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Sistemas de Eletrônica AnaDigi Multi Frequêncial em Tecnologia High-Tec.

Você é desenvolvedor nas áreas de: Ciência da Computação, Robótica, Mecatrônica, TELECOM e
TELECOM SAT, Sistemas Cyber, Elétrica e Eletrônica MF-RF e de Precisão (inclusive Médica), etc ?

Então Realize os seus projetos Assim:

1) Placa de TELECOM SAT de fibra Vermelha especial para sistemas de elevada frequência e quase
nenhuma capacitância associada com Elevada Tensão Associada.

2) Ao fazer a placa de seus circuitos AnaDigi:

A) Faça o Negativo da placa ficar em toda a sua periferia e no centro com furos de conecção com o
chassi diretamente. Por meio de parafusos, porcas e pinos fixos metálicos.

B) Passe no final da concepção e de sua soldagem de peças e equipamentos dela um, verniz marítimo
transparente com pincel e / ou equipo apropriado para ter uma boa espessura do verniz.

C) A placa deve ficar em um chassi de latão com espessura mínima de 1,0 m/m fechada e lacrada que
deve ser pintado externamente com tinta EPÓXI Colorida.

D) Desacople a fonte / Bateria com 1 diodo RF 1N60 + 1 Diodo Retificador Varicap 1N5742 em paralelo
com a entrada de energia dela.

E) Todos os seus controles e sistemas de I / O AnaDigi devem ser / ter eletrônicos com características
de TELECOM SAT Multi Frequência de RF ( Nada de Sistemas e Controles Mecânicos).

F) Pilhas ELGIN A23 ( 12V x 43 A ) ou 19,5-35,0 V DC x 4,7 Amin X 100-350 V AC Fonte T Chaveada e
ambas com um bom sistema de Aterramento por meio da Carcaça + Circuito e do tipo pesado. Pois
pode ter que fluir mais de 900 A cada.

G) Dimensões Múltiplas de 1,75, inclusive os Cabos Coaxiais de RF e Fios Encapados 3,0 mm mínimo.

H) As conecções devem ser isoladas e de Alto Zm MF-RF, sem exceção.

I) As Zm MF-RF no total devem ser baseadas na tese: C.E.N.A-E.S.A.L.Q-U.S.P:09789876789-UNE .

J) A entrada e saída de RF deve ter Zm= - 854  / - 397 

K) Utilizar o CI- SONY ® 2004, Descrita em NOTA, Abaixo, e a Battery- ® 48 V x 30 A 2014, de uso
continuo e permanente ( Ambos Cristal Complexo de Elevadas Características Padrão ).

L) Todas as Tensões Máximas devem ser superior a 125 V.

M) Transistores: Linha BUW da Philips Holland, Qualquer um ou BUW12A / BUW14A STD.

Sem Freq de Transição e T >= 125V, I >= -4,7 A, HfE >= 100, POTm >= POT * 1,2066333101 W ou 125 W

N) Transceptor : Antena OMNIDirecional: – 397 / -854   Diodo Túnel: 1N7244 / 1N7234 p/ 10W RMS.

[ TOP SECRET ] [ DEFCON 19 - SAFE SECURITY G ONU 15.000 ]

[ Author ® & Copyright © Cláudio Otero IF246.853.460BR 18/09/2014-14:54:56 ]
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NOTA: Estas características fazem com que o circuito atinja padrões característicos muito acima do
Esperado e Realizado até hoje. ( - 750 dB Médio de Sensibilidade + 174 dB de Ganho de RF por Ex. )
Exemplo: CI- da SONY Japan / Brasil Corporation S/A & UNIMEP – Universidade Metodista de
Piracicaba Campus de Engenharia de Santa Barbara d’oeste.

3) De acordo com as minhas teses práticas (HAGI) e também com a hagi principal, (Aeroporto da
ESALQ-USP: 3223-C Aiwa CSD-EX120, YAESUS-YAESO) eu percebi com elas que havia retirada de
interferência de RF pesada (titulada por mim de: INTERFERÊNCIA ÓSSEA LAWRENCIANA) que eu
descrevo no parágrafo abaixo, com destreza, sob estas condições descritas, e nestas maneiras de
obtenção de “DÁDIVA” receptiva.

