Eletrônica de Potência

Aula 05

Murilo Rocha – murilo@feevale.br

Professor do Curso de Engenharia Eletrônica
 Transistor de Efeito de Campo Metal-Óxido-
Semicondutor de Potência
MOSFET

São Transistores semicondutores de

Potência chamados de unipolares por que
diferente dos transistores normais eles são
do tipo P ou do tipo N.
 Vantagens

Impedância de entrada elevadíssima;

Relativamente imune à radiação;
Produz menos ruído;
Possui boa estabilidade térmica.
 Desvantagens

Ganho relativamente pequeno ;

Risco de dano quando manuseado.

 MOSFET

D - (drain) ou dreno;
S - (source) ou fonte;
G - (gate) ou porta: são regiões fortemente dopadas em
ambos os lados do canal. Quando o canal é n o gate é p.
 MOSFET

VDS é a tensão medida entre o dreno e a fonte;

VGS é a tensão medida entre o gate (porta) e a fonte.

 BjT X MOSFET

Comparativamente a um transistor bipolar,

podemos então estabelecer as equivalências
entre os terminais:
D - (drain) = coletor
S - (source) = emissor
G - (gate) = base
 BjT X MOSFET

Os MOSFETs são mais rápidos

nas transições de desligado para
ligado e de ligado para desligado
do que os BjT
 BjT X MOSFET

Mas no estado ligado, os

MOSFETs tem perdas de potência
mais altas que os BjT.
 Chave com MOSFET
Para usar o MOSFET de potência como
chave, para controle de potência fornecido
de uma fonte para uma carga, podemos
considerar a curva característica ideal.
 Chave com MOSFET

Sem tensão aplicada na porta(desligado) a

corrente de dreno ID é zero e a tensão VDS é igual ao
valor da fonte de alimentação.
Com tensão aplicada na porta VGS (ligado) e a
corrente de dreno passa a ser limitada pela
resistência de carga e a tensão VDS é zero
Perdas no MOSFET
Perdas no MOSFET
 Exercício 1
Uma fonte de tensão DC de 120V e uma resistência de carga de
10Ω estão ligadas como mostra a figura abaixo. O MOSFET que aparece
no circuito tem os seguintes parâmetros: tr = 1,5µs e RDS(ON)=0,1Ω. Se o
ciclo de trabalho for igual a d=0,6 e a frequência de chaveamento for de
25 khz calcule:
a)A perda de potência no estado ligado
b)A perda de potência durante o tempo de ligação
 Exercício 2
Um MOSFET com corrente IDSS =2mA, RDS(ON) = 0,3 Ω, d=50%, ID
= 6A, VDS = 100V, tr = 100ns e tf = 200 ns. Determine a perda
total de potência:
a) f=40kHz
b) f=100kHz
c) Compare as perdas de a e b
 MOSFET em Paralelo

Utiliza-se dois MOSFETs em paralelo

quando a corrente nominal do MOSFET for
inferior a corrente necessária na carga do
circuito.
Equacionamento
 Exercício 3
Determine a potência dissipada em
cada um dos MOSFETs.
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT

Os IGBTs mesclam as características de baixa

dissipação de potência no estado ligado (BjT) com
características de excelente chaveamento e alta
impedância de entrada(MOSFET).
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT

Porem, os IGBTs tem baixa capacidade

de bloqueio de tensões inversas,
suportando menos de 10V.
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT
Transistores Bipolares de Porta Isola
IGBT

Usa-se também a curva de carga

ideal para chaves IGBT e calcula-se
Ic = Vs/RL
 Exercício 4
Para uma fonte de tensão de 220V e uma resistência de carga de 5Ω com o IGBT
operando a 1kHz. Determine o tempo no estado ligado se a potência requerida for
de 5kW.
Perdas no IGBT
Exercício 4