); densidade de partculas

J p = - q Dp (

dp
)
dx
(b).

A densidade de corrente de lacuna associada difuso :

De forma anloga podemos obter a densidade de corrente de difuso de eltrons.

J n = qD

dn
dx)

O sinal positivo associado equao devido ao valor negativo da carga do eltron.

O valor de Jp e Jn depende da distribuio da concentrao e no do valor da concentrao.
49

6 Deriva e difuso simultneos e relaes de Einstein

Em situaes nas quais esto presentes o gradiente de concentrao e o campo eltrico teremos
as correntes de difuso e deriva ocorrendo simultaneamente, de forma que Jp e Jn podero ser escritos
da seguinte forma.
Jp = Jp (deriva) + Jp (difuso)
Jn = Jn (deriva) + Jn (difuso)

J = q(p p E - D p p)
J = q(n n E + D n n)

Ou ento
A razo entre o coeficiente de difuso e mobilidade dos portadores fornece a tenso
trmica (KT/q).
Obtm-se assim as relaes de Einstein.

Dp KT
=
p q
Dn KT
=
n q
7 Influncia da luz e da temperatura
Em um semicondutor a temperatura e a luz apresentam um efeito especial sobre o mesmo que
a gerao de portadores em excesso, i.e., aumento do nmero de eltrons e lacunas. Vamos analisar
cada efeito separadamente.
Influncia da temperatura
A Fig. 9 indica a variao da concentrao de portadores em excesso com a temperatura para
um semicondutor intrnseco. Observa-se que n e p aumentam na mesma proporo medida que
temperatura aumenta. Se o semicondutor extrnseco (Fig. 10) medida que a temperatura aumenta
os portadores p crescem, em nveis proporcionais, mais rapidamente que n, at T1. Para valores de
temperatura acima de T1, temos n p e o semicondutor comporta como se fosse um semicondutor
intrnseco. Portanto o semicondutor extrnseco at determinada temperatura. A Fig. 11 indica o
diagrama de bandas de energia para um semicondutor tipo n. Quando fornecemos energia ao mesmo
aumentando sua temperatura e so gerados pares eltron-lacunas . Podemos considerar a seguinte
relao.
p = p0 + p
n = n0 + n

50

Onde po e no representam o valor de equilbrio da concentrao; pe nos portadores em excesso

gerados ou concentrao em excesso; p e n so os valores da concentrao total. temperatura To (
por exemplo 300K) temos:
p = po
n = no
se aumentarmos a temperatura para T, teremos:

p = p0 + p
n = n0 + n

Fig.10 - Variao de n e p em um
Fig.9 - Variao de ni com a
semicondutor tipo n, em funo da
temperatura para um semicondutor
temperatura.
intrnseco.

Fig.11- Gerao de pares eltronlacunas

modelo
para
semicondutor tipo n;
para T =To p = po = 1e n = no = 3
Para T > To temos:
p = po + p=1+2 = 3
n = no + n= 3 + 2 = 5
51

Como para cada lacuna gerada em excesso (p) temos um eltron em excesso (n)
correspondente, ento n p, resultando um semicondutor quase neutro. A carga total
aproximadamente neutra. Em condio de equilbrio temos que o produto pn de um semicondutor
constante para um determinado valor de temperatura, ou seja:
pn = ni2
Observe que para um metal o aumento de temperatura resulta em diminuio de sua
condutividade. Em um semicondutor este efeito oposto ao que ocorre nos metais, i. e. a
condutividade de um semicondutor aumenta com a elevao da temperatura. A diminuio da
resistividade uma relao exponencial bem diferente do quase linear crescimento da resistividade de
um metal. O aumento da temperatura do metal provoca o movimento trmico de ons dificultando o
trnsito de eltrons livres. Para os semicondutores o aumento da temperatura faz com que o eltron
salte a zona proibida aumentando, desta forma, a concentrao dos portadores de carga. Esta variao
da condutividade com a temperatura limita o uso de dispositivos semicondutores em alguns circuitos e
permite sua aplicao em outras situaes, como o caso do termistor, geralmente usado como
dispositivo de controle atuando por variaes de temperatura. Para o germnio a condutividade
aumenta 6% para um grau de temperatura. Para o silcio 8%. Entretanto, o Ge e o Si no so usados
como termistores pois suas caractersticas so muito sensveis s impurezas. Os termistores comerciais
consistem em misturas sintetizadas de xido tais como o Ni0, Cu203, Mn203.
Influncia da Luz
De forma anloga ao que ocorre com a temperatura nos semicondutores, a radiao
eletromagntica sobre um semicondutor resulta em aumento de sua condutividade. A este fenmeno
d-se o nome de fotocondutividade, que pode ser explicado pela teoria quntica da luz. Portanto a
energia de um fton em um semicondutor intrnseco ir formar no mesmo pares de eltron-lacunas,
devido passagem do eltron da banda de valncia banda de conduo. A energia radiante recebida
pelo semicondutor ioniza as ligaes covalentes, quebrando-as. Este aumento de portadores de
corrente diminui a resistncia do material, da o material dito fotorresistor ou fotocondutor. A Fig. 12
indica o diagrama de bandas de energia em que um par eltron-lacuna (n-p) gerado devido
incidncia de radiao eletromagntica no semicondutor.

Fig. 12 gerao de par n-p em um semicondutor sob ao de radiao eletromagntica

Para provocar a excitao, um fton necessita de uma energia E dada por:

E=

12.400

(eV)

Onde c o comprimento de onda do fton, em Ao

52

Se o comprimento de onda da radiao excede c , ento a energia do fton no suficiente

para deslocar o eltron para a banda de conduo. A energia mnima para excitao intrnseca a
energia da banda probida.
O comprimento de onda crtico ou de corte de um material ( c) o valor do comprimento de
onda acima do qual a energia do fton no suficiente para elevar o eltron banda de conduo.

c (Ge) = 1,72m e E = 0,72 Ev

c ( Si) = 1,13m e E = 1,1 Ev
Um dispositivo fotocondutor consiste geralmente de uma clula de CdS (sulfeto de Cdmio)
com impurezas de prata, antimnio e ndio. Na falta de raios luminosos (escuro) a resistncia desta
clula chega a 2M. Quando estimulada pela luz forte a resistncia pode ser menor que 10. Este
dispositivo pode ser usado em medio de intensidade luminosa ou aplicado em rel fotoeltrico.
Temos:

8 Recombinao e gerao de portadores em excesso

Aumentando a temperatura ou incidindo luz em um semicondutor so gerados, no mesmo,
portadores em excesso (n e p) resultando desequilbrio no semicondutor. Portanto temos o aumento
de pe n. Ao retornar para o nvel de origem esses portadores em excesso iro recombinar-se. A

R=

n'

ou R =

p'

recombinao dessas cargas pode ser:

onde

R - taxa de recombinao
- tempo de vida dos portadores

9 O efeito Hall
Considere um cristal semicondutor percorrido por uma corrente I. Considere ainda que exista um
campo magntico H transversal ao percurso da corrente (Fig. 13). Os eltrons em movimento ficam
submetidos a uma fora magntica e so deslocados para uma das superfcies do cristal, dependendo
do sentido relativo entre o campo magntico e a corrente. Entre as duas superfcies opostas surge,
como conseqncia, uma ddp denominada de tenso de Hall (VH).
_- - - - - - - - - - - - - - VH

eltrons deslocam-se para a face superior

I corrente convencional

++++++++++++
Fig. 13 Efeito Hall
O efeito Hall pode ser utilizado em instrumentao como no caso de medio de campo. Pode-se ainda
determinar se um semicondutor tipo n ou p. A Fig. 13 indica o tipo n. Para o tipo p a polaridade da
tenso seria invertida.
10 Nvel de Fermi nos semicondutores
Para o semicondutor intrnseco o N.F. est no meio da Banda Proibida (tambm denominada
Gap). O nmero de n e de p depende da temperatura, porm, no intrnseco n=p.

53

Fig. 14 N.F. [EF] no semicondutor intrnseco

A 300oK temos algumas lacunas na BV e alguns eltrons na BC. Todavia, 50% dos estados ocupados
(dos eltrons) tm energia igual a EF.
Para o semicondutor extrnseco ocorre o deslocamento do N.F. No tipo n, observe que o
nmero de eltrons na BC aumenta sem o aumento proporcional de lacuna na BV e no tipo p o nmero
de lacunas aumenta na BV (Fig. 15).

Fig. 15 N.F. para tipo n e tipo p

Se no semicondutor tipo n aumentamos a temperatura, o N.F. pode baixar, pois a BV ir injetar

eltrons para BC e consequentemente aumentam as lacunas na BV (Fig. 16). EF, nesse caso, tende a
equivaler a EI. Compare o que ocorre na Fig. 16 com o que ocorre na Fig. 10. Nos dois casos observe
que quando a temperatura aumenta, aumentam os pares eltron-lacunas no material.

54

Figura 16 Deslocamento do N.F. com o aumento da temperatura no tipo n

Para uma melhor compreenso da relao de portadores com a temperatura, vamos fazer uma
analogia com a atmosfera terrestre em que o nmero de partculas na atmosfera descresse
exponencialmente com a altura.
n = n0 e-V/KT
Onde V = mgh energia potencial das molculas para um dado h.
Para os semicondutores podemos escrever a equao referente ao nmero de eltrons e lacunas
de forma semelhante devido similaridade em relao atmosfera. Podemos obter o nmero de
eltrons (n) que aumentam em relao a ni, quando aumenta a temperatura ou impurezas no
semicondutor. Isto ocorre devido ao deslocamento do N.F. de EI (N.F. no semicondutor intrnseco a
20oC) para EF (N.F. no semicondutor dopado).
A concentrao de n e de p :
n = ni e (EF EI)/KT
p = ni e(EI EF)/KT

Fig. 17 Representao de EI e EF para semicondutores tipo n e p.

Para EF = EI, ou seja, para um semicondutor intrnseco em que EF = EI, temos n = ni.
Tanto para tipo p quanto para tipo n o produto n.p ser.
2

np = n i e
2

np = n i

(E F - E I ) + E I - E F )
KT

55

Para um semicondutor intrnseco ou extrnseco podemos escrever as concentraes de eltrons livres

ou lacunas de acordo com as equaes.

n = N c e - (E c - E F ) / KT
p = N V e -(E F - E V ) / KT

Fig. 18 Representao de EV e EC para semicondutor intrnseco.

NC = nmero de nveis (ou estados) disponveis na BC.
NV = nmero de nveis (ou estados) disponveis na BV.

Onde
Temos:

np = n i
ento :

np = N C N V e

- (E C - E F ) - (E F - E V )
KT

np = N C N V e -(E C - E V ) / KT
np = N C N V e -E G / KT
N C = K 1T 3 / 2
N V = K 2T 3 / 2
Ento :
N C N V = K 1 K 2T 3 = KT 3

n i = A 0T 3 e -E G /KT
Fazendo K = Ao:

56

11 Materiais com propriedades semicondutoras

Germnio
A quantidade de germnio existente na crosta terrestre aproximadamente 7 x 10-4% O germnio
pode ser utilizado na fabricao de dispositivos semicondutor. Ao fundir o germnio sua
condutividade aumenta aproximadamente 13 vezes. Quando o germnio absorve partculas registra-se
um impulso de corrente. Portanto este material pode ser utilizado em contadores de partculas
nucleares. Utilizando na fabricao de retificadores de corrente alternada, transistores e dispositivos
utilizados na eletrnica em geral.
Silcio
Apresenta a rede cbica do tipo do diamante. um dos elementos mais abundantes na crosta
terrestre, 26% aproximadamente. Amplamente utilizado na fabricao de dispositivos semicondutores,
o silcio pode ser empregado em nveis de temperatura mais elevado que o germnio. A maioria dos
circuitos integrados (CI) usados na microeletrnica so construdos com pastilhas de silcio grau
eletrnico.
Varistores
Um composto de elementos usado como vartistor o SiC que apresenta a seguinte composio
estequiomtrica: 70,00% de Si e 30% de C (em massa). Raramente encontrado na natureza pode ser
obtido em fornos. Com adio de impurezas pode ser semicondutor do tipo n ou p. Para o SiC a
caracterstica tenso-corrente do varistor no linear.

Fig. 14
Caractersticatensocorrente do SiC.
(b)

(a)

Pra-raios

Os varistores so utilizados como resistncia de descarregadores de vlvulas (para-raios) que

protegem linhas de transmisso dos efeitos de sobretenses. Quando a tenso da rede torna-se elevada
este material permite a passagem de corrente, cortando esta corrente assim que a tenso anula. Um dos
compostos mais usados na fabricao dos para-raios o ZnO.

