Bancada Didática

UNIVERSIDADE DO SUL DE SANTA CATARINA
NATHANAEL GÜNTER PRANGE
DESENVOLVIMENTO DE BANCADA DIDÁTICA DE ELETRÔNICA DE

POTÊNCIA BASEADA NOS CIRCUITOS RETIFICADORES A DIODO E TIRISTOR
Tubarão
2019
UNIVERSIDADE DO SUL DE SANTA CATARINA

Trabalho de Conclusão de Curso apresentado ao Curso

de Engenharia Elétrica da Universidade do Sul de Santa
Catarina como requisito parcial à obtenção do título de
Engenheiro Eletricista.
Orientador: Prof. Luis Fernando Ferreira de Campos, Ms.Eng.
Tubarão
2019

Este Trabalho de Conclusão de Curso foi

julgado adequado à obtenção do título de
Engenheiro Eletricista e aprovado em sua
forma final pelo Curso de Engenharia Elétrica
da Universidade do Sul de Santa Catarina.
Tubarão, 25 de Junho de 2019.
______________________________________________________
Professor e orientador Luis Fernando Ferreira de Campos, Me. Eng.
Universidade do Sul de Santa Catarina
______________________________________________________
Prof. Marcos Tonon Alcantra, Esp.
______________________________________________________
Prof. Adriana Salvador Zanini, Me
Dedico este trabalho de conclusão de curso aos
meus familiares que sempre estiveram e
sempre estarão ao meu lado nos momentos
bons e ruins que a vida nos proporciona.
AGRADECIMENTOS
Agradeço primeiramente a Deus pela vida e pela oportunidade de poder estar

concluindo mais uma etapa significativa na minha vida.
Aos meus familiares por estarem ao meu lado me dando todo o apoio e incentivo
necessários para a conclusão deste trabalho.
Ao meu orientador, Luis Fernando Ferreira de Campos, que me guiou e instruiu
para poder concretizar esse momento.
E aos meus professores e colegas de classe que caminharam comigo durante
esses 5 anos de graduação, compartilhando momentos únicos que ficarão guardados na
memória.
“Deixem que o futuro diga a verdade e avalie cada um de acordo com o seu
trabalho e realizações. O presente pertence a eles, mas o futuro pelo qual eu sempre trabalhei
pertence a mim.” (NIKOLA TESLA, 1927).
RESUMO
Circuitos retificadores fazem parte do dia a dia das pessoas, presentes nos principais
equipamentos do cotidiano. Por esse motivo, é muito importante o estudo desse tipo de
circuito para o acadêmico em engenheira elétrica. Melhor que somente estudar esses circuitos,
é ter uma ferramenta em mãos que possa mostrar seus comportamentos. Desta maneira,
realizou-se o desenvolvimento de bancada didática de eletrônica de potência baseada nos
circuitos retificadores a diodo e tiristor. Tendo o objetivo de utilizá-la como uma ferramenta
para auxiliar as aulas de eletrônica de potência ministradas na Unisul, campus Tubarão, visto
a necessidade do desenvolvimento de um material de apoio. Para a realização desse projeto
foi feita uma pesquisa de caráter teórico, a fim de obter os dados necessários para o
desenvolvimento da bancada. Com a escolha dos componentes, foram montados os circuitos
retificadores a diodo, meia onda e onda completa, e o circuito retificador a tiristor, meia onda;
além do desenvolvimento de um circuito de disparo, que controla o ângulo do tiristor. Os
cálculos apresentados, juntamente com as simulações e testes práticos, basearam-se na forma
em que a matéria é apresentada aos alunos no período de 2018/1. Resultados obtidos foram
bons de acordo com o objetivo da bancada, pois os valores calculados, simulados e na prática,
foram muito próximos. Mostrando, desta forma, o comportamento dos circuitos ao serem
submetidos a diferentes tipos de cargas.
Palavras-chave: Bancadas-didáticas. Retificadores. Eletrônica-de-potência.

ABSTRACT
Rectifying circuits are part of the daily life of people, present in the main equipment of daily
life. For this reason, it is very important to study this type of circuit for the electrical engineer.
Better than just studying these circuits, is having a tool at hand that can show your behaviors.
In this way, the development of didactic workbench of power electronics based on diode and
thyristor rectifier circuits was carried out. With the objective of using it as a tool to support
the power electronics classes taught at Unisul, Tubarão college, considering the need to
develop a support material. For the accomplishment of this project a research of theoretical
character was made, in order to obtain the necessary data for the development of the
workbench. With the choice of components, the diode, half wave and full wave rectifier
circuits were mounted, and the thyristor rectifier circuit, half wave; in addition to the
development of a trip circuit, which controls the thyristor angle. The calculations presented,
together with the simulations and practical tests, were based on the form in which the material
is presented to the students. Results obtained were good according to the purpose of the
bench, since the values calculated, simulated and in practice, were very close. Thus, the
behavior of the circuits when subjected to different types of loads is shown.
Keywords: Bench-didactics. Rectifiers. Power electronics.

LISTA DE ILUSTRAÇÕES
Figura 1 - Átomo de germânio ................................................................................................. 22

Figura 2 - Átomo de silício ....................................................................................................... 22
Figura 3 - Ábaco de valores pares ............................................................................................ 24
Figura 4 - Ábaco de valores ímpares ........................................................................................ 25
Figura 5 - Diodo ideal ............................................................................................................... 27
Figura 6 - Junção pn do diodo .................................................................................................. 28
Figura 7 - Curva característica diodo ideal ............................................................................... 28
Figura 8 - Curva característica diodo real ................................................................................ 29
Figura 9 - Circuito equivalente ................................................................................................. 29
Figura 10 - Circuito meia onda a diodo – carga R ................................................................... 30
Figura 11 - Formas de ondas exemplo de tensão ..................................................................... 31
Figura 12 - Forma de onda exemplo de corrente ...................................................................... 31
Figura 13 - Circuito meia onda a diodo - carga RE .................................................................. 34
Figura 14 - Formas de ondas exemplos de tensão .................................................................... 35
Figura 16 - Circuito meia onda a diodo – carga RL ................................................................. 37
Figura 17 - Formas de ondas exemplos de tensão .................................................................... 38
Figura 18 - Formas de onda exemplo de corrente .................................................................... 38
Figura 19 - Circuito meia onda a diodo – carga RLE............................................................... 40
Figura 20 - Formas de onda exemplo de tensão ....................................................................... 41
Figura 21 - Formas de ondas exemplos de corrente ................................................................. 41
Figura 22 - Exemplo retificação completa ............................................................................... 43
Figura 23 - Retificador monofásico a diodo em ponte completa ............................................. 43
Figura 24 - Formas de ondas exemplo de tensão ..................................................................... 44
Figura25 - Formas de onda exemplo de corrente ..................................................................... 44
Figura 26 - Retificador onda completa a diodo carga RE ........................................................ 46
Figura 29 - Circuito onda completa a diodo – carga RL .......................................................... 49
Figura 32 - Circuito onda completa a diodo – carga RLE ........................................................ 52
Figura 35 - Diagrama de blocos exemplo de um circuito de comando .................................... 54
Figura 36 - Símbolo tiristor e junções (pn) .............................................................................. 55
Figura 37 - Curva característica do tiristor .............................................................................. 57
Figura 38 - Retificador meia onda monofásico a tiristor ......................................................... 57
Figura 39 - Formas de onda de tensão ...................................................................................... 58
Figura 41 - Circuito meia onda a tiristor – carga RE ............................................................... 60
Figura 44 - Circuito meia onda a tiristor – carga RL ............................................................... 63
Figura 47 - Circuito meia onda a tiristor – carga RLE ............................................................. 66
Figura 50 - Caixas de comando ................................................................................................ 69
Figura 51 - Bornes banana fêmea ............................................................................................. 70
Figura 52 - Diodo simbologia e real ......................................................................................... 70
Figura 53 - Circuitos retificadores meia onda e onda completa em ponte ............................... 71
Figura 54 - Caixa retificadora a diodo ...................................................................................... 71
Figura 55 - Diagrama de blocos ............................................................................................... 72
Figura 56 - Forma de tensão e corrente - diodo meia onda carga R - simulação ..................... 73
Figura 57 - Ângulos (α) e (β) – meia onda a diodo carga R - simulação ................................. 74
Figura 58 - Forma de tensão e corrente - diodo meia onda carga RE - simulação ................... 75
Figura 59 – Ângulos(α) e (β) – meia onda a diodo carga RE - simulação ............................... 75
Figura 60 - (Δt) dos ângulos (α) e (β) – meia onda a diodo carga RE - simulação .................. 76
Figura 61 - Forma de tensão e corrente - diodo meia onda carga RL - simulação ................... 76
Figura 62 - Ângulos (α) e (β) – meia onda carga RL - simulação ............................................ 77
Figura 63 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a diodo carga RL - simulação .............................. 77
Figura 64 - Formas de tensão e corrente - diodo meia onda carga RLE - simulação ............... 78
Figura 65 - Ângulo (α) – meia onda RLE - simulação ............................................................. 78
Figura 66 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda a diodo carga RLE - simulação ........................... 78
Figura 67 - Ângulo (β) – meia onda a diodo carga RLE - simulação ...................................... 79
Figura 68 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a diodo carga RLE - simulação ........................... 79
Figura 69 - Forma da onda de tensão na carga – meia onda carga R – osciloscópio ............... 80
Figura 70 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga R – osciloscópio .............. 80
Figura 71 - Ângulos (α) e (β) – meia onda carga R – osciloscópio .......................................... 81
Figura 72 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda carga RE – osciloscópio ............. 81
Figura 73 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga RE – osciloscópio ............ 82
Figura 74 - Ângulos (α) e (β) – meia onda carga RE – osciloscópio ....................................... 82
Figura 75 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda carga RL – osciloscópio ............. 83
Figura 76 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga RL – osciloscópio ............ 83
Figura 77 - Ângulo (α) e (β) – meia onda carga RL – osciloscópio ......................................... 84
Figura 78 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda carga RLE – osciloscópio .......... 84
Figura 79 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga RLE – osciloscópio.......... 85
Figura 80 - Ângulo (α) e (Δt) – meia onda carga RLE – osciloscópio ..................................... 85
Figura 81 - Ângulo (β) e (Δt) – meia onda carga RLE – osciloscópio ..................................... 86
Figura 82 - Formas de onda de tensão na carga e no diodo – onda completa R - simulação ... 87
Figura 83 - Ângulos (α) e (ß) – onda completa a diodo carga R - simulação .......................... 88
Figura 84 - Forma de onda de tensão na carga e diodo – onda completa carga RE - simulação
.................................................................................................................................................. 88
Figura 85 - Ângulo (α) e (β) – onda completa a diodo carga RE - simulação ......................... 89
Figura 86 - (Δt) dos ângulos (α) e (β) – onda completa a diodo carga RE - simulação ........... 89
Figura 87 - Formas de ondas de tensão na carga e no diodo - onda completa RL - simulação 90
Figura 88 - Ângulos (α) e (β) – onda completa a diodo carga RL - simulação ........................ 90
Figura 89 - Forma de onda de tensão na carga e no diodo - Onda completa RLE - simulação 91
Figura 90 - Ângulo (α) - onda completa a diodo carga RLE - simulação. ............................... 91
Figura 91 - (Δt) do ângulo (α) – onda completa a diodo carga RLE - simulação .................... 91
Figura 92 - Ângulo (β) – onda completa a diodo carga RLE - simulação ................................ 92
Figura 93 - (Δt) do ângulo (β) – onda completa a diodo carga RLE – simulação .................... 92
Figura 94 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa carga R - osciloscópio ......... 93
Figura 95 - Forma de onda de tensão no diodo – onda completa carga R – osciloscópio........ 94
Figura 96 - Ângulos (α) e (ß) – onda completa carga R – osciloscópio ................................... 94
Figura 97 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa RE- osciloscópio ................. 95
Figura 98 - Forma de onda de tensão no diodo – onda completacarga RE – osciloscópio ...... 95
Figura 99 - Ângulos e o (Δt) de (α) e (β) – onda completa carga RE – osciloscópio............... 96
Figura 100 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa RL – osciloscópio ............. 96
Figura 101 - Forma de onda de tensão no diodo – onda completa RL – osciloscópio ............. 97
Figura 102 - Ângulos (α), (β) e (Δt) – onda completa RL – osciloscópio ................................ 97
Figura 103 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa RLE – osciloscópio ........... 98
Figura 104 - Forma de onda de tensão no diodo - onda completa RLE - osciloscópio ............ 98
Figura 105 - Ângulo (α) e (Δt) - onda completa a diodo carga RLE – osciloscópio ................ 99
Figura 106 - Ângulo (β) e (Δt) – onda completa RLE – osciloscópio...................................... 99
Figura 107 - Simbologia e componente real - tiristor ............................................................ 100
Figura 108 - Arduino uno R3 ................................................................................................. 100
Figura 109 - Circuito detector de passagem de zero 1 ........................................................... 101
Figura 110 - Detector de passagem de zero ............................................................................ 101
Figura 111 - Circuito detector de passagem por zero 2 .......................................................... 102
Figura 112 - Entrada e saída do Arduino ................................................................................ 103
Figura 113 - Circuito de comando e tiristor ........................................................................... 103
Figura 114 - Caixa de comando do circuito retificador a tiristor ........................................... 104
Figura 115 - Diagrama de blocos da ponte retificadora a tiristor .......................................... 104
Figura 116 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda R - simulação ..... 106
Figura 117 - Ângulos (α) e (β) – meia onda a tiristor carga R - simulação ........................... 106
Figura 118 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda R - simulação ................................................... 107
Figura 119 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda RE - simulação ... 107
Figura 120 - Ângulo (α) – meia onda RE - simulação ........................................................... 108
Figura 121 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda RE – simulação................................................ 108
Figura 122 - Ângulo (β) – meia onda RE – simulação ........................................................... 108
Figura 123 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RE – simulação ....................... 109
Figura 124 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda RL – simulação .. 109
Figura 125 - Ângulo (α) – meia onda RL – simulação ........................................................... 110
Figura 126 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda a tiristor carga RL - simulação ........................ 110
Figura 127 - Ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RL - simulação ................................... 110
Figura 128 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RL – simulação ....................... 111
Figura 129 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda RLE - simulação 111
Figura 130 - Ângulo (α) – meia onda a tiristor carga RLE - simulação ................................ 112
Figura 131 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda a tiristor carga RLE – simulação .................... 112
Figura 132 - Ângulo (β) – meia onda RLE – simulação ........................................................ 112
Figura 133 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RLE – simulação..................... 113
Figura 134 - Forma de onda na carga – meia onda R – osciloscópio ..................................... 114
Figura 135 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda R – osciloscópio .................. 114
Figura 136 - Ângulo (α) e (Δt) – meia onda R – osciloscópio ............................................... 115
Figura 137 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda RE – osciloscópio .................. 115
Figura 138 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda RE – osciloscópio ................ 116
Figura 139 - Ângulo (α) e (Δt) – meia onda a tiristor carga RE – osciloscópio .................... 116
Figura 140 - Ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RE – osciloscópio. ............................. 117
Figura 141 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda RL – osciloscópio .................. 117
Figura 142 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda RL – osciloscópio ................ 118
Figura 143 - Ângulo (α) e o (Δt) – meia onda RL – osciloscópio .......................................... 118
Figura 144 - Ângulo (β) e o (Δt) – meia onda a tiristor carga RL – osciloscópio ................. 119
Figura 145 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda RLE – osciloscópio ................ 119
Figura 146 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda RLE - osciloscópio .............. 120
Figura 147 - Ângulo (α) e o (Δt) – meia onda a tiristor carga RLE – osciloscópio ............... 120
Figura 148 - Ângulo (β) e o (Δt) – meia onda a tiristor carga RLE – osciloscópio ............... 121
LISTA DE TABELAS
Tabela 1 - Meia onda a diodo - cálculos ................................................................................... 72

