1a Lista de Exer

í ios
2019.1- 27/03/2019
1a Questão: Esboçar e justi ar, a urva da energia líquida de ligação em eV, onsiderando as Eqs. 1
e 2, para o par ini o Mg 2+ − O 2− , onde FA,M gO , F R,M gO , são as forças atrativa e repulsiva em eV/nm,
respe tivamente, dependem da distân ia de separação dos íons r em nm. Assim omo, esboçar e justi ar,
a urva da energia líquida de ligação em eV, no mesmo grá o do ítem anterior, onsiderando as Eqs. 3
e 4, para o par ini o Na+ − Cl− , onde FA,N aCl , F R,N aCl , são as forças atrativa e repulsiva em eV/nm,
respe tivamente, dependem da distân ia de separação dos íons r em nm. Esboçar no mesmo grá o, as
urvas de energia líquida do MgO e NaCl, indi ando e justi ando o material mais fortemente
ligado.
5,761
FA,MgO = r2
(1)
−4
FR,MgO = − 4,94r.810 (2)

1,4402
FA,NaCl = r2
(3)
−4
FR,NaCl = − 1,90r.910 (4)
Determinar e justi ar, matemati amente, os valores de r0 e E0 , em nm e eV respe tivamente, para os
dois ompostos. Onde r0 e E0 são os valores da distân ia de equilíbrio em nm e energia de ligação em eV,
respe tivamente.
Solução:

= FA,M gO dr = − 5,761
´
EA,M gO r
∴ A = 5, 761 eV.nm
= ´ FR,M gO dr = 7,06r.710 ∴ B = 7, 06 . 10−5 eV.nm7 ∴ n = 7
´ −5
ER,M gO
EA,N aCl= FA,N aCl dr = − 1,4402 r ∴ A = 1, 4402 eV.nm
2,38 . 10−5
∴ B = 2, 38 . 10−5 eV.nm8 ∴ n = 8
´
ER,N aCl= FR,N aCl dr = − r8
q
r0 = n−1 nB
A ∴ r0,M gO = 0, 210 nm ∴ r0,N aCl = 0, 279 nm
E0 = − rA0 + B
∴ E 0,M gO = − 23, 513 eV ∴ E0,N aCl = − 4, 514 eV
r0n
Logo, MgO mais fortemente ligado, E0,M gO < E0,N aCl ∴ r0,M gO < r0,N aCl
 2a Questão) a) Identi ar, determinar e justi ar, a estrutura ristalina e os índi es de Miller dos planos
da Fig. 1. Cal ular e justi ar os valores de densidade atmi a planar em nm2 /nm2 de ada plano.
Solução: Estrutura ristalina úbi a de orpo entrado.
(100) (110) (111)
√ √
4∗(1/4)∗πR2 3π [4∗(1/4) + 1]∗πR2 3 2π 3∗(1/6)∗πR2 3π
√
(4∗R/ 3)2
= 16
√ √ √
(4∗R/ 3)∗(4∗R 3)∗ 2
= 16 1
√ √ √ √ √ = 16
2 [(4∗R/ 3)∗ 2] [(4∗R/ 3)∗ 2] 3/2

Fig. 1 - Planos da estrutura úbi a de orpo entrado.

b) Identi ar, determinar e justi ar, a estrutura ristalina e os índi es de Miller dos planos da Fig.2.
Cal ular e justi ar os valores de densidade atmi a planar em nm2 /nm2 de ada plano.
Solução: Estrutura ristalina úbi a de fa es entradas.
(100) (110) (111)
√ √
[4∗(1/4) + 1]∗πR2 π [4∗(1/4) + 2∗1/2]∗πR2 2π [3∗(1/6) + 3∗(1/2)]∗πR2 3π
√
(4∗R/ 2)2
= 4
√ √ √
(4∗R/ 2)∗(4∗R/ 2)∗ 2
= 8 1
√ √ √ √ √ = 6
2 [(4∗R/ 2)∗ 2] [(4∗R/ 2)∗ 2] 3/2

Fig. 2 - Planos da estrutura úbi a de fa es entradas.