GaAs
A largura da banda proibida do GaAs maior que a do Ge e do Si, sendo tambm maior a
mobilidade de seus eltrons. Estas caractersticas so importantes na fabricao de circuito integrado
de alta qualidade. Apresenta tambm uma caracterstica interessante quanto ao retorno dos eltrons
para a banda de valncia, processo no qual h a emisso de luz em contraste com a liberao de
energia calorfica resultante no Ge e Si.
57

TABELA 3 dados para o Ge e o Si

PROPRIEDADES
Nmero atmico
Peso atmico
Densidade, g/cm3
Constante dieltrica rel.
tomos/cm3
Wg, eV a 300K
Constante A (300K)
Resistividade intrnseca, .cm a 300K
n , cm2/V.s a 300K
p , cm2/V.s a 300K
Ni, cm-3 a 300K

Ge
32
72,6
5,32
16
4,2 x 1022
0,72
1.83 x 1021
45
3.800
1.600
2,5 x 1013

Si
14
28,1
2,33
12
5,0 x 1022
1,12
7,96 x 1021
230.000
1.300
500
1,5 x 1010

12 Diodo de juno pn
O diodo um dispositivo constitudo por uma juno de material semicondutor p e n (ver Fig.
15). No lado p as impurezas receptoras so indicadas por um crculo em branco (on negativo) e no
lado n as impurezas doadoras so indicadas por um crculo com um sinal + (on positivo). So
representados tambm os eltrons e as lacunas (indicado na Fig 15). Existe uma regio na juno pn
denominada regio de carga espacial ou regio de deplexo. Nessa regio os eltrons e as lacunas
se recombinam. Como resultado desse processo de recombinao pn, surge uma densidade de carga
negativa no lado p e positiva no lado n, devido s impurezas receptoras (NR -) e doadoras (ND +).
Haver, dessa forma, um campo eltrico interno (Ei) na camada de deplexo.
Tipo p

Tipo n

lacuna(p)

largura da camada de deplexo

campo interno Ei

eltron(n)

barreira de potencial para lacunas

barreira de potencial para eltrons

Fig. 15 Diodo de juno pn

58

Devido ao campo eltrico interno h uma barreira de potencial para lacunas que impede o livre fluxo
das lacunas (p) para o lado n e uma barreira de potencial de eltrons que impede o livre fluxo dos
eltrons (n) para o lado p. Na condio em que no h polarizao externa no ocorre fluxo de cargas
na regio de deplexo. O fluxo de carga atravs dessa regio surge quando o diodo for polarizado. O
diodo pode ser polarizado por uma fonte cc de duas maneiras: polarizao direta e polarizao reversa.
Polarizao direta
Na polarizao direta os terminas da fonte varivel cc so acoplados da seguinte forma:
positivo no lado p e negativo no lado n. A Fig. 16 indica a polarizao direta usando a simbologia do
diodo pn e a curva da corrente (i) x tenso (v). A polarizao direta corresponde ao sentido positivo do
eixo v. Considere que inicialmente a tenso aplicada muito pequena e produz um campo eltrico (E)
entre os terminais do diodo inferior ao campo interno Ei. Neste caso, sendo E<Ei, no h corrente no
diodo. A partir do instante em que E fica maior que Ei inicia uma corrente no diodo. A tenso que
produz essa corrente inicial denominada de tenso de limiar (Vi) indicada na curva ixv. No diodo de
silcio Vi=0,7V. A partir desse valor de tenso a corrente tende a crescer exponencialmente. Neste
caso os eltrons livres (n) cruzam a juno de n para p e as lacunas (p) cruzam de p para n. Na regio
de deplexo ocorre uma recombinao desses portadores entre si. Para cada eltron que a fonte cc
insere no lado n resulta uma lacuna correspondente no lado p. Dessa forma h um fluxo de n e p no
diodo com os portadores n fluindo para o terminal positivo e os portadores p para o negativo.

lado p

lado n

polarizao direta (positivo no p)

polarizao reversa (negativo no p)

-Vp

Reversa

-Io Vi

Direta

Fig. 16 Polarizao direta e reversa do diodo; curva i x v do diodo

59

Polarizao reversa
Na polarizao reversa o terminal positivo fica ligado no lado n e negativo no lado p. Neste
caso, medida que a tenso da fonte cc aumenta, o campo eltrico aplicado no diodo aumenta no
mesmo sentido do campo eltrico interno Ei. As lacunas so atradas para o terminal positivo e os
eltrons para o terminal negativo. Como consequncia a largura da camada de deplexo aumenta.
Dessa forma, no h circulao de portadores majoritrios na juno e no h corrente no diodo, i.e., o
diodo no conduz corrente. Porm, os portadores minoritrios (eltrons no lado p e lacunas no lado n)
fluem atravs da juno constituindo uma corrente de minoritrios (Io). Se a tenso inversa aplicada
ultrapassar um determinado valor (Vp) denominada de tenso de pico inversa ou de ruptura ocorre
um aumento sbito da corrente inversa gerando um avalanche no diodo. Isso ocorre devido ao
processo de coliso das cargas com os tomos do cristal que vo arrancando mais portadores e
produzindo o avalanche de cargas que pode danificar o diodo por excesso de calor.
Nvel de Fermi na juno pn
Na juno pn sem polarizao o N.F. indica o mesmo patamar para n e p (Fig. 17). Ao
polarizar o diodo diretamente, ocorre um desequilbrio entre os dois lados, com o N.F. (n) ficando
acima do N.F. (p). Como conseqncia os eltrons fluem de n para p. Na polarizao reversa o
desequilbrio do N.F. entre os dois lados impede esse fluxo.

NF
desnvel (NF)

Fig. 17 - NF na juno pn sem polarizao e NF na juno pn com polarizao direta

Modelo do diodo
O diodo ideal pode ser modelado como uma chave aberta na polarizao reversa e fechada na
polarizao direta. Na polarizao direta, o diodo apresenta uma tenso de limiar (Vi) que
representado, no modelo do circuito equivalente, por uma fonte cc em oposio ao fluxo da corrente
(indicada por Vi). No Diodo real h tambm uma resistncia R que limita a corrente e que produz a
inclinao da reta do diodo. O modelo do diodo indicado na Fig. 18. Na polarizao direta
representado um circuito com uma chave fechada com a fonte Vi e resistncia R.
I
+

Vi

Pol. Reversa

Pol. Direta

Fig. 18 Circuito equivalente para o diodo

60

Corrente no diodo
A corrente no diodo pode ser obtida pela equao:
I = Io [e kV/T 1]
onde Io = corrente de minoritrios
k = constante que depende do material
T = temperatura em K
V a tenso aplicada no diodo
Observe que V pode ser positiva (na polarizao direta) ou negativa (na polarizao reversa).
Observe ainda que para V = 0, I = 0. Para V positivo e valor acima de Vi, a corrente tem forma
exponencial. Para V negativo (antes de atingir Vp) I = Io.
LED e fotodiodo
O LED (light emitting diode) uma juno pn que polarizada diretamente. Nesse caso, os
eltrons, ao recombinarem-se com as lacunas, emitem radiao eletromagntica na freqncia da luz
visvel. J o fotodiodo uma juno pn polarizada reversamente. Neste caso, o fotodiodo conduz
apenas quando recebe radiao eletromagntica na juno, devido gerao de portadores p e n.
Clula fotovoltaica
Uma juno pn constituda com dopagem adequada, ao receber luz (ftons com determinada
frequncia), produz pares eltrons-lacunas. Os terminas operam como uma bateria podendo produzir
uma corrente eltrica em um circuito fechado. A descrio detalhada dos dispositivos descritos acima
fica indicada como pesquisa complementar.
QUESTES

1. Calcular a resistividade do silcio a puro a 300K. Usar dados da Tabela 3.

2. No silcio do puro adiciona-se tomos de P numa proporo de 1 tomo de P para 1012 tomo de
Si. Calcular a resistividade do Si extrnseco resultante a 300K.
3. Determinar a relao entre a concentrao de tomos e a concentrao de eltrons livres no Si puro
a 300K.
4. Se pretendermos aumentar a condutividade do Si puro de 10 vezes, adicionando-se ao mesmo
tomos de B, qual dever ser a proporo de tomos de B para tomos de Si. Temperatura de
referncia 300K.
5. Determinar a concentrao de minoritrios em uma amostra de Si tipo n, no qual a concentrao
de impureza doadora 5 x 1016 tomos/cm3. (Ref. 300K)
6. A energia para vencer a banda probida para o Ge 0,72 eV. Calcular o maior valor de
comprimento de onda da radiao para que o eltron atinja a banda de conduo.
7. Determinar a concentrao de eltrons livre e lacunas no Si a 300K, no qual a concentrao de
tomos doadores ND = 1014 tomos/cm3 e de tomo receptores NR = 1013 tomos/cm3.
8. Uma radiao eletromagntica atinge uma barra de Si, de volume 10-3 cm3 , dopada com 5 x 1011
tomos de boro por cm3. Como resultado so gerados 1012 pares eltron-lacunas por segundo.
Calcular a condutividade do semicondutor nestas circunstncias, a 300K. Considerar o tempo de
recombinao 100s.
9. Explicar o que dopagem de um semicondutor descrevendo as caractersticas dos semicondutores
tipo n e tipo p.
61

10.
11.
12.
13.

Explicar: a) corrente de deriva; b) corrente de difuso.

Explicar como a luz e a temperatura influenciam a condutividade dos semicondutores.
Explicar o funcionamento do diodo de juno pn.
Comparar os metais com os semicondutores considerando: a) influncia da temperatura; b)
influncia das impurezas; c) influncia da luz.

TEMAS PARA PESQUISA

Processos de obteno do cristal de quartzo piezoeltrico

Processos de obteno do silcio monocristalino grau eletrnico
Tcnicas de dopagem de semicondutores e fabricao de circuitos integrados
O processo de implantao inica
Para-raios de ZnO
Clula Fotovoltaica
Dispositivos eletrnicos: LED, fotodiodo, varicap, zener
Termistores e fotocondutores
Efeito Hall
Memristor

62

4
DIELTRICOS
Neste captulo abordamos o estudo dos materiais dieltricos destacando os seguintes pontos:
polarizao, conduo de corrente, perdas e perfurao nos dieltricos. O tema complementado com
diversas aplicaes dos dieltricos na engenharia eltrica. O estudo da polarizao visa destacar como
esse fenmeno ocorre nos dieltricos e quais suas implicaes para a aplicao desses materiais sob
campo eltrico. As caractersticas dos capacitores, tanto para eletrnica quanto para aplicaes em
tenses elevadas, especialmente o valor da capacitncia, relacionam-se ao fenmeno da polarizao. O
estudo da condutncia tem como foco a compreenso desse fenmeno nos isolantes eltricos e suas
implicaes para as redes eltricas e equipamentos. As perdas constituem um ponto importante a ser
considerado na qualidade dos dispositivos e dos equipamentos e das instalaes eltricas (de baixa e
de alta tenso). A perfurao importante na segurana das instalaes e dispositivos eltricos, tanto
para as pequenas tenses quanto para as tenses elevadas. Esses conceitos constituem uma base
essencial para a compreenso das caractersticas dos materiais dieltricos e suas aplicaes nos
dispositivos e equipamentos eletroeletrnicos.
Aspectos tericos e fundamentos conceituais dos dieltricos que devero ser compreendidos:
- polarizao: conceito, tipos e grandezas fsicas relacionadas polarizao;
- conduo de corrente: tipos de correntes e fatores que interferem na condutividade nos dieltricos;
- perdas: conceito, tipos e mtodos de reduo;
- perfurao: rigidez dieltrica e tipos de perfurao nos gases, lquidos e slidos.

1 Dieltricos e isolantes
Dieltricos so materiais que polarizam quando submetidos presena de um campo eltrico.
Existem, no entanto, alguns materiais que polarizam sob determinadas condies, mesmo sem a
presena de campo eltrico. Geralmente os dieltricos e isolantes so tratados como equivalentes,
porm esses termos apresentam diferenas conceituais. Os isolantes so dieltricos que apresentam
resistividade eltrica elevada. Isso significa que, na prtica, um dieltrico que tenha caractersticas de
isolante eltrico impede a passagem de corrente eltrica significativa pelo material, at o limite de
determinado valor de campo eltrico. Normalmente usa-se simplesmente o termo isolante eltrico
para esses materiais. Portanto, um material pode ser um bom isolante at um determinado valor de
campo. O valor crtico de campo eltrico que um material isolante suporta sem perfurar definido pela
rigidez dieltrica do material. Alguns dieltricos podem suportar altos valores de campo eltrico sem
conduzir praticamente nenhuma corrente eltrica, enquanto outros materiais dieltricos conduzem
correntes mesmo quando submetidos a pequenos campos eltricos. Alm do valor do campo eltrico,
outros fatores interferem tanto na polarizao quanto na condutncia dos materiais dieltricos, tais
como a temperatura, a poluio, a umidade, a presso etc.
Na engenharia eltrica a utilizao dos dieltricos relaciona-se tanto s propriedades de
polarizao quanto de isolamento eltrico dos materiais. A polarizao tem aplicao em parmetros
relacionados capacitncia o que implica avaliao dos modelos de circuitos de alta, mdia e baixa
tenso at os circuitos eletrnicos. O isolamento eltrico tem aplicao nos parmetros relacionados
resistncia tanto em corrente contnua quanto em corrente alternada, incluindo o comportamento dos
dispositivos em altas frequncias e em baixa e em alta tenso. Assim, um capacitor usado na eletrnica
pode ser especfico para aplicao em corrente contnua, dependendo do material dieltrico empregado
na sua fabricao. Se for usado em corrente alternada, o valor da capacitncia de um capacitor pode
63

estar definida para determinados limites de frequncia assim como de tenso. Um material adequado
para um capacitor em baixa tenso pode ser inadequado para utilizao em alta tenso. Da mesma
forma, ao escolher um lquido isolante para uso em alta tenso, as propriedades de polarizao assim
como o comportamento sob determinados limites de temperatura, de presso e de umidade devem ser
consideradas. Um lquido isolante para um transformador, por exemplo, deve ser avaliado
considerando-se todos esses aspectos, alm do aspecto econmico. Outros fatores a serem
considerados nos dieltricos de uma maneira geral so as caractersticas qumicas, pH, isotropia etc.
No presente captulo o estudo dos dieltricos com foco nos materiais para uso na rea
eletroeletrnica abrange os seguintes tpicos: 1) a polarizao dos dieltricos e os parmetros fsicos
que envolvem a avaliao da polarizao; 2) a conduo de corrente nos dieltricos e os parmetros
relacionados condutividade eltrica com foco principalmente nos isolantes eltricos; 3) as perdas
dieltricas, os tipos de perdas e os parmetros fsicos relacionados s perdas; 4) a perfurao dos
dieltricos, os tipos de perfurao e os parmetros fsicos relacionados. Ao final desse captulo h um
destaque para aplicaes dos dieltricos no lineares, cristais lquidos e fibra optica.
2 Polarizao dos dieltricos
A propriedade bsica de um dieltrico o fato de ser polarizado sob ao de um campo
eltrico externo. A polarizao consiste em um deslocamento limitado ou na orientao das cargas
eltricas do material produzindo no mesmo um momento eltrico. Para descrever o fenmeno da
polarizao vamos considerar um dieltrico entre duas placas metlicas paralelas, no submetidas a
um campo externo, como indicado na Fig. 1. Na ausncia de um campo externo as cargas do dieltrico
no apresentam um momento resultante, ou seja, a soma algbrica das cargas resultantes igual a
zero.

