MINIMOS-4

 MINIMOS-4 é um programa (ferramenta) capaz de realizar

simulações numéricas bidimensionais de transistores MOS
desenvolvidos segundo a tecnologia planar. As equações
fundamentais dos semicondutores são resolvidas por técnicas
sofisticadas de programação, o que permite um custo muito baixo
com "hardware".

PORTA

FONTE DRENO

M ETAL
N N
SiO2

SUBSTRATO

Figura-1: Transistor NMOSFET.

 Desenvolvido na Universidade de Viena - Áustria.

 Fornece o perfil bidimensional de concentração de portadores,

potencial elétrico, campo elétrico, densidade de corrente, etc.

Unidades:

Distância: centímetros
Tempo: segundos
o
Temperatura : C
 1
EQUAÇÕES FUNDAMENTAIS DOS SEMICONDUTORES

 Equação de Poisson:

div grad  
 
-  - q p - n + N D+  N A-

  , onde:

 = potencial (V);
 = densidade volumétrica de carga (C/cm-3);
 = permissividade (F/cm).

 Equações da Continuidade:
 n
div Jn - q  q. R
t (elétrons)
 p
div Jp + q   q. R
t (lacunas)

onde:
Jn, Jp = densidade de corrente de elétrons e lacunas (A/cm2);
R = taxa líquida de geração-recombinação de portadores.

 Equações de Corrente:
 
J  qn E  qD grad n (elétrons)
n n
n n

J  qp
p p
E  qD grad p
p p (lacunas)

onde:
 = mobilidade dos portadores (cm2/V.s);
D = coeficiente de difusão dos portadores (cm2/s).
 2
FORMATO DE ENTRADA

 Os parâmetros de entrada para o MINIMOS-4 são

especificados através de uma seqüência de linhas (comandos) em
um arquivo de dados. A primeira linha do arquivo de dados é
interpretada como o título e nunca deve ser omitida.

 O comando pode ser qualquer caracter de "string" pertencente

ao grupo a seguir:
BIAS, DEVICE, END, IMPLANT, INTERFACE,
MOBILITY, OPTION, OUTPUT, PROFILE, RECOMBINATION,
STEP.

 Para qualquer um destes comandos, somente os dois primeiros

caracteres são significativos.

 Qualquer comando pode ser continuado na próxima linha,

bastando colocar na primeira coluna da próxima linha o sinal "+".

 Comentários podem ser incluídos em qualquer linha, bastando

colocar um asterístico ("*") no começo da linha, neste caso toda a
linha é considerada como um comentário.

 Linhas em branco não são consideradas.

 Os comandos BIAS, DEVICE e PROFILE com seus sub-

comandos são necessários em qualquer arquivo de dados.

 Os comandos END, IMPLANT, MOBILITY, INTERFACE,

OPTION, OUTPUT, RECOMBINATION e STEP com seus sub-
comandos são opcionais e podem aparecer em ordem arbitrária no
arquivo de entrada, exceto o comando END que deve aparecer na
última linha do arquivo.
 3
COMANDOS DO MINIMOS-4

 DEVICE: Utilizado na especificação dos parâmetros

físicos do dispositivo MOS. Caracteriza-se pelos seguintes sub-
comandos:

DEVICE, BULK = num, CHANNEL = tipo, DGAP = num,

+ FILM = num, GATE = mat, INS = mat, KBULK = num,
+ L = num, SGAP = num, TINS = num, W = num

BULK: Especifica a espessura do substrato isolante em cm (10-4 a

2.10-3), para a simulação de transistores SOI.

CHANNEL: Especifica o tipo de dispositivo, o qual pode ser do

tipo N (canal N) ou P (canal P).

DGAP: Especifica a distância em cm entre a aresta da porta e o

contato do dreno. O valor de "default" é igual a SGAP.

SGAP G DGAP
S D

NPOLY
N N
SiO2
P AL

SUBST RAT O
Figura-2: Transistor NMOSFET.
 4
FILM: Especifica a espessura do filme semicondutor em cm (10-5 a
5.10-4), para a simulação de dispositivos SOI.

GATE: Especifica a função trabalho da porta do dispositivo, a qual

pode ser um número ou "string". No caso de ser um "string", pode-
se ter AL, NPOLYe PPOLY que resultam nas funções de trabalho
de - 0,59V, - 0,55V ou 0,55V, respectivamente. No caso de ser
um número, este pode variar de - 0,6V a 0,6V.

