Linhas de Transmissão e Ondas

Prof. Dr. Valdemir Praxedes da Silva Neto

Universidade Federal Rural do Semi-Árido (UFERSA) – 2017.2

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Estruturas de Transmissão Planares
Introdução

• Por que utilizar as linhas de transmissão planares?

– Permite a miniaturização dos dispositivos;
– Facilidade de construção e baixo custo;
– Dimensões e peso reduzidos;
– Capacidade de integração com outros dispositivos dentro do transceptor
em sistemas de comunicações sem fio.
– Facilidade do controle de impedâncias das linhas, realizando alterações
apenas em um único plano.

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Introdução

• As estruturas apresentadas anteriormente são modeladas em termo de

circuito equivalente por:

• Em termos dos parâmetros distribuídos R, L, G e C, para dependência

harmônica com o tempo (ejωt), a impedância característica Z0 da linha e
a constante de propagação, são dadas por:

R  jL
Z0 
G  jC

  ( R  jL)(G  jC )
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Estruturas de Transmissão Planares
Como foram idealizadas as linhas de transmissão planares?

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Linha de Fita

• Estrutura: uma fita condutora central imersa em uma região dielétrica

contida entre dois planos condutores.

• O modo principal de propagação é o modo Transversal

Eletromagnético, TEM, como no caso das linhas bifilares ou coaxiais.
Para propagação do modo TEM, as configurações dos campos elétrico
e magnético, na seção transversal de uma linha de fita, são mostradas

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Linha de Fita

• Velocidade de fase: Para a linha de fita, que possui uma região

dielétrica homogênea, com permissividade elétrica relativa igual a εr, a
velocidade de fase na estrutura é dada por:
c
vp 
r
• Impedância Característica: As expressões para o cálculo da
impedância característica são obtidas em função das dimensões físicas
da linha e das características da fita condutora.

 t
30 1  
Z0 
1  b
 r  We C f 
  
 b  

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Linha de Fita

   
   
t  
C f  2 ln   1  ln 
1 1
 1 
 t  B  t 
2

 1     1   
 b    b 
We W
•  para
W
 0,35;
t
 0,25 ou
b b bt b

• Temos: Cf = capacitância por unidade de comprimento devido ao efeito

de borda; εr = constante dielétrica do substrato; t = espessura da fita
condutora; W = largura da fita condutora; b = distância entre os planos
de terra.
•
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Linha de Fita

• Largura da Fita Condutora normalizada em relação à distância entre os

planos de terra b pode ser obtida como segue

 t
• Onde: Zb  Z 0  r 1  2,3 
 b
• Para t=0:
  8b 2 
 
ln 1  
30 1 8b 8b
Z0       6,27  
 r  2 W  W  W  
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Linha de Microfita

• Estrutura Aberta: Campo não está Confinado.

• Propagação do Modo quase TEM.
• A estrutura é constituída de uma fita condutora depositada sobre um
substrato dielétrico, que se apóia sobre um plano condutor (plano de
terra).
• Estrutura de transmissão não-homogênea, com uma interface
ar/dielétrico, que favorece a propagação de um modo quase-TEM.
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• A aproximação do modo de propagação quase-TEM na microfita é

adequada para projetos na faixa inferior de microondas (até 10 GHz).

• A partir desta freqüência, devem ser usados fatores corretivos que

permitam considerar a variação dos parâmetros com a freqüência. Para
o modo quase-TEM.

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• Para linhas de transmissão sem perdas, a impedância característica Z0

e o comprimento de onda na microfita λm podem ser expressos por:

1 vp m 1 C  Zv 
2

Z0     ef    
v pC c   ef Cv  Z 0 

• C: capacitância por unidade de comprimento da linha;

• c: velocidade da luz;
• Cv: capacitância C quando o dielétrico é o ar (εr = 1);
• Zv: impedância característica da linha Z0 quando o dielétrico é o ar.

• Devido ao vazamento do campo no ar, a permissividade relativa efetiva

εef é menor do que a permissividade relativa εr do substrato .
• εef pode ser interpretada como a constante dielétrica de um material
equivalente ε0r que envolveria toda a fita condutora.
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• Análise:

  2 2 
42,4  4h  14  8 / r 4h  14  8 / r   4h   1  1/  r 2  
Z0  ln 1           
 r  1  W  11 W  11   W   2  
  

• Síntese:

1/ 2
  Z   1   4   1  
8exp 0 r   1 7   / 11  1   / 0,81
  42,4    r    
 r
W     

h  Z0  r  1 
exp  1
 42,4 
 

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• Permissividade Relativa:  r  1  r 1 1
 ef  
2 2 1  10h / W
• Valores mais precisos:

• A faixa de valores práticos para a impedância característica de uma

linha de microfita é aquela situada entre 20 Ω e 120 Ω.
• Os valores da constante dielétrica dos substratos usados na tecnologia
de microfitas estão situados entre 2,0 e 10,0.
• As Espessuras típicas para o substrato dielétrico são 0,835 mm e 1,57
mm.
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Linha de Microfita

 A impedância característica de uma

fita larga é, em geral, baixa, enquanto
que a de uma fita estreita é alta.

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Linha de Microfita

 Perdas:
Os coeficientes de atenuação devido às perdas no dielétrico e às perdas no
condutor são dados, respectivamente, por:

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Linha de Microfita

 Aplicações

Filtros

Acopladores

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 Aplicações

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Antenas