+-

+-

-+

-+

-+
+

-+

-+

-+

Fig. 1 Dieltrico sem campo externo (a); dieltrico sob campo eltrico externo (b)
Cada par [+ -] constitui um dipolo eltrico que pode ser dado por um vetor p indicado do lado
negativo para o positivo:
p=q.d
onde q a carga do eltron e d a distncia entre as duas cargas positiva/negativa.
A unidade de p C.m.
Na Fig. 1b h um campo eltrico externo aplicado nas placas. Como consequncia as cargas
elementares do dieltrico sofrem uma ordenao, com o lado negativo indicado para a placa positiva e
o lado positivo para a placa negativa. Neste caso as cargas do dieltrico se somam resultando uma
polarizao P que ser a somatria dos vetores p num volume infinitesimal.
n V

P = lim [1 / V] pi
V

i=1

A unidade de P C/m2.
64

3 Vetores E, P e D
Na Fig.2 temos duas placas paralelas (como em um capacitor) com rea A e uma distncia d
entre si. Entre as placas h vcuo. Uma fonte de tenso V ligada aos terminais de cada lado
produzindo um campo eltrico externo V = E/d. Surge um fluxo eltrico entre as placas carregadas.
Supondo que as linhas de fluxo so paralelas e sem disperso, temos uma densidade de fluxo Do= /A.
Assim como o fluxo, a densidade proporcional ao campo eltrico E cujo valor da constante de
proporcionalidade o. Dessa forma o valor de Do (no vcuo) :
Do = o E
Onde o a constante de permissividade no espao livre.

+
+

+
+
+
+

_
_

+
+-

Fig. 2 Placas no vcuo (a); placas com dieltrico (b)

Ao introduzir um dieltrico entre as placas sem alterar a configurao das mesmas e sem mudar o
valor da tenso V aplicada, ir surgir uma polarizao no dieltrico e, consequentemente um vetor P.
A nova densidade de fluxo nas placas ser acrescida do vetor P:
D = o E + P
Observe que a densidade de cargas nas placas aumenta quando existe o dieltrico e proporcional
densidade de cargas polarizadas no dieltrico.
O novo valor da densidade depende do dieltrico e proporcional ao campo eltrico. A constante de
proporcionalidade a permissividade no meio ou a constante dieltrica do material (). Assim, o valor
de DE fica:
D=E
Para um dieltrico linear a polarizao diretamente proporcional intensidade de campo eltrico em
um dado ponto. O fator de proporcionalidade eo, onde e a susceptibilidade eltrica do material. O
valor da polarizao :
P = eo E
Normalmente usa-se o valor da constante dieltrica (ou permissividade) relativa do material:

r = / o
Portanto, sendo D = E e D = oE + P, resulta:
E = oE + P
Ou ainda:
E = oE + eo E
65

Dividindo os dois termos da equao acima por o,obtemos:

r = 1 + e
Ou seja, a permissividade relativa a susceptibilidade acrescida da unidade.
Observe que para o vcuo e = 0 e r = 1. A Tabela 1 apresenta o valor da constante dieltrica e da
rigidez dieltrica para alguns materiais. A rigidez dieltrica ser analisada no tpico referente
perfurao dos dieltricos.
Tabela 1 Constante dieltrica e rigidez dieltrica
Material
[vcuo]
Ar
Papel
Mica
Porcelana
Baquelite
Polietileno
leo mineral
TiO2

r
1
1,00054
3,5
5,4
6,5
4,8
2,3
2,2
100

Rigidez dieltrica (kV/mm)

--3
14
60
4
12
50
15
6

Os dados da Tabela 1 so vlidos para a temperatura ambiente (300K) e em condies tais que o
campo no varia com o tempo. A rigidez dieltrica no vcuo no avaliada, pois no existe meio
material para perfurao. A rigidez dieltrica no leo mineral depende do grau de pureza e da
densidade do mesmo, alm da temperatura e presso.
4 Capacitncia
Em um capacitor de placas paralelas com tenso V, a carga armazenada Q = CV. O valor da
capacitncia diretamente proporcional rea das placas (A) e inversamente proporcional distncia
das mesmas entre si. A constante de proporcionalidade do dieltrico:
C = [A/d]
Se entre as placas existe o vcuo, ento Co = o [A/d].
Sendo r = /o ento, se existir um material dieltrico entre as placas:
C = r o [A/d]
Portanto, a carga total acumulada nas placas do capacitor :
Q = Qo + QD
onde Qo a carga nas placas sob vcuo e QD a carda devido polarizao do dieltrico.
Quando um dieltrico polarizado surge um campo eltrico ED oposto ao campo externo aplicado
(Fig. 3). O campo resultante no interior do dieltrico E = E(ext) + ED.

66

ED

E(ext)
Fig. 3 Composio do campo eltrico em um dieltrico
5 Dieltrico polar e no-polar
Os dieltricos podem ser subdivididos em duas classes: polar e no-polar. Uma molcula nopolar apresenta uma disposio geomtrica das cargas de modo a no ocorrer uma resultante em um
determinado sentido. Temos como exemplo o CO2 (que apresenta um centro de simetria) e a molcula
de benzeno. Quando a disposio geomtrica das cargas na molcula apresenta uma resultante temos
uma molcula polar. o caso de H2O (gua) e KI. O iodeto de potssio constitui o exemplo tpico de
um dipolo eltrico.
6 Tipos de polarizao
A polarizao a ordenao no espao de cargas eltricas sob ao de um campo eltrico. Os
principais tipos de polarizao so descritos a seguir e dependem do tipo de material.
1 Polarizao eletrnica: consiste da alterao da disposio da camada eletrnica dos tomos sob
campo eltrico. Ocorre em um tempo de aproximadamente 10-15 s, no h perdas por aquecimento e
est presente em todos os dieltricos.
2 Polarizao inica: consiste no deslocamento parcial dos ons em um slido de estrutura inica
quando um campo eltrico aplicado. O tempo de polarizao da ordem de 10-13 s e produz perdas.
3 Polarizao dipolar: consiste na orientao das molculas dipolares de um lquido sob influncia
do campo eltrico externo. O tempo de estabelecimento da polarizao depende das caractersticas do
lquido dipolar assim como da temperatura. Resulta em perdas. A Fig. 1 ilustra um caso tpico de
polarizao dipolar.
4 Polarizao por cargas espaciais: consiste na orientao de cargas em determinados espaos
internos no material em funo do campo aplicado externamente.
5 Polarizao por migrao: consiste no deslocamento de cargas em determinadas microregies ou
dentro dos limites de uma impureza em um material no-homogneo.
Um mesmo material pode estar sujeito a mais de uma dessas polarizaes simultaneamente, o que
pode depender da temperatura e da frequncia do campo. Cada tipo de polarizao contribui
separadamente com um valor de R.
7 Polarizao nos gases, lquidos e slidos
A intensidade da polarizao medida pela constante dieltrica do material. Diversos fatores
interferem nessa grandeza e, portanto, na polarizao. Um dos fatores o estado fsico do material.
Neste caso, vamos analisar a polarizao para os gases, lquidos e slidos.

67

Polarizao nos gases

Os gases apresentam molculas distantes entre si, o que resulta em uma constante dieltrica relativa
prxima da unidade. A temperatura e a presso interferem na constante dieltrica do gs. Maior
presso implica em maior quantidade de molculas por unidade de volume, portanto maior r. Maior
temperatura implica em maior vibrao trmica das molculas, portanto menor r. Como est indicado
na Tabrela 1, r do ar 1,00054 o que na prtica, indica que o ar equivale ao vcuo em termos de
efeito da polarizao.
Polarizao nos lquidos
Os lquidos podem ser polar ou no-polar. As curvas da Fig. 4 indicam a variao da constante
dieltrica em funo da frequncia e da temperatura para lquidos no-polares e polares. Para um
lquido no-polar, quando este entre em ebulio, r fica prximo de 1. Para lquido no-polar r no
varia com a frequncia. Para lquido polar a constante dieltrica consiste na somatria de dois tipos de
efeitos de polarizao: = E + D, i.e. polarizao eletrnica e polarizao dipolar. Para um campo
eltrico varivel, quando a frequncia aumenta a ponto de impedir o efeito da polarizao dipolar,
devido intensa vibrao das molculas, fica apenas o efeito da polarizao eletrnica. Para lquido
polar, o aumento da temperatura implica no aumento da viscosidade assim como no aumento da
vibrao trmica, resultando uma curva em que r aumenta at determinado valor e depois decai.

no-polar

polar

Fig. 4 Constante dieltrica em funo da frequncia e da temperatura pra lquido no-polar e polar.
O grfico linearizado e considera valores genricos de T e f.
A constante dieltrica dos lquidos no-polares varia em torno de 2 a 2,5. Estes so valores ideais para
aplicao como lquidos isolantes em campo varivel (ca) desde que a rigidez dieltrica seja
compatvel.
Polarizao nos slidos
A constante dieltrica nos slidos pode apresentar valores diversos dependendo da estrutura do slido.
Nos slidos podem ocorrer vrios tipos de polarizao. Apresentamos alguns casos tpicos como
segue. Parafina (molcula no-polar): r = 2,2; NaCl (inica): r = 6; celulose (orgnico): r = 6,5;
BaTiO3 (ferroeltrico): r = 1500. Os ferroeltricos so materiais da classe de dieltricos no-lineares e
apresentam caractersticas e aplicaes especiais.
8 Circuito equivalente de um dieltrico
Considere a Fig. 5 que representa um circuito com uma fonte de corrente contnua em kV
aplicando tenso em um corpo de prova (um material isolante entre duas placas) no qual possvel
medir a variao da corrente no instante em que a chave fechada. A corrente que pode ser observada
indicada no grfico de ixt. Inicialmente a corrente decai exponencialmente (corrente de polarizao)
at estabilizar num determinado valor constante (corrente de fuga).

68

i
kV

iP

iF
t
Fig. 5 Ensaio em um dieltrico em cc; curva ixt; circuito equivalente do dieltrico.
A corrente de polarizao corresponde ao aumento das cargas nas placas at que essas fiquem
totalmente carregadas. A variao da corrente ocorre devido ao aumento gradual das cargas,
equivalente ao que ocorre em um capacitor ao se polarizar. A corrente de fuga ocorre devido
presena de cargas livres no dieltrico e corresponde corrente em um resistor. Portanto, IP equivale a
IC e IF equivale a IR. A corrente de fuga, por sua vez, divide em corrente superficial e volumtrica. A
corrente superficial depende de vrios fatores tais como as caractersticas da superfcie do dieltrico
(rugosidade, presena de impurezas, presena de lquidos etc) e do meio ambiente (presso,
temperatura, umidade relativa do ar etc). A corrente volumtrica corresponde corrente no interior do
material e da mesma forma depende de suas caractersticas como porosidade e impurezas alm de
fatores ambientais como a temperatura.
A resistncia de isolamento do dieltrico dada por R = V / iF.
Assim como a corrente de fuga se divide em volumtrica e superficial, a resistncia pode ser
considerada tambm a partir desses parmetros em volumtrica (RV) e superficial (RS):
RV = V [L/AV]
RS = S [L/LS]
Onde V = resistividade volumtrica (.m)
S = resistividade superficial ()
L = distncia entre os eletrodos (m)
AV = rea da seo transversal cortada pela corrente volumtrica (m2)
LS = largura da superfcie por onde a corrente superficial percorre (m)

A partir do modelo RC paralelo do dieltrico pode-se obter a constante de tempo = RC, que
corresponde ao tempo durante o qual o capacitor carregado.
Sendo R = [L/A] e C = ro[A/L], resulta:
= RC = r o
A constante de tempo maior quanto maior forem R e C. Se R grande, implica que a corrente
demora a descarregar pelo resistor. Se C grande, implica que gasta-se muito tempo para descarregar
toda a carga armazenada no capacitor.
9 Isoladores eltricos
Os isoladores eltricos so construdos considerando-se o efeito da resistividade volumtrica e
superficial. A resistividade volumtrica depende especialmente do material utilizado. Os mais usados
so isoladores de porcelana, de vidro temperado, de epxi e polimricos. A forma do isolador tem uma
69

geometria (denominada de saias) cuja funo aumentar a resistncia superficial, reduzindo a

corrente de fuga superficial que, por sua vez, depende dos fatores externos tais como poluio, chuva e
umidade. Essa geometria tem tambm a funo de dispersar as linhas de campo eltrico no isolador,
reduzindo as descargas eltricas superficiais, especialmente quando o mesmo submetido
sobretenso. A Fig. 6 apresenta imagem de isolador de porcelana onde podemos observar detalhes das
saias com as funes acima descritas.