Tabela 2 - Meia onda a diodo - Simulação ............................................................................... 73
Tabela 3 - Meia onda a diodo - Prática..................................................................................... 79
Tabela 4 - Onda completa a diodo - Cálculos .......................................................................... 86
Tabela 5 - Onda completa a diodo - Simulação........................................................................ 87
Tabela 6 - Onda completa a diodo – Prática ............................................................................. 93
Tabela 7 - Meia onda a tiristor – Cálculos ............................................................................. 105
Tabela 8 - Meia onda a tiristor - Simulação ........................................................................... 105
Tabela 9 - Meia onda a tiristor - Prática................................................................................. 113
Tabela 10: Comparação diodo meia onda – R e RE ............................................................... 121
Tabela 11: Comparação diodo meia onda – RL e RLE .......................................................... 122
Tabela 12: Comparação diodo onda completa – R e RE ........................................................ 122
Tabela 13: Comparação diodo onda completa – RL e RLE ................................................... 122
Tabela 14: Comparação meia onda a tiristor – R e RE .......................................................... 123
Tabela 15: Comparação meia onda a tiristor – RL e RLE ..................................................... 123
SUMÁRIO
1 INTRODUÇÃO................................................................................................................. 17
1.1 JUSTIFICATIVA ............................................................................................................ 18
1.2 DEFINIÇÃO DO PROBLEMA ...................................................................................... 18
1.3 OBJETIVOS .................................................................................................................... 19
1.3.1 Objetivo geral .............................................................................................................. 19
1.3.2 Objetivos específicos ................................................................................................... 19
1.4 DELIMITAÇÕES ............................................................................................................ 19
1.5 METODOLOGIA ............................................................................................................ 19
1.6 ESTRUTURA DO TRABALHO .................................................................................... 20
2 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA ................................................................................... 21
2.1 MATERIAIS SEMICONDUTORES .............................................................................. 21
2.1.1 Germânio...................................................................................................................... 21
2.1.2 Silício ............................................................................................................................ 22
2.1.3 Semicondutor intrínseco ............................................................................................. 23
2.1.4 Semicondutor tipo (n) ................................................................................................. 23
2.1.5 Semicondutor tipo (p).................................................................................................. 23
2.2 ÁBACO DE PUSCHLOWSKI ........................................................................................ 23
2.3 DIODO SEMICONDUTOR ............................................................................................ 26
2.3.1 Introdução ao diodo .................................................................................................... 26
2.3.2 Características dos diodos .......................................................................................... 27
2.3.3 Circuitos retificadores a diodo ................................................................................... 30
2.3.3.1 Retificadores monofásicos de meia onda ................................................................... 30
2.3.3.1.1 Carga R .................................................................................................................... 30
2.3.3.1.2 Carga RE ................................................................................................................. 34
2.3.3.1.3 Carga RL ................................................................................................................. 37
2.3.3.1.4 Carga RLE ............................................................................................................... 40
2.3.3.2 Retificadores monofásicos de onda completa em ponte............................................. 42
2.3.3.2.1 Carga R .................................................................................................................... 43
2.3.3.2.2 Carga RE ................................................................................................................. 46
2.3.3.2.3 Carga RL ................................................................................................................. 49
2.3.3.2.4 Carga RLE ............................................................................................................... 51
2.4 CIRCUITOS DE COMANDO ........................................................................................ 54
2.4.1 Comando vertical e horizontal ................................................................................... 54
2.5 TIRISTOR (SCR) ............................................................................................................. 55
2.5.1 Características dos tiristores ....................................................................................... 55
2.5.2 Circuitos retificadores meia onda a tiristor ............................................................... 57
2.5.2.1 Carga R ....................................................................................................................... 57
2.5.2.2 Carga RE .................................................................................................................... 60
2.5.2.3 Carga RL .................................................................................................................... 63
2.5.2.4 Carga RLE .................................................................................................................. 65
3 DESENVOLVIMENTO PRÁTICO ............................................................................... 69
3.1 CAIXAS DE COMANDO ............................................................................................... 69
3.2 CONECTORES ............................................................................................................... 70
3.3 CIRCUITOS A DIODO ................................................................................................... 70
3.3.1 Aspectos físicos e elétricos .......................................................................................... 70
3.3.2 Meia onda ..................................................................................................................... 72
3.3.2.1 Cálculos ...................................................................................................................... 72
3.3.2.2 Simulação ................................................................................................................... 73
3.3.2.3 Prática ......................................................................................................................... 79
3.3.3 Onda completa ............................................................................................................. 86
3.3.3.1 Cálculo ........................................................................................................................ 86
3.3.3.2 Simulação ................................................................................................................... 87
3.3.3.3 Prática ......................................................................................................................... 93
3.4 CIRCUITO A TIRISTOR ................................................................................................. 99
3.4.1 Meia onda ................................................................................................................... 104
3.4.1.1 Cálculos .................................................................................................................... 105
3.4.1.2 Simulação ................................................................................................................. 105
3.4.1.3 Prática ....................................................................................................................... 113
3.5 ANÁLISE DOS TESTES .............................................................................................. 121
4 CONCLUSÃO ................................................................................................................. 124
REFERÊNCIAS ................................................................................................................... 125
17
1 INTRODUÇÃO
O tempo vai passando e com os afazeres diários não se repara no universo a nossa
volta. Apesar da maioria das pessoas estarem muito conectados à tecnologia, normalmente
não refletem sobre o que compõe os diversos aparelhos eletrônicos que utilizam. Porém,
quando fazem isso, ficam maravilhados com o avanço tecnológico, pensando até que ponto as
inovações podem alcançar.
Obviamente, toda essa tecnologia não surgiu de um dia para o outro, foi um
processo que começou há mais de 50 anos, em um período em que o conhecimento era mais
difícil de obter, comparando-se aos dias atuais. Ao longo dos anos, novos conhecimentos
foram sendo adquiridos e a tecnologia foi se aprimorando e melhorando, tornando-se cada vez
mais útil para o ser humano.
Dentro desse vasto universo da elétrica, existe um campo que veio para contribuir
e desempenhar um importante papel, este se denomina “eletrônica de potência”, que combina
eletrônica, potência e controle. A eletrônica tem o papel de tratar os dispositivos e circuitos de
estadossólidos, processando os sinais e assim tendo o controle desejado. Já a potência,
desempenha o papel nos equipamentos rotativos e estáticos para a geração, transmissão e
distribuição da energia. Por último, mas não menos importante, o controle trata das
características dinâmicas e de regime permanente das malhas fechadas (RASHID, 1999).
A história da eletrônica de potência inicia-se no ano de 1900 com o retificador a
arco de mercúrio. Mais tarde foi sendo introduzido gradualmente até a década de 50, o
retificador em tubo a vácuo de grade controlada, o ignitron e por último o tiratron. Em 1948,
na Bell TelephoneLaboratories, o primeiro transitor de silício foi inventado por Bardeen,
Brattain e Schocley; a partir de então a maioria da tecnologia existente, mais avançada, tem o
mesmo princípio que o original. Com o avanço dos semicondutores de silício, a
microeletrônica evoluiu significantemente. Após a descoberta em 1948, considerada a
primeira revolução da eletrônica, em 1956, também na Bell Laboratories, foi inventado o
transitor deparável PNPN, sendo nomeado como tiristor ou retificador controlado de silício,
que vem do inglês silicon-controlledrectifier – SCR (RASHID, 1999).
Uma aplicação de retificação CA (Corrente Alternada)/CC (Corrente Contínua) é
a linha de ±600 (kV) (kilo Volts) em CC, que interliga as subestações de Foz do Iguaçu (PR)
e Ibínuna (SP), com uma extensão de 810 km. A conversão (CA/CC) é feita por oito
conversores em cada subestação, cada dois formando um pólo, compondo dois
18
bipólosem±600 kV e a transmissão é feita por quatro linhas. Este sistema começou a operar
em 1984 (ITAIPU, 2018).
1.1 JUSTIFICATIVA
O mercado de trabalho está em busca de profissionais mais capacitados; e para

isso acontecer, as universidades precisam se moldar a esta realidade, buscando profissionais
de ensino mais capacitados, melhorando o plano de ensino e trazendo a realidade da indústria
para dentro dela. Com isso, há uma melhora da qualidade no ensino.
Na engenharia, as aulas práticas são de grande importância, pois com elas é
possível simular situações que acontecem no dia a dia de um profissional.Ensinando ao aluno
como se adaptar e resolver as situações a ele apresentadas.
Além de aproximar o aluno da ciência e tecnologia, as ferramentas do engenheiro,

no atendimento às necessidades humanas, os laboratórios devem também servir
como treinamento da criatividade, ou seja, devem permitir ao aluno desenvolver
diferentes aplicações utilizando as mesmas ferramentas e exteriorizar este ambiente
para o mundo real (PEKELMAN, MELLO, 2004, p.02).
Por isso, dentro do mundo acadêmico, há necessidade do aluno em possuir

ferramentas e aulas práticas para o seu melhor desempenho.
1.2 DEFINIÇÃO DO PROBLEMA
Atualmente a aula de eletrônica de potência na Unisul ministra-se somente a parte

teórica da matéria. Como esta envolve análise de circuitos, parte dela se torna abstrata, pois há
necessidade de analisar o comportamento dos circuitos calculados. Portanto, caso passe
despercebido algum detalhe, a análise estará parcialmente ou totalmente errada.
Outro ponto a ser levantado, é de que não existe um laboratório específico para a
disciplina de eletrônica de potência na Unisul. Sendo que os laboratórios de eletrônica
existentes, que não são de potência, não possuem todos os componentes necessários para o
desenvolvimento de uma aula prática.
Nota-se também que alguns acadêmicos acabam esquecendo o que foi estudado
nas matérias passadas no início do curso, que serviriam de base para um melhor entendimento
da matéria de eletrônica de potência, o que dificulta o aprendizado. A bancada auxiliará o
aluno para um melhor entendimento do conteúdo teórico, pois será observado na prática o
19
funcionamento do circuito, podendo ser realizada uma mudança na característica deste,

fazendo com que este apresente um comportamento diferente.
O presente trabalho foi desenvolvido para unir teoria com prática, na unidade de
aprendizagem de eletrônica de potência, no curso de engenharia elétrica da UNISUL, assim
utilizando a bancada como uma ferramenta.
1.3 OBJETIVOS
1.3.1 Objetivo geral
Desenvolver uma bancada didática baseada nos circuitos retificadores a diodo e

tiristor, para as aulas na unidade de aprendizagem de eletrônica de potência.
1.3.2 Objetivos específicos
• Projetar a bancada selecionando os componentes necessários;

• Desenvolver a bancada de acordo com o projeto teórico;
• Testar a bancada para verificar o seu funcionamento.
1.4 DELIMITAÇÕES
O trabalho é do tipo pesquisa, abordando o desenvolvimento de uma bancada

didática. Sendo que o seu tema abrange a parte de retificação a diodo e tiristor, em circuitos
monofásicos de meia onda, ponte completa.
1.5 METODOLOGIA
O trabalho é do tipo pesquisa exploratória, tendo embasamento em livros, artigos

científicos e técnicos, datasheets, materiais de estudo, que tenham abordagem central do tema
semelhante ao deste estudo proposto.
A partir de todos os dados levantados sobre os componentes utilizados e cálculos
realizados, desenvolve-se a parte prática do trabalho. Nesta, são realizados os testes para o
desenvolvimento da bancada, obtendo assim os resultados; e por fim, verificando se esta
atende aos requisitos propostos pelo tema do trabalho.
20
1.6 ESTRUTURA DO TRABALHO
O trabalho divide-se em 4 capítulos, dos quais:

