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Criação
O transístor de silício e germânio foi inventado nos Laboratórios da Bell
Telephone por John Bardeen e Walter Houser Brattain em 1947
Construção
Sua construção se constitui de 3 camadas de material semicondutor, que
formam os transistores NPN e PNP as formas como são encapsulados lhes dão uma
designação diferente, sendo divididos em baixa, média e alta potência.
N= material negativamente carregado
P= Material Positivamente carregado
Nestas montagens temos uma conexão entre base e emissor sendo assim a
base uma conexão em comum.
Esta montagem se caracteriza por um ganho de corrente inferior a 1, ganho de
tensão elevado, Resistência de entrada baixa e alta resistência de saída.
Esta montagens é comumente vista em amplificadores UHF, VHF ou um pré
amplificador de microfone, pois para estes fins a baixa capacitância saída e entrada
Divisor de tensão
Esta montagem com o nome diz divide a atenção entre os resistores de base, esta
montagem gera uma boa estabilidade térmica do circuito, com esta montagem
estabilizamos o ponto quiescente do transistor.
Polarização reversa.