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Fundamentos de Eletrnica
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Apresentao Introduo Semicondutores Diodo Bibliografia
Sumrio
1 Apresentao
2 Introduo
3 Semicondutores
Materiais
Juno pn
4 Diodo
5 Bibliografia
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Apresentao Introduo Semicondutores Diodo Bibliografia
Apresentao da Aula
Nesta aula sero apresentados conceitos gerais acerca da eletrnica
analgica.
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Objetivos
Prover o aluno com conhecimentos fundamentais (bsicos) para a com-
preenso dos circuitos eletrnicos analgicos.
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Eletrnica X Microeletrnica
Introduo
Um pouco de histria...
O transistor substituiu as vlvulas em sistemas eletrnicos;
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Introduo
Um pouco de histria...
Matria-prima: Silcio (Si)
(a) (b)
Figura 3: Silcio: (a) pedra (b) bloco.
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Introduo
Um pouco de histria...
O transistor foi inventado em 1945 por Shockley, Brattain, e Bar-
deen (Laboratrios Bell);
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Introduo
Um pouco de histria...
A inveno do transistor abriu caminho para os circuitos integra-
dos (CI).
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Introduo
Um pouco de histria...
A inveno do transistor abriu caminho para os CIs.
Introduo
Um pouco de histria...
A inveno do transistor abriu caminho para os CIs.
Introduo
Um pouco de histria...
A inveno do transistor abriu caminho para os CIs.
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Introduo
Um pouco de histria...
Lei de Moore
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Analgico X Digital
Analgico X Digital
Materiais Semicondutores
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Silcio (Si)
Intrnseco: Silcio puro;
Extrnseco: Silcio dopado.
Figura 14: (a) tomo de Silcio (b) Ligaes covalentes entre os tomos de Si
em T 0K(c) Eltron livre (e ).
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Silcio (Si)
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EF Nvel de Fermi;
Eg Energia de gap.
Para o Silcio: Eg = 1.12 eV, sendo 1 eV = 1, 6 1019 J.
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Figura 17: Cristal de silcio (Si ) dopado com tomo de fsforo (P):
semicondutor tipo N.
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Figura 18: Cristal de silcio (Si ) dopado com tomo de boro (B): semicondutor
tipo P.
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v
metros
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kT
26 mV (T = 300 K)
q
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Juno pn
Catodo Anodo
Juno pn
Fluxo de Corrente
Difuso
Sendo:
nn concentrao de eltrons no material tipo n
np concentrao de eltrons no material tipo p
pn concentrao de lacunas no material tipo n
pp concentrao de lacunas no material tipo p
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Juno pn
Fluxo de Corrente
Difuso
Regio de depleo:
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Juno pn
Fluxo de Corrente
Deriva
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Juno pn
Fluxo de Corrente
Estado de Equilbrio
Correntes de difuso = Correntes de deriva
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Diodo: Juno pn
Dispositivo Semicondutor: Diodo (Juno pn)
Catodo Anodo
Catodo Anodo
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Diodo: Juno pn
Potencial na Juno
O campo eltrico E gerado na juno pn implica em um potencial
eltrico V0 existente na juno:
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Polarizao Reversa
Potencial no catodo (lado N) > potencial no anodo (lado P);
Ampliao na regio de depleo;
Aumento do campo eltrico E.
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Polarizao Reversa
Capacitor controlado por tenso:
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Diodo: Juno pn
Polarizao Reversa
Relao Tenso X Capacitncia
Sendo:
Cj Capacitncia de juno;
Cj Capacitncia em VR = 0;
V0 Tenso na juno;
VR Tenso de polarizao.
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Polarizao Direta
Potencial no catodo (lado N) < potencial no anodo (lado P);
Reduo na regio de depleo reduo do potencial de juno.
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Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Aumento dos portadores ninoritrios em cada regio;
Aumento da corrente de difuso.
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Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Corrente de difuso na juno:
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Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Corrente de difuso na juno:
Gradiente de portadores:
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Diodo: Juno pn
Polarizao Direta
Fluxo corrente resultante constante!!!
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Diodo: Juno pn
Polarizao Reversa
Relao Corrente X Tenso
Sendo:
ID Corrente no diodo;
VD Tenso no diodo;
VT Tenso trmica;
IS Corrente de saturao reversa.
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Bibliografia
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