INS: Especifica a permissividade relativa do óxido de porta, a qual

pode ser um número ou "string". No caso de ser um "string", pode-
se ter NITRETO (Si3N4) ou ÓXIDO (SiO2) indicando uma
permissividade de 7,2 ou 3,9 ("defaut") respectivamente. No caso de
ser um número real, este deve variar de 1 a 20.

KBULK: Especifica a permissividade relativa do substrato isolante

para a simulação de transistores SOI, a qual pode variar de 1 a 20.

L: Especifica o comprimento do canal em cm e pode variar de 2.10-

5 a 10-2.

SGAP: Especifica a distância em cm entre a aresta da porta e o

contato da fonte. O valor de "default" é igual a 10 x TINS.

TINS: Especifica a espessura do óxido de porta em cm, o qual pode

variar de 10-6 a 10-3. Este valor não pode ser omitido.

W: Especifica a largura do canal em cm, o qual pode variar de 10-4

a 1. Este valor não pode ser omitido.

Exemplo:

DEVICE CHANNEL=N GATE=AL L=1E-4 W=10E-4

+ TINS=20E-7
 5
 BIAS: Utilizado na especificação das condições de operação
do transistor. Caracteriza-se pelos seguintes sub-comandos.

BIAS, UB = num, UD = num, UG = num, US = num

UB: Especifica a tensão aplicada no substrato em Volts, a qual pode

variar de -20 a 20 V. Se for omitida, UB=US. Este sub-comando
pode ser omitido para simulações com SOI.

UD: Especifiaca a tensão aplicada no dreno em Volts, a qual pode

variar de -20 a 20 V.

UG: Especifica a tensão na porta em Volts, a qual pode variar de -20

a 20 V. Se for utilizado MODEL=THRES (dentro do comando
OPTION), UG deve ser omitida.

US: Especifica a tensão na fonte, a qual pode variar de -20 a 20 V.

Se for omitida, US = 0.

Exemplo:

BIAS UD=5 UG=1 UB=0 US=0

BIAS UD=5 UG=1 (equivalente)

 END: Utilizado para finalizar o arquivo de entrada.

Caracteriza-se pelos seguintes sub-comandos:

END, BIN = log, ERROR = num, TCERR = num

BIN: Especifica se os resultados da simulação devem ser salvos em

um arquivo externo. "log" pode ser YES ou NO e seu "default" é
NO.
 6
ERROR: Especifica o máximo erro relativo durante a simulação na
carga espacial, o qual pode variar de 10-5 a 0,5.

TCERR: Especifica o máximo erro relativo na temperatura das

cargas. Este só é válido se MODEL=HOT (dentro do comando
OPTION).

 IMPLANT: Este comando é utilizado para especificar a

implantação do canal. A implantação é assumida ser através de um
isolante de material INS e espessura TINS (comando DEVICE)
Caracteriza-se pelos seguintes sub-comandos:

IMPLANT, AKEV = num, DOSE = num, ELEM = dop,

+ TEMP = num, TIME = num

AKEV: Especifica a energia de implantação do canal em kev, a qual

pode variar de 10 a 300.

DOSE: Especifica a dose de implantação do canal em cm-2, a qual

pode variar de 109 a 1014.

ELEM: Especifica o elemento de implantação do canal, o qual pode

ser B (Boro), P (Fósforo), SB (Antimônio) ou AS (Arsenico).

TEMP: Especifica a temperatura de recozimento da impalntação do

canal em C, a qual pode variar de 800 a 1300.

TIME: Especifica o tempo de recozaimento da implantação do canal

em s (segundos), o qual pode variar de 60 a 48.3600.

Exemplo:
IMPLANT ELEM=B DOSE=1E10 AKEV=30 TEMP=1000
+ TIME=1800
 7
 PROFILE: Este comando é utilizado para especificar a
dopagem das regiões de fonte/dreno e a dopagem do substrato, ou
especifica um arquivo externo que contém informações de dopagem
das regiões de fonte/dreno e canal. Caracteriza-se pelos seguintes
sub-comandos:

PROFILE, AKEV = num, ASYM = log, DOSE = num,

+ ELEM = dop, FILE = fil, LFIT = num, NB = num, NS =
num,
+ TEMP = num, TIME = num, TOX = num, XOFF = num
+ YOFF = num

AKEV: Especifica a energia de implantação de fonte/dreno em kev,

a qual pode variar de 10 a 300.

