came) © TRANSISTOR DE EFEITO | DE CAMPO - FET | ‘op de efeito de campo & conhecido como FET por causa do seu gia O transistor fect Transistor. Hé trés tipos de FET que se diferenciam em alguns ae onstrutivos ¢ por algumas caracteristicas elétricas: JFET, MOSFET do tipo igo ¢ MOSE! T do tipo deplegao. tor de Efeito de Campo de Juncao - JFET 6.1. Trans 0 transistor de efeito de campo de jungdo ou JFET € um dispositivo que permite o controle do fluxo de corrente que circula por um canal pela polarizagdo reversa dos seus terminais de controle. 6.1.1. Caracteristicas Construtivas e Funcionamento A Figura 6.1 mostra um JFET cujo canal & feito de material semicondutor do tipo N de fraca dopagem e em cujas extremidades sao fixados dois terminais que recebem as denominag6es fonte (source) e dreno (drain). Figura 6.1 - Estrutura do JFET. AS regides pepifsyi 7 5 too le s periféricas do canal séo fortemente dopadas com material semicondutor do ) €M que sio fixados os dois terminais denominados portas (gates). Nas d 'S dua Oe * de Bie Jungdes dos semicondutores do tipo P com o canal N formam-se as camadas le ine : ony oe al do, como se fossem dois diodos, Como os JFETs sao feitos de silicio, Transistor de Bfeito de Campo - FETjugdio das jungoes, quando polarizadas diretamente, & de Proxim, vonduye ad rsiio de co la. 0,0. ten mente do tipo canal N com as duas portas ing erlig Hligadas Ts comercials é = FETs canais N € P. A maiona dos pigura 6.2 mostra 0% simbolos dos J igura 6.2 J (a) JFET Canal N (b) JFET Canal P Figura 6.2 - Simbolos do JFET. © funcionamento do JFET pressup6e a polarizagdo reversa das jung6es por meio de uma tensio Vos negativa aplicada entre as portas (G) e a fonte (S), além de um tensio Vos positiva aplicada ao canal entre os terminais dreno (D) e fonte (8), conforme indica a Figura 6.3, Figura 6.3 - Polarizagdo das jungdes do JFET. Aplicando-s se uma tensa ‘ ima tensio Vos negativa, a polarizagao reversa nas jungdes caumenta 8 fespectivas camada . atid Peat deplegiio ¢ estreitam o canal, reduzindo 0 fluxo de correnle fe. Observe que a camada de deplecdo é mais acentuada nas prox midades do termi ; " rminal de dre: es de dreno porque ele tem um potencial maior que 0 term! Eletrénica Aplicada— ue flui pelo canal N é formada unicamente por elétrons ¢ por isso 0 scoreate a pansistor unipolar, diferenciando-se do transistor bipolar esty é consider cujas correntes sao formadas por elétrons e lacunas. ormente, CU) gnterio ET ‘ar estudado a fonte em diregao ao dreno, me onvencionalmente o sentido e deslocam di “sstrons se desloca ¢ Qselétror movimento dos elétrons, como indica a Figura 6.3 ga corrente © contrario a0 la CO aceristicas fundamentais do JFET & a sua elevadissima impedancia de Sn ordem de gigaohms, pois como a jungdo porta-fonte & polarizada Me. qualquer tensdo Vos produz uma corrente de porta praticamente p Gore consequéncia, a corrente de dreno € igual a corrente de fonte Uma das entrada, reversamen pula (Ic = isto é, 1D Is. 0 comportamento do JFET fica bem claro se analisarmos a sua curva caracteristica de saida, que relaciona a corrente de dreno (Ip) com a tensao entre dreno e fonte (Vos) para diversos valores de tensiio entre porta e fonte (VGs), conforme a Figura 6.4. Figura 6.4 - Curva caracteristica de saida do JFET. Para Vos = 0a corrente de dreno Ip ¢ fungdio apenas de Vos ¢ atinge o valor maximo, conforme vemos na curva superior. Para valores de Vs diferentes de zero e negativos, a corrente de dreno Ip depende tanto de Vcs quanto de Vps, e quanto maior o valor negativo de VGs menor cua corrente Ip. Como se pode observar, essa curva caracteristica lembra a do transistor bipolar, mas oa das diferengas fundamentais: a primeira, e