Capítulo 1 – Apresenta-se a introdução, justificativa, definição do problema,
objetivo geral e específicos, metodologia, e por fim, a estrutura do trabalho; ou seja, como o
trabalho foi disposto.
Capítulo 2 – Destinado ao referencial teórico do trabalho, sendo principalmente
baseado em livros técnicos.
Capítulo 3 – Projeto e desenvolvimento da bancada. Com base no referencial
teórico são desenvolvidos os cálculos para projetar a bancada. Após toda parte de cálculo,
desenhos e tudo que sirva para poder desenvolver a bancada, realiza-se a montagem física da
bancada. Testes e conclusões.
Capítulo 4 – Destinado à conclusão do trabalho.
21
2 FUNDAMENTAÇÃO TEÓRICA
2.1 MATERIAIS SEMICONDUTORES
Cada dispositivo eletrônico discreto de estado sólido, ou um circuito integrado,

começa por um material semicondutor de alta qualidade.
Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está

entre a de um condutor e a de um isolante(BOYLESTA & NASHELSKY, 2013, p.
2).
Tal característica se dá pelo fato dos semicondutores possuírem4 elétrons na sua

camada de valência, sendo esta a chave para sua condutibilidade, já que os condutores
possuem apenas 1 e os isolantes possuem 8; fazendo com que os semicondutores possam
atuar na duas características, dependendo de onde o mesmo se encontra e qual o estímulo que
este está recebendo(MALVINO, 2006).
De maneira geral, os materiais são classificados como: cristal singular e
composto. Os singulares, como o germânio (Ge) e silício (Si), possuem a sua estrutura de
cristal repetitiva; enquanto os compostos, como arseneto de gálio (GaAs), sulfeto de cádmio
(CdS), nitreto de gálio (GaN) e o fosfeto de arseneto de gálio (GaAsP), compõem-se de dois
ou mais materiais semicondutores com estruturas atômicas diferentes. Os semicondutores
mais utilizados na eletrônica são: (Ge), (Si) e (GaAs) (BOYLESTA & NASHELSKY, 2013).
2.1.1 Germânio
O germânio, como citado anteriormente, é um exemplo de um semicondutor,

sendo um dos 3 mais utilizados. Este é formado por um núcleo com 32 prótons, e seguindo de
dentro para fora, possui 2 elétrons na primeira camada, 8 na segunda e 18 na terceira. Como
dito anteriormente, a última camada de valência possui 4elétrons, e assim é formado o átomo
de germânio, como mostra a figura 1 (MALVINO, 2006).
22
Figura 1 - Átomo de germânio
Fonte: Malvino (2006, p.26).
2.1.2 Silício
É o material semicondutor mais utilizado. Além de suas propriedades químicas e

físicas, este é o segundo material mais abundante da crosta terrestre. Sendo formado por 14
prótons e 14 elétrons, sua formação é de 2elétrons na primeira camada, 8 na segunda e na
última camada 4 elétrons, definindo-o como um semicondutor, como mostra a figura 2.
Figura 2 - Átomo de silício
Fonte: Malvino (2006, p.27).

23
2.1.3 Semicondutor intrínseco
Um semicondutor é chamado de intrínseco quando o mesmo se encontra em um

nível baixo de impureza, ou seja, quase não há outros elementos misturados. No caso do
silício, quando encontrado em temperatura ambiente, ele praticamente se comporta como um
isolante, pois possui apenas alguns elétrons e lacunas produzidos pela energia térmica.
2.1.4 Semicondutor tipo (n)
Um material do tipo (n), surge ao misturar uma base de silício ou germânio com
elementos de impureza que tem 5 elétrons na camada de valência; tais como antimônio,
arsênio e fósforo, também conhecidos como pentavalentes. Onde (n) está relacionado com o
negativo (BOYLESTA & NASHELSKY, 2013).
2.1.5 Semicondutor tipo (p)
Um material do tipo (p) é formado ao misturar uma base cristal pura de silício ou
germânio, com átomos de impureza que tem 3 elétrons na camada de valência; tais como:
boro, gálio e índio, também conhecidos como trivalentes. Onde (p) está relacionado com o
positivo (BOYLESTA & NASHELSKY, 2013).
2.2 ÁBACO DE PUSCHLOWSKI
Circuitos do tipo retificador a tiristor com carga RL (resistor e indutor) e RLE

(resistor, indutor e fonte CC), apresentam cálculos em que sua solução analítica é impossível,
sendo necessário o emprego de um método numérico de solução de equações algébricas,
conhecido como Ábaco de Puschlowski. Esses tipos de configurações são do tipo f(α,β,φ,a) =
0, sendo que 3 das 4 grandezas são conhecidas e a última pode ser determinada de forma mais
fácil com a utilização do ábaco (BARBI, 2006).
O ábaco pode ser dividido em dois ábacos, par e ímpar. Na figura 3 observa-se o
ábaco de valores pares.
24
Figura 3 - Ábaco de valores pares
Fonte: Universidade Tecnológica Ferderal do Paraná, (2019).
Já na figura 4 pode ser observado o ábaco de valores ímpares.

25
Figura 4 - Ábaco de valores ímpares
Fonte: Universidade Tecnológica Ferderal do Paraná, (2019).
O gráfico representa no eixo vertical o ângulo de extinção da corrente, (β), e no

eixo horizontal o ângulo de disparo, (α). Para poder determinar esse ângulo (β), necessita-se
do primeiro dado que é a relação entre fontes, conforme apresentado na equação (1):
E
a=
VP (1)
Onde:
• a = Relação entre fontes, valores entre 0 e 1;
• E = Fonte CC;
• 𝑉𝑃 = Tensão de pico da fonte CA.
26
E para determinar o cos(φ), calcula-se a relação entre resistência e reatância,

conforme a equação (2):
R
cos( ) =
R + ( L) 2
2
(2)
Onde:
• cos( ) = Relação entre resistência e reatância, valores entre 0 e 1;
• R = Resistência;
• (  )= Velocidade angular;
• L = Indutância.
Com esses valores calculados, pode-se calcular, como já mencionado, dois tipos
de circuitos retificadores a tiristor, podendo ser aplicado a todos os tipos de carga, tanto em
circuitos a diodo, quanto a tiristor.
Deve-se levar em conta o ângulo de extinção crítica da corrente, que seria o
ângulo 360°+(α). Este ângulo determina o modo de condução, sendo ela descontínua ou
contínua. Para a determinação desse modo calcula-se o ângulo (Bc), através da equação (3):
360
c = +
n (3)
Como o trabalho proposto não tem o objetivo de aprofundar-se em cálculos que

envolvem transformadas de Fourier, equações diferenciais, e tudo que faça um estudo
aprofundado da parte teórica; somente são apresentados os cálculos que são a base para o
desenvolvimento da bancada, e também para seguir o modelo de apresentação dos cálculos
aos alunos. Seguindo, portanto, esse modelo de ábaco, e simplificando os cálculos para
posteriormente apresentá-los.
2.3 DIODO SEMICONDUTOR
2.3.1 Introdução ao diodo
Os diodos semicondutores de potência desempenham um papel importante na

eletrônica de potência. Estes podem agir como uma chave eletrônica que desenvolve várias
27
funções, tais como: chaves em retificadores, comutação em reguladores, inversão de carga em

capacitores e transferência de energia entre componentes, isolação de tensão, entre outras
funções. Existem diodos comerciais de várias potências para diferentes níveis de tensão e
corrente, sendo usados em diferentes aplicações.
O diodo prático difere um pouco das características ideais e possui certa limitação,
porém, sua utilização como chave é ideal para a maioria das aplicações. Como citado, existem
diferentes tipos de diodos para potências diferentes, sendo que o diodo de potência funciona
do mesmo jeito que o de sinal, na questão da junção (pn). Entretanto, estes diodos possuem
diferenças: os de potência possuem maiores capacidades de tensão, corrente e potência; já os
de sinais possuem maiores frequências de chaveamento (RASHID, 1999).
2.3.2 Características dos diodos
A junção de um diodo de potência é do tipo (pn), dois terminais, sendo a mesma

formada por uma fusão, difusão e crescimento epitaxial. As modernas técnicas em difusão e
processos epitaxiais permitem a formação dos dispositivos com características específicas
desejadas. Na Figura 5pode-se ver a representação de um diodo ideal (RASHID, 1999).
Figura 5 - Diodo ideal
Fonte: Barbi(2006, p.24).
O diodo ideal, para uma tensão maior que zero, possui uma resistência nula. Já
para tensões menores que zero, a sua resistência passa a ser infinita, ou seja, o sentido
depolarização do diodo, se o mesmo está diretamente ou reversamente polarizado (BARBI,
2006).
28
Figura 6 - Junção pn do diodo
Fonte: Rashid (1999, p. 24).
Essa relação de polarização pode ser observada na Figura 6, ou seja, quando o

ânodo é positivo em relação ao cátodo, diz-se que o diodo está diretamente polarizado e o
mesmo passa a conduzir; quando for o contrário, ou seja, o cátodo está positivo em relação ao
ânodo, o mesmo para de conduzir. Essa análise pode ser observada na Figura 7 (RASHID,
1999).
Figura 7 - Curva característica diodo ideal
Fonte: Barbi (2006, p. 3).
A análise muda quando é estudado o diodo real, o mesmo se encontra em

polarização direta, ou seja, em condução a partir de 0,7 V, considera-se esse valor típico de
queda de tensão para diodos de silício, e 0,3 V para os de germânio. Porém, o que realmente
determina esse valor são os aspectos construtivos, processo de fabricação, e a temperatura de
junção. Ao ser polarizado reversamente, ele possui uma corrente de fuga na faixa de micro a
miliàmperes, até que essa corrente aumenta em amplitude com a tensão, ultrapassando a
29
tensão de avalanche, ou tensão reversa máxima; conforme observado na Figura 8 (BARBI,

2006).
Figura 8 - Curva característica diodo real
Essa característica do diodo é estabelecida de forma experimental; quando em

condução, ele pode ser representado por uma força-eletromotriz (V(TO)), associado com uma
resistência em série (rt). Essa equivalência pode ser observada na Figura 9.
Figura 9 - Circuito equivalente
Essa tensão máxima reversa bloqueada é limitada, sendo que valores superiores
são destrutivos, pois mesmo estando em região de bloqueio, com tensão elevada, como
consequência, calor vai ser gerado em sua junção.
30
2.3.3 Circuitos retificadores a diodo
Os diodos são amplamente aplicados em circuitos elétricos e eletrônicos, porém, o

estudo neste capítulo foca-se na conversão de energia elétrica, mais precisamente em
conversão CA em CC. Esta conversão é conhecida como retificação, por isso o nome
“retificador”. Os valores de tensão CC dos circuitos a diodos possuem uma tensão fixa. Para
efeitos de cálculos, os valores de tensão reversa e condução serão considerados ideais.
2.3.3.1 Retificadores monofásicos de meia onda
2.3.3.1.1 Carga R
A estrutura de um circuito retificador meia onda alimentando uma carga

puramente resistiva pode ser observada na Figura 10.
Figura 10 - Circuito meia onda a diodo – carga R
Fonte: Adaptado de Barbi, (2006).
As formas de ondas do sinal de entrada, saída e do diodo podem ser observadas na

Figura 11. Sendo que também são apresentadas as equações das respectivas formas de ondas,
para uma melhor compreensão.
31
Figura 11 - Formas de ondas exemplo de tensão
As formas de onda na carga e no diodo podem ser observadas na Figura 12.
Figura 12 - Forma de onda exemplo de corrente
A tensão de alimentação pode ser expressa pela equação (4):
V (t ) = 2V0 sen (t )

(4)
32
A tensão média na carga pode ser calculada pela equação (5):
n  c
Vlmed =
2  2V0 sen( )d +  Ed

(5)
Onde:
• n – Número de ciclos de retificação;
• (α) – Ângulo de disparo;
• (β) – Ângulo de extinção da corrente;
• (𝛽c) − Ângulo de extinção crítico da corrente;
• (𝑉0 )- Valor de tensão da fonte de entrada;
• E – Fonte de tensão CC.
Como a fonte de tensão não existe nessa configuração, utiliza-se a equação (6):
1
Vlmed = 2V0 (cos  − cos  ) (6)
2
Por ser um circuito (α)=0° e (β)=180°, pode-se fazer uma aproximação da

equação (6), resultando na equação (7):
Vlmed  0, 45V0 (7)
A corrente média na carga pode ser obtida pela equação (8):
n  2V0 − E
I lmed =
2  R
sen( )d ( ) (8)
Como (E = 0), então:
1 1  
I lmed =  2V0 sen ( ) d ( )  (9)
R  2 0

Onde:
• R – Valor do resistor.
Pode-se aplicar a Lei de Ohm para encontrar a corrente média, conforme a

equação (10):
33
0, 45V0 Vlmed
I lmed = ou (10)
R R
A tensão eficaz do circuito pode ser obtida pela equação (11):
n  
( )
2V0 sen ( ) d ( ) +  E 2 d ( ) 
2 c
2  
Vlef = (11)
 
Sabendo que (E =0), resolvendo a equação (11), obtém-se a equação (12):
1  21  sen2 sen2    