ASYM: Especifica que as regiões de fonte e dreno não são

simétricas. O valor de "default" é NO.

DOSE: Especifica a dose de implantação de fonte/dreno em cm-2, a

qual pode variar de 1010 a 1017.

ELEM: Especifica o elemento utilizado para a implantação de

fonte/dreno, os quais podem ser B (Boro), P (Fósforo), SB
(Antimônio) ou AS (Arsénico).

FILE: Especifica se as informações de dopagem devem ser lidas de

um arquivo externo.

LFIT: Especifica o parâmetro de ajuste para a subdifusão em caso

de ser utilizado um arquivo externo.

NB: Especifica a dopagem do substrato em cm-3, a qual pode variar

de 5.1013 a 5.1017.
 8
NS: Especifica a concentração superficial para uma predeposição de
fonte/dreno em cm-3, a qual pode variar de 1017 a 1021. O valor
especificado deve ser no mínimo 100 vezes maior que a
concentração do substrato.

TEMP: Especifica a temperatura de difusão de fonte/dreno em C, a

qual pode variar de 800 a 1300.

TIME: Especifica o tempo de difusão de fonte/dreno em s

(segundos), cujo valor pode variar de 60 a 48.3600.

TOX: Especifica a espessura do óxido de isolação para a

implantação de fonte/dreno em cm, a qual pode variar de 0 a 10-3.

XOFF: Especifica um distanciamento para a superposição de dois

perfis de fonte e/ou dreno em cm. Este subcomando pode ser
utilizado na formação de dispositivos MOS com LDD, e seu valor
varia de -2.10-4 a 2.10-4.
XOFF
PORTA

FONTE DRENO
METAL
L
SiO2
P

SUBSTRATO

YOFF: Especifica uma distância em cm para a variação do perfil de

fonte/dreno para dentro do substrato. Seu valor pode variar de
0 a 10-4.

Exemplo:
PROFILE NB=1E14 ELEM=P DOSE=1E15 TOX=300E-8
+ AKEV=100 TEMP=900 TIME=3000
 9
 EXEMPLOS:

A)
TESTE DISPOSITIVO 1
DEVICE CHANNEL=N GATE=AL TINS=500E-8
+ L=10E-4 W=10E-4
BIAS UD=2 UG=0
PROFILE NB=1E15 EL=PH DOSE=1E15 AKEV=40
+ TOX=500E-8 TEMP=1000 TIME=900
OUTPUT DC=YES
END
PORTA
FONTE DRENO
2V

W
L
TIN

y
N N
x
P

M ETAL
SUBSTRATO
SiO2
 10
dreno fonte dreno

porta

porta fonte

x (µm) y (µm) y (µm) x (µm)

B)
TESTE DISPOSITIVO 2
DEVICE CHANNEL=N GATE=AL TIN=500E-8
+ L=10E-4 W=10E-4
BIAS UD=2 UG=0
PROFILE NB=1E15 ELEM=PH DOSE=1E15 AKEV=40
+ TOX=500E-8 TEMP=1000 TIME=900
IMPLANT ELEM=B DOSE=3E11 AKEV=20 TEMP=900
+ TIME=900
OUTPUT DC=YES
END
 11
PORTA
FONTE DRENO
2V

W Implantação para ajuste

L
da Tensão de Limiar.
TIN

y
N P+ N
x
P

M ETAL
SUBSTRATO
SiO2
dreno (N) fonte (N)
porta

p+

y (µm)
x (µm)

C)
TESTE DISPOSITIVO 3
DEVICE CHANNEL=N GATE=AL TIN=500E-8
+ L=10E-4 W=10E-4
BIAS UD=2 UG=0
PROFILE NB=1E15 ELEM=PH DOSE=1E15 AKEV=40
+ TOX=500E-8 TEMP=1000 TIME=900
IMPLANT ELEM=B DOSE=3E11 AKEV=20 TEMP=900
+ TIME=900
IMPLANT ELEM=B DOSE=2E11 AKEV=120
OUTPUT DC=YES
 12
END
PORTA
FONTE DRENO
2V

W Implantação para evitar

L
efeito do "Punchthrough"
TIN

y
N N

x P P+

M ETAL
SUBSTRATO
SiO2
porta fonte (N)

dreno (N)
p+
p+

y (µm)
x (µm)
 INTERFACE: Este comando é utilizado para especificar
parâmetros da interface silício-isolante. Caracteriza-se pelos
seguintes sub-comandos:

INTERFACE, CISS = num, FSS = num, NSS = num,

+ PSS = num, SISS = num, XISS = num

CISS: Especifica o pico da concentração do perfil Gausiano da

densidade dos estados de superfície lentos na interface porta-
isolante em cm-2.V-1. Seu valor pode variar de -1013 a 1013.
 13
FSS: Especifica a densidade dos estados de superfície rápidos
(variáveis) na interface porta-isolante em cm-2. Seu valor pode
variar de -1015 a 1015, e seu valor de "default" é zero.