principal, é que no JFET 0 controle da ae de saida (Ip) é feito pela tensdo de entrada (VGs), enquanto no bees que pies Orrente de saida (Ic) é controlada pela corrente de entrada (1B); 4 ane DGS 0 set T & muito mais linear que o transistor bipolar, j4 que as curvas de comst ‘U aumento acentuado, ficam praticamente paralelas com 0 eixo de VDS. Transistor de Efeito de Campo - FETidade pode ser facilmente explicada analisando a Figura 6,5 a lineari¢ Essa linea Regio hmica ” saturagao Figura 6.5 - Regiées da curva caracteristica de saida. Consideremos inicialmente apenas a curva em que VcGs = 0. No inicio, a Corrente de dreno Ip cresce rapidamente com o aumento de Vps até atingir a saturagao, que ocone quando o fluxo de elétrons atinge o seu valor maximo devido ao estrangulamenty (pinch-off) provocado pelas camadas de deplegao. A tensio Vps que provoca o estrangulamento é denominada VP e a corrente de dreno de saturagao é denominadg Ibss. A curva de saturacao ¢ limitada também por Vpsmax (ou BVpss, do inglés breakdown voltage drain source), pois essa tensao provoca a ruptura das Jungdes do JFET. Para valores de Vos diferentes de zero e negativos ocorre 0 mesmo, s6 que com valores de Vp menores, conforme a linha de estrangulamento apresentada na Figura 6.5. A regiao a esquerda da linha de estrangulamento é denominada regido dhmica, pois 0 JFET funciona como uma resisténcia varidvel controlada por tensao. A regiao a direita da linha de estrai ingulamento é denominada regido de saturagao, ma qual o JFET funciona como um ar mplificador. pee a0 grafico da Figura 6.5, vemos que o valor mais negativo de Ves ¢ nominado VGs(ott) ou tensGo de corte, pois esse nivel de tensao praticamente Provoca o desligamento do JFET, ou seja, faz com que a corrente de dreno sit Praticamente nula (ID =0). Curi 6 - s ‘©samente, o médulo da tensio VGsott é igual a Vp para qualquer JFET, isto & ificagdes der ( serem iguais e 6 itos manuals uma delas, gl ‘m médulo faz com que muitos Eletronica Aplicada- . 7 ipada (Pp) pelo JEET é dada por: ia dissIp@ éncl — Pp = Vps.Ip fornecem também & poténcia mdxima de dissipagao do JFET por meio : is for s manuals spice Ppmix. és antamos a curva de transcondutancia de um JFET, conforme a Figura 6.6. iprese a Por fim, 2! Ves(off) Ves Figura 6.6 - Curva de transcondutancia do JFET. Essa curva é muito pratica, pois informa diretamente as especificagées Ipss e VGs(ofi). Indiretamente, ela fornece o valor de Vp, pois é igual ao mddulo de VGs(of, além da relagdo entre ID e Vas quiescentes, que correspondem as condi¢ées de operacao do JFET dadas pela sua polarizacao, conforme veremos no proximo subtdpico. Accurva de transcondutancia segue a mesma relag%o matematica para qualquer JFET, que ¢: 2 Vesa VGS(off) Transistor de Efeito de Campo - FE’ irido srelelo Hesoly a povifleagoer do IVWT I245A Com o8 seguintes valores tipicgs an eaper ; 2V @ Vissinds © 20V. Conaiders #! dmA | VP en curva de AmA ¢ Vos © 2V, temese & seguinte curva de WrANSCONdUtinjy 2V 4; Vom Hoon tammcondulincia parn esse wer a) Haboe Dado que Hie hatin) Vigura 6.7 « Curva tiplea de tranycondutancla do FET BE 245A. b) Determine o valor da corrente de dreno 1p quando Vos = -1V, A partir das especificnydes dadas pode-se calcular 1p segundo a relagio matemética: vos -1y I —_ 107) 1) Ibe ims a) lp @4.10 {1 =) =>sg simples e mais usada de polarizagio do IFET © & denominada ya ma sq form pst © izagao: pporarizas ee mer a ; : ilo? Muitos livros adotam a denominagiio Vp, © ndo Vcc, para a fonte de ervagho com FET onset de circuito com alien" dos Resistores de Polarizagio jos la jculo jmos, as correntes de dreno e de fonte sao iguais (Ip = Is), de modo que » ja vimos, a8 fre j vim, a8 COTTE pee referencia