“Introdução às microtecnologias”

Microfabricação
Fotolitografia
1 - Limpeza do substrato. Substrato

2 - Aplicação do PR (polímero PR
Substrato
fotossensível) por spinning .
Luz UV
3- Cura .
Máscara

PR
Substrato

PR PR
Substrato
Fotolitografia
1 - Limpeza do substrato. Substrato

2 - Aplicação do PR (polímero PR
Substrato
fotossensível) por spinning .
Luz UV
3- Cura .
Máscara

PR
Substrato

PR PR
Substrato
1 - Limpeza do substrato. Substrato

2 - Aplicação do PR (polímero

fotossensível) por spinning . PR

Substrato
3- Cura .
Luz UV
4- Exposição a luz UV.
Máscara
5 – Revelação.
6 – Cura final. PR
Substrato

PR PR
Substrato
1 - Limpeza do substrato. Substrato

2 - Aplicação do PR (polímero PR
Substrato
fotossensível) por spinning .
Luz UV
3- Cura .
Máscara
4- Exposição a luz UV.

5 – Revelação. PR
Substrato
6 – Cura final.

PR PR
Substrato
 Fotolitografia
•Preparação do substrato:
•O substrato deverá estar limpo e seco. A remoção de partículas e resíduos orgânicos é efectuada por
tricloroetanol ou IPA (álcool isopropílico), seguida de secagem por jacto de azoto. O substrato é depois
aquecido a 150 ºC, durante 20 minutos.
•Aplicação:
•O PR é distribuído na superfície do substrato, seguido de rotação do substrato para obter uniformidade
na espessura. Pode ser aplicado directamente ou diluído (com photoresist thinner) para obter menor
espessura de filme. Sem diluição e com rotação de 75 rpm obtém-se a espessura de 2.5 µm.
•Cura preliminar:
•O substrato é aquecido a 82 ºC, durante 20 minutos para evaporar solventes residuais e melhorar a
adesão do material fotossensível. Com a utilização de substratos de Kapton, devido à baixa condutividade
térmica, a temperatura do disco de aquecimento deverá ser de 90 ºC.
•Exposição:
•O fabricante recomenda 1-10 segundos de exposição sobre uma luz ultravioleta (355 nm) de 10W/cm2
através da máscara com a estrutura pretendida. Dada a reduzida intensidade da luz utilizada, 50
segundos de exposição são necessários para sensibilizar o filme (PR diluído a 50% e rotação a 300 rpm).
A máscara deve ser opaca ao comprimento de onda utilizado. Para resoluções até 50 µm podem ser
utilizadas transparências impressas a preto em equipamentos de litografia convencionais (fotolito).
•Revelação:
•Para a revelação, o revelador é aplicado na superfície do filme. Ao fim de 1 minuto é novamente aplicado,
e assim sucessivamente durante cinco minutos. No final, o filme é lavado com IPA.
•Cura final:
•Para evaporar os solventes residuais e promover a adesão e a estabilidade do filme, a cura final é
efectuada a 120 ºC durante 15 minutos.
A necessidade de criar estruturas 3D
Como funciona um sensor de pressão?
Gravação por máscara de sombra
Substrato

Máscara

Cadinho
 Luz UV

Lift-off Máscara

PR Deposição e exposição do
(a) Substrato polímero fotossensível
(PR).

PR PR Revelação do PR.
(b) Substrato

Au Au
PR Au PR
Deposição do material
(c) Substrato
(Por exemplo, Au).

Au
(d) Substrato Remoção do PR.

O substrato é revestido com um polímero fotossensível (PR), no qual é gravado o desenho da estrutura
que se pretende fabricar por exposição a luz ultravioleta, através de uma máscara. O material é em
seguida depositado sobre o PR. Por fim, o PR é removido quimicamente, retirando também o filme que
foi depositado sobre este.
 Lift-off process

O substrato é revestido com um polímero fotossensível (PR), no qual é gravado o desenho da estrutura
que se pretende fabricar por exposição a luz ultravioleta, através de uma máscara. O material é em
seguida depositado sobre o PR. Por fim, o PR é removido quimicamente, retirando também o filme que
foi depositado sobre este.
 Wet etching
Corrosão química em solução aquosa
Wet etching
Corrosão química em solução aquosa