Fig. 6 Isolador de porcelana tipo disco

A Fig. 7 apresenta a variao da resistividade superficial de um isolante em funo da umidade
relativa do ar e do tipo de material: no-polar, polar sem poros e polar com poros na superfcie.
Observa-se a reduo da resistividade superficial com o aumento da umidade do ar no material polar
com poros.

Material no-polar
Material polar sem poros
Material polar com poros

Umidade relativa do ar
Fig. 7 Resistividade eltrica superficial em funo da umidade relativa do ar
10 Perdas dieltricas
Perda dieltrica corresponde energia dissipada em um dieltrico na unidade do tempo,
quando o material est submetido a um campo eltrico, resultando em aquecimento. Se a tenso da
fonte c.c. as perdas ocorrem devido corrente de fuga que depende da resistividade volumtrica e
superficial. Se a fonte c.a. alm da corrente de fuga uma srie de fatores interferem nas perdas e
relacionam-se aos efeitos de polarizao. Nos isoladores eltricos a presena de impurezas e de
umidade, aliada a porosidade e ranhuras na superfcie dos mesmos, determinante nas perdas de
energia e na capacidade de isolao desses dispositivos.
As perdas em c.a. podem ser avaliadas quantitativamente a partir do modelo de um circuito RC
paralelo de um dieltrico cujo diagrama fasorial da tenso e corrente apresentado na Fig. 8.
IR
IC

Fig. 8 Diagrama
fasorial para um
dieltrico com modelo RC
paralelo

V
70

A corrente de fuga I = IC + IR. Consideramos, no modelo RC paralelo, os elementos ideais.

No capacitor a corrente est adiantada 90o da tenso e no resistor a corrente est em fase com a tenso.
O ngulo entre I e IC o ngulo de perdas dieltricas . Definimos a tangente desse ngulo como
tangente de perdas dieltricas:
tg = IR / IC
O valor de maior quanto maior for a IR. Desta forma, se IR for zero, o que caracteriza uma situao
ideal, as perdas sero nulas. Maior significa maiores perdas dieltricas. O inverso da tg o fator de
qualidade do dieltrico:
Q = 1/tg
A potncia ativa dissipada no resistor :
P = VIR = V IC tg
Sendo IC = V.2..f.C ou IC = VwC ento a potncia ser:
P = V2 wCtg
A equao das perdas acima indica que os fatores que interferem nas perdas dieltricas so
relacionados ao material assim como ao campo eltrico. Quanto ao material considera-se parmetros
como a tg e a capacitncia. Em relao ao campo a intensidade e freqncia influem tambm no valor
das perdas. A tg e a capacitncia, por sua vez, so dependentes da freqncia do campo.
11 Tipos de perdas dieltricas
Os tipos de perdas dieltricas dependem do tipo de material e esto relacionados tanto
corrente de fuga quanto aos processos de polarizao que podem ocorrer no material.
1 Perda por corrente de fuga
A corrente de fuga (IF) nos dieltricos surge devido presena de cargas eltricas no material que
podem ser internas (IV) ou na superfcie (IS). Fatores externos tais como temperatura, umidade e
presena de impurezas (devido poluio ou maresia, por exemplo) podem aumentar as correntes de
fuga e, portanto, as perdas. Pelo modelo RC paralelo o aumento de IF implica no aumento da tg.
Fatores externos, como a poluio, aumentam a corrente de fuga superficial e, consequentemente, as
perdas. Nos equipamentos eltricos essas perdas podem ser reduzidas mediante procedimentos de
manuteno adequada nas partes isolantes da rede e dos equipamentos.
2 Perdas por polarizao
So perdas que ocorrem nos dieltricos de estrutura dipolar e inica. A vibrao trmica dos dipolos
eltricos e ons, sob ao de corrente alternada, produzem dissipao de energia e aquecimento. Existe
um valor caracterstico de frequncia de campo para o qual a vibrao mxima e, portanto, a perda
mxima. A temperatura tambm interfere nessas perdas. Como as perdas so proporcionais tg,
existe uma temperatura para a qual a tg mxima, que corresponde ao valor mximo de vibrao dos
dipolos.

71

3 Perdas por ressonncia

Estas perdas ocorrem quando a frequncia do campo fica prxima frequncia natural de oscilao
das cargas no dieltrico. Para cada tipo de material existe uma frequncia natural de oscilao que
caracteriza o mximo de perdas por ressonncia.
4 Perdas por ionizao
So tpicas de dieltricos no estado gasoso e ocorrem quando o campo eltrico aplicado produz o
incio da ionizao no gs. Seu efeito mais prejudicial pode ocorrer em dieltricos slidos com poros
contendo gs. Nesses poros surgem descargas parciais que produzem desgastes no interior dos poros
podendo resultar em danos para os materiais. Nas redes eltricas as perdas por ionizao no ar
resultam no fenmeno denominado Efeito Corona que implica em perdas na rede. Os fatores resultam
em aumento do Efeito Corona relacionam-se geometria do campo eltrico (entre fases e fase-terra),
superfcie do cabo (que pode ser lisa, com pequenas pontas, com curvatura irregular etc), umidade
(como acmulo de gotas de gua na superfcie do cabo), s impurezas depositadas no cabo (poluio,
maresia etc) dentre outros fatores. Efeitos similares podem ocorrer nos isoladores eltricos.
5 Perdas por migrao
Corresponde polarizao por migrao em pequenas regies no slido, produzindo aquecimento em
determinados pontos do material.
12 Perfurao nos dieltricos e rigidez dieltrica
Existe um valor de campo eltrico para o qual os dieltricos perdem suas caractersticas
isolantes e passam a conduzir correntes abruptamente. Nesses casos o material sofre uma perfurao.
O valor do campo que produz a perfurao do isolante denominado de rigidez dieltrica e dado
por:
ED = VR / d
Onde VR a tenso de ruptura do material e d a distncia entre as placas onde o campo eltrico
aplicado.
A unidade mais utilizada para ED kV/mm.
A fig. 9 indica dois eletrodos com distncia d e um dieltrico entre os mesmos. O grfico de ixV
indica que a perfurao ocorre quando a tenso atinge o valor de ruptura (VR) e a corrente aumenta
subitamente entre as placas.
d
i

V
+

- kV

VR

Fig. 9 Dieltrico (isolante) entre dois eletrodos e curva ixV indicando a perfurao

72

13 Perfurao nos gases

Em muitas situaes nas instalaes eltricas e nos equipamentos eltricos o ar usado como
isolante. A rigidez dieltrica do ar , no entanto, inferior de diversos outros gases assim como
inferior dos lquidos e slidos de uma maneira geral. Quando um gs submetido a um campo
eltrico, h a liberao do eltron livre no catodo que pode ocorrer com os fenmenos de emisso de
campo ou emisso termoinica. Dessa forma os ons e eltrons livres no meio gasoso adquirem uma
energia adicional dada por:
W = q.Vx
Onde q a carga do eltron e Vx a tenso ao longo do espao livre percorrido x. Sendo o campo
homogneo a intensidade de campo :
E = Vx / x
Resulta:
W = q.E.x
Se o deslocamento das partculas (eltrons e ons) no espao livre resultar em um valor de energia W
maior que a energia de ionizao do gs (Wi), pode ocorrer excitao ou ionizao das molculas do
gs com conseqente produo de ftons e/ou mais eltrons livres no meio gasoso. Esse processo
tende a acelerar at um fenmeno de avalanche que caracteriza a perfurao do gs. Nos meios
gasosos esse fenmeno caracterizado como arco voltaico, que consiste em um meio de alta energia
produzindo altas temperaturas e desgaste dos materiais envolvidos no processo.
14 Perfurao nos dieltricos lquidos
A rigidez dieltrica dos lquidos muito maior que a dos gases em condies normais. A
perfurao nos lquidos pode ser de trs tipos, conforme descrito a seguir.
1 - Perfurao eletrnica
De forma semelhante ao que ocorre nos gases este processo de perfurao desenvolve devido
existncia de eltrons livres que adquirem energia suficiente para ionizar as molculas do lquido. A
liberao do eltron livre no catodo pode ocorrer com os fenmenos de emisso de campo e emisso
termoinica. Observa-se que um dos fatores que eleva o valor da tenso de ruptura dos lquidos, em
relao aos gases, o fato das molculas dos lquidos estarem mais prximas entre si que a dos gases.
2 - Perfurao por cativao
Este efeito est relacionado com a formao de bolhas no lquido. Quando surge uma bolha
esta tender alongar-se na direo do campo de forma a minimizar a energia potencial sob ao do
campo. O formato adquirido pela bolha facilitar a perfurao do lquido. A Fig. 10 indica uma bolha
normal que no est submetida ao do campo eltrico e o efeito na bolha sob ao do campo que
caracteriza o processo de perfurao.

73

Fig.10 - Bolha em um lquido sem campo eltrico e alongamento da bolha sob efeito do campo
eltrico.
3 - Perfurao por partculas suspensas
Se o lquido apresenta partculas suspensas, essas partculas sero polarizadas sob ao do
campo eltrico mediante ao de uma fora que tender a alinh-las entre os dois eletrodos. Desta
forma as partculas formaro uma ponte entre os dois eletrodos podendo constituir um caminho para a
perfurao do dieltrico lquido. A Fig. 11 representa esquematicamente esse fenmeno. A presena
de umidade tambm um fator determinante na perfurao de um lquido isolante. A Fig. 12 indica a
variao da rigidez dieltrica do leo mineral isolante com a temperatura, considerando o leo puro
(curva 1) e o leo com umidade (curva 2).

Fig. 11- Efeito das partculas suspensas no lquido sob campo eltrico.

Fig. 12- Rigidez dieltrica do leo mineral isolante em funo da temperatura.

1 - leo seco; 2 - leo com umidade.

74

15 Perfurao nos dieltricos slidos

Podemos caracterizar os seguintes tipos de perfurao nos slidos.
1 - Perfurao eltrica.
Esta perfurao desenvolve-se por um processo puramente eletrnico, no qual poucos eltrons
livres iniciais criam no slido um avalanche eletrnico. Caracteriza-se por desenvolver muito
rapidamente (10-7 a 10-8 s). A movimentao dos eltrons resulta dissipao de energia na rede
cristalina. Os eltrons que alcanam uma velocidade crtica determinada arrancam novos eltrons o
que significa produzir no slido uma ionizao por choques com eltrons. Observa-se que em
materiais com maior energia de ligao da rede cristalina a tenso de ruptura maior. Em monocristais
de estrutura uniforme, como alguns polmeros, Ed atinge valor muito elevado.
2 - Perfurao trmica
A perfurao trmica ocorre devido ao aquecimento do material sob ao do campo eltrico,
atingindo valores de temperatura correspondente s perdas de suas propriedades isolantes com o
correspondente aumento da condutncia transversal e das perdas dieltricas. Os dieltricos orgnicos
apresentam valores mais baixos de tenses de ruptura correspondente perfurao trmica que os
inorgnicos. Para calcular a tenso de perfurao trmica do dieltrico deve-se considerar sua tg e
constante dieltrica em funo da temperatura. Alguns materiais acusam crescimento brusco da tg
quando a temperatura ultrapassa 20 a 300C. Outros materiais j apresentam a variao da tg dentro do
intervalo amplo de temperatura (150 - 2000C). A perfurao trmica ir ocorrer em torno destes
valores de temperatura. A temperatura de aquecimento de um isolador se estabelece quando o calor
desprendido igual ao calor transferido ao meio ambiente. Para os slidos existe uma classificao em
classe de isolamento que indica a temperatura que o material pode ser submetido sob campo eltrico
sem causar danos ao mesmo.
3 - Perfurao por descargas parciais.
Alguns tipos de isolantes apresentam cavidades ou poros contendo gases com menor valor de
tenso de ruptura que o slido. A constante dieltrica do material dos poros normalmente menor que
a constante dieltrica do isolante slido, o que causa uma intensidade de campo maior nos poros. Essa
caracterstica dos slidos pode resultar em um fenmeno denominado de descargas parciais. A Fig. 13
indica o efeito do poro no interior de um slido, considerando-se os parmetros D, E e P.

75

Fig. 13 Vetores D,E,P em um dieltrico com poros, sendo = constante dieltrica do slido e 1=
constante dieltrica no poro.
Sendo a densidade de fluxo eltrico a mesma nos dois meios, temos:

E =

E1 =

campo eletrico no solido

campo eletrico no poro

Se > 1 , ento
E < E1

Sob condies normais de trabalho a tenso na cavidade pode exceder o valor de ruptura do dieltrico.
Podemos propor um modelo para um circuito que represente a situao do dieltrico acima, conforme
Fig. 14.

76

C = capacitncia do dieltrico;
C1 = capacitncia do poro submetido a uma tenso V1.

Fig. 14 - Circuito equivalente para dieltrico com poros

Como a densidade de carga no poro igual densidade de carga no dieltrico, ento.