Vlef =  2V0   ( cos  − cos  ) −  −    (12)
2  2  2 2    
Fazendo uma aproximação, obtém-se a equação (13):
Vlef = 0, 707V0 (13)
Para o correto dimensionamento do diodo, é importante conhecer a corrente

eficaz, sendo que a mesma pode ser obtida pela equação (14):
n   2V0 sen ( ) − E 2 
I lef =    d ( ) (14)
2  R 
Sendo E=0, então:
2V0 2 
I lef =  sen ( ) d ( )
2
(15)
2 R 2
Sabendo o valor da tensão eficaz e utilizando novamente a Lei de Ohm, obtém-se

a equação (16):
V0 V Vlef
I lef =  0, 707 0 ou (16)
2R R R
Por ser um circuito do tipo meia onda, o valor da tensão média e eficaz, e a
corrente média e eficaz no diodo, possuem valores iguais aos de tensão e corrente média e
eficaz na carga; conforme observado nas equações (17) e (18):
34
Ilmed = I Dmed (17)
I lef = I Def (18)
2.3.3.1.2 Carga RE
A próxima configuração é do tipo RE, em que a carga possuirá uma fonte E em

série com o resistor, dando outras características ao circuito; principalmente alterando o
ângulo (α) e (β) conforme o valor de tensão da fonte E, como pode ser observado na Figura
13.
Figura 13 - Circuito meia onda a diodo - carga RE
As formas de onda exemplos de tensão, geradas por esse circuito podem ser
observadas na Figura 14.
35
Figura 14 - Formas de ondas exemplos de tensão

A forma de onda de corrente no diodo e na carga pode ser observada na Figura 15.
Essa configuração apresenta um comportamento parecido a uma configuração R,

porém com uma particularidade. Esta particularidade refere-se ao nível de tensão da fonte CA
e CC; quanto mais próximos esses valores, menos potência é transferida para a carga. Sendo o
36
estado crítico quando a fonte CC possui maior nível de tensão que a CA, desta forma, o diodo
não entra em condução.
Calcula-se a tensão média na carga de acordo com a equação (19):
1 
Vlmed = 2V0 ( cos  − cos  ) + E (  c −  )  (19)
2 
Lembrando que quando os valores de 𝛽 𝑒 𝛼 não estão associados a um seno ou

cosseno, o valor desses ângulos deve ser calculado em radianos.
A corrente média no circuito pode ser calculada baseada na equação (8),
resultando na equação (20):
1 1  
I lmed =   2V0 ( cos  − cos  ) − E (  −  )  (20)
R  2 
Simplificando-se de acordo com a Lei de Ohm, obtém-se a equação (21):
Vlmed − E
I lmed = (21)
R
Tensão eficaz nesse circuito pode ser calculada resolvendo-se a equação (11), o
que resulta na equação (22):
 21  sen2 sen2   

Vlef =
1
2
 2V0  (  −  ) − 
 2  2
−
2 
( ) ( 2
)
  − 2 2V0 E ( cos  − cos  ) + E (  c −  ) 

(22)
A corrente eficaz pode ser calculada a partir da equação (14), resultando na

equação (23):
 21  sen2 sen2   

I lef =
1
2 R 2
 2V0  (  −  ) − 
 2  2
−
2 
( ) (
  − 2 2V0 E ( cos  − cos  ) + E (  −  ) 
2

)
(23)
37
2.3.3.1.3 Carga RL
A próxima configuração possui um indutor em série com um resistor, conforme a

Figura 16.
Figura 16 - Circuito meia onda a diodo – carga RL
Por causa da presença do indutor, o diodo não bloqueia quando (𝜔𝑡 = 𝜋),
somente quando ultrapassar o ângulo (ß), que é o ângulo de extinção da corrente, sendo
superior a (𝜋) - PI. O diodo permanece em condução enquanto a corrente não se anula,
fazendo com que a tensão na carga torne-se instantaneamente negativa (BARBI, 2006).
As formas de onda resultantes desse circuito podem ser observadas na Figura 17.
Posteriormente apresentam-se as equações que caracterizam o comportamento de cada forma.
38
Figura 17 - Formas de ondas exemplos de tensão
As formas de onda de corrente podem ser observadas na Figura 18.
Figura 18 - Formas de onda exemplo de corrente
Utilizando o ábaco como meio de facilitar a resolução desse circuito e sabendo os

valores de R e L, resolvem-se as equações (1) e (2), obtendo, desta forma, o valor de (β)
(sabendo que o valor de E = 0, então o (α) = 0º). Com este valor pode-se encontrar a tensão
média na carga.
39
Resolvendo-se a equação (5), obtém-se a equação (24):
2V0
 − cos  0

Vlmed = (24)
2
Simplificando, obtém-se a equação (25):
2V 0
Vlmed = (1 − cos  ) ouVlmed  0, 225V0 (1 − cos  ) (25)
2
A tensão média na carga é composta pela tensão média no resistor e no indutor,

conforme a equação (26).
Vlmed = VRmed + VLmed (26)
Porém, a tensão média no indutor é nula, mostrando assim que (𝑆1 = 𝑆2 ); então
estes valores representam o fluxo produzido no indutor, demostrando que esse valor nulo
significa que o indutor é desmagnetizado a cada ciclo (BARBI, 2006).
Ou seja:
Vlmed = VRmed (27)
E pela Lei de Ohm, a corrente média na carga pode ser calculada de acordo com a
equação (28):
0, 225V0 V
I lmed = (1 − cos  ) ou lmed (28)
R R
A corrente eficaz na carga pode ser calculada conforme a equação (29):
2
1   2V0
 

I lef =    sen (t −  ) + sen ( ) e−t /   d (t ) (29)
2 0
 Z
 

Assim como nos exemplos anteriores, a corrente média e eficaz no diodo são iguais
às correntes na carga.
40
2.3.3.1.4 Carga RLE
O último circuito das configurações de retificadores a diodo meia onda pode ser
observado na Figura 19.
Figura 19 - Circuito meia onda a diodo – carga RLE
As formas de onda exemplo de tensão, na fonte, na carga e no diodo, podem ser

41
Figura 20 - Formas de onda exemplo de tensão
As formas de ondas exemplos de corrente, na carga e no diodo, podem ser

Figura 21 - Formas de ondas exemplos de corrente
Esse circuito se assemelha ao de carga RL, porém, possui algumas

particularidades devido à presença de uma fonte CC na carga, que influencia principalmente
42
no ângulo (α), ou seja, não é 0° como no exemplo anterior. E como apresentado na carga RE,
caso o valor de tensão da fonte CC for maior que a fonte CA, o diodo não entra em condução.
Utilizando o ábaco para a resolução desse circuito e resolvendo as equações (1) e
(2), de acordo com as considerações apresentadas na carga RL, a tensão média na carga é
determinada pela equação (30):
1 
Vlmed = 2V0 ( cos  − cos  ) + E (  c −  ) 
2  (30)
A corrente média pode ser determinada pela equação (31):
1 1  
I lmed =   2V0 ( cos  − cos  ) − E (  −  )  (31)
R  2 
Ou pela equação (32):
Vlmed − E
I lmed = (32)
R
A tensão eficaz pode ser determinada pela equação (33):
 21  sen2 sen2   

Vlef =
1
2
 2V0  (  −  ) − 
 2  2
−
2 
( ) ( 2
)
  − 2 2V0 E ( cos  − cos  ) + E (  c −  ) 

(33)
2.3.3.2 Retificadores monofásicos de onda completa em ponte
Esse tipo de retificador que é aplicado nas indústrias, nos eletrodomésticos e em

outros circuitos eletrônicos, possui a característica principal de fazer a retificação completa da
onda senoidal, ao contrário do exemplo anterior que era apenas meia onda. A disposição dos
diodos no circuito faz com que o semiciclo negativo seja passado para o lado positivo, como
apresentado na Figura 22.
43
Figura 22 - Exemplo retificação completa
2.3.3.2.1 Carga R
A Figura 23 mostra um circuito retificador monofásico a diodo em ponte

completa.
Figura 23 - Retificador monofásico a diodo em ponte completa
O funcionamento desse circuito ocorre da seguinte maneira: primeiro os diodos

D1 e D4 são polarizados diretamente e começam a conduzir, fazendo com que os outros dois
restantes, D2 e D3, permaneçam bloqueados por estarem polarizados reversamente. Já na
segunda etapa do processo, os diodos D2 e D3 estão polarizados diretamente, então estão
44
conduzindo, e o D1 e D4 estão bloqueados. Assim sucessivamente, de acordo com o

semiciclo em que a onda senoidal se encontra, fazendo com que cada par de diodos conduza;
gerando, desta forma, um sinal como apresentado na Figura 24.
Figura 24 - Formas de ondas exemplo de tensão
Figura25 - Formas de onda exemplo de corrente

45
A forma de análise matemática desse circuito é semelhante ao de meia onda,

porém, como este faz a retificação completa, o seu resultado será o dobro do encontrado num
circuito meio onda. Considerando que são utilizados os mesmos componentes, apenas
implementando-se mais diodos na parte de retificação.
Tendo como base a equação (5) e sabendo que (α = 0°) e (β = 180°), de acordo
com os valores encontrados no ábaco, pode-se calcular a tensão média na carga através da
equação (34), lembrando que nessa configuração o (n = 2) e a fonte (E = 0):
1
2V0 sen ( ) d ( )
180
Vlmed =
 
0
(34)
Pode-se fazer uma aproximação da equação (34), resultando na equação (35):
Vlmed = 0,9V0 (35)
Vlmed
I lmed = (36)
R
Tendo como base a equação (11), a tensão eficaz do circuito pode ser obtida pela
equação (37):
1  21  sen2 sen2   

Vlef =  2V0  ( cos  − cos  ) −  −   (37)
 2  2 2  
A corrente eficaz pode ser definida pela equação (38):
1  21  sen2 sen2    

I lef =  2V0   ( cos  − cos  ) −  −    (38)
 R  2  2 2    
Pelo fato de serem dois diodos que conduzem ao mesmo tempo, ou seja, cada
semiciclo é conduzido por um diodo a cada 180°, o valor médio em cada diodo será a metade
do valor médio da corrente da carga, como apresentado na equação (39):
0,9V0
I Dmed = (39)
2R
46
E o valor da corrente eficaz do diodo é calculado de acordo com a equação (40):
V0
I Def = (40)
2R
2.3.3.2.2 Carga RE
O circuito da configuração do retificador a diodo de onda completa, carga RE,

pode ser observada na Figura 26.
Figura 26 - Retificador onda completa a diodo carga RE
As formas de onda exemplo de tensão, na fonte, na carga e no diodo, podem ser

47
Resolvendo a equação (5) e utilizando as equações (1) e (2) para encontrar os

ângulos (α) e (β), pode-se calcular a tensão média na carga através da equação (41):
48
1
Vlmed = 2V0 ( cos  − cos  ) + E ( c −  )  (41)

1 1  
I lmed =   2V0 ( cos  − cos  ) − E (  −  )   (42)
R  
Fazendo uma simplificação pode-se chegar à equação (43):
Vlmed − E
I lmed = (43)
R
Resolvendo a equação (11), a tensão eficaz do circuito pode ser obtida pela
seguinte equação (44):
1  21  sen2 sen2   

Vlef =

 2V0  (  −  ) − 
2  2
−
2 
( ) (
  − 2 2V0 E ( cos  − cos  ) + E ( c −  ) 
2

)
(44)
A corrente eficaz pode ser calculada a partir da equação (14), resultando na

equação (45).
1  21  sen2 sen2   

I lef = 
 R2 
2V0 
2
(  −  ) − 
 2
−
2 
  − 2 2V0 E (
( cos  − cos  )) (
+ E 2
(  −  ) 

)
(45)
Pelo fato de serem dois diodos que conduzem ao mesmo tempo, ou seja, cada
semiciclo é conduzido por um diodo a cada 180°, o valor médio em cada diodo será a metade
do valor médio da corrente da carga, como apresentado na equação (46):
0,9V0 I
I Dmed = ou lmed (46)
2R 2
E o valor da corrente eficaz do diodo é calculado de acordo com a equação (47):
V0 I lef
I Def = = (47)
2R 2
49
2.3.3.2.3 Carga RL
O circuito característico para esse tipo de configuração pode ser observado na

Figura 29.
Figura 29 - Circuito onda completa a diodo – carga RL
As formas de onda de tensão exemplo na fonte, na carga e em um dos diodos,

podem ser observadas na Figura 30.

50
As formas de onda exemplo de corrente, na carga e no diodo, podem ser

Para um circuito de carga RL, o modo de funcionamento é o mesmo que

apresentado na carga resistiva. Para a obtenção da corrente de carga emprega-se a série de
Fourier, por esse motivo, aplica-se o ábaco para facilitar os cálculos; podendo-se, então,
calcular a tensão média na carga pela equação (48):
1
Vlmed = 2V0 (cos  − cos  )  (48)

As harmônicas de ordem elevadas podem ser desconsideradas do cálculo da

corrente quando o valor de tempo da carga for elevado (BARBI, 2006).
Desta forma, a componente contínua da corrente pode ser expressa pela
equação (49):
2 2V0 0,9V0 Vlmed

I lmed = = = (49)
R R R
Conhecendo o valor da tensão média da carga, e sabendo que a tensão do indutor

é nula, verifica-se que a tensão média da carga está toda em cima do resistor. Portanto, através
da lei ohm pode-se calcular a corrente média, conforme visto na equação (49).
51
Para o cálculo da tensão eficaz na carga, resolvendo a equação (11), encontra-se o

valor através da equação (50):
1  21  sen2 sen2   

Vlef =  2V0  ( cos  − cos  ) −  −   (50)
 2  2 2  
A corrente eficaz é expressa pela equação (51):
8V0 2 16V0 2
I lef = + (51)
 2 R 2 9 2 Z 0 2
Onde:
Z 0 = R 2 + n 2 +  2 L2 (52)
O diodo possui uma corrente média igual à metade do valor médio calculado na
carga, podendo ser observada na equação (53):
0, 45V0 I lmed
I Dmed = = (53)
R 2
A desconsideração de qualquer tipo de harmônicas no sistema é o ponto base

para o cálculo do valor eficaz da corrente em cada diodo (BARBI, 2006).
O valor é expresso de acordo com a equação (54):
1 
I Def =
2 0
( I lmed ) 2 d (t ) (54)
Assim:
I 2  I
I Def =  lmed t  = lmed = 0, 707 I lmed (55)
 2  2
2.3.3.2.4 Carga RLE
A configuração da carga RLE pode ser observada na Figura 32.

