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ELETRÔNICA 1

Transistor Bipolar de Junção (TBJ)


2. TRANSISTORES BIPOLARES DE JUNÇÃO (TBJs)
2.1. Introdução
• Bibliografia: Livro Microeletrônica (autores: Sedra e Smith) – 5ª ed.
Capítulo 1 (itens 1.4, 1.5 e 1.6) e Capítulo 5
• TBJs é um dispositivo semicondutor formado por duas junções PN e
tem comportamento não-linear
• A linearizarção do TBJ pode ser feita através de um modelo de
pequenos sinais
• Modelo de Pequenos Sinais: é a soma do efeito de grandezas de
polarização (grandezas cc) com grandezas do sinal variável
(variações incrementais, ou pequenos sinais, em torno do ponto de
polarização)
• As relações entre as grandezas variáveis (pequenos sinais) são
lineares: circuito equivalente linear
2.2. Estrutura dos Transistores Bipolares de Junção
• Transistor NPN

• Transistor PNP
Modos de Operação do TBJ
Modo JEB JCB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta

Operação na Região Ativa - npn


iE = iC + iB
iC = iE − iB

iB = iB1 + iB 2
Operação na Região Ativa - pnp
iE = iC + iB
iC = iE − iB

iB = iB1 + iB 2
• Resumo das relações corrente-tensão para TBJ no modo ativo

iC = I S e v BE / VT Para o transistor pnp, substituir


vBE por vEB
iC IS
iB = = e v BE / VT
VT = kT / q ≅ 25 mV
β β à temperatura ambiente (293 K)

iC IS iE = iC + iB
iE = = e v BE / VT

α α
iE
iC = αiE iB = (1 − α )iE =
β +1
iC = βiB iE = ( β + 1)iB
α β
β= α=
1−α β +1
• Exemplo 1 (exemplo 5.1 – Sedra/Smith 5ª ed.)
O TBJ da figura tem β = 100 e exibe vBE = 0,7 V quando iC = 1 mA.
Projetar o circuito de modo que uma corrente de 2 mA circule pelo
coletor e a tensão de coletor seja +5 V.
Resposta: RC = 5 kΩ e RE = 7,07 kΩ
• Exemplo 2 (exercício 5.11 – Sedra/Smith 5ª ed.)
No circuito da figura, as medições indicam VB = +1 V e
VE = +1,7 V. Quais são os valores de α e β para este transistor? Qual
é o valor de VC no coletor? (obs: não há nada conectado aos pontos
VE, VC e VB, além dos medidores de tensão).
Resposta: 0,994; 165; −1,75 V.
• Convenção de notação

iC (t ) = I C + ic (t )

Grandezas instantâneas totais: símbolo minúsculo com índice maiúsculo (iC)


Grandezas em corrente contínua (cc): símbolo maiúsculo com índice
maiúsculo (IC)
Grandezas incrementais (variações): símbolo minúsculo com índice
minúsculo (ic(t))
Valor de pico da grandeza incremental (medido a partir do valor cc): símbolo
maiúsculo com índice minúsculo (Ic) (valor de pico de ic(t))
Representação Gráfica das Características do TBJ

vBE muda de -2 mV/oC


Efeito Early
vCE
iC = I S e v BE / VT
(1 + )
VA
−1
 ∂i 
r0 ≡  C 
 ∂vCE v BE = const . 

VA
rO ≅
IC
2.3. Análise cc de Circuitos com TBJ na Região Ativa
• Normalmente aproxima-se vBE para 0,7 V
• Considera-se que α varia pouco para grandes variações de β
• Em alguns casos considera-se α = 1, ou seja iC = iE
• Exemplos 5.7; 5.8; 5.10 até 5.12 (Sedra/Smith 5ª ed.)

2.4. Polarização de TBJ para Projetos de Circuitos Discretos


• Estabelecer uma corrente de polarização, ICC, previsível, calculável,
insensível às variações de temperatura e às grandes variações de
β em transistores do mesmo tipo.
• Permitir a máxima excursão da saída no plano iC - vCE.

• Abordagem para circuitos discretos.