NSS: Especifica a densidade dos estados de superfiície lentos na

interface porta-isolante em cm-2, a qual pode variar de -1013 a
1013. Seu valor de "default" é zero.

PSS: Especifica a densidade dos estados de superfície lentos na

interface substrato-isolante em cm-2, a qual pode variar de -1013 a
1013. Seu valor de "default" é zero, e é utilizado em simulações
com transistores SOI.

SISS: Especifica o desvio padrão do perfil Gausiano da densidade

dos estados de superfície lentos na interface porta-isolante em cm, o
qual pode variar de 10-6 a 10-3. Seu valor de "default" é 10-5.

XISS: Especifica a posição do pico do perfil Gausiano da densidade

dos estados de superfície lentos em cm, o qual pode variar de -10-2
a 10-2.

 MOBILITY: Este comando é utilizado para especificar vários

parâmetros físicos do dispositivo. Caracteriza-se pelos seguintes
sub-comandos:

MOBILITY, MB = num, MI = num, ML = num, MR = num,

+ MS = num, MT = num, MV = num

MB: Especifica o "peso" do coeficiente de "Mathiessens" para

combinação da mobilidade de campo zero com velocidade de
saturação, o qual pode variar de 0,1 a 10. Seu valor de "default" é 1.
 14
MI: Especifica o "peso" da concentração crítica do espalhamento de
impurezas, o qual pode variar de 10-4 a 106. Seu valor de "default"
é 1.

ML: Especifica o "peso" da grade de mobilidade de campo zero, o

qual pode variar de 0,5 a 2. Seu valor de "default" é 1.

MR: Especifica o "peso" da mobilidade de referência superficial, o

qual pode variar de 0,5 a 2. Seu valor de "default" é 1.

MS: Especifica o "peso" da distância característica para

espalhamento superficial, o qual pode variar de 10-2 a 102. Seu
valor de "default" é 1.

MT: Especifica o "peso" do pré-fator para o espalhamento

superficial, o qual pode variar de 10-2 a 102. Seu valor de "default"
é 1.

MV: Especifica o "peso" da velocidade de saturação devido ao

aquecimento das cargas (portadores), o qual pode variar de 10-2 a
106. Seu valor de "default" é 1.

 OPTION: Este comando é utilizado para especificar vários

parâmetros do dispositivo. Caracteriza-se pelos seguintes sub-
comandos:

OPTION, CURRENT = num, EA = num, ED = num,

+ GRIDFREEZE = log, INTRINSIC = num, MODEL =mod,
+ PHYSCK = log, RBULK = num, RDRAIN = num,
+ RSOURCE = num, TEMP = num, UFB = num, UN = num,
+ UP = num
 15
CURRENT: É ativado somente se o sub-comando
MODEL=THRES. Neste caso o sub-comando CURRENT
determina a corrente de dreno em Amperes para a qual a tensão de
limiar é determinada. Seu valor pode variar entre 10-10 a 2.10-3.
Seu valor de "default" é 10-7. W/L para dispositivos de canal n e -
10-7. W/L para dispositivos de canal p.

EA: Especifica a diferença entre a energia de ativação de

aceitadores e a banda de valência em volts. Seu valor pode variar de
10-3 a 10-1 e não há valor de "default" especificado para este sub-
comando. Se EA não for especificado, a total ionização de
aceitadores será assumida. Um valor típico de EA é 0,045 (Boro).

ED: Especifica a diferença entre a energia de ativação de doadores e

a banda de condução em volts. Seu valor pode variar de 10-3 a 10-1
e não há valor de "default" especificado para este sub-comando. Se
ED não for especificado, a total ionização de doadores será
assumida. Valores típicos de ED são 0,039 (Antimônio), 0,045
(Fósforo) e 0,054 (Arsênico).

