UNIVERSIDADE TECNOLGICA FEDERAL DO PARAN

DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRNICA

ANDRESSA APARECIDA DE QUADROS ULINICK

MATHEUS HENRIQUE DO AMARAL PRATES

CARLOS DA CONCEIO CASTILHO NETO

RELATRIO DE ELETRONICA 2:

CIRCUITOS DE POLARIZAO PARA TRANSISTOR BIPOLAR

PONTA GROSSA

2017

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 DEPARTAMENTO DE ENGENHARIA ELETRNICA

ANDRESSA APARECIDA DE QUADROS ULINICK

MATHEUS HENRIQUE DO AMARAL PRATES

CARLOS DA CONCEIO CASTILHO NETO

RELATRIO DE ELETRONICA 2:

CIRCUITOS DE POLARIZAO PARA TRANSISTOR BIPOLAR

Trabalho apresentado como requisito
parcial obteno de nota na disciplina
de eletrnica 2, ministrada pelo professor
Abraham Ortega.

PONTA GROSSA

2017

SUMRIO

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1 INTRODUO .....................................................................................................4ERRO! INDIC
2 METODOLOGIA E RESULTADOS .....................................................................6ERRO! INDIC
3 IMAGENS ............................................................................................................9ERRO! INDIC
4 CONCLUSO ......................................................................................................14ERRO! INDI
5 REFERENCIAS ...................................................................................................14ERRO! INDI

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1. INTRODUO

A segunda aula prtica de laboratrio de eletrnica 2 teve como

objetivo relembrar como polarizar um transistor bipolar, componente de
grande importncia para o desenvolvimento tecnolgico na dcada de
1940, uma vez que possua as seguintes vantagens sobre os diodos a
vlvula:
Era menor;
No necessitava aquecimento prvio;
Menores perdas por aquecimento;
Mais robusto e eficiente, pois absorvia menos potncia;
Funcionava com tenses mais baixas;
Possveis tipos de transistores bipolares:

Figura1: Tipos de TBJ

Os smbolos e as respectivas polaridades podem ser observados

na figura abaixo:

Figura2: Smbolos para transistores PNP e NPN

O emissor (E) a regio mais dopada; a base (B) a regio

menos dopada, enquanto que o coletor (C) uma regio mais dopada
do que a base, porm, menos dopada do que o emissor. Para que o
transistor funcione corretamente preciso polariz-lo, ou seja, a juno
base-emissor deve ser polarizada diretamente e a base-coletor
reversamente:

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 Figura3: Como polarizar corretamente um TBJ

Ganho esttico ()

A letra grega usada para representar o ganho esttico de corrente de

um transistor na configurao de emissor comum.

= Ic/Ib

Onde Ic a corrente que entra no coletor e Ib a corrente da base.

Isso indica que o beta de um transistor informa quanto ele pode ampliar
a corrente forada a circular em sua base, quanto maior o beta maior o ganho
dele. Geralmente o valor do beta fica entre 5 e 1000, existe o transistor
Darlingtons que o beta pode chegar a 10000.

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 2. METODOLOGIA E RESULTADOS

Materiais utilizados:

Osciloscpio
Fonte de alimentao CC simtrica
Resistores de 10k, 100k, 1k
Multmetro digital
Ferro de Solda
Protoboard

Procedimento:

1) Polarizao pela Corrente de Base

Baseando-se no roteiro fornecido pelo professor, montamos o seguinte

circuito na protoboard:

Figura 4 - Circuito de Polarizao pela Corrente de Base

O obtivo dessa primeira parte era demonstrar a inadequao de um

projeto de ruim polarizao, mas muito comum.

Com o auxlio do multmetro medimos os valores pedidos:

a. Tenso no n C, ajustando o potencimetro Rp at Vc = +5V.

b. Medimos tambm as tenses nos ns A e B.
c. Enquanto estiver medindo Vc, esquentamos o transistor aproximando
um ferro de soldar.
d. Removemos o transistor cuidadosamente e inserimos outro transistor
no lugar. Ento medimos Vc.

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Com isso podemos preencher a tabela de valores de Va, Vb e Vc, para
dois transistores e duas temperaturas.

Tabela 1 - Valores de Va, Vb e Vc ambiente e aquecidos

2) Tenso de Polarizao Base-Emissor Fixa

O objetivo dessa segunda parte era demostrar a total impropriedade de

um projeto de polarizao com tenso fixa. Segue abaixo uma imagem do
circuito:

Figura 5 - Circuito de Tenso de Polarizao Base-Emissor Fixa

Com o auxlio do multmetro medimos os valores pedidos:

a. Tenso no n C, ajustando o potencimetro Rp at Vc = +5V.

b. Medimos tambm as tenses nos ns A e B.
c. Enquanto estiver medindo Vc, esquentamos o transistor aproximando
um ferro de soldar.
d. Removemos o transistor cuidadosamente e inserimos outro transistor
no lugar. Ento medimos Vc.

Com isso podemos preencher a tabela de valores de Va, Vb e Vc, para

dois transistores e duas temperaturas.
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Tabela 2 - Valores de Va, Vb e Vc ambiente e aquecidos

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3. IMAGENS

Figura 6 Valores de Vc ambiente

Figura 7 Valor de Q1 Aquecido

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Figura 8 Primeiro Circuito na Protoboard

Figura 9 Valor de Vc Aquecido

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Figura 10 Segundo Circuito na Protoboard

Figura 11 Fonte CC ajustado em aprox. 10V

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Figura 12 Valor de Vb Aquecido

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Figura 13 Valor de Vc Ambiente

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 4. CONCLUSO

Podemos notar que existe uma relao direta entre a temperatura e a

tenso do coletor do transistor, quanto maior a temperatura por meio do efeito
Joule menor ser a sua tenso, isso se da devido ao aumento de corrente
neste canal, para que essa perda possa ser atenuada polarizar o transistor da
forma correta essencial.

Para se obter uma boa polarizao podemos tomar alguns cuidados:

- Operar na Regio Ativa;

- Procurar manter uma constante carga no coletor e a tenso da fonte para que
o circuito fique o mais linear possvel;

- Boa refrigerao e dissipao de energia.

5. REFERENCIAS

http://www.lsi.usp.br/~eletroni/frames3/poli/labelo1/polariza/polariza.html

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