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• Transistor PNP
Modos de Operação do TBJ
Modo JEB JCB
Corte Reversa Reversa
Ativo Direta Reversa
Saturação Direta Direta
iB = iB1 + iB 2
Operação na Região Ativa - pnp
iE = iC + iB
iC = iE − iB
iB = iB1 + iB 2
• Resumo das relações corrente-tensão para TBJ no modo ativo
iC IS iE = iC + iB
iE = = e v BE / VT
α α
iE
iC = αiE iB = (1 − α )iE =
β +1
iC = βiB iE = ( β + 1)iB
α β
β= α=
1−α β +1
• Exemplo 1 (exemplo 5.1 – Sedra/Smith 5ª ed.)
O TBJ da figura tem β = 100 e exibe vBE = 0,7 V quando iC = 1 mA.
Projetar o circuito de modo que uma corrente de 2 mA circule pelo
coletor e a tensão de coletor seja +5 V.
Resposta: RC = 5 kΩ e RE = 7,07 kΩ
• Exemplo 2 (exercício 5.11 – Sedra/Smith 5ª ed.)
No circuito da figura, as medições indicam VB = +1 V e
VE = +1,7 V. Quais são os valores de α e β para este transistor? Qual
é o valor de VC no coletor? (obs: não há nada conectado aos pontos
VE, VC e VB, além dos medidores de tensão).
Resposta: 0,994; 165; −1,75 V.
• Convenção de notação
iC (t ) = I C + ic (t )
VA
rO ≅
IC
2.3. Análise cc de Circuitos com TBJ na Região Ativa
• Normalmente aproxima-se vBE para 0,7 V
• Considera-se que α varia pouco para grandes variações de β
• Em alguns casos considera-se α = 1, ou seja iC = iE
• Exemplos 5.7; 5.8; 5.10 até 5.12 (Sedra/Smith 5ª ed.)
R2
VBB = VCC
R1 + R2
R1 R2
RB =
R1 + R2
VBB − VBE
IE =
RE + RB ( β + 1)
• Alimenta-se a base a partir de um divisor resistivo
• Conexão do resistor RE ao emissor para dar estabilidade
VBB
• Projeta-se para que VBB >> VBE e RE >> RB ( β + 1) , assim I E ≅
RE
evitando-se instabilidades produzidas por variações térmicas de VBE
e por variações de β.
2.5. Análise Gráfica do Projeto de Amplificadores com TBJ
VCC vCE
iC = −
RC RC
VCC vCE
VBB vBE • Reta de Carga: iC = −
iB = − RC RC
RB RB
VBB vBE
• Reta de Carga: iB = −
RB RB
• O ponto ‘Q’ deve estar no centro da
região ativa para permitir a máxima
excursão do sinal
• O ponto ‘QA’ corresponde a um VCE muito
próximo de VCC, limitando a excursão
positiva de vCE (próximo ao corte).
• O ponto ‘QB’ corresponde a um VCE muito
próximo da saturação, limitando a
excursão negativa de vCE.
• Regras práticas:
• Alta queda em RC para permitir grande excursão da saída antes do
corte; e alto valor de VCE para permitir grande excursão da saída antes
da saturação (requisitos conflitantes), levando à regra prática
VBB ≅ VCE ≅ RC I C ≅ 1 3VCC
• IE insensível às variações de β requer baixo valor para RB , que, por
outro lado leva a baixos valores para R1 e R2, que resulta em alta
corrente drenada da fonte e baixa resistência de entrada (requisitos
conflitantes), tipicamente escolhe-se R1 e R2, tal que a corrente nestes
resistores esteja entre IE e 0,1IE.
VEE − VBE
IE =
RE + RB ( β + 1)
VCC − VBE
IE =
RC + RB ( β + 1)
RB
VCB = I B RB = I E
β +1
• Amplificadores de Tensão
RL
Avo =
vo vo = Avo vi
vi RL + Ro
io = 0
vo RL
Avo é o ganho de tensão em Av = = Avo
circuito aberto vi RL + Ro
Av é o ganho de tensão
vo Ri RL
= Avo vo/ vs é o ganho global de tensão
vs Ri + Rs RL + Ro
Amplificador de
corrente Ganho de corrente
em curto-circuito
Amplificador de
transcondutância Transcondutância
em curto-circuito
Amplificador de Transresistência em
Transresistência circuito aberto