0 r1 E1 = 0 r E
r 1 E1 = r E
Se na cavidade temos o ar, r1 = 1 e sendo E1 = V1/d1 e E = V/d resulta:

V1
V
= r
para d1 << d
d1
d
Sob uma tenso V, quando V1 alcana o valor de ruptura na cavidade ir ocorrer descarga eltrica
nesta cavidade. A Fig. 15 mostra a sequncia de descargas sob tenso alternada senoidal na cavidade.
A linha pontilhada indica a tenso (V1) que apareceria na cavidade se no houvesse descarga. Assim
que V atinge o valor V1 a descarga ocorre e a tenso cai. Novamente a tenso na cavidade aumenta at
V1 quando ento ocorre nova descarga. Portanto diversas descargas ocorrero. Teremos ento pulsos
de corrente positivos e negativos dentro da cavidade.
Alguns eltrons colidindo no anodo podem ter energia suficiente para quebrar as ligaes
qumicas do slido na superfcie. De forma anloga, bombardeios no catodo por ons positivos podem
causar danos pelo aumento da temperatura e produo de instabilidade trmica local. Como resultado
dessas descargas haver uma degradao qumica com consequente produo de 03 e N02, aumentando
assim das perdas dieltricas. Esta deteriorao da malha produz descargas parciais no material e
consequentemente reduz a espessura do slido at resultar em sua total perfurao. O tempo para
ocorrer a perfurao por descargas parciais pode ser de poucos dias ou vrios anos.

77

Fig. 15 - Sequncia de descargas em uma cavidade sob tenso alternada.

A Tabela 2 indica o valor da rigidez dieltrica de alguns materiais slidos na frequncia de 50Hz.
Tabela 2 Rigidez dieltrica e a estrutura de alguns slidos
MATERIAL
Vidro
NaCl
Mica
Papel impregnado
Cermica
Micalex
Plstico
Mrmore
Cermica c/ poros
Madeira
Papel no imprenado

Ed (kV/mm)
100 - 300
100 - 150
100 - 300
100 300
10 30
10 - 15
10 15
45
1,5 - 2,5
4-6
7 10

ESTRUTURA
Homogneo e denso; laminado
com campo perpendicular s
lminas
no
homogneo
interligados

poros

com porosidade aberta

16 Dieltricos lineares e no lineares: aplicaes na engenharia

Dieltricos lineares so caracterizados pelo fato de sua polarizao P ser diretamente
proporcional intensidade do campo dieltrico E, isto :
P = E oE
Sendo 0 constante e E susceptibilidade dieltrica. Nos dieltricos no-lineares essa relao entre P e
E no obedece, como o prprio termo indica, a uma relao linear i.e., E varia com o campo. Os
principais dieltricos no-lineares so descritos a seguir.
Ferroeltricos
Este tipo de dieltrico apresenta as seguintes caractersticas:

78

a) histerese sob ao de uma tenso alternada, semelhante ao ciclo de histerese magntico, no que se
refere relao entre carga e tenso aplicada;
b alto valor de permeabilidade ;
c - suas propriedades variam significativamente com a temperatura;
d pode ocorrer polarizao espontnea sem presena de um campo eltrico atuando no dieltrico.
Portanto, o comportamento dos ferroeltricos sob ao de um campo eltrico, assemelha-se ao
dos ferromagnticos sob ao de um campo magntico. Exemplo de ferroeltrico: sal de La Rochelle
(Na K C4 H4 )6 . 4H2 0) e Ba Ti 03. A polarizao espontnea nos ferroeltricos desaparece em certas
temperaturas, denominada ponto de Crie do ferroeltrico. Equivale dizer que a constante dieltrica
varia com a temperatura.
Electreto
Um electreto um dieltrico que conserva sua polarizao por um longo tempo depois de ter
sido retirado o campo dieltrico que produziu esta polarizao. Podemos fazer analogia com os
materiais magnticos que permanecem magnetizados mesmo depois de retirado o campo magntico.
Piezoeltricos
Quando um cristal no possui um centro de simetria, ou seja, o cristal no apresenta
distribuio simtrica dos tomos, este cristal pode ser polarizado por deformaes mecnicas devido
ao deslocamento dos ons. Os cristais piezoeltricos aplicam-se em transdutores que transformam
energia eltrica em mecnica e vice-versa, em microfones, acendedor de chamas , etc.
A Fig. 16 mostra um cristal com centro de simetria que no apresenta a caracterstica de
piezoeletricidade e um cristal sem simetria que, submetido a uma deformao mecnica ir provocar o
aparecimento de um pulso de tenso devido energia fornecida aos ons assimetricamente
distribudos.

Quando os ons, antes tracionados, retornam sua

posio original, iro provocar o aparecimento de uma
d.d.p.

Fig. 16 - Piezoeletricidade
79

Cristal lquido
Os cristais lquidos constituem uma classe de materiais denominados eletro-pticos. O efeito
eletro-ptico aparece em funo de uma alterao na permissividade da substncia sob ao de um
campo eltrico. O cristal lquido foi descoberto em 1888, porm aplicado comercialmente cerca de 100
anos depois. Estas substncias apresentam um estado intermedirio entre lquido e slido, com as
propriedades especficas dos cristais (anisotropia) e dos lquidos (fluidez). O estado caracterstico do
cristal lquido depende da temperatura. Abaixo de uma determinada temperatura o material poder
apresentar-se no estado slido, acima de uma determinada temperatura no estado lquido. Na fase
cristal-lquido em que a substncia apresenta uma fase intermediria de transio denominada
mesofase.
A molcula do cristal lquido apresenta uma forma alongada. Assim para a molcula de pmetoxibenzilidene-p-n-butyl-anilina, cuja mesofase corresponde faixa de temperatua de 22 a 480C,
tem a forma.

De acordo com sua estrutura classificam-se os cristais lquidos em: nemtico - as molculas alongadas
so dispostas enfileiras; smctico - as molculas so orientadas em camadas ou em grupos; colestrico
- as molculas so dispostas em camadas porm orientada na forma de espiral. Fig. 17.

Fig. 17 - Estrutura dos cristais lquidos

O cristal cido n-heptyl-oxienzico varia de fase com relao temperatura da seguinte forma:

A orientao das molculas resulta em determinadas propriedades anisotrpicas do cristal lquido:

ndice de refrao, permissividade, resistividade, viscosidade, etc, parmetros que so diferentes se
aplicados paralelamente ou perpendicularmente ao eixo molecular. A Fig. 18 mostra a variao do
ndice de refrao no cristal lquido que anisotrpico abaixo de uma determinada temperatura Tiso e
isotrpico acima desta temperatura. Enquanto o cristal anisotrpico temos o ndice de refrao igual
a N0 se aplicado na direo paralela ao eixo. Quando o material no mais apresenta a fase de cristal
lquido, torna-se isotrpico.

80

Fig. 18 - ndice de refrao versus temperatura para o p-azoxy-anizole

As propriedades do cristal lquido so similares s propriedades dos ferroeltricos, consistindo
tambm de regies em que as molculas alinham-se numa mesma direo (domnios). Alguns cristais
lquidos apresentam uma histerese sob ao de um campo alternado.
Fatores externos podem alternar a estrutura dos cristais lquidos como temperatura, presso,
campo eltrico e magntico. Estas mudanas na estrutura resultam em alteraes nas propriedades
eltricas, pticas, etc. Alteraes nas propriedades pticas do cristal lquido submetidos a um campo
eltrico externo constituem o princpio de operao de alguns dispositivos. Um pequeno campo
eltrico aplicado no cristal lquido tende a alinhar as molculas na direo do campo. Porm quando a
tenso excede um determinado valor destruda a estabilidade da estrutura. Com a tenso ainda mais
elevada, as molculas apresentaro um movimento turbulento e tornam opticamente no homogneas.
Neste estado o cristal lquido espalha luz em todas as direes. Desta forma h uma mudana na
transparncia do lquido sujeito a um campo eltrico. O tempo para ocorrer este processo de 1 a
10ms. Clulas de cristais lquido consiste de 2 eletrodos transparentes separados por cristal lquido,
com espessura por volta de 5 a 50m. Aplicando uma tenso de limiar neste eletrodos ocorre o
processo de espalhamento e reflexo da luz. utilizado nos visores (display) de CL. A resistividade de
cristais lquidos puros da ordem de 108 - 1010 m. Uma clula de cristal lquido no consome mais
que 1W/m2 enquanto que um LED consome aproximadamente 105W/m2.
Vidro
O vidro uma substncia amorfa constituda por sistemas complexos de diversos xidos. A
densidade do vidro varia de 2000 a 8000kg/m3 e a resistncia compresso muito maior que
trao. Como se trata de um composto amorfo o vidro no apresenta uma temperatura de fuso em
definida. Ao aquecer a viscosidade diminui paulatinamente, comeando a deformar entre 400 e
16000C. Quando se aquece ou esfria o vidro repentinamente, aparecem tenses mecnicas que tendem
a quebr-lo, devido irregularidade de distribuio de temperatura atravs do material. A maioria dos
vidros transparente aos raios visveis do espectro eletromagntico. Havendo impurezas de xido de
ferro o vidro absorve os raios ultravioletas. O ndice de refrao varia entre 1,47 e 1,96. Vidros de
peso atmico pequeno so transparentes aos raios X. Vidro com pouca estabilidade hidroltica
apresenta pouca resistividade superficial, sendo que o quartzo tipo mais estvel. Dependendo de sua
composio a resistividade varia de 106 a 1015 m, varia de 3,8 a 16,2 e tg varia de 0,0002 a 0,01.
A condutividade superficial depende do estado da superfcie, sendo que em tenses contnuas e campo
homogneo Ed chega a 500kV/mm. Na fabricao do vidro o material deve ser fundido rapidamente.
81

Se a substncia fundida lentamente aumenta a probabilidade desta passar ao estado cristalino. A

matria prima utilizada areia de quartzo Si02, Na2C03, K2C03, CaC03 MgC03, Na2SO4, etc. Dentre
diversas aplicaes do vidro, vamos destacar a fibra ptica, cuja funo transmisso de dados.
Fibra ptica um filamento fabricado com material de vidro ou plstico, usado para
transmisso de informao por intermdio da luz. A informao transmitida ao longo da fibra de
comunicao ptica atravs de um sinal de luz varivel. Isto pode ser comparado a sinais eltricos
variveis em um fio de cobre. A fibra anloga a um condutor de um cabo eltrico no sentido de
transmitir informaes. Um cabo ptico pode ter uma ou mais fibras envolto por uma capa protetora.
As fibras de comunicao ptica so eletricamente seguras, transportam grandes quantidades de
informaes, so imunes interferncia eletromagntica, apresentam boas caractersticas dieltricas,
no apresentam perigo de incndio e so flexveis.
Uma fibra nica apresenta dimetro na faixa de 0,02 a 2mm. Um filamento de fibra tica (Fig.
19) constitudo de um ncleo e uma capa externa de vidro de composio e ndices de refrao
diferene entre si. Sendo n1 e n2 os ndices de refrao do ncleo e da capa respectivamente necessrio
que n1 seja maior que n2. Um raio de luz que incidir do meio mais denso (ncleo) com o meio menos
denso (revestimento), ir refletir internamente e desta forma prosseguir ao longo da fibra sem sair do
espao circundante, at a extremidade da fibra.

Fig. 19 - Raio de luz em uma fibra tica

Um raio de luz incidindo sobre a interface entre materiais ticos transparentes com ndices de
refrao diferentes ser totalmente refletido internamente se o raio estiver no material mais denso e
desde que o ngulo formado pelo raio com a normal para a interface for maior que um ngulo crtico.
Um raio de luz atravessando uma fibra de 50m de dimetro pode ser refletido 100 vezes por
centmetro de comprimento da fibra. Este nmero aumenta em proporo direta diminuio do
dimetro. A reflexo interna total entre dois meios pticos transparentes resulta numa perda de menos
de 0,001% por reflexo.
A temperatura mxima de operao das fibras de vidro pode situar-se em torno de 4000C. As
fibras de slica podem ser usadas em temperaturas muito mais altas. A fibra ptica apresenta grande
flexibilidade e resistncia mecnica devido orientao das molculas de sua capa superficial e ao
processo de fabricao onde o filamento de vidro fundido resfriado rapidamente. Na fabricao o
vidro fundido numa cuba em alta temperatura. No fundo da cuba contm orifcios por onde saem fios
de massa vtrea. Este fio enrolado em cilindro mantendo-se flexvel. Como a principal funo da
fibra tica o transporte de luz a capacidade e caracterstica da transmisso depende de perdas da
reflexo superficial de entrada e sada, da disperso interfacial do ncleo, do tamanho da fibra, da
homogeneidade do vidro do ncleo, dos defeitos do ncleo e do revestimento. A fig. 20 apresenta um
esquema simplificado de transmisso e recepo de sinal por uma fibra ptica. Os ndices
apresentados indicam:

82

1 - Chave ou contato NA
2 - rel
3 - Circuito eletrnico
4 - LED
5 - Fibra tica
6 - Fototransistor
7 - Circuito eletrnico
8 - Rel
9 - Contato NA do rel B
10 - Lmpada de sinalizao

Fig. 20 - Esquema simplificado de um transmissor-receptor usando fibra tica.

