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Universidade Federal do Espírito Santo

Departamento de Computação e Eletrônica

Disciplina: Eletrônica Básica I

CURVA CARACTERÍSTICA DO DIODO

Aluna: Pâmela Aliny Cleto Pavan

Matrícula: 2018102067

SÃO MATEUS

2020
1.2 INTRODUÇÃO

O LTSpice é um software produzido pela Linear Tehcnology e que agora é parte da


Analog Devices cuja finalidade é a simulação e análise do comportamento de circuitos elétricos
contendo os mais variados componentes: resistores, capacitores, diodos, amplificadores
operacionais e outros.

Para se realizar uma simulação no LTSpice, podemos inserir as informações de entrada


de duas formas: através de uma sequência de linhas de descrição, ou através de sua interface
gráfica que nos possibilita desenhar o circuito e selecionar a representação desejada dos
resultados. ¹

O diodo semicondutor é um dispositivo eletrônico feito de silício ou germânio que tem


como função retificar a corrente elétrica ou chavear um circuito. Ele é utilizado em aparelhos
eletrônicos, como televisão, computador, aparelhos de som, entre outros.

O diodo é construído a partir de materiais semicondutores, como o silício ou o germânio, que


são fundidos para criar uma junção PN, sendo que P representa a polaridade positiva e N, a
negativa. A polaridade positiva P de um diodo é onde há falta de elétrons, sendo essa região
também chamada de lacuna ou buraco. A parte negativa N possui excesso de elétrons.

A condução de corrente elétrica dependerá da forma como o diodo está polarizado, podendo
ser de duas formas:

• Polarização direta: Nesse tipo de polarização o polo positivo da fonte de tensão está
conectado ao lado P do diodo. Isso faz com que o lado positivo torne-se ainda mais
positivo, e o lado N, ainda mais negativo. As cargas elétricas conseguem atravessar a
barreira de potencial existente entre o lado P e o lado N do diodo, portanto, há condução
de corrente;
• Polarização inversa: O terminal positivo da fonte de tensão é conectado ao lado N da
junção PN do diodo. Isso faz com que a barreira de potencial aumente. Nesse caso, a
resistência do circuito é muito alta, e a corrente elétrica não consegue atravessá-la.²
É possível demonstrar por meio da física do estado sólido que as características gerais
de um diodo semicondutor podem ser definidas pela seguinte equação, conhecida como
equação de Shockley, para as regiões de polarização direta e reversa:

O comportamento de qualquer componente eletrônico pode ser expresso através de uma


curva característica ou curva VI que representa a relação entre tensão e corrente através dos
terminais do componente. Dessa forma, para cada valor da tensão aplicada, pode-se, a partir
dos dados da curva característica, obter o valor da corrente que flui no dispositivo e vice-versa.
A curva característica do diodo serve para determinar seu comportamento real qualquer que
seja o seu estado de polarização. ³

A curva característica de um diodo é um gráfico que relaciona cada valor da tensão


aplicada com a respectiva corrente elétrica que atravessa o diodo:
1.3 OBJETIVO

Análise da curva característica do diodo por meio do simulador de circuitos LTspice.

1.4 MATERIAIS E MÉTODOS

• Materiais utilizados na prática com o simulador de circuitos LTspice:


o Fonte de tensão (Vf);
o Resistor de 50Ω (R1)
o Diodo 1N4148 (D1)

Procedimento:

1) Determinou-se o valor do resistor para que o valor máximo da corrente do circuito não
ultrapassasse a corrente máxima suportável;
2) Montou-se o circuito, e entre os terminais AB foi colocada uma fonte de tensão DC,
inicialmente ajustada em 0V;
3) Variou-se a tensão da fonte (0 a 10V) no simulador e observou-se o resultado. Em
seguida, os resultados foram anotados na Tabela I;
4) Repetiu-se o procedimento anterior para os terminais da fonte DC invertidos e a tensão
variando de 0 a 30V; Em seguida, os resultados foram anotados na Tabela II;
5) Desenhou-se as curvas característica do Diodo (Figura I) usando as tabelas I e II;
6) Substituiu-se a fonte DC por um gerador de sinais para ondas senoidais (10Vpp e
100Hz) com off-set igual a zero. Desenhou-se o formato da onda Vr e Vd na figura 5 e
6;
7) Substituiu-se o sinal senoidal por onda quadrada de 100 Hz e aumentou-se a frequência
até 100KHz, observou-se o resultado no LTspice. Desenhou-se a figura para 100KHz
na figura 7.
1.5 RESULTADOS E DISCUSSÕES

• Determinou-se o valor do resistor para que o valor máximo da corrente do circuito não
ultrapassasse a corrente máxima suportável;

O modelo de diodo utilizado foi o 1N4148, o qual possui uma corrente direta média
de 200mA. Então, utilizando uma variante da equação da lei de ohm (I = V / R) com o valor
da corrente média e a tensão máxima que seria aplicada (10V) para encontrar o valor do
resistor necessário:

I = corrente;

R = resistência;

V = tensão.

