Professor: Jean Patrick Prigol, Me. Eng.

▪ Dispositivo semicondutor de 3 terminais

▪ PNP ou NPN
▪ Princípio de funcionamento do transistor PNP
IE = IC + IB IC = ICmajoritário + ICOminoritário
• Características de entrada

o Esta curva mostra a relação

entre a corrente de entrada (IE) e a
tensão de entrada (VBE) em três
níveis de tensão de saída (VCB).
oBaixa impedância
• Características de
saída
o Este gráfico mostra a
corrente de saída (IC) de
uma tensão de saída
(VCB) em vários níveis
de corrente de entrada
(IE).
o Alta impedância.
▪ Ativa
o Faixa de operação do amplificador.

▪ De corte
o O amplificador está basicamente desligado. Há
tensão, mas pouca corrente.

▪ De saturação
o O amplificador está totalmente ligado. Há corrente,
mas pouca tensão.
Alfa () é a razão de IC para IE :

IC
αcc =
IE

Idealmente:  = 1
Realidade:  fica algo entre 0,9 e 0,998

Alfa () no modo CA:

ΔI C
αca =
ΔI E
 V 200 mV
I E = Ii = i = = 10 mA
Correntes e Ri 20Ω Ganho de tensão:
tensões: I I
C E
 I = 10 mA
VL 50 V
I
L i Av = = = 250
Vi 200 mV
V = I R = (10 mA )(5 kΩ ) = 50 V
L L
▪ O emissor é comum aos
circuitos de entrada (base-
emissor) e de saída (coletor-
emissor).

▪ A entrada é aplicada à base

e a saída é retirada do
coletor.
Características de coletor Características de base
Correntes ideais IE = IC + IB IC =  IE

Correntes reais IC =  IE + ICBO Onde ICBO = corrente de

coletor minoritário

ICBO é geralmente tão pequena que pode ser ignorada, exceto em

transistores de alta potência e em ambientes de alta temperatura.

Quando IB = 0 A, está em corte, mas há uma ICEO =

ICBO
IB =0 μA
corrente minoritária correndo chamada ICEO. 1− α
 representa o fator de amplificação do resistor.

No modo CC: IC
βdc =
IB

IC
No modo CA:  ac = VCE = constante
IB

Às vezes refere-se ao CA como hfe, um termo usado nos cálculos do

desenvolvimento de transistores
Determininando-se  a partir de um gráfico

( 3,2 mA − 2,2 mA)

β AC =
( 30 A − 20 A)
1 mA
= V =7 ,5 V
10 A CE
= 100

2,7 mA
βDC = VCE = 7 , 5 V
25 A
= 108
A relação entre os fatores de amplificação  e  são:

β α
α= β=
β +1 α −1

Relação entre correntes:

IC = βIB IE = (β + 1)IB
• A entrada fica na base e a saída fica no emissor.
• As características são similares às do amplificador emissor-comum,
exceto pelo fato que o eixo vertical é IE.
• A VCE é máxima e a IC é
mínima na região de corte.

I C ( máx ) = I CEO

• A IC é máxima e a VCE é
mínima na região de saturação.

VCE ( máx ) = VCE ( sat ) = VCEO

• O transistor opera na região ativa entre a região

de saturação e a região de corte.
▪ Sensores industriais., normalmente utilizam um
sinal analógico que é caracterizado pela variação
da corrente elétrica na faixa de 4 a 20 mA.
▪ No caso de um sensor de temperatura com saída
em 4 a 20mA e capacidade de impedância de carga
de no máximo 50W, como conectá-lo a 2 CLP e 1
amperímetro com: Fio
20W, 50W,
CLP1
20W
respectivamente de
4W
impedância
20W
de entrada?
4 a 20mA
50W CLP2

20W
A
RAMP
 ▪ Utilizando um transistor PNP e uma fonte CC, a
conexão seria a seguinte...
Máx. 20mA
Fio CLP1 CLP2

4W 20W 50W A
4a20mA
Ri=10W 20W
RAMP
5V

Impedância vista pelo sensor Verificação da fonte CC

4 + 10 = 14Ω < 50Ω 20𝑚 × 20 + 50 + 20 = 1,8𝑉 < 5𝑉 → 𝑂𝑘
▪ BOYLESTAD, Robert L.,; NASHELSKY,
Louis. Dispositivos eletrônicos e teoria de
circuitos. 8. ed. São Paulo: Pearson Education do
Brasil, 2007.
jean.prigol@unoesc.edu.br