apenas @ Ir jare! a . s slo definidos de acordo com a aplicagao do JFET. res Ip ¢ VS quiescente: ico de calcular Rs a partir das goes do JI dotar o centro da transcondutancia como © melhor conforme mostra a Figura Rs pode ser determinado 0s valor Um modo prat espe curva de ponto quiescente, 6,9, de modo que a por: Vos(off) ue Figura 6.9 - Polarizagéo do JFET no centro da curva de transcondutancia Analisando a malha de saida, temos: Rs.lp + Vos + Rp.Ip = Vec => Rp = Sec=Ves~Rslp D Por fim, 0 valor do resistor RG pode ser adotado em fungio da impeddncia de entrada desejada para 0 circuito, Isso acontece porque essa impedancia do circuito é 0 ¢quivalente paralelo entre RG e a impedancia de entrada do JFET. Mas como esta pins € muitissimo elevada, a impedancia de entrada do circuito é exatamente igual a Ne aoa, adota-se um RG elevado, da ordem de unidades de megaohms, para Ta impedancia de entrada elevada, Reta de Carga A partir da Saluracéio Ester da malha de saida, é possivel determinar os pontos de corte e Sp +-Vps +Rbd Jp = Vec Transistor de Efeito de Campo - FET0 ¢ [Vo Voc oh Ver : > Vo ) e|Ip ’ Ponto de saturagac Rp +Rs ’ \ Figura 6.10 mostra a curva caracteristica do JFET com a reta de carg, te Q indicando a condigio de operagao do dispositive, isto é, Ip, y Vt Vee Vos Figura 6.10 - Reta de carga e ponto quiescente do JFET Exercicios Resolvidos 1) Polarize o transistor MPF102 com corrente de dreno Ip = 2mA e Vos = 6V usando’ uma fonte de alimentacao de 12V. Especificagdes do MPF 102: wo| * Poméx = 200mW Ro = Ipss = 6mA = Vp=8V Eletrénica Aplicadav. alot comer Rs =1,2kQ ‘ieee nl cial adotado 12-6 -1,2.10°.2.107 RsID Rp =— 210° = Rp =1800Q yco - WOS RD 1p) valor comercial adotado = RS = 1,8kQ para o resistor RO ser’ adotado Ro =IMQ , a reta de carga do circuito do exercici i i! petermine are dc ? 0 anterior e localize ae nte Q do JFET. ane PELE ponto quiesce Ponto de corte: IDeorte = 0 = Voc => Vpseorte = 12V 0 Ypscorte Ponto de saturagao: VDSsat = Ib: Mee i I x NO = 7 Dit = Rp+Rs 1,8.10° +1,2.10° Pee JFET € formado pelos dados do projeto do circuito de polarizacao e 0 ponto Q do damente no centro da reta de carga, conforme a Figura 6.12 esté localizado aproximat Ib (mA) Vos=-1V Ves=-2V Vos=-3V Vos=-4V 2 4 6 & 1012 14 16 18 20 22 24 vos (V) Fin igura 6.12 - Reta de carga e ponto quiescente do MPF102 Transistor de Efeito de Campo - FETNesse caso, 0 valor quiescente da tensao na entrada do J Matematicamente, esse valor pode ser determinado por: 4 f Ves \ é Vos 1p = oss{1- = => 2.107 =6.10 if J a a» VGS(off) 2 2 Vos 1 ( “3 ee | eel fee | as +o ] 3 8 fr Ves Y Vas 2 (iS = 0,58=[14 s 8 8 | : Vas 058-1=*% = 0,42 s => Vas =-3,36V 6.2. Transistor de Efeito de Campo de Metal Oxido Semicondutor - MOSFET O MOSFET é um dispositivo largamente empregado na implementagao de circuitos integrados, pois permite a construgao de circuitos bem mais complexos em dreas menores, além de terem um baixo consumo de poténcia. A caracteristica construtiva principal é que o terminal de porta € isolado do substrato por uma camada isolante de didxido de silicio (SiO2). Por ter a porta isolada, esse dispositive é também conhecido por IGFET (FET de porta isolada). Eletricamente, sua principal caracteristica é que a sua impedancia de entrada ¢ ainda maior que a do JFET, entre 10’? e 10" ©, de modo que a corrente de porta é praticamente nula, 6.2.1, MOSFET de Inducaio A Figura 6.13 mostra a estrutura do MOSFET de indugao com canal N. Figura 6,13 - Estrutura do MOSFET de indugao - canal N. 2 Eletronica Aplicadaonsiste em um cristal de silicio do tipo P de elevada resis fi tivids s duas camadas N de baixa resistividade. ade no qual 0 substrato © si0 difundida: to é depositada uma fina camada de