• Resolvendo:

I(máx) = V (máx) / R

200mA = 10V / R

R = 10V / 200mA

R = 50 Ω

• Montou-se o circuito, e entre os terminais AB foi colocada uma fonte de tensão DC,
inicialmente ajustada em 0V;
Figura 1 – Circuito com fonte de tensão em 0V

• Variou-se a tensão da fonte (0 a 10V) no simulador.

Tabela I – Resultados da variação de tensão em polarização direta (0 à 10v) em Vr e Vd

Vf (V) Vr (V) Vd (V)


1 0 0 0
2 1 0,33 0,67
3 2 1,26 0,75
4 3 2,20 0,80
5 4 3,19 0,81
6 5 4,17 0,83
7 6 5,15 0,85
8 7 6,13 0,87
9 7,5 6,62 0,88
10 8 7,11 0,89
11 9 8,09 0,91
12 10 9,08 0,92

• Repetiu-se o procedimento anterior para os terminais da fonte DC invertidos e a tensão


variando de 0 a 30V;
Figura 2 – Circuito com fonte de tensão variando de 0 a 30V.

Tabela II – Resultados da variação de tensão em polarização reversa (0 à -30v) em Vr e Vd

Vf (V) Vr (V) Vd (V)


1 0 0 0
2 -5 0 -5
3 -8 0 -8
4 -10 0 -10
5 -15 0 -15
6 -18 0 -18
7 -20 0 -20
8 -22 0 -22
9 -25 0 -25
10 -26 0 -26
11 -28 0 -28
12 -30 0 -30

Diante dos resultados apresentados nas tabelas I e II, pode-se observar que quando
o circuito estava diretamente polarizado existia uma tensão em Vr, diferentemente de
quando estava reversamente polarizado. Isto ocorre porque, em uma polarização direta o
polo positivo da fonte de tensão está conectado ao lado P do diodo. Isso faz com que o lado
positivo torne-se ainda mais positivo, e o lado N, ainda mais negativo. As cargas elétricas
conseguem atravessar a barreira de potencial existente entre o lado P e o lado N do diodo,
portanto, há condução de corrente. Em contrapartida, em uma polarização inversa, o
terminal positivo da fonte de tensão é conectado ao lado N da junção PN do diodo. Isso faz
com que a barreira de potencial aumente. Nesse caso, a resistência do circuito é muito alta,
e a corrente elétrica não consegue atravessá-la.

• Observe o desenho da curva característica do diodo (Figura 3) usando as tabelas I e II:

Figura 3 – Curva característica do diodo.

• Substituiu-se a fonte DC por um gerador de sinais para ondas senoidais (10Vpp e


100Hz) com off-set igual a zero.
Figura 4 – Circuito com gerador de sinais para ondas senoidais

• Desenhou-se o formato da onda Vr e Vd na figura 5 e 6;

Figura 5 – Formato da onda Vr


Figura 6 – Formato da onda Vd

• Substituiu-se o sinal senoidal por onda quadrada de 100 Hz e aumentou-se a frequência


até 100KHz.
Figura 7 – Onda quadrada
1.6 CONCLUSÃO

Através dos dados coletados periodicamente em cada um dos circuitos, foi possível
construir o gráfico característico da região de polarização direta e reversa do diodo, a fim de
compreendê-lo de forma gráfica. Com isto, pode-se comprovar o funcionamento prático do
componente estudado.
1.7 REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS

[1] LTspice: Primeiros Passos. Vida de Silício. Minas Gerais, 21 de Fevereiro de 2019. <
https://portal.vidadesilicio.com.br/ltspice-primeiros-passos/ >. Acesso em 26 de setembro de
2020.

[2] TEIXEIRA, Mariane. Diodo Semicondutor. Mundo Educação. Goiânica, outubro de 2010.
< https://mundoeducacao.uol.com.br/fisica/diodo-semicondutor.htm >. Acesso em 26 de
setembro de 2020.

[3] WENDLING, Marcelo. Diodo Semicondutor. Apostila. 3 de agosto de 2011. <


https://www.feg.unesp.br/Home/PaginasPessoais/ProfMarceloWendling/2---diodo-
semicondutor.pdf >. Acesso em 27 de setembro de 2020.

[4] BOYLESTAD, Robert L. Dispositivos Eletrônicos e Teoria de Circuitos / Robert L.


Boylestad, Louis; tradução Sônia Midori Yamamoto; revisão técnica Alceu Ferreira Alves, -
11. Ed. - São Paulo: Pearson Education do Brasil, 2013.

[5] NASCIMENTO, Leandro. Manual Prático LTspice IV. São Paulo, 2017. Disponível em: <
https://edisciplinas.usp.br/pluginfile.php/5128936/mod_resource/content/1/Manual%20LTSpi
ce%20-%20Rev%208%20-%20Leandro%20do%20Nascimento.pdf >. Acesso em 26 de
setembro de 2020.