Polarização Usando uma Fonte de Alimentação Simples

R2
VBB = VCC
R1 + R2

R1 R2
RB =
R1 + R2
VBB − VBE
IE =
RE + RB ( β + 1)
• Alimenta-se a base a partir de um divisor resistivo
• Conexão do resistor RE ao emissor para dar estabilidade
VBB
• Projeta-se para que VBB >> VBE e RE >> RB ( β + 1) , assim I E ≅
RE
evitando-se instabilidades produzidas por variações térmicas de VBE
e por variações de β.
2.5. Análise Gráfica do Projeto de Amplificadores com TBJ
VCC vCE
iC = −
RC RC

VCC vCE
VBB vBE • Reta de Carga: iC = −
iB = − RC RC
RB RB
VBB vBE
• Reta de Carga: iB = −
RB RB
• O ponto ‘Q’ deve estar no centro da
região ativa para permitir a máxima
excursão do sinal
• O ponto ‘QA’ corresponde a um VCE muito
próximo de VCC, limitando a excursão
positiva de vCE (próximo ao corte).
• O ponto ‘QB’ corresponde a um VCE muito
próximo da saturação, limitando a
excursão negativa de vCE.
• Regras práticas:
• Alta queda em RC para permitir grande excursão da saída antes do
corte; e alto valor de VCE para permitir grande excursão da saída antes
da saturação (requisitos conflitantes), levando à regra prática
VBB ≅ VCE ≅ RC I C ≅ 1 3VCC
• IE insensível às variações de β requer baixo valor para RB , que, por
outro lado leva a baixos valores para R1 e R2, que resulta em alta
corrente drenada da fonte e baixa resistência de entrada (requisitos
conflitantes), tipicamente escolhe-se R1 e R2, tal que a corrente nestes
resistores esteja entre IE e 0,1IE.

• Exemplo 5.13 e exercício 5.32 (Sedra/Smith 5ª ed.)


Polarização Usando Duas Fontes de Alimentação

VEE − VBE
IE =
RE + RB ( β + 1)

• Configuração mais simples, porém requer duas fontes


• RB pode ser eliminado na configuração base comum (base aterrada)
• RB é necessária se a entrada for acoplada à base (configurações
emissor comum ou coletor comum)
• Exercício 5.33 (Sedra/Smith 5ª ed.)
Arranjo Alternativo com uma Fonte de Alimentação Simples

VCC − VBE
IE =
RC + RB ( β + 1)

RB
VCB = I B RB = I E
β +1

• Arranjo simples que requer uma única fonte


• Arranjo apropriado para configuração emissor comum
• RB produz realimentação e tem ação de estabilização
• Regra: para obter IE insensível a β, faz-se RB/(β+1) << RC
• Exercício 5.34 (Sedra/Smith 5ª ed.)
Polarização usando uma Fonte de Corrente

VCC + VEE − VBE


I = I REF =
R

• Corrente de emissor, IE, independe de β e de RB


• Q1 comporta-se como um diodo e VBE é igual em Q1 e Q2, produzindo
a mesma corrente de coletor nos dois transistores
• Idealmente, Q1 e Q2 são idênticos (mesmos parâmetros)
• Fonte de corrente: espelho de corrente
• Exercício 5.35 (Sedra/Smith 5ª ed.)
Sugestão de exercícios: 5.1 até 5.4; 5.10; 5.11; 5.22 até 5.35 (Sedra/Smith 5ª ed.)
2.6. Modelos de Circuitos para Amplificadores

• Amplificadores de Tensão

RL
Avo =
vo vo = Avo vi
vi RL + Ro
io = 0
vo RL
Avo é o ganho de tensão em Av = = Avo
circuito aberto vi RL + Ro
Av é o ganho de tensão
vo Ri RL
= Avo vo/ vs é o ganho global de tensão
vs Ri + Rs RL + Ro

• Exemplo 1.3 (Sedra/Smith 5ª ed.)


Seja o amplificador de três estágios abaixo. Determinar o ganho de
tensão total (vL/ vs), o ganho de corrente (Ai=io/ ii) e o ganho de
potência.
Modelos de Circuitos para Amplificadores
Tipo Modelo do Circuito Parâmetro de ganho Características ideais
Amplificador de
Ganho de tensão em
tensão
circuito aberto

Amplificador de
corrente Ganho de corrente
em curto-circuito

Amplificador de
transcondutância Transcondutância
em curto-circuito

Amplificador de Transresistência em
Transresistência circuito aberto

Parâmetros: Ro; Ri; Avo; Ais; Gm e Rm


Relações entre os diversos modelos

• Amplificador de tensão e amplificador de corrente:


Ro
Avo = Ais ( )
Ri
• Amplificador de tensão e amplificador de transcondutância:
Avo = Gm Ro
• Amplificador de tensão e amplificador de transresistência:
Rm
Avo =
Ri
Todos os demais parâmetros de todos os modelos de amplificadores
podem ser interrelacionados através das equações anteriores.

Sugestão de exercícios: exemplo 1.4; resolver exercícios 1.11 até 1.20


(Sedra/Smith 5ª ed.)

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