Neste processo de gravação, o material a

remover reage com uma solução química
aquosa (etchant) produzindo outro material
(que é dissolvido no reagente inicial ou
libertado no estado gasoso). Cada material
reage de forma diferente, pelo que é
necessária uma solução específica para cada
material. Idealmente, cada solução deve
apenas remover o respectivo material, não
reagindo com os restantes (elevada
selectividade). A tabela seguinte mostra
alguns materiais utilizados na indústria de
semicondutores, uma solução aquosa
comum e respectiva taxa de gravação (etch
rate).
Wet etching
Corrosão química em solução aquosa

 Remoção de materiais em solução aquosa química

recorrendo a uma base ou ácido fortes.
 Corrosão isotrópica
 a corrosão processa-se em todas as direcções e à mesma taxa

 Corrosão anisotrópica
 A corrosão processa-se a diferentes taxas de corrosão em
diferentes direcções. Permite a obtenção e controlo de várias
formas.
 Alguns compostos químicos corroem o silício a taxa diferentes
que dependem da concentração das impurezas no silício.
Aspectos da corrosão
Anisotropia e isotropia
 Corrosivos isotrópicos removem a mesma taxa em
todas as direcções ao contrário dos anisotrópicos
máscara

Isotrópico Exemplo de Anisotrópico

 Aspectos da corrosão - Selectividade
 A selectividade é a relação entre a taxa de corrosão do
material alvo e a taxa de corrosão dos outros materiais
 A corrosão química é geralmente mais selectiva do que
corrosão por plasma
 A selectividade para o material da máscara e para os
materiais etch-stop é importante

Máscara
alvo

Etch-stop

Ex: Nas figuras, o “alvo” terá de ser corroído muito mais rapidamente que a “máscara” ou o “etch-
stop” Seletividade é a razão entre duas taxas de corrosão.
Exemplo, seletividade entre o alvo e a máscara = Etch-rate (alvo) / Etch-rate (máscara) >>1
Corrosão química em solução aquosa
(wet etching)

 Químicos corrosivos isotrópicos

 Disponíveis para óxido, nitrato, alumínio, polisilício,
ouro, silício, ….
 Ataca os materiais à mesma taxa em todas as direcções, corroem
debaixo da máscara à mesma taxa que corroem ao longo do
material.
Wet etching •HAc - CH3COOH, Ácido acético
•BHF – 5NH4F(40%) : 1HF(49%)
•Piranha – 50H2SO4(96%) : 1H2O2(30%)

Etch rate
Material Solução aquosa
(Å/s)

Alumínio 16H3PO4 : 1HNO3 : 1HAc : 2H2O (25ºC) 10

Alumínio 16H3PO4 : 1HNO3 : 1HAc : 2H2O (40ºC) 80
Níquel Transene TFB 30
Níquel Piranha 60
Níquel 3HCl(30%) : 1HNO3(70%) : 2H20 17
(NH4)2Ce(NO3)6 : HClO4 - Transene 1020,
Crómio 40ºC 40

Ouro I2 : 2 KI : 17H2O – Cyantek AU5 100

Ouro 3HCl(30%) : 1HNO3(70%) : 2H20 110
Titânio 1HF(49%):1H2O2:20H2O 180
Silício KOH (30%), 90ºC 360
Nitreto de silício BHF 0.1-2
Óxido de silício BHF 20-50
http://www.transene.com/etchants.html THIN FILM

Al
TRANSENE ETCHANTS

ALUMINUM ETCHANTS
OPERATING RANGE

@25 °C @ 40 °C
RECOMMENDED APPLICATION
RESIST

TYPE A 30 Å/sec 80 Å/sec Negative Semiconductor & Integrated

Circuits
&
TYPE D 40 Å/sec 125 Å/sec GaAs & GaP Devices
Positive
AlSi Materials
TYPE F 30 Å/sec 80 Å/sec

THIN TRANSENE ETCHANTS OPERATING RANGE RECOMM APPLICATION Al2O3 TRANSETCH N 120 Å/min @ 180 °C SiO2 Semiconductor Devices

BOE BUFFERED OXIDE ETCHANT Variable Negative Semiconductor & Integrated

FILM ENDED Cr CHROMIUM ETCHANTS @ 40 °C Negative

Circuits
Thin Film Circuits
1020 40 Å/sec & Chrome Mask

RESIST Cr-Si
Cr-SiO
1020AC
CHROMIUM CERMET
TFE
32 Å/sec
1000 Å/min @ 50 °C
Positive
Negative Thin Film Circuits