Fonte de impedância de RF multi frequencial de impedância (Z): fixa, equi, estabili, adaptada e
adaptável e desacoplada(vel) e com energia, por causa disto, semi conduzida de Si (principalmente),
Ge, Ga, e associações. Isto retira principalmente a interferência geral de RF multi RF Zi
intrinsecamente incluindo todas as formas da tecnológica as naturais (principalmente a solar) e
elevando, inclusive, as características dos semicondutores de RF (hfe Multi-RF) de transistores NPN /
PNP, CI ( A.Os, etc …) e ativa com cristais de semicondutores dopados, com as dependências da
Tese: C.E.R.N-C.E.N.A:C.E.N.A-E.S.A.L.Q-U.S.P:09789876789-UNE ; Indução  – Energia de Indução
Grávitron associada, de maneira altamente produtiva e com elevadas características de reconstrução
da onda gerada inicialmente na origem em relação à recepção na antena sob interferência de alta
relação db (Em módulo bem acima de -500 db e com a mesma sensibilidade e capacidade de detecção
de RF) só dependendo da ÓTIMA escolha de bons componentes dopado de semicondutores
(Transistores do tipo NPN/PNP sem Frequência de Transição, e jamais Transistores FET, de nenhum
tipo e especialmente de Gate Isolado ou de “isolação” de alta impedância, de qualquer espécie, por
exemplo, por causa da perda de capacidade de trabalho do “capacitor” implicito. Na transformação de
campo elétrico em corrente elétrica, do isolante.) obrigatoriamente sem o uso de componente de
Impedância positiva como indutores e, à verificar a utilidade sob condições especiais, resistores; que
neste caso é consumo e recepção efetivo de energia (+) e não geração e transmissão de energia (-)
que deverá ser mantida o tempo todo obrigatoriamente.

O único componente passivo que poderá/deverá ser utilizado com certeza é e sempre será o
CAPACITOR e do tipo CERÂMICA (Código de Tensão: >= AZUL) ou TÂNTALO: (Tensão > 120V/C >=
770nF-1uF) de acordo com a utilização no circuito apropriado. Por isto o circuito todo é totalmente
transformável em circuito integrado (C.I) HIGH-TEC de baixíssimo custo operacional comercial de
venda à varejo e de fácil projeto e execução e com previsão de aplicação de combate de rádio
interferência de RF pesada tecnológica ou não, do nivel de tipo óssea ou não. Lista de componentes
abaixo:
COMPONENTES ESPECIAIS em GERAL:
Cabos e Fios: - 397 / - 854 Cobre / Latão - Coaxial de Malha Fechada.
Antena: - 397 / - 854  Omini Direcional MF-RF.
Capacitor Disco Cerãmico com Código de Tensão AZUL: 254pf, 3150Kpf, 16 Kpf, 78Kpf.
Transistores: 2N3055 ( USO Especial ), Par Casado BUW12A / BUW14A: BUW Philips Holland
Diodo Retificador Varicap 1N5408 / 1N5742 / 1N4007 / 1N7004 / 6A6; RF 1N60.
Led. [ Multi colorido: 1N3697 ] Mono Cor: Red. 1N3746, 1N3747, 1N3998, 1N3990, 1N3999 ]
A.O: [ Baixa Tensão de USO ESPECIAL: 1N740 / 1N741 ] 1N474U …
CristaL: 1m-Hz Fixo Padrão ( Obrigatório ).

[ TOP SECRET ] [ DEFCON 19 - SAFE SECURITY G ONU 15.000 ]

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REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS, CIENTIFICAS & TESANDAS:

(1) [ TOP SECRET ] [ DEFCON 19 SAFE SECURITY G ONU 15.000 ]
C.E.N.A-E.S.A.L.Q-U.S.P:09789876789-UNE. 2012. (UNIMEP. 1982-2012.)

(2)- Hagi: 3223-C Aiwa CSD-EX120

Aeroporto Pedro Morganti Filho (U.S.P-2004-12 & UNIMEP. 1982-2012.)
USP - Universidade de São Paulo; Campus da E.S.A.L.Q Luis de Queiróz;
Piracicaba-São Paulo-Brasil

(3)-Experiências próprias e Hagis Associadas em Geral: Técnico em Eletrônica e Curso

Superior de Formação em Processamento de Dados & Amigos Especialistas & Literatura
Técnica em Geral (UNIMEP. 1982-2012).

(4)-Seis (06) anos de Laboratório Pessoal de Produção voltada para a Tese em (1) no Centro
de Energia Nuclear na Agricultura – C.E.N.A do Campus Luis de Queiróz da U.S.P -
Universidade de São Paulo em Piracicaba – São Paulo – Brasil.

Piracicaba - São Paulo - Brasil. Quinta-feira, 18 de setembro de 2014-14:29:43

UNIMEP PDD Noturno RA:86.1165-9. IDE E ENSINAI.

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