52
Figura 32 - Circuito onda completa a diodo – carga RLE
As formas de onda, exemplo de tensão, na fonte, na carga e no diodo, podem ser

As formas de onda exemplo de corrente, na carga e no diodo, podem ser

53
A forma de analisar esse circuito se baseia nas cargas RL e RE. Sendo assim,
utiliza-se o ábaco para facilitar a resolução, podendo-se calcular a tensão média na carga
baseada na equação (5); obtendo-se a equação (56):
1
Vlmed = 2V0 ( cos  − cos  ) + E ( c −  )  (56)

Tendo o valor da tensão, pode-se calcular a corrente média levando em conta as

considerações abordadas na carga RL, obtendo-se a equação (57):
Vlmed − E
I lmed = (57)
R
Conhecendo os valores (α), (β) e 𝛽𝑐 , pode-se calcular a tensão eficaz do circuito,

resolvendo a equação (11), obtendo-se a equação (58):
1  21  sen2 sen2   

Vlef =

 2V0  (  −  ) − 
2  2
−
2 
( ) (2
)
  − 2 2V0 E ( cos  − cos  ) + E ( c −  ) 

(58)
54
2.4 CIRCUITOS DE COMANDO
2.4.1 Comando vertical e horizontal
O comando vertical é constituído por um sinal dente de serra, que é constante na

forma e nos valores; sincronizado com a tensão de entrada da rede em fase, com parte positiva
da onda. O comando, o disparo, é dado quando há uma intersecção entre a onda fixa dente de
serra com a tensão de comando. Já o comando horizontal, possui as mesmas características
que o comando vertical; porém, o impulso do comando é gerado quando o instante da onda
dente de serra se torna maior que zero, descolando o ângulo de disparo horizontalmente em
relação a tensão de entrada da rede. O mais aplicado em indústrias é o comando vertical
(BARBI, 2006).
Conforme apresentado na Figura 35, tem-se um diagrama de blocos da
representação básica de um circuito de comando para o circuito retificador.
Figura 35 - Diagrama de blocos exemplo de um circuito de comando
Fonte: Barbi (2006, p. 203).
Basicamente ele funciona da seguinte maneira: recebe a tensão da rede, uma onda
senoidal, que gera uma onda dente de serra; esse sinal gerado é comparado com uma tensão
fixa, resultando em uma onda quadrada, que é conectada a uma porta lógica. Nesta porta
também está conectado um oscilador, que gera uma onda quadrada pulsante; no momento em
55
que o sinal de saída do comparador e do oscilador são verdadeiros, na porta lógica é mandado
um sinal para o último bloco, que dá o pulso no gatilho do tiristor, disparando-o no ângulo
desejado.
2.5 TIRISTOR (SCR)
São um dos tipos de semicondutores mais importantes para a eletrônica de

potência, sendo amplamente aplicados. São chaves biestáveis, ou seja, indo do estado de não
condução para o estado de condução. São consideradas como chaves ideais para muitas
aplicações, mas na prática possuem certas características e limitações. A principal aplicação
dele é quando há a necessidade de altas cargas de corrente, como: motores, aquecedores,
sistemas de iluminação, entre outros.
2.5.1 Características dos tiristores
É um dispositivo de 4 camadas, (pnpn), possuindo 3 terminais: ânodo, cátodo e

gatilho. A Figura 36 mostra o símbolo do tiristor e as 3 junções (pn) (RASHID, 1999).
Figura 36 - Símbolo tiristor e junções (pn)
Fonte: Rashid(1999, p. 121).
Quando uma tensão é aplicada no ânodo e esta for maior em relação ao lado do
cátodo, diz–se que as junções (J1 e J3) estão polarizadas diretamente. Sendo assim, a junção
56
(J2) está bloqueada e apenas uma pequena parcela de corrente de fuga circula do ânodo ao
cátodo. Deixando o tiristor em estado de bloqueio, esta corrente de fuga é conhecida como
corrente de estado desligado, (𝐼𝐷 ). Se caso aumentar a tensão entre ânodo e cátodo, e for
aplicada uma grande tensão, (J2) irá romper, ocorrendo a chamada ruptura por avalanche e a
tensão será nomeada de tensão de ruptura direta. As junções (𝐽1 𝑒 𝐽3 ) estão diretamente
polarizadas, fazendo com que haja um movimento livre dos portadores através das três
junções, resultando em uma grande corrente no sentido do ânodo. Desta forma, o tiristor está
em estado de condução, sendo que sua queda de tensão se deve à queda ôhmica, um valor
pequeno em torno de 1 V. Quando encontra-se neste estado, a corrente presente no ânodo
possui uma limitação por uma impedância chamada de(𝑅𝐿 ). Esta corrente precisa estar acima
de um valor conhecido como corrente de travamento, (𝐼𝐿 ), para poder manter o fluxo de
portadores na junção, ou seja, esta corrente (𝐼𝐿 ) é a mínima necessária para manter o tiristor
conduzindo, logo após que este foi ligado e o sinal de disparo no gatilho já tenha sido
removido; caso contrário, o tiristor volta a bloquear quando a tensão entre ânodo e cátodo for
reduzida (RASHID, 1999).
Uma vez que o tiristor conduz, ele se comporta como um diodo em condução e não
há controle sobre o dispositivo. Ele continuará a conduzir porque não há camada de
depleção devido ao movimento livre dos portadores na junção 𝐽2 . Entretanto, se a
corrente direta de ânodo for reduzida abaixo de um nível conhecido como corrente
de manutenção (do inglês holding current - 𝐼𝐻 ), uma região de depleção se
desenvolverá em torno da junção 𝐽2 , devido ao reduzido número de portadores, e o
tiristor estará no estado de bloqueio. A corrente de manutenção está na ordem de
miliampères e é menor que a corrente de travamento 𝐼𝐿 . Isto é, 𝐼𝐿 > 𝐼𝐻 . A corrente
de travamento𝐼𝐻 é a mínima corrente de ânodo para manter o tiristor no estado de
condução. A corrente de manutenção é menor que a corrente de travamento
(RASHID, 1999, p. 121).
Na Figura 37 pode-se observar a curva característica de um tiristor genérico.

57
Figura 37 - Curva característica do tiristor
Fonte: Rashid (1999, p. 122).
2.5.2 Circuitos retificadores meia onda a tiristor
2.5.2.1 Carga R
O circuito de um retificador monofásico de meia onda a tiristor pode ser

observado na Figura 38.
Figura 38 - Retificador meia onda monofásico a tiristor
As formas de onda que caracterizam esse circuito estão representadas na Figura

39.
58
Figura 39 - Formas de onda de tensão
As formas de onda de exemplo de corrente, na carga e no tiristor, podem ser

Diferente do diodo que entra em condução de forma “espontânea”, por isso os

retificadores a diodo são conhecidos como não controlados, já os tiristores possuem
uma característica de necessitarem de um pulso para começar a condução, um pulso
no gatilho, conhecido como ângulo de disparo. A tensão de fonte não se altera,
sendo um sinal de entrada monofásico, igual ao da equação (52). No intervalo(0, 𝛼),
59
o tiristor encontra-se bloqueado. A tensão de carga é nula. No instante(𝜔𝑡) = 𝛼, o

tiristor é disparado, por ação da corrente no gatilho𝑖𝑔 . Assim, no intervalo (𝛼, 𝜋) a
tensão de carga é igual à tensão da fonte. No intervalo (𝜋, 2𝜋), a tensão da fonte
torna-se negativa e o tiristor se mantém bloqueado.(BARBI, 2006, p. 73).
A tensão média na carga é caracterizada pela equação (59):
1 
Vlmed =  2V0 sen ( ) d ( ) (59)
2
Resultando na equação (60):
2V0 
Vlmed =  − cos ( )  (60)
2
Então:
Vlmed = 0, 225V0 (1 − cos  ) (61)
Por essa razão, ao variar o ângulo de disparo, a tensão de saída também varia;
possuindo duas tensões extremas:
a) a=0, Vlmed = 0,45Vo
b) a = π, Vlmed = 0
A corrente média na carga é expressa na equação (62):
Vlmed
I lmed = (62)
R
O cálculo da corrente eficaz na carga pode ser expresso pela equação (63):
2
1   2V0 
=   sen ( ) d ( )
2
I lef  (63)
2  R 
Então:
V0 1  sen2
I lef = − + (64)
R 2 2 4
A tensão média no tiristor é igual à tensão média na carga, conforme a equação

(65).
60
Itmed = Ilmed (65)
A tensão eficaz no tiristor é a mesma que a tensão eficaz na carga, conforme a

equação (66).
I tef = I lef (66)
O mesmo princípio de análise das correntes no tiristor, média e eficaz, é

equivalente nas configurações RE, RL e RLE.
2.5.2.2 Carga RE
O circuito característico de um retificador meia onda a tiristor, com carga RE,

pode ser observado na Figura 41.
Figura 41 - Circuito meia onda a tiristor – carga RE
As formas de onda exemplo de tensão na fonte, na carga, no tiristor e o ângulo de

disparo, podem ser observadas na Figura 42.
61
As formas de onda exemplo de corrente, na carga e no tiristor, podem ser

A configuração do tipo RE funciona de forma parecida à carga R, porém, com

uma regra a seguir: o ângulo (α) caracterizado pela relação entre as fontes. Neste caso, a
62
utilização do ábaco não serve apenas para facilitar, mas para determinar qual o correto valor
correto do ângulo (α) para efetuar os cálculos. Pois pode apresentar duas situações extremas,
se o ângulo (α) escolhido for menor que (α) da relação de fontes, o ângulo de disparo será o
da relação; e se o ângulo escolhido for muito próximo de π, dependendo do valor de tensão da
fonte CC, a tensão não será suficiente para disparar o tiristor, e o mesmo ficará bloqueado
(BARBI, 2006).
Utilizando os dados coletados no ábaco, através das equações (1) e (2), e
determinando-se os ângulos (α) e (β), pode-se calcular a tensão média na carga pela equação
(67):
1 
Vlmed = 2V0 ( cos  − cos  ) + E (  c −  )  (67)
2 
A corrente média pode ser calculada pela seguinte equação (68):
1  1  sen2 sen2    
I lmed =  2V0  (  −  ) −  −    − ( E (  −  ) ) (68)
2 R  2  2 2  
A tensão eficaz pode ser calculada pela seguinte equação (69):
 2  1   sen2 sen2     
Vlef =
1
2
 2V0   (  −  ) − 
2  2
−   
2    
− 2 2(
V0 E ( cos  − cos  ) + ()E (  c −  ) ) 
 
(69)
A corrente eficaz pode ser calculada pela equação (70):
 2  1   sen2 sen2     
I lef =
1
2 R 2
 2V0   (  −  ) − 
2  2
−
2 
( )
    − 2 2V0 E ( cos  − cos  ) + ( E (  −  ) ) 
2
 
(70)
63
2.5.2.3 Carga RL
O circuito RL pode ser observado na Figura 44.
Figura 44 - Circuito meia onda a tiristor – carga RL
“Durante o intervalo (0, 𝛼), o tiristor encontra-se bloqueado e tanto a tensão

quanto a corrente na carga são iguais a zero. No instante em que (𝜔𝑡 = 𝛼), o tiristor é
disparado, colocando a fonte em contato com a carga” (BARBI, 2006, p. 75).
Na Figura 45 pode-se observar o comportamento desse circuito.
64

Aplicando o ábaco para facilitar os cálculos, pode-se calcular a tensão média na

carga através da seguinte equação (71):
65
1 
Vlmed = 2V0 ( cos a − cos  )  = 0, 225V0 (cos  − cos  ) (71)
2 
Portanto, pode-se verificar que o ângulo de extinção, (𝛽), fica com seu valor entre
(𝜋) e (2𝜋). Quando a carga for puramente resistiva, esse valor de (𝛽) será igual a (𝜋), já o seu
cosseno será igual a -1. Resumindo, a tensão média na carga para valores já definidos em (𝑉0 )
e (𝛼) ficam dependentes do ângulo de extinção; que por sua vez, depende da constante de
tempo da carga, ou seja, variando os valores da carga, a tensão sofrerá mudança também
(BARBI, 2006).
Sabendo que o indutor possui tensão média nula, assim toda a tensão média da
carga fica no resistor, através da Lei de Ohm pode-se calcular a corrente média na carga pela
equação (72):
Vlmed
I lmed = (72)
R
A tensão eficaz na carga pode ser determinada pela equação (73):
1  2  1   sen2 sen2     
Vlef =  2V0   (  −  ) −  −   
2     
(73)
2  2  2
A corrente eficaz é determinada pela equação (74):
1 
I lef =
2  i (t ) ²d (t )
L (74)
Assim:
2
1  
 2V0  R
(t − )  

=   (  −  ) − (  −  )   d ( t )
l
I lef  sen t sen e (75)
2  ( L)² + R ²
  
2.5.2.4 Carga RLE
O circuito característico de um circuito RLE pode ser observado na Figura 47.

66
Figura 47 - Circuito meia onda a tiristor – carga RLE
As formas de onda exemplo de tensão, na fonte, na carga, no tiristor e o ângulo de

disparo, podem ser observados na Figura 48.