SiO2 com dois orifi esse conjun’ i pre esse CON) ae k icios para Eso dos terminais fonte (S) e dreno (D) diretamente nas Tegides N. O cael ch a conectado ao substrato por meio de uma fina camada de material isolante 5 porta (G) € MOSFET de indugao com canal P, cuja estrutura é exatamente o inverso Hé4 também 0 MU a | N. O mesmo ocorre com 0 seu funcionamento. desta com canal Voltando 4 Figura 6.13, notamos que as duas regides N esto separadas pelo substrato P, como se existissem dois diodos invertidos conectados em série, conforme a Figura 6.14. N Canal Substrato Canal Figura 6.14 - Circuito equivalente do MOSFET de indugao - canal N. Assim, qualquer tens4o aplicada entre os terminais fonte e dreno resultaria em uma corrente extremamente baixa. 0 contato metdlico da porta, o material isolante e 0 substrato P formam uma pequena capacitancia, cujo dielétrico é a camada de SiO2. Uma tensao Vos positiva aplicada entre 0 terminal de porta e o substrato, conforme indica a Figura 6.15, induz um canal N entre as duas regides N. Essas cargas negativas estabelecem um contato entre a fonte e o dreno, permitindo a circulagao de corrente entre eles quando estiverem polarizados. D D Canal N N induzido G Substrato N| P Vps Vos @ < § Figura 6.15 - Formagdo do canal N com polarizagao do MOSFET de indugao. e, consequente- A tenséi iti i os, . x ra do canal i Positiva (Vos) aplicada a porta controla a largura ‘a caracteristica og 4 corrente entre dreno e fonte (ID), tendo esse Sey Presentada na Figura 6.16. & Transistor de Efeito de Campo - FET+VGSmax +Vos1 +Vase +Vasa Vps i MOSFET de indugdo - canal N. va caracteristica do sura 6.16 - Curva c Fig ET possui quatro terminais: dreno, fonte, porta Substrate Como vimos, © MOSF! 4 Se utiliza 0 substrato conectado a fonte, 0 tipo jug 2 1c Como a maioria Se a trés terminais, no qual essa conexao jé ¢ feita internamenyy (Os! comum € 0 Mi r nais N e P est&o representados na Figura 6,17, c b MOSFETs com cal Os simbolos dos 6 D J o4 c G gel 8 s Megieaees (b) MOSFET - canal P Figura 6.17 - Simbolos do MOSFET. O circuito de polarizagao do MOSFET de indugao +Ver no deve ser o de autopolarizacio usado para o JFET, pois ele impée uma tensao negativa na Ro Jung4o porta-fonte, 0 que nao pode ocorrer neste caso. Re i= alternativa é a Polarizacao por realimentagao ” areno, conforme indica a Figura 6.18. ‘ Vos ee 4 Pode ser adotado, dependendo da see 4 ) ncia j 4 i ates ee entrada desejada. Ja 0 resistor Rp et tminado pela formula: izagdo pot Figura 6.18 - Polarizagao Fo oe Re realimentagao de dre Eletrénica Aplicadawosret de Deplecdio ado MOS edo com canal N Mos cecdo da ee 7 a conexio entre as regides de fonte e dreno. nite que haja corrente entre dreno e fonte mesmo sem a Ho ao substrato. 2 (VGs) entre a porta e © substrato, o MOSFET de omportamento similar ao do tipo indugao, isto é, a tensdo da porta controla a te entre dreno e fonte (ID). Aplicando va (-VGs) entre a porta e o substrato, havera a redugdo pl : de port no canal (deplecdo), de forma que o controle da corrente entre (Ip) pode ser feito por fe Positivas e negativas tra a curva caract Figura 6.20 - Curva caracteristica do MOSFET de deple¢do - canal N oe do MOSFET de deplegdo sao iguais aos do tipo indugao, conforme @ 1 Transistor de Efeito de Campo - FETrae als 6 s Ss (a) MOSFET - canal N (b) MOSFET - canal Pp Figura 6.21 - Simbolos do MOSFET. O circuito de polariza¢éo do MOSFET de deplegao pode ser o m, ‘ SMO Usadg 7 JFET, inclusive o de autopolarizagéo. Como a tensao Vas pode ser POSitiva oy negate earenits mais comum € 0 de polariza¢ao com Vos = 0, como exibe a Figura Coe oO . 