Cu COPPER ETCHANTS

CE-100 1 mil/min @ 40 °C Screen Resists P.C.Boards

Al ALUMINUM ETCHANTS @25 °C @ 40 °C CE-200 0.5 mil/min @ 40 °C Positive &
Negative
Thin Film Circuits

APS-100 80 Å/sec @ 40 °C

Copper Etch 49-1 22 Å/sec @ 30 °C Ni Compatability

TYPE A 30 Å/sec 80 Å/sec Negative Semiconductor & GaAs

Copper Etch BTP
GALLIUM ARSENIDE
150 Å/sec @ 30 °C Negative
Negative
Ni Compatability
Microelectronic Circuits

Integrated Circuits GA ETCH 100

GA ETCH 200
GA ETCH 300
100 Å/sec @ 40 °C
20 Å/sec @ 5 °C
22 Å/sec @ 25 °C Semiconductor Testing
AB ETCH Defect Delineation

& GaN GALLIUM NITRIDE 80 A/min SiO2 LED

TYPE D 40 Å/sec 125 Å/sec GaAs & GaP Ga2O3 GALLIUM OXIDE 10 Å/sec @ 25 °C Negative Microelectronic Circuits

GaP GALLIUM PHOSPHIDE A Face(Ga): Negative Light Emitting Diodes

Positive Devices 115 micron/hr @ 80 °C

B Face (P):
210 micron/hr @ 80 °C
Ge GERMANIUM 250 Å/sec @ 20 °C Negative
Semiconductor Devices

TYPE F 30 Å/sec 80 Å/sec AlSi Materials Au GOLD ETCHANTS

TFA
TFAC
28 Å/sec @ 25 °C
30 Å/sec @ 60 °C
Neg & Pos
Negative
Thin Film Circuits
GaAs compatible
GE-8148 50 Å/sec @ 25 °C Neg & Pos Ni compatible
GE-8110 15 Å/sec @ 25 °C Neg & Pos Ni compatible
GE-8111 15 Å/sec @ 25 °C Neg & Pos Ni compatible

Hf, HfO HAFNIUM, HAFNIUM OXIDE 45 Å/sec @ 25 °C Negative Use Titanium Etch TFT
ALD HfO 7.5 Å/sec

Al2O3 TRANSETCH N 120 Å/min @ 180 °C SiO2 Semiconductor In2O3

ITO
INDIUM OXIDE
INDIUM TIN OXIDE
15 Å/sec @ 25 °C Negative Microelectronic Circuits

InP INDIUM PHOSPHIDE 30 mins @ 25 °C Negative Microelectronic Circuits

Devices Fe2O3 IRON OXIDE MASK

ETCHANT
Negative Microelectronic Circuits

ME-10 50 Å/sec @ 25 °C &

ME-30 25 Å/sec @ 25 °C

BOE BUFFERED OXIDE Variable Negative Semiconductor &

Positive
Polyimide KAPTON POLYIMIDE 0.013 mil/min @ 40 °C Polyimide/Copper Clad
Negative
ETCHANT 0.07 mil/min @ 60 °C Laminates

ETCHANT Integrated Circuits

MgO Magnesium Oxide Etchant MgOX12 40 Å/sec @ 30°C Negative &
Positive
Mo MOLY ETCHANT TFM 55 Å/sec @ 30 °C Negative Microelectronic Circuits

85 Å/sec @ 60 °C
Nb Niobium 50Å / sec @ 25 oC Negative Microelectronics
NbN Niobium Nitride

Cr CHROMIUM ETCHANTS @ 40 °C Negative Thin Film Circuits NbO

Ni-Cr
Niobium Oxide

NICHROME ETCHANTS Negative & Thin Film Circuits

1020 40 Å/sec & Chrome Mask Ni

TFN
NICKEL ETCHANTS
TFB
50 Å/sec @ 40 °C

30 Å/sec @ 25 °C
Positive
Negative &
Positive
Thin Film Circuits

1020AC 32 Å/sec Positive Ni-V

TFG
Type I
Nickel-Vanadium Etch
50 Å/sec @ 40 °C
3 mil/hr @ 40 °C
30 Å/sec @ 20 °C Negative&Positive Microelectronics

Pd PALLADIUM ETCHANTS 110 Å/sec @ 50 °C Negative & Semiconductor & Thin Film
TFP Positive Circuits