observados na Figura 49.
67
A configuração do tipo RLE funciona de forma parecida à carga RL, porém com
uma regra a seguir: o ângulo (α) caracterizado pela relação entre as fontes. Neste caso a
utilização do ábaco não serve apenas para facilitar, mas para determinar qual o valor correto
do ângulo (α) para efetuar os cálculos. Pois pode apresentar duas situações extremas: se o
ângulo (α) escolhido for menor que (α) da relação de fontes, o ângulo de disparo será o da
relação; e se o ângulo escolhido for muito próximo de (π), dependendo do valor de tensão da
fonte CC, a tensão não será suficiente para disparar o tiristor e o mesmo ficará bloqueado
(BARBI, 2006).
Utilizando os dados coletados no ábaco, e através das equações (1) e (2) para
determinação dos ângulos (α) e (β), pode-se calcular a tensão média na carga pela equação
(76):
1 
Vlmed = 2V0 ( cos  − cos  ) + E (  c −  )  (76)
2 
A corrente média pode ser calculada pela equação (77):
1  1  sen2 sen2    
I lmed =  2V0  (  −  ) −  −    − ( E (  −  ) )
2 R  2  2 2   (77)
68
A tensão eficaz pode ser calculada pela seguinte equação (78):
 2  1   sen2 sen2     
Vlef =
1
2
 2V0   (  −  ) − 
 2  2
−   
2    
− 2 (
2V0 E ( cos  − cos  ) + ()E (  c −  ) ) 

(78)
69
3 DESENVOLVIMENTO PRÁTICO
Neste capítulo apresenta-se a parte prática da bancada, mostrando a sua

construção mecânica e elétrica, e sua funcionalidade através de sua aplicação na prática,
comparando com cálculos e simulações. Sendo que a forma de desenvolvimento dos cálculos
é baseada na forma em que é aplicada aos alunos. O simulador utilizado é o psim, que também
é uma ferramenta utilizada pelo professor. Conforme os cálculos apresentados na revisão
bibliográfica, desenvolveu-se uma tabela com os valores calculados, simulados e medidos. As
cargas utilizadas foram: um resistor de 100 (Ω) 10W. A fonte E, de 11,7 Volts foi feita com
pilhas alcalinas e um indutor de 300 mH para os circuitos a diodo, já para o tiristor foi
alterado o valor de R, passou de 100 para 500.
3.1 CAIXAS DE COMANDO
A princípio, o desenvolvimento da caixa seria em uma só, contendo tudo que

compõe um circuito de retificação, desde a fonte até as cargas. Tendo enfrentado alguns
problemas no desenvolvimento completo, decidiu-se desenvolver somente a parte de
retificação e utilizar partes prontas para a carga e fonte CA. Com isso, pode-se ver na Figura
50a, a caixa utilizada. Já na Figura 50b, pode-se ver que foi feita uma alteração na parte da
frente, visto que a peça anterior não serviria para a montagem dos conectores.
Figura 50 - Caixas de comando
Fonte: Elaboração do autor, (2019).

70
3.2 CONECTORES
Para a conexão externa com a parte interna, com os circuitos retificadores, foram
utilizados conectores fêmeas do tipo banana, que são práticos e rápidos para a conexão em
ensaios laboratoriais. Na Figura 51 pode ser observado um exemplo desse tipo de conector.
Figura 51 - Bornes banana fêmea
3.3 CIRCUITOS A DIODO
3.3.1 Aspectos físicos e elétricos
O componente utilizado foi um diodo 1N4007. Pode-se observar o desenho

simbólico na Figura 52a, do componente e a uma foto real na Figura 52b.
Figura 52 - Diodo simbologia e real
Fonte: Mattede, (2019).

71
Para a montagem do circuito, a princípio, seriam montados quatro diodos de

forma separada, fazendo com que o aluno montasse o esquema de ligação de acordo com o
necessitado, meia onda ou em ponte. Visto que seria menos complicado para o aluno, e menos
conexões a serem feitas na caixa de retificação, foram feitos os circuitos previamente
arranjados, necessitando apenas a conexão para completar o circuito fisicamente. Os circuitos
retificadores podem ser vistos na Figura 53.
Figura 53 - Circuitos retificadores meia onda e onda completa em ponte
Concluindo, desta forma, a caixa retificadora a diodo, conforme apresentada na

Figura 54.
Figura 54 - Caixa retificadora a diodo

72
Pode-se verificar na Figura 55, o diagrama de blocos, demonstrando como fica a

ligação da fonte, caixa retificadora e a carga.
Figura 55 - Diagrama de blocos
Na próxima parte do capítulo são apresentadas as tabelas contendo valores

calculados, simulados e medidos. Lembrando que devido às correntes serem muito baixas,
elas foram calculadas na parte prática, pois a sonda de corrente não coletava valores
fidedignos por conta de ruídos e devido a limitação de corrente do componente.
3.3.2 Meia onda
3.3.2.1 Cálculos
Os valores calculados podem ser observados na tabela 1.
Tabela 1 - Meia onda a diodo - cálculos

Grandeza R RE RL RLE
a 0 0.5 0 0.5
(α) (°) 0 30 0 30
φ (°) 0 0 48,52 48,52
cos(φ) 1 1 0,66 0,66
(β) (°) 180 150 235 190
(β)c (°) 360 390 360 390
Vlmed (V) 7,56 14,35 5,95 13,5
Ilmed (mA) 75,6 26,05 59,48 19
Vlef (V) 11,88 14,99 11,870 14,61
Ilef (mA) 118,8 49,79 86,47 33,725
Idmed (mA) 75,6 26,05 59,48 18
Idef (mA) 118,8 49,79 86,47 31,95
73
3.3.2.2 Simulação
Os valores encontrados da simulação podem ser observados na tabela 2.
Tabela 2 - Meia onda a diodo - Simulação

a 0 0.54 0 0.52
(α) (°) 0 31,84 0 31,84
φ (°) 0 0 48,52 48,52
cos(φ) 1 1 0,66 0,66
(β) (°) 180 148,16 228,66 185,25
(β)c (°) 360 391,84 360 391,84
Vlmed (V) 7,49 14,04 6,2 13,36
Ilmed (mA) 74,88 23,41 62,4 16,99
Vlef (V) 11,88 14,57 12,57 14,30
Ilef (mA) 118,8 45,38 90,72 30,17
Idmed (mA) 74,88 23,41 62,24 16,99
Idef (mA) 118,8 45,38 90,72 30,17
As formas de onda de tensão e corrente simuladas são apresentadas na Figura 56.
Figura 56 - Forma de tensão e corrente - diodo meia onda carga R - simulação
O ângulo de disparo e extinção dos circuitos pode ser observado através da

equação (79):
74
∅ = ∆𝑡 ∗ 𝑓 ∗ 360° (79)
O resultado do ângulo está expresso em graus. Neste caso, como não há uma fonte
conectada ao circuito, mesmo sendo uma condução do tipo descontínua, o valor do ângulo de
disparo na tensão da carga estará em fase com a tensão fonte, ou seja, a partir do momento em
que o valor de tensão ultrapassa a tensão mínima de condução do diodo, o mesmo permitirá a
passagem de corrente por ele, e assim que esse valor diminuir e for menor, o diodo bloqueia,
ou seja, para de conduzir. Na Figura 57, pode-se observar que as formas de onda da fonte, em
azul, e da carga, em vermelho, estão entrando em condução e em extinção no mesmo ângulo,
ou seja, estão em fase.
Figura 57 - Ângulos (α) e (β) – meia onda a diodo carga R - simulação
As formas de onda de tensão e corrente na fonte, na carga e no diodo, podem ser

75
Figura 58 - Forma de tensão e corrente - diodo meia onda carga RE - simulação
Os ângulos (α) e (β), simulados, podem ser observados na Figura 59.
Figura 59 – Ângulos(α) e (β) – meia onda a diodo carga RE - simulação
O (Δt) dos ângulos (α) e (β), simulados, podem ser observados na Figura 60.
76
Figura 60 - (Δt) dos ângulos (α) e (β) – meia onda a diodo carga RE - simulação
As formas de onda de tensão e corrente, simuladas, podem ser observados na

Figura 61.
Figura 61 - Forma de tensão e corrente - diodo meia onda carga RL - simulação
O ângulo (α) desse circuito, por não haver uma fonte de tensão, fará com que seja
0°, ou seja, as tensões da carga e da fonte estão em fase, porém o ângulo (β) será maior que
180°, conforme apresentado na Figura 62.
77
Figura 62 - Ângulos (α) e (β) – meia onda carga RL - simulação
Na Figura 63, pode-se observar o (Δt) entre o ângulo (β) na carga e da fonte CA.
Figura 63 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a diodo carga RL - simulação
As formas de onda de tensão e corrente, simuladas, podem ser observadas na

Figura 64.
78
Figura 64 - Formas de tensão e corrente - diodo meia onda carga RLE - simulação
O ângulo de disparo desse circuito pode ser observado na Figura 65.
Figura 65 - Ângulo (α) – meia onda RLE - simulação
O (Δt) do ângulo (α) pode ser observado na Figura 66.
Figura 66 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda a diodo carga RLE - simulação

79
O ângulo (β) pode ser observado na Figura 67.
Figura 67 - Ângulo (β) – meia onda a diodo carga RLE - simulação
O (Δt) do ângulo (β) pode ser observado na Figura 68.
Figura 68 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a diodo carga RLE - simulação
3.3.2.3 Prática
Os valores encontrados na prática podem ser observados na tabela 3.

Tabela 3 - Meia onda a diodo - Prática
A 0 0.503 0 0.54
(α) (°) 0 30,24 0 32,832
φ (°) 0 0 48,52 48,52
cos(φ) 1 1 0,66 0,66
(β) (°) 180 149,76 227,52 184,32
(β)c (°) 360 390,24 360 392,832
Vlmed (V) 7,46 14,4 6,21 13,6
Ilmed (mA) 74,6 27 62,10 19
Vlef (V) 11,5 15 12,10 14,6
Ilef (mA) 115 49,95 90,28 33,725
Idmed (mA) 74,6 27 62,10 19
Idef (mA) 115 49,95 90,28 33,725
80
A forma da onda de tensão na carga, capturada do osciloscópio, pode ser vista na

Figura 69.
Figura 69 - Forma da onda de tensão na carga – meia onda carga R – osciloscópio
A forma de onda de tensão no diodo, na prática, pode ser vista na Figura 70.
Figura 70 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga R – osciloscópio
Os ângulos (α) e (β), na prática, podem ser observados na Figura 71.

81
Figura 71 - Ângulos (α) e (β) – meia onda carga R – osciloscópio
A forma de onda medida na carga pode ser observada na Figura 72.
Figura 72 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda carga RE – osciloscópio
A forma de onda no diodo, na prática, pode ser observada na Figura 73.

82
Figura 73 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga RE – osciloscópio
Os ângulos (α) e (β), do circuito montado na prática, podem ser observados na

Figura 74.
Figura 74 - Ângulos (α) e (β) – meia onda carga RE – osciloscópio
A forma de onda de tensão na carga, medida no osciloscópio, pode ser observada

na Figura 75.
83
Figura 75 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda carga RL – osciloscópio
A forma de onda de tensão no diodo, na prática, pode ser observada na Figura 76.
Figura 76 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga RL – osciloscópio
Esse comportamento é devido à presença do indutor que mantém a corrente, uma

vez que a condução só se extingue quando não houver mais corrente, como pode ser
observado na Figura 77, que representa o circuito na prática.
84
Figura 77 - Ângulo (α) e (β) – meia onda carga RL – osciloscópio
A forma de onda medida na carga, pelo osciloscópio, pode ser observada na

Figura 78.
Figura 78 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda carga RLE – osciloscópio
A forma de onda de tensão no diodo, na prática, pode ser observada na Figura 79.
85
Figura 79 - Forma de onda de tensão no diodo – meia onda carga RLE – osciloscópio
O ângulo e o (Δt) do ângulo (α), na prática, podem ser observados na Figura 80.
Figura 80 - Ângulo (α) e (Δt) – meia onda carga RLE – osciloscópio
Como pode ser observado, no caso de uma configuração RL, o diodo para
somente de conduzir quando for cessada a corrente do circuito, fazendo com que o ângulo de
extinção seja maior que 180°, conforme apresentado na Figura 81.
86
Figura 81 - Ângulo (β) e (Δt) – meia onda carga RLE – osciloscópio
3.3.3 Onda completa
3.3.3.1 Cálculo
Tabela 4 - Onda completa a diodo - Cálculos

A 0 0,5 0 0,5
(α) (°) 0 30 0 30
φ (°) 0 0 48,52 48,52
cos(φ) 1 1 0,66 0,66
(β) (°) 180 150 235 190
(β)c (°) 180 210 180 210
Vlmed (V) 14,94 17 15,12 15,2
Ilmed (mA) 149,4 53 151,2 35,6
Vlef (V) 16,59 17,65 16,8 18,55
Ilef (mA) 165,9 71,36 155,43 43,97
Idmed (mA) 74,7 26,5 75,6 17,8
Idef (mA) 117,31 50,46 109,9 31,09
87
3.3.3.2 Simulação
Os valores simulados podem ser observados na tabela 5.
Tabela 5 - Onda completa a diodo - Simulação

A 0 0,49 0 0,48
(α) (°) 0 29,72 0 28,81
φ (°) 0 0 0 48,52
cos(φ) 1 1 1 0,66
(β) (°) 180 150,28 180 190,2
(β)c (°) 180 209,72 180 208,81
Vlmed (V) 14,94 16,99 15,12 15,52
Ilmed (mA) 149,4 52,99 147,25 37,8
Vlef (V) 16,59 17,65 16,79 17,01
Ilef (mA) 165,9 71,20 151,38 46,69
Idmed (mA) 74,7 26,49 75,39 18,92
Idef (mA) 117,31 50,35 108,61 33,02
As formas de onda de tensão na carga e nos diodos, simulados, podem ser

observadas na Figura 82. Sendo que apenas um diodo foi utilizado como exemplo, pois a
forma de onda apresentada nos 4 serão iguais, apenas alterando a posição no gráfico.
Figura 82 - Formas de onda de tensão na carga e no diodo – onda completa R - simulação