GRIDFREEZE: Este sub-comando é ativado somente se o comando

STEP for selecionado. Sua função é determinar se modificações na
grade serão feitas entre passos de voltagem ou não. Seu valor de
"default" é NO.
INTRINSIC: Especifica a concentração intrínsica na temperatura de
simulação em cm-3, a qual pode variar de 10-20 a 1015.

MODEL: Este sub-comando especifica qual será o modelo

utilizado pelo MINIMOS nos cálculos. O usuário pode escolher entre
cinco modelos diferentes, que são: 1-D, THRES, 2-D, AVAL, HOT.

MODEL=1-D: Este modelo é o mais simples que pode ser selecionado

e oferece uma execução muito rápida. A equação de Poisson é resolvida
em duas dimensões, enquanto que a equação de continuidade de
 16
portadores minoritários é resolvida somente na região de canal, e a
geração/recombinação de cargas não é considerada. Contudo, para a
maioria das aplicações, o MODEL=1-D fornece bons resultados.

MODEL=THRES: Igual a MODEL=1-D; só que em vez de cálculos de

correntes, um procedimento interno é ativado para calcular a tensão de
limiar.

MODEL=2-D: Tanto a equação de Poisson e a equação de

continuidade são resolvidas em duas dimensões.
Recombinação/geração não é considerada.

MODEL=AVAL: Utilizado para cáculos na região de ruptura por

avalanche. Tanto a equação de Poisson e de continuidade são resolvidas
em duas dimensões. A recombinação/geração e a ionização por impacto
é utilizada no termo de não homogeneidade da equação de continuidade
de cargas e, conseqüentemente, correntes de substrato também podem
ser calculadas.

MODEL=HOT: Este é o mais complexo e também o mais dispendioso

modelo apresentado no MINIMOS. A simulação é executada da mesma
maneira do MODEL=AVAL e, adicionalmente, um termo de
dependência da carga com a temperatura é introduzido.

PHYSCK: Especifica se erros "físicos" serão processados. Erros

"físicos" são do tipo: fora da escala de valores definidos, sinal de
valores de polarização do dispositivo, problemas de interação
(convergência de valores). Se PHYSCK=NO, mensagens de erros
serão mostradas. Se este sub-comando for omitido, erros "físicos"
serão processados.

RBULK: Especifica o valor de um resistor efetivo do substrato em

ohms, o qual pode variar de 0 a 105. Seu valor de "default" é zero.
Quando este sub-comando é ativado, a polarização efetiva do
 17
substrato é calculada com (UB - RBULK . Isub). Este sub-comando
é ativado somente se MODEL=AVAL ou MODEL=HOT.

RDRAIN: Especifica o valor de um resistor efetivo de dreno em

ohms, o qual pode variar de 0 a 102. Seu valor de "default" é zero.
Quando este sub-comando é ativado, a polarização efetiva do dreno
é calculada com (UD - RDRAIN . Idrain).

RSOURCE: Especifica o valor de um resistor efetivo de fonte em

ohms, o qual pode variar de 0 a 102. Seu valor de "default" é zero.
Quando este sub-comando é ativado, a polarização efetiva da fonte é
calculada com (US - RSOURCE . Isource).

TEMP: Especifica a temperatura na qual a simulação será realizada

em Kelvin, cujo valor pode variar de 77 a 450. Seu valor de
"default" é 300 K.

UFB: Especifica a tensão de banda plana ("flatband") em volts, a

qual pode variar de -3 a 3. Se seu valor for omitido, a tensão de
banda plana será calculada através da diferença de função trabalho
da porta e
a densidade de estados de superfície lentos (NSS).

UN, UP: Estes sub-comandos especificam os "pesos" para os

tempos de relaxação de energia para elétrons e lacunas em
segundos. Estes valores podem variar de 0 a 1, e seus valores de
"default" são de 0,8. Estes sub-comandos só são ativados se
MODEL=HOT.

 OUTPUT: Este comando é utilizado para definir as

grandezas que serão impressas após o témino da simulação.
Caracteriza-se pelos seguintes sub-comandos:
 18

OUTPUT, ALL = log, AVAL = log, CC = log, DC = log,

+ ELAT = log, INSULATOR = log, JLAT = log, JTRAN =
log,
+ MAJ = log, MIN = log, MOB = log, NONE = log,
+ OXIDE = log, PHI = log, PSI = log, RHO = log, TC = log

ALL: Especifica que todas as grandezas analisadas serão impressas.