Cr-Si CHROMIUM CERMET 1000 Å/min @ 50 °C Negative Thin Film Circuits Pd PALLADIUM ETCHANT
EC
Electrochemical Etching

REAGENT SEMICONDUCTOR ETCHANTS (RSE)

Cr-SiO TFE Ru RUTHENIUM ETCH 20 Å/sec @ 20 °C Negative&Positive Microelectronics

SEMICONDUCTOR DEFECT DELINEATION ETCHANTS

Si REAGENT SEMICONDUCTOR ETCHANTS Variable Semiconductor

Cu COPPER ETCHANTS (RSE)

SILICON SLOW ETCH

Devices

Variable KMER Semiconductor

SILICON MESA ETCH Devices
Variable PKP Type I
PREFERENTIAL SILICON ETCHANTS

CE-100 1 mil/min @ 40 °C Screen P.C.Boards PSE 200

PSE 300

SOLAR CELL ETCHANTS

1 mil/3 min @ 100 °C
25 m/hr @ 100 °C
<110>
<100>
MEMS

Semiconductors

Resists SCE-200
SCE-300
1 hr @ 75-100 °C
<110>

<100> Solar Cells

WRIGHT ETCHANT 5-10 min @ 118 °C

CE-200 0.5 mil/min @ 40 °C Thin Film Circuits WRIGHT-JENKINS ETCHANT Defect Characterization N/A Semiconductor Testing
Semiconductor Testing

Positive & SIRTL ETCHANT Defect Characterization

Defect Characterization
N/A

N/A
Semiconductor Testing

APS-100 80 Å/sec @ 40 °C Negative SiC

SiO2
SILICON CARBIDE
BUFFER HF IMPROVED
80 Å/min
800Å/min @ 25 °C
Negative
Negative
LED
Semiconductor & Integrated
Thermally Grown Circuits
BD ETCHANT Variable PSG/BSG

TIMETCH 90 Å/min @ 25 °C CVD

Copper Etch 49-1 22 Å/sec @ 30 °C Ni Compatability SILOX VAPOX III

AIPAD Etch 639

4000 Å/min @ 22 °C

5000 Å/min
CVD, Al Compatible

Al Compatible

BUFFERED OXIDE ETCHANTS (BOE) Variable

SiO SILICON MONOXIDE ETCH 5000 Å/min @ 85 °C Negative Semiconductor Devices
Corrosão química em solução aquosa
 Químicos corrosivos
anisotrópicos
 Há alguns compostos
químicos no mercado
disponíveis para corroer os
diferentes planos do silício a
diferentes taxas de corrosão.
 Hidróxido de potássio (KOH)
 O mais popular e barato
 Condições de segurança
médias
 Aberturas em V no silício, inclinações
segundo ângulos dependentes da
orientação cristalina do silício.
 Wafer com orientação cristalina [100] dá
origem a inclinações de 54,7º
 O uso de wafers com orientações
cristalinas diferentes [110] produz
aberturas em V e inclinações a 90º -
paredes verticais.
Silicon wet etching in KOH, Si[100]
Corrosão química em solução aquosa
 Óxido e nitreto são pouco
corroídos em soluções aquosas
de KOH.
 Óxido pode ser usado para
máscara durante um curto
período de tempo (i.e, para
aberturas superficiais no silício)
 Para longos períodos de tempo, o
nitreto é a melhor máscara
porque corrói mais devagar em
soluções aquosas de KOH.
 Corrosão dependente da
concentração de impurezas
 Elevados níveis de boro no
silício reduz drasticamente a
taxa de corrosão.
 Elevada concentração de
boro a dopar o silício
provoca a paragem da
corrosão.
A dopagem da waffer pode
ser usada com etch-stop
Máscara
Si
Extra doped P-Si
Corrosão anisotrópica do silício
<100>
<111>

54.7

Substrato de silício

A corrosão anisotrópica tem taxas de corrosão dependentes das

direcções do cristal
Tipicamente, as taxas de corrosão são mais lentas para direcções
perpendiculares ao plano cristalinos com a maior densidade
Os corrosivos anisotrópicos tipicamente utilizados para o silício incluem
o Hidróxido de potássio (KOH), o Tetramethyl Ammonium
Hydroxide (TmAH), e o Ethylene Diamine Pyrochatecol (EDP)
 Máscara