QUESTES
1 Conceituar polarizao e descrever os tipos de polarizao.
2 Descrever os vetores E, P e D relacionados aos dieltricos.
3 explicar o significado fsico de e .
4 Considere os dados da Tabela 1 para responder aos itens seguintes: a) qual o material que
apresenta maior polarizao; b) qual o melhor isolante eltrico; c) qual o valor da polarizao no
vcuo; d) qual o material indicado para se obter um maior valor de capacitncia em um capacitor de
placas paralelas.
5 Com relao Fig. 2, considere que cada par de carga +/- equivale a 1nC/m2. Obter o valor de : a)
Do (no vcuo); b) D (com material dieltrico entre as placas); c) R do material.
6 Explicar a diferena entre dieltrico polar e no-polar e suas aplicaes nos equipamentos e
dispositivos.
7 Qual a relao entre constante dieltrica e frequncia para: a) dieltrico polar; b) dieltrico nopolar.
8 Explicar porque a constante dieltrica relativa dos gases prxima de 1.
9 Interpretar os dados da Tabela 2.
10 Explicar a diferena entre dieltricos lineares e no-lineares.
11 Avaliar o que significa a constante de tempo de um dieltrico.
12 Citar e explicar os fatores que interferem na condutncia superficial de um isolador.
13 Explicar o que o ngulo de perdas de um dieltrico e a relao com o fator de qualidade.
14 Explicar o circuito RC equivalente do dieltrico.
15 Citar e explicar os tipos de perdas dieltricas.
16 Explicar os fatores que interferem na perfurao de dieltricos: a) gasoso; b) lquido; c) slido.
83

17 Explicar como ocorre a perfurao por descargas parciais em um slido com poros.
18 - Um isolador apresenta tg = 2x10-2. Um ensaio realizado no isolador com tenso de 10kV, 60Hz,
resultou em 0,01W de perdas. Calcular: a) a capacitncia equivalente do isolador; b) a resistncia
equivalente. Considere o modelo RC paralelo.
19 - Um isolador de material homogneo e forma cilndrica apresenta as seguintes dimenses:
altura = 10 cm; dimetro = 6 cm. As resistividades, volumtrica e superficial para o isolador so: V =
5x1012.m e S = 8x1011. Calcular a resistncia equivalente. Calcular as correntes IV e IS para uma
tenso aplicada de 5kV, 60 Hz.

TEMAS PARA PESQUISA

- SF6 : caractersticas e aplicaes na engenharia
- Isolantes e isoladores eltricos: materiais usados, tipos, ensaios eltricos
- Cristal lquido e princpio de operao do LCD
- Fibra tica: princpio de atuao, tipos, aplicaes
- Piezoeletricidade: princpios fsicos e aplicaes
- Eletretos: princpios fsicos e aplicaes
- Materiais ferroeltricos: propriedades e aplicaes
- Isolantes lquidos: tipos, caractersticas, aplicaes
- Descargas parciais nos isolantes slidos
- O efeito corona
- Perfurao nos isolantes slidos
- Descargas superficiais em isoladores
- ndice de polarizao e ndice de absoro nos isolantes
- Ensaios em equipamentos da alta tenso
- O vcuo em altas tenses
- Cabos de alta tenso: construo, funes da blindagem e da fita semicondutora

84

5
MATERIAIS MAGNTICOS
Neste captulo o estudo direciona-se para o comportamento dos materiais sob ao do campo
magntico. Assim como foi realizado nos captulos anteriores faremos um estudo do comportamento
magntico dos materiais, inicialmente focalizando esses aspectos no nvel microscpio e a partir da
estudar suas principais propriedades e aplicaes na engenharia. Veremos que os efeitos magnticos
so produzidos pelos eltrons circulando em torno do ncleo do tomo e que um campo magntico
externo poder produzir momento de dipolo magntico induzido em um material, modificando o
campo original. Iniciamos nosso estudo pela anlise do movimento do eltron em uma rbita circular
e do momento magntico resultante, definindo o magnton de Bohr. Apesar de destacarmos os
vrios tipos de materiais quanto ao comportamento sob campo magntico, o foco desse estudo ser
principalmente os materiais ferromagnticos, tendo em vista analisar suas propriedades e aplicaes
nos equipamentos eltricos.
Aspectos tericos e fundamentos conceituais que devero ser compreendidos:
- o princpio de magnetizao nos materiais e o magnton de Bohr;
- os tipos de materiais em funo do comportamento magntico;
- anlise qualitativa e quantitativa envolvendo as grandezas: campo magntico, magnetizao,
permeabilidade magntica, susceptibilidade magntica;
- o ciclo de histerese magntica;
- as perdas magnticas e os meios usados para reduzi-las;
- as principais ligas magnticas e suas aplicaes.
1 O Magneton de Bohr
Seja um eltron movendo-se com velocidade V numa rbita circular de Bohr (Fig. 1).

Fig. 1 - rbita circular de Bohr

O momento deste eltron ser

= r x F
r = raio do tomo
F = fora tangencial que produz a rotao do eltron.

85

O momento angular P ser.

d P = dt
temos

F = m a = m d v/ dt
m = massa do eltron
Sendo

= d p / dt
Ento

d p
dv
= r x F = m
x r
dt
dt

Resulta

P = mvr
Pela relao de deBroglie, com o princpio da dualidade onda-partcula, temos.

mv =

Sendo

n = 2r
Resulta

2r
n

Da equao de deBroglie obtemos

h
mv

Resulta das equaes acima que

h
2r
=
n
mv
O valor de r ser

86

r =

nh
2mv

P = mv

P = n

nh
nh
=
2mv
2

h
2

O momento angular do eltron um inteiro de quantidade h/2= h.

Igualando as equaes do momento angular e considerando a rbita do tomo de H ( n = 1), obtemos.
mvr =

h
2

r =

h
2mv

Ou ento

O eltron no tomo H girando na rbita n = 1 em torno do ncleo apresenta um momento magntico.

Por outro lado podemos considerar o eltron circulando no tomo de H equivalente a uma corrente.

I =

q
q
=
t
2 / w

Onde t = 2/w = perodo

Esta corrente correspondente a um momento magntico m cujo valor
m = IA
Onde A = rea da circunferncia percorrida pela corrente I, figura 2.

Fig. 2 - Corrente numa circunferncia de rea A.

Das equaes de corrente acima resulta

m =

q
qw 2
r
A =
t
2
87

m =

qwr 2
2

Temos ainda que

v = wr
Tomando a equao do raio

r =
r

h
1
2 mwr

h
1
2 mw

Substituindo a equao de r na do momento magntico (acima), obtemos o magneton de Bohr

mB =

qw h
hq

=
2 2mw
4m

mB =

hq
2m

Onde

h =

h
2

O magnton de Bohr uma unidade natural que mede o momento de dipolo magntico
atmico, ou seja, mede o momento do eltron girando em sua rbita, para uma rbita circular de Bohr.
O valor de mB 9,3 x 10-24 A.m2.
Neste captulo consideraremos o conceito de magnton de Bohr aplicado ao comportamento
magntico dos materiais.
2 Diamagnetismo
Considera-se que todos os materiais apresentam um comportamento diamagntico, porm em
muitos deles a existncia de um momento magntico permanente mascara este efeito devido aos
momentos de dipolos induzidos, conforme vermos nos paramagnticos
Nos diamagnticos quando aplicamos um campo B resulta uma magnetizao M. Quando B
removido M desaparece. Portanto os materiais diamagnticos no apresentam magnetizao
permanente, porm podem sofrer uma magnetizao por efeito de um campo externo. Esta
magnetizao ir reduzir o campo interno total no material.
Vamos analisar como ocorre esse efeito nos materiais. Considere um eltron numa rbita
circular de raio r, com momento de spin ms (Fig. 3). Sem campo externo, temos morb = ms, portanto
morb + ms = 0. O material, neste caso, no apresenta magnetizao.
88

Fig.3 - Eltron numa rbita circular de raio r.

Momento orbital morb e momento de spin ms.

Ao aplicarmos um campo externo observa-se um aumento da fora centrfuga resultando

diminuio da velocidade orbital do eltron para manter o raio constante. Como resultado da reduo
da velocidade, o morb diminui de forma que teremos morb menor que ms o que, por sua vez, implica na
reduo do campo interno em relao ao campo externo. Assim, a susceptibilidade magntica
negativa nos diamagnticos.
3 Paramagnetismo
Os materiais paramagnticos apresentam dipolos magnticos i .e, momento orbital e momento
de spin, mesmo na ausncia de campos externos. Portanto existem dipolos atmicos, porm estes
anulam-se quando no h campo externo aplicado. Neste caso a magnetizao resultante nula.
Se aplicarmos um campo magntico este tender a orientar estes momentos paralelamente ao
campo aplicado, que a posio de menor energia, ou seja, ocorre o alinhamento dos dipolos
permanentes com o campo. Desta forma o campo dentro do material cresce. Os eltrons em rbita
apresentam um comportamento diamagntico, porm este efeito, por ser muito fraco, mascarado pelo
paramagnetismo. O efeito paramagntico, que consiste na tendncia de orientar dos dipolos
magnticos dificultada pela agitao trmica.
4 Ferromagnetismo
Nos materiais ferromagnticos, como o caso do Fe, Co e Ni, o momento de spin supera os
demais momentos magnticos, resultando em cada tomo um momento de dipolo alto e
consequentemente resulta a constituio dos domnios magnticos. Portanto a magnetizao devida
aos spins paralelos e no aos momentos de dipolos magnticos orbitais. Estes momentos magnticos
alinhados paralelamente constituem os domnios magnticos que surgem em pequenas regies do
material, que apresentam magnetizao individualmente.
Sem campo magntico externo os domnios magnticos anulam-se. No temos magnetizao
resultante no material. Quando aplicamos um campo magntico externo os domnios magnticos
sofreram um crescimento e rotao na direo do campo resultando um grande valor de campo
magntico interno (Fig.4).

89

Fig.4 - Domnios magnticos: com campo e sem campo externo aplicado no material
Analisaremos agora a razo da existncia dos domnios magnticos. Os domnios magnticos
surgem devido tendncia de todo sistema ocupar o menor estado de energia. Consideremos ento,
dois ims com orientao paralela entre si, em funo de seus plos (Fig. 5a).

Fig. 5 - Dois ims - a - paralelos; b antiparalelos

A fora mtua entre esses dois ims faz com que assumam posio antiparalela (Fig. 5b) que
uma posio de equilbrio estvel e de menor energia. Da mesma forma, em um material
ferromagntico, so gerados um grande nmero de domnios magnticos, de modo a reduzir a energia
interna. A configurao de menor energia aquela em que os domnios tendem a formar um ngulo
reto (Fig. 6) resultando um envoltrio fechado do campo magntico.

Fig.6 - Domnios magnticos - configurao de menor energia

A tendncia, portanto seria a formao de um nmero muito grande de domnios de volume
infinitesimal. Entretanto isso no ocorre, pois, medida que os domnios so formados, resulta
aumento na energia dos mesmos, que compensa a reduo acima referida. Esse aumento de energia
ocorre devido formao de paredes entre os domnios magnticos. A energia das paredes tem
90

duas componentes, a energia de troca e a energia de anisotropia. A anlise detalhada da natureza

dessas energias implica num estudo aprofundado em bases puramente qunticas. Sua anlise indica
que existe um efeito que impede a reduo dos domnios a nvel infinitesimal.
A energia das paredes e energia de troca pode ser analisada conforme descrito a seguir.
A parede dos domnios magnticos uma transio gradual e requer uma pequena quantidade
de energia para mover-se (Fig. 7). A parede a regio de transio de dois domnios (Fig. 7).

Fig.7 Parede: regio de transio de dois domnios magnticos.

Desta forma, para que todos os dipolos ficassem antiparalelos teria que vencer a energia das
paredes, que ope rotao dos mesmos. Existe um ponto no qual os dois processos se compensam,
i.e, h um ponto de mnima energia no qual a energia das paredes e a energia para girar os momentos e
torn-los antiparalelos se equilibraro.
Para o Fe temos o subnvel d com 6 eltrons. A energia de troca a energia dos quatro eltrons
em cada tomo, do subnvel d, dispostos como indicado na Fig. 8.
Podemos imaginar os spins como pequenos ims. Esses ims tendem a alinhar-se para ocupar
um estado de menor energia. Da mesma forma que no caso da energia das paredes, processo que
conduziria o sistema a um volume infinitesimal de pequenos ims antiparalelos, compensado pela
energia de troca. Portanto, assim como acontece com os ims, os momentos de spins tendero a uma
menor energia.

Fig. 8- Subnvel d tomo de Fe

Quanto energia de anisotropia podemos considerar que os momentos orientam-se em
direes preferenciais no cristal, de modo que a energia ser um mnimo quando todos os momentos
estiverem orientados ao longo da direo preferencial. Quando ocorre a rotao de um domnio dever
ser fornecido energia para que o sistema saia deste mnimo.
91

Analisaremos agora como ocorre o movimento dos domnios magnticos quando aplicamos
um campo magntico no material. Sob ao de um campo externo em um material no magnetizado
observamos primeiramente o crescimento dos domnios magnticos e finalmente a rotao dos
mesmos. Este fenmeno explicado a seguir.
Ao aplicarmos um campo externo no material inicialmente nota-se um crescimento dos
domnios cujos momentos magnticos formam um menor ngulo com a direo do campo (Fig. 9).
medida que intensificamos o valor do campo externo aplicado, maior valor de H, resulta o crescimento
dos domnios que vo orientando-se na direo do campo. Finalmente com o crescimento completo
dos domnios, ocorrer a rotao dos domnios restantes, que ainda no estavam alinhados com o
campo externo. Para obter a rotao dos domnios gasta-se grande quantidade de energia.