9+Voc Ro Lo ve Figura 6.22 - Polarizagao com Ves = 0. O resistor RG pode ser adotado, dependendo da impedancia de entrada desejada, Jia tesistor RD pode ser determinado pela formula: Observe que a corrente usada na formula € Iss, € nao Ip quiescente, pois ela esti de acordo com a condicdo Ves = 0, | 63, Aplicacdes dos Transistores de Efeito de Campo Neste t6pi 5 a‘ 0, cee aa algumas aplicagdes comuns dos transistores de efeito de oe mplificador, pois ele ser4 2 xclusival deste assunto, P Ta abordado no capitulo 7 que trata e Eletrénica Aplicada oe -Chave Analégica com JFET a JFET polari 6.23 mostra um JFET polarizado de m a ie Ni ae have analégic odo a operar no corte ¢ fancionando como uma ¢ igica. a ful we : Vo ed 2 Vo (Controle) Figura 6.23 - Chave analégica, Quando Vo < Vas(ot), 0 JFET encontra-se cortado, ou seja, ID =0 e ae 0, portanto , ‘ a chave encontra-se aberta. Quando Vc = 0, o JFET entra em saturacao © comporta-se apenas como uma resistencia, Clee os Eas esta entre unidades © centenas de ohms, Para minimizar 0 efeito dessa resistencia, usa-se um resistor R muito maior, da ordem de unidades a dezenas de quilo-ohms. Nessa condicao, qualquer sinal analégico presente no terminal de dreno (Vi) aparece no terminal de fonte (Vo). 6.3.2. Porta NAND com MOSFET - Canal N A Figura 6.24 exibe uma porta NAND implementada com trés MOSFETs - canal N. prvec le— Q3 es Os ‘ s ee sores Qi e @ funcionam como chaves, enquanto Q3 tem a fungao a d co de carga. Se as duas entradas A e B receberem tensdes iguais 4 Vota Qe @ fechardo ¢ a saida Y ficard com potencial nulo (Y = 0V)- Caso Oy Transistor de Efeito de Campo - FETdas entradas A ou B ou ambas receberem tensio nula (OV), heh : a uma das © ou ambas abrirao e a saida Y ficara com 0 potencial positivo da fonte anaves Q) ug Y= Veg) 9 ) abela ye bela Verdade a Ory Traduzindo esses valores para niveis légicos, o result : ado é a t NAND apresentada em seguida: o}o]> ° 6.3.3. Porta NOT com CMOS A Figura 6.25 mostra uma porta NOT (inversora) im complementar MOSFET, isto é, um canal N e um canal P. denominagao CMOS, muito usada na implementagao de cir plementada com Um par Essa configuragao tecebe a ‘cuitos integrados digitais, +Vcc Figura 6.25 - Porta NOT. Nesse circuito, se A = 2 =0V, : Vcc, 0 transistor Qi satura e Qe corta, de modo que Y = OV. Porém, se A = OV, inve ttem-se os estados dos transistores de forma que Y = VCC. Traduzindo esses valores Para niveis légicos, o resultado é a tabela verdade da por NOT mostrada em seguida: iy 0 1 1 0 Eletrénica Aplicada ————nonsidere a5 & a tpss = 10mA ; VP = 4V ; Vas(om = -4V e Vosmax = 25V. a) Complete a tabela a seguir, determinando o valor da corrente de dren: i para os valores de Vs dados: b Ip Vos(V) | ID(mA) 0 a 3 4 3 b) Esboce a curva de transcondutancia para esse JFET com base nos valores obtidos no item (a). 62) Considere 0 circuito de polarizagio do JFET BF245A exibido na Figura 6.26. Especificagdes tipicas do BF245A: = Ipss=4mA = Vp=2V = Vpsmax = 20V. Figura 6.26 - Circuito de polaricagdo do BF 2454. ty a cy. a) Determine Rp e Rs (valores comerciais) para ID = JmA e VDS 6 b) Calcule Vas quiescente. Transistor de Efeito de Campo - FETJe carga ¢ localize 0 ponto quiescente dada g gy q ¢ a reta ¢ ‘i la apresentada a seguir. ermin ; Det a de said ° d caracteristie Io (mA) Vos(v) 0 2 4 «+6 8 0 2 Figura 6,27 - Curva caracteristica de satda do BF245A 6,3) Analise o circuito da Figura 6.28 ¢ complete as Jacunas com uma das opgdes que estdo entre parénteses. ! +Vec f ep a FF v so Figura 6,28 - Cireuito de aplicagéo, Trata-se de um “ircuito formado por dois (canal N / canal e (AND / ORT NOT), Se Cortado) ee Net j ___ (JFETs / MOSFETs) ) que implementa uma pole Se » QI encontra-se (saturado/ nee € (0) conan V/ Voc), Caso A 0, Qi encontra- ado! (OV/ Vcc), i PletrOnica Aplicada