Máscara

Cantos rectos 54.74º Projecção na

parte superior
Cantos imperfeitos Projecção
lateral
em corte

wafer
rectângulos
máscara de compensação

 KOH pode ser usado para obter estruturas com a forma de mesa (a).
 Os cantos das estruturas em forma de mesa são corroídos mais do que
o pretendido (b) obtendo-se cantos imperfeitos.
 Este problema pode ser resolvido com estruturas de compensação.
Tipicamente a máscara de corrosão é desenhada de maneira a incluir estas
estruturas nos cantos. Estas estruturas de compensação são desenhadas de
maneira a que a mesa é formada obtendo-se cantos a 90º.
Bulk-silicon micromachining
- etch stopping
 Diafragmas mais finos, até 20 µm de
 Diafragmas em silício com a
espessura de 50 mm podem ser
obtidos em wafers de Si com a 
corrosão por KOH.
 A espessura é controlada pelo
tempo que demora a corrosão,
portanto tem um intervalo de 
incerteza associado
espessura, podem ser produzidos
usando a dopagem por Boro para fazer
parar a corrosão por KOH
A espessura do diafragma é dependente
da profundidade à qual o Boro é
difundido dentro do silício, neste
processo o controlo é mais preciso que o
simples controlo da corrosão por tempo.
O diafragma de silício é a estrutura
básica dos sensores de pressão.
 Este micro-sensor de pressão pode ser
adaptado com uma mesa sobre o
diafragma para servir de acelerómetro.
Corrosão com KOH
 Corrói PhotoResist e alumínio instantaneamente
 Máscaras possíveis:
 SiO2
 Si3N4
 Alguns Polimeros
 Au
 Cr
Si etching in KOH

Equipamento para gravação de silício em KOH. Um suporte em inox protege a parte posterior da bolacha de silício
ficando apenas uma das faces exposta à solução aquosa de KOH.
Si etching in KOH 250

20% KOH
200 30% KOH
Taxa de gravação (μ/h)

40% KOH

150

100

50

0
20 40 60 80 100
Tem peratura (ºC)
Taxa de gravação de silício em diferentes concentrações de KOH, em função da

temperatura.
Estrutura atómica
 [001]

[010]

(111)

[100] (110)
Planos cristalinos em semicondutores

{100} {110} {111}

Identificação da wafer Si
Si wafer

Etch rate selectivity =400/200/1 for 110, 100, 111 planes

Simulações ACES (software simulação etching)
Face 100 Edge 100 Face 100 Edge 010

Máscara negativa
Face 100 Edge 100
RIE – Reactive ion etching
RIE – Reactive ion etching

Um campo electromagnético actua nas cargas do plasma no interior da câmara. No semi-ciclo positivo, os electrões deslocam-se para
cima e ao colidirem com a câmara são reconduzidos para a terra. Ao deslocarem-se para baixo, atingem o substrato, polarizando este com
uma carga negativa. Como a massa dos electrões é muito inferior à massa dos catiões, os electrões movem-se muito mais rapidamente, ao
serem acelerados com o campo electromagnético. Os catiões não conseguem movimentar-se significativamente, dada a frequência do
campo electromagnético. A carga negativa que é gerada no substrato acelera os catiões para baixo até colidirem com o substrato. Os
catiões reagem com o substrato (proporcionando remoção isotrópica) e removem material do substrato ao transferirem a sua energia
cinética (remoção anisotrópica). O plasma pode conter catiões de gases reactivos (que reagem com o substrato) e catiões inertes, que
apenas fazem remoção anisotrópica. Taxas de gravação até 1 μm/min são obtidas, com profundidades até 10 μm.
Ion etching
Reactive Ion etching (RIE)
Não Reactivo

Reactivo

Iões reactivos – isotrópico (Ex. F2)

Iões não reactivos – anisotrópico (Ar)
DRIE-Deep Reactive Ion etching (Bosch)

O DRIE ocorre em três fases consecutivas (Fig 5-3 A, B e C):