88
O ângulo de (α) e (β), por ser um circuito puro R, a forma de onda na carga estará
em fase com a fonte CA, como pode ser observado na Figura 83.
Figura 83 - Ângulos (α) e (ß) – onda completa a diodo carga R - simulação
Nesse circuito pode-se observar que mesmo sendo do tipo onda completa, o
comportamento se assemelha ao do tipo meia onda, pelo fato do (β) ser menor que o (βc),
caracterizando um tipo de condução descontínua; conforme apresentado na Figura 84.
Figura 84 - Forma de onda de tensão na carga e diodo – onda completa carga RE - simulação

89
O ângulo (α) e (β), por ser um circuito RE,terá o mesmo valor de ângulo de
diferença entre o início e o fim do meio ciclo da fonte CA, como pode ser observado na
Figura 85.
Figura 85 - Ângulo (α) e (β) – onda completa a diodo carga RE - simulação

O (Δt) referente aos ângulos (α) e (β) podem ser observados na Figura 86.
Figura 86 - (Δt) dos ângulos (α) e (β) – onda completa a diodo carga RE - simulação
As formas de ondas de tensão na carga e nos diodos, simuladas, podem ser

90
Figura 87 - Formas de ondas de tensão na carga e no diodo - onda completa RL - simulação
O ângulo (α) e (β), simulado, podem ser observados na Figura 88. Sendo que os
ângulos e a forma de onda resultante na carga estão em fase com a fonte CA.
Figura 88 - Ângulos (α) e (β) – onda completa a diodo carga RL - simulação
A forma de onda de tensão na carga e no diodo, simulada, pode ser observada na

Figura 89.
91
Figura 89 - Forma de onda de tensão na carga e no diodo - Onda completa RLE - simulação
O ângulo (α) pode ser observado na Figura 90.
Figura 90 - Ângulo (α) - onda completa a diodo carga RLE - simulação.
O (Δt) do ângulo (α) pode ser observado na Figura 91.
Figura 91 - (Δt) do ângulo (α) – onda completa a diodo carga RLE - simulação
92
O ângulo (β) pode ser observado na Figura 92.
Figura 92 - Ângulo (β) – onda completa a diodo carga RLE - simulação

O (Δt) do ângulo (β) pode ser observado na Figura 93.
Figura 93 - (Δt) do ângulo (β) – onda completa a diodo carga RLE – simulação

93
3.3.3.3 Prática
Tabela 6 - Onda completa a diodo – Prática

A 0 0,53 0 0,50
(α) (°) 0 32,4 0 30,24
φ (°) 0 0 48,52 48,52
cos(φ) 1 1 0,66 0,66
(β) (°) 180 147,6 180 190,8
(β)c (°) 180 212,4 180 210,24
Vlmed (V) 13,7 16,4 13,7 15,5
Ilmed (mA) 137 47 137 38
Vlef (V) 15,5 17 15,6 16,5
Ilef (mA) 155 72,07 140,83 46,93
Idmed (mA) 65,3 23,5 75,6 19
Idef (mA) 113 50,96 96,86 33,18
A forma de onda na carga do circuito montado na prática pode ser observada na

Figura 94.
Figura 94 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa carga R - osciloscópio
A forma de onda no diodo pode ser observada na Figura 95.

94
Figura 95 - Forma de onda de tensão no diodo – onda completa carga R – osciloscópio
A Figura 96 representa a medida de tempo pelo osciloscópio, porém, não foi

possível mostrar a forma de onda na carga e na fonte pelo fato da referência ser diferente. E
como as ponteiras que foram usadas não são isoladas, ocorreria conflito e possivelmente
queima de componente. O mesmo acontece nos próximos exemplos de ângulos (α) e (ß) de
circuitos em ponte completa.
Figura 96 - Ângulos (α) e (ß) – onda completa carga R – osciloscópio
A forma de onda de tensão na carga pode ser observada na Figura 97.

95
Figura 97 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa RE- osciloscópio
Figura 98 - Forma de onda de tensão no diodo – onda completacarga RE – osciloscópio
Os ângulos e o (Δt) de (α) e (β) podem ser observadas na Figura 99.

96
Figura 99 - Ângulos e o (Δt) de (α) e (β) – onda completa carga RE – osciloscópio
A forma de onda gerada pelo circuito pode ser observada na Figura 100.
Figura 100 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa RL – osciloscópio
A forma de onda gerada no diodo pode ser observada na Figura 101.

97
Figura 101 - Forma de onda de tensão no diodo – onda completa RL – osciloscópio
Os ângulos (α), (β) e o (Δt) podem ser observados na Figura 102.
Figura 102 - Ângulos (α), (β) e (Δt) – onda completa RL – osciloscópio
A forma de onda na carga gerada pelo circuito pode ser observada na Figura 103.
98
Figura 103 - Forma de onda de tensão na carga – onda completa RLE – osciloscópio
Figura 104 - Forma de onda de tensão no diodo - onda completa RLE - osciloscópio
O ângulo (α) e o (Δt), encontrados na prática, podem ser observados na Figura

105.
99
Figura 105 - Ângulo (α) e (Δt) - onda completa a diodo carga RLE – osciloscópio
O ângulo (β) e o (Δt) podem ser observados na Figura 106.
Figura 106 - Ângulo (β) e (Δt) – onda completa RLE – osciloscópio
3.4 CIRCUITO A TIRISTOR
O componente utilizado na retificação foi um tiristor do tipo MCR 100-8. Na Figura

107a, pode-se verificar a simbologia e na Figura 107b, pode-se observar uma foto real do
componente.
100
Figura 107 - Simbologia e componente real - tiristor
Fonte: Mattede, (2019).
Para o disparo do tiristor foi utilizada a plataforma do Arduino, conforme observado

na Figura 108.
Figura 108 - Arduino uno R3
Para isso, foi feito um circuito de detecção de zero, sendo que o esquemático da
primeira parte pode ser observado na Figura 109.
101
Figura 109 - Circuito detector de passagem de zero 1
Utilizou-se uma ponte retificadora de onda completa a diodo (1N4007) que recebe
o sinal da fonte (CA). A onda retificada vai para um opto acoplador (4N25) gerando pulsos de
onda quadrada, e criando uma sincronização de acordo com o sinal recebido na entrada do
opto. Por fim, com um amplificador operacional recebendo esse sinal do opto, faz-se uma
comparação com uma tensão fixa, mandando um sinal de onda quadrada pulsante na porta do
Arduino. Conforme apresentado na Figura 110, em azul, é a onda senoidal retificada, e em
amarelo, é o pulso gerado quando a onda da fonte passa por zero.
Figura 110 - Detector de passagem de zero

102
Já na Figura 111 é apresentada a segunda parte do circuito detector de passagem

por zero.
Figura 111 - Circuito detector de passagem por zero 2
Na segunda parte do circuito, ao receber o pulso do Arduino, o transistor (BC548)

funciona como uma chave eletrônica, chaveando em uma determinada frequência na entrada
do opto acoplador (MOC3021). Permitindo, desta forma, a circulação de corrente que gera um
pulso no gatilho do tiristor, em determinados períodos de tempo. Ou seja, no ângulo
previamente programado no Arduino. Conforme apresentado na Figura 112, em amarelo, é o
pulso recebido do amplificador operacional, e em azul, o sinal de saída, sendo que este já está
programado para um circuito retificador meia onda.
103
Figura 112 - Entrada e saída do Arduino
O circuito montado pode ser observado na Figura 113.
Figura 113 - Circuito de comando e tiristor
A Figura 114 mostra a caixa final com os circuitos de detecção de zero e o

circuito retificador.
104
Figura 114 - Caixa de comando do circuito retificador a tiristor
Conclui-se, portanto, com o digrama de blocos mostrando o esquema geral de

funcionalidade da ponte retificadora a tiristor, conforme a Figura 115.
Figura 115 - Diagrama de blocos da ponte retificadora a tiristor
3.4.1 Meia onda
Devido a alguns problemas no controle preciso do ângulo de disparo do tiristor, a

escolha dos ângulos para o desenvolvimento dos cálculos, simulações e aplicação da bancada
105
na prática, primeiro foram realizados os testes práticos. Desta forma, observou-se que a
bancada possui algumas limitações no controle do ângulo de disparo. Por fim, visto o padrão
de comportamento, os ângulos escolhidos foram apresentados a seguir.
3.4.1.1 Cálculos
Tabela 7 - Meia onda a tiristor – Cálculos

A 0 0,5 0 0,5
(α) - calculado (°) 0 30 0 30
(α) - escolhido (°) 44,064 66,528 87,696 130,464
φ (°) 0 0 12,74 12,74
cos(φ) 1 1 0,97 0,97
(β) (°) 180 150 180 150
(β)c (°) 404,064 426,528 447,696 490,464
Vlmed (V) 6,49 13,75 3,93 11,88
Ilmed (mA) 12,99 4,1 7,86 0,360
Vlef (V) 11,35 14,36 9,66 11,91
Ilef (mA) 22,70 9,24 16,11 1,39
Itmed (mA) 12,99 4,1 7,86 0,360
Itef (mA) 22,70 9,24 16,11 1,39
3.4.1.2 Simulação
Os valores simulados podem ser observados na tabela 8.
Tabela 8 - Meia onda a tiristor - Simulação
A 0 0,5 0 0,5
(α) - calculado (°) 0 30 0 30
(α) - escolhido (°) 44,064 66,528 87,696 130,464
φ (°) 0 0 12,74 12,74
cos(φ) 1 1 0,97 0,97
(β) (°) 180 150,84 192,57 159,907
(β)c (°) 404,064 426,528 447,696 490,464
Vlmed (V) 6,49 13,76 3,82 11,8
Ilmed (mA) 12,98 4,12 7,86 0,282
Vlef (V) 11,35 14,36 8,62 11,84
Ilef (mA) 22,70 9,19 15,70 1,09
Itmed (mA) 12,98 4,12 7,68 0,282
Itef (mA) 22,70 9,19 15,70 1,09
106
As formas de onda de tensão na carga e no tiristor, simuladas, podem ser

Figura 116 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda R - simulação
Os ângulos (α) e (β), simulados, podem ser observados na Figura 117.
Figura 117 - Ângulos (α) e (β) – meia onda a tiristor carga R - simulação
Como poder ser observado, o ângulo de disparo está de acordo com o escolhido,
apresentado na tabela 8. Na Figura 118 pode-se verificar a diferença de tempo entre a carga e
a fonte CA.
107
Figura 118 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda R - simulação
A forma de onda de tensão na carga e no tiristor, simulada, pode ser observada na

Figura 119.
Figura 119 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda RE - simulação
O ângulo (α), simulado, pode ser observado na Figura 120.

108
Figura 120 - Ângulo (α) – meia onda RE - simulação
O (Δt) do ângulo (α), simulado, pode ser observado na Figura 121.
Figura 121 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda RE – simulação
O ângulo (β), simulado, pode ser observado na Figura 122.
Figura 122 - Ângulo (β) – meia onda RE – simulação

109
O (Δt) do ângulo, simulado, pode ser observado na Figura 123.
Figura 123 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RE – simulação
A forma de onda de tensãona carga e no tiristor, simulada, pode ser observada na

Figura 124.
Figura 124 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda RL – simulação
O ângulo (α), simulado, pode ser observado na Figura 125.

110
Figura 125 - Ângulo (α) – meia onda RL – simulação
Figura 126 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda a tiristor carga RL - simulação
Figura 127 - Ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RL - simulação

111
O (Δt) do ângulo (β), simulado, pode ser observado na Figura 128.
Figura 128 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RL – simulação
A forma de onda de tensão e corrente, simulada, pode ser observada na Figura

129.
Figura 129 - Forma de onda de tensão na carga e no tiristor – meia onda RLE - simulação
O ângulo (α) pode ser observado na Figura 130.

112
Figura 130 - Ângulo (α) – meia onda a tiristor carga RLE - simulação
Figura 131 - (Δt) do ângulo (α) – meia onda a tiristor carga RLE – simulação
Figura 132 - Ângulo (β) – meia onda RLE – simulação

113
O (Δt) do ângulo (β), simulado, pode ser observado na Figura 133.
Figura 133 - (Δt) do ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RLE – simulação
3.4.1.3 Prática
Tabela 9 - Meia onda a tiristor - Prática

A 0 0,5 0 0,5
(α) - calculado (°) 0 30 0 30
(α) - escolhido (°) 44,064 66,528 87,696 130,464
φ (°) 0 0 12,74 12,74
cos(φ) 1 1 0,97 0,97
(β) (°) 180 148,032 188,208 155,808
(β)c (°) 404,064 426,528 447,696 490,464
Vlmed (V) 6,44 13,6 4,01 11,8
Ilmed (mA) 12,88 4,10 7,86 0,360
Vlef (V) 10,9 14,1 8,23 11,8
Ilef (mA) 22,67 9,24 16,11 1,39
Itmed (mA) 12,88 4,10 7,86 0,36
Itef (mA) 22,67 9,24 16,11 1,39
A forma de onda na carga, na prática, pode ser observada na Figura 134.

114
Figura 134 - Forma de onda na carga – meia onda R – osciloscópio
A forma de onda no tiristor pode ser observada na Figura 135.
Figura 135 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda R – osciloscópio
O ângulo (α), na prática, pode ser observado na Figura 136.