3a Questão: Determinar os índi es de Miller para ada plano da Fig. 3. Esboçar e justi ar a referida
família de planos, a amada atmi a, indi ando as direções ritalográ as de es orregamento, onsiderando a
estrutura ristalina do níquel. Cal ular a densidade atomi a planar em átomos/nm2, para o referido plano,
onsiderando o níquel. Consultar a Tab. 1.
Solução:

planos Fig.3-a: origem O, plano (111); origem O', plano (11̄1)

planos Fig.3-b: origem O, plano (111); origem O', plano (11̄1̄)
família de planos {111}.

Estrutura CFC do níquel, densidade atmi a planar,

√
[3∗(1/6) + 3∗(1/2)] 3
D{111} = 1
[(4∗R/
√ √ √ √ √
2)∗ 2] [(4∗R/ 2)∗ 2] 3/2
= 6∗0,12462 = 18, 59 átomos/nm2
2

Fig.3 - Quatro planos equivalentes do sistema úbi o

 4a Questão: Determinar e justi ar os valores dos ângulos de difração, esboçando o difratograma dos
metais dos ítens a) e b), onsiderando os respe tivos planos ristalográ os :
a) (110) , (200), (211) do ferro.
b) (111), (200), (220) do alumínio.
Considerando uma radiação de raios-X om omprimento de onda 0,1542 nm.
Solução:
4∗0,1241
a) aresta da élula úbi a do ferro, a = √
3
= 0, 287 nm.
√
λ 12 +12 +02 o
plano (110), 2Θ = 2 ∗ asen( √ 2a )
= 44, 66
2 2 2
plano (200), 2Θ = 2 ∗ asen( λ√2 +0
2a
+0
= 65, 00o
)
2 2 2
plano (211), 2Θ = 2 ∗ asen( λ 2 +1
2a
+1
= 82, 30o
)
4∗0,1431
℄ b) aresta da élula úbi a do alumínio, a = √ = 0, 405 nm.
√ 2
λ 12 +12 +12
plano (111), 2Θ = 2 ∗ asen( √ 2a ) = 38, 50o
λ 22 +02 +02
plano (200), 2Θ = 2 ∗ asen( √ 2a ) = 44, 76o
2 2 2
plano (220), 2Θ = 2 ∗ asen( λ 2 +2
2a
+0
) = 65, 16o
Estr. Cristalina Metal Raio(nm) Estr. Cristalina Metal Raio(nm)
CCC Ferro 0,1241 CFC Alumínio 0,1431
CCC Cromo 0,1249 CFC Cobre 0,1278
CCC Molibdênio 0,1363 CFC Chumbo 0,1750
CCC Tântalo 0,1430 CFC Níquel 0,1246
CCC Tungstênio 0,1371 CFC Prata 0,1445
Tab.1 - Dados de metais sele ionados à temperatura ambiente.
5a Questão: a) Rela ionar e justi ar os tipos de ligação atmi a primária.
Solução: metáli a, ini a e ovalente.

b) Rela ionar e justi ar a equação de energia líquida de ligação atmi a do tipo ini a e/ou ovalente,
onsiderando os expoentes m e n de Born.
Solução: EL = − rAm + B
rn

) Rela ionar e justi ar a equação do ál ulo teóri o da densidade de um metal puro onhe endo a
estrutura ristalina, os valores do peso atmi o e parâmetros da élula unitária.
nA
Solução: ρ = Vcélula NA

d) Rela ionar e justi ar o pro edimento do ál ulo do expoente de Born de um omposto ini o om uma
fórmula estequiométri a Mx Xy .
x∗nM + y∗nX
Solução: n = x+y

6a Questão: a) Deduzir e justi ar o desvio veri ado experimentalmente entre os valores da dilatação
térmi a relativa da amostra e da élula unitária do metal om o número de átomos asso iados n e energia de
formação da la una Qv .  
△l △a 1 △N 1 Nv 1 −Qv
Solução:
l − a = 3 N = 3 N = 3 exp kT
b) Deduzir e justi ar o valor da tensão de isalhamento ne essária τ para ven er a resistên ia me âni a
no ontorno de grão, onde as dis ordân ias en ontram-se espaçadas de uma distân ia D e o módulo de
isalhamento é igual a G. Considerar um ontorno de grão de baixo ângulo om desalinhamento Θ .
G.b
Solução: τ = D