A. Primeiro, os catiões reactivos colidem com o substrato e conseguem uma elevada
taxa de gravação, de forma isotrópica (A).
B. Em seguida é depositada uma camada de protecção em toda a superfície (B).
C. Na terceira fase, é removida a camada de protecção de forma anisotrópica, com
catiões não reactivos (C).
O processo repete-se, e a camada da protecção que fica por remover, devido à
anisotropia da sua remoção, protege a as paredes durante a gravação isotrópica. Este
processo permite taxas de gravação de 20 μm/min e profundidades superiores a 500
μm.
Aspect ratio
Aspect ratio = h/w

h
O DRIE permite um
elevado aspect ratio
w
DRIE
Geometrias sem restrição
Paredes a 90°
☺ Elevada relação de aspecto 1:30
Máscara fácil (PR, SiO2)

 Receita do processo depende

da geometria
Micromaquinagem superficial
(surface micromachining)
 As técnicas de micromaquinagem superficial constroem a
estrutura em camadas de filmes finos sobre o substrato de silício ou
outro substrato a servir de base.
 Tipicamente são empregues filmes de dois materiais diferentes
 O material da estrutura (quase sempre polisilício)

 O material de sacrifício (óxido).

 Ambos os materiais são depositados e formatados.

 No final o material de sacrifício é removido por corrosão química por solução aquosa de
maneira a obter-se a estrutura pretendida.

 Quanto maior o número de camadas, mais complexa é a estrutura e mais difícil se torna
o seu fabrico.
Micromaquinagem superficial (Um exemplo)

Deposição da camada de sacrifício Obtenção de contactos

(ex. SiO2) (ex. fotolitografia e etching em HF)
SiO2

Si

Corrosão da camada de sacrifício

Deposição da camada estrutural (ex. etching em HF)
Poly-Si
Surface micromachining 1
Surface micromachining 2
Combinação de técnicas

a) Thin film deposition

b) Ion etching (anisotrópico)
c) CVD thin film deposition
d) Ion etching (anisotrópico)
e) RIE (isotrópico)
Combinação de técnicas
Pontes suspensas.

polissilício
dióxido de silício
substrato
Veio móvel: Dobradiça!
 Micromaquinagem volúmica – Sensor de pressão
• Corrosão anisotrópica permite maquinar o
silício com elevada precisão
• Polisilício apresenta um elevado efeito
piezoresistivo
• Estas propriedades, combinadas com as
propriedades mecânicas excepcionais e
com um bom desenvolvimento do processo
de fabrico, torna o silício o material ideal
para sensores de precisão Chip do sensor de pressão
• Sensores de pressão e acelerómetros foram
os primeiros a serem desenvolvidos

Sensor de pressão encapsulado

Bulk micro-machine example
1. Depositar nitreto de silício em ambas as
faces
• Servirá de membrana na Face 1 e de
máscara na face 2
2. Depositar e padronizar 4 sensores
• ex: wet-etching de qualquer material
3. Depositar e padronizar ligações e pads
• ex: lift-off ou RIE de Au ou Al

• FACE 2
1. Padronizar nitreto de silício
2. Wet etching do silício
Surface Micromachining
Exemplos

http://inst.eecs.berkeley.edu/~ee
/fa07/lectures/SurfaceMicromac
g.BustilloHoweMuller.00704260
Exemplos

Optical Switch
Mechanical Clutch
Electrostatic Rotor
CMOS & MEMS
Circuito electrónico e MEMS no mesmo substrato de Si

Poder integrar a eletrónica e o sensor é uma das principais vantagens de

usar silício com material de base
LIGA
 LIGA

(a) Aplicação de photoresist

espesso e exposição (raios-X
ou UV)

(b) Deposição eletroquímica

(electroplating)

(c) Remoção do photoresist

(d) Libertação do substrato

Deposição electroquímica
LIGA
LIGA – em fabrico de moldes
LIGA – ex de estrutura em ponte
SU-8 Photoresist
• Epoxy photoresist negativo para estruturas MEMS
• Pode formar estruturas até 1mm, com aspect ratio 1:25
• Pode ser usado como molde para polímeros ou para
electrodeposição.
• Biocompatível
• Difícil de remover

12/13/2020 63
SU-8 photoresist

• UV light causes the epoxy groups to crosslink

•Deep penetration of UV light
~1 mm

•Areas not cross-linked are removed with

PGMEA (propylene glycol methyl ether acetate)
12/13/2020 64
 Processamento do SU-8

http://www.microchem.com/products/pdf/SU8_2002-2025.pdf
Atuadores

Atuadores eletrostáticos
Atuadores

Actuador em Comb-drive
Actuador térmico

Actuador electroestático 2DoF

Actuators