Seu valor de "default" é NO.

AVAL: Especifica que a razão de geração por avalanche será

impressa. Seu valor de "default" é NO.

CC: Especifica a impressão da concentração de cargas. Seu valor de

"default" é YES.

DC: Especifica a impressão do perfil de dopantes. Seu valor de

"default" é YES.

ELAT: Especifica a impressão da componente lateral do campo

elétrico. Seu valor de "default" é YES.

ETRAN: Especifica a impressão da componente transversal do

campo elétrico. Seu valor de "default" é YES.
JLAT: Especifica a impressão das componentes laterais da
densidade de corrente. Seu valor de "default" é NO.

JTRAN: Especifica a impressão das componentes transversais da

densidade de corrente. Seu valor de "default" é NO.

MAJ: Especifica se grandezas majoritárias serão impressas, e

somente somente se MODEL=AVAL ou MODEL=HOT. Seu valor
de "default" é NO.
 19
MIN: Especifica se grandezas minoritárias serão impressas. Seu
valor de "default" é YES.

MOB: Especifica a impressão das distribuições da mobilidade. Seu

valor de "default" é NO.

NONE: Especifica que todas as grandezas avaliadas pelos comandos

não serão impressas. Seu valor de "default" é NO.

OXIDE ou INSULATOR: Especifica a impressão do potencial

eletrostático e as componentes do campo elétrico dentro do óxido.

PHI: Especifica a impressão dos níveis de quasi-Fermi. Seu valor de

"default" é NO.

PSI: Especifica a impressão do potencial eletrostático.Seu valor de

"default" é YES.

RHO: Especifica a impressão da carga espacial. Seu valor de

"default" é NO.

TC: Especifica a impressão da distribuição da temperatura de

cargas. Seu valor de "default" é NO.

 RECOMBINATION: Este comando é utilizado para

especificar parâmetros de recombinação e geração. Caracteriza-se
pelos seguintes sub-comandos:

RECOMBINATION, AN = num, AP = num, BN = num,

+ BP = num, CN = num, CP = num, SN = num, SP = num,
+ TN = num, TP = num, VN = num, VP = num

AN, AP, BN, BP: Estes sub-comandos são utilizados no cálculo das
taxas de ionização por impacto, e podem ser calculadas por:
 20
n(E)=AN . EXP(-BN/E) e p(E)=AP . EXP(-BP/E), sendo E o
campo elétrico. AN e AP são dados em cm-1, BN e BP são dados
em V/cm.

CN, CP: Especifica os parâmetros de recombinação Auger para

elétrons e lacunas em cm6, os quais podem variar de 0 a 10-28.
Estes sub-comandos só são ativados se MODEL=AVAL e
MODEL=HOT.

SN, SP: Especifica as velocidades de recombinação superficial (na

interface porta-isolante) para elétrons e lacunas em cm/sec. Seus
valores podem variar de 1 a 107. Estes sub-comandos só são
ativados se MODEL=AVAL e MODEL=HOT.

TN, TP: Especifica o tempo de vida de elétrons e lacunas em

segundos, a qual pode variar de 10-9 a 106. Estes sub-comandos só
são ativados se MODEL=AVAL e MODEL=HOT.

VN, VP: Especifica as velocidades de recombinação interfacial (na

interface substrato-isolante para elétrons e lacunas em cm/sec, as
quais podem variar de 1 a 107. Estes sub-comandos só são ativados
para simulações com SOI e se MODEL=AVAL e MODEL=HOT.

 STEP: Este comando é utilizado para especificar uma

seqüência de passos (variações) para qualquer voltage aplicada.
Caracteriza-se pelos seguintes sub-comandos:

STEP, DB = num, DD = num, DG = num, NB = num,

+ ND = num, NG = num

DB: Especifica a voltagem incremental no substrato em volts, a qual

pode variar de -5 a 5.
 21
DD: Especifica a voltagem incremental no dreno em volts, a qual
pode variar de -5 a 5.

DG: Especifica a voltagem incremental na porta em volts, a qual

pode variar de -5 a 5.

NB: Especifica o número de passos de voltagem no substrato, o qual

pode variar de 1 a 20.

ND: Especifica o número de passos de voltagem no dreno, o qual

pode variar de 1 a 20.

NG: Especifica o número de passos de voltagem na porta, o qual

pode variar de 1 a 20.