Fig. 9 - Crescimento e rotao dos domnios magnticos indicado na curva BxH

5 Ferrimagnetismo e antiferrimagnetismo
Em certas substncias cristalinas o mnimo de energia do sistema correspondente disposio
antiparalela dos momentos magnticos, sendo que haver uma preponderncia de um sentido sobre o
outro. Os materiais que apresentam esta caractersticas so os ferrimagnticos (Fig.10b).
Os antiferrimagnticos caracterizam-se por apresentar momentos magnticos que alinham de
forma oposta ou antiparalela (Fig. 10c). A Fig. 10 apresenta os domnios magnticos dos
ferromagnticos em comparao com os ferrimagnticos e antiferrimagnticos.

Fig.10 - a - Ferromagnticos ; b - Ferrimagnticos; c - Antiferrimagnticos

92

6 Magnetizao e vetores H, M e B
A induo magntica B0 resultante no vcuo, quando temos neste meio um campo magntico
H, dada pela relao
B0 = 0H
0 = permeabilidade no vcuo e tem valor 4 x 10-7 H/m.

onde,

a no vcuo

b com material
Fig. 11 Induo magntica em um entreferro: a no vcuo; b com material
A Fig.11 mostra os polos norte e sul de um im gerando campo magntico H. Quando o meio
entre os polos o vcuo, a permeabilidade 0 e o campo induzido B0 . Se entre os polos
introduzimos um material de permeabilidade magntica , ento a induo magntica B neste meio
ser:
B = H
Sendo > 0 , o campo induzido maior no meio em que existe um material ferromagntico.
Nesse caso o campo aumenta nesta regio. Podemos tambm escrever a induo magntica B na
seguinte forma.
B = 0H + 0M
onde M = magnetizao do material.
Observa-se que, quando introduzimos um material de r > 1, o campo acrescido de um valor
0M, no mesmo sentido do campo externo aplicado. Significa que o material contribui com este
aumento do campo. Isto ocorre devido orientao dos domnios magnticos do material sob ao do
campo externo aplicado. A intensidade deste campo interno depender do tipo de material que usamos.
Normalmente a permeabilidade de um meio dada em funo da permeabilidade no vcuo,
denominada de permeabilidade relativa.

93

r =

Um material sob ao de um campo H sofrer uma magnetizao M tal que M H. A

constante de proporcionalidade denominada susceptibilidade magntica, X m . Desta forma obtemos.
M = Xm H
Sendo B = H e dividindo os termos da equao de B (acima) por 0H, obtemos.

= 1 +
0
H
Resultando
r = 1 + m
Observe que a permeabilidade magntica relativa equivale ao valor da susceptibilidade magntica
acrescida da unidade. Sugerimos que o estudante compare essa equao e seus respectivos parmetros
com a equao dos dieltricos em que r = 1 + e
A Tabela 1 fornece a classificao de alguns materiais quanto a seu comportamento magntico e o
valor da permeabilidade relativa dos mesmos.
TABELA 1 Classificao dos materiais sob campo magntico

CLASSIFICAO

Bismuto

Diamagntico

0,99983

Prata

Diamagntico

0,99998

Chumbo

Diamagntico

0,999983

Cobre

Diamagntico

0,999991

gua

Diamagntico

0,999991

Vcuo

----

Ar

Paramagntico

1,0000004

Alumnio

Paramagntico

1,00002

Cobalto

Ferromagntico

250

Nquel

Ferromagntico

600

Ferro(0,2 de impureza)

Ferromagntico

5.000

Ferro-silcio (4 Si)

Ferromagntico

7.000

Mumetal

Ferromagntico

100.000

Supermaloy

Ferromagntico

1.000.000

MATERIAL

94

Os materiais diamagnticos apresentam r < 1 e implicam numa magnetizao negativa da

ordem de 10-5 . Os materiais paramagnticos apresentam r > 1 com valor muito pequeno e
magnetizao positiva da ordem de 10-5 . Para os ferromagnticos r e m so muito grandes resultando
em alta magnetizao.
7 Ciclo de histerese magntica
Os ferromagnticos apresentam um processo de magnetizao que implica no crescimento e
rotao dos domnios magnticos. Considerando um campo externo H aplicado no material e a
induo magntica resultante B, obtemos a curva indicada na Fig. 12, denominada ciclo de histerese.
Neste caso o campo H uma funo alternada senoidal.

Fig. 12 - Ciclo de histerese magntica

Segue o comentrio sobre a curva BxH. Considerando H a partir de zero, vemos que
inicialmente o aumento de H ir provocar uma pequena variao de B. O valor de B ir aumentar mais
rapidamente a partir de H1 at H2 . A variao de B torna novamente pequena a partir de H2 quando
inicia a induo de saturao Bs. A partir da aumentando-se o valor de H, B permanecer
praticamente constante. Isto ocorre porque todos os domnios magnticos foram orientados.
Se agora o valor do campo H reduzir, o valor de B ir diminuir, porm no passando pela
curva original. Desta forma, quando H = 0, teremos B = Br resultando no material um campo induzido
remanente quando retirado totalmente a ao do campo externo. Para continuarmos reduzindo o
valor de B necessrio invertermos o sentido do campo H (H fica negativo). Quando B = 0 o valor de
H = -Hc , denominado fora coerciva. O valor de H continuar aumentando neste sentido at
atingirmos B = - Bs. O processo de variao de B em funo de H continua no sentido oposto at
retornarmos ao valor de BS positivo. A curva obtida com a variao do campo sobre o material
denominada ciclo de histerese. O trabalho necessrio para obtermos este ciclo proporcional rea da
curva e ser considerado no item de perdas por histerese magntica.
8 Ponto de Curie
Acima de uma determinada temperatura, denominada temperatura de Crie, os materiais
ferromagnticos perdem a capacidade de magnetizao comportando-se como paramagntico. Isto
95

ocorre porque a agitao trmica quebra o alinhamento dos dipolos magnticos. Temos os seguintes
valores de temperatura de Crie - Tc.
Fe
1043K
Co
1400K
Ni
631K
Para valores de temperatura abaixo de Tc, podemos considerar que sendo N = nmero de spins
alinhados paralelamente no ferro de R = 1000, a magnetizao ser dada por.
M = N.mB
Se considerarmos M = 1,6 x 109 A/m e sendo mB = 9,3 x 10-24 A.m2

N =

1,6 x 109 A / m
= 1,7 x 1032 spins / m3
- 24
2
9,3 x 10 AXm

9 Anisotropia ferromagntica
Um monocristal ferromagntico apresenta orientao identificada pelas direes [100], [110] e
[111] (Fig. 13).

Fig. 13 monocristal cbico

direo 100 - aresta
direo 110 - diagonal da face
direo 111 - diagonal do cubo

A curva B x H depende do sentido de aplicao do campo em relao ao cristal. A

magnetizao ser funo do sentido do campo em relao a uma das direes [100], [110] ou [111],
sendo mais fcil numa direo que na outra, conforme indica a Fig. 14.

96

Fig. 14 - Magnetizao em funo do campo para as direes [100], [110] e [111].

a - ferro

b - nquel

10 Magnetostrico
O efeito de um campo magntico atravs de um slido faz com que suas distncias
interatmicas alterem-se, dependendo do sentido de aplicao do campo. Essas distncias podem
aumentar ou diminuir. Esse fenmeno denominado magnetoestrico (Fig. 15) que ocorre devido
rotao dos momentos magnticos do dipolo em campo alternado.

Fig. 15 Magnetoestrico: alterao das distncias interatmicas em funo de M

a - ferro

b - nquel

11 Perdas magnticas
As perdas magnticas ou perdas no ferro so de dois tipos: perda por histerese e perda por
correntes parasitas.

97

Perda por Histerese (PH)

A perda por histerese se expressa pela frmula.
PH = K . f . B
K = constante que depende do tipo de ferro
f = frequncia de magnetizao
= expoente para a induo B, determinado experimentalmente
B = valor mximo da induo magntica, para B entre 0,8 e 1,6 T, temos = 2
A rea do ciclo de histerese proporcional ao trabalho necessrio para orientar os domnios
magnticos em relao ao campo. A perda por histerese funo da frequncia e do valor mximo da
induo magntica. Pode-se obter uma reduo da perda por histerese aplicando-se o campo
magntico na direo de maior magnetizao do material em funo da propriedade anisotrpica do
mesmo. A Fig. 14 indica essas direes preferenciais para o Fe e o Ni. Na prtica usa-se a liga FeSi
gros orientados.
Perda por Correntes Parasitas (PF)
A variao do fluxo magntico atravs do ncleo de ferro ir provocar no mesmo o
aparecimento de correntes de Foucault ou correntes parasitas segundo a lei de Faraday. Estas
correntes, circulando no ncleo de ferro, iro provocar no mesmo aquecimento por efeito Joule. A
perda por correntes parasitas por unidade de massa se expressa por:
PF = R.i2 = Kf2B2
i
K
R

= corrente de Foucault
= constante que depende do tipo e espessura da chapa
= Resistncia eltrica do material
A perda por correntes parasitas pode ser reduzida mediante dois processos. Um meio o uso
de chapas de ferro laminadas e isoladas entre si de forma a diminuir a rea de circulao das correntes
de Foucault. Outro procedimento consiste em adicionar silcio ao ferro de modo a aumentar sua
resistividade eltrica.
12 Perdas em um circuito magntico
Vamos agora referir ao circuito magntico da Fig. 16.

98

Fig. 16 - Circuito magntico com tenso alternada

A potncia nos terminais de um enrolamento de um circuito magntico uma medida
da taxa de fluxo de energia que entra no circuito atravs desse enrolamento. Portanto a potncia nos
terminais deste enrolamento dada por:

P = e i = i

dN
d
dN
= i
+
N
dt
dt

dt

Cuja unidade watt ou joule/seg.

Para um intervalo de tempo de t1 a t2 a variao de energia no circuito magntico dada por.

W =

t2

t1

p dt = N

N= constante
Temos:
Ni = HL
d = A dB
Resulta

W =

B2

B1

H L A dB = A L

B2

B1

H dB

Onde, A . L = volume do ncleo, e H dB = densidade de energia magntica no ncleo.

A variao de B em funo de H no circuito magntico indicado pela linha de 0 a A,
conforme mostra a Fig. 17.

99

Fig. 17 - rea de densidade de energia de materiais ferromagnticos

A energia total neste processo corresponde rea OAMO. Quando H reduzido a zero
somente uma parte da energia que foi absorvida durante o processo ascendente devolvida. Esta
energia devolvida dada pela rea AMN. Com a reduo de H a zero o retorno se faz pelo caminho
AN. Neste ponto temos o B remanente. Uma parte da energia dissipada como pedra no ncleo
causada pela histerese e pelas correntes de Foucault. Se H for aumentado e diminudo de modo a
obtermos um ciclo de histerese, a rea envolvida por este ciclo representa a energia gasta no processo
de magnetizao e desmagnetizao. Esta energia gasta ao forar os fragmentos do cristal e aparece
em forma de calor.
Portanto as perdas no ferro esto ligadas variao do fluxo magntico no mesmo e perda de
energia devida histerese magntica. Um ncleo de transformador com corrente alternada 60Hz, ser
percorrido pelo ciclo de histerese 60 vezes por segundo. O trabalho para efetuar o ciclo de histerese
o necessrio para empurrar as paredes dos domnios magnticos para trs e para frente. Para diminuir a
perda de energia a rea do ciclo de histerese deveria ser a menor possvel e a permeabilidade e induo
de saturao deveriam ser bem grandes. Da mesma forma as correntes parasitas causam perdas em
funo da frequncia. O aumento da resistividade do material para diminuir os efeitos das perdas por
correntes parasitas, em contrapartida, pode causar aumento das perdas por histerese.
13 Lei da Ampre
Seja um condutor reto percorrido por uma corrente i. A uma distncia R deste condutor ser
induzido um campo magntico B cuja relao de proporcionalidade com i e R ser.

B =

2
R

Se B for integrado ao longo de um caminho de raio R circundando temos.

2
R
B dL = i

B dL

dL =

0
2 R = 0 i
2R

A equao valida para todos os casos em que a integrao feita ao longo de um caminho fechado.
100

Figura 18 - Fio percorrido por uma corrente i e o campo induzido a uma distncia R
A equao pode tornar-se independente do meio introduzindo-se o vetor H, tal que:

H=

Obtemos, portanto

H dL

= i

A relao acima conhecida como lei de Ampre: a integral de linha de H ao longo de um nico
caminho fechado igual corrente envolvida pelo caminho. Para o circuito magntico simplificado
da Fig. 19 podemos tratar o segundo membro da equao como um produto Ni (nmero de espira
vezes a corrente). Vamos tambm supor H constante ao longo de um percurso L, de forma que
obteremos a relao.
H . L = N.i

Figura 19 - Circuito magntico - ncleo de ferro

O campo H produz no ferro uma induo magntica B dada por
B = H
A unidade de B weber/m2 , onde 1 weber igual a 108 linhas de campo magntico. Para o
vcuo temos 0 = 4 x 10-7 weber/(A.m). Por sua vez a unidade de H A/m. Ao longo do circuito
magntico haver um fluxo magntico . Considerando para o circuito magntico uma seo
transversal constante de rea A, a induo magntica poder ser considerada uniforme atravs desta
rea, de forma que o fluxo ser.
=BA
101

Esta relao pode ser expressa em termos de da seguinte forma:

Ni = HL =

= L =

L
A

O termo N.i chamado fora magneto-motriz (f.m.m.) e pode ser expresso em funo da relutncia do
circuito magntico da seguinte forma:

f . m. m. =

L
A

f . m. m =
onde,

L
=
A

Sugerimos que o estudante compare a relutncia de um circuito magntico com a resistncia de um

circuito eltrico.
14 Lei de Faraday
A variao de um fluxo magntico atravs de uma bobina de uma nica espira ir induzir
na mesma uma fora eletro-motriz (f.e.m) "e" igual taxa de variao do fluxo, cuja equao
correspondente :

e = -

d
dt

O sinal negativo devido Lei de Lenz: a corrente induzida numa espira ocorre sempre num
sentido tal que produz um fluxo que se ope variao do campo magntico sobre esta espira.
Para uma bobina de N espira a f.e.m. induzida ser.

e = - N

d
d
(N)
=
dt
dt

A Fig. 20 indica uma espira colocada em um campo magntico B que varia com o tempo.