115
Figura 136 - Ângulo (α) e (Δt) – meia onda R – osciloscópio
A forma de onda de tensão na carga, na prática, pode ser observada na Figura 137.
Figura 137 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda RE – osciloscópio
A forma de onda de tensão no tiristor, na prática, pode ser observada na Figura

138.
116
Figura 138 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda RE – osciloscópio
O ângulo (α) e o (Δt), na prática, podem ser observados na Figura 139.
Figura 139 - Ângulo (α) e (Δt) – meia onda a tiristor carga RE – osciloscópio
O ângulo (β), na prática, pode ser observado na Figura 140.

117
Figura 140 - Ângulo (β) – meia onda a tiristor carga RE – osciloscópio.
Figura 141 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda RL – osciloscópio

142.
118
Figura 142 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda RL – osciloscópio
Figura 143 - Ângulo (α) e o (Δt) – meia onda RL – osciloscópio
O ângulo (β) e o (Δt), na prática, podem ser observados na Figura 144.

119
Figura 144 - Ângulo (β) e o (Δt) – meia onda a tiristor carga RL – osciloscópio
Figura 145 - Forma de onda de tensão na carga – meia onda RLE – osciloscópio

146.
120
Figura 146 - Forma de onda de tensão no tiristor – meia onda RLE - osciloscópio
Figura 147 - Ângulo (α) e o (Δt) – meia onda a tiristor carga RLE – osciloscópio
O ângulo (β) e o (Δt), na prática, podem ser observados na Figura 148.

121
Figura 148 - Ângulo (β) e o (Δt) – meia onda a tiristor carga RLE – osciloscópio
3.5 ANÁLISE DOS TESTES
Os testes realizados com a bancada mostraram ser uma ferramenta com uma boa
precisão em relação aos cálculos e simulações. Através de tabelas, foram feitas as
comparações de tensão e corrente dos valores simulados e medidos com os cálculos que são
os valores esperados, assim mostrando o erro em percentual. A comparação do circuito meia
onda a diodo, R e RE, pode ser observada na tabela 10.
Tabela 10: Comparação diodo meia onda – R e RE

R RE
Grandeza Erro (%) Erro (%)
Esperado Esperado
Simulação Prática Simulação Prática
Vlmed (V) 7,56 -0,93% -1,32% 14,35 -2,16% 0,35%
Ilmed (mA) 75,6 -0,95% -1,32% 26,05 -10,13% 3,65%
Vlef (V) 11,88 0,00% -3,20% 14,99 -2,80% 0,07%
Ilef (mA) 118,8 0,00% -3,20% 49,79 -8,86% 0,32%
Idmed (mA) 75,6 -0,95% -1,32% 26,05 -10,13% 3,65%
Idef (mA) 118,8 0,00% -3,20% 49,79 -8,86% 0,32%
A comparação do circuito meia onda a diodo, RL e RLE, pode ser observada na

tabela 11.
122
Tabela 11: Comparação diodo meia onda – RL e RLE

RL RLE
Esperado Esperado
Vlmed (V) 5,95 4,20% 4,37% 13,5 -1,04% 0,74%
Ilmed (mA) 59,48 4,91% 4,40% 19 -10,58% 0,00%
Vlef (V) 11,87 5,90% 1,94% 14,61 -2,12% -0,07%
Ilef (mA) 86,47 4,91% 4,41% 33,725 -10,54% 0,00%
Idmed (mA) 59,48 4,64% 4,40% 18 -5,61% 5,56%
Idef (mA) 86,47 4,91% 4,41% 31,95 -5,57% 5,56%
A comparação do circuito onda completa a diodo, R e RE, pode ser observada na
tabela 12.
Tabela 12: Comparação diodo onda completa – R e RE

R RE
Esperado Esperado
Vlmed (V) 14,94 0,00% -8,30% 17 -0,06% -3,53%
Ilmed (mA) 149,4 0,00% -8,30% 53 -0,02% -11,32%
Vlef (V) 16,59 0,00% -6,57% 17,65 0,00% -3,68%
Ilef (mA) 165,9 0,00% -6,57% 71,36 -0,22% 0,99%
Idmed (mA) 74,7 0,00% -12,58% 26,5 -0,04% -11,32%
Idef (mA) 117,31 0,00% -3,67% 50,46 -0,22% 0,99%
A comparação do circuito onda completa a diodo, RL e RLE, pode ser observada

na tabela 13.
Tabela 13: Comparação diodo onda completa – RL e RLE

RL RLE
Esperado Esperado
Vlmed (V) 15,12 0,00% -9,39% 15,2 2,11% 1,97%
Ilmed (mA) 151,2 -2,61% -9,39% 35,6 6,18% 6,74%
Vlef (V) 16,8 -0,06% -7,14% 18,55 -8,30% -11,05%
Ilef (mA) 155,43 -2,61% -9,39% 43,97 6,19% 6,73%
Idmed (mA) 75,6 -0,28% 0,00% 17,8 6,29% 6,74%
Idef (mA) 109,9 -1,17% -11,87% 31,09 6,21% 6,72%
123
A comparação do circuito meia onda a tiristor, R e RE, pode ser observada na

tabela 14.
Tabela 14: Comparação meia onda a tiristor – R e RE

R RE
Esperado Esperado
Vlmed (V) 6,49 0,00% -0,77% 13,75 0,07% -1,09%
Ilmed (mA) 12,99 -0,08% -0,85% 4,1 0,49% 0,00%
Vlef (V) 11,35 0,00% -3,96% 14,36 0,00% -1,81%
Ilef (mA) 22,7 0,00% -0,13% 9,24 -0,54% 0,00%
Itmed (mA) 12,99 -0,08% -0,85% 4,1 0,49% 0,00%
Itef (mA) 22,7 0,00% -0,13% 9,24 -0,54% 0,00%
A comparação do circuito meia onda a tiristor, RL e RLE, pode ser observada na
tabela 15.
Tabela 15: Comparação meia onda a tiristor – RL e RLE

RL RLE
Esperado Esperado
Vlmed (V) 3,93 -2,80% 2,04% 11,88 -0,67% -0,02%
Ilmed (mA) 7,86 0,00% 0,00% 0,36 -21,67% 0,00%
Vlef (V) 9,66 -10,77% -14,80% 11,91 -0,59% -0,92%
Ilef (mA) 16,11 -2,55% 0,00% 1,39 -21,58% 0,00%
Itmed (mA) 7,86 -2,29% 0,00% 0,36 -21,67% 0,00%
Itef (mA) 16,11 -2,55% 0,00% 1,39 -21,58% 0,00%
124
4 CONCLUSÃO
Um material de apoio para o aluno é de suma importância para ajudar no

entendimento de um assunto de estudo. Com a prática, pode-se simular uma situação real do
dia a dia de um profissional atuando na sua área, observar o comportamento de um circuito na
prática, possibilitando a aplicação do que foi aprendido na teoria, e, auxiliando no
aprendizado do estudante.
Obteve-se dificuldade em encontrar trabalhos voltados para o desenvolvimento de
bancadas a diodo ou a tiristor, bem como encontrar modelos de circuitos para servirem de
modelo no desenvolvimento da bancada apresentada no trabalho; principalmente para os
circuitos a tiristor, que são mais complexos, pelo fato do ângulo de disparo poder ser
controlado.
O projeto e desenvolvimento da bancada a diodo desenvolvido sem muitas
dificuldades. Já no circuito a tiristor, o que dificultou mais foi a parte que faz o disparo do
tiristor. Mesmo assim, foi possível fazer com que o controle do ângulo funcionasse, apesar de
apresentar limitações; ou seja, somente funciona em ângulos específicos.
O resultado obtido com os testes da bancada tornou-se plausível nos seguintes
pontos: primeiro, em mostrar a teoria na prática, permitindo a visualização do comportamento
de determinado circuito. Segundo, pois mostrou também que nem sempre a teoria funciona do
mesmo jeito que na prática, muitas vezes ao se deparar com uma situação, o engenheiro
precisa ter o conhecimento para poder resolvê-la da melhor forma possível. Sendo assim,
modificações, muitas vezes pequenas, mas que fazem a diferença, devem ser analisadas para
encontrar as possíveis soluções. E por último, foi possível observar que os valores
encontrados na prática foram próximos dos valores calculados e simulados, mostrando que a
ferramenta pode ser muito útil.
Para trabalhos futuros, sugere-se a escolha de componentes com maiores
capacidades de corrente. No disparo do tiristor, pode ser alterada a programação do arduino
para atender circuitos em onda completa, pois somente atende em meia onda. Outra sugestão
é a modificação do circuito de passagem de zero, sendo um tipo para a meia onda e o outro
para onda completa.
125
REFERÊNCIAS
Assef, P. A. (2019). Aula 12 - Retificador meia onda controlado a tiristor RL. Curitiba.
BARBI, I. (2006). Eletrônica de Potência. Florianópolis: Do Autor.
Boylesta, R. L., & Nashelsky, L. (2013). Dispositivos Eletrônicos e teoria de circuitos. São
Paulo: Pearson Education do Brasil.
Itaipu, 2018. Itaipu Binacional - integração ao sistema brasileiro.Disponível em:

<https://www.itaipu.gov.br/energia/integracao-ao-sistema-brasileiro>. Acesso em 26 de
novembro de 2018.
Malvino, A. P. (2006).Eletrônica. 4ª Edição. São Paulo: Pearson Education.
Rashid, M. H. (1999). Eletrônica de Potência Circuitos, Dispositivos e Aplicações. São

Paulo: Makron Books.
Universidade Tecnológica Ferderal do Paraná (Uftpr), 2019.Retificadores a tiristor.

Disponível em: <http://paginapessoal.utfpr.edu.br/badin/eletronica-de-potencia/retificadores-
a-tiristor/abaco_utilizacao.pdf/view>. Acesso em 15 de junho de 2019.

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UNIVERSIDADE DO SUL DE SANTA CATARINA

NATHANAEL GÜNTER PRANGE

DESENVOLVIMENTO DE BANCADA DIDÁTICA DE ELETRÔNICA DE

DESENVOLVIMENTO DE BANCADA DIDÁTICA DE ELETRÔNICA DE

Trabalho de Conclusão de Curso apresentado ao Curso

Orientador: Prof. Luis Fernando Ferreira de Campos, Ms.Eng.

DESENVOLVIMENTO DE BANCADA DIDÁTICA DE ELETRÔNICA DE

Este Trabalho de Conclusão de Curso foi

Tubarão, 25 de Junho de 2019.

Agradeço primeiramente a Deus pela vida e pela oportunidade de poder estar

Palavras-chave: Bancadas-didáticas. Retificadores. Eletrônica-de-potência.

Keywords: Bench-didactics. Rectifiers. Power electronics.

Figura 1 - Átomo de germânio ................................................................................................. 22

Tabela 1 - Meia onda a diodo - cálculos ................................................................................... 72

O mercado de trabalho está em busca de profissionais mais capacitados; e para

Além de aproximar o aluno da ciência e tecnologia, as ferramentas do engenheiro,

Por isso, dentro do mundo acadêmico, há necessidade do aluno em possuir

1.2 DEFINIÇÃO DO PROBLEMA

Atualmente a aula de eletrônica de potência na Unisul ministra-se somente a parte

funcionamento do circuito, podendo ser realizada uma mudança na característica deste,

1.3.1 Objetivo geral

Desenvolver uma bancada didática baseada nos circuitos retificadores a diodo e

1.3.2 Objetivos específicos

• Projetar a bancada selecionando os componentes necessários;

O trabalho é do tipo pesquisa, abordando o desenvolvimento de uma bancada

O trabalho é do tipo pesquisa exploratória, tendo embasamento em livros, artigos

1.6 ESTRUTURA DO TRABALHO

O trabalho divide-se em 4 capítulos, dos quais:

2.1 MATERIAIS SEMICONDUTORES

Cada dispositivo eletrônico discreto de estado sólido, ou um circuito integrado,

Os semicondutores são uma classe especial de elementos cuja condutividade está

Tal característica se dá pelo fato dos semicondutores possuírem4 elétrons na sua

O germânio, como citado anteriormente, é um exemplo de um semicondutor,

Figura 1 - Átomo de germânio

Fonte: Malvino (2006, p.26).

É o material semicondutor mais utilizado. Além de suas propriedades químicas e

Figura 2 - Átomo de silício

Fonte: Malvino (2006, p.27).

2.1.3 Semicondutor intrínseco

Um semicondutor é chamado de intrínseco quando o mesmo se encontra em um

2.1.4 Semicondutor tipo (n)

2.1.5 Semicondutor tipo (p)

2.2 ÁBACO DE PUSCHLOWSKI

Circuitos do tipo retificador a tiristor com carga RL (resistor e indutor) e RLE

Figura 3 - Ábaco de valores pares

Fonte: Universidade Tecnológica Ferderal do Paraná, (2019).

Já na figura 4 pode ser observado o ábaco de valores ímpares.

Figura 4 - Ábaco de valores ímpares

Fonte: Universidade Tecnológica Ferderal do Paraná, (2019).

O gráfico representa no eixo vertical o ângulo de extinção da corrente, (β), e no

E para determinar o cos(φ), calcula-se a relação entre resistência e reatância,

Como o trabalho proposto não tem o objetivo de aprofundar-se em cálculos que

2.3 DIODO SEMICONDUTOR

2.3.1 Introdução ao diodo

Os diodos semicondutores de potência desempenham um papel importante na

funções, tais como: chaves em retificadores, comutação em reguladores, inversão de carga em

2.3.2 Características dos diodos

A junção de um diodo de potência é do tipo (pn), dois terminais, sendo a mesma

Figura 5 - Diodo ideal

Fonte: Barbi(2006, p.24).

Figura 6 - Junção pn do diodo

Fonte: Rashid (1999, p. 24).

Essa relação de polarização pode ser observada na Figura 6, ou seja, quando o