Figura 20 - Espira em um campo magntico varivel.

102

A variao do fluxo magntico atravs da espira produz um campo eltrico induzido E em todos os
pontos da espira. Podemos escrever:

E dL

= -

d
dt

Esta a Lei de Faraday: a f.e.m. total induzida num circuito fechado igual taxa de variao em
relao ao tempo do fluxo magntico que atravessa o circuito.
Consideremos agora uma bobina de N espiras, na qual no estejam presentes materiais
magnticos, atravessada por um fluxo varivel . A corrente resultante nesta bobina ser proporcional
a N , i e.,
N i
A corrente de proporcionalidade a indutncia do meio, de forma que temos.
N = Li
Da Lei de Faraday podemos escrever

e = -

d
d
(N ) =
(Li)
dt
dt

Se a indutncia varivel no tempo, teremos.

e = L

di
dL
+ i
dt
dt

Para circuitos magnticos estticos em que a indutncia fixa a equao

e = L

di
dt

Obtemos, portanto

L =

e
di / dt

Cuja unidade 1 volt. segundo/Ampre igual a 1 H.

Relao entre o sistema MKS e gaussiano:
(H) - 1 A/m = 4 x 10-3 oersteds
(B) - 1 weber/m2 = 104 gauss

103

15 Aplicaes dos matrias magnticos

Os materiais magnticos podem ser classificados em duros e moles
Materiais magneticamente moles apresentam baixa fora coerciva, pequenas perdas por
histerese, alta permeabilidade magntica e so usados em ncleo de transformadores, eletroims,
motores dentre outros aparelhos onde pretende-se obter a maior induo possvel com o menor gasto
de energia. Nos materiais moles as paredes dos domnios so movidas facilmente (Fig. 21a).
Materiais magneticamente duros possuem elevada fora coerciva, so difceis de serem
magnetizado e apresentam dificuldade movimentao das paredes de seus domnios (Fig. 21b). So
usados como ims permanentes.

Fig. 21 Material magntico mole e duro(curvas BxH linearizadas)

Os materiais moles so geralmente usados na forma de ligas que so descritas a seguir.
Liga Ferro-Silcio (FeSi)
Antes de 1900 aplicava-se o ao pobre em carbono nos ncleos de equipamentos de baixa
frequncia tais como transformadores, geradores, motores. Para estas aplicaes atualmente empregase a liga ferro-silco (FeSi). A adio de silcio no ferro aumenta sua resistividade eltrica reduzindo as
perdas por corrente de Foucault e por histerese. O ferro com silcio apresenta tambm maior
permeabilidade magntica. Normalmente emprega-se o ferro-silcio laminado. Quando este processo
de laminao se realiza de forma a orientar os monocristais numa direo favorvel magnetizao
temos o ferro-silcio de gros orientados ou FeSi GO. A magnetizao ocorre mais facilmente numa
determinada direo de aplicao do campo no monocristal. Se os monocristais esto orientados
caoticamente, denominado de FeSi GNO, os gros no orientados dificultam a magnetizao do
material.

104

Fig. 22 - Lmina de FeSi indicando os cristais: FeSi GNO e FeSiGO

a - com orientao catica ou FeSiGNO
b com gros orientados ou FeSiGO

Na Fig. 23 temos a comparao da curva B x H para o ferro fundido com 3% de carbono (1) com
menor permeabilidade magntica que o ferro silcio com orientao catica (2), e este por sua vez,
apresentando magnetizao inferior ao ferro-silcio orientado (3).
B

3
2
1

H
Fig. 23 Curva B x H
1 - ferro fundido
2 - ferro silcio no orientado (FeSi GNO)
3 - ferro silcio orientado (FeSi GO)

Liga Ferro-Nquel (FeNi)

As principais ligas de ferro-nquel so:
permaloy
mumetal
supermaloy

- 45% Ni
- 75% Ni
- 79% Ni

55% Fe
5% Cu 15% Fe -

2% Cr 5% Mo e

105

18% Fe
Ma

O permaloy e mumetal apresentam maior permeabilidade magntica inicial e menores perdas

por histerese e por correntes de Foucault que as ligas ferro-silcio. Observa-se que a permeabilidade do
FeSi para campos fracos relativamente baixa. Este problema pode ser solucionado empregando-se
ligas FeNi. Portanto aplicam-se as ligas FeNi em equipamentos eletrnicos de alta sensibilidade e
fidelidade. As caractersticas magnticas da liga FeNi so sensveis a tratamentos trmicos e
mecnicos. O permaloy apresenta grande anisotropia em relao direo de aplicao do campo
magntico. Deformaes plsticas na liga FeNi reduz drasticamente sua permeabilidade. A Tabela 2
apresenta algumas caractersticas dos materiais magnticos moles.
TABELA II - Materiais magnticos moles
r inicial para
B~0

Perdas p/ histerese j/m3

por ciclo

Induo de saturao
weber/m2

500

50 - 150

1,95

Fe - 3% Si orientado

15.000

35 - 140

2,0

Permaloy

2.700

120

1,6

Mumetal

30.000

20

0,8

Supermaloy

100.000

0,79

Material
Fe - 4% Si catico

O tratamento trmico adequado da liga FeNi permite obter altas permeabilidades magnticas.
Resulta deste processo o ciclo de histerese quadrado (Fig. 24).

Fig. 24 - Curva de histerese 65% Ni - 35% Fe

Ferrite
Ferrites so materiais magnticos com condutividade eltrica muito pequena, sendo sua
resistividade eltrica 106 - 1011 vezes maior que a do ferro. Portanto as perdas de energia em altas
frequncias so pequenas e as propriedades magnticas so altas. As ferrites so aplicadas em altas
frequncias. A frmula geral da ferrite XOFe203 onde X um metal geralmente divalente,
apresentando rede cristalina cbica.

106

Tal como os ferromagnticos existem ferrites duros e moles. Os grupos de ferrites mais usados so
nquel-zinco (Ni 0-Zn0-Fe203), ltio zinco (Li20-Zno-Fe203), manganes-zinco (Mn0-Zn0-Fe203). A
Tabela 3 indica a gama de frequncia que se aplicam estas ferritas.
TABELA 3 - Ferrites
Ferrita
MnO-Zn0-Fe203
Ni 0 - Zn0 - Fe203
Li20 - Zn0 - Fe203
Mg0 - Fe203

Frequncia (Hz)
103 - 106
105 - 108
106 - 109
108 - 1010

103
2
10 - 103
10 - 102
10

A ferrite com 50% Mg0 e 50% MnO apresenta ciclo de histerese quadrado e aplica-se em
memrias de equipamentos eletrnicos. Normalmente transformadores de equipamentos de alta
frequncia, como televisores, utilizam-se ncleos de ferrite. As granadas ferrimagnticas possuem a
frmula 3M203 - 5Fe203 , onde M um elemento terra rara (Sm, Eu, Gd, etc). A granada 3Y203 5Fe203, denominada granada itrio-ferro ou YIG, possui uma elevada resistividade e pequenas perdas
por histerese na frequncia de micro-ondas.
Ims Duros
Os ims permanentes so materiais com elevados valores de magnetizao de saturao e de
remanncia e alta fora coerciva. A permeabilidade magntica dos materiais para ims permanentes
inferior dos materiais magneticamente moles e quanto maior a fora coerciva tanto maior a
permeabilidade. Um im em forma toroidal no cede energia ao exterior. Para ceder energia
necessrio que exista um espao de ar entre seus polos (circuito magntico aberto). Um dos
parmetros que caracteriza um im sua curva de energia externa (Fig. 25). A energia potencial
magntica do material magnetizado, isto , a energia no espao exterior pode ser dado pela equao.
W=B.H
Onde H a intensidade de campo correspondente induo B.
Esta energia pode ser obtida da curva B.H em funo de H. O valor mximo de B.H se
denomina produto de energia do im. Na Fig. 25 temos o produto de energia de dois materiais
diferentes com suas curvas de desmagnetizao. Em geral, a energia disponvel de qualquer im
aproximadamente igual ao produto do volume do im por seu produto de energia.

107

Fig. 25 - produto de energia de dois materiais

Com certos valores de B e H a energia chega ao seu valor mximo, sendo
Wmx = BHmx
Isto indica o valor de energia em que o im pode ser melhor utilizado. Este um fator importante para
definir a qualidade de um material usado como im permanente. Os ims permanentes comercialmente
usados so:
Cunife Cunico Alnico Alnico V
Ferroxdur

Cu - Ni - Fe
Cu - Ni - Co
Ni - Co
14%Ni - 24%Co - 8%Al - 3%Cu - 51%Fe
BaFe12019 - Ferrita magntica dura

Fitas e pelculas - superparamagnetismo

As fitas magnticas para gravao so constitudas de uma pelcula de xido de ferro ou de
cromo sobre material plstico. O xido magntico depositado na forma de pequenas partculas e
recebem orientao magntica atravs de um eletroim, de forma que todos os dipolos magnticos se
orientem numa determinada direo.
A gravao na fita realizada, conforme indica a Fig. 26, usando um ncleo de material
ferromagntico com entreferro e uma bobina que o cabeote de gravao.

108

Fig. 26 - Cabeote de gravao

Quando aplicamos um sinal alternado na bobina, forma-se um fluxo magntico no ncleo
ferromagntico que passa pelo entreferro. A fita que est em contato com o cabeote de gravao ter
seus dipolos reposicionados de acordo com a variao do fluxo de disperso no entreferro, resultando
na gravao na bobina.
A reproduo do sinal gravado na fita se d de maneira inversa, ou seja, a fita passa em
contato com o cabeote prximo ao entreferro de forma que seus dipolos magnticos iro induzir no
ncleo ferromagntico um fluxo varivel que ir por sua vez, induzir uma ddp na bobina, gerando
assim um sinal compatvel com o que est gravado na fita.

QUESTES
1. Definir magnton de Bohr.
2. Explicar a teoria da formao dos domnios magnticos nos materiais ferromagnticos.
3. Explicar o sentido fsico da permeabilidade magntica de um material e a relao com a
susceptibilidade magntica.
4. Explicar: a) Lei de mpere; b) Lei de Faraday
4. Explicar a classificao dos materiais quanto ao comportamento magntico.
5. Descrever o ciclo de histerese magntica.
6. descrever o que ponto Curie nos ferromagnticos.
7. Explicar e indicar as aplicaoes de: a) anisotropia ferromagntica; b) magnetoestrico
8. Explicar as perdas por histerese e Foucault. Citar mtodos utilizados para reduzir essas perdas em
equipamentos eltricos?
9. Explicar o que se entende por material magntico: a) mole; b) duro.
10.a) Qual a melhor orientao de magnetizao de FeSi orientado? b) Quais as suas aplicaes? c)
Porque usa-se laminar ncleos de FeSi para transformadores? d) Qual a vantagem do uso de ligas
de ferro em relao ao emprego de ferro tecnicamente puro?
11. Explicar a curva BxH definindo os seguintes parmetros: B, H, B de saturao, fora coerciva,
campo remanente.
109

12 . Analisar os dados da Tabela 1 considerando a classificao dos materiais e a relao com as

constantes r e r.
13. Descrever o que relutncia magntica de um material.
14. Quais as vantagens de se usar ligas FeNi em altas frequncias e pequenos valores de campo?
15. Porque as ferrites so tecnicamente empregadas em ncleos de alta frequncia?
13. Como podemos avaliar a energia disponvel em um im?

TEMAS PARA PESQUISA

- Aplicaes do magnetismo em instrumentao eletro-eletrnica
- Armazenamento magntico de dados
- Liga FeSi e FeNi: anlise comparativa, propriedades e aplicaes.
- Ferromagnetismo e antiferrimagnetismo
- Anisotropia feromagntica e magnetostricco
- Uso de vidros metlicos como materiais magnticos
- Ims duros: aplicaes na engenharia

110

APNDICE
CONSTANTES FSICAS
C
No
K
H
o
o
M
q

3 x 108 m/s
6,02 x 1023 mol-1
1,38 x 10-23 J/K
6,63 x 10-34 J.s
8,85 x 10-12 F/m
1026 x 10-6 H/m
9,1 x 10-31 kg
1,6 x 10-19 C

Velocidade da luz no vcuo

Nmero de Avogadro
Constante de Boltzmann
Constante de Planck
Permissividade no vcuo
Permeabilidade no vcuo
Massa do eltron em repouso
Carga do eltron

111